JP2005274155A - Flaw inspection device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flaw inspection device capable of easily setting the center wavelength and wavelength width of illumination light at the time of inspection to desired values. <P>SOLUTION: The flaw inspection device is constituted of an illumination means for converting the illumination light from a light source to almost parallel light flux to illuminate a specimen; an image forming means for forming the image of the specimen by the reflected light from the specimen in the parallel light flux from the imaging means; an imaging means for taking the image formed by the image forming means; the wavelength selecting means arranged in the light path between the light source and the imaging means to indently and selectively set the center wavelength and wavelength width of the light flux in the light path; and a flaw detection means for detecting the flaw of the specimen on the basis of the image taken by the imaging means. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、被検査対象物の欠陥を検出する欠陥検査装置に関している。   The present invention relates to a defect inspection apparatus for detecting a defect of an object to be inspected.

従来、半導体基板を製造する際に、前記基板上には、種々の原因により欠陥が形成されてしまう場合がある。例えば、フォトリソグラフィ・プロセスにおいての基板表面に塗布されたレジストの膜厚バラツキや、前記レジストに付着した塵埃は、欠陥の原因になる。前記欠陥には、例えば、エッチング後の基板上のパターンの断線や線幅の減少や、前記パターン内のピンホールなどがある。また、レジストへの配線パターン露光における合焦不良は、現像後のレジストの断面形状の形成不良の欠陥の原因となる。この欠陥は、後工程においての不良の原因となり得る。   Conventionally, when a semiconductor substrate is manufactured, defects may be formed on the substrate due to various causes. For example, variations in the thickness of the resist applied to the substrate surface in the photolithography process and dust adhering to the resist cause defects. Examples of the defect include a disconnection of the pattern on the substrate after etching, a reduction in line width, and a pinhole in the pattern. Further, the in-focus defect in the exposure of the wiring pattern to the resist causes a defect of defective formation of the cross-sectional shape of the resist after development. This defect can cause a defect in a later process.

このため、前記ウェハや基板等は、欠陥検出並びに欠陥の修正が行われる。なお、前記欠陥を検出するためのものとして、欠陥検査装置が、一般的に用いられている。   For this reason, the wafer and the substrate are subjected to defect detection and defect correction. A defect inspection apparatus is generally used for detecting the defect.

例えば、前記従来の欠陥検査装置は、特許文献1並びに2に示されている。この特許文献1に開示される欠陥検査装置を図11に示して説明し、特許文献2に開示される欠陥検査装置を図12に示して説明する。   For example, Patent Documents 1 and 2 show the conventional defect inspection apparatus. The defect inspection apparatus disclosed in Patent Document 1 will be described with reference to FIG. 11, and the defect inspection apparatus disclosed in Patent Document 2 will be described with reference to FIG.

特許文献1に示されている欠陥検査装置は、少なくとも1つの周期パターンを有する前記ウェハや基板等の被検体101により正反射した光束を観測し、被検体101上の欠陥を検出する装置である。具体的には、この欠陥検査装置は、ランプハウス5を具備している。このランプハウス5は、ハロゲンランプ6と、コンデンサレンズ7と、熱線吸収フィルタ8とを有している。ハロゲンランプ6からの光は、熱線吸収フィルタ8を介してコンデンサレンズ7に入射し、平行光束に変換される。   The defect inspection apparatus disclosed in Patent Document 1 is an apparatus that observes a light beam regularly reflected by the object 101 such as the wafer or the substrate having at least one periodic pattern and detects a defect on the object 101. . Specifically, the defect inspection apparatus includes a lamp house 5. The lamp house 5 includes a halogen lamp 6, a condenser lens 7, and a heat ray absorption filter 8. The light from the halogen lamp 6 enters the condenser lens 7 through the heat ray absorption filter 8 and is converted into a parallel light beam.

この欠陥検査装置は、さらに複数の干渉フィルタと、白色光照明用の孔とを有する回転ホルダ9を具備している。この回転ホルダ9は、回転することにより、任意の前記干渉フィルタ又は前記孔を、コンデンサレンズ7を通過した光束の光路上に配置できるように、構成されている。また、前記各干渉フィルタは、所定の波長を中心とした所定の帯域の光束のみを透過できるように構成されている。このため、回転ホルダ9は、干渉フィルタを変更することにより、通過する光束の波長幅を変更できる。なお、本明細書中において、所定の波長幅を有する光束において、前記波長幅の中心の波長を、中心波長と呼ぶ。   The defect inspection apparatus further includes a rotating holder 9 having a plurality of interference filters and a white light illumination hole. The rotation holder 9 is configured such that any interference filter or the hole can be arranged on the optical path of the light beam that has passed through the condenser lens 7 by rotating. Each interference filter is configured to transmit only a light beam in a predetermined band centered on a predetermined wavelength. For this reason, the rotation holder 9 can change the wavelength width of the light beam to pass by changing the interference filter. In the present specification, in the light flux having a predetermined wavelength width, the center wavelength of the wavelength width is referred to as a center wavelength.

また、欠陥検査装置は、集光レンズ10と、光ファイバー束11と、拡散板12と、絞り13と、コリメートレンズ14と、ハーフミラー15とを具備している。光源部からの光束は、ハーフミラー15を介してコリメートレンズ14に入射し、平行光束にされて、被検体101に照射される。   Further, the defect inspection apparatus includes a condenser lens 10, an optical fiber bundle 11, a diffusion plate 12, a diaphragm 13, a collimator lens 14, and a half mirror 15. The light beam from the light source unit enters the collimator lens 14 via the half mirror 15, is converted into a parallel light beam, and is irradiated on the subject 101.

さらに、この欠陥検査装置は、結像レンズ16並びにCCD17を具備している。結像レンズ16には、被検体101で正反射された光束が、コリメートレンズ14並びにハーフミラー15を通り、入射される。結像レンズ16は、入射した光束により、被検体101の像をCCD17上に結像させる。CCD17は、結像した被検体101の像を撮像する。   The defect inspection apparatus further includes an imaging lens 16 and a CCD 17. The light beam regularly reflected by the subject 101 enters the imaging lens 16 through the collimating lens 14 and the half mirror 15. The imaging lens 16 forms an image of the subject 101 on the CCD 17 with the incident light beam. The CCD 17 captures an image of the subject 101 that has been formed.

この欠陥検査装置は、上述したように被検体101に照射された光束の反射光による像をCCD17で撮像し、被検体101の膜厚バラツキを干渉縞として観察する。また、この欠陥検査装置は、照明系又は撮像系の光軸を傾けることにより、被検体からの回折光による像を撮像することも可能である。   As described above, the defect inspection apparatus captures an image of the reflected light of the light beam irradiated on the subject 101 with the CCD 17 and observes the film thickness variation of the subject 101 as interference fringes. Moreover, this defect inspection apparatus can also capture an image of diffracted light from the subject by tilting the optical axis of the illumination system or imaging system.

特許文献2の欠陥検査装置は、図12に示されるように、光源を有する照明部802と、照明部802により照射された光束を平行光束にするコリメートレンズ803とを具備している。照明部802とコリメートレンズ803とは、被検体101の表面の法線に対して入射角度θiで、被検体101を照明する。   As shown in FIG. 12, the defect inspection apparatus of Patent Document 2 includes an illumination unit 802 having a light source, and a collimator lens 803 that converts a light beam emitted from the illumination unit 802 into a parallel light beam. The illumination unit 802 and the collimator lens 803 illuminate the subject 101 at an incident angle θi with respect to the normal of the surface of the subject 101.

さらに、前記欠陥検査装置は、コリメートレンズ804と、結像レンズ806と、ラインイメージセンサ807とを具備している。コリメートレンズ804は、被検体101の表面の法線に対して、検査角度θdで被検体101により反射、回折、散乱された光を収束させる。結像レンズ806は、コリメートレンズ804からの光束を、ラインイメージセンサ807に結像させる。   The defect inspection apparatus further includes a collimating lens 804, an imaging lens 806, and a line image sensor 807. The collimating lens 804 converges the light reflected, diffracted and scattered by the subject 101 at the inspection angle θd with respect to the normal line of the surface of the subject 101. The imaging lens 806 focuses the light beam from the collimating lens 804 on the line image sensor 807.

この欠陥検査装置は、ラインイメージセンサ807の幅方向と直交する方向(図11中において、矢印AAで示される)に、被検体101を前記欠陥検査装置に対して相対的に移動させる。この移動により、前記欠陥検査装置は、被検体101全体を撮像し、検査画像を取得する。   This defect inspection apparatus moves the subject 101 relative to the defect inspection apparatus in a direction orthogonal to the width direction of the line image sensor 807 (indicated by an arrow AA in FIG. 11). By this movement, the defect inspection apparatus images the entire subject 101 and acquires an inspection image.

この検査画像において、前記欠陥は、被検体101により反射された光(反射光)の明暗により観察される。具体的には、膜厚むら等の欠陥は、前記正反射光の明暗となって現れる。また、合焦不良による欠陥は、回折光の明暗となって観察される。このように、前記欠陥は、正反射光並びに回折光の明暗により検出されるため、最も明暗が明瞭な検査角度θdで被検体101を撮像できるように、複数の検査角度θdで被検体101を撮像する。   In this inspection image, the defect is observed by light and darkness of light reflected by the subject 101 (reflected light). Specifically, defects such as film thickness unevenness appear as the brightness of the regular reflection light. In addition, defects due to poor focusing are observed as the brightness of the diffracted light. Thus, since the defect is detected by the brightness of the specularly reflected light and the diffracted light, the object 101 is imaged at a plurality of inspection angles θd so that the object 101 can be imaged at the inspection angle θd with the clearest contrast. Take an image.

