JP2005051031A - Semiconductor module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電化製品に組み込まれるリモコン用の受光モジュールなどの半導体モジュールに関する。 The present invention relates to a semiconductor module such as a light receiving module for a remote controller incorporated in an electric appliance.
赤外線リモコン用の受光モジュールとしては、たとえば図8に示すものがある(たとえば特許文献1参照)。図示された受光モジュールは、フォトダイオードを封止した樹脂パッケージ400と、この樹脂パッケージ400の基端面440から突出した3本の端子110,120,130とを有している。樹脂パッケージ400は、可視光線を遮断し、かつ赤外線を透過させる材質である。このような構造の受光モジュールにおいては、電磁波などの外来ノイズの影響を受け易く、これを防止する必要がある。そこで、EMI(Electromagnetic Interference:電磁妨害)対策として、樹脂パッケージ400の表面に、導電性膜500が形成されている。この導電性膜500には、樹脂パッケージ400の基端面440上においてグランド端子110と導通接触する連設部550が設けられており、この連設部550を介して導電性膜500はグランド接続されている。
As a light receiving module for an infrared remote controller, for example, there is one shown in FIG. 8 (see, for example, Patent Document 1). The illustrated light receiving module includes a
このような構成によれば、導電性膜500は電磁シールド機能を発揮することとなり、樹脂パッケージ400を金属ケースで覆う場合と比較すると、全体の小型化および軽量化を図ることができる。また、金属ケースの組み付け作業と比較すると、導電性膜500の形成は容易であリ、量産に適するため、製造コストの低減化を図ることもできる。
しかしながら、上記従来技術においては、次に述べるように未だ改善の余地があった。 However, the prior art still has room for improvement as described below.
第1に、導電性膜500の電磁シールド機能あるいはノイズ除去機能を高めるには、この導電性膜500のグランド接続箇所を多くすることが望まれる。ところが、上記従来技術のグランド接続構造は、樹脂パッケージ400の基端面440に設けた連設部550をグランド端子110に接触させているに過ぎないために、グランド接続がなされる箇所は1箇所にとどまり、それ以外の箇所でグランド接続を図ることはできない。したがって、電磁シールド機能あるいはノイズ除去機能を高める上で未だ改善の余地があった。
First, in order to enhance the electromagnetic shielding function or noise removal function of the
第2に、グランド端子110は、樹脂パッケージ400の基端面440から長い寸法で突出しているために、その根元部分は曲がり易く、この根元部分が曲がると、導電性膜500の連設部550から離れてしまう虞れがある。これでは、導電性膜500のグランド接続が解消されることとなり、導電性膜500のシールド機能が失われてしまう。
Secondly, since the
本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、電磁シールド機能あるいはノイズ除去機能の向上および確実化を好適に図ることができる半導体モジュールを提供することを、その課題としている。 The present invention has been conceived under such circumstances, and it is an object of the present invention to provide a semiconductor module capable of suitably improving and ensuring an electromagnetic shielding function or a noise removing function. It is said.
上記の課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を講じている。 In order to solve the above problems, the present invention takes the following technical means.
本発明により提供される半導体モジュールは、半導体素子と、この半導体素子を封止する樹脂パッケージと、この樹脂パッケージの表面の一部分から樹脂パッケージ内に没入するインナ部およびこれに繋がって上記樹脂パッケージ外に突出するアウタ部を有するグランド端子用の導体と、上記樹脂パッケージの表面を覆う導電性膜と、を備えている、半導体モジュールであって、上記導体のインナ部は、上記樹脂パッケージの表面のうち、上記一部分以外の箇所に向かって延びる延設部を有しており、かつこの延設部は、上記樹脂パッケージの外方に出ることにより上記導電性膜と導通していることを特徴としている。 A semiconductor module provided by the present invention includes a semiconductor element, a resin package for sealing the semiconductor element, an inner portion that immerses into the resin package from a part of the surface of the resin package, and the resin package outside the resin package. A conductor for a ground terminal having an outer portion protruding to the surface, and a conductive film covering the surface of the resin package, wherein the inner portion of the conductor is formed on the surface of the resin package. Of these, it has an extending part extending toward a portion other than the part, and the extending part is electrically connected to the conductive film by coming out of the resin package. Yes.
