JP2005215135A - Double exposure photomask and exposure method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a double exposure photomask with which a resist pattern having aimed dimensions can be formed corresponding to each pattern even when patterns with different pitches are present. <P>SOLUTION: The mask includes a first photomask 100 where a dense pitch pattern is formed and a portion where a coarse pitch pattern is to be formed is masked, and a second photomask 110 where a coarse pitch pattern is formed and a portion where a dense pitch pattern is to be formed is masked. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体集積回路の製造の際、露光工程で用いられる二重露光フォトマスクおよび露光方法に関する。   The present invention relates to a double exposure photomask and an exposure method used in an exposure process when manufacturing a semiconductor integrated circuit.

半導体集積回路において、Ｄｙｎａｍｉｃ―ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）およびＳｔａｔｉｃ−ＲＡＭ等のメモリデバイスの記憶素子形成領域ではゲート電極のパターン間隔をできるだけ小さくしているためパターンの配置密度が高く、ピッチが密になっている。反対に、その周辺回路におけるトランジスタのゲート電極の形成間隔は記憶素子形成領域に比べて大きいところが多く、ゲート電極のパターンのピッチが疎になっている。   In a semiconductor integrated circuit, in a memory element formation region of a memory device such as a Dynamic-RAM (Random Access Memory) and a Static-RAM, a pattern arrangement density is high and a pitch is dense because the pattern interval of gate electrodes is made as small as possible. It has become. On the other hand, the gate electrode formation interval of the transistor in the peripheral circuit is often larger than the memory element formation region, and the gate electrode pattern pitch is sparse.

以下では、２００ｎｍ以下のピッチを密ピッチと称し、３００ｎｍ以上のピッチを疎ピッチと称する。そして、２００ｎｍより大きく３００ｎｍ未満のピッチを中間ピッチと称する。また、密ピッチで形成されたパターンを密ピッチパターンと称する。疎ピッチ、中間ピッチのパターンについても同様に、それぞれ疎ピッチパターン、中間ピッチパターンと称する。   Hereinafter, a pitch of 200 nm or less is referred to as a dense pitch, and a pitch of 300 nm or more is referred to as a sparse pitch. A pitch greater than 200 nm and less than 300 nm is referred to as an intermediate pitch. A pattern formed with a dense pitch is referred to as a dense pitch pattern. Similarly, a sparse pitch pattern and an intermediate pitch pattern are referred to as a sparse pitch pattern and an intermediate pitch pattern, respectively.

一方、ロジックＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）およびシステムＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）などのデバイスにおいて、ゲート電極部分を含むパターンであるゲートパターンは密ピッチおよび疎ピッチのパターンが混在しており、メモリデバイスのように密ピッチパターンと疎ピッチパターンの形成領域を明確に分けられない。そのため、露光工程で密ピッチと疎ピッチのレジストパターンを形成するための手段の一つとして、二重露光法がある。   On the other hand, in devices such as logic ICs (Integrated Circuits) and system LSIs (Large Scale Integrated Circuits), gate patterns, which include gate electrode portions, have a mixture of dense and sparse pitch patterns. In addition, the formation area of the dense pitch pattern and the sparse pitch pattern cannot be clearly divided. Therefore, there is a double exposure method as one of means for forming resist patterns having a dense pitch and a sparse pitch in the exposure process.

二重露光法とは、１回目の露光でレベンソン型位相シフトマスク（以下、単に位相シフトマスクと称する）を用いてパターンを形成し、続いて、２回目の露光でトリムマスクを用いて不要な部分を取り除くものである（例えば、特許文献１参照）。このように、２枚のフォトマスクを有する二重露光フォトマスクを用いる。   In the double exposure method, a pattern is formed using a Levenson type phase shift mask (hereinafter simply referred to as a phase shift mask) in the first exposure, and then unnecessary using a trim mask in the second exposure. The part is removed (see, for example, Patent Document 1). Thus, a double exposure photomask having two photomasks is used.

図４は従来の二重露光フォトマスクを用いてレジストパターンを形成するための露光方法を示す模式図である。ここでは、密ピッチと疎ピッチの他に中間ピッチが混在するゲートパターンの場合を示す。   FIG. 4 is a schematic view showing an exposure method for forming a resist pattern using a conventional double exposure photomask. Here, a case of a gate pattern in which an intermediate pitch is mixed in addition to a dense pitch and a sparse pitch is shown.

図４に示すように、従来の二重露光フォトマスクは、各ピッチのパターンを形成するための位相シフトマスク４００と、不要な部分を除去するためのトリムマスク４１０とを有する。位相シフトマスク４００には、各ピッチについてゲートパターンとなる、図４の縦方向に伸びる微細ライン４１２が形成され、「０」と「π」の位相シフタが微細ライン４１２を挟むように形成されている。トリムマスク４１０には、各ピッチのゲートパターンの周辺でレジストパターンとして形成したくない部分に開口部４１４が設けられている。   As shown in FIG. 4, the conventional double exposure photomask has a phase shift mask 400 for forming a pattern of each pitch and a trim mask 410 for removing unnecessary portions. In the phase shift mask 400, fine lines 412 extending in the vertical direction in FIG. 4 are formed as gate patterns for each pitch, and phase shifters of “0” and “π” are formed so as to sandwich the fine lines 412. Yes. The trim mask 410 is provided with an opening 414 in a portion that is not desired to be formed as a resist pattern around the gate pattern of each pitch.

また、微細ライン４１２における長手方向に垂直な方向の長さを幅とすると、フォトマスク上の各ピッチにおける微細ライン４１２の幅を同じ寸法に形成している。   Further, if the length of the fine line 412 in the direction perpendicular to the longitudinal direction is the width, the width of the fine line 412 at each pitch on the photomask is formed to have the same dimension.

