JP2005258210A - Recessed substrate manufacturing method, recessed substrate, micro-lens substrate, transmission type screen and rear type projector - Google Patents

Recessed substrate manufacturing method, recessed substrate, micro-lens substrate, transmission type screen and rear type projector Download PDF

Info

Publication number
JP2005258210A
JP2005258210A JP2004071377A JP2004071377A JP2005258210A JP 2005258210 A JP2005258210 A JP 2005258210A JP 2004071377 A JP2004071377 A JP 2004071377A JP 2004071377 A JP2004071377 A JP 2004071377A JP 2005258210 A JP2005258210 A JP 2005258210A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
mask
manufacturing
etching
recesses
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004071377A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4449502B2 (en
Inventor
Makoto Ishii
誠 石井
Nobuo Shimizu
信雄 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2004071377A priority Critical patent/JP4449502B2/en
Publication of JP2005258210A publication Critical patent/JP2005258210A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4449502B2 publication Critical patent/JP4449502B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Overhead Projectors And Projection Screens (AREA)
  • Projection Apparatus (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a recessed substrate manufacturing method with which the final point of etching can exactly be judged, to provide a recessed substrate, a micro-lens substrate, a transmission screen and a rear type projector which are manufactured by using such a method. <P>SOLUTION: The invention is for the recessed substrate manufacturing method for forming a plurality of recesses on a substrate 5 by etching with a mask 6 that has a plurality of openings 63 made in it in a regular arrangement. The surface of the substrate to be etched has the first area 66 covered with the mask having the plurality of openings, and the second area 67 covered with a mask having a plurality of second openings 64 arranged having pitches smaller than the pitches between the first openings. In addition, a non-masking area 65 where a mask is not formed is provided between the first area and the second area. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、凹部付き基板の製造方法、凹部付き基板、マイクロレンズ基板、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタに関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a substrate with recesses, a substrate with recesses, a microlens substrate, a transmissive screen, and a rear projector.

スクリーン上に画像を投影する表示装置が知られている。このような表示装置としては、ホームシアター用モニター、大画面テレビ等に適用されるリア型プロジェクタが知られており、近年、その需要が高まりつつある。
このようなリア型プロジェクタでは、その画像形成に主として透過型スクリーンが用いられる。 A display device that projects an image on a screen is known. As such a display device, a rear-type projector applied to a home theater monitor, a large-screen television, or the like is known, and the demand thereof has been increasing in recent years.
In such a rear projector, a transmissive screen is mainly used for image formation.

このようなリア型プロジェクタに用いられる透過型スクリーンとしては、特に広視野角特性が求められている。このような広視野角特性を有する透過型スクリーンとしては、フレネルレンズが形成されたフレネルレンズ部と、多数のマイクロレンズが形成されたマイクロレンズ基板とを有するものが知られている。この透過型スクリーンは、マイクロレンズによる光屈折作用により、上下方向ともに良好な視野角特性が得られるという利点を有している。
このような透過型スクリーンに用いるマイクロレンズ基板の製造方法としては、所定パターンの開口を有するマスクを用いたエッチングにより製造する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。 A wide viewing angle characteristic is particularly required for a transmission screen used in such a rear projector. As a transmission screen having such a wide viewing angle characteristic, a screen having a Fresnel lens portion on which a Fresnel lens is formed and a microlens substrate on which a large number of microlenses are formed is known. This transmissive screen has an advantage that a good viewing angle characteristic can be obtained in the vertical direction due to the light refraction action of the microlens.
As a manufacturing method of a microlens substrate used for such a transmission type screen, a manufacturing method by etching using a mask having an opening having a predetermined pattern is known (for example, see Patent Document 1).

しかし、特許文献１に記載の方法では、マスクが完全に剥離するまでエッチングを施すため、得られる凹部付き基板の凹部の曲率が低下し、この凹部付き基板を型として得られるマイクロレンズの視野角特性が低下してしまうという問題があった。その結果、得られる透過型スクリーン、リア型プロジェクタの視野角特性が低下してしまうという問題があった。このような問題を解決する方法として、時間管理等によって、エッチングの終点を調整し、マスクが剥離する前にエッチングを終了させることも考えられるが、繰り返しの使用によるエッチング液の濃度変化や温度条件等の諸条件によって、時間だけでエッチングの終点を判断するのは困難であった。   However, in the method described in Patent Document 1, since etching is performed until the mask is completely peeled, the curvature of the concave portion of the obtained substrate with concave portions is lowered, and the viewing angle of the microlens obtained using this concave substrate as a mold There was a problem that the characteristics deteriorated. As a result, there is a problem that the viewing angle characteristics of the obtained transmissive screen and rear projector are deteriorated. As a method for solving such a problem, it may be possible to adjust the end point of etching by time management or the like, and to terminate the etching before the mask is peeled off. It is difficult to determine the end point of etching only by time under various conditions such as the above.

特開平９−１０１４０１号公報JP-A-9-101401

本発明の目的は、エッチングの終点を的確に判断することができる凹部付き基板の製造方法、そのような方法を用いて製造された凹部付き基板、マイクロレンズ基板、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタを提供することにある。   An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a substrate with recesses capable of accurately determining the end point of etching, a substrate with recesses manufactured using such a method, a microlens substrate, a transmissive screen, and a rear projector. It is to provide.

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の凹部付き基板の製造方法は、規則的に配列した複数の第１の開口部が設けられたマスクを用いてエッチングを施し、基板上に複数の凹部を形成する凹部付き基板の製造方法であって、
前記エッチングに供される前記基板上には、
複数の前記第１の開口部を有するマスクで被覆された第１の領域と、
複数の前記第１の開口部のピッチよりも小さいピッチで配列した複数の第２の開口部を有するマスクで被覆された第２の領域とが設けられており、かつ、
前記第１の領域と前記第２の領域との間に、マスクが形成されていない非マスキング領域が設けられていることを特徴とする。
これにより、エッチングの終点を的確に判断することができ、その結果、得られる凹部付き基板の凹部の曲率を適度なものとすることができ、また、この凹部付き基板を用いて得られるマイクロレンズ基板の視野角特性を向上させることができる。 Such an object is achieved by the present invention described below.
The method for manufacturing a substrate with recesses according to the present invention is a method for manufacturing a substrate with recesses, wherein a plurality of recesses are formed on the substrate by performing etching using a mask provided with a plurality of regularly arranged first openings. Because
On the substrate subjected to the etching,
A first region covered with a mask having a plurality of the first openings;
A second region covered with a mask having a plurality of second openings arranged at a pitch smaller than the pitch of the plurality of first openings, and
A non-masking region where no mask is formed is provided between the first region and the second region.
As a result, the end point of etching can be accurately determined. As a result, the curvature of the concave portion of the obtained substrate with concave portions can be made moderate, and the microlens obtained by using this concave substrate. The viewing angle characteristics of the substrate can be improved.

本発明の凹部付き基板の製造方法では、前記非マスキング領域は、前記基板上のほぼ全面に、マスクを形成した後、マスクの一部を除去することにより形成されることが好ましい。
これにより、容易に非マスキング領域を形成することができる。また、このように同一の基板上に、第１の領域と第２の領域とを設けた場合、エッチングレートの異なる基板間においても、エッチングの終点を的確に判断できるため、連続生産した際においても、各基板間における形成される凹部の形状のバラツキを防止することができる。 In the method for manufacturing a substrate with recesses according to the present invention, it is preferable that the non-masking region is formed by removing a part of the mask after forming a mask on substantially the entire surface of the substrate.
Thereby, a non-masking area | region can be formed easily. Further, when the first region and the second region are provided on the same substrate in this way, the end point of etching can be accurately determined even between substrates having different etching rates. In addition, it is possible to prevent variations in the shape of the recesses formed between the substrates.

本発明の凹部付き基板の製造方法では、前記マスキング領域の形成は、レーザ加工により行われることが好ましい。
これにより、基板に対してほとんどダメージを与えずに、選択的にマスクを除去することができ、非マスキング領域を、容易に、かつ精確に形成することができる。
本発明の凹部付き基板の製造方法は、規則的に配列した複数の第１の開口部が設けられたマスクを用いてエッチングを施し、基板上に複数の凹部を形成する凹部付き基板の製造方法であって、
複数の前記第１の開口部を有するマスクで被覆された第１の領域が設けられた第１の基板と、
複数の前記第１の開口部のピッチよりも小さいピッチで配列した複数の第２の開口部を有するマスクで被覆された第２の領域が設けられた第２の基板とを用いることを特徴とする。
これにより、エッチングの終点を的確に判断することができ、その結果、得られる凹部付き基板の凹部の曲率を適度なものとすることができ、また、この凹部付き基板を用いて得られるマイクロレンズ基板の視野角特性を向上させることができる。 In the method for manufacturing a substrate with recesses according to the present invention, the masking region is preferably formed by laser processing.
Thereby, the mask can be selectively removed with little damage to the substrate, and the non-masking region can be formed easily and accurately.
The method for manufacturing a substrate with recesses according to the present invention is a method for manufacturing a substrate with recesses, wherein a plurality of recesses are formed on the substrate by performing etching using a mask provided with a plurality of regularly arranged first openings. Because
A first substrate provided with a first region covered with a mask having a plurality of the first openings;
And a second substrate provided with a second region covered with a mask having a plurality of second openings arranged at a pitch smaller than the pitch of the plurality of first openings. To do.
As a result, the end point of etching can be accurately determined. As a result, the curvature of the concave portion of the obtained substrate with concave portions can be made moderate, and the microlens obtained by using this concave substrate. The viewing angle characteristics of the substrate can be improved.

本発明の凹部付き基板の製造方法では、前記第１の基板と前記第２の基板とは、母材のほぼ全面に、マスクを形成した後、前記母材を切断することにより得られることが好ましい。
これにより、容易に第１の基板、第２の基板を得ることができる。また、各基板間でのエッチングレートのバラツキを防止することができる。 In the method for manufacturing a substrate with recesses according to the present invention, the first substrate and the second substrate can be obtained by forming a mask on substantially the entire surface of the base material and then cutting the base material. preferable.
Thereby, a 1st board | substrate and a 2nd board | substrate can be obtained easily. In addition, variations in the etching rate between the substrates can be prevented.

本発明の凹部付き基板の製造方法では、前記開口部の形成は、レーザ加工により行われることが好ましい。
これにより、第１の開口部、第２の開口部の大きさや間隔等を容易にかつ精確に制御することができる。
本発明の凹部付き基板の製造方法では、前記マスクは、主としてＣｒおよび／またはＣｒＯで構成されたものであることが好ましい。
これにより、マスク全体としての内部応力を調整し、所望の形状や大きさの開口部を精度よく形成することができ、結果として、凹部の形状や大きさを容易かつ確実に制御することができる。 In the method for manufacturing a substrate with a recess according to the present invention, the opening is preferably formed by laser processing.
Thereby, the magnitude | size, space | interval, etc. of a 1st opening part and a 2nd opening part can be controlled easily and accurately.
In the method for manufacturing a substrate with recesses according to the present invention, the mask is preferably composed mainly of Cr and / or CrO.
As a result, the internal stress of the mask as a whole can be adjusted, and an opening having a desired shape and size can be accurately formed. As a result, the shape and size of the recess can be easily and reliably controlled. .