本発明によれば、導電性膜は、グランド端子用の導体の延設部を介してグランド接続されるが、この延設部は、従来技術において採用されていたグランド接続手段とは別個に追加して設けることが可能であり、また必要に応じてこの延設部を複数設けることも可能である。したがって、本発明によれば、導電性膜のグランド接続箇所を従来よりも多くし、導電性膜のシールド効果あるいはノイズ除去機能を高めることができる。また、上記延設部は、樹脂パッケージや導電性膜から大きく突出させる必要はなく、簡単に折れ曲がらない構造とすることができる。したがって、延設部の折れ曲がりに起因してこの延設部と導電性膜とが非導通状態になる虞れを無くし、上記導電性膜の電磁シールド機能あるいはノイズ除去機能が不用意に失われないようにすることもできる。 According to the present invention, the conductive film is connected to the ground via the extended portion of the conductor for the ground terminal. This extended portion is added separately from the ground connecting means employed in the prior art. It is possible to provide a plurality of extending portions as necessary. Therefore, according to the present invention, the number of ground connection portions of the conductive film can be increased as compared with the conventional one, and the shielding effect or noise removal function of the conductive film can be enhanced. In addition, the extended portion does not need to be greatly protruded from the resin package or the conductive film, and can be configured to be not easily bent. Therefore, there is no possibility that the extended portion and the conductive film become non-conductive due to the bending of the extended portion, and the electromagnetic shielding function or the noise removing function of the conductive film is not inadvertently lost. It can also be done.
本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体素子は、受光素子であり、この受光素子が光を受けたときにこれに対応する信号を出力する出力端子を備えていることにより、全体が受光モジュールとして構成されている。このような構成によれば、受光素子に対する電磁ノイズの進入を効果的に防ぎ、たとえばリモコン送信機からの光のみを受けて正常に動作する受光モジュールを実現することができる。 In a preferred embodiment of the present invention, the semiconductor element is a light receiving element, and the light receiving element includes an output terminal that outputs a signal corresponding to the light receiving element. Configured as a module. According to such a configuration, it is possible to effectively prevent electromagnetic noise from entering the light receiving element, and to realize a light receiving module that operates normally only by receiving light from a remote control transmitter, for example.
本発明の好ましい実施の形態においては、上記樹脂パッケージは、上記受光素子の正面に集光用のレンズ面を形成しており、導電性膜は、遮光性を有し、かつ上記レンズ面の全体または一部分を露出させるように設けられている。このような構成によれば、導電性膜によって外乱光を遮ることもでき、外乱光による誤動作も防止される。 In a preferred embodiment of the present invention, the resin package has a condensing lens surface formed in front of the light receiving element, the conductive film has a light shielding property, and the entire lens surface. Or it is provided so that a part may be exposed. According to such a configuration, disturbance light can be blocked by the conductive film, and malfunction due to the disturbance light can be prevented.
本発明の好ましい実施の形態においては、上記受光素子の受光面上には、網目状の導体パターンが形成されている。このような構成によれば、レンズ面を透過した電磁ノイズについては、この電磁ノイズが受光素子に達する前に上記導体パターンによって遮られることとなる。したがって、そのような電磁ノイズによる誤動作も効果的に防止される。 In a preferred embodiment of the present invention, a mesh-like conductor pattern is formed on the light receiving surface of the light receiving element. According to such a configuration, the electromagnetic noise transmitted through the lens surface is blocked by the conductor pattern before the electromagnetic noise reaches the light receiving element. Therefore, such malfunction due to electromagnetic noise is also effectively prevented.
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明らかになるであろう。 Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following description of embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings.
