JP2005252783A - Optical transmitter - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光送信機に関するものであり、特に、伝送データ間で発生する位相差を低減させるための位相差調整回路を備えた光送信機に関するものである。 The present invention relates to an optical transmitter, and more particularly to an optical transmitter provided with a phase difference adjustment circuit for reducing a phase difference generated between transmission data.
従来、光送信信号波形の立ち下がり時間の増大を抑え、かつリンギングを抑圧するための技術として、半導体レーザ駆動回路と半導体レーザとの間にダンピング抵抗と、このダンピング抵抗に並列に接続された外付け抵抗とを備えた光送信モジュールの実施例が開示されている(特許文献1など)。 Conventionally, as a technique for suppressing an increase in fall time of an optical transmission signal waveform and suppressing ringing, a damping resistor is connected between the semiconductor laser driving circuit and the semiconductor laser, and an external device connected in parallel to the damping resistor. An embodiment of an optical transmission module provided with an attaching resistor is disclosed (for example, Patent Document 1).
しかしながら、上記特許文献1に示された従来技術にかかる光送信モジュールでは、半導体レーザ駆動回路と半導体レーザ間に外付け抵抗が並列に接続されているため、半導体レーザを駆動するための電流振幅が減衰してしまうといった欠点があった。また、これらのダンピング抵抗や外付け抵抗の接続により、光信号の伝送速度が変化すると光信号波形の立ち上がり時間や立ち下がり時間の時定数が変化して光の緩和振動に影響を与え、その影響が、光信号波形のアイマスクに波及してアイマスクが劣化し、所定のアイマスクマージン(アイマスクの余裕度)が確保できないといった問題点があった。
However, in the optical transmission module according to the prior art disclosed in
さらに、この従来技術によると、ダンピング抵抗や外付け抵抗を接続する位置が半導体レーザ駆動回路と半導体レーザとの間であるため、高周波設計が困難であり、光送信波形に多重反射やジッター増大の影響を与える危険性が大きいという問題点もあった。 Furthermore, according to this conventional technique, the position where the damping resistor or the external resistor is connected is between the semiconductor laser driving circuit and the semiconductor laser, so that high-frequency design is difficult, and multiple reflections and increased jitter are added to the optical transmission waveform. There was also a problem that the risk of affecting was great.
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、伝送速度に依存することなく所定のアイマスクマージンを確保し、また、高周波設計を容易ならしめる位相差調整回路を備えた光送信機を実現することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and provides an optical transmitter including a phase difference adjustment circuit that ensures a predetermined eye mask margin without depending on the transmission speed and facilitates high-frequency design. It aims to be realized.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、入力されたデータ信号の信号波形を整形する半導体レーザ駆動回路と、該半導体レーザ駆動回路が出力する変調電流に基づいて変調レーザ光を生成出力する半導体レーザとを備えた光送信機において、前記半導体レーザ駆動回路の前段にデータ信号間で発生する位相差を低減させるための位相差調整回路を備えたことを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, the present invention provides a semiconductor laser driving circuit for shaping a signal waveform of an input data signal, and a modulation laser based on a modulation current output from the semiconductor laser driving circuit. An optical transmitter including a semiconductor laser that generates and outputs light is characterized in that a phase difference adjustment circuit for reducing a phase difference generated between data signals is provided in a preceding stage of the semiconductor laser driving circuit.
この発明によれば、半導体レーザ駆動回路の前段に位相差調整回路を備えるようにしているので、伝送線路上の整合回路による不整合や、伝送線路のキャパシタンス成分やインダクタ成分、あるいは基板上のパターンやワイヤなどが有する寄生キャパシタンス成分や寄生インダクタンス成分の影響、半導体レーザ光出力の周波数特性などに起因して生じた伝送速度の異なるデータ伝送に基づくデータ間の位相差を低減することができる。 According to the present invention, since the phase difference adjustment circuit is provided in the previous stage of the semiconductor laser driving circuit, mismatch due to the matching circuit on the transmission line, the capacitance component or the inductor component of the transmission line, or the pattern on the substrate It is possible to reduce the phase difference between data based on data transmissions having different transmission speeds caused by the influence of parasitic capacitance components and parasitic inductance components of wires and wires, the frequency characteristics of semiconductor laser light output, and the like.
