JP2005174599A - Wafer holder and electron microscope device - Google Patents
Wafer holder and electron microscope device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005174599A JP2005174599A JP2003409235A JP2003409235A JP2005174599A JP 2005174599 A JP2005174599 A JP 2005174599A JP 2003409235 A JP2003409235 A JP 2003409235A JP 2003409235 A JP2003409235 A JP 2003409235A JP 2005174599 A JP2005174599 A JP 2005174599A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- damping
- seat
- damping seat
- seats
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
Description
本発明は半導体素子製造分野で使用して好適な検査観察用の電子顕微鏡用に関し、特に電子顕微鏡用ウエハホルダに関する。 The present invention relates to an inspection electron microscope suitable for use in the field of manufacturing semiconductor devices, and more particularly to an electron microscope wafer holder.
電子顕微鏡装置は光学式顕微鏡と比較して高い倍率を有するため、観察中に試料が振動すると、画像にブレ等が生じ分解能が低下する。特に半導体素子製造分野にて使用される検査観察用の電子顕微鏡装置では、厚さ数百マイクロメートル程度の薄い円盤状のウエハが観察対象となる。半導体用ウエハは、面積に比して厚さが薄いため、面と垂直な方向に変形及び振動し易い。 Since the electron microscope apparatus has a higher magnification than the optical microscope, if the sample vibrates during observation, the image is blurred and the resolution is lowered. In particular, in an electron microscope apparatus for inspection and observation used in the semiconductor element manufacturing field, a thin disk-shaped wafer having a thickness of about several hundred micrometers is an object to be observed. Since the semiconductor wafer is thinner than the area, it is easily deformed and vibrated in a direction perpendicular to the surface.
近年、生産効率の向上のため半導体用ウエハは大径化が進行しており、最新の製造ラインでは直径300ミリメートルのウエハが使用されている。このように大径化したウエハの場合でも、厚みはあまり増加していない。そのため、ウエハの曲がり、すなわちベンドによる振動が生じ易い傾向がある。
ウエハホルダの例として、下記の特許文献1、2に記載された例が知られている。
In recent years, the diameter of semiconductor wafers has been increasing in order to improve production efficiency, and wafers having a diameter of 300 mm are used in the latest production lines. Even in the case of a wafer having such a large diameter, the thickness has not increased much. For this reason, the wafer tends to bend, that is, bend-induced vibrations easily.
As examples of the wafer holder, examples described in
電子顕微鏡により半導体素子のパターン側壁などを仔細に観察しようとする場合に、電子線をウエハに対して傾斜方向から入射させる必要がある。そのために、傾斜ステージや傾斜ビーム等の傾斜観察機能を備えた電子顕微鏡が用いられる。傾斜観察機能を備えた電子顕微鏡では、ウエハの振動によって画像に乱れが生ずる。 When it is intended to closely observe a pattern side wall of a semiconductor element with an electron microscope, it is necessary to make an electron beam incident on the wafer from an inclined direction. For this purpose, an electron microscope having an inclination observation function such as an inclination stage and an inclination beam is used. In an electron microscope having a tilt observation function, the image is disturbed by the vibration of the wafer.
図3を参照してウエハのベンド振動と画像の乱れの関係を説明する。図3(A)に示すように、電子線31をウエハの表面に対して垂直に入射させた場合には、ウエハ振動によって直接的に画像振動は生じないが、図3(B)のように電子線31をウエハの表面に対して傾斜した方向から入射させた場合には、ウエハの振動によって画像振動が生ずる。半導体ウエハ観察用の電子顕微鏡の画像分解能は通常数ナノメートル程度であるため、極めて僅かなウエハの振動によっても有害な画像の乱れが生ずる。これが傾斜観察機能を備えた電子顕微鏡における課題となっている。
The relationship between wafer bend vibration and image disturbance will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 3A, when the
ウエハ観察用の電子顕微鏡において、ウエハの振動を防止するためのウエハホルダが提案されている。例えば、特開2002−42708号公報には、静電チャックを使用する方法が記載されている。静電チャックでは、ウエハ裏面が静電吸着力によりチャック面全面に密着するため、ウエハの湾曲又は振動を効果的に低減することができる。 In an electron microscope for wafer observation, a wafer holder for preventing wafer vibration has been proposed. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-42708 describes a method using an electrostatic chuck. In the electrostatic chuck, since the back surface of the wafer is in close contact with the entire surface of the chuck surface by electrostatic attraction force, the curvature or vibration of the wafer can be effectively reduced.