そして、上述するように撮像された複数の検査画像は、欠陥を有していない被検体を撮像した際の画像である参照画像と比較され、参照画像と検査画像との輝度の異なる部分を欠陥として抽出する。
特開平7−27709号公報 特開平9−61365号公報
Then, the plurality of inspection images captured as described above are compared with a reference image that is an image obtained by capturing an image of a subject that does not have a defect, and portions with different luminance between the reference image and the inspection image are defective. Extract as
Japanese Patent Laid-Open No. 7-27709 JP-A-9-61365

一般的に、フォトリソグラフィ・プロセスにより、被検体101の表面に多層のパターンが形成されるとともに、これらのパターンの上に、レジスト層が形成される。欠陥検査装置は、多層の被検体101の上層のレジスト層における欠陥の検査を行う。従来の欠陥検査装置は、上層のレジスト層の欠陥を検出することを目的としているが、下層のパターンやレジスト層が問題視されなかった欠陥が同時に検出されてしまう問題が生ずる。   In general, a multilayer pattern is formed on the surface of the object 101 by a photolithography process, and a resist layer is formed on these patterns. The defect inspection apparatus inspects defects in the upper resist layer of the multilayer object 101. Although the conventional defect inspection apparatus is intended to detect defects in the upper resist layer, there is a problem in that defects in which the lower layer pattern or resist layer is not regarded as a problem are detected at the same time.

この時の検査画像に現れる下層の膜厚バラツキ等の欠陥を抑制するため、撮像に用いる狭帯域光の波長幅を広くすることが考えられるが、レジスト層の欠陥化の輝度が低下して撮像しにくくなる問題が生ずる。   In order to suppress defects such as film thickness variations in the lower layer that appear in the inspection image at this time, it may be possible to widen the wavelength width of the narrowband light used for imaging, but the brightness of the defect formation of the resist layer is reduced and imaging is performed. The problem becomes difficult to do.

このため、被検体の種類や検出する欠陥に応じて、前記照明に用いられる光の中心波長並びに波長幅を適切な値に調整する必要がある。特許文献1並びに2に示されるような従来の欠陥検査装置は、干渉フィルタを交換することにより、波長幅を選択的に変更する。しかしながら、干渉フィルタの通過させる中心波長並びに波長幅は、各干渉フィルタ毎に固定されているため、中心波長並びに波長幅を最適な値に調整することが出来ない。   For this reason, it is necessary to adjust the center wavelength and wavelength width of the light used for the illumination to appropriate values according to the type of the subject and the defect to be detected. Conventional defect inspection apparatuses such as those disclosed in Patent Documents 1 and 2 selectively change the wavelength width by exchanging the interference filter. However, since the center wavelength and the wavelength width that the interference filter passes are fixed for each interference filter, the center wavelength and the wavelength width cannot be adjusted to optimum values.

このため、中心波長並びに波長幅を最適な値に調整するには、中心波長並びに波長幅の異なる多数の干渉フィルタ用意することにより対応可能である。しかしながら、中心波長並びに波長幅を微妙に調節可能に構成するためには、多数の干渉フィルタが必要になり、現実的ではなく、例え干渉フィルタを多数用意しても実質的に微妙な調整は不可能である。   For this reason, adjusting the center wavelength and the wavelength width to optimum values can be achieved by preparing a large number of interference filters having different center wavelengths and wavelength widths. However, in order to make it possible to finely adjust the center wavelength and the wavelength width, a large number of interference filters are required, which is not practical, and even if a large number of interference filters are prepared, substantially fine adjustment is not possible. Is possible.

前記課題を鑑みて、本発明の目的は、検査時の照明光の中心波長並びに波長幅を、容易に所望の値に設定し下層の影響を取り除いて欠陥検出の精度を高め得る欠陥検査装置を提供することである。   In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a defect inspection apparatus that can easily set the center wavelength and wavelength width of illumination light at the time of inspection to desired values and remove the influence of lower layers to improve the accuracy of defect detection. Is to provide.

本発明の欠陥検査装置は、前記課題を解決するために、以下の構成を有している。   In order to solve the above problems, the defect inspection apparatus of the present invention has the following configuration.

本発明は、光源からの照明光を略平行光束にして被検体を照明する照明手段と、前記照明手段からの平行光束うちの前記被検体からの反射光により、前記被検体の像を結像する結像手段と、前記結像手段により結像された像を撮像する撮像手段と、前記光源と撮像手段との間の光路中に配置されており、前記光路中の光束の中心波長並びに波長幅を夫々独立して選択的に設定する波長選択手段と、前記撮像手段により撮像された画像により前記被検体の欠陥を検出する欠陥検出手段とを備える欠陥検査装置を提供する。     The present invention forms an image of the subject by illuminating means for illuminating the subject with illumination light from a light source as a substantially parallel luminous flux, and reflected light from the subject out of the parallel luminous flux from the illuminating means. An imaging means for imaging, an imaging means for taking an image formed by the imaging means, and an optical path between the light source and the imaging means, and a center wavelength and a wavelength of a light beam in the optical path Provided is a defect inspection apparatus comprising wavelength selection means for selectively setting the widths independently, and defect detection means for detecting a defect of the subject from an image picked up by the image pickup means.

さらに、本発明は、光源からの照明光を略平行光束にして被検体を照明する照明手段と、前記照明手段からの平行光束うちの前記被検体からの反射光により、前記被検体の像を結像する結像手段と、幅方向に沿って配置された撮像素子列を、前記幅方向と直交する長手方向に沿って複数配置し、各撮像部により撮像する撮像手段と、前記光源と撮像手段との間の光路上に配置されており、光路中の光束を、前記長手方向に沿って分光する分光手段と、前記撮像手段により撮像された画像により前記被検体の欠陥を検出する欠陥検出手段とを備えて、前記撮像手段は、指定された波長範囲に対応する撮像素子列による撮像結果を加算して画像を形成する欠陥検査装置を提供する。   Furthermore, the present invention provides an illuminating unit that illuminates the subject with illumination light from a light source as a substantially parallel light beam, and an image of the subject by reflected light from the subject out of the parallel light beam from the illuminating unit. An image forming means for forming an image, an image pickup device array arranged along the width direction, a plurality of image pickup devices arranged along a longitudinal direction orthogonal to the width direction, an image pickup means for picking up an image by each image pickup unit, the light source and the image pickup A spectroscopic unit that is arranged on an optical path between the optical unit and splits a light beam in the optical path along the longitudinal direction; and a defect detection that detects a defect of the subject by an image captured by the imaging unit. And a defect inspection apparatus for forming an image by adding the imaging results obtained by the imaging element array corresponding to the designated wavelength range.

本発明は、検査時の照明光の中心波長並びに波長幅を、容易に所望の値に設定し下層の影響を取り除いて欠陥検出の精度を高め得る欠陥検査装置を提供することができる。   The present invention can provide a defect inspection apparatus that can easily set the center wavelength and wavelength width of illumination light at the time of inspection to desired values and remove the influence of lower layers to improve the accuracy of defect detection.

以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
まず、第1の実施の形態に従った欠陥検査装置1について図1乃至図3を用いて説明する。図1は、本実施の形態に従った欠陥検査装置1を示す概略的な側面図である。図2は、図1中の欠陥検査装置1の波長選択部を示す概略的な側面図である。図3は、図1中の欠陥検査装置1の制御系を示す概略的なブロック図である。なお、本実施の形態の欠陥検査装置1は、多層の基板である被検体101を検査する。なお、被検体101は、最上層に、複数の周期パターンを有するレジスト層が形成されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
First, the defect inspection apparatus 1 according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic side view showing a defect inspection apparatus 1 according to the present embodiment. FIG. 2 is a schematic side view showing a wavelength selection unit of the defect inspection apparatus 1 in FIG. FIG. 3 is a schematic block diagram showing a control system of the defect inspection apparatus 1 in FIG. The defect inspection apparatus 1 according to the present embodiment inspects the subject 101 that is a multilayer substrate. In the subject 101, a resist layer having a plurality of periodic patterns is formed on the uppermost layer.

欠陥検査装置1は、ステージ20と、照明部30と、結像部40と、波長選択部50と、撮像部70と、制御系200とを具備している。この欠陥検査装置1は、ステージ20上に配置された被検体101に対して、照明部30により照明光を照射し、結像部40が被検体101からの反射光を集光するとともに結像し、結像部40による像を撮像部70が撮像して被検体101の欠陥検査を行う。本実施の形態において、照明部30の光路中には、波長選択部50が配置されている。以下に、欠陥検査装置1の各構成を詳しく説明する。   The defect inspection apparatus 1 includes a stage 20, an illumination unit 30, an imaging unit 40, a wavelength selection unit 50, an imaging unit 70, and a control system 200. The defect inspection apparatus 1 irradiates the subject 101 disposed on the stage 20 with illumination light from the illumination unit 30, and the imaging unit 40 collects reflected light from the subject 101 and forms an image. Then, the imaging unit 70 captures an image from the imaging unit 40 and inspects the object 101 for defects. In the present embodiment, a wavelength selection unit 50 is disposed in the optical path of the illumination unit 30. Below, each structure of the defect inspection apparatus 1 is demonstrated in detail.