次に、上記位相シフトマスク４００とトリムマスク４１０を用いた二重露光方法について説明する。   Next, a double exposure method using the phase shift mask 400 and the trim mask 410 will be described.

第１の露光処理として、微細ライン４１２が目標寸法になるように露光条件を設定して位相シフトマスク４００を用いて露光する。続いて、第２の露光処理としてトリムマスク４１０を用いて露光し、位相シフタの配置が不十分のためにそのままレジストが残ってしまう部分が感光する。その後、現像処理をすることで、図４の右側に示すように、微細ライン４１２のレジストパターンを形成するとともに、必要のない部分のレジストが残らないようにしている。   As the first exposure process, exposure is performed using the phase shift mask 400 by setting exposure conditions so that the fine line 412 has a target dimension. Subsequently, exposure is performed using the trim mask 410 as the second exposure process, and the portion where the resist remains as it is because the phase shifter is not sufficiently arranged is exposed. Thereafter, development processing is performed to form a resist pattern of the fine line 412 as shown on the right side of FIG. 4 and to prevent unnecessary portions of the resist from remaining.

ここでは、密ピッチの微細ライン４１２を形成するための露光条件で１回目の露光をしたため、図４の右側に示すように、密ピッチではレジストパターンがほぼ目標通りの寸法で形成されている。これに対して、疎ピッチでは目標寸法よりも細く形成され、中間ピッチではレジストパターンが消失してしまった。その理由は近接効果の影響により仕上がり寸法がピッチに著しく依存するためである。   Here, since the first exposure is performed under the exposure conditions for forming the fine lines 412 having a dense pitch, the resist pattern is formed with a target size substantially at the dense pitch as shown on the right side of FIG. In contrast, the sparse pitch was formed thinner than the target dimension, and the resist pattern disappeared at the intermediate pitch. The reason for this is that the finished size depends significantly on the pitch due to the proximity effect.

次に、レジスト寸法のピッチ依存性について説明する。   Next, the pitch dependency of resist dimensions will be described.

図５はレジスト寸法のピッチ依存性を示すグラフである。露光条件は、光源波長１９３ｎｍ（ＡｒＦ）、ＮＡ＝０．７３、σ＝０．４である。また、密ピッチパターンの微細ラインの幅がレジストパターン寸法で７０ｎｍになるように露光量を設定している。グラフの縦軸はレジスト寸法を示し、横軸はピッチを示す。   FIG. 5 is a graph showing the pitch dependence of resist dimensions. The exposure conditions are a light source wavelength of 193 nm (ArF), NA = 0.73, and σ = 0.4. The exposure amount is set so that the fine line width of the dense pitch pattern is 70 nm in terms of the resist pattern dimension. The vertical axis of the graph indicates resist dimensions, and the horizontal axis indicates pitch.

図５に示すように、露光量を密ピッチパターンに合わせたため、ピッチが１８０ｎｍではレジスト寸法が７５ｎｍでほぼ目標通りに仕上がっている。これに対して、ピッチが３００ｎｍ以上の疎ピッチパターンでは仕上がり寸法は６０ｎｍ以下で、著しく細くなっている。また、ピッチが２００〜３００ｎｍの中間ピッチでは寸法細りが最も激しいため、レジストパターンが倒れたり、消失してしまったりしている。   As shown in FIG. 5, since the exposure amount is matched to the dense pitch pattern, the resist size is 75 nm and the finish is almost as intended when the pitch is 180 nm. On the other hand, in a sparse pitch pattern with a pitch of 300 nm or more, the finished dimension is 60 nm or less, which is extremely thin. Further, since the dimensional thinning is most severe at an intermediate pitch of 200 to 300 nm, the resist pattern falls down or disappears.

このように異なるピッチが混在するデバイスでは、目標通りの寸法に仕上がる密ピッチのマスクパターンをそのままにして、目標寸法よりも細くなる中間ピッチおよび疎ピッチのマスクパターンを予め太らせていた。このように、マスクパターンを予め太らせる方法をバイアスＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔ：光近接効果補正）という。
特開２００３−１４９７８７号公報 In such a device in which different pitches coexist, the mask pattern of the fine pitch finished to the target dimension is left as it is, and the mask pattern of the intermediate pitch and the sparse pitch that are thinner than the target dimension is thickened in advance. A method of thickening the mask pattern in this way is called bias OPC (Optical Proximity Correct).
JP 2003-149787 A

レジストパターンが目標寸法よりも細くなってしまう場合、上述のバイアスＯＰＣは有効ではあるが、ランダムレイアウトへの適用可能性やマスク製造精度の観点から問題になっている。中間ピッチおよび疎ピッチのパターン全てについてフォトマスクの寸法を調整しようとすると、大変複雑で困難であった。   When the resist pattern becomes thinner than the target dimension, the bias OPC described above is effective, but it is problematic from the viewpoint of applicability to random layout and mask manufacturing accuracy. It was very complicated and difficult to adjust the dimensions of the photomask for all the intermediate pitch and sparse pitch patterns.

本発明は上述したような従来の技術が有する問題点を解決するためになされたものであり、異なるピッチのパターンが混在しても各パターンに対応して目標寸法のレジストパターンを形成可能な二重露光フォトマスクおよび露光方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art, and even if patterns having different pitches are mixed, a resist pattern having a target dimension can be formed corresponding to each pattern. An object is to provide a double exposure photomask and an exposure method.

