JP2005214685A

JP2005214685A - ガス漏洩検出装置

Info

Publication number: JP2005214685A
Application number: JP2004019198A
Authority: JP
Inventors: Tomoyuki Takada; 智之高田
Original assignee: Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd; Kansai Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd; Kansai Nippon Electric Co Ltd
Priority date: 2004-01-28
Filing date: 2004-01-28
Publication date: 2005-08-11

Abstract

【課題】動作中における電解液の減少を抑制することにより誤検知や動作不良を防止するとともに、電解液の補充頻度を大幅に低減することができるガス漏洩検出装置を提供する。
【解決手段】本発明のガス漏洩検出装置１のガス採取管４の途中には、サンプリングガス２を加湿するための加湿手段として、加湿ユニット１７が設けられている。この加湿ユニット１７は、純水を貯蔵する貯水部１８と、貯水部１８を加熱する加熱部１９と、貯水部１８から発生する水蒸気２０によりサンプリングガス２を加湿する加湿部２１から構成されている。また、貯水部１８と加湿部２１の間には仕切り板２２が設けられ、この仕切り板２２には多数の小孔２３が形成されている。さらに、ガス採取管４及びガス排出管６の周囲には、外部からの温度影響を防止するための保温手段として、発泡ウレタンやシリコンフォーム等からなる断熱材２４が設けられている。
【選択図】図１

Description

本発明は、有害なガスを使用する半導体設備のガス漏洩検出装置に関し、特に、動作中における電解液の減少を抑制する機能を有するガス漏洩検出装置に関する。

半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェーハ上に薄膜形成、酸化及びエッチング処理を行なう際に使用される反応ガスとして、例えばアルシン（ＡｓＨ_３）、ホスフィン（ＰＨ_３）、モノシラン（ＳｉＨ_４）、ジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）、モノゲルマン（ＧｅＨ_４）等がある。これらの反応ガスは、毒性、可燃性、腐蝕性を有するものであり、取り扱いには十分な注意が必要である。従って、この半導体製造に使用される特殊材料ガスが漏洩した場合は、すばやく検出して警報を発し、安全対策を行なうことが重要である。このようなガス検出に使用される装置としては、検出感度の高い安定性に優れた定電位電解式のガス漏洩検出装置がある。その方式は、一定の電位に保たれた電極上でガスを電気分解し、そのときに発生する電流をガス濃度として検出するものであり、例えば、特開平９−２７４５６号公報（特許文献１）に開示されている。

図５は、従来のガス漏洩検出装置６１の概略構成図である。図５に示すように、従来のガス漏洩検出装置６１は、半導体製造装置のガス漏れ監視場所からサンプリングガス６２を採取するための吸引ポンプ６３及びガス採取管６４と、ガス採取管６４の終端に接続された定電位電解式のセンサ本体６５と、センサ本体６５からサンプリングガスを排出するガス排出管６６を備えている。さらに、センサ本体６５は、プラスチックからなるセル容器６７の片側にＡｕ、Ｐｔ等の金属からなる作用電極６８が一体となった高分子膜からなるガス透過膜６９があり、もう一方の側にはＡｕ、Ｐｔ等の金属からなる参照電極７０及び対電極７１がある。また、セル容器６７の内部には、ＫＯＨ、ＫＣｌ、Ｈ_２ＳＯ_４水溶液等からなる電解液７２が満たされ、上部の電解液注入口７３から注入される。さらに、作用電極６８は接地され、参照電極７０及び対電極７１には、電流計７４、ポテンショスタット７５、電極電位設定用基準電池７６が接続されている。

次に、従来のガス漏洩検出装置６１の動作を説明する。先ず、作用電極６８と参照電極７０間をポテンションスタット７５を用いて一定の電圧に保つ。次に、サンプリングガス６２を吸引ポンプ６３により、ガス採取管６４を介してセンサ本体６５内に導入する。導入されたサンプリングガス６２は、ガス透過膜６９を透過して作用電極６８に達し、作用電極６８で直接電気分解される。