本実施の形態において、ステージ20は被検体101を保持して互いに直交する所定の2つの軸線に沿って移動させ得るように構成されている。なお、本明細書中において、一方の軸線をX軸とし、他方の軸線をY軸とする。また、本明細書中において、X並びにY軸と直交する軸線を、Z軸とする。従って、Z軸は、ステージ20に支持された被検体101の表面の法線方向と実質的に一致する。また、本欠陥検査装置は、検査対象となる半導体ウェハ基板やFPD用ガラス基板をステージ20上に搬送する基板搬送ロボットを備えた図示しない被検体搬送部とが並設されている。この被検体搬送部には、検査前の被検体101を格納しているストッカと、検査後の被検体101を格納するストッカとを有している。 照明部30は、被検体101を照明する照明手段であり、ランプハウス31と、光ファイバー35と、拡散板36と、絞り37と、ハーフミラー38と、コリメートレンズ39とを有している。   In the present embodiment, the stage 20 is configured to hold the subject 101 and move it along two predetermined axes that are orthogonal to each other. In this specification, one axis is defined as the X axis, and the other axis is defined as the Y axis. In this specification, an axis perpendicular to the X and Y axes is taken as a Z axis. Therefore, the Z axis substantially coincides with the normal direction of the surface of the subject 101 supported by the stage 20. In addition, the defect inspection apparatus is provided with a not-shown subject transport unit provided with a substrate transport robot for transporting a semiconductor wafer substrate or FPD glass substrate to be inspected onto the stage 20. The subject transport unit includes a stocker that stores the subject 101 before the examination and a stocker that stores the subject 101 after the examination. The illumination unit 30 is an illumination unit that illuminates the subject 101, and includes a lamp house 31, an optical fiber 35, a diffusion plate 36, a diaphragm 37, a half mirror 38, and a collimator lens 39.

ランプハウス31は、光源として例えば、白色光を放射するハロゲンランプ32と、熱線吸収フィルタ33と、コンデンサレンズ34とを備えている。コンデンサレンズ34は、ハロゲンランプ32からの光を平行光束にし、波長選択部50に入射させる。光ファイバー35は、入射端35aが波長選択部50に接続されており、出射端35bが拡散板36に接続されている。
拡散板36並びに絞り37は、光源から入射した光束の強度分布を平均化し、通過後の光の断面を最適な大きさに調整する二次光源を構成し、この二次光源の光束をハーフミラー38に入射させる。
The lamp house 31 includes, for example, a halogen lamp 32 that emits white light, a heat ray absorption filter 33, and a condenser lens 34 as light sources. The condenser lens 34 converts the light from the halogen lamp 32 into a parallel light flux and makes it incident on the wavelength selection unit 50. The optical fiber 35 has an incident end 35 a connected to the wavelength selector 50 and an output end 35 b connected to the diffusion plate 36.
The diffuser plate 36 and the diaphragm 37 constitute a secondary light source that averages the intensity distribution of the light beam incident from the light source and adjusts the cross section of the light after passing through to an optimum size. 38.

ハーフミラー38は、拡散板36並びに絞り37からの光束を、コリメートレンズ39に向けて反射するとともに、被検体101からの反射光を透過させて、結像部40に入射させる。   The half mirror 38 reflects the light flux from the diffusing plate 36 and the diaphragm 37 toward the collimating lens 39 and transmits the reflected light from the subject 101 to enter the imaging unit 40.

コリメートレンズ39は、ハーフミラー38で反射した光束を平行光束に整形して被検体101に照射する。本実施の形態において、ハーフミラー38とコリメートレンズ39は、被検体101に向けて照明した光束を垂直入射させるように、配置されている。また、コリメートレンズ39の焦点位置は、ハーフミラー38により反射された光源側と、透過した撮像側とに存在する。このコリメートレンズ39の光源側の焦点位置は、拡散板36の位置に設定されており、撮像した側の焦点位置は、結像部40の位置に設定されている。   The collimating lens 39 shapes the light beam reflected by the half mirror 38 into a parallel light beam and irradiates the subject 101. In the present embodiment, the half mirror 38 and the collimating lens 39 are arranged so that the light beam illuminated toward the subject 101 is vertically incident. Further, the focal position of the collimating lens 39 exists on the light source side reflected by the half mirror 38 and on the imaging side that has been transmitted. The focal position on the light source side of the collimator lens 39 is set to the position of the diffusion plate 36, and the focal position on the imaging side is set to the position of the imaging unit 40.

結像部40は、結像レンズを有しており、ハーフミラー38からの光を集光し、被検体101の表面の像を、撮像部70の撮像面上に結像させる結像手段である。撮像部70は、結像部40による像を撮像する撮像手段で、被検体101の所定領域の画像を一度に撮像し得CCD等のエリアセンサである。   The imaging unit 40 includes an imaging lens, and is an imaging unit that collects the light from the half mirror 38 and forms an image of the surface of the subject 101 on the imaging surface of the imaging unit 70. is there. The imaging unit 70 is an imaging unit that captures an image by the imaging unit 40 and is an area sensor such as a CCD that can capture an image of a predetermined region of the subject 101 at a time.

波長選択部50は、図2中に示されるように、透過波長幅が可変なモノクロメータである。この波長選択部50は、ランプハウス31からの光が入射され、入射された光の中心波長並びに波長幅を夫々独立して無段階調整することができる。光ファイバー35に入射させる。この波長選択部50は、入射スリット50aと、レンズ50b、50dと、プリズム50cと、出射スリット50eとを有している。ランプハウス31からの光束は、入射スリット50aを介してレンズ50bに入射して平行光束に整形され、この光束をプリズム50cに入射する。   As shown in FIG. 2, the wavelength selection unit 50 is a monochromator whose transmission wavelength width is variable. The wavelength selection unit 50 receives light from the lamp house 31 and can independently and continuously adjust the center wavelength and wavelength width of the incident light. The light enters the optical fiber 35. The wavelength selector 50 includes an entrance slit 50a, lenses 50b and 50d, a prism 50c, and an exit slit 50e. The light beam from the lamp house 31 enters the lens 50b through the incident slit 50a, is shaped into a parallel light beam, and enters this prism 50c.

プリズム50cは、入射した光束を分光する分光素子で入射された光束を実線並びに破線で示すように、出射スリット50eの開口の幅方向d1に沿って異なる波長分光する。このプリズム50cで分光した光束は、レンズ50dに入射して、出射スリット50e上に収束する。出射スリット50eの開口を通過した光束は、光ファイバー35の入射端35aに入射する。この出射スリット50eは、図示しない可動装置により開口の幅を幅方向d1に沿って変更可能に構成されてこの開口の幅を変更することにより、プリズム50cで分光された結果に対し波長幅を任意に設定できる。   The prism 50c splits the incident light beam by a spectroscopic element that splits the incident light beam, with different wavelengths along the width direction d1 of the opening of the exit slit 50e, as indicated by a solid line and a broken line. The light beam split by the prism 50c enters the lens 50d and converges on the exit slit 50e. The light beam that has passed through the opening of the exit slit 50 e enters the incident end 35 a of the optical fiber 35. The exit slit 50e is configured such that the width of the opening can be changed along the width direction d1 by a movable device (not shown). By changing the width of the opening, the wavelength width can be arbitrarily set with respect to the result of spectral separation by the prism 50c. Can be set.

また、プリズム50cは、図示しない回転駆動装置により回動され得るように構成されており、図2中においての紙面と直交する軸回りにプリズム50cを回動させることにより、出射スリット50eから出射する光束の中心波長を任意に選択することができる。   Further, the prism 50c is configured to be rotated by a rotation driving device (not shown), and is emitted from the emission slit 50e by rotating the prism 50c about an axis orthogonal to the paper surface in FIG. The center wavelength of the light beam can be arbitrarily selected.

続いて、制御系200について、図3を参照して説明する。   Next, the control system 200 will be described with reference to FIG.

制御系200は、ステージ制御部201と、駆動回路202と、光学系制御部203と、被検体搬送制御部204と、画像インターフェース(画像I/F)205と、画像処理装置206と、モニタ207,210と、画像記憶装置208と、ホストコンピュータ209と、キーボード211と、メモリ212、シーケンサ213とを有している。   The control system 200 includes a stage control unit 201, a drive circuit 202, an optical system control unit 203, a subject transport control unit 204, an image interface (image I / F) 205, an image processing device 206, and a monitor 207. 210, image storage device 208, host computer 209, keyboard 211, memory 212, and sequencer 213.

ステージ制御部201は、ステージ20と接続されており、ステージ20の駆動を制御する。
駆動回路202は、撮像部70に接続されており、撮像部70の駆動を制御する。
The stage control unit 201 is connected to the stage 20 and controls driving of the stage 20.
The drive circuit 202 is connected to the imaging unit 70 and controls driving of the imaging unit 70.

光学系制御部203は、照明部30、結像部40、演算選択部50と接続されており、これらの駆動を制御する。より具体的には、光学系制御部203は、照明部30の照明光の光量、波長選択部50の波長幅、並びに中心波長を制御する。   The optical system control unit 203 is connected to the illumination unit 30, the imaging unit 40, and the calculation selection unit 50, and controls the driving thereof. More specifically, the optical system control unit 203 controls the amount of illumination light of the illumination unit 30, the wavelength width of the wavelength selection unit 50, and the center wavelength.