本発明の凹部付き基板の製造方法では、前記マスクの平均厚さは、５〜５００ｎｍであることが好ましい。
これにより、エッチングに対する耐性を保持しつつ、開口部の形成が容易になり、開口部の大きさをより容易に制御することができる。
本発明の凹部付き基板の製造方法では、前記開口部の平均径は、１０μｍ以下であることが好ましい。
これにより、後述するエッチング工程において形成される凹部の中心部付近の曲率半径をより好適なものとしつつ、エッチングの速度を適度なものとすることができる。 In the method for manufacturing a substrate with recesses according to the present invention, the average thickness of the mask is preferably 5 to 500 nm.
This makes it easier to form the opening while maintaining resistance to etching, and the size of the opening can be controlled more easily.
In the method for manufacturing a substrate with recesses according to the present invention, the average diameter of the openings is preferably 10 μm or less.
Thereby, the etching rate can be made moderate while making the radius of curvature near the central part of the recess formed in the etching step described later more suitable.

本発明の凹部付き基板の製造方法では、前記エッチングは、ウェットエッチングであって、
フッ化アンモニウムと、酸とを含むエッチング液を用いて施されることが好ましい。
これにより、基板としてガラス基板を用いた場合に、難溶性の副生成物の生成を抑制することができ、ガラス基板に対し均一にエッチングを施すことができる。 In the method for manufacturing a substrate with a recess according to the present invention, the etching is wet etching,
It is preferable to apply using an etching solution containing ammonium fluoride and an acid.
Thereby, when a glass substrate is used as the substrate, it is possible to suppress the formation of poorly soluble by-products and to etch the glass substrate uniformly.

本発明の凹部付き基板の製造方法では、前記フッ化アンモニウムは、主として一水素二フッ化アンモニウムで構成されたものであることが好ましい。
これにより、ガラス基板に対して、より効率よくエッチングを施すことができる。
本発明の凹部付き基板の製造方法では、前記酸は、主として硫酸で構成されたものであることが好ましい。
これにより、エッチング液とガラスとの反応の副生成物をより効果的に除去することができる。また、特に、マスクとして、Ｃｒ、ＣｒＯの膜を用いた場合に、硫酸を含むエッチング液を用いることで、マスクへの影響をより効果的に抑制しつつ、ガラス基板に対してより均一にエッチングを施すことができる。 In the method for manufacturing a substrate with recesses according to the present invention, it is preferable that the ammonium fluoride is mainly composed of ammonium monohydrogen difluoride.
Thereby, it can etch more efficiently with respect to a glass substrate.
In the method for manufacturing a substrate with recesses according to the present invention, the acid is preferably composed mainly of sulfuric acid.
Thereby, the by-product of reaction with etching liquid and glass can be removed more effectively. In particular, when a Cr or CrO film is used as a mask, an etching solution containing sulfuric acid is used to etch the glass substrate more uniformly while suppressing the influence on the mask more effectively. Can be applied.

本発明の凹部付き基板は、本発明の凹部付き基板の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
これにより、適度な曲率の凹部を有する凹部付き基板を好適に提供することができる。
本発明のマイクロレンズ基板は、本発明の凹部付き基板を用いて製造されたことを特徴とする。
これにより、視野角特性に優れたマイクロレンズ基板を提供することができる。 The board | substrate with a recessed part of this invention was manufactured using the manufacturing method of the board | substrate with a recessed part of this invention, It is characterized by the above-mentioned.
Thereby, the board | substrate with a recessed part which has a recessed part of moderate curvature can be provided suitably.
The microlens substrate of the present invention is manufactured using the substrate with concave portions of the present invention.
Thereby, a microlens substrate having excellent viewing angle characteristics can be provided.

本発明の透過型スクリーンは、本発明のマイクロレンズ基板を備えたことを特徴とする。
これにより、視野角特性に優れた透過型スクリーンを提供することができる。
本発明のリア型プロジェクタは、本発明の透過型スクリーンを備えたことを特徴とする。
これにより、視野角特性に優れたリア型プロジェクタを提供することができる。 The transmission screen of the present invention is characterized by including the microlens substrate of the present invention.
Thereby, it is possible to provide a transmission screen having excellent viewing angle characteristics.
A rear projector according to the present invention includes the transmission screen according to the present invention.
As a result, a rear projector having excellent viewing angle characteristics can be provided.

以下、本発明の凹部付き基板の製造方法、凹部付き基板、マイクロレンズ基板、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタについて、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
まず、本発明の凹部付き基板の製造方法の第１実施形態について説明する。
図１、図２は、本発明の凹部付き基板の製造工程を示す模式的な縦断面図、図３は、開口部を形成したマスクの一例を示す平面図、図４は、本発明の凹部付き基板の平面図、図５は、開口部を形成したマスクの他の一例を示す平面図、図６は、凹部付き基板を用いて形成したマイクロレンズ基板の縦断面図である。 Hereinafter, a method for manufacturing a substrate with recesses, a substrate with recesses, a microlens substrate, a transmission screen, and a rear projector according to the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
First, a first embodiment of a method for manufacturing a substrate with recesses according to the present invention will be described.
1 and 2 are schematic longitudinal sectional views showing a manufacturing process of a substrate with a recess according to the present invention, FIG. 3 is a plan view showing an example of a mask in which an opening is formed, and FIG. 4 is a recess according to the present invention. FIG. 5 is a plan view showing another example of a mask in which openings are formed, and FIG. 6 is a longitudinal sectional view of a microlens substrate formed using a substrate with recesses.

まず、凹部付き基板２の製造に際し、図１（ａ）に示すように、基板５を用意する。
この基板５は、厚さが均一で、たわみや傷のないものが好適に用いられる。また、基板５は、洗浄やエッチング等により、その表面が清浄化または平滑化されているものが好ましい。
基板５の構成材料は、特に限定されず、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウ珪酸ガラス等が挙げられる。例えば、凹部付き基板２を用いてマイクロレンズ基板を製造する場合、基板５の構成材料としては、無アルカリガラス、ソーダガラス、結晶性ガラス（例えば、ネオセラム等）が好ましい。中でも、ソーダガラスは、加工が容易であるとともに、得られる凹部付き基板２を好適な光学的特性を有するものとすることができる。また、ソーダガラスは、比較的安価であり、製造コストの面からも有利である。また、特に、ソーダガラスは、一般にエッチング液との反応によって水に難溶性の生成物（副生成物）が生じるという問題が起こりやすいため、後に詳述するようなエッチング液を用いると、このような問題を効果的に防止することができる。
基板５の厚さは、基板５を構成する材料、屈折率等の種々の条件により異なるが、通常、０．３〜２０ｍｍ程度であるのが好ましく、２〜８ｍｍ程度であるのがより好ましい。厚さをこの範囲内とすると、例えば、必要な光学特性を備えたコンパクトな凹部付き基板２を得ることができる。 First, in manufacturing the substrate 2 with recesses, a substrate 5 is prepared as shown in FIG.
The substrate 5 having a uniform thickness and having no deflection or scratch is preferably used. The substrate 5 preferably has a surface that is cleaned or smoothed by washing, etching, or the like.
The constituent material of the substrate 5 is not particularly limited, and examples thereof include alkali-free glass, soda glass, crystalline glass, quartz glass, lead glass, potassium glass, and borosilicate glass. For example, when a microlens substrate is manufactured using the substrate 2 with recesses, the constituent material of the substrate 5 is preferably alkali-free glass, soda glass, or crystalline glass (for example, neoceram). Among them, soda glass is easy to process, and the obtained substrate 2 with recesses can have suitable optical characteristics. Further, soda glass is relatively inexpensive and is advantageous from the viewpoint of manufacturing cost. In particular, soda glass generally tends to have a problem that a product (by-product) that is hardly soluble in water due to a reaction with the etching solution. Therefore, when an etching solution as described in detail later is used, Can be effectively prevented.
The thickness of the substrate 5 varies depending on various conditions such as the material constituting the substrate 5 and the refractive index, but is usually preferably about 0.3 to 20 mm, and more preferably about 2 to 8 mm. When the thickness is within this range, for example, a compact substrate 2 with concave portions having necessary optical characteristics can be obtained.

＜１＞図１（ｂ）に示すように、用意した基板５の表面に、マスク６を形成する（マスク形成工程）。また、これとともに、基板５の裏面（マスク６を形成する面と反対側の面）に裏面保護膜６９を形成する。もちろん、マスク６および裏面保護膜６９は同時に形成することもできる。
本実施形態では、図示の構成のように、マスク６は、第１の膜６１と、第２の膜６２との２つの膜で構成されている。 <1> As shown in FIG. 1B, a mask 6 is formed on the surface of the prepared substrate 5 (mask forming step). At the same time, a back surface protective film 69 is formed on the back surface of the substrate 5 (the surface opposite to the surface on which the mask 6 is formed). Of course, the mask 6 and the back surface protective film 69 can be formed simultaneously.
In the present embodiment, the mask 6 is composed of two films, a first film 61 and a second film 62, as shown in the drawing.

第１の膜６１と第２の膜６２とは互いに隣接しており、第１の膜６１は、第２の膜６２よりも基板５側に設けられている。
本実施形態では、第１の膜６１は、内部応力として圧縮応力を有しており、第２の膜６２は、内部応力として引張応力を有している。なお、本明細書中での「内部応力」とは、平板状の基板に、直径１０ｃｍの大きさの膜を形成した場合の、室温における当該膜の内部応力のことを指す。また、圧縮応力と引張応力とは、互いに相殺または緩和する方向に働くものであり、すなわち、内部応力が、負の値のものを「圧縮応力」と言い、正の値のものを「引張応力」と言う。 The first film 61 and the second film 62 are adjacent to each other, and the first film 61 is provided closer to the substrate 5 than the second film 62.
In the present embodiment, the first film 61 has a compressive stress as an internal stress, and the second film 62 has a tensile stress as an internal stress. The “internal stress” in this specification refers to the internal stress of the film at room temperature when a film having a diameter of 10 cm is formed on a flat substrate. In addition, the compressive stress and the tensile stress work in a direction that cancels or relaxes each other. That is, the internal stress having a negative value is referred to as “compressive stress”, and the positive stress is referred to as “tensile stress”. "

このような構成のマスク６を用いることにより、マスク６全体としての内部応力を調整し、所望の形状や大きさの開口部を精度よく形成することができ、結果として、凹部の形状や大きさを容易かつ確実に制御することができる。また、このような構成のマスクを用いることで、マスクと基板との密着性も向上させることができる。また、マスク全体の内部応力を調整することにより、サイドエッチングの速度を制御することができ、その結果、球面レンズや非球面レンズに対応した凹部を容易に形成することができる。   By using the mask 6 having such a configuration, the internal stress of the mask 6 as a whole can be adjusted, and an opening having a desired shape and size can be accurately formed. As a result, the shape and size of the recess Can be controlled easily and reliably. Further, by using the mask having such a structure, the adhesion between the mask and the substrate can be improved. Further, the side etching speed can be controlled by adjusting the internal stress of the entire mask, and as a result, the concave portions corresponding to the spherical lens and the aspherical lens can be easily formed.