例えば、サンプリングガス６２としてアルシン（ＡｓＨ_３）が作用電極６８に接すると、作用電極６８上では、ＡｓＨ_３＋Ｈ_２Ｏ→ＡｓＯ^＋＋５Ｈ^＋＋６ｅ⁻の電解反応が起こる。そこで生じた水素イオンによって対電極７１上でも、（３／２）Ｏ_２＋６Ｈ^＋＋６ｅ⁻→３Ｈ_２Ｏの反応が起こる。このときに発生する電流がガス濃度に比例するので、作用電極６８と対電極７１の間に流れる電流を測定することによってガス濃度を知ることができる。
特開平９−２７４５６号公報（第３頁、００１０段落、図１０）

しかしながら、上述した従来のガス漏洩検出装置６１には、以下のような問題があった。サンプリングガス６２を採取する場所が高温であったり、乾燥したところであれば、電解液７２中に含まれる水分がガス透過膜６９を通して揮発し、電解液７２が減少して液面低下が起こる。その結果、ガス透過膜６９に一体化形成された作用電極６８の一部が電解液７２に浸らなくなり、検出感度が低下して誤検知や動作不良などの問題が発生する。有害ガスが漏洩しているにも係わらず、検出されなくなると、作業者を多大な危険に晒すことになる。

また、電解液７２は定期点検等で補充を行なうが、乾燥ガスを吸引すると電解液７２が早く減少するために、１〜２ケ月毎に補充が必要になる。そして、電解液７２を補充した直後は検出感度が安定しないため、次のような指示値校正を行なわなければならない。先ず、清浄空気を充填したガスボンベを準備し、ガス流量計を介してガス漏洩検出装置６１に接続し、清浄空気を一定時間流した後、指示値をゼロに合わせる。次に、数種類の既知濃度の反応ガスを充填した複数のガスボンベを準備し、ガス流量計を介してガス漏洩検出装置６１に接続して一定時間流し、その濃度毎に指示値の校正を行うものである。そのため、電解液７２の補充頻度が高くなると、比例して指示値校正にかかる作業工数も増大し、ガス漏洩検出装置６１により漏洩監視している半導体製造装置の生産性を低下させることになる。

本発明は、上記問題点を解決するために考えられたもので、動作中における電解液の減少を抑制することにより誤検知や動作不良を防止するとともに、電解液の補充頻度を大幅に低減することができるガス漏洩検出装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の請求項１記載のガス漏洩検出装置は、半導体製造装置のガス漏れ監視場所から採取されたサンプリングガスを、吸引ポンプによりガス採取管を介してセンサ本体に導き、前記センサ本体中に収容された電解液中で電気分解させることにより、前記サンプリングガス中の有害成分濃度を測定するガス漏洩検出装置であって、前記ガス採取管の途中に、サンプリングガスを加湿するための加湿手段を設けたことを特徴とする。

また、請求項２記載のガス漏洩検出装置は、請求項１記載のガス漏洩検出装置であって、前記加湿手段が、純水を貯蔵する貯水部と、前記貯水部を加熱する加熱部と、前記貯水部から発生する水蒸気により前記サンプリングガスを加湿する加湿部からなることを特徴とする。

また、請求項３記載のガス漏洩検出装置は、請求項２記載のガス漏洩検出装置であって、前記加湿手段内部に、前記サンプリングガスの長大な流路を形成するガス流路形成手段を設けたことを特徴とする。

また、請求項４記載のガス漏洩検出装置は、請求項２又は３記載のガス漏洩検出装置であって、前記加湿手段内部に、前記サンプリングガスの流路に対して左右方向から水蒸気を供給する水蒸気供給手段を設けたことを特徴とする。

また、請求項５記載のガス漏洩検出装置は、請求項１〜４記載のガス漏洩検出装置であって、前記加湿手段のＯＵＴ側に、前記サンプリングガスの湿度を検出する湿度検出部と、前記湿度検出部で検出された湿度を所定値と比較する比較部と、前記比較部で比較された結果に基づいて前記加熱部の出力を制御する制御部を設けたことを特徴とする。

また、請求項６記載のガス漏洩検出装置は、請求項１〜５記載のガス漏洩検出装置であって、前記センサ本体に、前記電解液の液量低下を検出する液量検出部と、前記液量検出部からの信号により前記電解液補充の表示を行なう表示部を設けたことを特徴とする。

