JP2005093657A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板に対し、一連の処理を施す基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs a series of processes on a substrate such as a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, and an optical disk substrate.
基板に対して一連の処理を施す基板処理装置においては、通常、基板に対して単一の処理を施す処理ユニットを複数備えて構成されている。例えば、半導体基板に対して所定の回路パターンを形成するために、レジスト塗布処理、現像処理やそれらに伴う所定の熱処理、薬液処理等を行う基板処理装置であれば、基板に対して単一のレジスト塗布処理を施すレジスト塗布処理ユニット、基板に対して単一の現像処理を施す現像処理ユニット、基板に対して熱処理を施す熱処理ユニット等を、それぞれ複数備えて構成されている。 In general, a substrate processing apparatus that performs a series of processing on a substrate includes a plurality of processing units that perform a single processing on the substrate. For example, in order to form a predetermined circuit pattern on a semiconductor substrate, a substrate processing apparatus that performs a resist coating process, a development process, a predetermined heat treatment associated therewith, a chemical process, and the like can be applied to a single substrate A plurality of resist coating processing units that perform resist coating processing, a development processing unit that performs single development processing on a substrate, a thermal processing unit that performs thermal processing on a substrate, and the like are provided.
このような基板処理装置は、基板処理装置全体の動作を制御するメインコントローラを備える。そして、従来では、メインコントローラに記憶手段を備え、装置の動作を制御するために必要なデータは全て、メインコントローラに備えた記憶手段に記憶させている。 Such a substrate processing apparatus includes a main controller that controls the operation of the entire substrate processing apparatus. Conventionally, the main controller is provided with storage means, and all data necessary for controlling the operation of the apparatus is stored in the storage means provided in the main controller.
このような従来の基板処理装置の構成は、例えば、特許文献1に開示されている。
The configuration of such a conventional substrate processing apparatus is disclosed in
しかし、上述したような従来の基板処理装置では、装置各部の制御を行うために必要なデータも全てメインコントローラに備えた記憶手段に保存するため、起動時にはメインコントローラから大量のデータを装置各部へ送信する必要がある。したがって、データの送信のために相当の時間を要することとなり、装置の起動を遅くする原因となる。 However, in the conventional substrate processing apparatus as described above, since all data necessary for controlling each part of the apparatus is stored in the storage means provided in the main controller, a large amount of data is transferred from the main controller to each part of the apparatus at the time of startup. Need to send. Therefore, a considerable time is required for data transmission, which causes a slow start of the apparatus.
また、処理ユニット等の各部の調整を行った後には、調整により得られたデータをその都度メインコントローラへ送信する必要がある。 In addition, after each unit such as the processing unit is adjusted, it is necessary to transmit data obtained by the adjustment to the main controller each time.
本発明は、このような課題に鑑みてなされてものであり、装置の起動時にメインコントローラから各部へデータを送信する時間を短縮することができるとともに、各部の調整時に得られたデータをメインコントローラへ送信する必要がない基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such a problem, and can shorten the time for transmitting data from the main controller to each unit at the time of starting the apparatus, and can also obtain the data obtained at the time of adjusting each unit. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus that does not need to be transmitted to.
上記課題を解決するため、請求項1に係る発明は、基板に対して一連の複数の処理を行う基板処理装置であって、基板に対して処理を行う複数の処理ユニットと、前記複数の処理ユニットのそれぞれの動作を制御する複数の下位制御手段と、装置全体の動作を制御する上位制御手段と、を備え、前記複数の下位制御手段のそれぞれは、制御対象となる前記処理ユニットの動作を制御するために必要なデータを記憶する不揮発性の記憶手段を備え、前記上位制御手段は、装置全体の動作を制御するために必要なデータを記憶する不揮発性の記憶手段を備えることを特徴とする。
In order to solve the above problems, an invention according to
請求項2に係る発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、当該装置中に設けた複数の基板搬送手段のそれぞれの搬送担当区域に対応して、複数の構成単位が前記基板処理装置において定義されているとともに、前記下位制御手段のそれぞれは、前記それぞれの搬送担当区域よりも限定された局所的範囲に関して、対応する処理ユニットを制御するものであり、前記基板処理装置が、前記複数の構成単位の動作を制御する複数の中位制御手段、をさらに備えることを特徴とする。 A second aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein a plurality of structural units correspond to the respective transfer areas of the plurality of substrate transfer means provided in the apparatus. Each of the subordinate control means is defined in a processing apparatus and controls a corresponding processing unit with respect to a local range limited to the respective transfer charge area, and the substrate processing apparatus includes: A plurality of intermediate control means for controlling operations of the plurality of structural units are further provided.
請求項3に係る発明は、請求項2に記載の基板処理装置であって、前記複数の処理ユニットが、前記複数の構成単位に分属していることを特徴とする。
The invention according to
請求項4に係る発明は、請求項2または請求項3に記載の基板処理装置であって、前記複数の中位制御手段のそれぞれは、制御対象となる前記構成単位の動作を制御するために必要なデータを記憶する不揮発性の記憶手段を備えることを特徴とする。
The invention according to
請求項5に係る発明は、請求項2から請求項4までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記上位制御手段と、前記中位制御手段と、前記下位制御手段とは、階層的に接続されていることを特徴とする。
The invention according to
請求項1から請求項5に記載の発明によれば、各処理ユニット内の制御に必要なデータは下位制御手段に記憶させることができるため、基板処理装置の起動時に装置制御に必要なデータを送受信する時間を短縮することが可能となるとともに、上位制御手段との間で送受信するデータ量を減少させることができるため送受信のエラーによる装置の誤動作を低減させることができる。また、処理ユニット毎の調整により得られたデータは下位制御手段に記憶させておくことができ、上位制御手段へ送信する必要がなくなるため、装置が調整作業により停止する時間を短縮することができる。 According to the first to fifth aspects of the present invention, since data necessary for control in each processing unit can be stored in the lower control means, data necessary for apparatus control when starting the substrate processing apparatus is stored. The transmission / reception time can be shortened, and the amount of data transmitted / received to / from the higher control means can be reduced, so that malfunction of the apparatus due to transmission / reception errors can be reduced. Further, the data obtained by the adjustment for each processing unit can be stored in the lower control means and need not be transmitted to the upper control means, so that the time during which the apparatus is stopped by the adjustment work can be shortened. .