第１の膜６１の内部応力（圧縮応力）は、−１７００〜−７００ｍＰａであるのが好ましく、−１５００〜−９００ｍＰａであるのがより好ましい。これにより、より確実にマスク６全体としての内部応力を制御することができ、所望の形状や大きさの開口部をより高い精度で形成することができる。
第２の膜６２の内部応力（引張応力）は、５００〜１５００ｍＰａであるのが好ましく、７００〜１３００ｍＰａであるのがより好ましい。これにより、第１の膜６１の内部応力をより容易に相殺または緩和することができ、所望の大きさの開口部をより高い精度で形成することができる。 The internal stress (compressive stress) of the first film 61 is preferably -1700 to -700 mPa, and more preferably -1500 to -900 mPa. As a result, the internal stress of the mask 6 as a whole can be controlled more reliably, and an opening having a desired shape and size can be formed with higher accuracy.
The internal stress (tensile stress) of the second film 62 is preferably 500 to 1500 mPa, and more preferably 700 to 1300 mPa. Thereby, the internal stress of the first film 61 can be more easily offset or relaxed, and an opening having a desired size can be formed with higher accuracy.

マスク６全体としての内部応力は、−４００〜４００ｍＰａであるのが好ましく、−２５０〜２５０ｍＰａであるのがより好ましい。これにより、所望の大きさの開口部をより高い精度で形成することができ、結果として、凹部の形状をより確実に制御することができる。また、このようなマスク６を用いることで、マスク６と基板５との密着性も向上させることができる。   The internal stress of the mask 6 as a whole is preferably −400 to 400 mPa, and more preferably −250 to 250 mPa. Thereby, the opening part of a desired magnitude | size can be formed with a higher precision, and as a result, the shape of a recessed part can be controlled more reliably. Further, by using such a mask 6, adhesion between the mask 6 and the substrate 5 can be improved.

第１の膜６１を形成する材料としては、特に限定されず、例えば、ＣｒＯ、ＴｉＯ、Ｔａ３Ｏ５、ＮｉＯ、ＴｉＷＯ等が挙げられる。中でも、第１の膜６１は、主としてＣｒＯで構成されたものであるのが好ましい。このように第１の膜６１が主としてＣｒＯで構成されたものであると、マスク６全体としての内部応力をより容易に制御することができる。また、各開口部を容易に形成することができるとともに、エッチングを施す際に、エッチングに対する耐性に優れたものとなる。また、比較的大きな基板に対して容易に均一な膜を形成することができる。また、第１の膜６１が主としてＣｒＯで構成されたものであると、例えば、第２の膜６２が主としてＣｒで構成されたものである場合には、第２の膜６２との密着性が向上する。また、基板５との密着性も向上する。 The material for forming the first film 61 is not particularly limited, and examples thereof include CrO, TiO, Ta 3 O 5 , NiO, and TiWO. Especially, it is preferable that the 1st film | membrane 61 is mainly comprised by CrO. Thus, when the first film 61 is mainly composed of CrO, the internal stress of the mask 6 as a whole can be controlled more easily. Further, each opening can be easily formed, and when etching is performed, resistance to etching is excellent. In addition, a uniform film can be easily formed on a relatively large substrate. Further, if the first film 61 is mainly composed of CrO, for example, when the second film 62 is mainly composed of Cr, the adhesion with the second film 62 is high. improves. In addition, adhesion with the substrate 5 is improved.

第２の膜６２を形成する材料としては、特に限定されず、例えば、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、ＴｉＷ等が挙げられる。中でも、第２の膜６２は、主としてＣｒで構成されたものであるのが好ましい。このように第２の膜６２が主としてＣｒで構成されたものであると、第１の膜６１の内部応力をより容易に相殺または緩和することができる。また、各開口部を容易に形成することができるとともに、エッチングを施す際に、エッチングに対する耐性に特に優れたものとなる。また、比較的大きな基板に対して容易に均一な膜を形成することができる。   A material for forming the second film 62 is not particularly limited, and examples thereof include Cr, Ti, Ta, Ni, and TiW. Among these, it is preferable that the second film 62 is mainly composed of Cr. As described above, when the second film 62 is mainly composed of Cr, the internal stress of the first film 61 can be more easily offset or alleviated. In addition, each opening can be easily formed, and when etching is performed, resistance to etching is particularly excellent. In addition, a uniform film can be easily formed on a relatively large substrate.

また、第１の膜６１と第２の膜６２の平均厚さの比を調整することにより、マスク６全体としての内部応力を制御するのが好ましい。これにより、所望の大きさの各開口部をより高い精度で形成することができ、結果として、凹部の形状をより確実に制御することができる。
また、第１の膜６１の平均厚さをＸ［ｎｍ］、第２の膜６２の平均厚さをＹ［ｎｍ］としたとき、０．０１≦Ｘ／Ｙ≦０．８の関係を満足するのが好ましく、０．１≦Ｘ／Ｙ≦０．５の関係を満足するのがより好ましい。このような関係を満足することにより、より確実にマスク６全体としての内部応力を制御することができ、所望の大きさの開口部をより高い精度で形成することができる。これに対し、Ｘ／Ｙが前記下限値未満であると、第２の膜の応力が強く第２の膜の応力が残存し、深さ方向よりサイドエッチング量が多くなるか、滑らかな輪郭を得ることが出来ない。一方、Ｘ／Ｙが前記上限値を超えると、第１の膜の応力が強く第１の膜の応力が残存し、深さ方向よりサイドエッチング量が多くなるか、滑らかな輪郭を得ることが出来ない。 Further, it is preferable to control the internal stress of the mask 6 as a whole by adjusting the ratio of the average thicknesses of the first film 61 and the second film 62. Thereby, each opening part of a desired magnitude | size can be formed with a higher precision, and as a result, the shape of a recessed part can be controlled more reliably.
Further, when the average thickness of the first film 61 is X [nm] and the average thickness of the second film 62 is Y [nm], the relationship of 0.01 ≦ X / Y ≦ 0.8 is satisfied. It is preferable that the relationship 0.1 ≦ X / Y ≦ 0.5 is satisfied. By satisfying such a relationship, the internal stress of the mask 6 as a whole can be more reliably controlled, and an opening having a desired size can be formed with higher accuracy. On the other hand, if X / Y is less than the lower limit, the stress of the second film is strong and the stress of the second film remains, and the side etching amount increases in the depth direction, or a smooth contour is formed. I can't get it. On the other hand, when X / Y exceeds the upper limit, the stress of the first film is strong and the stress of the first film remains, and the amount of side etching increases in the depth direction or a smooth contour can be obtained. I can't.

マスク６の平均厚さは、５〜５００ｎｍであるのが好ましく、４０〜１５０ｎｍであるのがより好ましい。マスク６の平均厚さがこのような範囲のものであると、エッチングに対する耐性を保持しつつ、開口部の形成が容易になり、開口部の大きさをより容易に制御することができる。
マスク６の形成方法としては、特に限定されず、例えば、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法等の乾式めっき法や、電解めっき、無電解めっき等の湿式めっき等を用いることができる。また、第１の膜６１と第２の膜６２とで、方法が異なっていてもよいし、条件が異なっていてもよい。 The average thickness of the mask 6 is preferably 5 to 500 nm, and more preferably 40 to 150 nm. When the average thickness of the mask 6 is within such a range, the opening can be easily formed while maintaining resistance to etching, and the size of the opening can be controlled more easily.
The method for forming the mask 6 is not particularly limited, and for example, a dry plating method such as a vapor deposition method, a sputtering method, a CVD method, or an ion plating method, or a wet plating method such as electrolytic plating or electroless plating may be used. it can. In addition, the first film 61 and the second film 62 may have different methods or different conditions.

なお、裏面保護膜６９は、次工程以降で基板５の裏面を保護するためのものである。この裏面保護膜６９により、基板５の裏面の侵食、劣化等が好適に防止される。この裏面保護膜６９は、マスクと同様の材料で構成されていなくてもよいし、マスク６と同様の材料で構成されていてもよい。後者の場合、裏面保護膜６９は、マスク６を形成するのと同時に設けることができる。また、後者の場合、裏面保護膜６９の内部応力が比較的小さいものとすることができるため、基板５に対する歪み等が抑制され、所望の大きさや形状の凹部５１をよりいっそう高い精度で形成することができる。   The back surface protective film 69 is for protecting the back surface of the substrate 5 in the subsequent steps. By this back surface protective film 69, erosion, deterioration, etc. of the back surface of the substrate 5 are preferably prevented. The back surface protective film 69 may not be made of the same material as that of the mask or may be made of the same material as that of the mask 6. In the latter case, the back surface protective film 69 can be provided simultaneously with the formation of the mask 6. In the latter case, since the internal stress of the back surface protective film 69 can be made relatively small, distortion and the like with respect to the substrate 5 are suppressed, and the concave portion 51 having a desired size and shape is formed with higher accuracy. be able to.

また、マスク６は、第１の膜６１、第２の膜６２以外の第３の膜を有していてもよい。このような第３の膜は、例えば、第２の膜６２上や、第１の膜６１よりも基板側に設けることができる。前者のような構成の場合、第３の膜として、主としてＡｕで構成されたものを用いることができる。第３の膜が主としてＡｕで構成されたものである場合、第２の膜６２の表面を保護することができるとともに、マスク６全体のエッチングに対する耐性を向上させることができる。また、後者のような構成の場合、例えば、基板５と第１の膜６１との密着性が比較的低いときに、第３の膜を設けることによって、マスク６と基板５との密着性を高いものとすることができる。
なお、第３の膜を設ける場合、第３の膜は、比較的薄いのが好ましい。具体的には、２００ｎｍ以下であるのが好ましい。 The mask 6 may have a third film other than the first film 61 and the second film 62. Such a third film can be provided on the second film 62 or on the substrate side of the first film 61, for example. In the case of the former structure, a film mainly composed of Au can be used as the third film. When the third film is mainly composed of Au, the surface of the second film 62 can be protected and the resistance of the entire mask 6 to etching can be improved. In the case of the latter configuration, for example, when the adhesion between the substrate 5 and the first film 61 is relatively low, the adhesion between the mask 6 and the substrate 5 is improved by providing the third film. Can be expensive.
Note that in the case where the third film is provided, the third film is preferably relatively thin. Specifically, it is preferably 200 nm or less.