上記目的を達成するための本発明の二重露光フォトマスクは、所定のピッチのパターンとなる密ピッチパターンと該密ピッチパターンよりもピッチの大きいパターンである疎ピッチパターンとをレジストに形成するための露光工程で用いられる二重露光フォトマスクであって、
前記密ピッチパターンが形成され、前記疎ピッチパターン形成部位がマスキングされた第１のフォトマスクと、
前記疎ピッチパターンが形成され、前記密ピッチパターン形成部位がマスキングされた第２のフォトマスクと、
を有する構成である。 In order to achieve the above object, the double exposure photomask of the present invention forms a dense pitch pattern that has a predetermined pitch pattern and a sparse pitch pattern that has a larger pitch than the dense pitch pattern in a resist. A double exposure photomask used in the exposure process of
A first photomask in which the dense pitch pattern is formed and the sparse pitch pattern forming portion is masked;
A second photomask in which the sparse pitch pattern is formed and the dense pitch pattern formation site is masked;
It is the structure which has.

本発明では、第１のフォトマスクを用いて露光処理を行うと密ピッチパターンがレジストに転写されるが、疎ピッチパターン形成領域のレジストは感光しない。また、第２のフォトマスクを用いて露光処理を行うと疎ピッチパターンがレジストに転写されるが、密ピッチパターン形成領域のレジストは感光しない。そのため、密ピッチパターンと疎ピッチパターンのレジストパターンを別々に形成可能となる。   In the present invention, when the exposure process is performed using the first photomask, the dense pitch pattern is transferred to the resist, but the resist in the sparse pitch pattern forming region is not exposed. Further, when the exposure process is performed using the second photomask, the sparse pitch pattern is transferred to the resist, but the resist in the dense pitch pattern formation region is not exposed. Therefore, it is possible to form a resist pattern having a dense pitch pattern and a sparse pitch pattern separately.

また、上記本発明の二重露光フォトマスクにおいて、前記第１のフォトマスクの前記密ピッチパターン形成部位に位相シフタが設けられたこととしてもよい。   In the double exposure photomask of the present invention, a phase shifter may be provided in the dense pitch pattern forming portion of the first photomask.

本発明では、密ピッチパターンのピッチが解像度より小さいパターンであっても、位相シフタが設けられているため、超解像技術を利用したパターンが形成可能となる。   In the present invention, even if the pitch of the dense pitch pattern is smaller than the resolution, since the phase shifter is provided, a pattern using super-resolution technology can be formed.

また、上記本発明の二重露光フォトマスクにおいて、前記第２のフォトマスクの前記疎ピッチパターン形成部位に位相シフタが設けられたこととしてもよい。   In the double exposure photomask of the present invention, a phase shifter may be provided at the sparse pitch pattern forming portion of the second photomask.

本発明では、疎ピッチパターンのピッチが解像度より小さいパターンであっても、位相シフタが設けられているため、超解像技術を利用したパターンが形成可能となる。   In the present invention, even if the pitch of the sparse pitch pattern is smaller than the resolution, the phase shifter is provided, so that a pattern using the super-resolution technique can be formed.

さらに、上記本発明の二重露光フォトマスクにおいて、前記露光工程における露光処理の光源波長をλ、レンズの開口数をＮＡとし、ｋ×（λ／ＮＡ）で示される解像度でピッチを表わすと、
前記密ピッチパターンのピッチは前記ｋが０．８以下の値であり、
前記疎ピッチパターンのピッチは前記ｋが０．８よりも大きい値であることとしてもよい。 Furthermore, in the double exposure photomask of the present invention, when the light source wavelength of the exposure process in the exposure step is λ, the numerical aperture of the lens is NA, and the pitch is represented by a resolution represented by k × (λ / NA),
The pitch of the dense pitch pattern is such that k is 0.8 or less,
The pitch of the sparse pitch pattern may be such that the k is greater than 0.8.

一方、上記目的を達成するための本発明の露光方法は、上記本発明のいずれかの二重露光フォトマスクを用いた露光方法であって、
前記第１のフォトマスクで前記密ピッチパターンを目標寸法に前記レジストに形成するための露光量で露光するステップと、
前記第２のフォトマスクで前記疎ピッチパターンを目標寸法に前記レジストに形成するための露光量で露光するステップとを有するものである。 On the other hand, the exposure method of the present invention for achieving the above object is an exposure method using any of the double exposure photomasks of the present invention,
Exposing the dense pitch pattern to a target dimension with an exposure amount for forming the resist with the first photomask; and
Exposing the sparse pitch pattern to the target dimension with an exposure amount for forming the sparse pitch pattern on the resist with the second photomask.

本発明では、第１のフォトマスクを用いて密ピッチパターンに合わせた露光量で露光するため、密ピッチパターンのレジストパターンが目標通りの寸法に仕上がり、第２のフォトマスクを用いて疎ピッチパターンに合わせた露光量で露光するため、疎ピッチパターンのレジストパターンが目標通りの寸法に仕上がる。そのため、ピッチの異なるパターンがあってもパターンに対応して目標通りの寸法にレジストパターンが形成される。   In the present invention, since the exposure is performed with the exposure amount according to the dense pitch pattern using the first photomask, the resist pattern of the dense pitch pattern is finished to a target size, and the sparse pitch pattern is obtained using the second photomask. Therefore, the resist pattern of the sparse pitch pattern is finished to a target size. Therefore, even if there are patterns with different pitches, a resist pattern is formed in a target dimension corresponding to the pattern.

本発明では、２回の露光処理で各ピッチのパターンが所望の寸法となるようにそれぞれ露光量を設定しているため、各ピッチのパターンについてレジストパターンを目標通りの寸法に形成できる。   In the present invention, since the exposure amount is set so that the pattern of each pitch has a desired dimension in two exposure processes, the resist pattern can be formed to a target dimension for each pattern of pitch.

