JP2005259767A - Semiconductor manufacturing system - Google Patents

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Kentaro Matsunaga
健太郎 松永
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor manufacturing system that can improve the uniformity of the dimensions of resist patterns among wafers, by fixing wafer pulling and placing time, after exposure. <P>SOLUTION: The semiconductor manufacturing system generates exposure end time data, based on the exposing condition data read from a storage device 73 by means of the exposure end time data generating means 71 of an exposure system 70. Then the system transmits the generated exposure end time data to a coating and development device 20 by means of an exposure end time data transmitting means 72. In addition, the system temporarily stops a wafer transfer cycle, by means of a transfer cycle temporarily stop means 22, based on the exposure end time data received by a means of an exposure end time data receiving means 21; and, at the same time, causes a transfer device to stand by, in matching with the transfer of wafers from the exposure system 70. After the exposed wafer is transferred to a heating and cooling unit, the system resumes the temporarily stopped wafer transfer cycle, by means of a wafer transfer cycle resuming means 23. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、塗布現像装置と露光装置とを有する半導体製造システムに係り、特に露光後の引き置き時間の制御に関する。   The present invention relates to a semiconductor manufacturing system having a coating and developing apparatus and an exposure apparatus, and more particularly to control of a holding time after exposure.

半導体デバイス製造過程のリソグラフィ工程において、塗布現像装置と露光装置とを有する半導体製造システムが用いられている(例えば、特許文献1参照。)。   In a lithography process of a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor manufacturing system having a coating and developing apparatus and an exposure apparatus is used (for example, refer to Patent Document 1).

レジストパターンの微細化に伴って、パターン寸法の面内均一性の向上と、ウェハ間の寸法均一性の向上とが要求されている。
パターン寸法の面内均一性を向上させるには、レジストや反射防止膜の塗布膜厚の均一性、レジスト塗布後のベークや露光後のベーク(PEB)に使用する熱板の均一性、現像液やリンス液の吐出均一性を向上させる方法が挙げられる。
Along with the miniaturization of the resist pattern, it is required to improve the in-plane uniformity of pattern dimensions and the dimensional uniformity between wafers.
In order to improve in-plane uniformity of pattern dimensions, uniformity of coating thickness of resist and antireflection film, uniformity of hot plate used for baking after resist coating and baking after exposure (PEB), developer And a method of improving the discharge uniformity of the rinsing liquid.

ウェハ間の寸法均一性を向上させるには、熱板の加熱ユニット間の均一性、塗布現像ユニット間の均一性、冷却板の冷却ユニット間の均一性等、同一プロセスに使用される複数のユニット間の性能差を小さくする方法が挙げられる。   Multiple units used in the same process, such as uniformity between heating plate heating units, uniformity between coating and developing units, uniformity between cooling plate cooling units, etc. to improve dimensional uniformity between wafers A method for reducing the performance difference between them is mentioned.

さらに、ウェハ間の寸法均一性を向上させるため、露光後のウェハの引き置き時間(post exposure delay、以下「PED」という。)を一定にする方法がある。PEDを一定にするため、同一プロセスに使用される各ユニット内に留まる時間(サイクルタイム)を一定にする方法がある。この方法では、最も長い処理時間TであるユニットAを基準として、ユニットAよりも短い処理時間TであるユニットBにおいて、処理後に滞留時間Tだけ余分に滞留させる。すなわち、T=T+Tの関係が得られる。
塗布現像装置内のユニットに限られず、露光装置も1つのユニットと考えられる。よって、PEDを一定にするため、露光装置のサイクルタイムを一定にする必要がある。
Further, in order to improve the dimensional uniformity between wafers, there is a method of making the wafer exposure time (post exposure delay, hereinafter referred to as “PED”) after exposure constant. In order to make the PED constant, there is a method of making the time (cycle time) remaining in each unit used in the same process constant. In this method, the unit A having the longest processing time T A is used as a reference, and in the unit B having the processing time TB shorter than the unit A, an extra dwell time T W is retained after the processing. That is, the relationship T A = T B + T W is obtained.
The exposure apparatus is also considered as one unit, not limited to the unit in the coating and developing apparatus. Therefore, in order to make PED constant, it is necessary to make the cycle time of the exposure apparatus constant.

特開2003−77820号公報(第6頁、図14)Japanese Patent Laying-Open No. 2003-77820 (6th page, FIG. 14)

しかしながら、露光前若しくは露光中に、レーザのガス交換やガス活性化(インジェクション)を行う場合や、アライメントに時間を要する場合には、サイクルタイムが一定にならない。
さらに、ロットの1枚目のウェハを露光する際には、2枚目以降のウェハを露光する際には行わない測定・補正が露光装置内で行われる。例えば、フォーカス位置の測定・補正、フォーカスセンサの明暗測定、フォーカスセンサのパターンオフセット測定、アライメントのベースライン測定、アライメント光学系のフォーカス補正等が挙げられる。この場合も、サイクルタイムが一定にならない。
このように露光装置においてはサイクルタイムが一定にすることが困難であり、露光終了時間が一定間隔にならない。
However, the cycle time is not constant when performing laser gas exchange or gas activation (injection) before or during exposure, or when alignment requires time.
Further, when the first wafer of the lot is exposed, measurement / correction that is not performed when the second and subsequent wafers are exposed is performed in the exposure apparatus. For example, focus position measurement / correction, focus sensor brightness / darkness measurement, focus sensor pattern offset measurement, alignment baseline measurement, alignment optical system focus correction, and the like. Also in this case, the cycle time is not constant.
Thus, in the exposure apparatus, it is difficult to make the cycle time constant, and the exposure end time does not become a constant interval.

ところで、塗布現像装置内のウェハ搬送サイクルは一定間隔で行われている。すなわち、塗布現像装置の搬送装置は、露光後のウェハを一定間隔で取りに行き、加熱ユニットに搬送する。よって、ウェハ搬送サイクルを、1枚目のウェハの露光処理時間TE1に合わせると、このTE1よりも短い露光処理時間TE2である2枚目以降のウェハは、加熱ユニットへの搬送開始まで露光装置内でTE1−TE2の時間だけ滞留してしまう。このため、1枚目のウェハと、2枚目以降のウェハとの間でPEDを一定にすることができないという問題があった。よって、ウェハ間のレジストパターン寸法の均一性が悪いという問題があった。 Incidentally, the wafer conveyance cycle in the coating and developing apparatus is performed at regular intervals. That is, the transport device of the coating and developing apparatus picks up the exposed wafer at regular intervals and transports it to the heating unit. Therefore, when the wafer transfer cycle is adjusted to the exposure processing time T E1 of the first wafer, the second and subsequent wafers whose exposure processing time T E2 is shorter than this T E1 are transferred until the start of transfer to the heating unit. It stays in the exposure apparatus for a period of T E1 -T E2 . Therefore, there is a problem that the PED cannot be made constant between the first wafer and the second and subsequent wafers. Therefore, there is a problem that the uniformity of resist pattern dimension between wafers is poor.

本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたもので、露光後のウェハ引き置き時間を一定にすることにより、ウェハ間のレジストパターン寸法の均一性を向上させることを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described conventional problems, and an object thereof is to improve the uniformity of resist pattern dimensions between wafers by making the wafer holding time after exposure constant.

本発明に係る半導体製造システムは、加熱ユニットを有する塗布現像装置と露光装置とが通信回線を介して接続されている半導体製造システムであって、
前記露光装置は、
露光条件データを記憶する記憶装置と、
該記憶装置から露光条件データを読み出し、該読み出した露光条件データに基づいて露光終了時間を推定して露光終了時間データを生成する露光終了時間データ生成手段と、
該露光終了時間データ生成手段により生成された露光終了時間データを前記塗布現像装置に対し前記通信回線を介して送信する露光終了時間データ送信手段とを備え、
前記塗布現像装置は、
前記露光装置の露光終了時間データ送信手段により送信された露光終了時間データを前記通信回線を介して受信する露光終了時間データ受信手段と、
該露光終了時間データ受信手段により受信された露光終了時間データに基づき、前記塗布現像装置内のウェハ搬送サイクルを一時停止すると共に、前記露光装置からのウェハ搬出に合わせて搬送機構を待機させる搬送サイクル一時停止手段と、
前記露光装置から搬出されたウェハを前記加熱ユニットに搬送した後、前記搬送サイクル一時停止手段により一時停止されたウェハ搬送サイクルを再開する搬送サイクル再開手段とを備えたことを特徴とするものである。
A semiconductor manufacturing system according to the present invention is a semiconductor manufacturing system in which a coating and developing apparatus having a heating unit and an exposure apparatus are connected via a communication line,
The exposure apparatus includes:
A storage device for storing exposure condition data;
Exposure end time data generating means for reading exposure condition data from the storage device, estimating an exposure end time based on the read exposure condition data, and generating exposure end time data;
Exposure end time data transmitting means for transmitting the exposure end time data generated by the exposure end time data generating means to the coating and developing apparatus via the communication line, and
The coating and developing apparatus includes:
Exposure end time data receiving means for receiving the exposure end time data transmitted by the exposure end time data transmitting means of the exposure apparatus via the communication line;
Based on the exposure end time data received by the exposure end time data receiving means, the transfer cycle for temporarily stopping the wafer transfer cycle in the coating and developing apparatus and waiting for the transfer mechanism in accordance with the wafer transfer from the exposure apparatus. A suspension means;
A transfer cycle restarting unit for restarting the wafer transfer cycle temporarily stopped by the transfer cycle temporary stop unit after transferring the wafer unloaded from the exposure apparatus to the heating unit; .

本発明に係る半導体製造システムは、加熱ユニットを有する塗布現像装置と露光装置とが通信回線を介して接続されている半導体製造システムであって、
前記塗布現像装置は、
前記塗布現像装置のウェハ搬送サイクルの搬送タイミングデータを記憶する記憶装置と、
該記憶装置から搬送タイミングデータを読み出し、該読み出した搬送タイミングデータを前記露光装置に対し前記通信回線を介して送信する搬送タイミングデータ送信手段と、
前記搬送タイミングデータに基づき、前記塗布現像装置内のウェハ搬送サイクルを制御する搬送サイクル制御手段とを備え、
前記露光装置は、
前記塗布現像装置の搬送タイミングデータ送信手段により送信された搬送タイミングデータを前記通信回線を介して受信する搬送タイミングデータ受信手段と、
該搬送タイミングデータ受信手段により受信された搬送タイミングデータに基づき、露光処理の開始時間を決定する露光開始時間決定手段とを備え、
前記搬送サイクル制御手段は、搬送タイミングデータに基づき、前記露光装置から搬出されたウェハが前記加熱ユニットに搬送することを特徴とするものである。
A semiconductor manufacturing system according to the present invention is a semiconductor manufacturing system in which a coating and developing apparatus having a heating unit and an exposure apparatus are connected via a communication line,
The coating and developing apparatus includes:
A storage device for storing transfer timing data of a wafer transfer cycle of the coating and developing apparatus;
Conveyance timing data transmitting means for reading conveyance timing data from the storage device and transmitting the read conveyance timing data to the exposure apparatus via the communication line;
A transport cycle control means for controlling a wafer transport cycle in the coating and developing apparatus based on the transport timing data;
The exposure apparatus includes:
Transport timing data receiving means for receiving the transport timing data transmitted by the transport timing data transmitting means of the coating and developing apparatus via the communication line;
Exposure start time determining means for determining the start time of exposure processing based on the transport timing data received by the transport timing data receiving means,
The transfer cycle control means transfers the wafer unloaded from the exposure apparatus to the heating unit based on transfer timing data.

