JP2005183640A

JP2005183640A - Semiconductor device and method for manufacturing the same

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Publication number: JP2005183640A
Application number: JP2003421737A
Authority: JP
Inventors: Katsuki Uchiumi; 勝喜内海; Keiji Miki; 啓司三木; Yoshihiro Matsushima; 芳宏松島
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2003-12-19
Filing date: 2003-12-19
Publication date: 2005-07-07

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device whose quality is satisfactory and a method for manufacturing the semiconductor device for preventing the deterioration of strength of the semiconductor device due to chipping even when chipping or metal burr is generated, for stabilizing the quality of the semiconductor device by preventing the metal burr from dropping from the semiconductor device even when any sudden external force is added to the semiconductor device, and for improving productivity. <P>SOLUTION: This semiconductor device equipped with a plurality of electrodes is characterized by forming an arbitrarily shaped coat formed of the identical or different type of materials as or from those of the semiconductor device, in at least a region which does not reach the semiconductor electrodes at the side face of the semiconductor device and the electrode face side of the semiconductor device. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体ウェハに形成された半導体チップをダイシングにより個辺化して半導体装置を製造する半導体装置と半導体装置の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor device for manufacturing a semiconductor device by dicing a semiconductor chip formed on a semiconductor wafer by dicing, and a method for manufacturing the semiconductor device.

近年、電子機器の小型化に対応するために、半導体部品の高密度実装がますます要求されてきており、これに伴って半導体装置の小型化および薄型化が進展している。さらに、生産コスト、生産性向上のために種々の工夫がなされている。 In recent years, in order to cope with the downsizing of electronic devices, high-density mounting of semiconductor components has been increasingly demanded, and along with this, downsizing and thinning of semiconductor devices are progressing. Furthermore, various devices have been made to improve production cost and productivity.

以下、従来の半導体装置の製造方法について説明する。
図１１は従来の半導体装置を示す図である。
図１１において、半導体装置１は外部との電気信号のやりとりを行う半導体装置電極１１を具備している。 Hereinafter, a conventional method for manufacturing a semiconductor device will be described.
FIG. 11 shows a conventional semiconductor device.
In FIG. 11, the semiconductor device 1 includes a semiconductor device electrode 11 for exchanging electrical signals with the outside.

ここで、半導体装置１にはダイシングなどによる半導体装置１の個片化加工時の衝撃力や、個片化された半導体装置１への外力などによってチッピング１０１が発生する。さらに、主にメタルを材料としているスクライブＰＣＭ（プロセスコントロールモジュール）はダイシングなどの加工をすると延性材料のためメタルばり１０２が発生する。 Here, the chipping 101 is generated in the semiconductor device 1 due to an impact force when the semiconductor device 1 is singulated by dicing or the like, an external force to the singulated semiconductor device 1, or the like. Further, when a scribe PCM (process control module) mainly made of metal is subjected to processing such as dicing, a metal beam 102 is generated due to a ductile material.

このチッピング１０１は半導体装置１の強度を低下させ、最悪の場合にはチッピング１０１が起点となって半導体装置１が割れ破壊してしまうこともあり、半導体装置１の致命的欠陥につながるという問題点があった。また、チッピング１０１による半導体装置１の欠けは、個片化以降の半導体装置製造工程での不良の原因やカスタマーでの実装不良につながる。さらにに、このメタルばり１０２は個片化以降の半導体装置製造工程、特にダイスボンディングでの半導体装置１の保持不良やメタルばり１０２が半導体装置１より脱落し半導体装置電極１１に付着することでワイヤーボンディング不良の原因ともなり、強いてはカスタマーでの実装不良につながるという問題点があった。 This chipping 101 reduces the strength of the semiconductor device 1, and in the worst case, the chipping 101 may be the starting point, and the semiconductor device 1 may be broken and broken, leading to a fatal defect of the semiconductor device 1. was there. Further, chipping of the semiconductor device 1 due to chipping 101 leads to a cause of a defect in a semiconductor device manufacturing process after singulation and a mounting failure at a customer. Further, the metal beam 102 is formed by a semiconductor device manufacturing process after singulation, in particular, a defective holding of the semiconductor device 1 by die bonding, or the metal beam 102 is detached from the semiconductor device 1 and adheres to the semiconductor device electrode 11. There is also a problem that it causes a bonding failure and leads to a mounting failure by a customer.

図１２は従来の半導体装置の製造方法を示す図である。
まず、図１２（ａ）に示す工程で、複数の半導体装置１とその半導体装置１間にダイシング可能な半導体装置スクライブ部１２およびウェハ製造プロセスでの出来映え管理のための半導体装置スクライブＰＣＭ１３を具備する半導体ウェハを用意する。その後、図１２（ｂ）に示す工程でダイシングテープ６に貼付された半導体装置１に切削水１０３をかけながら、ダイシングブレード５により半導体装置１を個片化させる。ここで、ダイシングブレード５は、一般的にダイヤモンド砥粒とダイヤモンド砥粒を保持するボンド剤で構成されている。従って、ダイシングブレード５による個片化加工は半導体装置１スクライブ部１２を破砕しながら加工するため、図１２（ｃ）に示すチッピング１０１を誘発する原因となってしまう。また、半導体装置スクライブＰＣＭ１３は主にメタルを主材料とする延性金属材料で構成されているためダイシングなどの個片化加工で、半導体装置スクライブＰＣＭ１３はメタルばり１０２となってしまう。このメタルばり１０２も延性材料のため、個片化しても中には半導体装置１に残っている場合があるが突発性外力によっては半導体装置１から脱落してしまう（例えば、特許文献１，特許文献２参照）。
特開平１０−１５４６７０号公報特開平１１−１２１５１２号公報 FIG. 12 shows a conventional method for manufacturing a semiconductor device.
First, in the process shown in FIG. 12A, a plurality of semiconductor devices 1, a semiconductor device scribe unit 12 that can be diced between the semiconductor devices 1, and a semiconductor device scribe PCM 13 for managing the workmanship in the wafer manufacturing process are provided. A semiconductor wafer is prepared. Thereafter, the semiconductor device 1 is separated into pieces by the dicing blade 5 while the cutting water 103 is poured on the semiconductor device 1 affixed to the dicing tape 6 in the step shown in FIG. Here, the dicing blade 5 is generally composed of diamond abrasive grains and a bonding agent that holds the diamond abrasive grains. Accordingly, the singulation processing by the dicing blade 5 is performed while crushing the semiconductor device 1 scribe portion 12, which causes the chipping 101 shown in FIG. Further, since the semiconductor device scribe PCM 13 is mainly composed of a ductile metal material mainly made of metal, the semiconductor device scribe PCM 13 becomes a metal beam 102 by singulation processing such as dicing. Since this metal beam 102 is also a ductile material, it may remain in the semiconductor device 1 even after being separated into pieces, but it may fall off the semiconductor device 1 due to a sudden external force (for example, Patent Document 1, Patent). Reference 2).
JP-A-10-154670 Japanese Patent Laid-Open No. 11-121512