また、各ピッチにおいてフォトマスクに形成されるゲートパターンの寸法を同じにできるため、各ピッチについてパターンに対応した補正をかける必要がない。そのため、パターン設計の手間が従来よりも軽減する。   In addition, since the dimensions of the gate pattern formed on the photomask can be made the same at each pitch, it is not necessary to apply correction corresponding to the pattern for each pitch. Therefore, the time and effort for pattern design is reduced as compared with the conventional case.

さらに、フォトマスクの各パターン形成領域に位相シフタを設ければ、超解像技術を利用したパターンが形成可能となる。   Furthermore, if a phase shifter is provided in each pattern formation region of the photomask, a pattern using a super-resolution technique can be formed.

本発明の二重露光フォトマスクは、密ピッチパターン形成のための第１のフォトマスクと疎ピッチパターン形成のための第２のフォトマスクとを有することを特徴とする。   The double exposure photomask of the present invention is characterized by having a first photomask for forming a dense pitch pattern and a second photomask for forming a sparse pitch pattern.

本発明の二重露光フォトマスクについて説明する。   The double exposure photomask of the present invention will be described.

図１は本発明の二重露光フォトマスクを用いてレジストパターンを形成するための露光方法を示す模式図である。ここでは、密ピッチと疎ピッチのパターンが混在するゲートパターンの場合を示す。   FIG. 1 is a schematic view showing an exposure method for forming a resist pattern using the double exposure photomask of the present invention. Here, a case of a gate pattern in which patterns of dense pitch and sparse pitch are mixed is shown.

図１に示すように、本発明の二重露光フォトマスクは、密ピッチパターンを形成するための第１のフォトマスク１００と、疎ピッチパターンを形成するための第２のフォトマスク１１０とを有する。第１のフォトマスク１００には、密ピッチパターンの微細ライン１１２が形成され、「０」と「π」の位相シフタ１１４が微細ライン１１２を挟むように形成されている。第１のフォトマスク１００における疎ピッチパターン形成部位は、疎ピッチパターンの微細ライン１１６が感光しないように微細ライン１１６形成部位を覆うマスキングパターン１１８が形成されている。また、疎ピッチパターン周辺の不要な部分を除去するための位相シフタ１２０が設けられている。   As shown in FIG. 1, the double exposure photomask of the present invention has a first photomask 100 for forming a dense pitch pattern and a second photomask 110 for forming a sparse pitch pattern. . In the first photomask 100, fine lines 112 having a dense pitch pattern are formed, and phase shifters 114 of “0” and “π” are formed so as to sandwich the fine lines 112 therebetween. The sparse pitch pattern forming portion of the first photomask 100 is formed with a masking pattern 118 that covers the fine line 116 forming portion so that the fine lines 116 of the sparse pitch pattern are not exposed. In addition, a phase shifter 120 for removing unnecessary portions around the sparse pitch pattern is provided.

第２のフォトマスク１１０には、疎ピッチパターンの微細ライン１１６が形成され、「０」と「π」の位相シフタ１２２が微細ライン１１６を挟むように形成されている。第２のフォトマスク１１０における密ピッチパターン形成部位は、密ピッチパターンの微細ライン１１２が感光しないように微細ライン１１２形成部位を覆うマスキングパターン１２４が形成されている。また、密ピッチパターン周辺の不要な部分を除去するための位相シフタ１２６が設けられている。   On the second photomask 110, fine lines 116 having a sparse pitch pattern are formed, and phase shifters 122 of “0” and “π” are formed so as to sandwich the fine lines 116 therebetween. A mask pattern 124 that covers the fine line 112 formation portion is formed at the fine pitch pattern formation portion of the second photomask 110 so that the fine line 112 of the fine pitch pattern is not exposed. In addition, a phase shifter 126 for removing unnecessary portions around the dense pitch pattern is provided.

フォトマスク上で密ピッチパターンの微細ライン１１２と疎ピッチパターンの微細ライン１１６の幅を等しい長さに形成している。   On the photomask, the fine pitch pattern fine lines 112 and the sparse pitch pattern fine lines 116 are formed to have equal widths.

なお、図１では、密ピッチパターンおよび疎ピッチパターンでは複数の微細ラインが形成されるが、本実施例では微細ラインを代表してそれぞれ１本だけ示している。また、不要な部分を除去するための位相シフタ１２０、１２６は「０」および「π」のうちいずれであってもよい。   In FIG. 1, a plurality of fine lines are formed in the dense pitch pattern and the sparse pitch pattern, but in the present embodiment, only one fine line is shown as a representative. Further, the phase shifters 120 and 126 for removing unnecessary portions may be either “0” or “π”.

本発明の二重露光フォトマスクは、上述したように、２枚のフォトマスクのうち、一方のフォトマスクには密ピッチパターン形成のためのパターンが形成され、疎ピッチパターン形成部位はマスキングされている。そして、他方のフォトマスクは疎ピッチパターン形成のためのパターンが形成され、密ピッチパターン形成部位はマスキングされている。   As described above, in the double exposure photomask of the present invention, a pattern for forming a dense pitch pattern is formed on one of the two photomasks, and a sparse pitch pattern forming portion is masked. Yes. The other photomask is formed with a pattern for forming a sparse pitch pattern, and the dense pitch pattern forming portion is masked.

