JP2005229430A - Dielectric waveguide switch and switching module - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To easily realize a dielectric waveguide switch using an element which can be electrically switched. <P>SOLUTION: The dielectric waveguide switch has first and second conductor layers formed so as to face on both sides of a dielectric substrate on the surface of the dielectric substrate, dielectric waveguide structure constituted of a conductor which connects the first and second conductor layers, via holes provided so as to connect the first and second conductor layers inside the dielectric waveguide structure, a slit formed around any of the via holes of the first and second conductor layers and which separates the via hole and the formed conductor layer and a switch element which switches electric connection between the via hole and the conductor layer on which the slit is formed. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、誘電体導波管スイッチとこれを組み合わせたスイッチングモジュールに関する。 The present invention relates to a dielectric waveguide switch and a switching module combining the same.

広い通信可能エリアを確保しつつ、電力を効率良く送信するために、1つの指向性の高いアンテナを機械的に走査する方法や、複数の指向性の高いアンテナを電気的に切り替える方法が採られる。非特許文献1(1997 Topical Symposium on Millimeter Waves Proceedings, pp. 115-118)には、4つのアンテナをスイッチにより電気的に切り替える構成が記載されている。   In order to efficiently transmit power while ensuring a wide communicable area, a method of mechanically scanning one highly directional antenna or a method of electrically switching a plurality of highly directional antennas is employed. . Non-Patent Document 1 (1997 Topical Symposium on Millimeter Waves Proceedings, pp. 115-118) describes a configuration in which four antennas are electrically switched by a switch.

非特許文献1に開示される構成では、給電ポートから入力された信号は分配され、マイクロストリップ線路を介して4つのアンテナまで伝送される。各アンテナの近傍のマイクロストリップ線路内には、スイッチが設けられ、信号を空間に放射するアンテナを切り替えている。この際、各アンテナまでのマイクロストリップ線路の長さは、レイアウト上、どうしても大きくなってしまう(上記例の場合にはおよそ10cm)。このように、伝送線路としてマイクロストリップ線路等の平面線路を使用すると、例えば、0.15mm厚のアルミナ基板上に形成した50Ωのマイクロストリップ線路の場合、給電損失は、60GHzでは0.06dB/mm(10cmの場合、6dB)にもなる。このため、損失を補償するために付加的な増幅器が必要になるといった課題や、受信系の場合には、損失を補償できても最小受信感度は低下するため、通信可能距離が短くなるといった課題があった。   In the configuration disclosed in Non-Patent Document 1, the signal input from the power feeding port is distributed and transmitted to four antennas via the microstrip line. A switch is provided in the microstrip line in the vicinity of each antenna to switch the antenna that radiates a signal to space. At this time, the length of the microstrip line to each antenna is inevitably increased in layout (approximately 10 cm in the case of the above example). Thus, when a planar line such as a microstrip line is used as the transmission line, for example, in the case of a 50Ω microstrip line formed on an alumina substrate having a thickness of 0.15 mm, the feeding loss is 0.06 dB / mm at 60 GHz. (6 dB for 10 cm). For this reason, there is a problem that an additional amplifier is required to compensate for the loss, and in the case of a reception system, the minimum reception sensitivity is lowered even if the loss can be compensated, and thus the communicable distance is shortened. was there.

一方、ミリ波帯等の高周波においても低損失な伝送線路には、特許文献1(特開平6−53711号公報)に開示されるような、回路基板内に形成できる誘電体導波管がある。従来から使用されている矩形金属導波管の場合には、特許文献2(実開昭63−044501号公報)に開示されるように、上下H面を電気的に接続するスイッチング素子を内蔵し、オン/オフを切り替えることで、導波管スイッチを構成することができる。しかしながら、誘電体導波管の場合には、金属導波管の場合と異なり、加工の点からスイッチング素子を内蔵することが難しいという課題があった。
特開平6−53711号公報 実開昭63−044501号公報 1997 Topical Symposium on Millimeter Waves Proceedings, pp. 115-118
On the other hand, a transmission line having a low loss even at a high frequency such as a millimeter wave band includes a dielectric waveguide that can be formed in a circuit board as disclosed in Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 6-53711). . In the case of a rectangular metal waveguide conventionally used, as disclosed in Patent Document 2 (Japanese Utility Model Publication No. 63-044501), a switching element for electrically connecting the upper and lower H surfaces is incorporated. By switching on / off, a waveguide switch can be configured. However, in the case of a dielectric waveguide, unlike the case of a metal waveguide, there is a problem that it is difficult to incorporate a switching element from the viewpoint of processing.
JP-A-6-53711 Japanese Utility Model Publication No. 63-045001 1997 Topical Symposium on Millimeter Waves Proceedings, pp. 115-118