＜２＞次に、図１（ｃ）に示すように、マスク６の一部を除去し、非マスキング領域６５を形成する。
本実施形態では、非マスキング領域は、基板５の縁部付近に設けられている。
非マスキング領域６５を形成することによって、後述する第１の領域６６になるべき領域と、第２の領域６７となるべき領域とが分割される。これにより、後に詳述するように、エッチングを施した際に、より確実に第２の領域６７のマスクを剥離させることができる。 <2> Next, as shown in FIG. 1C, a part of the mask 6 is removed, and a non-masking region 65 is formed.
In the present embodiment, the non-masking region is provided near the edge of the substrate 5.
By forming the non-masking region 65, a region to be a first region 66, which will be described later, and a region to be the second region 67 are divided. Thereby, as will be described later in detail, when etching is performed, the mask of the second region 67 can be peeled off more reliably.

本実施形態では、後述する第２の領域６７が、基板５の縁部付近に位置するように非マスキング領域６５が形成される。
非マスキング領域６５の形成方法は、特に限定されないが、例えば、レーザ加工や、ショットブラスト、サンドブラスト等のブラスト加工や、エッチング加工、プレス加工、ドットプリンタ加工、タッピング加工等が挙げられる。 In the present embodiment, the non-masking region 65 is formed so that a second region 67 described later is positioned near the edge of the substrate 5.
A method for forming the non-masking region 65 is not particularly limited, and examples thereof include laser processing, blast processing such as shot blasting and sand blasting, etching processing, press processing, dot printer processing, and tapping processing.

レーザ加工により非マスキング領域６５を形成した場合、基板５に対してダメージをほとんど与えずに、選択的にマスクを除去することができ、非マスキング領域６５を、容易に、かつ精確に形成することができる。レーザ加工に用いられるレーザとしては、例えば、ルビーレーザ、半導体レーザ、ＹＡＧレーザ、フェムト秒レーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、Ｎｅ−Ｈｅレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ２レーザ等が挙げられる。この中でも、室温で連続発振を容易に行うことができ、低い照射エネルギー領域における制御性の良さ等から、ＹＡＧレーザまたはフェムト秒レーザが好ましく用いられる。これにより、基板５に非マスキング領域６５を好適に形成することができる。 When the non-masking region 65 is formed by laser processing, the mask can be selectively removed with little damage to the substrate 5, and the non-masking region 65 can be formed easily and accurately. Can do. Examples of the laser used for laser processing include a ruby laser, a semiconductor laser, a YAG laser, a femtosecond laser, a glass laser, a YVO 4 laser, a Ne—He laser, an Ar laser, and a CO 2 laser. Among these, a YAG laser or a femtosecond laser is preferably used because continuous oscillation can be easily performed at room temperature and controllability in a low irradiation energy region is good. Thereby, the non-masking area | region 65 can be formed suitably in the board | substrate 5. FIG.

＜３＞次に、図１（ｄ）に示すように、マスク６の、前述した非マスキング領域６５で分けられた領域に、それぞれ、複数の第１の開口部６３と複数の第２の開口部６４とを形成する。これにより、複数の第１の開口部６３を有するマスク６が設けられた第１の領域６６と、複数の第２の開口部６４を有するマスク６が設けられた第２の領域６７とが形成される。   <3> Next, as shown in FIG. 1 (d), a plurality of first openings 63 and a plurality of second openings are respectively formed in the areas of the mask 6 divided by the non-masking areas 65 described above. Part 64 is formed. Thus, a first region 66 provided with the mask 6 having a plurality of first openings 63 and a second region 67 provided with the mask 6 having a plurality of second openings 64 are formed. Is done.

第１の領域６６に設けられた第１の開口部６３は、後述するエッチング処理によって得られる凹部付き基板２の凹部５１を形成するためのマスク開口である。
複数の第１の開口部６３は、図３に示すように格子状に、所定のピッチ（間隔）で形成される。複数の第１の開口部６３の縦と横のピッチはほぼ同じものとなっている。
複数の第２の開口部６４は、第１の開口部６３と同様に格子状に形成され、第１の開口部６３のピッチよりも小さいピッチで形成される。複数の第２の開口部６４の縦と横のピッチはほぼ同じものとなっている。 The first opening 63 provided in the first region 66 is a mask opening for forming the recess 51 of the substrate 2 with a recess obtained by an etching process described later.
The plurality of first openings 63 are formed in a lattice shape at a predetermined pitch (interval) as shown in FIG. The vertical and horizontal pitches of the plurality of first openings 63 are substantially the same.
The plurality of second openings 64 are formed in a lattice shape similarly to the first openings 63, and are formed at a pitch smaller than the pitch of the first openings 63. The vertical and horizontal pitches of the plurality of second openings 64 are substantially the same.

このように本発明では、第２の開口部のピッチを第１の開口部のピッチよりも小さくする点に特徴を有している。これにより、後に詳述するように、エッチングした際に、第２の領域のマスクが先に基板５から剥離するため、第１の領域におけるエッチングによる食刻の度合いを的確に判断することができる。
なお、本実施形態では、第１の開口部６３と第２の開口部６４の平均径は、ほぼ同じ大きさとなっている。 As described above, the present invention is characterized in that the pitch of the second openings is made smaller than the pitch of the first openings. Thereby, as will be described in detail later, when etching is performed, the mask of the second region is peeled off from the substrate 5 first, so that the degree of etching by etching in the first region can be accurately determined. .
In the present embodiment, the average diameters of the first opening 63 and the second opening 64 are substantially the same.

第１の開口部６３、第２の開口部６４の形成方法は、特に限定されないが、例えば、レーザ加工や、ショットブラスト、サンドブラスト等のブラスト加工や、エッチング加工、プレス加工、ドットプリンタ加工、タッピング加工等が挙げられる。
上述した中でも、レーザ加工を用いて、第１の開口部６３、第２の開口部６４を形成するのが好ましい。これにより、第１の開口部６３、第２の開口部６４の大きさや間隔等を容易にかつ精確に制御することができる。 The formation method of the first opening 63 and the second opening 64 is not particularly limited, but for example, laser processing, blast processing such as shot blasting and sand blasting, etching processing, press processing, dot printer processing, tapping Processing etc. are mentioned.
Among the above, it is preferable to form the first opening 63 and the second opening 64 by using laser processing. Thereby, the magnitude | size, space | interval, etc. of the 1st opening part 63 and the 2nd opening part 64 can be controlled easily and accurately.

第１の開口部６３、第２の開口部６４の形成にレーザ加工を用いた場合、使用するレーザ光の種類としては、特に限定されず、ルビーレーザ、半導体レーザ、ＹＡＧレーザ、フェムト秒レーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、Ｎｅ−Ｈｅレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ２レーザ、エキシマレーザ等が挙げられる。また、各レーザのＳＨＧ、ＴＨＧ、ＦＨＧ等の波長を使ってもよい。 When laser processing is used to form the first opening 63 and the second opening 64, the type of laser light to be used is not particularly limited, and a ruby laser, a semiconductor laser, a YAG laser, a femtosecond laser, A glass laser, a YVO 4 laser, a Ne—He laser, an Ar laser, a CO 2 laser, an excimer laser, and the like can be given. Moreover, you may use wavelengths, such as SHG of each laser, THG, and FHG.

このような第１の開口部６３、第２の開口部６４の大きさは、比較的小さいものとするのが好ましい。このように第１の開口部６３、第２の開口部６４の大きさが小さいものであると、後述するエッチング工程において形成される凹部５１の中心部付近の曲率半径を好適なものとすることができ、最終的に得られるマイクロレンズ４の中心部付近での光の屈折率をより好適なものとすることができる。また、凹部５１内に含まれる平坦部面積を少なくできるため、最終的に得られるマイクロレンズスクリーン（マイクロレンズ基板）の視野角特性を向上させることができる。   The size of the first opening 63 and the second opening 64 is preferably relatively small. As described above, when the first opening 63 and the second opening 64 are small in size, the radius of curvature near the center of the recess 51 formed in the etching process to be described later is suitable. The refractive index of light near the center of the microlens 4 finally obtained can be made more suitable. Moreover, since the flat part area contained in the recessed part 51 can be decreased, the viewing angle characteristic of the microlens screen (microlens substrate) finally obtained can be improved.

このような第１の開口部６３、第２の開口部６４の平均径は、具体的には、１０μｍ以下であるのが好ましく、５μｍ以下であるのがより好ましく、０．１〜３μｍであるのがさらに好ましい。第１の開口部６３、第２の開口部６４の平均径がこのような範囲のものであると、後述するエッチング工程において形成される凹部５１の中心部付近の曲率半径をより好適なものとしつつ、エッチングの速度を適度なものとすることができる。   Specifically, the average diameter of the first opening 63 and the second opening 64 is preferably 10 μm or less, more preferably 5 μm or less, and 0.1 to 3 μm. Is more preferable. When the average diameters of the first opening 63 and the second opening 64 are in such a range, the radius of curvature near the center of the recess 51 formed in the etching process described later is more suitable. However, the etching rate can be made moderate.

＜４＞次に、図２（ｅ）および（ｆ）に示すように、マスク６を用いて基板５にエッチング（ウェットエッチング）を施し、基板５上に多数の凹部５１を形成する（エッチング工程）。
エッチングの方法としては、特に限定されず、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチング等が挙げられる。 <4> Next, as shown in FIGS. 2 (e) and 2 (f), etching (wet etching) is performed on the substrate 5 using the mask 6 to form a large number of recesses 51 on the substrate 5 (etching step). ).
The etching method is not particularly limited, and examples thereof include wet etching and dry etching.

以下の説明では、代表的にウェットエッチングを用いる場合について説明する。
マスク６で被覆されたガラス基板５に対して、エッチング（ウェットエッチング）を施すことにより、図２（ｅ）および（ｆ）に示すように、基板５は、マスク６が存在しない部分、すなわち各開口部等より食刻されていく。すなわち、第１の開口部６３に対応する位置に凹部５１が形成されていき、第２の開口部６４に対応する位置に凹部５２が形成されていく。 In the following description, a case where wet etching is typically used will be described.
By performing etching (wet etching) on the glass substrate 5 covered with the mask 6, as shown in FIGS. 2E and 2F, the substrate 5 has portions where the mask 6 does not exist, that is, each It is etched from the opening. That is, the recess 51 is formed at a position corresponding to the first opening 63, and the recess 52 is formed at a position corresponding to the second opening 64.

