JP2005212131A - Inkjet recording head and its manufacturing method - Google Patents

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Atsushi Fukukawa
敦 福川
Michiaki Murata
道昭 村田
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  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of an inkjet recording head which realizes a superior scratching resistance (paper jamming countermeasure) and an ink discharging stability in the inkjet recording head that uses a nozzle plate composed of a silicon single crystal material, and which can simply and precisely form nozzles and counter boring (nozzle step) at a nozzle plate composed of a silicon single crystal material. <P>SOLUTION: For example, in an inkjet recording head constituted with the nozzle plate 10 consisting of a silicon single crystal substrate, a cavity plate 12 consisting of a silicon single crystal substrate, and a glass substrate 14 stacked, the counter boring 24 (nozzle step) is set in the periphery of an ink nozzle 22. Moreover, the ink nozzle 22 and the counter boring 24 are continuously formed by dry etching from the nozzle plate 10 face at the discharging direction side of ink. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、液体（インク）を飛翔させて記録媒体に画像を記録するインクジェット方式の画像記録装置に利用されるインクジェット記録ヘッド及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an ink jet recording head used in an ink jet type image recording apparatus for recording an image on a recording medium by flying a liquid (ink) and a method for manufacturing the same.

近年、インクジェットプリンタのインクジェット記録ヘッドは、高精細文字を印字可能にするために、より精細でより微細な加工が要求されている。   In recent years, inkjet recording heads of inkjet printers are required to have finer and finer processing in order to enable printing of high-definition characters.

その一つとして、実用化されているインクジェット記録ヘッドにおいては、ノズル周辺の耐擦過性（用紙ジャム対策）のために、ノズルの吐出口周囲に座ぐり（ノズル段差）を形成している（例えば、特開平１１−３３４０６９号公報参照）。   As one of them, in an inkjet recording head that has been put into practical use, a counterbore (nozzle step) is formed around the nozzle outlet for the purpose of scratch resistance around the nozzle (to prevent paper jam) (for example, JP, 11-334069, A).

この構成により、ノズルの吐出口周囲に設けられた表面処理膜（撥水膜）の劣化を防ぎ、インク吐出の安定化が図られている。
特開平１１−３３４０６９号公報 With this configuration, the surface treatment film (water repellent film) provided around the nozzle outlet is prevented from being deteriorated, and the ink ejection is stabilized.
Japanese Patent Laid-Open No. 11-334069

しかしながら、従来、樹脂材料で構成されたノズルプレートに、レーザ加工によりノズル及び座ぐりが設けたられたものは知られているが、ノズルプレートとしてシリコン単結晶材料で構成したものについては実現されていないのが現状である。   However, conventionally, a nozzle plate made of a resin material with a nozzle and counterbore provided by laser processing is known, but a nozzle plate made of a silicon single crystal material has been realized. There is no current situation.

従って、本発明の第１の目的は、シリコン単結晶材料で構成したノズルプレートを用いたインクジェト記録ヘッドにおいて、優れた耐擦過性（用紙ジャム対策）及びインク吐出安定性を実現することである。
また、本発明の第２の目的は、シリコン単結晶材料で構成したノズルプレートに、ノズル及び座ぐり（ノズル段差）を簡易且つ精度良く形成可能なインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供することである。 Accordingly, a first object of the present invention is to realize excellent scratch resistance (paper jam countermeasure) and ink ejection stability in an ink jet recording head using a nozzle plate made of a silicon single crystal material.
A second object of the present invention is to provide a method of manufacturing an ink jet recording head capable of easily and accurately forming nozzles and counterbore (nozzle step) on a nozzle plate made of a silicon single crystal material. .

上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
本発明のインクジェット記録ヘッドは、液体を吐出するノズルが設けられると共に、前記ノズルに連通する加圧室の内壁の一部を構成する第１シリコン単結晶基板と、前記第１基板に積層されると共に、前記ノズルに連通する加圧室の内壁の一部を構成する第２シリコン単結晶基板と、を備え、
前記第１シリコン単結晶基板の液体吐出方向側の面における前記ノズルの周囲に座ぐりが設けられていることを特徴としている。 The above problem is solved by the following means. That is,
The inkjet recording head of the present invention is provided with a nozzle for discharging a liquid, and is laminated on a first silicon single crystal substrate constituting a part of an inner wall of a pressurizing chamber communicating with the nozzle, and the first substrate. And a second silicon single crystal substrate constituting a part of the inner wall of the pressurizing chamber communicating with the nozzle,
A counterbore is provided around the nozzle on the surface of the first silicon single crystal substrate on the liquid discharge direction side.

本発明のインクジェット記録ヘッドでは、ノズルの周囲に座ぐりが設けられているため、ノズル先端は第１シリコン単結晶基板のインク方向側の面よりも凹んだ位置に設けられている。このため、用紙がノズルに接触し難くなり、表面処理膜（撥水膜）の劣化を防ぎ、インク吐出の安定化を図ることができる。これをシリコン単結晶材料で構成されたノズル形成基板で実現している。   In the ink jet recording head of the present invention, since the counterbore is provided around the nozzle, the tip of the nozzle is provided at a position recessed from the surface of the first silicon single crystal substrate on the ink direction side. This makes it difficult for the paper to come into contact with the nozzles, prevents deterioration of the surface treatment film (water repellent film), and stabilizes ink ejection. This is realized by a nozzle forming substrate made of a silicon single crystal material.

一方、本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法は、液体を吐出するノズルが設けられると共に、前記ノズルに連通する加圧室の内壁の一部を構成する第１シリコン単結晶基板と、前記第１基板に積層されると共に、前記ノズルに連通する加圧室の内壁の一部を構成する第２シリコン単結晶基板と、を備え、前記第１シリコン単結晶基板の液体吐出方向側の面における前記ノズルの周囲に座ぐりが設けられたインクジェット記録ヘッドの製造方法であり、
前記第１シリコン単結晶基板の液体吐出方向側の面に、ドライエッチングを施して、前記ノズルと共に前記座ぐりを形成することを特徴としている。 On the other hand, in the method for manufacturing an ink jet recording head of the present invention, a nozzle for discharging a liquid is provided, a first silicon single crystal substrate constituting a part of an inner wall of a pressurizing chamber communicating with the nozzle, A second silicon single crystal substrate that is stacked on the substrate and forms a part of an inner wall of the pressurizing chamber that communicates with the nozzle, and the liquid discharge direction side surface of the first silicon single crystal substrate A method of manufacturing an ink jet recording head provided with counterbore around the nozzle,
The surface of the first silicon single crystal substrate on the liquid discharge direction side is dry-etched to form the counterbore together with the nozzle.