本発明に係る半導体製造システムは、加熱ユニットを有する塗布現像装置と露光装置とが通信回線を介して接続されている半導体製造システムであって、
前記塗布現像装置は、
前記塗布現像装置のウェハ搬送サイクルの搬送タイミングデータを記憶する記憶装置と、
該記憶装置から搬送タイミングデータを読み出し、該読み出した搬送タイミングデータを前記露光装置に対し前記通信回線を介して送信する搬送タイミングデータ送信手段と、
前記搬送タイミングデータに基づき、前記塗布現像装置内のウェハ搬送サイクルを制御する搬送サイクル制御手段を備え、
前記露光装置は、
前記塗布現像装置の搬送タイミングデータ送信手段により送信された搬送タイミングデータを前記通信回線を介して受信する搬送タイミングデータ受信手段と、
該搬送タイミングデータ受信手段により受信された搬送タイミングデータに基づき、露光処理の開始時間を決定する露光開始時間決定手段と、
露光条件データを記憶する記憶装置と、
該記憶装置から露光条件データを読み出し、該読み出した露光条件データに基づいて露光終了時間を推定して露光終了時間データを生成する露光終了時間データ生成手段と、
該露光終了時間データ生成手段により生成された露光終了時間データを前記塗布現像装置に対し前記通信回線を介して送信する露光終了時間データ送信手段とを備え、
前記塗布現像装置の前記搬送サイクル制御手段は、
前記露光終了時間データ送信手段により送信された露光終了時間データを前記通信回線を介して受信する露光終了時間データ受信手段と、
前記露光終了時間データ受信手段により受信された露光終了時間データと搬送タイミングデータとが異なる場合に、前記塗布現像装置内のウェハ搬送サイクルを一時停止すると共に、前記露光装置からのウェハ搬出に合わせて搬送機構を待機させる搬送サイクル一時停止手段と、
前記露光装置から搬出されたウェハを前記加熱ユニットに搬送した後、前記搬送サイクル一時停止手段により一時停止されたウェハ搬送サイクルを再開する搬送サイクル再開手段とを備えたことを特徴とするものである。
A semiconductor manufacturing system according to the present invention is a semiconductor manufacturing system in which a coating and developing apparatus having a heating unit and an exposure apparatus are connected via a communication line,
The coating and developing apparatus includes:
A storage device for storing transfer timing data of a wafer transfer cycle of the coating and developing apparatus;
Conveyance timing data transmitting means for reading conveyance timing data from the storage device and transmitting the read conveyance timing data to the exposure apparatus via the communication line;
A transport cycle control means for controlling a wafer transport cycle in the coating and developing apparatus based on the transport timing data;
The exposure apparatus includes:
Transport timing data receiving means for receiving the transport timing data transmitted by the transport timing data transmitting means of the coating and developing apparatus via the communication line;
Exposure start time determining means for determining an exposure processing start time based on the transport timing data received by the transport timing data receiving means;
A storage device for storing exposure condition data;
Exposure end time data generating means for reading exposure condition data from the storage device, estimating an exposure end time based on the read exposure condition data, and generating exposure end time data;
Exposure end time data transmitting means for transmitting the exposure end time data generated by the exposure end time data generating means to the coating and developing apparatus via the communication line, and
The transport cycle control means of the coating and developing apparatus includes:
Exposure end time data receiving means for receiving the exposure end time data transmitted by the exposure end time data transmitting means via the communication line;
When the exposure end time data received by the exposure end time data receiving means is different from the transfer timing data, the wafer transfer cycle in the coating and developing apparatus is temporarily stopped and the wafer is transferred from the exposure apparatus. A transport cycle suspension means for waiting the transport mechanism;
A transfer cycle restarting unit for restarting the wafer transfer cycle temporarily stopped by the transfer cycle temporary stop unit after transferring the wafer unloaded from the exposure apparatus to the heating unit; .

本発明に係る半導体製造システムは、加熱ユニットを有する塗布現像装置と、露光装置と、該塗布現像装置及び露光装置と通信回線を介して接続されている制御装置とを有する半導体製造システムであって、
前記塗布現像装置は、前記塗布現像装置内のウェハ搬送サイクルを制御する搬送サイクル制御手段を備え、
前記露光装置は、
露光条件データを記憶する記憶装置と、
該記憶装置から露光条件を読み出し、該読み出した露光条件に基づいて露光終了時間を推定して露光終了時間データを生成する露光終了時間データ生成手段と、
該露光終了時間データ生成手段により生成された露光終了時間データを前記制御装置に対し前記通信回線を介して送信する露光終了時間データ送信手段とを備え、
前記制御装置は、
前記露光装置の露光終了時間データ送信手段により送信された露光終了時間データを前記通信回線を介して受信する露光終了時間データ受信手段と、
該露光終了時間データ受信手段により受信された露光終了時間データに基づき、前記塗布現像装置内のウェハ搬送サイクルを一時停止させると共に、前記露光装置からのウェハ搬出に合わせて搬送機構を待機させる搬送サイクル一時停止信号を、前記搬送サイクル制御手段に対し前記通信回線を介して送信する一時停止信号送信手段と、
前記露光装置から搬出されたウェハを前記加熱ユニットに搬送した後、前記搬送サイクル一時停止信号により一時停止されたウェハ搬送サイクルを再開する搬送サイクル再開信号を、前記搬送サイクル制御手段に対し前記通信回線を介して送信する再開信号送信手段とを備えたことを特徴とするものである。
A semiconductor manufacturing system according to the present invention is a semiconductor manufacturing system having a coating and developing apparatus having a heating unit, an exposure apparatus, and a control apparatus connected to the coating and developing apparatus and the exposure apparatus through a communication line. ,
The coating and developing apparatus includes a transfer cycle control unit that controls a wafer transfer cycle in the coating and developing apparatus,
The exposure apparatus includes:
A storage device for storing exposure condition data;
Exposure end time data generating means for reading exposure conditions from the storage device, estimating exposure end time based on the read exposure conditions, and generating exposure end time data;
Exposure end time data transmitting means for transmitting the exposure end time data generated by the exposure end time data generating means to the control device via the communication line;
The control device includes:
Exposure end time data receiving means for receiving the exposure end time data transmitted by the exposure end time data transmitting means of the exposure apparatus via the communication line;
Based on the exposure end time data received by the exposure end time data receiving means, the transfer cycle for temporarily stopping the wafer transfer cycle in the coating and developing apparatus and waiting for the transfer mechanism in accordance with the wafer transfer from the exposure apparatus. A temporary stop signal transmitting means for transmitting a temporary stop signal to the transport cycle control means via the communication line;
After the wafer unloaded from the exposure apparatus is transferred to the heating unit, a transfer cycle restart signal for restarting the wafer transfer cycle temporarily stopped by the transfer cycle pause signal is sent to the transfer cycle control means. And a resumption signal transmission means for transmitting via.

本発明に係る半導体製造システムは、加熱ユニットを有する塗布現像装置と、露光装置と、該塗布現像装置及び露光装置と通信回線を介して接続されている制御装置とを有する半導体製造システムであって、
前記塗布現像装置は、
前記塗布現像装置のウェハ搬送サイクルの搬送タイミングデータを記憶する記憶装置と、
該記憶装置から搬送タイミングデータを読み出し、該読み出した搬送タイミングデータを前記制御装置に対し前記通信回線を介して送信する搬送タイミングデータ送信手段と、
前記搬送タイミングデータに基づき、前記塗布現像装置内のウェハ搬送サイクルを制御する搬送サイクル制御手段とを備え、
前記制御装置は、
前記塗布現像装置の搬送タイミングデータ送信手段により送信された搬送タイミングデータを前記通信回線を介して受信する搬送タイミングデータ受信手段と、
該搬送タイミングデータ受信手段により受信された搬送タイミングデータに基づき、露光処理の開始時間を決定する露光開始時間決定手段と、
前記露光開始時間決定手段により決定された露光開始時間を前記露光装置に対し前記通信回線を介して送信する露光開始時間送信手段とを備え、
前記露光装置は、前記制御装置の前記露光開始時間送信手段により送信された露光開始時間を前記通信回線を介して受信する露光開始時間受信手段を備え、該受信した露光開始時間に基づき露光処理を行い、
前記搬送サイクル制御手段は、搬送タイミングデータに基づき、前記露光装置から搬出されたウェハが前記加熱ユニットに搬送することを特徴とするものである。
A semiconductor manufacturing system according to the present invention is a semiconductor manufacturing system having a coating and developing apparatus having a heating unit, an exposure apparatus, and a control apparatus connected to the coating and developing apparatus and the exposure apparatus through a communication line. ,
The coating and developing apparatus includes:
A storage device for storing transfer timing data of a wafer transfer cycle of the coating and developing apparatus;
Conveyance timing data transmitting means for reading conveyance timing data from the storage device and transmitting the read conveyance timing data to the control device via the communication line;
A transport cycle control means for controlling a wafer transport cycle in the coating and developing apparatus based on the transport timing data;
The control device includes:
Transport timing data receiving means for receiving the transport timing data transmitted by the transport timing data transmitting means of the coating and developing apparatus via the communication line;
Exposure start time determining means for determining an exposure processing start time based on the transport timing data received by the transport timing data receiving means;
Exposure start time transmitting means for transmitting the exposure start time determined by the exposure start time determining means to the exposure apparatus via the communication line;
The exposure apparatus includes exposure start time receiving means for receiving the exposure start time transmitted by the exposure start time transmitting means of the control device via the communication line, and performs an exposure process based on the received exposure start time. Done
The transfer cycle control means transfers the wafer unloaded from the exposure apparatus to the heating unit based on transfer timing data.