しかしながら、静電チャックを使用すると、ウエハ裏面に付着した異物がチャックにより保持され、次の製造プロセスに搬入される。ウエハ裏面に付着した異物は、次の製造工程にて、表面に回りこむことがあり、製品不良の原因となると考えられている。従って、近年はウエハ裏面に異物が付着することを極力回避することが必要になっている。 However, when the electrostatic chuck is used, the foreign matter attached to the back surface of the wafer is held by the chuck and is carried into the next manufacturing process. It is considered that the foreign matter adhering to the back surface of the wafer may wrap around the surface in the next manufacturing process, causing a product defect. Therefore, in recent years, it has been necessary to avoid as much as possible foreign matter adhering to the back surface of the wafer.
本発明の目的は、ウエハの振動を効果的に低減し、しかも、異物付着等の問題のないウエハホルダを実現することにある。 An object of the present invention is to realize a wafer holder that effectively reduces the vibration of the wafer and has no problems such as adhesion of foreign matter.
本発明によると、ウエハを支持する支持座のうち少なくとも3個を剛性の高い固定座とし、他の支持座を高減衰材料を用いた減衰座とする。 According to the present invention, at least three of the support seats that support the wafer are fixed rigid seats, and the other support seats are damping seats using a high damping material.
また、本発明では減衰座として、樹脂材料の薄板を使用し、ウエハ裏面との接触部を上下方向に弾性的に移動可能に支持する構造を用いる。 Further, in the present invention, a thin plate made of a resin material is used as the damping seat, and a structure that supports the contact portion with the back surface of the wafer so as to be elastically movable in the vertical direction is used.
本発明によれば、ウエハを正確な位置に保持しつつ高減衰化が可能であるためウエハの振動を効果的に防止する。ウエハ裏面への接触面積を極力小さくして異物の付着を回避することができる。 According to the present invention, since the attenuation can be increased while holding the wafer in an accurate position, the vibration of the wafer is effectively prevented. The contact area to the back surface of the wafer can be made as small as possible to avoid adhesion of foreign matters.
図1は本発明のウエハホルダ20の1例を示す斜視図、図2は図1に示したウエハホルダ20にウエハ1を装着した状態を示す斜視図である。本例のウエハホルダ20は、電子顕微鏡の試料移動プレートにて使用して好適である。本例のウエハホルダ20はプレート2とプレート2上に設けられた2個の固定ピン3、1個の可動ピン4、6個の固定座5−1、5−2、5−3、5−4、5−5、5−6及び3個の減衰座6を有する。図2に示すように、ウエハ1は2個の固定ピン3と1個の可動ピン4によって横方向の移動が阻止され、6個の固定座5−1、5−2、5−3、5−4、5−5、5−6によって厚さ方向の支持位置が決められる。更に、3個の減衰座6によってウエハ1のベンド振動が減衰される。
FIG. 1 is a perspective view showing an example of a
固定ピン3と可動ピン4は、ウエハ1の外周部の位置に適当な数だけ設けられる。図示の例では、2個の固定ピン3と1個の可動ピン4が設けられているが、これより多い個数であってもよい。
An appropriate number of fixed
6個の固定座のうち3個の固定座5−4、5−5、5−6はウエハ1の外周部の位置に設けられ、他の3個の固定座5−1、5−2、5−3は、固定ピン3及び可動ピン4より半径方向内側に同一円周上に配置される。固定座5は少なくとも3個あればよい。
Of the six fixed seats, three fixed seats 5-4, 5-5, and 5-6 are provided at the outer peripheral portion of the
減衰座6は好ましくは固定座5−1〜5−6より半径方向内側に同一円周上に配置される。減衰座6は少なくとも1個あればよい。しかしながら、減衰座6を中央部に1つだけ設けると、ウエハ中心部の上下動を主体とする最低次の共振モードの低減には有効だが、ウエハ中心の上下動を伴わない高次のベンド共振には効果が少なくなる。このため本例では減衰座6をウエハ中心からやや離して3つ設け、ウエハの高次の共振も有効に減衰させる構成としている。