本発明にかかる位相差調整回路は、伝送線路上の整合回路による不整合や、伝送線路の特性により生じた伝送速度の異なるデータ伝送に基づく位相差を低減するようにしているので、光信号波形のアイパターンを改善することができ、所定のアイマスクマージンの確保が容易になるという効果を奏する。 The phase difference adjusting circuit according to the present invention reduces mismatches caused by matching circuits on the transmission line and phase differences based on data transmission with different transmission speeds caused by the characteristics of the transmission line. The eye pattern can be improved, and it is easy to ensure a predetermined eye mask margin.
以下に、本発明にかかる位相差調整回路を備えた光送信機の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施例によりこの発明が限定されるものではない。 Embodiments of an optical transmitter including a phase difference adjusting circuit according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Note that the present invention is not limited to the embodiments.
まず、図1を用いてこの実施の形態の光送信機について説明する。図1は、本発明の実施の形態にかかる位相差調整回路およびその位相差調整回路を備えた光送信機の主要部の構成を示す図である。同図において、正相信号および逆相信号が入力されるインピーダンスコントロール線路3の出力側に差動増幅回路6が接続され、その出力端である正相出力端および反転出力端には位相差調整回路2に備えられたインピーダンスコントロール線路5を介して半導体レーザ駆動回路1が接続されている。また、半導体レーザ駆動回路1の出力側にはインピーダンスコントロール線路9およびダンピング抵抗10を介して半導体レーザ4が接続されている。
First, the optical transmitter of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a main part of a phase difference adjustment circuit and an optical transmitter including the phase difference adjustment circuit according to an embodiment of the present invention. In the figure, a
位相差調整回路2は、上述のインピーダンスコントロール線路5と、位相差低減用抵抗7a,7bとDC遮断コンデンサ8a,8bとを備えている。なお、位相差低減用抵抗7a,7bなどの抵抗体を高周波回路に用いる場合には、本来の抵抗成分に加えて寄生インダクタンスと呼ばれるインダクタンス成分をも考慮しなければならない。このため、図1では、抵抗成分に加えてこのインダクタンス成分も図示している。なお、位相差低減用抵抗7a,7bに代えて、位相差低減用のインダクタを用いてもよい。このインダクタを高周波回路に用いる場合には、抵抗体の場合とは逆に、本来のインダクタンス成分に加えて寄生抵抗と呼ばれる抵抗成分も考慮しなければならない。
The phase
また、位相差低減用抵抗7aおよびDC遮断コンデンサ8aは、直列共振回路を構成し、差動線路を成すインピーダンスコントロール線路5の一方の線路と高周波リターン経路との間に接続されている。同様に、位相差低減用抵抗7bおよびDC遮断コンデンサ8bも直列共振回路を構成し、インピーダンスコントロール線路5の他方の線路と高周波リターン経路との間に接続されている。
Further, the phase
なお、この実施の形態のインピーダンスコントロール線路3,5,9は、それぞれが正相信号と逆相信号とが伝送される差動線路として示しているが、差動線路に限定されるものではなく、単一のデータ信号が伝送される単相線路であっても構わない。また、例えば、インピーダンスコントロール線路3,5が差動線路であり、インピーダンスコントロール線路9が単相線路のような構成であっても構わない。また、図1では、位相差低減用抵抗7a(7b)およびDC遮断コンデンサ8a(8b)の直列共振回路が、インピーダンスコントロール線路5上の任意の点に接続されるように図示しているが、この接続に限定されるものではなく、差動増幅回路6のそれぞれの出力端側に接続されていてもよいし、半導体レーザ駆動回路1のそれぞれの入力端側に接続されていてもよい。
Although the
つぎに、この実施の形態の光送信機の動作について説明する。図1において、差動増幅回路6は、インピーダンスコントロール線路5を介して入力される正相信号と逆相信号の波形を整形し、調整された正相信号と逆相信号とを生成する。従来技術では、これらの信号をインピーダンスコントロール線路などを介して半導体レーザ駆動回路に入力していた。一方、この実施の形態では、これらの信号を位相差調整回路2を介して半導体レーザ駆動回路1に入力する構成としている。位相差調整回路2は、インピーダンスコントロール線路5にインダクタンス成分を有する抵抗体、あるいは抵抗成分を有するインダクタを並列に接続することで、インピーダンスコントロール線路5を伝送するデータ信号の群遅延特性に周波数特性を持たせることにより、データ信号間で生じる位相差を軽減するために挿入されている。なお、位相差調整回路2の特性の詳細については後述する。
Next, the operation of the optical transmitter of this embodiment will be described. In FIG. 1, a
位相差調整回路2から出力された信号は半導体レーザ駆動回路1に入力される。半導体レーザ駆動回路1は、例えば、一対の差動トランジスタや、定電流源などにより構成され、差動線路であるインピーダンスコントロール線路9やダンピング抵抗10を介して半導体レーザ4のアノード−カソードの間にデータ信号に基づく高周波の変調電流を供給する。半導体レーザ4には、予めバイアス電圧が印加されており、半導体レーザ駆動回路1から供給された変調電流に基づいて半導体レーザ4は変調レーザ光を出力する。この変調レーザ光は、図示しない光ファイバなどを介して伝送される。