本発明に係る半導体製造システムは、加熱ユニットを有する塗布現像装置と、露光装置と、該塗布現像装置及び露光装置と通信回線を介して接続されている制御装置とを有する半導体製造システムであって、
前記塗布現像装置は、
前記塗布現像装置のウェハ搬送サイクルの搬送タイミングデータを記憶する記憶装置と、
該記憶装置から搬送タイミングデータを読み出し、該読み出した搬送タイミングデータを前記制御装置に対し前記通信回線を介して送信する搬送タイミングデータ送信手段と、
前記搬送タイミングデータに基づき、前記塗布現像装置内のウェハ搬送サイクルを制御する搬送サイクル制御手段を備え、
前記制御装置は、
前記塗布現像装置の搬送タイミングデータ送信手段により送信された搬送タイミングデータを前記通信回線を介して受信する搬送タイミングデータ受信手段と、
該搬送タイミングデータ受信手段により受信された搬送タイミングデータに基づき、露光処理の開始時間を決定する露光開始時間決定手段と、
前記露光開始時間決定手段により決定された露光開始時間を前記露光装置に対し前記通信回線を介して送信する露光開始時間送信手段とを備え、
前記露光装置は、
前記制御装置の前記露光開始時間送信手段により送信された露光開始時間を前記通信回線を介して受信する露光開始時間受信手段と、
露光条件データを記憶する記憶装置と、
該記憶装置から露光条件データを読み出し、該読み出した露光条件データと前記受信した露光開始時間とに基づいて露光終了時間を推定して露光終了時間データを生成する露光終了時間データ生成手段と、
該露光終了時間データ生成手段により生成された露光終了時間データを前記制御装置に対し前記通信回線を介して送信する露光終了時間データ送信手段とを備え、
前記制御装置は、
前記露光装置の前記露光終了時間データ送信手段により送信された露光終了時間データを前記通信回線を介して受信する露光終了時間データ受信手段と、
前記露光終了時間データ受信手段により受信された露光終了時間データと搬送タイミングデータとが異なる場合に、前記塗布現像装置内のウェハ搬送サイクルを一時停止させると共に、前記露光装置からのウェハ搬出に合わせて搬送機構を待機させる搬送サイクル一時停止信号を、前記搬送サイクル制御手段に対し前記通信回線を介して送信する一時停止信号送信手段と、
前記露光装置から搬出されたウェハを前記加熱ユニットに搬送した後、前記搬送サイクル一時停止手信号により一時停止されたウェハ搬送サイクルを再開する搬送サイクル再開信号を、前記搬送サイクル制御手段に対し前記通信回線を介して送信する再開信号送信手段とを更に備えたことを特徴とするものである。
A semiconductor manufacturing system according to the present invention is a semiconductor manufacturing system having a coating and developing apparatus having a heating unit, an exposure apparatus, and a control apparatus connected to the coating and developing apparatus and the exposure apparatus through a communication line. ,
The coating and developing apparatus includes:
A storage device for storing transfer timing data of a wafer transfer cycle of the coating and developing apparatus;
Conveyance timing data transmitting means for reading conveyance timing data from the storage device and transmitting the read conveyance timing data to the control device via the communication line;
A transport cycle control means for controlling a wafer transport cycle in the coating and developing apparatus based on the transport timing data;
The control device includes:
Transport timing data receiving means for receiving the transport timing data transmitted by the transport timing data transmitting means of the coating and developing apparatus via the communication line;
Exposure start time determining means for determining an exposure processing start time based on the transport timing data received by the transport timing data receiving means;
Exposure start time transmitting means for transmitting the exposure start time determined by the exposure start time determining means to the exposure apparatus via the communication line;
The exposure apparatus includes:
Exposure start time receiving means for receiving the exposure start time transmitted by the exposure start time transmitting means of the control device via the communication line;
A storage device for storing exposure condition data;
Exposure end time data generating means for reading exposure condition data from the storage device, estimating an exposure end time based on the read exposure condition data and the received exposure start time, and generating exposure end time data;
Exposure end time data transmitting means for transmitting the exposure end time data generated by the exposure end time data generating means to the control device via the communication line;
The control device includes:
Exposure end time data receiving means for receiving the exposure end time data transmitted by the exposure end time data transmitting means of the exposure apparatus via the communication line;
When the exposure end time data received by the exposure end time data receiving means is different from the transfer timing data, the wafer transfer cycle in the coating and developing apparatus is temporarily stopped and the wafer is transferred from the exposure apparatus. A suspension signal transmission means for transmitting a conveyance cycle pause signal for waiting the conveyance mechanism to the conveyance cycle control means via the communication line;
After the wafer unloaded from the exposure apparatus is transferred to the heating unit, a transfer cycle restart signal for restarting the wafer transfer cycle temporarily stopped by the transfer cycle stop signal is sent to the transfer cycle control means. It is further characterized by further comprising a restart signal transmitting means for transmitting via a line.

本発明によれば、露光後のウェハ引き置き時間を一定にすることにより、ウェハ間のレジストパターン寸法の均一性を向上させることができる。   According to the present invention, the uniformity of the resist pattern dimension between wafers can be improved by making the wafer holding time after exposure constant.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図中、同一または相当する部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省略することがある。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and the description thereof may be simplified or omitted.

実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1による半導体製造システムを説明するための概略図である。図2は、図1に示した半導体製造システムの上面図である。図3は、本実施の形態1による半導体製造システムの動作を説明するためのフローチャートである。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a semiconductor manufacturing system according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 is a top view of the semiconductor manufacturing system shown in FIG. FIG. 3 is a flowchart for explaining the operation of the semiconductor manufacturing system according to the first embodiment.

図1及び図2に示すように、載置台10上に、複数のウェハWを収納するカセット11が載置されている。塗布現像装置20は、複数の塗布現像ユニット30と、複数の加熱冷却ユニット40と、塗布現像装置20内でウェハWの搬送を行う搬送アーム50とを備えている。
塗布現像ユニット30では、ウェハW上へのレジスト塗布処理と、露光後のウェハWの現像処理とが行われる。なお、塗布現像ユニット30内でレジスト塗布処理と現像処理の両方を行うのではなく、レジスト塗布処理を行う塗布ユニット30aと現像処理を行う現像ユニット30bとを別個に構成してもよい(後述する実施の形態2についても同様)。
加熱冷却ユニット40では、レジスト塗布後のプリベーク(「ソフトベーク」ともいう。)と、露光後のPEB(post exposure bake)と、ベーク(プリベーク、PEB)後のウェハの冷却とが行われる。なお、図示しないが、加熱処理(ソフトベーク、PEB)を行う加熱ユニットと、冷却を行う冷却ユニットとを別個に構成してもよい(後述する実施の形態2についても同様)。
インターフェイス部60は、塗布現像装置20と露光装置70との間でウェハの受け渡しを行うものである。インターフェイス部60は、レジスト塗布後のウェハを露光前にストックするストック部61と、ウェハの受け渡しを行うアーム62とを有している。
露光装置70は、レジストが塗布されたウェハWに対して、マスクを用いて回路パターンを露光するものである。露光装置70と塗布現像装置20とは通信回線81を介して接続されている。通信回線81は、有線と無線の何れでもよい。
As shown in FIGS. 1 and 2, a cassette 11 for storing a plurality of wafers W is mounted on the mounting table 10. The coating and developing apparatus 20 includes a plurality of coating and developing units 30, a plurality of heating and cooling units 40, and a transfer arm 50 that transfers the wafer W in the coating and developing apparatus 20.
In the coating and developing unit 30, a resist coating process on the wafer W and a developing process for the wafer W after exposure are performed. Instead of performing both the resist coating process and the developing process in the coating and developing unit 30, a coating unit 30a that performs the resist coating process and a developing unit 30b that performs the developing process may be configured separately (described later). The same applies to the second embodiment).
In the heating / cooling unit 40, pre-baking after resist coating (also referred to as “soft baking”), post-exposure PEB (post exposure bake), and cooling of the wafer after baking (pre-baking, PEB) are performed. Although not shown, a heating unit that performs heat treatment (soft bake, PEB) and a cooling unit that performs cooling may be configured separately (the same applies to Embodiment 2 described later).
The interface unit 60 is for transferring a wafer between the coating and developing apparatus 20 and the exposure apparatus 70. The interface unit 60 includes a stock unit 61 that stocks the wafer after resist coating before exposure, and an arm 62 that transfers the wafer.
The exposure apparatus 70 exposes a circuit pattern to the wafer W coated with a resist using a mask. The exposure apparatus 70 and the coating and developing apparatus 20 are connected via a communication line 81. The communication line 81 may be either wired or wireless.

図3に示すように、載置台10上に載置されたカセット11に収納されたウェハWは、先ず塗布現像装置20の塗布現像ユニット30に搬送され、レジストが回転塗布される。なお、塗布現像ユニット30において、レジスト塗布前に、疎水化処理や反射防止膜の塗布を行うことができる。
次に、ウェハWは加熱冷却ユニット40に搬送され、露光前のプリベークが行われた後、冷却される。冷却後、ウェハWはインターフェイス部60を介して露光装置70内に搬送され、露光処理が行われる。詳細は後述するが、露光前又は露光中に、露光装置70において露光処理終了時間が推定され、塗布現像装置20に対し通信回線81を介して送信される。
露光後のウェハWは、再びインターフェイス部60を介して、搬送待ち時間無しで(後述)、加熱冷却ユニット40に搬送され、PEBが行われた後、冷却される。冷却後、ウェハWは塗布現像ユニット30に搬送され、現像処理が行われる。その後、ウェハWはカセット11に戻される。
As shown in FIG. 3, the wafer W accommodated in the cassette 11 placed on the placing table 10 is first transported to the coating / developing unit 30 of the coating / developing apparatus 20, and the resist is spin-coated. In the coating and developing unit 30, a hydrophobic treatment or an antireflection film can be applied before resist application.
Next, the wafer W is transferred to the heating / cooling unit 40, pre-baked before exposure, and then cooled. After cooling, the wafer W is transferred into the exposure apparatus 70 via the interface unit 60, and exposure processing is performed. Although details will be described later, the exposure processing end time is estimated in the exposure apparatus 70 before or during exposure, and is transmitted to the coating and developing apparatus 20 via the communication line 81.
The exposed wafer W is again transferred to the heating / cooling unit 40 via the interface unit 60 without a transfer waiting time (described later), and cooled after PEB is performed. After cooling, the wafer W is transferred to the coating and developing unit 30 and subjected to development processing. Thereafter, the wafer W is returned to the cassette 11.

図4は、本実施の形態1において、電気回線を介して接続された塗布現像装置と露光装置とを示すブロック図である。
図4に示すように、露光装置70の記憶装置73には、露光条件データが記憶されている。露光条件データは、例えば、光源であるレーザのパワー、露光ショット数、露光スピードのような露光装置70の性能に関する情報である。
露光終了時間データ生成手段71は、記憶装置73から上記露光条件データを読み出すと共に、該読み出した露光条件データに基づき、露光中或いはこれから露光するウェハの露光終了時間を推定し、露光終了時間データを生成する。該生成された露光終了時間データは、露光終了時間データ送信手段72により塗布現像装置20に対し通信回線81を介して送信される。露光終了時間データは、露光装置70における実際の露光処理終了時間の代わりに、露光装置70からウェハWが搬出される時間であってもよい。
FIG. 4 is a block diagram showing a coating and developing apparatus and an exposure apparatus connected via an electric line in the first embodiment.
As shown in FIG. 4, exposure condition data is stored in the storage device 73 of the exposure apparatus 70. The exposure condition data is information relating to the performance of the exposure apparatus 70 such as the power of the laser that is the light source, the number of exposure shots, and the exposure speed.
The exposure end time data generation means 71 reads the exposure condition data from the storage device 73, estimates the exposure end time of the wafer that is being exposed or is exposed based on the read exposure condition data, and obtains the exposure end time data. Generate. The generated exposure end time data is transmitted to the coating and developing apparatus 20 via the communication line 81 by the exposure end time data transmitting means 72. The exposure end time data may be the time when the wafer W is unloaded from the exposure apparatus 70 instead of the actual exposure process end time in the exposure apparatus 70.