上述した従来技術のうち、非特許文献1に開示される技術では、寸法が大きくなり、給電損失も大きくなる。このため、損失を補償するために付加的な増幅器が必要になるといった課題や、受信系の場合には、損失を補償できても最小受信感度は低下するため、通信可能距離が短くなるという問題点がある。   Among the above-described conventional techniques, the technique disclosed in Non-Patent Document 1 has a large size and a large power supply loss. For this reason, there is a problem that an additional amplifier is required to compensate for the loss, and in the case of a reception system, the minimum reception sensitivity is lowered even if the loss can be compensated for, so that the communicable distance is shortened. There is a point.

特許文献1に開示されるような、回路基板内に形成できる誘電体導波管の場合には、特許文献2に開示されるような金属導波管の場合と異なり、加工の点からスイッチング素子を内蔵することが難しく製造が困難であるという問題点がある。   In the case of a dielectric waveguide that can be formed in a circuit board as disclosed in Patent Document 1, unlike the case of a metal waveguide as disclosed in Patent Document 2, a switching element from the viewpoint of processing. There is a problem that it is difficult to embed the battery and it is difficult to manufacture.

本発明は上述したような従来の技術が有する問題点に鑑みてなされたものであって、低損失であり製造が容易な誘電体導波管スイッチとこれを用いたスイッチングモジュールを実現することを目的とする。   The present invention has been made in view of the problems of the prior art as described above, and realizes a dielectric waveguide switch that is low loss and easy to manufacture and a switching module using the same. Objective.

本発明の誘電体導波管型スイッチは、誘電体基板の表面に、該誘電体基板を挟んで対向するように形成された第1の導体層と第2の導体層と、
前記第1の導体層と第2の導体層とを接続する導体により構成された誘電体導波管構造と、
前記誘電体導波管構造の内部に、前記第1の導体層と第2の導体層とを結ぶように設けられたビアホールと、
前記第1の導体層と第2の導体層のいずれかの前記ビアホールの周囲に形成され、前記ビアホールと形成されている導体層とを隔てるスリットと、
前記ビアホールと、前記スリットが形成されている導体層との電気的な接続を切替えるスイッチ素子とを有することを特徴とする。
The dielectric waveguide switch of the present invention includes a first conductor layer and a second conductor layer formed on a surface of a dielectric substrate so as to face each other with the dielectric substrate interposed therebetween,
A dielectric waveguide structure constituted by a conductor connecting the first conductor layer and the second conductor layer;
A via hole provided in the dielectric waveguide structure so as to connect the first conductor layer and the second conductor layer;
A slit that is formed around the via hole in either of the first conductor layer and the second conductor layer, and separates the via hole and the formed conductor layer;
It has a switch element for switching electrical connection between the via hole and the conductor layer in which the slit is formed.

この場合、前記ビアホールと、前記スリットが形成されている導体層との間に設けられた導体片を有することとしてもよい。   In this case, it is good also as having a conductor piece provided between the said via hole and the conductor layer in which the said slit is formed.

また、前記スイッチ素子が、ダイオードであるとしてもよい。   The switch element may be a diode.

また、前記スイッチ素子が、MEMSであるとしてもよい。   The switch element may be a MEMS.

また、前記スイッチ素子が、フリップチップ実装されているとしてもよい。   The switch element may be flip-chip mounted.

本発明によるスイッチングモジュールは、上記のいずれかに記載の誘電体導波管スイッチが複数個組み合わされている。   A switching module according to the present invention includes a combination of a plurality of dielectric waveguide switches described above.

