JP2005345537A - Positive photosensitive polyimide precursor composition - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive photosensitive resin precursor composition, in which the coefficient of thermal expansion is small and therefore, decrease in adhesiveness with a substrate, warpage of the substrate or the like are prevented to be able to form a resin film which is prevented from deterioration in electrical characteristics, resolution or the like. <P>SOLUTION: The positive polyimide precursor composition comprises a polyimide precursor containing a benzoxazole skeleton in the main chain and an OR group in at least either the main chain or a side chain (wherein R represents a monovalent organic group which can be decomposed due to the effect of an acid and converted into hydrogen); and a photo-acid generating agent. Since the positive polyimide precursor composition has a small coefficient of thermal expansion after polyimidization, the composition shows little difference in the coefficient of thermal expansion from a substrate, having a small coefficient of thermal expansion, such as a silicon wafer after the composition is applied on the substrate and thermally cyclized, shows preferred adhesion property with the substrate, reduces warpage and keeps preferred developing properties, photosensitivity, or the like. As a result, a preferable pattern can be obtained. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体素子の信頼性向上のための半導体表面保護膜や層間絶縁膜の形成に使用されるポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物に関する。   The present invention relates to a positive photosensitive polyimide precursor composition used for forming a semiconductor surface protective film and an interlayer insulating film for improving the reliability of a semiconductor element.

従来から、半導体素子の表面保護膜や層間絶縁膜の形成には、耐熱性、電気特性、機械特性に優れたポリイミド樹脂が使用されてきた(非特許文献1参照)。また、近時、メモリやマイクロプロセッサーなどの主要デバイスの生産性向上に対応するように半導体素子の高集積化と大型化とが進められ、また、情報機器用デバイスの薄型パッケージングに対応するように封止樹脂パッケージの薄型化と小型化とが進められ、さらに、半田リフローによる表面実装への移行が進められるようになってきている。そして、これら事情に伴って、これらに使用される表面保護膜や層間絶縁膜に対しても耐熱サイクル性、耐熱ショック性などについて大幅な性能向上が要求されてきており、より高性能なポリイミド樹脂が望まれている。   Conventionally, a polyimide resin excellent in heat resistance, electrical characteristics, and mechanical characteristics has been used for forming a surface protective film and an interlayer insulating film of a semiconductor element (see Non-Patent Document 1). In recent years, semiconductor devices have been highly integrated and large in size so as to respond to improved productivity of major devices such as memories and microprocessors, and to support thin packaging of information equipment devices. In addition, the sealing resin package has been made thinner and smaller, and the shift to surface mounting by solder reflow has further been promoted. With these circumstances, surface protection films and interlayer insulation films used for these materials have been required to have significant performance improvements in terms of heat cycle resistance, heat shock resistance, etc. Is desired.

また、回路パターン製造工程の簡略化のために、感光性ポリイミドを使用することが注目されてきている。   Further, in order to simplify the circuit pattern manufacturing process, the use of photosensitive polyimide has attracted attention.

これらの用途において感光性ポリイミドを使用する場合、これまで、露光部が硬化するネガ型が知られているが、これらネガ型では、現像工程での安全性に問題があり、また、現像工程にて環境上好ましくないN−メチル−2−ピロリドンなどの溶剤を使用するので、近年、従来のネガ型に代わって、アルカリ水溶液で現像できるポジ型感光性ポリイミド樹脂が開発されている(非特許文献2参照)。このポジ型感光性ポリイミド樹脂は、高い耐熱性、優れた電気特性、高い解像性を持っており、特に注目されている。また、感光性ポリイミド樹脂に代わって、耐湿性に優れた感光性ポリベンゾオキサゾール樹脂も開発されてきた(非特許文献2参照)。   In the case of using photosensitive polyimide in these applications, there are known negative types in which the exposed area is cured. However, these negative types have problems with safety in the development process, and in the development process. In recent years, a positive photosensitive polyimide resin that can be developed with an aqueous alkaline solution has been developed in place of the conventional negative type because a solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone, which is environmentally unfavorable, is used (Non-Patent Document). 2). This positive type photosensitive polyimide resin has high heat resistance, excellent electrical characteristics, and high resolution, and has attracted particular attention. Moreover, photosensitive polybenzoxazole resin excellent in moisture resistance has been developed in place of the photosensitive polyimide resin (see Non-Patent Document 2).

しかし、上記ポリイミド樹脂やポリベンゾオキサゾール樹脂は、金属や無機材料と比べると、熱膨張係数が大きいという問題があった。   However, the polyimide resin and polybenzoxazole resin have a problem that the coefficient of thermal expansion is large as compared with metals and inorganic materials.

樹脂の熱膨張係数が大きい場合、金属や無機材料の基材に塗布すると、熱膨張係数の差に起因する熱応力によって、膜にクラックが発生したり、膜が基材から剥離したり、基材に反りが発生したり、基材が破壊されたり等が起こる。さらに、基材に大きな反りを生じた状態で、パターニングのためのリソグラフィーを行うと、パターニングの解像度が悪くなり問題となる。この問題は、特に、大型の基材を使用した場合や、基材上に厚く塗布する場合に大きくなる。そのため、熱膨張係数の小さいポジ型感光性樹脂の開発が強く望まれている。特にシリコンウェハは基材として重要であるが、熱膨張係数が3ppm/℃と非常に小さく、樹脂との熱膨張差から生じるウェハの反りは、製造工程での不良品の発生、搬送不良、割れの要因、あるいはデバイス特性への影響を考えると好ましくない。
「最新ポリイミド〜基礎と応用」(エヌ・ティー・エス)p.327〜338 「電子部品用高分子材料の最新動向III(住ベテクノリサーチ)p.88〜119
When the thermal expansion coefficient of the resin is large, when applied to a metal or inorganic material substrate, cracks may occur in the film due to the thermal stress caused by the difference in the thermal expansion coefficient, The material may be warped or the base material may be destroyed. Further, when lithography for patterning is performed in a state where a large warp is generated in the base material, the resolution of patterning is deteriorated, which causes a problem. This problem is particularly serious when a large base material is used or when a thick coating is applied on the base material. Therefore, development of a positive photosensitive resin having a small thermal expansion coefficient is strongly desired. In particular, silicon wafers are important as a base material, but the thermal expansion coefficient is very small at 3 ppm / ° C, and the warpage of the wafer caused by the difference in thermal expansion from the resin is caused by defective products in the manufacturing process, defective transport, cracks. This is not preferable in view of the cause of this or the influence on the device characteristics.
“Latest Polyimide: Fundamentals and Applications” (NTS) p. 327-338 “Latest Trends in Polymer Materials for Electronic Components III (Sumibe Techno Research) p.88-119

本発明は、従来のポジ型感光性樹脂の熱膨張係数が大きいことに起因する、基材との密着性の低下や基材の反りなどの問題を軽減するためになされたものであり、熱膨張係数が小さく、このために、基材との密着性の低下や基材の反り等が軽減され、電気特性、解像性などが劣化することがない樹脂膜を与えることができるポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物を提供することを目的としたものである。   The present invention was made to alleviate problems such as a decrease in adhesion to a base material and warping of the base material due to the large thermal expansion coefficient of conventional positive photosensitive resins. A positive type photosensitive resin that has a low expansion coefficient, and therefore can reduce resin adhesion and warpage of the substrate, and can provide a resin film that does not deteriorate electrical characteristics, resolution, etc. It aims at providing a conductive polyimide precursor composition.

本発明は、主鎖にベンゾオキサゾール骨格を有し、且つ、主鎖及び側鎖の少なくともいずれかにOR基(但し、Rは酸の作用で分解し水素に変換し得る一価の有機基である)を含有するポリイミド前駆体と、光酸発生剤とを含有することを特徴とし、そのことにより上記目的が達成される。   The present invention has a benzoxazole skeleton in the main chain, and an OR group in at least one of the main chain and the side chain (provided that R is a monovalent organic group that can be decomposed and converted to hydrogen by the action of an acid). A polyimide precursor containing a photoacid generator and a photoacid generator, thereby achieving the above object.

前記ポリイミド前駆体は、一般式(1)で示される構造を繰り返し単位中に有することが好ましい。   It is preferable that the said polyimide precursor has a structure shown by General formula (1) in a repeating unit.

Figure 2005345537
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(式中、Rは、4価の有機基、Rは、OR基、OR基含有芳香族基を有する有機基、又は、その他の一価の有機基、Rは一般式(2)〜(5)のいずれかで示される芳香族ベンゾオキサゾール残基を表す。) (Wherein R 1 is a tetravalent organic group, R 2 is an OR group, an organic group having an OR group-containing aromatic group, or other monovalent organic group, and R 3 is a general formula (2) Represents an aromatic benzoxazole residue represented by any one of (5).)

Figure 2005345537
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Figure 2005345537
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(式中、R、R、R、Rは、それぞれ独立して、OR基を有していてもよい単環または複数の環から構成される芳香族環基又は複素環基を表す。) (Wherein R 4 , R 5 , R 6 and R 7 each independently represents an aromatic ring group or a heterocyclic group composed of a single ring or a plurality of rings optionally having an OR group. Represents.)

上記構成のポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物において、前記ポリイミド前駆体全体に含まれるOR基の合計量が、繰り返し単位1モルあたり0.5〜3モルであることが好ましい。   In the positive photosensitive polyimide precursor composition having the above configuration, the total amount of OR groups contained in the entire polyimide precursor is preferably 0.5 to 3 moles per mole of repeating units.

前記ポリイミド前駆体の少なくとも一方の末端は、芳香族ジアミンまたは二酸無水物と結合する結合性基を有する連鎖延長剤によって該結合性基を介して封鎖されており、該連鎖延長剤は、芳香族ジアミンと二酸無水物とからポリイミド前駆体を形成するための条件とは異なる条件下で該ポリイミド前駆体同士を該連鎖延長剤を介して連結する連結性基をさらに有していることが好ましい。   At least one end of the polyimide precursor is blocked through the binding group by a chain extender having a binding group that binds to an aromatic diamine or dianhydride. It further has a linking group for linking the polyimide precursors via the chain extender under conditions different from the conditions for forming a polyimide precursor from an aromatic diamine and a dianhydride. preferable.

本発明のポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物は、シリコンウェハなどの低熱膨張係数の基材上に塗布、熱環化した後に得られるポリイミドと基材との熱膨張係数の差が小さく、また、基材との密着性が良く、かつ反りなどを軽減でき、また、現像性、感光性などを良好に維持できるので、これらの結果として、良好なパターンが得られる。   The positive photosensitive polyimide precursor composition of the present invention has a small difference in thermal expansion coefficient between the polyimide obtained after coating and thermal cyclization on a low thermal expansion coefficient substrate such as a silicon wafer, and Since the adhesiveness with the substrate is good and warpage can be reduced, and the developability and photosensitivity can be maintained well, as a result, a good pattern can be obtained.

以下、本発明を詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail.

本発明のポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物は、主鎖にベンゾオキサゾール骨格を有し、且つ、主鎖及び側鎖の少なくともいずれかにOR基(但し、Rは酸の作用で分解し水素に変換し得る一価の有機基である)を含有するポリイミド前駆体と、光酸発生剤とを含有することを特徴とする。   The positive photosensitive polyimide precursor composition of the present invention has a benzoxazole skeleton in the main chain, and an OR group in at least one of the main chain and the side chain (provided that R is decomposed by the action of an acid and hydrogen It is characterized by containing a polyimide precursor containing a monovalent organic group which can be converted into a photoacid generator.

