JP2005268355A - Upper optical absorptive organic photodiode - Google Patents

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Hiroyuki Okada
裕之 岡田
Shigeki Naka
茂樹 中
Hiroyoshi Mekawa
博義 女川
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an upper optical absorptive organic photodiode having high performance while increasing an area to the maximum without being influenced by a device formed at a lower part. <P>SOLUTION: The upper optical absorptive organic photodiode comprises a reflecting lower electrode 2 formed on a substrate 1, an organic thin film 3 formed on the lower electrode 2, and a transparent upper electrode 4 formed on the organic thin film 3. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、有機フォトダイオードの構造に関するものであり、詳細には、上部電極を透明型電極とし、下部電極を反射型電極とすることにより、ガラス基板上に集積化可能な高性能有機フォトダイオード構造に関するものである。   The present invention relates to a structure of an organic photodiode, and in particular, a high performance organic photodiode that can be integrated on a glass substrate by using a transparent electrode as an upper electrode and a reflective electrode as a lower electrode. Concerning structure.

従来、有機フォトダイオードとしては、単体による動作検証やマトリクス型センサとしての検討があった。そのような状況下で、近年、有機材料を用いた有機ＥＬ素子や有機トランジスタなどの新規デバイスの性能向上が目覚ましかった。   Conventionally, as an organic photodiode, there have been investigations on single-unit operation verification and matrix-type sensors. Under such circumstances, in recent years, the performance improvement of new devices such as organic EL elements and organic transistors using organic materials has been remarkable.

また、これまでのデバイスを用いたシステム構成を考えると、各種有機デバイスの集積化が一つの目的となる。ここで、有機デバイスの集積化を考えると、有機ＥＬ素子による発光部や１００℃弱の高温形成を伴う有機トランジスタを先に形成し、その後、有機フォトダイオード等のセンシング機能を有するデバイスを設けることが望ましい。
なし Further, considering the system configuration using the conventional devices, integration of various organic devices is one purpose. Here, when considering the integration of organic devices, a light emitting part by an organic EL element and an organic transistor with high temperature formation of less than 100 ° C. are formed first, and then a device having a sensing function such as an organic photodiode is provided. Is desirable.
None

しかしながら、有機フォトダイオードを用いて十分なセンシングを行うためには、上記した有機ＥＬ素子や有機トランジスタといった下部に形成されたデバイスの影響なしに、面積を最大限に取りながら、有機フォトダイオードを形成する必要がある。   However, in order to perform sufficient sensing using an organic photodiode, the organic photodiode is formed while maximizing the area without the influence of the devices formed below such as the organic EL element and organic transistor described above. There is a need to.

このような点に考慮した有機フォトダイオードはいまだ開発されていないのが現状である。   At present, an organic photodiode considering such a point has not been developed yet.

本発明は、上記状況に鑑みて、下部に形成されたデバイスの影響なしに、面積を最大限に取りながら、高い性能を有する上部光吸収形有機フォトダイオードを提供することを目的とする。   In view of the above situation, an object of the present invention is to provide an upper light-absorbing organic photodiode having high performance while maximizing an area without being affected by a device formed in the lower portion.

本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、基板上に形成される反射型下部電極と、この下部電極上に形成される有機薄膜と、この有機薄膜上に形成される透明型上部電極とを具備することを特徴とする。 In order to achieve the above object, the present invention provides
[1] In an upper light absorption organic photodiode, a reflective lower electrode formed on a substrate, an organic thin film formed on the lower electrode, and a transparent upper electrode formed on the organic thin film It is characterized by comprising.

〔２〕上記〔１〕記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜が単層構造であることを特徴とする。   [2] The upper light absorption organic photodiode according to [1], wherein the organic thin film has a single layer structure.

〔３〕上記〔１〕記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜が二層構造であることを特徴とする。   [3] The upper light absorption organic photodiode according to [1], wherein the organic thin film has a two-layer structure.

〔４〕上記〔３〕記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜の二層構造のうち下層が電子輸送の性質を有する有機薄膜であることを特徴とする。   [4] The upper light absorption organic photodiode according to [3], wherein the lower layer of the two-layer structure of the organic thin film is an organic thin film having electron transport properties.