そのため、第１のフォトマスク１００を用いて露光処理を行うと密ピッチパターンがレジストに転写されるが、疎ピッチパターン形成領域のレジストは感光しない。また、第２のフォトマスク１１０を用いて露光処理を行うと疎ピッチパターンがレジストに転写されるが、密ピッチパターン形成領域のレジストは感光しない。そのため、密ピッチパターンと疎ピッチパターンのレジストパターンを別々に形成可能となる。   Therefore, when the exposure process is performed using the first photomask 100, the dense pitch pattern is transferred to the resist, but the resist in the sparse pitch pattern forming region is not exposed. Further, when exposure processing is performed using the second photomask 110, the sparse pitch pattern is transferred to the resist, but the resist in the dense pitch pattern formation region is not exposed. Therefore, it is possible to form a resist pattern having a dense pitch pattern and a sparse pitch pattern separately.

次に、上記第１のフォトマスク１００と第２のフォトマスク１１０を用いた露光方法について説明する。   Next, an exposure method using the first photomask 100 and the second photomask 110 will be described.

なお、露光条件は、光源波長１９３ｎｍ（ＡｒＦ）、ＮＡ＝０．７３、σ＝０．４とした。また、微細ライン１１２および微細ライン１１６の幅についてのレジストパターンの目標寸法を従来と同様に７０ｎｍとする。   The exposure conditions were a light source wavelength of 193 nm (ArF), NA = 0.73, and σ = 0.4. Further, the target dimension of the resist pattern with respect to the width of the fine line 112 and the fine line 116 is set to 70 nm as in the conventional case.

第１の露光処理として、密ピッチパターンの微細ライン１１２のレジストパターンが目標寸法になるように、露光量が２５±２ｍＪ／ｃｍ2となる露光条件に設定して第１のフォトマスク１００を用いて露光する。その際、疎ピッチパターンの周辺では、位相シフタの配置が不十分のためにそのままレジストが残ってしまう部分が感光する。 As the first exposure process, the first photomask 100 is used with exposure conditions set to an exposure amount of 25 ± 2 mJ / cm 2 so that the resist pattern of the fine pitch 112 fine lines 112 has a target dimension. To expose. At that time, in the vicinity of the sparse pitch pattern, a portion where the resist remains as it is due to insufficient arrangement of the phase shifter is exposed.

続いて、第２の露光処理として、疎ピッチパターンの微細ライン１１６のレジストパターンが目標寸法になるように、露光量が２０±２ｍＪ／ｃｍ2の露光条件に設定して第２のフォトマスク１１０を用いて露光する。その際、密ピッチパターンの周辺では、位相シフタの配置が不十分のためにそのままレジストが残ってしまう部分が感光する。 Subsequently, as a second exposure process, the exposure amount is set to an exposure condition of 20 ± 2 mJ / cm 2 so that the resist pattern of the fine lines 116 of the sparse pitch pattern has a target dimension, and the second photomask 110 is set. To expose. At that time, in the vicinity of the dense pitch pattern, a portion where the resist remains as it is due to insufficient arrangement of the phase shifter is exposed.

その後、現像処理をすることで、図１の右側に示すように、密ピッチパターンの微細ライン１１２のレジストパターン１１３が目標通りの寸法に形成されるとともに、疎ピッチパターンの微細ライン１１６のレジストパターン１１７も目標通りの寸法に形成される。   Thereafter, by performing development processing, as shown on the right side of FIG. 1, the resist pattern 113 of the fine line 112 of the fine pitch pattern is formed to a target size and the resist pattern of the fine line 116 of the sparse pitch pattern is formed. 117 is also formed to a target size.

本発明では、上述したように、１回目の露光処理と２回目の露光処理で、それぞれの微細ラインパターンが所望の寸法となるように露光量を設定しているため、種々のピッチの微細ラインパターンについて、全てのパターンのレジスト仕上がり寸法を等しい値に形成できる。   In the present invention, as described above, the exposure amount is set so that each fine line pattern has a desired dimension in the first exposure process and the second exposure process. With respect to the pattern, the resist finished dimensions of all the patterns can be formed to be equal values.

また、各ゲートパターン周辺の位相シフタの配置が不十分なためにそのままではレジストが残ってしまう領域については、密ピッチパターン周辺は２回目の露光時にトリミングし、疎ピッチパターン周辺は１回目の露光時にトリミングすることによって、レジストが残らない。   In addition, in the region where the resist remains if the phase shifters around the gate patterns are insufficiently arranged, the periphery of the dense pitch pattern is trimmed during the second exposure, and the periphery of the sparse pitch pattern is exposed for the first time. Sometimes trimming leaves no resist.

また、各ピッチにおいてフォトマスクに形成されるゲートパターンの寸法を同じにできるため、各ピッチについてパターンに対応した補正をかける必要がない。そのため、パターン設計の手間が従来よりも軽減する。   In addition, since the dimensions of the gate pattern formed on the photomask can be made the same at each pitch, it is not necessary to apply correction corresponding to the pattern for each pitch. Therefore, the time and effort for pattern design is reduced as compared with the conventional case.

また、フォトマスクの各パターン形成領域に位相シフタを設けているため、超解像技術を利用したパターンが形成可能となる。   In addition, since a phase shifter is provided in each pattern formation region of the photomask, a pattern using a super-resolution technique can be formed.

本実施例は、中間ピッチパターンをレジストに形成するために本発明の二重露光フォトマスクおよびその露光方法を適用したものである。   In this embodiment, the double exposure photomask of the present invention and its exposure method are applied to form an intermediate pitch pattern on a resist.

本実施例の二重露光フォトマスクについて説明する。   The double exposure photomask of this embodiment will be described.