The signal output from the phase
なお、インピーダンスコントロール線路3,5,9のそれぞれは、入出力間のインピーダンス整合をとるために挿入されている。また、ダンピング抵抗10は、リンギング現象に基づく変調光の歪みなどを抑制するために挿入されている。
Each of the
図2は、入力データ信号間で位相差が生じる原理を説明するための説明図である。同図の上段左側に示すように、信号ビットパターンが「111000111・・・」のように連続して同じビットが続くような低周波の周波数成分を持つ信号パターンと、同図の上段右側に示すように、信号ビットパターンが「10101010・・・」のように同じビットが連続しないような高周波の周波数成分を持つ信号ビットパターンを考える。このような周波数成分が異なる信号ビットパターンの場合、同図の中段に示すように、インピーダンスコントロール線路の周波数特性(群遅延特性)や、回路の周波数特性、ワイヤの長さなどに依存してデータ信号間に位相差が生じる。位相差が生じたこれらのデータ信号が半導体レーザ4に入射されると、半導体レーザ4の周波数応答特性とも相まって、光信号波形にジッターが生じて光信号波形が劣化する。この劣化をアイパターンで見れば、波形の時間方向にずれた太い波形を描くことになり、その結果アイマスクマージンが小さくなる。
FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining the principle that a phase difference occurs between input data signals. As shown in the upper left side of the figure, the signal bit pattern has a low frequency frequency component such that “111000111... Thus, a signal bit pattern having a high frequency component such that the same bit does not continue such as “10101010...” Is considered. For signal bit patterns with different frequency components, the data depends on the frequency characteristics (group delay characteristics) of the impedance control line, the frequency characteristics of the circuit, the wire length, etc., as shown in the middle of the figure. There is a phase difference between the signals. When these data signals having a phase difference are incident on the
一方、光受信機側において、光送信機から出力された光信号を電気信号に変換して信号の再生を行う際に、シャープな信号を得るためには、光送信機側において、アイパターンがアイマスク領域(信号の劣化を判定するための指標でありアイパターンが入ってはいけない領域)に入らないようにすることが必要である。しかし、低周波域から高周波域に渡って広帯域に光変調する場合には、上述したような信号ビットパターンのばらつきに伴う位相差の変動によって、アイパターンの余裕度であるアイマスクマージン(アイパターンとアイマスク領域との隙間)が小さくなるので、出力される光信号の伝送特性が劣化することになる。したがって、このアイパターンがアイマスク領域に入らないように、信号ビットパターンのばらつきに伴う位相差を低減させる必要がある。 On the other hand, in order to obtain a sharp signal when the optical signal output from the optical transmitter is converted into an electric signal and the signal is reproduced on the optical receiver side, the eye pattern is set on the optical transmitter side. It is necessary not to enter an eye mask area (an area for determining signal degradation and an area where an eye pattern should not enter). However, when optical modulation is performed over a wide band from a low frequency range to a high frequency range, the eye mask margin (eye pattern margin), which is the margin of the eye pattern, is caused by the variation in the phase difference due to the variation in the signal bit pattern as described above. The gap between the eye mask region and the eye mask region is reduced, and the transmission characteristics of the output optical signal are deteriorated. Therefore, it is necessary to reduce the phase difference accompanying the variation of the signal bit pattern so that the eye pattern does not enter the eye mask region.
