JP2005049358A - Electronic calibrating apparatus and method - Google Patents
Electronic calibrating apparatus and method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005049358A JP2005049358A JP2004303475A JP2004303475A JP2005049358A JP 2005049358 A JP2005049358 A JP 2005049358A JP 2004303475 A JP2004303475 A JP 2004303475A JP 2004303475 A JP2004303475 A JP 2004303475A JP 2005049358 A JP2005049358 A JP 2005049358A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- port
- calibration
- network analyzer
- calibration device
- states
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
Description
本願発明は、複数の複素反射係数(complex reflection coefficient)と、低損失透過係数(low-loss transmission coefficient)と、高分離状態(high isolation condition)とをネットワーク・アナライザのポートで自動的に生成する方法及び装置に関する。 The present invention automatically generates multiple complex reflection coefficients, low-loss transmission coefficients, and high isolation conditions at the network analyzer port. It relates to a method and a device.
どのベクトル・ネットワーク・アナライザ(VNA)における測定の誤差(エラー)も、そのVNAによって測定されたデバイスの不確実性(uncertainty)に影響を及ぼす。それらエラーを定量化することによって、それらの影響を顕著に減少させることができる。 Measurement errors in any vector network analyzer (VNA) affect the device uncertainty measured by that VNA. By quantifying these errors, their effects can be significantly reduced.
ネットワーク・アナライザにおける測定エラーは、ランダム・エラーとシステム的エラーとの2つのカテゴリに分けることができる。ランダム・エラーは物理的変化(例えば、ノイズや温度変化)に起因する非反復可能な測定変化であり、従って、通常予測可能ではない。システム的エラーはテスト装置自身における反復可能な測定変化(例えば、指向性、ソース整合(source match)、その他)である。 Measurement errors in network analyzers can be divided into two categories: random errors and systematic errors. Random errors are non-repeatable measurement changes due to physical changes (eg noise or temperature changes) and are therefore not usually predictable. Systematic errors are repeatable measurement changes in the test equipment itself (eg, directivity, source match, etc.).
VNAで「テストの下のデバイス(device under test)」(DUT)(又は、テスト中のデバイス)に行われるほとんどの測定において、システム的エラーが測定の不確実性の最も重要なソースである。従って、これらのエラーをVNA測定から除去することが望まれる。これはVNAの校正を通じて達成される。 In most measurements made on a “device under test” (DUT) (or device under test) in a VNA, systematic errors are the most important source of measurement uncertainty. Therefore, it is desirable to remove these errors from the VNA measurement. This is achieved through calibration of the VNA.
従来技術では、幾つかの既知の物理的標準(機械的一次標準(mechanical primary standard)として知られている)を、校正目的のために、VNAの2つのポートのそれぞれに接続することが知られている。機械的一次標準の電気的特性はその標準の既知の物理的特性(例えば、物理的寸法、導体の材質、その他)から導かれる。VNAのシステム的エラーは、機械的一次標準のVNAで測定された応答と、機械的一次標準の既知の電気的特性との差を計算することによって判定されることができる。 In the prior art, it is known to connect several known physical standards (known as mechanical primary standards) to each of the two ports of the VNA for calibration purposes. ing. The electrical properties of a mechanical primary standard are derived from the standard's known physical properties (eg, physical dimensions, conductor material, etc.). The systematic error of the VNA can be determined by calculating the difference between the response measured with the mechanical primary standard VNA and the known electrical properties of the mechanical primary standard.
しかしながら、DUTを測定する前に、正確性に対して校正のパフォーマンスがチェックされるべきである。従って、従来技術では、校正用の標準と異なる別の一次標準(検証標準(verification standard))をVNAに接続することによって校正の正確性をチェックするのが一般的であった。VNAの校正が適正に行われたならば、検証標準の測定がその検証標準の既知の電気的特性にほぼ一致する。しかしながら、検証標準の測定がその検証標準の既知の電気的特性に従わないならば、オペレータは、校正が適正に行われなかったこと又はVNAが適正に機能していないことを知る。 However, the calibration performance should be checked for accuracy before measuring the DUT. Therefore, in the prior art, it has been common to check the accuracy of calibration by connecting another primary standard (verification standard) different from the calibration standard to the VNA. If the VNA is properly calibrated, the measurement of the verification standard approximately matches the known electrical characteristics of the verification standard. However, if the measurement of the verification standard does not follow the known electrical characteristics of the verification standard, the operator knows that the calibration has not been performed properly or that the VNA is not functioning properly.
VNAの校正の検証を完了すると、次に、オペレータは測定のために、特性付けされていないDUTをVNAに接続することができる。次に、測定システムのシステム的エラーが、DUTの測定から数学的に除去されることができる。 Once the verification of the VNA calibration is complete, the operator can then connect an uncharacterized DUT to the VNA for measurement. The systematic error of the measurement system can then be mathematically removed from the DUT measurement.
測定される2ポートのDUTは、その2つのポートで、コネクタの3つの可能な構成のいずれを有することもできる。「挿入可能」デバイスは2つのコネクタを有し、それらは同じ類のコネクタでありかつ異なるセックス(sex)である。即ち、1つのコネクタはオスであり1つのコネクタはメスである。校正の間、VNAの2つのポートをケーブルの助けを得て接続することによって、貫通接続(through connection)を確立し、かつDUTの実際の測定のための測定装置の構成を変更する必要なしに、校正が行われ得るように、挿入可能な2ポートのVNAが構成される。 The two-port DUT being measured can have any of the three possible configurations of connectors at the two ports. An “insertable” device has two connectors, which are the same kind of connectors and different sexes. That is, one connector is a male and one connector is a female. During calibration, by connecting the two ports of the VNA with the help of a cable, it is possible to establish a through connection and without having to change the configuration of the measuring device for the actual measurement of the DUT An insertable 2-port VNA is configured so that calibration can be performed.
対照的に、測定される可逆(reversible)のDUTは、同じ類の同じセックスの2つのコネクタ(両方ともオス又は両方ともメス)を特徴とする。可逆のDUTは「挿入可能」ではない(例えば、「非挿入可能」)。なぜならば、第1のアダプタなしに、校正の間、貫通接続を確立するためにVNAの2つのポートを共に接続できないからである。しかしながら、この装置の欠点は、アダプタが校正測定の一部となることである。従って、第2のアダプタと電気的特性が同じである第1のアダプタをもってVNAを校正し、次に、第1アダプタを第2アダプタに切り換え、次に、実際のDUT測定を行うのが一般的な習慣である。この技術は測定の不確実性を試しかつ減少させるために用いられる。しかしながら、アダプタの挿入損、振幅及び位相の整合、及び電気的長さが等しくないときは、校正においてエラーが付加されてしまう。即ち、これらのアダプタ間のどのような特性の変化も、DUTの測定における不確実性を増す。また、この分野では「アダプタ除去(adapter-removal)」として知られる第2の非挿入可能の校正技術があり、この技術では上記の「アダプタ交換(adapter-swap)」方法よりも校正の正確性がよく、これは図2及び図3に示され、かつ以下に説明されている。 In contrast, the measured reversible DUT is characterized by two connectors of the same kind of the same sex (both male or both female). A reversible DUT is not “insertable” (eg, “non-insertable”). This is because, without a first adapter, the two ports of the VNA cannot be connected together to establish a feedthrough connection during calibration. However, the disadvantage of this device is that the adapter becomes part of the calibration measurement. Therefore, it is common to calibrate the VNA with a first adapter that has the same electrical characteristics as the second adapter, then switch the first adapter to the second adapter, and then perform the actual DUT measurement. Is a habit. This technique is used to test and reduce measurement uncertainty. However, if the adapter insertion loss, amplitude and phase matching, and electrical length are not equal, an error will be added during calibration. That is, any change in characteristics between these adapters increases the uncertainty in the measurement of the DUT. There is also a second non-insertable calibration technique known in the field as “adapter-removal”, which is more accurate than the “adapter-swap” method described above. This is shown in FIGS. 2 and 3 and is described below.
「非挿入可能」DUTの第2のカテゴリは、異なる類の2つのコネクタ(例えば、1つのコネクタが同軸であり他のコネクタがウエーブガイド(waveguide)である)を有する遷移的デバイス(transitional device)を備える。可逆DUTと同様に、遷移的なDUTに行われる測定についての欠点は、測定システムを校正するのに用いられた同一の構成を用いる測定システムにそのDUTを挿入することができないことである。 The second category of “non-insertable” DUTs is a transitional device with two different types of connectors (eg, one connector is coaxial and the other connector is a waveguide). Is provided. As with reversible DUTs, a drawback to measurements made on transitional DUTs is that the DUT cannot be inserted into a measurement system that uses the same configuration used to calibrate the measurement system.
上記で説明したように、VNAの所定のエラー・モデル(error model)のエラー係数を決定するために、適当なコネクタの類及びセックスの3つの機械的一次標準のセットを含む校正キットを用いるのが一般的である。これら一次標準は、通常、短絡コネクタ、シールドされた開放コネクタ、及び固定又はスライドのいずれかの整合された負荷終端(termination)からなる。固定されかつスライドする負荷は一般に機械的転送標準(mechanical transfer standard)である。校正キットはまた、通常、上記で説明したような非挿入可能DUTの「アダプタ交換」校正方法において用いるための幾つかの位相整合されたアダプタを含む。 As explained above, to determine the error factor for a given error model of a VNA, use a calibration kit that includes a set of three mechanical primary standards for the appropriate connector type and sex. Is common. These primary standards usually consist of shorted connectors, shielded open connectors, and matched load terminations, either fixed or sliding. The fixed and sliding load is generally a mechanical transfer standard. The calibration kit also typically includes a number of phase matched adapters for use in the “adapter replacement” calibration method of a non-insertable DUT as described above.
VNAのシステム的エラーを決定するための12項エラー修正モデルを用いる全2ポート校正は、最も包括的な校正手順である。測定される挿入可能なDUTのためのエラー修正モデルの12項すべてを決定するためには、適当なセックスの3つの一次測定標準のそれぞれが適当なVNAのポートに接続され測定されねばならない。更に、VNAの2つの測定ポートが「貫通」接続を用いて共に接続されねばならない。 A full two-port calibration using a 12-term error correction model to determine systematic errors in the VNA is the most comprehensive calibration procedure. In order to determine all 12 terms of the error correction model for the insertable DUT being measured, each of the three primary measurement standards for appropriate sex must be connected to the appropriate VNA port and measured. Furthermore, the two measurement ports of the VNA must be connected together using a “through” connection.
挿入可能なデバイスのための校正装置及び一次標準への必要な接続は、図1のAとBとに示されている。即ち、挿入可能デバイスは、エラー修正モデルの12項を決定するために、VNA112のポート114、116にそれぞれ(各ポートに3個)続いて接続され測定される最小6つの1ポート(短絡、開放、負荷)校正標準100、102、104、106、108、110と、1つの貫通接続(図1のB)とを必要とする。
The calibration equipment for the insertable device and the necessary connections to the primary standard are shown in FIGS. In other words, the insertable device must have a minimum of six 1-ports (short-circuited, open-circuited) that are subsequently connected to and measured at
また、非挿入可能デバイスは、測定されるDUTとポートのそれぞれが同じ類でかつ同じセックスのコネクタを有するアダプタ144と、一次標準とが図2及び図3に示されたようにVNAのポートに接続されることを必要とする。即ち、この技術は、最小12の一次標準120、122、124、126、128、130(図2のA)、及び132、134、136、138、140、142(図3のA)がVNAのポート114と116とに接続され測定されることを必要とする。更に、全2ポート校正を行うために、2つの貫通接続が確立されねばならない(図2のB及び図3のB)。即ち、図2及び図3を参照すると、この技術は、アダプタ144がVNA112の各ポート114及び116に交互に接続され、そして全2ポート校正が適当な一次標準を用いて行われることを、要求する。次に、アダプタの実際のSパラメータを計算するために、2つの校正セットが生成されそのアダプタの既知の電気的長さで用いられ、そして、実際のSパラメータは(まるでVNAのポート1及びポート2が実際に共に接続されていたかのように)アダプタなしで校正セットを生成するのに用いられる。即ち、非挿入可能の全2ポート校正は、最小12の一次標準の接続及び測定と2つの貫通接続及び測定とを必要とする。しかしながら、図2のB及び図3のBに示す2つの貫通接続を連続して行うことが可能であるので、貫通接続の数を1に減らせる。
In addition, non-insertable devices have an
更に、より正確な校正のために、整合された負荷終端のかわりにスライドする終端が典型的に用いられる。スライドする終端の欠点は、信頼性のある測定を得るために測定が少なくとも3つのスライド位置で行われるべきである、ということである。更に、各ポートで整合された負荷の測定に対して5つのスライド位置を用いるのが実施において一般的であり、従って合計10の整合された負荷の位置の測定をすることとなる。即ち、挿入可能のDUTの広帯域の校正に対して、最小18の測定及び7の接続が標準であり、非挿入可能の校正に対して、最小36の測定及び13の接続が標準である。 In addition, sliding terminations are typically used instead of matched load terminations for more accurate calibration. The disadvantage of the sliding end is that the measurement should be performed at at least three slide positions in order to obtain a reliable measurement. Furthermore, it is common in practice to use five slide positions for the measurement of matched loads at each port, thus resulting in a total of ten matched load position measurements. That is, a minimum of 18 measurements and 7 connections are standard for broadband calibration of insertable DUTs, and a minimum of 36 measurements and 13 connections are standard for non-insertable calibrations.