以下、本発明の好ましい実施の形態を、図面を参照して具体的に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1ないし図4は、本発明が適用された受光モジュールの一実施形態を示している。 1 to 4 show an embodiment of a light receiving module to which the present invention is applied.
本実施形態の受光モジュールは、たとえばテレビジョン受像機、ビデオデッキ、オーディオ機器、空調装置などといった電化製品に組み込まれて、赤外線リモコン用の送信機から送信されてくる赤外線の信号を受けるのに用いられるものである。この受光モジュールは、受光素子としてのフォトダイオード2、集積回路素子3、第1ないし第3の導体11〜13を備え、これらを樹脂パッケージ4で封止し、さらに樹脂パッケージ4の表面を導電性膜5で覆った構造を有している。
The light receiving module of the present embodiment is incorporated in an electrical appliance such as a television receiver, a video deck, an audio device, an air conditioner, and the like, and is used to receive an infrared signal transmitted from a transmitter for an infrared remote controller. It is This light receiving module includes a
第1ないし第3の導体11〜13は、たとえば鉄、あるいは銅などの金属製であり、製造過程においてリードフレームと称される製造用の金属製フレームから切り離されることで互いに別体とされたものである。第1の導体11はグランド端子用、第2の導体12は電源電圧端子用、第3の導体13は出力端子用である。これら第1ないし第3の導体11〜13は、同一平面内に位置して互いに離れている。
The first to
第1の導体11は、樹脂パッケージ4の基端面40から細長く突き出たアウタ部11Aと、基端面40から樹脂パッケージ4内に没入したインナ部とを有している。アウタ部11Aは、本実施形態においては、その全体がグランド端子11Aとなっている。上記インナ部は、フォトダイオード2や集積回路素子3を搭載するためのダイパッド部11B,11C、フォトダイオード2や集積回路素子3に一端が接続されたワイヤ6の他端をボンディングするためのボンディングパッド部11D,11E、およびダイパッド部11Bやボンディングパッド部11Dから樹脂パッケージ4の外側方向に延びて樹脂パッケージ4の側面41A〜41Cよりも若干量だけ外方に突出した複数の延設部11F〜11Hを有している。これら複数の延設部11F〜11Hは、導電性膜5に接触し、導通している。
The
第2および第3の導体12、13は、第1の導体11の両側方に配置されており、第1の導体11と同様に、基端面40から樹脂パッケージ4の外部に突出したアウタ部12A、13Aと、樹脂パッケージ4内に没入したインナ部12B、13Bとを有している。インナ部12B、13Bは、集積回路素子3の電極に一端が接続されたワイヤ6の他端をボンディングするためのボンディングパッド部を備えている。
The second and
フォトダイオード2は、外部のリモコン送信機から発せられた赤外線を受光すると、それに応じた光起電力を生じて電流を流す。このフォトダイオード2は、特に図示しないがP型半導体層およびN型半導体層をそれぞれ上層および下層としたPN接合構造を有しており、それらの電極は、いずれもこのフォトダイオード2の上面に設けられている。N型半導体層の電極は、ワイヤ6を介して集積回路素子3に接続されている。P型半導体層の電極は、ワイヤ6を介して第1の導体11のボンディングパッド部11Dに接続されている。なお、下層のN型半導体層と第1の導体11との絶縁性を確保するために、フォトダイオード2は、絶縁材(図示省略)を介して第1の導体11のダイパッド部11Bにボンディングされている。
When the
集積回路素子3は、フォトダイオード2に流れる電流を出力信号に変換して外部の所定の制御機器に出力するものであり、電流/電圧変換回路、増幅回路、リミット回路、検波回路などを備えている。この集積回路素子3は、たとえば銀ペーストなどの導体層(図示省略)を介して第1の導体11のダイパッド部11C上にボンディングされている。