〔５〕上記〔４〕記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜の二層構造のうち上層が正孔輸送の性質を有する有機薄膜であることを特徴とする。   [5] The upper light absorption organic photodiode according to [4], wherein an upper layer of the two-layer structure of the organic thin film is an organic thin film having a hole transport property.

〔６〕上記〔３〕記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜の二層構造のうち下層が正孔輸送の性質を有する有機薄膜であることを特徴とする。   [6] The upper light absorption organic photodiode according to [3], wherein the lower layer of the two-layer structure of the organic thin film is an organic thin film having a hole transport property.

〔７〕上記〔６〕記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜の二層構造のうち上層が電子輸送の性質を有する有機薄膜であることを特徴とする。   [7] The upper light absorption organic photodiode according to [6], wherein an upper layer of the two-layer structure of the organic thin film is an organic thin film having an electron transport property.

〔８〕上記〔１〕記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜が三層構造であることを特徴とする。   [8] The upper light absorption organic photodiode according to [1], wherein the organic thin film has a three-layer structure.

〔９〕上記〔８〕記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜の三層構造のうち下層が電子輸送の性質を有する有機薄膜であることを特徴とする。   [9] The upper light-absorbing organic photodiode according to [8], wherein the lower layer of the three-layer structure of the organic thin film is an organic thin film having electron transport properties.

〔１０〕上記〔９〕記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜の三層構造のうち上層が正孔輸送の性質を有する有機薄膜であることを特徴とする。   [10] The upper light absorption organic photodiode according to [9], wherein an upper layer of the three-layer structure of the organic thin film is an organic thin film having a hole transport property.

〔１１〕上記〔８〕記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜の三層構造のうち下層が正孔輸送の性質を有する有機薄膜であることを特徴とする。   [11] The upper light absorption organic photodiode according to [8], wherein the lower layer of the three-layer structure of the organic thin film is an organic thin film having a hole transport property.

〔１２〕上記〔１１〕記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜の三層構造のうち上層が電子輸送の性質を有する有機薄膜であることを特徴とする。   [12] The upper light absorption organic photodiode according to [11], wherein an upper layer of the three-layer structure of the organic thin film is an organic thin film having an electron transport property.

〔１３〕上記〔８〕記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜の三層構造のうち下層が正孔輸送、中間層が光吸収、上層が電子輸送の性質を有する有機薄膜であることを特徴とする。   [13] The upper light-absorbing organic photodiode according to [8], wherein the organic thin film has a property of transporting holes in the lower layer, absorbing light in the intermediate layer, and transporting electrons in the upper layer in the three-layer structure of the organic thin film. It is characterized by being.

〔１４〕上記〔１〕〜〔１３〕記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜の全体の動作が光導電素子の性質を有することを特徴とする。   [14] The upper light absorption organic photodiode according to the above [1] to [13], wherein the entire operation of the organic thin film has a property of a photoconductive element.

〔１５〕上記〔１〕〜〔１３〕記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記基板の下部に能動素子や受動素子が集積されてなることを特徴とする。   [15] The upper light absorption organic photodiode according to the above [1] to [13], wherein active elements and passive elements are integrated under the substrate.

本発明によれば、上部電極を透明型電極とし、下部電極を反射型電極とすることで、基板上に集積化可能な高性能有機フォトダイオード構造を提供する。これにより、センシング部のデバイス面積を最大限とし、かつ下部電極からの反射により有機膜に再度入り込んだ光を吸収することで光吸収自体も最大限とした高性能有機フォトダイオードを得ることができる。   The present invention provides a high-performance organic photodiode structure that can be integrated on a substrate by using a transparent electrode as an upper electrode and a reflective electrode as a lower electrode. As a result, it is possible to obtain a high-performance organic photodiode that maximizes the device area of the sensing section and absorbs light that has re-entered the organic film due to reflection from the lower electrode, thereby maximizing light absorption itself. .