従って、従来の半導体装置の製造方法では、チッピング１０１もしくはメタルばり１０２を抑制するダイシング条件の抽出や半導体装置スクライブ部１２の構造対策などにより、チッピング１０１もしくはメタルばり１０２を最小限に抑制する取組みをしていた。しかしながら、ダイシングブレード５による加工ではチッピング１０１もしくはメタルばり１０２は必然的に発生するため半導体装置１の品質低下を解消することはできなかった。 Therefore, in the conventional method for manufacturing a semiconductor device, an effort to minimize the chipping 101 or the metal beam 102 is made by extracting dicing conditions for suppressing the chipping 101 or the metal beam 102 and taking a structural measure of the semiconductor device scribe unit 12. Was. However, since the chipping 101 or the metal beam 102 is inevitably generated in the processing by the dicing blade 5, the deterioration of the quality of the semiconductor device 1 cannot be solved.

本発明は上記課題に鑑みなされたものであって、その目的は、チッピングもしくはメタルばりが発生しても、半導体装置はチッピングによる強度低下を防止し、突発性外力が半導体装置に加わっても半導体装置からメタルばりが脱落することがなくなり半導体装置の品質が安定することである。さらに、生産性を向上し、品質の良い半導体装置と半導体装置の半導体装置の製造方法を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and the object of the present invention is to prevent the semiconductor device from decreasing in strength due to chipping even if chipping or metal flash occurs, and to prevent the semiconductor device from being subjected to sudden external force applied to the semiconductor device. The metal beam is not dropped from the device, and the quality of the semiconductor device is stabilized. It is another object of the present invention to provide a semiconductor device and a semiconductor device manufacturing method for improving the productivity and the quality of the semiconductor device.

上記目的を達成するために、本発明の請求項１記載の半導体装置は、複数の電極を具備する半導体装置であって、半導体装置の側面および半導体装置電極面側の少なくとも半導体装置電極に到らない領域に半導体装置と同一または異種の材料で形成された任意の形状のコート部を有することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a semiconductor device according to claim 1 of the present invention is a semiconductor device having a plurality of electrodes, and reaches at least the semiconductor device electrode on the side surface of the semiconductor device and on the semiconductor device electrode surface side. It is characterized in that it has a coating portion of an arbitrary shape formed of the same or different material as the semiconductor device in a non-existing region.

請求項２記載の半導体装置は、請求項１記載の半導体装置において、前記コート部が前記半導体装置の半導体装置電極面と対向する半導体装置底面側にまでおよぶことを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor device according to the first aspect, the coat portion extends to the bottom surface side of the semiconductor device facing the semiconductor device electrode surface of the semiconductor device.

請求項３記載の半導体装置は、請求項１または請求２のいずれかに記載の半導体装置において、前記コート部の材料はメッキ可能な金属系材料もしくは熱硬化性樹脂材料であることを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor device according to the first or second aspect, the material of the coat portion is a metal material that can be plated or a thermosetting resin material. .

請求項４記載の半導体装置の製造方法は、数の半導体素子を形成した半導体ウェハをスクライブ領域でダイシングして半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウェハの半導体装置電極面にコートマスクを貼り付ける工程と、前記半導体ウェハをコート液中に浸漬する工程と、前記半導体ウェハをダイシングしながら前記半導体装置の側面および半導体装置電極面側の少なくとも前記半導体装置電極に到らない領域にコート部を形成する工程と、前記コートマスクを除去する工程とを有し、半導体装置の切断面にコート部を設けることを特徴とする。 5. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein the semiconductor device is manufactured by dicing a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor elements are formed in a scribe region, and the semiconductor device electrode surface of the semiconductor wafer. A step of affixing a coat mask to the substrate, a step of immersing the semiconductor wafer in a coating solution, and a dicing of the semiconductor wafer while not reaching at least the semiconductor device electrode on the side surface of the semiconductor device and the semiconductor device electrode surface side The method includes a step of forming a coat portion in the region and a step of removing the coat mask, wherein the coat portion is provided on a cut surface of the semiconductor device.

請求項５記載の半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子を形成した半導体ウェハをスクライブ領域でダイシングして半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウェハの半導体装置電極面にコートマスクを貼り付ける工程と、前記半導体ウェハをダイシングする工程と、ダイシングして個辺化した半導体チップをコート液中に浸漬して半導体装置の側面および半導体装置電極面側の少なくとも前記半導体装置電極に到らない領域にコート部を形成する工程と、前記コートマスクを除去する工程とを有し、半導体装置の切断面にコート部を設けることを特徴とする。 6. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein the semiconductor device is manufactured by dicing a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor elements are formed in a scribe region, and the semiconductor device electrode surface of the semiconductor wafer. A step of affixing a coat mask to the substrate, a step of dicing the semiconductor wafer, a semiconductor chip diced into individual pieces is immersed in a coating solution, and at least the semiconductor device on the side surface of the semiconductor device and the electrode surface side of the semiconductor device The method includes a step of forming a coat portion in a region not reaching the electrode and a step of removing the coat mask, and the coat portion is provided on a cut surface of the semiconductor device.

請求項６記載の半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子を形成した半導体ウェハをスクライブ領域でダイシングして半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウェハをコート液中に浸漬する工程と、
前記半導体ウェハをダイシングしながら前記半導体装置の側面および半導体装置電極面側の少なくとも前記半導体装置電極に到らない領域にコート部を形成する工程と、
を有し、半導体装置の切断面にコート部を設けることを特徴とする。 The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 6 is a method for manufacturing a semiconductor device by manufacturing a semiconductor device by dicing a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor elements are formed in a scribe region, wherein the semiconductor wafer is placed in a coating solution. Dipping step;
Forming a coat portion in a region not reaching the semiconductor device electrode at least on a side surface of the semiconductor device and a semiconductor device electrode surface side while dicing the semiconductor wafer;
And a coat portion is provided on the cut surface of the semiconductor device.