図２は本発明の二重露光フォトマスクを用いてレジストパターンを形成するための露光方法を示す模式図である。ここでは、中間ピッチのゲートパターンの場合を示す。そして、中間ピッチパターンを形成する２本のゲートパターンのうち、図２の左側に形成する方を第１の微細ラインとし、図２の右側に形成する方を第２の微細ラインと称する。   FIG. 2 is a schematic view showing an exposure method for forming a resist pattern using the double exposure photomask of the present invention. Here, the case of a gate pattern with an intermediate pitch is shown. Of the two gate patterns forming the intermediate pitch pattern, the one formed on the left side in FIG. 2 is referred to as a first fine line, and the one formed on the right side in FIG. 2 is referred to as a second fine line.

図２に示すように、本実施例の二重露光フォトマスクは、第１の微細ライン１５２を形成するための第１のフォトマスク１５０と、第２の微細ライン１６２を形成するための第２のフォトマスク１６０とを有する。   As shown in FIG. 2, the double-exposure photomask of this embodiment has a first photomask 150 for forming the first fine line 152 and a second photomask for forming the second fine line 162. Photomask 160.

第１のフォトマスク１５０には、第１の微細ライン１５２が形成され、「０」と「π」の位相シフタ１５４が第１の微細ライン１５２を挟むように形成されている。第１のフォトマスク１５０における第２の微細ライン１６２形成部位は、その領域が感光しないように第２の微細ライン１６２形成部位を覆うマスキングパターン１５６が形成されている。また、第２の微細ライン１６２周辺の不要な部分を除去するための位相シフタ１５８が設けられている。   A first fine line 152 is formed on the first photomask 150, and a phase shifter 154 of “0” and “π” is formed so as to sandwich the first fine line 152. A masking pattern 156 that covers the second fine line 162 formation portion is formed at the second fine line 162 formation portion of the first photomask 150 so that the region is not exposed. Further, a phase shifter 158 for removing unnecessary portions around the second fine line 162 is provided.

第２のフォトマスク１６０には、第２に微細ライン１６２が形成され、「０」と「π」の位相シフタ１６４が第２の微細ライン１６２を挟むように形成されている。第２のフォトマスク１６０における第１の微細ライン１５２形成部位は、その領域が感光しないように第１の微細ライン１５２形成部位を覆うマスキングパターン１６６が形成されている。また、第１の微細ライン１５２周辺の不要な部分を除去するための位相シフタ１６８が設けられている。   A second fine line 162 is formed on the second photomask 160, and a phase shifter 164 of “0” and “π” is formed so as to sandwich the second fine line 162. A masking pattern 166 that covers the first fine line 152 formation portion is formed at the first fine line 152 formation portion in the second photomask 160 so that the region is not exposed. Further, a phase shifter 168 for removing unnecessary portions around the first fine line 152 is provided.

フォトマスク上で第１の微細ライン１５２と第２の微細ライン１６２の幅を等しい長さに形成している。   The first fine line 152 and the second fine line 162 are formed to have the same width on the photomask.

上記第１のフォトマスク１５０と第２のフォトマスク１６０を用いた露光方法については、第１の露光処理および第２の露光処理の露光量を２０〜２５ｍＪ／ｃｍ2とし、その他については実施例１と同様であるため、その詳細な説明を省略する。 About the exposure method using the said 1st photomask 150 and the said 2nd photomask 160, the exposure amount of a 1st exposure process and a 2nd exposure process shall be 20-25 mJ / cm < 2 >, and others are Examples. 1 is the same as in FIG.

実施例１で説明した露光方法を行うことにより、図２の右側に示すように、第１の微細ライン１５２のレジストパターン１７２と第２の微細ライン１６２のレジストパターン１７４は目標通りの寸法に仕上がる。これは、中間ピッチパターンはピッチが密ピッチと疎ピッチの間であることと一般的に露光量にマージンがあることのため、露光条件が密ピッチパターンと疎ピッチパターンのいずれの場合でも最適なレジスト寸法が形成されるためである。   By performing the exposure method described in the first embodiment, as shown on the right side of FIG. 2, the resist pattern 172 of the first fine line 152 and the resist pattern 174 of the second fine line 162 are finished to the target dimensions. . This is because the intermediate pitch pattern has a pitch between the dense pitch and the sparse pitch and generally has a margin in the exposure amount, so that it is optimum whether the exposure condition is a dense pitch pattern or a sparse pitch pattern. This is because resist dimensions are formed.

また、本実施例における中間ピッチパターンは疎ピッチのゲートパターンが複数並んだものとして考えることができる。そのため、実施例１のフォトマスクに本実施例の中間ピッチパターンを追加してもよい。この場合、第１の露光処理で密ピッチパターンを形成する露光条件で露光し、第２の露光処理で疎ピッチパターンを形成する露光条件で露光すれば、中間ピッチパターンのレジスト寸法も目標通りに仕上がる。   Further, the intermediate pitch pattern in this embodiment can be considered as a plurality of sparse pitch gate patterns arranged side by side. Therefore, the intermediate pitch pattern of this embodiment may be added to the photomask of Embodiment 1. In this case, if the exposure is performed under the exposure conditions for forming the dense pitch pattern in the first exposure process and the exposure conditions for forming the sparse pitch pattern in the second exposure process, the resist size of the intermediate pitch pattern is also as desired. Finished.

次に、実施例１および実施例２を組み合わせたパターンを有する、本発明の二重露光フォトマスクを用いた露光方法によるレジスト寸法のピッチ依存性について説明する。   Next, the pitch dependency of the resist dimension by the exposure method using the double exposure photomask of the present invention having a pattern obtained by combining Example 1 and Example 2 will be described.