上記のように構成される本発明において、スリットにより周囲の導体層と隔てられたビアホールは、スイッチ素子による電気的な接続状態により共振周波数が変化する共振器として作用するものとなる。共振周波数を変化させ、所望の周波数帯において、信号の通過と反射を切り替えることが可能となる。このように、低損失な伝送線路である誘電体導波管構造と共振器を用いたスイッチ構造が組み合わされるため、極めて低損失なスイッチ素子となる。また、スイッチングを行なうためのスイッチ素子を表面実装によるものとすることにより製造も容易なものとなる。   In the present invention configured as described above, the via hole separated from the surrounding conductor layer by the slit acts as a resonator whose resonance frequency changes depending on the electrical connection state by the switch element. By changing the resonance frequency, it is possible to switch between signal passing and reflection in a desired frequency band. Since the dielectric waveguide structure, which is a low-loss transmission line, and the switch structure using the resonator are combined in this way, the switch element has an extremely low loss. In addition, manufacturing is facilitated by using a surface-mounted switch element for performing switching.

本発明によれば、誘電体導波管スイッチにおいて、誘電体導波管の内部に形成したビアホールと導体パッドとから成る共振器に、電気的に切り替えられる素子を誘電体導波管の外部で接続することにより、低損失であり製造が容易な誘電体導波管スイッチとこれを用いたスイッチングモジュールを実現すること可能となる。   According to the present invention, in a dielectric waveguide switch, an element that can be electrically switched to a resonator composed of a via hole and a conductor pad formed inside the dielectric waveguide is provided outside the dielectric waveguide. By connecting, it is possible to realize a dielectric waveguide switch that is low loss and easy to manufacture and a switching module using the dielectric waveguide switch.

次に、本発の実施例について図面を参照して説明する。   Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1に本発明による誘電体導波管スイッチの一実施例の構造を示す図であり、図1(a)は斜視図、図1(b)は上面図、図1(c)は、図1(a)中の一点鎖線A−A'における断面図である。   FIG. 1 is a diagram showing the structure of an embodiment of a dielectric waveguide switch according to the present invention, FIG. 1 (a) is a perspective view, FIG. 1 (b) is a top view, and FIG. 1 (c) is a diagram. It is sectional drawing in the dashed-dotted line AA 'in 1 (a).

図1に示される誘電体導波管スイッチは、誘電体基板1の両面にグランド導体層2a、2bが形成され、グランド導体層2a、2b間がビアホール列3aで接続されることで、誘電体導波管構造4が構成されている。   The dielectric waveguide switch shown in FIG. 1 is formed by forming ground conductor layers 2a and 2b on both surfaces of a dielectric substrate 1, and connecting the ground conductor layers 2a and 2b with via hole rows 3a. A waveguide structure 4 is configured.

誘電体導波管構造4の中央部のグランド導体層2aにスリット5を形成することにより、グランド導体層2aから分離された導体パッド6が形成されている。導体パッド6と裏面グランド導体層2bとはビアホール3bにより接続され、これにより、共振器7が構成されている。   By forming a slit 5 in the ground conductor layer 2a at the center of the dielectric waveguide structure 4, a conductor pad 6 separated from the ground conductor layer 2a is formed. The conductor pad 6 and the back surface ground conductor layer 2b are connected by a via hole 3b, whereby the resonator 7 is configured.

共振器7の共振周波数は、主に、導体パッド6の大きさとビアホール3bの大きさ(径、長さ)によって決定される。また、共振器7と誘電体導波管4との結合は、誘電体導波管構造4内に形成されたビアホール3cによって調整される。さらに、導体パッド6とグランド導体層2aとをダイオード8で電気的に接続する。ダイオード8は外部からのスイッチングによりその導通状態を制御可能なものであり、パッド6とグランド導体層2aと、それぞれバンプ9を介して接続される。これにより、誘電体導波管スイッチ10が構成される。   The resonance frequency of the resonator 7 is mainly determined by the size of the conductor pad 6 and the size (diameter and length) of the via hole 3b. Further, the coupling between the resonator 7 and the dielectric waveguide 4 is adjusted by a via hole 3 c formed in the dielectric waveguide structure 4. Further, the conductor pad 6 and the ground conductor layer 2a are electrically connected by a diode 8. The diode 8 can be controlled in its conduction state by switching from the outside, and is connected to the pad 6 and the ground conductor layer 2a through bumps 9, respectively. Thereby, the dielectric waveguide switch 10 is configured.