図3は、位相差調整回路2の特性を解析するための等価回路を示す図である。同図では、図1に示す位相差調整回路2の片側の等価回路のみを示している。同図では、インピーダンスコントロール線路として用いられるマイクロストリップ線路のインピーダンスをZ1、Z2とし、インピーダンスZ1と、インピーダンスZ2のマイクロストリップ線路との間と、グランドとの間に抵抗R、インダクタL、キャパシタCの直列共振回路が接続される構成とした。
FIG. 3 is a diagram showing an equivalent circuit for analyzing the characteristics of the phase
図4は、図3に示す解析モデルでの信号伝送特性の一例を示す図である(10Gbps)。同図において、実線で示す波形は、「0011・・・」のビットパターン(2.5GHzの周波数成分が主成分)の伝送波形であり、破線で示す波形は、「0101・・・」のビットパターン(5GHzの周波数成分が主成分)の伝送波形である。同図に示すように、この例では、「0101・・・」のビットパターンの信号と比較して「0011・・・」のビットパターンの信号の方が遅延している。このような位相差が生じる原因としては、マイクロストリップ線路のキャパシタンス成分やインダクタ成分などの影響が考えられる。 FIG. 4 is a diagram showing an example of signal transmission characteristics in the analysis model shown in FIG. 3 (10 Gbps). In the figure, a waveform indicated by a solid line is a transmission waveform of a bit pattern of “0011...” (A frequency component of 2.5 GHz is a main component), and a waveform indicated by a broken line is a bit of “0101. It is a transmission waveform of a pattern (a frequency component of 5 GHz is a main component). As shown in the figure, in this example, the bit pattern signal “0011...” Is delayed as compared to the bit pattern signal “0101. The cause of such a phase difference may be the influence of the capacitance component or inductor component of the microstrip line.
図5は、図3の解析モデルで用いたマイクロストリップ線路の群遅延特性を示す図である。同図に示すように、5GHz(ポイントm2)に比べて、2.5GHz(ポイントm1)の方が遅延時間の値が大きくなっており、図4に示す伝送特性はマイクロストリップ線路の群遅延特性に依存していることが明らかである。 FIG. 5 is a diagram showing the group delay characteristics of the microstrip line used in the analysis model of FIG. As shown in the figure, the delay time is larger at 2.5 GHz (point m1) than at 5 GHz (point m2), and the transmission characteristic shown in FIG. 4 is the group delay characteristic of the microstrip line. It is clear that it depends on
図6−1は、図3に示した伝送特性における遅延時間を示す図であり、図6−2は、所定の位相差調整を行った場合の伝送特性における遅延時間を示す図である。図6−1では、「0011・・・」のビットパターンの信号が「0101・・・」のビットパターンの信号よりも約3.5(psec)遅延していたが、所定の位相差調整を行った後では、図6−2に示すように、「0101・・・」のビットパターンの信号が「0011・・・」のビットパターンの信号よりも約1.7(psec)遅延している。 FIG. 6A is a diagram illustrating a delay time in the transmission characteristics illustrated in FIG. 3, and FIG. 6B is a diagram illustrating a delay time in the transmission characteristics when a predetermined phase difference adjustment is performed. In FIG. 6A, the bit pattern signal “0011...” Is delayed by about 3.5 (psec) from the bit pattern signal “0101. After being performed, as shown in FIG. 6B, the signal of the bit pattern “0101...” Is delayed by about 1.7 (psec) from the signal of the bit pattern “0011. .