塗布現像装置20の露光終了時間データ受信手段21は、露光終了時間データ送信手段72により送信された露光終了時間データを通信回線81を介して受信する。搬送サイクル一時停止手段22は、受信した露光終了時間データに基づき、塗布現像装置20内のウェハ搬送サイクルを一時停止すると共に、露光装置70からのウェハ搬出に合わせて搬送装置50を待機させる。すなわち、露光装置70から搬出されたウェハが搬送待ちの状態にならないように、露光後のウェハWの加熱冷却ユニット40への搬送を、通常のウェハ搬送サイクルよりも優先させて行う。なお、露光後のウェハWが搬送待ちにならない限り、通常のウェハ搬送サイクルを一時停止直前まで実行することができる。つまり、ウェハ搬送サイクル実行中に、露光装置70からウェハWが搬出することが無いようにする。
搬送サイクル再開手段23は、露光装置70から搬出された露光後のウェハWを搬送装置50により加熱冷却ユニット40に搬送した後、一時停止されていたウェハ搬送サイクルを再開させる。
The exposure end time data receiving unit 21 of the coating and developing apparatus 20 receives the exposure end time data transmitted by the exposure end time data transmitting unit 72 via the communication line 81. The transfer cycle temporary stopping means 22 temporarily stops the wafer transfer cycle in the coating and developing apparatus 20 based on the received exposure end time data and makes the transfer apparatus 50 stand by in accordance with the wafer carry-out from the exposure apparatus 70. That is, the wafer W after exposure is transferred to the heating / cooling unit 40 with priority over the normal wafer transfer cycle so that the wafer unloaded from the exposure apparatus 70 is not in a waiting state for transfer. In addition, as long as the wafer W after exposure does not wait for conveyance, a normal wafer conveyance cycle can be performed until just before temporary stop. That is, the wafer W is prevented from being unloaded from the exposure apparatus 70 during execution of the wafer transfer cycle.
The transfer cycle restarting means 23 restarts the wafer transfer cycle that has been temporarily stopped after the wafer W after exposure carried out from the exposure apparatus 70 is transferred to the heating / cooling unit 40 by the transfer apparatus 50.

以上説明したように、本実施の形態1では、露光装置70において露光条件データに基づき露光終了時間を推定して塗布現像装置20に送信し、塗布現像装置20は推定された露光終了時間に近づくとウェハ搬送サイクルを一時停止し、露光装置70からのウェハ搬出に合わせて搬送装置50を待機させることとした。これにより、露光装置70から搬出された露光後のウェハWは搬送待ちをすることなく加熱冷却ユニット40に搬送されるため、ウェハ間でPEBを一定にすることができるため、ウェハ間のレジストパターン寸法の均一性を向上させることができる。   As described above, in the first embodiment, the exposure apparatus 70 estimates the exposure end time based on the exposure condition data and transmits it to the coating and developing apparatus 20, and the coating and developing apparatus 20 approaches the estimated exposure end time. The wafer transfer cycle is temporarily stopped, and the transfer apparatus 50 is put on standby in accordance with the wafer transfer from the exposure apparatus 70. Thereby, since the wafer W after exposure carried out from the exposure apparatus 70 is transferred to the heating / cooling unit 40 without waiting for transfer, the PEB can be made constant between the wafers. Dimensional uniformity can be improved.

実施の形態2.
本発明の実施の形態2と前述した実施の形態1との相違点は、塗布現像装置20と露光装置70の搬送制御にある。以下、この相違点を中心に説明する。
図5は、本実施の形態2において、電気回線を介して接続された塗布現像装置と露光装置とを示すブロック図である。
図5に示すように、塗布現像装置20の記憶装置26には、搬送タイミングデータが記憶されている。該搬送タイミングデータは、搬送装置50が各ユニットに対してウェハの受け渡しを行うタイミングを示すデータである。
Embodiment 2. FIG.
The difference between the second embodiment of the present invention and the first embodiment described above is in the conveyance control of the coating and developing apparatus 20 and the exposure apparatus 70. Hereinafter, this difference will be mainly described.
FIG. 5 is a block diagram showing a coating and developing apparatus and an exposure apparatus connected via an electric line in the second embodiment.
As shown in FIG. 5, transport timing data is stored in the storage device 26 of the coating and developing apparatus 20. The transfer timing data is data indicating the timing at which the transfer apparatus 50 delivers a wafer to each unit.

搬送タイミングデータ送信手段24は、記憶装置26から上記搬送タイミングデータを読み出すと共に、該読み出した搬送タイミングデータを露光装置70に対し通信回線81を介して送信する。搬送サイクル制御手段25は、上記搬送タイミングに基づき、塗布現像装置20内のウェハ搬送サイクルを制御する。   The conveyance timing data transmission unit 24 reads the conveyance timing data from the storage device 26 and transmits the read conveyance timing data to the exposure apparatus 70 via the communication line 81. The transfer cycle control means 25 controls the wafer transfer cycle in the coating and developing apparatus 20 based on the transfer timing.

露光装置70の搬送タイミングデータ受信手段74は、搬送タイミングデータ送信手段24により送信された搬送タイミングデータを通信回線81を介して受信する。露光開始時間決定手段75は、受信した搬送タイミングデータに基づき、露光装置70において露光処理を開始する時間を決定する。すなわち、搬送装置50が露光装置70から搬出されるウェハWを取りにくるタイミングよりも少し前に露光処理が終了するように、露光処理の開始時間を決定する。なお、露光開始時間の決定は、各種測定・補正を行う場合には、それらに要する時間を考慮して行われ、さらに露光条件(露光ショット数、露光スピード等)を考慮して行われる。
露光装置は、決定された露光開始時間に基づいて露光処理を行う。露光処理後のウェハWは、搬送待ちをすることなく搬送装置50により加熱冷却ユニット40に搬送される。
The conveyance timing data receiving unit 74 of the exposure apparatus 70 receives the conveyance timing data transmitted by the conveyance timing data transmission unit 24 via the communication line 81. The exposure start time determination unit 75 determines a time for starting the exposure process in the exposure apparatus 70 based on the received conveyance timing data. That is, the start time of the exposure process is determined so that the exposure process is completed slightly before the timing at which the transfer device 50 picks up the wafer W unloaded from the exposure apparatus 70. Note that the exposure start time is determined in consideration of the time required for various measurements and corrections, and further in consideration of exposure conditions (number of exposure shots, exposure speed, etc.).
The exposure apparatus performs an exposure process based on the determined exposure start time. The wafer W after the exposure processing is transferred to the heating / cooling unit 40 by the transfer device 50 without waiting for transfer.

以上説明したように、本実施の形態2では、塗布現像装置20における搬送タイミングデータを露光装置70に送信し、露光装置70は露光後のウェハWが搬送待ちにならないように露光処理開始時間を決定することとした。これにより、塗布現像装置20のウェハ搬送サイクルと、露光装置70からのウェハの搬出タイミングとが同期するため、露光後のウェハWを搬送待ち無しで加熱冷却ユニット40に搬送することができる。従って、ウェハ間でPEBを一定にすることができるため、ウェハ間のレジストパターン寸法の均一性を向上させることができる。   As described above, in the second embodiment, the transfer timing data in the coating and developing apparatus 20 is transmitted to the exposure apparatus 70, and the exposure apparatus 70 sets the exposure processing start time so that the exposed wafer W does not wait for transfer. It was decided to decide. Thereby, since the wafer conveyance cycle of the coating and developing apparatus 20 and the unloading timing of the wafer from the exposure apparatus 70 are synchronized, the exposed wafer W can be conveyed to the heating / cooling unit 40 without waiting for conveyance. Therefore, since PEB can be made constant between wafers, uniformity of resist pattern dimensions between wafers can be improved.

実施の形態3.
本発明の実施の形態3と、前述した実施の形態1及び2との相違点は、塗布現像装置20と露光装置70の搬送制御にある。以下、この相違点を中心に説明する。
図6は、本実施の形態3において、電気回線を介して接続された塗布現像装置と露光装置とを示すブロック図である。
図6に示すように、塗布現像装置20の記憶装置26には、搬送タイミングデータが記憶されている。
搬送タイミングデータ送信手段24は、記憶装置26から上記搬送タイミングデータを読み出すと共に、該読み出した搬送タイミングデータを露光装置70に対し通信回線81を介して送信する。
搬送サイクル制御手段27は、上記搬送タイミングデータに基づき搬送装置50を駆動制御することにより、塗布現像装置20内のウェハ搬送サイクルを制御する。
Embodiment 3 FIG.
The difference between the third embodiment of the present invention and the first and second embodiments described above is in the conveyance control of the coating and developing apparatus 20 and the exposure apparatus 70. Hereinafter, this difference will be mainly described.
FIG. 6 is a block diagram showing a coating and developing apparatus and an exposure apparatus connected via an electric line in the third embodiment.
As shown in FIG. 6, transport timing data is stored in the storage device 26 of the coating and developing apparatus 20.
The conveyance timing data transmission unit 24 reads the conveyance timing data from the storage device 26 and transmits the read conveyance timing data to the exposure apparatus 70 via the communication line 81.
The transfer cycle control means 27 controls the wafer transfer cycle in the coating and developing apparatus 20 by drivingly controlling the transfer apparatus 50 based on the transfer timing data.

露光装置70の搬送タイミングデータ受信手段74は、搬送タイミングデータ送信手段24により送信された搬送タイミングデータを通信回線81を介して受信する。露光開始時間決定手段75は、受信した搬送タイミングデータに基づき、露光装置70において露光処理を開始する時間を決定する。露光装置70の記憶装置73には、露光条件データが記憶されている。露光終了時間データ生成手段71は、記憶装置73から上記露光条件データを読み出すと共に、該読み出した露光条件データに基づき、露光中或いはこれから露光するウェハの露光終了時間を推定し、露光終了時間データを生成する。該生成された露光終了時間データは、露光終了時間データ送信手段72により塗布現像装置20に対し通信回線81を介して送信される。   The conveyance timing data receiving unit 74 of the exposure apparatus 70 receives the conveyance timing data transmitted by the conveyance timing data transmission unit 24 via the communication line 81. The exposure start time determination unit 75 determines a time for starting the exposure process in the exposure apparatus 70 based on the received conveyance timing data. Exposure condition data is stored in the storage device 73 of the exposure apparatus 70. The exposure end time data generation means 71 reads the exposure condition data from the storage device 73, estimates the exposure end time of the wafer that is being exposed or is exposed based on the read exposure condition data, and obtains the exposure end time data. Generate. The generated exposure end time data is transmitted to the coating and developing apparatus 20 via the communication line 81 by the exposure end time data transmitting means 72.

上記搬送サイクル制御手段27は、露光終了時間データ送信手段72により送信された露光終了時間データを通信回線81を介して受信する。搬送サイクル一時停止手段27bは、受信した露光終了時間データと搬送タイミングデータとが異なる場合に、塗布現像装置20内のウェハ搬送サイクルを一時停止すると共に、露光装置70からのウェハ搬出に合わせて搬送装置50を待機させる。すなわち、搬送装置50が露光後のウェハWを取りに行くタイミングよりも、露光装置70からのウェハW搬出が遅くなる場合に、ウェハ搬送サイクルを一時停止させる。露光装置70から搬出されたウェハが搬送待ちの状態にならないように、露光後のウェハWの加熱冷却ユニット40への搬送を、通常のウェハ搬送サイクルよりも優先させて行う。   The transport cycle control unit 27 receives the exposure end time data transmitted by the exposure end time data transmission unit 72 via the communication line 81. When the received exposure end time data and the transfer timing data are different, the transfer cycle temporary stopping unit 27b temporarily stops the wafer transfer cycle in the coating and developing apparatus 20 and transfers the wafer in accordance with the wafer transfer from the exposure apparatus 70. The apparatus 50 is put on standby. That is, the wafer transfer cycle is temporarily stopped when the transfer of the wafer W from the exposure apparatus 70 is later than the timing at which the transfer apparatus 50 takes the wafer W after exposure. Transfer of the wafer W after exposure to the heating / cooling unit 40 is performed with priority over the normal wafer transfer cycle so that the wafer unloaded from the exposure apparatus 70 is not in a waiting state for transfer.