上部電極を透明型電極とし、下部電極を反射型電極とすることで、ガラス基板上に集積化可能な高性能有機フォトダイオード構造を形成する。   By using the upper electrode as a transparent electrode and the lower electrode as a reflective electrode, a high-performance organic photodiode structure that can be integrated on a glass substrate is formed.

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

図１は、本発明の実施例を示す上部光吸収形有機フォトダイオードの構造断面図である。   FIG. 1 is a structural sectional view of an upper light absorption type organic photodiode showing an embodiment of the present invention.

この図において、１はガラス基板、２は下部電極、３は有機薄膜、４は上部電極である。有機薄膜３の有機材料は、２−ｍｅｔｈｏｘｙ，５−（２′−ｅｔｈｙｌ−ｈｅｘｙｌｏｘｙ）−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｖｉｎｙｌｅｎｅ（ＭＥＨ−ＰＰＶ）で、０．５ｗｔ％溶液を用いスピンコート法により成膜した。下部電極３はＡｌ電極、上部電極４はＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）電極とした。   In this figure, 1 is a glass substrate, 2 is a lower electrode, 3 is an organic thin film, and 4 is an upper electrode. The organic material of the organic thin film 3 was 2-methoxy, 5- (2′-ethyl-hexyloxy) -1,4-phenylene vinylene (MEH-PPV), and was formed by spin coating using a 0.5 wt% solution. . The lower electrode 3 was an Al electrode, and the upper electrode 4 was an IZO (Indium Zinc Oxide) or ITO (Indium Tin Oxide) electrode.

かかる上部光吸収形有機フォトダイオードは、下部電極２が反射体であるため、ガラス基板１の下部には能動素子や受動素子などのデバイス（図示なし）が配置されていても、これらの下部デバイスの影響を受けることがなく、面積を最大限に確保することができる。   In such an upper light absorption type organic photodiode, since the lower electrode 2 is a reflector, even if devices (not shown) such as active elements and passive elements are arranged below the glass substrate 1, these lower devices The maximum area can be secured without being affected by the above.

図２は、本発明の実施例を示す上部光吸収形有機フォトダイオードの特性図であり、下部電極を透明型電極とした従来の素子構造による特性との対比を示す。   FIG. 2 is a characteristic diagram of an upper light-absorbing organic photodiode showing an embodiment of the present invention, and shows a comparison with characteristics of a conventional element structure in which the lower electrode is a transparent electrode.

この図において、横軸はバイアス電圧（Ｖ）、縦軸は電流（Ａ）を示しており、○は従来の素子の光電流特性、●は従来の素子の暗電流特性、△は本発明に係る素子の光電流特性、▲は本発明に係る素子の暗電流特性であり、それぞれ光照射と暗状態での素子の電流−電圧特性を示している。素子の面積は２×２ｍｍ2 である。透明型電極による有機薄膜へのスパッタ衝撃の影響や、初期的実験結果であることにより、未だ特性改善の余地があるが、光照射による伝導率変化が確認された。ここで、本発明にかかる上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、電流は明状態で６．９５×１０-8Ａ、暗状態で３．９９×１０-11 Ａ、導電率比は１，７４０であった。 In this figure, the horizontal axis indicates the bias voltage (V), the vertical axis indicates the current (A), ◯ indicates the photocurrent characteristic of the conventional element, ● indicates the dark current characteristic of the conventional element, and Δ indicates the present invention. The photocurrent characteristics of the element and ▲ are the dark current characteristics of the element according to the present invention, and show the current-voltage characteristics of the element in the light irradiation and dark state, respectively. The area of the element is 2 × 2 mm 2 . Although there is still room for improvement in characteristics due to the effect of sputtering impact on the organic thin film by the transparent electrode and the results of initial experiments, changes in conductivity due to light irradiation were confirmed. Here, in the upper light absorption type organic photodiode according to the present invention, the current is 6.95 × 10 −8 A in the bright state, 3.99 × 10 −11 A in the dark state, and the conductivity ratio is 1,740. there were.