上記の校正手順の欠点は、一度に1つ各校正標準が接続され測定されねばならないことである。この手順は、適正な接続を確実にするための適当なハードウエアを用いて標準をVNAのポートに接続することと、適正な接続がなされたら、適当な測定を行うためにVNAの適当なハードウエア・キーを押すことと、を含む。更に、ひとたび測定が行われると、その標準の接続が解かれ(disconnect)、そして同じ手順で別の標準が接続されねばならない。上記で説明したように、この手順は、広帯域の挿入可能なDUTで最小7の接続及び18の測定について繰り返され、広帯域の非挿入可能なDUTを測定するために最小13の接続及び36の測定が繰り返される。更に、「アダプタ除去」方法を用いるためにはアダプタの電気的長さが既知でなければならない。又は「アダプタ交換」方法を用いるためには等しく整合したアダプタが用いられなければならない。 The disadvantage of the above calibration procedure is that each calibration standard must be connected and measured one at a time. This procedure involves connecting the standard to the VNA port using the appropriate hardware to ensure proper connection and, once the proper connection is made, the appropriate hardware of the VNA to make the appropriate measurements. Pressing the wear key. Furthermore, once a measurement is taken, that standard must be disconnected and another standard must be connected in the same procedure. As explained above, this procedure is repeated for a minimum of 7 connections and 18 measurements with a broadband insertable DUT, and a minimum of 13 connections and 36 measurements to measure a broadband non-insertable DUT. Is repeated. In addition, the electrical length of the adapter must be known in order to use the “adapter removal” method. Or, an equally matched adapter must be used to use the “adapter replacement” method.
更なる欠点として、訓練されていないオペレータは標準(標準の外観は類似である)を間違える可能性があり、また、VNAの誤ったハードウエア・キーを操作し、誤った校正標準を測定するかもしれない。もし間違いが校正の終わりに発見されたならば、校正全体をやり直さねばならない。また、もし校正が全2ポート校正の後に、検証標準の使用を介して、オペレータによって確証されなければ、典型的にオペレータは、校正が無効となっていることや、DUTの測定が誤りであることを知らない。 As a further disadvantage, an untrained operator may mistake the standard (standard appearance is similar) and may operate the wrong hardware key on the VNA to measure the wrong calibration standard. unknown. If a mistake is found at the end of the proofreading, the entire proofreading must be redone. Also, if the calibration is not confirmed by the operator through the use of a verification standard after a full two-port calibration, the operator typically has an invalid calibration or an incorrect DUT measurement. I don't know that.
更に、校正の手順によって要求される校正標準のひっきりなしの接続及び接続解除(disconnect)によってコネクタ及びポート・ケーブルが摩損し、よって、校正標準の測定における非反復性がおこる。測定におけるこの非反復性は、修正することができない校正測定への更なるエラー項を与える。 In addition, the continuous connection and disconnection of the calibration standard required by the calibration procedure will cause the connectors and port cables to wear, thus resulting in non-repetitiveness in the measurement of the calibration standard. This non-repetitiveness in the measurement gives an additional error term to the calibration measurement that cannot be corrected.
従来技術の校正の方法の更なる欠点は、手動の校正手順は厄介でありかつ遅いということである。即ち、貴重なテスト時間の多くの部分が、VNAを校正するために日毎に使われる。もし校正が正しく行われなければ、オペレータはやり直しをしなければならない。更に、アプリケーションに依存して、適当な測定の正確性を確実にするために日毎に少なくとも一度VNAが再び校正されるべきであるという事実によって、厄介な校正が合わされる。 A further disadvantage of the prior art calibration method is that the manual calibration procedure is cumbersome and slow. That is, a large portion of valuable test time is used daily to calibrate the VNA. If the calibration is not done correctly, the operator must try again. Furthermore, depending on the application, the troublesome calibration is accommodated by the fact that the VNA should be recalibrated at least once a day to ensure proper measurement accuracy.
従って、本願発明の目的は、最高で、VNAの任意のポートへの装置の2つの接続を必要とする、VNAを校正するための方法及び装置を提供することである。本願発明の更なる目的は、誤った校正標準をVNAに接続することに起因するいずれのエラーも本質的に除去し、かつ訓練されなくても容易なVNAの校正を可能にし、校正を行うのに必要な時間を減らす、方法及び装置を提供することである。本願発明の方法及び装置に従った校正は自動的に行われることができる。 Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method and apparatus for calibrating a VNA that, at best, requires two connections of the apparatus to any port of the VNA. It is a further object of the present invention to essentially eliminate any errors resulting from connecting the wrong calibration standard to the VNA, and to allow easy calibration of the VNA without training and to perform the calibration. It is an object of the present invention to provide a method and apparatus for reducing the time required for Calibration according to the method and apparatus of the present invention can be performed automatically.
本願発明は、ネットワーク・アナライザのシステム的エラーの決定において用いられる、プログラマブルの広帯域の高安定性の反復可能のマルチステート電子転送標準を提供するための方法及び装置に関する。 The present invention relates to a method and apparatus for providing a programmable, wideband, high stability, repeatable multi-state electronic transfer standard for use in determining network analyzer systematic errors.
第1の実施例において、マルチステート電子転送標準(multistate electronic transfer standard)は、伝送ラインを通じて相互接続された複数のセミコンダクタ・スイッチング・デバイスからなる。各セミコンダクタ・デバイスは、プログラマブル制御回路によって順(フォワード)バイアスまたは逆(リバース)バイアスされることができる。従って、多数の周知の反射係数が、プログラマブル制御回路を経てフォワード・バイアス又はリバース・バイアスする選択されたセミコンダクタ・デバイスによって、マルチステート電子転送標準の各ポートで生成される。更に、すべてのセミコンダクタは、マルチステート電子転送標準がこのマルチステート電子転送標準のポート間に低損失透過の貫通接続を提供するように、リバース・バイアスされ得る。更に、同時にセミコンダクタ・デバイスの幾つか又は全部をフォワード・バイアスすることによって、マルチステート電子転送標準のポート間に高い分離状態を得られる。 In a first embodiment, the multistate electronic transfer standard consists of a plurality of semiconductor switching devices interconnected through transmission lines. Each semiconductor device can be forward-biased or reverse-biased by a programmable control circuit. Thus, a number of known reflection coefficients are generated at each port of the multi-state electronic transfer standard by a selected semiconductor device that is forward biased or reverse biased through a programmable control circuit. Furthermore, all semiconductors can be reverse-biased so that the multi-state electronic transfer standard provides a low loss transparent feedthrough between the ports of the multi-state electronic transfer standard. In addition, high isolation between ports of the multi-state electronic transfer standard can be obtained by simultaneously forward biasing some or all of the semiconductor devices.
プログラマブルのマルチステート電子転送標準が、ネットワーク・アナライザの少なくとも1つのポートに複数の複素インピーダンス(complex impedance)を提供するために、ネットワーク・アナライザの少なくとも1つのポートに接続され得る。これら周知のインピーダンスは、1ポート校正(one-port calibration)のためにネットワーク・アナライザの少なくとも1つのポートに対して校正標準として使用され得る。更に、全2ポート校正(full two-port calibration)が、マルチステート電子転送標準を用い、複数の周知の複素インピーダンスをネットワーク・アナライザの各ポートに提供し、低損失透過貫通接続をネットワーク・アナライザの2つのポート間に提供し、その2つのポート間に高い分離状態を提供することによって、行われ得る。 A programmable multi-state electronic transfer standard may be connected to at least one port of the network analyzer to provide a plurality of complex impedances to the at least one port of the network analyzer. These known impedances can be used as calibration standards for at least one port of the network analyzer for one-port calibration. In addition, full two-port calibration uses a multi-state electronic transfer standard to provide multiple known complex impedances to each port of the network analyzer, and a low loss transmission through connection to the network analyzer. This can be done by providing between two ports and providing a high isolation between the two ports.
本願発明の上記及び他の目的及び利点は、以下の好適な実施例の詳細な説明及び図面を参照することにより、より明確になるであろう。 The above and other objects and advantages of the present invention will become more apparent by referring to the following detailed description of the preferred embodiments and the drawings.
図4は、VNAを校正するために本願発明で用いられ得る、好適実施例に従った測定装置を示す。この装置は、VNA12と、本願発明による2ポート・マルチステート電子転送標準(MSETS)(multistate electronic transfer standard)14と、コンピュータ制御装置16とを含む。コンピュータ制御装置16は、VNA12から測定されたデータを受信するための、そしてコンピュータ16のローカル又は永久メモリ領域20に記憶されたソフトウエアの援助を受けてVNA12を制御するための、VNA12へのデータ・ライン18を含む。測定装置はまた、インターフェース23とMSETS14との間の制御ライン22を含み、これによって、コンピュータ又はVNAがコンピュータのメモリに記憶された制御ソフトウエアに従ってMSETSを制御することを可能にする。更に、コンピュータ制御装置16は、オペレータと対話するためのキーボードインターフェース24を含む。この実施例ではコンピュータ制御装置16が示されているが、コンピュータの機能をVNA12に組み込むか、又は、MSETS14に直接提供される、マイクロプロセッサ又は他のハードウエア及びソフトウエア・デバイスに組み込むことができることに留意されたい。
FIG. 4 shows a measuring device according to a preferred embodiment that can be used in the present invention to calibrate the VNA. The apparatus includes a
図5は、本願発明のMSETS14に含まれるマイクロ波回路25の図である。この回路は、広帯域プログラマブル電子チューナに関連する出願人のアメリカ合衆国特許第5034708号に開示されたタイプのものである。この特許の教示をここにおいて参照によって援用する。マイクロ波回路25はPINダイオードD1〜D16とDCブロッキングキャパシタC4〜C19との、それぞれが直列の幾つかの対を含み、それら対はこの実施例に従って多種の長さのマイクロストリップ伝送ラインT1〜T17によって離されている。直列の、キャパシタC4〜C19とPINダイオードD1〜D16との組み合わせはグラウンド27に分路(shunt)されている。DCブロッキング・キャパシタC4〜C19は、グラウンドへそれぞれのダイオードD1〜D16のカソード側のRF接続を確立する。本願発明の好適な実施例において、伝送ラインT1〜T17は、10ミル(mil)(約0.25mm)の厚さで、両側が銅でラミネートされた既知の誘電基板から作られており、一側が適当な寸法にエッチングされている。このような伝送ラインが用いられるが、本願発明に従うと所与の電気的長さを確立する同等の形式の伝送ラインの使用も意図されている。同様に、PINダイオードが用いられているが、他の形式のスイッチング・セミコンダクタ・デバイスの使用も意図されている。
FIG. 5 is a diagram of the
図5を参照すると、DCバイアス電流が接続J0で一定的に確立される。この電流は、好適な実施例によると、+5ボルト供給源によって確立される。このDCバイアス電流は、RFコイル・インダクタL1とRFシャント・キャパシタC2とを含むRFバイパス・ネットワークを通じて、いずれのPINダイオードD1〜D16のアノード側にも供給される。RFバイパス・ネットワークはRF信号とDC信号との相互作用を妨げる。いずれのPINダイオードD1〜D16も、制御ラインの接続J1〜J16のいずれかを経て、DC電流リターン経路をそのダイオードのカソード側に提供することによって、フォワード・バイアスにされ得る。制御ラインの接続J1〜J16を個々に制御することにより、対応するダイオードD1〜D16のいずれをもフォワード・バイアス又はリバース・バイアスにすることができる。制御ラインの各接続はまた、RF信号とDCバイアス信号との間の相互作用を妨げる、直列の、RFコイルL2〜L17及びシャントRFキャパシタC20〜C35を含むRFバイパス回路を含む。 Referring to FIG. 5, a DC bias current is constantly established at connection J0. This current is established by a +5 volt supply, according to a preferred embodiment. This DC bias current is supplied to the anode side of any PIN diode D1-D16 through an RF bypass network that includes an RF coil inductor L1 and an RF shunt capacitor C2. The RF bypass network prevents the interaction of RF and DC signals. Any PIN diode D1-D16 can be forward biased by providing a DC current return path to the cathode side of that diode via any of the control line connections J1-J16. By individually controlling the control line connections J1 to J16, any of the corresponding diodes D1 to D16 can be forward biased or reverse biased. Each connection of the control line also includes an RF bypass circuit including RF coils L2-L17 and shunt RF capacitors C20-C35 in series that interfere with the interaction between the RF signal and the DC bias signal.
図5において、ポート1及びポート2の入力でRF伝送ラインと直列に配置されているDCブロッキング・キャパシタC1及びC3は、PINダイオードをバイアスするのに用いられるDCバイアス信号が2ポートMSETSを出るのを妨げる。
In FIG. 5, DC blocking capacitors C1 and C3 placed in series with the RF transmission line at the input of
MSETSは、そのポート1及び2の両方で広周波数帯域にわたって確立される多数の状態を許容する。これらの状態は、各ポートで多数の複素インピーダンスを呈示すことと、ポート間の低損失貫通接続と、高い分離状態とを含む。更に、伝送ラインT2〜T16の長さ及び幅は、PINダイオードD1〜D16の各々の間の一意的な位相関係を確実にするように選択される。伝送ラインの電気的長さの選択は、出願人のアメリカ合衆国特許第5034708号に説明された素数(prime number)の原理を基にしており、これをここに援用する。この原理は、MSETSのいずれかのポートでのインピーダンス値の反復を最小化を提供する。即ち、素数の関係を用いることによって、MSETSのいずれかの入力ポートから各ダイオードへの合計長さが、その入力ポートから他のいずれのかのダイオードへのライン長さによって均等に分割可能でないことを、確実にする。しかしながら、本願発明に従うと他の長さの関係も用いられ得る。
MSETS allows a number of states established across a wide frequency band on both its
図5において、マイクロ波回路は、制御ラインJ1〜J16で現れる信号を制御することによって、複素反射面を横切って広がる複数のマイクロ波インピーダンスが、MSETSの両方のポートで与えられることを、許容する。例えば、マイクロ波回路は、2つの等しい回路からなる対称の回路である、ということも考慮され得る。回路1は、伝送ラインT2〜T8と、これら伝送ライン間の対応するシャントPINダイオードD1〜D8及び直列のキャパシタC4〜C10の対とを含む。回路2は、伝送ラインT10〜T16と、対応するシャントPINダイオードD9〜D16及び直列のキャパシタC12〜C19の対とを含む。これら2つの回路は、DC電流供給源の接続J0及びRFバイパス・ネットワークによって電流が供給される伝送ラインT9によって結合される。この回路は、伝送ラインT2〜T8及びT10〜T16が伝送ラインT9について対称であるように設計されている。従って、伝送ライン長T2は伝送ライン長T16と等しく、T3はT15と等しく、T4はT14と等しく、T5はT13と等しく、T6はT12と等しく、T7はT11と等しく、T8はT10と等しい。この実施例によると、伝送ラインT9の長さは、所望されるオペレーションの最低の周波数において、各ダイオードが交互にフォワード・バイアスされそして電気的長さが測定される状態に対しては、ポート1からPINダイオードD1への往復の電気的長さとポート1からPINダイオードD14への往復の電気的長さとの間の位相が最小240度の差であるように選択される。同様に、ダイオードD3及びD16が一度に1つフォワード・バイアスされ接続がポート2になされたときにオペレーションの最低周波数で同じ位相関係が存在する。
In FIG. 5, the microwave circuit allows a plurality of microwave impedances extending across the complex reflecting surface to be provided at both ports of the MSETS by controlling the signals appearing on the control lines J1-J16. . For example, it can also be considered that the microwave circuit is a symmetric circuit consisting of two equal circuits.
図5において、PINダイオードは2つの状態のうちの1つでオペレーションされ得る。フォワード・バイアス状態において、PINダイオードは大変小さい抵抗(実質的に短絡)として働く。リバース・バイアス状態において、PINダイオードは、RF周波数で、大変小さいキャパシタとしてモデル化され得、従って、大変高いインピーダンス(実質的に開放)である。制御ラインJ1〜J16のいずれかにDCグラウンド接続を確立することによって、適当なダイオードがフォワード・バイアスされることを確実にする。また、適当なPINダイオードがリバース・バイアスされるように、制御ラインJ1〜J16のいずれかがポートJ0の電圧よりも実質的に大きい正の電圧にセットされ得る。即ち、MSETSのいずれかのポートに幾つかの異なるインピーダンスを与えることが可能である。更に、すべての制御ラインがDCグラウンドに接続されてすべてのPINダイオードがフォワード・バイアスされると、2ポートMSETSは、ポート1とポート2との間に効果のある量の分離を提供する大きな値の減衰器として働く。対照的に、すべての制御ラインが正の電圧にセットされてすべてのPINダイオードD1〜D16がリバース・バイアスされると、2ポートMSETSはポート1とポート2との間の低損失貫通接続として働く。
In FIG. 5, the PIN diode can be operated in one of two states. In the forward bias condition, the PIN diode acts as a very small resistance (substantially a short circuit). In the reverse bias condition, the PIN diode can be modeled as a very small capacitor at the RF frequency and therefore has a very high impedance (substantially open). Establishing a DC ground connection to any of the control lines J1-J16 ensures that the appropriate diode is forward biased. Also, any of the control lines J1-J16 can be set to a positive voltage substantially greater than the voltage at port J0 so that the appropriate PIN diode is reverse biased. That is, it is possible to give several different impedances to any port of the MSETS. In addition, when all control lines are connected to DC ground and all PIN diodes are forward biased, the 2-port MSETS provides a significant amount of isolation between
好適な実施例において、各キャパシタC1〜C3は200pFのキャパシタンスを有し、C4〜C9は100pFキャパシタンスを有し、C20〜C35は820pFのキャパシタを有する。各インダクタは40nHのインダクタンスを有する。各伝送ラインは約0.762mm(0.030”)の幅と、T1=T17=約1.55mm(0.061”)、T2=T16=約0.89mm(0.035”)、T3=T15=約0.99mm(0.039”)、T4=T14=約0.89mm(0.035”)、T5=T13=約0.99mm(0.039”)、T6=T12=約0.89mm(0.035”)、T7=T11=約5.44mm(0.214”)、T8=T10=約6.17mm(0.243”)、T9=15.9mm(0.627”)の物理的長さを有する。各ダイオードは約0.38mm×約0.38mm×約0.127mm(0.015”×0.015”×0.005”)の周囲と2オームの抵抗及び0.1pFのジャンクション・キャパシタンスとを有する。 In the preferred embodiment, each capacitor C1-C3 has a capacitance of 200 pF, C4-C9 has a capacitance of 100 pF, and C20-C35 has a capacitor of 820 pF. Each inductor has an inductance of 40 nH. Each transmission line has a width of about 0.762 mm (0.030 ″), T1 = T17 = about 1.55 mm (0.061 ″), T2 = T16 = about 0.89 mm (0.035 ″), T3 = T15 = about 0.99 mm (0.039 ″), T4 = T14 = about 0.89 mm (0.035 ″), T5 = T13 = about 0.99 mm (0.039 ″), T6 = T12 = about 0.8. 89 mm (0.035 ″), T7 = T11 = about 5.44 mm (0.214 ″), T8 = T10 = about 6.17 mm (0.243 ″), T9 = 15.9 mm (0.627 ″) Has a physical length. Each diode has a circumference of about 0.38 mm x about 0.38 mm x about 0.127 mm (0.015 "x 0.015" x 0.005 "), a resistance of 2 ohms and a junction capacitance of 0.1 pF. Have.
図6はMSETSに含まれるデジタル回路29の図である。デジタル回路29は、コンピュータから受信された制御信号23に従って、制御ポートJ1〜J16に適当なバイアスを提供する。コンピュータの制御信号23は、3つの商業的に入手可能なダーリントン・トランジスタ・アレーU1、U2、及びU7(SN75468)によって受信される。ダーリントン・トランジスタ・アレーU1、U2及びU7は、コンピュータによる16ビットTTL信号出力を受信するように形成される。このワードは、信号ラインB0〜B15上をU1のピン1〜7、U2のピン1〜7、U7のピン1〜2にそれぞれ伝送される。U1、U2及びU7のピン8はグラウンド27に接続される。入力ラインB0〜B15のいずれか上のTTLロジックのハイは、ダーリントン・アレーU1、U2又はU7の対応する出力がDCグラウンド信号を対応する出力制御ラインB01〜B151に提供するようにする。出力制御ラインB01〜B61はU1のそれぞれのピン16〜10に接続され、B71〜B131はU2のそれぞれのピン16〜10に接続され、B141とB151とはU7のそれぞれのピン16と15とに接続される。このダーリントン・アレーの入力ポートのいずれかへのTTLロジックのローの入力は、対応するダーリントン・アレーの出力をイネーブルにせず、従って、対応する制御ラインB01〜B151は+50ボルトの信号レベルに引き上げられ、これが対応するPINダイオードの制御ラインに与えられる。
FIG. 6 is a diagram of the
図6において、一対の68オーム抵抗ネットワークU3及びU4が、ダーリントン・アレーU1、U2、U7の出力制御ラインB01〜B151と、対応する出力制御ラインB02〜B152との間に配置され、各ダイオードによって引き出され得る電流を制限するために用いられる。更に、この実施例によると、一対の1メガオーム抵抗ネットワークU5及びU6が提供されて、68オーム抵抗ネットワークの出力B02〜B152に配置され、それらは+50ボルトのバイアス供給部33と直列にされている。電圧供給部33及び抵抗ネットワークU5及びU6は、入力するTTL信号によって選択されなかった各出力制御に対するプルアップ・ネットワークとして働き、従って、強いリバース・バイアス信号が選択されていないPINダイオードに対する各制御ラインJ1〜J16に維持されることを確実にする。
In FIG. 6, a pair of 68 ohm resistor networks U3 and U4 are arranged between the output control lines B0 1 to B15 1 of the Darlington arrays U1, U2 and U7 and the corresponding output control lines B0 2 to B15 2. , Used to limit the current that can be drawn by each diode. Further, according to this embodiment, is provided a pair of 1 megohm resistor network U5 and U6, placed at the output B0 2 ~B15 2 of 68 ohm resistor networks, they are in series with
図7は、従来のVNA装置におけるシステム的エラーをモデル化するのに用いられ得る2ポート12項エラー修正モデル(two-port, twelve-term error correction model)35である。図7における参照符号を説明する。Mは校正されつつあるVNAによって行われた測定を表す。Aは度量衡実験室でVNAによって行われた実際の測定を表す。Fはフォワード方向(ポート1から2ポートMSETSを見て)における測定を表し、Rはリバース方向(ポート2から2ポートMSETSを見て)における測定を示す。
FIG. 7 is a two-port, twelve-term
従来技術で知られているように、エラー修正モデルのエラー係数を決定するのには、VNAのポートへの幾つかの既知の一次標準の接続が必要である。本願発明の一実施例に従うと、VNAの各ポートへの一度の接続のみが要求される。このような接続は典型的には両方のポートに同時になされる。その後に、MSETS及びコンピュータ制御装置が、VNAのポートに、以前の測定から特徴が既知である幾つかの転送標準(transfer standard)を提供する。転送標準は、複数のインピーダンスと、低損失貫通接続と、VNAポート間の高い分離の接続と、を含む。転送標準は、VNAによって測定され、この標準の以前の測定と比較され、そして次に、12項エラーモデルのエラー係数が計算される。 As is known in the art, several known primary standard connections to the VNA ports are required to determine the error factor of the error correction model. According to one embodiment of the present invention, only one connection to each port of the VNA is required. Such a connection is typically made to both ports simultaneously. Thereafter, the MSETS and computer controller provide several transfer standards whose characteristics are known from previous measurements to the ports of the VNA. Transfer standards include multiple impedances, low loss feedthrough connections, and high isolation connections between VNA ports. The transfer standard is measured by the VNA, compared to previous measurements of this standard, and then the error coefficient of the 12-term error model is calculated.
さらに本願発明に従うと、校正の正確性が増加され、そこでは、MSETSの両方のポートに与えられるインピーダンスの数が、未知のエラーモデルの係数を計算するために必要とされるインピーダンスの数よりも多くなり得、従って、更なるインピーダンスの測定が、計算された係数の正確性を向上させるために用いられ得る。更に、VNAのポートへは一接続のみが必要とされるので、校正に関連するいずれのランダム・エラーも実質的に減少される。即ち、本願発明を用いると、校正におけるランダム・エラー及びシステム的エラーを減少し、DUTの測定の正確性を向上することが可能である。 Further in accordance with the present invention, the accuracy of the calibration is increased, where the number of impedances applied to both ports of the MSETS is greater than the number of impedances required to calculate the coefficients of the unknown error model. Many more impedance measurements can therefore be used to improve the accuracy of the calculated coefficients. In addition, since only one connection to the VNA port is required, any random errors associated with calibration are substantially reduced. That is, by using the present invention, it is possible to reduce random errors and systematic errors in calibration, and to improve the accuracy of DUT measurement.
更に、本願発明によると、校正の速度が向上し、そこでは、MSETSとVNAとの間で最小数の接続が行われ得、そしてコンピュータ制御プログラムがオペレータの入力を必要とせず校正を自動的に制御する。本願発明の更なる利点は、特徴付けされるDUTのいずれのコネクタの形式(例えば、挿入可能、非挿入可能)も、校正の正確性が変わることなく、本願発明によって適応させられる。これは、挿入可能なMSETSを提供するように、MSETSに、第1ポートにオスのコネクタそして第2ポートに同じ類のコネクタのメスのコネクタを提供することによって、達成され得る。次に、この挿入可能MSETSは、完全な校正キットの一部としてオス−オス(male to male)コネクタ及びメス−メス(female to female)コネクタが供給され、それによって、測定されるDUTのすべての考えられ得る挿入可能及び非挿入可能コネクタの可能性を許容する。また、MSETSは、そのポートのそれぞれに任意のコネクタのセックス及びタイプをあつらえで備えることができる。 Furthermore, the present invention increases the speed of calibration, where a minimum number of connections can be made between MSETS and VNA, and the computer control program automatically performs calibration without requiring operator input. Control. A further advantage of the present invention is that any type of connector of the DUT being characterized (eg, insertable, non-insertable) can be accommodated by the present invention without changing the accuracy of the calibration. This can be accomplished by providing MSETS with a male connector at the first port and a female connector of the same type of connector at the second port, so as to provide an insertable MSETS. This insertable MSETS is then supplied with a male-to-male and female-to-female connector as part of a complete calibration kit, so that all DUTs to be measured Allow for possible insertable and non-insertable connector possibilities. The MSETS can also be customized with any connector sex and type for each of its ports.
本願発明のMSETSの更なる利点は、校正に続いて、更なるVNAへの接続や接続を解くことの必要なしに、校正が正しく行われたことをチェックするため及び校正の正確性を確実にするために、VNAに検証標準を与えることができることである。更に、コンピュータ制御装置及びMSETSとVNAとの間の制限された接続は、校正における人間のエラーの可能性を実質的に除去する。 A further advantage of the MSETS of the present invention is that following calibration, there is no need to connect to or disconnect from further VNAs to check that calibration was performed correctly and to ensure calibration accuracy. In order to do this, a verification standard can be given to the VNA. Furthermore, the limited connection between the computer controller and MSETS and the VNA substantially eliminates the possibility of human error in calibration.
図5及び図8を参照して、図7の12項、エラー係数のすべてが決定される方法をここで説明する。測定されるDUTが挿入可能デバイスであるとき、1つのポート(ポート2)でオスのコネクタ120をそして第2のポート(ポート1)で同じ類のコネクタのメスのコネクタ122を有する図8に示された挿入可能MSETSが、VNAの適当なポートに接続される。図8は例として示されたものであり、挿入可能のMSETS及びVNAの考えられ得るコネクタの配置が逆にされ得ることに、留意されたい。例えば、挿入可能MSETSに、オスのコネクタがポート1でそしてメスのコネクタがポート2で提供され得る。
With reference to FIGS. 5 and 8, the method in which all 12 terms, error coefficients of FIG. 7 are determined will now be described. When the DUT being measured is an insertable device, it is shown in FIG. 8 with a
まず、16ビット・デジタル・ワードが図6のデジタル回路に入力されPINダイオードD15及びD16がフォワード・バイアスにされ、それによって、短絡インピーダンスを挿入可能MSETSのポート2で効果的に与え、そしてポート2を挿入可能MSETSのポート1から分離する。式1は、ポート1での測定された反射係数(S11M)について解くために図7の2ポート、12項エラー修正モデル35のフロー・グラフ分析(flow graph analysis)から導出される。式1において、項S11A、S22A、S21A、S12Aは、挿入可能MSETSによって与えられそしてVNAを用いて度量衡研究室で測定された実際の散乱パラメータである。
First, a 16-bit digital word is input to the digital circuit of FIG. 6 and PIN diodes D15 and D16 are forward biased, thereby effectively providing a short-circuit impedance at
ここで、Det[SA]=S11AS22A−S21AS12A である。
式1から、S21A=S12A=0の状態のもとで式1は式2にされることが明らかである。
Here, a Det [SA] = S 11A S 22A -S 21A S 12A.
From
この状態は、特に、上記で説明されたように、ダイオードD15及びD16をフォワード・バイアスすることによって達成され、ポート2がポート1から分離される。式2において、係数S11Aは、ポート1で与えられる多種のインピーダンスに対して(ダイオードD15及びD16及び少なくとも他のダイオードD1〜D14の1つが「オン」のときに)度量衡研究室でVNAによって測定された所定の反射係数を表す。従って、ポート1で少なくとも3つの既知のインピーダンスを与えて測定することによって、式2における3つのエラー項、フォワード指向性EDF、フォワード反射トラッキングERF及びフォワード・ソース整合ESFが数学的に解かれ得る。更に、ポート1で3つより多くのインピーダンス測定して、必要よりも多くの決定された式のセットにエルミート最小和自乗フィッティング・アルゴリズム(hermitian least sum square fitting algorithm)を行うことによって、エラー係数の計算における向上した正確性が達成され得る。
This condition is achieved in particular by forward biasing diodes D15 and D16 as described above, and
図5の回路は対称であるので、ポート2で同じステップを用いることができる。式3は、図7のエラーモデルから挿入可能MSETSのポート2でフロー・グラフ分析を用いて導出された、挿入可能MSETSの測定された反射係数S22Mを表す。
Since the circuit of FIG. 5 is symmetric, the same steps can be used at
挿入可能MSETSのポート1でPINダイオードD1及びD2をフォワード・バイアスすることによって、ポート1が挿入可能MSETSのポート2から分離される。式3からわかるように、もしS21A=S12A=0であると、式3は式4のようになる。
By forward biasing PIN diodes D1 and D2 at
ダイオードD1及びD2及び少なくともダイオードD3〜D16のうちの1つをフォワード・バイアスすることによって、ポート2で幾つかの所定のインピーダンスが与えられうる。これらのインピーダンスは測定され、そして、式4の3つのエラー項、リバース指向性EDR、リバース反射トラッキングERR及びリバースソース整合ESRを計算するのに用いられ得る。更に、上記で説明したように、3つより多くの既知のインピーダンスを測定し、最小和自乗フィッティングアルゴリズムを用いることによって、計算されたエラー項の正確性が向上され得る。
Several predetermined impedances can be provided at
式5及び式6は、図7の2ポートエラー修正モデルにおいてフロー・グラフ分析技術を用いて導出されたフォワード方向(ポート1から挿入可能MSETSをみて)及びリバース方向(ポート2から挿入可能MSETSをみて)における測定された透過係数を表す。
もしS21A=0であるならば式5が式7のようになるのが、式5及び式6から明らかである。
If S 21A = 0,
同様に、もしS12A=0であるならば式6が式8のようになるのが、式6から明らかである。
Similarly, it is clear from
これらの状態S12A=S21A=0は、PINダイオードD1〜D16のすべてをフォワード・バイアスすることによって達成され、大きな値の減衰が挿入可能MSETSのポート1とポート2との間に存在する。
These states S 12A = S 21A = 0 are achieved by forward biasing all of the PIN diodes D1-D16, and a large value of attenuation exists between
ダイオードD1〜D16のすべてがフォワード・バイアスされたときに透過係数S21M及びS12M(式7及び式8を参照)を測定することによって、エラー項、フォワード分離EXFとリバース分離EXRが計算され得る。
By measuring the transmission coefficients S 21M and S 12M (see
図7の12項エラー修正モデルを参照すると、散乱係数S11A、S21A、S22A及びS12Aは、挿入可能MSETSの元の(original)特徴付けの間に度量衡実験室で測定された既知の散乱係数である。一測定において、PINダイオードD1〜D16のすべてがリバース・バイアスされた状態に対してこれらの値が測定される。ポート1及びポート2に対する1ポート・エラー項は、すべてのPINダイオードがリバース・バイアスされているところで、ポート1及びポート2でインピーダンスを測定することによって、上記説明されたステップによって以前に決定されているので、エラー項、フォワード負荷整合ELF及びリバース負荷整合ELRが式9及び式10から計算され得る。
Referring to the 12-term error correction model of FIG. 7, the scattering coefficients S 11A , S 21A , S 22A and S 12A are known measured in a metrology laboratory during the original characterization of the insertable MSETS. Scattering coefficient. In one measurement, these values are measured for a state in which all of the PIN diodes D1-D16 are reverse biased. The one-port error term for
更に、PINダイオードD1〜D16がリバース・バイアスされているときに、ポート1で信号ソースを用いてポート1からポート2への貫通接続を測定し、そしてかわってポート2で信号ソースを用いてポート1からポート2への貫通接続を測定することによって、エラー項、フォワード透過トラッキングETFとリバース透過トラッキングETRが式11及び式12から計算され得る。
In addition, when PIN diodes D1-D16 are reverse biased, measure the feedthrough from
即ち、図7の2ポート・エラー・モデルの12項のエラー係数のすべては、上記説明されたステップを用い、ネットワーク・アナライザの各ポートへの挿入可能MSETSの各ポートの単一の接続をもって、人間の介在なしに、計算され得る。 That is, all twelve error coefficients of the two-port error model of FIG. 7 use the steps described above, with a single connection for each port of the MSETS that can be inserted into each port of the network analyzer, It can be calculated without human intervention.
更に、上記説明された校正が完了すると、次に、挿入可能MSETSは、校正の正確性をチェックする目的のために検証標準として、校正手順の間に以前に与えられていない既知の透過係数及び反射係数をシミュレートするように用いられることができる。これは、ソフトウエアの支援を受けて、そして挿入可能MSETSの更なる接続や接続を解くことの必要なしに、又人間の介在の必要なしに、校正のすぐ後に行われる。挿入可能の校正を確証すると、次に、2ポート挿入可能MSETSが除かれて、測定のために挿入可能のDUTが接続される。 In addition, upon completion of the calibration described above, the insertable MSETS can then be used as a verification standard for the purpose of checking the accuracy of the calibration, as well as known transmission coefficients and previously not given during the calibration procedure. It can be used to simulate the reflection coefficient. This is done immediately after calibration with the aid of software and without the need for further connection or disconnection of the insertable MSETS and without the need for human intervention. Once the insertable calibration is verified, the 2-port insertable MSETS is then removed and the insertable DUT is connected for measurement.
測定されるDUTが非挿入可能デバイスのときは、挿入可能MSETSは、VNAの校正のためのアダプタと協働して用いられる。このアダプタ(図2のA及びBと図3のA及びBのアダプタ144と類似である)は必要である。なぜならば、このデバイスは挿入可能ではなく、従って、VNAの2つのポートはアダプタなしに、ケーブルの助けを得て共に直接に接続することができないからである。また、各ポートでユーザが要求する姓及びタイプのコネクタをもつMSETSをあつらえで作り供給でき得る。次に、上記に説明されたように、VNAのエラー係数は、以前に特徴付けされたあつらえのMSETS及び式1〜式12を用いて決定される。
When the DUT being measured is a non-insertable device, the insertable MSETS is used in conjunction with an adapter for VNA calibration. This adapter is necessary (similar to the
上記で説明したように、提供されるキットは、挿入可能MSETSと、オス−オス(male-to-mqle)コネクタと、メス−メス(female-to-female)コネクタと、MSETS及びVNAを制御するためのソフトウエアと、を含み、ともになって非挿入可能MSETSキットをなす。以下に説明される方法において、挿入可能MSETSとともに用いられるアダプタは、そのコネクタが、測定されるDUTのコネクタの形を複製したものであるように、選択される。 As explained above, the provided kit controls an insertable MSETS, a male-to-mqle connector, a female-to-female connector, and MSETS and VNA. Together with a non-insertable MSETS kit. In the method described below, the adapter used with the insertable MSETS is selected such that its connector is a replica of the shape of the connector of the DUT being measured.
図9を参照すると、VNA装置の例が示されており、そこにおいて、測定されるDUTはそのポートの両方にメスのコネクタを有する。VNAが非挿入可能DUTと結合するために、VNAのポートの両方のコネクタ124及び126は、オスのコネクタであるようにしなければならない。同様に、図9のBを参照すると、対応するVNA装置が示されており、そこにおいて、測定されるDUTはそのポートの両方にオスのコネクタを有する。従って、VNAのポート1及びポート2の両方のそれぞれのコネクタ124及び126はメスのコネクタに形成される。
Referring to FIG. 9, an example of a VNA device is shown in which the DUT being measured has female connectors on both of its ports. In order for the VNA to couple with the non-insertable DUT, both
ここで、測定される非挿入可能DUTのためのVNAを校正する方法を説明する。図10のAを参照すると、本方法の第1ステップに従った校正装置が示されている。VNAの選択されたポートと結合する挿入可能MSETSのポートが、その選択されたポートに接続される。図10のAにおいて、VNAの選択されたポートがポート2(116)として示されているが、しかし、選択されたポートがポート1(114)であってもよい。もし常に同じポートが利用されると、1つのルーチンがオペレータによって開発されるという点において、ポートは単に標準化のために選択される。次に、図10のAで示すように、挿入可能MSETSは、基準面AでVNAに複数の既知の反射係数を与えるように、1ポート・モードでオペレーションするように形成される。1ポート・モードにおけるオペレーションは、式2及び式4に関して上記説明されたオペレーションと同等である。従って、挿入可能MSETSの幾つかのダイオードがフォワード・バイアスされていて、VNAのポート2で幾つかの所定のインピーダンスを与えることによって、これらのインピーダンスが測定され、そして式4のエラー項EDR、ERR、ESRを計算するのに用いられる。
A method for calibrating the VNA for the non-insertable DUT being measured will now be described. Referring to FIG. 10A, a calibration apparatus according to the first step of the method is shown. An insertable MSETS port that is associated with the selected port of the VNA is connected to the selected port. In FIG. 10A, the selected port of the VNA is shown as port 2 (116), however, the selected port may be port 1 (114). If the same port is always used, the port is simply selected for standardization in that one routine is developed by the operator. Next, as shown in FIG. 10A, the insertable MSETS is formed to operate in a 1-port mode so as to provide the VNA with a plurality of known reflection coefficients at the reference plane A. The operation in 1-port mode is equivalent to the operation described above with respect to
図10のBを参照すると、次に、挿入可能MSETSは、基準面AでVNAから接続が解かれ、そして向きを変えられてVNAの基準面C(ポート1)でVNAに接続される。また、測定されるDUTとして同じセックスのコネクタ130及び132をもつアダプタ128が、挿入可能MSETSネットワークとVNAのポート2との間に挿入される。即ち、図10のBに示されるように、挿入可能MSETS14及びアダプタ128のカスケードにされた回路は、非挿入可能MSETSをなす。図10のBにおいてメス−メスアダプタが一例として示されているが、これはDUTがその両方のポートにメスのコネクタを有する場合についての一例であることに留意されたい。また、DUTがその両方のポートでオスのコネクタを有する場合には、アダプタはそのポートの両方にオスのコネクタを有することもでき、VNAはその両方のポートでメスのコネクタ124及び126を有することができる。
Referring to FIG. 10B, the insertable MSETS is then disconnected from the VNA at the reference plane A and redirected to connect to the VNA at the reference plane C (port 1) of the VNA. Also, an
次に、アダプタの散乱パラメータが、MSETSの度量衡研究室での以前の測定から既知である基準面Bでの挿入可能MSETSの既知の反射係数と、上記で説明した本方法の最初のステップにおいて、基準面Aでの挿入可能MSETSの測定から決定された1ポート・エラー修正係数とから、計算される。言い換えると、アダプタの散乱パラメータは以下のステップを用いて決定される。式2及び式4に関して説明したように、挿入可能MSETSは1ポート・モードでオペレーションされ、そこにおいては、基準面Bで既知の反射係数がMSETSによって与えられ、そして基準面AでそれらがVNAによって測定される。基準面Bで挿入可能MSETSによって与えられる既知の反射係数により基準面AでVNAによって測定される反射係数S22’は、次の式で表される。
Next, in the first step of the method described above, the adapter's scattering parameters are known for the insertable MSETS reflection coefficient at the reference plane B, known from previous measurements in the MSETS metrology laboratory, Calculated from the one-port error correction factor determined from the measurement of insertable MSETS at reference plane A. In other words, the scattering parameters of the adapter are determined using the following steps. As described with respect to
ここで、S11A、S21A、S12A及びS22Aはアダプタの散乱係数であり、ΓBは挿入可能MSETSの既知の反射係数である。3つの既知の反射係数ΓBに対して基準面Aで挿入可能MSETSによって与えられる少なくとも3つの反射係数S22’を測定することによって、S11A、S22A、S21A、S12Aが決定され得る。アダプタの相反(reciprocity)によってS21AがS12Aと等しくなる。 Here, S 11A , S 21A , S 12A and S 22A are the scattering coefficients of the adapter, and Γ B is a known reflection coefficient of the insertable MSETS. S 11A , S 22A , S 21A , S 12A can be determined by measuring at least three reflection coefficients S 22 ′ given by the insertable MSETS at the reference plane A for three known reflection coefficients Γ B. . S 21A equals S 12A due to reciprocity of the adapter.
式13を参照する。S21A×S12AのプロダクトをWで表すものとする。コネクタの相反の性質が与えられると、S21A=S12A=(W)1/2となる。しかしながら、Wは複素数であり、従って、その二乗根は2つの値を持ち得る。そこにおいては、両方の値の大きさは同じであるが、互いに角度が180度位相ずれしている。従って、Wは式14及び式15によって表されることができる。
Reference is made to
ここで、│W│=Wの絶対値、であり、Θ=Wの偏角(argument)、である。
従って、S21A=S12Aの値を正確に決定するために、境界状態(boundary condition)が用いられる。式14及び式15の間で正しい偏角を選ぶために、同軸コネクタの位相を0ヘルツで表す適切な境界状態が用いられる。すべての商業的に入手可能なVNAは、周波数が開始点と停止点との間で掃引されると±180度の間の位相(偏角)をラップ(wrap)する、ということが従来技術で知られている。(即ち、信号がディスプレイ範囲内にないとき、その信号を±180度の範囲の間にラップすることにより、その信号が±180度の範囲内でディスプレイされる。)周波数が±180度のクロスオーバーの点を横切り掃引されると偏角に360度を付加することによって、偏角をアンラップ(unwrap)することによって合計的位相関係を引き出すことができる。(「偏角をアンラップする」は「VNAで信号をディスプレイするためにその信号に加えられた位相を、その信号から引くことによってその信号の実際の位相を導出する」ことを意味する。)周波数の関数としてのアンラップされた偏角は、最小和自乗フィッティング・アルゴリズムを通じて次のような多項式に適合され得る。
Here, | W | = the absolute value of W, and Θ = argument of W.
Therefore, a boundary condition is used to accurately determine the value of S 21A = S 12A . In order to choose the correct declination between
ここで、Ai=多項式の係数、であり、F=周波数、である。
また、同軸コネクタの位相角度は、周波数がDCに近付くにつれて0度に近付かねばならない、ということが知られている。従って、式14及び式15のための位相の表現の項A0は、0に近いものとして選択されねばならない。即ち、位相の適当な値が決定され、そしてアダプタのSパラメータが式13を用いて計算され得る。従って、本願発明によると、校正において一部として用いられるアダプタの電気的長さを知ることなしに、非挿入可能の校正に必要なそのアダプタの散乱パラメータを計算することが可能である。
Here, A i = polynomial coefficient, and F = frequency.
It is also known that the phase angle of the coaxial connector must approach 0 degrees as the frequency approaches DC. Therefore, the phase expression term A 0 for
挿入可能MSETSの、貫通接続状態及び検証状態の散乱パラメータを基準面Aに転送するために、アダプタ、貫通接続状態及び検証状態の散乱マトリクスが、連鎖散乱マトリクス(chain scattering matrix)に変換される。この連鎖散乱マトリクスは次の式を用いて計算できる。 In order to transfer the penetrating and verification scattering parameters of the insertable MSETS to the reference plane A, the adapter, the penetrating and verification scattering matrices are converted to a chain scattering matrix. This chain scattering matrix can be calculated using the following equation:
貫通接続状態においてオペレーションする、挿入可能MSETSの連鎖散乱マトリクスは、挿入可能MSETSの連鎖マトリクスをアダプタの連鎖マトリクスにかけることによって基準面Aに変換される。同様に、検証モードにおいてオペレーションする、挿入可能MSETSの連鎖散乱マトリクスは、基準面Aへの検証状態を変換するために、アダプタの連鎖散乱マトリクスによってかけられる。結果的な連鎖散乱マトリクスは、次に、次の式を用いSパラメータのマトリクスに再変換され戻される。 The chain scatter matrix of insertable MSETS operating in the feedthrough state is converted to reference plane A by applying the chain matrix of insertable MSETS to the adapter's chain matrix. Similarly, the insertable MSETS chain scatter matrix operating in the verification mode is multiplied by the adapter chain scatter matrix to convert the verification state to the reference plane A. The resulting chain scattering matrix is then reconverted back into an S-parameter matrix using the following equation:
図10のBを参照する。挿入可能MSETSのネットワークのコネクタ122はVNAのポート1(114)に直接接続されているので、VNAのポート1に挿入可能MSETSによって与えられるSパラメータを変換する必要がない。従って、1ポート・モード、貫通状態及び検証状態においてオペレーションする挿入可能MSETSのSパラメータは、ここで、VNAのコネクタ124及び126において知られる。次に、挿入可能MSETSは、図9のA又はBに示されたような非挿入可能の形態のためのエラー修正係数を決定するために、上記説明した挿入可能の校正のための方法のステップを行うようにオペレーションされる。その後に、挿入可能MSETS及びアダプタの両方が除かれ、そして、測定される非挿入可能DUTが測定のために挿入される。従って、本願発明を用いると、ネットワーク・アナライザの任意の1つのポートになされる最小の2つの接続をもって、測定される非挿入可能DUTのためのネットワーク・アナライザを校正することが可能である。更に、それらのステップはすべてコンピュータによって制御されいるので、ユーザのエラーの可能性が除去される。更に、挿入可能MSETSは検証標準をシミュレートするので、検証標準の接続を解いたり接続したりする必要なしに非挿入可能の校正の正確性がチェックされる。更に、VNAにいずれの一次校正標準を接続する必要もなしに非挿入可能の校正が行われる。
Reference is made to FIG. Since the
図11を参照する。本願発明の第2実施例のMSETS14’に含まれるマイクロ波回路図が示されている。第2実施例はMSETSのオペレーションの周波数を拡張するのに用いられる。第2実施例は超広帯域MSETSをつくるために図5及び図6で示した第1実施例と関連して用いられ得る。 Please refer to FIG. A microwave circuit diagram included in the MSETS 14 'of the second embodiment of the present invention is shown. The second embodiment is used to extend the frequency of operation of MSETS. The second embodiment can be used in conjunction with the first embodiment shown in FIGS. 5 and 6 to create an ultra-wideband MSETS.
図11に示されたマイクロ波回路は、複数の単極複数投スイッチ(single pole, multi-throw switch)を含む。例えば、2つの単極4投スイッチ134及び136が示されている。単極4投スイッチ134の各スロー(throw)138、140、142、144と、単極4投スイッチ136の各スロー146、148、150、152とは、異なるインピーダンスに接続される。例えば、スロー138及び146は低損失貫通伝送ライン154によって相互接続され、スロー140及び148は開放回路に接続され、スロー142及び150短絡回路に接続され、スロー144及び152は、それぞれ、単極双投スイッチ154及び156の極(pole)155及び157に接続される。単極双投スイッチ154のスロー158と160と、単極双投スイッチ156のスロー162と164とは、それぞれが固定のインピーダンスに接続される。例えば、スロー158及び162は3dBの固定の減衰器によって相互接続され、スロー160及び164はそれぞれ固定の50オームの整合された終端に接続される。
The microwave circuit shown in FIG. 11 includes a plurality of single pole, multi-throw switches. For example, two single pole, four
図11において、DCブロッキング・キャパシタC1及びC2は、単極複数投スイッチをバイアスするために用いられるDCバイアス信号がMSETSを出るのを妨げるために、それぞれ、入力ポート1(170)及びポート2(172)で極166及び168と直列に接続されている。MSETSの第2実施例はまた、そのポート1(170)及びポート2(172)の両方でオペレーションの拡張された周波数帯域にわたって複数の状態が確立されることを可能にする。これらの状態は、複数の複素インピーダンスを各ポートで与えることを含み、開放、短絡、整合された終端、及び3dB減衰器を含む中間インピーダンスを含む。更に、これらの状態はポート間の低損失貫通接続を含む。貫通接続は、極166をスロー138に、そして極168をスロー146に接続することによって、ポート1とポート2との間に確立できる。更に、開放が、極166をスロー140にそして極168をスロー148に接続することによって、ポート1とポート2との間に確立できる。更に、短絡が、極166をスロー142にそして極168をスロー150に接続することによって、ポート1とポート2との間に確立できる。更に、極166をスロー144に、極155をスロー160に、極168をスロー152に、そして極157をスロー164に接続することによって、ポート1及びポート2で整合された終端(matched termination)が与えられうる。そして、極166をスロー144にかつ極155をスロー158に接続することによって、又は極168をスロー152にかつ極157をスロー162にに接続することによって、ポート1又はポート2のいずれかに中間インピーダンスが与えられうる。
In FIG. 11, DC blocking capacitors C1 and C2 are used to prevent the DC bias signal used to bias the single pole multiple throw switch from exiting MSETS, respectively, for input port 1 (170) and port 2 ( 172) in series with
図12は、MSETSの第2実施例のマイクロ波回路を制御するための制御回路を示す図である。制御ロジックは、幾つかのアドレス可能8ビットラッチ176を含み、それらは、図11の回路の単極複数投スイッチを上記のいずれの組み合わせについても駆動するようにプログラムされている。アドレス可能ラッチによる電圧出力は、CMOSゲート178への入力であり、図11の回路の単極複数投スイッチの各制御ライン182へ2つの電圧のうちの1つを提供する。例えば、本願発明の好適実施例において、単極複数投スイッチの制御ラインに与えられる電圧は、0ボルト又は−8ボルトのうちのいずれかであり、各スイッチのスローを、それぞれ、ターンオン及びターンオフする。従って、CMOSゲートがハイ状態のとき、NPNトランジスタ180がオンにバイアスされ、そして制御ライン182での出力電圧が−8ボルトDC供給源184に効果的に接続される。また、CMOSゲートがローのとき、トランジスタはオフにバイアスされ、そして出力182が抵抗R1を介してグラウンドに接続される。本願発明の好適実施例において、抵抗R1、R2、R3はそれぞれ1.6Kオームである。
FIG. 12 is a diagram showing a control circuit for controlling the microwave circuit of the second embodiment of MSETS. The control logic includes a number of addressable 8-bit latches 176 that are programmed to drive the single pole multiple throw switch of the circuit of FIG. 11 for any of the above combinations. The voltage output by the addressable latch is an input to the
従って、図11及び図12の回路は本願発明によるMSETSの第2実施例を含む。測定される挿入可能及び非挿入可能DUTの両方のためにVNAを校正するために、第2実施例は第1実施例と同じ様に用いられ得る。従って、本願発明に従う超広帯域校正キットは、第1ポートでオスのコネクタそして第2ポートでメスのコネクタを有する第1MSETSと、第1ポートでオスのコネクタそして第2ポートでメスのコネクタを有する第2MSETSと、ポートのそれぞれにオスのコネクタを有する第1アダプタと、ポートのそれぞれにメスのコネクタを有する第2アダプタと、MSETSの実施例のそれぞれを制御するためのソフトウエア・パッケージと、を含む。 Accordingly, the circuits of FIGS. 11 and 12 include a second embodiment of MSETS according to the present invention. In order to calibrate the VNA for both the insertable and non-insertable DUT being measured, the second embodiment can be used in the same way as the first embodiment. Accordingly, the ultra-wideband calibration kit according to the present invention includes a first MSETS having a male connector at the first port and a female connector at the second port, a first connector having a male connector at the first port and a female connector at the second port. 2MSETS, a first adapter having a male connector at each of the ports, a second adapter having a female connector at each of the ports, and a software package for controlling each of the MSETS embodiments. .
上記で説明した方法の両方において、散乱係数S11A、S21A、S22A、S12Aは、MSETSによって与えられるすべての考えられ得る状態に対して度量衡研究室で、MSETSの元の特徴付けの間に測定されなければならない。しかしながら、VNAの2ポート・システム的エラーを計算するために、MSETSによって与えられるすべての状態に対する、以下に説明する、これらの散乱係数が既知である必要のない別の方法がある。対照的に、VNAの各ポートにMSETSによって与えられる、3つの反射係数のみを最初に特徴付けし、VNAのすべてのシステム的エラー係数を計算することが可能である。 In both of the methods described above, the scattering coefficients S 11A , S 21A , S 22A , S 12A are measured in the metrology lab for all possible states given by MSETS during the original characterization of MSETS. Must be measured. However, to calculate the VNA's two-port systematic error, there is another way, described below, for which all these scattering coefficients need not be known for all states given by MSETS. In contrast, it is possible to first characterize only the three reflection coefficients given by MSETS to each port of the VNA and calculate all systematic error coefficients of the VNA.
ここで図13を参照する。VNAの2ポート・エラーが、散乱マトリクス200及び202によってモデル化されうる。このエラー散乱マトリクスの変数は式19において記述される。
Reference is now made to FIG. VNA two-port errors can be modeled by
ここで、e1 00、e2 00はポート1及びポート2の指向性であり、
e1 11、e2 11はポート1及びポート2のソース整合であり、
e1 01、e1 10、e2 01、e2 10はポート1及びポート2の反射トラッキングである。
Here, e 1 00 and e 2 00 are the directivity of
e 1 11 and e 2 11 are
e 1 01 , e 1 10 , e 2 01 , e 2 10 are reflection tracking of
MSETSの貫通状態の修正されていない透過マトリクスTmと、MSETSの実際の貫通状態に対する透過マトリクスTAは、式20で示される。
The unmodified transmission matrix T m for the MSETS penetration state and the transmission matrix T A for the actual MSETS penetration state are given by
透過マトリクスT1及びT2は、VNAの各ポートにMSETSによって与えられる3つの既知の反射係数から計算できる。MSETSの相反により、透過マトリクスTAはユニタリー行列式(unitary determinant)を有する。従って、式20は次のように書くことができる。
The transmission matrices T 1 and T 2 can be calculated from the three known reflection coefficients given by MSETS to each port of the VNA. The reciprocal of MSETS, transmission matrix T A has a unitary matrix equation (unitary determinant). Thus,
式16及び上記説明の境界条件を用いて、貫通接続の電気的長さを知る必要なく、正しい値のKが決定できる。貫通状態においてオペレーションするMSETSの実際の散乱マトリクスTAは、ここで、式22から計算できる。
Using
P=T1 -1TmT2と定め、貫通接続の実際の散乱マトリクス(SThru)が式23から計算できる。
By defining P = T 1 −1 T m T 2 , the actual scattering matrix (S Thru ) of the feedthrough can be calculated from
従って、VNAの2ポート・システム的エラーは、MSETSによって、VNAの各ポートへ、3つの既知の反射係数のみを与えることによって、計算される。VNAの2ポート・システム的エラーを完全に特徴付けするために、VNAに与えられるMSETSの透過係数又は反射係数に関して更なる知識(例えば貫通状態について)を必要としない。この方法の利点は、MSETSの6つの測定のみがオペレータによってこのMSETSの初期の特徴付けの間に度量衡実験室で行われる必要がある、ということである。これによって、行われる必要のある測定の回数及び記憶される必要のあるデータの数が減らされる。更に、この方法は、より簡単な挿入可能及び非挿入可能校正を与え、従って、より速い校正プロセスを与える。 Thus, the VNA's two-port systematic error is calculated by giving only three known reflection coefficients to each port of the VNA by MSETS. To fully characterize a VNA's two-port systematic error, no additional knowledge (eg, about penetration) is required regarding the transmission or reflection coefficient of the MSETS given to the VNA. The advantage of this method is that only six measurements of MSETS need to be made in the metrology laboratory during the initial characterization of this MSETS by the operator. This reduces the number of measurements that need to be made and the number of data that needs to be stored. In addition, this method provides a simpler insertable and non-insertable calibration, thus providing a faster calibration process.
上記に説明したMSETSの実施例は2ポートのVNAを校正するのに用いられる。しかしながら、複数のポート214、216、218、220、222、224をもつデバイス210を、図14に示すマルチポート・ネットワーク・アナライザ112’で測定する必要がある。従って、マルチポート・ネットワーク・アナライザ112’(MNA)(multiport metwork analyzer)のシステム的エラーを特徴付けする必要がある。図15において、MNAのシステム的エラーを校正するためのマルチポート・マルチステート電子転送標準212(MMETS)のブロック図が示されている。MMETSの利点は、複数の機械的な一次標準をMNAの各ポート214、216、218、220、222、224に接続する必要がない、ということである。そのかわりに、MMETSの複数のポート230、232、234、236、238、240の各々と、MNAの複数のポート214、216、218、220、222、224との間に1度の接続が確立され得る。次に、MNAのシステム的エラーは、MNAを一連の2ポートVNAとして分析することによって決定される。
The MSETS embodiment described above is used to calibrate a two-port VNA. However, the
ここで、図16を参照すると、MNAのシステム的エラーを決定するための、MNAの2ポート対のエラー・マトリクス242及び244、246及び248、250及び252が示されている。上記で説明されたように、MNAのすべてのシステム的エラーを計算するために、MNAの各ポート214、216、218、220、222、224にMMETS212の3つの既知の反射係数を、即ち、各2ポート対に対して合計6つの既知の反射係数を、与えるのみでよい。従って、どのような数のポートを有するどのようなDUTも、MNAをMMETSで校正した後に、MNAによって測定することができる。
Referring now to FIG. 16, MNA two-port
上記で説明されたすべての方法及び実施例において、ひとたびMSETSが度量衡実験室でVNA上で測定されると、それは他のベクトル・ネットワーク・アナライザによって校正標準として用いられる。従って、MSETSが度量衡実験室で測定された状態と同じ状態をそのポートで再生成することを続けることが望ましい。 In all the methods and examples described above, once the MSETS is measured on the VNA in a metrology laboratory, it is used as a calibration standard by other vector network analyzers. Therefore, it is desirable to continue to regenerate the MSETS at that port the same state as measured in the metrology laboratory.
従って、本願発明の特定的な実施例に従うと、本願発明の電子回路の長期的な温度の安定性を保証するためにMSETS内にヒータが提供される。好適な実施例に従うと、温度は、回路のための箱又は他の囲いの中に配置される加熱エレメントを用いて45°Cに固定される(示さず)。 Thus, according to a specific embodiment of the present invention, a heater is provided in the MSETS to ensure long-term temperature stability of the electronic circuit of the present invention. According to a preferred embodiment, the temperature is fixed at 45 ° C. (not shown) using a heating element placed in a box or other enclosure for the circuit.
本願発明の更なる特徴は、MSETSが、ここに参照として援用する係属中の出願第07/898204号に開示された実施例を用いてVNAの高パワーの校正を行うように用いられ得る、ということである。 A further feature of the present invention is that MSETS can be used to perform high power calibration of VNAs using the embodiments disclosed in pending application No. 07/898204, incorporated herein by reference. That is.
本願発明に従うとMSETSの更なる特徴は、MSETSが、特徴が既知であるので、VNAに加えて、他の装置とともに検証又は信頼のデバイスとして用いられ得る、ということである。例えば、このデバイスは、挿入可能MSETSを電源と電力メータ(power meter)との間に接続し、挿入可能MSETSを既知の複数の減衰値を通してステップを行い、そして、電力メータの読み取りがMSETSによって与えられる既知の減衰に従った電力の変化を反映するかどうかを見るために電力メータを読むことによって、電力メータの正確性を確かめるために用いられ得る。 According to the present invention, a further feature of MSETS is that MSETS can be used as a verification or trust device with other devices in addition to the VNA, since the features are known. For example, the device connects an insertable MSETS between a power source and a power meter, steps through the insertable MSETS through a plurality of known attenuation values, and a power meter reading is provided by the MSETS. Can be used to verify the accuracy of the power meter by reading the power meter to see if it reflects a change in power according to a known attenuation.
本願発明のMSETSの更に他の応用は、MSETSがある期間にわたって任意のRF器具使用における変化を監視するのに用いられ得る、ということである。例えば、VNAのシステム的エラーが、ある期間にわたって監視され得、そしてVNAの状態の表示として用いられ得る。より特定的には、本願発明のMSETSは、VNAのシステム的エラーを監視するために周期的に用いられ得、そして、VNAの動作性を監視するため且つVNAに何らかの問題が発生しているかどうかを検出するために、計算されたエラー係数が統計的に分析され得る。このデータは多くのやり方で集められ得る。例えば、オペレータが、MSETSにつながれたモデムをもつコンピュータを用いて電話線を通じて集めることができ、よって、VNAを、そのVNAが配置されている場所にいる必要なしに監視することを可能にする。この特徴の利点は、VNAの製造者がMSETSを診断及び予防メンテナンス・ツールとして用いることができ、よって、問題が発生するとそれら問題が検出されることを可能とし、そして、例えば、時間を損失することが大きな問題となる製造ラインにおいて、VNAのダウン時間を最小にする、ということである。また、データの収集は、遠隔のオペレータによるものである必要がなく、定例のメンテナンス・プログラムの一部として組織内で行うことができる。 Yet another application of the MSETS of the present invention is that MSETS can be used to monitor changes in any RF instrument usage over a period of time. For example, systematic errors in the VNA can be monitored over a period of time and used as an indication of VNA status. More specifically, the MSETS of the present invention may be used periodically to monitor VNA systematic errors, and whether VNA is experiencing any problems to monitor VNA operability. The calculated error coefficient can be statistically analyzed to detect. This data can be collected in many ways. For example, an operator can collect over a telephone line using a computer with a modem connected to MSETS, thus allowing the VNA to be monitored without having to be at the location where the VNA is located. The advantage of this feature is that VNA manufacturers can use MSETS as a diagnostic and preventive maintenance tool, thus allowing problems to be detected when problems occur and, for example, time is lost This is to minimize the down time of the VNA in the production line. Also, data collection need not be by a remote operator and can be done within the organization as part of a regular maintenance program.
図17を参照すると、VNAを制御し校正する方法のフローチャートが示されている。まず、ユーザは、図4に示されたようなコンピュータ16に、DUTの測定が行われるための周波数を入力する(ステップ28)。次に、周波数は、校正が行われるべき周波数で決定するために、予め測定された挿入可能の校正のネットワークの周波数と、相互に関連される(ステップ30)。次に、校正を行うために、その周波数をVNAにロードすることによってVNAがセット・アップされる(ステップ32)。次に、上記に説明された方法に従って、MSETSの測定が行われる(ステップ34)。ひとたび測定が終了すると、エラー・モデルのエラー項が計算される(ステップ36)。次に、それらのエラー項が、測定されるDUTのための適当な周波数に改変するために用いられる(ステップ38)。次に、VNAはその初期状態に回復され(ステップ40)、そしてMSETSが接続を解かれ得、DUTが測定のために接続され得る。
Referring to FIG. 17, a flowchart of a method for controlling and calibrating the VNA is shown. First, the user inputs a frequency for DUT measurement into the
一実施例において、制御ルーチンが、挿入可能MSETS14及びVNA12と相互接続を有するコンピュータ16(図4)によって提供される。例えば、モデル8510ヒューレットパッカード・ネットワーク・アナライザが用いられ、そしてコンピュータがライン18を経由してIEEE−488標準コネクタを用いる標準ポートに相互接続される。しかしながら、上記で説明したように、制御ルーチンとコンピュータ機能とを直接に2ポートMSETS14に組み込むか、又はVNA12に別に提供することができる。
In one embodiment, the control routine is provided by a computer 16 (FIG. 4) that is interconnected with
本願発明のMSETSの他の応用は、これを、VNAのための自己校正回路48を導出するためにVNAテスト・セットの内部に配置できることである。図18を参照すると、2つの本質的に同一のMSETS50及び52がVNAのカプラ54、55、56、57のうしろに配置され、VNAテスト・セットのポート1及びポート2に反射係数を与えるように制御される。また、これらMSETSは、VNAのカプラ54、55、56、57のまえに配置することもできる。この実施例では、2つのMSETSを一度校正して、その後にこの2つのMSETSを自己校正VNAとして用いることが可能である。即ち、最初に自己校正VNAを特徴付けすることが可能であり、次に、その後に、単に自己校正VNAのポート1とポート2との間に貫通接続を行うことによって、VNAが用いられる各回にVNAを自己校正することが可能である。
Another application of the MSETS of the present invention is that it can be placed inside a VNA test set to derive a self-
自己校正VNAの実施例は、校正するのが特に困難である任意の媒体上のDUTを測定するのに用いられるフレキシブル・ネットワーク・アナライザとして、特に都合がよい。例えば、自己校正VNAを、オンウエハ(on-wafer)測定のためのVNAを校正するのに用いることができる。これは、単に、VNAのポートに結合されるオンウエハ・プローブを校正標準の貫通の部分に置き、VNAを以下に説明する自己校正ルーチンをとおして走らせることによって行われる。即ち、自己校正VNAは、オンウエハかつ固定物の測定のためのVNAを校正する、冗長でしばしば大変困難な、仕事を除くために用いられる。 The self-calibrating VNA embodiment is particularly advantageous as a flexible network analyzer used to measure DUT on any medium that is particularly difficult to calibrate. For example, a self-calibrating VNA can be used to calibrate a VNA for on-wafer measurement. This is done by simply placing an on-wafer probe coupled to the port of the VNA in the penetration portion of the calibration standard and running the VNA through a self-calibration routine described below. That is, self-calibrating VNAs are used to eliminate the redundant, often very difficult work of calibrating VNAs for on-wafer and stationary measurements.
図18を参照する。自己校正VNAを特徴付けするための最初の校正の手順が、デバイスの基準面58で校正を行うことによってなされる。これは、各MSETSを通して低損失条件を確立するために、各MSETSのすべてのPINダイオードをリバース・バイアスすることによってなされる。次に、信号源68からの信号が、スイッチ62の適当な位置を選択することによってポート1に与えられる。出力MSETSのPINダイオードは、異なるインピーダンスについて、ステップを通して行うために、フォワード・バイアスされる。出力MSETS52によって与えられた多種のインピーダンスからの結果としての反射係数は、デバイスの基準面58で測定され、それによって、出力MSETS52を特徴付けする。
Please refer to FIG. The initial calibration procedure for characterizing the self-calibrating VNA is done by performing calibration at the
同様に、入力MSETS50が、出力MSETSのすべてのPINダイオードをリバース・バイアスし、RF信号をポート2に送るようにスイッチ62の位置を切り換え、入力MSETS50のPINダイオードを多種のインピーダンスを通してステップを進めてデバイスの基準面58で反射係数を測定することによって、特徴付けされる。
Similarly, input MSETS 50 reverse biases all PIN diodes of output MSETS, switches the position of
上記で説明された校正ステップにより、ひとたび自己校正VNAが最初に特徴付けされると、次に、MSETSが、VNAのポート1又は2に何度も接続をしたり接続を解いたりする必要なしに、また人間の介在の必要なしに、VNAを自己校正するために以下に説明されるステップに従って多種のインピーダンスを通してステップを進めることができる。上記で最初に特徴付けたように、自己校正VNAの自己校正手順のステップは、一実施例に従うと以下のようである。
Once the self-calibrating VNA is first characterized by the calibration steps described above, the MSETS then need not connect and disconnect from the
(1)VNAのポート1とポート2との間に貫通接続を確立し、(2)出力MSETS52によって与えられる3つのインピーダンスを測定することによって、指向性EDF、ソース整合ESF及び反射トラッキングERFのエラー項をポート1で決定し、(3)これらインピーダンスS11Aの既知の初期値を基にかつ上記で説明した式2を用いてエラー項を計算する。
(1) Establish a feedthrough connection between
次に、(4)入力MSETSを最初に特徴付けされた多種の既知のインピーダンスを通してステップを進め、そして上記で説明したようにエラー項を計算するために式4を用いることによって、デバイスの基準面58で与えられる反射係数を測定することによって、指向性EDR、ソース整合ESR及び反射トラッキングERRのエラー項をポート2で決定する。
Next, (4) step the input MSETS through the various known impedances initially characterized, and use
次に、(5)入力MSETSと出力MSETSの両方のPINダイオードをすべてリバース・バイアスし、そして上記で説明した式9及び式10を用いることによって、フォワードELFとリバースELRの負荷整合エラー項を決定する。式9及び式10において、S11A=S22A=0及びS21A=S12A=1である。なぜなら、いま、MSETSのかわりに、VNAのポート間に貫通接続があるからである。
Next, (5) reverse bias all the input MSETS and output MSETS PIN diodes, and determine the forward ELF and reverse ELR load matching error terms by using
次に、(6)両方のMSETSのすべてのPINダイオードがリバース・バイアスで、フォワードS21M及びリバースS12Mの透過係数を測定する。ここで、フォワード分離EXF及びリバース分離EXRを除いて、式11及び式12のすべてのパラメータが知られる。このネットワーク・アナライザの技術において、エラー項EXF及びEXRの計算をわざわざせず、また、VNAのポート1とポート2との間の分離状態の測定をわざわざしないのが慣例である。従って、項EXF及びEXRは0にセットされ得、そして、フォワード透過トラッキングETF係数及びリバース透過トラッキングETR係数が、式11及び式12を用いて計算され得る。
Next, (6) measure the forward S 21M and reverse S 12M transmission coefficients with all PIN diodes in both MSETS reverse biased. Here, all parameters of
また、ポート1とポート2との間の分離の測定が、ポート1とポート2との間の貫通接続を解き、入力MSETS及び出力MSETSのすべてのPINダイオードをリバース・バイアスすることによって、行われる。次に、以前に説明した式7及び式8を用いてエラー項EXF及びEXRが計算できる。エラー項EXF及びEXRが知られると、式11及び式12を用いてエラー項ETF及びETRが計算できる。即ち、すべてのエラー項が、図18に示した実施例で計算され得る。更に、DUTの測定を行うためにポート1とポート2との間のケーブルの接続が解かれるべきであるので、上記で説明した技術は別のステップを必要としない。
Also, the measurement of isolation between
図19は、図18の実施例に関して上記で説明したのと同じ様式で利用され得るVNAのための自己校正回路60別の実施例である。しかし、VNAのポート1及びポート2が信号源68からの配線67に接続されたスロー63及び65に接続されるように構成された単極双投スイッチ64及び66を用い、従来の校正技術を利用する初期の校正が行われるところが異なる。入力MSETS72及び出力MSETS70は、それぞれ、50オームの値をもつ整合された終端Rを経由してグラウンド27に接続される。その後、上記のステップを用いて自己校正ルーチンが行われる。そこにおいては、単極双投スイッチは、既知のインピーダンスを確立するのに用いられるMSETSに接続される。言い換えると、単極双投スイッチ62のスロー73が、信号源68に接続され、単極双投スイッチ64の極65が、出力MSETS70(スロー75)に接続され、出力MSETSネットワーク70の特徴付けをするようにする。同様に、単極双投スイッチ62のスイッチ73が、信号源68に接続され、単極双投スイッチ66の極63が、入力MSETS72(スロー77)に接続され、入力MSETS72の特徴付けをするようにする。その後、図18の実施例に関して上記で説明したステップを用いて自己校正ルーチンが行われる。
FIG. 19 is another embodiment of a self-
本願発明の複数の実施例を上記で説明したが、それらは例示的なものであって本願発明を制限するものではなく、単なる例として示されたものであることが、当業者には明らかである。多数の変更及び他の実施例が当業者の考える範囲にあり、それらは本願の請求項によって定めた本願発明の範囲に含まれると考えられる。 While several embodiments of the present invention have been described above, it will be apparent to those skilled in the art that they are exemplary and not limiting of the present invention and are provided merely as examples. is there. Numerous modifications and other embodiments are within the scope of those skilled in the art and are considered to be within the scope of the present invention as defined by the claims of this application.