請求項７記載の半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子を形成した半導体ウェハをスクライブ領域でダイシングして半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウェハの半導体装置電極面にコートマスクを貼り付ける工程と、前記半導体ウェハをダイシングする工程と、ダイシングして個辺化した前記半導体チップをコート液中に浸漬して半導体装置の側面および半導体装置電極面側の少なくとも前記半導体装置電極に到らない領域にコート部を形成する工程と、を有し、半導体装置の切断面にコート部を設けることを特徴とする。 8. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 7, wherein the semiconductor device is manufactured by dicing a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor elements are formed in a scribe region, and the semiconductor device electrode surface of the semiconductor wafer. A step of attaching a coat mask to the substrate, a step of dicing the semiconductor wafer, and dicing and dicing the semiconductor chip into a coating solution to immerse the semiconductor chip in at least the side surface of the semiconductor device and the semiconductor device electrode surface side. Forming a coat portion in a region not reaching the device electrode, and providing the coat portion on a cut surface of the semiconductor device.

請求項８記載の半導体装置の製造方法は、請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記コート部を形成する工程において、半導体装置を接着するダイシングテープを半導体装置底面に貼付することを特徴とする。 The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 8 is the method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4 or 5, wherein a dicing tape for bonding the semiconductor device is used as the semiconductor in the step of forming the coat portion. It is affixed on the bottom of the apparatus.

請求項９記載の半導体装置の製造方法は、請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記コート部を形成する工程において、半導体装置底面の側面付近以外により半導体装置を固定する形態の半導体装置固定治具を用いて前記半導体装置を固定し、前記形成されるコート部が前記半導体装置の半導体装置電極面と対向する半導体装置底面側にまでおよぶことを特徴とする。 A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 9 is the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 4 or 5, wherein, in the step of forming the coat portion, the semiconductor is formed except for the vicinity of the side surface of the bottom surface of the semiconductor device. The semiconductor device is fixed using a semiconductor device fixing jig configured to fix the device, and the formed coating portion extends to the bottom surface side of the semiconductor device facing the semiconductor device electrode surface of the semiconductor device. To do.

請求項１０記載の半導体装置の製造方法は、請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記コート液は導電性を有し、前記コート液と前記半導体装置を電気的に接続して通電させることによって、コート液成分を半導体装置に付着させてコート部を形成することを特徴とする。 The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 10 is the method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4 or 5, wherein the coating liquid has conductivity, and the coating liquid and the semiconductor device are The coating portion is formed by attaching the coating liquid component to the semiconductor device by being electrically connected and energized.

請求項１１記載の半導体装置の製造方法は、請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記コート液は導電性を有し、ダイシングに用いるダイシングブレードと前記半導体装置を電気的に接続して通電させることによって、コート液成分を半導体装置に付着させてコート部を形成することを特徴とする。 The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 11 is the method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4 or 5, wherein the coating liquid has conductivity, and a dicing blade used for dicing and the semiconductor A coating portion is formed by attaching a coating liquid component to a semiconductor device by electrically connecting and energizing the device.

請求項１２記載の半導体装置の製造方法は、請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記コート液は半導体装置材料と結合しやすいコート液であることを特徴とする。 The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 12 is the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 4 or 5, wherein the coating liquid is a coating liquid that easily binds to a semiconductor device material. And

請求項１３記載の半導体装置の製造方法は、請求項４記載の半導体装置の製造方法において、前記コート液は熱硬化性樹脂を成分とし、ダイシング時の切断加工発熱により熱硬化性樹脂を硬化させ、コート液成分を半導体装置に付着させてコート部を形成することを特徴とする。 The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 13 is the method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein the coating liquid includes a thermosetting resin as a component, and the thermosetting resin is cured by heat generated by cutting during dicing. The coating liquid component is attached to the semiconductor device to form a coat portion.

請求項１４記載の半導体装置の製造方法は、請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記コートマスクの外形もしくはコートマスク平面内を任意の形状に作製することにより任意の形状のコート部を形成することを特徴とする。 A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 14 is the method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4 or 5, wherein an outer shape of the coat mask or a plane of the coat mask is formed in an arbitrary shape. Thus, a coating portion having an arbitrary shape is formed.

以上により、半導体装置底面側にチッピングが発生してもチッピング部にコーティングされているため半導体装置の強度向上とチッピングによる半導体装置の欠けを防止でき半導体装置の品質向上が提供できる。さらにメタルばりもコーティングされるため突発性外力が半導体装置に加わっても半導体装置からメタルばりが脱落することがなくなり半導体装置の品質が安定する。 As described above, even when chipping occurs on the bottom surface side of the semiconductor device, the chipping portion is coated, so that the strength of the semiconductor device and chipping of the semiconductor device due to chipping can be prevented, thereby improving the quality of the semiconductor device. Further, since the metal flash is also coated, the metal flash does not fall off from the semiconductor device even when sudden external force is applied to the semiconductor device, and the quality of the semiconductor device is stabilized.

本発明の半導体装置によると、半導体装置にチッピングが発生していてもコート部が存在するために、チッピングによる半導体装置の強度低下を防止し、かつ、チッピングを起点に半導体装置が破壊することがなくなり半導体装置１の品質が向上する。また、メタルばりもコーティングされるため突発性外力が半導体装置に加わっても半導体装置からメタルばりが脱落することがなくなり半導体装置の品質が安定する。さらに、コート部が存在する故に外力による半導体装置へのダメージリスクが回避でき、半導体装置の品質が向上しかつ安定する。また、本発明の製造方法および製造装置によると、既存にある工程フローおよび設備を流用もしくは一部を改造するのみで、任意の所望する半導体装置の部位にコート部をコーティングすることができ、生産性が高く、容易にコート部付き半導体装置が提供することができる。 According to the semiconductor device of the present invention, even if chipping has occurred in the semiconductor device, the coat portion is present, so that a reduction in strength of the semiconductor device due to chipping can be prevented, and the semiconductor device can be destroyed starting from chipping. The quality of the semiconductor device 1 is improved. In addition, since the metal flash is also coated, the metal flash is not dropped from the semiconductor device even when sudden external force is applied to the semiconductor device, and the quality of the semiconductor device is stabilized. Further, since the coating portion exists, the risk of damage to the semiconductor device due to external force can be avoided, and the quality of the semiconductor device is improved and stabilized. In addition, according to the manufacturing method and manufacturing apparatus of the present invention, the coat part can be coated on any desired part of the semiconductor device by diverting the existing process flow and equipment or modifying a part thereof, and producing it. The semiconductor device with a coat part can be easily provided.