本発明に関するポリイミド前駆体は、好ましくは、一般式(1)で表される構造単位を主成分としており、加熱するか、または適当な触媒を添加することにより、イミド環を有する樹脂となり得るものであり、イミド環形成により耐熱性に優れたポリイミドが形成される。   The polyimide precursor related to the present invention preferably has a structural unit represented by the general formula (1) as a main component, and can be a resin having an imide ring by heating or adding an appropriate catalyst. Thus, polyimide having excellent heat resistance is formed by imide ring formation.

Figure 2005345537
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ここで、上記(1)式中、RはOR基を有していてもよい4価の有機基、Rは、水酸基、OR基、OR基含有芳香族基を有する有機基、又は、その他の一価の有機基を表している。 Here, in the above formula (1), R 1 is a tetravalent organic group which may have an OR group, R 2 is a hydroxyl group, an OR group, an organic group having an OR group-containing aromatic group, or It represents other monovalent organic groups.

上記(1)式中、ポリイミド前駆体の主鎖または側鎖の少なくともいずれかに含有されるOR基に関し、Rは酸の作用で分解し水素に変換し得る一価の有機基である。Rは酸の作用で分解し、水素原子に変換しうるものであれば、特に制限はないが、例えば、アルコキシカルボニル基、アルコキシアルキル基、アルキルシリル基、アセタール基、ケタール基などが挙げられる。これらの基は、アルカリ可溶性水酸基を保護する保護基として知られているものである。   In the formula (1), regarding the OR group contained in at least one of the main chain or the side chain of the polyimide precursor, R is a monovalent organic group that can be decomposed and converted into hydrogen by the action of an acid. R is not particularly limited as long as it can be decomposed by the action of an acid and converted into a hydrogen atom, and examples thereof include an alkoxycarbonyl group, an alkoxyalkyl group, an alkylsilyl group, an acetal group, and a ketal group. These groups are known as protecting groups for protecting an alkali-soluble hydroxyl group.

具体的には、t−ブトキシカルボニル基などのアルコキシカルボニル基、メトキシメチル基、エトキシエチル基などのアルコキシアルキル基、メチルシリル基、エチルシリル基などのアルキルシリル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、アルコキシ置換テトラヒドロピラニル基、アルコキシ置換テトラヒドロフラニル基などが典型的な例として例示されるが、これらに限定されるものではない。最も好ましい基はテトラヒドロピラニル基である。   Specifically, alkoxycarbonyl groups such as t-butoxycarbonyl group, alkoxyalkyl groups such as methoxymethyl group and ethoxyethyl group, alkylsilyl groups such as methylsilyl group and ethylsilyl group, tetrahydropyranyl group, tetrahydrofuranyl group, alkoxy A substituted tetrahydropyranyl group, an alkoxy-substituted tetrahydrofuranyl group and the like are exemplified as typical examples, but are not limited thereto. The most preferred group is a tetrahydropyranyl group.

上記一般式(1)中、Rは、4価の有機基であれば特に限定されないが、ポリイミドに耐熱性を持たせるために、炭素数6〜30の芳香族環または芳香族複素環を含有することが好ましい。Rの好ましい具体例としては、ピロメリット酸、ナフタレンテトラカルボン酸、3,3´,4,4´−ビフェニルテトラカルボン酸、3,3´,4,4´−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸、3,3´,4,4´−ジフェニルヘキサフルオロプロパンテトラカルボン酸、3,3´,4,4´−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、3,3´,4,4´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸などといったテトラカルボン酸由来の構造などが挙げられる。また、Rは、OR基を有する芳香族環基または芳香族複素環基であってもよく、このような芳香族環基または芳香族複素環基としては、例えば、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェニル)プロパン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)エーテル、3,3´−ジアミノ−4,4´−ジヒドロキシビフェニルなどのジアミンと、2倍モルの無水ピロメリット酸とを反応させた反応生成物のR該当部分等であって、フェノール性水酸基をOR基に変換したものが挙げられる。 In the general formula (1), R 1 is not particularly limited as long as it is a tetravalent organic group. However, in order to impart heat resistance to the polyimide, an aromatic ring or aromatic heterocyclic ring having 6 to 30 carbon atoms is used. It is preferable to contain. Preferred specific examples of R 1 include pyromellitic acid, naphthalenetetracarboxylic acid, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic acid, 3,3 ′, 4,4′-diphenylethertetracarboxylic acid, 3, Tetracarboxylic such as 3 ′, 4,4′-diphenylhexafluoropropanetetracarboxylic acid, 3,3 ′, 4,4′-diphenylsulfonetetracarboxylic acid, 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic acid, etc. Examples include acid-derived structures. R 1 may be an aromatic ring group or an aromatic heterocyclic group having an OR group. Examples of such aromatic ring group or aromatic heterocyclic group include bis (3-amino- 4-hydroxyphenyl) propane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, bis (3-hydroxy-4-aminophenyl) propane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis ( 3-amino-4-hydroxyphenyl) ether, 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxybiphenyl and other diamines and 2-molar pyromellitic anhydride reaction product R 1 corresponding Examples of such a moiety include a phenolic hydroxyl group converted to an OR group.

また、上記一般式(1)中、Rは、OR基、OR基含有芳香族基を有する有機基、又は、その他の一価の有機基であり、ポリイミド前駆体構造中に共有結合により導入されている。OR基含有芳香族基を有する有機基またはその他の一価の有機基は、共有結合によりポリイミド前駆体中に導入可能なものであれば、特に限定があるわけではないが、ポリイミド前駆体への導入のし易さ、導入可能な基を考慮する場合の選択の幅広さ、イミド環形成時の脱離のし易さを考慮すると、アルコール化合物由来のもの、またはアミン化合物由来のものが好適である。これらであれば、公知の方法でアルコール化合物を用いてエステル体を合成するか、または、アミン化合物を用いてアミド体を合成するかのいずれかにより、ポリイミド前駆体に導入される。 In the general formula (1), R 2 is an OR group, an organic group having an OR group-containing aromatic group, or another monovalent organic group, and is introduced into the polyimide precursor structure by a covalent bond. Has been. The organic group having an OR group-containing aromatic group or other monovalent organic group is not particularly limited as long as it can be introduced into the polyimide precursor by a covalent bond. Considering the ease of introduction, the breadth of selection when considering the group that can be introduced, and the ease of elimination during imide ring formation, those derived from alcohol compounds or those derived from amine compounds are preferred. is there. If it is these, it introduce | transduces into a polyimide precursor by either synthesize | combining an ester body using an alcohol compound by a well-known method, or synthesize | combining an amide body using an amine compound.

が表すOR基含有芳香族基を有する有機基としては、例えば、ヒドロキシベンジロキシ基、ヒドロキシフェネチロキシ基の水酸基をOR基にしたものなどが挙げられる。このようなOR基に変換し得るフェノール性水酸基を有する有機をエステル結合により導入するために用いられるフェノール性水酸基を有するアルコール化合物としては、例えば、4−ヒドロキシベンジルアルコール、3−ヒドロキシベンジルアルコール、2−ヒドロキシベンジルアルコール、4−ヒドロキシフェネチルアルコールなどが挙げられる。また、フェノール性水酸基を含有する有機基をアミド結合により導入するために用いられるフェノール性水酸基を有するアミン化合物としては、例えば、4−ヒドロキシベンジルアミン、3−ヒドロキシベンジルアミン、2−ヒドロキシベンジルアミン、4−ヒドロキシフェネチルアミンなどが挙げられる。 Examples of the organic group having an OR group-containing aromatic group represented by R 2 include those in which the hydroxyl group of hydroxybenzyloxy group or hydroxyphenethyloxy group is an OR group. Examples of the alcohol compound having a phenolic hydroxyl group used for introducing an organic compound having a phenolic hydroxyl group that can be converted into an OR group by an ester bond include 4-hydroxybenzyl alcohol, 3-hydroxybenzyl alcohol, 2 -Hydroxybenzyl alcohol, 4-hydroxyphenethyl alcohol, etc. are mentioned. Examples of the amine compound having a phenolic hydroxyl group used for introducing an organic group containing a phenolic hydroxyl group by an amide bond include 4-hydroxybenzylamine, 3-hydroxybenzylamine, 2-hydroxybenzylamine, 4-hydroxyphenethylamine and the like can be mentioned.

また、Rが表すその他1価の有機基は、OR基を有さない基であれば特に限定されないが、例えば、炭素数1〜10のアルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基など、炭素数6〜10のフェニル基、フェノキシ基、フェニルアミノ基、ベンジル基などが挙げられる。 Further, the other monovalent organic group represented by R 2 is not particularly limited as long as it is a group that does not have an OR group. For example, it has 1 to 10 carbon atoms such as an alkyl group, an alkoxy group, and an alkylamino group. A 6-10 phenyl group, a phenoxy group, a phenylamino group, a benzyl group, etc. are mentioned.

一般にポリイミドの熱膨張係数を小さくするためには、化学構造上、ポリイミド主鎖が剛直で直線状の棒状構造を有していることが必要であると考えられる。そして、このような剛直で直線状の棒状構造を形成するためには、環構造のパラ結合が特に重要である。このようなパラ結合を有する環構造のポリイミドでは、ポリイミド骨格の面内配向度が大きくなり、そのために、剛直で直線状の棒状構造を有するようになると考えられるからである。   In general, in order to reduce the thermal expansion coefficient of polyimide, it is considered that the polyimide main chain needs to have a rigid and straight rod-like structure in terms of chemical structure. In order to form such a rigid and straight rod-like structure, a para bond of a ring structure is particularly important. This is because in such a polyimide having a ring structure having a para bond, the in-plane orientation degree of the polyimide skeleton is increased, and therefore, it is considered to have a rigid and straight rod-like structure.

本発明に関するポリイミド前駆体は、このようなポリイミドの熱膨張係数を小さくするために適した化学構造として、主鎖にベンゾオキサゾール骨格を有しており、さらに好ましくは、上記一般式(1)において、Rが、以下の一般式(2)〜(5)のいずれかで表されるベンゾオキサゾール骨格を有している。 The polyimide precursor according to the present invention has a benzoxazole skeleton in the main chain as a chemical structure suitable for reducing the thermal expansion coefficient of such polyimide, and more preferably in the above general formula (1) , R 3 has a benzoxazole skeleton represented by any one of the following general formulas (2) to (5).

Figure 2005345537
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Figure 2005345537
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Figure 2005345537
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上記一般式(2)〜(5)中、R、R、R、Rは、それぞれ独立して、OR基を有していてもよい単環または複数の環から構成される芳香族環基または複素環基を表している。 In the general formulas (2) to (5), R 4 , R 5 , R 6 , and R 7 are each independently a fragrance composed of a single ring or a plurality of rings optionally having an OR group. Represents an aromatic group or a heterocyclic group.

の具体例としては、 As a specific example of R 4 ,

Figure 2005345537
Figure 2005345537

が挙げられる。ここで、式中Xは、O、S、SO、S=O、CH、C=O、ヘキサフルオロイソプロピリデン、イソプロピリデンである。 Is mentioned. Here, X in the formula is O, S, SO 2 , S═O, CH 2 , C═O, hexafluoroisopropylidene, isopropylidene.

の具体例としては、 Specific examples of R 5 include

Figure 2005345537
Figure 2005345537

が挙げられる。ここで、Xは、O、S、SO、S=O、CH、C=O、ヘキサフルオロイソプロピリデンまたはイソプロピリデンである。 Is mentioned. Here, X is O, S, SO 2 , S═O, CH 2 , C═O, hexafluoroisopropylidene or isopropylidene.