上部電極４を透明型電極とし、下部電極２を反射型電極とすることで、ガラス基板１上に集積化可能な高性能有機フォトダイオード構造の動作を確認できた。これにより、センシング部のデバイス面積を最大限とし、かつ下部電極２からの反射により有機薄膜３に再度入り込んだ光を吸収することで光吸収自身も最大限とした高性能有機フォトダイオードを得ることができる。   By using the upper electrode 4 as a transparent electrode and the lower electrode 2 as a reflective electrode, the operation of a high-performance organic photodiode structure that can be integrated on the glass substrate 1 was confirmed. As a result, a high-performance organic photodiode that maximizes the device area of the sensing section and absorbs the light reentering the organic thin film 3 by reflection from the lower electrode 2 to maximize the light absorption itself is obtained. Can do.

図３は本発明の実施例を示す二層構造の有機薄膜を有する上部光吸収形有機フォトダイオードの構造断面図である。   FIG. 3 is a structural cross-sectional view of an upper light absorption type organic photodiode having an organic thin film having a two-layer structure according to an embodiment of the present invention.

この図において、１１はガラス基板、１２は反射型下部電極、１３は有機薄膜、１４は透明型上部電極であり、有機薄膜１３は、電子輸送の性質を有する下層有機薄膜１３Ａ（例えば、ペリレン誘導体ｔｄ−ＰＴＣ：Ｎ，Ｎ′−Ｄｉｔｒｉｄｅｃｙｌ−３，４，９，１０−ｐｅｒｙｌｅｎｅｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ｄｉｉｍｉｄｅ）と、正孔輸送の性質を有する上層有機薄膜１３Ｂ（例えば、アリールアミン誘導体α−ＮＰＤ：Ｂｉｓ〔Ｎ−（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ〕ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）とから構成されている。   In this figure, 11 is a glass substrate, 12 is a reflective lower electrode, 13 is an organic thin film, 14 is a transparent upper electrode, and the organic thin film 13 is a lower organic thin film 13A having a property of transporting electrons (for example, a perylene derivative). td-PTC: N, N′-Ditridecyl-3,4,9,10-perylene carboxylic box diimide) and an upper organic thin film 13B having the property of hole transport (for example, arylamine derivative α-NPD: Bis [N- ( 1-naphthyl) -N-phenyl] benzidine).

このように構成すると、例えば、下層有機薄膜１３Ａで発生した電子正孔対のうち、正孔を正孔輸送層である上層有機薄膜１３Ｂ内へ移動させて輸送することにより、速やかな正孔の移動につながる利点がある。   With this configuration, for example, among the electron-hole pairs generated in the lower organic thin film 13A, the holes are moved into the upper organic thin film 13B, which is the hole transport layer, and transported, so There is an advantage that leads to movement.

なお、逆に、下層を正孔輸送の性質を有する有機薄膜に、上層を電子輸送の性質を有する有機薄膜にするように構成してもよい。   Conversely, the lower layer may be an organic thin film having a hole transport property, and the upper layer may be an organic thin film having an electron transport property.

図４は本発明の実施例を示す三層構造の有機薄膜を有する上部光吸収形有機フォトダイオードの構造断面図である。   FIG. 4 is a structural cross-sectional view of an upper light absorption type organic photodiode having an organic thin film having a three-layer structure according to an embodiment of the present invention.

この図において、２１はガラス基板、２２は反射型下部電極、２３は有機薄膜、２４は透明型上部電極であり、有機薄膜２３は、電子輸送の性質を有する下層有機薄膜２３Ａ〔例えば、Ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ（III)〕と、光吸収中間層２３Ｂ（例えば、ペリレン誘導体ｔｄ−ＰＴＣ：Ｎ，Ｎ′−Ｄｉｔｒｉｄｅｃｙｌ−３，４，９，１０−ｐｅｒｙｌｅｎｅｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ｄｉｉｍｉｄｅ）と、正孔輸送の性質を有する上層有機薄膜２３Ｃ（例えば、アリールアミン誘導体α−ＮＰＤ：Ｂｉｓ〔Ｎ−（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ〕ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）とから構成されている。   In this figure, 21 is a glass substrate, 22 is a reflective lower electrode, 23 is an organic thin film, 24 is a transparent upper electrode, and the organic thin film 23 is a lower organic thin film 23A [for example, Tris ( 8-hydroxyquinolinato) aluminum (III)], light-absorbing intermediate layer 23B (for example, perylene derivative td-PTC: N, N′-Ditridecyl-3,4,9,10-perylene carbonate imide) and the property of hole transport And an upper organic thin film 23C (for example, arylamine derivative α-NPD: Bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl] benzidine)).

このように構成すると、例えば、光吸収中間層２３Ｂは、光吸収した後に電子と正孔を発生する役割に適した材料であればよく、電子輸送については下層有機薄膜２３Ａ、正孔輸送については上層有機薄膜２３Ｃにその役割を持たせることで、光吸収やキャリア輸送能といった各層ごとの特定の性質を活かした有機薄膜を適用し、フォトダイオードの特性向上を図ることができる。   If comprised in this way, the light absorption intermediate | middle layer 23B should just be a material suitable for the role which generate | occur | produces an electron and a hole after absorbing light, for lower layer organic thin film 23A, about hole transport about electron transport, for example. By imparting the role to the upper organic thin film 23C, it is possible to apply an organic thin film that takes advantage of specific properties of each layer such as light absorption and carrier transport ability, and to improve the characteristics of the photodiode.

なお、逆に、下層を正孔輸送の性質を有する有機薄膜に、上層を電子輸送の性質を有する有機薄膜にするように構成してもよい。   Conversely, the lower layer may be an organic thin film having a hole transport property, and the upper layer may be an organic thin film having an electron transport property.

なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。   In addition, this invention is not limited to the said Example, Based on the meaning of this invention, a various deformation | transformation is possible and these are not excluded from the scope of the present invention.

本発明の上部光吸収形有機フォトダイオードは、集積可能な光センシング機能を有するデバイスとして利用可能である。   The upper light absorption type organic photodiode of the present invention can be used as a device having an optical sensing function that can be integrated.

本発明の実施例を示す上部光吸収形有機フォトダイオードの構造断面図である。It is a structure sectional view of an upper light absorption type organic photodiode showing an example of the present invention. 本発明の実施例を示す上部光吸収形有機フォトダイオードの特性図である。It is a characteristic view of the top light absorption type organic photodiode which shows the Example of this invention. 本発明の実施例を示す二層構造の有機薄膜を有する上部光吸収形有機フォトダイオードの構造断面図である。1 is a structural cross-sectional view of an upper light absorption organic photodiode having an organic thin film having a two-layer structure according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例を示す三層構造の有機薄膜を有する上部光吸収形有機フォトダイオードの構造断面図である。1 is a structural cross-sectional view of an upper light absorption organic photodiode having an organic thin film having a three-layer structure according to an embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

１，１１，２１ ガラス基板
２，１２，２２ 下部電極（反射型電極）
３，１３，２３ 有機薄膜
４，１４，２４ 上部電極（透明型電極）
１３Ａ，２３Ａ 下層有機薄膜
１３Ｂ，２３Ｃ 上層有機薄膜
２３Ｂ 光吸収中間層 1,11,21 Glass substrate 2,12,22 Lower electrode (reflective electrode)
3, 13, 23 Organic thin film 4, 14, 24 Upper electrode (transparent electrode)
13A, 23A Lower organic thin film 13B, 23C Upper organic thin film 23B Light absorbing intermediate layer

Claims (15)