本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法では、ヘッド完成時の外壁となる第１シリコン単結晶基板面からドライエッチングを施すため、ウエットエッチングを採用する場合に比べ精度良く且つ簡易にノズル及び座ぐりを形成することができる。   In the ink jet recording head manufacturing method of the present invention, since the dry etching is performed from the surface of the first silicon single crystal substrate which becomes the outer wall when the head is completed, the nozzle and the spot face are more accurately and easily compared to the case where wet etching is employed. Can be formed.

本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法においては、前記第１シリコン単結晶基板の液体吐出方向側の面にエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクに、ノズル形成用パターン領域と共に、ノズル形成用パターン領域に重ねて座ぐり形成用パターン領域を形成する工程と、前記ノズル形成用パターン領域をマスクとして、前記第１シリコン単結晶基板にエッチングを施し、ノズルを形成する工程と、前記座ぐり形成用パターン領域をマスクとして、前記ノズル形成用パターン領域にマスクエッチングを施し、第１シリコン単結晶基板を露出させる工程と、前記座ぐり形成用パターン領域をマスクとして、前記第１シリコン単結晶基板にエッチングを施し、座ぐりを形成する工程と、を有することが好適である。このように、異方性ドライエッチングにより、同一作業で連続的に精度良くノズル及び座ぐりを形成することができる。   In the method of manufacturing an ink jet recording head of the present invention, a step of forming an etching mask on the surface of the first silicon single crystal substrate on the liquid discharge direction side, and a nozzle forming pattern region on the etching mask together with a nozzle forming pattern region. A step of forming a spot formation pattern region overlying the pattern region; a step of etching the first silicon single crystal substrate using the nozzle formation pattern region as a mask to form a nozzle; and the spot formation Masking the nozzle formation pattern region using the pattern region for a mask as a mask to expose the first silicon single crystal substrate; and using the counterbore formation pattern region as a mask to the first silicon single crystal substrate. And etching to form a counterbore. Thus, the nozzle and the spot facing can be formed continuously and accurately in the same operation by anisotropic dry etching.

また、本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法においては、前記第１シリコン単結晶基板の液体吐出方向側の面にノズル形成パターンが設けられた第１エッチングマスクを形成する工程と、前記第１エッチングマスク上に座ぐり形成用パターンが設けられた第２エッチングマスクを形成する工程と、前記第１エッチングマスクを用いて、前記第１シリコン単結晶基板にエッチングを施し、ノズルを形成する工程と、前記第２エッチングマスクを用いて、前記第１エッチングマスクにエッチングを施し、前記第１シリコン単結晶基板を露出させる工程と、前記第２エッチングマスクを用いて、前記第１シリコン単結晶基板にエッチングを施し、座ぐりを形成する工程と、を有することも好適である。このように、異方性ドライエッチングにより、同一作業で連続的に精度良くノズル及び座ぐりを形成することができる。   In the method of manufacturing an ink jet recording head of the present invention, a step of forming a first etching mask provided with a nozzle formation pattern on a surface of the first silicon single crystal substrate on a liquid discharge direction side, and the first etching Forming a second etching mask provided with a counterbore formation pattern on the mask, etching the first silicon single crystal substrate using the first etching mask, and forming a nozzle; Etching the first etching mask using the second etching mask to expose the first silicon single crystal substrate, and etching the first silicon single crystal substrate using the second etching mask And a step of forming a counterbore. Thus, the nozzle and the spot facing can be formed continuously and accurately in the same operation by anisotropic dry etching.

本発明のインクジェット記録ヘッドによれば、シリコン単結晶材料で構成したノズルプレートを用いたインクジェト記録ヘッドにおいて、優れた耐擦過性（用紙ジャム対策）及びインク吐出安定性を実現することができる。
また、本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法によれば、シリコン単結晶材料で構成したノズルプレートに、ノズル及び座ぐり（ノズル段差）を簡易且つ精度良く形成することができる。 According to the ink jet recording head of the present invention, in an ink jet recording head using a nozzle plate made of a silicon single crystal material, it is possible to realize excellent scratch resistance (paper jam countermeasure) and ink ejection stability.
Further, according to the method of manufacturing an ink jet recording head of the present invention, nozzles and counterbore (nozzle step) can be easily and accurately formed on a nozzle plate made of a silicon single crystal material.

以下、本発明について、図面を参照しつつ説明する。なお、実質的に同一の機能を有する部材には全図面通して同じ符合を付与して説明する。   The present invention will be described below with reference to the drawings. Note that members having substantially the same function are given the same reference numerals throughout the drawings.

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す概略断面図である。図２は、本発明の第１実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法を示す工程図である。 (First embodiment)
FIG. 1 is a schematic sectional view showing an ink jet recording head according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a process diagram showing the method of manufacturing the ink jet recording head according to the first embodiment of the present invention.

本実施形態に係るインクジェット記録ヘッドは、シリコン単結晶基板からなるノズルプレート１０（第１シリコン単結晶基板）と、シリコン単結晶基板からなるキャビティプレート１２（第２シリコン単結晶基板）と、ガラス基板１４とが積層して構成されている。   The inkjet recording head according to this embodiment includes a nozzle plate 10 (first silicon single crystal substrate) made of a silicon single crystal substrate, a cavity plate 12 (second silicon single crystal substrate) made of a silicon single crystal substrate, and a glass substrate. 14 are laminated.