の具体例としては、 Specific examples of R 6 include

Figure 2005345537
Figure 2005345537

が挙げられる。ここで、式中Xは、O、S、SO、S=O、CH、C=O、ヘキサフルオロイソプロピリデンまたはイソプロピリデンである。 Is mentioned. Here, X in the formula is O, S, SO 2 , S═O, CH 2 , C═O, hexafluoroisopropylidene or isopropylidene.

の具体例としては、 Specific examples of R 7 include

Figure 2005345537
Figure 2005345537

が挙げられる。ここで、Xは、O、S、SO、S=O、CH、C=O、ヘキサフルオロイソプロピリデンまたはイソプロピリデンである。 Is mentioned. Here, X is O, S, SO 2 , S═O, CH 2 , C═O, hexafluoroisopropylidene or isopropylidene.

〜Rの主鎖形成のための結合位置は任意でよいが、生成するポリイミドに直線形状を持たせるためは、前述のように、パラ位置で結合するか、または、環構造内でできるだけ離間した位置関係になるように結合することが好ましい。上記例として挙げた化学式中では、好ましい結合位置を#、#´としてそれぞれ表している。 The bonding position for forming the main chain of R 4 to R 7 may be arbitrary. However, in order to give the resulting polyimide a linear shape, it is bonded at the para position or within the ring structure as described above. It is preferable to combine them so that the positional relationship is as far as possible. In the chemical formulas given as examples above, preferred bonding positions are represented as # and # ', respectively.

上記のようなR〜Rのいずれかで示されるRの基の好ましい具体例としては、2,6−(4,4´−ジアミノジフェニル)ベンゾ[1,2−d:5,4−d´]ビスオキサゾール、5−アミノ−2−(p−アミノフェニル)−ベンゾオキサゾール、5−アミノ−2−(m−アミノフェニル)−ベンゾオキサゾール、4,4´−ジフェニルエーテル−2,2´―ビス(5−アミノベンゾオキサゾール)、2,2´−p−フェニレンビス(5−アミノベンゾオキサゾール)、2,2´−ビス(4−フェニル)ヘキサフルオロプロパン−2,2´−(5−アミノベンゾオキサゾール)などのジアミノベンゾオキサゾール残基が挙げられる。 Preferable specific examples of the group of R 3 represented by any of R 4 to R 7 as described above include 2,6- (4,4′-diaminodiphenyl) benzo [1,2-d: 5,4 -D '] bisoxazole, 5-amino-2- (p-aminophenyl) -benzoxazole, 5-amino-2- (m-aminophenyl) -benzoxazole, 4,4'-diphenyl ether-2,2' -Bis (5-aminobenzoxazole), 2,2'-p-phenylenebis (5-aminobenzoxazole), 2,2'-bis (4-phenyl) hexafluoropropane-2,2 '-(5- And diaminobenzoxazole residues such as aminobenzoxazole).

また、R、R、R、RはOR基を置換基として有しても良い。このようなR〜Rのいずれかで示されるRの基としては、5−アミノ−2−(m−ヒドロキシ−p−アミノフェニル)−ベンゾオキサゾール、5−アミノ−2−(m−アミノ−p−ヒドロキシフェニル)−ベンゾオキサゾール、4,4´−ジ(m−ヒドロキシフェニル)エーテル−2,2´−ビス(5−アミノベンゾオキサゾール)の水酸基をRで置換したものなどが挙げられる。 R 4 , R 5 , R 6 and R 7 may have an OR group as a substituent. Examples of the group of R 3 represented by any of R 4 to R 7 include 5-amino-2- (m-hydroxy-p-aminophenyl) -benzoxazole and 5-amino-2- (m- Amino-p-hydroxyphenyl) -benzoxazole, 4,4′-di (m-hydroxyphenyl) ether-2,2′-bis (5-aminobenzoxazole) having a hydroxyl group substituted with R, and the like. .

上記構成のポリイミド前駆体は、ポリイミド前駆体全体に含まれるOR基の合計量が、一般式(1)で示される繰り返し単位1モルあたり0.5〜3モルであることが好ましい。OR基の合計量が上記に満たない場合は、アルカリ現像液に対して十分な溶解性を示さないおそれがあり、良好なポジ型感光性の機能を発揮できないおそれがある。OR基の合計量が上記を超える場合は、現像時に膜減りが大きく、良好なパターンを形成できない。   In the polyimide precursor having the above structure, the total amount of OR groups contained in the entire polyimide precursor is preferably 0.5 to 3 mol per 1 mol of the repeating unit represented by the general formula (1). If the total amount of OR groups is less than the above, there is a possibility that sufficient solubility in an alkali developer may not be exhibited, and a good positive photosensitive function may not be exhibited. When the total amount of OR groups exceeds the above, film loss is large during development, and a good pattern cannot be formed.

また、本発明のポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物と基板との接着性を向上させるために、耐熱性を低下させない範囲内でR、Rにシロキサン構造を有する脂肪族の基を共重合しても良い。これらの基としては、具体的には、ジアミン成分として、ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサンなどを1〜10モル%共重合したものなどが挙げられる。 In order to improve the adhesion between the positive photosensitive polyimide precursor composition of the present invention and the substrate, an aliphatic group having a siloxane structure is shared with R 1 and R 3 within a range that does not decrease the heat resistance. Polymerization may be performed. Specific examples of these groups include 1 to 10 mol% copolymerized bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane as a diamine component.

また、本発明においては、芳香族ジアミンまたは二酸無水物と結合する結合性基と、芳香族ジアミンと二酸無水物とからポリイミド前駆体を形成するための条件とは異なる条件下で該ポリイミド前駆体同士を連結する連結性基との二種類の官能基を有する連鎖延長剤によって、ポリイミド前駆体の少なくとも一方の末端が結合性基を介して封鎖されていることが好ましい。   In the present invention, the polyimide is used under a condition different from the condition for forming a polyimide precursor from an aromatic diamine and a dianhydride, and a binding group that binds to the aromatic diamine or dianhydride. It is preferable that at least one end of the polyimide precursor is blocked via a binding group by a chain extender having two kinds of functional groups with a linking group for linking the precursors.

ポリイミド前駆体がこのような連鎖延長剤によって封鎖されていると、芳香族ジアミンと二酸無水物とからポリイミド前駆体を形成した後、連結性基を用いて、前駆体形成とは異なる条件で、ポリイミド前駆体の分子量を増大させることができる。この分子量の増大は、添加する連鎖延長剤の量を調整することによって任意に制御することができる。   When the polyimide precursor is blocked by such a chain extender, after forming the polyimide precursor from the aromatic diamine and dianhydride, using a linking group, under different conditions from the precursor formation The molecular weight of the polyimide precursor can be increased. This increase in molecular weight can be arbitrarily controlled by adjusting the amount of chain extender added.

本発明において使用される連鎖延長剤は、特に限定はないが、アルケニル基、アルキニル基、シクロブテン環を含有する二酸無水物又は1級又は2級のアミンが挙げられる。具体的には、二酸無水物としては、無水マレイン酸、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、ビニルフタル酸無水物、1,2−ジメチル無水マレイン酸、4−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物、1,2,3,6−テトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられ、また、アミンとしては、フェニルエチニルアニリン、エチニルアニリン、3−(3−フェニルエチニルフェノキシ)アニリン、プロパルギルアミン、アミノベンゾシクロブテンなどが挙げられる。一般的に、添加される連鎖延長剤の量が多くなると、ポリイミド前駆体の分子量が減少し、それゆえそれを含む溶液の粘度が減少する。また、塗布方法により最適な溶液粘度が存在する。したがって、望ましい分子量および溶液粘度が得られるように考慮して、連鎖延長剤の濃度と塗布方法とが選択される。   The chain extender used in the present invention is not particularly limited, and examples thereof include dianhydrides or primary or secondary amines containing an alkenyl group, an alkynyl group, and a cyclobutene ring. Specifically, as the diacid anhydride, maleic anhydride, 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride, vinylphthalic anhydride, 1,2-dimethylmaleic anhydride, 4-cyclohexene-1,2 -Dicarboxylic anhydride, 1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride and the like, and examples of the amine include phenylethynylaniline, ethynylaniline, 3- (3-phenylethynylphenoxy) aniline, propargylamine, And aminobenzocyclobutene. In general, the greater the amount of chain extender added, the lower the molecular weight of the polyimide precursor and hence the viscosity of the solution containing it. There is also an optimum solution viscosity depending on the coating method. Accordingly, the concentration of the chain extender and the coating method are selected in consideration of obtaining the desired molecular weight and solution viscosity.

本発明で用いるポリイミド前駆体は、テトラカルボン酸二無水物とジアミノベンゾオキサゾールとを反応させることにより合成されるが、主鎖にOR基を有するように、テトラカルボン酸二無水物及びジアミノベンゾオキサゾールの少なくともいずれかにフェノール性水酸基を含有するものを選択して該フェノール性水酸基をOR基に変換するか、または、側鎖にOR基を有するように、RをOR基とするか、フェノール性水酸基を有する基をRとして導入し該フェノール性水酸基をOR基に変換する。ポリイミド前駆体の複数の部分にOR基を有するように構成する場合には、これらの合成方法を組み合わせることにより複数のOR基を導入する。本発明に関するポリイミド前駆体を合成するには、アルコール化合物又はアミン化合物を反応させる方法が公知であるので、例示として、この方法について説明する。まず、テトラカルボン酸二無水物とアルコール化合物又はアミン化合物とを反応させて、テトラカルボン酸ジエステル又はテトラカルボン酸ジアミドを合成し、ついで、該ジエステル又はジアミドを塩化チオニルなどと反応させて、テトラカルボン酸ジエステル塩化物又はテトラカルボン酸ジアミド塩化物を合成する。その後、得られた該塩化物を有機溶媒に溶解させて、ピリジンなどの脱ハロゲン化水素剤を含有した有機溶剤に溶解したジアミノベンゾオキサゾールと反応させるか、シクロヘキシルカルボジイミド、ジフェニル(2,3−ジヒドローチオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートなどの適当な脱水剤を用いてジアミノベンゾオキサゾールと反応させる。 The polyimide precursor used in the present invention is synthesized by reacting tetracarboxylic dianhydride and diaminobenzoxazole, but tetracarboxylic dianhydride and diaminobenzoxazole so as to have an OR group in the main chain. At least one of them containing a phenolic hydroxyl group and converting the phenolic hydroxyl group into an OR group, or R 2 as an OR group so that the side chain has an OR group, or phenol A group having a hydroxyl group is introduced as R 2 to convert the phenolic hydroxyl group into an OR group. When it comprises so that it may have OR group in several parts of a polyimide precursor, several OR group is introduce | transduced by combining these synthetic methods. In order to synthesize the polyimide precursor according to the present invention, a method of reacting an alcohol compound or an amine compound is known, and this method will be described as an example. First, a tetracarboxylic dianhydride is reacted with an alcohol compound or an amine compound to synthesize a tetracarboxylic acid diester or tetracarboxylic acid diamide, and then the diester or diamide is reacted with thionyl chloride or the like. Acid diester chloride or tetracarboxylic acid diamide chloride is synthesized. Thereafter, the obtained chloride is dissolved in an organic solvent and reacted with diaminobenzoxazole dissolved in an organic solvent containing a dehydrohalogenating agent such as pyridine, or cyclohexylcarbodiimide or diphenyl (2,3-di-). Reaction with diaminobenzoxazole using a suitable dehydrating agent such as hydrothioxo-3-benzoxazole) phosphonate.