本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の半導体装置の底面側に到らないコート部を有するコート半導体装置を示す図であり、図２は本発明の半導体装置の底面側にまでコート部を有するコート半導体装置を示す図である。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram showing a coated semiconductor device having a coating portion that does not reach the bottom surface side of the semiconductor device of the present invention, and FIG. 2 shows a coated semiconductor device having a coating portion on the bottom surface side of the semiconductor device of the present invention. FIG.

図１および図２において、それぞれ、半導体装置電極１１を具備した半導体装置１の側面および半導体装置電極面側に少なくとも半導体装置電極１１に到らないコート部２を備えている。ただし、半導体装置電極１１を使用しない場合はコート部２が半導体装置電極１１に到るもしくはコートされても構わない。半導体装置電極１１を使用しない場合とは、例えば、半導体装置１の特性評価のみの為の半導体装置電極１１で、半導体装置１の個片化前のプローブ検査で使用するがワイヤーボンディングせず、コートされてもワイヤーボンディング上、支障をきたさない場合などを指す。ここで図１は、コート部２が半導体装置１の底面側に到らないコート部２の形状をしており、図２はコート部２が半導体装置１の底面側にまでコート部２を有する形状をしている。図１、図２ともに半導体装置１にチッピング１０１が発生していてもコート部２が存在するために、チッピング１０１による半導体装置１の強度低下を防止し、かつ、チッピング１０１を起点に半導体装置１が破壊することがなくなり、またメタルばり１０２もコーティングされるため突発性外力が半導体装置１に加わっても半導体装置１からメタルばり１０２が脱落することがなくなり、半導体装置の品質が安定する。さらに、コート部２が存在する故に外力による半導体装置１へのダメージリスクが回避でき、半導体装置１の品質が向上しかつ安定する。 In FIG. 1 and FIG. 2, a coat portion 2 that does not reach at least the semiconductor device electrode 11 is provided on the side surface of the semiconductor device 1 including the semiconductor device electrode 11 and the semiconductor device electrode surface side. However, when the semiconductor device electrode 11 is not used, the coat portion 2 may reach or be coated with the semiconductor device electrode 11. The case where the semiconductor device electrode 11 is not used is, for example, the semiconductor device electrode 11 only for the characteristic evaluation of the semiconductor device 1, which is used for the probe inspection before the semiconductor device 1 is separated, but is not wire-bonded and coated. This refers to the case where there is no problem in wire bonding. Here, FIG. 1 shows a shape of the coat part 2 in which the coat part 2 does not reach the bottom side of the semiconductor device 1, and FIG. 2 shows the coat part 2 having the coat part 2 up to the bottom side of the semiconductor device 1. It has a shape. 1 and 2, even if chipping 101 occurs in semiconductor device 1, since coat portion 2 exists, strength reduction of semiconductor device 1 due to chipping 101 is prevented, and semiconductor device 1 starts from chipping 101. Since the metal beam 102 is also coated, the metal beam 102 is not dropped from the semiconductor device 1 even when a sudden external force is applied to the semiconductor device 1, and the quality of the semiconductor device is stabilized. Further, since the coat portion 2 exists, the risk of damage to the semiconductor device 1 due to external force can be avoided, and the quality of the semiconductor device 1 is improved and stabilized.