キャビティプレート１２には、複数のインクキャビティ１６と、各インクキャビティ１６にインクを供給する共通のインクリザーバ１８が形成されている。ノズルプレート１０の側には、各インクキャビティ１６に連通した複数のインクノズル２２と、各インクキャビティ１６を共通のインクリザーバ１８に連通しているインク供給口２０が形成されている。そして、ノズルプレート１０とキャビティプレート１２とは重ね合わせた状態で、これらのインクキャビティ１６、インクリザーバ１８及びインク供給口２０の内壁を構成している。また、インクリザーバ１８には、不図示のインク供給路を介して外部のインク供給源からインクが供給可能となっている。   In the cavity plate 12, a plurality of ink cavities 16 and a common ink reservoir 18 that supplies ink to each ink cavity 16 are formed. On the nozzle plate 10 side, a plurality of ink nozzles 22 communicating with each ink cavity 16 and an ink supply port 20 communicating each ink cavity 16 with a common ink reservoir 18 are formed. The nozzle plate 10 and the cavity plate 12 constitute an inner wall of the ink cavity 16, the ink reservoir 18, and the ink supply port 20 in a state where the nozzle plate 10 and the cavity plate 12 are overlapped. The ink reservoir 18 can be supplied with ink from an external ink supply source via an ink supply path (not shown).

そして、ノズルプレート１０には、インクキャビティ１６と連通するインクノズル２２が設けられている。ノズルプレート１０のインク吐出方向面におけるインクノズル２２の周囲には、座ぐり２４（ノズル段差）が設けられている。座ぐり２４はインクノズル２２の周囲を囲むように設けられており、インクノズル２２はノズルプレート１０のインク吐出方向側の面より凹んだ位置に設けられている。   The nozzle plate 10 is provided with an ink nozzle 22 that communicates with the ink cavity 16. A counterbore 24 (nozzle level difference) is provided around the ink nozzle 22 on the ink ejection direction surface of the nozzle plate 10. The counterbore 24 is provided so as to surround the periphery of the ink nozzle 22, and the ink nozzle 22 is provided at a position recessed from the surface of the nozzle plate 10 on the ink ejection direction side.

なお、本実施形態では、インクを吐出させるための吐出手段については図示しないが、公知のピエゾ方式、或いはサーマル方式の吐出手段がインクキャビティ１６に対応して設けられる。例えば、ピエゾ方式の場合、圧電素子を配設しインクキャビティ１６の内の容積を変化させることおでインクをインクノズル２２から吐出させる。また、サーマル方式の場合、発熱抵抗体を配設しインクに熱エネルギーを付与させることでインクをインクノズル２２から吐出させる。   In the present embodiment, a discharge unit for discharging ink is not shown, but a known piezoelectric or thermal discharge unit is provided corresponding to the ink cavity 16. For example, in the case of the piezo method, ink is ejected from the ink nozzle 22 by disposing a piezoelectric element and changing the volume of the ink cavity 16. In the case of the thermal method, a heating resistor is provided and thermal energy is applied to the ink so that the ink is ejected from the ink nozzle 22.

以下、本実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法について説明する。
本実施形態に係るインクジェット記録ヘッドは、ノズルプレート１０、キャビティプレート１２及びガラス基板１４を個別に製造し、しかる後に、これらを貼り合わせることにより製造される。キャビティプレート１２及びガラス基板１４は、例えば、特開平５−５０６０１号公報などに記載されている公知の方法によって製造できる。従って、本明細書においては、インクノズル２２のエッチング方法を中心にノズルプレート１０の製造方法を説明する。 Hereinafter, a method for manufacturing the ink jet recording head according to the present embodiment will be described.
The ink jet recording head according to this embodiment is manufactured by individually manufacturing the nozzle plate 10, the cavity plate 12, and the glass substrate 14, and then bonding them together. The cavity plate 12 and the glass substrate 14 can be manufactured by a known method described in, for example, JP-A-5-50601. Therefore, in this specification, the manufacturing method of the nozzle plate 10 is demonstrated centering on the etching method of the ink nozzle 22. FIG.

先ず、例えば、厚さが１８０μｍのシリコンウエハ２６を用意し、当該シリコンウエハ２６を熱酸化させて、その全周囲にマスクとしての厚さが例えば１．２μｍのＳｉＯ2膜２８ａを形成する。 First, for example, a silicon wafer 26 having a thickness of 180 μm is prepared, and the silicon wafer 26 is thermally oxidized to form a SiO 2 film 28a having a thickness of, for example, 1.2 μm as a mask on the entire periphery thereof.

次に、図２（Ａ）に示すように、シリコンウエハ２６の一方の側の表面２６ｂを覆っているＳｉＯ2膜２８ａの一部分をエッチングして、インク供給口２０及びインクリザーバ１８を形成するためのパターンを形成する。エッチング液としては、フッ化アンモニウム（ＨＦ：ＮＨ4Ｆ＝８８０ｍｌ：５６１０ｍｌ）を使用することができる。 Next, as shown in FIG. 2A, a portion of the SiO 2 film 28a covering the surface 26b on one side of the silicon wafer 26 is etched to form the ink supply port 20 and the ink reservoir 18. The pattern is formed. As an etchant, ammonium fluoride (HF: NH 4 F = 880 ml: 5610 ml) can be used.

そして、シリコンウエハ２６をエッチング液に漬けてシリコンウエハ２６ｂの露出部分（インク供給口２０及びインクリザーバ１８を形成するためのパターンの部分）に対して異方性ウエットエッチングを施し、インク供給口２０及びインクリザーバ１８に対応する三角形断面の溝３０を形成する。この場合に使用するエッチング液としては、水酸化カリウム水溶液であって、濃度が１５ｗｔパーセントで液温９０℃のものを使用できる。エッチング終了後は、ＳｉＯ2膜２８ａをフッ酸水溶液で全て剥離する。 Then, the silicon wafer 26 is immersed in an etching solution, and anisotropic wet etching is performed on the exposed portion of the silicon wafer 26b (the pattern portion for forming the ink supply port 20 and the ink reservoir 18). In addition, a groove 30 having a triangular cross section corresponding to the ink reservoir 18 is formed. As an etching solution used in this case, an aqueous potassium hydroxide solution having a concentration of 15 wt percent and a liquid temperature of 90 ° C. can be used. After completion of the etching, the SiO 2 film 28a is completely peeled off with a hydrofluoric acid aqueous solution.

