JP2005167506A - Buffer control device and control device - Google Patents

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尚久 神澤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To avoid the steady deterioration of transmission quality regarding a buffer control device and a control device for passing an ATM cell to an STM network as a row of frames. <P>SOLUTION: The buffer control device comprises a writing means for cyclically writing cell content to the storage region of a buffer memory individually corresponding to the destination information of a cell that is given successively via the ATM network, and a reading means for reading the content in the storage region for passing to the STM network as an STM signal. The writing means is composed by setting a succeeding storage region to be written to a storage region in which the separation becomes the range, when the separation between the storage region for writing at the storage region corresponding to the destination information and the storage region read by a reading means is within a prescribed range for each destination information. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、ATM網から与えられたセルを取り込み、そのセルの内容がこのセルの宛先に対応するタイムスロットに配置されたフレームの列としてSTM網に引き渡すバッファ制御装置および制御装置に関する。   The present invention relates to a buffer control device and a control device that take in a cell given from an ATM network and deliver the content of the cell to a STM network as a sequence of frames arranged in a time slot corresponding to the destination of the cell.

近年、第二世代の移動通信システムは、加入者の数の著しい増加に起因して逼迫状況にあるために、IMT2000等への移行や統合が進められている。また、IMT2000のような第三世代の移動通信システムでは、音声系だけではなく、多様なデータ系のメディアの統合的な交換および伝送の実現に適したATM交換方式がSTM交換方式に代えて適用され、これらのSTM網とATM網との網間インタフェースが図られる。   In recent years, second-generation mobile communication systems are in a tight situation due to a significant increase in the number of subscribers, and therefore migration and integration to IMT2000 and the like have been promoted. In addition, in a third generation mobile communication system such as IMT2000, an ATM exchange system suitable for realizing an integrated exchange and transmission of not only a voice system but also various data systems is applied instead of the STM exchange system. Thus, an inter-network interface between these STM network and ATM network is achieved.

図5は、第三世代の移動通信システムの構成例を示す図である。
図において、単一または複数の端末20-1〜20-nは無線基地局21-1〜21-Nによって個別に形成される無線ゾーン22-1〜22-Nの何れかに位置し、これらの無線基地局21-1〜21-Nはそれぞれ通信リンク23-1〜23-Nを介して基地局制御局24に接続される。基地局制御局24は、下記の要素を含んで構成されるコアネットワーク30を介してインタネット41および公衆電話網42に接続される。
・ 通信リンクを介して基地局制御局24に接続され、かつATM交換方式が適用された移動体交換機31
・ 移動体交換機31の上位の階梯に相当し、かつATM交換方式が適用されると共に、上述したインタネット41に接続された関門交換機32
・ 関門交換機32の特定の方路と、STM網である公衆電話網42とに接続されたCLAD(Cell Assembler and Disassembler)33
なお、以下では、端末20-1〜20-nに共通の事項については、添え番号「1」〜「n」の何れにも該当し得ることを意味する添え文字「c」を符号「20」に付加して記述し、かつ無線基地局21-1〜21-Nに共通の事項については、添え番号「1」〜「N」の何れにも該当し得ることを意味する添え文字「C」を符号「21」に付加して記述する。
FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration example of a third generation mobile communication system.
In the figure, single or plural terminals 20-1 to 20-n are located in any one of radio zones 22-1 to 22-N individually formed by radio base stations 21-1 to 21-N. The radio base stations 21-1 to 21-N are connected to the base station control station 24 via communication links 23-1 to 23-N, respectively. The base station control station 24 is connected to the Internet 41 and the public telephone network 42 via a core network 30 including the following elements.
A mobile switch 31 that is connected to the base station control station 24 via a communication link and to which the ATM switching system is applied.
A gateway switch 32 that corresponds to the upper level of the mobile switch 31 and that uses the ATM switching system and is connected to the Internet 41 described above.
CLAD (Cell Assembler and Disassembler) 33 connected to a specific route of the gateway exchange 32 and a public telephone network 42 which is an STM network
In the following, for the matters common to the terminals 20-1 to 20-n, the subscript “c” indicating that it can correspond to any of the subscript numbers “1” to “n” is denoted by “20”. A supplementary character “C” which means that it can correspond to any one of the suffix numbers “1” to “N” for items common to the radio base stations 21-1 to 21-N. Is added to the code “21”.

このような構成の移動通信システムでは、端末20-cが位置する無線ゾーン22-Cを形成する無線基地局21-Cは、その端末20-cに生起した呼にかかわるチャネル制御を基地局制御局24の主導の下で行う。移動体交換機31はこのような基地局制御局24と連係することによって該当する呼の呼処理を行い、かつ関門交換機32はこの移動体交換機31およびCLAD33と適宜連係することによってその呼の関門交換を行う。   In the mobile communication system having such a configuration, the radio base station 21-C forming the radio zone 22-C in which the terminal 20-c is located controls the channel control related to the call generated in the terminal 20-c. Under the leadership of the station 24. The mobile switch 31 performs call processing for the corresponding call by coordinating with such a base station control station 24, and the gateway switch 32 switches the call by appropriately coordinating with the mobile switch 31 and the CLAD 33. I do.

これらの呼処理や関門交換の過程では、CLAD33は、下記の処理を行う。
・ 公衆電話網42からフレームの列として引き渡された信号(以下、「STM信号」という。)は、それぞれ所定の宛先に対応したタイムスロット毎にユーザデータが所定の形式で配置されており、CLAD33は、各ユーザデータをATMアドバンストレイヤ1(以下、「AAL1」という。)に準拠したセルの列に変換し、関門交換機32(既述の通りにATM交換方式が適用される。)に引き渡す。
・ 関門交換機32から引き渡され、かつ上述したAAL1に準拠したセルの列についても各々STM信号に変換し、STM信号として公衆電話網42に引き渡す。
In the process of these call processing and gateway exchange, the CLAD 33 performs the following processing.
A signal delivered from the public telephone network 42 as a frame sequence (hereinafter referred to as “STM signal”) has user data arranged in a predetermined format for each time slot corresponding to a predetermined destination, and CLAD 33 Each user data is converted into a cell string compliant with ATM advanced layer 1 (hereinafter referred to as “AAL1”) and transferred to the gateway exchange 32 (the ATM exchange system is applied as described above).
A cell sequence that is delivered from the gateway exchange 32 and that conforms to the above-described AAL1 is also converted into an STM signal and delivered to the public telephone network 42 as an STM signal.

また、公衆電話網42に引き渡されるSTM信号は、図5に示すようにCLAD33に備えられ、かつ縦続接続されたセル受信部33R、バッファメモリ33Bおよびフレーム送信部33Tによって下記の通りに生成される。
なお、以下では、このようなSTM信号の多重度は、「2048」であり、かつバッファメモリ33Bの記憶領域のサイズは、図6に示すように、524288(=256フレーム×2048)バイトである。
Further, the STM signal delivered to the public telephone network 42 is generated as follows by the cell receiving unit 33R, the buffer memory 33B and the frame transmitting unit 33T which are provided in the CLAD 33 and connected in cascade as shown in FIG. .
In the following, the multiplicity of such an STM signal is “2048”, and the size of the storage area of the buffer memory 33B is 524288 (= 256 frames × 2048) bytes as shown in FIG. .

関門交換機32は、AAL1に準拠したセル(以下、単に「セル」と表記する。)を一定の周期で順次出力する。
セル受信部33Rは、このようなセルが与えられる度に、そのセルのヘッダ情報に基づいてSTM回線の宛先のタイムスロットを特定し、かつバッファメモリ33Bの記憶領域の内、タイムスロット毎に時系列の順に割り付けられる書き込みアドレス(図7(1))で示される記憶領域に、ユーザデータをサイクリックに書き込む。
The gateway exchange 32 sequentially outputs cells compliant with AAL1 (hereinafter simply referred to as “cells”) at a constant cycle.
Each time such a cell is given, the cell receiving unit 33R specifies the time slot of the destination of the STM line based on the header information of the cell, and the hour for each time slot in the storage area of the buffer memory 33B. User data is cyclically written in the storage area indicated by the write address (FIG. 7 (1)) assigned in the order of the series.

