JP2005140771A5 - - Google Patents

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Claims (48)

既知の反射特性を有する第１層と、第１層上に形成された第２層を有するサンプルの検査方法であって、
サンプル表面に放射線を向けること、
前記表面に対する仰角の関数として反射信号を生成するために、前記表面で反射された放射線を検知すること、
前記第１層からの放射線反射による反射信号における特徴を同定すること、
同定された特徴と前記第１層の既知の反射特性とに応答可能なように反射信号を較正すること、
前記第２層の特性を決定するために較正された反射信号を分析すること、
を含む検査方法。 A method for inspecting a sample having a first layer having a known reflection characteristic and a second layer formed on the first layer,
Directing radiation onto the sample surface,
Detecting radiation reflected at the surface to generate a reflected signal as a function of elevation relative to the surface;
Identifying a feature in the reflected signal due to radiation reflection from the first layer;
Calibrating the reflected signal to be responsive to the identified features and the known reflection characteristics of the first layer;
Analyzing the calibrated reflected signal to determine the characteristics of the second layer;
Including inspection methods. 前記放射線には、Ｘ線を含む、請求項１に記載の検査方法。 The inspection method according to claim 1, wherein the radiation includes X-rays. 前記放射線を検知することには、前記表面に対して直交するアレイ軸を持つ検出素子アレイで放射線を受光することを含む、請求項１に記載の検査方法。   The inspection method according to claim 1, wherein detecting the radiation includes receiving the radiation with a detection element array having an array axis orthogonal to the surface. 前記放射線を受光することには、
前記アレイ軸と平行な方向に沿って、少なくとも第１のポジションと第２のポジションの間で前記アレイを移動し、
前記第１のポジションと前記第２のポジションで検出素子によって受光された放射線による第１の反射信号と第２の反射信号を生成し、
向上された反射信号を生成するために、前記第１の反射信号と前記第２の反射信号を合成する、
ことを含む請求項３に記載の検査方法。 To receive the radiation,
Along said array direction parallel to the axis, moving the array between at least a first position and a second position,
Generating a first reflected signal and a second reflected signal due to radiation received by a detection element at the first position and the second position;
Combining the first reflected signal and the second reflected signal to generate an improved reflected signal;
The inspection method according to claim 3. 前記特徴を同定することには、前記第１層からの全反射臨界角に対応する反射信号の肩の位置を見つけることを含む、請求項１に記載の検査方法。   The inspection method according to claim 1, wherein identifying the feature includes finding a shoulder position of a reflected signal corresponding to a total reflection critical angle from the first layer. 前記反射信号を較正することには、前記肩の位置と、前記第１層の既知の密度で決定される前記臨界角の既知の値とを比較することを含む、請求項５に記載の検査方法。   6. The inspection of claim 5, wherein calibrating the reflected signal comprises comparing the shoulder position to a known value of the critical angle determined by a known density of the first layer. Method. 前記反射信号を較正することには、前記肩の位置と前記臨界角の既知の値とに基づいて、反射信号の角度スケールにおけるゼロ角度を見つけることを含む、請求項６に記載の検査方法。   7. The inspection method of claim 6, wherein calibrating the reflected signal includes finding a zero angle on an angular scale of the reflected signal based on the position of the shoulder and the known value of the critical angle. 前記第１層からの全反射臨界角を第１の臨界角とし、
較正された反射信号を分析することには、前記第２層からの全反射に対する第２の臨界角の較正された値を決定することを含む、請求項５に記載の検査方法。 The total reflection critical angle from the first layer is a first critical angle,
6. The inspection method of claim 5, wherein analyzing the calibrated reflection signal includes determining a calibrated value of a second critical angle for total reflection from the second layer. 前記第１層は第１の密度、前記第２層は第２の密度をそれぞれ有し、
較正された反射信号を分析することには、前記第２の臨界角の較正された値に基づいて前記第２の密度を評価することを含む、請求項８に記載の検査方法。 The first layer has a first density and the second layer has a second density;
9. The inspection method of claim 8, wherein analyzing the calibrated reflection signal includes evaluating the second density based on a calibrated value of the second critical angle. 前記第２の密度は、実質的に前記第１の密度より小さい、請求項９に記載の検査方法。   The inspection method according to claim 9, wherein the second density is substantially smaller than the first density. 前記第１層はシリコンを有し、前記第２層は多孔質誘電素材を有する、請求項１０に記載の検査方法。   The inspection method according to claim 10, wherein the first layer includes silicon and the second layer includes a porous dielectric material. 既知の反射特性を有する第１層と、第１層上に形成された第２層を有するサンプルの検査装置であって、
サンプル表面に放射線を向けることに適用される放射線源と、
前記表面に対する仰角の関数として反射信号を生成するために、前記表面で反射された放射線を検知するために配置された検出器部と、
前記第１層からの放射線反射による反射信号における特徴を同定すること及び同定された特徴と前記第１層の既知の反射特性とに応答可能なように反射信号を較正することにより、反射信号を受信且つ処理するため、及び前記第２層の特性を決定するために較正された反射信号を分析するために連結された信号プロセッサと、
を有する検査装置。 An inspection apparatus for a sample having a first layer having a known reflection characteristic and a second layer formed on the first layer,
A radiation source applied to direct radiation onto the sample surface;
A detector portion arranged to detect radiation reflected from the surface to generate a reflected signal as a function of elevation relative to the surface;
Identifying the reflected signal by identifying features in the reflected signal due to radiation reflection from the first layer and calibrating the reflected signal to be responsive to the identified features and known reflection characteristics of the first layer; for receiving and processing, and a signal processor coupled to analyze reflected signals calibrated to determine the characteristics of the second layer,
Inspection device having 前記放射線には、Ｘ線を含む、請求項１２に記載の検査装置。 The inspection apparatus according to claim 12, wherein the radiation includes X-rays. 前記検出器部は、前記表面に対して直交するアレイ軸を持つ検出素子アレイを有する、請求項１２に記載の検査装置。 The inspection apparatus according to claim 12, wherein the detector unit includes a detection element array having an array axis orthogonal to the surface. 前記検出器部は、前記第１のポジションと前記第２のポジションで検出素子によって受光された放射線による第１の反射信号と第２の反射信号を生成するために、前記アレイ軸と平行な方向に沿って、少なくとも前記第１のポジションと前記第２のポジションの間で前記アレイを移動することに適用される可動素子を有し、
前記信号プロセッサは、向上された反射信号を生成するために、前記第１の反射信号と前記第２の反射信号を合成することに適用される、請求項１４に記載の検査装置。 Said detector unit in order to generate a first reflected signal and a second reflected signal from radiation received by the light detecting element and the first position and in said second position, said array direction parallel to the axis along, has a movable element applied to move the array between at least said first position and said second position,
15. The inspection apparatus of claim 14, wherein the signal processor is applied to combine the first reflected signal and the second reflected signal to produce an improved reflected signal. 前記信号プロセッサで同定される特徴には、前記第１層からの全反射臨界角に対応する反射信号の肩を含む、請求項１２に記載の検査装置。 13. The inspection apparatus of claim 12, wherein the features identified by the signal processor include a reflected signal shoulder corresponding to a total reflection critical angle from the first layer. 前記信号プロセッサは、前記肩の位置と、前記第１層の既知の密度で決定される前記臨界角の既知の値とを比較することにより、反射信号を較正することに適用される、請求項１６に記載の検査装置。   The signal processor is applied to calibrate a reflected signal by comparing the position of the shoulder with a known value of the critical angle determined by a known density of the first layer. 16. The inspection apparatus according to 16. 前記信号プロセッサは、前記肩の位置と前記臨界角の既知の値とに基づいて、反射信号の角度スケールにおけるゼロ角度を見つけることに適用される、請求項１７に記載の検査装置。   The inspection apparatus of claim 17, wherein the signal processor is applied to find a zero angle in an angular scale of a reflected signal based on the position of the shoulder and a known value of the critical angle. 前記第１層からの全反射臨界角を第１の臨界角とし、及び前記信号プロセッサは較正された反射信号を分析することにより前記第２層からの全反射に対する第２の臨界角の較正された値を決定することに適用される、請求項１６に記載の検査装置。   The critical angle of total reflection from the first layer is taken as the first critical angle, and the signal processor calibrates the second critical angle for total reflection from the second layer by analyzing the calibrated reflection signal. The inspection device according to claim 16, which is applied to determine a measured value. 前記第１層は第１の密度、前記第２層は第２の密度をそれぞれ有し、
前記信号プロセッサは、前記第２の臨界角の較正された値に基づいて前記第２の密度を評価することに適用される、請求項１９に記載の検査装置。 The first layer has a first density and the second layer has a second density;
The inspection apparatus of claim 19, wherein the signal processor is applied to evaluate the second density based on a calibrated value of the second critical angle. 前記第２の密度は、実質的に前記第１の密度より小さい、請求項２０に記載の検査装置。   The inspection apparatus according to claim 20, wherein the second density is substantially smaller than the first density. 前記第１層はシリコンを有し、前記第２層は多孔質誘電素材を有する、請求項２１に記載の検査装置。   The inspection apparatus according to claim 21, wherein the first layer includes silicon, and the second layer includes a porous dielectric material. サンプルの検査装置であって、
サンプル表面にＸ線を向けることに適用される放射線源と、
検出器部であって、
前記表面に対して実質的に直交するアレイ軸に沿って配置され、予め定義されたピッチで相互に分離され、前記表面で反射されたＸ線を受光し、受光した放射線に応答可能なように信号を生成するために作動する検出素子アレイと、
前記ピッチの整数倍でない増分で互いに分離されている、少なくとも第１のポジションと第２のポジションとの間でアレイ軸と平行な方向に前記検出素子アレイをシフトするために連結された可動素子と、を有する検出器部と、
前記表面に対する仰角の関数として前記表面のＸ線反射率を決定するために、少なくとも前記第１のポジションと前記第２のポジションで前記検出器部によって生成された信号を合成するために連結された信号プロセッサ、
を有する検査装置。 A sample inspection device,
A radiation source applied to directing X-rays to the sample surface;
A detector section,
Arranged along an array axis substantially orthogonal to the surface, separated from each other by a predefined pitch, so as to receive X-rays reflected by the surface and to be able to respond to the received radiation A sensing element array that operates to generate a signal;
The are separated from one another in increments not an integer multiple of the pitch, at least a first position and a movable element coupled to shift the detector array in a direction parallel to the array axis between the second position A detector unit having
To determine the X-ray reflectance of the surface as a function of elevation angle relative to the surface, coupled to combine the signals generated by the detector unit in at least the first position and the second position Signal processor,
Inspection device having 前記信号プロセッサは、前記表面のＸ線反射率を決定するために、少なくとも前記第１のポジションと前記第２のポジションで前記検出器部によって生成された信号をインターリーブすることに適用される、請求項２３に記載の検査装置。 The signal processor, in order to determine the X-ray reflectivity of the surface, are applied to interleave the signals generated by the detector unit in at least the first position and the second position, wherein Item 24. The inspection apparatus according to Item 23. 前記増分は、前記ピッチの半分以下である、請求項２３に記載の検査装置。   The inspection apparatus according to claim 23, wherein the increment is equal to or less than half of the pitch. 前記アレイはリニアアレイを有するとともに、前記検出素子は前記アレイ軸に直交する横方向の広さが前記アレイのピッチより実質的に大きい、請求項２３に記載の検査装置。 The array and having a linear array, said detector elements is substantially greater than the pitch of the array width of the transverse direction perpendicular to the array axis, the inspection apparatus according to claim 23. 前記アレイは検出素子の２次元マトリクスを有し、前記検出器部は前記アレイ軸に直交する方向に沿った前記アレイの各列における検出素子を足し合わせることに適用される、請求項２３に記載の検査装置。 The array has a two-dimensional matrix of detector elements, said detector unit is applied to adding the detection elements in each column of the array along the direction perpendicular to the array axis, according to claim 23 Inspection equipment. サンプルの検査方法であって、
サンプル表面方向へＸ線を向けること、
前記表面に対して実質的に直交するアレイ軸に沿って受光した放射線を解像しつつ、前記表面で反射されたＸ線を受光するために、予め定義されたピッチで相互に分離された検出素子アレイを構成すること、
前記ピッチの整数倍でない増分で互いに分離された、少なくとも第１のポジションと第２のポジション間で、前記アレイ軸に平行な方向で前記検出素子アレイをシフトすること、
少なくとも前記第１のポジションと前記第２のポジションそれぞれで受光したＸ線に応答可能なように、検出素子により生成された少なくとも第１の信号と第２の信号を受信すること、
前記表面に対する仰角の関数として、前記表面のＸ線反射率を決定するために、少なくとも前記第１の信号と前記第２の信号を合成すること、
を含む検査方法。 A sample inspection method,
Directing X-rays towards the sample surface,
Detection separated from each other at a predefined pitch to receive X-rays reflected from the surface while resolving radiation received along an array axis substantially orthogonal to the surface Constructing an element array;
The separated from one another in increments not an integer multiple of the pitch, between at least a first position and a second position, shifting the detector array in a direction parallel to the array axis,
Receiving at least a first signal and a second signal generated by a detection element so as to be capable of responding to X-rays received at least at the first position and the second position, respectively.
Combining at least the first signal and the second signal to determine an X-ray reflectivity of the surface as a function of an elevation angle relative to the surface;
Including inspection methods. 前記少なくとも前記第１の信号と前記第２の信号を合成することには、信号をインターリーブすることを含む、請求項２８に記載の検査方法。   29. The inspection method according to claim 28, wherein combining at least the first signal and the second signal includes interleaving the signals. 前記増分は、前記ピッチの半分以下である、請求項２８に記載の検査方法。 The increment, the less than half of the pitch, the inspection method according to claim 28. マイクロ電子デバイス製造用クラスターツールであって、
半導体ウェハー表面の、既知の反射特性を有する下層に薄膜層を蒸着することに適用される蒸着ステーションと、
検査ステーションであって、
前記ウェハー表面にＸ線を向けることに適用される放射線源と、
前記表面に対する仰角の関数として反射信号を生成するために、前記表面で反射された放射線を検知するよう配置された検出器部と、
下層からの放射線反射による反射信号における特徴を同定すること及び同定された特徴と下層の既知の反射特性とに応答可能なように反射信号を較正することにより、反射信号を受信且つ処理するため、及び前記蒸着ステーションで蒸着された薄膜層の特性を決定するために較正された反射信号を分析するために連結された信号プロセッサ、を有する検査ステーション、
を有するクラスターツール。 A cluster tool for manufacturing microelectronic devices,
A deposition station applied to deposit a thin film layer on an underlying layer having a known reflective property on a semiconductor wafer surface;
An inspection station,
A radiation source applied to direct X-rays on the wafer surface;
A detector portion arranged to detect radiation reflected from the surface to generate a reflected signal as a function of elevation relative to the surface;
To receive and process the reflected signal by identifying features in the reflected signal due to radiation reflection from the lower layer and calibrating the reflected signal to be responsive to the identified features and the known reflection characteristics of the lower layer, and an inspection station having a signal processor, coupled to analyze reflected signals calibrated to determine the characteristics of the thin film layer deposited in the deposition station,
Cluster tool with マイクロ電子デバイス製造用装置であって、
半導体ウェハーを受け入れることに適用される製造用チャンバーと、
前記チャンバー内で半導体ウェハー表面の、既知の反射特性を有する下層に薄膜層を蒸着することに適用される蒸着装置と、
チャンバー内の半導体ウェハー表面にＸ線を向けることに適用される放射線源と、
前記表面に対する仰角の関数として反射信号を生成するために、前記表面で反射された放射線を検知するよう配置された検出器部と、
下層からの放射線反射による反射信号における特徴を同定すること及び同定された特徴と下層の既知の反射特性とに応答可能なように反射信号を較正することにより、反射信号を受信且つ処理するため、及び前記蒸着装置で蒸着された薄膜層の特性を決定するために較正された反射信号を分析するために連結された信号プロセッサ、
を有するマイクロ電子デバイス製造用装置。 An apparatus for manufacturing a microelectronic device,
A manufacturing chamber adapted to receive a semiconductor wafer;
A deposition apparatus applied to deposit a thin film layer on a lower layer having a known reflection characteristic on the surface of the semiconductor wafer in the chamber;
A radiation source applied to directing X-rays to a semiconductor wafer surface in a chamber;
A detector portion arranged to detect radiation reflected from the surface to generate a reflected signal as a function of elevation relative to the surface;
To receive and process the reflected signal by identifying features in the reflected signal due to radiation reflection from the lower layer and calibrating the reflected signal to be responsive to the identified features and the known reflection characteristics of the lower layer, and concatenated signal processor for analyzing the reflected signals calibrated to determine the characteristics of the thin film layer deposited in the deposition device,
An apparatus for manufacturing a microelectronic device. マイクロ電子デバイス製造用クラスターツールであって、
半導体ウェハー表面に薄膜層を蒸着することに適用される蒸着ステーションと、
検査ステーションであって、
前記ウェハー表面にＸ線を向けることに適用される放射線源と、
検出器部であって、
前記表面に対して実質的に直交するアレイ軸に沿って配置され、予め定義されたピッチで相互に分離され、前記表面で反射されたＸ線を受光するため及び受光した放射線に応答可能なように信号を生成するために作動するようになっている検出素子アレイと、
前記ピッチの整数倍でない増分で互いに分離されている、少なくとも第１のポジションと第２のポジションとの間で前記アレイ軸に平行な方向に前記検出素子アレイをシフトするために連結された可動素子、を有する検出器部と、
前記表面に対する仰角の関数として薄膜層のＸ線反射率を決定するために、少なくとも前記第１のポジションと前記第２のポジションで前記検出器部によって生成された信号を合成するために連結された信号プロセッサ、を有する検査ステーション、
を有するクラスターツール。 A cluster tool for manufacturing microelectronic devices,
A deposition station applied to deposit a thin film layer on a semiconductor wafer surface;
An inspection station,
A radiation source applied to direct X-rays on the wafer surface;
A detector section,
Positioned along an array axis substantially orthogonal to the surface, separated from each other by a predefined pitch, to receive X-rays reflected at the surface and to be responsive to received radiation A sensing element array adapted to be activated to generate a signal;
The are separated from one another in increments not an integer multiple of the pitch, at least a first position and connected to a movable element to shift the detector array in a direction parallel to the array axis between the second position A detector unit having
To determine the X-ray reflectance of the thin film layer as a function of elevation angle relative to the surface, coupled to combine the signals generated by the detector unit in at least the first position and the second position Signal processor, having inspection station,
Cluster tool with マイクロ電子デバイス製造用装置であって、
半導体ウェハーを受け入れることに適用される製造用チャンバーと、
前記チャンバー内で半導体ウェハー表面に薄膜層を蒸着することに適用される蒸着装置と、
チャンバー内の半導体ウェハー表面にＸ線を向けることに適用される放射線源と、
検出器部であって、
前記表面に対して実質的に直交するアレイ軸に沿って配置され、予め定義されたピッチで相互に分離され、前記表面で反射されたＸ線を受光するため及び受光した放射線に応答可能なように信号を生成するために作動するようになっている検出素子アレイと、
前記ピッチの整数倍でない増分で互いに分離されている、少なくとも第１のポジションと第２のポジションとの間で前記アレイ軸に平行な方向に前記検出素子アレイをシフトするために連結された可動素子、を有する検出器部と、
前記表面に対する仰角の関数として薄膜層のＸ線反射率を決定するために、少なくとも前記第１のポジションと前記第２のポジションで前記検出器部によって生成された信号を合成するために連結された信号プロセッサ、
を有する製造用装置。 An apparatus for manufacturing a microelectronic device,
A manufacturing chamber adapted to receive a semiconductor wafer;
A deposition apparatus applied to deposit a thin film layer on a semiconductor wafer surface in the chamber;
A radiation source applied to directing X-rays to a semiconductor wafer surface in a chamber;
A detector section,
Positioned along an array axis substantially orthogonal to the surface, separated from each other by a predefined pitch, to receive X-rays reflected at the surface and to be responsive to received radiation A sensing element array adapted to be activated to generate a signal;
The are separated from one another in increments not an integer multiple of the pitch, at least a first position and connected to a movable element to shift the detector array in a direction parallel to the array axis between the second position A detector unit having
To determine the X-ray reflectance of the thin film layer as a function of elevation angle relative to the surface, coupled to combine the signals generated by the detector unit in at least the first position and the second position Signal processor,
A manufacturing apparatus comprising: サンプルの検査方法であって、
予め定義された第１のポジションにある放射線源から、予め定義された第２のポジションにある放射線センサへ放射線を向けること、
予め定義されたカットオフ角で放射線をカットオフするように、シャッターが配置された間に、仰角の関数として第１の直接信号を生成するために前記放射線源から前記放射線センサへ直接入射する放射線を検知すること、
予め定義されたカットオフ角で放射線をカットオフしないように、シャッターが配置された間に、仰角の関数として第２の直接信号を生成するために前記放射線源から前記放射線センサへ直接入射する放射線を検知すること、
放射線がサンプル表面に入射するよう、予め定義された第１のポジションにある前記放射線源と予め定義された第２のポジションにある前記放射線センサの間にサンプルを置くこと、
予め定義されたカットオフ角で放射線をカットオフするように、シャッターが配置された間に、仰角の関数として第１の反射信号を生成するためにサンプル表面から前記放射線センサ上へ反射した放射線を検知すること、
予め定義されたカットオフ角で放射線をカットオフしないように、シャッターが配置された間に、仰角の関数として第２の反射信号を生成するためにサンプル表面から前記放射線センサ上へ反射した放射線を検知すること、
前記表面に対する接線の仰角を見つけるために、前記第１の直接信号と前記第２の直接信号の第１の比と、前記第１の反射信号と前記第２の反射信号の第２の比を比較すること、
を含む検査方法。 A sample inspection method,
Directing radiation from a radiation source in a first predefined position to a radiation sensor in a second predefined position;
Radiation so as to cut off at a pre-defined cut-off angle, the radiation incident directly between the shutter is arranged, from the radiation source to generate a first direct signal as a function of elevation angle to said radiation sensor Detecting
Radiation so as not to cut off at a pre-defined cut-off angle, the radiation incident directly between the shutter is arranged, from the radiation source to generate a second direct signal as a function of elevation angle to said radiation sensor Detecting
Such that radiation incident on the sample surface, placing the sample between the radiation sensor in a second position which is previously defined as the radiation source at a first position defined in advance,
Radiation so as to cut off at a pre-defined cut-off angle, while the shutter is arranged, the radiation reflected onto the radiation sensor from a sample surface to generate a first reflected signal as a function of elevation angle Detecting,
Radiation so as not to cut off at a pre-defined cut-off angle, while the shutter is arranged, the radiation reflected onto the radiation sensor from a sample surface to generate a second reflected signal as a function of elevation angle Detecting,
In order to find the elevation angle of the tangent to the surface, the first ratio of the first direct signal and the second direct signal, and the second ratio of the first reflected signal and the second reflected signal are: Comparing,
Including inspection methods. 前記放射線には、Ｘ線を含む、請求項３５に記載の検査方法。 The inspection method according to claim 35, wherein the radiation includes X-rays. 前記放射線センサは、サンプル表面に対して直交するアレイ軸を持つ検出素子アレイを有する、請求項３５に記載の検査方法。   36. The inspection method according to claim 35, wherein the radiation sensor has a detection element array having an array axis orthogonal to the sample surface. 前記直接信号と前記反射信号を決定するために、放射線を検知することには、
前記アレイ軸と平行な方向に沿って、少なくとも第１のポジションと第２のポジションの間で前記アレイを移動し、
少なくとも前記第１のポジションと前記第２のポジションで前記検出素子によって受光された放射線による第１の信号と第２の信号を生成し、
向上された反射信号を生成するために、少なくとも前記第１の信号と前記第２の信号を合成する、
ことを含む請求項３７に記載の検査方法。 To detect radiation to determine the direct signal and the reflected signal,
Along said array direction parallel to the axis, moving the array between at least a first position and a second position,
Generating a first signal and a second signal by radiation of light received by the detection element at least said first position and said second position,
Combining at least the first signal and the second signal to generate an improved reflected signal;
The inspection method according to claim 37, further comprising: サンプル表面の薄膜層の性質を決定するために、前記第１の反射信号と前記第２の反射信号を分析することを含む、請求項３５に記載の検査方法。   36. The inspection method of claim 35, comprising analyzing the first reflected signal and the second reflected signal to determine a property of the thin film layer on the sample surface. 前記第１の比と前記第２の比とを比較することには、
前記第１の比が所定の値となる第１の仰角を見つけ、前記第２の比が所定の値となる第２の仰角を見つけ、及び該第１の仰角と該第２の仰角の平均となるよう、前記表面に対する接線の仰角を決定する、ことを含む請求項３５に記載の検査方法。 To compare the first ratio and the second ratio,
Find the first elevation, wherein the first ratio is a predetermined value, find a second elevation where the second ratio is a predetermined value, and the average of the first elevation and the second elevation 36. The inspection method according to claim 35, comprising: determining an elevation angle of a tangent to the surface so that 前記シャッターが放射線をカットオフするより下で最小仰角を決定するために前記第１の仰角と前記第２の仰角の差を取得することを含む、請求項４０に記載の検査方法。 It includes obtaining a difference between the first elevation and the second elevation to the shutter to determine the minimum elevation angle below the cut-off radiation inspection method of claim 40. サンプルの検査装置であって、
放射線を生成することに適用される、予め定義された第１のポジションにある放射線源と、
予め定義されたカットオフ角で放射線をカットするために配置可能なシャッターと、
前記放射線源で生成された放射線をサンプル表面へ入射させるためにサンプルを適当な場所へ置くために構成される可動ステージと、
仰角の関数として、放射線センサに入射した放射線に応答可能な信号を生成するために放射線を検知することに適用される、予め定義された第２のポジションにある放射線センサと、
前記信号には、
予め定義されたカットオフ角で放射線をカットオフするように、前記シャッターが配置された間に、前記放射線源から前記放射線センサへ直接入射する放射線に応答可能な第１の直接信号と、
予め定義されたカットオフ角で放射線をカットオフしないように、前記シャッターが配置された間に、前記放射線源から前記放射線センサへ直接入射する放射線に応答可能な第２の直接信号と、
予め定義されたカットオフ角で放射線をカットオフするように、前記シャッターが配置された間に、サンプル表面から前記放射線センサ上へ反射した放射線に応答可能な第１の反射信号と、
予め定義されたカットオフ角で放射線をカットオフしないように、前記シャッターが配置された間に、サンプル表面から前記放射線センサ上へ反射した放射線に応答可能な第２の反射信号とを含み、
前記表面に対する接線の仰角を見つけるために、前記第１の直接信号と前記第２の直接信号の第１の比と、前記第１の反射信号と前記第２の反射信号の第２の比を比較するために連結された信号プロセッサと、
を有する検査装置。 A sample inspection device,
A radiation source in a first predefined position applied to generating radiation;
A shutter that can be arranged to cut radiation at a predefined cutoff angle;
A movable stage configured to place the sample in an appropriate location for the radiation generated by the radiation source to be incident on the sample surface;
A radiation sensor in a predefined second position applied to detecting radiation as a function of elevation angle to produce a signal responsive to radiation incident on the radiation sensor;
The signal includes