被検体搬送制御部204は、前述の被検体搬送部と接続されており、被検体搬送部の駆動を制御する。
画像処理装置206は、撮像部70並びにホストコンピュータ209と接続されており、ホストコンピュータ209により駆動が制御される。この画像処理装置206は、撮像部70が取得した検査画像を画像処理し、膜厚バラツキや粉塵などの欠陥を抽出する欠陥検出機能を有する。また、画像処理装置206は、抽出した欠陥に関する欠陥の種類、数、位置、面積などデータを、ホストコンピュータ209に送る。この画像処理装置206は、さらに、モニタ207と、画像記憶装置208とが接続されている。モニタ207は、画像処理装置206により作成された画像等を表示する画像表示装置である。
画像記憶装置208は、前記画像処理装置206で画像処理された検査画像得や処理画像を格納するデータ格納装置で、被検体101の検査画像、抽出された欠陥画像、欠陥の無い良品の被検体101を撮像した参照画像等が格納されている。
The subject transport control unit 204 is connected to the above-described subject transport unit, and controls the driving of the subject transport unit.
The image processing device 206 is connected to the imaging unit 70 and the host computer 209, and the drive is controlled by the host computer 209. The image processing apparatus 206 has a defect detection function that performs image processing on the inspection image acquired by the imaging unit 70 and extracts defects such as film thickness variation and dust. In addition, the image processing apparatus 206 sends data such as the type, number, position, and area of defects related to the extracted defects to the host computer 209. The image processing device 206 is further connected to a monitor 207 and an image storage device 208. A monitor 207 is an image display device that displays an image or the like created by the image processing device 206.
The image storage device 208 is a data storage device for storing the inspection image obtained and processed by the image processing device 206. The image storage device 208 is an inspection image of the subject 101, an extracted defect image, and a non-defective non-defective subject. A reference image obtained by imaging 101 is stored.

ホストコンピュータ209は、画像処理装置206、モニタ210、キーボード211、メモリ212、及びシーケンサ213と接続されている。ホストコンピュータ209は、画像処理装置206並びにシーケンサ213の駆動を制御し、この制御のための必要な設定を、モニタ210に制御メニューとして表示する。   The host computer 209 is connected to the image processing device 206, the monitor 210, the keyboard 211, the memory 212, and the sequencer 213. The host computer 209 controls driving of the image processing apparatus 206 and the sequencer 213 and displays necessary settings for this control on the monitor 210 as a control menu.

キーボード211は、前記制御メニューから選択可能な命令及び/又はその他の制御に必要な命令並びに情報を、ホストコンピュータ209に対して入力するための入力装置である。   The keyboard 211 is an input device for inputting commands selectable from the control menu and / or other commands and information necessary for control to the host computer 209.

メモリ212は、ホストコンピュータ209と接続されており、前記制御に必要な制御情報が格納される。前記制御情報とは、例えば、被検体の種類毎の検査条件(光学系の設定、検査面積、画像処理条件、欠陥の良否判定を行う際の合格基準など)、並びに、検査データなどである。この制御情報は、検査前に予め前記記憶部に格納しておくことも可能であるし、検査時にキーボード211等により入力し、前記記憶部に格納することも可能である。   The memory 212 is connected to the host computer 209 and stores control information necessary for the control. The control information includes, for example, inspection conditions for each type of subject (optical system setting, inspection area, image processing conditions, acceptance criteria for determining pass / fail of defects, etc.), inspection data, and the like. This control information can be stored in the storage unit in advance before inspection, or can be input by the keyboard 211 or the like at the time of inspection and stored in the storage unit.

シーケンサ213は、ステージ制御部201、駆動回路202、光学系制御部203、及び、被検体搬送制御部204に接続されており、これらが制御する制御対象の駆動シーケンスを、これらに送る。また、シーケンサ213は、ホストコンピュータ209からの駆動命令を、これらに送る。   The sequencer 213 is connected to the stage control unit 201, the drive circuit 202, the optical system control unit 203, and the subject transport control unit 204, and sends control target drive sequences controlled by them. Also, the sequencer 213 sends a drive command from the host computer 209 to them.

以下に、前記構成の欠陥検査装置1の動作について説明する。欠陥検査装置1により検査を行う際には、まず、操作者が、キーボード211により、被検体101の種類並びに検査開始を指示する。この指示により、ホストコンピュータ209は、メモリ212中に予め格納されている検査条件の中から、上記入力された被検体101の種類に対応した検査条件を検索し、読み込む。   Below, operation | movement of the defect inspection apparatus 1 of the said structure is demonstrated. When performing an inspection using the defect inspection apparatus 1, first, the operator instructs the type of the subject 101 and the start of the inspection using the keyboard 211. In response to this instruction, the host computer 209 searches for and reads the examination conditions corresponding to the type of the input subject 101 from the examination conditions stored in advance in the memory 212.

そして、ホストコンピュータ209は、上記検査条件に基づいて、シーケンサ213を介して光学系制御部203を制御し、照明部30を設定する。具体的には、ハロゲンランプ32の光量と、波長選択部50を通過する光束の中心波長並びに波長幅との設定が行われる。より具体的には、波長選択部50は、設定された中心波長に応じて、プリズム50cの角度を設定するように回転駆動装置を駆動させる。これとともに、波長選択部50は、設定された波長幅に応じて、出射スリット50eの開口幅を変化させる。   Then, the host computer 209 controls the optical system control unit 203 via the sequencer 213 based on the inspection condition, and sets the illumination unit 30. Specifically, the light amount of the halogen lamp 32 and the center wavelength and wavelength width of the light beam passing through the wavelength selection unit 50 are set. More specifically, the wavelength selection unit 50 drives the rotation driving device so as to set the angle of the prism 50c according to the set center wavelength. At the same time, the wavelength selector 50 changes the opening width of the exit slit 50e in accordance with the set wavelength width.

続いて、ホストコンピュータ209は、シーケンサ213を介して、被検体搬送制御部204並びにステージ制御部201に対して駆動命令を出す。この駆動命令を受けた被検体搬送制御部204は、前記被検体搬送部を駆動させ、前記ストッカから被検体101を1枚取り出し、ステージ20上に配置させる。   Subsequently, the host computer 209 issues a drive command to the subject transport control unit 204 and the stage control unit 201 via the sequencer 213. Upon receiving this drive command, the subject transport control unit 204 drives the subject transport unit to take out one subject 101 from the stocker and place it on the stage 20.

ステージ20は、被検体101を吸着保持した後、被検体101を観察視野の中央に来るように位置決めする。   The stage 20 adsorbs and holds the subject 101 and then positions the subject 101 so as to be in the center of the observation field.

被検体101の位置決め後に、ホストコンピュータ209は、撮像部70に、被検体101の表面を撮像させる。撮像部70は、検査画像を取得し、この検査画像を画像処理装置206に送る。   After positioning the subject 101, the host computer 209 causes the imaging unit 70 to image the surface of the subject 101. The imaging unit 70 acquires an inspection image and sends the inspection image to the image processing device 206.

画像処理装置206は、検査画像を画像処理し、例えば検査画像と参照画像との差から欠陥を抽出する。画像処理装置206は、抽出した欠陥の位置、面積等のデータを、ホストコンピュータ209に送る。ホストコンピュータ209は、欠陥の数、並びに面積等を、被検体101の合格基準と照合し、良否判定を行う。検査が終了した際に、被検体101は、良否に区分けされ、図示しない検査後の被検体を格納するストッカに搬送される。このようにして、1枚の被検体101の検査を終了する。   The image processing device 206 performs image processing on the inspection image and extracts defects from, for example, the difference between the inspection image and the reference image. The image processing apparatus 206 sends data such as the extracted defect position and area to the host computer 209. The host computer 209 compares the number of defects, the area, and the like with the acceptance criteria of the subject 101 and makes a pass / fail determination. When the examination is completed, the subject 101 is classified as good or bad and is transported to a stocker for storing the subject after the examination (not shown). In this way, the examination of one subject 101 is completed.

上述のように本実施の形態の波長選択部50は、プリズム50cを回動させることにより、連続的に照明光の中心波長を変更できる。従って、本実施の形態の波長選択部50は、干渉フィルタにより中心波長を変更する場合と異なり、微妙な中心波長の調整を行うことが可能である。これとともに、本実施の形態の波長選択部50は、干渉フィルタ等の構成要素の数を中心波長の選択数に応じて増やすことなく、微妙な中心波長の調整を行い得る。   As described above, the wavelength selection unit 50 according to the present embodiment can continuously change the center wavelength of the illumination light by rotating the prism 50c. Therefore, unlike the case where the center wavelength is changed by the interference filter, the wavelength selection unit 50 according to the present embodiment can finely adjust the center wavelength. At the same time, the wavelength selection unit 50 according to the present embodiment can finely adjust the center wavelength without increasing the number of components such as interference filters according to the number of selected center wavelengths.

また、本実施の形態の波長選択部50は、出射スリットの開口幅を変更することにより、照明光の波長幅を連続的に変えることが可能である。従って、本実施の形態の波長選択部50は、干渉フィルタにより波長幅を変更する場合と異なり、微妙な波長幅の調整を行うことが可能である。これとともに、本実施の形態の波長選択部50は、干渉フィルタ等の構成要素の数を波長幅の選択数に応じて増やすことなく、微妙な波長幅の調整を行い得る。従って、本実施の形態の欠陥検査装置1は、適切に設定された中心波長並びに波長幅の照明光により、下層の欠陥検出を抑制し、対象の層の欠陥をより明確に検出できる。   In addition, the wavelength selection unit 50 of the present embodiment can continuously change the wavelength width of the illumination light by changing the opening width of the exit slit. Therefore, unlike the case where the wavelength width is changed by the interference filter, the wavelength selection unit 50 according to the present embodiment can finely adjust the wavelength width. At the same time, the wavelength selection unit 50 of the present embodiment can finely adjust the wavelength width without increasing the number of components such as interference filters according to the number of selected wavelength widths. Therefore, the defect inspection apparatus 1 according to the present embodiment can suppress the detection of the defect in the lower layer and detect the defect in the target layer more clearly with the illumination light having the center wavelength and the wavelength width set appropriately.