図7は、図6−2に示した伝送特性における群遅延特性を示す図である。図5に示した群遅延特性とは逆に、2.5GHz(ポイントm3)に比べて、5GHz(ポイントm4)の方が遅延時間の値が大きくなっており、図6−2に示す伝送特性結果を明確に示している。 FIG. 7 is a diagram illustrating group delay characteristics in the transmission characteristics illustrated in FIG. Contrary to the group delay characteristics shown in FIG. 5, the delay time value is larger at 5 GHz (point m4) than at 2.5 GHz (point m3), and the transmission characteristics shown in FIG. The results are clearly shown.
また、図8−1は、信号が伝送される基板上のパターンやワイヤなどを伝送する信号の伝送特性の一例を示す図であり、図8−2は、図8−1に示す伝送特性において所定の位相差調整を行った場合の伝送特性を示す図である。それぞれの図は、図4、図6−1、図6−2と同様に、実線は「0011・・・」のビットパターンの伝送波形であり、破線は「0101・・・」のビットパターンの伝送波形である。図8−1では、図6−1とは異なり「0101・・・」のビットパターンの信号(5GHz)が「0011・・・」のビットパターンの信号(2.5GHz)より遅延している。このように高周波側の信号が遅延するのは、基板上のパターンやワイヤなどが有する寄生容量や寄生インダクタンスなどの影響によるものである。詳細な数値は省略するが、このような高周波側の信号が低周波側の信号に対して遅延する場合であっても、図3の解析モデルでのR,L,Cのそれぞれを所定の値に設定することで、図8−2に示すように高周波側の信号と低周波側の信号との間の位相差を低減させることができる。 FIG. 8A is a diagram illustrating an example of a transmission characteristic of a signal that transmits a pattern, a wire, or the like on a substrate through which the signal is transmitted. FIG. It is a figure which shows the transmission characteristic at the time of performing a predetermined phase difference adjustment. As in FIGS. 4, 6-1, and 6-2, each figure is a transmission waveform of a bit pattern “0011...” And a broken line is a bit pattern of “0101. It is a transmission waveform. In FIG. 8A, unlike FIG. 6A, the bit pattern signal (5 GHz) of “0101...” Is delayed from the bit pattern signal (2.5 GHz) of “0011. The delay of the high frequency side signal in this way is due to the influence of the parasitic capacitance and parasitic inductance of the pattern and the wire on the substrate. Although detailed numerical values are omitted, each of R, L, and C in the analysis model of FIG. 3 is a predetermined value even when such a high-frequency signal is delayed with respect to a low-frequency signal. By setting to, the phase difference between the high frequency side signal and the low frequency side signal can be reduced as shown in FIG.