次に、図２（Ｂ）に示すように、再度、シリコンウエハ２６の全周囲を熱酸化して、マスクとしてのＳｉＯ2膜２８ｂを形成する。この場合においても、ＳｉＯ2膜２８ｂの厚みは１．２μｍにすればよい。そして、シリコンウエハ２６の反対側の表面２６ａを覆っているＳｉＯ2膜２８ｂの一部分をエッチングして、インクノズル２２を開口させる領域周辺に対応したパターン３２ａを形成する。エッチング液としては、フッ化アンモニウム（ＨＦ：ＮＨ4Ｆ＝８８０ｍｌ：５６１０ｍｌ）を使用することができる。 Next, as shown in FIG. 2B, the entire periphery of the silicon wafer 26 is again thermally oxidized to form a SiO 2 film 28b as a mask. Even in this case, the thickness of the SiO 2 film 28b may be 1.2 μm. Then, a part of the SiO 2 film 28b covering the opposite surface 26a of the silicon wafer 26 is etched to form a pattern 32a corresponding to the periphery of the region where the ink nozzle 22 is opened. As an etchant, ammonium fluoride (HF: NH 4 F = 880 ml: 5610 ml) can be used.

次に、図２（Ｃ）に示すように、シリコンウエハ２６をエッチング液に漬けてシリコンウエハ２６の露出部分（パターン３２ａ）に対して異方性ウエットエッチングを施し、インクノズル２２を開口させる領域周辺に対応した溝３２を形成する。この場合に使用するエッチング液は、水酸化カリウム水溶液であり、その濃度は１５ｗｔパーセントで液温９０℃のものを使用できる。エッチング終了後は、ＳｉＯ2膜２８ｂをフッ酸水溶液で全て剥離する。 Next, as shown in FIG. 2C, the silicon wafer 26 is immersed in an etching solution and anisotropic wet etching is performed on the exposed portion (pattern 32a) of the silicon wafer 26 to open the ink nozzles 22. A groove 32 corresponding to the periphery is formed. The etching solution used in this case is an aqueous potassium hydroxide solution having a concentration of 15 wt% and a solution temperature of 90 ° C. After completion of the etching, the SiO 2 film 28b is completely peeled off with a hydrofluoric acid aqueous solution.

次に、図２（Ｄ）に示すように、再度、シリコンウエハ２６の全周囲を熱酸化して、マスクとしてのＳｉＯ2膜２８ｃを形成する。ＳｉＯ2膜２８ｃがノズル及び座ぐり形成用のエッチングマスクとなる。この場合においても、ＳｉＯ2膜２８ｃの厚みは１．２μｍにすればよい。 Next, as shown in FIG. 2D, the entire periphery of the silicon wafer 26 is again thermally oxidized to form a SiO 2 film 28c as a mask. The SiO 2 film 28c serves as an etching mask for nozzle and counterbore formation. Even in this case, the thickness of the SiO 2 film 28c may be 1.2 μm.

そして、ＳｉＯ2膜２８ｃ上にレジスト膜３４を形成し、レジスト膜３４に座ぐり２４に対応したパターン３４ａを形成する。パターン３４ａが設けられたレジスト膜３４をマスクとして、異方性ドライエッチング（ＲＩＥ）によりＳｉＯ2膜２８ｃにハーフエッチングを施し、ＳｉＯ2膜２８ｃに座ぐり形成用パターン３６ａを形成し、座ぐり形成用パターン領域３６を設ける。 Then, a resist film 34 is formed on the SiO 2 film 28 c, and a pattern 34 a corresponding to the spot facing 24 is formed on the resist film 34. The resist film 34 pattern 34a is provided as a mask, subjected to half-etching the SiO 2 film 28c by anisotropic dry etching (RIE), to form a counterbore forming pattern 36a in the SiO 2 film 28c, counterbores formed A pattern area 36 is provided.

次に、図２（Ｅ）に示すように、レジスト膜３４上にレジスト膜３８を形成し、レジスト膜３８にインクノズル２２に対応したパターン３８ａを形成する。パターン３８ａが設けられたレジスト膜３８をマスクとして、異方性ドライエッチング（ＲＩＥ）によりＳｉＯ2膜２８ｃにエッチングを施し、ＳｉＯ2膜２８ｃにノズル形成用パターン４０ａを形成し、ノズル形成用パターン領域４０を設ける。 Next, as shown in FIG. 2E, a resist film 38 is formed on the resist film 34, and a pattern 38 a corresponding to the ink nozzle 22 is formed on the resist film 38. Using the resist film 38 provided with the pattern 38a as a mask, the SiO 2 film 28c is etched by anisotropic dry etching (RIE) to form a nozzle forming pattern 40a on the SiO 2 film 28c, thereby forming a nozzle forming pattern region. 40 is provided.

このようにして、エッチングマスクとしてのＳｉＯ2膜２８ａに座ぐり形成用パターン領域３６とノズル形成用パターン領域４０とが重ねられて設けられる。 In this manner, the spot formation pattern region 36 and the nozzle formation pattern region 40 are provided so as to overlap each other on the SiO 2 film 28a as an etching mask.

次に、図２（Ｆ）に示すように、ＳｉＯ2膜２８ｃにおけるノズル形成用パターン領域４０をマスクとして、インク吐出方向側の表面から、ＩＣＰ放電による異方性ドライエッチングをシリコンウエハ２６に施す。これにより、ノズル形成用パターン４０ａに対応した形状にエッチングされて、シリコンウエハ２６を貫通する貫通孔４２が形成される。この貫通孔４２が、インクノズル２２となる。 Next, as shown in FIG. 2F, anisotropic dry etching by ICP discharge is applied to the silicon wafer 26 from the surface on the ink ejection direction side using the nozzle formation pattern region 40 in the SiO 2 film 28c as a mask. . Thereby, the through hole 42 penetrating the silicon wafer 26 is formed by being etched into a shape corresponding to the nozzle forming pattern 40a. This through hole 42 becomes the ink nozzle 22.