フェノール性水酸基を有する化合物が得られると、続いて、得られたポリイミド前駆体に、フェノールの求核付加反応によりR骨格になるビニルエーテル化合物、またはR骨格を持つカルボン酸、二炭酸エステル、酸クロライドもしくはクロロフォーメート化合物を反応させてOR基を含有するポリイミド前駆体を得ることができる。OR基導入反応溶剤としては、特に限定はないが、例えばテトラヒドロフラン、ジクロロメタンなどのプロトン性極性溶剤を使用することができる。   When a compound having a phenolic hydroxyl group is obtained, subsequently, the resulting polyimide precursor is converted into an R skeleton by phenol nucleophilic addition reaction, or a carboxylic acid, dicarbonate, acid chloride having an R skeleton. Alternatively, a polyimide precursor containing an OR group can be obtained by reacting a chloroformate compound. Although there is no limitation in particular as an OR group introduction | transduction reaction solvent, For example, protic polar solvents, such as tetrahydrofuran and a dichloromethane, can be used.

本発明のポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物においては、上記ポリイミド前駆体に加えて、光酸発生剤を含有することを特徴としている。   The positive photosensitive polyimide precursor composition of the present invention is characterized by containing a photoacid generator in addition to the polyimide precursor.

本発明に係るポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物では、光照射により露光部において光酸発生剤が酸を発生し、光酸発生剤が発生した酸による酸触媒反応により、ポリイミド前駆体中のOR基がOH基に変換される。そして、露光部に新たに生成する、ポリイミド前駆体が含有するカルボキシル基の水酸基またはフェノール性水酸基の作用により、露光部においてアルカリ水溶液に対する溶解性が増大することにより、良好なポジ型感光特性が得られる。このようなポジ型感光特性に関しては、山岡亜夫監修「フォトポリマーの基礎と応用」(シーエムシー出版)p.89−92の記載事項が参照される。なお、本発明に係わるポジ型特性は、露光部分と未露光部とのアルカリ水溶液に対する溶解性の差異に基づくものであるので、露光前後で明らかな溶解性の差異が現わされれば、露光前の組成物が多少のアルカリ溶解性を帯びていてもよい。すなわち、ポリイミド前駆体に含まれるOR基のうち、フェノール性水酸基に由来するものは、少量であれば、水酸基の状態で残存していても、ポジ型として適用可能である。   In the positive photosensitive polyimide precursor composition according to the present invention, the photoacid generator generates an acid in the exposed portion by light irradiation, and the acid catalyst reaction by the acid generated by the photoacid generator causes the polyimide precursor to The OR group is converted to an OH group. And, by the action of the hydroxyl group or phenolic hydroxyl group of the carboxyl group contained in the polyimide precursor newly formed in the exposed area, the solubility in an alkaline aqueous solution is increased in the exposed area, thereby obtaining good positive photosensitive characteristics. It is done. Regarding such positive-type photosensitive properties, “A Basics and Applications of Photopolymer” (CMC Publishing), p. Reference is made to the description of 89-92. The positive characteristics according to the present invention are based on the difference in solubility in the alkaline aqueous solution between the exposed part and the unexposed part. The previous composition may have some alkali solubility. That is, among the OR groups contained in the polyimide precursor, those derived from phenolic hydroxyl groups can be applied as a positive type even if they remain in the hydroxyl state as long as the amount is small.

本発明に適した光酸発生剤は、紫外線のような放射線の照射によって酸性を呈するとともに、産生した酸によってポリイミド前駆体中のOR基をOH基に変換する作用を有する。このような光酸発生剤としては、特に限定されないが、例えば、ジアリールスルホニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、ジアルキルフェナシルスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、アリールジアゾニウム塩、芳香族テトラカルボン酸エステル、芳香族スルホン酸エステル、ニトロベンジルエステル、芳香族スルファミド、ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルなどが用いられる。このような化合物は必要に応じて2種以上を併用するか、または、他の増感剤と組み合せて使用してもよい。   The photoacid generator suitable for the present invention exhibits acidity upon irradiation with radiation such as ultraviolet rays, and has an action of converting an OR group in the polyimide precursor into an OH group by the produced acid. Such a photoacid generator is not particularly limited, and examples thereof include diarylsulfonium salts, triarylsulfonium salts, dialkylphenacylsulfonium salts, diaryliodonium salts, aryldiazonium salts, aromatic tetracarboxylic acid esters, aromatic sulfones. Acid esters, nitrobenzyl esters, aromatic sulfamides, naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid esters and the like are used. Such compounds may be used in combination of two or more as required, or may be used in combination with other sensitizers.

光酸発生剤はポリイミド前駆体100重量部に対して0.01〜50重量部、好ましくは3〜15重量部が添加される。   The photoacid generator is added in an amount of 0.01 to 50 parts by weight, preferably 3 to 15 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polyimide precursor.

また、本発明のポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物においては、本発明の組成物の塗膜または加熱処理後に形成されるポリイミド膜と基板との接着性を向上させるために、接着促進剤を用いてもよい。   In the positive photosensitive polyimide precursor composition of the present invention, an adhesion promoter is added to improve the adhesion between the coating film of the composition of the present invention or the polyimide film formed after heat treatment and the substrate. It may be used.

接着促進剤としては、有機シラン化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、珪素含有ポリアミド酸などが好ましい。また、基板との接着性、感度、解像度、耐熱性などを損なわない範囲でさらに他の添加物を含有させても良い。   As the adhesion promoter, an organic silane compound, an aluminum chelate compound, a titanium chelate compound, a silicon-containing polyamic acid, and the like are preferable. Further, other additives may be further added as long as adhesion to the substrate, sensitivity, resolution, heat resistance and the like are not impaired.

本発明のポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物は、溶媒に溶解して溶液状態で得ることができる。溶媒としては、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホロトリアミド、γ−ブチロラクトンなどを用いることができる。   The positive photosensitive polyimide precursor composition of the present invention can be obtained in a solution state by dissolving in a solvent. As the solvent, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, hexamethylphosphorotriamide, γ-butyrolactone and the like can be used.

本発明のポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物は浸漬法、スプレー法、スクリーン印刷法、スピンコート法などによって、シリコンウエハ、金属基板、セラミック基板などの基材表面に塗布し、加熱して溶剤の大部分を除くことにより、基材表面に粘着性のない塗膜を与えることができる。塗膜の厚みには特に制限はないが、4〜50μmであることが好ましい。   The positive photosensitive polyimide precursor composition of the present invention is applied to the surface of a substrate such as a silicon wafer, a metal substrate, or a ceramic substrate by a dipping method, a spray method, a screen printing method, a spin coating method, etc., and heated to a solvent. By removing most of the above, it is possible to give a non-adhesive coating on the substrate surface. Although there is no restriction | limiting in particular in the thickness of a coating film, it is preferable that it is 4-50 micrometers.

この塗膜に、所定のパターンを有するマスクを通して、紫外線、可視光線、X線、電子線等の所定の化学線を照射して、パターン状に露光後、適切な現像液で現像することにより、所望のパターン化された膜を得ることができる。   By irradiating this coating film with a predetermined chemical beam such as ultraviolet ray, visible light, X-ray, electron beam, etc. through a mask having a predetermined pattern, by exposing to a pattern, and developing with an appropriate developer, A desired patterned film can be obtained.

化学線照射装置として、g線ステッパ、i線ステッパ、超高圧水銀灯を用いるコンタクト/プロキシミティ露光機、ミラープロジェクション露光機、又はその他の紫外線、可視光線、X線、電子線などを照射する投影機や線源を使用することができる。   As a chemical beam irradiation apparatus, a g-line stepper, i-line stepper, contact / proximity exposure machine using an ultra-high pressure mercury lamp, mirror projection exposure machine, or other projectors that emit ultraviolet rays, visible rays, X-rays, electron beams, etc. Or a radiation source can be used.

現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水などの無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミンなどの第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミンなどの第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミンなどの第三アミン類、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどのアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級アンモニウム塩アルカリ類の水溶液およびこれにメタノール、エタノールのようなアルコール類などの水溶性有機溶剤や界面活性剤を適量添加した水溶液を好適に使用することができる。   Developers include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and aqueous ammonia, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, diethylamine, and di-n. Secondary amines such as propylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as diethanolamine and triethanolamine, quaternary ammonium salt alkalis such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide Aqueous aqueous solutions and aqueous solutions in which appropriate amounts of water-soluble organic solvents and surfactants such as alcohols such as methanol and ethanol are added thereto can be suitably used.

上記現像の後に、必要に応じて、水又は貧溶媒で洗浄し、ついで約100℃前後で乾燥し、パターンを安定化することが望ましい。パターンを形成させた膜を加熱して、優れた耐熱性、機械特性、電気特性を有する膜を得ることができる。   After the development, it is desirable that the pattern be stabilized by washing with water or a poor solvent, if necessary, and then drying at about 100 ° C. By heating the film on which the pattern is formed, a film having excellent heat resistance, mechanical properties, and electrical properties can be obtained.

加熱温度は、150〜500℃が好ましく、300〜450℃がさらに好ましい。加熱時間は0.05〜10時間が好ましい。加熱処理は通常、段階的または連続的に昇温しながら行う。   The heating temperature is preferably 150 to 500 ° C, more preferably 300 to 450 ° C. The heating time is preferably 0.05 to 10 hours. The heat treatment is usually performed while raising the temperature stepwise or continuously.

(作用)
本発明は、硬化後に熱膨張係数が小さいポリイミドを得ることができるポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物を与えるものである。主鎖にベンゾオキサゾール骨格を有し、主鎖または側鎖の少なくともいずれかにOR基を含有するポリイミド前駆体と光酸発生剤とを組み合わせることにより、ポジ型感光性ポリイミド前駆体として使用でき、また、ベンゾオキサゾール骨格を有していることにより、硬化して得られるポリイミドの熱膨張係数が小さくなることに基づいている。
(Function)
The present invention provides a positive photosensitive polyimide precursor composition capable of obtaining a polyimide having a small thermal expansion coefficient after curing. By combining a photoacid generator with a polyimide precursor containing a benzoxazole skeleton in the main chain and containing an OR group in at least one of the main chain or side chain, it can be used as a positive photosensitive polyimide precursor, Moreover, it is based on having a small thermal expansion coefficient of the polyimide obtained by hardening by having a benzoxazole skeleton.

以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to this.