以上説明したように、本実施の形態3では、実施の形態2と同様に搬送タイミングデータに基づいて露光処理開始時間を決定し、実施の形態1と同様に露光装置50において露光条件に基づき露光終了時間を推定し塗布現像装置20に送信するようにした。そして、露光終了時間と搬送タイミングデータが異なる場合に、ウェハ搬送サイクルを一時停止し、露光装置70からのウェハ搬出に合わせて搬送装置50を待機させることとした。従って、ウェハ間でPEBを一定にすることができるため、ウェハ間のレジストパターン寸法の均一性を向上させることができる。さらに、実施の形態1,2よりもウェハ搬送制御の精度を向上させることができる。   As described above, in the third embodiment, the exposure processing start time is determined based on the conveyance timing data as in the second embodiment, and exposure is performed based on the exposure conditions in the exposure apparatus 50 as in the first embodiment. The end time is estimated and transmitted to the coating and developing apparatus 20. Then, when the exposure end time and the transfer timing data are different, the wafer transfer cycle is temporarily stopped, and the transfer device 50 is made to wait in accordance with the wafer transfer from the exposure device 70. Therefore, since PEB can be made constant between wafers, the uniformity of resist pattern dimensions between wafers can be improved. Furthermore, the accuracy of wafer conveyance control can be improved as compared with the first and second embodiments.

実施の形態4.
本発明の実施の形態4は、実施の形態1の半導体製造システムに搬送制御を実行する制御装置を更に備えたことを特徴とする。
図7は、本発明の実施の形態4による半導体製造システムを説明するための概略図である。図8は、図7に示した半導体製造システムの上面図である。
図7及び図8に示すように、塗布現像装置20及び露光装置70と通信回線82,83を介して接続された制御装置80が設けられている。この点で、塗布現像装置20と露光装置70とを通信回線81を介して接続した実施の形態1とは異なっている。
Embodiment 4 FIG.
The fourth embodiment of the present invention is characterized in that the semiconductor manufacturing system of the first embodiment is further provided with a control device that executes transfer control.
FIG. 7 is a schematic diagram for explaining a semiconductor manufacturing system according to the fourth embodiment of the present invention. FIG. 8 is a top view of the semiconductor manufacturing system shown in FIG.
As shown in FIGS. 7 and 8, a control device 80 connected to the coating and developing device 20 and the exposure device 70 via communication lines 82 and 83 is provided. This is different from the first embodiment in which the coating / developing apparatus 20 and the exposure apparatus 70 are connected via the communication line 81.

図9は、本実施の形態4において、塗布現像装置と露光装置と制御装置とを示すブロック図である。
図9に示すように、露光装置70の記憶装置73には、露光条件データが記憶されている。露光条件データは、例えば、光源であるレーザのパワー、露光ショット数、露光スピードのような露光装置70の性能に関する情報である。
露光終了時間データ生成手段71は、記憶装置73から上記露光条件データを読み出すと共に、該読み出した露光条件データに基づき、露光中或いはこれから露光するウェハの露光終了時間を推定し、露光終了時間データを生成する。該生成された露光終了時間データは、露光終了時間データ送信手段72により制御装置80に対し通信回線83を介して送信される。
FIG. 9 is a block diagram showing a coating and developing apparatus, an exposure apparatus, and a control apparatus in the fourth embodiment.
As shown in FIG. 9, exposure condition data is stored in the storage device 73 of the exposure apparatus 70. The exposure condition data is information relating to the performance of the exposure apparatus 70 such as the power of the laser that is the light source, the number of exposure shots, and the exposure speed.
The exposure end time data generation means 71 reads the exposure condition data from the storage device 73, estimates the exposure end time of the wafer that is being exposed or is exposed based on the read exposure condition data, and obtains the exposure end time data. Generate. The generated exposure end time data is transmitted to the control device 80 by the exposure end time data transmitting means 72 via the communication line 83.

制御装置80の露光終了時間データ受信手段84は、露光終了時間データ送信手段72により送信された露光終了時間データを通信回線83を介して受信する。一時停止信号送信手段85は、受信した露光終了時間データに基づき、塗布現像装置20内のウェハ搬送サイクルを一時停止させると共に、露光装置70からのウェハ搬出に合わせて搬送装置50を待機させる搬送サイクル一時停止信号を、塗布現像装置20に対し信号回線82を介して送信する。搬送サイクル制御手段28の搬送サイクル一時停止手段28aは、信号回線82を介して搬送サイクル一時停止信号を受信すると共に、ウェハ搬送サイクルを一時停止させ、露光装置70からのウェハ搬出に合わせて搬送装置50を待機させる。すなわち、露光装置70から搬出されたウェハが搬送待ちの状態にならないように、露光後のウェハWの加熱冷却ユニット40への搬送を、通常のウェハ搬送サイクルよりも優先させて行う。なお、露光後のウェハWが搬送待ちにならない限り、通常のウェハ搬送サイクルを一時停止直前まで実行することができる。つまり、ウェハ搬送サイクル実行中に、露光装置70からウェハWが搬出することが無いようにする。   The exposure end time data receiving unit 84 of the control device 80 receives the exposure end time data transmitted by the exposure end time data transmitting unit 72 via the communication line 83. The temporary stop signal transmission means 85 temporarily stops the wafer transfer cycle in the coating and developing apparatus 20 based on the received exposure end time data, and also makes the transfer apparatus 50 stand by in accordance with the wafer unloading from the exposure apparatus 70. A temporary stop signal is transmitted to the coating and developing apparatus 20 via the signal line 82. The transfer cycle temporary stop means 28 a of the transfer cycle control means 28 receives the transfer cycle pause signal via the signal line 82, pauses the wafer transfer cycle, and transfers the wafer in accordance with the wafer transfer from the exposure apparatus 70. Wait 50. In other words, the wafer W after exposure is transferred to the heating / cooling unit 40 with priority over the normal wafer transfer cycle so that the wafer unloaded from the exposure apparatus 70 is not in a waiting state for transfer. As long as the wafer W after exposure is not waiting for transfer, a normal wafer transfer cycle can be executed until just before the temporary stop. That is, the wafer W is prevented from being unloaded from the exposure apparatus 70 during execution of the wafer transfer cycle.

露光装置70から搬出されたウェハWを搬送装置50により加熱冷却ユニット40に搬送した後、再開信号送信手段86は、一時停止されていたウェハ搬送サイクルを再開させる搬送サイクル再開信号を、塗布現像装置20に対し信号回線82を介して送信する。搬送サイクル制御手段28の搬送サイクル再開手段28bは、信号回線82を介して搬送サイクル再開信号を受信すると共に、一時停止されていたウェハ搬送サイクルを再開させる。   After the wafer W unloaded from the exposure device 70 is transported to the heating / cooling unit 40 by the transport device 50, the restart signal transmitting means 86 sends a transport cycle restart signal for resuming the wafer transport cycle that has been temporarily stopped. 20 through the signal line 82. The transfer cycle restarting unit 28b of the transfer cycle control unit 28 receives the transfer cycle restart signal via the signal line 82 and restarts the wafer transfer cycle that has been temporarily stopped.

以上説明したように、本実施の形態4では、露光条件データに基づき露光終了時間を推定して、この推定された露光終了時間に近づくと、ウェハ搬送サイクルを一時停止し、露光装置70からのウェハ搬出に合わせて搬送装置50を待機させることとした。これにより、露光装置70から搬出された露光後のウェハWは搬送待ちをすることなく加熱冷却ユニット40に搬送されるため、ウェハ間でPEBを一定にすることができるため、ウェハ間のレジストパターン寸法の均一性を向上させることができる。   As described above, in the fourth embodiment, the exposure end time is estimated based on the exposure condition data, and when the estimated exposure end time is approached, the wafer transfer cycle is temporarily stopped, The transfer device 50 is put on standby in accordance with the wafer carry-out. Thereby, since the wafer W after exposure carried out from the exposure apparatus 70 is transferred to the heating / cooling unit 40 without waiting for transfer, the PEB can be made constant between the wafers. Dimensional uniformity can be improved.

さらに、本実施の形態4では、塗布現像装置20と露光装置70とは異なる制御装置80を設けている。よって、塗布現像装置20と露光装置70との間でウェハ搬送タイミング制御を行っていない場合でも、制御装置80を簡単に増設することにより本発明のウェハ搬送制御を実行することができる。また、塗布現像装置20のメーカーと露光装置70のメーカーが異なる場合でも、制御装置80の増設が容易である(後述する実施の形態5,6についても同様)。   Furthermore, in the fourth embodiment, a control device 80 different from the coating and developing device 20 and the exposure device 70 is provided. Therefore, even when the wafer transfer timing control is not performed between the coating and developing apparatus 20 and the exposure apparatus 70, the wafer transfer control of the present invention can be executed by simply adding the controller 80. Further, even when the manufacturer of the coating and developing apparatus 20 and the manufacturer of the exposure apparatus 70 are different, it is easy to add the control apparatus 80 (the same applies to Embodiments 5 and 6 described later).

実施の形態5.
本発明の実施の形態5と前述した実施の形態4との相違点は、塗布現像装置20と露光装置70と制御装置80の搬送制御にある。以下、この相違点を中心に説明する。
図10は、本実施の形態5において、塗布現像装置と露光装置と制御装置とを示すブロック図である。
図10に示すように、塗布現像装置20の記憶装置26には、搬送タイミングデータが記憶されている。該搬送タイミングデータは、搬送装置50が各ユニットに対してウェハの受け渡しを行うタイミングを示すデータである。
搬送タイミングデータ送信手段24は、記憶装置26から上記搬送タイミングデータを読み出すと共に、該読み出した搬送タイミングデータを制御装置80に対し通信回線82を介して送信する。搬送サイクル制御手段25は、上記搬送タイミングに基づき、塗布現像装置20内のウェハ搬送サイクルを制御する。
Embodiment 5 FIG.
The difference between the fifth embodiment of the present invention and the above-described fourth embodiment is in the conveyance control of the coating and developing apparatus 20, the exposure apparatus 70, and the control apparatus 80. Hereinafter, this difference will be mainly described.
FIG. 10 is a block diagram showing the coating and developing apparatus, the exposure apparatus, and the control apparatus in the fifth embodiment.
As shown in FIG. 10, the storage device 26 of the coating and developing apparatus 20 stores conveyance timing data. The transfer timing data is data indicating the timing at which the transfer apparatus 50 delivers a wafer to each unit.
The conveyance timing data transmission unit 24 reads the conveyance timing data from the storage device 26 and transmits the read conveyance timing data to the control device 80 via the communication line 82. The transfer cycle control means 25 controls the wafer transfer cycle in the coating and developing apparatus 20 based on the transfer timing.

制御装置80の搬送タイミングデータ受信手段87は、搬送タイミングデータ送信手段24により送信された搬送タイミングデータを通信回線82を介して受信する。露光開始時間決定手段88は、受信した搬送タイミングデータに基づき、露光装置70において露光処理を開始する時間を決定する。すなわち、搬送装置50が露光装置70から搬出されるウェハWを取りにくるタイミングよりも少し前に露光処理が終了するように、露光処理の開始時間を決定する。なお、露光開始時間の決定は、各種測定・補正を行う場合には、それらに要する時間を考慮して行われ、さらに露光条件(露光ショット数、露光スピード等)を考慮して行われる。露光開始時間の決定に必要な各種データは、制御装置80の記憶装置(図示せず)内に記憶されている。
決定された露光開始時間データは、露光開始時間送信手段89により露光装置70に対し通信回線83を介して送信される。
The transport timing data receiving unit 87 of the control device 80 receives the transport timing data transmitted by the transport timing data transmitting unit 24 via the communication line 82. The exposure start time determination unit 88 determines a time for starting the exposure process in the exposure apparatus 70 based on the received conveyance timing data. That is, the start time of the exposure process is determined so that the exposure process is completed slightly before the timing at which the transfer device 50 picks up the wafer W unloaded from the exposure apparatus 70. Note that the exposure start time is determined in consideration of the time required for various measurements and corrections, and further in consideration of exposure conditions (number of exposure shots, exposure speed, etc.). Various data necessary for determining the exposure start time is stored in a storage device (not shown) of the control device 80.
The determined exposure start time data is transmitted to the exposure apparatus 70 via the communication line 83 by the exposure start time transmission means 89.

露光装置70の露光開始時間受信手段76は、通信回線83を介して露光開始時間データを受信する。露光装置70は、受信した露光開始時間データに基づいて露光処理を行う。露光処理後のウェハWは、搬送待ちをすることなく搬送装置50により加熱冷却ユニット40に搬送される。   The exposure start time receiving unit 76 of the exposure apparatus 70 receives exposure start time data via the communication line 83. The exposure apparatus 70 performs an exposure process based on the received exposure start time data. The wafer W after the exposure processing is transferred to the heating / cooling unit 40 by the transfer device 50 without waiting for transfer.

以上説明したように、本実施の形態5では、塗布現像装置20における搬送タイミングデータを制御装置80に送信し、制御装置80は露光後のウェハWが搬送待ちにならないように露光処理開始時間を決定し、決定された露光処理開始時間に基づいて露光装置70において露光処理を行うこととした。これにより、塗布現像装置20のウェハ搬送サイクルと、露光装置70からのウェハの搬出タイミングとが同期するため、露光後のウェハWを搬送待ち無しで加熱冷却ユニット40に搬送することができる。従って、ウェハ間でPEBを一定にすることができるため、ウェハ間のレジストパターン寸法の均一性を向上させることができる。   As described above, in the fifth embodiment, the transfer timing data in the coating and developing apparatus 20 is transmitted to the control apparatus 80, and the control apparatus 80 sets the exposure processing start time so that the exposed wafer W does not wait for transfer. The exposure process is performed in the exposure apparatus 70 based on the determined exposure process start time. Thereby, since the wafer conveyance cycle of the coating and developing apparatus 20 and the unloading timing of the wafer from the exposure apparatus 70 are synchronized, the exposed wafer W can be conveyed to the heating / cooling unit 40 without waiting for conveyance. Therefore, since PEB can be made constant between wafers, uniformity of resist pattern dimensions between wafers can be improved.

実施の形態6.
本発明の実施の形態6と前述した実施の形態4及び5との相違点は、塗布現像装置20と露光装置70と制御装置80の搬送制御にある。以下、この相違点を中心に説明する。
図11は、本実施の形態6において、塗布現像装置と露光装置と制御装置とを示すブロック図である。
図11に示すように、塗布現像装置20の記憶装置26には、搬送タイミングデータが記憶されている。
搬送タイミングデータ送信手段24は、記憶装置26から上記搬送タイミングデータを読み出すと共に、該読み出した搬送タイミングデータを制御装置80に対し通信回線82を介して送信する。
搬送サイクル制御手段27は、上記搬送タイミングデータに基づき搬送装置50を駆動制御することにより、塗布現像装置20内のウェハ搬送サイクルを制御する。
制御装置80の搬送タイミングデータ受信手段87は、搬送タイミングデータ送信手段24により送信された搬送タイミングデータを通信回線82を介して受信する。露光開始時間決定手段88は、受信した搬送タイミングデータに基づき、露光装置70において露光処理を開始する露光開始時間を決定する。露光開始時間送信手段89は、該決定された露光開始時間データを露光装置70に対し通信回線83を介して送信する。
露光装置70の露光開始時間受信手段75は、通信回線83を介して露光開始時間データを受信する。露光装置70は、該受信した露光開始時間データに基づき露光処理を開始する。露光装置70の記憶装置73には、露光条件データが記憶されている。露光終了時間データ生成手段71は、記憶装置73から上記露光条件データを読み出すと共に、該読み出した露光条件データに基づき、露光中或いはこれから露光するウェハの露光終了時間を推定し、露光終了時間データを生成する。該生成された露光終了時間データは、露光終了時間データ送信手段72により制御装置80に対し通信回線83を介して送信される。
制御装置80の露光終了時間データ受信手段84は、通信回線83を介して露光終了時間データを受信する。
Embodiment 6 FIG.
The difference between the sixth embodiment of the present invention and the above-described fourth and fifth embodiments is in the conveyance control of the coating and developing apparatus 20, the exposure apparatus 70, and the control apparatus 80. Hereinafter, this difference will be mainly described.
FIG. 11 is a block diagram showing a coating and developing apparatus, an exposure apparatus, and a control apparatus in the sixth embodiment.
As shown in FIG. 11, the conveyance timing data is stored in the storage device 26 of the coating and developing apparatus 20.
The conveyance timing data transmission unit 24 reads the conveyance timing data from the storage device 26 and transmits the read conveyance timing data to the control device 80 via the communication line 82.
The transfer cycle control means 27 controls the wafer transfer cycle in the coating and developing apparatus 20 by drivingly controlling the transfer apparatus 50 based on the transfer timing data.
The transport timing data receiving unit 87 of the control device 80 receives the transport timing data transmitted by the transport timing data transmitting unit 24 via the communication line 82. The exposure start time determining unit 88 determines an exposure start time for starting an exposure process in the exposure apparatus 70 based on the received conveyance timing data. The exposure start time transmission unit 89 transmits the determined exposure start time data to the exposure apparatus 70 via the communication line 83.
The exposure start time receiving means 75 of the exposure apparatus 70 receives exposure start time data via the communication line 83. The exposure apparatus 70 starts an exposure process based on the received exposure start time data. Exposure condition data is stored in the storage device 73 of the exposure apparatus 70. The exposure end time data generation means 71 reads the exposure condition data from the storage device 73, estimates the exposure end time of the wafer that is being exposed or is exposed based on the read exposure condition data, and obtains the exposure end time data. Generate. The generated exposure end time data is transmitted to the control device 80 by the exposure end time data transmitting means 72 via the communication line 83.
The exposure end time data receiving means 84 of the control device 80 receives exposure end time data via the communication line 83.

一時停止信号送信手段85は、受信した露光終了時間データに基づき、塗布現像装置20内のウェハ搬送サイクルを一時停止させると共に、露光装置70からのウェハ搬出に合わせて搬送装置50を待機させる搬送サイクル一時停止信号を、塗布現像装置20に対し信号回線82を介して送信する。搬送サイクル制御手段27の搬送サイクル一時停止手段27bは、信号回線82を介して搬送サイクル一時停止信号を受信すると、ウェハ搬送サイクルを一時停止させ、露光装置70からのウェハ搬出に合わせて搬送装置50を待機させる。すなわち、露光装置70から搬出されたウェハが搬送待ちの状態にならないように、露光後のウェハWの加熱冷却ユニット40への搬送を、通常のウェハ搬送サイクルよりも優先させて行う。なお、露光後のウェハWが搬送待ちにならない限り、通常のウェハ搬送サイクルを一時停止直前まで実行することができる。つまり、ウェハ搬送サイクル実行中に、露光装置70からウェハWが搬出することが無いようにする。   The temporary stop signal transmission means 85 temporarily stops the wafer transfer cycle in the coating and developing apparatus 20 based on the received exposure end time data, and also makes the transfer apparatus 50 stand by in accordance with the wafer unloading from the exposure apparatus 70. A temporary stop signal is transmitted to the coating and developing apparatus 20 via the signal line 82. When the transfer cycle temporary stop unit 27 b of the transfer cycle control unit 27 receives the transfer cycle pause signal via the signal line 82, the transfer cycle temporary stop unit 27 b temporarily stops the wafer transfer cycle, and transfers the wafer 50 from the exposure apparatus 70 in accordance with the wafer transfer. To wait. That is, the wafer W after exposure is transferred to the heating / cooling unit 40 with priority over the normal wafer transfer cycle so that the wafer unloaded from the exposure apparatus 70 is not in a waiting state for transfer. In addition, as long as the wafer W after exposure does not wait for conveyance, a normal wafer conveyance cycle can be performed until just before temporary stop. That is, the wafer W is prevented from being unloaded from the exposure apparatus 70 during execution of the wafer transfer cycle.

露光装置70から搬出されたウェハWを搬送装置50により加熱冷却ユニット40に搬送した後、再開信号送信手段86は、一時停止されていたウェハ搬送サイクルを再開させる搬送サイクル再開信号を、塗布現像装置20に対し信号回線82を介して送信する。搬送サイクル制御手段27の搬送サイクル再開手段27cは、信号回線82を介して搬送サイクル再開信号を受信すると、一時停止されていたウェハ搬送サイクルを再開させる。   After the wafer W unloaded from the exposure device 70 is transported to the heating / cooling unit 40 by the transport device 50, the restart signal transmitting means 86 sends a transport cycle restart signal for resuming the wafer transport cycle that has been temporarily stopped. 20 through the signal line 82. When the transfer cycle restarting unit 27 c of the transfer cycle control unit 27 receives the transfer cycle restart signal via the signal line 82, the transfer cycle restarting unit 27 c restarts the wafer transfer cycle that has been temporarily stopped.

以上説明したように、本実施の形態6では、実施の形態4と同様に搬送タイミングデータに基づいて露光処理開始時間を決定し、実施の形態5と同様に露光条件に基づき露光終了時間を推定するようにした。そして、露光終了時間と搬送タイミングデータが異なる場合に、ウェハ搬送サイクルを一時停止し、露光装置70からのウェハ搬出に合わせて搬送装置50を待機させることとした。従って、ウェハ間でPEBを一定にすることができるため、ウェハ間のレジストパターン寸法の均一性を向上させることができる。さらに、実施の形態4,5よりもウェハ搬送制御の精度を向上させることができる。   As described above, in the sixth embodiment, the exposure processing start time is determined based on the conveyance timing data as in the fourth embodiment, and the exposure end time is estimated based on the exposure conditions as in the fifth embodiment. I tried to do it. Then, when the exposure end time and the transfer timing data are different, the wafer transfer cycle is temporarily stopped, and the transfer device 50 is made to wait in accordance with the wafer transfer from the exposure device 70. Therefore, since PEB can be made constant between wafers, uniformity of resist pattern dimensions between wafers can be improved. Furthermore, the accuracy of wafer transfer control can be improved as compared with the fourth and fifth embodiments.