ここで、エッチング液による食刻が進行するにつれ、マスク６と基板５との接触面積が徐々に小さくなっていくが、第２の領域６７に設けられた複数の第２の開口部６４のピッチ（図３中、Ｙで示される間隔）は、第１の領域６６に設けられた複数の第１の開口部６３のピッチ（図３中、Ｘで示される間隔）よりも小さいため、第１の領域６６よりも先に第２の領域６７において、マスク６と基板５との接触面積が０となる。
このように、マスク６と基板５との接触面積が０となった第２の領域６７のマスク６は、図２（ｇ）に示すように、剥離する。これにより、第１の領域６６でのエッチングによる食刻の度合いを的確に確認（視認）することができる。
第２の領域６７のマスク６の剥離が確認された後、エッチングを終了する。 Here, as the etching with the etching solution proceeds, the contact area between the mask 6 and the substrate 5 gradually decreases, but the pitch of the plurality of second openings 64 provided in the second region 67 is increased. (The interval indicated by Y in FIG. 3) is smaller than the pitch (interval indicated by X in FIG. 3) of the plurality of first openings 63 provided in the first region 66. The contact area between the mask 6 and the substrate 5 becomes zero in the second region 67 before the region 66.
As described above, the mask 6 in the second region 67 in which the contact area between the mask 6 and the substrate 5 becomes 0 is peeled as shown in FIG. Thereby, the degree of etching by etching in the first region 66 can be accurately confirmed (viewed).
After the peeling of the mask 6 in the second region 67 is confirmed, the etching is finished.

ところで、従来は、このような第２の領域を設けずに、第１の領域のマスクが剥離することでエッチングの終点を判断していたため、得られる凹部付き基板の凹部の曲率が所望のものに対して必要以上に低下し、この凹部付き基板を型として得られるマイクロレンズの視野角特性が低下してしまうという問題があった。このような問題を解決するために、時間管理等によって、エッチングの終点を調整し、マスクが剥離する前にエッチングを終了させることも考えられるが、繰り返しの使用によるエッチング液の濃度変化や温度条件等の諸条件によって、時間だけでエッチングの終点を判断するのは困難であった。   By the way, conventionally, since the end point of etching was judged by peeling the mask of the first region without providing the second region, the curvature of the concave portion of the obtained substrate with the concave portion was desired. However, there is a problem that the viewing angle characteristics of the microlens obtained by using the substrate with concave portions as a mold deteriorates. In order to solve such problems, the end point of etching may be adjusted by time management, etc., and etching may be terminated before the mask is peeled off. It is difficult to determine the end point of etching only by time under various conditions such as the above.

そこで、本発明者らは、鋭意検討した結果、マスク上に、複数の第１の開口部を有する第１の領域と、複数の前記第１の開口部のピッチよりも小さいピッチで配列した複数の第２の開口部を有する第２の領域とを設け、かつ、前記第１の領域と前記第２の領域との間に、マスクが形成されていない非マスキング領域を設けることにより、エッチングの終点を的確に判断することができ、その結果、得られる凹部付き基板の凹部の曲率を適度なものとすることができ、また、この凹部付き基板を用いて得られるマイクロレンズ基板の視野角特性を向上させることができることを見出した。また、第１の開口部と第２の開口部とのピッチの差を適宜、変更することによって、所望の大きさの凹部を確実に形成することができることを見出した。
特に、本実施形態のようにマスク６として、Ｃｒ、ＣｒＯの膜を用いた場合に、開口部の大きさのバラツキ等を抑えることができるため、本発明の効果がより顕著なものとなる。 Therefore, as a result of intensive studies, the present inventors have determined that a plurality of first regions having a plurality of first openings and a plurality of arrays arranged at a pitch smaller than the pitch of the plurality of first openings on the mask. A second region having a second opening, and a non-masking region in which a mask is not formed is provided between the first region and the second region. The end point can be accurately determined, and as a result, the curvature of the concave portion of the obtained substrate with concave portions can be made moderate, and the viewing angle characteristics of the microlens substrate obtained by using this concave substrate. It was found that can be improved. Moreover, it discovered that the recessed part of a desired magnitude | size could be reliably formed by changing suitably the difference of the pitch of a 1st opening part and a 2nd opening part.
In particular, when a Cr or CrO film is used as the mask 6 as in the present embodiment, variations in the size of the opening can be suppressed, and the effects of the present invention become more remarkable.

エッチング液としては、特に限定されず、いずれのものを用いてもよいが、フッ化アンモニウムを用いるのが好適である。フッ化アンモニウムとしては、正塩（ＮＨ４Ｆ）と、水素塩（ＮＨ４ＨＦ２：一水素二フッ化アンモニウム）とがあり、いずれのものを用いてもよいし、その両方を含むものを用いてもよい。
特に、フッ化アンモニウムとして、一水素二フッ化アンモニウムを主成分とするものを用いた場合、基板５に対して、より効率よくエッチングを施すことができる。 The etching solution is not particularly limited, and any one may be used, but it is preferable to use ammonium fluoride. As ammonium fluoride, there are a normal salt (NH 4 F) and a hydrogen salt (NH 4 HF 2 : ammonium monohydrogen difluoride), any of which may be used, and those containing both. It may be used.
In particular, when ammonium fluoride containing ammonium monofluoride as a main component is used as the ammonium fluoride, the substrate 5 can be etched more efficiently.

エッチング液中のフッ化アンモニウムの含有量は、特に限定されないが、１〜５００ｇ／Ｌであるのが好ましく、１〜２００ｇ／Ｌであるのがより好ましく、１０〜１００ｇ／Ｌであるのがさらに好ましい。これにより、基板５に対して、より効率よくエッチングを施すことができる。これに対して、フッ化アンモニウムの含有量が前記下限値未満であると、エッチング液の温度等の条件等によっては、十分なエッチング速度が得られない可能性がある。また、フッ化アンモニウムの含有量が前記上限値を超えると、含有量に見合うだけの十分な効果が得られない場合がある。   The content of ammonium fluoride in the etching solution is not particularly limited, but is preferably 1 to 500 g / L, more preferably 1 to 200 g / L, and further preferably 10 to 100 g / L. preferable. Thereby, the substrate 5 can be etched more efficiently. On the other hand, if the content of ammonium fluoride is less than the lower limit, a sufficient etching rate may not be obtained depending on conditions such as the temperature of the etching solution. Moreover, when content of ammonium fluoride exceeds the said upper limit, sufficient effect only corresponding to content may not be acquired.

また、エッチング液には前述したフッ化アンモニウムの他に、酸を含んでいてもよい。このような酸としては、水に溶けた際に、Ｆ−イオンやＨＦ２ −イオン等を生じない酸であれば、特に限定されず、例えば、硫酸、塩酸、硝酸等の無機酸、酢酸、コハク酸等の有機酸が挙げられ、これらのうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、無機酸を用いるのが好ましく、硫酸、硝酸等のオキソ酸を用いるのがより好ましく、硫酸を用いるのがさらに好ましい。これにより、エッチング液とガラスとの反応の副生成物をより効果的に除去することができる。また、特に、本実施形態のようにマスク６として、Ｃｒ、ＣｒＯの膜を用いた場合に、硫酸を含むエッチング液を用いることで、マスク６への影響をより効果的に抑制しつつ、基板５に対してより均一にエッチングを施すことができる。 In addition to the ammonium fluoride described above, the etching solution may contain an acid. Such acids, when dissolved in water, F - ions and HF 2 - as long as it is an acid which does not cause ions are not particularly limited, for example, sulfuric, hydrochloric, inorganic acids such as nitric acid, acetic acid, Organic acids such as succinic acid can be mentioned, and among these, one kind or a combination of two or more kinds can be used. Among these, inorganic acids are preferably used, oxo acids such as sulfuric acid and nitric acid are more preferably used, and sulfuric acid is more preferably used. Thereby, the by-product of reaction with etching liquid and glass can be removed more effectively. In particular, when a Cr or CrO film is used as the mask 6 as in the present embodiment, an etching solution containing sulfuric acid is used to effectively suppress the influence on the mask 6 and the substrate. 5 can be etched more uniformly.

エッチング液中の酸の含有量は、特に限定されないが、１．７〜９２０ｇ／Ｌであるのが好ましく、１．７〜３７０ｇ／Ｌであるのがより好ましく、１．７〜１９０ｇ／Ｌであるのがさらに好ましい。これにより、エッチング液とガラスとの反応の副生成物をより効果的に除去することができる。これに対して、酸の含有量が前記下限値未満であると、基板５の組成やフッ化アンモニウムの含有量等によっては、前述のような効果が十分に発揮されない場合がある。また、酸の含有量が前記上限値を超えると、マスク６の組成やフッ化アンモニウムの含有量等によっては、マスク６に不本意な影響を与えてしまう場合がある。   Although the acid content in the etching solution is not particularly limited, it is preferably 1.7 to 920 g / L, more preferably 1.7 to 370 g / L, and 1.7 to 190 g / L. More preferably. Thereby, the by-product of reaction with etching liquid and glass can be removed more effectively. On the other hand, when the acid content is less than the lower limit, depending on the composition of the substrate 5, the content of ammonium fluoride, and the like, the above-described effects may not be sufficiently exhibited. If the acid content exceeds the upper limit, the mask 6 may be unintentionally affected depending on the composition of the mask 6, the content of ammonium fluoride, and the like.

エッチング液中のフッ化アンモニウムの含有量をＡ［ｇ／Ｌ］、酸の含有量をＢ［ｇ／Ｌ］としたとき、１．０≦Ｂ／Ａ≦４．０の関係を満足するのが好ましく、１．０≦Ｂ／Ａ≦３．０の関係を満足するのがより好ましく、１．３≦Ｂ／Ａ≦２．７の関係を満足するのがさらに好ましい。これにより、エッチング液とガラスとの反応の副生成物をより効果的に除去しつつ、基板５に対してより均一にかつ効率的にエッチングを施すことができる。   When the content of ammonium fluoride in the etching solution is A [g / L] and the content of acid is B [g / L], the relationship of 1.0 ≦ B / A ≦ 4.0 is satisfied. It is more preferable that the relationship of 1.0 ≦ B / A ≦ 3.0 is satisfied, and it is more preferable that the relationship of 1.3 ≦ B / A ≦ 2.7 is satisfied. Thereby, it is possible to etch the substrate 5 more uniformly and efficiently while more effectively removing the by-product of the reaction between the etchant and the glass.

なお、上記エッチング液には、前述したフッ化アンモニウム、酸の他に、水等の溶媒を含んでいてもよい。
また、上記エッチング液には、上記成分の他、過酸化水素、界面活性剤等の添加物を含んでいてもよい。このような添加物を含むことにより、基板５に対してより均一にエッチングを施すことができる。 Note that the etching solution may contain a solvent such as water in addition to the above-described ammonium fluoride and acid.
In addition to the above components, the etching solution may contain additives such as hydrogen peroxide and a surfactant. By including such an additive, the substrate 5 can be etched more uniformly.