図３，図４は本発明のコート半導体装置の製造方法を示すフロー図である。まず、図３（ａ）では半導体装置電極１１を具備した半導体装置１と半導体装置スクライブ部１２およびウェハ製造プロセスでの出来映え管理のための半導体装置スクライブＰＣＭ１３を含む半導体ウェハを用意する。次に、図３（ｂ）に示すように、次工程で半導体装置電極１１にコート部２がコーティングされないように少なくとも半導体装置電極１１上にコートマスク４を貼付する。次に、図４（ａ）に示すように図３（ｂ）でコートマスク４を貼付した半導体ウェハをダイシングテープ６に貼付し、さらに、コート液３内でダイシングブレード５により、個片化しながら半導体装置１の側面および半導体装置電極面側の少なくとも半導体装置電極１１に到らない箇所にコート液３をコーティングする。ここで、本実施例では半導体装置１の側面および半導体装置電極面側に少なくとも半導体装置電極１１に到らない箇所にコート液３をコーティングしたが、後述する実施例ではダイシングテープ６の形状並びにダイシングテープ６以外の固定治具形状を工夫すれば、半導体装置１の底面側にまでコート部２を有する形状を作製できる。また、コート液３の半導体装置１へのコーティング方法は後述する方法でしても構わない。次に、図４（ｂ）に示すようにコート液３がコーティングされた半導体装置１に貼付されたコートマスク４を剥せば、個片化したコート付き半導体装置１が製造できる。なお、個片化しながらコート液をコーティングしなくても個片化した後にコート液３をコーティングしても構わなく、例えば、図４に示す工程フローで図４（ｂ）の後にコート液３に個片化のみした半導体装置１を入れて、半導体装置１の所望部位にコート液３をコーティングしても構わない。この図３に示すコートダイシングの工程フローの１実施例を使えば、コート液３がコーティングされた半導体装置１が個片化した状態で既存フローに近い形態で製造でき、かつ、半導体装置１にチッピング１０１が発生していてもコート部２が存在するために、チッピング１０１による半導体装置１の強度低下を防止し、チッピング１０１を起点に半導体装置１が破壊することがなくなる。また、メタルばり１０２もコーティングされるため突発性外力が半導体装置１に加わっても半導体装置１からメタルばり１０２が脱落することがなくなり半導体装置の品質が安定する。さらに、コート部２が存在する故に外力による半導体装置１へのダメージリスクが回避でき、半導体装置１の品質が向上し、かつ安定する。 3 and 4 are flowcharts showing a method for manufacturing a coated semiconductor device according to the present invention. First, in FIG. 3A, a semiconductor wafer including the semiconductor device 1 including the semiconductor device electrode 11, the semiconductor device scribe unit 12, and a semiconductor device scribe PCM 13 for performance management in the wafer manufacturing process is prepared. Next, as shown in FIG. 3B, a coat mask 4 is pasted on at least the semiconductor device electrode 11 so that the coating portion 2 is not coated on the semiconductor device electrode 11 in the next step. Next, as shown in FIG. 4A, the semiconductor wafer to which the coat mask 4 is attached in FIG. 3B is attached to the dicing tape 6 and further separated into individual pieces by the dicing blade 5 in the coating solution 3. The coating liquid 3 is coated at least on the side surface of the semiconductor device 1 and the side of the semiconductor device electrode surface that does not reach the semiconductor device electrode 11. Here, in this embodiment, the side surface of the semiconductor device 1 and the side of the semiconductor device electrode are coated with the coating liquid 3 at least at locations not reaching the semiconductor device electrode 11. If the shape of the fixing jig other than the tape 6 is devised, a shape having the coat portion 2 up to the bottom surface side of the semiconductor device 1 can be produced. Further, the method of coating the semiconductor device 1 with the coating liquid 3 may be a method described later. Next, as shown in FIG. 4B, the coated semiconductor device 1 can be manufactured by separating the coated mask 4 attached to the semiconductor device 1 coated with the coating liquid 3. Note that the coating liquid 3 may be coated after being separated into individual pieces without coating the coating liquid while being singulated. For example, the coating liquid 3 may be coated after FIG. 4B in the process flow shown in FIG. The semiconductor device 1 that has been separated into individual pieces may be put and the desired portion of the semiconductor device 1 may be coated with the coating liquid 3. If one embodiment of the process flow of the coating dicing shown in FIG. 3 is used, the semiconductor device 1 coated with the coating liquid 3 can be manufactured in a form close to the existing flow in a state of being separated into pieces, and the semiconductor device 1 Even if the chipping 101 occurs, the coating portion 2 exists, so that the strength of the semiconductor device 1 due to the chipping 101 is prevented from being reduced, and the semiconductor device 1 is not destroyed starting from the chipping 101. In addition, since the metal flash 102 is also coated, the metal flash 102 is not dropped from the semiconductor device 1 even when sudden external force is applied to the semiconductor device 1, and the quality of the semiconductor device is stabilized. Furthermore, since the coat portion 2 exists, the risk of damage to the semiconductor device 1 due to external force can be avoided, and the quality of the semiconductor device 1 is improved and stabilized.

図５は本発明のコートダイシングを説明する図である。
図５のように、コートマスク４を貼付した半導体ウェハをダイシングテープ６に貼付し、さらにコート液３内でダイシングブレード５により、個片化しながら半導体装置１の側面および半導体装置電極面側に少なくとも半導体装置電極１１に到らない箇所にコート液３を図１のようにコーティングする。なお、個片化しながらコート液をコーティングしなくても個片化した後にコート液３をコーティングしても構わない。ここで、半導体装置１の半導体装置電極面側に対向する底面側は半導体装置１がダイシングテープ６に貼付されているため、ダイシングテープ６がコートマスク４と同様の役目を果たして半導体装置１の半導体装置電極面側に対向する底面側がコート液３でコーティングされない。この図５のコートダイシングの１実施例を使えば、ダイシングテープ６がコートマスクと同様の役目を果たして半導体装置１の半導体装置電極面側に対向する底面側がコート液３でコーティングされず、コートマスク４が不要で安価にコート半導体装置が製造できる。 FIG. 5 is a diagram illustrating the coat dicing according to the present invention.
As shown in FIG. 5, the semiconductor wafer with the coat mask 4 attached is attached to the dicing tape 6 and further separated into at least the side surface of the semiconductor device 1 and the semiconductor device electrode surface side by the dicing blade 5 in the coating solution 3. The coating liquid 3 is coated on the portion that does not reach the semiconductor device electrode 11 as shown in FIG. Note that the coating liquid 3 may be coated after being separated into individual pieces without coating the coating liquid while being separated. Here, since the semiconductor device 1 is affixed to the dicing tape 6 on the bottom surface side facing the semiconductor device electrode surface side of the semiconductor device 1, the dicing tape 6 serves the same function as the coat mask 4 and the semiconductor of the semiconductor device 1. The bottom surface facing the device electrode surface is not coated with the coating liquid 3. If one embodiment of the coat dicing in FIG. 5 is used, the dicing tape 6 performs the same function as the coat mask, and the bottom surface side facing the semiconductor device electrode surface side of the semiconductor device 1 is not coated with the coating liquid 3, and the coat mask. 4 is unnecessary and a coated semiconductor device can be manufactured at low cost.

図６は本発明の半導体装置固定治具を用いたコートダイシングを説明する図である。
図６のように、コートマスク４を貼付した半導体ウェハを半導体装置固定治具７に貼付し、さらに、コート液３内でダイシングブレード５により、個片化しながら半導体装置１の側面および半導体装置電極面側に少なくとも半導体装置電極１１に到らない箇所にコート液３を図２のようにコーティングする。なお、個片化しながらコート液をコーティングしなくても個片化した後にコート液３をコーティングしても構わない。ここで、半導体装置１の半導体装置電極面側に対向する底面側の側面近傍付近は、半導体装置固定治具７が無い形状をしており半導体装置１とコート液３が接触している状態としている為、半導体装置１の半導体装置電極面側に対向する底面側の側面近傍付近はコート液３でコーティングされる。 FIG. 6 is a view for explaining coat dicing using the semiconductor device fixing jig of the present invention.
As shown in FIG. 6, the semiconductor wafer to which the coat mask 4 is attached is attached to the semiconductor device fixing jig 7, and the side surface and the semiconductor device electrode of the semiconductor device 1 are separated into individual pieces by the dicing blade 5 in the coating solution 3. The coating liquid 3 is coated on the surface side at least at a portion not reaching the semiconductor device electrode 11 as shown in FIG. Note that the coating liquid 3 may be coated after being separated into individual pieces without coating the coating liquid while being separated. Here, the vicinity of the side surface on the bottom surface side facing the semiconductor device electrode surface side of the semiconductor device 1 has a shape without the semiconductor device fixing jig 7 and the semiconductor device 1 and the coating liquid 3 are in contact with each other. Therefore, the vicinity of the side surface on the bottom surface side facing the semiconductor device electrode surface side of the semiconductor device 1 is coated with the coating liquid 3.

