JP2005109294A - Semiconductor integrated circuit, method and apparatus for designing the semiconductor integrated circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体集積回路と半導体集積回路の設計方法、および処理装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, a method for designing a semiconductor integrated circuit, and a processing apparatus.
従来から、LSI(Large Scale Integrated Circuit)等の半導体集積回路が種々の電子機器に利用されている。 Conventionally, semiconductor integrated circuits such as LSI (Large Scale Integrated Circuit) have been used for various electronic devices.
従来、DWF(De nse Wire Fabric)という構造で、信号線の両側に必ず電源線(給電線及びグランド線)を並走させる構造により、ディープサブミクロンデザインでのノイズ問題の解決および、寄生パラメータの抽出精度の向上、製造容易性の向上が提案されている(非特許文献1、2参照)。 Conventionally, a structure called DWF (Dense Wire Fabric), in which power supply lines (feeding lines and ground lines) are always run side by side on both sides of the signal line, solves noise problems in deep sub-micron designs and reduces parasitic parameters. Improvement of extraction accuracy and improvement of manufacturability have been proposed (see Non-Patent Documents 1 and 2).
また、半導体集積回路の一設計手法として、CPA(Cross Point Assignment)法が採用されている(例えば、非特許文献3、4参照)。CPA法を用いて半導体集積回路の設計を行う場合、例えば、2端子間に配線処理を施す場合には、半導体チップの配線処理領域を小さな複数の配線処理領域(小配線領域)に分割し、複数の前記小配線処理領域を通って前記2つの端子間を接続する概略の配線を決定し(グローバル配線処理)、前記概略配線に基づいてCPA法により配線が通過する各小配線領域の境界における詳細位置(仮想ピン)を決定し、前記詳細位置を通過するという条件を満足させた状態で欠く小配線領域内の詳細な配線処理(詳細配線処理)を行うことにより、半導体集積回路の配線処理が完了する。 In addition, as a design method for a semiconductor integrated circuit, a CPA (Cross Point Assignment) method is employed (see, for example, Non-Patent Documents 3 and 4). When designing a semiconductor integrated circuit using the CPA method, for example, when performing wiring processing between two terminals, the wiring processing area of the semiconductor chip is divided into a plurality of small wiring processing areas (small wiring areas) Schematic wiring that connects the two terminals through the plurality of small wiring processing areas is determined (global wiring processing), and at the boundary of each small wiring area through which wiring passes by the CPA method based on the schematic wiring Wiring processing of a semiconductor integrated circuit by determining a detailed position (virtual pin) and performing detailed wiring processing (detailed wiring processing) in a small wiring region that is lacking in a state where the condition of passing through the detailed position is satisfied Is completed.
このCPA法を用いても、DWF構造の半導体集積回路の設計が可能である。
従来のDWF構造は、非常にノイズ耐性が強くなり、ICでの動作完全性が補償されやすくなるが、上記のように必ず信号線の両側に給電線及びグランド線が必要となるため、チップ面積が大幅に増加し、実用的に大きな問題がある。 The conventional DWF structure has a very high noise resistance, and it is easy to compensate for the operational integrity of the IC. However, as described above, a power supply line and a ground line are always required on both sides of the signal line. There is a big problem in practical use.
PLA(Programable Logic Array)などの特殊な設計では、オーバヘッドを抑えることができるが、通常のASIC(Application Specific IC)や、プロセッサなどセルベースのデザインではコストに見合わなく、大きな障壁となっている。 Special designs such as PLA (Programmable Logic Array) can reduce overhead, but ordinary ASIC (Application Specific IC) and cell-based designs such as processors do not meet the cost and constitute a major barrier. .
本発明は、チップ面積を小さくする共に対ノイズ性を向上させることが可能な半導体集積回路を提供することを課題としている。 An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit capable of reducing a chip area and improving noise resistance.
また、本発明は、チップ面積を小さくすると共に対ノイズ性を向上させることが可能な集積回路の設計が可能な半導体集積回路の設計方法を提供することを課題としている。 Another object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit design method capable of designing an integrated circuit capable of reducing the chip area and improving the noise resistance.
本発明によれば、回路素子に電力を供給するための電源線と、前記電源線から離間して配設され、信号を伝搬するための信号線とを有する半導体集積回路において、前記電源線に接続され、前記信号線近傍まで延在する延在部とを備えてなることを特徴とする半導体集積回路が適用される。延在部は、電源線に接続され、信号線近傍まで延在し、半導体集積回路内のスペースを埋める。 According to the present invention, in a semiconductor integrated circuit having a power supply line for supplying power to a circuit element and a signal line that is spaced apart from the power supply line and propagates a signal, the power supply line A semiconductor integrated circuit characterized by comprising an extended portion connected and extending to the vicinity of the signal line is applied. The extending portion is connected to the power supply line, extends to the vicinity of the signal line, and fills the space in the semiconductor integrated circuit.