(合成例1)
窒素導入管を備えたフラスコ1に、1モルの4,4´−オキシジフタル酸無水物、2.1モルの4−ヒドロキシベンジルアルコールおよび2LのN−メチル−2−ピロリドン(以下、NMPと表記する)を加えて攪拌し、続けて2.1モルのトリエチルアミンを30分間にわたって滴下した。滴下後、この状態で3時間放置し、反応終了後に1モルの2,6−(4,4´ジアミノジフェニル)−ベンゾ[1,2−d:5,4−d´]ビスオキサゾールを加えた。次に2.1モルのジフェニル(2,3−ジヒドロ−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを5回に分けて添加し、添加後、その状態で5時間縮合した。また、別の窒素導入管を備えたフラスコ2に、2モルの無水マレイン酸と2.1モルの4−ヒドロキシベンジルアルコールおよび1LのNMPとを加えて攪拌し、続けて2.1モルのトリエチルアミンを30分間にわたって滴下した。滴下後、この状態で3時間放置した後、フラスコ1にフラスコ2の溶液を混合し、30分間攪拌した。次に2.1モルのジフェニル(2,3−ジヒドロ−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを5回に分けて添加し、添加後、その状態で5時間縮合した。得られたスラリー状の混合物を大量のメタノール中に投入して洗浄し、得られた固形樹脂を真空乾燥機によって12時間乾燥した。
(Synthesis Example 1)
In a flask 1 equipped with a nitrogen introduction tube, 1 mol of 4,4′-oxydiphthalic anhydride, 2.1 mol of 4-hydroxybenzyl alcohol and 2 L of N-methyl-2-pyrrolidone (hereinafter referred to as NMP). ) And stirred, followed by dropwise addition of 2.1 mol of triethylamine over 30 minutes. After dropping, the mixture was left in this state for 3 hours, and 1 mol of 2,6- (4,4′diaminodiphenyl) -benzo [1,2-d: 5,4-d ′] bisoxazole was added after the reaction was completed. . Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate was added in five portions, and after the addition, the mixture was condensed in that state for 5 hours. In addition, 2 mol of maleic anhydride, 2.1 mol of 4-hydroxybenzyl alcohol and 1 L of NMP were added to the flask 2 equipped with another nitrogen introduction tube and stirred, followed by 2.1 mol of triethylamine. Was added dropwise over 30 minutes. After dropping, the solution was allowed to stand in this state for 3 hours, and then the solution in flask 2 was mixed with flask 1 and stirred for 30 minutes. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate was added in five portions, and after the addition, the mixture was condensed in that state for 5 hours. The obtained slurry-like mixture was poured into a large amount of methanol and washed, and the obtained solid resin was dried by a vacuum dryer for 12 hours.

次に、乾燥空気導入管を備えたフラスコに、得られた固形樹脂10g、テトラヒドロフラン50gを加えて攪拌し、そこへ3,4−ジヒドロ−(2H)−ピラン26g、p−トルエンスルホン酸を触媒量加えて、室温で5時間反応させた。得られたスラリー状の樹脂を高速に攪拌した10Lの2−プロパノール溶媒中で攪拌し、洗浄した後、減圧乾燥により乾燥してポリイミド前駆体1を得た。   Next, 10 g of the obtained solid resin and 50 g of tetrahydrofuran are added to a flask equipped with a dry air introduction tube and stirred, and 26 g of 3,4-dihydro- (2H) -pyran and p-toluenesulfonic acid are catalyzed. The amount was added and allowed to react at room temperature for 5 hours. The obtained slurry-like resin was stirred in 10 L of 2-propanol solvent stirred at high speed, washed, and then dried by drying under reduced pressure to obtain a polyimide precursor 1.

(合成例2)
窒素導入管を備えたフラスコ1に、1モルのピロメリット酸無水物、2.1モルの4−ヒドロキシベンジルアルコールおよび2LのNMPを加えて攪拌し、続けて2.1モルのトリエチルアミンを30分間にわたって滴下した。滴下後、この状態で3時間放置し、反応終了後に1モルの5−アミノ−2−(p−アミノフェニル)−ベンゾオキサゾール(p−DAMBO)を加えた。次に2.1モルのジフェニル(2,3−ジヒドロ−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを5回に分けて添加し、添加後、その状態で5時間縮合した。また、別の窒素導入管を備えたフラスコ2に、2モルの無水マレイン酸と2.1モルの4−ヒドロキシベンジルアルコールおよび1LのNMPとを加えて攪拌し、続けて2.1モルのトリエチルアミンを30分間にわたって滴下した。滴下後、この状態で3時間放置した後、フラスコ1にフラスコ2の溶液を混合し、30分間攪拌した。次に2.1モルのジフェニル(2,3−ジヒドロ−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを5回に分けて添加し、添加後、その状態で5時間縮合した。得られたスラリー状の混合物を大量のメタノール中に投入して洗浄し、得られた固形樹脂を真空乾燥機によって12時間乾燥した。
(Synthesis Example 2)
To flask 1 equipped with a nitrogen inlet tube, 1 mol of pyromellitic anhydride, 2.1 mol of 4-hydroxybenzyl alcohol and 2 L of NMP were added and stirred, followed by 2.1 mol of triethylamine for 30 minutes. Dripped over. After dropping, the mixture was allowed to stand in this state for 3 hours, and 1 mol of 5-amino-2- (p-aminophenyl) -benzoxazole (p-DAMBO) was added after completion of the reaction. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate was added in five portions, and after the addition, the mixture was condensed in that state for 5 hours. In addition, 2 mol of maleic anhydride, 2.1 mol of 4-hydroxybenzyl alcohol and 1 L of NMP were added to the flask 2 equipped with another nitrogen introduction tube and stirred, followed by 2.1 mol of triethylamine. Was added dropwise over 30 minutes. After dropping, the solution was allowed to stand in this state for 3 hours, and then the solution in flask 2 was mixed with flask 1 and stirred for 30 minutes. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate was added in five portions, and after the addition, the mixture was condensed in that state for 5 hours. The obtained slurry-like mixture was poured into a large amount of methanol and washed, and the obtained solid resin was dried by a vacuum dryer for 12 hours.

次に、乾燥空気導入管を備えたフラスコに、得られた固形樹脂10g、テトラヒドロフラン50gを加えて攪拌し、そこへ3,4−ジヒドロ−(2H)−ピラン26g、p−トルエンスルホン酸を触媒量加えて、室温で5時間反応させた。得られたスラリー状の樹脂を高速に攪拌した10Lの2−プロパノール溶媒中で攪拌し、洗浄した後、減圧乾燥により乾燥してポリイミド前駆体2を得た。   Next, 10 g of the obtained solid resin and 50 g of tetrahydrofuran are added to a flask equipped with a dry air introduction tube and stirred, and 26 g of 3,4-dihydro- (2H) -pyran and p-toluenesulfonic acid are catalyzed. The amount was added and allowed to react at room temperature for 5 hours. The obtained slurry-like resin was stirred in 10 L of 2-propanol solvent stirred at high speed, washed, and dried by drying under reduced pressure to obtain a polyimide precursor 2.

(合成例3)
窒素導入管を備えたフラスコ1に、1モルのピロメリット酸無水物、2.1モルのエチルアルコールおよび2LのNMPを加えて攪拌し、続けて2.1モルのトリエチルアミンを30分間にわたって滴下した。滴下後、この状態で3時間放置し、反応終了後に1モルの5−アミノ−2−(p−アミノ−m−ヒドロキシフェニル)−ベンゾオキサゾールを加えた。次に2.1モルのジフェニル(2,3−ジヒドロ−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを5回に分けて添加し、添加後、その状態で5時間縮合した。また、別の窒素導入管を備えたフラスコ2に、2モルの無水マレイン酸と2.1モルのエチルアルコールおよび1LのNMPとを加えて攪拌し、続けて2.1モルのトリエチルアミンを30分間にわたって滴下した。滴下後、この状態で3時間放置した後、フラスコ1にフラスコ2の溶液を混合し、30分間攪拌した。次に2.1モルのジフェニル(2,3−ジヒドロ−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを5回に分けて添加し、添加後、その状態で5時間縮合した。得られたスラリー状の混合物を大量のメタノール中に投入して洗浄し、得られた固形樹脂を真空乾燥機によって12時間乾燥した。
(Synthesis Example 3)
To a flask 1 equipped with a nitrogen inlet tube, 1 mol of pyromellitic anhydride, 2.1 mol of ethyl alcohol and 2 L of NMP were added and stirred, followed by dropwise addition of 2.1 mol of triethylamine over 30 minutes. . After dropping, the mixture was left in this state for 3 hours, and 1 mol of 5-amino-2- (p-amino-m-hydroxyphenyl) -benzoxazole was added after completion of the reaction. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate was added in five portions, and after the addition, the mixture was condensed in that state for 5 hours. In addition, 2 mol of maleic anhydride, 2.1 mol of ethyl alcohol and 1 L of NMP were added to the flask 2 equipped with another nitrogen introduction tube and stirred, and then 2.1 mol of triethylamine was added for 30 minutes. Dripped over. After dropping, the solution was allowed to stand in this state for 3 hours, and then the solution in flask 2 was mixed with flask 1 and stirred for 30 minutes. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate was added in five portions, and after the addition, the mixture was condensed in that state for 5 hours. The obtained slurry-like mixture was poured into a large amount of methanol and washed, and the obtained solid resin was dried by a vacuum dryer for 12 hours.

次に、乾燥空気導入管を備えたフラスコに、得られた固形樹脂10g、テトラヒドロフラン50gを加えて攪拌し、そこへ3,4−ジヒドロ−(2H)−ピラン26g、p−トルエンスルホン酸を触媒量加えて、室温で5時間反応させた。得られたスラリー状の樹脂を高速に攪拌した10Lの2−プロパノール溶媒中で攪拌し、洗浄した後、減圧乾燥により乾燥してポリイミド前駆体3を得た。   Next, 10 g of the obtained solid resin and 50 g of tetrahydrofuran are added to a flask equipped with a dry air introduction tube and stirred, and 26 g of 3,4-dihydro- (2H) -pyran and p-toluenesulfonic acid are catalyzed. The amount was added and allowed to react at room temperature for 5 hours. The obtained slurry-like resin was stirred in 10 L of 2-propanol solvent stirred at high speed, washed, and then dried by drying under reduced pressure to obtain a polyimide precursor 3.

(合成例4)
窒素導入管を備えたフラスコ1に、1モルの4,4´−オキシジフタル酸無水物、2.1モルのエチルアルコールおよび2LのNMPを加えて攪拌し、続けて2.1モルのトリエチルアミンを30分間にわたって滴下した。滴下後、この状態で3時間放置し、反応終了後に1モルの5−アミノ−6−ヒドロキシ−2−(p−アミノ−フェニル)−ベンゾオキサゾールを加えた。次に2.1モルのジフェニル(2,3−ジヒドロ−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを5回に分けて添加し、添加後、その状態で5時間縮合した。また、別の窒素導入管を備えたフラスコ2に、2モルの無水マレイン酸と2.1モルのエチルアルコールおよび1LのNMPとを加えて攪拌し、続けて2.1モルのトリエチルアミンを30分間にわたって滴下した。滴下後、この状態で3時間放置した後、フラスコ1にフラスコ2の溶液を混合し、30分間攪拌した。次に2.1モルのジフェニル(2,3−ジヒドロ−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを5回に分けて添加し、添加後、その状態で5時間縮合した。得られたスラリー状の混合物を大量のメタノール中に投入して洗浄し、得られた固形樹脂を真空乾燥機によって12時間乾燥した。
(Synthesis Example 4)
To a flask 1 equipped with a nitrogen inlet tube, 1 mol of 4,4′-oxydiphthalic anhydride, 2.1 mol of ethyl alcohol and 2 L of NMP were added and stirred, followed by 30 mol of 2.1 mol of triethylamine. Added dropwise over a period of minutes. After dropping, the mixture was left in this state for 3 hours, and 1 mol of 5-amino-6-hydroxy-2- (p-amino-phenyl) -benzoxazole was added after completion of the reaction. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate was added in five portions, and after the addition, the mixture was condensed in that state for 5 hours. In addition, 2 mol of maleic anhydride, 2.1 mol of ethyl alcohol and 1 L of NMP were added to the flask 2 equipped with another nitrogen introduction tube and stirred, and then 2.1 mol of triethylamine was added for 30 minutes. Dripped over. After dropping, the solution was allowed to stand in this state for 3 hours, and then the solution in flask 2 was mixed with flask 1 and stirred for 30 minutes. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate was added in five portions, and after the addition, the mixture was condensed in that state for 5 hours. The obtained slurry-like mixture was poured into a large amount of methanol and washed, and the obtained solid resin was dried by a vacuum dryer for 12 hours.