また、請求項７記載のガス漏洩検出装置は、請求項１〜６記載のガス漏洩検出装置であって、前記ガス採取管及びガス排出管の周囲に、保温手段を設けたことを特徴とする。

以上説明したように、本発明のガス漏洩検出装置によれば、ガス採取管の途中に加湿ユニットを設け、サンプリングガスを十分に加湿した状態でセンサ本体に供給するようにしたので、センサ本体内の水分蒸気圧が高まり、ガス透過膜からの電解液の蒸発が抑制される。これにより、長期に亘って電解液の液量が安定化するので、誤検知や動作不良等の問題を解決できる。また、電解液の補充頻度も低減でき、校正にかかる工数を大幅に削減できる。

また、加湿ユニット内部にガス流路を形成する複数のガス流路形成板を設けることによりガス流路を十分に長くしたり、複数の小孔が形成された側壁板を設けることによりサンプリングガスの流路に対して左右方向から水蒸気を供給するようにしたので、加湿ユニットを大型化することなく、サンプリングガスを効率よく加湿することができる。

また、加湿ユニットのＯＵＴ側に湿度センサを設けることによりサンプリングガスの湿度を検出するようにしたので、サンプリングガスの種類や流量等が変化しても、湿度を極めて高精度に制御することができる。また、センサ本体の内部に液量センサを設けることにより電解液の液量低下を検出するようにしたので、長期間の使用により電解液が減少しても、その補充時期を的確に知ることができる。

以下、本発明の好ましい実施の形態を、図面を参照して説明する。図１は本発明の第１実施例のガス漏洩検出装置１の概略構成図である。図１に示すように、本実施例のガス漏洩検出装置１は、半導体製造装置のガス漏れ監視場所からサンプリングガス２を採取するための吸引ポンプ３及びガス採取管４と、ガス採取管４の終端に接続された定電位電解式のセンサ本体５と、センサ本体５からサンプリングガス２を排出するガス排出管６を備えている。さらに、センサ本体５は、プラスチックからなるセル容器７の片側にＡｕ、Ｐｔ等の金属からなる作用電極８が一体となった高分子膜からなるガス透過膜９があり、もう一方の側にはＡｕ、Ｐｔ等の金属からなる参照電極１０及び対電極１１がある。また、セル容器７の内部には、ＫＯＨ、ＫＣｌ、Ｈ_２ＳＯ_４水溶液等からなる電解液１２が満たされ、上部の電解液注入口１３から注入される。また、作用電極８は接地され、参照電極１０及び対電極１１には、電流計１４、ポテンショスタット１５、電極電位設定用基準電池１６が接続されている。

さらに、本発明のガス漏洩検出装置１のガス採取管４の途中には、サンプリングガス２を加湿するための加湿手段として、加湿ユニット１７が設けられている。この加湿ユニット１７は、純水を貯蔵する貯水部１８と、貯水部１８を加熱する加熱部１９と、貯水部１８から発生する水蒸気２０によりサンプリングガス２を加湿する加湿部２１から構成されている。また、貯水部１８と加湿部２１の間には仕切り板２２が設けられ、この仕切り板２２には多数の小孔２３が形成されている。さらに、ガス採取管４及びガス排出管６の周囲には、外部からの温度影響を防止するための保温手段として、発泡ウレタンやシリコンフォーム等からなる断熱材２４が設けられている。

次に、本発明のガス漏洩検出装置１の動作を説明する。先ず、半導体製造装置のガス漏れ監視場所にガス採取管４を接続した後、吸引ポンプ３によりサンプリングガス２を採取し、加湿ユニット１７に導入する。

加湿ユニット１７では、貯水部１８に貯蔵された純水が、加熱部１９により加熱されて水蒸気２０となり、仕切り板２２に形成された多数の小孔２３を通って加湿部２１に供給される。加湿ユニット１７に導入されたサンプリングガス２は、加湿部２１を通過することにより所定湿度に加湿された後、ガス採取管４及び吸引ポンプ３を通って、センサ本体５に導入される。このとき、ガス採取管４及びガス排気管６の外周に断熱材２４を設けているので、外部の温度影響を受けることなく、管内を通過するサンプリングガス２の温湿度を一定にすることができる。また、この断熱材２４の代わりに、テープヒータを設け、管内を加温するようにしてもよい。センサ本体５に導入されたサンプリングガス２は、十分に加湿されているため、ガス透過膜９によって仕切られたガス導入部２５における水分の蒸気圧が高くなる。その結果、電解液１２に含まれる水分がガス透過膜９の外へ蒸発しようとしても、外部圧力が高いために蒸発が抑制される。なお、仕切り板２２に形成した小孔２３の数、大きさ及び位置等は、サンプルガス２の種類や流量、加湿ユニット１７のサイズ等に合わせて、適宜調整することができる。