フレーム送信部33Tは、バッファメモリ33Bの記憶領域の内、領域管理の下でサイクリックに与えられる読み出しポインタ(図7(2))で示され、かつSTM信号として示されるフレームに含まれる全てのタイムスロットに対応する記憶領域の内容を一定の速度(図7(3))で読み出し、これらの内容を順次STM信号に変換して公衆電話網42に引き渡す。   The frame transmission unit 33T includes, in the storage area of the buffer memory 33B, all of the frames indicated by the read pointer (FIG. 7 (2)) cyclically given under area management and included in the frame indicated as the STM signal. The contents of the storage area corresponding to the time slot are read at a constant speed (FIG. 7 (3)), and these contents are sequentially converted into STM signals and delivered to the public telephone network.

また、バッファメモリ33Bの記憶領域のサイズは、下記の条件が成立する値に予め設定される。
・ 関門交換機32および移動体交換機31に適用されたATM交換方式の下で保証される品質の範囲内で「セル間隔の揺らぎ」が補償される程度に大きい。
・ 音声系の通話信号について、伝送遅延による実時間性の低下が許容される程度に、何れの記憶領域の内容も書き込まれた時点から読み出される時点までに経過する時間の平均値Tが短くなる。
The size of the storage area of the buffer memory 33B is set in advance to a value that satisfies the following conditions.
The “cell interval fluctuation” is large enough to be compensated for within the quality guaranteed under the ATM switching system applied to the gateway switch 32 and the mobile switch 31.
-For voice-related speech signals, the average value T of the time that elapses between the time when the contents of any storage area are written and the time when they are read is shortened to the extent that the reduction in real time due to transmission delay is allowed. .

なお、このような平均値Tは、ATM網において所望の伝送品質が保証されるセル到着時間の揺らぎ(以下、「揺らぎ保証時間」という。)τ秒と、STM信号として生成されるフレームの周波数fとの積(=τ・f)に比例した値となり、例えば、その揺らぎ保証時間τが10ミリ秒であり、かつフレームの周波数fが8キロヘルツである場合には、STM網において時系列の順に連なる80(=10×10-3×8×103)フレーム分の時間(=10ミリ秒)となる。 Note that such an average value T is a cell arrival time fluctuation (hereinafter referred to as “fluctuation guarantee time”) τ seconds at which desired transmission quality is guaranteed in an ATM network, and a frequency of a frame generated as an STM signal. For example, when the fluctuation guarantee time τ is 10 milliseconds and the frame frequency f is 8 kilohertz, the time series in the STM network It is a time (= 10 milliseconds) for 80 (= 10 × 10 −3 × 8 × 10 3 ) frames successively connected.

したがって、例えば、後続するセルが単発的に10ミリ秒遅れて到着した場合であっても、バッファメモリ33Bの書き込みアドレスと読み出しアドレスとの差に不正常なオーバーフローあるいはアンダーフローが生じることがないので、フレーム送信部33Tは、このようにして遅れて到着したセルの全てを送信することができる。
なお、ATM網においてセルが損失し、あるいはセルが到着する順序が逆転することに対する対処は、ITU−TI363.1 APPENDIX IIIに規定されるFast algorithmに準拠した方法により、個々のセルのヘッダに含まれる順序番号SC (Sequence Counter)を監視することにより実現される。
Therefore, for example, even when a subsequent cell arrives with a delay of 10 milliseconds, an abnormal overflow or underflow does not occur in the difference between the write address and the read address of the buffer memory 33B. The frame transmitting unit 33T can transmit all of the cells that arrived late in this way.
In addition, measures against cell loss or reversal of cell arrival order in the ATM network are included in the header of each cell by a method compliant with Fast algorithm specified in ITU-TI363.1 APPENDIX III. This is realized by monitoring the sequence number SC (Sequence Counter).

すなわち、セル受信部33Rは、生起した呼のリンクが確立すると、下記の処理を行う。
・ 最初に受信されたセルを破棄し、同時にそのSCを記憶する。
・ 後続する2番目以降に受信したセルのSCが最初のセルのSCより1増加していることを確認し、かつバッファメモリ33Bの記憶領域の内、書き込みアドレスで示される記憶領域に、ユーザデータを格納する。
・ さらに、後続するセルについては、バッファメモリ33Bの記憶領域の内、先行するセルに含まれるユーザデータが格納された記憶領域のアドレスに後続する書き込みアドレスで示される記憶領域に、ユーザデータを格納し、かつ先行して書き込みが完了した2つのSCを保持する。
・ セルが損失し、あるいはセルが到着する順序が逆転したために、保持されているSCの増分が「2」以上となった場合は、その増分に等しい数のセルを無効化し、これらの無効化されたセルに代わるダミーデータを生成すると共に、さらに後続するセルのユーザデータについては、バッファメモリ33Bの記憶領域の内、このダミーデータが格納された記憶領域に後続する記憶領域に格納する。
That is, the cell receiving unit 33R performs the following process when the link of the call that has occurred is established.
Discard the first received cell and store the SC at the same time.
Confirm that the SC of the second and subsequent received cells is increased by 1 from the SC of the first cell, and the user data is stored in the storage area indicated by the write address in the storage area of the buffer memory 33B. Is stored.
-Further, for subsequent cells, user data is stored in a storage area indicated by a write address subsequent to the address of the storage area in which the user data included in the preceding cell is stored in the storage area of the buffer memory 33B. And two SCs for which writing has been completed in advance are held.
• If cells are lost or the order of arrival of cells is reversed and the retained SC increment is greater than or equal to “2”, invalidate a number of cells equal to that increment and invalidate them. In addition to generating dummy data in place of the cell, the user data of the subsequent cell is stored in the storage area of the buffer memory 33B subsequent to the storage area in which the dummy data is stored.

したがって、受信されるセルの揺らぎが伝送品質の劣化が許容される程度であれば、受信された有効なセルに含まれるユーザデータはすべて有効なフレームの列として公衆電話網42に引き渡され、かつATM網内におけるセルの損失や、セルの到着順序の逆転が生じた場合は、一時的に無効なSTMフレームが送信されるが、後続して正常な状態に復旧する。
特開平9−168277号公報(要約) 特開平10−200549号公報(要約) 特開2000−183914号公報(要約) 特開2001−16261号公報(要約)
Therefore, if the fluctuation of the received cell is such that the deterioration of the transmission quality is allowed, all the user data included in the received valid cell is delivered to the public telephone network 42 as a sequence of valid frames, and When cell loss in the ATM network or reversal of cell arrival order occurs, an invalid STM frame is temporarily transmitted, but subsequently recovered to a normal state.
JP-A-9-168277 (summary) Japanese Patent Laid-Open No. 10-200549 (summary) JP 2000-183914 A (summary) JP 2001-16261 A (summary)

ところで、上述した従来例では、関門交換機32によって与えられるセルの列は、第三世代の移動通信システムのようなシステムにおいては、音声系の呼の通話信号や、データ系の呼の伝送情報に限定されず、呼処理の手順に基づいて適宜伝送される下記の様々な信号に該当し得る。
・ 端末20-cによって指定されたダイヤル番号等を示し、かつ公衆電話網42の信号方式に適合したDTMF(Dual Tone Multi Frequency) 信号(レジスタ信号)
・ 公衆電話網42に送出されるアナウンスメントやリングバックトーン
さらに、このようなセルの列として与えられる信号は、何れも、移動体交換機31に備えられ、かつ非同期に作動する個別のハードウエア(以下、「音源」という。)によって与えられると共に、上述した呼処理の手順に基づいて適宜切り替えられる。
By the way, in the above-described conventional example, the cell sequence given by the gateway exchange 32 is used for a voice call signal or data call transmission information in a system such as a third generation mobile communication system. The present invention is not limited, and may correspond to the following various signals that are appropriately transmitted based on the call processing procedure.
A DTMF (Dual Tone Multi Frequency) signal (register signal) that indicates the dial number specified by the terminal 20-c and conforms to the signal system of the public telephone network 42
-Announcements and ringback tones sent to the public telephone network 42. Further, any of the signals given as a row of such cells is provided in the mobile switching device 31 and is operated by individual hardware (asynchronously operated). (Hereinafter referred to as “sound source”) and appropriately switched based on the above-described call processing procedure.

すなわち、これらの音源から移動体交換機31および関門交換機32を介してセル受信部33Rに与えられるセルの間隔は、音源が切り替えられた直後のみに変化し、しかも、再び音源が切り替えられる時点までほぼ一定となるために、図8(a),(b) に示すように、このようなセルの列の揺らぎは単発的とはならない。
したがって、この揺らぎに起因する伝送品質の劣化は許容される限度を超え続け、かつ伝送遅延の定常的な増加に併せて、バッファメモリ33Bのアドレッシングにおけるアンダーランやオーバランの要因となる可能性が高かった。
That is, the cell interval given from these sound sources to the cell receiving unit 33R via the mobile switch 31 and the gateway switch 32 changes only immediately after the sound source is switched, and is almost until the time when the sound source is switched again. In order to be constant, as shown in FIGS. 8 (a) and 8 (b), such cell row fluctuations are not single-shot.
Therefore, the deterioration of the transmission quality due to the fluctuation continues to exceed the allowable limit, and is likely to cause an underrun or an overrun in the addressing of the buffer memory 33B along with the steady increase of the transmission delay. It was.

なお、本願発明に関連する先行技術としては、既述の特許文献1ないし特許文献4に開示された技術がある。しかし、これらの先行技術は、バッファメモリを介して単発的な揺らぎを吸収し、あるいはその揺らぎに起因する伝送品質の劣化を緩和することは可能であっても、上述した非単発的な揺らぎに起因する伝送品質の劣化を緩和することはできなかった。   In addition, as a prior art relevant to this invention, there exists a technique disclosed by patent document 1 thru | or patent document 4 as stated above. However, although these prior arts can absorb a single fluctuation through the buffer memory, or can mitigate the deterioration of transmission quality due to the fluctuation, the above-mentioned non-single fluctuations are avoided. The resulting deterioration in transmission quality could not be alleviated.

本発明は、構成が大幅に変更されることなく、非単発的な揺らぎに起因する伝送品質の定常的な劣化が回避されるバッファ制御装置および制御装置を提供することを目的とする。   It is an object of the present invention to provide a buffer control device and a control device in which steady deterioration of transmission quality due to non-single fluctuations is avoided without greatly changing the configuration.

第1の発明では、書き込み手段は、バッファメモリの記憶領域の内、ATM網を介して順次与えられるセルの宛先情報に個別に対応した記憶領域に、そのセルの内容をサイクリックに書き込む。読み出し手段は、バッファメモリの記憶領域の内容を読み出し、STM信号としてSTM網に引き渡す。ここで、書き込み手段は、宛先情報毎に、その宛先情報に対応する記憶領域において書き込みを行う記憶領域と、読み出し手段によって読み出される記憶領域との隔たりが所定範囲(例えば、ATM網を介して与えられるセルに伴うことが許容される揺らぎの範囲)か否かを判別し、その判別の結果が偽であるときに、後続する書き込みの対象となる記憶領域をこの隔たりがその(揺らぎの)範囲となる記憶領域に設定する。   In the first invention, the writing means cyclically writes the contents of the cells in the storage areas individually corresponding to the destination information of the cells sequentially given via the ATM network, among the storage areas of the buffer memory. The reading means reads the contents of the storage area of the buffer memory and delivers it as an STM signal to the STM network. Here, for each destination information, the writing means provides a predetermined range (for example, via an ATM network) between the storage area where writing is performed in the storage area corresponding to the destination information and the storage area read by the reading means. If the result of the determination is false, this gap is the range of the fluctuation that is the target of subsequent writing. To the storage area.

すなわち、バッファメモリの記憶領域の内、共通の宛先情報を含むセルが順次書き込まれる記憶領域は、このようなセルを出力するハードウエアの切り替えに起因してそのセルの位相が上述した揺らぎの範囲を超える程度に大幅にシフトした場合であっても、読み出し手段によって読み出される記憶領域に対する隔たりが上述した揺らぎの範囲となる記憶領域に設定される。   That is, in the storage area of the buffer memory, a storage area in which cells including common destination information are sequentially written has a phase of the cell described above due to switching of hardware that outputs such cells. Even in the case where the shift is significantly larger than the range, the distance from the storage area read by the reading means is set to the storage area within the above-described fluctuation range.

したがって、上述したハードウエアの切り替えに起因する伝送品質の劣化が軽減され、その伝送品質が定常的に劣化することが回避される。
第2の発明では、書き込み手段は、バッファメモリの記憶領域の内、ATM網を介して順次与えられるセルの宛先情報に個別に対応した記憶領域に、そのセルの内容をサイクリックに書き込む。読み出し手段は、バッファメモリの記憶領域の内容を読み出し、STM信号としてSTM網に引き渡す。ここで、書き込み手段は、宛先情報毎に、その宛先情報に対応する記憶領域において書き込みを行う記憶領域と、読み出し手段によって読み出される記憶領域との隔たりを積分し、ATM網を介して与えられるセルに伴うことが許容される揺らぎの分布に適合した閾値をその積分の結果の絶対値が超えるときに、後続する書き込みの対象となる記憶領域をこの隔たりがその揺らぎの範囲となる記憶領域に設定する。
Therefore, the deterioration of the transmission quality due to the hardware switching described above is reduced, and it is avoided that the transmission quality is constantly deteriorated.
In the second invention, the writing means cyclically writes the contents of the cell in the storage area of the buffer memory individually corresponding to the destination information of the cells sequentially given via the ATM network. The reading means reads the contents of the storage area of the buffer memory and delivers it as an STM signal to the STM network. Here, for each destination information, the writing means integrates the distance between the storage area where writing is performed in the storage area corresponding to the destination information and the storage area read by the reading means, and the cell is given via the ATM network. When the absolute value of the result of the integration exceeds the threshold value that is suitable for the fluctuation distribution allowed to accompany, the storage area that is the target of subsequent writing is set as the storage area that is the range of the fluctuation. To do.

すなわち、バッファメモリの記憶領域の内、共通の宛先情報を含むセルが順次書き込まれる記憶領域は、このようなセルを出力するハードウエアの切り替えに起因してそのセルの位相がシフトし、かつ復旧しない場合であっても、読み出し手段によって読み出される記憶領域対する隔たりが上述した揺らぎの範囲となる記憶領域に設定される。
したがって、上述したハードウエアの切り替えに起因する伝送品質の劣化が軽減され、その伝送品質が定常的に劣化することが回避される。
That is, in the storage area of the buffer memory, the storage area in which cells including common destination information are sequentially written has its phase shifted due to switching of hardware that outputs such cells, and is restored. Even if it is not, the distance from the storage area read by the reading means is set to the storage area within the above-described fluctuation range.
Therefore, the deterioration of the transmission quality due to the hardware switching described above is reduced, and it is avoided that the transmission quality is constantly deteriorated.

第3の発明では、記憶手段には、複数の宛先に対応して異なる記憶領域が備えられる。書き込み手段は、受信セルに含まれる各データを、該セルの宛先に対応した記憶領域に、所定のアドレス順にサイクリックに書込む。読み出し手段は、該記憶手段に書込まれたデータを読み出す手段であって、複数の宛先に対応するデータを単位として順次読み出す。変更手段は、書き込み手段による書き込みが行われた際の各宛先に対応するデータについての書き込みアドレスが、該読み出し手段による読み出しアドレスを基準に定義された複数の宛先のそれぞれについての標準アドレス範囲に含まれるか否か判定し、含まれない状態が継続した場合に、書き込み手段の各宛先に対応するデータについての書き込みアドレスを個別に標準アドレス範囲内のアドレスに変更する。   In the third invention, the storage means is provided with different storage areas corresponding to a plurality of destinations. The writing means cyclically writes each data included in the receiving cell in the storage area corresponding to the destination of the cell in the order of a predetermined address. The reading means is means for reading data written in the storage means, and sequentially reads out data corresponding to a plurality of destinations as a unit. The changing means includes a write address for data corresponding to each destination when writing by the writing means is included in a standard address range for each of a plurality of destinations defined with reference to the read address by the reading means. When the state not included is continued, the write address for the data corresponding to each destination of the writing means is individually changed to an address within the standard address range.