次に、乾燥空気導入管を備えたフラスコに、得られた固形樹脂10g、テトラヒドロフラン50gを加えて攪拌し、そこへ3,4−ジヒドロ−(2H)−ピラン26g、p−トルエンスルホン酸を触媒量加えて、室温で5時間反応させた。得られたスラリー状の樹脂を、高速に攪拌した10Lの2−プロパノール溶媒中で攪拌し、洗浄した後、減圧乾燥により乾燥してポリイミド前駆体4を得た。   Next, 10 g of the obtained solid resin and 50 g of tetrahydrofuran are added to a flask equipped with a dry air introduction tube and stirred, and 26 g of 3,4-dihydro- (2H) -pyran and p-toluenesulfonic acid are catalyzed. The amount was added and allowed to react at room temperature for 5 hours. The obtained slurry-like resin was stirred in 10 L of 2-propanol solvent stirred at high speed, washed, and then dried by drying under reduced pressure to obtain a polyimide precursor 4.

(合成例5)
窒素導入管を備えたフラスコ1に、1モルのピロメリット酸無水物、2.1モルのエチルアルコールおよび2LのNMPを加えて攪拌し、続けて2.1モルのトリエチルアミンを30分間にわたって滴下した。滴下後、この状態で3時間放置し、反応終了後に1モルの5−アミノ−6−ヒドロキシ−2−(p−アミノ−m−ヒドロキシフェニル)−ベンゾオキサゾールを加えた。次に2.1モルのジフェニル(2,3−ジヒドロ−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを5回に分けて添加し、添加後、その状態で5時間縮合した。また、別の窒素導入管を備えたフラスコ2に、2モルの無水マレイン酸と2.1モルのエチルアルコールおよび1LのNMPとを加えて攪拌し、続けて2.1モルのトリエチルアミンを30分間にわたって滴下した。滴下後、この状態で3時間放置した後、フラスコ1にフラスコ2の溶液を混合し、30分間攪拌した。次に2.1モルのジフェニル(2,3−ジヒドロ−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを5回に分けて添加し、添加後、その状態で5時間縮合した。得られたスラリー状の混合物を大量のメタノール中に投入して洗浄し、得られた固形樹脂を真空乾燥機によって12時間乾燥した。
(Synthesis Example 5)
To a flask 1 equipped with a nitrogen inlet tube, 1 mol of pyromellitic anhydride, 2.1 mol of ethyl alcohol and 2 L of NMP were added and stirred, followed by dropwise addition of 2.1 mol of triethylamine over 30 minutes. . After dropping, the mixture was left in this state for 3 hours, and 1 mol of 5-amino-6-hydroxy-2- (p-amino-m-hydroxyphenyl) -benzoxazole was added after completion of the reaction. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate was added in five portions, and after the addition, the mixture was condensed in that state for 5 hours. In addition, 2 mol of maleic anhydride, 2.1 mol of ethyl alcohol and 1 L of NMP were added to the flask 2 equipped with another nitrogen introduction tube and stirred, and then 2.1 mol of triethylamine was added for 30 minutes. Dripped over. After dropping, the solution was allowed to stand in this state for 3 hours, and then the solution in flask 2 was mixed with flask 1 and stirred for 30 minutes. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate was added in five portions, and after the addition, the mixture was condensed in that state for 5 hours. The obtained slurry-like mixture was poured into a large amount of methanol and washed, and the obtained solid resin was dried by a vacuum dryer for 12 hours.

次に、乾燥空気導入管を備えたフラスコに、得られた固形樹脂10g、テトラヒドロフラン50gを加えて攪拌し、そこへ3,4−ジヒドロ−(2H)−ピラン26g、p−トルエンスルホン酸を触媒量加えて、室温で5時間反応させた。得られたスラリー状の樹脂を高速に攪拌した10Lの2−プロパノール溶媒中で攪拌し、洗浄した後、減圧乾燥により乾燥してポリイミド前駆体5を得た。   Next, 10 g of the obtained solid resin and 50 g of tetrahydrofuran are added to a flask equipped with a dry air introduction tube and stirred, and 26 g of 3,4-dihydro- (2H) -pyran and p-toluenesulfonic acid are catalyzed. The amount was added and allowed to react at room temperature for 5 hours. The obtained slurry-like resin was stirred in 10 L of 2-propanol solvent stirred at high speed, washed, and then dried by drying under reduced pressure to obtain a polyimide precursor 5.

(合成例6)
窒素導入管を備えたフラスコ1に、1モルのピロメリット酸無水物、2.1モルの4−ヒドロキシベンジルアルコールおよび2LのNMPを加えて攪拌し、続けて2.1モルのトリエチルアミンを30分間にわたって滴下した。滴下後、この状態で3時間放置し、反応終了後に1モルの5−アミノ−2−(p−アミノフェニル)−ベンゾオキサゾール(p−DAMBO)を加えた。次に2.1モルのジフェニル(2,3−ジヒドロ−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを5回に分けて添加し、添加後、その状態で5時間縮合した。また、別の窒素導入管を備えたフラスコ2に、2モルのナジック酸無水物(5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物)と2.1モルの4−ヒドロキシベンジルアルコールおよび1LのNMPとを加えて攪拌し、続けて2.1モルのトリエチルアミンを30分間にわたって滴下した。滴下後、この状態で3時間放置した後、フラスコ1にフラスコ2の溶液を混合し、30分間攪拌した。次に2.1モルのジフェニル(2,3−ジヒドロ−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを5回に分けて添加し、添加後、その状態で5時間縮合した。得られたスラリー状の混合物を大量のメタノール中に投入して洗浄し、得られた固形樹脂を真空乾燥機によって12時間乾燥した。
(Synthesis Example 6)
To flask 1 equipped with a nitrogen inlet tube, 1 mol of pyromellitic anhydride, 2.1 mol of 4-hydroxybenzyl alcohol and 2 L of NMP were added and stirred, followed by 2.1 mol of triethylamine for 30 minutes. Dripped over. After dropping, the mixture was allowed to stand in this state for 3 hours, and 1 mol of 5-amino-2- (p-aminophenyl) -benzoxazole (p-DAMBO) was added after completion of the reaction. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate was added in five portions, and after the addition, the mixture was condensed in that state for 5 hours. Further, in a flask 2 equipped with another nitrogen introduction tube, 2 mol of nadic acid anhydride (5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid anhydride), 2.1 mol of 4-hydroxybenzyl alcohol and 1 L of NMP were added. Were added and stirred, followed by dropwise addition of 2.1 moles of triethylamine over 30 minutes. After dropping, the solution was allowed to stand in this state for 3 hours, and then the solution in flask 2 was mixed with flask 1 and stirred for 30 minutes. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate was added in five portions, and after the addition, the mixture was condensed in that state for 5 hours. The obtained slurry-like mixture was poured into a large amount of methanol and washed, and the obtained solid resin was dried by a vacuum dryer for 12 hours.

次に、乾燥空気導入管を備えたフラスコに、得られた固形樹脂10g、テトラヒドロフラン50gを加えて攪拌し、そこへ3,4−ジヒドロ−(2H)−ピラン26g、p−トルエンスルホン酸を触媒量加えて、室温で5時間反応させた。得られたスラリー状の樹脂を、高速に攪拌した10Lの2−プロパノール溶媒中で攪拌し、洗浄した後、減圧乾燥により乾燥してポリイミド前駆体6を得た。   Next, 10 g of the obtained solid resin and 50 g of tetrahydrofuran are added to a flask equipped with a dry air introduction tube and stirred, and 26 g of 3,4-dihydro- (2H) -pyran and p-toluenesulfonic acid are catalyzed. The amount was added and allowed to react at room temperature for 5 hours. The obtained slurry-like resin was stirred in 10 L of 2-propanol solvent stirred at high speed, washed, and then dried by drying under reduced pressure to obtain a polyimide precursor 6.

(合成例7)
窒素導入管を備えたフラスコ1に、1モルのピロメリット酸無水物、2.1モルの4−ヒドロキシベンジルアルコールおよび2LのNMPを加えて攪拌し、続けて2.1モルのトリエチルアミンを30分間にわたって滴下した。滴下後、この状態で3時間放置し、反応終了後に1モルの5−アミノ−2−(p−アミノフェニル)−ベンゾオキサゾール(p−DAMBO)を加えた。次に2.1モルのジフェニル(2,3−ジヒドロ−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを5回に分けて添加し、添加後、その状態で5時間縮合した。また、別の窒素導入管を備えたフラスコ2に、2モルの1,2,3,4−テトラヒドロフタル酸無水物と2.1モルの4−ヒドロキシベンジルアルコールおよび1LのNMPとを加えて攪拌し、続けて2.1モルのトリエチルアミンを30分間にわたって滴下した。滴下後、この状態で3時間放置した後、フラスコ1にフラスコ2の溶液を混合し、30分間攪拌した。次に2.1モルのジフェニル(2,3−ジヒドロ−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを5回に分けて添加し、添加後、その状態で5時間縮合した。得られたスラリー状の混合物を大量のメタノール中に投入して洗浄し、得られた固形樹脂を真空乾燥機によって12時間乾燥した。
(Synthesis Example 7)
To flask 1 equipped with a nitrogen inlet tube, 1 mol of pyromellitic anhydride, 2.1 mol of 4-hydroxybenzyl alcohol and 2 L of NMP were added and stirred, followed by 2.1 mol of triethylamine for 30 minutes. Dripped over. After dropping, the mixture was allowed to stand in this state for 3 hours, and 1 mol of 5-amino-2- (p-aminophenyl) -benzoxazole (p-DAMBO) was added after completion of the reaction. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate was added in five portions, and after the addition, the mixture was condensed in that state for 5 hours. In addition, 2 mol of 1,2,3,4-tetrahydrophthalic anhydride, 2.1 mol of 4-hydroxybenzyl alcohol and 1 L of NMP were added to the flask 2 equipped with another nitrogen introduction tube and stirred. Subsequently, 2.1 mol of triethylamine was added dropwise over 30 minutes. After dropping, the solution was allowed to stand in this state for 3 hours, and then the solution in flask 2 was mixed with flask 1 and stirred for 30 minutes. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate was added in five portions, and after the addition, the mixture was condensed in that state for 5 hours. The obtained slurry-like mixture was poured into a large amount of methanol and washed, and the obtained solid resin was dried by a vacuum dryer for 12 hours.

次に、乾燥空気導入管を備えたフラスコに、得られた固形樹脂10g、テトラヒドロフラン50gを加えて攪拌し、そこへ3,4−ジヒドロ−(2H)−ピラン26g、p−トルエンスルホン酸を触媒量加えて、室温で5時間反応させた。得られたスラリー状の樹脂を高速に攪拌した10Lの2−プロパノール溶媒中で攪拌し、洗浄した後、減圧乾燥により乾燥してポリイミド前駆体7を得た。   Next, 10 g of the obtained solid resin and 50 g of tetrahydrofuran are added to a flask equipped with a dry air introduction tube and stirred, and 26 g of 3,4-dihydro- (2H) -pyran and p-toluenesulfonic acid are catalyzed. The amount was added and allowed to react at room temperature for 5 hours. The obtained slurry-like resin was stirred in 10 L of 2-propanol solvent stirred at high speed, washed, and then dried by drying under reduced pressure to obtain a polyimide precursor 7.