The
6個の固定座5−1〜5−6は、その上面が全て同一高さとなるように装着されている。同様に、3個の減衰座6は、その上端が全て同一高さとなるように装着されている。しかしながら、減衰座6の上端は、固定座5−1〜5−6の上面より僅かに高い位置に配置される。ウエハが固定座5−1〜5−6によって支持されているとき、減衰座6は弾性変形した状態でウエハを支持する。
The six fixed seats 5-1 to 5-6 are mounted such that their upper surfaces are all at the same height. Similarly, the three damping
ウエハ1を安定的に支持するためには、固定ピン3、可動ピン4、固定座5−1〜5−6等の固定的な支持座の個数を増やせばよい。ウエハ1の振動を有効に防止するためには減衰座6の個数を増やせばよい。しかしながら、各種のプロセスを経たウエハは、残留応力により反りを有する場合がある。従って、支持座及び減衰座の個数を増やしても全ての支持座及び減衰座がウエハに接触するとは限らない。従って、支持座及び減衰座の個数を増やしすぎても意味がない。
In order to stably support the
以下に、減衰座6の減衰特性について詳細に説明する。一般に、振動を低減するには減衰を与えることが有効であることが知られている。ウエハの振動を低減するためには、ウエハを支持する支持座に高減衰特性を付与すればよい。しかし、そもそも減衰とは材料の内部摩擦等により振動のエネルギが熱エネルギに変換される現象である。したがって、支持座に高減衰特性を付与するには、支持座の材質又は構造を、剛性が低く変形し易いように選択すればよい。しかしながら、支持座が変形し易いと、ウエハを安定的に支持することができない。
Hereinafter, the damping characteristic of the
本例では、固定座5によってウエハを厚さ方向に支持し、減衰座6によってウエハのベンド振動を減衰させる。本例のように固定座と減衰座を用いてウエハを支持する場合の、減衰座の最適な減衰特性について以下に考察する。
In this example, the wafer is supported in the thickness direction by the fixed seat 5, and the bend vibration of the wafer is damped by the
図4は周辺を固定したウエハの中央部に減衰座を当てた場合の、ウエハ振動の減衰係数の変動を計算した結果を示すグラフである。図中、ηはウエハ振動の振動系全体の減衰係数、ηcは減衰座の減衰係数、kcは減衰座のウエハ支持部の縦方向のばね定数、kwは周辺を固定したウエハの中央部に上下方向の力を加えた場合の、ウエハのベンドによる中央部の変位に関するばね定数である。グラフ51の縦軸は減衰係数の比η/ηc、横軸はばね定数の比kc/kwである。減衰係数の比η/ηcは、ばね定数の比kc/kwの増加に応じて上昇して極大となった後、減少する特性となる。
FIG. 4 is a graph showing the result of calculating the variation of the damping coefficient of the wafer vibration when the damping seat is applied to the central portion of the wafer whose periphery is fixed. In the figure, η is the damping coefficient of the entire vibration system of the wafer vibration, ηc is the damping coefficient of the damping seat, kc is the vertical spring constant of the wafer support portion of the damping seat, and kw is up and down at the center of the wafer with the periphery fixed. This is a spring constant related to the displacement of the central portion due to the bend of the wafer when a directional force is applied. The vertical axis of the
このような中央部が高い特性となるのは以下の理由による。
(1)減衰座のばね定数がウエハのベンドのばね定数に比較して小さい領域(kc/kw=0.1〜1)では、ウエハ振動に従って減衰座が変形し、減衰座の変形によって振動エネルギが吸収され、減衰作用が働く。但し、減衰座のばね定数が小さいほどウエハと減衰座の間に働く力は小さく、振動エネルギの伝達量は小さくなるため、振動系全体としての減衰は小さくなる。
(2)減衰座のばね定数がウエハベンドのばね定数に比較して数倍以上となる領域(kc/kw=5〜100)では、ウエハ振動に伴ってウエハと減衰座の間に働く力は大きくなるが、減衰座が硬いため変形しにくく、ウエハは減衰座に接触していない部分で大きく変形することになる。このため減衰座のばね定数が大きいほど、減衰座による振動エネルギの吸収はかえって小さくなる。
(3)結局、減衰座のばね定数がウエハベンドのばね定数に比較して数倍となる領域(kc/kw=1〜5:ハッチング領域52)では、減衰座によってウエハ振動が有効に減衰する。従って、ばね定数の比が1から5までとなるように減衰座のばね定数を決めるのが良い。
The reason why such a central portion has high characteristics is as follows.