図３はレジスト寸法のピッチ依存性を示すグラフである。露光条件は、光源波長１９３ｎｍ（ＡｒＦ）、ＮＡ＝０．７３、σ＝０．４である。また、微細ラインの幅についてのレジストパターンの目標寸法を７０ｎｍとしている。グラフの縦軸はレジスト寸法を示し、横軸はピッチを示す。   FIG. 3 is a graph showing the pitch dependence of resist dimensions. The exposure conditions are a light source wavelength of 193 nm (ArF), NA = 0.73, and σ = 0.4. Further, the target dimension of the resist pattern with respect to the width of the fine line is set to 70 nm. The vertical axis of the graph indicates resist dimensions, and the horizontal axis indicates pitch.

図３に示すように、ピッチが２００ｎｍより小さい密ピッチパターンでレジスト寸法が目標通りになっているだけでなく、ピッチが３００ｎｍより大きい疎ピッチパターンもほぼ目標の寸法に仕上がっている。また、従来の露光方法ではパターンが消失していた中間ピッチパターン（ピッチが２００〜３００ｎｍ）でもレジスト寸法がほぼ目標通りに仕上がっている。   As shown in FIG. 3, not only the resist dimensions are as intended with a dense pitch pattern with a pitch smaller than 200 nm, but also a sparse pitch pattern with a pitch larger than 300 nm is almost finished with a target dimension. In addition, the resist dimensions are finished almost according to the target even in an intermediate pitch pattern (pitch is 200 to 300 nm) which has disappeared in the conventional exposure method.

その理由は、第１の露光処理で露光量を密ピッチパターンに合わせて密ピッチパターンを形成し、第２の露光量で疎ピッチパターンを形成しており、また、中間ピッチパターンでは第１の露光処理および第２の露光処理のいずれの露光量でも目標寸法に仕上がるためである。   The reason is that the exposure amount is matched with the dense pitch pattern in the first exposure process to form the dense pitch pattern, the sparse pitch pattern is formed with the second exposure amount, and the intermediate pitch pattern is the first This is because both the exposure amount of the exposure process and the second exposure process are finished to the target dimension.

なお、実施例１および実施例２において、第１の露光処理と第２の露光処理の順番は逆であってもよい。また、密ピッチパターン、疎ピッチパターン、および中間ピッチパターンの組み合わせは上記実施例１と実施例２の場合に限られない。例えば、密ピッチパターンと中間ピッチパターンの組み合わせであってもよい。   In the first and second embodiments, the order of the first exposure process and the second exposure process may be reversed. The combination of the dense pitch pattern, the sparse pitch pattern, and the intermediate pitch pattern is not limited to the case of the first embodiment and the second embodiment. For example, a combination of a dense pitch pattern and an intermediate pitch pattern may be used.

また、ピッチを２００ｎｍ以下、２００〜３００ｎｍ、および３００ｎｍ以上の３つに分類したが、厳密に区分するものではない。一般的に露光工程における光源波長をλとし、レンズの開口数をＮＡとすると、解像度はｋ×（λ／ＮＡ）となる。解像度を用いて各ピッチを表わすと、密ピッチはｋが０．８以下の値であり、中間ピッチはｋが０．８よりも大きく１．３未満の値であり、疎ピッチはｋが１．３以上の値となる。   Moreover, although pitch was classified into three, 200 nm or less, 200-300 nm, and 300 nm or more, it does not classify strictly. In general, when the light source wavelength in the exposure process is λ and the numerical aperture of the lens is NA, the resolution is k × (λ / NA). Representing each pitch using resolution, the fine pitch is a value where k is 0.8 or less, the intermediate pitch is a value where k is greater than 0.8 and less than 1.3, and the sparse pitch is 1 where k is 1. .3 or more.

また、中間ピッチと疎ピッチと分けていたが、実施例２で説明したように、中間ピッチも疎ピッチとして形成可能なため、ピッチが密ピッチよりも大きければ疎ピッチとしてもよい。この場合、解像度「ｋ×（λ／ＮＡ）」において、密ピッチはｋが０．８以下の値であり、疎ピッチはｋが０．８よりも大きい値となる。   Further, although the intermediate pitch and the sparse pitch are separated, as described in the second embodiment, the intermediate pitch can be formed as a sparse pitch. Therefore, if the pitch is larger than the dense pitch, the sparse pitch may be used. In this case, in the resolution “k × (λ / NA)”, the dense pitch is a value where k is 0.8 or less, and the sparse pitch is a value where k is larger than 0.8.

また、ゲートパターン形成のために位相シフタを設けて、ゲートパターン形成領域を位相シフトマスクの構造にしていたが、位相シフタを設けなくてもよい。   Further, although the phase shifter is provided for forming the gate pattern and the gate pattern forming region has the structure of the phase shift mask, the phase shifter may not be provided.

本発明の二重露光フォトマスクおよび露光方法を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the double exposure photomask and exposure method of this invention. 実施例２の二重露光フォトマスクおよび露光方法を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the double exposure photomask and exposure method of Example 2. FIG. 本発明の露光方法によるレジスト寸法のピッチ依存性を示すグラフである。It is a graph which shows the pitch dependence of the resist dimension by the exposure method of this invention. 従来の二重露光フォトマスクおよび露光方法を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the conventional double exposure photomask and exposure method. 従来の露光方法によるレジスト寸法のピッチ依存性を示すグラフである。It is a graph which shows the pitch dependence of the resist dimension by the conventional exposure method.