通過を制御する信号の周波数をfとし、ダイオード8がオフのときに誘電体導波管スイッチ10がオンとなる(信号が通過する状態)構成とする場合、ダイオード8がオフとされている場合には、誘電体導波管スイッチ10の共振周波数がfとなり、周波数fの信号が通過するものとすればよい。この場合、ダイオード8がオンの場合には、共振周波数fが高周波側にシフトすることにより、周波数fの信号は反射され、誘電体導波管スイッチ10はオフとなる。   When the frequency of the signal for controlling the passage is f and the dielectric waveguide switch 10 is turned on when the diode 8 is turned off (a state where the signal passes), the diode 8 is turned off In this case, the resonance frequency of the dielectric waveguide switch 10 is f, and the signal of the frequency f may be passed. In this case, when the diode 8 is on, the resonance frequency f is shifted to the high frequency side, whereby the signal of the frequency f is reflected, and the dielectric waveguide switch 10 is turned off.

ダイオード8がオンのときに誘電体導波管スイッチ10もオンとなる構成とする場合、ダイオード8がオンとされている場合には、誘電体導波管スイッチ10の共振周波数がfとなり、周波数fの信号が通過するものとすればよい。この場合、ダイオード8がオフの場合には、共振周波数fが低周波側にシフトすることにより、周波数fの信号は反射され、誘電体導波管スイッチ10はオフとなる。   When the dielectric waveguide switch 10 is also turned on when the diode 8 is turned on, when the diode 8 is turned on, the resonance frequency of the dielectric waveguide switch 10 is f, and the frequency It is sufficient that the signal of f passes. In this case, when the diode 8 is off, the resonance frequency f is shifted to the low frequency side, whereby the signal of the frequency f is reflected and the dielectric waveguide switch 10 is turned off.

ダイオード8がオンのときに誘電体導波管スイッチ10もオンとなる構成とする場合には、誘電体導波管スイッチ10がオンのときの共振周波数をより高い周波数で得ることができる。どちらを選択するかは、両者の性能を比較し、所望の性能が得られるように決めればよい。   When the dielectric waveguide switch 10 is also turned on when the diode 8 is turned on, the resonance frequency when the dielectric waveguide switch 10 is turned on can be obtained at a higher frequency. Which one should be selected may be determined by comparing the performances of the two and obtaining the desired performance.

また、図1に示した形態の誘電体導波管スイッチ10では、ダイオードのオフがスイッチのオンとなる構成とする場合に、製造上の制約(導体パッド6とビアホール3bの大きさの制限)により、スイッチがオンとなる周波数を所望の周波数まで高くできない場合がある。その場合に、より高い周波数においてスイッチがオンとなる構成として、図2に示すように、導体パッド6とグランド導体層2aとを、ストリップ導体11で接続する構成がある。このような構成とした場合には、ストリップ導体11により、共振器7の共振周波数は、スイッチがオフ時の共振周波数に近づくため、スイッチのオン/オフ比が小さくなるが、より高い周波数において、スイッチをオンとすることができる。   Further, in the dielectric waveguide switch 10 having the configuration shown in FIG. 1, when the diode is turned off, the manufacturing restriction (limitation of the size of the conductor pad 6 and the via hole 3b). Therefore, the frequency at which the switch is turned on may not be increased to a desired frequency. In this case, as a configuration in which the switch is turned on at a higher frequency, as shown in FIG. In the case of such a configuration, the resonance frequency of the resonator 7 due to the strip conductor 11 approaches the resonance frequency when the switch is off, so that the on / off ratio of the switch is small. However, at a higher frequency, The switch can be turned on.

図6は、60GHz帯で動作する図1に示した誘電体導波管スイッチ10の挿入損失を計算した結果を示す(ダイオードのオフをスイッチのオンとした場合)。誘電体導波管スイッチ10がオンの時に、60GHzで共振が起きており、信号が通過していることが分かる。ここでは、誘電体導波管スイッチ10が1個の共振器7により、構成されている場合を示したが、所望の帯域が得られるように、複数個の共振器7により構成しても良い。   FIG. 6 shows the result of calculating the insertion loss of the dielectric waveguide switch 10 shown in FIG. 1 operating in the 60 GHz band (when the diode is turned off). It can be seen that when the dielectric waveguide switch 10 is on, resonance occurs at 60 GHz and a signal passes. Here, the case where the dielectric waveguide switch 10 is configured by one resonator 7 is shown, but it may be configured by a plurality of resonators 7 so as to obtain a desired band. .