The
樹脂パッケージ4は、可視光線については非透過性を有する一方、赤外線透過性を有しており、たとえばエポキシ樹脂を主成分としている。この樹脂パッケージ4は、略直方体状であるが、その上面42には凸状のレンズ面42Aが形成されており、外部から進行してきた赤外線をこのレンズ面42Aによってフォトダイオード2の配置箇所に効率良く集光させることができるようになっている。
The
導電性膜5は、たとえばエポキシ樹脂にカーボンその他の導電性フィラを混入した導電性樹脂からなリ、導電性および遮光性を有している。この導電性膜5は、樹脂パッケージ4の外表面のうち、基端面40とレンズ面42Aとを除く部分を覆うように形成されている。ただし、基端面40の一部分には、上面42から底面43へと渡るように導電性膜5の連設部50が形成されており、この連設部50は、グランド端子11Aの根元部分に接触して導通している。また、樹脂パッケージ4の側面41A〜41Cには、第1の導体11の延設部11F〜11Hの先端が突出しているため、これらの延設部11F〜11Hも導電性膜5に接触して導通している。
The conductive film 5 is made of a conductive resin in which carbon or other conductive filler is mixed into an epoxy resin, for example, and has conductivity and light shielding properties. The conductive film 5 is formed so as to cover a portion of the outer surface of the
上記した受光モジュールは、従来技術の受光モジュールと同様な方法により製造することが可能である。導電性膜5の形成は、たとえば樹脂パッケージ4を形成した後に、その外表面のうち、導電性膜5を形成する必要のない個所にマスキングを施した上で、導電性樹脂を塗布することにより簡単に形成することができる。塗布に代えて、導電性膜5を金型を用いて成形することも可能である。また、本発明においては、本実施形態とは異なり、導電性膜5を金属膜としてもよいが、この場合にはスパッタリングや無電解メッキなどによって導電性膜を形成することもできる。この場合、金属膜は、いわゆるべた塗り状に形成し、その後不要な個所をエッチングしてもよいし、あるいは所定個所にマスキングを施した状態でスパッタリングなどを行なってもよい。いずれにしても、導電性膜5を形成する前の段階において、樹脂パッケージ4の外部に第1の導体11の延設部11F〜11Hの先端を露出させておけば、これら延設部11F〜11Hの先端部に対して導電性膜5を簡単に導通接触させることが可能である。従来技術と比較して、製造が煩雑になるといった不具合は無い。
The above-described light receiving module can be manufactured by a method similar to that of the conventional light receiving module. For example, after the
また、製造時における重要な効果として、本実施形態においては、第1の導体11の安定化を図ることが可能である。すなわち、樹脂パッケージ4を金型を用いて樹脂成形する場合には、金型の上型と下型とによって第1の導体11の延設部11F〜11Hを挟むことができる。このようにすれば、第1の導体11は金型に安定して支持されることとなり、樹脂パッケージ4の原料となる溶融樹脂が金型内に充填される際に、その溶融樹脂の圧力によって第1の導体11が不当に変形し、位置ずれする虞れを無くすことができる。
Further, as an important effect at the time of manufacturing, in the present embodiment, it is possible to stabilize the
次に、上記した構成の受光モジュールの作用について説明する。 Next, the operation of the light receiving module having the above configuration will be described.