(1) In a region where the spring constant of the damping seat is smaller than the spring constant of the bend of the wafer (kc / kw = 0.1-1), the damping seat is deformed according to the wafer vibration, and vibration energy is generated by the deformation of the damping seat. Is absorbed and a damping action works. However, the smaller the spring constant of the damping seat, the smaller the force acting between the wafer and the damping seat, and the smaller the amount of vibration energy transmitted, the smaller the damping of the entire vibration system.
(2) In the region (kc / kw = 5 to 100) in which the spring constant of the damping seat is several times or more than the spring constant of the wafer bend, the force acting between the wafer and the damping seat is large due to wafer vibration. However, since the damping seat is hard, it is difficult to be deformed, and the wafer is greatly deformed at a portion not in contact with the damping seat. For this reason, the larger the spring constant of the damping seat, the smaller the absorption of vibration energy by the damping seat.
(3) Eventually, in the region where the spring constant of the damping seat is several times that of the wafer bend (kc / kw = 1-5: hatched region 52), the wafer vibration is effectively damped by the damping seat. Therefore, it is preferable to determine the spring constant of the damping seat so that the ratio of the spring constant is 1 to 5.
周辺を固定した直径300ミリメートルのシリコンウエハの場合、上述のばね定数kwはおよそ16ニュートン/ミリメートル程度である。そこで、上述の減衰座のばね定数kcを16ニュートン/ミリメートルから80ニュートン/ミリメートルとすればよい。尚、複数個の減衰座を設ける場合には、この値を減衰座の個数で割った値が、各減衰座のばね定数となる。こうして本例では、ウエハベンドのばね定数kwに対する減衰座のばね定数kcの比をkc/kw=1〜5とすることにより、減衰座の最適な減衰特性を得ることができる。 In the case of a silicon wafer having a diameter of 300 mm and a fixed periphery, the above-described spring constant kw is about 16 Newton / mm. Therefore, the spring constant kc of the damping seat may be set to 16 Newton / mm to 80 Newton / mm. When a plurality of damping seats are provided, the value obtained by dividing this value by the number of damping seats is the spring constant of each damping seat. Thus, in this example, the optimum damping characteristic of the damping seat can be obtained by setting the ratio of the spring constant kc of the damping seat to the spring constant kw of the wafer bend to kc / kw = 1-5.
図5は本発明による減衰座の第1の例を示す。本例の減衰座6は、薄板41と取り付けブロック42からなる。薄板41はU字形に曲げられ、その両端は、取り付けブロック42の両端面に接続されている。U字形の先端部分がウエハとの接触するウエハ接触部11を構成する。取り付けブロック42は、図示しないねじ又はボルトによってプレート2に取り付けられてよい。減衰座6は図示のようにプレート2に設けた凹部2Aに配置されてよい。
FIG. 5 shows a first example of a damping seat according to the invention. The damping
薄板41は、厚さが0.1ミリメートルから0.2ミリメートルの樹脂製薄板からなる。薄板41の材料は、異物の付着又は発生が少ない樹脂であればどのようなものであってもよく、ナイロン、ポリエチレン樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等であってよい。しかしながら、好ましくはフッ素樹脂が使用される。
The
こうしてU字形に曲げられた薄板を用いるため、上述のようにばね定数の比がkc/kw=1〜5となる減衰座を容易に実現することができる。例えば、各減衰座のウエハ接触部11を下向きに押した場合のばね定数が、およそ10ニュートン/ミリメートルとなるように寸法を定める。6個の減衰座のばね定数は、およそ60ニュートン/ミリメートルとなる。
Since a thin plate bent in a U shape is used in this way, a damping seat with a spring constant ratio of kc / kw = 1 to 5 can be easily realized as described above. For example, the dimensions are determined so that the spring constant when the