これまで、伝送線路の群遅延特性や、伝送基板上のパターンやワイヤなどの周波数特性に基づいて信号データ間に発生する位相差を低減させることについて詳述してきたが、上記以外の要素だけでなく、他の要素、例えば、半導体レーザ4の光出力の周波数特性なども考慮しなければならない。位相差調整回路2の直列共振回路構成でのR,L,Cのそれぞれの値は、これらのすべての要素を考慮して決定する必要がある。
So far, we have described in detail how to reduce the phase difference that occurs between signal data based on the group delay characteristics of the transmission line and the frequency characteristics of the patterns and wires on the transmission board. In addition, other factors such as the frequency characteristics of the optical output of the
なお、この実施の形態では、位相差調整回路2を光送信機に添えた構成について説明してきたが、この位相差調整回路2を光受信機に適用することもできる。ただし、図6−1および図6−2の波形を比較して見ても明らかなように、位相差調整回路2を挿入すると信号の振幅レベルが減少する。したがって、この実施の形態の光送信機が半導体レーザ駆動回路1の前段に位相差調整回路2を挿入しているように、光受信機では、増幅器(例えば、プリアンプ)の後段に挿入するのが好適である。
In this embodiment, the configuration in which the phase
つぎに、位相差調整回路2を用いた場合の効果について説明する。図9〜図10−2は、半導体レーザ4から出力される光信号波形のアイパターンの測定結果を示す図である。より詳細には、図9は、位相差調整回路2を用いない場合の光信号波形のアイパターンを示す図であり、一方、図10−1および図10−2は、位相差調整回路2を用いた場合の光信号波形のアイパターンを示す図である。なお、図9〜図10−2の測定結果では、半導体レーザ4の出力電力P0はすべて10mwとした。また、図10−1に示される測定結果では、位相差調整回路2の抵抗値およびキャパシタは、それぞれ、R=15Ω、C=0.1μFに設定し、図10−2に示される測定結果では、R=15Ω、C=0.1μFに設定した。
Next, effects when the phase
図9〜図10−2に示されるアイパターンは、様々な信号パターンの光信号波形を光−電気変換した後に帯域フィルタを通し、その電気信号を重ね書きしたものであり、上の部分がマーク側、下の部分がスペース側であり、横軸は時間を示している。また、同図には、アイマスク規定で定められるアイマスク領域(斜線部分)も併せて示している。 The eye patterns shown in FIGS. 9 to 10-2 are obtained by performing optical-electrical conversion on optical signal waveforms of various signal patterns, passing through bandpass filters, and overwriting the electrical signals. The side and the lower part are the space side, and the horizontal axis indicates time. The figure also shows an eye mask region (shaded portion) defined by the eye mask definition.
ここで、アイマスク領域とは、信号波形の性能を見る指標である。信号波形(アイパターン)とアイマスク領域との隙間(アイマスクマージン)が大きいほど、光受信機で信号を受信したときに良好な受信感度特性が得られる。すなわち、より微弱なパワーの光信号でもエラーが生じにくくなり、良好な伝送特性が得られることになる。 Here, the eye mask region is an index for viewing the performance of the signal waveform. The larger the gap (eye mask margin) between the signal waveform (eye pattern) and the eye mask area, the better the reception sensitivity characteristic is obtained when the signal is received by the optical receiver. In other words, errors are less likely to occur even with weaker power optical signals, and good transmission characteristics can be obtained.
つまり、光送信機から出力された光信号を受信し、電気信号に変換して信号の再生を行う際に、低い誤り率の信号を得るためには、アイパターンがアイマスク領域に入らないようにすることが必要である。 That is, when receiving an optical signal output from an optical transmitter, converting it to an electrical signal, and reproducing the signal, an eye pattern does not enter the eye mask region in order to obtain a signal with a low error rate. It is necessary to make it.
しかしながら、図9に示すアイパターンの中央部右側の円内の部分では、アイマスクマージンが約2%であり、アイマスク規定に対する余裕度が小さくなっている。アイマスクマージンが不足すると、例えば、周囲温度の変化によっては、信号波形が中央部の右上のアイマスクを満足できないという問題が発生する。 However, in the portion in the circle on the right side of the center of the eye pattern shown in FIG. 9, the eye mask margin is about 2%, and the margin for the eye mask definition is small. If the eye mask margin is insufficient, there arises a problem that, for example, the signal waveform cannot satisfy the upper right eye mask in the central portion depending on a change in ambient temperature.