すなわち、記憶手段の記憶領域の内、共通の宛先情報を含むセルが順次書き込まれる記憶領域は、これらのセルを出力するハードウエアの切り替え等に起因して個々のセルに所定の範囲を越える揺らぎが継続して伴う場合には、読み出し手段によって読み出される記憶領域に対する隔たりが上述した揺らぎの範囲となる記憶領域に設定される。
したがって、伝送品質の劣化が軽減され、その伝送品質が定常的に劣化することが回避される。
That is, in the storage area of the storage means, the storage area in which cells including common destination information are sequentially written has fluctuations exceeding a predetermined range due to switching of hardware that outputs these cells. Is continuously set, the distance from the storage area read by the reading means is set to the storage area that is within the above-described fluctuation range.
Therefore, the deterioration of the transmission quality is reduced, and it is avoided that the transmission quality is constantly deteriorated.

他の発明では、バッファメモリの記憶領域の内、ATM網を介して順次与えられるセルの宛先情報に個別に対応した記憶領域の列に、そのセルの内容がサイクリックに書き込まれる。バッファメモリの記憶領域の内、セルに含まれ得る宛先情報の全てに個別に対応する記憶領域の内容が読み出され、これらの宛先情報に対応するSTM網の回線に引き渡される。さらに、宛先情報毎に、その宛先情報に対応する記憶領域の列上において書き込みが行われる記憶領域と、後続して読み出される記憶領域との隔たりがATM網を介して与えられるセルに伴うことが許容される揺らぎの範囲か否かが判別され、その判別の結果が偽であるときに、この隔たりがその揺らぎの範囲となる記憶領域に、「後続する書き込みの対象となる記憶領域」が初期化される。   In another invention, the contents of the cell are cyclically written in a column of the storage area individually corresponding to the destination information of the cells sequentially given via the ATM network in the storage area of the buffer memory. Of the storage areas of the buffer memory, the contents of the storage areas individually corresponding to all of the destination information that can be included in the cell are read out and transferred to the line of the STM network corresponding to these destination information. Further, for each destination information, a distance between a storage area where writing is performed on a column of storage areas corresponding to the destination information and a storage area which is subsequently read out is accompanied by a cell given via the ATM network. When it is determined whether or not the fluctuation range is acceptable, and the result of the determination is false, the storage area that is the target of subsequent writing is initially set in the storage area in which the gap is the fluctuation range. It becomes.

すなわち、バッファメモリの記憶領域の内、共通の宛先情報を含むセルが順次書き込まれる記憶領域は、このようなセルを出力するハードウエアの切り替えに起因してそのセルの位相が上述した揺らぎの範囲を超える程度に大幅にシフトした場合であっても、読み出し手段によって読み出される記憶領域に対する隔たりが上述した揺らぎの範囲となる記憶領域に設定される。   That is, in the storage area of the buffer memory, a storage area in which cells including common destination information are sequentially written has a phase of the cell described above due to switching of hardware that outputs such cells. Even in the case where the shift is significantly larger than the range, the distance from the storage area read by the reading means is set to the storage area within the above-described fluctuation range.

したがって、上述したハードウエアの切り替えに起因する伝送品質の劣化が軽減され、その伝送品質が定常的に劣化することが回避される。
さらに、他の発明では、バッファメモリの記憶領域の内、ATM網を介して順次与えられるセルの宛先情報に個別に対応した記憶領域の列に、そのセルの内容がサイクリックに書き込まれる。バッファメモリの記憶領域の内、セルに含まれ得る宛先情報の全てに個別に対応する記憶領域の内容が読み出され、これらの宛先情報に対応するSTM網の回線に引き渡される。さらに、宛先情報毎に、その宛先情報に対応する記憶領域の列上において書き込みが行われる記憶領域と、後続して読み出される記憶領域との隔たりが積分され、ATM網を介して与えられるセルに伴うことが許容される揺らぎの分布に適合した閾値をその積分の結果の絶対値が超えるときに、この隔たりがその揺らぎの範囲となる記憶領域に、「後続する書き込みの対象となる記憶領域」が初期化される。
Therefore, the deterioration of the transmission quality due to the hardware switching described above is reduced, and it is avoided that the transmission quality is constantly deteriorated.
Further, in another invention, the contents of the cell are cyclically written in a column of the storage area corresponding individually to the destination information of the cells sequentially given via the ATM network among the storage areas of the buffer memory. Of the storage areas of the buffer memory, the contents of the storage areas individually corresponding to all of the destination information that can be included in the cell are read out and transferred to the line of the STM network corresponding to these destination information. Further, for each destination information, the distance between the storage area in which writing is performed on the storage area column corresponding to the destination information and the storage area to be subsequently read out is integrated, and the cell is given via the ATM network. When the absolute value of the result of the integration exceeds the threshold value adapted to the fluctuation distribution allowed to accompany, the storage area in which the distance is the fluctuation range is referred to as “the storage area to be written subsequently”. Is initialized.

すなわち、バッファメモリの記憶領域の内、共通の宛先情報を含むセルが順次書き込まれる記憶領域は、このようなセルを出力するハードウエアの切り替えに起因してそのセルの位相がシフトし、かつ復旧しない場合であっても、後続して読み出される記憶領域対する隔たりが上述した揺らぎの範囲となる記憶領域に設定される。
したがって、上述したハードウエアの切り替えに起因する伝送品質の劣化が軽減され、その伝送品質が定常的に劣化することが回避される。
That is, in the storage area of the buffer memory, the storage area in which cells including common destination information are sequentially written has its phase shifted due to switching of hardware that outputs such cells, and is restored. Even if it is not, the distance from the storage area to be read out later is set to the storage area within the above-described fluctuation range.
Therefore, the deterioration of the transmission quality due to the hardware switching described above is reduced, and it is avoided that the transmission quality is constantly deteriorated.

上述したように本発明では、到着するセルの位相がそのセルに伴うことが許容される揺らぎの範囲を超える程度に大幅にシフトした場合であっても、伝送品質の劣化が軽減され、その伝送品質が定常的に劣化することが回避される。
また、到着するセルの位相がシフトし、かつ復旧しない場合であっても、伝送品質の劣化が軽減され、その伝送品質が定常的に劣化することが回避される。
As described above, according to the present invention, even when the phase of an arriving cell is significantly shifted beyond the range of fluctuation allowed to accompany the cell, the degradation of transmission quality is reduced, and the transmission is performed. It is avoided that the quality is constantly degraded.
Further, even when the phase of the arriving cell is shifted and is not restored, the degradation of the transmission quality is reduced, and the steady degradation of the transmission quality is avoided.

したがって、これらの発明が適用された通信システムでは、ATM網とSTM網との網間インタフェースが上述した揺らぎの発生源となるハードウエアの構成に適応した形態で実現され、かつ伝送品質が良好に確保される。   Therefore, in the communication system to which these inventions are applied, the interface between the ATM network and the STM network is realized in a form adapted to the hardware configuration that is the source of the above-described fluctuation, and the transmission quality is good. Secured.

以下、図面に基づいて本発明の実施形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の実施形態を示す図である。
本実施形態には、図5に示すCLAD33に代わるCLAD11が備えられる。
また、このようなCLAD11には、図5に示すセル受信部33Rに代わるセル受信部11Rに併せて、セル位相監視部11Mが備えられ、そのセル位相監視部11Mの第一および第二の入力にはセル受信部11Rおよびフレーム送信部33Tの監視用出力がそれぞれ接続され、このセル位相監視部11Mの出力はセル受信部11Rの制御用入力に接続される。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention.
In this embodiment, a CLAD 11 is provided in place of the CLAD 33 shown in FIG.
In addition, such a CLAD 11 is provided with a cell phase monitoring unit 11M in addition to the cell receiving unit 11R instead of the cell receiving unit 33R shown in FIG. 5, and the first and second inputs of the cell phase monitoring unit 11M. Are connected to the monitoring outputs of the cell receiver 11R and the frame transmitter 33T, respectively, and the output of the cell phase monitor 11M is connected to the control input of the cell receiver 11R.