本例では、減衰座6のウエハ接触部11が円筒面状となっており、ウエハ裏面との接触面積が小さい。上述のように、減衰座6の上端は固定座5の上面より僅かに高い位置に配置され、ウエハをウエハホルダに支持すると、減衰座6のウエハ接着部11は弾性変形した状態でウエハ裏面と接触する。この接触面積は小さいから、ウエハ裏面への異物付着や汚染の可能性は小さい。
In this example, the
図6は本発明による減衰座6の他の例を示す。本例の減衰座6は、ウエハ接触部11、薄板41および2つの取り付けブロック42を有し、これらは略コの字形の一体構造に形成されている。本例の減衰座の材料は、図5の減衰座の第1の例の材料と同様であってよい。本例でも、ウエハ接触部11は円筒面を有する。2つの取り付けブロック42は、図示しないねじ又はボルトによってプレート2に取り付けられてよい。減衰座6は図5Aに示した例と同様に、プレート2に設けた凹部に配置されてよい。
FIG. 6 shows another example of the damping
なお、上述の減衰座の第1及び第2の例では、いずれも薄板41の両端を固定した構造となっている。しかしながら、薄板を片持ちで固定した構造であってもよい。片持ち構造の場合、製造工程が少ない、使用する材料が少ない等の利点があるが、薄板41が上からの力で変形した場合に、同時にウエハ接触部11は横方向へ変位する可能性がある。従って、ウエハ裏面との接触が不安定となる欠点がある。
In the first and second examples of the damping seat described above, both ends of the
図7を参照して本発明のウエハホルダの他の例を説明する。本例のウエハホルダは、図1に示した第1の例と比較して、3個の固定座5−4、5−5、5−6の代わりに3個の減衰座6−1、6−2、6−3が設けられている点が異なり、他の構成は同様であってよい。即ち、本例のウエハホルダは、プレート2とプレート2上に設けられた2個の固定ピン3、1個の可動ピン4、3個の固定座5−1、5−2、5−3及び6個の減衰座6−1、6−2、6−3、6、6、6を有する。2個の固定ピン3、1個の可動ピン4は、ウエハ1の外周部の位置に設けられる。3個の減衰座6−1、6−2、6−3は、ウエハ1の外周部の位置に同一円周上に設けられる。3個の固定座5−1、5−2、5−3は、図1の例と同様に、固定ピン3及び可動ピン4より、半径方向内側に同一円周上に設けられる。3個の減衰座6は、図1の例と同様に、更に半径方向内側に同一円周上に設けられる。
Another example of the wafer holder of the present invention will be described with reference to FIG. Compared with the first example shown in FIG. 1, the wafer holder of this example has three damping seats 6-1, 6-6 instead of the three fixing seats 5-4, 5-5, 5-6. 2 and 6-3 are different, and other configurations may be the same. That is, the wafer holder of this example includes a
本例のウエハホルダは、基本的に図1に示した例と同様な機能および効果を有するが、減衰座の数が多いためより大きな減衰が得られる。ウエハに反りがあっても安定的に支持することができるが、ウエハの上下方向の剛性が低下するため、最低次の共振周波数もやや低くなる。 The wafer holder of this example basically has the same functions and effects as those of the example shown in FIG. 1, but a larger attenuation can be obtained because of the large number of attenuation seats. Even if the wafer is warped, it can be stably supported, but since the rigidity in the vertical direction of the wafer is lowered, the lowest-order resonance frequency is also slightly lowered.
本例では、図1に示した第1の例と比較して、3個の固定座5−4、5−5、5−6の代わりに3個の減衰座6−1、6−2、6−3を設けたため、固定的な支持座及び減衰座の総数は増加していない。従って、上述のように、ウエハ1に反りがあっても、ウエハに接触しない支持座又は減衰座が存在する可能性は少ない。
In this example, compared to the first example shown in FIG. 1, three damping seats 6-1, 6-2, instead of the three fixing seats 5-4, 5-5, 5-6, 6-3 is provided, the total number of fixed support seats and damping seats has not increased. Therefore, as described above, even if the
図8は本発明によるウエハホルダを備えた傾斜機能付電子顕微鏡の例を示す。本例の電子顕微鏡は、電子光学系カラム21、真空チャンバ22、ローダ23、傾斜プレート24、X移動プレート25、及びY移動プレート26を有する。Y移動プレート26上にウエハ1を支持するウエハホルダ20が設けられている。図示のように、ウエハ1は、電子光学系カラム21の光軸に対して傾斜している。
FIG. 8 shows an example of an electron microscope with a tilt function equipped with a wafer holder according to the present invention. The electron microscope of this example includes an electron
本発明の電子顕微鏡によると、ウエハの振動を低減できるため、高分解能の傾斜観察が実現でき、半導体微細パターンの観察に好適である。 According to the electron microscope of the present invention, since the vibration of the wafer can be reduced, tilt observation with high resolution can be realized, which is suitable for observation of a semiconductor fine pattern.