このように半導体装置固定治具７を用いることにより、半導体装置１の半導体装置電極面側に対向する底面側の側面近傍付近はコート液３でコーティングできる。さらに、半導体装置固定治具７はダイシングテープ６と異なり複数枚の半導体ウェハを繰り返し使用可能であり、ダイシングテープ６代のランニングコストが不要で安価にコート半導体装置が製造できることも可能となる。 By using the semiconductor device fixing jig 7 in this way, the vicinity of the side surface near the bottom surface side of the semiconductor device 1 facing the semiconductor device electrode surface side can be coated with the coating liquid 3. Further, unlike the dicing tape 6, the semiconductor device fixing jig 7 can repeatedly use a plurality of semiconductor wafers, and it is possible to manufacture a coated semiconductor device at low cost without the running cost of the dicing tape 6.

図７は本発明の第１の電解コートダイシングを説明する図である。
図７のように、コートマスク４を貼付した半導体ウェハをダイシングテープ６に貼付し、さらにコート液３内でダイシングブレード５により、個片化しながら半導体装置１の側面および半導体装置電極面側に少なくとも半導体装置電極１１に到らない箇所にコート液３を図１のようにコーティングする。ここでは、電解タイプのコート液であれば導電する必要があるため、コーティングしたい半導体装置１と導電性コート液層９とにコート電源８を介在させることによって、半導体装置１をカソード側、導電性コート液層９をアノード側にすることで、電位差にてコート液２中の金属イオンが、半導体装置１のコートマスク、ダイシングテープ６以外の部位に付着（メッキ成長）しコーティングされる。半導体装置１のコートマスク、ダイシングテープ６の部位は金属イオンが半導体装置１に付着しないためコーティングされない、コート液３を半導体装置１の所望部位にコーティングすることができる。なお、個片化しながらコート液をコーティングしなくても、個片化した半導体チップに導電することにより、コート液３をコーティングしても構わない。 FIG. 7 is a view for explaining the first electrolytic coating dicing of the present invention.
As shown in FIG. 7, the semiconductor wafer with the coat mask 4 attached is attached to the dicing tape 6 and further separated into at least the side surface of the semiconductor device 1 and the semiconductor device electrode surface side by the dicing blade 5 in the coating solution 3. A coating solution 3 is coated on the portion not reaching the semiconductor device electrode 11 as shown in FIG. Here, since it is necessary to conduct electricity in the case of an electrolytic type coating liquid, the semiconductor device 1 is made conductive on the cathode side by interposing a coating power supply 8 between the semiconductor device 1 to be coated and the conductive coating liquid layer 9. By setting the coating liquid layer 9 to the anode side, the metal ions in the coating liquid 2 adhere (plated and grow) to portions other than the coating mask and the dicing tape 6 of the semiconductor device 1 due to the potential difference. The coat mask 3 of the semiconductor device 1 and the portion of the dicing tape 6 are not coated because the metal ions do not adhere to the semiconductor device 1. In addition, even if it does not coat a coating liquid while individualizing, you may coat the coating liquid 3 by electrically conducting to the separated semiconductor chip.

この図７の電解コートダイシングの１実施例を使えば、電解タイプのコート液であっても半導体装置１にコート液３をコーティングすることができる。
図８は本発明の第２の電解コートダイシングを説明する図である。 If one embodiment of the electrolytic coating dicing shown in FIG. 7 is used, the coating liquid 3 can be coated on the semiconductor device 1 even with an electrolytic type coating liquid.
FIG. 8 is a view for explaining the second electrolytic coating dicing of the present invention.

図８のように、コートマスク４を貼付した半導体ウェハをダイシングテープ６に貼付し、さらにコート液３内でダイシングブレード５により、個片化しながら半導体装置１の側面および半導体装置電極面側に少なくとも半導体装置電極１１に到らない箇所にコート液３を図１のようにコーティングする。ここでは、電解タイプのコート液であれば導電する必要があるため、コーティングしたい半導体装置１とダイシングブレード５とをコート電源８を介在させることによって、コート液３を半導体装置１の所望部位にコーティングすることができる。なお、個片化しながらコート液をコーティングしなくても、個片化した半導体チップに導電することにより、コート液３をコーティングしても構わない。 As shown in FIG. 8, the semiconductor wafer with the coat mask 4 attached is attached to the dicing tape 6 and further separated into at least the side surface of the semiconductor device 1 and the semiconductor device electrode surface side by the dicing blade 5 in the coating solution 3. The coating liquid 3 is coated on the portion that does not reach the semiconductor device electrode 11 as shown in FIG. Here, since the electrolytic type coating liquid needs to be electrically conductive, the coating liquid 3 is coated on a desired portion of the semiconductor device 1 by interposing the coating power source 8 between the semiconductor device 1 to be coated and the dicing blade 5. can do. In addition, even if it does not coat a coating liquid while individualizing, you may coat the coating liquid 3 by electrically conducting to the separated semiconductor chip.

この図８の電解コートダイシングの１実施例を使えば、電解タイプのコート液であっても半導体装置１にコート液３をコーティングすることができる。
図９の無電解コートダイシングの１実施例である。 If one embodiment of the electrolytic coating dicing shown in FIG. 8 is used, the coating liquid 3 can be coated on the semiconductor device 1 even with an electrolytic type coating liquid.
10 is an example of the electroless coat dicing of FIG. 9.

図９のように、コートマスク４を貼付した半導体ウェハをダイシングテープ６に貼付し、さらに、コート液３内でダイシングブレード５により、個片化しながら半導体装置１の側面および半導体装置電極面側に少なくとも半導体装置電極１１に到らない箇所にコート液３を図１のようにコーティングする。ここでは、無電解タイプのコート液であるので導電する必要が無く、半導体装置材料と結合しやすいコート液を用いることによって、コート液３を半導体装置１の所望部位にコーティングすることができる。なお、個片化しながらコート液をコーティングしなくても、コート液３中でダイシングせずに個片化した後に個辺化した半導体チップをコート液３に浸してコート液３をコーティングしても構わない。 As shown in FIG. 9, the semiconductor wafer with the coat mask 4 attached is attached to the dicing tape 6, and further separated into individual pieces by the dicing blade 5 in the coating liquid 3 on the side surface of the semiconductor device 1 and the semiconductor device electrode surface side. The coating liquid 3 is coated on at least a portion not reaching the semiconductor device electrode 11 as shown in FIG. Here, since it is an electroless type coating liquid, it is not necessary to conduct electricity, and the coating liquid 3 can be coated on a desired portion of the semiconductor device 1 by using a coating liquid that is easily bonded to the semiconductor device material. Even if the coating liquid is not coated while being singulated, the coating liquid 3 may be coated by immersing the separated semiconductor chip in the coating liquid 3 after being singulated without being diced in the coating liquid 3. I do not care.

この図９の無電解コートダイシングの１実施例を使えば、無電解コート液であれば半導体装置１にコート液３をコーティングすることができる。
ここで、以上の説明で用いたコート液を構成する材料はメッキ可能な金属系材料を用いることができる。 If one embodiment of the electroless coating dicing of FIG. 9 is used, the coating liquid 3 can be coated on the semiconductor device 1 as long as it is an electroless coating liquid.
Here, as the material constituting the coating liquid used in the above description, a metal material that can be plated can be used.

図１０は本発明の熱硬化性樹脂コートダイシングを説明する図である。
図１０のように、コートマスク４を貼付した半導体ウェハをダイシングテープ６に貼付し、さらに、コート液３内でダイシングブレード５により、個片化しながら半導体装置１の側面および半導体装置電極面側に少なくとも半導体装置電極１１に到らない箇所にコート液３を図１のようにコーティングする。ここでは、熱硬化性樹脂タイプのコート液であるので導電する必要が無く、半導体装置１のダイシングブレード５による個片化時に発生する切断加工発熱１０によって、コート液３を半導体装置１の所望部位にコーティングすることができる。このように切断加工発熱を用いることにより、熱硬化性樹脂コート液であれば半導体装置１にコート液３をコーティングすることができる。なお、本実施形態での熱硬化性樹脂としてはエポキシ系樹脂を使用し、切断加工発熱１０は１８０℃以上であった。 FIG. 10 is a diagram for explaining the thermosetting resin coat dicing of the present invention.
As shown in FIG. 10, the semiconductor wafer with the coat mask 4 attached is attached to the dicing tape 6, and is further separated into the side surfaces of the semiconductor device 1 and the semiconductor device electrode surface side by the dicing blade 5 in the coating solution 3. The coating liquid 3 is coated on at least a portion not reaching the semiconductor device electrode 11 as shown in FIG. Here, since it is a thermosetting resin type coating liquid, it is not necessary to conduct electricity, and the coating liquid 3 is applied to the desired portion of the semiconductor device 1 by the cutting heat generation 10 generated when the semiconductor device 1 is separated into pieces by the dicing blade 5. Can be coated. Thus, by using the cutting heat generation, the semiconductor device 1 can be coated with the coating solution 3 as long as it is a thermosetting resin coating solution. In this embodiment, an epoxy resin is used as the thermosetting resin, and the heat generated by the cutting process 10 is 180 ° C. or higher.

以上の本実施形態での条件としては、個片化時のダイシング条件はカット速度１〜２００ｍｍ／ｓｅｃ、回転数２万〜６万ｒｐｍであり、ダイシングブレードとして砥粒はダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、ＧＣ、Ａ、ＷＡ等の材質で、ダイシングブレードボンドは電着、電鋳等のニッケル等の金属をメッキしたもの、またはフリット、セラミック等を焼結したビトリファイド、またはフェノールレジン等の熱硬化性樹脂を焼結したレジン、または銅、すず等の各種メタルを用い焼結したメタル、等の材質で、さらに、ダイシングテープ接着剤はアクリル系、シリコン系、またはフェノール系またはエポキシ系等を主成分とする接着剤であった。 As the conditions in this embodiment, the dicing conditions at the time of singulation are a cutting speed of 1 to 200 mm / sec and a rotational speed of 20,000 to 60,000 rpm, and the abrasive grains are diamond and cubic boron nitride as a dicing blade. , GC, A, WA, etc., dicing blade bond is plated with metal such as nickel, such as electrodeposition, electroforming, vitrified, sintered frit, ceramic, etc., or thermosetting such as phenol resin Resin sintered resin, or metal sintered using various metals such as copper and tin, and dicing tape adhesives are mainly acrylic, silicone, phenolic or epoxy. It was an adhesive.

また、コートマスクの外形もしくはコートマスク平面内を任意の形状に作製することで、コート液を半導体装置に上記コートマスク形状を転写し、任意の形状のコーティングした半導体装置を製造することができる。この半導体装置と半導体装置の製造方法によれば、コートマスクを任意の所望する形状に作製するのみで、半導体装置表面に任意のコーティングをした形状を作製でき、例えば導電性コート液を使えばコーティング形状を配線などに応用でき、付加価値の高い品質の安定した半導体装置が提供できる。 In addition, by forming the outer shape of the coat mask or the inner surface of the coat mask into an arbitrary shape, the coated mask shape can be transferred to the semiconductor device, and a coated semiconductor device having an arbitrary shape can be manufactured. According to the semiconductor device and the method for manufacturing the semiconductor device, it is possible to produce a shape in which an arbitrary coating is formed on the surface of the semiconductor device only by producing a coat mask in any desired shape. The shape can be applied to wiring and the like, and a stable semiconductor device with high added value and quality can be provided.

さらに、コート液として、半導体装置と同一の材料、または、異種の材料を適宜使用でき、半導体装置の異種の材料において、メッキであれば金属系、樹脂コートであれば熱硬化性樹脂などと工法の選択幅が広がる。 Further, as the coating liquid, the same material as the semiconductor device or a different material can be used as appropriate. In the different material of the semiconductor device, a metal system is used for plating, and a thermosetting resin is used for resin coating. The range of choices expands.