一方、図10−1においては、図9と同様な位置であるアイパターンの中央部右側の円内の部分では、アイマスクマージンが約5%に改善され、アイマスク規定に対する余裕度が増加している。また、図10−2においては、同じくアイパターンの中央部右側の円内の部分では、アイマスクマージンが約7%であり、図10−1と比較してもさらに改善されている。 On the other hand, in FIG. 10A, the eye mask margin is improved to about 5% and the margin for the eye mask definition is increased in the part in the circle on the right side of the center of the eye pattern at the same position as in FIG. ing. In FIG. 10-2, the eye mask margin is about 7% in the circle in the right side of the center of the eye pattern, which is further improved compared to FIG. 10-1.
上記の結果から明らかなように、位相差調整回路2に備えられる直列共振回路の抵抗値、キャパシタを所定の値に設定することで、半導体レーザ4から出力される光信号波形のアイマスク規定に対する余裕度を増加させることができる。
As is clear from the above results, the resistance value and capacitor of the series resonance circuit provided in the phase
以上説明したように、この実施の形態の光送信機によれば、前記半導体レーザ駆動回路の前段に備えられた位相差調整回路は、伝送線路上の整合回路による不整合や、伝送線路の特性により生じた伝送速度の異なるデータ伝送に基づく位相差を低減することができるので、光信号波形のアイパターンを改善することができ、所定のアイマスクマージンを確保することができる。 As described above, according to the optical transmitter of this embodiment, the phase difference adjustment circuit provided in the previous stage of the semiconductor laser driving circuit is not matched by the matching circuit on the transmission line, or the characteristics of the transmission line. Since the phase difference based on data transmission with different transmission speeds caused by the above can be reduced, the eye pattern of the optical signal waveform can be improved, and a predetermined eye mask margin can be secured.
以上のように、本発明にかかる光送信機は、光ファイバを用いた高速デジタル通信用の光送信機として有用であり、特に、伝送線路上の整合回路の不整合により生じた伝送速度の異なるデータ間の位相差が問題となるような場合に適している。また、本発明の光送信機に備えられた位相差調整回路は、光受信機にも適用することができる。 As described above, the optical transmitter according to the present invention is useful as an optical transmitter for high-speed digital communication using an optical fiber, and in particular, the transmission speed generated by mismatching of the matching circuit on the transmission line is different. This is suitable when the phase difference between data becomes a problem. Further, the phase difference adjustment circuit provided in the optical transmitter of the present invention can also be applied to an optical receiver.
1 半導体レーザ駆動回路
2 位相差調整回路
3,5,9 インピーダンスコントロール線路
4 半導体レーザ
6 差動増幅回路
7a,7b 位相差低減用抵抗
8a,8b DC遮断コンデンサ
10 ダンピング抵抗
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記半導体レーザ駆動回路の前段にデータ信号間で発生する位相差を低減させるための位相差調整回路を備えたことを特徴とする光送信機。 In an optical transmitter including a semiconductor laser driving circuit that shapes a signal waveform of an input data signal, and a semiconductor laser that generates and outputs modulated laser light based on a modulation current output from the semiconductor laser driving circuit,
An optical transmitter comprising a phase difference adjustment circuit for reducing a phase difference generated between data signals in a stage preceding the semiconductor laser driving circuit.
前記データ信号を前記半導体レーザ駆動回路に伝達する伝送線路と、
前記伝送線路に接続される直列共振回路と、
を備え、
前記直列共振回路は、
寄生インダクタンス成分を有する抵抗素子または寄生抵抗成分を有するインダクタと、
キャパシタンス素子と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の光送信機。 The phase difference adjusting circuit is
A transmission line for transmitting the data signal to the semiconductor laser driving circuit;
A series resonant circuit connected to the transmission line;
With
The series resonant circuit is:
A resistive element having a parasitic inductance component or an inductor having a parasitic resistance component;
A capacitance element;
The optical transmitter according to claim 1, further comprising:
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- 2004-03-05 JP JP2004062089A patent/JP2005252783A/en active Pending
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