また、本実施の形態の撮像部70は、CCD等のエリアイメージセンサである。しかしながら本実施の形態の撮像部70は、図11中の従来の欠陥検査装置と同様に、ラインイメージセンサを用いることが可能である。この場合、ステージ20は、被検体101を、前記ラインイメージセンサの撮像領域の長さ方向と、この長さ方向と略直交する方向とに、撮像部70に対して相対的に移動できるように構成される。この構成により、本実施の形態の欠陥検査装置1は、移動手段であるステージ20と、撮像手段である撮像部70とを同期させて駆動させることにより、確実に被検体101の全面を撮像可能である。   The imaging unit 70 of the present embodiment is an area image sensor such as a CCD. However, the image pickup unit 70 of the present embodiment can use a line image sensor as in the conventional defect inspection apparatus in FIG. In this case, the stage 20 can move the subject 101 relative to the imaging unit 70 in the length direction of the imaging region of the line image sensor and in a direction substantially orthogonal to the length direction. Composed. With this configuration, the defect inspection apparatus 1 according to the present embodiment can reliably image the entire surface of the subject 101 by driving the stage 20 as the moving unit and the imaging unit 70 as the imaging unit in synchronization. It is.

以下に、第2の実施の形態に従った欠陥検査装置について説明する。本実施の形態の欠陥検査装置は、波長選択部51の構成のみが、第1の実施の形態の波長選択部50と異なる。従って、本実施の形態において、第1の実施の形態の欠陥検査装置1と同様な構成要素には、第1の実施の形態の構成要素と同様な参照符号を付し、説明を省略する。   The defect inspection apparatus according to the second embodiment will be described below. The defect inspection apparatus according to the present embodiment is different from the wavelength selection section 50 according to the first embodiment only in the configuration of the wavelength selection section 51. Therefore, in this embodiment, the same components as those in the defect inspection apparatus 1 of the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those of the first embodiment, and description thereof is omitted.

波長選択部51は、図4中に示されるように、入射スリット50aと、凹面回折格子51aと、出射スリット50eとを有している。凹面回折格子51aは、入射した光束を分光する分光素子である。具体的には、この凹面回折格子51aは、入射スリット50aからの光束を、分光し、出射スリット50e上に収束させる。この凹面回折格子51aは、プリズム50cと同様に、凹面回折格子51aを図示しない回転駆動装置により図示する矢印方向に回転させることにより、出射スリット50eの開口の幅方向d1に沿って異なる波長に分光された任意の中心波長に選択することができる。従って、本実施の形態の波長選択部51も、第1の実施の形態の波長選択部50と同様に、中心波長並びに波長幅の夫々を連続的にかつ、独立して設定できる。   As shown in FIG. 4, the wavelength selector 51 includes an entrance slit 50a, a concave diffraction grating 51a, and an exit slit 50e. The concave diffraction grating 51a is a spectroscopic element that splits an incident light beam. Specifically, the concave diffraction grating 51a splits the light beam from the entrance slit 50a and converges it on the exit slit 50e. Similar to the prism 50c, the concave diffraction grating 51a is spectrally divided into different wavelengths along the width direction d1 of the opening of the exit slit 50e by rotating the concave diffraction grating 51a in the direction of the arrow shown by a rotary drive device (not shown). Can be selected for any given center wavelength. Therefore, similarly to the wavelength selection unit 50 of the first embodiment, the wavelength selection unit 51 of the present embodiment can set the center wavelength and the wavelength width continuously and independently.

以下に、第3の実施の形態に従った欠陥検査装置について説明する。本実施の形態の欠陥検査装置も、波長選択部52の構成のみが、第1の実施の形態の波長選択部50と異なる。従って、本実施の形態において、第1の実施の形態の欠陥検査装置1と同様な構成要素には、第1の実施の形態の構成要素と同様な参照符号を付し、説明を省略する。   The defect inspection apparatus according to the third embodiment will be described below. The defect inspection apparatus of the present embodiment is also different from the wavelength selection section 50 of the first embodiment only in the configuration of the wavelength selection section 52. Therefore, in this embodiment, the same components as those in the defect inspection apparatus 1 of the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those of the first embodiment, and description thereof is omitted.

波長選択部52は、図5に示されるように、入射スリット50a、レンズ52a、52b、音響光学素子52c、及び発振器52dを有している。入射スリット50aからの光束は、レンズ52aに入射し、レンズ52aにより収束され、音響光学素子52cに入射する。
本実施の形態において、発振器52dは、RF電力を音響光学素子52cに対して出力する発振器である。
音響光学素子52cは、音響光学チューナブルフィルタ(AOTF)と呼ばれる形式のものであり、発振器52dから入力されるRF電力の周波数に対応した波長の光束だけ、一次光の方向へ回折させ、それ以外の波長帯の光束を0次光の方向へ透過する。音響光学素子52cは、回折させた光束を、レンズ52bに入射させる。
As shown in FIG. 5, the wavelength selector 52 includes an entrance slit 50a, lenses 52a and 52b, an acoustooptic device 52c, and an oscillator 52d. The light beam from the entrance slit 50a enters the lens 52a, is converged by the lens 52a, and enters the acoustooptic device 52c.
In the present embodiment, the oscillator 52d is an oscillator that outputs RF power to the acoustooptic device 52c.
The acousto-optic element 52c is of a type called an acousto-optic tunable filter (AOTF), which diffracts only a light beam having a wavelength corresponding to the frequency of the RF power input from the oscillator 52d in the direction of the primary light, Is transmitted in the direction of the zero-order light. The acoustooptic device 52c causes the diffracted light beam to enter the lens 52b.

レンズ52bは、入射した光束を収束させ、入射端35aに入射させる。
なお、AOTFは、一次光の中心波長を任意に選択できるが、波長幅は、一般的に固定値であるとともに、0.1〜10ナノメートル(nm)程度ある。従って、波長幅を自由に選択するために、本実施の形態の音響光学素子52cは、以下のように構成されている。
The lens 52b converges the incident light beam and makes it incident on the incident end 35a.
AOTF can arbitrarily select the center wavelength of the primary light, but the wavelength width is generally a fixed value and is about 0.1 to 10 nanometers (nm). Accordingly, in order to freely select the wavelength width, the acoustooptic device 52c of the present embodiment is configured as follows.

本実施の形態の発振器52dは、複数の発振周波数を出力可能なマルチチャンネルの形式のRF発振器が用いられている。この発振器52dは、図6(a)中に示されるように、周波数f1、f2のような複数の発振周波数fの駆動信号を、音響光学素子52cに入力する。なお、図6(a)は、縦軸に弾圧の振幅a、横軸に周波数fとした際の、音響光学素子52cに入力される駆動信号を示す図である。   As the oscillator 52d of the present embodiment, a multi-channel RF oscillator capable of outputting a plurality of oscillation frequencies is used. As shown in FIG. 6A, the oscillator 52d inputs drive signals having a plurality of oscillation frequencies f such as frequencies f1 and f2 to the acoustooptic device 52c. FIG. 6A is a diagram illustrating a drive signal input to the acousto-optic element 52c when the vertical axis represents the amplitude a of the compression pressure and the horizontal axis represents the frequency f.

音響光学素子52cは、互いに発振周波数fの異なる複数の駆動信号が入力された場合、各発振周波数毎に、前記入射した光束を、一次光方向に回折する。この回折された光束は、音響光学素子52cの固有の波長幅と、入力された発振周波数fに対応した中心波長に設定される。例えば、周波数f1、f2の2つの駆動信号が入力された場合、音響光学素子52cは、図6(b)中に示されるように、周波数f1、f2に対応して、中心波長λ1、λ2の光束を回折させる。   The acoustooptic device 52c diffracts the incident light beam in the primary light direction at each oscillation frequency when a plurality of drive signals having different oscillation frequencies f are input. This diffracted light beam is set to a specific wavelength width of the acoustooptic device 52c and a center wavelength corresponding to the input oscillation frequency f. For example, when two drive signals having frequencies f1 and f2 are input, the acoustooptic device 52c has center wavelengths λ1 and λ2 corresponding to the frequencies f1 and f2, as shown in FIG. Diffracts the light beam.

なお、各周波数に対応した回折光の波長が近接している場合、一次光のスペクトルは図6(b)中において破線で示されるように合成される。これにより、音響光学素子52cは、固有の波長幅より広い波長幅の一次回折光を形成できる。なお、この合成後の一次回折光の波長幅は、音響光学素子52cに入力する駆動信号の数、並びに入力された駆動信号同士の発振周波数fの間隔を調整することにより、任意に設定できる。もちろん、合成する各一次回折光の中心波長を変えることにより、合成後の一次回折光の中心波長も変えられる。即ち、上記構成の波長選択部52は、レンズ52bを介して入射端35aに入射させる光束の中心波長並びに波長幅を任意に選択できる。   When the wavelengths of the diffracted light corresponding to the respective frequencies are close to each other, the spectrum of the primary light is synthesized as indicated by a broken line in FIG. Thereby, the acoustooptic device 52c can form first-order diffracted light having a wider wavelength width than the intrinsic wavelength width. Note that the wavelength width of the first-order diffracted light after synthesis can be arbitrarily set by adjusting the number of drive signals input to the acoustooptic device 52c and the interval of the oscillation frequency f between the input drive signals. Of course, by changing the center wavelength of each primary diffracted light to be synthesized, the center wavelength of the primary diffracted light after synthesis can also be changed. That is, the wavelength selector 52 having the above configuration can arbitrarily select the center wavelength and wavelength width of the light beam incident on the incident end 35a via the lens 52b.

上記構成の波長選択部52において、発振器52dは、電圧制御発振器(Voltage Controlled Oscillator(VCO))に代えることが可能である。このVCOは、入力された電圧(入力電圧)に対応した周波数のRF電力を音響光学素子52cに対して駆動信号として入力する発振器である。従って、このVCOは、入力電圧が連続的に変化された場合、この変化に対応して、音響光学素子52cに入力する駆動信号の周波数を連続的に変化させ得る。例えば、発振器52dは、図6(c)中において三角波により示されるように、入力電圧を連続的に変化された場合、出力する駆動信号の周波数を連続的に変化させ得る。図6(c)は、横軸を時間t、縦軸を電圧Vとした際の、VCOへの入力電圧を示す図である。図6(c)中においては、三角波は、電圧V1並びにV2の間で変化する。   In the wavelength selection unit 52 configured as described above, the oscillator 52d can be replaced with a voltage controlled oscillator (VCO). The VCO is an oscillator that inputs RF power having a frequency corresponding to an input voltage (input voltage) to the acoustooptic device 52c as a drive signal. Accordingly, when the input voltage is continuously changed, the VCO can continuously change the frequency of the drive signal input to the acoustooptic device 52c in response to the change. For example, as shown by a triangular wave in FIG. 6C, the oscillator 52d can continuously change the frequency of the drive signal to be output when the input voltage is continuously changed. FIG. 6C shows the input voltage to the VCO when the horizontal axis is time t and the vertical axis is voltage V. In FIG. 6C, the triangular wave changes between the voltages V1 and V2.

駆動信号の周波数が連続的に変化した場合、音響光学素子52cは、回折させる光束の中心波長を連続的に変更させ得る。言い換えると、音響光学素子52cは、所定範囲内で連続的に変化された周波数の入力に応じて、前記範囲に対応した波長幅の間で、前記中心波長を走査する。   When the frequency of the drive signal continuously changes, the acousto-optic element 52c can continuously change the center wavelength of the diffracted light beam. In other words, the acoustooptic device 52c scans the center wavelength between the wavelength widths corresponding to the range in response to the input of the frequency continuously changed within the predetermined range.

なお、撮像部70は、所定の画像蓄積時間の間に受光した光束を用いて、像を撮像する。このため、前記画像蓄積時間内に前記中心波長を所定波長幅分走査した場合、撮像部70は、前記所定波長幅分の光束を用いて画像を撮像できる。従って、この構成の波長選択部52は、撮像時においての所望の波長幅の光束を選択するために、画像蓄積時間内に中心波長が所望の波長幅分走査するように動作される。例えば、上記三角波で示される入力電圧がVCOに印加される場合、三角波の周期Tを前記画像蓄積時間より短く設定することにより、波長選択部52は、所望の波長幅分の中心波長の走査を、画像蓄積時間内に完了できる。本実施の形態において、周期Tは、例えば、約1μsec〜約100μsecの範囲に設定されるが、撮像部70の画像蓄積時間に応じて任意に設定できる。このように、発振器52dとしてVCOを用いた場合においても、音響光学素子52cは、回折する光束の波長幅を任意に設定できる。なお、この構成の波長選択部52においても、中心波長を任意に選定できることはもちろんのことである。   Note that the imaging unit 70 captures an image using a light beam received during a predetermined image accumulation time. For this reason, when the center wavelength is scanned for a predetermined wavelength width within the image accumulation time, the imaging unit 70 can capture an image using a light flux for the predetermined wavelength width. Accordingly, the wavelength selection unit 52 configured as described above is operated so that the center wavelength scans the desired wavelength width within the image accumulation time in order to select a light flux having a desired wavelength width at the time of imaging. For example, when the input voltage indicated by the triangular wave is applied to the VCO, by setting the triangular wave period T to be shorter than the image accumulation time, the wavelength selection unit 52 scans the center wavelength corresponding to the desired wavelength width. Can be completed within the image storage time. In the present embodiment, the period T is set, for example, in the range of about 1 μsec to about 100 μsec, but can be arbitrarily set according to the image accumulation time of the imaging unit 70. Thus, even when a VCO is used as the oscillator 52d, the acoustooptic device 52c can arbitrarily set the wavelength width of the diffracted light beam. It goes without saying that the center wavelength can be arbitrarily selected also in the wavelength selector 52 of this configuration.

上記構成により、本実施の形態の波長選択部52も、第1の実施の形態の波長選択部50と同様に、中心波長並びに波長幅の夫々を連続的にかつ、独立して設定できる。また、音響光学素子52cは、約10度の有効角開口を有しているため、照明部30と撮像部70との光路間において、撮像部70の直前に配置することも可能であり、配置において限定されることはない。   With the above configuration, the wavelength selection unit 52 of the present embodiment can also set the center wavelength and the wavelength width continuously and independently, similarly to the wavelength selection unit 50 of the first embodiment. In addition, since the acousto-optic element 52c has an effective angle opening of about 10 degrees, it can be disposed immediately before the imaging unit 70 between the optical paths of the illumination unit 30 and the imaging unit 70. It is not limited in.

以下に、第4の実施の形態に従った欠陥検査装置について説明する。本実施の形態の欠陥検査装置は、波長選択部53の構成のみが、第1の実施の形態の波長選択部50と異なる。従って、本実施の形態において、第1の実施の形態の欠陥検査装置1と同様な構成要素には、第1の実施の形態の構成要素と同様な参照符号を付し、説明を省略する。   The defect inspection apparatus according to the fourth embodiment will be described below. The defect inspection apparatus according to the present embodiment is different from the wavelength selection section 50 according to the first embodiment only in the configuration of the wavelength selection section 53. Therefore, in this embodiment, the same components as those in the defect inspection apparatus 1 of the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those of the first embodiment, and description thereof is omitted.

波長選択部53は、図7中に示されるように、入射スリット50aと、レンズ50b,50d、ドライバ53aと、液晶チューナブルフィルタ(LCTF)53bとを有している。レンズ50bは、入射スリット50aからの光束を平行光束にし、LCTF53bに入射させる。ドライバ53aは、LCTF53bに、駆動電圧を印加する装置である。   As shown in FIG. 7, the wavelength selector 53 includes an entrance slit 50a, lenses 50b and 50d, a driver 53a, and a liquid crystal tunable filter (LCTF) 53b. The lens 50b converts the light flux from the entrance slit 50a into a parallel light flux and makes it incident on the LCTF 53b. The driver 53a is a device that applies a drive voltage to the LCTF 53b.

LCTF53bは、クロスニコルの偏光板と、これらの偏光板の間に配置され、透過する偏光のリタデーションを任意に変更可能な液晶フィルタとを有している素子である(逸見 登、"VariSpec 液晶チューナブルフィルタ"、光アライアンス、7(1995)P49〜52,参照)。前記液晶フィルタは、ドライバ53aからの電圧が印加させる。上記構成のLCTF53bは、ドライバ53aにより液晶フィルタに印加する電圧を変化させることにより、透過光の中心波長を任意に設定できる。また、このLCTF53bは、透過光の波長幅を約5〜20nmの範囲で、複数の値から選択できるように構成されている。LCTF53bを通過した光は、レンズ50dに入射する。   The LCTF 53b is an element having a crossed Nicols polarizing plate and a liquid crystal filter disposed between these polarizing plates and capable of arbitrarily changing the retardation of the transmitted polarized light (Noboru Noboru, “VariSpec liquid crystal tunable filter”). "Optical Alliance, 7 (1995) P49-52,"). A voltage from the driver 53a is applied to the liquid crystal filter. The LCTF 53b configured as described above can arbitrarily set the center wavelength of transmitted light by changing the voltage applied to the liquid crystal filter by the driver 53a. The LCTF 53b is configured such that the wavelength width of transmitted light can be selected from a plurality of values within a range of about 5 to 20 nm. The light that has passed through the LCTF 53b enters the lens 50d.

レンズ50dは、LCTF53bからの光束を収束させ、光ファイバー35の入射端35aに入射させる。   The lens 50 d converges the light beam from the LCTF 53 b and makes it incident on the incident end 35 a of the optical fiber 35.

このように、本実施の形態の波長選択部53も、第1の実施の形態の波長選択部50と同様に、中心波長並びに波長幅の夫々を連続的にかつ、独立して設定できる。   As described above, the wavelength selection unit 53 according to the present embodiment can set the center wavelength and the wavelength width continuously and independently, similarly to the wavelength selection unit 50 according to the first embodiment.

また、LCTF53bは、約10度乃至約20度の有効角開口を有しているため、照明部30と撮像部70との光路間において、撮像部70の直前に配置することも可能であり、配置において限定されることはない。   Further, since the LCTF 53b has an effective angle opening of about 10 degrees to about 20 degrees, it can be disposed immediately before the imaging unit 70 between the optical paths of the illumination unit 30 and the imaging unit 70. There is no limitation in arrangement.

本実施の形態の欠陥検査装置1’は、本命最初の背景技術の図12で示したラインイメージセンサにより被検体を撮像する形式の欠陥検査装置に、分光部60とラインイメージセンサ7aの代わりにエリアイメージセンサを組み合わせた装置である。なお、本実施の形態において、第1の実施の形態の欠陥検査装置1と同様な構成は、同様な参照符号を付し、説明を省略する。   The defect inspection apparatus 1 ′ according to the present embodiment is a defect inspection apparatus of the type that images a subject by the line image sensor shown in FIG. 12 of the first background art, instead of the spectroscopic unit 60 and the line image sensor 7a. It is a device that combines area image sensors. In the present embodiment, the same configurations as those of the defect inspection apparatus 1 of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

本実施の形態の欠陥検査装置1’は、図8中に示されるように、ステージ20と、照明部30aと、結像部40aと、分光部60と、撮像部70aと、制御系200とを具備している。   As shown in FIG. 8, the defect inspection apparatus 1 ′ of the present embodiment includes a stage 20, an illumination unit 30a, an imaging unit 40a, a spectroscopic unit 60, an imaging unit 70a, and a control system 200. It has.

照明部30aは、白色光を出力する光源31aと、照明部30aにより照射された光束を平行光束にするコリメートレンズ31bとを有している。光源31aとコリメートレンズ31bとは、被検体101の表面の法線に対して入射角度θiで、被検体101を照明する。なお、この照明部30aは、被検体101の幅方向に沿って延びる線状の領域を照明する。言い換えると、照明部30aは、Y軸に沿った線状の領域を照明する。本実施の形態において、この照明部30aの照明する領域を、照明領域とする。なお、この線状の照明領域は、撮像部70aにより撮像される撮像領域である。撮像部70aは、この撮像領域を、順次被検体101の長手方向に沿って撮像して被検体101全体を撮像する。   The illumination unit 30a includes a light source 31a that outputs white light and a collimator lens 31b that converts the light beam emitted from the illumination unit 30a into a parallel light beam. The light source 31 a and the collimator lens 31 b illuminate the subject 101 at an incident angle θi with respect to the normal line of the surface of the subject 101. The illumination unit 30a illuminates a linear region extending along the width direction of the subject 101. In other words, the illumination unit 30a illuminates a linear region along the Y axis. In the present embodiment, an area illuminated by the illumination unit 30a is an illumination area. The linear illumination area is an imaging area that is imaged by the imaging unit 70a. The imaging unit 70 a captures the entire imaging area 101 by sequentially imaging the imaging area along the longitudinal direction of the imaging object 101.

結像部40aは、コリメートレンズ41と、結像レンズ42とを有している。コリメートレンズ41は、コリメートレンズ31bを介して照射された光束のうち、被検体101の表面の法線に対して、検査角度θdで被検体101により反射、回折、散乱された光を、収束させ、結像レンズ42に入射させる。   The imaging unit 40 a includes a collimating lens 41 and an imaging lens 42. The collimating lens 41 converges the light reflected, diffracted and scattered by the subject 101 at the inspection angle θd with respect to the normal of the surface of the subject 101 among the light beams irradiated through the collimating lens 31b. Then, the light is incident on the imaging lens 42.

結像レンズ42は、コリメートレンズ41からの光束を集光し、結像させる。これにより、結像レンズ42は、前記照明領域の像を結像させる。分光部60は、結像レンズ42の結像位置に配置されており、結像レンズ42からの光束を分光する分光手段である。   The imaging lens 42 collects the light flux from the collimating lens 41 and forms an image. Thereby, the imaging lens 42 forms an image of the illumination area. The spectroscopic unit 60 is a spectroscopic unit that is disposed at the image forming position of the image forming lens 42 and separates the light beam from the image forming lens 42.

以下に、図9を参照して、分光部60について詳しく説明する。分光部60は、図9中に示されるように、第1の実施の形態の波長選択部50の構成と同様に、入射スリット50aと、レンズ50b、50dと、プリズム50cとを有しており、入射スリット50aから入射した光束を、波長選択部50と同様に分光する。なお、分光部60は、出射スリット50eが省略されている点が、波長選択部50と異なる。なお、分光部60は、所定の分光方向d2に沿って、異なる波長が分布するように、分光する。分光された光束は、レンズ50dに入射し、レンズ50dにより収束され、エリアイメージセンサ70aに入射する。   Hereinafter, the spectroscopic unit 60 will be described in detail with reference to FIG. As shown in FIG. 9, the spectroscopic unit 60 includes an entrance slit 50a, lenses 50b and 50d, and a prism 50c, similarly to the configuration of the wavelength selection unit 50 of the first embodiment. The light beam incident from the entrance slit 50 a is split in the same manner as the wavelength selector 50. The spectroscopic unit 60 is different from the wavelength selection unit 50 in that the exit slit 50e is omitted. Note that the spectroscopic unit 60 performs spectroscopic analysis so that different wavelengths are distributed along a predetermined spectroscopic direction d2. The split light beam enters the lens 50d, is converged by the lens 50d, and enters the area image sensor 70a.

エリアイメージセンサ70aは、分光方向d2に沿った行方向軸心と、行方向軸心と直交する列方向に画素を配列している2次元のCCDである。列方向は、図10(a)中において、参照符号d3により指摘されている。なお、撮像部70aにおいて、列方向に沿って配列されたCCDの各撮像素子の列を撮像素子列と呼ぶ。図10(a)並びに図10(b)中において撮像素子列は、参照符号71aで指摘されており、左右方向に延びている。従って、エリアイメージセンサ70aは、列方向に沿ったライン状の撮像素子列71aが、分光方向d2に沿って複数配列されて構成されている。本実施の形態において、エリアイメージセンサ70aは、図10(a)中に示されるように、例えば10列の撮像素子列71aにより構成されている。 上述のように分光部60を介してエリアイメージセンサ70aに入射する光束は、分光方向d2に沿って分光されている。従って、エリアイメージセンサ70aの撮像面上には、異なる波長の光束が分光方向d2に沿って分布する。言い換えると、エリアイメージセンサ70aは、撮像素子列71aの配列方向に沿って、異なる波長の光束を受光する。即ち、撮像素子列71a毎に、受光する光束の波長が異なる。従って、撮像部70aは、複数の撮像素子列71aにより、前記撮像領域を複数の波長の光束により撮像する。このため、エリアイメージセンサ70aは、前記撮像領域を連続的に配列された複数の撮像素子列71aで撮像することにより、所定の波長幅内の各波長の光束で撮像された撮像データを取得できる。   The area image sensor 70a is a two-dimensional CCD in which pixels are arranged in a row direction axis along the spectral direction d2 and in a column direction orthogonal to the row direction axis. The column direction is indicated by the reference sign d3 in FIG. In the imaging unit 70a, a row of CCD image pickup elements arranged in the column direction is referred to as an image pickup element row. In FIG. 10A and FIG. 10B, the imaging element array is indicated by reference numeral 71a and extends in the left-right direction. Accordingly, the area image sensor 70a is configured by arranging a plurality of line-shaped imaging element arrays 71a along the column direction along the spectral direction d2. In the present embodiment, as shown in FIG. 10A, the area image sensor 70a is composed of, for example, 10 image sensor element rows 71a. As described above, the light beam incident on the area image sensor 70a via the spectroscopic unit 60 is split along the spectral direction d2. Accordingly, light beams having different wavelengths are distributed along the spectral direction d2 on the imaging surface of the area image sensor 70a. In other words, the area image sensor 70a receives light beams having different wavelengths along the arrangement direction of the imaging element array 71a. That is, the wavelength of the received light beam is different for each imaging element array 71a. Therefore, the imaging unit 70a images the imaging region with light beams having a plurality of wavelengths by the plurality of imaging element arrays 71a. For this reason, the area image sensor 70a can acquire the imaging data imaged with the light flux of each wavelength within a predetermined wavelength width by imaging the imaging area with the plurality of imaging element arrays 71a arranged continuously. .

撮像部70aは、水平転送レジスタ72aを介して制御系200と接続されている。水平転送レジスタ72aは、撮像部70aにより取得した撮像データ(CCDの各画素の電荷)を取得し、制御系200の画像処理装置206に転送するユニットである。本実施の形態において、水平転送レジスタ72aは、ビニングにより撮像データを読み込む。ビニングとは、CCDの各画素に蓄積された電荷を、指定した方向に沿った画素分だけ加算して読み込むデータ読み出し方法である。具体的には、水平転送レジスタ72aは、図10(b)中に示されるように、撮像素子列71a毎に、順次撮像データを読み込む。なお、水平転送レジスタ72aは、読み込んだ撮像素子列71a毎の撮像データを、加算するか、破棄するかを選択できる。そして、水平転送レジスタ72aは、指定された撮像素子列71aの撮像データのみ加算し、指定された全ての撮像素子列71aの加算後、加算結果のデータ(加算列データ)を制御系200に送る。なお、本実施の形態において、水平転送レジスタ72aは、制御系200と接続されており、制御系200の駆動命令に従って制御される。制御系200は、指定された中心波長並びに波長幅に対応した撮像素子列71aのみ加算するように、水平転送レジスタ72aを制御する。水平転送レジスタ72aは、加算により各撮像素子列71a毎の撮像データにより、指定された中心波長並びに波長幅により撮像したのと同様な撮像データを形成する。このようにして、本実施の形態の欠陥検査装置1’は、加算する撮像素子列71aの数並びに位置を選択することにより、取得する検査画像の撮影条件(中心波長並びに波長幅)を任意に選定できる。従って、本実施の欠陥検査装置1’においても、第1の実施の形態と同様に、検査時の照明光の中心波長並びに波長幅を、容易に所望の値に設定できる。従って、欠陥検査装置1’は、適切に設定された中心波長並びに波長幅の照明光により、下層の欠陥検出を抑制し、対象の層の欠陥をより明確に検出できる。   The imaging unit 70a is connected to the control system 200 via the horizontal transfer register 72a. The horizontal transfer register 72a is a unit that acquires imaging data (charge of each pixel of the CCD) acquired by the imaging unit 70a and transfers it to the image processing device 206 of the control system 200. In the present embodiment, the horizontal transfer register 72a reads imaging data by binning. Binning is a data reading method in which the charge accumulated in each pixel of the CCD is added by the amount corresponding to the pixel along a specified direction and read. Specifically, as shown in FIG. 10B, the horizontal transfer register 72a sequentially reads imaging data for each imaging element array 71a. Note that the horizontal transfer register 72a can select whether to add or discard the read image data for each image sensor array 71a. Then, the horizontal transfer register 72a adds only the image data of the designated image sensor row 71a, and sends the addition result data (added row data) to the control system 200 after addition of all the designated image sensor rows 71a. . In the present embodiment, the horizontal transfer register 72a is connected to the control system 200, and is controlled according to a drive command of the control system 200. The control system 200 controls the horizontal transfer register 72a so as to add only the imaging element array 71a corresponding to the designated center wavelength and wavelength width. The horizontal transfer register 72a forms imaging data similar to that obtained by imaging with the designated center wavelength and wavelength width based on the imaging data for each imaging element array 71a by addition. In this manner, the defect inspection apparatus 1 ′ of the present embodiment arbitrarily sets the imaging conditions (center wavelength and wavelength width) of the inspection image to be acquired by selecting the number and position of the imaging element arrays 71a to be added. Can be selected. Therefore, also in the defect inspection apparatus 1 ′ of the present embodiment, the center wavelength and the wavelength width of the illumination light at the time of inspection can be easily set to desired values as in the first embodiment. Therefore, the defect inspection apparatus 1 ′ can suppress detection of defects in the lower layer and more clearly detect defects in the target layer by using illumination light having an appropriately set center wavelength and wavelength width.

なお、本実施の形態において、分光素子として、プリズム50cが用いられているが、上述の凹面回折格子51aのような他の分光素子に代えることも可能である。即ち、本実施の形態の分光素子は、所定の分光方向d2に沿って、分光させ得れば、公知のいかなる分光手段を用いることも可能である。   In the present embodiment, the prism 50c is used as the spectroscopic element. However, the spectroscopic element can be replaced with another spectroscopic element such as the concave diffraction grating 51a. In other words, any known spectroscopic means can be used for the spectroscopic element of the present embodiment as long as the spectroscopic element can be dispersed along a predetermined spectroscopic direction d2.

第1の実施の形態に従った欠陥検査装置を示す概略的な側面図である。It is a schematic side view which shows the defect inspection apparatus according to 1st Embodiment. 図1に示す波長選択部を示す概略的な側面図である。It is a schematic side view which shows the wavelength selection part shown in FIG. 図1に示す制御系を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the control system shown in FIG. 第2の実施の形態に従った波長選択部を示す概略的な側面図である。It is a schematic side view which shows the wavelength selection part according to 2nd Embodiment. 第3の実施の形態に従った波長選択部を示す概略的な側面図である。It is a schematic side view which shows the wavelength selection part according to 3rd Embodiment. 図6(a)は、発振器から出力される駆動信号を示す図であり、図6(b)は、音響光学素子により回折された光束の波長を示す図であり、図6(c)は、電圧制御発振器に入力される入力電圧を示す図である。6A is a diagram illustrating a drive signal output from the oscillator, FIG. 6B is a diagram illustrating a wavelength of a light beam diffracted by the acoustooptic device, and FIG. It is a figure which shows the input voltage input into a voltage controlled oscillator. 第3の実施の形態に従った波長選択部を示す概略的な側面図である。It is a schematic side view which shows the wavelength selection part according to 3rd Embodiment. 第5の実施の形態の欠陥検査装置を示す概略的な斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the defect inspection apparatus of 5th Embodiment. 図8に示す分光部を示す概略的な側面図である。It is a schematic side view which shows the spectroscopy part shown in FIG. 図10(a)は、撮像部70aを示す概略図であり、 図10(b)は、加算時の撮像部70aを示す概略図である。FIG. 10A is a schematic diagram illustrating the imaging unit 70a, and FIG. 10B is a schematic diagram illustrating the imaging unit 70a at the time of addition. 従来の欠陥検査装置を示す概略的な側面図である。It is a schematic side view which shows the conventional defect inspection apparatus. 他の従来の欠陥検査装置を示す概略的な斜視図である。It is a schematic perspective view which shows another conventional defect inspection apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

f、f1、f2…周波数、1…欠陥検査装置、d1…開口の幅方向、d2…分光方向、d3…幅方向軸心、V1、V2…電圧、10…集光レンズ、101…被検体、20…ステージ、200…制御系、201…ステージ制御部、202…駆動回路、203…光学系制御部、204…被検体搬送制御部、206…画像処理装置、207…モニタ、208…画像記憶装置、209…ホストコンピュータ、210…モニタ、211…キーボード、212…メモリ、213…シーケンサ、30…照明部、31…ランプハウス、32…ハロゲンランプ、33…熱線吸収フィルタ、34…コンデンサレンズ、35…光ファイバー、35a…入射端、35b…出射端、36…拡散板、37…絞り、38…ハーフミラー、39…コリメートレンズ、40、40a…結像部、41…コリメートレンズ、42…結像レンズ、49…P、50…波長選択部、50a…入射スリット、50b、50d…レンズ、50c…プリズム、50e…出射スリット、51…波長選択部、51a…凹面回折格子、52…波長選択部、52a、52b…レンズ、52c…音響光学素子、52d…発振器、53…波長選択部、53a…ドライバ、53b…LCTF、6…ハロゲンランプ、60…分光部、70…撮像部、70a…撮像部、70b…撮像面、71a…撮像素子列、72…ポリクロメータ、72a…水平転送レジスタ、θd…検査角度、θi…入射角度、λ1…中心波長。 f, f1, f2 ... frequency, 1 ... defect inspection device, d1 ... opening width direction, d2 ... spectral direction, d3 ... width direction axis, V1, V2 ... voltage, 10 ... condensing lens, 101 ... subject, DESCRIPTION OF SYMBOLS 20 ... Stage, 200 ... Control system, 201 ... Stage control part, 202 ... Drive circuit, 203 ... Optical system control part, 204 ... Subject conveyance control part, 206 ... Image processing apparatus, 207 ... Monitor, 208 ... Image storage apparatus 209 ... Host computer 210 ... Monitor 211 ... Keyboard 212 ... Memory 213 ... Sequencer 30 ... Illumination unit 31 ... Lamp house 32 ... Halogen lamp 33 ... Heat absorption filter 34 ... Condenser lens 35 ... Optical fiber, 35a ... incident end, 35b ... outgoing end, 36 ... diffuser plate, 37 ... stop, 38 ... half mirror, 39 ... collimating lens, 40, 40 Image forming unit, 41 ... Collimating lens, 42 ... Imaging lens, 49 ... P, 50 ... Wavelength selection unit, 50a ... Incident slit, 50b, 50d ... Lens, 50c ... Prism, 50e ... Output slit, 51 ... Wavelength selection Part, 51a ... concave diffraction grating, 52 ... wavelength selection part, 52a, 52b ... lens, 52c ... acousto-optic element, 52d ... oscillator, 53 ... wavelength selection part, 53a ... driver, 53b ... LCTF, 6 ... halogen lamp, 60 ... Spectroscopic part, 70 ... Imaging part, 70a ... Imaging part, 70b ... Imaging surface, 71a ... Imaging element row, 72 ... Polychromator, 72a ... Horizontal transfer register, [theta] d ... Inspection angle, [theta] i ... Incident angle, [lambda] 1 ... Center wavelength .

Claims (2)

光源からの照明光を略平行光束にして被検体を照明する照明手段と、
前記照明手段からの平行光束うちの前記被検体からの反射光により、前記被検体の像を結像する結像手段と、
前記結像手段により結像された像を撮像する撮像手段と、
前記光源と撮像手段との間の光路中に配置されており、前記光路中の光束の中心波長並びに波長幅を夫々独立して選択的に設定する波長選択手段と、
前記撮像手段により撮像された画像により前記被検体の欠陥を検出する欠陥検出手段と、
を具備する欠陥検査装置。
Illuminating means for illuminating the subject with illumination light from the light source as a substantially parallel light beam;
Imaging means for forming an image of the subject by reflected light from the subject out of the parallel luminous flux from the illumination means;
Imaging means for capturing an image formed by the imaging means;
A wavelength selection unit that is disposed in an optical path between the light source and the imaging unit, and that selectively selectively sets a center wavelength and a wavelength width of a light beam in the optical path;
Defect detection means for detecting a defect of the subject from an image captured by the imaging means;
A defect inspection apparatus comprising:
光源からの照明光を略平行光束にして被検体を照明する照明手段と、
前記照明手段からの平行光束うちの前記被検体からの反射光により、前記被検体の像を結像する結像手段と、
幅方向に沿って配置された撮像素子列を、前記幅方向と直交する長手方向に沿って複数配置し、各撮像部により撮像する撮像手段と、
前記光源と撮像手段との間の光路上に配置されており、光路中の光束を、前記長手方向に沿って分光する分光手段と、
前記撮像手段により撮像された画像により前記被検体の欠陥を検出する欠陥検出手段と、
を具備し、
前記撮像手段は、指定された波長範囲に対応する撮像素子列による撮像結果を加算して、画像を形成する欠陥検査装置。
Illuminating means for illuminating the subject with illumination light from the light source as a substantially parallel light beam;
Imaging means for forming an image of the subject by reflected light from the subject out of the parallel luminous flux from the illumination means;
An imaging unit that arranges a plurality of imaging element arrays arranged along the width direction along a longitudinal direction orthogonal to the width direction, and images by each imaging unit;
A spectroscopic unit that is disposed on an optical path between the light source and the imaging unit, and that splits a light beam in the optical path along the longitudinal direction;
Defect detection means for detecting a defect of the subject from an image captured by the imaging means;
Comprising
The defect inspection apparatus for forming an image by adding the imaging results of the imaging element array corresponding to the designated wavelength range.
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