まず、受光モジュールは、リモコン送信機から送信されてくる赤外線に感度良く反応する必要があり、外来ノイズの影響を受け易い。とくに、集積回路素子3と接続されているフォトダイオード2のカソードは、回路構成上、比較的高インピーダンスであり、また集積回路素子3自体は、出力電圧と入力電圧との比(ゲイン)が大きいため、フォトダイオード2のカソードと集積回路素子3とを接続するワイヤ6や集積回路素子3自体は、電磁ノイズの影響をより受け易い。これに対し、受光モジュールに対して進行してくる電磁ノイズの多くは、導電性膜5に吸収され、遮蔽される。導電性膜5に電磁ノイズが吸収されることにより導電性膜5に流れる電流は、グランド端子11Aに効率良く排除される。
First, the light receiving module needs to react with high sensitivity to infrared rays transmitted from the remote control transmitter, and is easily affected by external noise. In particular, the cathode of the
導電性膜5は、受光モジュール内部のノイズを吸収し、フォトダイオード2や集積回路素子3によって構成された回路内をノイズが流れることを抑制する機能をも発揮する。本実施形態の受光モジュールにおいては、複数の延設部11F〜11Hが第1の導体11のインナ部と導通しているために、たとえばこのインナ部のいずれかの個所においてノイズが発生すると、このノイズは、複数の延設部11F〜11Hのうち、最も近い延設部から導電性膜5に流れていき、その後グランド端子11Aに導かれることとなる。本実施形態においては、上記ノイズを導電性膜5に導く個所が複数設けられているために、その分だけ上記したノイズを回路内に流れ込ませないように除去する機能が高いものとなる。
The conductive film 5 also absorbs noise inside the light receiving module, and also exhibits a function of suppressing noise from flowing in the circuit constituted by the
グランド端子11Aは、受光モジュールの実装に利用されるため、その根元部分から曲がってしまう虞れがある。このようにグランド端子11Aが曲がってしまうと、連設部50からグランド端子11Aが離れてしまい、それらの間の導通状態が解除される場合がある。これに対し、複数の延設部11F〜11Hは、そのように曲がる虞れはなく、これら複数の延設部11F〜11Hと導電性膜5との導通接続が不用意に解除されることはないため、導電性膜5のグランド接続の確実性も高められることとなる。
Since the
導電性膜5は、遮光性をも有しているために、外乱光が樹脂パッケージ4内に不当に進入してくることも防止される。したがって、たとえば外乱光によってフォトダイオード2や集積回路素子3が誤動作する虞れも減少する。
Since the conductive film 5 also has a light shielding property, ambient light can be prevented from entering the
図5ないし図7は、受光モジュールの他の実施形態を示している。なお、上記実施形態と同一または類似の要素については、上記実施形態と同一符号で示している。 5 to 7 show another embodiment of the light receiving module. Elements that are the same as or similar to those in the above embodiment are denoted by the same reference numerals as in the above embodiment.
図5に示す受光モジュールは、第1の導体11' のインナ部が、ボンディングパッドを兼用したダイパッド部11B' から樹脂パッケージ4の側面41A〜41Cに向けて2つずつ延びた計6つの延設部11F' 〜11H' を有する構成とされている。もちろん、これらの延設部11F' 〜11H' の先端は、いずれも導電性膜5に接触し、導通している。このように、導電性膜5のグランド接続個所をさらに多くすると、上述したノイズ除去機能をより高めることができる。また、樹脂パッケージ4のモールド成形に際して金型の内部に溶融樹脂を流し込む際に、この溶融樹脂の圧力によって第1の導体11' が位置ずれするようなことを防止するのにもより好ましいものとなる。
In the light receiving module shown in FIG. 5, the inner portion of the
図6および図7に示す受光モジュールは、フォトダイオード2' が図1ないし図4の受光モジュールのフォトダイオード2とは、上下逆の構成となっている。より具体的には、フォトダイオード2' は、P型半導体層が下層、N型半導体層が上層とされたPN接合構造とされている。下層のP型半導体層は、たとえば導電ペーストなどによる導体層(図示略)を介して第1の導体11のダイパッド部11Bに導通接続されている。上層のN型半導体層は、ワイヤ6を介して集積回路素子3に接続されている。受光面となるフォトダイオード2' の上面には、半導体製造プロセスにより網目状の導体パターン20' が形成されている。導体パターン20' は、たとえば導電性を有するアルミニウムからなる。また、導体パターン20' は、好ましくは、上層のN型半導体層とはパシベーション膜(図示略)を挟んで絶縁されている一方、下層のP型半導体層には導通しており、グランド接続された状態となっている。
In the light receiving module shown in FIGS. 6 and 7, the
このような構成によれば、レンズ面42Aから電磁ノイズが進入しても、これがフォトダイオード2' に達する前に導体パターン20' によって遮られる。したがって、導電性膜5による電磁シールド効果とともに、導体パターン20' のシールド効果によりフォトダイオード2' の誤動作をより効果的に防止することができる。
According to such a configuration, even if electromagnetic noise enters from the
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明に係る半導体モジュールの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and the specific configuration of each part of the semiconductor module according to the present invention can be varied in design in various ways.
たとえば、図1〜図4に示した実施形態を例に挙げると、導電性膜5の連設部50は、導電性膜5をグランド端子11Aに対して直接導通させているために、導電性膜5からこの連設部50を介してグランド端子11Aにノイズが直接流れるようにすることができる。したがって、連接部50を設けることが好ましい。ただし、本発明においては、第2および第3の導体との干渉を回避できる範囲内であれば、第1の導体11の延設部を様々な個所に配置させることができ、延設部をグランド端子11Aに非常に接近した位置に設けることが可能である。したがって、このように延設部をグランド端子11Aに接近させて設けた場合には、これが連設部50の代替部分となるため、連設部50をあえて設けない構成とすることもできる。
For example, taking the embodiment shown in FIGS. 1 to 4 as an example, the
本発明においては、延設部の具体的な形状や数は限定されない。延設部は、細幅状ではなく、たとえば半導体素子がボンディングされるダイパッド部と略同幅の幅広状であってもかまわない。延設部の先端は、必ずしも樹脂パッケージの表面からその外方に突出していなくてもよい。すなわち、延設部の先端は、たとえば樹脂パッケージの表面と面一の状態で樹脂パッケージの外側に出た構成とされていてもかまわない。この場合であっても、延設部の先端面を導電性膜に接触させて導電性膜のグランド接続を図ることが可能である。もちろん、延設部の先端は、導電性膜の表面よりも外側に突出した構成とされていてもかまわない。ただし、導電性膜の形成は、延設部の先端が樹脂パッケージの外方に突出した状態で行なわれるため、導電性膜は上記延設部の先端を覆うように形成されることとなり、延設部は導電性膜によってほとんど覆われることになろう。 In the present invention, the specific shape and number of the extending portions are not limited. The extending portion is not narrow, and may be wide, for example, approximately the same width as the die pad portion to which the semiconductor element is bonded. The tip of the extended portion does not necessarily have to protrude outward from the surface of the resin package. That is, the end of the extended portion may be configured to protrude to the outside of the resin package, for example, flush with the surface of the resin package. Even in this case, it is possible to make the ground connection of the conductive film by bringing the tip surface of the extending portion into contact with the conductive film. Of course, the tip of the extended portion may be configured to protrude outward from the surface of the conductive film. However, since the conductive film is formed in a state where the tip of the extending portion protrudes outward from the resin package, the conductive film is formed so as to cover the tip of the extending portion. The installation will be almost covered by the conductive film.
導電性膜は、レンズ面の一部分のみを覆うように、たとえばレンズ面上に網目状に形成してもよい。このような構成によれば、フォトダイオードに対するシールド効果がより高められる。 For example, the conductive film may be formed in a mesh shape on the lens surface so as to cover only a part of the lens surface. According to such a configuration, the shielding effect for the photodiode is further enhanced.
フォトダイオードと集積回路素子とは、これらを纏めて一体化したワンチップ構造としてもよい。また、受光素子としては、フォトダイオードに限らず、たとえばフォトトランジスタなどを用いることも可能である。 The photodiode and the integrated circuit element may have a one-chip structure in which these are integrated together. The light receiving element is not limited to a photodiode, and for example, a phototransistor can be used.
本発明は、高いノイズ対策が要求される受光モジュールに最適であるが、半導体モジュールの種類はこれに限定されない。本発明は、EMI対策を必要とする種々の半導体モジュールに広く適用することができる。 The present invention is optimal for a light receiving module that requires high noise countermeasures, but the type of semiconductor module is not limited to this. The present invention can be widely applied to various semiconductor modules requiring EMI countermeasures.