図2は、本実施形態の動作フローチャートである。
図3は、本実施形態の動作を説明する図(1)である。
図4は、本実施形態の動作を説明する図(2)である。
以下、図1〜図4を参照して本実施形態の動作を説明する。
セル位相監視都11Mは、セル受信都11R、フレーム送信部33Tがそれぞれ保持している書き込みアドレス(以下では、値が「Pw」であると仮定する。)と読み出しアドレス(以下では、値が「Pr」であると仮定する。)とを監視し、かつ始動時には、下記の処理を行う。
・ フレーム送信部33Tによってバッファメモリ33Bに与えられる各タイムスロット共通の読み出しアドレスPrと、既述の揺らぎ保証時間τに比例した平均値Tとの和に、各タイムスロットについての書き込みアドレスPwの初期値を設定する。以後は、受信セルについての書き込みアドレスを順次後続するアドレスに更新していく。
・ 後述する「位相変化検出パラメータ」の値を「0」に初期化する。
FIG. 2 is an operation flowchart of this embodiment.
FIG. 3 is a diagram (1) for explaining the operation of the present embodiment.
FIG. 4 is a diagram (2) for explaining the operation of the present embodiment.
The operation of this embodiment will be described below with reference to FIGS.
The cell phase monitoring city 11M has a write address (hereinafter, the value is assumed to be “Pw”) and a read address (hereinafter, the value is “Pw”) held by the cell reception city 11R and the frame transmission unit 33T. Is assumed to be “Pr”), and at the time of start-up, the following processing is performed.
The initial value of the write address Pw for each time slot is equal to the sum of the read address Pr common to each time slot given to the buffer memory 33B by the frame transmission unit 33T and the average value T proportional to the above-described fluctuation guarantee time τ. Set the value. Thereafter, the write address for the received cell is sequentially updated to the subsequent address.
-The value of “phase change detection parameter” described later is initialized to “0”.

さらに、セル位相監視部11Mは、上述した読み出しアドレスPrが設定され、あるいは更新される度に、最新の読み出しアドレスPrと、既述の積(=τ・f)と、バッファメモリ33Bの記憶領域の数Sと、既定の値δ(τ・f>δ>0)とに基づいて定まる下記の3つのエリア(標準エリアA、遅着警報エリアB、早着警報エリアC)として、バッファメモリ33Bの記憶領域を把握する。なお、これらの領域は、読み出しアドレスの変化に伴いシフトするものである。
・「標準エリアA」 バッファメモリ33Bの記憶領域の内、下式(1) で示される下限アドレスPw- で示される第一の記憶領域と、下式(2) で示される上限アドレスPw+ で示される第二の記憶領域とで挟まれ、これらの第一および第二の記憶領域を含む(図3(1))。
Pw- =MOD(Pr+τ・f−δ,S) ・・・(1)
Pw+ =MOD(Pr+τ・f+δ,S) ・・・(2)
なお、Pw+、Pw-を(Pr+τ・f)を中心とした±δで定義したが、左右非対称に、+δ、−δ′等とすることもできる。
・「遅着警告エリアB」 バッファメモリ33Bの記憶領域の内、この「標準エリアA」に隣接し、かつアドレスが上述した下限アドレスPw- より減少する方向(アドレスの減少に応じたアンダーフローは許容される。)に連なる(図3(2))。
・「早着警告エリアC」 バッファメモリ33Bの記憶領域の内、この「標準エリアA」に隣接し、かつアドレスが上述した上限アドレスPw+ より増加する方向(アドレスの増加に応じたオーバフローは許容される。)に連なる(図3(3))。
Furthermore, each time the read address Pr described above is set or updated, the cell phase monitoring unit 11M updates the latest read address Pr, the aforementioned product (= τ · f), and the storage area of the buffer memory 33B. Buffer memory 33B as the following three areas (standard area A, late arrival warning area B, and early arrival warning area C) determined on the basis of the number S and the predetermined value δ (τ · f>δ> 0) Know the storage area. Note that these areas shift as the read address changes.
- Of the storage area of the "standard area A" buffer memory 33B, the lower limit address Pw represented by the following formula (1) - a first storage area indicated by the upper limit address Pw + in represented by the following formula (2) It is sandwiched between the second storage areas shown and includes these first and second storage areas (FIG. 3 (1)).
Pw = MOD (Pr + τ · f−δ, S) (1)
Pw + = MOD (Pr + τ · f + δ, S) (2)
Although Pw + and Pw are defined as ± δ centered on (Pr + τ · f), they can be + δ, −δ ′, etc. in a laterally asymmetric manner.
“Late arrival warning area B” The direction adjacent to this “standard area A” in the storage area of the buffer memory 33B and the address decreases from the lower limit address Pw described above (underflow corresponding to the decrease in address is (Fig. 3 (2)).
"Early arrival warning area C" The direction adjacent to this "standard area A" in the storage area of the buffer memory 33B and the address increases from the above-mentioned upper limit address Pw + (overflow according to the increase in the address is allowed) (Fig. 3 (3)).

また、セル位相監視部11Mは、セル受信都11Rによってバッファメモリ33Bに各スロットについてのセルが書き込まれる毎に、下記の処理を行う(図2参照)。
まず、上述した「標準エリアA」、「遅着警告エリアB」および「早着警告エリアC」の内、そのスロットについての書き込みアドレスPwで示される記憶領域(以下、「カレント書き込み領域」という。)が属するエリアを識別する。
In addition, the cell phase monitoring unit 11M performs the following process each time a cell for each slot is written in the buffer memory 33B by the cell receiving city 11R (see FIG. 2).
First, of the “standard area A”, “late arrival warning area B”, and “early arrival warning area C” described above, the storage area (hereinafter referred to as “current write area”) indicated by the write address Pw for the slot. ) Identifies the area to which it belongs.

もし、「カレント書き込み領域」が「遅着警告エリアB」に属する場合(図3(a))には、「位相変化検出パラメータ」をデクリメントし(図2(1))、かつ後述する連続発生回数を「0」に設定する(図2(2))。
又もし、「カレント書き込み領域」が「早着警告エリアC」に属する場合(図3(b))には、「位相変化検出パラメータ」をインクリメントし(図2(3))、かつ後述する連続発生回数を「0」に設定する(図2(4))。
If the “current write area” belongs to the “late arrival warning area B” (FIG. 3 (a)), the “phase change detection parameter” is decremented (FIG. 2 (1)), and continuous generation described later is performed. The number of times is set to “0” (FIG. 2 (2)).
If the “current write area” belongs to the “early arrival warning area C” (FIG. 3B), the “phase change detection parameter” is incremented (FIG. 2C), and a continuous operation described later is performed. The number of occurrences is set to “0” (FIG. 2 (4)).

又もし、「カレント書き込み領域」が「標準エリアA」に属する場合(図3(c))には、このような状態が連続して発生した回数である連続発生回数を計数し(図2(5))、その計数の結果が「2」であるか否か判別すると共に、この判別の結果が真である場合には、「位相変化検出パラメータ」の絶対値をデクリメントする(図2(6))。
以上の処理により、「位相変化検出パラメータ」の絶対値が既定の閾値thを超えるか否かの判別を行い、その判別の結果が真である場合には、下式(3) で示されるmoduloSの演算の結果であるPwにそのスロットについての書き込みアドレスを初期化し(図2(7))、その書き込みアドレスの値をセル受信部11Rに与える。
Pw=Pr+τ・f=Pr+T ・・・(3)
すなわち、バッファメモリ33Bの記憶領域の内、共通の宛先を含むセルが順次書き込まれる記憶領域の書き込みアドレスの値は、既述の音源の切り替え等に起因してそのセルに非単発的な揺らぎが生じた場合であっても、上述した書き込みアドレスPwで示される記憶領域に対して相対的に定まる「標準エリアA」を示す値に速やかに初期化する。
If the “current writing area” belongs to “standard area A” (FIG. 3 (c)), the number of consecutive occurrences, which is the number of times such a state has occurred continuously, is counted (FIG. 2 ( 5)), it is determined whether or not the result of the count is “2”, and if the result of this determination is true, the absolute value of the “phase change detection parameter” is decremented (FIG. 2 (6)). )).
Through the above processing, it is determined whether or not the absolute value of the “phase change detection parameter” exceeds the predetermined threshold th. If the determination result is true, the modulo S expressed by the following equation (3) is used. The write address for the slot is initialized to Pw which is the result of the above operation (FIG. 2 (7)), and the value of the write address is given to the cell receiving unit 11R.
Pw = Pr + τ · f = Pr + T (3)
That is, among the storage areas of the buffer memory 33B, the value of the write address of the storage area in which cells including a common destination are sequentially written has non-single fluctuations in the cell due to the switching of the sound source described above. Even if it occurs, it is quickly initialized to a value indicating “standard area A” that is determined relative to the storage area indicated by the write address Pw described above.

したがって、本実施形態によれば、このような非単発的な揺らぎに起因する定常的な伝送品質の劣化が確度高く回避される。
以下、上述した非単発的な揺らぎに起因して伝送品質が定常的に劣化することが回避される過程について、具体的に示す。
なお、ここでは、「標準エリアA」のサイズは、書き込みアドレスのカレント値に対して±4ミリ秒分に相当する値に設定され、上述した閾値thは、「3」に設定されるものとする。
Therefore, according to the present embodiment, steady deterioration in transmission quality due to such non-single fluctuations can be avoided with high accuracy.
Hereinafter, a process for avoiding the steady deterioration of transmission quality due to the non-single fluctuation described above will be specifically described.
Here, the size of “standard area A” is set to a value corresponding to ± 4 milliseconds with respect to the current value of the write address, and the above-described threshold th is set to “3”. To do.

位相変化検出パラメータは、3ミリ秒程度の単発的な揺らぎが発生しても変化しないが、4ミリ秒を超える単発的な揺らぎが発生した場合には、一度はインクリメントされ、あるいはデクリメントされ、その後は速やかに「0」に復旧する(図4(a))。
しかし、上述した音源の切り替え(ATMパス切り替え)に起因して、後続するセルが8ミリ秒遅れて(早く)到着し、さらに後続する全てのセルも同様に8ミリ秒遅れて(早く)到着する場合には、3回連続して「遅着警告エリアB(早着警告エリアC)」の書き込みが行われる。したがって、セル書き込みアドレスは既述の通りに初期化され、その初期化に先行してバッファアンダーラン(バッファオーバーラン)は3回発生する(図4(b) 〜(d))。
The phase change detection parameter does not change even if a single fluctuation of about 3 milliseconds occurs, but if a single fluctuation exceeding 4 milliseconds occurs, it is incremented or decremented once, and then Promptly recovers to “0” (FIG. 4A).
However, due to the sound source switching (ATM path switching) described above, subsequent cells arrive 8 ms later (early), and all subsequent cells similarly arrive 8 ms later (early). In this case, the “late arrival warning area B (early arrival warning area C)” is written three times in succession. Accordingly, the cell write address is initialized as described above, and buffer underrun (buffer overrun) occurs three times prior to the initialization (FIGS. 4B to 4D).

また、8ミリ秒程度の単発的な揺らぎを伴うセルは、例えば、揺らぎ保証時間τが5ミリ秒である場合には、バッファメモリ33Bに対する書き込みが完了した後に読み出され、かつフレームに変換される(図4(e))ために、STM網である公衆電話網42に引き渡される。
さらに、8ミリ秒遅れて到着したセルについては、バッファメモリ33Bの記憶領域の内、読み出しの対象となっている記憶領域に上書きされるために、先頭部の3(=8−5)ミリ秒分は送信されないが、例えば、読み出しアドレスで示される記憶領域に後続する記憶領域に書き込まれた2.75ミリ秒分は、STM網である公衆電話網42に引き渡される。したがって、伝送品質の劣化は、稀に3ミリ秒のデータが消失する程度に抑えられる。
For example, when the fluctuation guarantee time τ is 5 milliseconds, a cell with a single fluctuation of about 8 milliseconds is read out after being written to the buffer memory 33B and converted into a frame. (FIG. 4 (e)), it is handed over to the public telephone network 42 which is an STM network.
Furthermore, since the cell that arrived with a delay of 8 milliseconds is overwritten in the storage area to be read out of the storage area of the buffer memory 33B, the top 3 (= 8-5) milliseconds Minutes are not transmitted, but, for example, 2.75 milliseconds written in the storage area subsequent to the storage area indicated by the read address is delivered to the public telephone network 42 which is an STM network. Therefore, the deterioration of transmission quality is suppressed to the extent that data of 3 milliseconds is lost in rare cases.

なお、上述した実施形態では、本発明は、第三世代の移動通信システムを構成するコアネットワークにおいて、ATM交換方式が適用された関門交換機32から与えられるセルの列をSTM網である公衆電話網42にフレームの列として引き渡すCLAD11に適用されている。
しかし、このようなCLAD11は、例えば、上述したコアネットワークに回線交換方式の移動体交換機が備えられる場合には、基地局制御装置24によって与えられるセルの列をその移動体交換機にフレームの列として引き渡すために適用されてもよい。
In the above-described embodiment, the present invention relates to a public telephone network, which is an STM network, in a cell network provided from a gateway switch 32 to which an ATM switching method is applied in a core network constituting a third generation mobile communication system. This is applied to CLAD 11 which is handed over to 42 as a sequence of frames.
However, when such a CLAD 11 is provided with a circuit-switched mobile switch in the above-described core network, for example, a cell column provided by the base station controller 24 is used as a frame column for the mobile switch. May be applied to deliver.

また、本発明は、上述した第三世代の移動通信システムに限定されず、ATM網とSTM網との間における多様な網間インタフェースに適用可能である。
さらに、上述した実施形態では、既述の音源は、DTMF信号やリングバックトーンに相当するセルの列を非同期に生成する専用のハードウエアとして備えられている。
しかし、このような音源によって生成される信号は、公衆電話網42にフレームの列として引き渡され、その公衆電話網42に適用された信号方式に適合する限り、通話信号だけではなく、如何なるレジスタ信号やライン信号(シグナリング信号)であってもよい。
Further, the present invention is not limited to the above-described third generation mobile communication system, but can be applied to various inter-network interfaces between the ATM network and the STM network.
Furthermore, in the above-described embodiment, the above-described sound source is provided as dedicated hardware that asynchronously generates a sequence of cells corresponding to a DTMF signal or a ringback tone.
However, the signal generated by such a sound source is handed over to the public telephone network 42 as a sequence of frames, and as long as it conforms to the signal system applied to the public telephone network 42, not only the call signal but any register signal. Or a line signal (signaling signal).

また、上述した実施形態では、バッファメモリ33Bの具体的な構成が示されていない。
しかし、このようなバッファメモリ33Bは、セル受信部11Rに入力されるセルの速度と、「フレーム送信部33Tによって読み出され、かつフレームの列として公衆電話網42に引き渡されるユーザデータの多重度」とに適合したサイクルタイムや記憶容量を有し、かつコスト、実装、保守および運用にかかわる要求を満たす限り、多様なメモリの組み合わせとして構成可能である。
In the above-described embodiment, the specific configuration of the buffer memory 33B is not shown.
However, such a buffer memory 33B has the cell speed inputted to the cell receiving unit 11R and the multiplicity of user data read by the frame transmitting unit 33T and delivered to the public telephone network 42 as a sequence of frames. Can be configured as a combination of various memories as long as the cycle time and the storage capacity conforming to the above are satisfied and the requirements related to cost, mounting, maintenance and operation are satisfied.

さらに、上述した実施形態では、バッファメモリ33Bの記憶領域は書き込みの対象となるセルに含まれ得る宛先情報に個別に対応した記憶領域の集合に区分され、その集合毎に含まれる記憶領域に対して書き込みはサイクリックに行われ、かつ読み出しは、これらの集合にそれぞれ含まれると共に、共通の読み出しアドレスで示される複数(STM網の多重度に等しい。)の記憶領域に対して並行して行われている。   Further, in the above-described embodiment, the storage area of the buffer memory 33B is divided into a set of storage areas individually corresponding to destination information that can be included in the cell to be written, and the storage area included in each set Thus, writing is performed cyclically, and reading is included in each of these sets, and is performed in parallel on a plurality of storage areas (equal to the multiplicity of the STM network) indicated by a common read address. It has been broken.

しかし、このようなバッファメモリ33Bのアドレッシングおよび構成は、既述の処理に等価な処理の実現に必要な書き込みおよび読み出しが可能である限り、どのようなものであってもよい。
また、上述した実施形態では、「位相変化検出パラメータ」が「標準エリアA」に対する「カレント書き込み領域」の隔たりの積分値として求められ、その「位相変化検出パラメータ」の絶対値が閾値thを超える場合に書き込みアドレスが初期化されている。
However, the addressing and configuration of the buffer memory 33B may be any as long as writing and reading necessary for realizing processing equivalent to the processing described above are possible.
In the above-described embodiment, the “phase change detection parameter” is obtained as an integral value of the distance of the “current writing area” with respect to the “standard area A”, and the absolute value of the “phase change detection parameter” exceeds the threshold th. If the write address has been initialized.

しかし、本発明はこのような構成に限定されず、例えば、既述の音源の切り替えに応じて到着するセルの位相が「通常発生する揺らぎ」の限度を超える可能性がある場合には、「カレント書き込み領域」が「標準エリアA」に属さないことが識別される時点で書き込みアドレスが速やかに初期化されてもよい。
さらに、バッファメモリ33Bの記憶領域の内、「標準エリアA」の両端を示す下限アドレスPw- および上限アドレスPw+ は、移動体交換機31や関門交換機32の構成に適合した既知の値S、δ、εと、書き込みアドレスPwとに対して式(1)、(2) として定義されたmoduloSの算術演算の結果として求められている。
However, the present invention is not limited to such a configuration. For example, when there is a possibility that the phase of a cell that arrives in response to the sound source switching described above exceeds the limit of “normally occurring fluctuations”, “ The write address may be quickly initialized when it is identified that the “current write area” does not belong to the “standard area A”.
Further, the lower limit address Pw and the upper limit address Pw + indicating both ends of “standard area A” in the storage area of the buffer memory 33B are known values S, δ suitable for the configuration of the mobile switch 31 and the gateway switch 32. , Ε, and write address Pw are obtained as a result of the arithmetic operation of modulo S defined as equations (1) and (2).

しかし、これらの下限アドレスPw- および上限アドレスPw+ は、セルに伴うことが許容される揺らぎの分布の変化が移動体交換機31や関門交換機32の特性、あるいはその他の環境の変化に応じて無視できない程度に大きい場合には、その揺らぎの分布に適合した値に適宜更新されてもよい。
また、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲において多様な形態による実施形態が可能であり、かつ構成装置の全てまたは一部に如何なる改良が施されてもよい。
However, in these lower limit address Pw and upper limit address Pw + , changes in the distribution of fluctuations that are allowed to accompany the cell are ignored depending on the characteristics of the mobile switch 31 and the gateway switch 32 or other environmental changes. If it is too large to be possible, it may be updated as appropriate to a value suitable for the fluctuation distribution.
Further, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various embodiments can be made within the scope of the present invention, and any improvement may be applied to all or part of the constituent devices. .

以下、上述した実施形態として開示された技術を階層的・多面的に整理し、付記として列記する。
(付記1) バッファメモリの記憶領域の内、ATM網を介して順次与えられるセルの宛先情報に個別に対応した記憶領域に、そのセルの内容をサイクリックに書き込む書き込み手段と、
前記バッファメモリの記憶領域の内容を読み出し、STM信号としてSTM網に引き渡す読み出し手段とを備え、
前記書き込み手段は、
前記宛先情報毎に、その宛先情報に対応する記憶領域において書き込みを行う記憶領域と、前記読み出し手段によって読み出される記憶領域との隔たりが所定範囲か否かを判別し、その判別の結果が偽であるときに、後続する書き込みの対象となる記憶領域をこの隔たりがその範囲となる記憶領域に設定する
ことを特徴とするバッファ制御装置。
(付記2) バッファメモリの記憶領域の内、ATM網を介して順次与えられるセルの宛先情報に個別に対応した記憶領域に、そのセルの内容をサイクリックに書き込む書き込み手段と、
前記バッファメモリの記憶領域の内容を読み出し、STM信号としてSTM網に引き渡す読み出し手段とを備え、
前記書き込み手段は、
前記宛先情報毎に、その宛先情報に対応する記憶領域において書き込みを行う記憶領域と、前記読み出し手段によって読み出される記憶領域との隔たりを積分し、前記ATM網を介して与えられるセルに伴うことが許容される揺らぎの分布に適合した閾値をその積分の結果の絶対値が超えるときに、後続する書き込みの対象となる記憶領域をこの隔たりがその揺らぎの範囲となる記憶領域に設定する
ことを特徴とするバッファ制御装置。
(付記3) バッファメモリの記憶領域の内、ATM網を介して順次与えられるセルの宛先情報に個別に対応した記憶領域の列に、そのセルの内容をサイクリックに書き込み、
前記バッファメモリの記憶領域の内、前記セルに含まれ得る宛先情報の全てに個別に対応する記憶領域の内容を読み出し、これらの宛先情報に対応するSTM網の回線に引き渡し、
前記宛先情報毎に、その宛先情報に対応する記憶領域の列上において書き込みが行われる記憶領域と、後続して読み出される記憶領域との隔たりが前記ATM網を介して与えられるセルに伴うことが許容される揺らぎの範囲か否かを判別し、その判別の結果が偽であるときに、後続する書き込みの対象となる記憶領域をこの隔たりがその揺らぎの範囲となる記憶領域に設定する
ことを特徴とするバッファ制御方法。
(付記4) バッファメモリの記憶領域の内、ATM網を介して順次与えられるセルの宛先情報に個別に対応した記憶領域の列に、そのセルの内容をサイクリックに書き込み、
前記バッファメモリの記憶領域の内、前記セルに含まれ得る宛先情報の全てに個別に対応する記憶領域の内容を読み出し、これらの宛先情報に対応するSTM網の回線に引き渡し、
前記宛先情報毎に、その宛先情報に対応する記憶領域の列上において書き込みが行われる記憶領域と、後続して読み出される記憶領域との隔たりを積分し、前記ATM網を介して与えられるセルに伴うことが許容される揺らぎの分布に適合した閾値をその積分の結果の絶対値が超えるときに、後続する書き込みの対象となる記憶領域をこの隔たりがその揺らぎの範囲となる記憶領域に設定する
ことを特徴とするバッファ制御方法。
(付記5) 複数の宛先に対応して異なる記憶領域を備えた記憶手段と、
受信セルに含まれる各データを、該セルの宛先に対応した前記記憶領域に、所定のアドレス順にサイクリックに書込む書き込み手段と、
該記憶手段に書込まれたデータを読み出す手段であって、複数の宛先に対応するデータを単位として順次読み出す読み出し手段と、
前記書き込み手段による書き込みが行われた際の各宛先に対応するデータについての書き込みアドレスが、該読み出し手段による読み出しアドレスを基準に定義された前記複数の宛先のそれぞれについての標準アドレス範囲に含まれるか否か判定し、含まれない状態が継続した場合に、前記書き込み手段の各宛先に対応するデータについての書き込みアドレスを個別に標準アドレス範囲内のアドレスに変更する変更手段と
を備えたことを特徴とする制御装置。
Hereinafter, the techniques disclosed as the above-described embodiments are arranged hierarchically and multifacetedly and listed as additional notes.
(Additional remark 1) The writing means which writes the contents of the cell cyclically in the storage area individually corresponding to the destination information of the cell sequentially given through the ATM network among the storage areas of the buffer memory,
Read means for reading the contents of the storage area of the buffer memory and delivering it as an STM signal to the STM network,
The writing means includes
For each piece of the destination information, it is determined whether or not the distance between the storage area in the storage area corresponding to the destination information and the storage area read by the reading means is within a predetermined range, and the determination result is false. A buffer control device characterized in that, at a given time, a storage area that is a target of subsequent writing is set to a storage area in which this distance is the range.
(Additional remark 2) The writing means which writes the contents of the cell cyclically in the storage area corresponding individually to the destination information of the cell sequentially given through the ATM network among the storage areas of the buffer memory,
Read means for reading the contents of the storage area of the buffer memory and delivering it as an STM signal to the STM network,
The writing means includes
For each of the destination information, the distance between the storage area to be written in the storage area corresponding to the destination information and the storage area to be read by the reading means is integrated, and this accompanies the cell given through the ATM network. When the absolute value of the result of integration exceeds the threshold value that matches the allowable fluctuation distribution, the storage area that is the target of subsequent writing is set to the storage area that is the range of the fluctuation. A buffer controller.
(Supplementary Note 3) The contents of the cell are cyclically written in the storage area column individually corresponding to the destination information of the cells sequentially given via the ATM network among the storage areas of the buffer memory,
Of the storage area of the buffer memory, the contents of the storage area individually corresponding to all of the destination information that can be included in the cell are read, and delivered to the line of the STM network corresponding to these destination information,
For each destination information, a distance between a storage area where writing is performed on a column of storage areas corresponding to the destination information and a storage area which is subsequently read out is accompanied by a cell given via the ATM network. It is determined whether or not the fluctuation range is acceptable, and when the result of the determination is false, the storage area that is the target of subsequent writing is set to the storage area in which this gap is the fluctuation range. A characteristic buffer control method.
(Additional remark 4) In the storage area of the buffer memory, the contents of the cell are cyclically written in the storage area column individually corresponding to the destination information of the cells sequentially given through the ATM network,
Of the storage area of the buffer memory, the contents of the storage area individually corresponding to all of the destination information that can be included in the cell are read, and delivered to the line of the STM network corresponding to these destination information,
For each of the destination information, the difference between the storage area in which writing is performed on the storage area column corresponding to the destination information and the storage area to be read subsequently is integrated, and the cell is given via the ATM network. When the absolute value of the result of the integration exceeds the threshold value suitable for the fluctuation distribution allowed to accompany, the storage area that is the target of subsequent writing is set to the storage area in which the distance is the fluctuation range. And a buffer control method.
(Supplementary Note 5) Storage means including different storage areas corresponding to a plurality of destinations;
Writing means for cyclically writing each data included in the received cell to the storage area corresponding to the destination of the cell in order of a predetermined address;
Means for reading out data written in the storage means, and means for sequentially reading out data corresponding to a plurality of destinations as a unit;
Whether a write address for data corresponding to each destination when writing by the writing unit is included in a standard address range for each of the plurality of destinations defined on the basis of a read address by the reading unit And a changing means for individually changing a write address for data corresponding to each destination of the writing means to an address within a standard address range when a state not included is continued. Control device.

本発明の実施形態を示す図である。It is a figure which shows embodiment of this invention. 本実施形態の動作フローチャートである。It is an operation | movement flowchart of this embodiment. 本実施形態の動作を説明する図(1)である。It is a figure (1) explaining operation | movement of this embodiment. 本実施形態の動作を説明する図(2)である。It is FIG. (2) explaining operation | movement of this embodiment. 第三世代の移動通信システムの構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the 3rd generation mobile communication system. バッファメモリの詳細な構成を示す図である。It is a figure which shows the detailed structure of a buffer memory. 従来例におけるバッファメモリの書き込みおよび読み出しを説明する図である。It is a figure explaining the writing and reading of the buffer memory in a prior art example. 従来例の課題を説明する図である。It is a figure explaining the subject of a prior art example.

符号の説明Explanation of symbols

11,33 CLAD
11R,33R セル受信部
11M セル位相監視部
20 端末
21 無線基地局
22 無線ゾーン
23 通信リンク
24 基地局制御局
30 コアネットワーク
31 移動体交換機
32 関門交換機
33B バッファメモリ
33T フレーム送信部
41 インタネット
42 公衆電話網
11, 33 CLAD
11R, 33R Cell receiving unit 11M Cell phase monitoring unit 20 Terminal 21 Wireless base station 22 Wireless zone 23 Communication link 24 Base station control station 30 Core network 31 Mobile switching unit 32 Gateway switching unit 33B Buffer memory 33T Frame transmission unit 41 Internet 42 Public telephone network

Claims (3)

バッファメモリの記憶領域の内、ATM網を介して順次与えられるセルの宛先情報に個別に対応した記憶領域に、そのセルの内容をサイクリックに書き込む書き込み手段と、
前記バッファメモリの記憶領域の内容を読み出し、STM信号としてSTM網に引き渡す読み出し手段とを備え、
前記書き込み手段は、
前記宛先情報毎に、その宛先情報に対応する記憶領域において書き込みを行う記憶領域と、前記読み出し手段によって読み出される記憶領域との隔たりが所定範囲か否かを判別し、その判別の結果が偽であるときに、後続する書き込みの対象となる記憶領域をこの隔たりがその範囲となる記憶領域に設定する
ことを特徴とするバッファ制御装置。
A writing means for cyclically writing the contents of the cell in a storage area individually corresponding to the destination information of the cells sequentially given via the ATM network in the storage area of the buffer memory;
Read means for reading the contents of the storage area of the buffer memory and delivering it as an STM signal to the STM network,
The writing means includes
For each piece of the destination information, it is determined whether or not the distance between the storage area in the storage area corresponding to the destination information and the storage area read by the reading means is within a predetermined range, and the determination result is false. A buffer control device characterized in that, at a given time, a storage area that is a target of subsequent writing is set to a storage area in which this distance is the range.
バッファメモリの記憶領域の内、ATM網を介して順次与えられるセルの宛先情報に個別に対応した記憶領域に、そのセルの内容をサイクリックに書き込む書き込み手段と、
前記バッファメモリの記憶領域の内容を読み出し、STM信号としてSTM網に引き渡す読み出し手段とを備え、
前記書き込み手段は、
前記宛先情報毎に、その宛先情報に対応する記憶領域において書き込みを行う記憶領域と、前記読み出し手段によって読み出される記憶領域との隔たりを積分し、前記ATM網を介して与えられるセルに伴うことが許容される揺らぎの分布に適合した閾値をその積分の結果の絶対値が超えるときに、後続する書き込みの対象となる記憶領域をこの隔たりがその揺らぎの範囲となる記憶領域に設定する
ことを特徴とするバッファ制御装置。
A writing means for cyclically writing the contents of the cell in a storage area individually corresponding to the destination information of the cells sequentially given via the ATM network in the storage area of the buffer memory;
Read means for reading the contents of the storage area of the buffer memory and delivering it as an STM signal to the STM network,
The writing means includes
For each of the destination information, the distance between the storage area to be written in the storage area corresponding to the destination information and the storage area to be read by the reading means is integrated, and this accompanies the cell given through the ATM network. When the absolute value of the result of integration exceeds the threshold value that matches the allowable fluctuation distribution, the storage area that is the target of subsequent writing is set to the storage area that is the range of the fluctuation. A buffer controller.
複数の宛先に対応して異なる記憶領域を備えた記憶手段と、
受信セルに含まれる各データを、該セルの宛先に対応した前記記憶領域に、所定のアドレス順にサイクリックに書込む書き込み手段と、
該記憶手段に書込まれたデータを読み出す手段であって、複数の宛先に対応するデータを単位として順次読み出す読み出し手段と、
前記書き込み手段による書き込みが行われた際の各宛先に対応するデータについての書き込みアドレスが、該読み出し手段による読み出しアドレスを基準に定義された前記複数の宛先のそれぞれについての標準アドレス範囲に含まれるか否か判定し、含まれない状態が継続した場合に、前記書き込み手段の各宛先に対応するデータについての書き込みアドレスを個別に標準アドレス範囲内のアドレスに変更する変更手段と
を備えたことを特徴とする制御装置。
Storage means having different storage areas corresponding to a plurality of destinations;
Writing means for cyclically writing each data included in the received cell to the storage area corresponding to the destination of the cell in order of a predetermined address;
Means for reading out data written in the storage means, and means for sequentially reading out data corresponding to a plurality of destinations as a unit;
Whether a write address for data corresponding to each destination when writing by the writing unit is included in a standard address range for each of the plurality of destinations defined on the basis of a read address by the reading unit And a changing means for individually changing a write address for data corresponding to each destination of the writing means to an address within a standard address range when a state not included is continued. Control device.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN112511848A (en) * 2020-11-09 2021-03-16 网宿科技股份有限公司 Live broadcast method, server and computer readable storage medium

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