また、ダイオード8の代わりに、図3に示すように、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 12を電気的に切り替えることにより、MEMS12を介して物理的に導体パッド6とグランド導体層2aとを接続する構成としてもよい。   Further, instead of the diode 8, as shown in FIG. 3, the MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) 12 is electrically switched to physically connect the conductor pad 6 and the ground conductor layer 2a via the MEMS 12. It is good also as a structure.

本実施例において、共振器7の表面にダイオード8やMEMS12などのスイッチ素子が実装される構成とされている。ダイオードやMEMSについては共振器を形成した後にフリップチップ実装することができるため、共振器を作成する工程とは独立に行なうことができ、この点から歩留まりのよいものとなっている。スイッチ素子としてダイオードを使用する場合には、様々な特性のものが存在するため、共振器の特性に合ったものを選択することが可能となる。MEMSを用いる場合には、機械的な要素を含むスイッチングチングが可能となり、この点から共振器の特性に合ったものを選択することが可能となる。   In the present embodiment, a switch element such as a diode 8 or a MEMS 12 is mounted on the surface of the resonator 7. Since the diode and the MEMS can be flip-chip mounted after the resonator is formed, it can be performed independently of the step of creating the resonator, and the yield is good from this point. When a diode is used as the switch element, there are various characteristics, so that it is possible to select one that matches the characteristics of the resonator. When MEMS is used, switching including a mechanical element is possible, and from this point, it is possible to select one that matches the characteristics of the resonator.

図4は、誘電体導波管スイッチを4個用いて構成した1入力4出力の切り替え器の構成を示すブロック図である。   FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a 1-input 4-output switch configured by using four dielectric waveguide switches.

入力は2分配され、それぞれ、2個向かい合わせに接続された誘電体導波管スイッチ10aと10b、並びに、誘電体導波管スイッチ10cと10dの2組のスイッチ群に接続される。それぞれの組は、2個ともオフの組が、オンのスイッチを含む組に影響を与えないように、1/2波長の誘電体導波管4を介して接続されている。例えば、出力1に信号を伝送する場合には、誘電体導波管スイッチ10aをオン、誘電体導波管スイッチ10b、10c、10dをオフにすれば良い。また、1入力4出力切り替え器は、図5に示すように、誘電体導波管スイッチを10a、10b、10c、10d、10e、10fの6個用いても構成できる。例えば、出力1に信号を伝送する場合には、誘電体導波管スイッチ10a、10eをオン、スイッチ10b、10c、10d、10fをオフにすれば良い。この場合には、出力1に信号が伝送されるまでに、信号は2個のスイッチ(10a、10e)を通過する。そのため、先述の構成に比べて、損失は大きくなるが、1/2波長の誘電体導波管4を含まないため、帯域が広くなる利点がある。   The input is divided into two, and connected to two sets of switch groups: dielectric waveguide switches 10a and 10b, and dielectric waveguide switches 10c and 10d, which are connected in a face-to-face manner. Each pair is connected via a half-wavelength dielectric waveguide 4 so that the two off-sets do not affect the set including the on-switch. For example, when a signal is transmitted to the output 1, the dielectric waveguide switch 10a may be turned on and the dielectric waveguide switches 10b, 10c, and 10d may be turned off. Further, as shown in FIG. 5, the 1-input 4-output switcher can be configured by using six dielectric waveguide switches 10a, 10b, 10c, 10d, 10e, and 10f. For example, when a signal is transmitted to the output 1, the dielectric waveguide switches 10a and 10e may be turned on and the switches 10b, 10c, 10d and 10f may be turned off. In this case, the signal passes through the two switches (10a, 10e) before the signal is transmitted to the output 1. Therefore, the loss is larger than that of the above-described configuration, but there is an advantage that the band is widened because the dielectric waveguide 4 of ½ wavelength is not included.