特に、請求項4に記載の発明によれば、各構成単位における制御に必要なデータは中位制御手段に記憶させることができるため、基板処理装置の起動時に装置制御に必要なデータを送受信する時間をさらに短縮することが可能となるとともに、送受信のエラーによる装置の誤動作をより低減させることができる。また、構成単位毎の調整により得られたデータは中位制御手段に記憶させておくことができ、上位制御手段へ送信する必要がなくなるため、装置が調整作業により停止する時間を更に短縮することができる。 In particular, according to the fourth aspect of the present invention, since data necessary for control in each structural unit can be stored in the intermediate control means, data necessary for apparatus control is transmitted and received when the substrate processing apparatus is activated. The time can be further shortened, and malfunction of the apparatus due to transmission / reception errors can be further reduced. In addition, the data obtained by adjustment for each structural unit can be stored in the intermediate control means, and it is not necessary to transmit to the upper control means, so that the time during which the apparatus is stopped by the adjustment work is further reduced. Can do.
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
<1.基板処理装置100の機構上の構成>
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置100の平面図、図2はその正面図、図3は熱処理部の正面図である。なお、図1から図3には、各図の方向関係を明確にするためにXYZ直交座標系を付している。後述する複数のブロックの配列方向をX方向、水平面内でX方向と直交する方向をY方向、鉛直方向をZ方向とする。
<1. Configuration on Mechanism of
FIG. 1 is a plan view of a
基板処理装置100は、半導体基板に対し、所定の回路パターンを形成するためのフォトリソグラフィー工程に係る、レジスト塗布処理、現像処理やそれらに伴う所定の熱処理、薬液処理等を行う装置である。但し、本発明は、半導体基板に限らず、液晶表示装置用ガラス基板等の種々の基板を取り扱う基板処理装置に適用し得る。
The
図1に示すように、本実施形態に係る基板処理装置100は大きく分けて、インデクサブロック1、反射防止膜用処理ブロック2、レジスト膜用処理ブロック3、現像処理ブロック4、インタフェイスブロック5の5つの機構上の構成単位(ブロック)を配列して構成されている。これら5つのブロックは個別にフレーム(枠体)に組み付けられ、物理的に分割することができるとともに、上記の順に連結することにより基板処理装置100を構成することができる。したがって、基板処理装置100の使用状況により新たなブロックを追加したり、あるいは一部のブロックを削除したりすることが可能である。各ブロックにはそれぞれ、目的とする処理を行うための複数の処理ユニット等が収容されている。また、インタフェイスブロック5の側方には、レジスト膜に対し所定の回路パターンを露光する処理を施す露光装置STPが隣接配置されている。露光装置STPは、基板処理装置100とは別体の装置である。以下に、まず機構上の構成単位であるブロック毎に、基板処理装置100の構成を説明する。
As shown in FIG. 1, the
インデクサブロック1は、基板処理装置100の外部からの未処理の基板Wの受け入れや、逆に処理済みの基板Wの外部への払い出しを行うブロックである。インデクサブロック1は、所定枚数の基板Wを多段に収納可能なカセットCを複数個(図1においては4個)並べて載置するカセット載置台6と、カセットCから未処理の基板Wを順に取り出して後段の処理へ供することができるとともに処理済みの基板Wを受け取って再びカセットCへと順に収納することができる搬送手段であるインデクサ用搬送機構7とを備えている。
The
インデクサ用搬送機構7は、カセット載置台6にY軸方向に水平移動可能な可動台7aと、可動台7a上に設けられた保持アーム7bと、保持アーム7bの先端部分の内側に突出する複数本のピン7cとを備えている。基板Wはピン7c上に載置されることにより保持アーム7bに水平姿勢に保持される。そして、保持アーム7bは、基板Wを保持しつつ、Z軸方向への上下移動と、水平面内の旋回移動と、旋回半径方向への進退移動とを行うことができる。
The
反射防止膜用処理ブロック2は、露光装置STPにおける露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、基板Wの表面(後に塗布するフォトレジスト膜の下部)に反射防止膜を塗布形成するブロックである。反射防止膜用処理ブロック2は、基板Wの表面に反射防止膜を塗布する処理を行う反射防止膜用塗布処理部8と、塗布に際し必要な熱処理を行う反射防止膜用熱処理部9と、反射防止膜用塗布処理部8および反射防止膜用熱処理部に対して基板Wの受渡をする搬送手段である第1主搬送機構10Aとを備える。反射防止膜用熱処理部9から反射防止膜用塗布処理部8への熱的影響を抑制するため、第1主搬送機構10Aを間に挟んで反射防止膜用塗布処理部8は装置正面側(−Y側)に、反射防止膜用熱処理部9は装置背面側(+Y側)に位置するように配置されている。また、反射防止膜用熱処理部9の正面側には図示しない熱隔壁が設けられている。
The anti-reflection
図2に示すように、反射防止膜用塗布処理部8には、3つの反射防止膜用塗布処理ユニット8a〜8cが積層配置されている。反射防止膜用塗布処理ユニット8a〜8cはそれぞれ単一の塗布処理を行う処理ユニットであり、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック11、スピンチャック11上に保持された基板W上に反射防止膜用の塗布液を供給するノズル12等を備えている。