本発明は、ダイシングの際に半導体装置の品質の劣化を防ぐことを可能とし、半導体装置および半導体装置の製造方法等に有用である。 The present invention makes it possible to prevent deterioration of the quality of a semiconductor device during dicing, and is useful for a semiconductor device, a method for manufacturing a semiconductor device, and the like.

本発明の半導体装置の底面側に到らないコート部を有するコート半導体装置を示す図The figure which shows the coat | court semiconductor device which has a coat part which does not reach the bottom face side of the semiconductor device of this invention 本発明の半導体装置の底面側にまでコート部を有するコート半導体装置を示す図The figure which shows the coat | court semiconductor device which has a coat part to the bottom face side of the semiconductor device of this invention 本発明のコート半導体装置の製造方法を示すフロー図The flowchart which shows the manufacturing method of the coat semiconductor device of this invention 本発明のコート半導体装置の製造方法を示すフロー図The flowchart which shows the manufacturing method of the coat semiconductor device of this invention 本発明のコートダイシングを説明する図The figure explaining the coat dicing of this invention 本発明の半導体装置固定治具を用いたコートダイシングを説明する図The figure explaining the coat dicing using the semiconductor device fixing jig of the present invention 本発明の第１の電解コートダイシングを説明する図The figure explaining the 1st electrolytic coating dicing of this invention 本発明の第２の電解コートダイシングを説明する図The figure explaining the 2nd electrolytic-coat dicing of this invention 本発明の無電解コートダイシングを説明する図The figure explaining the electroless coat dicing of this invention 本発明の熱硬化性樹脂コートダイシングを説明する図The figure explaining the thermosetting resin coat dicing of this invention 従来の半導体装置を示す図The figure which shows the conventional semiconductor device 従来の半導体装置の製造方法を示す図The figure which shows the manufacturing method of the conventional semiconductor device

Explanation of symbols

１半導体装置
２コート部
３コート液
４コートマスク
５ダイシングブレード
６ダイシングテープ
７半導体装置固定治具
８コート電源
９導電性コート液層
１０切断加工発熱
１１半導体装置電極
１２半導体装置スクライブ部
１３半導体装置スクライブＰＣＭ
１０１チッピング
１０２メタルばり
１０３切削水 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor device 2 Coat part 3 Coat liquid 4 Coat mask 5 Dicing blade 6 Dicing tape 7 Semiconductor device fixing jig 8 Coat power supply 9 Conductive coating liquid layer 10 Cutting process heat generation 11 Semiconductor device electrode 12 Semiconductor device scribe part 13 Semiconductor device scribe PCM
101 Chipping 102 Metal beam 103 Cutting water

Claims

A semiconductor device comprising a plurality of electrodes,
What is claimed is: 1. A semiconductor device, comprising: a side surface of a semiconductor device; and a semiconductor device electrode surface side at least in a region that does not reach the semiconductor device electrode;

The semiconductor device according to claim 1, wherein the coat portion extends to a bottom surface side of the semiconductor device facing a semiconductor device electrode surface of the semiconductor device.

3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the material of the coating portion is a metal material that can be plated or a thermosetting resin material. 4.

A semiconductor device manufacturing method for manufacturing a semiconductor device by dicing a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor elements are formed in a scribe region,
Attaching a coat mask to the semiconductor device electrode surface of the semiconductor wafer;
Immersing the semiconductor wafer in a coating solution;
Forming a coat portion in a region not reaching the semiconductor device electrode at least on a side surface of the semiconductor device and a semiconductor device electrode surface side while dicing the semiconductor wafer;
And a step of removing the coat mask, wherein a coat portion is provided on a cut surface of the semiconductor device.

A semiconductor device manufacturing method for manufacturing a semiconductor device by dicing a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor elements are formed in a scribe region,
Attaching a coat mask to the semiconductor device electrode surface of the semiconductor wafer;
Dicing the semiconductor wafer;
A step of immersing a semiconductor chip that has been diced into individual pieces in a coating solution to form a coat portion in a region that does not reach at least the semiconductor device electrode on the side surface of the semiconductor device and the semiconductor device electrode surface side;
And a step of removing the coat mask, wherein a coat portion is provided on a cut surface of the semiconductor device.

A semiconductor device manufacturing method for manufacturing a semiconductor device by dicing a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor elements are formed in a scribe region,
Immersing the semiconductor wafer in a coating solution;
Forming a coat portion in a region not reaching the semiconductor device electrode at least on a side surface of the semiconductor device and a semiconductor device electrode surface side while dicing the semiconductor wafer;
And a coating part is provided on the cut surface of the semiconductor device.

A semiconductor device manufacturing method for manufacturing a semiconductor device by dicing a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor elements are formed in a scribe region,
Attaching a coat mask to the semiconductor device electrode surface of the semiconductor wafer;
Dicing the semiconductor wafer;
A step of immersing the semiconductor chip diced into individual pieces in a coating solution to form a coat portion on a side surface of the semiconductor device and a region not reaching the semiconductor device electrode on the semiconductor device electrode surface side;
And a coating part is provided on the cut surface of the semiconductor device.

6. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein in the step of forming the coat portion, a dicing tape for bonding the semiconductor device is attached to the bottom surface of the semiconductor device.

In the step of forming the coat portion, the semiconductor device is fixed using a semiconductor device fixing jig that fixes the semiconductor device other than near the side surface of the bottom surface of the semiconductor device, and the formed coat portion is formed on the semiconductor device. 6. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein the method extends to a bottom surface side of the semiconductor device facing the electrode surface of the semiconductor device.

The coating liquid has conductivity, and the coating liquid component is attached to the semiconductor device to form a coating portion by electrically connecting the coating liquid and the semiconductor device to energize the coating liquid. A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 4 or 5.

The coating liquid has conductivity, and a coating portion is formed by attaching a coating liquid component to the semiconductor device by electrically connecting a dicing blade used for dicing and the semiconductor device to energize. A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 4.

6. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein the coating liquid is a coating liquid that is easily bonded to a semiconductor device material.

5. The coating liquid comprises a thermosetting resin as a component, the thermosetting resin is cured by heat generated by cutting during dicing, and the coating liquid component is attached to a semiconductor device to form a coat portion. The manufacturing method of the semiconductor device of description.

6. The semiconductor device according to claim 4, wherein a coat portion having an arbitrary shape is formed by forming an outer shape of the coat mask or an inner surface of the coat mask into an arbitrary shape. Method.