次に、図２（Ｇ）に示すように、ノズル側全面（マスクレス）の異方性ドライエッチング（ＲＩＥ）によりノズル形成用パターン領域４０（ＳｉＯ2膜２８ｃ）にエッチングを施して除去する。これにより、座ぐり形成用パターン３６ａに対応してシリコンウエハ２６が露出される。 Next, as shown in FIG. 2G, the nozzle forming pattern region 40 (SiO 2 film 28c) is etched and removed by anisotropic dry etching (RIE) on the entire nozzle side (maskless). As a result, the silicon wafer 26 is exposed corresponding to the spot facing pattern 36a.

次に、図２（Ｈ）に示すように、ＳｉＯ2膜２８ｃにおける座ぐり形成用パターン領域３６をマスクとして、ＩＣＰ放電による異方性ドライエッチングによりシリコンウエハ２６にエッチングを施す。これにより、インクノズル２２の周囲に座ぐり２４が形成される。そして、エッチング終了後は、ＳｉＯ2膜２８ｃをフッ酸水溶液で全て剥離する。 Next, as shown in FIG. 2H, the silicon wafer 26 is etched by anisotropic dry etching by ICP discharge using the spot formation pattern region 36 in the SiO 2 film 28c as a mask. As a result, a counterbore 24 is formed around the ink nozzle 22. Then, after the etching is completed, the SiO 2 film 28c is completely peeled off with a hydrofluoric acid aqueous solution.

ここで、エッチングマスクとしてのＳｉＯ2膜２８ｃに座ぐり形成用パターン領域３６とノズル形成用パターン領域４０を形成するためのレジスト膜には、感光性の樹脂レジスト膜が用いられる。レジスト膜を、溝３２の面に均一に形成することは、スピンコートを用いては困難である。故に、この部分の樹脂レジスト膜は、均一な厚さになるようにスプレーを用いて塗布することにより形成される。このようにしてエッチングマスクとしてのＳｉＯ2膜エッチング用のレジスト膜を形成する。 Here, a photosensitive resin resist film is used as a resist film for forming the spot formation pattern region 36 and the nozzle formation pattern region 40 on the SiO 2 film 28c as an etching mask. It is difficult to form the resist film uniformly on the surface of the groove 32 using spin coating. Therefore, the resin resist film in this portion is formed by applying with a spray so as to have a uniform thickness. In this way, a resist film for etching an SiO 2 film as an etching mask is formed.

次に、図２（Ｉ）に示すように、ノズルプレート１０とは別に作製された、キャビティプレート１２、及びガラス基板１４を張り合わせる。ノズルプレート１０とキャビティプレート１２とを張り合わせることで、当該プレート壁を内壁として構成されたインクキャビティ１６、インク供給口２０、インクリザーバ１８が形成される。   Next, as shown in FIG. 2 (I), the cavity plate 12 and the glass substrate 14 which are manufactured separately from the nozzle plate 10 are bonded together. By bonding the nozzle plate 10 and the cavity plate 12 together, an ink cavity 16, an ink supply port 20, and an ink reservoir 18 configured with the plate wall as an inner wall are formed.

このようにして、本実施形態に係るインクジェット記録ヘッドを製造することができる。   In this way, the ink jet recording head according to this embodiment can be manufactured.

以上、説明したように、本実施形態では、シリコン単結晶材料からなるノズルプレート１０において、インクノズル２２の周囲を囲んで座ぐり２４が設けている。これにより、インクノズル２２はノズルプレート１０のインク吐出方向側の面より凹んだ位置に設けられることとなり、用紙などがインクノズル２２に接触することがなく、表面処理膜（撥水膜）の劣化を防ぎ、インク吐出の安定化を図っている。   As described above, in this embodiment, the counterbore 24 is provided around the ink nozzle 22 in the nozzle plate 10 made of a silicon single crystal material. As a result, the ink nozzle 22 is provided at a position recessed from the surface of the nozzle plate 10 on the ink ejection direction side, so that paper or the like does not contact the ink nozzle 22 and the surface treatment film (water repellent film) deteriorates. To prevent ink discharge and stabilize ink ejection.

また、本実施形態では、ＩＣＰ放電による異方性エッチングを施してインクノズル２２及び座ぐり２４を形成するので、ウエットエッチングを採用する場合に比べ精度良く且つ簡易にインクノズル２２及び座ぐり２４を形成することができる。   In this embodiment, since the ink nozzle 22 and the spot facing 24 are formed by performing anisotropic etching by ICP discharge, the ink nozzle 22 and the spot facing 24 can be accurately and easily compared with the case where wet etching is employed. Can be formed.

また、本実施形態では、エッチングマスクとしてのＳｉＯ2膜２８ｃに異方性エッチングを施して、座ぐり形成用パターン領域３６とノズル形成用パターン領域４０を設けて、インクノズル２２と座ぐり２４とを形成する。このため、同一作業で連続して精度良くインクノズル２２と座ぐり２４を形成することができる。 In the present embodiment, the SiO 2 film 28c as an etching mask is anisotropically etched to provide the spot formation pattern region 36 and the nozzle formation pattern region 40, and the ink nozzles 22 and the spot facings 24. Form. For this reason, the ink nozzle 22 and the counterbore 24 can be formed continuously and accurately in the same operation.

（第２実施形態）
図３は、第２実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法を示す工程図である。 (Second Embodiment)
FIG. 3 is a process diagram showing a method of manufacturing an ink jet recording head according to the second embodiment.

本実施形態は、上記第１実施形態に対して製造工程が異なるものである。このため、製造方法以外については説明は省略する。   This embodiment is different from the first embodiment in the manufacturing process. For this reason, description is abbreviate | omitted except a manufacturing method.