As shown in FIG. 2, the antireflection film
また、図3に示すように、反射防止膜用熱処理部9には、基板Wを所定の温度にまで加熱する複数個の加熱プレートHPと、加熱された基板Wを常温にまで冷却する複数個の冷却プレートCPと、レジスト膜と基板Wとの密着性を向上させるためにHMDS(ヘキサメチルジシラザン)の蒸気雰囲気で基板Wを熱処理する複数個のアドヒージョン処理ユニットAHLとが2列に積層配置されている。加熱プレートHPと冷却プレートCPとアドヒージョン処理ユニットAHLとはいずれも単一の熱処理を行う処理ユニットである。なお、図3中において「×」印で示した箇所は、配管配線部が備わっていたり、処理ユニットを追加するための空きスペースとして確保されている箇所である。
As shown in FIG. 3, the antireflection film
レジスト膜用処理ブロック3は、反射防止膜が塗布形成された基板Wの表面に化学増幅型レジスト等のフォトレジスト膜を塗布形成するブロックである。レジスト膜用処理ブロック3は、基板Wの表面にフォトレジスト膜を塗布する処理を行うレジスト膜用塗布処理部15と、塗布に際し必要な熱処理を行うレジスト膜用熱処理部16と、レジスト膜用塗布処理部15およびレジスト膜用熱処理部16に対して基板Wの受渡をする搬送手段である第2主搬送機構10Bとを備える。レジスト膜用熱処理部16からレジスト膜用塗布処理部15への熱的影響を抑制するため、第2主搬送機構10Bを間に挟んでレジスト膜用塗布処理部15は装置正面側(−Y側)に、レジスト膜用熱処理部16は装置背面側(+Y側)に位置するように配置されている。また、レジスト膜用熱処理部16の正面側には図示しない熱隔壁が設けられている。
The resist
図2に示すように、レジスト膜用塗布処理部15には、3つのレジスト膜用塗布処理ユニット15a〜15cが積層配置されている。レジスト膜用塗布処理ユニット15a〜15cはそれぞれ単一の塗布処理を行う処理ユニットであり、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック17、スピンチャック17上に保持された基板W上にレジスト膜用の塗布液を供給するノズル18等を備えている。
As shown in FIG. 2, the resist film
また、図3に示すように、レジスト膜用熱処理部16には、基板Wを所定の温度にまで加熱する複数個の加熱プレートHPと、加熱された基板Wを常温にまで冷却する複数個の冷却プレートCPとが2列に積層配置されている。加熱プレートHPと冷却プレートCPとはいずれも単一の熱処理を行う処理ユニットである。なお、図3中において「×」印で示した箇所は、配管配線部が備わっていたり、処理ユニットを追加するための空きスペースとして確保されている箇所である。
As shown in FIG. 3, the resist film
現像処理ブロック4は、露光装置STPにおいて所定の回路パターンが露光された基板Wに対して現像処理を行うブロックである。現像処理ブロック4は、現像液により現像処理を行う現像処理部30と、現像処理に際し必要な熱処理を行う現像用熱処理部31と、現像処理部30および現像用熱処理部31に対して基板Wの受渡をする搬送手段である第3主搬送機構10Cとを備える。現像用熱処理部31から現像処理部30への熱的影響を抑制するため、第3主搬送機構10Cを間に挟んで現像処理部30は装置正面側(−Y側)に、現像用熱処理部31は装置背面側(+Y側)に位置するように配置されている。また、現像用熱処理部31の正面側には図示しない熱隔壁が設けられている。
The
図2に示すように、現像処理部30には、5つの現像処理ユニット30a〜30eが積層配置されている。現像処理ユニット30a〜30eはそれぞれ単一の現像処理を行う処理ユニットであり、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック32、スピンチャック32上に保持された基板W上に現像液を供給するノズル33等を備えている。
As shown in FIG. 2, the
また、図3に示すように、現像用熱処理部31には、基板Wを所定の温度にまで加熱する複数個の加熱プレートHPと、加熱された基板Wを常温にまで冷却する複数個の冷却プレートCPとが2列に積層配置されている。加熱プレートHPと冷却プレートCPとはいずれも単一の熱処理を行う処理ユニットである。現像用熱処理部31はまた、後述する基板載置部PASS7,PASS8も備えている。なお、図3中において「×」印で示した箇所は、配管配線部が備わっていたり、処理ユニットを追加するための空きスペースとして確保されている箇所である。
As shown in FIG. 3, the development
インタフェイスブロック5は、基板処理装置100と、隣接して備わる露光装置STPとの間の基板Wの受け渡しを行うブロックである。インタフェイスブロック5は、フォトレジストが塗布された基板Wの周縁部を予め露光する2つのエッジ露光ユニットEEWと、基板載置部PASS7,PASS8とエッジ露光ユニットEEWとの間で基板Wの受け渡しをする搬送手段である第4主搬送機構10Dと、基板載置部PASS9,PASS10と、基板載置部PASS9,PASS10と露光装置STPとの間で基板Wの受け渡しをする搬送手段であるインタフェイス用搬送機構35と、露光装置STPへ基板Wを送る前に一時的に基板Wを収納する送り用バッファSBFと、露光後の基板Wを一時的に収納する戻し用バッファRBFと、を主として備えている。このうち、2つのEEW、戻し用バッファRBF、基板載置部PASS9、PASS10は、インタフェイスブロック5の中央部分に上からこの順に積層配置されている。送り用バッファSBFおよび戻し用バッファRBFはいずれも、複数枚の基板Wを多段に収納可能な収納棚から構成されている。
The
2つのエッジ露光ユニットEEWはいずれも単一のエッジ露光処理を行う処理ユニットであり、図2に示すように、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック36や、スピンチャック36上に保持された基板Wの周縁を露光する光照射器37などを備えている。
Each of the two edge exposure units EEW is a processing unit that performs a single edge exposure process. As shown in FIG. 2, the