前述した中でも、特に過酸化水素を含む場合には、前述の効果がより顕著なものとなる。
エッチング液を基板５に付与する方法としては、例えば、基板５をエッチング液に浸漬する方法、基板５にエッチング液を噴射する方法等が挙げられる。
ウェットエッチングを行う際のエッチング液の温度は、１０〜８０℃であるのが好ましく、２０〜３０℃であるのがより好ましい。この温度範囲内のものであると、好適に基板５を食刻することができる。
なお、エッチングを施した後、純水等を用いて洗浄し、Ｎ２ガス等を用いて乾燥（純水等の除去）を行ってもよい。 Among the above-mentioned, especially when hydrogen peroxide is included, the above-mentioned effect becomes more remarkable.
Examples of the method of applying the etching solution to the substrate 5 include a method of immersing the substrate 5 in the etching solution, a method of spraying the etching solution onto the substrate 5 and the like.
The temperature of the etching solution when performing wet etching is preferably 10 to 80 ° C, and more preferably 20 to 30 ° C. If it is within this temperature range, the substrate 5 can be suitably etched.
Note that after etching, cleaning may be performed using pure water or the like, and drying (removal of pure water or the like) may be performed using N 2 gas or the like.

＜５＞次に、図２（ｈ）に示すように、マスク６を除去する（マスク除去工程）。また、この際、マスク６の除去とともに、裏面保護膜６９も除去する。
マスク６の除去は、マスク６を構成する材料によって方法が異なるが、例えば、マスク６を構成する材料としてＣｒ、ＣｒＯを用いた場合、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸とを含む混合物を用いたエッチングを行うことによって行うことができる。
その後、純水等を用いて洗浄し、Ｎ２ガス等を用いて乾燥（純水等の除去）を行う。 <5> Next, as shown in FIG. 2H, the mask 6 is removed (mask removal step). At this time, the back surface protective film 69 is also removed together with the removal of the mask 6.
The method of removing the mask 6 differs depending on the material constituting the mask 6. For example, when Cr or CrO is used as the material constituting the mask 6, a mixture containing ceric ammonium nitrate and perchloric acid is used. Can be performed by performing the etching.
Thereafter, washing with pure water or the like, and drying (removal of pure water) using N 2 gas or the like.

以上により、図２（ｈ）に示すように、基板５上に多数の凹部５１が形成された凹部付き基板２（本発明の凹部付き基板）が得られる。
凹部付き基板２を平面視した際の凹部５１の直径は、１０〜５００μｍであるのが好ましく、３０〜２００μｍであるのがより好ましい。特に本発明の凹部付き基板の製造方法は、このような大きさの凹部を形成するのに好適に適用することできる。 As described above, as shown in FIG. 2 (h), the substrate 2 with recesses (substrate with recesses of the present invention) in which a large number of recesses 51 are formed on the substrate 5 is obtained.
The diameter of the recess 51 when the substrate 2 with recesses is viewed in plan is preferably 10 to 500 μm, and more preferably 30 to 200 μm. In particular, the method for manufacturing a substrate with a recess according to the present invention can be suitably applied to form a recess having such a size.

また、凹部５１は、比較的緻密に形成されているのが好ましい。具体的には、凹部付き基板２を平面視したときに、凹部５１が形成されている有効領域において、凹部５１が占める面積の割合が９０％以上であるのが好ましく、９６％以上であるのがより好ましい。
このようにして得られた凹部付き基板２を用いて、マイクロレンズ基板を形成することができる。 Moreover, it is preferable that the recessed part 51 is formed comparatively densely. Specifically, when the substrate 2 with recesses is viewed in plan, the ratio of the area occupied by the recesses 51 is preferably 90% or more in the effective region where the recesses 51 are formed, and is 96% or more. Is more preferable.
A microlens substrate can be formed using the substrate 2 with a recess thus obtained.

例えば、得られた凹部付き基板２の凹部５１に、所定の屈折率、特に基板５より高い屈折率の材料（例えば樹脂（接着剤）など）を充填することにより、図６に示すような凸レンズとしてのマイクロレンズ４を有するマイクロレンズ基板１（本発明のマイクロレンズ基板）を形成することができる。
このマイクロレンズ基板１は、凹部付き基板２と付いた状態で用いられるものであってもよいし、凹部付き基板２をはずして用いられるものであってもよい。 For example, the concave lens 51 of the obtained substrate 2 with concave portions is filled with a material having a predetermined refractive index, in particular, a refractive index higher than that of the substrate 5 (for example, resin (adhesive) or the like), whereby a convex lens as shown in FIG. The microlens substrate 1 having the microlens 4 (the microlens substrate of the present invention) can be formed.
The microlens substrate 1 may be used in a state of being attached to the substrate 2 with recesses, or may be used with the substrate 2 with recesses removed.

なお、凹部付き基板２をそのままマイクロレンズ基板として用いてもよい。この場合、マイクロレンズが凹レンズとなる。
以上のようにして得られるマイクロレンズ基板１は、例えば、透過型スクリーン、リア型プロジェクタ、投射型表示装置の液晶ライトバルブの構成部材等に用いることができる。 In addition, you may use the board | substrate 2 with a recessed part as a microlens board | substrate as it is. In this case, the micro lens becomes a concave lens.
The microlens substrate 1 obtained as described above can be used, for example, as a constituent member of a liquid crystal light valve of a transmissive screen, a rear projector, or a projection display device.

以上説明したように、本発明の凹部付き基板の製造方法によれば、エッチングの終点を的確に判断することができ、その結果、得られる凹部付き基板の凹部の曲率を適度なものとすることができ、また、この凹部付き基板を用いて得られるマイクロレンズ基板の視野角特性を向上させることができる。また、第１の開口部と第２の開口部とのピッチの差を適宜、変更することによって、所望の大きさの凹部を確実に形成することができる。
特に、本実施形態のように、同一の基板上に、第１の領域と第２の領域とを設けた場合、エッチングレートの異なる基板間においても、エッチングの終点を的確に判断できるため、連続生産した際においても、各基板間における形成される凹部の形状のバラツキを防止することができる。 As described above, according to the method for manufacturing a substrate with recesses of the present invention, the end point of etching can be accurately determined, and as a result, the curvature of the recesses of the resulting substrate with recesses is made moderate. In addition, the viewing angle characteristics of the microlens substrate obtained by using the substrate with recesses can be improved. Further, by appropriately changing the difference in pitch between the first opening and the second opening, it is possible to reliably form a recess having a desired size.
In particular, when the first region and the second region are provided on the same substrate as in this embodiment, the end point of etching can be accurately determined even between substrates having different etching rates. Even in production, variations in the shape of the recesses formed between the substrates can be prevented.

次に、本発明の凹部付き基板の製造方法の第２実施形態について説明する。
以下の説明では、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
本実施形態では、前述したような第１の開口部６３を有する第１の領域６６が設けられた第１の基板と、前述したような第２の開口部６４を有する第２の領域６７が設けられた第２の基板とを用いる点に特徴を有している。 Next, 2nd Embodiment of the manufacturing method of the board | substrate with a recessed part of this invention is described.
In the following description, differences from the first embodiment described above will be mainly described, and description of similar matters will be omitted.
In the present embodiment, the first substrate provided with the first region 66 having the first opening 63 as described above and the second region 67 having the second opening 64 as described above are provided. It is characterized in that the second substrate provided is used.

これにより、エッチングの終点を的確に判断することができ、その結果、得られる凹部付き基板の凹部の曲率を適度なものとすることができ、また、この凹部付き基板を用いて得られるマイクロレンズ基板の視野角特性を向上させることができる。また、第１の開口部と第２の開口部とのピッチの差を適宜、変更することによって、所望の大きさの凹部を確実に形成することができる。   As a result, the end point of etching can be accurately determined. As a result, the curvature of the concave portion of the obtained substrate with concave portions can be made moderate, and the microlens obtained by using this concave substrate. The viewing angle characteristics of the substrate can be improved. Further, by appropriately changing the difference in pitch between the first opening and the second opening, it is possible to reliably form a recess having a desired size.

また、第１の領域６６と第２の領域６７とを別の基板に設けることで、第２の領域６７（第２の基板）のマスクの剥離をより視認しやすくなり、エッチングの終点をより的確に判断することができる。
このような第１の基板、第２の基板は、別々の基板を用意して、それぞれに第１の領域６６、第２の領域６７を形成するものであってもよいが、以下のようにして形成するのが好ましい。 Further, by providing the first region 66 and the second region 67 on different substrates, it becomes easier to visually recognize the peeling of the mask in the second region 67 (second substrate), and the end point of etching can be further increased. Can be judged accurately.
Such first substrate and second substrate may be prepared by preparing separate substrates and forming the first region 66 and the second region 67 respectively. Is preferably formed.

まず、母材を用意する。
母材としては、前記第１実施形態の基板５と同様のものを用いることができる。
次に、母材のほぼ全面に、前記第１実施形態と同様にしてマスクを形成する。
その後、マスクを形成した母材を切断することにより、第１の基板と第２の基板とが得られる。 First, prepare the base material.
As the base material, the same material as the substrate 5 of the first embodiment can be used.
Next, a mask is formed on almost the entire surface of the base material in the same manner as in the first embodiment.
Thereafter, the base material on which the mask is formed is cut to obtain the first substrate and the second substrate.

このようにして、第１の基板、第２の基板を形成することにより、各基板間でのエッチングレートのバラツキを防止することができる。
得られた第１の基板（第１の領域６６）、第２の基板（第２の領域６７）に、それぞれ、前記第１実施形態と同様にして、第１の開口部６３、第２の開口部６４を形成する。
その後、前記第１実施形態と同様にしてエッチングを施すことにより、凹部付き基板２（本発明の凹部付き基板）が得られる。 In this manner, by forming the first substrate and the second substrate, it is possible to prevent variations in the etching rate between the substrates.
The obtained first substrate (first region 66) and second substrate (second region 67) are respectively provided with the first opening 63 and the second substrate in the same manner as in the first embodiment. Opening 64 is formed.
Thereafter, etching is performed in the same manner as in the first embodiment to obtain the substrate 2 with a recess (the substrate with a recess according to the present invention).

次に、上述したようなマイクロレンズ基板１を備えた透過型スクリーン１０について説明する。
図８は、図６に示すマイクロレンズ基板を備えた、本発明の透過型スクリーンを示す模式的な縦断面図である。
図８に示すように、透過型スクリーン１０は、フレネルレンズ部２と、前述したマイクロレンズ基板１とを備えている。フレネルレンズ部２は、光（画像光）の入射側に設置されており、フレネルレンズ部２を透過した光が、マイクロレンズ基板１に入射する構成になっている。 Next, the transmission screen 10 including the microlens substrate 1 as described above will be described.
FIG. 8 is a schematic longitudinal sectional view showing a transmission screen of the present invention provided with the microlens substrate shown in FIG.
As shown in FIG. 8, the transmission screen 10 includes a Fresnel lens portion 2 and the microlens substrate 1 described above. The Fresnel lens unit 2 is installed on the light (image light) incident side, and light transmitted through the Fresnel lens unit 2 is incident on the microlens substrate 1.