本発明の実施の形態1による半導体製造システムを説明するための概略図である。It is the schematic for demonstrating the semiconductor manufacturing system by Embodiment 1 of this invention. 図1に示した半導体製造システムの上面図である。It is a top view of the semiconductor manufacturing system shown in FIG. 本発明の実施の形態1による半導体製造システムの動作を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating operation | movement of the semiconductor manufacturing system by Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1において、電気回線を介して接続された塗布現像装置と露光装置とを示すブロック図である。In Embodiment 1 of this invention, it is a block diagram which shows the coating / developing apparatus and exposure apparatus which were connected through the electrical line. 本発明の実施の形態2において、電気回線を介して接続された塗布現像装置と露光装置とを示すブロック図である。In Embodiment 2 of this invention, it is a block diagram which shows the coating / developing apparatus and exposure apparatus which were connected via the electrical line. 本発明の実施の形態3において、電気回線を介して接続された塗布現像装置と露光装置とを示すブロック図である。In Embodiment 3 of this invention, it is a block diagram which shows the coating / developing apparatus and exposure apparatus which were connected through the electrical line. 本発明の実施の形態4による半導体製造システムを説明するための概略図である。It is the schematic for demonstrating the semiconductor manufacturing system by Embodiment 4 of this invention. 図4に示した半導体製造システムの上面図である。It is a top view of the semiconductor manufacturing system shown in FIG. 本発明の実施の形態4において、塗布現像装置と露光装置と制御装置とを示すブロック図である。In Embodiment 4 of this invention, it is a block diagram which shows a coating / developing apparatus, an exposure apparatus, and a control apparatus. 本発明の実施の形態5において、塗布現像装置と露光装置と制御装置とを示すブロック図である。In Embodiment 5 of this invention, it is a block diagram which shows a coating / developing apparatus, an exposure apparatus, and a control apparatus. 本発明の実施の形態6において、塗布現像装置と露光装置と制御装置とを示すブロック図である。In Embodiment 6 of this invention, it is a block diagram which shows a coating / developing apparatus, an exposure apparatus, and a control apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

10 載置台
11 カセット
20 塗布現像装置
21 露光終了時間受信手段
22 搬送サイクル一時停止手段
23 搬送サイクル再開手段
24 搬送タイミングデータ送信手段
25 搬送サイクル制御手段
26 記憶装置
27,28 搬送サイクル制御手段
27a 露光終了時間データ受信手段
27b,28a 搬送サイクル一時停止手段
27c,28b 搬送サイクル再開手段
30 塗布現像ユニット
30a 塗布ユニット
30b 現像ユニット
40 加熱冷却ユニット
50 搬送装置(搬送アーム)
60 インターフェイス部
61 ストッカ
70 露光装置
71 露光終了時間データ生成手段
72 露光終了時間データ送信手段
73 記憶装置
74 搬送タイミングデータ受信手段
75 露光開始時間決定手段
76 露光開始時間受信手段
80 制御装置
81,82,83 通信回線
84 露光終了時間データ受信手段
85 一時停止信号送信手段
86 再開信号送信手段
87 搬送タイミングデータ受信手段
88 露光開始時間決定手段
89 露光開始時間送信手段
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Mounting stand 11 Cassette 20 Coating development apparatus 21 Exposure completion time receiving means 22 Conveyance cycle temporary stop means 23 Conveyance cycle resumption means 24 Conveyance timing data transmission means 25 Conveyance cycle control means 26 Storage device 27, 28 Conveyance cycle control means 27a Exposure end Time data receiving means 27b, 28a Conveying cycle temporary stopping means 27c, 28b Conveying cycle restarting means 30 Coating / developing unit 30a Coating unit 30b Developing unit 40 Heating / cooling unit 50 Conveying device (conveying arm)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 60 Interface part 61 Stocker 70 Exposure apparatus 71 Exposure end time data generation means 72 Exposure end time data transmission means 73 Memory | storage device 74 Conveyance timing data reception means 75 Exposure start time determination means 76 Exposure start time reception means 80 Controller 81,82, 83 Communication line 84 Exposure end time data receiving means 85 Temporary stop signal transmitting means 86 Restart signal transmitting means 87 Transport timing data receiving means 88 Exposure start time determining means 89 Exposure start time transmitting means

Claims (6)