図1、図2に示すように、インタフェイス用搬送機構35は、水平方向(Y軸方向)に移動可能な可動台35aと、可動台35a上にあって基板Wを保持する保持アーム35bとを備えている。保持アーム35bは、図示しない駆動手段によって、昇降・旋回および旋回半径方向の進退が可能となっている。したがって、インタフェイス用搬送機構35は、水平方向に一定の可動範囲を有しており、それぞれ所定の位置で、露光装置STP、基板載置部PASS9、PASS10、および送り用バッファSBFに対する基板Wの受け渡しを行えるようになっている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
第1主搬送機構10A,第2主搬送機構10B,第3主搬送機構10C,第4主搬送機構10Dは、いずれも基台10d上に2個の保持アーム10a、10bを上下に備えた構造となっている。保持アーム10a、10bは、略C字状の先端部分を有しており、その先端部分の内側に突出する複数本のピン10c(図1には3個の場合を図示)によって基板Wを水平姿勢で保持することができる。保持アーム10a、10bは基板Wを保持しつつ、図示しない駆動機構によって、水平面内の旋回移動と、Z軸方向の昇降移動と、旋回半径方向の進退移動とを行うことができる。
The first
図1に示すように、基板処理装置100においては、隣接するブロック同士の境界部に、互いの雰囲気を遮断することを目的とする隔壁13がそれぞれ設けられている。そのうち、インデクサブロック1と反射防止膜用処理ブロック2との間、反射防止膜用処理ブロック2とレジスト膜用処理ブロック3との間、およびレジスト膜用処理ブロック3と現像処理ブロック4との間における各隔壁13を部分的に貫通して、基板Wの受渡を行うために基板Wを載置する6つの基板載置部PASS1〜PASS6が設けられている。6つの基板載置部PASS1〜PASS6は、3箇所の隔壁にそれぞれ2つずつ、上下に近接して設けられている。また、現像用熱処理部31内には、現像処理ブロック4とインタフェイスブロック5との間で基板の受渡を行うために2つの基板載置部PASS7,PASS8が上下に近接して設けられている。さらに、上述したようにインタフェイスブロック5内には、第4主搬送機構10Dとインタフェイス用搬送機構35との間で基板の受渡を行うために2つの基板載置部PASS9,PASS10が上下に近接して設けられている。以上10個の基板載置部PASS1〜PASS10のうち、上側の基板載置部PASS1,PASS3,PASS5,PASS7,PASS9は順方向(+X方向)へ基板Wを搬送するときに、下側の基板載置部PASS2,PASS4,PASS6,PASS8,PASS10は戻り方向(−X方向)へ基板Wを搬送するときに、それぞれ使用する。基板載置部PASS1〜PASS10は、固定設置された復数本の支持ピンを備えており、支持ピン上に基板Wを載置することができる。また、基板載置部PASS1〜PASS10には、基板Wの有無を検出する図示しない光学式のセンサが設けられており、各センサの検出信号に基づいて、インデクサ用搬送機構7、主搬送機構10A〜10D、およびインタフェイス用搬送機構35が、基板載置部PASS1〜PASS10に対する基板Wの受け渡しの可否を判断することができるようになっている。
As shown in FIG. 1, in the
<2.基板処理装置100における処理の流れ>
以上のような機構上の構成を備えた基板処理装置100における一連の処理の流れについて、一例を以下に概説する。ここでは、一枚の基板Wについて処理の流れを追いつつ説明する。
<2. Process Flow in
An example of the flow of a series of processes in the
まずインデクサブロック1において、インデクサ用搬送機構7が所定のカセットCに対向する位置まで移動し、そのカセットC収納されている未処理の基板Wを取り出す。インデクサ用搬送機構7は取り出した基板Wを基板載置部PASS1まで搬送し、基板載置部PASS1上に載置する。
First, in the
反射防止膜用処理ブロック2において、第1主搬送機構10Aが基板載置部PASS1に載置された基板Wを所定の冷却プレートCP、反射防止膜用塗布処理ユニット8a(または8b,8c)、所定の加熱プレートHPの順に搬送する。各処理ユニットにおいて、基板Wはそれぞれ所定の処理を受け、基板Wの表面には反射防止膜が形成されることとなる。その後、第1主搬送機構10Aは基板Wを基板載置部PASS3まで搬送し、基板載置部PASS3上に載置する。
In the antireflection
レジスト膜用処理ブロック3において、第2主搬送機構10Bが基板載置部PASS3に載置された基板Wを所定の冷却プレートCP、レジスト膜用塗布処理ユニット15a(または15b,15c)、所定の加熱プレートHPの順に搬送する。各処理ユニットにおいて、基板Wはそれぞれ所定の処理を受け、基板Wの表面にはレジスト膜が形成されることとなる。その後、第2主搬送機構10Bは基板Wを基板載置部PASS5まで搬送し、基板載置部PASS5上に載置する。
In the resist
現像処理ブロック4において、第3主搬送機構10Cが基板載置部PASS5に載置された基板Wを基板載置部PASS7まで搬送し、基板載置部PASS7上に載置する。
In the
インタフェイスブロック5において、第4主搬送機構10Dが基板載置部PASS7に載置された基板Wをエッジ露光ユニットEEW、現像用熱処理部31の冷却プレートCPの順に搬送する。各処理ユニットにおいて、基板Wはそれぞれ所定の処理を受け、基板Wの周縁部が露光された状態となる。その後、第4主搬送機構10Dは基板Wを基板載置部PASS9まで搬送し、基板載置部PASS9上に載置する。続いて、インタフェイス用搬送機構35が基板載置部PASS9に載置された基板Wを隣接する露光装置STPに搬送する。露光装置STPにおける露光処理が終了した後、インタフェイス用搬送機構35は露光処理後の基板Wを受け取って基板載置部PASS10まで搬送し、基板載置部PASS10上に載置する。そして、第4主搬送機構10Dが基板載置部PASS10上に載置された基板Wを現像用熱処理部31の加熱プレートHPに搬送する。加熱プレートHPにおいて、基板Wは所定の熱処理を受ける。その後、第4主搬送機構10Dは、基板Wを基板載置部PASS8まで搬送し、基板載置部PASS8上に載置する。
In the
現像処理ブロック4において、第3主搬送機構10Cが基板載置部PASS8に載置された基板Wを所定の冷却プレートCP、現像処理ユニット30a(または30b〜30e)、所定の加熱プレートHPの順に搬送する。各処理ユニットにおいて、基板Wはそれぞれ所定の処理を受け、基板Wの表面は現像されることとなる。その後、第3主搬送機構10Cは基板Wを基板載置部PASS6まで搬送し、基板載置部PASS6上に載置する。
In the
レジスト膜用処理ブロック3において、第2主搬送機構10Bが基板載置部PASS6に載置された基板Wを基板載置部PASS4まで搬送し、基板載置部PASS4上に載置する。
In the resist
反射防止膜用処理ブロック2において、第1主搬送機構10Aが基板載置部PASS4に載置された基板Wを基板載置部PASS2まで搬送し、基板載置部PASS2上に載置する。
In the antireflection
そして、インデクサブロック1において、インデクサ用搬送機構7が基板載置部PASS2に載置された基板Wを所定のカセットCまで搬送し、カセットCに収納する。
In the
<3.基板処理装置100の制御上の構成>
次に、基板処理装置100の制御上の構成について以下に説明する。図4は、基板処理装置100の制御上の構成単位の配置を示す図である。また、図5は、基板処理装置100の制御系統の接続を示すブロック図である。
<3. Configuration on Control of
Next, the control configuration of the
基板処理装置100は図4に示すように、インデクサセルC1、反射防止膜用処理セルC2、レジスト膜用処理セルC3、現像処理セルC4、露光後加熱用処理セルC5、インタフェイスセルC6の6つの制御上の構成単位(セル)から成る。セルは、基板処理装置100を上述の機構上の構成単位であるブロックとは異なる概念により定義された構成単位であるが、セルC1〜C3は、結果としてブロック1〜3と同一の構成単位となっている。ブロックと同一の構成単位となるセルに関しては、上述のように物理的に分割することができるため、基板処理装置100の使用状況により新たなセルを追加したり、あるいは一部のセルを削除したりすることが可能となる。
As shown in FIG. 4, the
各セルは、基板処理装置装置100中に設けた複数の基板搬送機構のそれぞれの搬送担当区域に対応して、基板処理装置100において定義されている。すなわち、各セルはそれぞれ一つの搬送機構を備えている。また、各セルの搬送担当区域よりも限定された局所的範囲となる複数の処理ユニットは、セルC2〜C5に分属している。
Each cell is defined in the
インデクサセルC1はインデクサ用搬送機構7を備えるセルであり、その他カセット載置台6等を備える。反射防止膜用処理セルC2は第1主搬送機構10Aを備えるセルであり、その他反射防止膜用塗布処理部8と反射防止膜用熱処理部9とに含まれる複数の処理ユニット(反射防止膜用塗布処理ユニット8a〜8c、加熱プレートHP、冷却プレートCP、アドヒージョン処理ユニットAHL)を備える。レジスト膜用処理セルC3は第2主搬送機構10Bを備えるセルであり、その他レジスト膜用塗布処理部15とレジスト膜用熱処理部16とに含まれる複数の処理ユニット(レジスト膜用塗布処理ユニット15a〜15c、加熱プレートHP、冷却プレートCP)を備える。現像処理セルC4は第3主搬送機構10Cを備えるセルであり、その他露光後加熱に用いられる熱処理部を除いた現像用熱処理部31と現像処理部30とに含まれる複数の処理ユニット(現像処理ユニット30a〜30e、加熱プレートHP、冷却プレートCP)を備える。露光後加熱用処理セルC5は第4主搬送機構10Dを備えるセルであり、その他露光後現像前の基板Wに対して熱処理を施す複数の熱処理ユニット(本実施形態では、現像用熱処理部31に設けられた複数の加熱プレートHPの一部)と2つのエッジ露光ユニットEEWとを備える。インタフェイスセルC6は、露光装置STPに対して基板Wの受渡をするインタフェイス用搬送機構35を備えるセルである。
The indexer cell C1 is a cell including the
基板処理装置100は、装置全体の動作を制御するための上位制御手段であるメインコントローラMCの他に、各セル内における動作を制御するための中位制御手段であるセルコントローラCCをセル毎に備える。さらに、基板処理装置100は、セルC2〜C5の内部に備えた複数の処理ユニットの内部における動作を制御するための下位制御手段であるユニットコントローラUCを処理ユニット毎に備える。すなわち、基板処理装置100は、メインコントローラMCと、複数のセルコントローラCCと、複数のユニットコントローラUCとを備え、各コントローラが基板処理装置100の制御範囲を分割して担っている。
The
このように、複数のコントローラにより制御範囲を分割して担うことにより、メインコントローラで装置各部を一括制御していた従来と比較して、各コントローラにおける制御負担は小さくすることができる。したがって、各コントローラにおける制御上の誤動作を低減させることができるとともに、制御系の不具合に対しても不具合箇所の特定を従来より容易に行うことができる。また、基板処理装置100の使用状況により、新たな処理ユニットやセルを追加したり、一部の処理ユニットやセルを削除したりする場合にも、隣接するセルや処理ユニットに影響を与えず、制御系の構成を大幅に修正することなく容易に制御系の再構成をすることができる。
In this way, by dividing the control range by using a plurality of controllers, the control burden on each controller can be reduced as compared with the conventional case where each part of the apparatus is collectively controlled by the main controller. Therefore, it is possible to reduce malfunctions in control in each controller, and it is possible to more easily identify a defective part with respect to a defective control system than in the past. Further, even when a new processing unit or cell is added or a part of the processing unit or cell is deleted depending on the usage status of the
図5に示すように、メインコントローラMCと、セルコントローラCCと、ユニットコントローラとは階層的に接続されている。メインコントローラMCは、イントラネット等のネットワークNを介して各セルコントローラCC1〜CC6と接続されており、各セルコントローラCC1〜CC6を統括制御することができる。セルコントローラCC2〜CC5は、同様にネットワークNを介して各セル内の処理ユニットを制御するユニットコントローラUC2a〜UC2c,UC3a〜UC3c,UC4a〜UC4e,UC5a〜UC5b,UCtと接続されており、それぞれ接続先のユニットコントローラUCを統括制御することができる。各ユニットコントローラUCの中には、さらにシリアル通信等のネットワークを介して、各処理ユニット内の温湿度や、基板Wのハンドリング等を調節するための別設コントローラ(図示省略)と接続されているものもある。 As shown in FIG. 5, the main controller MC, the cell controller CC, and the unit controller are connected in a hierarchy. The main controller MC is connected to the cell controllers CC1 to CC6 via a network N such as an intranet, and can control the cell controllers CC1 to CC6 in an integrated manner. Similarly, the cell controllers CC2 to CC5 are connected to the unit controllers UC2a to UC2c, UC3a to UC3c, UC4a to UC4e, UC5a to UC5b, and UCt which control processing units in each cell via the network N, respectively. The previous unit controller UC can be centrally controlled. Each unit controller UC is connected to a separate controller (not shown) for adjusting the temperature and humidity in each processing unit, the handling of the substrate W, and the like via a network such as serial communication. There are also things.
複数のセルコントローラCCのうち、インデクサセルC1の動作を制御するコントローラがセルコントローラCC1、反射防止膜用処理セルC2の動作を制御するコントローラがセルコントローラCC2、レジスト膜用処理セルC3の動作を制御するコントローラがセルコントローラCC3、現像処理セルC4の動作を制御するコントローラがセルコントローラCC4、露光後加熱用処理セルC5の動作を制御するコントローラがセルコントローラCC5、インタフェイスセルC6の動作を制御するコントローラがセルコントローラCC6である。 Among the plurality of cell controllers CC, the controller that controls the operation of the indexer cell C1 controls the operation of the cell controller CC1, and the operation of the antireflection film processing cell C2 controls the operation of the cell controller CC2 and the resist film processing cell C3. The controller that controls the operation of the cell controller CC3, the controller that controls the operation of the development processing cell C4, the controller that controls the operation of the post-exposure heating processing cell C5, the controller that controls the operation of the cell controller CC5 and the interface cell C6 Is the cell controller CC6.
また、複数のユニットコントローラUCのうち、3つの反射防止膜用塗布処理ユニット8a〜8cの動作を制御するコントローラがユニットコントローラUC2a〜UC2c、3つのレジスト膜用塗布処理ユニット15a〜15cの動作を制御するコントローラがユニットコントローラUC3a〜UC3c、5つの現像処理ユニット30a〜30eの動作を制御するコントローラがユニットコントローラUC4a〜UC4e、2つのエッジ露光ユニットEEWの動作を制御するコントローラがユニットコントローラUC5a,UC5b、複数の熱処理ユニットの動作をコントロールするコントローラがユニットコントローラUCtである。熱処理ユニットは、冷却プレートCP、加熱プレートHP、アドヒージョン処理ユニットAHL等の複数の種類があり、各熱処理ユニットに対するコントローラも複数の種類が存在することとなるが、図4においては、熱処理ユニットに対する複数種類のコントローラをいずれもユニットコントローラUCtで示している。
In addition, among the plurality of unit controllers UC, a controller that controls the operations of the three antireflection film coating units 8a to 8c controls the operations of the unit controllers UC2a to UC2c and the three resist
上述の全てのコントローラは、それぞれの制御に必要なデータを記憶しておくことができる記憶手段Sを備えている。記憶手段Sには、ハードディスクやコンパクトフラッシュ(R)などの、電源の停止時にも記録が消えない(不揮発性の)記憶装置が用いられる。 All the above-mentioned controllers are equipped with the memory | storage means S which can memorize | store the data required for each control. As the storage means S, a storage device (such as a hard disk or a compact flash (R)) that does not erase the recording even when the power supply is stopped is used.
メインコントローラMC内の記憶手段Sには、基板処理装置100内に備えるセルの構成データ(セルの数、セルのカテゴリ、処理の流れ方向等に関するデータ)や、基板処理装置100を用いて一連の処理を行うときの処理条件に関するデータ(ライブラリデータ)や、一連の処理に対する各種アラームを発生させるためのデータ等の、基板処理装置100全体の動作を制御するために必要なデータを記憶することができる。
The storage means S in the main controller MC includes a series of cell configuration data (data on the number of cells, cell category, process flow direction, etc.) provided in the
セルコントローラCC内の記憶手段Sには、各セル内に備える処理ユニット等の構成データ(処理ユニットの数、処理ユニットのカテゴリ、バッファの有無等に関するデータ)や、各セル内に備える搬送機構の搬送制御に関するデータ(搬送制御方法、リカバリ方法、搬送動作時間等に関するデータ)や、各セル内におけるメンテナンス動作を制御するためのデータ(カップリンス、ディスペンス等の設定に関するデータ)等の、制御対象となるセル内における動作を制御するために必要なデータを記憶することができる。 In the storage means S in the cell controller CC, the configuration data of the processing units and the like provided in each cell (data relating to the number of processing units, the category of the processing units, the presence or absence of a buffer, etc.) Control targets such as data related to transfer control (data related to transfer control method, recovery method, transfer operation time, etc.) and data for controlling maintenance operation in each cell (data related to setting of coupling, dispensing, etc.) Data necessary for controlling the operation in the cell can be stored.
ユニットコントローラUC内の記憶手段Sには、各処理ユニットの起動動作の制御に関するデータや、各処理ユニット内における基板Wの搬送位置に関するデータや、各処理ユニット内の各部モータの制御に関するデータや、各処理ユニット内の各部センサの制御に関するデータや、各処理ユニット内の温調制御に関するデータや、各処理ユニット内におけるステージ等の設定に関するデータや、各処理ユニットで使用する薬液の種類を特定するためのデータや、基板処理装置100に並設する露光装置の種類を特定するためのデータや、上述の別設コントローラとの通信設定等の、制御対象となる処理ユニット内における動作を制御するために必要なデータを記憶することができる。
In the storage means S in the unit controller UC, data relating to the control of the starting operation of each processing unit, data relating to the transport position of the substrate W in each processing unit, data relating to the control of each motor in each processing unit, Identify the data related to the control of each sensor in each processing unit, the data related to temperature control in each processing unit, the data related to the setting of the stage in each processing unit, and the type of chemical used in each processing unit For controlling the operation in the processing unit to be controlled, such as data for specifying the type of exposure apparatus arranged in parallel with the
すなわち、従来の基板処理装置では、装置の各部の制御を行うために必要なデータも全てメインコントローラMCに備えた記憶手段Sに記憶していたが、基板処理装置100では、各セルや各処理ユニット内の制御に必要なデータは、各セルコントローラCCや各ユニットコントローラUCで分担して記憶させることができる構成となっている。
That is, in the conventional substrate processing apparatus, all data necessary for controlling each part of the apparatus is stored in the storage means S provided in the main controller MC. However, in the
このような構成をとることによって、基板処理装置100では、起動時に装置制御に必要なデータを送信(ロード)する時間を短縮することが可能となる。すなわち、従来の基板処理装置では、装置各部の制御を行うために必要なデータも全てメインコントローラに備えたの記憶手段に保存していたため、起動時には大量のデータを装置各部に備えた揮発性のメモリへ送信する必要があったが、基板処理装置100では、各セルや各処理ユニット内の制御を行うために必要なデータは、各セルコントローラCCや各ユニットコントローラUC内に備えた不揮発性の記憶手段Sに分割して保存することが出来るため、起動時に送信すべきデータ量を少量とすることが可能となる。
By adopting such a configuration, the
また、メインコントローラと各部との間で一度に大量のデータを送受信することがなくなるため、送受信のエラーによる装置の誤動作を低減させることができ、装置の信頼性を向上させることができる。 In addition, since a large amount of data is not transmitted / received between the main controller and each unit at the same time, malfunction of the apparatus due to transmission / reception errors can be reduced, and the reliability of the apparatus can be improved.
また、このような構成をとることによって、基板処理装置100では、処理ユニット毎の調整により得られたデータ(例えば、ティーチング作業により得られた各処理ユニット内における基板Wの搬送位置に関するデータ)はユニットコントローラUC内の記憶手段Sに記憶させておくことができ、セル毎の調整によりられたデータ(例えば、ティーチング作業により得られた各搬送機構の搬送制御に関するデータ)はセルコントローラCC内の記憶手段Sに記憶させておくことができる。したがって、処理ユニット毎やセル毎の調整を行った後に、得られたデータをその都度メインコントローラへ送信する必要がなくなる。したがって、装置が調整作業により停止する時間を短縮することができる。
Further, by adopting such a configuration, in the
特に基板処理装置の製造工程において、従来では、装置全体が組み上がり、メインコントローラと接続させた後に、各部の調整により得られたデータをメインコントローラに送信する工程が不可欠であった。しかし、基板処理装置100では、完成した処理ユニットやセルから順次細部の調整作業を行い、得られたデータを各処理ユニットやセル内の記憶手段Sに記憶させることができるため、そのような工程が不要となり、製造工程を短縮することができる。
In particular, in the manufacturing process of a substrate processing apparatus, conventionally, after the entire apparatus is assembled and connected to the main controller, a process of transmitting data obtained by adjusting each part to the main controller is indispensable. However, since the
<4.変形例>
上述の実施形態においては、基板処理装置100は、セル毎にセルコントローラCCを備え、処理ユニット毎にユニットコントローラUCを備える形態について説明したが、さらに異なる制御上の構成単位を設け、各構成単位毎にコントローラを備える形態であってもよい。
<4. Modification>
In the above-described embodiment, the
例えば、セルと処理ユニットの中間の制御上の構成単位として捕らえることができる反射防止膜用塗布処理部8、レジスト膜用塗布処理部15、現像処理部30、反射防止膜用熱処理部9、レジスト膜用熱処理部16、現像用熱処理部31等に対して、各処理部毎に、各処理部に必要なデータを記憶することができる記憶手段Sを備えたコントローラを備える形態とすることもできる。
For example, an antireflection film
また、反射防止膜用塗布処理部8とレジスト膜用塗布処理部15と現像処理部30とを纏めて1つの制御上の構成単位として捕らえ、あるいは、反射防止膜用熱処理部9とレジスト膜用熱処理部16と現像用熱処理部31とを纏めて1つの制御上の構成単位として捕らえ、それぞれに必要なデータを記憶することができる記憶手段Sを備えたコントローラを各構成単位毎に備える形態とすることもできる。
Further, the antireflection film
7 インデクサ用搬送機構
8a〜8c 反射防止膜用塗布処理ユニット
10A〜10D 主搬送機構
15a〜15c レジスト膜用塗布処理ユニット
30a〜30e 現像処理ユニット
35 インタフェイス用搬送機構
100 基板処理装置
C1 インデクサセル
C2 反射防止膜用処理セル
C3 レジスト膜用処理セル
C4 現像処理セル
C5 露光後加熱用処理セル
C6 インタフェイスセル
HP 加熱プレート
CP 冷却プレート
AHL アドヒージョン処理ユニット
EEW エッジ露光ユニット
MC メインコントローラ
CC1〜CC6 セルコントローラ
UC2a〜UC2c,UC3a〜UC3c,UC4a〜UC4e,UC5a〜UC5b,UCt ユニットコントローラ
S 記憶手段
W 基板
7 Indexer transport mechanism 8a to 8c Antireflection film
Claims (5)
基板に対して処理を行う複数の処理ユニットと、
前記複数の処理ユニットのそれぞれの動作を制御する複数の下位制御手段と、
装置全体の動作を制御する上位制御手段と、
を備え、
前記複数の下位制御手段のそれぞれは、
制御対象となる前記処理ユニットの動作を制御するために必要なデータを記憶する不揮発性の記憶手段
を備え、
前記上位制御手段は、
装置全体の動作を制御するために必要なデータを記憶する不揮発性の記憶手段
を備えることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for performing a series of processes on a substrate,
A plurality of processing units for processing a substrate;
A plurality of subordinate control means for controlling the operation of each of the plurality of processing units;
Upper control means for controlling the operation of the entire apparatus;
With
Each of the plurality of subordinate control means is
Comprising non-volatile storage means for storing data necessary for controlling the operation of the processing unit to be controlled;
The upper control means includes
A substrate processing apparatus comprising a non-volatile storage means for storing data necessary for controlling the operation of the entire apparatus.
当該装置中に設けた複数の基板搬送手段のそれぞれの搬送担当区域に対応して、複数の構成単位が前記基板処理装置において定義されているとともに、
前記下位制御手段のそれぞれは、前記それぞれの搬送担当区域よりも限定された局所的範囲に関して、対応する処理ユニットを制御するものであり、
前記基板処理装置が、
前記複数の構成単位の動作を制御する複数の中位制御手段、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
A plurality of structural units are defined in the substrate processing apparatus in correspondence with respective transfer areas of the plurality of substrate transfer means provided in the apparatus,
Each of the subordinate control means controls a corresponding processing unit with respect to a local range that is more limited than the respective transportation charge area,
The substrate processing apparatus is
A plurality of intermediate control means for controlling operations of the plurality of structural units;
A substrate processing apparatus further comprising:
前記複数の処理ユニットが、前記複数の構成単位に分属していることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2,
The substrate processing apparatus, wherein the plurality of processing units belong to the plurality of structural units.
前記複数の中位制御手段のそれぞれは、
制御対象となる前記構成単位の動作を制御するために必要なデータを記憶する不揮発性の記憶手段
を備えることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus according to claim 2 or claim 3, wherein
Each of the plurality of intermediate control means is
A substrate processing apparatus comprising: a non-volatile storage unit that stores data necessary for controlling the operation of the structural unit to be controlled.
前記上位制御手段と、前記中位制御手段と、前記下位制御手段とは、階層的に接続されていることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus according to any one of claims 2 to 4, wherein
The substrate processing apparatus, wherein the upper control means, the middle control means, and the lower control means are connected in a hierarchical manner.
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