フレネルレンズ部２は、出射側表面に、ほぼ同心円状に形成されたプリズム形状のフレネルレンズ２１を有している。このフレネルレンズ部２は、投射レンズ（図示せず）からの画像光を屈折させ、マイクロレンズ基板１の主面の垂直方向に平行な平行光Ｌａにするものである。
以上のように構成された透過型スクリーン１０では、投射レンズからの映像光が、フレネルレンズ部２によって屈折し、平行光Ｌａとなる。そして、この平行光Ｌａは、マイクロレンズ基板１に入射し、各マイクロレンズ４によって集光された後、光は拡散し、観察者に平面画像として観測される。 The Fresnel lens unit 2 has a prism-shaped Fresnel lens 21 formed on the exit side surface in a substantially concentric shape. The Fresnel lens unit 2 refracts image light from a projection lens (not shown) to make parallel light La parallel to the vertical direction of the main surface of the microlens substrate 1.
In the transmissive screen 10 configured as described above, the image light from the projection lens is refracted by the Fresnel lens unit 2 to become parallel light La. The parallel light La enters the microlens substrate 1 and is collected by each microlens 4, and then the light diffuses and is observed as a planar image by the observer.

次に、前記透過型スクリーンを用いたリア型プロジェクタについて説明する。
図９は、本発明のリア型プロジェクタの構成を模式的に示す図である。
同図に示すように、リア型プロジェクタ３００は、投写光学ユニット３１０と、導光ミラー３２０と、透過型スクリーン１０とが筐体３４０に配置された構成を有している。
そして、このリア型プロジェクタ３００は、その透過型スクリーン１０として、上述した透過型スクリーン１０を用いているので、表示品質の良い優れたリア型プロジェクタとなる。 Next, a rear projector using the transmission screen will be described.
FIG. 9 is a diagram schematically showing the configuration of the rear projector of the present invention.
As shown in the figure, the rear projector 300 has a configuration in which a projection optical unit 310, a light guide mirror 320, and a transmissive screen 10 are arranged in a housing 340.
Since the rear projector 300 uses the above-described transmission screen 10 as the transmission screen 10, the rear projector 300 is an excellent rear projector with good display quality.

以上、本発明の凹部付き基板の製造方法、凹部付き基板、マイクロレンズ基板、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタについて、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、本発明の凹部付き基板の製造方法では、必要に応じて、任意の目的の工程を追加することもできる。 As described above, the method for manufacturing a substrate with recesses, the substrate with recesses, the microlens substrate, the transmissive screen, and the rear projector according to the present invention have been described based on the illustrated embodiments, but the present invention is not limited thereto. is not.
For example, in the method for manufacturing a substrate with a recess according to the present invention, an optional process can be added as necessary.

また、前述した実施形態では、非マスキング領域を形成した後に、各開口部を形成した場合について説明したが、開口部を形成した後に、非マスキング領域を形成してもよい。
また、前述した実施形態では、第２の領域６７を１つ設けた場合について説明したが、これに限定されず、第２の領域６７を複数設けてもよい。これにより、基板の各部位でのエッチングレートのバラツキによる影響も除外することができる。 In the above-described embodiment, the case where each opening is formed after the non-masking region is formed has been described. However, the non-masking region may be formed after the opening is formed.
In the above-described embodiment, the case where one second region 67 is provided has been described. However, the present invention is not limited to this, and a plurality of second regions 67 may be provided. Thereby, the influence by the variation of the etching rate in each site | part of a board | substrate can also be excluded.

また、図８に示すように、第２の領域６７と開口部のピッチが異なる以外は同様の第２の領域６７’が複数設けられていてもよい。このようにピッチの異なる第２の領域を複数設けることにより、各第２の領域の剥離具合によって、エッチングの終点をより的確に判断することができる。
また、前述した実施形態では、第２の領域のマスクが剥離した時点でエッチングを終了するものとして説明したが、これに限定されず、例えば、剥離してから所定の時間経過した後に、エッチングを終了するものであってもよい。このような場合、従来のように、エッチング開始時から時間で管理している場合と比べて、より精度よく形成される凹部の形状を制御することができる。 Further, as shown in FIG. 8, a plurality of similar second regions 67 ′ may be provided except that the pitch of the openings is different from that of the second region 67. By providing a plurality of second regions having different pitches as described above, it is possible to more accurately determine the end point of etching depending on the peeling condition of each second region.
Further, in the above-described embodiment, it has been described that the etching is finished when the mask of the second region is peeled off. However, the present invention is not limited to this. For example, the etching is performed after a predetermined time has passed after peeling. It may end. In such a case, it is possible to control the shape of the recessed portion formed with higher accuracy than in the conventional case where the time is managed from the beginning of etching.

また、前述した実施形態では、各開口部の配列が、格子状のものについて説明したが、これに限定されず、図５に示すような配列であってもよい。また、第１の開口部の配列と第２の開口部の配列とは、異なっていてもよく、例えば、一方が格子状の配列で、他方が図５に示すような配列であってもよい。
また、前述した実施形態では、マスク６が第１の膜６１と第２の膜６２とで構成された積層体として説明したが、これに限定されず、例えば、１つの膜で構成されたものであってもよいし、３つ以上の膜で構成された積層体であってもよい。 Further, in the above-described embodiment, the arrangement of the openings has been described as the lattice shape, but is not limited thereto, and may be an arrangement as shown in FIG. Further, the arrangement of the first openings may be different from the arrangement of the second openings. For example, one may be a lattice arrangement and the other may be an arrangement as shown in FIG. .
In the above-described embodiment, the mask 6 has been described as a stacked body including the first film 61 and the second film 62. However, the present invention is not limited to this. For example, the mask 6 includes a single film. It may also be a laminate composed of three or more films.

また、前述した実施形態では、第１の膜６１が第２の膜６２よりも基板５側に設けられた構成について説明したが、第２の膜６２が第１の膜６１よりも基板５側に設けられた構成であってもよい。このようにマスク６の構成が前記実施形態と反対のものであっても、マスク６全体としての内部応力は比較的小さいものとすることができるから、前述と同様の効果を得ることができる。また、特に、基板５側にＣｒで構成された膜（Ｃｒ膜）、その上にＣｒＯで構成された膜（ＣｒＯ膜）という構成であると、Ｃｒ膜が内面側にあることから、Ｃｒの酸化などを効果的に防止することができる。   In the above-described embodiment, the configuration in which the first film 61 is provided on the substrate 5 side with respect to the second film 62 has been described. However, the second film 62 is on the substrate 5 side with respect to the first film 61. The structure provided in may be sufficient. Thus, even if the configuration of the mask 6 is opposite to that of the above-described embodiment, the internal stress of the mask 6 as a whole can be made relatively small, so that the same effect as described above can be obtained. In particular, when the film is composed of Cr (Cr film) on the substrate 5 side and the film composed of CrO (CrO film) on the substrate 5 side, the Cr film is on the inner surface side. Oxidation and the like can be effectively prevented.

また、前述した実施形態では、マスク６が、Ｃｒ膜、ＣｒＯ膜で構成されたものとして説明したが、これに限定されない。
また、前述した実施形態では、基板５に裏面保護膜６９を形成してエッチングを施すものとして説明したが、このような裏面保護膜６９は無くてもよい。
また、前述した実施形態では、透過型スクリーンが、マイクロレンズ基板とフレネルレンズとを備えるものとして説明したが、本発明の透過型スクリーンは、必ずしも、フレネルレンズを備えたものでなくてもよい。例えば、本発明の透過型スクリーンは、実質的に、本発明のマイクロレンズ基板のみで構成されたものであってもよい。 In the above-described embodiment, the mask 6 is described as being composed of a Cr film and a CrO film, but the present invention is not limited to this.
In the above-described embodiment, the back surface protective film 69 is formed on the substrate 5 and etched. However, the back surface protective film 69 may be omitted.
In the above-described embodiment, the transmission screen is described as including a microlens substrate and a Fresnel lens. However, the transmission screen of the present invention does not necessarily include a Fresnel lens. For example, the transmission screen of the present invention may be substantially constituted only by the microlens substrate of the present invention.

また、前述した実施形態では、マイクロレンズ基板は、透過型スクリーン、リア型プロジェクタを構成する部材であるものとして説明したが、本発明のマイクロレンズ基板は、透過型スクリーン、リア型プロジェクタに適用されるものに限定されず、いかなる用途のものであってもよい。例えば、本発明のマイクロレンズ付き基板は、投射型表示装置の液晶ライトバルブの構成部材に適用されるものであってもよい。   In the above-described embodiment, the microlens substrate is described as a member constituting a transmissive screen and a rear projector. However, the microlens substrate of the present invention is applied to a transmissive screen and a rear projector. It is not limited to that, and may be used for any purpose. For example, the substrate with a microlens of the present invention may be applied to a constituent member of a liquid crystal light valve of a projection display device.