先ず、例えば、厚さが１８０μｍのシリコンウエハ２６を用意し、当該シリコンウエハ２６を熱酸化させて、その全周囲にマスクとしての厚さが例えば１．２μｍのＳｉＯ2膜２８ａを形成する。 First, for example, a silicon wafer 26 having a thickness of 180 μm is prepared, and the silicon wafer 26 is thermally oxidized to form a SiO 2 film 28a having a thickness of, for example, 1.2 μm as a mask on the entire periphery thereof.

次に、図３（Ａ）に示すように、シリコンウエハ２６の一方の側の表面２６ｂを覆っているＳｉＯ2膜２８ａの一部分をエッチングして、インク供給口２０及びインクリザーバ１８を形成するためのパターンを形成する。エッチング液としては、フッ化アンモニウム（ＨＦ：ＮＨ4Ｆ＝８８０ｍｌ：５６１０ｍｌ）を使用することができる。 Next, as shown in FIG. 3A, a part of the SiO 2 film 28a covering the surface 26b on one side of the silicon wafer 26 is etched to form the ink supply port 20 and the ink reservoir 18. The pattern is formed. As an etchant, ammonium fluoride (HF: NH 4 F = 880 ml: 5610 ml) can be used.

そして、シリコンウエハ２６をエッチング液に漬けてシリコンウエハ２６の露出部分（インク供給口２０及びインクリザーバ１８を形成するためのパターンの部分）に対して異方性ウエットエッチングを施し、インク供給口２０及びインクリザーバ１８に対応する三角形断面の溝３０を形成する。この場合に使用するエッチング液としては、水酸化カリウム水溶液であって、濃度が１５ｗｔパーセントで液温９０℃のものを使用できる。エッチング終了後は、ＳｉＯ2膜２８ａをフッ酸水溶液で全て剥離する。 Then, the silicon wafer 26 is immersed in an etching solution, and anisotropic wet etching is performed on the exposed portion of the silicon wafer 26 (the portion of the pattern for forming the ink supply port 20 and the ink reservoir 18). In addition, a groove 30 having a triangular cross section corresponding to the ink reservoir 18 is formed. As an etching solution used in this case, an aqueous potassium hydroxide solution having a concentration of 15 wt percent and a liquid temperature of 90 ° C. can be used. After completion of the etching, the SiO 2 film 28a is completely peeled off with a hydrofluoric acid aqueous solution.

次に、図３（Ｂ）に示すように、再度、シリコンウエハ２６の全周囲を熱酸化して、マスクとしてのＳｉＯ2膜２８ｂを形成する。この場合においても、ＳｉＯ2膜２８ｂの厚みは１．２μｍにすればよい。そして、シリコンウエハ２６の反対側の表面２６ａを覆っているＳｉＯ2膜２８ｂの一部分をエッチングして、インクノズル２２を開口させる領域周辺に対応したパターン３２ａを形成する。エッチング液としては、フッ化アンモニウム（ＨＦ：ＮＨ4Ｆ＝８８０ｍｌ：５６１０ｍｌ）を使用することができる。 Next, as shown in FIG. 3B, the entire periphery of the silicon wafer 26 is again thermally oxidized to form a SiO 2 film 28b as a mask. Even in this case, the thickness of the SiO 2 film 28b may be 1.2 μm. Then, a part of the SiO 2 film 28b covering the opposite surface 26a of the silicon wafer 26 is etched to form a pattern 32a corresponding to the periphery of the region where the ink nozzle 22 is opened. As an etchant, ammonium fluoride (HF: NH 4 F = 880 ml: 5610 ml) can be used.

次に、図３（Ｃ）に示すように、シリコンウエハ２６をエッチング液に漬けてシリコンウエハ２６の露出部分（パターン３２ａ）に対して異方性ウエットエッチングを施し、インクノズル２２を開口させる領域周辺に対応した溝３２を形成する。この場合に使用するエッチング液は、水酸化カリウム水溶液であり、その濃度は１５ｗｔパーセントで液温９０℃のものを使用できる。エッチング終了後は、ＳｉＯ2膜２８ｂをフッ酸水溶液で全て剥離する。 Next, as shown in FIG. 3C, the silicon wafer 26 is dipped in an etching solution and anisotropic wet etching is performed on the exposed portion (pattern 32a) of the silicon wafer 26 to open the ink nozzles 22. A groove 32 corresponding to the periphery is formed. The etching solution used in this case is an aqueous potassium hydroxide solution having a concentration of 15 wt% and a solution temperature of 90 ° C. After completion of the etching, the SiO 2 film 28b is completely peeled off with a hydrofluoric acid aqueous solution.

次に、図３（Ｄ）に示すように、再度、シリコンウエハ２６の全周囲を熱酸化して、マスクとしてのＳｉＯ2膜２８ｃを形成する。この場合においても、ＳｉＯ2膜２８ｃの厚みは１．２μｍにすればよい。 Next, as shown in FIG. 3D, the entire periphery of the silicon wafer 26 is again thermally oxidized to form a SiO 2 film 28c as a mask. Even in this case, the thickness of the SiO 2 film 28c may be 1.2 μm.

そして、ＳｉＯ2膜２８ｃ上にレジスト膜を形成し、レジスト膜をマスクとして、異方性ドライエッチング（ＲＩＥ）によりＳｉＯ2膜２８ｃに施し、ＳｉＯ2膜２８ｃにインクノズル２２に対応したノズル形成用パターン４４を形成する。このパターン４４が設けられたＳｉＯ2膜２８ｃを、ノズル形成用のエッチングマスク（第１エッチングマスク）として利用する。 Then, a resist film is formed on the SiO 2 film 28c, the resist film as a mask, subjected to SiO 2 film 28c by anisotropic dry etching (RIE), nozzle formed corresponding to the ink nozzle 22 to the SiO 2 film 28c A pattern 44 is formed. The SiO 2 film 28c provided with this pattern 44 is used as an etching mask (first etching mask) for nozzle formation.

次に、図３（Ｅ）に示すように、ＳｉＯ2膜２８ｃ上にレジスト膜４６上を形成し、レジスト膜４６に座ぐり２４に対応した座ぐり形成用パターン４８を形成する。このパターン４８が設けられたレジスト膜４６を、座ぐり形成用のエッチングマスク（第２エッチングマスク）として利用する。 Next, as shown in FIG. 3E, a resist film 46 is formed on the SiO 2 film 28 c, and a spot facing pattern 48 corresponding to the spot facing 24 is formed on the resist film 46. The resist film 46 provided with the pattern 48 is used as an etching mask (second etching mask) for spot facing formation.