(合成例8)
窒素導入管を備えたフラスコ1に、1モルのピロメリット酸無水物、2.1モルのエチルアルコールおよび2LのNMPを加えて攪拌し、続けて2.1モルのトリエチルアミンを30分間にわたって滴下した。滴下後、この状態で3時間放置し、反応終了後に1モルの2,2´−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンを加えた。次に2.1モルのジフェニル(2,3−ジヒドロ−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを5回に分けて添加し、添加後、その状態で5時間縮合した。また、別の窒素導入管を備えたフラスコ2に、2モルの無水マレイン酸と2.1モルのエチルアルコールおよび1LのNMPとを加えて攪拌し、続けて2.1モルのトリエチルアミンを30分間にわたって滴下した。滴下後、この状態で3時間放置した後、フラスコ1にフラスコ2の溶液を混合し、30分間攪拌した。次に2.1モルのジフェニル(2,3−ジヒドロ−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを5回に分けて添加し、添加後、その状態で5時間縮合した。得られたスラリー状の混合物を大量のメタノール中に投入して洗浄し、得られた固形樹脂を真空乾燥機によって12時間乾燥した。
(Synthesis Example 8)
To a flask 1 equipped with a nitrogen inlet tube, 1 mol of pyromellitic anhydride, 2.1 mol of ethyl alcohol and 2 L of NMP were added and stirred, followed by dropwise addition of 2.1 mol of triethylamine over 30 minutes. . After dropping, the mixture was left in this state for 3 hours, and 1 mol of 2,2′-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane was added after the reaction was completed. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate was added in five portions, and after the addition, the mixture was condensed in that state for 5 hours. In addition, 2 mol of maleic anhydride, 2.1 mol of ethyl alcohol and 1 L of NMP were added to the flask 2 equipped with another nitrogen introduction tube and stirred, and then 2.1 mol of triethylamine was added for 30 minutes. Dripped over. After dropping, the solution was allowed to stand in this state for 3 hours, and then the solution in flask 2 was mixed with flask 1 and stirred for 30 minutes. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate was added in five portions, and after the addition, the mixture was condensed in that state for 5 hours. The obtained slurry-like mixture was poured into a large amount of methanol and washed, and the obtained solid resin was dried by a vacuum dryer for 12 hours.

次に、乾燥空気導入管を備えたフラスコに、得られた固形樹脂10g、テトラヒドロフラン50gを加えて攪拌し、そこへ3,4−ジヒドロ−(2H)−ピラン26g、p−トルエンスルホン酸を触媒量加えて、室温で5時間反応させた。得られたスラリー状の樹脂を、高速に攪拌した10Lの2−プロパノール溶媒中で攪拌し、洗浄した後、減圧乾燥により乾燥してポリイミド前駆体8を得た。   Next, 10 g of the obtained solid resin and 50 g of tetrahydrofuran are added to a flask equipped with a dry air introduction tube and stirred, and 26 g of 3,4-dihydro- (2H) -pyran and p-toluenesulfonic acid are catalyzed. The amount was added and allowed to react at room temperature for 5 hours. The obtained slurry-like resin was stirred in 10 L of 2-propanol solvent stirred at high speed, washed, and then dried by drying under reduced pressure to obtain a polyimide precursor 8.

(合成例9)
窒素導入管を備えたフラスコ1に、1モルのピロメリット酸無水物、2.1モルのエチルアルコールおよび2LのNMPを加えて攪拌し、続けて2.1モルのトリエチルアミンを30分間にわたって滴下した。滴下後、この状態で3時間放置し、反応終了後に1モルのビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)エーテルを加えた。次に2.1モルのジフェニル(2,3−ジヒドロ−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを5回に分けて添加し、添加後、その状態で5時間縮合した。また、別の窒素導入管を備えたフラスコ2に、2モルの無水マレイン酸と2.1モルのエチルアルコールおよび1LのNMPとを加えて攪拌し、続けて2.1モルのトリエチルアミンを30分間にわたって滴下した。滴下後、この状態で3時間放置した後、フラスコ1にフラスコ2の溶液を混合し、30分間攪拌した。次に2.1モルのジフェニル(2,3−ジヒドロ−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを5回に分けて添加し、添加後、その状態で5時間縮合した。得られたスラリー状の混合物を大量のメタノール中に投入して洗浄し、得られた固形樹脂を真空乾燥機によって12時間乾燥した。
(Synthesis Example 9)
To a flask 1 equipped with a nitrogen inlet tube, 1 mol of pyromellitic anhydride, 2.1 mol of ethyl alcohol and 2 L of NMP were added and stirred, followed by dropwise addition of 2.1 mol of triethylamine over 30 minutes. . After dropping, the mixture was left in this state for 3 hours, and 1 mol of bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) ether was added after the reaction was completed. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate was added in five portions, and after the addition, the mixture was condensed in that state for 5 hours. In addition, 2 mol of maleic anhydride, 2.1 mol of ethyl alcohol and 1 L of NMP were added to the flask 2 equipped with another nitrogen introduction tube and stirred, and then 2.1 mol of triethylamine was added for 30 minutes. Dripped over. After dropping, the solution was allowed to stand in this state for 3 hours, and then the solution in flask 2 was mixed with flask 1 and stirred for 30 minutes. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate was added in five portions, and after the addition, the mixture was condensed in that state for 5 hours. The obtained slurry-like mixture was poured into a large amount of methanol and washed, and the obtained solid resin was dried by a vacuum dryer for 12 hours.

次に、乾燥空気導入管を備えたフラスコに、得られた固形樹脂10g、テトラヒドロフラン50gを加えて攪拌し、そこへ3,4−ジヒドロ−(2H)−ピラン26g、p−トルエンスルホン酸を触媒量加えて、室温で5時間反応させた。得られたスラリー状の樹脂を、高速に攪拌した10Lの2−プロパノール溶媒中で攪拌し、洗浄した後、減圧乾燥により乾燥してポリイミド前駆体9を得た。   Next, 10 g of the obtained solid resin and 50 g of tetrahydrofuran are added to a flask equipped with a dry air introduction tube and stirred, and 26 g of 3,4-dihydro- (2H) -pyran and p-toluenesulfonic acid are catalyzed. The amount was added and allowed to react at room temperature for 5 hours. The obtained slurry-like resin was stirred in a 10 L 2-propanol solvent stirred at high speed, washed, and dried by drying under reduced pressure to obtain a polyimide precursor 9.

(合成例10)
窒素導入管を備えたフラスコ1に、1モルのピロメリット酸無水物、2.1モルの4−ヒドロキシベンジルアルコールおよび2LのNMPを加えて攪拌し、続けて2.1モルのトリエチルアミンを30分間にわたって滴下した。滴下後、この状態で3時間放置し、反応終了後に1モルの2,2´−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパンを加えた。次に2.1モルのジフェニル(2,3−ジヒドロ−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを5回に分けて添加し、添加後、その状態で5時間縮合した。また、別の窒素導入管を備えたフラスコ2に、2モルの無水マレイン酸と2.1モルの4−ヒドロキシベンジルアルコールおよび1LのNMPとを加えて攪拌し、続けて2.1モルのトリエチルアミンを30分間にわたって滴下した。滴下後、この状態で3時間放置した後、フラスコ1にフラスコ2の溶液を混合し、30分間攪拌した。次に2.1モルのジフェニル(2,3−ジヒドロ−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを5回に分けて添加し、添加後、その状態で5時間縮合した。得られたスラリー状の混合物を大量のメタノール中に投入して洗浄し、得られた固形樹脂を真空乾燥機によって12時間乾燥した。
(Synthesis Example 10)
To flask 1 equipped with a nitrogen inlet tube, 1 mol of pyromellitic anhydride, 2.1 mol of 4-hydroxybenzyl alcohol and 2 L of NMP were added and stirred, followed by 2.1 mol of triethylamine for 30 minutes. Dripped over. After dropping, the mixture was left in this state for 3 hours, and 1 mol of 2,2′-bis (4-aminophenyl) hexafluoropropane was added after the reaction was completed. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate was added in five portions, and after the addition, the mixture was condensed in that state for 5 hours. In addition, 2 mol of maleic anhydride, 2.1 mol of 4-hydroxybenzyl alcohol and 1 L of NMP were added to the flask 2 equipped with another nitrogen introduction tube and stirred, followed by 2.1 mol of triethylamine. Was added dropwise over 30 minutes. After dropping, the solution was allowed to stand in this state for 3 hours, and then the solution in flask 2 was mixed with flask 1 and stirred for 30 minutes. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate was added in five portions, and after the addition, the mixture was condensed in that state for 5 hours. The obtained slurry-like mixture was poured into a large amount of methanol and washed, and the obtained solid resin was dried by a vacuum dryer for 12 hours.

次に、乾燥空気導入管を備えたフラスコに、得られた固形樹脂10g、テトラヒドロフラン50gを加えて攪拌し、そこへ3,4−ジヒドロ−(2H)−ピラン26g、p−トルエンスルホン酸を触媒量加えて、室温で5時間反応させた。得られたスラリー状の樹脂を、高速に攪拌した10Lの2−プロパノール溶媒中で攪拌し、洗浄した後、減圧乾燥により乾燥してポリイミド前駆体10を得た。   Next, 10 g of the obtained solid resin and 50 g of tetrahydrofuran are added to a flask equipped with a dry air introduction tube and stirred, and 26 g of 3,4-dihydro- (2H) -pyran and p-toluenesulfonic acid are catalyzed. The amount was added and allowed to react at room temperature for 5 hours. The obtained slurry-like resin was stirred in 10 L of 2-propanol solvent stirred at high speed, washed, and then dried by drying under reduced pressure to obtain a polyimide precursor 10.

(合成例11)
窒素導入管を備えたフラスコ1に、1モルのピロメリット酸無水物、2.1モルの4−ヒドロキシベンジルアルコールおよび2LのNMPを加えて攪拌し、続けて2.1モルのトリエチルアミンを30分間にわたって滴下した。滴下後、この状態で3時間放置し、反応終了後に1モルの4,4´−ジアミノジフェニルエーテルを加えた。次に2.1モルのジフェニル(2,3−ジヒドロ−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを5回に分けて添加し、添加後、その状態で5時間縮合した。また、別の窒素導入管を備えたフラスコ2に、2モルの無水マレイン酸と2.1モルの4−ヒドロキシベンジルアルコールおよび1LのNMPとを加えて攪拌し、続けて2.1モルのトリエチルアミンを30分間にわたって滴下した。滴下後、この状態で3時間放置した後、フラスコ1にフラスコ2の溶液を混合し、30分間攪拌した。次に2.1モルのジフェニル(2,3−ジヒドロ−チオキソ−3−ベンゾオキサゾール)ホスホナートを5回に分けて添加し、添加後、その状態で5時間縮合した。得られたスラリー状の混合物を大量のメタノール中に投入して洗浄し、得られた固形樹脂を真空乾燥機によって12時間乾燥した。
(Synthesis Example 11)
To flask 1 equipped with a nitrogen inlet tube, 1 mol of pyromellitic anhydride, 2.1 mol of 4-hydroxybenzyl alcohol and 2 L of NMP were added and stirred, followed by 2.1 mol of triethylamine for 30 minutes. Dripped over. After dropping, the mixture was allowed to stand in this state for 3 hours, and 1 mol of 4,4′-diaminodiphenyl ether was added after the completion of the reaction. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate was added in five portions, and after the addition, the mixture was condensed in that state for 5 hours. In addition, 2 mol of maleic anhydride, 2.1 mol of 4-hydroxybenzyl alcohol and 1 L of NMP were added to the flask 2 equipped with another nitrogen introduction tube and stirred, followed by 2.1 mol of triethylamine. Was added dropwise over 30 minutes. After dropping, the solution was allowed to stand in this state for 3 hours, and then the solution in flask 2 was mixed with flask 1 and stirred for 30 minutes. Next, 2.1 mol of diphenyl (2,3-dihydro-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate was added in five portions, and after the addition, the mixture was condensed in that state for 5 hours. The obtained slurry-like mixture was poured into a large amount of methanol and washed, and the obtained solid resin was dried by a vacuum dryer for 12 hours.