ここで、前記電源線と信号線は相互に交差する方向に配設され、前記延在部は前記信号線の端部近傍まで延在するように構成してもよい。 Here, the power supply line and the signal line may be arranged in a direction intersecting each other, and the extending portion may be extended to the vicinity of the end portion of the signal line.
また、前記信号線及び延在部は同一層上に配設されて成るように構成してもよい。 The signal line and the extending portion may be arranged on the same layer.
また、本発明によれば、コンピュータが、記憶手段に記憶されたネットリスト情報、デザインルール、テクノロジ情報、セル情報、配置情報及び配線特性情報を用いて、セルの配置を決定するセル配置処理ステップと、電源線を生成する電源線生成処理ステップと、前記各セルを通る延在部も含めた配線の概略位置を決定するグローバル配線処理ステップと、CPA法により前記配線が通過する詳細位置を表す仮想ピン位置を決定するCPA処理ステップと、前記各セルにおいて、信号線及び電源線を生成すると共に前記電源線に接続され前記信号線近傍まで延在する延在部を生成する詳細配線処理ステップとを備えて成ることを特徴とする半導体集積回路の設計方法が提供される。 According to the present invention, the cell placement processing step in which the computer determines the placement of the cell using the netlist information, the design rule, the technology information, the cell information, the placement information, and the wiring characteristic information stored in the storage means. A power line generation processing step for generating a power line, a global wiring processing step for determining an approximate position of the wiring including the extending portion passing through each cell, and a detailed position through which the wiring passes by the CPA method. A CPA processing step for determining a virtual pin position; and a detailed wiring processing step for generating a signal line and a power supply line in each cell and generating an extended portion connected to the power supply line and extending to the vicinity of the signal line; A method for designing a semiconductor integrated circuit is provided.
コンピュータは、記憶手段に記憶されたネットリスト情報、デザインルール、テクノロジ情報、セル情報、配置情報及び配線特性情報を用いて、セルの配置を決定するセル配置処理ステップと、電源線を生成する電源線生成処理ステップと、前記各セルを通る延在部も含めた配線の概略位置を決定するグローバル配線処理ステップと、CPA法により前記配線が通過する詳細位置を表す仮想ピン位置を決定するCPA処理ステップと、前記各セルにおいて、信号線及び電源線を生成すると共に前記電源線に接続され前記信号線近傍まで延在する延在部を生成する詳細配線処理ステップとを行う。 The computer uses the net list information, design rules, technology information, cell information, placement information and wiring characteristic information stored in the storage means to determine a cell placement processing step for determining the placement of the cell, and a power supply for generating the power supply line. A line generation processing step, a global wiring processing step for determining an approximate position of the wiring including the extending portion passing through each cell, and a CPA processing for determining a virtual pin position representing a detailed position through which the wiring passes by the CPA method And a detailed wiring processing step of generating a signal line and a power line in each cell and generating an extended portion connected to the power line and extending to the vicinity of the signal line.
ここで、前記電源線と信号線は相互に交差する方向に配設され、前記延在部は前記信号線の端部近傍まで延在するように構成してもよい。 Here, the power supply line and the signal line may be arranged in a direction intersecting each other, and the extending portion may be extended to the vicinity of the end portion of the signal line.
本発明に係る半導体集積回路によれば、チップ面積を小さくする共に対ノイズ性を向上させることが可能になる。 The semiconductor integrated circuit according to the present invention can reduce the chip area and improve the noise resistance.
また、本発明に係る半導体集積回路の設計方法によれば、チップ面積を小さくする共に対ノイズ性を向上させることが可能な集積回路の設計が可能になる。 Further, according to the semiconductor integrated circuit design method of the present invention, it is possible to design an integrated circuit that can reduce the chip area and improve the noise resistance.
図1は、本発明の実施の形態に使用するコンピュータのブロック図であり、半導体集積回路設計装置を構成している。 FIG. 1 is a block diagram of a computer used in the embodiment of the present invention, and constitutes a semiconductor integrated circuit design apparatus.
図1において、コンピュータ100によって構成された半導体集積回路設計装置は、キーボードやマウス等によって構成され入力手段を構成する入力装置101、設計処理手段を構成する中央処理装置(CPU)102、表示手段を構成する表示装置103、半導体メモリによって構成された主記憶装置104、磁気ディスクによって構成された外部記憶装置105を備えている。 In FIG. 1, a semiconductor integrated circuit design apparatus constituted by a computer 100 includes an input device 101 constituted by a keyboard, a mouse, etc. and constituting an input means, a central processing unit (CPU) 102 constituting a design processing means, and a display means. A display device 103, a main storage device 104 constituted by a semiconductor memory, and an external storage device 105 constituted by a magnetic disk are provided.
外部記憶装置105内には、ネットリスト情報を予め記憶したネットリスト情報記憶部107、線幅などのデザインルールを予め記憶したデザインルール記憶部108、層数や層の高さあるいは誘電率等のテクノロジ情報を予め記憶したテクノロジ情報記憶部109、セルの種類等のセルに関するセル情報を予め記憶したセル情報記憶部110、配置情報を予め記憶した配置情報記憶部111を有している。 In the external storage device 105, a netlist information storage unit 107 that stores netlist information in advance, a design rule storage unit 108 that stores design rules such as line widths in advance, the number of layers, the height of layers, the dielectric constant, etc. A technology information storage unit 109 that stores technology information in advance, a cell information storage unit 110 that stores cell information related to cells such as cell types in advance, and an arrangement information storage unit 111 that stores arrangement information in advance are included.
尚、前記ネットリスト情報、デザインルール、テクノロジ情報、セル情報、配置情報は設計情報を構成している。外部記憶装置105は、CPU102が実行する半導体集積回路の設計処理プログラムも記憶している。主記憶装置104及び外部記憶装置105は設計情報記憶手段を構成している。 The net list information, design rules, technology information, cell information, and arrangement information constitute design information. The external storage device 105 also stores a semiconductor integrated circuit design processing program executed by the CPU 102. The main storage device 104 and the external storage device 105 constitute design information storage means.
図2は、本実施の形態に係る半導体集積回路の設計方法を示すフローチャートであり、コンピュータ100が、外部記憶装置105に予め記憶した設計処理プログラムを主記憶装置104に展開し、該プログラムを実行することにより行う処理を示している。 FIG. 2 is a flowchart showing a method for designing a semiconductor integrated circuit according to the present embodiment. The computer 100 develops a design processing program stored in advance in the external storage device 105 in the main storage device 104 and executes the program. The process performed by doing is shown.
図3は、本実施の形態に係る半導体集積回路の配線構造を示す図で、図2の設計方法によって設計された配線構造を示している。図3において、電源線は、正電位又は負電位の給電線301、接地電位のグランド線302を有している。給電線301及びグランド線302は相互に平行に配設されている。電源線と交差する方向(本実施の形態では直交する方向)に信号線303が配設されている。 FIG. 3 is a diagram showing a wiring structure of the semiconductor integrated circuit according to the present embodiment, and shows a wiring structure designed by the design method of FIG. In FIG. 3, the power supply line includes a power supply line 301 having a positive potential or a negative potential, and a ground line 302 having a ground potential. The feeder line 301 and the ground line 302 are arranged in parallel to each other. A signal line 303 is arranged in a direction crossing the power supply line (a direction orthogonal in the present embodiment).
給電線301には、ビア306によって導電性の延在部304が一体的に形成されている。また、グランド線302には、ビア307によって導電性の延在部305が一体的に形成されている。図3では、ビアを正方形によって示している。 In the power supply line 301, a conductive extension 304 is integrally formed by a via 306. In addition, a conductive extension 305 is integrally formed on the ground line 302 by a via 307. In FIG. 3, vias are indicated by squares.
電源線に一体的に形成された導電性の延在部304、305は、信号線303と同一層上に形成されている。また、延在部304、305は、信号線303の端部近傍まで延在するように形成されている。 Conductive extensions 304 and 305 formed integrally with the power supply line are formed on the same layer as the signal line 303. The extending portions 304 and 305 are formed so as to extend to the vicinity of the end portion of the signal line 303.
以下、図1〜図3を用いて、本実施の形態に係る半導体集積回路及び半導体集積回路の設計方法について詳細に説明する。 Hereinafter, the semiconductor integrated circuit and the method for designing the semiconductor integrated circuit according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIGS.
先ず、ユーザ(例えば、半導体集積回路の設計者)が入力装置101を操作すると、コンピュータ100は外部記憶装置105に記憶しておいた設計情報を主記憶装置104に読み込む。即ち、CPU102は、ネットリスト情報記憶部107からネットリスト情報を、デザインルール記憶部108からデザインルールを、テクノロジ情報記憶部109からテクノロジ情報を、セル情報記憶部110からセル情報を、配置情報記憶部111から配置情報を、概略配線情報記憶部112から配線経路情報を、制約情報記憶部113から制約情報を各々、主記憶装置104に読み出す。 First, when a user (for example, a semiconductor integrated circuit designer) operates the input device 101, the computer 100 reads design information stored in the external storage device 105 into the main storage device 104. That is, the CPU 102 stores netlist information from the netlist information storage unit 107, design rules from the design rule storage unit 108, technology information from the technology information storage unit 109, cell information from the cell information storage unit 110, and arrangement information storage. The placement information is read from the unit 111, the wiring route information is read from the general wiring information storage unit 112, and the restriction information is read from the restriction information storage unit 113.
次に、コンピュータ100は、前記設計情報の中のネットリスト情報、セル情報、テクノロジ情報を用いて、セルの詳細配置を決定する(ステップS201:セル配置処理ステップ)。次に、コンピュータ100は、テクノロジ情報を用いて、メッシュ状の電源線を生成する(ステップS202:電源線生成処理ステップ)。次に、コンピュータ100は、ネットリスト情報、テクノロジ情報、配置情報、セル情報を用いて、セルレベルでのグローバル配線(概略配線)処理を行い、各セルを通る配線(延在部、電源線、信号線)の概略位置を決定する(ステップS203:グローバル配線処理ステップ)。 Next, the computer 100 determines the detailed arrangement of the cells using the net list information, cell information, and technology information in the design information (step S201: cell arrangement processing step). Next, the computer 100 generates a mesh-shaped power supply line using the technology information (step S202: power supply line generation processing step). Next, the computer 100 performs global wiring (outline wiring) processing at a cell level using netlist information, technology information, arrangement information, and cell information, and performs wiring (extension part, power supply line, The approximate position of the signal line is determined (step S203: global wiring processing step).
次に、コンピュータ100は、配線経路情報とセル情報を用いて、公知のCPA法により前記配線が通過する詳細位置を表す仮想ピン位置を決定する(ステップS204:CPA処理ステップ)。これにより、各Gcellの境界位置における配線の通過位置が前記仮想ピンで示される。 Next, the computer 100 determines a virtual pin position representing a detailed position through which the wiring passes by a known CPA method using the wiring path information and the cell information (step S204: CPA processing step). Thereby, the passage position of the wiring at the boundary position of each Gcell is indicated by the virtual pin.
コンピュータ100は、前記各Gcellにおいて、テクノロジ情報、および信号完全性の補償のための制約情報を用いて、各配線が前記仮想ピンを通過するという境界条件を満足するように、信号線及び電源線を生成すると共に前記電源線に接続され前記信号線近傍まで延在する延在部を生成し、半導体集積回路のスペースを延在部で埋めるようにする(ステップS205:詳細配線処理ステップ)。 The computer 100 uses the technology information and the constraint information for compensation of signal integrity in each Gcell so that the signal line and the power supply line satisfy the boundary condition that each wiring passes through the virtual pin. And an extension portion connected to the power supply line and extending to the vicinity of the signal line is generated to fill the space of the semiconductor integrated circuit with the extension portion (step S205: detailed wiring processing step).
コンピュータ100は、前記のようにして得られた半導体集積回路の設計情報(Gcell情報)を、一旦主記憶装置104に記憶した後、外部記憶装置105(あるいは、他の記憶手段等)に、ファイル(例えばDEF形式)として出力して記憶する(ステップS206)。 The computer 100 temporarily stores the design information (Gcell information) of the semiconductor integrated circuit obtained as described above in the main storage device 104, and then stores the file in the external storage device 105 (or other storage means). It is output and stored as (for example, DEF format) (step S206).
このようにして、図3に示すような半導体集積回路の設計情報(Gcell情報)が得られる。電源線(給電線301及びグランド線302)と信号線303は相互に交差する方向(例えば直交する方向)に配設され、延在部304、305は信号線303の端部近傍まで延在する。また、信号線303及び延在部304、305は同一層上に配設される。 In this way, design information (Gcell information) of the semiconductor integrated circuit as shown in FIG. 3 is obtained. The power supply line (feed line 301 and ground line 302) and the signal line 303 are arranged in a direction crossing each other (for example, a direction orthogonal to each other), and the extended portions 304 and 305 extend to the vicinity of the end of the signal line 303. . Further, the signal line 303 and the extending portions 304 and 305 are disposed on the same layer.