2,2' フォトダイオード(受光素子)
3 集積回路素子
4 樹脂パッケージ
5 導電性膜
11,11' 第1の導体(グランド端子用)
11A,11A' アウタ部(グランド端子)
11B,11C,11B' ダイパッド部(インナ部)
11D,11E ボンディングパッド部(インナ部)
12 第2の導体
13 第3の導体
11F〜11H 延設部
11F' 〜11H' 延設部
20' 導体パターン
40 基端面
42A レンズ面
2,2 'photodiode (light receiving element)
3
11A, 11A 'Outer part (ground terminal)
11B, 11C, 11B 'Die pad part (inner part)
11D, 11E Bonding pad part (inner part)
12
Claims (4)
上記導体のインナ部は、上記樹脂パッケージの表面のうち、上記一部分以外の箇所に向かって延びる延設部を有しており、かつ、この延設部は、上記樹脂パッケージの外方に出ることにより上記導電性膜と導通していることを特徴とする、半導体モジュール。 For a ground terminal having a semiconductor element, a resin package for sealing the semiconductor element, an inner part that enters the resin package from a part of the surface of the resin package, and an outer part that is connected to the outer part and protrudes outside the resin package And a conductive film covering the surface of the resin package, and a semiconductor module comprising:
The inner part of the conductor has an extending part extending toward a portion other than the part of the surface of the resin package, and the extending part comes out of the resin package. A semiconductor module characterized by being electrically connected to the conductive film.
この受光素子が光を受けたときにこれに対応する信号を出力する出力端子を備えていることにより、全体が受光モジュールとして構成されている、請求項1に記載の半導体モジュール。 The semiconductor element is a light receiving element,
The semiconductor module according to claim 1, wherein the light receiving element includes an output terminal that outputs a signal corresponding to the light receiving element when the light receiving element receives light, so that the whole is configured as a light receiving module.
上記導電性膜は、遮光性を有し、かつ上記レンズ面の全体または一部分を露出させるように設けられている、請求項2に記載の半導体モジュール。 The resin package has a condensing lens surface formed in front of the light receiving element,
The semiconductor module according to claim 2, wherein the conductive film has a light shielding property and is provided so as to expose all or a part of the lens surface.
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005071759A1 (en) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Rohm Co., Ltd. | Light-receiving module |
KR100877551B1 (en) * | 2008-05-30 | 2009-01-07 | 윤점채 | Semiconductor package capable of shielding electromagnetic wave and manufacturing method thereof, and jig |
JP2010185609A (en) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Panasonic Corp | Water heater |
JP2010196906A (en) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Panasonic Corp | Water heater |
JP2015039295A (en) * | 2010-11-02 | 2015-02-26 | 三菱電機株式会社 | Power module for motor-driven power steering and motor-driven power steering drive control apparatus using the power module |
US10134661B2 (en) | 2016-09-29 | 2018-11-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
-
2003
- 2003-07-28 JP JP2003281303A patent/JP2005051031A/en active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005071759A1 (en) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Rohm Co., Ltd. | Light-receiving module |
JPWO2005071759A1 (en) * | 2004-01-26 | 2007-09-06 | ローム株式会社 | Receiver module |
JP4542042B2 (en) * | 2004-01-26 | 2010-09-08 | ローム株式会社 | Receiver module |
KR100877551B1 (en) * | 2008-05-30 | 2009-01-07 | 윤점채 | Semiconductor package capable of shielding electromagnetic wave and manufacturing method thereof, and jig |
JP2010185609A (en) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Panasonic Corp | Water heater |
JP2010196906A (en) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Panasonic Corp | Water heater |
JP2015039295A (en) * | 2010-11-02 | 2015-02-26 | 三菱電機株式会社 | Power module for motor-driven power steering and motor-driven power steering drive control apparatus using the power module |
US9888613B2 (en) | 2010-11-02 | 2018-02-06 | Mitsubishi Electric Corporation | Power module for electric power steering and electric power steering drive control apparatus using the same |
US10134661B2 (en) | 2016-09-29 | 2018-11-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
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