次に、乾燥空気導入管を備えたフラスコに、得られた固形樹脂10g、テトラヒドロフラン50gを加えて攪拌し、そこへ3,4−ジヒドロ−(2H)−ピラン26g、p−トルエンスルホン酸を触媒量加えて、室温で5時間反応させた。得られたスラリー状の樹脂を、高速に攪拌した10Lの2−プロパノール溶媒中で攪拌し、洗浄した後、減圧乾燥により乾燥してポリイミド前駆体11を得た。   Next, 10 g of the obtained solid resin and 50 g of tetrahydrofuran are added to a flask equipped with a dry air introduction tube and stirred, and 26 g of 3,4-dihydro- (2H) -pyran and p-toluenesulfonic acid are catalyzed. The amount was added and allowed to react at room temperature for 5 hours. The obtained slurry-like resin was stirred in 10 L of 2-propanol solvent stirred at high speed, washed, and then dried by drying under reduced pressure to obtain a polyimide precursor 11.

(実施例1)
合成例1で得られたポリイミド前駆体100重量部とジフェニルヨードニウム−9,10−ジメトキシアントラセン−2−スルホネート10重量部とをNMPに溶解させ、感光性ポリイミド前駆体組成物のワニスを得た。スピンコーターでシリコンウエハ上にワニスを回転塗布し、ホットプレートを用いて100℃で5分間乾燥を行い、10μmの塗膜を得た。この塗膜をマスク(1〜50μmの残しパターンおよび抜きパターン)を通して、超高圧水銀灯を用いて紫外線を照射し、95℃で5分間加熱した。さらに2.38%の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で現像した後、純水でリンスし、乾燥した。その結果、露光量400mJ/cmの照射で良好なパターンが形成され、残膜率は94%であった。また、現像後の外観も良好であった。さらに、200℃で30分、400℃で60分の熱処理を行った。熱膨張係数は、試料を適当な温度範囲で昇温した時の線膨張率を測定し、得られた線膨張率の温度に対するプロットから求められる。線膨張率の測定方法としては、TMA(熱機械分析)法、直読法、光干渉法、押棒法、電気容量法、SQUID法、などがあるが、本実施例では、熱処理後の膜をシリコンウエハから剥がし、TMA(熱機械分析)法により25〜200℃の範囲で昇温速度10℃/分で測定したところ、5ppm/℃であり、熱膨張係数が低い樹脂であることが確認された。
(Example 1)
100 parts by weight of the polyimide precursor obtained in Synthesis Example 1 and 10 parts by weight of diphenyliodonium-9,10-dimethoxyanthracene-2-sulfonate were dissolved in NMP to obtain a varnish of a photosensitive polyimide precursor composition. A varnish was spin-coated on a silicon wafer with a spin coater and dried at 100 ° C. for 5 minutes using a hot plate to obtain a 10 μm coating film. This coating film was irradiated with ultraviolet rays using a super high pressure mercury lamp through a mask (1-50 μm remaining pattern and blank pattern) and heated at 95 ° C. for 5 minutes. Further, development was performed with a 2.38% aqueous tetramethylammonium hydroxide solution, followed by rinsing with pure water and drying. As a result, a good pattern was formed by irradiation with an exposure amount of 400 mJ / cm 2 , and the residual film ratio was 94%. The appearance after development was also good. Further, heat treatment was performed at 200 ° C. for 30 minutes and at 400 ° C. for 60 minutes. The coefficient of thermal expansion is obtained from a plot of the coefficient of linear expansion obtained with respect to the temperature obtained by measuring the coefficient of linear expansion when the sample is heated in an appropriate temperature range. As a method for measuring the linear expansion coefficient, there are a TMA (thermomechanical analysis) method, a direct reading method, an optical interference method, a push rod method, a capacitance method, a SQUID method, and the like. It was peeled from the wafer and measured at a rate of temperature increase of 10 ° C./min in the range of 25 to 200 ° C. by the TMA (thermomechanical analysis) method. .

(実施例2〜7)
実施例1において用いたポリイミド前駆体1の代わりに、ポリイミド前駆体2〜7を用いた以外は、実施例1と同様に操作して感光性ワニスを調整し、実施例1と同様にして評価した。
(Examples 2 to 7)
A photosensitive varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that polyimide precursors 2 to 7 were used instead of the polyimide precursor 1 used in Example 1, and evaluation was performed in the same manner as in Example 1. did.

(比較例1〜4)
実施例1において用いたポリイミド前駆体1の代わりに、ポリイミド前駆体8〜11を用いた以外は、実施例1と同様に操作して感光性ワニスを調整し、実施例1と同様にして評価した。
(Comparative Examples 1-4)
A photosensitive varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that polyimide precursors 8 to 11 were used instead of the polyimide precursor 1 used in Example 1, and evaluation was performed in the same manner as in Example 1. did.

実施例1〜7、比較例1〜4の評価結果については以下の表1に示した。表1中、「感度」とは、解像度10μmのパターン形成のために要する露光量であり、現像後の外観評価は、露光部の現像残りが少なく、パターンのエッジが平滑であれば、「良好」と評価した。残膜率の算定・算出は、
残膜率(%)={(現像後の未露光部の膜厚)/(現像前の未露光部の膜厚)}×100
により行った。
The evaluation results of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 4 are shown in Table 1 below. In Table 1, “sensitivity” is the amount of exposure required to form a pattern with a resolution of 10 μm. Appearance evaluation after development is “good” if there is little development residue in the exposed area and the pattern edge is smooth. ". Calculation and calculation of the remaining film rate
Residual film ratio (%) = {(film thickness of unexposed part after development) / (film thickness of unexposed part before development)} × 100
It went by.

Figure 2005345537
Figure 2005345537

以上の表1に示される結果によると、実施例1〜7の熱膨張係数と比較例1〜4の熱膨張係数とを比較して明らかなように、実施例1〜7に示される本発明に係るポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物から得られるポリイミドは、従来のポリイミド(比較例1〜4)に比較して、明らかに熱膨張係数が低減されている。また、実施例1〜7と比較例1〜4とにおける感度および残膜率および現像後外観を比較すると、感度および残膜率および現像外観ともに実施例1〜7は、比較例1〜4に比較して劣化しておらず、本発明に係るポジ型感光性ポリイミド前駆体から得られるポリイミドは、現像性や感度も優れていることが分かる。   According to the results shown in Table 1 above, the present invention shown in Examples 1 to 7 is clearly shown by comparing the thermal expansion coefficients of Examples 1 to 7 with those of Comparative Examples 1 to 4. Compared with the conventional polyimide (Comparative Examples 1-4), the thermal expansion coefficient of the polyimide obtained from the positive photosensitive polyimide precursor composition according to the above is clearly reduced. Moreover, when comparing the sensitivity, the remaining film rate, and the appearance after development in Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 4, Examples 1 to 7 are compared with Comparative Examples 1 to 4 in both sensitivity, remaining film rate, and developed appearance. It can be seen that the polyimide obtained from the positive photosensitive polyimide precursor according to the present invention is excellent in developability and sensitivity.

本発明のポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物は、半導体デバイスなどの製造での電気、電子絶縁材料として、詳しくは、ICやLSIなどの半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜などに用いられ、微細パターンの加工が必要とされるものなどに利用できる。   The positive photosensitive polyimide precursor composition of the present invention is used as an electrical and electronic insulating material in the manufacture of semiconductor devices and the like, and specifically, used as a surface protective film, an interlayer insulating film, etc. of semiconductor elements such as IC and LSI. It can be used for those that require fine pattern processing.

Claims (4)

主鎖にベンゾオキサゾール骨格を有し、且つ、主鎖及び側鎖の少なくともいずれかにOR基(但し、Rは酸の作用で分解し水素に変換し得る一価の有機基である)を含有するポリイミド前駆体と、光酸発生剤とを含有することを特徴とするポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物。   Contains a benzoxazole skeleton in the main chain and contains an OR group (where R is a monovalent organic group that can be decomposed and converted to hydrogen by the action of an acid) in at least one of the main chain and the side chain A positive photosensitive polyimide precursor composition comprising: a polyimide precursor to be prepared; and a photoacid generator. 前記ポリイミド前駆体は、一般式(1)で示される構造を繰り返し単位中に有する、請求項1記載のポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物。
Figure 2005345537

(式中、Rは、4価の有機基、Rは、OR基、OR基含有芳香族基を有する有機基、又は、その他の一価の有機基、Rは一般式(2)〜(5)のいずれかで示される芳香族ベンゾオキサゾール残基を表す。)
Figure 2005345537

Figure 2005345537

Figure 2005345537

Figure 2005345537

(式中、R、R、R、Rは、それぞれ独立して、OR基(但し、Rは酸の作用で分解し水素に変換し得る一価の有機基である)を有していてもよい単環または複数の環から構成される芳香族環基又は複素環基を表す。)
The positive-type photosensitive polyimide precursor composition according to claim 1, wherein the polyimide precursor has a structure represented by the general formula (1) in a repeating unit.
Figure 2005345537

(Wherein R 1 is a tetravalent organic group, R 2 is an OR group, an organic group having an OR group-containing aromatic group, or other monovalent organic group, and R 3 is a general formula (2) Represents an aromatic benzoxazole residue represented by any one of (5).)
Figure 2005345537

Figure 2005345537

Figure 2005345537

Figure 2005345537

(Wherein R 4 , R 5 , R 6 and R 7 are each independently an OR group (where R is a monovalent organic group that can be decomposed and converted to hydrogen by the action of an acid)). Represents an aromatic ring group or a heterocyclic group composed of a single ring or a plurality of rings which may be provided.)
前記ポリイミド前駆体全体に含まれるOR基の合計量が、繰り返し単位1モルあたり0.5〜3モルである、請求項1または2に記載のポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物。   The positive photosensitive polyimide precursor composition of Claim 1 or 2 whose total amount of OR group contained in the said whole polyimide precursor is 0.5-3 mol per 1 mol of repeating units. 前記ポリイミド前駆体の少なくとも一方の末端は、芳香族ジアミンまたは二酸無水物と結合する結合性基を有する連鎖延長剤によって該結合性基を介して封鎖されており、該連鎖延長剤は、芳香族ジアミンと二酸無水物とからポリイミド前駆体を形成するための条件とは異なる条件下で該ポリイミド前駆体同士を該連鎖延長剤を介して連結する連結性基をさらに有している、請求項1〜3のいずれか1つに記載のポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物。
At least one end of the polyimide precursor is blocked through the binding group by a chain extender having a binding group that binds to an aromatic diamine or dianhydride. Further comprising a linking group for linking the polyimide precursors via the chain extender under conditions different from the conditions for forming a polyimide precursor from an aromatic diamine and a dianhydride, Item 4. The positive photosensitive polyimide precursor composition according to any one of Items 1 to 3.
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