本発明による実施の形態1を示す誘電体導波管スイッチの構成図であり、(a)はスイッチの斜視図、(b)は上面図、(c)は一点鎖線A−A'における断面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a block diagram of the dielectric waveguide switch which shows Embodiment 1 by this invention, (a) is a perspective view of a switch, (b) is a top view, (c) is sectional drawing in dashed-dotted line AA ' It is. 本発明における共振器の第2の構成図である。It is a 2nd block diagram of the resonator in this invention. 本発明における電気的に切り替える素子の第2の構成図である。It is a 2nd block diagram of the element switched electrically in this invention. 本発明による誘電体導波管スイッチを用いて構成した、第1の1入力4出力の切り替え器である。It is the 1st 1 input 4 output switch comprised using the dielectric waveguide switch by this invention. 本発明による誘電体導波管スイッチを用いて構成した、第2の1入力4出力の切り替え器である。It is the 2nd 1 input 4 output switch comprised using the dielectric waveguide switch by this invention. 本発明による誘電体導波管スイッチの通過特性の計算結果である。It is a calculation result of the passage characteristic of the dielectric waveguide switch by this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 誘電体基板
2a、2b グランド導体層
3a、3b、3c ビアホール
4 誘電体導波管
5 スリット
6 導体パッド
7 共振器
8 ダイオード
9 バンプ
10、10a、10b、10c、
10d、10e、10f 誘電体導波管スイッチ
11 ストリップ導体
12 MEMS
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Dielectric board | substrate 2a, 2b Ground conductor layer 3a, 3b, 3c Via hole 4 Dielectric waveguide 5 Slit 6 Conductor pad 7 Resonator 8 Diode 9 Bump 10, 10a, 10b, 10c,
10d, 10e, 10f Dielectric waveguide switch 11 Strip conductor 12 MEMS

Claims (6)

誘電体基板の表面に、該誘電体基板を挟んで対向するように形成された第1の導体層と第2の導体層と、
前記第1の導体層と第2の導体層とを接続する導体により構成された誘電体導波管構造と、
前記誘電体導波管構造の内部に、前記第1の導体層と第2の導体層とを結ぶように設けられたビアホールと、
前記第1の導体層と第2の導体層のいずれかの前記ビアホールの周囲に形成され、前記ビアホールと形成されている導体層とを隔てるスリットと、
前記ビアホールと、前記スリットが形成されている導体層との電気的な接続を切替えるスイッチ素子とを有することを特徴とする誘電体導波管型スイッチ。
A first conductor layer and a second conductor layer formed on the surface of the dielectric substrate so as to face each other with the dielectric substrate interposed therebetween;
A dielectric waveguide structure constituted by a conductor connecting the first conductor layer and the second conductor layer;
A via hole provided in the dielectric waveguide structure so as to connect the first conductor layer and the second conductor layer;
A slit that is formed around the via hole in either of the first conductor layer and the second conductor layer, and separates the via hole and the formed conductor layer;
A dielectric waveguide switch having a switch element for switching electrical connection between the via hole and the conductor layer in which the slit is formed.
請求項1に記載の誘電体導波管型スイッチにおいて、
前記ビアホールと、前記スリットが形成されている導体層との間に設けられた導体片を有することを特徴とする記載の誘電体導波管型スイッチ。
The dielectric waveguide switch according to claim 1, wherein
The dielectric waveguide switch according to claim 1, further comprising a conductor piece provided between the via hole and the conductor layer in which the slit is formed.
請求項1または請求項2に記載の誘電体導波管型スイッチにおいて、
前記スイッチ素子が、ダイオードであることを特徴とする誘電体導波管型スイッチ。
The dielectric waveguide switch according to claim 1 or 2, wherein
The dielectric waveguide switch, wherein the switch element is a diode.
請求項1または請求項2に記載の誘電体導波管型スイッチにおいて、
前記スイッチ素子が、MEMSであることを特徴とする誘電体導波管型スイッチ。
In the dielectric waveguide switch according to claim 1 or 2,
The dielectric waveguide switch, wherein the switch element is a MEMS.
請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の誘電体導波管型スイッチにおいて、
前記スイッチ素子が、フリップチップ実装されていることを特徴とする誘電体導波管型スイッチ。
The dielectric waveguide switch according to any one of claims 1 to 4, wherein
A dielectric waveguide switch characterized in that the switch element is flip-chip mounted.
請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の誘電体導波管スイッチが複数個組み合わされたスイッチングモジュール。   A switching module in which a plurality of dielectric waveguide switches according to any one of claims 1 to 5 are combined.
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