次に、図３（Ｆ）に示すように、ノズル形成用パターン４４が設けられたＳｉＯ2膜２８ｃをマスクとして、インク吐出方向側の表面から、ＩＣＰ放電による異方性ドライエッチングをシリコンウエハ２６に施す。これにより、ノズル形成用パターン４４に対応した形状にエッチングされて、シリコンウエハ２６を貫通する貫通孔４２が形成される。この貫通孔４２が、インクノズル２２となる。 Next, as shown in FIG. 3F, anisotropic dry etching by ICP discharge is performed from the surface on the ink ejection direction side using the SiO 2 film 28c provided with the nozzle forming pattern 44 as a mask. To apply. Thereby, the through hole 42 penetrating the silicon wafer 26 is formed by etching into a shape corresponding to the nozzle forming pattern 44. This through hole 42 becomes the ink nozzle 22.

次に、図２（Ｇ）に示すように、座ぐり形成用パターン４８が設けられたレジスト膜４６をマスクとして、異方性ドライエッチング（ＲＩＥ）によりＳｉＯ2膜２８ｃの一部（座ぐり形成用パターン４８により露出したＳｉＯ2膜２８ｃ）にエッチングを施して除去する。これにより、座ぐり形成用パターン４８に対応してシリコンウエハ２６が露出される。 Next, as shown in FIG. 2G, a part of the SiO 2 film 28c (spot facing formation) is performed by anisotropic dry etching (RIE) using the resist film 46 provided with the spot facing formation pattern 48 as a mask. The SiO 2 film 28c) exposed by the pattern 48 for use is etched and removed. As a result, the silicon wafer 26 is exposed corresponding to the spot facing formation pattern 48.

次に、図２（Ｈ）に示すように、座ぐり形成用パターン４８が設けられたレジスト膜４６をマスクとして、ＩＣＰ放電による異方性ドライエッチングによりシリコンウエハ２６にエッチングを施す。これにより、インクノズル２２の周囲に座ぐり２４が形成される。そして、エッチング終了後は、ＳｉＯ2膜２８ｃをフッ酸水溶液で全て剥離する。 Next, as shown in FIG. 2H, the silicon wafer 26 is etched by anisotropic dry etching by ICP discharge using the resist film 46 provided with the counterbore forming pattern 48 as a mask. As a result, a counterbore 24 is formed around the ink nozzle 22. Then, after the etching is completed, the SiO 2 film 28c is completely peeled off with a hydrofluoric acid aqueous solution.

ここで、レジスト膜には、感光性の樹脂レジスト膜が用いられる。レジスト膜を溝３２の面に均一に形成することは、スピンコートを用いては困難である。故に、この部分の樹脂レジスト膜は、均一な厚さになるようにスプレーを用いて塗布することにより形成される。このようにしてエッチングマスクとしてのＳｉＯ2膜エッチング用のレジスト膜を形成する。 Here, a photosensitive resin resist film is used as the resist film. It is difficult to form the resist film uniformly on the surface of the groove 32 using spin coating. Therefore, the resin resist film in this portion is formed by applying with a spray so as to have a uniform thickness. In this way, a resist film for etching an SiO 2 film as an etching mask is formed.

次に、図２（Ｉ）に示すように、ノズルプレート１０とは別に作製された、キャビティプレート１２、及びガラス基板１４を張り合わせる。ノズルプレート１０とキャビティプレート１２とを張り合わせることで、当該プレート壁を内壁として構成されたインクキャビティ１６、インク供給口２０、インクリザーバ１８が形成される。   Next, as shown in FIG. 2 (I), the cavity plate 12 and the glass substrate 14 which are manufactured separately from the nozzle plate 10 are bonded together. By bonding the nozzle plate 10 and the cavity plate 12 together, an ink cavity 16, an ink supply port 20, and an ink reservoir 18 configured with the plate wall as an inner wall are formed.

このようにして、本実施形態に係るインクジェット記録ヘッドを製造することができる。   In this way, the ink jet recording head according to this embodiment can be manufactured.

以上、説明したように、本実施形態では、ノズル形成用のエッチングマスク（ＳｉＯ2膜２８ｃ）と座ぐり形成用のエッチングマスク（レジスト膜４６）を別々に形成するため、上記第１実施形態に比べ、ハーフエッチングなどの精度が要求される作業を施す必要がなく、簡易に簡易にノズル及び座ぐりを形成することができる。 As described above, in this embodiment, the nozzle forming etching mask (SiO 2 film 28c) and the counterbore forming etching mask (resist film 46) are separately formed. In comparison, it is not necessary to perform an operation that requires accuracy such as half etching, and the nozzle and the counterbore can be formed easily and easily.

本発明の第１実施形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す概略断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing an ink jet recording head according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the inkjet recording head which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the inkjet recording head which concerns on 1st Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１０ ノズルプレート
１２ キャビティプレート
１４ ガラス基板
１６ インクキャビティ
１８ インクリザーバ
２０ インク供給口
２２ インクノズル
２４ 座ぐり
２６ シリコンウエハ 10 Nozzle plate 12 Cavity plate 14 Glass substrate 16 Ink cavity 18 Ink reservoir 20 Ink supply port 22 Ink nozzle 24 Counterbore 26 Silicon wafer

Claims (4)