本発明の凹部付き基板の製造工程を示す模式的な縦断面図である。It is a typical longitudinal cross-sectional view which shows the manufacturing process of the board | substrate with a recessed part of this invention. 本発明の凹部付き基板の製造工程を示す模式的な縦断面図である。It is a typical longitudinal cross-sectional view which shows the manufacturing process of the board | substrate with a recessed part of this invention. 開口部を形成したマスクの一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the mask in which the opening part was formed. 本発明の凹部付き基板の平面図である。It is a top view of the board | substrate with a recessed part of this invention. 開口部を形成したマスクの他の一例を示す平面図である。It is a top view which shows another example of the mask in which the opening part was formed. 凹部付き基板を用いて製造したマイクロレンズ基板の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the micro lens board | substrate manufactured using the board | substrate with a recessed part. 開口部を形成したマスクの一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the mask in which the opening part was formed. 図３に示すマイクロレンズ基板を備えた、本発明の透過型スクリーンを示す模式的な縦断面図である。It is a typical longitudinal cross-sectional view which shows the transmission type screen of this invention provided with the micro lens board | substrate shown in FIG. 本発明のリア型プロジェクタの構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the rear type projector of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１……マイクロレンズ基板 ２……凹部付き基板 ２１……フレネルレンズ ４……マイクロレンズ ５……基板 ５１、５２……凹部 ６……マスク ６１……第１の膜 ６２……第２の膜 ６３……第１の開口部 ６４……第２の開口部 ６５……非マスキング領域 ６６……第１の領域 ６７……第２の領域 ６９……裏面保護膜 １０……透過型スクリーン ３００……リア型プロジェクタ ３１０……投写光学ユニット ３２０……導光ミラー ３４０……筐体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Microlens substrate 2 ... Substrate with a recess 21 ... Fresnel lens 4 ... Microlens 5 ... Substrate 51, 52 ... Concave 6 ... Mask 61 ... First film 62 ... Second film 63... First opening 64... Second opening 65... Non-masking region 66... First region 67... Second region 69. ... rear projector 310 ... projection optical unit 320 ... light guide mirror 340 ... housing

Claims (16)

規則的に配列した複数の第１の開口部が設けられたマスクを用いてエッチングを施し、基板上に複数の凹部を形成する凹部付き基板の製造方法であって、
前記エッチングに供される前記基板上には、
複数の前記第１の開口部を有するマスクで被覆された第１の領域と、
複数の前記第１の開口部のピッチよりも小さいピッチで配列した複数の第２の開口部を有するマスクで被覆された第２の領域とが設けられており、かつ、
前記第１の領域と前記第２の領域との間に、マスクが形成されていない非マスキング領域が設けられていることを特徴とする凹部付き基板の製造方法。 Etching using a mask provided with a plurality of regularly arranged first openings, and forming a plurality of recesses on the substrate, a method for manufacturing a substrate with recesses,
On the substrate subjected to the etching,
A first region covered with a mask having a plurality of the first openings;
A second region covered with a mask having a plurality of second openings arranged at a pitch smaller than the pitch of the plurality of first openings, and
A method for manufacturing a substrate with recesses, wherein a non-masking region in which no mask is formed is provided between the first region and the second region. 前記非マスキング領域は、前記基板上のほぼ全面に、マスクを形成した後、マスクの一部を除去することにより形成される請求項１に記載の凹部付き基板の製造方法。   2. The method for manufacturing a substrate with concave portions according to claim 1, wherein the non-masking region is formed by removing a part of the mask after forming a mask on substantially the entire surface of the substrate. 前記マスキング領域の形成は、レーザ加工により行われる請求項１または２に記載の凹部付き基板の製造方法。   The method for manufacturing a substrate with concave portions according to claim 1, wherein the masking region is formed by laser processing. 規則的に配列した複数の第１の開口部が設けられたマスクを用いてエッチングを施し、基板上に複数の凹部を形成する凹部付き基板の製造方法であって、
複数の前記第１の開口部を有するマスクで被覆された第１の領域が設けられた第１の基板と、
複数の前記第１の開口部のピッチよりも小さいピッチで配列した複数の第２の開口部を有するマスクで被覆された第２の領域が設けられた第２の基板とを用いることを特徴とする凹部付き基板の製造方法。 Etching using a mask provided with a plurality of regularly arranged first openings, and forming a plurality of recesses on the substrate, a method for manufacturing a substrate with recesses,
A first substrate provided with a first region covered with a mask having a plurality of the first openings;
And a second substrate provided with a second region covered with a mask having a plurality of second openings arranged at a pitch smaller than the pitch of the plurality of first openings. The manufacturing method of the board | substrate with a recessed part to perform. 前記第１の基板と前記第２の基板とは、母材のほぼ全面に、マスクを形成した後、前記母材を切断することにより得られる請求項４に記載の凹部付き基板の製造方法。   5. The method for manufacturing a substrate with recesses according to claim 4, wherein the first substrate and the second substrate are obtained by forming a mask on substantially the entire surface of the base material and then cutting the base material. 6. 前記開口部の形成は、レーザ加工により行われる請求項１ないし５のいずれかに記載の凹部付き基板の製造方法。   The method for manufacturing a substrate with a recess according to claim 1, wherein the opening is formed by laser processing. 前記マスクは、主としてＣｒおよび／またはＣｒＯで構成されたものである請求項１ないし６のいずれかに記載の凹部付き基板の製造方法。   The method for manufacturing a substrate with concave portions according to any one of claims 1 to 6, wherein the mask is mainly composed of Cr and / or CrO. 前記マスクの平均厚さは、５〜５００ｎｍである請求項１ないし７のいずれかに記載の凹部付き基板の製造方法。   The method for manufacturing a substrate with recesses according to claim 1, wherein the mask has an average thickness of 5 to 500 nm. 前記開口部の平均径は、１０μｍ以下である請求項１ないし８のいずれかに記載の凹部付き基板の製造方法。   The method for manufacturing a substrate with concave portions according to claim 1, wherein an average diameter of the openings is 10 μm or less. 前記エッチングは、ウェットエッチングであって、
フッ化アンモニウムと、酸とを含むエッチング液を用いて施される請求項１ないし９のいずれかに記載の凹部付き基板の製造方法。 The etching is wet etching,
The manufacturing method of the board | substrate with a recessed part in any one of Claim 1 thru | or 9 given using the etching liquid containing ammonium fluoride and an acid. 前記フッ化アンモニウムは、主として一水素二フッ化アンモニウムで構成されたものである請求項１０に記載の凹部付き基板の製造方法。   The method for manufacturing a substrate with concave portions according to claim 10, wherein the ammonium fluoride is mainly composed of ammonium monohydrogen difluoride. 前記酸は、主として硫酸で構成されたものである請求項１０または１１に記載の凹部付き基板の製造方法。   The method for producing a substrate with concave portions according to claim 10 or 11, wherein the acid is mainly composed of sulfuric acid. 請求項１ないし１２のいずれかに記載の凹部付き基板の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする凹部付き基板。   A substrate with recesses, which is manufactured using the method for manufacturing a substrate with recesses according to claim 1. 請求項１３に記載の凹部付き基板を用いて製造されたことを特徴とするマイクロレンズ基板。   A microlens substrate manufactured using the substrate with recesses according to claim 13. 請求項１４に記載のマイクロレンズ基板を備えたことを特徴とする透過型スクリーン。   A transmissive screen comprising the microlens substrate according to claim 14. 請求項１５に記載の透過型スクリーンを備えたことを特徴とするリア型プロジェクタ。

A rear projector comprising the transmissive screen according to claim 15.

JP2004071377A 2004-03-12 2004-03-12 Manufacturing method of substrate with recess, substrate with recess, microlens substrate, transmissive screen, and rear projector Expired - Fee Related JP4449502B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004071377A JP4449502B2 (en) 2004-03-12 2004-03-12 Manufacturing method of substrate with recess, substrate with recess, microlens substrate, transmissive screen, and rear projector

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004071377A JP4449502B2 (en) 2004-03-12 2004-03-12 Manufacturing method of substrate with recess, substrate with recess, microlens substrate, transmissive screen, and rear projector

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005258210A true JP2005258210A (en) 2005-09-22
JP4449502B2 JP4449502B2 (en) 2010-04-14

Family

ID=35083959

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004071377A Expired - Fee Related JP4449502B2 (en) 2004-03-12 2004-03-12 Manufacturing method of substrate with recess, substrate with recess, microlens substrate, transmissive screen, and rear projector

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4449502B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007219488A (en) * 2006-01-18 2007-08-30 Seiko Epson Corp Manufacturing method for member with recessed part, member with recessed part, lens substrate, transmission type screen, and rear type projector
JP2015068888A (en) * 2013-09-27 2015-04-13 セイコーエプソン株式会社 Manufacturing method for microlens array substrate, microlens array substrate, electro-optical device, and electronic device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007219488A (en) * 2006-01-18 2007-08-30 Seiko Epson Corp Manufacturing method for member with recessed part, member with recessed part, lens substrate, transmission type screen, and rear type projector
JP4561726B2 (en) * 2006-01-18 2010-10-13 セイコーエプソン株式会社 Manufacturing method of member with recess and manufacturing method of lens substrate
US7892443B2 (en) 2006-01-18 2011-02-22 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing member with concave portions, member with concave portions, lens substrate, transmission type screen and rear projection
JP2015068888A (en) * 2013-09-27 2015-04-13 セイコーエプソン株式会社 Manufacturing method for microlens array substrate, microlens array substrate, electro-optical device, and electronic device
US9746586B2 (en) 2013-09-27 2017-08-29 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing microlens array substrate, microlens array substrate, electro-optic device, and electronic

Also Published As

Publication number Publication date
JP4449502B2 (en) 2010-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4096810B2 (en) Manufacturing method of substrate with recess, substrate with recess, microlens substrate, transmissive screen, and rear projector
JP3731592B2 (en) Transmission screen member, transmission screen and rear projector
US20060030152A1 (en) Method of manufacturing substrate having recessed portions for microlenses and transmissive screen
JP3788800B2 (en) Etching method
KR100670988B1 (en) A member with concave portions, a method of manufacturing a member with convex portions, a transmission screen, and a rear projection
JP5922254B2 (en) Manufacturing method of functional parts
JP4449502B2 (en) Manufacturing method of substrate with recess, substrate with recess, microlens substrate, transmissive screen, and rear projector
JP2005084342A (en) Method for manufacturing member for transmissive screen, member for transmissive screen, transmissive screen and rear type projector
JP2005231919A (en) Etching liquid, etching method, base plate with recessed part, micro lens base plate, transmission type screen, and rear type projector
JP2013077617A (en) Manufacturing method of original plate for molding low reflection structure and original plate
JP2006251598A (en) Manufacturing method of thin film structure
WO2022188824A1 (en) Grating structural member and manufacturing method therefor, grating structure template and associated device
JP2004340985A (en) Manufacturing method of substrate having recessed sections for microlens, substrate having recessed section for microlens, microlens substrate, transmissive type screen and rear type projector
US20020134749A1 (en) Method of making a vertical, mirror quality surface in silicon and mirror made by the method
JP4218410B2 (en) Substrate with concave for lenticular lens, lenticular lens substrate, transmissive screen and rear projector
JP2007008739A (en) Method for manufacturing substrate with concave portion, substrate with concave portion, lens substrate, transmission type screen, and rear type projector
JP2005114873A (en) Transmissive screen member, transmissive screen and rear type projector
JP5464246B2 (en) Screen manufacturing method
WO2016155149A1 (en) Preparation method for polycrystalline silicon thin film, semiconductor device, display substrate and display device
JP2007001829A (en) Substrate with recessed portion, its production method, lens substrate, transmission screen and rear projector
JP2007010802A (en) Lens substrate, translucent screen, and rear projector
JP4259277B2 (en) Manufacturing method of lens substrate with diffuser, lens substrate with diffuser, transmissive screen, and rear projector
JP2001247339A (en) Method for producing microlens array and method for producing electrooptical apparatus
JP2007316270A (en) Manufacturing method of optical component, retardation element and polarizer
JP2004287372A (en) Method for manufacturing base plate with recessed part, base plate with recessed part, base plate with recessed part for microlens, microlens base plate, transmission type screen and rear type projector

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051128

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081029

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081104

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081224

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091104

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20091118

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20091118

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091126

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20091126

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100105

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100118

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees