JP2005265937A

JP2005265937A - Image display apparatus

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Publication number: JP2005265937A
Application number: JP2004074358A
Authority: JP
Inventors: Isao Amano; 功天野
Original assignee: Fuji Electric Holdings Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2004-03-16
Filing date: 2004-03-16
Publication date: 2005-09-29

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an image display apparatus or the like capable of assuring a required average light emitting brightness by keeping a product of a flowing current value and a light emitting period of an organic EL device constant, even if the flowing current value of the organic EL device is changed due to an environmental temperature change of the organic EL device in use or a power source voltage change of a driving transistor of the organic EL device. <P>SOLUTION: When a scanning voltage is applied to a scanning electrode 1 and a data voltage is applied to a data electrode 2, since a switch 15 for selecting a column is in an ON state, a current flows to a PWM pulse generating circuit 16 and an output pulse according to the current detected by a current detector 14 is applied from the PWM pulse generating circuit 16 to a gate of a transistor 13 for driving the organic EL device and an ON/OFF state of the transistor 13 for driving the organic EL device is controlled with a voltage value of an output pulse as a reference value. When the transistor 13 for driving the organic EL device is in an ON state, an electroluminescence current flows from an anode 3 to the organic EL device 12 and light is emitted. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、画素毎に画素を駆動する駆動回路を有するアクティブマトリックス型の画像表示装置に関する。 The present invention relates to an active matrix image display device having a drive circuit for driving a pixel for each pixel.

近年、低消費電力で高表示品質を実現可能な薄型の画像表示装置またはフラットパネルディスプレイ（Flat Panel Display : ＦＰＤ）として、有機ＥＬ（Ｅlectroluminescence:エレクトロルミネッセンス）ディスプレイが注目を浴びている。 2. Description of the Related Art In recent years, organic EL (Electroluminescence) displays have attracted attention as thin image display devices or flat panel displays (FPDs) that can achieve high display quality with low power consumption.

図７（Ａ）は、有機ＥＬディスプレイの構成要素である典型的な有機ＥＬの全体構造を示す。図７（Ａ）において、符号７はガラス基板、３はガラス基板７上に設けられたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）透明電極等の陽極、４は背面電極である陰極、１２は陽極３と陰極４との間に挟み込まれた有機ＥＬ素子である。電流が有機ＥＬ素子１２に通流されると、すなわち陽極３から正孔（ホール）、陰極４から電子が有機ＥＬ素子１２に注入されると、有機ＥＬ素子１２内の発光層１０３（後述）で再結合し、励起状態から基底状態へ戻る際に放出されるエネルギーにより発光する。発光した光は、図７（Ａ）の矢印に示されるようにガラス基板７を通って図上では下方向へ放出される。 FIG. 7A shows the overall structure of a typical organic EL that is a component of the organic EL display. 7A, reference numeral 7 denotes a glass substrate, 3 denotes an anode such as an ITO (Indium Tin Oxide) transparent electrode provided on the glass substrate 7, 4 denotes a cathode as a back electrode, 12 denotes an anode 3 and a cathode 4 Is an organic EL element sandwiched between the two. When current is passed through the organic EL element 12, that is, when holes are injected from the anode 3 and electrons are injected from the cathode 4 into the organic EL element 12, the light emitting layer 103 (described later) in the organic EL element 12 is used. Recombines and emits light by the energy released when returning from the excited state to the ground state. The emitted light is emitted downward through the glass substrate 7 as shown by the arrow in FIG.

図７（Ｂ）は、図７（Ａ）の有機ＥＬ素子１２の構造を示す。有機ＥＬ素子には発光層のみからなる単層型と発光層以外の層も有する多層型とがあり、図７（Ｂ）は５層型を例示する。図７（Ｂ）において、符号１０５は陽極３との接合性を良くしホールの注入効率を高めるためのホール注入層、１０４はホール注入層１０５から注入されたホールの輸送性を高めるためのホール輸送層、１０１は陰極４との接合性を良くし電子の注入効率を高めるための電子注入層、１０２は電子注入層１０１から注入された電子の輸送性を高めるための電子輸送層、１０３はホール輸送層１０４と電子輸送層１０２との間に挟まれた有機物の蛍光体である発光層であり、上述のようにこの発光層１０３でホールと電子とが再結合することにより発光する。 FIG. 7B shows the structure of the organic EL element 12 of FIG. The organic EL element includes a single layer type including only a light emitting layer and a multilayer type including a layer other than the light emitting layer, and FIG. 7B illustrates a five layer type. In FIG. 7B, reference numeral 105 denotes a hole injection layer for improving the bonding property with the anode 3 and improving the hole injection efficiency, and 104 is a hole for improving the transportability of holes injected from the hole injection layer 105. A transport layer 101 is an electron injection layer for improving the bonding property with the cathode 4 and increasing the electron injection efficiency, 102 is an electron transport layer for improving the transport property of electrons injected from the electron injection layer 101, and 103 is This is a light emitting layer that is an organic phosphor sandwiched between the hole transport layer 104 and the electron transport layer 102, and emits light by recombination of holes and electrons in the light emitting layer 103 as described above.

次に、有機ＥＬ素子１２自体の電気的特性について説明する。上述した有機ＥＬ素子１２が発光する原理より明らかなように有機ＥＬ素子１２は電流動作型であり、有機ＥＬ素子１２の発光輝度は通流される電流にほぼ比例する。さらに、有機ＥＬ素子１２はダイオードのような整流特性を有している。図８は有機ＥＬ素子１２の電圧−電流特性を示す。図８において、横軸は有機ＥＬ素子１２に印加される順電圧Ｖ、縦軸は有機ＥＬ素子１２に流れる電流Ｉ（または輝度）、Ｖｔｈ１、Ｖｔｈ２は各々有機ＥＬ素子１２を使用する周囲温度Ｔ１、Ｔ２における閾値電圧を示す。図８に示されるように、有機ＥＬ素子１２は順方向に閾値電圧（Ｖｔｈ１等）以上の順電圧を印加されると電流が流れ、さらに、周囲温度Ｔ２が上昇してＴ１となると順電圧が減少するというように一般的なダイオードと類似した特性を有している。以上のように、有機ＥＬ素子１２の電気的特性は半導体を用いたダイオードと似ており、発光する原理も一般的な発光ダイオード（Light Emitting Diode : ＬＥＤ）と似ているため、有機発光ダイオード（Organic ＬＥＤ : ＯＬＥＤ）とも呼ばれている。 Next, the electrical characteristics of the organic EL element 12 itself will be described. As is clear from the principle that the organic EL element 12 emits light as described above, the organic EL element 12 is a current operation type, and the light emission luminance of the organic EL element 12 is substantially proportional to the current that flows. Furthermore, the organic EL element 12 has a rectifying characteristic like a diode. FIG. 8 shows the voltage-current characteristics of the organic EL element 12. In FIG. 8, the horizontal axis indicates the forward voltage V applied to the organic EL element 12, the vertical axis indicates the current I (or luminance) flowing through the organic EL element 12, and Vth1 and Vth2 indicate the ambient temperature T1 at which the organic EL element 12 is used. , Shows the threshold voltage at T2. As shown in FIG. 8, when the organic EL element 12 is applied with a forward voltage equal to or higher than the threshold voltage (Vth1 or the like) in the forward direction, a current flows. Further, when the ambient temperature T2 rises to T1, the forward voltage is increased. The characteristic is similar to that of a general diode. As described above, the electrical characteristics of the organic EL element 12 are similar to those of a diode using a semiconductor, and the principle of light emission is similar to that of a general light emitting diode (LED). It is also called Organic LED (OLED).

次に、有機ＥＬ素子１２を用いた有機ＥＬディスプレイ装置の構成について説明する。有機ＥＬ素子１２（または有機ＥＬディスプレイ装置）の駆動方式は、大別して２つの種類に分けることができ、この駆動方式により有機ＥＬディスプレイ装置の構成も種々異なるものとなる。第１の駆動方式は所謂パッシブマトリックス型と呼ばれるものであり、発光パネルにおける複数の行および列よりなるマトリックスの交点に位置する各画素には制御素子を設けず、行の走査周期のうち各行のデューティー時間にのみ発光制御するようにしたものである。一方、第２の駆動方式は所謂アクティブマトリックス型と呼ばれるものであり、発光パネルにおける各画素に制御素子を持ち、行の走査周期内にわたって発光が可能な駆動方式である。この方式には有機ＥＬ素子１２の発光／非発光状態を電流値により制御する電流値制御と、制御素子に印加されるパルス幅により制御するパルス幅制御（Pulse Width Modulation : ＰＷＭ）とがある。詳しくはＰＷＭとは、有機ＥＬ素子１２を駆動するトランジスタスイッチのＯＮ／ＯＦＦ状態を繰り返すことにより、有機ＥＬ素子１２の発光／非発光状態を繰り返すというものである。このときのＯＮ／ＯＦＦ状態の繰返し周期をＰＷＭ周期と呼び、１ＰＷＭ周期中における有機ＥＬ素子１２の発光時間の割合をデューティー比と呼ぶ。有機ＥＬ素子１２の平均発光輝度Ｌと通流される通流電流値Ｉおよびデューティー比Ｄとの間には、以下の式１の関係がある。 Next, the structure of the organic EL display device using the organic EL element 12 will be described. The driving method of the organic EL element 12 (or the organic EL display device) can be roughly divided into two types, and the configuration of the organic EL display device varies depending on the driving method. The first driving method is a so-called passive matrix type, in which each pixel located at the intersection of the matrix composed of a plurality of rows and columns in the light-emitting panel is not provided with a control element, and each row in the scanning period of the row is not provided. The light emission is controlled only during the duty time. On the other hand, the second driving method is a so-called active matrix type, which has a control element in each pixel in the light-emitting panel and can emit light over the scanning period of the row. This method includes current value control for controlling the light emission / non-light emission state of the organic EL element 12 by a current value and pulse width control (Pulse Width Modulation: PWM) for control by a pulse width applied to the control element. Specifically, the PWM is to repeat the light emitting / non-light emitting state of the organic EL element 12 by repeating the ON / OFF state of the transistor switch that drives the organic EL element 12. The repetition cycle of the ON / OFF state at this time is called a PWM cycle, and the ratio of the light emission time of the organic EL element 12 in one PWM cycle is called a duty ratio. There is a relationship of the following formula 1 between the average light emission luminance L of the organic EL element 12 and the flowing current value I and the duty ratio D.

Ｌ＝ｋ×Ｉ×Ｄ（ｋ：比例定数）（１） L = k × I × D (k: proportional constant) (1)

式１から、デューティー比Ｄを制御することにより平均発光輝度Ｌを制御することができることがわかる。 From Equation 1, it can be seen that the average light emission luminance L can be controlled by controlling the duty ratio D.

図９は、有機ＥＬ素子１２を駆動する従来の駆動回路を示す。図９において、符号１２ａｅは発光パネルにおける４行および５列よりなるマトリックスの交点に位置する１画素を形成する有機ＥＬ素子であり、ダイオードで表記されている。図９ではすべての画素の有機ＥＬ素子および以下に示される他の要素について符号を付していないが、これは説明の便宜上のものであり、符号を付していない他の画素についても同様に説明される。上記画素には制御素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor : ＴＦＴ）を用いた駆動回路１１ａｅが備えられており、他の画素にも同様な駆動回路が備えられている。図９に示されるように、画面（発光パネル）の端部には行選択信号を出力する走査ドライバ（Scan Driver）５１と、輝度データを出力するデータドライバ（Data Driver）５２とが備えられている。走査ドライバ５１からは行方向へ走査電極１ａないし１ｄが伸びており、データドライバ５２からは列方向へデータ電極２ａないし２ｅが伸びており、両電極は格子状に構成されている。上記画素の駆動回路１１ａｅは走査電極１ａおよびデータ電極２ｅと接続されており、他の画素にも同様に走査電極１ａ等およびデータ電極２ａ等が接続されている。さらに上記画素の駆動回路１１ａｅは、所定のＰＷＭ周期を有するＰＷＭ搬送波を発生するＰＷＭ搬送波発生回路５３と基準電圧配線６により接続されており、他の画素も同様にＰＷＭ搬送波発生回路５３と基準電圧配線６により接続されている。 FIG. 9 shows a conventional drive circuit for driving the organic EL element 12. In FIG. 9, reference numeral 12ae denotes an organic EL element that forms one pixel located at the intersection of a matrix composed of 4 rows and 5 columns in the light-emitting panel, and is represented by a diode. In FIG. 9, the organic EL elements of all the pixels and the other elements shown below are not labeled, but this is for convenience of explanation, and the same applies to other pixels not labeled. Explained. The pixel is provided with a drive circuit 11ae using a thin film transistor (TFT) as a control element, and a similar drive circuit is provided for the other pixels. As shown in FIG. 9, a scanning driver 51 that outputs a row selection signal and a data driver 52 that outputs luminance data are provided at the end of the screen (light emitting panel). Yes. Scan electrodes 1a to 1d extend in the row direction from the scan driver 51, and data electrodes 2a to 2e extend in the column direction from the data driver 52. Both electrodes are configured in a grid pattern. The pixel driving circuit 11ae is connected to the scanning electrode 1a and the data electrode 2e, and the scanning electrode 1a and the data electrode 2a are connected to the other pixels in the same manner. Further, the pixel driving circuit 11ae is connected to a PWM carrier generating circuit 53 for generating a PWM carrier having a predetermined PWM cycle by a reference voltage wiring 6, and the other pixels are similarly connected to the PWM carrier generating circuit 53 and a reference voltage. They are connected by wiring 6.

次に、図９に示される従来の駆動回路の動作について説明する。まず、走査ドライバ５１が走査電極を１本（例えば１ｂ）選択する。データドライバ５２は、走査ドライバ５１により選択された行（走査電極１ｂの行）の各画素の発光輝度データの信号を各駆動回路１１ｂａ、１１ｂｂ、１１ｂｃ、１１ｂｄおよび１１ｂｅに入力する。駆動回路１１ｂａないし１１ｂｅは、入力されたデータに基づいて有機ＥＬ素子１２ｂａないし１２ｂｅの発光状態を制御する。一方、走査ドライバ５１は発光輝度データの信号の入力（書込み）が終わると、次の行（例えば走査電極１ｃの行）の選択に移る。以上の操作を繰り返すことにより、順次画面のデータを更新していく。 Next, the operation of the conventional drive circuit shown in FIG. 9 will be described. First, the scan driver 51 selects one scan electrode (for example, 1b). The data driver 52 inputs the light emission luminance data signal of each pixel in the row selected by the scan driver 51 (row of the scan electrode 1b) to each drive circuit 11ba, 11bb, 11bc, 11bd, and 11be. The drive circuits 11ba to 11be control the light emission states of the organic EL elements 12ba to 12be based on the input data. On the other hand, when the input (writing) of the light emission luminance data signal is completed, the scanning driver 51 proceeds to selection of the next row (for example, the row of the scanning electrode 1c). By repeating the above operations, the screen data is sequentially updated.

上述の従来の駆動回路の例として、特許文献１に記載された駆動回路について説明する。図１０は、特許文献１に記載された従来の駆動回路を示す。図１０において、符号１は上述の走査電極と同様の走査配線、２は上述のデータ電極と同様の信号配線、１７はゲートが走査配線１と接続されドレインが信号配線２と接続された信号サンプリングＴＦＴ（トランジスタスイッチ）、１８は信号サンプリングＴＦＴ１７のソースと接続され、信号配線２を介して供給された信号電圧をメモリ電圧として充電しておく信号電圧サンプリングコンデンサ、６は図示のようなノコギリ波状のＰＷＭ搬送波が印加される基準電圧配線、２５は基準電圧配線６に印加される電圧と上記メモリ電圧とを比較するコンパレータ、１２はカソードが陰極４と接続されたＯＬＥＤ、１３はソースがＯＬＥＤ１２のアノードと接続され、ゲートがコンパレータ２５の出力側と接続されたＯＬＥＤドライバトランジスタ、３はＯＬＥＤドライバトランジスタ１３のドレインと接続されたＯＬＥＤ１２の電源配線（陽極）、３４はＯＬＥＤ駆動回路である。 As an example of the above-described conventional drive circuit, a drive circuit described in Patent Document 1 will be described. FIG. 10 shows a conventional drive circuit described in Patent Document 1. In FIG. In FIG. 10, reference numeral 1 is a scanning wiring similar to the above-described scanning electrode, 2 is a signal wiring similar to the above-described data electrode, 17 is a signal sampling in which the gate is connected to the scanning wiring 1 and the drain is connected to the signal wiring 2. A TFT (transistor switch) 18 is connected to the source of the signal sampling TFT 17 and a signal voltage sampling capacitor for charging a signal voltage supplied via the signal wiring 2 as a memory voltage, and 6 is a sawtooth wave shape as shown in the figure. Reference voltage wiring to which the PWM carrier wave is applied, 25 is a comparator for comparing the voltage applied to the reference voltage wiring 6 and the memory voltage, 12 is an OLED having a cathode connected to the cathode 4, and 13 is an anode of the OLED 12. And an OLED driver transistor whose gate is connected to the output side of the comparator 25 , 3 power wiring OLED12 connected to the drain of the OLED driver transistor 13 (anode), 34 is an OLED drive circuit.

次に、上述の駆動回路３４の動作について説明する。図１１は、特許文献１に記載された上述の従来の駆動回路３４の波形図を示す。図１１の（Ａ）は信号配線２に印加される信号電圧（行毎の輝度データ）、（Ｂ）は走査配線１に印加される走査電圧（行選択信号）、（Ｃ）は信号電圧サンプリングコンデンサ１８の電圧、（Ｄ）は基準電圧配線６に印加されるノコギリ波状の電圧（ＰＷＭ搬送波）であり、破線は（Ｃ）の信号電圧サンプリングコンデンサ１８の電圧、（Ｅ）はコンパレータ２５の出力電圧（ＯＬＥＤドライバトランジスタ１３のＯＮ信号）、（Ｆ）はＯＬＥＤ１２の電流（ＥＬ電流）、（Ｇ）は式１で示されるＯＬＥＤ１２の平均発光輝度Ｌである。 Next, the operation of the drive circuit 34 will be described. FIG. 11 shows a waveform diagram of the above-described conventional drive circuit 34 described in Patent Document 1. In FIG. 11A shows a signal voltage (luminance data for each row) applied to the signal wiring 2, FIG. 11B shows a scanning voltage (row selection signal) applied to the scanning wiring 1, and FIG. 11C shows signal voltage sampling. The voltage of the capacitor 18, (D) is a sawtooth voltage (PWM carrier wave) applied to the reference voltage wiring 6, the broken line is the voltage of the signal voltage sampling capacitor 18 of (C), and (E) is the output of the comparator 25. The voltage (ON signal of the OLED driver transistor 13), (F) is the current (EL current) of the OLED 12, and (G) is the average light emission luminance L of the OLED 12 expressed by Equation 1.

図１１の（Ｂ）に示されるように、時刻ｔ０からｔ１において走査ドライバ（不図示）から走査配線１に走査電圧が印加されると、信号サンプリングＴＦＴ１７のゲートにこの走査電圧が印加されるため、信号サンプリングＴＦＴ１７がＯＮ状態（導通状態）となる。ここで図１１の（Ａ）に示されるように、時刻ｔ０からｔ１においてデータドライバ（不図示）から信号配線２に信号電圧が印加されると、信号サンプリングＴＦＴ１７はＯＮ状態であるため、信号サンプリングＴＦＴ１７のドレインからソースを介して信号電圧サンプリングコンデンサ１８へ電流が流れる。この電流により、図１１の（Ｃ）に示されるように信号電圧サンプリングコンデンサ１８はその電圧が発光輝度に応じた電圧（メモリ電圧）になるように充電される。コンパレータ２５は基準電圧配線６に印加されるノコギリ波状の電圧（図１１の（Ｄ））を基準電圧として、信号電圧サンプリングコンデンサ１８に充電されたメモリ電圧（図１１の（Ｃ））と比較する。コンパレータ２５は基準電圧がメモリ電圧より高い場合（時刻ｔ１からｔ２の間）、図１１の（Ｅ）に示されるように高い電圧を出力する。基準電圧はノコギリ波状であるため、図１１の（Ｅ）に示されるようにコンパレータ２５の出力はパルス状となる。このコンパレータ２５の出力パルスがＯＬＥＤドライバトランジスタ１３のゲートに印加されるため、ＯＬＥＤドライバトランジスタ１３のＯＮ／ＯＦＦ状態が制御される。ＯＬＥＤドライバトランジスタ１３がＯＮ状態の場合（時刻ｔ１からｔ２の間）、図１１の（Ｆ）に示されるようにＯＬＥＤ１２へＥＬ電流が流れて発光することになる。発光時間Ｔａはｔ２−ｔ１となる。図１１の（Ｆ）に示されるように、時刻ｔ０からｔ３までがＰＷＭ周期Ｔｐであるためデューティー比ＤはＴａ／Ｔｐとなり、式１で示される平均発光輝度Ｌは図１１の（Ｇ）に示されるようになる。以上の操作により、信号電圧（輝度データ）に応じたデューティー比ＤでＯＬＥＤドライバトランジスタ１３がＯＮ状態となり、これによりＯＬＥＤ１２の平均発光輝度Ｌを制御することができる。時刻ｔ４、ｔ５以降については同様であるため省略する。 As shown in FIG. 11B, when a scanning voltage is applied from the scanning driver (not shown) to the scanning wiring 1 from time t0 to t1, this scanning voltage is applied to the gate of the signal sampling TFT 17. The signal sampling TFT 17 is turned on (conductive state). Here, as shown in FIG. 11A, when a signal voltage is applied from the data driver (not shown) to the signal wiring 2 from time t0 to t1, the signal sampling TFT 17 is in the ON state. A current flows from the drain of the TFT 17 to the signal voltage sampling capacitor 18 through the source. With this current, as shown in FIG. 11C, the signal voltage sampling capacitor 18 is charged so that the voltage becomes a voltage (memory voltage) corresponding to the light emission luminance. The comparator 25 uses a sawtooth voltage (FIG. 11D) applied to the reference voltage wiring 6 as a reference voltage and compares it with the memory voltage charged in the signal voltage sampling capacitor 18 (FIG. 11C). . When the reference voltage is higher than the memory voltage (between times t1 and t2), the comparator 25 outputs a high voltage as shown in FIG. Since the reference voltage has a sawtooth waveform, the output of the comparator 25 is pulsed as shown in FIG. Since the output pulse of the comparator 25 is applied to the gate of the OLED driver transistor 13, the ON / OFF state of the OLED driver transistor 13 is controlled. When the OLED driver transistor 13 is in the ON state (between times t1 and t2), as shown in FIG. 11F, an EL current flows to the OLED 12 to emit light. The light emission time Ta is t2-t1. As shown in FIG. 11 (F), the duty ratio D is Ta / Tp since the time t0 to t3 is the PWM cycle Tp, and the average light emission luminance L shown in Equation 1 is shown in FIG. 11 (G). As shown. By the above operation, the OLED driver transistor 13 is turned on with the duty ratio D corresponding to the signal voltage (luminance data), and thereby the average light emission luminance L of the OLED 12 can be controlled. Since it is the same about time t4 and after t5, it abbreviate | omits.

特開２００２−２９７０９７JP 2002-297097

上述のように、従来の駆動回路３４では輝度データに応じたデューティー比でＯＬＥＤドライバトランジスタ１３によりＯＬＥＤ１２の平均発光輝度Ｌを制御している。しかし、以下の理由によりＯＬＥＤドライバトランジスタ１３のＯＮ状態における電流値が変化する場合がある。
１．ＯＬＥＤ１２の電圧−電流特性は、図８に示されるように使用環境の温度により変化する。
２．配線抵抗の影響により、電源配線３から供給される電源電圧はディスプレイ画面中で一定ではない。
このため、式１から明らかなように通流電流値Ｉが変化する結果、平均発光輝度Ｌに誤差が生じることとなり、ディスプレイ画面の輝度にムラが生じたり、階調の制御性能が低下するという問題があった。 As described above, in the conventional drive circuit 34, the average light emission luminance L of the OLED 12 is controlled by the OLED driver transistor 13 at a duty ratio according to the luminance data. However, the current value in the ON state of the OLED driver transistor 13 may change for the following reason.
1. The voltage-current characteristic of the OLED 12 varies depending on the temperature of the use environment as shown in FIG.
2. Due to the influence of the wiring resistance, the power supply voltage supplied from the power supply wiring 3 is not constant in the display screen.
For this reason, as is clear from Equation 1, as a result of the change in the conduction current value I, an error occurs in the average light emission luminance L, the display screen luminance becomes uneven, and the gradation control performance decreases. There was a problem.

そこで、本発明の目的は、上記問題を解決するためになされたものであり、有機ＥＬ素子の使用環境温度の変化または有機ＥＬ素子の駆動トランジスタの電源電圧の変動により、有機ＥＬ素子の通流電流値が変化した場合であっても、有機ＥＬ素子の通流電流値と発光時間との積を一定に保ち、所望の平均発光輝度を確保することができる画像表示装置等を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-described problem, and the flow of the organic EL element is caused by the change in the use environment temperature of the organic EL element or the fluctuation of the power supply voltage of the driving transistor of the organic EL element. To provide an image display device or the like that can maintain a desired average light emission luminance by keeping the product of the current value and the light emission time of an organic EL element constant even when the current value changes. is there.

この発明の画像表示装置は、画素毎に該画素を駆動する駆動回路を有するアクティブマトリックス型の画像表示装置であって、該駆動回路は、画素を選択する走査電極及び画素の輝度データを供給するデータ電極と接続され、該走査電極により画素が選択された場合に該データ電極から供給された輝度データを出力するスイッチ部と、有機ＥＬ素子を駆動する有機ＥＬ素子駆動用トランジスタと、前記有機ＥＬ素子駆動用トランジスタと接続され、画素への通電時に画素に流れる電流を検出する電流検出部と、前記スイッチ部、前記有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ及び前記電流検出部と接続され、前記スイッチ部から出力された輝度データと前記電流検出部により検出された電流とに基づき前記有機ＥＬ素子駆動用トランジスタの動作を制御する制御部とを備え、前記電流検出部により画素に流れる電流値の変化が検出された場合、前記制御部は変化した電流値に基づき前記有機ＥＬ素子駆動用トランジスタの動作を制御して画素への通電時間を調整することを特徴とする。 The image display device according to the present invention is an active matrix type image display device having a drive circuit for driving the pixel for each pixel, and the drive circuit supplies scanning electrode for selecting the pixel and luminance data of the pixel. A switch unit that is connected to the data electrode and outputs luminance data supplied from the data electrode when a pixel is selected by the scanning electrode, an organic EL element driving transistor that drives the organic EL element, and the organic EL Connected to the element driving transistor and connected to the current detecting unit for detecting a current flowing through the pixel when the pixel is energized, the switch unit, the organic EL element driving transistor and the current detecting unit, and output from the switch unit The operation of the organic EL element driving transistor is controlled based on the luminance data thus obtained and the current detected by the current detector. And when the change of the current value flowing through the pixel is detected by the current detection unit, the control unit controls the operation of the organic EL element driving transistor based on the changed current value to the pixel. It is characterized by adjusting the energization time of the.

ここで、この発明の画像表示装置において、前記スイッチ部は、ゲートが走査電極に接続されドレイン又はソースのいずれか一方がデータ電極に接続され該いずれか一方と異なる他方（一方がドレインの場合、他方はソース。一方がソースの場合、他方はドレイン）がデータ電極に接続されソースが前記有機ＥＬ素子駆動用トランジスタのゲートに接続された選択用薄膜トランジスタであり、前記制御部は、前記選択用薄膜トランジスタのソースと接続され輝度データを記憶する輝度データ記憶部と、該輝度データ記憶部と並列に接続され前記電流検出部により検出された電流に応じた電流を流す電流源とを備えることができる。 Here, in the image display device according to the present invention, the switch unit includes a gate connected to the scan electrode and either the drain or the source connected to the data electrode, and the other is different from the other (when one is the drain, The other is a source. When one is a source, the other is a drain) is a selection thin film transistor in which the source is connected to the data electrode and the source is connected to the gate of the organic EL element driving transistor. A luminance data storage unit that is connected to the source and stores luminance data, and a current source that is connected in parallel to the luminance data storage unit and that supplies a current corresponding to the current detected by the current detection unit.

ここで、この発明の画像表示装置において、前記電流検出部は電流検出用のシャント抵抗であり、前記輝度データ記憶部はコンデンサであり、前記電流源は該シャント抵抗にゲートが接続され該コンデンサの放電電流を制御する放電用薄膜トランジスタであるものとすることができる。 Here, in the image display device of the present invention, the current detection unit is a shunt resistor for current detection, the luminance data storage unit is a capacitor, and the current source has a gate connected to the shunt resistor. It can be a thin film transistor for discharge that controls the discharge current.

ここで、この発明の画像表示装置において、前記電流検出部はカレントミラー回路により構成され、前記輝度データ記憶部はコンデンサであり、前記選択用薄膜トランジスタのソースと前記有機ＥＬ素子駆動用トランジスタのゲートとの間に接続されたヒステリシスコンパレータをさらに備えることができる。 Here, in the image display device according to the present invention, the current detection unit is configured by a current mirror circuit, the luminance data storage unit is a capacitor, a source of the selection thin film transistor, a gate of the organic EL element driving transistor, May further include a hysteresis comparator connected between the two.

本発明の画像表示装置によれば、有機ＥＬ素子に流れるＥＬ電流の検出機構によりＥＬ電流に応じた電流でデータメモリ用コンデンサを放電させることができる。このため、有機ＥＬ素子の使用環境温度の変化または有機ＥＬ素子駆動用トランジスタの電源配線から供給される電源電圧の変動により有機ＥＬ素子の通流電流値が変化した場合、電流検出機構により、変化したＥＬ電流に応じた電流でデータメモリ用コンデンサを放電させることができる。この結果、行が選択されていない時、データメモリ用コンデンサの放電時間を変化させることができ、発光時間を変化させることができる。従って、有機ＥＬ素子の通流電流値と発光時間との積を一定に保ち、所望の平均発光輝度Ｌを確保することができる。 According to the image display device of the present invention, the data memory capacitor can be discharged with a current corresponding to the EL current by the detection mechanism of the EL current flowing through the organic EL element. For this reason, when the conduction current value of the organic EL element changes due to a change in the operating environment temperature of the organic EL element or a change in the power supply voltage supplied from the power supply wiring of the transistor for driving the organic EL element, the change is caused by the current detection mechanism. The data memory capacitor can be discharged with a current corresponding to the EL current. As a result, when no row is selected, the discharge time of the data memory capacitor can be changed, and the light emission time can be changed. Therefore, the product of the conduction current value of the organic EL element and the light emission time can be kept constant, and a desired average light emission luminance L can be ensured.

本発明の概念．
まず、本発明の画像表示装置の概念的な構成を説明し、次に具体的な構成について説明する。図１は、本発明の画像表示装置の概念を示す。図１では説明の便宜上、一画素のみを示してある。図１において、符号１は走査電極、２はデータ電極、１５は走査電極１およびデータ電極２と接続された行選択用スイッチ（スイッチ部）、１６は行選択用スイッチ１５と接続されたＰＷＭパルス発生回路（制御部）、１２はカソードが陰極４と接続された有機ＥＬ素子、１３はソースが有機ＥＬ素子１２のアノードと接続され、ゲートがＰＷＭパルス発生回路１６の出力側と接続された有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ、１４は有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３のドレインと接続され、有機ＥＬ素子１２の通流電流を検出し、検出された通流電流値に応じてＰＷＭパルス発生回路１６の出力パルス幅を制御する電流検出器（電流検出部）、３は電流検出器１４と接続された電源配線（陽極）、３０は有機ＥＬ素子駆動回路（ＴＦＴ回路）である。 Concept of the present invention.
First, a conceptual configuration of the image display apparatus of the present invention will be described, and then a specific configuration will be described. FIG. 1 shows the concept of the image display apparatus of the present invention. In FIG. 1, only one pixel is shown for convenience of explanation. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a scan electrode, 2 denotes a data electrode, 15 denotes a row selection switch (switch unit) connected to the scan electrode 1 and the data electrode 2, and 16 denotes a PWM pulse connected to the row selection switch 15. A generation circuit (control unit), 12 is an organic EL element whose cathode is connected to the cathode 4, 13 is an organic whose source is connected to the anode of the organic EL element 12, and whose gate is connected to the output side of the PWM pulse generation circuit 16. The EL element driving transistor 14 is connected to the drain of the organic EL element driving transistor 13, detects the current flowing through the organic EL element 12, and outputs the PWM pulse generation circuit 16 according to the detected current value. A current detector (current detector) for controlling the pulse width, 3 is a power supply wiring (anode) connected to the current detector 14, and 30 is an organic EL element driving circuit (TFT circuit). It is.

次に、図１に示される有機ＥＬ素子駆動回路３０の動作概要について説明する。走査電極１に走査電圧が印加されると、行選択用スイッチ１５にこの走査電圧が印加されるため、行選択用スイッチ１５がＯＮ状態（導通状態）となる。ここで、データドライバ（不図示）からデータ電極２にデータ電圧が印加されると、行選択用スイッチ１５はＯＮ状態であるため、ＰＷＭパルス発生回路１６へ電流が流れる。この電流により、ＰＷＭパルス発生回路１６から例えばノコギリ波状の所望のパルス幅を有するＰＷＭ搬送波が出力される。このＰＷＭ搬送波の出力パルスが有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３のゲートに印加されるため、出力パルスの電圧値を基準として有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３のＯＮ／ＯＦＦ状態が制御される。有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３がＯＮ状態の場合、電源配線３から有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３を介して有機ＥＬ素子１２へＥＬ電流が流れて発光することになる。 Next, an outline of the operation of the organic EL element driving circuit 30 shown in FIG. 1 will be described. When the scanning voltage is applied to the scanning electrode 1, the scanning voltage is applied to the row selection switch 15, so that the row selection switch 15 is turned on (conductive state). Here, when a data voltage is applied from the data driver (not shown) to the data electrode 2, a current flows to the PWM pulse generation circuit 16 because the row selection switch 15 is in the ON state. With this current, the PWM pulse generation circuit 16 outputs a PWM carrier wave having a desired pulse width, for example, in a sawtooth waveform. Since this PWM carrier wave output pulse is applied to the gate of the organic EL element driving transistor 13, the ON / OFF state of the organic EL element driving transistor 13 is controlled based on the voltage value of the output pulse. When the organic EL element driving transistor 13 is in the ON state, an EL current flows from the power supply wiring 3 to the organic EL element 12 through the organic EL element driving transistor 13 to emit light.

一方、電流検出器１４は上記ＥＬ電流を検出している。このため、有機ＥＬ素子１２の使用環境温度の変化または有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３の電源配線３から供給される電源電圧の変動により、有機ＥＬ素子１２の通流電流値が変化した場合、電流検出器１４はその変化に応じてＰＷＭパルス発生回路１６の出力パルス幅を制御する。この結果、有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３を介して有機ＥＬ素子１２へ流れるＥＬ電流値を変化させ、発光時間を変化させることができる。従って、有機ＥＬ素子１２の通流電流値と発光時間との積を一定に保ち、所望の平均発光輝度を確保することができる。 On the other hand, the current detector 14 detects the EL current. For this reason, when the conduction current value of the organic EL element 12 changes due to a change in the use environment temperature of the organic EL element 12 or a change in the power supply voltage supplied from the power supply wiring 3 of the organic EL element driving transistor 13, The detector 14 controls the output pulse width of the PWM pulse generation circuit 16 according to the change. As a result, the EL current value flowing to the organic EL element 12 via the organic EL element driving transistor 13 can be changed, and the light emission time can be changed. Therefore, the product of the conduction current value of the organic EL element 12 and the light emission time can be kept constant, and a desired average light emission luminance can be ensured.

次に、上述の画像表示装置の下位概念的な構成を説明する。図２は、本発明の画像表示装置の下位概念を示す。図２で図１と同じ符号を付した箇所は同じ要素を示すため説明は省略する。図２において、符号１７はゲートが走査電極１と接続されドレインがデータ電極２と接続された行選択用トランジスタスイッチ（選択用薄膜トランジスタ）、１８は行選択用トランジスタスイッチ１７のソースと接続され、データ電極２を介して供給されたデータ電圧をメモリ電圧として充電しておくデータメモリ用コンデンサ（輝度データ記憶部）である。上述の説明および以下の説明では、行選択用トランジスタスイッチ１７のドレインがデータ電極２と接続されソースがデータメモリ用コンデンサ１８と接続されているものとするが、これとは逆に行選択用トランジスタスイッチ１７のソースがデータ電極２と接続されドレインがデータメモリ用コンデンサ１８と接続されていてもよいことは勿論である。 Next, a subordinate conceptual configuration of the above-described image display apparatus will be described. FIG. 2 shows a subordinate concept of the image display device of the present invention. In FIG. 2, the same reference numerals as those in FIG. In FIG. 2, reference numeral 17 denotes a row selection transistor switch (selection thin film transistor) whose gate is connected to the scanning electrode 1 and drain is connected to the data electrode 2, and 18 is connected to the source of the row selection transistor switch 17. This is a data memory capacitor (luminance data storage unit) for charging the data voltage supplied via the electrode 2 as a memory voltage. In the above description and the following description, it is assumed that the drain of the row selection transistor switch 17 is connected to the data electrode 2 and the source is connected to the data memory capacitor 18. Of course, the source of the switch 17 may be connected to the data electrode 2 and the drain may be connected to the data memory capacitor 18.

図２に示される画像表示装置では、有機ＥＬ素子１２、有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３および電流検出器１４の接続関係が図１に示される画像表示装置と異なっている。電流検出器１４は有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３のソースと陰極４との間に接続され、有機ＥＬ素子１２は有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３のドレインと陽極３との間に接続されている。有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３のゲートは行選択用トランジスタスイッチ１７のソースおよびデータメモリ用コンデンサ１８と接続されている。符号１９はデータメモリ用コンデンサ１８と並列に接続され、電流検出器１４により制御されＥＬ電流に比例した電流を流す電流源、３１は有機ＥＬ素子駆動回路（ＴＦＴ回路）であり、当該ＴＦＴ回路３１の外に有機ＥＬ素子１２があって、有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３と直列に接続されている。 In the image display device shown in FIG. 2, the connection relationship between the organic EL element 12, the organic EL element driving transistor 13, and the current detector 14 is different from that in the image display device shown in FIG. The current detector 14 is connected between the source of the organic EL element driving transistor 13 and the cathode 4, and the organic EL element 12 is connected between the drain of the organic EL element driving transistor 13 and the anode 3. The gate of the organic EL element driving transistor 13 is connected to the source of the row selection transistor switch 17 and the data memory capacitor 18. Reference numeral 19 denotes a current source connected in parallel with the data memory capacitor 18 and controls the current detector 14 to flow a current proportional to the EL current. Reference numeral 31 denotes an organic EL element driving circuit (TFT circuit). In addition, there is an organic EL element 12 connected in series with an organic EL element driving transistor 13.

次に、図２に示される有機ＥＬ素子駆動回路３１の動作概要について説明する。走査電極１に走査電圧が印加されると、行選択用トランジスタスイッチ１７のゲートにこの走査電圧が印加されるため、行選択用トランジスタスイッチ１７がＯＮ状態（導通状態）となる。ここで、データドライバ（不図示）からデータ電極２にデータ電圧が印加されると、行選択用トランジスタスイッチ１７はＯＮ状態であるため、ドレインからソースを介して信号電圧サンプリングコンデンサ１８へ電流が流れる。この電流により、データメモリ用コンデンサ１８はその電圧が発光輝度に応じた電圧（メモリ電圧）になるように充電される。このメモリ電圧が有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３のゲートに印加されるため、メモリ電圧値を基準として有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３のＯＮ／ＯＦＦ状態が制御される。有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３がＯＮ状態の場合、電源配線３から有機ＥＬ素子１２、有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３を介して陰極４へＥＬ電流が流れて発光することになる。 Next, an outline of the operation of the organic EL element driving circuit 31 shown in FIG. 2 will be described. When the scanning voltage is applied to the scanning electrode 1, the scanning voltage is applied to the gate of the row selection transistor switch 17, so that the row selection transistor switch 17 is turned on (conductive state). Here, when a data voltage is applied to the data electrode 2 from a data driver (not shown), the row selection transistor switch 17 is in an ON state, so that a current flows from the drain to the signal voltage sampling capacitor 18 via the source. . With this current, the data memory capacitor 18 is charged so that its voltage becomes a voltage (memory voltage) corresponding to the light emission luminance. Since this memory voltage is applied to the gate of the organic EL element driving transistor 13, the ON / OFF state of the organic EL element driving transistor 13 is controlled based on the memory voltage value. When the organic EL element driving transistor 13 is in the ON state, an EL current flows from the power supply wiring 3 to the cathode 4 via the organic EL element 12 and the organic EL element driving transistor 13 to emit light.

一方、電流検出器１４は上記ＥＬ電流を検出している。このため、有機ＥＬ素子１２の使用環境温度の変化または有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３の電源配線３から供給される電源電圧の変動により、有機ＥＬ素子１２の通流電流値が変化した場合、電流検出器１４はその変化に応じて電流源１９に流れる電流を制御する。この結果、行が選択されていない時、ＥＬ電流に比例した電流でデータメモリ用コンデンサ１８を放電させるため、データメモリ用コンデンサ１８の放電時間を変化させることができ、発光時間を変化させることができる。従って、有機ＥＬ素子１２の通流電流値と発光時間との積を一定に保ち、所望の平均発光輝度を確保することができる。 On the other hand, the current detector 14 detects the EL current. For this reason, when the conduction current value of the organic EL element 12 changes due to a change in the use environment temperature of the organic EL element 12 or a change in the power supply voltage supplied from the power supply wiring 3 of the organic EL element driving transistor 13, The detector 14 controls the current flowing through the current source 19 according to the change. As a result, when no row is selected, the data memory capacitor 18 is discharged with a current proportional to the EL current. Therefore, the discharge time of the data memory capacitor 18 can be changed, and the light emission time can be changed. it can. Therefore, the product of the conduction current value of the organic EL element 12 and the light emission time can be kept constant, and a desired average light emission luminance can be ensured.

以下、本発明の概要および各実施例について図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, the outline of the present invention and each embodiment will be described in detail with reference to the drawings.

図３は、本発明の画像表示装置の実施例を示す。図３に示される画像表示装置の構成は基本的に図２に示された画像表示装置の構成と同様であるため、各要素の接続関係の説明は省略し、図２と同じ符号を付した要素に関する説明も省略する。図３に示される画像表示装置が図２に示された画像表示装置と異なる点は、電流検出器１４として有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３のソースと陰極４との間に接続され、ＥＬ電流をモニタするために用いる電流検出用シャント（shunt）抵抗２０を用いる点と、電流源１９としてドレインが行選択用トランジスタスイッチ１７のソースと接続され、ゲートが電流検出用シャント抵抗２０に接続された、データメモリ用コンデンサ１８の放電用トランジスタ２１（放電用薄膜トランジスタ）を用いる点とにある。符号３２は有機ＥＬ素子駆動回路（ＴＦＴ回路）であり、当該ＴＦＴ回路３２の外に有機ＥＬ素子１２があって、有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３と直列に接続されている。 FIG. 3 shows an embodiment of the image display device of the present invention. The configuration of the image display device shown in FIG. 3 is basically the same as the configuration of the image display device shown in FIG. 2, so the description of the connection relationship of each element is omitted and the same reference numerals as in FIG. A description of the elements is also omitted. The image display device shown in FIG. 3 is different from the image display device shown in FIG. 2 in that the current detector 14 is connected between the source of the organic EL element driving transistor 13 and the cathode 4, and the EL current is supplied. A current detection shunt resistor 20 used for monitoring, a drain as the current source 19 is connected to the source of the row selection transistor switch 17, and a gate is connected to the current detection shunt resistor 20. The discharge transistor 21 (discharge thin film transistor) of the data memory capacitor 18 is used. Reference numeral 32 denotes an organic EL element driving circuit (TFT circuit). The organic EL element 12 is outside the TFT circuit 32 and is connected in series with the organic EL element driving transistor 13.

次に、図３に示される有機ＥＬ素子駆動回路３２の動作概要について説明する。図４は図３に示される有機ＥＬ素子駆動回路３２の波形図を示す。図４の（Ａ）はデータ電極２に印加されるデータ電圧（行毎の輝度データ）、（Ｂ）は走査電極１に印加される走査電圧（行選択信号）、（Ｃ）はデータメモリ用コンデンサ１８の電圧、（Ｄ）は有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３がＯＮ状態となる閾値電圧であり、破線は（Ｃ）のデータメモリ用コンデンサ１８の電圧、（Ｅ）は有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３のＯＮ信号、（Ｆ）は有機ＥＬ素子１２の電流（ＥＬ電流）、（Ｇ）は式１で示される有機ＥＬ素子１２の平均発光輝度Ｌである。 Next, an outline of the operation of the organic EL element driving circuit 32 shown in FIG. 3 will be described. FIG. 4 shows a waveform diagram of the organic EL element driving circuit 32 shown in FIG. 4A is a data voltage applied to the data electrode 2 (luminance data for each row), FIG. 4B is a scan voltage applied to the scan electrode 1 (row selection signal), and FIG. 4C is for data memory. The voltage of the capacitor 18, (D) is the threshold voltage at which the organic EL element driving transistor 13 is turned on, the broken line is the voltage of the data memory capacitor 18 of (C), and (E) is the organic EL element driving transistor. 13 is an ON signal, (F) is a current (EL current) of the organic EL element 12, and (G) is an average light emission luminance L of the organic EL element 12 represented by Formula 1.

図４の（Ｂ）に示されるように、時刻ｔ０からｔ１において走査ドライバ（不図示）から走査電極１に走査電圧が印加されると、行選択用トランジスタスイッチ１７のゲートにこの走査電圧が印加されるため、行選択用トランジスタスイッチ１７がＯＮ状態（導通状態）となる。ここで図４の（Ａ）に示されるように、時刻ｔ０からｔ１においてデータドライバ（不図示）からデータ電極２にデータ電圧が印加されると、行選択用トランジスタスイッチ１７はＯＮ状態であるため、行選択用トランジスタスイッチ１７のドレインからソースを介してデータメモリ用コンデンサ１８へ電流が流れる。この電流により、図４の（Ｃ）に示されるようにデータメモリ用コンデンサ１８はその電圧が発光輝度に応じた電圧（メモリ電圧）になるように充電される。このデータメモリ用コンデンサ１８の電圧が有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３のゲートに印加される。図４の（Ｄ）に示されるように時刻ｔ０からｔ２までの間、データメモリ用コンデンサ１８の電圧は閾値電圧より高いため、図４の（Ｅ）に示されるように有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３がＯＮ状態となる。有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３がＯＮ状態の場合（時刻ｔ０からｔ２の間）、図４の（Ｆ）に示されるように有機ＥＬ素子１２へＥＬ電流が流れて発光することになる。発光時間Ｔａはｔ２−ｔ０となる。図４の（Ｆ）に示されるように、時刻ｔ０からｔ３までがＰＷＭ周期Ｔｐであるためデューティー比ＤはＴａ／Ｔｐとなり、式１で示される平均発光輝度Ｌは図４の（Ｇ）に示されるようになる。以上の操作により、データ電圧（輝度データ）に応じたデューティー比Ｄで有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３がＯＮ状態となり、これにより有機ＥＬ素子１２の平均発光輝度Ｌを制御することができる。時刻ｔ４、ｔ５以降については同様であるため省略する。 As shown in FIG. 4B, when a scan voltage is applied to the scan electrode 1 from a scan driver (not shown) from time t0 to t1, this scan voltage is applied to the gate of the row selection transistor switch 17. Therefore, the row selection transistor switch 17 is turned on (conductive state). Here, as shown in FIG. 4A, when a data voltage is applied from the data driver (not shown) to the data electrode 2 from time t0 to t1, the row selection transistor switch 17 is in the ON state. A current flows from the drain of the row selection transistor switch 17 to the data memory capacitor 18 through the source. With this current, as shown in FIG. 4C, the data memory capacitor 18 is charged so that its voltage becomes a voltage (memory voltage) corresponding to the light emission luminance. The voltage of the data memory capacitor 18 is applied to the gate of the organic EL element driving transistor 13. As shown in FIG. 4D, since the voltage of the data memory capacitor 18 is higher than the threshold voltage from time t0 to time t2, the organic EL element driving transistor is shown in FIG. 13 is turned on. When the organic EL element driving transistor 13 is in the ON state (between times t0 and t2), an EL current flows to the organic EL element 12 to emit light as shown in FIG. The light emission time Ta is t2-t0. As shown in FIG. 4F, the duty ratio D becomes Ta / Tp since the time t0 to t3 is the PWM cycle Tp, and the average light emission luminance L shown in Expression 1 is shown in FIG. As shown. By the above operation, the organic EL element driving transistor 13 is turned on with the duty ratio D corresponding to the data voltage (brightness data), whereby the average light emission luminance L of the organic EL element 12 can be controlled. Since it is the same about time t4 and after t5, it abbreviate | omits.

一方、有機ＥＬ素子１２にＥＬ電流が流れると、電流検出用シャント抵抗２０に電圧降下が生じる。この電圧降下分の電圧はデータメモリ用コンデンサ１８の放電用トランジスタ２１のゲートに入力されるため、ＥＬ電流に応じた電流でデータメモリ用コンデンサ１８を放電させることができる。図４の（Ｄ）および（Ｅ）に示されるように、データメモリ用コンデンサ１８の電圧が閾値電圧以下になると有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３はＯＦＦ状態となる。有機ＥＬ素子１２の使用環境温度の変化または有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３の電源配線３から供給される電源電圧の変動により、有機ＥＬ素子１２の通流電流値が変化した場合、電流検出用シャント抵抗２０の電圧降下が変化する。このため、放電用トランジスタ２１のゲートに入力される電圧が変化し、変化したＥＬ電流に応じた電流でデータメモリ用コンデンサ１８を放電させることができる。この結果、行が選択されていない時、ＥＬ電流に比例した電流でデータメモリ用コンデンサ１８を放電させるため、データメモリ用コンデンサ１８の放電時間を変化させることができ、発光時間Ｔａを変化させることができる。従って、有機ＥＬ素子１２の通流電流値Ｉと発光時間Ｔａとの積を一定に保ち、所望の平均発光輝度Ｌを確保することができる。 On the other hand, when an EL current flows through the organic EL element 12, a voltage drop occurs in the current detecting shunt resistor 20. Since the voltage drop is input to the gate of the discharging transistor 21 of the data memory capacitor 18, the data memory capacitor 18 can be discharged with a current corresponding to the EL current. As shown in FIGS. 4D and 4E, when the voltage of the data memory capacitor 18 becomes equal to or lower than the threshold voltage, the organic EL element driving transistor 13 is turned off. When the current flowing through the organic EL element 12 changes due to a change in the operating environment temperature of the organic EL element 12 or a change in the power supply voltage supplied from the power supply wiring 3 of the transistor 13 for driving the organic EL element 13, a current detecting shunt The voltage drop across the resistor 20 changes. Therefore, the voltage input to the gate of the discharge transistor 21 changes, and the data memory capacitor 18 can be discharged with a current corresponding to the changed EL current. As a result, when no row is selected, the data memory capacitor 18 is discharged with a current proportional to the EL current, so that the discharge time of the data memory capacitor 18 can be changed and the light emission time Ta can be changed. Can do. Therefore, the product of the conduction current value I of the organic EL element 12 and the light emission time Ta can be kept constant, and a desired average light emission luminance L can be ensured.

以上より、本発明の実施例１によれば、ゲートが走査電極１と接続されドレインがデータ電極２と接続された行選択用トランジスタスイッチ１７と、行選択用トランジスタスイッチ１７のソースと接続され、データ電極２を介して供給されたデータ電圧をメモリ電圧として充電しておくデータメモリ用コンデンサ１８と、有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３のソースと陰極４との間に接続され、ＥＬ電流をモニタするために用いる電流検出用シャント抵抗２０と、ドレインが行選択用トランジスタスイッチ１７のソースと接続され、ゲートが電流検出用シャント抵抗２０に接続された、データメモリ用コンデンサ１８の放電用トランジスタ２１と、ゲートが行選択用トランジスタスイッチ１７のソースと接続され、ソースが電流検出用シャント抵抗２０に接続された有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３とを備えた有機ＥＬ素子駆動回路３２により、カソードが有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３のドレインと接続されアノードが陽極３と接続された有機ＥＬ素子１２を駆動する。有機ＥＬ素子１２にＥＬ電流が流れると、電流検出用シャント抵抗２０に電圧降下が生じる。この電圧降下分の電圧はデータメモリ用コンデンサ１８の放電用トランジスタ２１のゲートに入力されるため、ＥＬ電流に応じた電流でデータメモリ用コンデンサ１８を放電させることができる。有機ＥＬ素子１２の使用環境温度の変化または有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３の電源配線３から供給される電源電圧の変動により、有機ＥＬ素子１２の通流電流値が変化した場合、電流検出用シャント抵抗２０の電圧降下が変化する。このため、放電用トランジスタ２１のゲートに入力される電圧が変化し、変化したＥＬ電流に応じた電流でデータメモリ用コンデンサ１８を放電させることができる。この結果、行が選択されていない時、ＥＬ電流に比例した電流でデータメモリ用コンデンサ１８を放電させるため、データメモリ用コンデンサ１８の放電時間を変化させることができ、発光時間Ｔａを変化させることができる。従って、有機ＥＬ素子１２の通流電流値Ｉと発光時間Ｔａとの積を一定に保ち、所望の平均発光輝度Ｌを確保することができる。 As described above, according to the first embodiment of the present invention, the row selection transistor switch 17 having the gate connected to the scan electrode 1 and the drain connected to the data electrode 2 is connected to the source of the row selection transistor switch 17. Connected between a data memory capacitor 18 for charging a data voltage supplied via the data electrode 2 as a memory voltage, and the source of the organic EL element driving transistor 13 and the cathode 4 to monitor the EL current. A discharge transistor 21 of the data memory capacitor 18 having a drain connected to the source of the row selection transistor switch 17 and a gate connected to the current detection shunt resistor 20; The gate is connected to the source of the row selection transistor switch 17, and the source is connected to the current detection switch. An organic EL element driving circuit 32 including an organic EL element driving transistor 13 connected to the resistor 20, and an organic EL having a cathode connected to the drain of the organic EL element driving transistor 13 and an anode connected to the anode 3. The element 12 is driven. When an EL current flows through the organic EL element 12, a voltage drop occurs in the current detecting shunt resistor 20. Since the voltage drop is input to the gate of the discharging transistor 21 of the data memory capacitor 18, the data memory capacitor 18 can be discharged with a current corresponding to the EL current. When the current flowing through the organic EL element 12 changes due to a change in the operating environment temperature of the organic EL element 12 or a change in the power supply voltage supplied from the power supply wiring 3 of the transistor 13 for driving the organic EL element 13, a current detecting shunt The voltage drop across the resistor 20 changes. Therefore, the voltage input to the gate of the discharge transistor 21 changes, and the data memory capacitor 18 can be discharged with a current corresponding to the changed EL current. As a result, when no row is selected, the data memory capacitor 18 is discharged with a current proportional to the EL current, so that the discharge time of the data memory capacitor 18 can be changed and the light emission time Ta can be changed. Can do. Therefore, the product of the conduction current value I of the organic EL element 12 and the light emission time Ta can be kept constant, and a desired average light emission luminance L can be ensured.

図５は、本発明の画像表示装置の他の実施例を示す。図５に示される画像表示装置の構成は基本的に図３に示された画像表示装置の構成と同様であるため、各要素の接続関係の説明は省略し、図３と同じ符号を付した要素に関する説明も省略する。図５に示される有機ＥＬ素子駆動回路３３が図３に示された有機ＥＬ素子駆動回路３２と異なる点は、以下の２点である。 FIG. 5 shows another embodiment of the image display device of the present invention. Since the configuration of the image display device shown in FIG. 5 is basically the same as the configuration of the image display device shown in FIG. 3, the description of the connection relationship of each element is omitted, and the same reference numerals as those in FIG. A description of the elements is also omitted. The organic EL element drive circuit 33 shown in FIG. 5 is different from the organic EL element drive circuit 32 shown in FIG. 3 in the following two points.

１．ＥＬ電流の検出のために、電流検出用シャント抵抗２０の代わりにトランジスタ２２を用いたカレントミラー回路を適用した点。
２．データメモリ用コンデンサ１８と有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３との間に、波形整形用のヒステリシスコンパレータ２４を設置した点。 1. A current mirror circuit using a transistor 22 in place of the current detection shunt resistor 20 is applied to detect the EL current.
2. A hysteresis comparator 24 for waveform shaping is provided between the data memory capacitor 18 and the organic EL element driving transistor 13.

上述の１のカレントミラー回路の適用により、以下のようになる。図５に示されるように、有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３からトランジスタ２２へ流れる電流をＩｄ１、トランジスタ２２から陰極４へ流れる電流をＩｓ１、行選択用トランジスタスイッチ１７から放電用トランジスタ２１へ流れる電流をＩｄ２、放電用トランジスタ２１から陰極４へ流れる電流をＩｓ２、放電用トランジスタ２１のゲートへ流れる電流をＩｇ２とすると、Ｉｓ１＝Ｉｓ２であるため、Ｉｄ２＝Ｉｄ１−２×Ｉｇ２となる。従って、ＥＬ電流の変化を検出することができ、ＥＬ電流に比例した電流でデータメモリ用コンデンサ１８を放電させることができる。 The application of the above-described current mirror circuit 1 results in the following. As shown in FIG. 5, the current flowing from the organic EL element driving transistor 13 to the transistor 22 is Id1, the current flowing from the transistor 22 to the cathode 4 is Is1, and the current flowing from the row selection transistor switch 17 to the discharging transistor 21 is If Id2, the current flowing from the discharge transistor 21 to the cathode 4 is Is2, and the current flowing to the gate of the discharge transistor 21 is Ig2, Is1 = Is2, and therefore, Id2 = Id1-2 × Ig2. Therefore, a change in the EL current can be detected, and the data memory capacitor 18 can be discharged with a current proportional to the EL current.

上述の２のヒステリシスコンパレータ２４の入力信号は、基準電圧配線５から供給されコンデンサ２３に充電された基準電圧とデータメモリ用コンデンサ１８の電圧との２つである。図４の（Ｅ）に示されるように、データメモリ用コンデンサ１８の電圧にノイズが重畳している等のような場合、当該電圧が閾値電圧付近である時（時刻ｔ２）に、有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３のＯＮ／ＯＦＦ状態が不安定となりチャタリングを起こす可能性がある。さらに、有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３の閾値電圧の変動は、有機ＥＬ素子１２の発光時間を変化させるためデューティー比に影響することとなる。ヒステリシスコンパレータ２４はこれらのような現象を防止するために設置されたコンパレータである。 The above two input signals to the hysteresis comparator 24 are the reference voltage supplied from the reference voltage wiring 5 and charged in the capacitor 23 and the voltage of the data memory capacitor 18. As shown in FIG. 4E, in the case where noise is superimposed on the voltage of the data memory capacitor 18, when the voltage is near the threshold voltage (time t2), the organic EL element There is a possibility that the ON / OFF state of the driving transistor 13 becomes unstable and chattering occurs. Further, the fluctuation of the threshold voltage of the organic EL element driving transistor 13 changes the light emission time of the organic EL element 12 and thus affects the duty ratio. The hysteresis comparator 24 is a comparator installed to prevent such a phenomenon.

次に、図５に示される有機ＥＬ素子駆動回路３３の動作概要について説明する。図６は図５に示される有機ＥＬ素子駆動回路３３の波形図を示す。図６の（Ａ）はデータ電極２に印加されるデータ電圧（行毎の輝度データ）、（Ｂ）は走査電極１に印加される走査電圧（行選択信号）、（Ｃ）はデータメモリ用コンデンサ１８の電圧、（Ｄ）はヒステリシスコンパレータ２４がＯＮ状態となる基準ＤＣ電圧であり、破線は（Ｃ）のデータメモリ用コンデンサ１８の電圧、（Ｅ）はヒステリシスコンパレータ２４の出力電圧（有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３のＯＮ信号）、（Ｆ）は有機ＥＬ素子１２の電流（ＥＬ電流）、（Ｇ）は式１で示される有機ＥＬ素子１２の平均発光輝度Ｌである。 Next, an outline of the operation of the organic EL element drive circuit 33 shown in FIG. 5 will be described. FIG. 6 shows a waveform diagram of the organic EL element drive circuit 33 shown in FIG. 6A shows the data voltage applied to the data electrode 2 (luminance data for each row), FIG. 6B shows the scan voltage applied to the scan electrode 1 (row selection signal), and FIG. 6C shows the data memory use. The voltage of the capacitor 18, (D) is a reference DC voltage at which the hysteresis comparator 24 is turned on, the broken line is the voltage of the capacitor 18 for data memory (C), and (E) is the output voltage (organic EL) of the hysteresis comparator 24. ON signal of the element driving transistor 13), (F) is the current (EL current) of the organic EL element 12, and (G) is the average light emission luminance L of the organic EL element 12 expressed by Equation 1.

図６の（Ｂ）に示されるように、時刻ｔ０からｔ１において走査ドライバ（不図示）から走査電極１に走査電圧が印加されると、行選択用トランジスタスイッチ１７のゲートにこの走査電圧が印加されるため、行選択用トランジスタスイッチ１７がＯＮ状態（導通状態）となる。ここで図６の（Ａ）に示されるように、時刻ｔ０からｔ１においてデータドライバ（不図示）からデータ電極２にデータ電圧が印加されると、行選択用トランジスタスイッチ１７はＯＮ状態であるため、行選択用トランジスタスイッチ１７のドレインからソースを介してデータメモリ用コンデンサ１８へ電流が流れる。この電流により、図６の（Ｃ）に示されるようにデータメモリ用コンデンサ１８はその電圧が発光輝度に応じた電圧（メモリ電圧）になるように充電される。このデータメモリ用コンデンサ１８の電圧がヒステリシスコンパレータ２４の入力電圧の１つとなり、コンデンサ２３の基準電圧と比較した後のヒステリシスコンパレータ２４の出力電圧が有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３のゲートに印加される。図６の（Ｄ）に示されるように時刻ｔ０からｔ２までの間、データメモリ用コンデンサ１８の電圧は基準ＤＣ電圧より高いため、ヒステリシスコンパレータ２４は図６の（Ｅ）に示されるように高い電圧を出力する。この結果、有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３がＯＮ状態となり、図６の（Ｆ）に示されるように有機ＥＬ素子１２へＥＬ電流が流れて発光することになる。発光時間Ｔａはｔ２−ｔ０となる。図６の（Ｆ）に示されるように、時刻ｔ０からｔ３までがＰＷＭ周期Ｔｐであるためデューティー比ＤはＴａ／Ｔｐとなり、式１で示される平均発光輝度Ｌは図６の（Ｇ）に示されるようになる。以上の操作により、データ電圧（輝度データ）に応じたデューティー比Ｄで有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３がＯＮ状態となり、これにより有機ＥＬ素子１２の平均発光輝度Ｌを制御することができる。時刻ｔ４、ｔ５以降については同様であるため省略する。図６の（Ｄ）ないし（Ｆ）に示されるように、データメモリ用コンデンサ１８が放電していき、その電圧が基準電圧付近となった時（時刻ｔ２）でも、上述のようにヒステリシスコンパレータ２４により、有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３のＯＮ／ＯＦＦ状態が不安定となることはなくチャタリングを起こすこともない。 As shown in FIG. 6B, when a scan voltage is applied to the scan electrode 1 from a scan driver (not shown) from time t0 to time t1, this scan voltage is applied to the gate of the row selection transistor switch 17. Therefore, the row selection transistor switch 17 is turned on (conductive state). Here, as shown in FIG. 6A, when a data voltage is applied from the data driver (not shown) to the data electrode 2 from time t0 to t1, the row selection transistor switch 17 is in the ON state. A current flows from the drain of the row selection transistor switch 17 to the data memory capacitor 18 through the source. With this current, as shown in FIG. 6C, the data memory capacitor 18 is charged so that its voltage becomes a voltage (memory voltage) corresponding to the light emission luminance. The voltage of the data memory capacitor 18 becomes one of the input voltages of the hysteresis comparator 24, and the output voltage of the hysteresis comparator 24 after being compared with the reference voltage of the capacitor 23 is applied to the gate of the organic EL element driving transistor 13. . Since the voltage of the data memory capacitor 18 is higher than the reference DC voltage from time t0 to time t2 as shown in FIG. 6D, the hysteresis comparator 24 is high as shown in FIG. 6E. Output voltage. As a result, the organic EL element driving transistor 13 is turned on, and an EL current flows to the organic EL element 12 to emit light as shown in FIG. The light emission time Ta is t2-t0. As shown in FIG. 6F, the duty ratio D becomes Ta / Tp since the time t0 to t3 is the PWM cycle Tp, and the average light emission luminance L shown in Equation 1 is shown in FIG. As shown. By the above operation, the organic EL element driving transistor 13 is turned on with the duty ratio D corresponding to the data voltage (brightness data), whereby the average light emission luminance L of the organic EL element 12 can be controlled. Since it is the same about time t4 and after t5, it abbreviate | omits. As shown in FIGS. 6D to 6F, even when the data memory capacitor 18 is discharged and its voltage is close to the reference voltage (time t2), the hysteresis comparator 24 as described above. Therefore, the ON / OFF state of the organic EL element driving transistor 13 does not become unstable and chattering does not occur.

有機ＥＬ素子１２にＥＬ電流が流れると、上述のようにカレントミラー回路によりＥＬ電流と比例した電流Ｉｄ２がデータメモリ用コンデンサ１８の放電回路に流れる。このため、ＥＬ電流に応じた電流でデータメモリ用コンデンサ１８を放電させることができる。図６の（Ｄ）および（Ｅ）に示されるように、データメモリ用コンデンサ１８の電圧がヒステリシスコンパレータ２４の基準ＤＣ電圧以下になると有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３はＯＦＦ状態となる。有機ＥＬ素子１２の使用環境温度の変化または有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３の電源配線３から供給される電源電圧の変動により、有機ＥＬ素子１２の通流電流値が変化した場合、カレントミラー回路に流れる電流Ｉｄ１が変化する。この場合、上述のようにＥＬ電流と比例した電流Ｉｄ２がデータメモリ用コンデンサ１８の放電回路に流れるため、ＥＬ電流に応じた電流でデータメモリ用コンデンサ１８を放電させることができる。この結果、行が選択されていない時、ＥＬ電流に比例した電流でデータメモリ用コンデンサ１８を放電させるため、データメモリ用コンデンサ１８の放電時間を変化させることができ、発光時間Ｔａを変化させることができる。従って、有機ＥＬ素子１２の通流電流値Ｉと発光時間Ｔａとの積を一定に保ち、所望の平均発光輝度Ｌを確保することができる。 When an EL current flows through the organic EL element 12, a current Id2 proportional to the EL current flows through the discharge circuit of the data memory capacitor 18 by the current mirror circuit as described above. Therefore, the data memory capacitor 18 can be discharged with a current corresponding to the EL current. As shown in FIGS. 6D and 6E, when the voltage of the data memory capacitor 18 becomes equal to or lower than the reference DC voltage of the hysteresis comparator 24, the organic EL element driving transistor 13 is turned off. When the current value of the organic EL element 12 changes due to a change in the operating environment temperature of the organic EL element 12 or a change in the power supply voltage supplied from the power supply wiring 3 of the organic EL element driving transistor 13, the current mirror circuit The flowing current Id1 changes. In this case, since the current Id2 proportional to the EL current flows through the discharge circuit of the data memory capacitor 18 as described above, the data memory capacitor 18 can be discharged with a current corresponding to the EL current. As a result, when no row is selected, the data memory capacitor 18 is discharged with a current proportional to the EL current, so that the discharge time of the data memory capacitor 18 can be changed and the light emission time Ta can be changed. Can do. Therefore, the product of the conduction current value I of the organic EL element 12 and the light emission time Ta can be kept constant, and a desired average light emission luminance L can be ensured.

以上より、本発明の実施例２によれば、実施例１の回路に対してＥＬ電流の検出のため電流検出用シャント抵抗２１の代わりにトランジスタ２２を用いたカレントミラー回路を適用し、データメモリ用コンデンサ１８と有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３との間に波形整形用のヒステリシスコンパレータ２４を設置する。この結果、有機ＥＬ素子１２にＥＬ電流が流れると、カレントミラー回路によりＥＬ電流と比例した電流Ｉｄ２がデータメモリ用コンデンサ１８の放電回路に流れる。このため、実施例１と同様にＥＬ電流に応じた電流でデータメモリ用コンデンサ１８を放電させることができる。さらに実施例１と同様の効果に加えて、データメモリ用コンデンサ１８が放電していき、その電圧が基準電圧付近となった時（時刻ｔ２）でも、ヒステリシスコンパレータ２４を設置することにより、有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ１３のＯＮ／ＯＦＦ状態が不安定となることはなくチャタリングを起こすこともないという効果を得ることができる。 As described above, according to the second embodiment of the present invention, the current mirror circuit using the transistor 22 instead of the current detection shunt resistor 21 is applied to the circuit of the first embodiment to detect the EL current. Between the capacitor 18 and the organic EL element driving transistor 13, a waveform shaping hysteresis comparator 24 is provided. As a result, when an EL current flows through the organic EL element 12, a current Id2 proportional to the EL current flows through the discharge circuit of the data memory capacitor 18 by the current mirror circuit. Therefore, the data memory capacitor 18 can be discharged with a current corresponding to the EL current as in the first embodiment. Further, in addition to the same effects as those of the first embodiment, the organic memory EL 18 is provided by installing the hysteresis comparator 24 even when the data memory capacitor 18 is discharged and the voltage becomes near the reference voltage (time t2). It is possible to obtain an effect that the ON / OFF state of the element driving transistor 13 does not become unstable and chattering does not occur.

本発明の活用例として、有機ＥＬディスプレイに代表される電流駆動型ＦＰＤにおける駆動回路への適用が挙げられる。 As an application example of the present invention, application to a drive circuit in a current drive type FPD typified by an organic EL display can be mentioned.

本発明の画像表示装置の概念を示す図である。It is a figure which shows the concept of the image display apparatus of this invention. 本発明の画像表示装置の下位概念を示す図である。It is a figure which shows the low-order concept of the image display apparatus of this invention. 本発明の画像表示装置の実施例を示す図である。It is a figure which shows the Example of the image display apparatus of this invention. 図３に示される有機ＥＬ素子駆動回路３２の波形図である。FIG. 4 is a waveform diagram of the organic EL element driving circuit 32 shown in FIG. 3. 本発明の画像表示装置の他の実施例を示す図である。It is a figure which shows the other Example of the image display apparatus of this invention. 図５に示される有機ＥＬ素子駆動回路３３の波形図である。FIG. 6 is a waveform diagram of the organic EL element driving circuit 33 shown in FIG. 5. 有機ＥＬディスプレイの構成要素である典型的な有機ＥＬの全体構造を示す図である。It is a figure which shows the whole structure of typical organic EL which is a component of an organic EL display. 図７（Ａ）の有機ＥＬ素子１２の構造を示す図である。It is a figure which shows the structure of the organic EL element 12 of FIG. 7 (A). 有機ＥＬ素子１２の電圧−電流特性を示す図である。3 is a diagram showing voltage-current characteristics of an organic EL element 12. FIG. 有機ＥＬ素子１２を駆動する従来の駆動回路を示す図である。It is a figure which shows the conventional drive circuit which drives the organic EL element. 特許文献１に記載された従来の駆動回路を示す図である。It is a figure which shows the conventional drive circuit described in patent document 1. FIG. 特許文献１に記載された従来の駆動回路の波形図である。It is a wave form diagram of the conventional drive circuit described in patent document 1. FIG.

Explanation of symbols

１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ走査電極（走査配線）、２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄデータ電極（信号配線）、３陽極（電源配線）、４陰極、５，６基準電圧配線、７ガラス基板、１１ａｅ，１１ｂａ、１１ｂｂ，１１ｂｄ，１１ｂｄ，１１ｂｅ駆動回路、１２，１２ａｅ，１２ｂａ、１２ｂｂ，１２ｂｄ，１２ｂｄ，１２ｂｅ有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）、１３有機ＥＬ素子駆動用トランジスタ（ＯＬＥＤドライバトランジスタ）、１４電流検出器、１５選択用スイッチ、１６ＰＷＭパルス発生回路、１７行選択用トランジスタスイッチ（信号サンプリングＴＦＴ）、１８データメモリ用コンデンサ（信号電圧サンプリングコンデンサ）、１９電流源、２０電流検出用シャント抵抗、２１放電用トランジスタ２１、２２トランジスタ、２３コンデンサ、２４ヒステリシスコンパレータ、２５コンパレータ、３０，３１，３２，３３，３４有機ＥＬ素子駆動回路（ＯＬＥＤ駆動回路）、５１走査ドライバ、５２データドライバ、５３ＰＷＭ搬送波発生回路、１０１電子注入層、１０２電子輸送層、１０３発光層、１０４ホール輸送層、１０５ホール注入層。
1, 1a, 1b, 1c, 1d Scan electrode (scan wiring), 2, 2a, 2b, 2c, 2d Data electrode (signal wiring), 3 Anode (power supply wiring), 4 Cathode, 5, 6 Reference voltage wiring, 7 Glass substrate, 11ae, 11ba, 11bb, 11bd, 11bd, 11be driving circuit, 12, 12ae, 12ba, 12bb, 12bd, 12bd, 12be organic EL element (OLED), 13 organic EL element driving transistor (OLED driver transistor), Reference Signs List 14 current detector, 15 selection switch, 16 PWM pulse generation circuit, 17 row selection transistor switch (signal sampling TFT), 18 data memory capacitor (signal voltage sampling capacitor), 19 current source, 20 current detection shunt resistor , 21 Discharging transistors 21, 22 Transistor, 23 capacitor, 24 hysteresis comparator, 25 comparator, 30, 31, 32, 33, 34 organic EL element drive circuit (OLED drive circuit), 51 scan driver, 52 data driver, 53 PWM carrier wave generation circuit, 101 electron injection layer , 102 electron transport layer, 103 light emitting layer, 104 hole transport layer, 105 hole injection layer.

Claims

An active matrix image display device having a drive circuit for driving the pixel for each pixel, the drive circuit comprising:
A switch unit that is connected to a scanning electrode that selects a pixel and a data electrode that supplies luminance data of the pixel, and that outputs luminance data supplied from the data electrode when the pixel is selected by the scanning electrode;
An organic EL element driving transistor for driving the organic EL element;
A current detection unit that is connected to the organic EL element driving transistor and detects a current flowing through the pixel when the pixel is energized;
The organic EL element driving transistor is connected to the switch unit, the organic EL element driving transistor, and the current detection unit, and based on the luminance data output from the switching unit and the current detected by the current detection unit. A control unit for controlling the operation,
When the current detection unit detects a change in the current value flowing through the pixel, the control unit controls the operation of the organic EL element driving transistor based on the changed current value to adjust the energization time to the pixel. An image display device characterized by the above.

The image display device according to claim 1,
The switch unit is a selection thin film transistor in which a gate is connected to a scan electrode, either a drain or a source is connected to a data electrode, and the other is connected to a gate of the organic EL element driving transistor. Yes,
The control unit is connected to a source of the thin film transistor for selection and stores a luminance data storage unit that stores luminance data, and is connected in parallel with the luminance data storage unit to flow a current corresponding to the current detected by the current detection unit. An image display device comprising a current source.

3. The image display device according to claim 2, wherein the current detection unit is a shunt resistor for current detection, the luminance data storage unit is a capacitor, and the current source has a gate connected to the shunt resistor and discharge of the capacitor. An image display device comprising a discharge thin film transistor for controlling current.

The image display device according to claim 2, wherein the current detection unit is configured by a current mirror circuit, the luminance data storage unit is a capacitor, and includes a source of the selection thin film transistor and a gate of the organic EL element driving transistor. An image display device further comprising a hysteresis comparator connected therebetween.