以上本発明の例を説明したが本発明は上述の例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲にて様々な変更が可能であることは当業者に理解されよう。 The example of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above-described example, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications can be made within the scope of the invention described in the claims. Like.
1…ウエハ、2…プレート、3…固定ピン、4…可動ピン、5−1〜5−6…固定座、6、6−1〜6−3…減衰座、11…ウエハ接触部、20…ウエハホルダ、21…電子光学系カラム、22…真空チャンバ、23…ローダ、24…傾斜プレート、25…X移動プレート、26…Y移動プレート、31…電子線、41…薄板、42…取り付けブロック
DESCRIPTION OF
Claims (7)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003409235A JP4347676B2 (en) | 2003-12-08 | 2003-12-08 | Wafer holder and electron microscope apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003409235A JP4347676B2 (en) | 2003-12-08 | 2003-12-08 | Wafer holder and electron microscope apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005174599A true JP2005174599A (en) | 2005-06-30 |
JP4347676B2 JP4347676B2 (en) | 2009-10-21 |
Family
ID=34730682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003409235A Expired - Fee Related JP4347676B2 (en) | 2003-12-08 | 2003-12-08 | Wafer holder and electron microscope apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4347676B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007281254A (en) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Tokyo Electron Ltd | Substrate support and substrate transfer mechanism |
-
2003
- 2003-12-08 JP JP2003409235A patent/JP4347676B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007281254A (en) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Tokyo Electron Ltd | Substrate support and substrate transfer mechanism |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4347676B2 (en) | 2009-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20190385971A1 (en) | Bonding apparatus and bonding system | |
JP4936934B2 (en) | Stage mechanism, electron microscope equipped with the same, and stage mechanism positioning control method | |
US6359679B1 (en) | Positioning device, exposure device, and device manufacturing method | |
US6266133B1 (en) | Stage device, an exposure apparatus and a device manufacturing method using the same | |
US8416386B2 (en) | Conforming seats for clamps used in mounting an optical element, and optical systems comprising same | |
JPH0690005B2 (en) | Scanning tunnel effect microscope | |
JP4298078B2 (en) | Substrate adsorption holding device, exposure apparatus using the substrate adsorption holding device, and device manufacturing method | |
JP4347676B2 (en) | Wafer holder and electron microscope apparatus | |
JP5350139B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
JP4449299B2 (en) | Substrate holder, substrate tray, stage device, exposure device | |
JP2009505411A (en) | Objective for immersion lithography | |
JP4086651B2 (en) | Exposure apparatus and substrate holding apparatus | |
US6767696B2 (en) | Scanning tip and process for its production and use, particularly for a scanning probe microscope | |
TWI277134B (en) | Planar stage apparatus | |
JPH11149029A (en) | Device and method for supporting lens and projection aligner | |
TWI834624B (en) | Z-position motion stage for use in a scanning probe microscopy system, scan head and method of manufacturing | |
KR101151136B1 (en) | Scanner for scanning probe microscope | |
JP3040775B1 (en) | Transfer mask, mask holding device, and mask holding structure | |
JP2002367553A (en) | Sample stage | |
US20230369095A1 (en) | Substrate holder and method for producing a substrate holder for bonding | |
JP2006049747A (en) | Semiconductor substrate processing apparatus and semiconductor manufacturing method | |
WO2019070120A1 (en) | Z-position motion stage for use in a scanning probe microscopy system, scan head and method of manufacturing | |
JP4366115B2 (en) | Wafer holder and electron microscope | |
JP7445522B2 (en) | Stage device and charged particle beam device | |
JP2015191751A (en) | Active brake, sample stage with active brake, and charge particle device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060320 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081023 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081028 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090421 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090622 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090714 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090716 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120724 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130724 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |