JP2005106977A - Method for measuring mounting position of semiconductor device and substrate for electro-optical device, substrate for electro-optical device, electro-optical device, electronic device, semiconductor device, and method for manufacturing electro-optical device. - Google Patents
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Abstract
【課題】簡易な構成でパネル上に装着された半導体装置の位置ずれを測定できる半導体装置とパネルの装着位置測定方法を得る。
【解決手段】等間隔で直線状に配置される測定用バンプ32xを有する半導体装置と、測定用バンプ32xのうち基準となるバンプ32aの中心軸P1が装着される位置に基準となるマーク11aを設け、このマーク11aから所定の規則にしたがってアライメントマーク11xを配置したパネルと、を有し、半導体装置をパネルに装着して、半導体装置のパネルの装着面内における位置ずれを測定する半導体装置とパネルの装着位置測定方法であって、中心軸P1にマーク11aの中心軸P2が一致したバンプにおけるマークと、基準となるマーク11aと、の間に存在するアライメントマーク11xの数によって、基準となるバンプ32aの基準となるマーク11aからのずれを算出する。
【選択図】 図4−1A semiconductor device and a panel mounting position measuring method capable of measuring a displacement of a semiconductor device mounted on a panel with a simple configuration.
A semiconductor device having measurement bumps 32x arranged linearly at equal intervals, and a reference mark 11a at a position where a central axis P1 of a reference bump 32a of the measurement bumps 32x is mounted. And a panel on which the alignment mark 11x is arranged according to a predetermined rule from the mark 11a, and the semiconductor device is mounted on the panel to measure the positional deviation in the mounting surface of the panel of the semiconductor device. This is a panel mounting position measuring method, which is based on the number of alignment marks 11x existing between a mark on a bump whose central axis P2 coincides with the central axis P1 and a mark 11a serving as a reference. The deviation of the bump 32a from the reference mark 11a is calculated.
[Selection] Figure 4-1
Description
本発明は、バンプを備えた半導体装置を電気光学装置用基板に装着させた際の半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置の精度を測定する半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法、電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器、半導体装置および電気光学装置の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a mounting position measurement of a semiconductor device and an electro-optical device substrate for measuring the accuracy of the mounting positions of the semiconductor device and the electro-optical device substrate when the semiconductor device having bumps is mounted on the electro-optical device substrate. The present invention relates to a method, a substrate for an electro-optical device, an electro-optical device, an electronic apparatus, a semiconductor device, and a method for manufacturing the electro-optical device.
近年、電気製品等の小型化に伴い、電気製品等に内蔵される部品の小型化が進んでいる。例えば、液晶表示パネルにおいては、液晶を搭載するパネルに液晶ドライバ等の液晶以外の部品を搭載することによって液晶表示する部分以外を小型化している。したがって、液晶パネル自体を小型化するためには液晶ドライバ等の周辺部品を小型化してパネルに搭載する必要がある。このため、小型化された液晶ドライバ等をパネルに装着する際の位置合わせを精度良く行わなければならない。 In recent years, with the miniaturization of electrical products and the like, the miniaturization of components incorporated in electrical products and the like has progressed. For example, in a liquid crystal display panel, parts other than a liquid crystal display are downsized by mounting components other than liquid crystal such as a liquid crystal driver on the panel on which the liquid crystal is mounted. Therefore, in order to reduce the size of the liquid crystal panel itself, it is necessary to downsize peripheral components such as a liquid crystal driver and mount them on the panel. For this reason, it is necessary to perform alignment accurately when a miniaturized liquid crystal driver or the like is mounted on the panel.
従来、COG(Chip On Glass)では液晶を搭載する透明のガラスパネルと液晶ドライバ等の半導体装置の位置合わせの精度を測定するため、ガラスパネルの装着面と液晶ドライバの装着面の両方にドット状のアライメントマークを形成していた。そして、液晶ドライバをガラスパネルに装着した後、ガラスパネルの裏側から2つのアライメントマークの距離を距離測定用の装置で測定していた。 Conventionally, in COG (Chip On Glass), in order to measure the alignment accuracy of a transparent glass panel on which liquid crystal is mounted and a semiconductor device such as a liquid crystal driver, dots are formed on both the glass panel mounting surface and the liquid crystal driver mounting surface. The alignment mark was formed. After mounting the liquid crystal driver on the glass panel, the distance between the two alignment marks from the back side of the glass panel was measured with a distance measuring device.
しかし、ガラスパネルと液晶ドライバの位置合わせの精度を測定するために、距離測定用の装置を用いて2つのアライメントマークの距離を測定することは労力と時間を要するといった問題があった。また、透明でないフレキシブルプリント配線板上に位置精度良くIC(Integrated Circuit)を実装する方法として、フレキシブルプリント配線上のIC実装位置周辺に認識マークを配置する方法がある。この方法では、予めIC実装位置と認識マークの相対距離を測定しておき、認識マークの位置を画像認識装置によって検出することによってIC実装位置を算出している。したがって、フレキシブルプリント配線板上に位置精度良くICを実装するためには、認識マークを精度良く検出する必要がある。 However, in order to measure the alignment accuracy between the glass panel and the liquid crystal driver, measuring the distance between the two alignment marks using a distance measuring device has a problem of requiring labor and time. Further, as a method of mounting an IC (Integrated Circuit) on a non-transparent flexible printed wiring board with high positional accuracy, there is a method of arranging a recognition mark around the IC mounting position on the flexible printed wiring. In this method, the IC mounting position is calculated by measuring the relative distance between the IC mounting position and the recognition mark in advance and detecting the position of the recognition mark by the image recognition apparatus. Therefore, in order to mount the IC on the flexible printed wiring board with high positional accuracy, it is necessary to detect the recognition mark with high accuracy.
特許文献1に記載のフレキシブルプリント配線板は、銅箔上にポリイミドを形成し、銅箔に形成する認識マークの上部にあるポリイミドを認識マークより大きい形状で削除している。その後、銅箔に認識マークを形成し、必要なカバーレイ等を施すことによってフレキシブルプリント配線板を製造している。これによって、フレキシブルプリント配線板の表面と裏面の両側から銅箔が露出することとなり、フレキシブルプリント配線板の表面と裏面の両側から認識マークを検出できるようにしている。
In the flexible printed wiring board described in
しかしながら、上記特許文献1に記載の従来技術では、ポリイミドを削除する工程が必要となるうえに、認識マークの位置を画像認識装置によって検出しなければならないといった問題があった。また、フレキシブルプリント配線板にICを実装する際の認識マークは検出できるが、フレキシブルプリント配線板にICを実装した後の位置合わせ精度は測定できないといった問題があった。
However, the conventional technique described in
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、認識マークの位置を検出するための画像認識装置を用いることなく、簡易な構成で電気光学装置用基板上に装着された半導体装置の位置ずれを測定できる半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法、電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器、半導体装置および電気光学装置の製造方法を得ることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and the position of a semiconductor device mounted on a substrate for an electro-optical device with a simple configuration without using an image recognition device for detecting the position of a recognition mark. It is an object of the present invention to obtain a mounting position measuring method for a semiconductor device and an electro-optical device substrate capable of measuring a deviation, an electro-optical device substrate, an electro-optical device, an electronic device, a semiconductor device, and an electro-optical device manufacturing method.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、等間隔で直線状に配置されるバンプを有する半導体装置と、前記バンプのうち基準となるバンプの所定の部分が装着される位置に基準となるアライメントマークを設け、このアライメントマークから所定の規則にしたがってアライメントマークを配置した電気光学装置用基板と、を有し、前記半導体装置を前記電気光学装置用基板に装着して、前記半導体装置の前記電気光学装置用基板の装着面内における位置ずれを測定する半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法であって、前記所定の部分にアライメントマークが一致したバンプにおけるアライメントマークと、前記基準となるアライメントマークと、の間に存在するアライメントマークの数によって、前記基準となるバンプの前記基準となるアライメントマークからのずれを算出することを特徴とする。これにより、アライメントマークが所定の規則に従って配置され、バンプが等間隔で配置されているので、基準となるアライメントマークと基準となるバンプの一致する装着位置に基づいて基準となるバンプと基準となるアライメントマークの位置ずれ検出するだけで電気光学装置用基板と半導体装置の装着位置を測定することが可能となる。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, the present invention mounts a semiconductor device having bumps arranged in a straight line at equal intervals, and a predetermined portion of the bump as a reference among the bumps. An alignment mark serving as a reference is provided at a position, and the alignment mark is arranged according to a predetermined rule from the alignment mark, and the semiconductor device is mounted on the electro-optic device substrate, A method for measuring a mounting position of a semiconductor device and an electro-optical device substrate in a mounting surface of the electro-optical device substrate in the semiconductor device, wherein the alignment is performed on a bump whose alignment mark coincides with the predetermined portion. Depending on the number of alignment marks existing between the mark and the reference alignment mark, the reference and And calculating a deviation from the alignment mark serving as the reference bump that. Thereby, the alignment marks are arranged according to a predetermined rule, and the bumps are arranged at equal intervals, so that the reference bump and the reference are based on the mounting position where the reference alignment mark and the reference bump match. It is possible to measure the mounting positions of the electro-optical device substrate and the semiconductor device only by detecting the displacement of the alignment mark.
また、本発明の半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法は、先に記載の半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法であって、前記アライメントマークは、前記基準となるアライメントマークからの距離に応じた配置間隔で前記バンプの配置方向に配置されることを特徴とする。これにより、アライメントマークを、基準となるアライメントマークからの距離に応じた配置間隔でバンプの配置方向に配置するので、バンプの配置方向における電気光学装置用基板と半導体装置の装着位置を測定することが可能となる。 Also, the mounting position measuring method of the semiconductor device and the electro-optical device substrate according to the present invention is the mounting position measuring method of the semiconductor device and the electro-optical device substrate described above, wherein the alignment mark is the reference. The bumps are arranged in the arrangement direction at an arrangement interval corresponding to the distance from the alignment mark. As a result, the alignment marks are arranged in the bump arrangement direction at an arrangement interval corresponding to the distance from the reference alignment mark, and therefore the mounting positions of the electro-optical device substrate and the semiconductor device in the bump arrangement direction are measured. Is possible.
また、本発明の半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法は、先に記載の半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法であって、前記アライメントマークは、前記バンプの配置方向と直交する方向へ前記基準となるアライメントマークからの距離に応じた距離だけずらして配置されることを特徴とする。これにより、アライメントマークを、バンプの配置方向と直交する方向へ基準となるアライメントマークからの距離に応じた距離だけずらして配置するので、バンプの配置方向と直行する方向における電気光学装置用基板と半導体装置の装着位置を測定することが可能となる。 Further, the mounting position measuring method for the semiconductor device and the electro-optical device substrate according to the present invention is the mounting position measuring method for the semiconductor device and the electro-optical device substrate described above, wherein the alignment mark is an arrangement of the bumps. It is characterized by being arranged by being shifted by a distance corresponding to the distance from the reference alignment mark in a direction orthogonal to the direction. As a result, the alignment mark is arranged by being shifted by a distance corresponding to the distance from the reference alignment mark in a direction orthogonal to the bump arrangement direction, so that the electro-optical device substrate in the direction orthogonal to the bump arrangement direction The mounting position of the semiconductor device can be measured.
また、本発明の半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法は、先に記載の半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法であって、前記アライメントマークは、所定の位置に矩形状の形状を有し、該矩形状の前記バンプの配置方向の幅が前記基準となるアライメントマークからの距離に応じた長さに形成されるとともに、前記アライメントマークを前記バンプと同じ配置間隔で前記バンプの配置方向に配置することを特徴とする。これにより、バンプの配置方向における矩形状の幅が基準となるアライメントマークからの距離に応じた長さに形成されているので、バンプの配置方向における電気光学装置用基板と半導体装置の装着位置を測定することが可能となる。 Also, the mounting position measuring method of the semiconductor device and the electro-optical device substrate according to the present invention is the mounting position measuring method of the semiconductor device and the electro-optical device substrate described above, wherein the alignment mark is at a predetermined position. The rectangular shape of the bumps in the arrangement direction is formed in a length corresponding to the distance from the reference alignment mark, and the alignment marks are arranged at the same arrangement intervals as the bumps. And arranged in the arrangement direction of the bumps. As a result, the rectangular width in the bump arrangement direction is formed to a length corresponding to the distance from the reference alignment mark, so the mounting position of the electro-optical device substrate and the semiconductor device in the bump arrangement direction can be determined. It becomes possible to measure.
また、本発明の半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法は、先に記載の半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法であって、前記アライメントマークは、前記矩形状の前記バンプの配置方向と直行する方向の辺の寸法幅が前記基準となるアライメントマークからの距離に応じて形成されるとともに、前記アライメントマークを前記バンプの配置方向と直行する方向に前記バンプと同じ配置間隔で配置することを特徴とする。これにより、バンプの配置方向と直行する方向における矩形状の幅が前記基準となるアライメントマークからの距離に応じた長さに形成されているので、バンプの配置方向と直行する方向における電気光学装置用基板と半導体装置の装着位置を測定することが可能となる。 Further, the mounting position measuring method of the semiconductor device and the electro-optical device substrate according to the present invention is the mounting position measuring method of the semiconductor device and the electro-optical device substrate described above, wherein the alignment mark has the rectangular shape. The dimension width of the side in the direction orthogonal to the bump arrangement direction is formed according to the distance from the reference alignment mark, and the alignment mark is the same as the bump in the direction orthogonal to the bump arrangement direction. It arrange | positions at an arrangement | positioning space | interval, It is characterized by the above-mentioned. As a result, the rectangular width in the direction orthogonal to the bump arrangement direction is formed to a length corresponding to the distance from the reference alignment mark, so the electro-optical device in the direction orthogonal to the bump arrangement direction It becomes possible to measure the mounting position of the circuit board and the semiconductor device.
また、本発明は、所定の規則にしたがって配置されるバンプを有する半導体装置と、前記バンプのうち基準となるバンプの所定の部分が装着される位置に基準となるアライメントマークを設け、このアライメントマークから等間隔で直線状に配置されるアライメントマークを有する電気光学装置用基板と、を有し、前記半導体装置を前記電気光学装置用基板に装着して、前記半導体装置の前記電気光学装置用基板の装着面内における位置ずれを測定する半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法であって、前記アライメントマークのうちいずれかのアライメントマークの前記所定の部分に一致するバンプと、前記基準となるバンプと、の間に存在するバンプの数によって、前記基準となるアライメントマークの前記基準となるバンプからのずれを算出することを特徴とする。これにより、バンプが所定の規則に従って配置され、アライメントマークが等間隔で配置されているので、基準となるアライメントマークと基準となるバンプの一致する装着位置に基づいて基準となるバンプと基準となるアライメントマークの位置ずれ検出するだけで電気光学装置用基板と半導体装置の装着位置を測定することが可能となる。 The present invention also provides a semiconductor device having bumps arranged according to a predetermined rule, and a reference alignment mark provided at a position where a predetermined portion of the reference bump among the bumps is mounted. And an electro-optical device substrate having alignment marks linearly arranged at equal intervals from each other, the semiconductor device being mounted on the electro-optical device substrate, and the electro-optical device substrate of the semiconductor device A mounting position measuring method for a semiconductor device and an electro-optical device substrate for measuring a positional deviation in a mounting surface of the semiconductor device, wherein the bumps coincide with the predetermined portion of any one of the alignment marks, and the reference And the reference bump of the reference alignment mark depending on the number of bumps existing between them. And calculating a deviation from. Thereby, since the bumps are arranged according to a predetermined rule and the alignment marks are arranged at equal intervals, the reference bump and the reference are based on the mounting position where the reference alignment mark and the reference bump match. It is possible to measure the mounting positions of the electro-optical device substrate and the semiconductor device only by detecting the displacement of the alignment mark.
また、本発明の半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法は、先に記載の本発明の半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法であって、前記バンプは、前記基準となるバンプからの距離に応じた配置間隔で前記アライメントマークの配置方向に配置されることを特徴とする。これにより、バンプを、基準となるバンプからの距離に応じた配置間隔でアライメントマークの配置方向に配置するので、アライメントマークの配置方向における電気光学装置用基板と半導体装置の装着位置を測定することが可能となる。 Further, the mounting position measuring method of the semiconductor device and the electro-optical device substrate of the present invention is the mounting position measuring method of the semiconductor device and the electro-optical device substrate of the present invention described above, wherein the bump is the reference The alignment marks are arranged in the arrangement direction at an arrangement interval corresponding to the distance from the bump. As a result, the bumps are arranged in the alignment mark arrangement direction at an arrangement interval corresponding to the distance from the reference bump, so that the mounting positions of the electro-optical device substrate and the semiconductor device in the alignment mark arrangement direction are measured. Is possible.
また、本発明の半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法は、先に記載の本発明の半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法であって、前記バンプは、前記アライメントマークの配置方向と直交する方向へ前記基準となるバンプからの距離に応じた距離だけずらして配置されることを特徴とする。これにより、バンプをアライメントマークの配置方向と直交する方向へ基準となるバンプからの距離に応じた距離だけずらして配置するので、アライメントマークの配置方向と直行する方向における電気光学装置用基板と半導体装置の装着位置を測定することが可能となる。 The method for measuring the mounting position of the semiconductor device and the substrate for the electro-optical device according to the present invention is the method for measuring the mounting position of the substrate for the semiconductor device and the substrate for the electro-optical device according to the present invention described above. It is characterized by being arranged by being shifted by a distance corresponding to the distance from the reference bump in a direction orthogonal to the mark arrangement direction. As a result, the bumps are arranged in a direction perpendicular to the alignment mark arrangement direction by a distance corresponding to the distance from the reference bump, so that the electro-optical device substrate and the semiconductor in the direction perpendicular to the alignment mark arrangement direction are arranged. It is possible to measure the mounting position of the apparatus.
また、本発明の半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法は、先に記載の本発明の半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法であって、前記バンプは、所定の位置に矩形状の形状を有し、該矩形状の前記アライメントマークの配置方向の幅が前記基準となるバンプからの距離に応じた長さに形成されるとともに、前記バンプを前記アライメントマークと同じ配置間隔で前記アライメントマークの配置方向に配置することを特徴とする。これにより、アライメントマークの配置方向における矩形状の幅が基準となるバンプからの距離に応じた長さに形成されているので、アライメントマークの配置方向における電気光学装置用基板と半導体装置の装着位置を測定することが可能となる。 Further, the mounting position measuring method of the semiconductor device and the electro-optical device substrate of the present invention is the mounting position measuring method of the semiconductor device and the electro-optical device substrate of the present invention described above, wherein the bump is a predetermined It has a rectangular shape at a position, and the width in the arrangement direction of the rectangular alignment mark is formed according to the distance from the reference bump, and the bump is the same as the alignment mark. It arrange | positions at the arrangement | positioning space | interval in the arrangement direction of the said alignment mark. As a result, the rectangular width in the alignment mark arrangement direction is formed to a length corresponding to the distance from the reference bump, so the mounting position of the electro-optical device substrate and the semiconductor device in the alignment mark arrangement direction Can be measured.
また、本発明の半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法は、先に記載の半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法であって、前記バンプは、前記矩形状の前記アライメントマークの配置方向と直行する方向の幅が前記基準となるバンプからの距離に応じた長さに形成されるとともに、前記バンプを前記アライメントマークの配置方向と直行する方向に前記アライメントマークと同じ配置間隔で配置することを特徴とする。これにより、アライメントマークの配置方向と直行する方向における矩形状の幅が前記基準となるバンプからの距離に応じた長さに形成されているので、アライメントマークの配置方向と直行する方向における電気光学装置用基板と半導体装置の装着位置を測定することが可能となる。 Further, the mounting position measuring method for the semiconductor device and the electro-optical device substrate according to the present invention is the mounting position measuring method for the semiconductor device and the electro-optical device substrate described above, wherein the bumps are formed in the rectangular shape. The width in the direction orthogonal to the alignment mark arrangement direction is formed to a length corresponding to the distance from the reference bump, and the bump is the same as the alignment mark in the direction orthogonal to the alignment mark arrangement direction. It arrange | positions at an arrangement | positioning space | interval, It is characterized by the above-mentioned. Thus, the rectangular width in the direction orthogonal to the alignment mark arrangement direction is formed to a length corresponding to the distance from the reference bump, so that the electro-optic in the direction orthogonal to the alignment mark arrangement direction is formed. It is possible to measure the mounting positions of the device substrate and the semiconductor device.
また、本発明の半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法は、先に記載の半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法であって、前記バンプと前記アライメントマークの装着平面内の距離を複数箇所検出することによって前記半導体装置との装着平面内の装着回転角度の精度を検出することを特徴とする。これにより、バンプとアライメントマークとの装着平面内における電気光学装置用基板と半導体装置の装着回転角度の精度を測定することが可能となる。 According to another aspect of the present invention, there is provided a mounting position measuring method for a semiconductor device and an electro-optical device substrate, the mounting position measuring method for the semiconductor device and the electro-optical device substrate described above. The accuracy of the mounting rotation angle within the mounting plane with the semiconductor device is detected by detecting a plurality of distances within the mounting surface. Accordingly, it is possible to measure the accuracy of the mounting rotation angle between the electro-optical device substrate and the semiconductor device in the mounting plane of the bump and the alignment mark.
また、本発明は、等間隔で直線状に配置されるバンプを有する半導体装置を装着する電気光学装置用基板において、前記バンプのうち基準となるバンプの装着位置の位置ずれを測定するための、前記バンプの配置方向に所定の規則に従って配置されるアライメントマークを有することを特徴とする。これにより、基準となるバンプの装着位置の位置ずれを測定するための、バンプの配置方向に所定の規則に従って配置されるアライメントマークを有するので、電気光学装置用基板と半導体装置の装着位置を測定することが可能となる。 Further, the present invention provides a substrate for an electro-optical device on which a semiconductor device having bumps arranged in a straight line at equal intervals is mounted, for measuring a positional deviation of a mounting position of a reference bump among the bumps. It has an alignment mark arranged according to a predetermined rule in the arrangement direction of the bump. As a result, the mounting position of the electro-optical device substrate and the semiconductor device is measured because the alignment mark is arranged in accordance with a predetermined rule in the bump arranging direction for measuring the positional deviation of the reference bump mounting position. It becomes possible to do.
また、本発明の電気光学装置は、先に記載の電気光学装置用基板を有することを特徴とする。これにより、電気光学装置用基板と半導体装置の装着位置の位置ずれが抑制された電気光学装置が提供され、電気光学装置の表示品質を向上させることができる。 According to another aspect of the invention, an electro-optical device includes the electro-optical device substrate described above. As a result, an electro-optical device in which the displacement between the mounting positions of the electro-optical device substrate and the semiconductor device is suppressed is provided, and the display quality of the electro-optical device can be improved.
また、本発明の電子機器は、先に記載の電気光学装置を有することを特徴とする。これにより、電気光学装置用基板と半導体装置の装着位置の位置ずれが抑制された電子機器が提供され、電子機器の表示品質を向上させることができる。 According to another aspect of the invention, an electronic apparatus includes the electro-optical device described above. As a result, an electronic device in which the displacement between the mounting positions of the electro-optical device substrate and the semiconductor device is suppressed is provided, and the display quality of the electronic device can be improved.
また、本発明は、等間隔で直線状に配置されるアライメントマークを有する電気光学装置用基板に装着される半導体装置において、前記アライメントマークのうち基準となるアライメントマークの装着位置の位置ずれを測定するための、前記アライメントマークの配置方向に所定の規則に従って配置されるバンプを有することを特徴とする。これにより、基準となるアライメントマークの装着位置の位置ずれを測定するための、アライメントマークの配置方向に所定の規則に従って配置されるバンプを有するので、電気光学装置用基板と半導体装置の装着位置を測定することが可能となる。 According to the present invention, in a semiconductor device mounted on an electro-optical device substrate having alignment marks arranged in a straight line at equal intervals, a positional deviation of a reference alignment mark mounting position among the alignment marks is measured. For this purpose, it has a bump arranged in the arrangement direction of the alignment mark according to a predetermined rule. Accordingly, the mounting position of the electro-optical device substrate and the semiconductor device can be determined by having the bumps arranged according to a predetermined rule in the alignment mark arranging direction for measuring the positional deviation of the reference alignment mark mounting position. It becomes possible to measure.
また、本発明は、半導体装置と該半導体装置を装着する電気光学装置用基板とを有する電気光学装置の製造方法において、前記半導体装置に等間隔で直線状にバンプを形成するステップと、前記電気光学装置用基板に、前記バンプのうち基準となるバンプの装着位置の位置ずれを測定するための、前記バンプの配置方向に所定の規則に従ってアライメントマークを形成するステップと、前記半導体装置と前記電気光学装置用基板を装着するステップと、前記半導体装置に形成されたバンプと前記電気光学装置用基板に形成されたアライメントマークの位置ずれを測定することによって前記半導体装置と前記電気光学装置用基板の装着位置を測定するステップと、を含むことを特徴とする。これにより、基準となるバンプの装着位置の位置ずれを測定するための、バンプの配置方向に所定の規則に従って配置されるアライメントマークを有するので、電気光学装置の製造過程において電気光学装置用基板と半導体装置の装着位置を測定することが可能となる。 According to another aspect of the invention, there is provided a method of manufacturing an electro-optical device including a semiconductor device and a substrate for an electro-optical device on which the semiconductor device is mounted. Forming an alignment mark on a substrate for an optical device according to a predetermined rule in a bump arrangement direction for measuring a displacement of a mounting position of a reference bump among the bumps; and the semiconductor device and the electric device Mounting the optical device substrate; and measuring the misalignment between the bumps formed on the semiconductor device and the alignment marks formed on the electro-optical device substrate. Measuring the mounting position. Accordingly, since the alignment mark is arranged in accordance with a predetermined rule in the bump arrangement direction for measuring the positional deviation of the reference bump mounting position, the electro-optical device substrate and The mounting position of the semiconductor device can be measured.
また、本発明は、半導体装置と該半導体装置を装着する電気光学装置用基板とを有する電気光学装置の製造方法において、前記電気光学装置用基板に等間隔で直線状にアライメントマークを配置するステップと、前記半導体装置に、前記アライメントマークのうち基準となるアライメントマークの装着位置の位置ずれを測定するための、前記アライメントマークの配置方向に所定の規則に従ってバンプを配置するステップと、前記半導体装置に形成されたバンプと前記電気光学装置用基板に形成されたアライメントマークの位置ずれを測定することによって前記半導体装置と前記電気光学装置用基板の装着位置を測定するステップと、を含むことを特徴とする。これにより、基準となるアライメントマークの装着位置の位置ずれを測定するための、アライメントマークの配置方向に所定の規則に従って配置されるバンプを有するので、電気光学装置の製造過程において電気光学装置用基板と半導体装置の装着位置を測定することが可能となる。 According to another aspect of the invention, in the method of manufacturing an electro-optical device having a semiconductor device and an electro-optical device substrate on which the semiconductor device is mounted, the alignment marks are linearly arranged on the electro-optical device substrate at equal intervals. A step of arranging bumps on the semiconductor device according to a predetermined rule in the arrangement direction of the alignment mark for measuring a displacement of a mounting position of a reference alignment mark among the alignment marks, and the semiconductor device Measuring a mounting position of the semiconductor device and the electro-optical device substrate by measuring a positional deviation between the bump formed on the electro-optical device and the alignment mark formed on the electro-optical device substrate. And As a result, the electro-optical device substrate is provided in the electro-optical device manufacturing process since the bumps are arranged in accordance with a predetermined rule in the alignment mark arrangement direction for measuring the displacement of the mounting position of the reference alignment mark. It is possible to measure the mounting position of the semiconductor device.
以下に、本発明に係る半導体装置の装着用パネルの実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施例により本発明が限定されるものではない。 Embodiments of a mounting panel for a semiconductor device according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In addition, this invention is not limited by this Example.
図1は、本実施例1に係るパネルの構成を説明するための断面図である。図1において、ドライバIC(Integrated Circuit)30は液晶表示パネル(以下、パネルという)10上に装着されている。 FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining the configuration of the panel according to the first embodiment. In FIG. 1, a driver IC (Integrated Circuit) 30 is mounted on a liquid crystal display panel (hereinafter referred to as a panel) 10.
パネル10は、液晶表示装置などの電気光学装置に組み込まれる電気光学装置用基板であり、この液晶表示装置などはパーソナルコンピュータなどの電子機器に搭載されるものである。パネル10は、第1基板51、第2基板52、第1基板51の基板外周部に沿って第1基板と第2基板の間に形成されたシール材53、第1基板51、第2基板52、シール材53によって囲まれた電気光学物質である液晶50で構成されるものである。第2基板52は、COG(Chip On Glass)等に用いられる透明のガラス基板等であり、第1基板等が装着される領域以外の張出領域54にドライバIC30を装着している。液晶50は、パネル10のメタル配線を介して送られるドライバIC30からの出力信号によって駆動され画像等をマトリクス表示する。 The panel 10 is a substrate for an electro-optical device incorporated in an electro-optical device such as a liquid crystal display device, and the liquid crystal display device or the like is mounted on an electronic device such as a personal computer. The panel 10 includes a first substrate 51, a second substrate 52, a sealing material 53 formed between the first substrate and the second substrate along the outer periphery of the first substrate 51, the first substrate 51, and the second substrate. 52, the liquid crystal 50 which is an electro-optical material surrounded by the sealing material 53. The second substrate 52 is a transparent glass substrate used for COG (Chip On Glass) or the like, and the driver IC 30 is mounted on the overhanging region 54 other than the region where the first substrate or the like is mounted. The liquid crystal 50 is driven by an output signal from the driver IC 30 sent through the metal wiring of the panel 10 and displays an image or the like in a matrix.
ドライバIC30は、パネル10を制御して液晶50を駆動するための半導体装置であり、ドライバIC30の表面であってパネル10に装着される側の面には複数の出力側バンプ31と複数の入力側バンプ35が形成されている。なお、図1には1つずつの出力側バンプ31と入力側バンプ35のみを示している。
The driver IC 30 is a semiconductor device for driving the liquid crystal 50 by controlling the panel 10, and a plurality of output side bumps 31 and a plurality of inputs are provided on the surface of the driver IC 30 that is mounted on the panel 10. Side bumps 35 are formed. FIG. 1 shows only one
出力側バンプ31は、ドライバIC30からの出力信号を出力する端子であり、金等の材料を用いて蒸着法やメッキ法によってドライバIC30に形成されている。なお、出力側バンプ31は液晶50との電気的な接続をするための配線をしやすくするため、ドライバIC30がパネル10に装着された時に入力側バンプ35より液晶50に近くなるような位置に形成されている。
The output-
入力側バンプ35は、ドライバIC30への入力信号を入力する端子であり、金等の材料を用いて蒸着法やメッキ法によって形成されている。パネル10の表面であって液晶50やドライバIC30の装着される側の表面近傍にはメタル配線(図示せず)等が形成されている。そして、このメタル配線を介して液晶50とドライバIC30は電気的に接続されている。また、パネル10のメタル配線が形成される側の面であって、ドライバIC30の出力側バンプ31が装着される部分にはドライバIC30とパネル10の装着位置合わせ精度を測定するためのアライメントマーク11xが形成されている。
The input-
アライメントマーク11xは、リソグラフィー技術等を用いて形成されるものであり、パネル10のメタル配線を形成する際の、メタルを形成する工程、コンタクトホールを形成する工程、ビアホールを形成する工程と同時に作成するようにしてもよいし、別個独立の工程によって作成するようにしてもよい。
The
そして、出力側バンプ31がアライメントマーク11xに重なるよう、ドライバIC30はパネル10に装着され、出力側バンプ31とアライメントマーク11xの重なる位置をパネル10のドライバIC30と装着される側とは反対側の面であるパネル10の裏側から検出することによってドライバIC30とパネル10の装着平面内におけるドライバIC30の横方向の装着位置合わせ精度を測定する。
The driver IC 30 is mounted on the panel 10 so that the output-
図2は、ドライバICをパネルに装着した時の位置関係を説明するための図である。ドライバIC30には複数の入力側バンプ35と複数の出力側バンプ31が所定の規則に従って配置されている。出力側バンプ31は、矩形状をしており例えば各出力側バンプ31がドライバIC30の横方向において直線状に並ぶよう配置されている。なお、出力側バンプ31には、液晶50を駆動するためのものに加えて、ダミーとして配置されているものが含まれる場合もある。
FIG. 2 is a diagram for explaining the positional relationship when the driver IC is mounted on the panel. A plurality of input-
表示素子として液晶50が封入されるパネル10の張出領域54にドライバIC装着位置40がある。さらに、パネル10にはドライバIC30がパネル10に装着された際に、ドライバIC30とパネル10の装着位置合わせ精度を測定するためのアライメントマーク11xが形成されている。
There is a driver IC mounting position 40 in the overhang region 54 of the panel 10 in which the liquid crystal 50 is sealed as a display element. Further, when the driver IC 30 is mounted on the panel 10, an
ドライバIC装着位置40においては、ドライバIC30がパネル10に装着された場合にドライバIC30の入力側バンプ35と接続される位置に入力側バンプ装着位置41を示している。また、ドライバIC装着位置40において、ドライバIC30がパネル10に装着された場合にドライバIC30の出力側バンプ31と接続される部分に出力側バンプ装着位置42を示している。
In the driver IC mounting position 40, an input side
ドライバIC30のパネル10への装着は、パネル10の出力側バンプ装着位置42にドライバIC30の出力側バンプ31が重なるように行われる。そして、パネル10のアライメントマーク11xと出力側バンプ31の重なる位置からドライバIC30とパネル10の横方向の装着位置合わせ精度を測定する。このとき、パネル10はガラス基板等の透明材料であるため、パネル10のドライバIC30が装着される側と反対側の面からアライメントマーク11xと出力側バンプ31の重なる位置を見ることができる。
The driver IC 30 is mounted on the panel 10 such that the output-
図3は、アライメントマークと出力側バンプの構成を説明するための図である。図3は、パネル10の裏側から見た場合のアライメントマーク11xと測定用バンプ32xを示している。測定用バンプ32xは、出力側バンプ31のうちアライメントマーク11xとの重なる位置を検出することによってドライバIC30とパネル10の横方向の位置ずれを検出し、装着位置合わせ精度を測定するためのものである。測定用バンプ32xは、例えば横方向の1辺5μmと縦方向の1辺10μmの矩形状をしており、各測定用バンプ32xがドライバIC30の横方向に向かって等間隔で直線状に並ぶよう配置していく。
FIG. 3 is a diagram for explaining the configuration of alignment marks and output-side bumps. FIG. 3 shows the
測定用バンプ32xは例えば7個のバンプで構成され、測定用バンプ32xのうち中心に位置するものがバンプ32aである。中心に位置するバンプ32aを基準として、その1つ右隣のものがバンプ32b1、さらに1つ右隣のものがバンプ32c1、さらに1つ右隣のものがバンプ32d1である。バンプ32aの1つ左隣のものがバンプ32b2、さらに1つ左隣のものがバンプ32c2、さらに1つ左隣のものがバンプ32d2である。各測定用バンプ32xは、例えば各測定用バンプ32x同士の配置間隔が20μmとなるように等定間隔で配置していく。
The
アライメントマーク11xは、測定用バンプ32xとの重なる位置を検出することによってドライバIC30とパネル10の横方向の装着位置合わせ精度を測定するためのものである。アライメントマーク11xは例えば横方向の1辺1μmと縦方向の1辺20μmの矩形状をしており、各アライメントマーク11xは、測定用バンプ32xの配置方向であるドライバIC30の横方向に向かって直線状に並ぶよう配置されている。
The
アライメントマーク11xは測定用バンプ32xと同数の7個のマークで構成され、アライメントマーク11xのうち中心に位置するものがマーク11aである。中心に位置する11aを基準として、その1つ右隣のものがマーク11b1、さらに1つ右隣のものがマーク11c1、さらに1つ右隣のものがマーク11d1である。マーク11aの1つ左隣のものがマーク11b2、さらに1つ左隣のものがマーク11c2、さらに1つ左隣のものがマーク11d2である。
The
中心に位置するマーク11aを基準として、その他のマーク11b1,11b2,11c1,11c2,11d1,11d2を基準となるマーク11aから遠く離れるに従って隣り合うマーク同士の配置間隔が広くなるよう配置していく。例えば、中心に位置するマーク11aから1つ左右に隣のマーク11b1,11b2は、マーク11aから21μmの距離を離して配置する。次に、マーク11aより2つ左右に隣のマーク11c1,11c2は、マーク11b1,11b2から22μmの距離を離して配置する。さらに、マーク11aより3つ左右に隣のマーク11d1,11d2は、マーク11c1,11c2から23μmの距離を離して配置する。このように、中心に位置するマーク11aから離れるに従ってマーク同士の配置間隔を所定の距離ずつ長くして配置していく。
Using the
ここでは、アライメントマーク11xの配置の基準としたマーク11aを装着位置の基準とし、測定用バンプ32xの配置の基準としたバンプ32aを装着位置の基準とする。そして、ドライバIC30の測定用バンプ32xとパネル10のアライメントマーク11xは、ドライバIC30がパネル10に装着されたとき、アライメントマーク11xの装着位置の基準としたマーク11aの横方向の辺の中心と測定用バンプ32xの装着位置の基準としたバンプ32aの横方向の辺の中心とが互いに一致して装着されるよう設計しておく。
Here, the
なお、装着位置の基準となるマークやバンプには配置の基準としたマークやバンプと同じものを用いる必要はなく、装着位置の基準となるマークやバンプに配置の基準としたマークやバンプと異なるマークやバンプを用いてもよい。さらに、装着位置の基準をマークやバンプの横方向の辺の中心としたが、マークやバンプの縦方向の辺を装着位置の基準としてもよい。 It is not necessary to use the same mark or bump as the placement reference for the mounting position reference mark or bump, which is different from the placement position reference mark or bump reference mark or bump. Marks and bumps may be used. Furthermore, although the reference of the mounting position is the center of the horizontal side of the mark or bump, the vertical side of the mark or bump may be used as the reference of the mounting position.
そして、測定用バンプ32xとアライメントマーク11xの重なる位置をパネル10の裏面から光学顕微鏡等で確認することによって、後述するようにドライバIC30とパネル10の横方向の装着位置合わせ精度を測定することが可能となる。なお、出力側バンプ31には、液晶50の駆動用として用いられるものとダミーとして配置されているものがあるが、測定用バンプ32xとしては液晶50の駆動用として用いられるものを用いてもよいし、ダミーとして配置されているものを用いてもよい。そして、液晶50の駆動用として用いられる測定用バンプ32xを用いる場合は、アライメントマーク11xがパネル10のメタル配線に影響を及ぼさないような構成とすればよい。
Then, by confirming the overlapping position of the
さらに、7個からなる測定用バンプ32xはドライバIC30の左端、中央付近、右端等どこに配置してもよい。7個からなる測定用バンプ32xをドライバIC30の左端や右端近傍に配置する場合は、右端近傍にバンプ32d1,32c1,32b1,32aを配置し、左端近傍にバンプ32d2,32c2,32b2,32aを配置するように分割して配置してもよい。さらに、7個からなる測定用バンプ32xをドライバIC30に複数組配置する構成としてもよい。つぎに、ドライバIC30とパネル10の装着位置合わせ精度を測定する方法について説明する。
Further, the seven
図4−1は、測定用バンプとアライメントマークが横方向にずれることなく重なっている状態を示す図である。図4−1は、ドライバIC30がパネル10に装着された状態をパネル10の裏側から見た場合のアライメントマーク11xと測定用バンプ32xを示している。図4−1においては、マーク11aの横方向の辺の中心を通る縦の中心軸P1がバンプ32aの縦の中心軸P2を通るように重なっている。また、マーク11b1,11b2の縦の中心軸(図示せず)はバンプ32b1,32b2の縦の中心軸(図示せず)より1μmずつずれて重なっている。さらに、マーク11c1,11c2の縦の中心軸(図示せず)はバンプ32c1,32c2の縦の中心軸(図示せず)より2μmずれて重なり、マーク11d1,11d2の縦の中心軸(図示せず)はバンプ32d1,32d2の縦の中心軸(図示せず)より3μmずれて重なっている。
FIG. 4A is a diagram illustrating a state in which the measurement bump and the alignment mark overlap without being displaced in the horizontal direction. 4A illustrates the
7組の重なり合うバンプとマークの組において、それぞれのバンプの縦の中心軸とマークの縦の中心軸の位置を比べると、バンプ32aとマーク11aの組が最も互いの中心軸が近付いた状態で重なり合っている。このような状態でアライメントマーク11xと測定用バンプ32xが重なっている場合は、装着位置の基準としたマーク11aの中心軸がバンプ32aの中心軸と重なっており、パネル10の裏側から見てドライバIC30とパネル10は横方向にずれることなく装着されたものと判断されることとなる。
When the positions of the vertical central axis of each bump and the vertical central axis of the mark are compared in the seven overlapping bump and mark pairs, the pair of the
図4−2は、測定用バンプがアライメントマークより1μm右にずれている状態を示す図である。図4−2は、ドライバIC30がパネル10に装着された状態をパネル10の裏側から見た場合のアライメントマーク11xと測定用バンプ32xを示している。図4−2においては、マーク11b1の縦の中心軸Q1がバンプ32b1の縦の中心軸Q2を通るように重なっている。また、マーク11aの縦の中心軸はバンプ32aの縦方向の中心軸より1μmずれて重なっており、マーク11c1の縦の中心軸もバンプ32c1の縦の中心軸より1μmずれて重なっている。さらに、マーク11b2の縦方向の中心軸はバンプ32b2の縦方向の中心軸より2μmずれて重なっており、マーク11d1の縦方向の中心軸もバンプ32d1の縦方向の中心軸より2μmずれて重なっている。さらに、マーク11c2の縦の中心軸はバンプ32c2の縦の中心軸より3μmずれて重なっており、マーク11d2の縦の中心軸はバンプ32d2の縦の中心軸より4μmずれて重なっている。
FIG. 4B is a diagram illustrating a state in which the measurement bump is shifted to the right by 1 μm from the alignment mark. 4B illustrates the
7組の重なり合うバンプとマークの組において、それぞれのバンプの縦の中心軸とマークの縦の中心軸の位置を比べると、バンプ32b1とマーク11b1の組が最も互いの中心軸が近付いた状態で重なり合っている。このような状態でアライメントマーク11xと測定用バンプ32xが重なっている場合は、互いの中心軸が最も近付いた状態のバンプ32b1とマーク11b1の組と装着位置の基準としたバンプ32aの間にマークやバンプが存在しないため、バンプ32aがマーク11aより右方向に1μmずれて装着されており、パネル10の裏側から見てドライバIC30が右方向に1μmずれた状態でパネル10に装着されたものと判断されることとなる。
When the positions of the vertical central axis of each bump and the vertical central axis of the mark are compared in the seven overlapping bump and mark pairs, the pair of the bump 32b1 and the mark 11b1 is in the state where the central axes are closest to each other. They are overlapping. In this state, when the
図4−3は、測定用バンプがアライメントマークより3μm左にずれている状態を示す図である。図4−3は、ドライバIC30がパネル10に装着された状態をパネル10の裏側から見た場合のアライメントマーク11xと測定用バンプ32xを示している。図4−3においては、マーク11d2の縦の中心軸R1がバンプ32d2の縦の中心軸R2を通るように重なっている。また、マーク11c2の縦の中心軸はバンプ32c2の縦の中心軸より1μmずれて重なっており、マーク11b2の縦の中心軸はバンプ32b2の縦の中心軸より2μmずれて重なっている。さらに、マーク11aの縦の中心軸はバンプ32aの縦の中心軸より3μmずれて重なっており、マーク11d1の縦の中心軸はバンプ32b1の縦の中心軸より4μmずれて重なっている。さらに、マーク11c1の縦の中心軸はバンプ32c1の縦の中心軸より5μmずれて重なっており、マーク11d1の縦の中心軸はバンプ32d1の縦の中心軸より6μmずれて重なっている。
FIG. 4C is a diagram illustrating a state in which the measurement bump is shifted to the left by 3 μm from the alignment mark. 4C illustrates the
7組の重なり合うバンプとマークの組において、それぞれのバンプの縦の中心軸とマークの縦の中心軸の位置を比べると、バンプ32d2とマーク11d2の組が最も互いの中心軸が近付いた状態で重なり合っている。このような状態でアライメントマーク11xと測定用バンプ32xが重なっている場合は、互いの中心軸が最も近付いた状態のバンプ32d2とマーク11d2の組と装着位置の基準としたバンプ32aの間に2つのマークや2つのバンプが存在するため、バンプ32aがマーク11aより左方向に3μmずれて装着されており、パネル10の裏側から見てドライバIC30が左方向に3μmずれた状態でパネル10に装着されたものと判断されることとなる。
When the positions of the vertical central axis of each bump and the vertical central axis of the mark are compared in the seven overlapping bump and mark pairs, the pair of the bump 32d2 and the mark 11d2 is in the state where the central axes are closest to each other. They are overlapping. When the
図4−1〜図4−3で説明したように、マーク11aの縦の中心軸がバンプ32aの縦の中心軸を通るように重なっている場合は、パネル10の裏側から見てドライバIC30とパネル10は横方向にずれることなく装着されたものと判断する。
As described with reference to FIGS. 4A to 4C, when the vertical center axis of the
マーク11b1の縦の中心軸がバンプ32b1の縦の中心軸を通るように重なっている場合は、パネル10の裏側から見てドライバIC30が右方向に1μmずれた状態でパネル10に装着されたものと判断する。マーク11c1の縦の中心軸がバンプ32c1の縦の中心軸を通るように重なっている場合は、パネル10の裏側から見てドライバIC30が右方向に2μmずれた状態でパネル10に装着されたものと判断する。マーク11d1の縦の中心軸がバンプ32d1の縦の中心軸を通るように重なっている場合は、パネル10の裏側から見てドライバIC30が右方向に3μmずれた状態でパネル10に装着されたものと判断する。 When the vertical center axis of the mark 11b1 is overlapped so as to pass through the vertical center axis of the bump 32b1, the driver IC 30 is mounted on the panel 10 with a deviation of 1 μm in the right direction when viewed from the back side of the panel 10. Judge. When the vertical center axis of the mark 11c1 is overlapped so as to pass through the vertical center axis of the bump 32c1, the driver IC 30 is mounted on the panel 10 while being shifted by 2 μm in the right direction when viewed from the back side of the panel 10. Judge. When the vertical center axis of the mark 11d1 is overlapped so as to pass through the vertical center axis of the bump 32d1, the driver IC 30 is mounted on the panel 10 in a state shifted by 3 μm in the right direction when viewed from the back side of the panel 10. Judge.
マーク11b2の縦の中心軸がバンプ32b2の縦の中心軸を通るように重なっている場合は、パネル10の裏側から見てドライバIC30が左方向に1μmずれた状態でパネル10に装着されたものと判断する。マーク11c2の縦の中心軸がバンプ32c2の縦の中心軸を通るように重なっている場合は、パネル10の裏側から見てドライバIC30が左方向に2μmずれた状態でパネル10に装着されたものと判断する。マーク11d2の縦の中心軸がバンプ32d2の縦の中心軸を通るように重なっている場合は、パネル10の裏側から見てドライバIC30が左方向に3μmずれた状態でパネル10に装着されたものと判断する。 When the vertical center axis of the mark 11b2 overlaps with the vertical center axis of the bump 32b2, the driver IC 30 is mounted on the panel 10 with a shift of 1 μm to the left when viewed from the back side of the panel 10. Judge. When the vertical center axis of the mark 11c2 is overlapped so as to pass through the vertical center axis of the bump 32c2, the driver IC 30 is mounted on the panel 10 in a state shifted by 2 μm leftward when viewed from the back side of the panel 10. Judge. When the vertical center axis of the mark 11d2 is overlapped so as to pass through the vertical center axis of the bump 32d2, the driver IC 30 is mounted on the panel 10 with a deviation of 3 μm in the left direction when viewed from the back side of the panel 10. Judge.
図5は、ドライバICとパネルの横方向の装着位置合わせ精度の測定手順を示すフローチャートである。第2基板52上のドライバIC30が装着される側の表面にメタル配線等を形成するとともに張出領域54にアライメントマーク11xを形成しておく(ステップS10)。さらに、第2基板52上のメタル配線等が施された側の表面にシール材53、液晶50、第1基板51を装着してパネル10を形成する(ステップS20)。パネル10に装着される側の面であるドライバIC30の裏面に、測定用バンプ32xを含む出力側バンプ31と入力側バンプ35を形成する(ステップS30)。出力側バンプ31と入力側バンプ35が形成されたドライバIC30と、液晶50等が装着されたパネル10を、測定用バンプ32xとアライメントマーク11xができるだけずれることなく重なるよう装着する(ステップS40)。
FIG. 5 is a flowchart showing a procedure for measuring the mounting alignment accuracy in the horizontal direction between the driver IC and the panel. Metal wiring or the like is formed on the surface of the second substrate 52 on the side where the driver IC 30 is mounted, and the
パネル10の裏面から、測定用バンプ32xとアライメントマーク11xを観察する。このとき、アライメントマーク11xと測定用バンプ32xの中から、互いの縦の中心軸同士が最も近くなるよう重なっているマークとバンプの組を探し出す。これによってアライメントマーク11xと測定用バンプ32xの位置がどれだけずれているかを測定する(ステップS50)。アライメントマーク11xと測定用バンプ32xの位置がどれだけずれているかによって、ドライバIC30はパネル10とどれだけずれた状態で装着されたかを検出することが可能となる(ステップS60)。なお、本実施例においてはパネル10に装着するドライバIC30を液晶50より後に装着することとしたが、ドライバIC30を液晶50より先にパネル10に装着するようにしてもよい。また、アライメントマーク11xは、第2基板52上のドライバIC30が装着される側と反対側の表面に形成してもよい。
From the back surface of the panel 10, the measurement bumps 32x and the alignment marks 11x are observed. At this time, a set of marks and bumps that overlap each other so that their vertical central axes are closest to each other is searched for from the
なお、本実施例においては、各アライメントマーク11xをマーク11aから離れるに従ってマーク同士の配置間隔が所定の距離ずつ遠くなるよう配置したが、所定の距離ずつ遠くなるよう配置する構成に限られず、所定の割合で遠くなるよう配置してもよい。また、本実施例においては、各アライメントマーク11xをマーク11aから離れるに従ってマーク同士の配置間隔が所定の距離ずつ遠くなるよう配置したが、所定の距離ずつ遠くなるよう配置する構成に限られず、所定の距離ずつ近くなるよう配置したり、所定の割合で近くなるよう配置してもよい。
In the present embodiment, the alignment marks 11x are arranged so that the arrangement interval between the marks increases by a predetermined distance as they move away from the
さらに、本実施例においては、各測定用バンプ32xの配置間隔が一定間隔となるよう直線状に配置し、各アライメントマーク11xをマーク11aから離れるにつれてマーク同士の配置間隔が所定の距離ずつ遠くなるよう配置したが、各アライメントマーク11xの配置間隔が一定間隔となるよう直線状に配置し、各測定用バンプ32xをバンプ32aから離れるにつれてマーク同士の配置間隔が所定の距離ずつ遠くなるよう、所定の距離ずつ近くなるよう、所定の割合で遠くなるようまたは所定の割合で近くなるよう配置してもよい。
Further, in the present embodiment, the measurement bumps 32x are arranged in a straight line so that the arrangement intervals of the measurement bumps 32x are constant, and the arrangement intervals between the marks are increased by a predetermined distance as the alignment marks 11x are separated from the
なお、本実施例においては、測定用バンプ32xとアライメントマーク11xをそれぞれ7個のバンプ、7個のマークで構成したが、バンプとマークは7個以外で構成するようにしてもよい。また、本実施例においては、アライメントマーク11xを複数の矩形状からなる構成としたが各アライメントマーク11xの一部または全部が互いに接続された櫛型形状からなる構成としてもよい。
In this embodiment, the
なお、7個からなる測定用バンプ32xをドライバIC30の縦方向に複数組配置する構成とすれば、パネル10とドライバIC30の装着平面内の装着回転角度の精度を測定することも可能となる。この場合、複数の測定用バンプ32xのドライバIC30上でのそれぞれの位置と、複数箇所に配置された測定用バンプ32xごとのそれぞれの装着位置の測定結果からパネル10とドライバIC30の装着平面内の装着回転角度の精度を測定する。
If a plurality of sets of seven
このように実施例1によれば、各測定用バンプ32xを各測定用バンプ32x同士の横方向の配置間隔が一定間隔となるようドライバIC30の横方向に向かって直線状に配置し、各アライメントマーク11xをマーク11aから離れるにつれてマーク同士の配置距離を横方向に所定の距離ずつ遠くして配置している。このため、測定用バンプ32xとアライメントマーク11xの縦の中心軸が互いに最も近くなるよう重なっているバンプとマークの組を探すだけで測定用バンプ32xとアライメントマーク11xの横方向のずれを測定することができる。したがって、ドライバIC30とパネル10の横方向の装着位置合わせ精度を測定することが可能となる。さらに、ICドライバ30とパネル10を有する電気光学装置の製造過程においてもドライバIC30とパネル10の横方向の装着位置合わせ精度を測定することが可能となる。
As described above, according to the first embodiment, the measurement bumps 32x are linearly arranged in the lateral direction of the driver IC 30 so that the horizontal arrangement intervals between the measurement bumps 32x are constant, and the alignment is performed. As the
図6および7を用いて、この発明の実施例2について説明する。実施例1においては、パネル10とドライバIC30の横方向の装着位置合わせ精度を測定したのに対し、実施例2においては、パネル10とドライバIC30の縦方向の装着位置合わせ精度を測定する。なお、実施例2は上記相違点以外の構成は実施例1と同じである。また、図6および7の各構成要素のうち、実施例1の図1〜4に示す各構成要素と同一の機能を達成する構成要素には同一番号を付しており重複する説明は省略する。 A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the first embodiment, the mounting accuracy in the horizontal direction between the panel 10 and the driver IC 30 is measured, whereas in the second embodiment, the mounting alignment accuracy in the vertical direction between the panel 10 and the driver IC 30 is measured. The configuration of the second embodiment is the same as that of the first embodiment except for the above differences. 6 and 7, the same reference numerals are given to the components that achieve the same functions as the components shown in FIGS. 1 to 4 of the first embodiment, and duplicate descriptions are omitted. .
図6は、縦方向の装着位置合わせ精度を測定するためのアライメントマークの構成を説明するための図である。図6は、パネル10の裏側から見た場合のアライメントマーク12xを示している。アライメントマーク12xはドライバIC30とパネル10の縦方向の装着位置合わせ精度を測定するためのものであり、アライメントマーク12xは7個のマークで構成されている。 FIG. 6 is a diagram for explaining a configuration of an alignment mark for measuring the vertical mounting position alignment accuracy. FIG. 6 shows the alignment mark 12 x when viewed from the back side of the panel 10. The alignment mark 12x is used to measure the vertical mounting accuracy of the driver IC 30 and the panel 10, and the alignment mark 12x is composed of seven marks.
各マークは、例えば横方向の1辺が15μmと縦方向の1辺が6μmの矩形状をしており、1辺15μmの横方向の辺がそれぞれ例えば1μmずつ等の所定の距離ずつ測定用バンプの配置方向と直行する方向であるドライバIC30の縦方向にずれるよう配置されている。さらに、各マークはドライバIC30の横方向に測定用バンプ32xと同じ配置間隔で並べられている。アライメントマーク12xのうち中心に位置するものがマーク12aである。中心に位置する12aを基準として、その1つ右隣のものがマーク12b1、さらに1つ右隣のものがマーク12c1、さらに1つ右隣のものがマーク12d1である。マーク12aの1つ左隣のものがマーク12b2、さらに1つ左隣のものがマーク12c2、さらに1つ左隣のものがマーク12d2である。なお、ドライバIC30がパネル10に装着されたとき、アライメントマーク11xの基準としたマーク12aの縦の辺の中心を通る中心線が、実施例1の図3において示した測定用バンプ32xの基準としたバンプ32aの縦の辺の中心を通る中心線と重なるよう設計しておく。
Each mark has a rectangular shape, for example, one side in the horizontal direction is 15 μm and one side in the vertical direction is 6 μm. Each of the horizontal sides of 15 μm in the horizontal direction is, for example, 1 μm at a predetermined distance. The driver IC 30 is arranged so as to be shifted in the vertical direction, which is a direction perpendicular to the arrangement direction of the driver IC 30. Further, the marks are arranged in the lateral direction of the driver IC 30 at the same arrangement interval as the measurement bumps 32x. Of the alignment marks 12x, the
図7は、測定用バンプとアライメントマークが縦方向にずれることなく重なっている状態を示す図である。図7は、ドライバIC30がパネル10に装着された状態をパネル10の裏側から見た場合のアライメントマーク12xと測定用バンプ32xを示している。なお、測定用バンプ32xは実施例1の図3で示したものと同じものとする。図7においては、マーク12aの横の中心軸S1がバンプ32aの横の中心軸と重なっている。また、マーク12b1,12b2の横の中心軸S2(図示せず)はバンプ32b1,32b2の横の中心軸(図示せず)より1μmずつずれて重なっている。さらに、マーク12c1,12c2の横の中心軸(図示せず)はバンプ32c1,32c2の横の中心軸(図示せず)より2μmずれて重なり、マーク12d1,12d2の横の中心軸(図示せず)はバンプ32d1,32d2の横の中心軸(図示せず)より3μmずれて重なっている。このような状態でアライメントマーク11xと測定用バンプ32xが重なっている場合は、ドライバIC30とパネル10は縦方向にずれることなく装着されたものと判断されることとなる。
FIG. 7 is a diagram illustrating a state in which the measurement bump and the alignment mark overlap without being displaced in the vertical direction. FIG. 7 shows the alignment mark 12x and the
なお、7個からなる測定用バンプ32xをドライバIC30の横方向に複数組配置する構成とすれば、パネル10とドライバIC30の装着平面内の装着回転角度の精度を測定することも可能となる。この場合、複数の測定用バンプ32xのドライバIC30上でのそれぞれの位置と、複数の測定用バンプ32xごとのそれぞれの装着位置の測定結果からパネル10とドライバIC30の装着平面内の装着回転角度の精度を測定する。
If a plurality of sets of seven
このように実施例2によれば、各測定用バンプ32xがドライバIC30の横方向に直線状に並ぶよう配置し、各アライメントマーク12xをアライメントマーク12xの横方向の辺がそれぞれ所定の距離ずつドライバIC30の縦方向にずれるよう配置している。このため、測定用バンプ32xとアライメントマーク12xの横の中心軸が互いに最も近くなるよう重なっているバンプとマークの組を探すだけで測定用バンプ32xとアライメントマーク12xの縦方向のずれを測定することができる。したがって、ドライバIC30とパネル10の縦方向の装着位置合わせ精度を測定することが可能となる。さらに、ICドライバ30とパネル10を有する電気光学装置の製造過程においてもドライバIC30とパネル10の横方向の装着位置合わせ精度を測定することが可能となる。
As described above, according to the second embodiment, the measurement bumps 32x are arranged so as to be linearly arranged in the lateral direction of the driver IC 30, and each alignment mark 12x has a predetermined distance between the lateral sides of the alignment mark 12x. It arrange | positions so that it may shift | deviate to the vertical direction of IC30. Therefore, the vertical deviation between the
図8を用いて、この発明の実施例3について説明する。実施例1または実施例2においては、パネル10とドライバIC30の横方向の装着位置合わせ精度または縦方向の装着位置合わせ精度を測定したのに対し、実施例3においては、パネル10とドライバIC30の横方向の装着位置合わせ精度と縦方向の装着位置合わせ精度を同時に測定する。なお、実施例3は上記相違点以外の構成は実施例1または実施例2と同じである。また、図8の各構成要素のうち、実施例1または実施例2の図1〜4,6,7に示す各構成要素と同一の機能を達成する構成要素には同一番号を付しており重複する説明は省略する。
A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the first or second embodiment, the horizontal mounting position alignment accuracy or the vertical mounting position alignment accuracy of the panel 10 and the driver IC 30 is measured, whereas in the third embodiment, the panel 10 and the driver IC 30 are aligned. The horizontal mounting alignment accuracy and the vertical mounting alignment accuracy are measured simultaneously. The configuration of the third embodiment is the same as that of the first or second embodiment except for the above differences. In addition, among the constituent elements in FIG. 8, constituent elements that achieve the same functions as the constituent elements shown in FIGS. 1 to 4, 6, and 7 in
図8は、縦方向と横方向の装着位置合わせ精度を同時に測定するためのアライメントマークの構成を説明するための図である。図8は、ドライバIC30がパネル10に装着された状態をパネル10の裏側から見た場合のアライメントマーク13xと測定用バンプ32xを示している。アライメントマーク13xはドライバIC30とパネル10の縦方向の装着位置合わせ精度と横方向の装着位置合わせ精度を測定するためのものであり、アライメントマーク13xは7個のマークで構成されている。
FIG. 8 is a diagram for explaining a configuration of an alignment mark for simultaneously measuring mounting position alignment accuracy in the vertical direction and the horizontal direction. FIG. 8 shows alignment marks 13x and
アライメントマーク13xのうち中心に位置するものがマーク13aである。中心に位置する13aを基準として、その1つ右隣のものがマーク13b1、さらに1つ右隣のものがマーク13c1、さらに1つ右隣のものがマーク13d1である。マーク13aの1つ左隣のものがマーク13b2、さらに1つ左隣のものがマーク13c2、さらに1つ左隣のものがマーク13d2である。
Of the alignment marks 13x, the
各マークは、例えば横方向の1辺が9μmと縦方向の1辺が6μmの矩形状をしており、1辺9μmの横方向の辺がそれぞれ1μmずつドライバIC30の縦方向にずれるよう配置されている。さらに、中心に位置するマーク13aから1つ左右に隣のマーク13b1,13b2は、マーク13aから21μmの距離を離して配置する。次に、マーク13aより2つ左右に隣のマーク13c1,13c2は、マーク13b1,13b2から22μmの距離を離して配置する。さらに、マーク13aより3つ左右に隣のマーク13d1,13d2は、マーク13c1,13c2から23μmの距離を離して配置する。このように、中心に位置するマーク13aから離れるにつれてマーク同士の距離を所定の距離ずつ遠くして配置していく。なお、ドライバIC30がパネル10に装着されたとき、マーク13aの中心がバンプ32aの中心を通過して重なるよう設計しておく。
Each mark has, for example, a rectangular shape in which one side in the horizontal direction is 9 μm and one side in the vertical direction is 6 μm, and the horizontal side of one side of 9 μm is arranged to be shifted by 1 μm in the vertical direction of the driver IC 30. ing. Further, the marks 13b1 and 13b2 adjacent to the left and right from the
図8においては、パネル10の裏側から見た場合にアライメントマーク13xと測定用バンプ32xが縦方向と横方向においてずれることなく重なっている状態を示している。ここでは、アライメントマーク13xと測定用バンプ32xは、マーク13aの縦の中心軸T1がバンプ32aの縦の中心軸T2と重なっているとともに、マーク13aの横の中心軸U1がバンプ32aの横の中心軸U2と重なっている。
FIG. 8 shows a state in which the alignment mark 13x and the
また、マーク13b1,13b2の縦の中心軸および横方向の中心軸はそれぞれバンプ32b1,32b2の縦の中心軸および横の中心軸より1μmずつずれて重なっている。
さらに、マーク13c1,13c2の縦の中心軸および横の中心軸はそれぞれバンプ32c1,32c2の縦の中心軸および横の中心軸より2μmずつずれて重なっている。さらに、マーク13d1,13d2の縦の中心軸および横の中心軸はそれぞれバンプ32d1,32d2の縦方向の中心軸および横の中心軸より3μmずつずれて重なっている。
Further, the vertical central axis and the horizontal central axis of the marks 13b1 and 13b2 overlap each other by 1 μm from the vertical central axis and the horizontal central axis of the bumps 32b1 and 32b2, respectively.
Further, the vertical center axis and the horizontal center axis of the marks 13c1 and 13c2 are overlapped with each other by 2 μm from the vertical center axis and the horizontal center axis of the bumps 32c1 and 32c2, respectively. Further, the vertical center axis and the horizontal center axis of the marks 13d1 and 13d2 overlap each other by 3 μm from the vertical center axis and the horizontal center axis of the bumps 32d1 and 32d2, respectively.
このように実施例3によれば、各測定用バンプ32xを各測定用バンプ32x同士の横方向の配置間隔が一定間隔となるようドライバIC30の横方向に向かって直線状に配置し、各アライメントマーク13xをマーク11aから離れるにつれてマーク同士の配置距離をドライバIC30の横方向に所定の距離ずつ遠くするとともに、アライメントマーク13xの横方向の辺がそれぞれ所定の距離ずつドライバIC30の縦方向にずれるよう配置している。このため、測定用バンプ32xとアライメントマーク13xの縦の中心軸と横の中心軸が互いに最も近くなるよう重なっているバンプとマークの組をそれぞれ探すだけで測定用バンプ32xとアライメントマーク13xの縦方向と横方向のずれを同時に測定することができる。したがって、ドライバIC30とパネル10の縦方向と横方向の装着位置合わせ精度を測定することが可能となる。
As described above, according to the third embodiment, the measurement bumps 32x are linearly arranged in the lateral direction of the driver IC 30 so that the horizontal arrangement interval between the measurement bumps 32x is constant, and the alignment is performed. As the mark 13x moves away from the
図9を用いて、この発明の実施例4について説明する。実施例1〜実施例3においては、パネル10のアライメントマーク11x、アライメントマーク12x、アライメントマーク13xが矩形状をしていたのに対し、実施例4においてはアライメントマークの形状を4つのL字型形状からなるマーク(以下、L字型マークという)を1組のL字型マークとして7組のL字型マークで構成する。なお、実施例4は上記相違点以外の構成は実施例1形態〜実施例3と同じである。また、図9の各構成要素のうち、実施例1〜実施例3の図1〜4,6,7に示す各構成要素と同一の機能を達成する構成要素には同一番号を付しており重複する説明は省略する。
Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to FIG. In the first to third embodiments, the
図9は、矩形以外の形状をしたアライメントマークの一例を説明するための図である。図9は、ドライバIC30がパネル10に装着された状態をパネル10の裏側から見た場合のアライメントマーク14xと測定用バンプ32xを示している。アライメントマーク14xは、4つのL字型形状からなるマークを1組のL字型マークとして7組のL字型マークで構成されている。1組のL字型マークにおいて、4つの各L字型形状の外側の角が矩形の4つの角を構成するよう配置している。
FIG. 9 is a diagram for explaining an example of an alignment mark having a shape other than a rectangle. FIG. 9 shows the alignment mark 14x and the
アライメントマーク14xのうち中心に位置するものがマーク14aである。中心に位置するマーク14aを基準として、その1つ右隣のものがマーク14b1、さらに1つ右隣のものがマーク14c1、さらに1つ右隣のものがマーク14d1である。マーク14aの1つ左隣のものがマーク14b2、さらに1つ左隣のものがマーク14c2、さらに1つ左隣のものがマーク14d2である。各アライメントマーク14xの左下に位置するL字型のマークの外側の頂点部分は、例えばこの各頂点同士の配置間隔が横方向に20μmとなるように一定間隔で配置していく。
Of the alignment marks 14x, the
また、4つのL字型マークからなる1組のマークは、マークが右に位置するに従って左に位置するマークよりL字型マークの4つ全てが細くなるよう形成する。例えば、一番左端のマーク14d2を構成する4つのL字型マークを幅7μmで形成し、その右隣のマーク14c2を構成する4つのL字型マークを幅6μmで形成する。さらに、マーク14c2の右隣のマーク14b2を構成する4つのL字型マークを幅5μmで形成し、以下同様に右隣に位置するアライメントマーク14xを左隣に位置するアライメントマーク14xよりも幅が1μmずつ小さくなるよう形成していき、一番右端のマーク14d1を構成する4つのL字型マークを幅1μmで形成する。なお、4つのL字型マークで矩形を構成する1つマークにおいて、L字型マークの内側の角で形成される矩形の横方向の長さは測定用バンプ32xの横方向の長さと同じにしておく。そして、ドライバIC30がパネル10と横方向にずれることなく装着された際には、マーク14aがバンプ32aの矩形の4つの辺の1部と4つの頂点を囲うようにして接するようアライメントマーク14xは形成されている。
A set of four L-shaped marks is formed such that all four L-shaped marks become narrower than the mark positioned on the left as the mark is positioned on the right. For example, four L-shaped marks constituting the leftmost mark 14d2 are formed with a width of 7 μm, and four L-shaped marks configuring the right adjacent mark 14c2 are formed with a width of 6 μm. Further, four L-shaped marks constituting the mark 14b2 on the right side of the mark 14c2 are formed with a width of 5 μm. Similarly, the alignment mark 14x located on the right side is similarly wider than the alignment mark 14x located on the left side. The four L-shaped marks constituting the rightmost mark 14d1 are formed with a width of 1 μm. Note that, in one mark that forms a rectangle with four L-shaped marks, the horizontal length of the rectangle formed by the inner corner of the L-shaped mark is the same as the horizontal length of the
図9は、パネル10の裏側から見た場合にアライメントマーク14xと測定用バンプ32xがドライバIC30の横方向においてずれることなく重なっている状態を示しており、マーク14aが構成する矩形の内側にある縦の辺がバンプ32aの縦の辺と接している。また、マーク14b,14b2が構成する矩形の内側にある縦の辺は、バンプ32bの縦の辺より1μmずれて重なっている。さらに、マーク14c1,14c2が構成する矩形の内側にある縦の辺は、バンプ32cの縦の辺より2μmずれて重なり、マーク14d1,14d2が構成する矩形の内側にある縦の辺は、バンプ32dの縦の辺より3μmずれて重なっている。
FIG. 9 shows a state in which the alignment mark 14x and the
なお、ここでは右に配置されるマークを左に配置されるマークより細くなるよう形成したが、右に配置されるマークを左に配置されるマークより太くなるよう形成してもよい。なお、ここではアライメントマーク14xと測定用バンプ32xの横方向の位置を検出するようアライメントマーク14xを構成したが、縦方向の位置を検出するよう構成したり、縦方向と横方向の位置を同時に検出するよう構成してもよい。ドライバIC30の縦方向に配置する場合は、上に配置されるマークを下に配置されるマークより細くなるようまたは太くなるよう配置する。
Here, the mark arranged on the right is formed so as to be thinner than the mark arranged on the left, but the mark arranged on the right may be formed thicker than the mark arranged on the left. Here, the alignment mark 14x is configured to detect the horizontal position of the alignment mark 14x and the
このように実施例4によれば、アライメントマーク14xを4つのL字型形状からなるマークを1組のL字型マークとして7組のL字型マークで構成し、1組のL字型マークにおいて、4つの各L字型形状の角が矩形状の4つの角を構成するよう配置されている。このため、測定用バンプ32xとアライメントマーク13xの縦の中心軸同士の重なりを確認し易くなる。したがって、ドライバIC30とパネル10の縦方向と横方向の装着位置合わせ精度を測定することが容易になる。
As described above, according to the fourth embodiment, the alignment mark 14x is composed of seven L-shaped marks, with four L-shaped marks as one set of L-shaped marks, and one set of L-shaped marks. The four L-shaped corners are arranged to form four rectangular corners. For this reason, it becomes easy to confirm the overlap of the vertical central axes of the
図10を用いて、この発明の実施例5について説明する。実施例4においては、アライメントマークを一定の距離幅で配置するとともにアライメントマークの寸法幅をアライメントマークが右に位置するに従って左に位置するアライメントマークより細くなるよう形成したのに対し、実施例5においてはバンプを一定の距離幅で配置するとともにバンプの寸法幅をバンプが右に位置するに従って左に位置するバンプより細くなるよう形成する。なお、実施例5は上記相違点以外の構成は実施例4と同じである。また、図10の各構成要素のうち、実施例1〜実施例4の図1〜4,6〜9に示す各構成要素と同一の機能を達成する構成要素には同一番号を付しており重複する説明は省略する。 A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the fourth embodiment, the alignment mark is arranged with a certain distance width and the dimension width of the alignment mark is formed so as to become narrower than the alignment mark positioned on the left side as the alignment mark is positioned on the right side. In FIG. 5, the bumps are arranged with a certain distance width, and the dimension width of the bumps is formed so as to become narrower than the bumps located on the left side as the bumps are located on the right side. The configuration of the fifth embodiment is the same as that of the fourth embodiment except for the above differences. Moreover, the same number is attached | subjected to the component which achieves the function same as each component shown in FIGS. 1-4, 6-9 of Example 1-4 of Example among each component of FIG. A duplicate description is omitted.
図10は、横方向の装着位置合わせ精度を測定するための測定用バンプの構成を説明するための図である。図10は、ドライバIC30がパネル10に装着された状態をパネル10の裏側から見た場合のアライメントマーク15xと測定用バンプ33xを示している。アライメントマーク15xは、4つのL字型形状からなるマークを1組のL字型マークとして7組のL字型マークで構成されている。1組のL字型マークにおいて、4つの各L字型形状の外側の角が矩形の4つの角を構成するよう配置している。 FIG. 10 is a diagram for explaining a configuration of a measurement bump for measuring the mounting alignment accuracy in the horizontal direction. FIG. 10 shows alignment marks 15x and measurement bumps 33x when the driver IC 30 is mounted on the panel 10 when viewed from the back side of the panel 10. The alignment mark 15x is composed of seven sets of L-shaped marks, with four L-shaped marks as a set of L-shaped marks. In a set of L-shaped marks, the outer corners of each of the four L-shaped shapes are arranged to form four corners of a rectangle.
アライメントマーク15xのうち中心に位置するものがマーク15aである。中心に位置するマーク15aを基準として、その1つ右隣のものがマーク15b1、さらに1つ右隣のものがマーク15c1、さらに1つ右隣のものがマーク15d1である。マーク15aの1つ左隣のものがマーク15b2、さらに1つ左隣のものがマーク15c2、さらに1つ左隣のものがマーク15d2である。各アライメントマーク15xは、配置間隔が横方向に例えば20μmとなるように一定間隔で配置していく。なお、4つのL字型マークは全て同じ寸法幅で形成する。 Of the alignment marks 15x, the mark 15a is located at the center. Using the mark 15a located at the center as a reference, the one right next to it is the mark 15b1, the one right next is the mark 15c1, and the one right next is the mark 15d1. The mark on the left of the mark 15a is the mark 15b2, the mark on the left of the mark 15a is the mark 15c2, and the mark on the left of the mark 15a is the mark 15d2. The alignment marks 15x are arranged at regular intervals so that the arrangement interval is, for example, 20 μm in the horizontal direction. The four L-shaped marks are all formed with the same dimensional width.
さらに、4つのL字型マークで矩形を構成する1つマークにおいて、L字型マークの内側の角で形成される矩形の横方向の長さは測定用バンプ32xの中心に位置するバンプ33aの横方向の長さである10μmにしておく。そして、ドライバIC30がパネル10と横方向にずれることなく装着された際には、マーク15aがバンプ32aの矩形の4つの辺の1部と4つの頂点を囲うようにして接するようアライメントマーク15xは形成する。
Further, in one mark that forms a rectangle with four L-shaped marks, the lateral length of the rectangle formed by the inner corner of the L-shaped mark is the width of the
測定用バンプ33xのうち、中心に位置するものがバンプ33aである。中心に位置するバンプ33aを基準として、その1つ右隣のものがバンプ33b1、さらに1つ右隣のものがバンプ33c1、さらに1つ右隣のものがバンプ33d1である。バンプ33aの1つ左隣のものがバンプ33b2、さらに1つ左隣のものがバンプ33c2、さらに1つ左隣のものがバンプ33d2である。各測定用バンプ33xの左側に位置する縦の辺の配置間隔がアライメントマーク15xと同じ20μmになるよう配置していく。
Among the measurement bumps 33x, the
また、測定用バンプ33xは、辺の幅が基準となるバンプのからの距離応じた長さになるよう形成する。ここでは、バンプが右に位置するに従って左に位置するバンプの横方向の辺の長さより短くなるよう形成する。例えば、一番左端のバンプ33d2の横方向の辺の長さを13μmで形成し、その右隣のバンプ33c2の横方向の辺の長さを12μmで形成する。さらに、バンプ33c2の右隣のバンプ33b2の横方向の辺の長さを11μmで形成し、以下同様に右隣に位置するアライメントマーク15xを左隣に位置するバンプよりも横方向の辺の長さが1μmずつ短くなるよう形成していき、一番右端のバンプ33d1の横方向の辺の長さを幅7μmで形成する。 Further, the measurement bump 33x is formed so that the width of the side has a length corresponding to the distance from the reference bump. Here, the bump is formed so as to become shorter than the length of the lateral side of the bump located on the left as the bump is located on the right. For example, the length of the lateral side of the leftmost bump 33d2 is formed at 13 μm, and the length of the lateral side of the bump 33c2 adjacent to the right is formed at 12 μm. Further, the length of the lateral side of the bump 33b2 on the right side of the bump 33c2 is formed to be 11 μm. Similarly, the alignment mark 15x located on the right side is the length of the side in the lateral direction of the bump located on the left side. The length of the lateral side of the rightmost bump 33d1 is formed with a width of 7 μm.
図10は、パネル10の裏側から見た場合にアライメントマーク15xと測定用バンプ33xがドライバIC30の横方向においてずれることなく重なっている状態を示しており、バンプ33aの縦の辺はマーク15aが構成する矩形の内側にある縦の辺と接している。また、バンプ33b1,33b2の縦の辺はマーク15b1,15b2が構成する矩形の内側にある縦の辺よりそれぞれ横方向に1μmずれている。さらに、バンプ33c1,33c2の縦の辺はマーク15c1,15c2が構成する矩形の内側にある縦の辺より横方向にそれぞれ2μmずれており、バンプ33d1,33d2の縦の辺はマーク15d1,15d2が構成する矩形の内側にある縦の辺より横方向にそれぞれ3μmずれている。
FIG. 10 shows a state in which the alignment mark 15x and the measurement bump 33x overlap with each other in the lateral direction of the driver IC 30 when viewed from the back side of the panel 10, and the vertical side of the
なお、ここでは右に配置されるバンプを左に配置されるバンプより細くなるよう形成したが、右に配置されるバンプを左に配置されるバンプより太くなるよう形成してもよい。さらに、ここではアライメントマーク15xと測定用バンプ33xの横方向の位置を検出するようバンプ33xを構成したが、縦方向の位置を検出するよう構成したり、縦方向と横方向の位置を同時に検出するよう構成してもよい。ドライバIC30の縦方向に配置する場合は、上に配置されるバンプの縦方向の辺を下に配置されるバンプの縦方向の辺より短くなるようまたは長くなるよう配置する。 Here, the bump arranged on the right is formed so as to be thinner than the bump arranged on the left, but the bump arranged on the right may be formed thicker than the bump arranged on the left. Further, here, the bump 33x is configured to detect the horizontal position of the alignment mark 15x and the measurement bump 33x. However, the bump 33x is configured to detect the vertical position, or the vertical and horizontal positions are detected simultaneously. You may comprise. When the driver IC 30 is arranged in the vertical direction, the bumps arranged on the upper side are arranged such that the vertical sides of the bumps are shorter or longer than the vertical sides of the bumps arranged below.
このように実施例5によれば、測定用バンプ33xを、バンプが右に位置するに従って左に位置するバンプの横方向の辺の長さより短くなるよう構成されている。このため、ドライバIC30の形成工程において測定用バンプ33xの横方向の辺の寸法を種々形成でき、測定用バンプ33xとアライメントマーク15xの縦の中心軸同士の重なりを確認し易くなる。したがって、ドライバIC30とパネル10の横方向の装着位置合わせ精度を測定することが容易になる。 As described above, according to the fifth embodiment, the measurement bump 33x is configured to be shorter than the length of the lateral side of the bump located on the left as the bump is located on the right. For this reason, various dimensions of the lateral sides of the measurement bump 33x can be formed in the process of forming the driver IC 30, and it is easy to confirm the overlap between the vertical central axes of the measurement bump 33x and the alignment mark 15x. Accordingly, it becomes easy to measure the mounting accuracy of the driver IC 30 and the panel 10 in the horizontal direction.
なお、本発明の電気光学装置及び電子機器は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記各実施例に示す電気光学装置はいずれも液晶パネルを有する液晶表示装置であるが、この液晶パネルの代わりに、無機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、FED(Field Emission Display)装置などの各種電気光学装置用基板を有するものも用いることができる。 It should be noted that the electro-optical device and the electronic apparatus of the present invention are not limited to the illustrated examples described above, and various changes can be made without departing from the scope of the present invention. For example, each of the electro-optical devices shown in the above embodiments is a liquid crystal display device having a liquid crystal panel, but instead of the liquid crystal panel, an inorganic electroluminescence device, an organic electroluminescence device, a plasma display device, an FED (Field Emission). It is also possible to use one having a substrate for various electro-optical devices such as a display device.
この実施例6では、実施例1〜5で説明したパネルを有する電気光学装置を備える電子機器の具体例について説明する。図11〜図13は、それぞれ本発明にかかるパネルを使用した電気光学装置を備える電子機器の例である。図11は、携帯電話の一例を示す斜視図である。100は携帯電話本体を示し、そのうち101は本発明のパネルを使用した電気光学装置からなる表示部である。図12は、腕時計型の電子機器の一例を示す斜視図である。110は時計機能を内蔵した時計本体を示し、111は本発明のパネルを使用した電気光学装置からなる表示部である。そして、図13は、ワードプロセッサ機やパーソナルコンピュータなどの携帯型情報処理装置の一例を示す斜視図である。この図13において、120は携帯型情報処理装置を示し、122はキーボードなどの入力部であり、124は演算手段や記憶手段などが格納されている情報処理装置本体部であり、126は本発明のパネルを使用した電気光学装置からなる表示部である。
In Example 6, a specific example of an electronic apparatus including the electro-optical device having the panel described in Examples 1 to 5 will be described. FIGS. 11 to 13 are examples of electronic apparatuses each including an electro-optical device using the panel according to the present invention. FIG. 11 is a perspective view illustrating an example of a mobile phone.
また、このようなパネルを使用した電気光学装置を備える電子機器としては、図11に示される携帯電話、図12に示される腕時計型の電子機器、図13に示される携帯型情報処理装置のほかに、例えば、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、デジタルビデオカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、POS端末機など、電気光学装置を備える電子機器が挙げられる。 In addition to the mobile phone shown in FIG. 11, the wristwatch-type electronic device shown in FIG. 12, the portable information processing device shown in FIG. For example, digital still cameras, in-vehicle monitors, digital video cameras, liquid crystal televisions, viewfinder types, monitor direct-view video tape recorders, car navigation devices, pagers, electronic notebooks, calculators, word processors, workstations, video phones, Examples thereof include an electronic device including an electro-optical device such as a POS terminal.
以上のように、本発明に係る電気光学装置用基板は、電気光学装置用基板と半導体装置の装着平面内の装着位置合わせ精度の測定を簡易な構成で精度よく行える半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法に適している。 As described above, the substrate for an electro-optical device according to the present invention is for a semiconductor device and an electro-optical device that can accurately measure the mounting alignment accuracy in the mounting plane of the substrate for the electro-optical device and the semiconductor device with a simple configuration. It is suitable for a method for measuring the mounting position of a substrate.
10 パネル、11x〜14x アライメントマーク、11a〜14a,11b1〜14b1,11b2〜14b2,11c1〜14c1,11c2〜14c2,11d1〜14d1,11d2〜11d2 マーク、30 ドライバIC、31 出力側バンプ、32a,32b1,32c1,32d1,32b2,32c2,32d2 バンプ、32x 測定用バンプ、35 入力側バンプ、40 ドライバIC装着位置、41 入力側バンプ装着位置、42 出力側バンプ装着位置、50 液晶、51 第1基板、52 第2基板、53 シール材、54 張出領域、100 携帯電話本体、101,111,126 表示部、110 時計本体、120 携帯型情報処理装置、122 入力部、124 情報処理装置本体部、P1〜U1,P2〜U2 中心軸 10 panels, 11x-14x alignment marks, 11a-14a, 11b1-14b1, 11b2-14b2, 11c1-14c1, 11c2-14c2, 11d1-14d1, 11d2-11d2 marks, 30 driver ICs, 31 output bumps, 32a, 32b1 32c1, 32d1, 32b2, 32c2, 32d2 bump, 32x measurement bump, 35 input side bump, 40 driver IC mounting position, 41 input side bump mounting position, 42 output side bump mounting position, 50 liquid crystal, 51 first substrate, 52 Second substrate, 53 Sealing material, 54 Overhang area, 100 Mobile phone main body, 101, 111, 126 Display unit, 110 Clock main body, 120 Portable information processing device, 122 Input unit, 124 Information processing device main body, P1 ~ U1, P2-U2 Medium Core axis
Claims (17)
前記バンプのうち基準となるバンプの所定の部分が装着される位置に基準となるアライメントマークを設け、このアライメントマークから所定の規則にしたがってアライメントマークを配置した電気光学装置用基板と、
を有し、前記半導体装置を前記電気光学装置用基板に装着して、前記半導体装置の前記電気光学装置用基板の装着面内における位置ずれを測定する半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法であって、
前記所定の部分にアライメントマークが一致したバンプにおけるアライメントマークと、前記基準となるアライメントマークと、の間に存在するアライメントマークの数によって、前記基準となるバンプの前記基準となるアライメントマークからのずれを算出することを特徴とする半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法。 A semiconductor device having bumps arranged in a straight line at equal intervals;
An electro-optical device substrate in which a reference alignment mark is provided at a position where a predetermined part of the reference bump is mounted among the bumps, and the alignment mark is arranged according to a predetermined rule from the alignment mark;
A mounting position of the semiconductor device and the electro-optical device substrate, wherein the semiconductor device is mounted on the electro-optical device substrate and a positional deviation of the semiconductor device in the mounting surface of the electro-optical device substrate is measured. A measuring method,
The deviation of the reference bump from the reference alignment mark depends on the number of alignment marks between the alignment mark on the bump whose alignment mark matches the predetermined portion and the reference alignment mark. A mounting position measuring method for a semiconductor device and an electro-optical device substrate, characterized by:
前記バンプのうち基準となるバンプの所定の部分が装着される位置に基準となるアライメントマークを設け、このアライメントマークから等間隔で直線状に配置されるアライメントマークを有する電気光学装置用基板と、
を有し、前記半導体装置を前記電気光学装置用基板に装着して、前記半導体装置の前記電気光学装置用基板の装着面内における位置ずれを測定する半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法であって、
前記アライメントマークのうちいずれかのアライメントマークの前記所定の部分に一致するバンプと、前記基準となるバンプと、の間に存在するバンプの数によって、前記基準となるアライメントマークの前記基準となるバンプからのずれを算出することを特徴とする半導体装置と電気光学装置用基板の装着位置測定方法。 A semiconductor device having bumps arranged according to a predetermined rule;
A substrate for an electro-optical device having an alignment mark arranged linearly at equal intervals from the alignment mark, provided with a reference alignment mark at a position where a predetermined portion of the bump serving as a reference is mounted among the bumps;
A mounting position of the semiconductor device and the electro-optical device substrate, wherein the semiconductor device is mounted on the electro-optical device substrate and a positional deviation of the semiconductor device in the mounting surface of the electro-optical device substrate is measured. A measuring method,
The reference bump of the reference alignment mark, depending on the number of bumps existing between the bump that matches the predetermined portion of the alignment mark and the reference bump. A method of measuring a mounting position of a semiconductor device and a substrate for an electro-optical device, characterized by calculating a deviation from
前記バンプのうち基準となるバンプの装着位置の位置ずれを測定するための、前記バンプの配置方向に所定の規則に従って配置されるアライメントマークを有することを特徴とする電気光学装置用基板。 In a substrate for an electro-optical device on which a semiconductor device having bumps arranged linearly at equal intervals is mounted,
An electro-optical device substrate comprising an alignment mark arranged in accordance with a predetermined rule in the bump arrangement direction for measuring a displacement of a mounting position of a reference bump among the bumps.
前記アライメントマークのうち基準となるアライメントマークの装着位置の位置ずれを測定するための、前記アライメントマークの配置方向に所定の規則に従って配置されるバンプを有することを特徴とする半導体装置。 In a semiconductor device mounted on an electro-optical device substrate having alignment marks arranged linearly at equal intervals,
A semiconductor device comprising: a bump arranged in accordance with a predetermined rule in the arrangement direction of the alignment mark for measuring a displacement of a mounting position of a reference alignment mark among the alignment marks.
前記半導体装置に等間隔で直線状にバンプを形成するステップと、
前記電気光学装置用基板に、前記バンプのうち基準となるバンプの装着位置の位置ずれを測定するための、前記バンプの配置方向に所定の規則に従ってアライメントマークを形成するステップと、
前記半導体装置と前記電気光学装置用基板を装着するステップと、
前記半導体装置に形成されたバンプと前記電気光学装置用基板に形成されたアライメントマークの位置ずれを測定することによって前記半導体装置と前記電気光学装置用基板の
装着位置を測定するステップと、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 In a manufacturing method of an electro-optical device having a semiconductor device and an electro-optical device substrate on which the semiconductor device is mounted
Forming bumps in a straight line at equal intervals on the semiconductor device;
Forming an alignment mark on the electro-optic device substrate in accordance with a predetermined rule in the arrangement direction of the bumps for measuring a displacement of a mounting position of a reference bump among the bumps;
Attaching the semiconductor device and the electro-optical device substrate;
Measuring a mounting position of the semiconductor device and the electro-optical device substrate by measuring a displacement between a bump formed on the semiconductor device and an alignment mark formed on the electro-optical device substrate;
A method for manufacturing an electro-optical device.
前記電気光学装置用基板に等間隔で直線状にアライメントマークを配置するステップと、
前記半導体装置に、前記アライメントマークのうち基準となるアライメントマークの装着位置の位置ずれを測定するための、前記アライメントマークの配置方向に所定の規則に従ってバンプを配置するステップと、
前記半導体装置に形成されたバンプと前記電気光学装置用基板に形成されたアライメントマークの位置ずれを測定することによって前記半導体装置と前記電気光学装置用基板の
装着位置を測定するステップと、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 In a manufacturing method of an electro-optical device having a semiconductor device and an electro-optical device substrate on which the semiconductor device is mounted,
Arranging alignment marks linearly at equal intervals on the electro-optical device substrate;
In the semiconductor device, a step of arranging bumps according to a predetermined rule in the arrangement direction of the alignment mark for measuring a positional deviation of a mounting position of a reference alignment mark among the alignment marks;
Measuring a mounting position of the semiconductor device and the electro-optical device substrate by measuring a displacement between a bump formed on the semiconductor device and an alignment mark formed on the electro-optical device substrate;
A method for manufacturing an electro-optical device.
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