液体を吐出するノズルが設けられると共に、前記ノズルに連通する加圧室の内壁の一部を構成する第１シリコン単結晶基板と、
前記第１基板に積層されると共に、前記ノズルに連通する加圧室の内壁の一部を構成する第２シリコン単結晶基板と、
を備え、
前記第１シリコン単結晶基板の液体吐出方向側の面における前記ノズルの周囲に座ぐりが設けられていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。 A first silicon single crystal substrate which is provided with a nozzle for discharging a liquid and which constitutes a part of an inner wall of a pressurizing chamber communicating with the nozzle;
A second silicon single crystal substrate that is laminated on the first substrate and forms a part of an inner wall of a pressurizing chamber that communicates with the nozzle;
With
An ink jet recording head, wherein a counterbore is provided around the nozzle on a surface of the first silicon single crystal substrate on a liquid discharge direction side. 液体を吐出するノズルが設けられると共に、前記ノズルに連通する加圧室の内壁の一部を構成する第１シリコン単結晶基板と、
前記第１基板に積層されると共に、前記ノズルに連通する加圧室の内壁の一部を構成する第２シリコン単結晶基板と、
を備え、
前記第１シリコン単結晶基板の液体吐出方向側の面における前記ノズルの周囲に座ぐりが設けられたインクジェット記録ヘッドの製造方法であって、
前記第１シリコン単結晶基板の液体吐出方向側の面に、ドライエッチングを施して、前記ノズルと共に前記座ぐりを形成することを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法。 A first silicon single crystal substrate which is provided with a nozzle for discharging a liquid and which constitutes a part of an inner wall of a pressurizing chamber communicating with the nozzle;
A second silicon single crystal substrate that is laminated on the first substrate and forms a part of an inner wall of a pressurizing chamber that communicates with the nozzle;
With
A method for manufacturing an ink jet recording head, wherein a counterbore is provided around the nozzle on a surface of the first silicon single crystal substrate on a liquid discharge direction side,
A method for manufacturing an ink jet recording head, comprising: subjecting the surface of the first silicon single crystal substrate to a liquid discharge direction side to dry etching to form the counterbore together with the nozzles. 前記第１シリコン単結晶基板の液体吐出方向側の面にエッチングマスクを形成する工程と、
前記エッチングマスクに、ノズル形成用パターン領域と共に、ノズル形成用パターン領域に重ねて座ぐり形成用パターン領域を形成する工程と、
前記ノズル形成用パターン領域をマスクとして、前記第１シリコン単結晶基板にエッチングを施し、ノズルを形成する工程と、
前記座ぐり形成用パターン領域をマスクとして、前記ノズル形成用パターン領域にマスクエッチングを施し、第１シリコン単結晶基板を露出させる工程と、
前記座ぐり形成用パターン領域をマスクとして、前記第１シリコン単結晶基板にエッチングを施し、座ぐりを形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項２に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。 Forming an etching mask on the liquid discharge direction side surface of the first silicon single crystal substrate;
A step of forming a spot formation pattern region on the etching mask, together with a nozzle formation pattern region, overlapping the nozzle formation pattern region;
Etching the first silicon single crystal substrate using the nozzle forming pattern region as a mask, and forming a nozzle;
Using the counterbore formation pattern region as a mask, subjecting the nozzle formation pattern region to mask etching, and exposing the first silicon single crystal substrate;
Etching the first silicon single crystal substrate using the spot formation pattern region as a mask, and forming a spot facing;
The method of manufacturing an ink jet recording head according to claim 2, wherein: 前記第１シリコン単結晶基板の液体吐出方向側の面にノズル形成パターンが設けられた第１エッチングマスクを形成する工程と、
前記第１エッチングマスク上に座ぐり形成用パターンが設けられた第２エッチングマスクを形成する工程と、
前記第１エッチングマスクを用いて、前記第１シリコン単結晶基板にエッチングを施し、ノズルを形成する工程と、
前記第２エッチングマスクを用いて、前記第１エッチングマスクにエッチングを施し、前記第１シリコン単結晶基板を露出させる工程と、
前記第２エッチングマスクを用いて、前記第１シリコン単結晶基板にエッチングを施し、座ぐりを形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項２に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。 Forming a first etching mask provided with a nozzle formation pattern on a surface of the first silicon single crystal substrate on a liquid discharge direction side;
Forming a second etching mask provided with a counterbore forming pattern on the first etching mask;
Etching the first silicon single crystal substrate using the first etching mask to form a nozzle;
Etching the first etching mask using the second etching mask to expose the first silicon single crystal substrate;
Etching the first silicon single crystal substrate using the second etching mask to form a spot facing;
The method of manufacturing an ink jet recording head according to claim 2, wherein:
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008000953A (en) * 2006-06-21 2008-01-10 Canon Inc Liquid jetting recording head and its manufacturing method
WO2008155986A1 (en) * 2007-06-20 2008-12-24 Konica Minolta Holdings, Inc. Method for manufacturing liquid ejection head nozzle plate, liquid ejection head nozzle plate and liquid ejection head
US9636183B2 (en) 2010-10-20 2017-05-02 Medtronic Navigation, Inc. Selected image acquisition technique to optimize patient model construction

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008000953A (en) * 2006-06-21 2008-01-10 Canon Inc Liquid jetting recording head and its manufacturing method
WO2008155986A1 (en) * 2007-06-20 2008-12-24 Konica Minolta Holdings, Inc. Method for manufacturing liquid ejection head nozzle plate, liquid ejection head nozzle plate and liquid ejection head
JPWO2008155986A1 (en) * 2007-06-20 2010-08-26 コニカミノルタホールディングス株式会社 Method for manufacturing nozzle plate for liquid discharge head, nozzle plate for liquid discharge head, and liquid discharge head
US8162439B2 (en) 2007-06-20 2012-04-24 Konica Minolta Holdings, Inc. Method for manufacturing nozzle plate for liquid ejection head, nozzle plate for liquid ejection head and liquid ejection head
US9636183B2 (en) 2010-10-20 2017-05-02 Medtronic Navigation, Inc. Selected image acquisition technique to optimize patient model construction
US9713505B2 (en) 2010-10-20 2017-07-25 Medtronic Navigation, Inc. Selected image acquisition technique to optimize patient model construction
US10617477B2 (en) 2010-10-20 2020-04-14 Medtronic Navigation, Inc. Selected image acquisition technique to optimize patient model construction
US11213357B2 (en) 2010-10-20 2022-01-04 Medtronic Navigation, Inc. Selected image acquisition technique to optimize specific patient model reconstruction

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