（ａ）基板上に形成される反射型下部電極と、
（ｂ）該下部電極上に形成される有機薄膜と、
（ｃ）該有機薄膜上に形成される透明型上部電極とを具備することを特徴とする上部光吸収形有機フォトダイオード。 (A) a reflective lower electrode formed on the substrate;
(B) an organic thin film formed on the lower electrode;
(C) An upper light-absorbing organic photodiode comprising a transparent upper electrode formed on the organic thin film. 請求項１記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜が単層構造であることを特徴とする上部光吸収形有機フォトダイオード。   2. The upper light absorbing organic photodiode according to claim 1, wherein the organic thin film has a single layer structure. 請求項１記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜が二層構造であることを特徴とする上部光吸収形有機フォトダイオード。   2. The upper light absorption type organic photodiode according to claim 1, wherein the organic thin film has a two-layer structure. 請求項３記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜の二層構造のうち下層が電子輸送の性質を有する有機薄膜であることを特徴とする上部光吸収形有機フォトダイオード。   4. The upper light absorption organic photodiode according to claim 3, wherein the lower layer of the two-layer structure of the organic thin film is an organic thin film having electron transport properties. 請求項４記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜の二層構造のうち上層が正孔輸送の性質を有する有機薄膜であることを特徴とする上部光吸収形有機フォトダイオード。   5. The upper light absorbing organic photodiode according to claim 4, wherein an upper layer of the two-layer structure of the organic thin film is an organic thin film having a hole transport property. 請求項３記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜の二層構造のうち下層が正孔輸送の性質を有する有機薄膜であることを特徴とする上部光吸収形有機フォトダイオード。   4. The upper light absorption organic photodiode according to claim 3, wherein a lower layer of the two-layer structure of the organic thin film is an organic thin film having a hole transport property. 請求項６記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜の二層構造のうち上層が電子輸送の性質を有する有機薄膜であることを特徴とする上部光吸収形有機フォトダイオード。   7. The upper light absorption organic photodiode according to claim 6, wherein an upper layer of the two-layer structure of the organic thin film is an organic thin film having electron transport properties. 請求項１記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜が三層構造であることを特徴とする上部光吸収形有機フォトダイオード。   2. The upper light absorption type organic photodiode according to claim 1, wherein the organic thin film has a three-layer structure. 請求項８記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜の三層構造のうち下層が電子輸送の性質を有する有機薄膜であることを特徴とする上部光吸収形有機フォトダイオード。   9. The upper light absorption type organic photodiode according to claim 8, wherein the lower layer of the three-layer structure of the organic thin film is an organic thin film having electron transport properties. 請求項９記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜の三層構造のうち上層が正孔輸送の性質を有する有機薄膜であることを特徴とする上部光吸収形有機フォトダイオード。   10. The upper light absorption organic photodiode according to claim 9, wherein an upper layer of the three-layer structure of the organic thin film is an organic thin film having a hole transport property. 請求項８記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜の三層構造のうち下層が正孔輸送の性質を有する有機薄膜であることを特徴とする上部光吸収形有機フォトダイオード。   9. The upper light absorbing organic photodiode according to claim 8, wherein the lower layer of the three-layer structure of the organic thin film is an organic thin film having a hole transport property. 請求項１１記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜の三層構造のうち上層が電子輸送の性質を有する有機薄膜であることを特徴とする上部光吸収形有機フォトダイオード。   12. The upper light absorbing organic photodiode according to claim 11, wherein an upper layer of the three-layer structure of the organic thin film is an organic thin film having electron transport properties. 請求項８記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜の三層構造のうち下層が正孔輸送、中間層が光吸収、上層が電子輸送の性質を有する有機薄膜であることを特徴とする上部光吸収形有機フォトダイオード。   9. The upper light absorbing organic photodiode according to claim 8, wherein the organic thin film has a property of transporting holes in the lower layer, absorbing light in the intermediate layer, and transporting electrons in the upper layer in the three-layer structure of the organic thin film. An upper light absorption organic photodiode. 請求項１〜１３記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記有機薄膜の全体の動作が光導電素子の性質を有することを特徴とする上部光吸収形有機フォトダイオード。   14. The upper light absorption type organic photodiode according to claim 1, wherein the entire operation of the organic thin film has a property of a photoconductive element. 請求項１〜１３記載の上部光吸収形有機フォトダイオードにおいて、前記基板の下部に能動素子や受動素子が集積されてなることを特徴とする上部光吸収形有機フォトダイオード。   14. The upper light absorption type organic photodiode according to claim 1, wherein active elements and passive elements are integrated under the substrate.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009176985A (en) * 2008-01-25 2009-08-06 Asahi Kasei Corp New optical field effect transistor with organic semiconductor layer
JP2013001077A (en) * 2011-06-21 2013-01-07 Kobayashi Create Co Ltd Optical reading form

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