このように、本実施例のガス漏洩検出装置１は、ガス採取管４の途中に加湿ユニット１７を設け、この加湿ユニット１７内の加湿部２１にサンプリングガス２を通過させることによって加湿した後、センサ本体５に導入するようにしたので、センサ本体５におけるガス導入部２５の水分蒸気圧が高くなり、電解液１２の揮発が抑制される。これにより、電解液１２の液量が長期に亘って安定し、誤検知や感度低下を防止できるとともに、電解液１２の補充頻度も大幅に低減できる。また、ガス採取管４及びガス排気管６の周囲に断熱材２４を設けたので、外部の温度影響を受けることなく、温室度の安定したサンプリングガス２をセンサ本体５に導入できる。なお、本実施例における電解液１２の揮発防止に有効なサンプリングガス２の加湿度は５０％以上であり、より望ましくは６０％以上である。本実施例の適用により、湿度３５〜４０％の状態で通常１〜２ケ月毎に電解液の補充が必要であったものが、サンプリングガス２を湿度６０％に加湿することにより約６ケ月にまで延長することができた。

次に、他の好ましい実施の形態を、図面を参照して説明する。図２は、本発明の第２実施例のガス漏洩検出装置３１の概略構成図である。なお、図２において、上述した第１実施例と同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。

本実施例のガス漏洩検出装置３１において、上述した第１実施例と相違するところは、加湿ユニット３２内部に、サンプリングガス２の長大な流路を形成するガス流路形成手段として、上側又は下側に開口部３３を有する複数のガス流路形成板３４を設けたことである。さらに、この開口部３３は、サンプリングガス２の流れ方向に沿って上下に互い違いとなるように配列されている。

次に、本実施例のガス漏洩検出装置３１の動作を説明する。半導体製造装置のガス漏れ監視場所から採取されたサンプリングガス２は、実施例１の場合と同様に、ガス採取管４を介して加湿ユニット３２に導入される。導入されたサンプリングガス２は、加湿部ユニット３２内の加湿部２１に設けられた複数のガス流路形成板３４に沿って進む。このとき、サンプリングガス２は、ガス流路形成板３４の上側又は下側に形成された開口部３３を通って流れるので、流路を十分に長くすることができる。その結果、加湿ユニット３２におけるサンプリングガス２の滞留時間が延び、第１実施例の場合よりも、さらに効率よくサンプリングガス２を加湿することができる。

このように本実施例のガス漏洩検出装置３１では、加湿ユニット３２内部にガス流路形成板３４を設け、このガス流路形成板３４に沿ってサンプリングガス２を通過させることによって滞留時間を延ばすようにしたので、加湿ユニット３２を大型化することなく、サンプリングガス２を効率よく加湿することができる。これにより、スペースの小さい所でも、容易にガス漏洩検査装置３１を取り付けることができるとともに、センサ本体５の電解液１２の揮発を効果的に抑制することができる。

次に、他の好ましい実施の形態を、図面を参照して説明する。図３（ａ）、（ｂ）は、本発明の第３実施例のガス漏洩検出装置４１の概略構成図及びＡ−Ａ断面図である。なお、図３（ａ）、（ｂ）において、上述した第２実施例と同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。

本実施例のガス漏洩検出装置４１において、上述した第２実施例と相違するところは、加湿ユニット３２内部に複数のガス流路形成板３４を設けるとともに、ガス流路形成板３４の横側に、サンプリングガス２の流路に対して左右方向から水蒸気を供給する水蒸気供給手段として、多数の小孔４２が形成された側壁板４３を設けたことである。

次に、本実施例のガス漏洩検出装置４１の動作を説明する。半導体製造装置のガス漏れ監視場所から採取されたサンプリングガス２は、第２実施例の場合と同様に、ガス採取管４を介して加湿ユニット３２に導入される。導入されたサンプリングガス２は、加湿ユニット３２内の加湿部２１に設けられた複数の流路形成板３４に沿って進む。このとき、新たに設けた側壁板４３の小孔４２から、サンプリングガス２の流路に対して左右方向から多量の水蒸気が供給される。これにより、サンプリングガス２の下方向と左右方向の３方向から多量の水蒸気が供給されるので、第２実施例の場合よりも、さらに効率よく加湿できる。なお、側壁板４３に形成した小孔４２の数、大きさ及び位置等は、サンプルガス２の種類や流量、加湿ユニット３２のサイズ等に合わせて、適宜調整することができる。