符号の説明Explanation of symbols

１００、１５０ 第１のフォトマスク
１１０、１６０ 第２のフォトマスク
１１２、１１６ 微細ライン
１１３、１１７ レジストパターン
１１４、１２０、１２２、１２６ 位相シフタ
１１８、１２４ マスキングパターン
１５２ 第１の微細ライン
１５４、１５８、１６４、１６８ 位相シフタ
１５６、１６６ マスキングパターン
１６２ 第２の微細ライン
１７２、１７４ レジストパターン
４００ 位相シフトマスク
４１０ トリムマスク
４１２ 微細ライン
４１４ 開口部

100, 150 First photomask 110, 160 Second photomask 112, 116 Fine line 113, 117 Resist pattern 114, 120, 122, 126 Phase shifter 118, 124 Masking pattern 152 First fine line 154, 158, 164, 168 Phase shifter 156, 166 Masking pattern 162 Second fine line 172, 174 Resist pattern 400 Phase shift mask 410 Trim mask 412 Fine line 414 Opening

Claims (5)

所定のピッチのパターンとなる密ピッチパターンと該密ピッチパターンよりもピッチの大きいパターンである疎ピッチパターンとをレジストに形成するための露光工程で用いられる二重露光フォトマスクであって、
前記密ピッチパターンが形成され、前記疎ピッチパターン形成部位がマスキングされた第１のフォトマスクと、
前記疎ピッチパターンが形成され、前記密ピッチパターン形成部位がマスキングされた第２のフォトマスクと、
を有する二重露光フォトマスク。 A double-exposure photomask used in an exposure process for forming a dense pitch pattern to be a predetermined pitch pattern and a sparse pitch pattern having a larger pitch than the dense pitch pattern on a resist,
A first photomask in which the dense pitch pattern is formed and the sparse pitch pattern forming portion is masked;
A second photomask in which the sparse pitch pattern is formed and the dense pitch pattern formation site is masked;
A double exposure photomask. 前記第１のフォトマスクの前記密ピッチパターン形成部位に位相シフタが設けられた請求項１記載の二重露光フォトマスク。   The double-exposure photomask according to claim 1, wherein a phase shifter is provided in the dense pitch pattern forming portion of the first photomask. 前記第２のフォトマスクの前記疎ピッチパターン形成部位に位相シフタが設けられた請求項１または２記載の二重露光フォトマスク。   The double exposure photomask according to claim 1 or 2, wherein a phase shifter is provided at the sparse pitch pattern forming portion of the second photomask. 前記露光工程における露光処理の光源波長をλ、レンズの開口数をＮＡとし、ｋ×（λ／ＮＡ）で示される解像度でピッチを表わすと、
前記密ピッチパターンのピッチは前記ｋが０．８以下の値であり、
前記疎ピッチパターンのピッチは前記ｋが０．８よりも大きい値である請求項２または３記載の二重露光フォトマスク。 When the light source wavelength of the exposure process in the exposure step is λ, the numerical aperture of the lens is NA, and the pitch is represented by a resolution represented by k × (λ / NA),
The pitch of the dense pitch pattern is such that k is 0.8 or less,
4. The double exposure photomask according to claim 2, wherein the pitch of the sparse pitch pattern is such that k is larger than 0.8. 請求項１から４のいずれか１項記載の二重露光フォトマスクを用いた露光方法であって、
前記第１のフォトマスクで前記密ピッチパターンを目標寸法に前記レジストに形成するための露光量で露光するステップと、
前記第２のフォトマスクで前記疎ピッチパターンを目標寸法に前記レジストに形成するための露光量で露光するステップとを有する露光方法。

An exposure method using the double exposure photomask according to any one of claims 1 to 4,
Exposing the dense pitch pattern to a target dimension with an exposure amount for forming the resist with the first photomask; and
Exposing with the exposure amount for forming the sparse pitch pattern on the resist to a target dimension with the second photomask.

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008083391A (en) * 2006-09-27 2008-04-10 Toshiba Microelectronics Corp Multiple exposure photomask and its layout method, method of manufacturing semiconductor device using multiple exposure photomask
JP2011514655A (en) * 2008-01-16 2011-05-06 ケイデンス デザイン システムズ インコーポレイテッド Spacer double patterning for lithography operations
CN104020638A (en) * 2014-06-19 2014-09-03 上海华力微电子有限公司 Method for forming patterns of mask and photoetching and etching method
KR101494733B1 (en) 2014-06-25 2015-02-23 동우 화인켐 주식회사 Method of preparing photoresist pattern

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11260699A (en) * 1998-03-13 1999-09-24 Toshiba Corp Pattern forming method
JP2003149787A (en) * 2001-11-16 2003-05-21 Nec Corp Levenson phase shift mask and fine pattern forming method using the same
JP2003209048A (en) * 2002-01-17 2003-07-25 Nec Electronics Corp Pattern forming method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11260699A (en) * 1998-03-13 1999-09-24 Toshiba Corp Pattern forming method
JP2003149787A (en) * 2001-11-16 2003-05-21 Nec Corp Levenson phase shift mask and fine pattern forming method using the same
JP2003209048A (en) * 2002-01-17 2003-07-25 Nec Electronics Corp Pattern forming method

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008083391A (en) * 2006-09-27 2008-04-10 Toshiba Microelectronics Corp Multiple exposure photomask and its layout method, method of manufacturing semiconductor device using multiple exposure photomask
JP2011514655A (en) * 2008-01-16 2011-05-06 ケイデンス デザイン システムズ インコーポレイテッド Spacer double patterning for lithography operations
CN104020638A (en) * 2014-06-19 2014-09-03 上海华力微电子有限公司 Method for forming patterns of mask and photoetching and etching method
CN104020638B (en) * 2014-06-19 2017-07-11 上海华力微电子有限公司 The forming method of mask plate figure and photoetching and lithographic method
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