加熱ユニットを有する塗布現像装置と露光装置とが通信回線を介して接続されている半導体製造システムであって、
前記露光装置は、
露光条件データを記憶する記憶装置と、
該記憶装置から露光条件データを読み出し、該読み出した露光条件データに基づいて露光終了時間を推定して露光終了時間データを生成する露光終了時間データ生成手段と、
該露光終了時間データ生成手段により生成された露光終了時間データを前記塗布現像装置に対し前記通信回線を介して送信する露光終了時間データ送信手段とを備え、
前記塗布現像装置は、
前記露光装置の露光終了時間データ送信手段により送信された露光終了時間データを前記通信回線を介して受信する露光終了時間データ受信手段と、
該露光終了時間データ受信手段により受信された露光終了時間データに基づき、前記塗布現像装置内のウェハ搬送サイクルを一時停止すると共に、前記露光装置からのウェハ搬出に合わせて搬送機構を待機させる搬送サイクル一時停止手段と、
前記露光装置から搬出されたウェハを前記加熱ユニットに搬送した後、前記搬送サイクル一時停止手段により一時停止されたウェハ搬送サイクルを再開する搬送サイクル再開手段とを備えたことを特徴とする半導体製造システム。
A semiconductor manufacturing system in which a coating and developing apparatus having a heating unit and an exposure apparatus are connected via a communication line,
The exposure apparatus includes:
A storage device for storing exposure condition data;
Exposure end time data generating means for reading exposure condition data from the storage device, estimating an exposure end time based on the read exposure condition data, and generating exposure end time data;
Exposure end time data transmitting means for transmitting the exposure end time data generated by the exposure end time data generating means to the coating and developing apparatus via the communication line, and
The coating and developing apparatus includes:
Exposure end time data receiving means for receiving the exposure end time data transmitted by the exposure end time data transmitting means of the exposure apparatus via the communication line;
Based on the exposure end time data received by the exposure end time data receiving means, the transfer cycle for temporarily stopping the wafer transfer cycle in the coating and developing apparatus and waiting for the transfer mechanism in accordance with the wafer transfer from the exposure apparatus. A suspension means;
A semiconductor manufacturing system comprising: a transfer cycle restarting unit for restarting a wafer transfer cycle temporarily stopped by the transfer cycle temporary stopping unit after the wafer transferred from the exposure apparatus is transferred to the heating unit. .
加熱ユニットを有する塗布現像装置と露光装置とが通信回線を介して接続されている半導体製造システムであって、
前記塗布現像装置は、
前記塗布現像装置のウェハ搬送サイクルの搬送タイミングデータを記憶する記憶装置と、
該記憶装置から搬送タイミングデータを読み出し、該読み出した搬送タイミングデータを前記露光装置に対し前記通信回線を介して送信する搬送タイミングデータ送信手段と、
前記搬送タイミングデータに基づき、前記塗布現像装置内のウェハ搬送サイクルを制御する搬送サイクル制御手段とを備え、
前記露光装置は、
前記塗布現像装置の搬送タイミングデータ送信手段により送信された搬送タイミングデータを前記通信回線を介して受信する搬送タイミングデータ受信手段と、
該搬送タイミングデータ受信手段により受信された搬送タイミングデータに基づき、露光処理の開始時間を決定する露光開始時間決定手段とを備え、
前記搬送サイクル制御手段は、搬送タイミングデータに基づき、前記露光装置から搬出されたウェハが前記加熱ユニットに搬送することを特徴とする半導体製造システム。
A semiconductor manufacturing system in which a coating and developing apparatus having a heating unit and an exposure apparatus are connected via a communication line,
The coating and developing apparatus includes:
A storage device for storing transfer timing data of a wafer transfer cycle of the coating and developing apparatus;
Conveyance timing data transmitting means for reading conveyance timing data from the storage device and transmitting the read conveyance timing data to the exposure apparatus via the communication line;
A transport cycle control means for controlling a wafer transport cycle in the coating and developing apparatus based on the transport timing data;
The exposure apparatus includes:
Transport timing data receiving means for receiving the transport timing data transmitted by the transport timing data transmitting means of the coating and developing apparatus via the communication line;
Exposure start time determining means for determining the start time of exposure processing based on the transport timing data received by the transport timing data receiving means,
The semiconductor manufacturing system according to claim 1, wherein the transfer cycle control unit transfers a wafer unloaded from the exposure apparatus to the heating unit based on transfer timing data.
加熱ユニットを有する塗布現像装置と露光装置とが通信回線を介して接続されている半導体製造システムであって、
前記塗布現像装置は、
前記塗布現像装置のウェハ搬送サイクルの搬送タイミングデータを記憶する記憶装置と、
該記憶装置から搬送タイミングデータを読み出し、該読み出した搬送タイミングデータを前記露光装置に対し前記通信回線を介して送信する搬送タイミングデータ送信手段と、
前記搬送タイミングデータに基づき、前記塗布現像装置内のウェハ搬送サイクルを制御する搬送サイクル制御手段を備え、
前記露光装置は、
前記塗布現像装置の搬送タイミングデータ送信手段により送信された搬送タイミングデータを前記通信回線を介して受信する搬送タイミングデータ受信手段と、
該搬送タイミングデータ受信手段により受信された搬送タイミングデータに基づき、露光処理の開始時間を決定する露光開始時間決定手段と、
露光条件データを記憶する記憶装置と、
該記憶装置から露光条件データを読み出し、該読み出した露光条件データに基づいて露光終了時間を推定して露光終了時間データを生成する露光終了時間データ生成手段と、
該露光終了時間データ生成手段により生成された露光終了時間データを前記塗布現像装置に対し前記通信回線を介して送信する露光終了時間データ送信手段とを備え、
前記塗布現像装置の前記搬送サイクル制御手段は、
前記露光終了時間データ送信手段により送信された露光終了時間データを前記通信回線を介して受信する露光終了時間データ受信手段と、
前記露光終了時間データ受信手段により受信された露光終了時間データと搬送タイミングデータとが異なる場合に、前記塗布現像装置内のウェハ搬送サイクルを一時停止すると共に、前記露光装置からのウェハ搬出に合わせて搬送機構を待機させる搬送サイクル一時停止手段と、
前記露光装置から搬出されたウェハを前記加熱ユニットに搬送した後、前記搬送サイクル一時停止手段により一時停止されたウェハ搬送サイクルを再開する搬送サイクル再開手段とを備えたことを特徴とする半導体製造システム。
A semiconductor manufacturing system in which a coating and developing apparatus having a heating unit and an exposure apparatus are connected via a communication line,
The coating and developing apparatus includes:
A storage device for storing transfer timing data of a wafer transfer cycle of the coating and developing apparatus;
Conveyance timing data transmitting means for reading conveyance timing data from the storage device and transmitting the read conveyance timing data to the exposure apparatus via the communication line;
A transport cycle control means for controlling a wafer transport cycle in the coating and developing apparatus based on the transport timing data;
The exposure apparatus includes:
Transport timing data receiving means for receiving the transport timing data transmitted by the transport timing data transmitting means of the coating and developing apparatus via the communication line;
Exposure start time determining means for determining an exposure processing start time based on the transport timing data received by the transport timing data receiving means;
A storage device for storing exposure condition data;
Exposure end time data generating means for reading exposure condition data from the storage device, estimating an exposure end time based on the read exposure condition data, and generating exposure end time data;
Exposure end time data transmitting means for transmitting the exposure end time data generated by the exposure end time data generating means to the coating and developing apparatus via the communication line, and
The transport cycle control means of the coating and developing apparatus includes:
Exposure end time data receiving means for receiving the exposure end time data transmitted by the exposure end time data transmitting means via the communication line;
When the exposure end time data received by the exposure end time data receiving means is different from the transfer timing data, the wafer transfer cycle in the coating and developing apparatus is temporarily stopped and the wafer is transferred from the exposure apparatus. A transport cycle suspension means for waiting the transport mechanism;
A semiconductor manufacturing system comprising: a transfer cycle restarting unit for restarting a wafer transfer cycle temporarily stopped by the transfer cycle temporary stopping unit after the wafer transferred from the exposure apparatus is transferred to the heating unit. .
加熱ユニットを有する塗布現像装置と、露光装置と、該塗布現像装置及び露光装置と通信回線を介して接続されている制御装置とを有する半導体製造システムであって、
前記塗布現像装置は、前記塗布現像装置内のウェハ搬送サイクルを制御する搬送サイクル制御手段を備え、
前記露光装置は、
露光条件データを記憶する記憶装置と、
該記憶装置から露光条件を読み出し、該読み出した露光条件に基づいて露光終了時間を推定して露光終了時間データを生成する露光終了時間データ生成手段と、
該露光終了時間データ生成手段により生成された露光終了時間データを前記制御装置に対し前記通信回線を介して送信する露光終了時間データ送信手段とを備え、
前記制御装置は、
前記露光装置の露光終了時間データ送信手段により送信された露光終了時間データを前記通信回線を介して受信する露光終了時間データ受信手段と、
該露光終了時間データ受信手段により受信された露光終了時間データに基づき、前記塗布現像装置内のウェハ搬送サイクルを一時停止させると共に、前記露光装置からのウェハ搬出に合わせて搬送機構を待機させる搬送サイクル一時停止信号を、前記搬送サイクル制御手段に対し前記通信回線を介して送信する一時停止信号送信手段と、
前記露光装置から搬出されたウェハを前記加熱ユニットに搬送した後、前記搬送サイクル一時停止信号により一時停止されたウェハ搬送サイクルを再開する搬送サイクル再開信号を、前記搬送サイクル制御手段に対し前記通信回線を介して送信する再開信号送信手段とを備えたことを特徴とする半導体製造システム。
A semiconductor manufacturing system having a coating and developing apparatus having a heating unit, an exposure apparatus, and a control apparatus connected to the coating and developing apparatus and the exposure apparatus via a communication line,
The coating and developing apparatus includes a transfer cycle control unit that controls a wafer transfer cycle in the coating and developing apparatus,
The exposure apparatus includes:
A storage device for storing exposure condition data;
Exposure end time data generating means for reading exposure conditions from the storage device, estimating exposure end time based on the read exposure conditions, and generating exposure end time data;
Exposure end time data transmitting means for transmitting the exposure end time data generated by the exposure end time data generating means to the control device via the communication line;
The control device includes:
Exposure end time data receiving means for receiving the exposure end time data transmitted by the exposure end time data transmitting means of the exposure apparatus via the communication line;
Based on the exposure end time data received by the exposure end time data receiving means, the transfer cycle for temporarily stopping the wafer transfer cycle in the coating and developing apparatus and waiting for the transfer mechanism in accordance with the wafer transfer from the exposure apparatus. A temporary stop signal transmitting means for transmitting a temporary stop signal to the transport cycle control means via the communication line;
After the wafer unloaded from the exposure apparatus is transferred to the heating unit, a transfer cycle restart signal for restarting the wafer transfer cycle temporarily stopped by the transfer cycle pause signal is sent to the transfer cycle control means. A semiconductor manufacturing system comprising restart signal transmitting means for transmitting via
加熱ユニットを有する塗布現像装置と、露光装置と、該塗布現像装置及び露光装置と通信回線を介して接続されている制御装置とを有する半導体製造システムであって、
前記塗布現像装置は、
前記塗布現像装置のウェハ搬送サイクルの搬送タイミングデータを記憶する記憶装置と、
該記憶装置から搬送タイミングデータを読み出し、該読み出した搬送タイミングデータを前記制御装置に対し前記通信回線を介して送信する搬送タイミングデータ送信手段と、
前記搬送タイミングデータに基づき、前記塗布現像装置内のウェハ搬送サイクルを制御する搬送サイクル制御手段とを備え、
前記制御装置は、
前記塗布現像装置の搬送タイミングデータ送信手段により送信された搬送タイミングデータを前記通信回線を介して受信する搬送タイミングデータ受信手段と、
該搬送タイミングデータ受信手段により受信された搬送タイミングデータに基づき、露光処理の開始時間を決定する露光開始時間決定手段と、
前記露光開始時間決定手段により決定された露光開始時間を前記露光装置に対し前記通信回線を介して送信する露光開始時間送信手段とを備え、
前記露光装置は、前記制御装置の前記露光開始時間送信手段により送信された露光開始時間を前記通信回線を介して受信する露光開始時間受信手段を備え、該受信した露光開始時間に基づき露光処理を行い、
前記搬送サイクル制御手段は、搬送タイミングデータに基づき、前記露光装置から搬出されたウェハが前記加熱ユニットに搬送することを特徴とする半導体製造システム。
A semiconductor manufacturing system having a coating and developing apparatus having a heating unit, an exposure apparatus, and a control apparatus connected to the coating and developing apparatus and the exposure apparatus via a communication line,
The coating and developing apparatus includes:
A storage device for storing transfer timing data of a wafer transfer cycle of the coating and developing apparatus;
Conveyance timing data transmitting means for reading conveyance timing data from the storage device and transmitting the read conveyance timing data to the control device via the communication line;
A transport cycle control means for controlling a wafer transport cycle in the coating and developing apparatus based on the transport timing data;
The control device includes:
Transport timing data receiving means for receiving the transport timing data transmitted by the transport timing data transmitting means of the coating and developing apparatus via the communication line;
Exposure start time determining means for determining an exposure processing start time based on the transport timing data received by the transport timing data receiving means;
Exposure start time transmitting means for transmitting the exposure start time determined by the exposure start time determining means to the exposure apparatus via the communication line;
The exposure apparatus includes exposure start time receiving means for receiving the exposure start time transmitted by the exposure start time transmitting means of the control device via the communication line, and performs an exposure process based on the received exposure start time. Done
The semiconductor manufacturing system according to claim 1, wherein the transfer cycle control unit transfers a wafer unloaded from the exposure apparatus to the heating unit based on transfer timing data.
加熱ユニットを有する塗布現像装置と、露光装置と、該塗布現像装置及び露光装置と通信回線を介して接続されている制御装置とを有する半導体製造システムであって、
前記塗布現像装置は、
前記塗布現像装置のウェハ搬送サイクルの搬送タイミングデータを記憶する記憶装置と、
該記憶装置から搬送タイミングデータを読み出し、該読み出した搬送タイミングデータを前記制御装置に対し前記通信回線を介して送信する搬送タイミングデータ送信手段と、
前記搬送タイミングデータに基づき、前記塗布現像装置内のウェハ搬送サイクルを制御する搬送サイクル制御手段を備え、
前記制御装置は、
前記塗布現像装置の搬送タイミングデータ送信手段により送信された搬送タイミングデータを前記通信回線を介して受信する搬送タイミングデータ受信手段と、
該搬送タイミングデータ受信手段により受信された搬送タイミングデータに基づき、露光処理の開始時間を決定する露光開始時間決定手段と、
前記露光開始時間決定手段により決定された露光開始時間を前記露光装置に対し前記通信回線を介して送信する露光開始時間送信手段とを備え、
前記露光装置は、
前記制御装置の前記露光開始時間送信手段により送信された露光開始時間を前記通信回線を介して受信する露光開始時間受信手段と、
露光条件データを記憶する記憶装置と、
該記憶装置から露光条件データを読み出し、該読み出した露光条件データと前記受信した露光開始時間とに基づいて露光終了時間を推定して露光終了時間データを生成する露光終了時間データ生成手段と、
該露光終了時間データ生成手段により生成された露光終了時間データを前記制御装置に対し前記通信回線を介して送信する露光終了時間データ送信手段とを備え、
前記制御装置は、
前記露光装置の前記露光終了時間データ送信手段により送信された露光終了時間データを前記通信回線を介して受信する露光終了時間データ受信手段と、
前記露光終了時間データ受信手段により受信された露光終了時間データと搬送タイミングデータとが異なる場合に、前記塗布現像装置内のウェハ搬送サイクルを一時停止させると共に、前記露光装置からのウェハ搬出に合わせて搬送機構を待機させる搬送サイクル一時停止信号を、前記搬送サイクル制御手段に対し前記通信回線を介して送信する一時停止信号送信手段と、
前記露光装置から搬出されたウェハを前記加熱ユニットに搬送した後、前記搬送サイクル一時停止手信号により一時停止されたウェハ搬送サイクルを再開する搬送サイクル再開信号を、前記搬送サイクル制御手段に対し前記通信回線を介して送信する再開信号送信手段とを更に備えたことを特徴とする半導体製造システム。
A semiconductor manufacturing system having a coating and developing apparatus having a heating unit, an exposure apparatus, and a control apparatus connected to the coating and developing apparatus and the exposure apparatus via a communication line,
The coating and developing apparatus includes:
A storage device for storing transfer timing data of a wafer transfer cycle of the coating and developing apparatus;
Conveyance timing data transmitting means for reading conveyance timing data from the storage device and transmitting the read conveyance timing data to the control device via the communication line;
A transport cycle control means for controlling a wafer transport cycle in the coating and developing apparatus based on the transport timing data;
The control device includes:
Transport timing data receiving means for receiving the transport timing data transmitted by the transport timing data transmitting means of the coating and developing apparatus via the communication line;
Exposure start time determining means for determining an exposure processing start time based on the transport timing data received by the transport timing data receiving means;
Exposure start time transmitting means for transmitting the exposure start time determined by the exposure start time determining means to the exposure apparatus via the communication line;
The exposure apparatus includes:
Exposure start time receiving means for receiving the exposure start time transmitted by the exposure start time transmitting means of the control device via the communication line;
A storage device for storing exposure condition data;
Exposure end time data generating means for reading exposure condition data from the storage device, estimating an exposure end time based on the read exposure condition data and the received exposure start time, and generating exposure end time data;
Exposure end time data transmitting means for transmitting the exposure end time data generated by the exposure end time data generating means to the control device via the communication line;
The control device includes:
Exposure end time data receiving means for receiving the exposure end time data transmitted by the exposure end time data transmitting means of the exposure apparatus via the communication line;
When the exposure end time data received by the exposure end time data receiving means is different from the transfer timing data, the wafer transfer cycle in the coating and developing apparatus is temporarily stopped and the wafer is transferred from the exposure apparatus. A suspension signal transmission means for transmitting a conveyance cycle pause signal for waiting the conveyance mechanism to the conveyance cycle control means via the communication line;
After the wafer unloaded from the exposure apparatus is transferred to the heating unit, a transfer cycle restart signal for restarting the wafer transfer cycle temporarily stopped by the transfer cycle stop signal is sent to the transfer cycle control means. A semiconductor manufacturing system, further comprising restart signal transmission means for transmitting via a line.
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