Radiation so as to cut off at a pre-defined cut-off angle, while the shutter is arranged, the first direct signal can respond to radiation incident directly to the radiation sensor from said radiation source,
Radiation so as not to cut off at a pre-defined cut-off angle, while the shutter is arranged, a second direct signal can respond to radiation incident directly to the radiation sensor from said radiation source,
Radiation so as to cut off at a pre-defined cut-off angle, while the shutter is arranged, a first reflected signal responsively from the sample surface to the radiation reflected onto the radiation sensor,
Radiation so as not to cut off at a pre-defined cut-off angle, while the shutter is arranged, and a second reflected signal responsively from the sample surface to the radiation reflected onto the radiation sensor,
In order to find the elevation angle of the tangent to the surface, the first ratio of the first direct signal and the second direct signal, and the second ratio of the first reflected signal and the second reflected signal are: A signal processor coupled for comparison;
Inspection device having 前記放射線には、Ｘ線を含む、請求項４２に記載の検査装置。 43. The inspection apparatus according to claim 42, wherein the radiation includes X-rays. 前記放射線センサは、サンプル表面に対して直交するアレイ軸を持つ検出素子アレイを有する、請求項４２に記載の検査装置。   43. The inspection apparatus according to claim 42, wherein the radiation sensor has a detection element array having an array axis orthogonal to a sample surface. 前記放射線センサは第１のポジションと第２のポジションで検出素子により受光された放射線による少なくとも第１の信号と第２の信号を生成するために、前記アレイ軸に平行な方向に沿って少なくとも第１のポジションと第２のポジション間で前記アレイを移動させることに適用される可動素子を有し、及び前記信号プロセッサは向上された信号を生成するために少なくとも前記第１の信号と前記第２の信号を合成することに適用される、請求項４４に記載の検査装置。 For the radiation sensor generating at least first and second signals by radiation of light received by the detecting element in a first position and a second position, at least a first along a direction parallel to the array axis has a movable element applied to moving said array between the first position and the second position, and the signal processor at least the first signal to produce an enhanced signal from said second The inspection apparatus according to claim 44, wherein the inspection apparatus is applied to synthesize the signals. 前記信号プロセッサは、サンプル表面の薄膜層の性質を決定するために、前記第１の反射信号と前記第２の反射信号を分析することに適用される、請求項４２に記載の検査装置。   43. The inspection apparatus of claim 42, wherein the signal processor is applied to analyze the first reflected signal and the second reflected signal to determine a property of a thin film layer on a sample surface. 前記信号プロセッサは、前記第１の比が所定の値となる第１の仰角を見つけ、前記第２の比が所定の値となる第２の仰角を見つけ、及び該第１の仰角と該第２の仰角の平均を取得することにより、前記表面に対する接線の仰角を決定すること、
に適用される、請求項４２に記載の検査装置。 The signal processor finds the first elevation, wherein the first ratio is a predetermined value, find a second elevation where the second ratio is a predetermined value, and said first elevation and said second Determining an elevation angle of a tangent to the surface by obtaining an average of the elevation angles of 2;
The inspection apparatus according to claim 42, which is applied to the inspection apparatus. 前記信号プロセッサは、前記シャッターが放射線をカットオフするより下で最小仰角を決定するために前記第１の仰角と前記第２の仰角の差を取得することに適用される、請求項４７に記載の検査装置。   48. The signal processor is applied to obtaining a difference between the first elevation angle and the second elevation angle to determine a minimum elevation angle below which the shutter cuts off radiation. Inspection equipment.
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