このように本実施例のガス漏洩検知装置４１は、加湿ユニット３２内部にガス流路形成板３４を設け、さらにガス流路形成板３４の横側に、多数の小孔４２が形成された側壁板４３を設けることによって、サンプリングガス２の下方向と左右方向の３方向から多量の水蒸気が供給されるようにしたので、加湿ユニット３２を大型化することなく、サンプリングガス２をさらに効率よく加湿することができる。これにより、スペースの小さい所でも、容易にガス漏洩検査装置４１を取り付けることができるとともに、センサ本体５の電解液１２の揮発をより効果的に抑制することができる。

次に、他の好ましい実施の形態を、図面を参照して説明する。図４は、本発明の第４実施例のガス漏洩検出装置５１の概略構成図である。なお、図４において、上述した第３実施例と同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。

本実施例のガス漏洩検出装置５１において、上述した第３実施例と相違するところは、加湿ユニット３２のＯＵＴ側に、加湿されたサンプリングガス２の湿度を検出する湿度センサ５２と、湿度センサ５２で検出された湿度を所定値と比較する比較部５３と、比較部５３で比較された結果に基づいて加熱部１９の出力を制御する制御部５４と、センサ本体５の電解液１２の液量低下を検出する液量センサ５５と、液量センサ５５からの信号により電解液１２の補充を表示する表示部５６を設けたことである。

ここで、湿度センサ５２は電気抵抗式センサや電気容量式センサ等からなり、比較部５２と制御部５３は周知のＣＰＵやメモリ等からなり、液量センサ５５は静電容量式や超音波式等からなり、表示部５６はＬＥＤやＬＣＤ等からなる。

次に、本実施例のガス濃度測定装置５１の動作を説明する。半導体製造装置のガス漏れ監視場所から採取されたサンプリングガス２は、第３実施例の場合と同様に、ガス採取管４を介して加湿ユニット３２に導入される。導入されたサンプリングガス２は、加湿ユニット３２内部に設けられたガス流路形成板３４に沿って進み、下方向と左右方向の３方向から多量の水蒸気が供給され、加湿が行なわれる。

さらに、加湿ユニット３２で加湿されたサンプリングガス２の湿度は、加湿ユニット３２のＯＵＴ側に設けた湿度センサ５２により検出される。さらに、湿度センサ５２の出力は、電気信号として比較部５３へ送られる。比較部５３では、湿度センサ５２で検出された湿度が所定値と比較され、その結果が制御部５４へ送られる。制御部５４では、湿度センサ５２で検出された湿度が所定値より小さい場合は、加熱部１９の出力を上げるように制御信号を出力する。逆に、所定値よりも大きい場合は、加熱部１９の出力を下げるように制御信号を出力する。このように、サンプリングガス２の湿度が所定湿度（例えば、６０％〜７０％）になるように加熱部１９を制御するので、サンプリングガス２の種類や流量等が変化しても、湿度を極めて高精度に制御することができる。

一方、センサ本体５には、液量センサ５５が作用電極８より高い所定の位置に設けてあり、この液量センサ５５により電解液１２の液量低下が監視される。これにより、長期間の使用等により電解液１２が減少しても、直ちにその液量低下を検出し、液量低下を表すメッセージを表示部５６に表示し、作業者に電解液１２補充の必要性を知らせることができ、誤動作や動作不良による人的被害を防止することができる。

このように本実施例のガス漏洩検出装置５１は、加湿ユニット３２のＯＵＴ側に設けた湿度センサ５２によりサンプリングガス２の湿度を検出し、比較部５３により所定湿度と比較し、制御部５４により所定湿度になるように加熱部１９を制御するようにしたので、サンプリングガス２の種類や流量等が変化しても、湿度を極めて高精度に制御することができる。さらに、センサ本体５に設けた液量センサ５５により電解液１２の液量低下を監視し、表示部５６により液量低下を表すメッセージを表示するようにしたので、長期間の使用等により電解液１２が減少しても、直ちにその液量低下を検出して作業者に電解液１２補充の必要性を知らせることができる。

なお、上述した各実施例では、加熱部１９により純水を加熱して水蒸気を発生させたが、水蒸気の発生方法はこれに限定されるものではなく、例えば、超音波により水蒸気を発生させるようにしてもよい。このとき、電圧を変えて超音波の強さを変えるようにすれば、発生する水蒸気量を制御できる。

また、センサ本体５として定電位電解式センサについて説明したが、電解液１２を用いてガス検出を行なう方式のものであればよく、例えば、ガス透過膜９と作用電極８を分離させた隔膜分離型定電位電解式センサにも適用できる。

ガス採取管の途中に加湿ユニットを設け、サンプリングガスを十分に加湿した状態でセンサ本体に供給することによって、センサ本体内の水分蒸気圧が高まり、ガス透過膜からの電解液の蒸発が抑制される。これにより、長期に亘って電解液の液量が安定化するので、誤検知や動作不良等の問題を解決できる。また、電解液の補充頻度も低減でき、校正にかかる工数を大幅に削減できる。

本発明の第１実施例のガス漏洩検出装置の概略構成図本発明の第２実施例のガス漏洩検出装置の概略構成図本発明の第３実施例のガス漏洩検出装置の概略構成図及びＡ−Ａ断面図本発明の第４実施例のガス漏洩検出装置の概略構成図従来のガス漏洩検出装置の概略構成図

符号の説明

１本発明の第１実施例のガス漏洩検出装置
２サンプリングガス
３吸引ポンプ
４ガス採取管
５センサ本体
６ガス排出管
７セル容器
８作用電極
９ガス透過膜
１０参照電極
１１対電極
１２電解液
１３電解液注入口
１４電流計
１５ポテンショスタット
１６電極電位設定用基準電池
１７加湿ユニット
１８貯水部
１９加熱部
２０水蒸気
２１加湿部
２２仕切り板
２３小孔
２４断熱材
２５ガス導入部
３１本発明の第２実施例のガス漏洩検出装置
３２加湿ユニット
３３開口部
３４ガス流路形成板
４１本発明の第３実施例のガス漏洩検出装置
４２小孔
４３側壁板
５１本発明の第４実施例のガス漏洩検出装置
５２湿度センサ
５３比較部
５４制御部
５５液量センサ
５６表示部
６１従来のガス漏洩検出装置
６２サンプリングガス
６３吸引ポンプ
６４ガス採取管
６５センサ本体
５６ガス排出管
６７セル容器
６８作用電極
６９ガス透過膜
７０参照電極
７１対電極
７２電解液
７３電解液注入口
７４電流計
７５ポテンショスタット
７６電極電位設定用基準電池

Claims

半導体製造装置のガス漏れ監視場所から採取されたサンプリングガスを、吸引ポンプによりガス採取管を介してセンサ本体に導き、前記センサ本体中に収容された電解液中で電気分解させることにより、前記サンプリングガス中の有害成分濃度を測定するガス漏洩検出装置において、前記ガス採取管の途中に、サンプリングガスを加湿するための加湿手段を設けたことを特徴とするガス漏洩検出装置。
前記加湿手段が、純水を貯蔵する貯水部と、前記貯水部を加熱する加熱部と、前記貯水部から発生する水蒸気により前記サンプリングガスを加湿する加湿部からなることを特徴とする請求項１記載のガス漏洩検出装置。
前記加湿手段内部に、前記サンプリングガスの長大な流路を形成するガス流路形成手段を設けたことを特徴とする請求項２記載のガス漏洩検出装置。
前記加湿手段内部に、前記サンプリングガスの流路に対して左右方向から水蒸気を供給する水蒸気供給手段を設けたことを特徴とする請求項２又は３記載のガス漏洩検出装置。
前記加湿手段のＯＵＴ側に、前記サンプリングガスの湿度を検出する湿度検出部と、前記湿度検出部で検出された湿度を所定値と比較する比較部と、前記比較部で比較された結果に基づいて前記加熱部の出力を制御する制御部を設けたことを特徴とする請求項１〜４記載のガス漏洩検出装置。
前記センサ本体に、前記電解液の液量低下を検出する液量検出部と、前記液量検出部からの信号により前記電解液補充の表示を行なう表示部を設けたことを特徴とする請求項１〜５記載のガス漏洩検出装置。
前記ガス採取管及びガス排出管の周囲に、保温手段を設けたことを特徴とする請求項１〜６記載のガス漏洩検出装置。