このように構成された半導体集積回路によれば、半導体集積回路チップのスペース領域に延在部304、305を設けるようにしているので、チップ面積を小さくすることが可能になる。 According to the semiconductor integrated circuit configured as described above, since the extended portions 304 and 305 are provided in the space region of the semiconductor integrated circuit chip, the chip area can be reduced.
また、従来は信号線間にフローティング配線を設けるように構成していたため耐ノイズ性能等が不安定であったが、本実施の形態では、電源線に連結した導電性の延在部304、305を設けているため、優れたシールド効果を得ることが可能になると共に、デカップリングコンデンサを形成することも可能になり、耐ノイズ性に優れた半導体集積回路を構成することが可能になる。 Conventionally, since the floating wiring is provided between the signal lines, noise resistance performance and the like have been unstable. However, in this embodiment, the conductive extensions 304 and 305 connected to the power supply line are used. Therefore, an excellent shielding effect can be obtained, and a decoupling capacitor can be formed, so that a semiconductor integrated circuit having excellent noise resistance can be configured.
また、CMP(Chemical Mechanical Polising)法による研磨時の歩留まりを向上させることも可能である。 Further, it is possible to improve the yield during polishing by CMP (Chemical Mechanical Polising).
また、本実施の形態に係る半導体集積回路の設計方法によれば、前記のような耐ノイズ性などに優れた半導体集積回路を設計することが可能になる。 Further, according to the method for designing a semiconductor integrated circuit according to the present embodiment, it is possible to design a semiconductor integrated circuit having excellent noise resistance as described above.
101・・・入力手段を構成する入力装置
102・・・設計処理手段を構成するCPU
103・・・表示手段を構成する表示装置
104・・・設計情報記憶手段を構成する主記憶装置
105・・・設計情報記憶手段を構成する外部記憶装置
107・・・ネットリスト情報記憶部
108・・・デザインルール記憶部
109・・・テクノロジ情報記憶部
110・・・セル情報記憶部
111・・・配置情報記憶部
112・・・概略配線情報記憶部
113・・・制約情報記憶部
301・・・電源線を構成する給電線
302・・・電源線を構成するグランド線
303・・・信号線
304、305・・・延在部
306、307・・・ビア
101 ... Input device constituting input means 102 ... CPU constituting design processing means
103 ... Display device 104 constituting display means ... Main storage device 105 constituting design information storage means ... External storage device 107 constituting design information storage means ... Netlist information storage unit 108 Design rule storage unit 109 ... Technology information storage unit 110 ... Cell information storage unit 111 ... Placement information storage unit 112 ... Outline wiring information storage unit 113 ... Restriction information storage unit 301 ... Power supply line 302 constituting the power supply line ... Ground line 303 constituting the power supply line ... Signal lines 304, 305 ... Extending portions 306, 307 ... vias
Claims (6)
前記電源線に接続され、前記信号線近傍まで延在する延在部とを備えてなることを特徴とする半導体集積回路。 In a semiconductor integrated circuit having a power supply line for supplying power to a circuit element, and a signal line disposed apart from the power supply line for propagating a signal,
A semiconductor integrated circuit comprising: an extension portion connected to the power supply line and extending to the vicinity of the signal line.
前記記憶手段に記憶されたネットリスト情報、デザインルール、テクノロジ情報、セル情報、配置情報及び配線特性情報を用いて、セルの配置を決定するセル配置処理手段と、
電源線を生成する電源線生成処理手段と、
前記各セルを通る延在部も含めた配線の概略位置を決定するグローバル配線処理手段と、
CPA法により前記配線が通過する詳細位置を表す仮想ピン位置を決定するCPA処理手段と、
前記各セルにおいて、信号線及び電源線を生成すると共に前記電源線に接続され前記信号線近傍まで延在する延在部を生成する詳細配線処理手段とを備えて成ることを特徴とする半導体集積回路の設計装置。
Storage means for storing netlist information, design rules, technology information, cell information, placement information and wiring characteristic information;
Cell placement processing means for determining cell placement using netlist information, design rules, technology information, cell information, placement information and wiring characteristic information stored in the storage means;
Power line generation processing means for generating a power line;
A global wiring processing means for determining an approximate position of wiring including an extending portion passing through each cell;
CPA processing means for determining a virtual pin position representing a detailed position through which the wiring passes by a CPA method;
In each of the cells, a semiconductor integrated circuit comprising: detailed wiring processing means for generating a signal line and a power supply line and generating an extended portion connected to the power supply line and extending to the vicinity of the signal line Circuit design equipment.
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