12、112 ベクトル・ネットワーク・アナライザ
14 マルチステート電子転送標準
16 コンピュータ制御装置
18 データ・ライン
20 メモリ
22 制御ライン
23 インターフェース(図4)、制御信号(図6)
24 キーボード
25 マイクロ波回路
27 グラウンド
33 バイアス供給部
50、72 入力MSETS
52、70 出力MSETS
58 基準面
60 自己校正回路
62 スイッチ
63、65、155、157、166、168 スイッチの極
64、66、154、156 単極双投スイッチ
67 配線
68 信号源
73、75、77、138、140、142、144、146、148、150、152、158、160、162、164 スイッチのスロー
100、102、104、106、108、110、120、122、124、126、128、130、132、134、136、138、140、142 校正標準(図1、図2、図3)
112’ マルチポート・ネットワーク・アナライザ
114、116 ベクトル・ネットワーク・アナライザ112のポート
120、122、124、126、130、132 コネクタ(図8、図9、図10)
128、144 アダプタ
134、136 単極四投スイッチ
154 伝送ライン
170、172 ポート
176 アドレス可能8ビットラッチ
178 CMOSゲート
180 NPNトランジスタ
182 制御ライン
184 DC供給源
200、202 散乱マトリクス
210 デバイス
212 マルチポート・マルチステート電子転送標準
214、216、218、220、222、224 マルチポート・ネットワーク・アナライザのポート
230、232、234、236、238、240 マルチポート・マルチステート電子転送標準のポート
242、244、246、248、250、252 エラー・マトリクス
A、B、C 基準面
B0〜B15 信号ライン
B01〜B151、B02〜B152 出力制御ライン
C1、C2、C3、C4〜C19、C20〜C35 キャパシタ
D1〜D16 PINダイオード
J0 接続
J1〜J16 制御ライン接続
L1 RFコイル・インダクタ
L2〜L17 RFコイル
R1、R2、R3 抵抗
T1〜T17 マイクロストリップ伝送ライン
U1、U2、U7 ダーリントン・トランジスタ・アレー
U3、U4、U5、U6 抵抗ネットワーク
12, 112
24
52, 70 output MSETS
58
112 '
128, 144
Claims (36)
少なくとも1つの基準面に対して前記ネットワーク・アナライザを校正するために複数の状態を生成するマルチステート転送標準を備え、前記複数の状態は、校正手順の間の前記ネットワーク・アナライザの何れかのポートへの更なる校正標準の機械的な接続または接続解除の制限を受けずに生成される、
校正デバイス。 A calibration device comprising at least a first port that can be coupled to a port of a network analyzer,
A multi-state transfer standard for generating a plurality of states to calibrate the network analyzer against at least one reference plane, wherein the plurality of states are any port of the network analyzer during a calibration procedure Generated without the restrictions of mechanical connection or disconnection of further calibration standards to,
Calibration device.
前記マルチステート転送標準の少なくとも第1ポートは、前記ネットワーク・アナライザの前記第1ポートおよび前記第2ポートの1つに常置的に結合され、
前記マルチステート転送標準の第2ポートは、整合した負荷に常置的に結合され、自己校正ネットワーク・アナライザを提供する、
校正デバイス。 A calibration device according to claim 16, comprising:
At least a first port of the multi-state transfer standard is permanently coupled to one of the first port and the second port of the network analyzer;
The second port of the multi-state transfer standard is permanently coupled to a matched load to provide a self-calibrating network analyzer;
Calibration device.
第2マルチステート転送標準は第1ポート及び第2ポートを含み、
前記第2マルチステート転送標準の第1ポートは、前記ネットワーク・アナライザの前記第1ポートおよび前記第2ポートの1つに常置的に結合され、
前記第2マルチステート転送標準の第2ポートは、整合した負荷に常置的に結合される、
校正デバイス。 A calibration device according to claim 17,
The second multi-state transfer standard includes a first port and a second port;
A first port of the second multi-state transfer standard is permanently coupled to one of the first port and the second port of the network analyzer;
The second port of the second multi-state transfer standard is permanently coupled to a matched load;
Calibration device.
第1ポートおよび第2ポートを有し、該第1ポートおよび該第2ポートのそれぞれがオスのコネクタを有する第1アダプタ、および
第1ポートおよび第2ポートを有し、該第1ポートおよび該第2ポートのそれぞれがメススのコネクタを有する第2アダプタであって、挿入可能なデバイスおよび挿入不可能なデバイスの両方を校正する校正キットを構成する第2アダプタ
と組み合わせた校正デバイス。 The calibration device according to claim 3,
A first adapter having a first port and a second port, each of the first port and the second port having a male connector, and having a first port and a second port, the first port and the second port; A calibration device in combination with a second adapter, each of the second ports having a female connector, comprising a calibration kit that calibrates both insertable and non-insertable devices.
マルチステート転送標準を用いて、前記ネットワーク・アナライザの前記第1ポートおよび前記第2ポートの何れかへの更なる校正標準の機械的な接続または接続解除の制限を受けずに、少なくとも1つの基準面に対して前記ネットワーク・アナライザを校正するために複数の状態を生成するステップと、
前記ネットワーク・アナライザを用いて、前記複数の状態を測定するステップと、
前記複数の状態の測定を基にして校正係数を導出するステップと、
を備える方法。 A method for calibrating a network analyzer having at least a first port and a second port, comprising:
Using a multi-state transfer standard, at least one reference without being restricted by mechanical connection or disconnection of further calibration standards to either the first port or the second port of the network analyzer Generating a plurality of states to calibrate the network analyzer against a surface;
Measuring the plurality of states using the network analyzer;
Deriving calibration coefficients based on measurements of the plurality of states;
A method comprising:
複数の複素反射係数と、
低損失透過接続と、
高分離状態と
を生成するステップを含む、方法。 23. The method of claim 22, wherein the step of generating a plurality of states comprises
Multiple complex reflection coefficients,
Low loss transparent connection,
Generating a high separation state.
少なくとも3つの既知の反射係数と、
既知の低損失透過接続と
を生成するステップを含む、方法。 23. The method of claim 22, wherein the step of generating a plurality of states comprises
At least three known reflection coefficients;
Generating a known low loss transparent connection.
前記第1ポートおよび前記第2ポートへ3つの前もって知られた反射係数を与えるステップと、
前記第1ポートおよび前記第2ポートのそれぞれに未知の相反の貫通状態を与えるステップと
前記ネットワーク・アナライザを用いて、前記3つの前もって知られた反射係数と前記貫通状態とを測定するステップと、
前記貫通状態のアンラップされた位相を評価するステップと、
前記ネットワーク・アナライザの校正係数を計算するステップと、
を備える方法。 A method for calibrating a network analyzer having at least a first port and a second port, comprising:
Providing three known reflection coefficients to the first port and the second port;
Providing an unknown reciprocal penetration state for each of the first port and the second port; and using the network analyzer, measuring the three previously known reflection coefficients and the penetration state;
Evaluating the unwrapped phase of the penetration state;
Calculating a calibration factor for the network analyzer;
A method comprising:
前記ネットワーク・アナライザの位相の偏角を周波数の関数としてアンラップし、アンラップされた偏角を生じさせるステップと、
前記アンラップされた偏角を多項式にあてはめるステップと、
前記貫通状態の正しい位相シフトを生じさせるために、零に最も近い前記多項式のDC項を選択するステップと
を備える、方法。 35. The method of claim 34, wherein the step of evaluating the penetrating unwrapped phase comprises:
Unwrapping the network analyzer phase declination as a function of frequency to produce an unwrapped declination;
Applying the unwrapped declination to a polynomial;
Selecting the DC term of the polynomial closest to zero to produce a correct phase shift of the feedthrough state.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US6654393A | 1993-05-24 | 1993-05-24 | |
US08/156,277 US5467021A (en) | 1993-05-24 | 1993-11-22 | Calibration method and apparatus |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6110015A Division JPH07198767A (en) | 1993-05-24 | 1994-05-24 | Method and device for electronic constitution |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004333684A Division JP2005099038A (en) | 1993-05-24 | 2004-11-17 | Electronic calibration apparatus and method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005049358A true JP2005049358A (en) | 2005-02-24 |
Family
ID=34277910
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004303475A Withdrawn JP2005049358A (en) | 1993-05-24 | 2004-10-18 | Electronic calibrating apparatus and method |
JP2004333684A Withdrawn JP2005099038A (en) | 1993-05-24 | 2004-11-17 | Electronic calibration apparatus and method |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004333684A Withdrawn JP2005099038A (en) | 1993-05-24 | 2004-11-17 | Electronic calibration apparatus and method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP2005049358A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102539936A (en) * | 2010-12-13 | 2012-07-04 | 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 | Attenuation measuring method |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI487920B (en) * | 2010-11-08 | 2015-06-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | A method for measuring attenuation |
JP6338078B1 (en) * | 2017-01-05 | 2018-06-06 | 中国電力株式会社 | Energy meter inspection device |
-
2004
- 2004-10-18 JP JP2004303475A patent/JP2005049358A/en not_active Withdrawn
- 2004-11-17 JP JP2004333684A patent/JP2005099038A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102539936A (en) * | 2010-12-13 | 2012-07-04 | 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 | Attenuation measuring method |
CN102539936B (en) * | 2010-12-13 | 2015-12-02 | 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 | Measure the method for decay |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005099038A (en) | 2005-04-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5467021A (en) | Calibration method and apparatus | |
US5434511A (en) | Electronic microwave calibration device | |
US6300775B1 (en) | Scattering parameter calibration system and method | |
US6882160B2 (en) | Methods and computer program products for full N-port vector network analyzer calibrations | |
US6853198B2 (en) | Method and apparatus for performing multiport through-reflect-line calibration and measurement | |
Rumiantsev et al. | VNA calibration | |
KR0173490B1 (en) | Pulse-based impedance measurement instrument | |
US7777497B2 (en) | Method and system for tracking scattering parameter test system calibration | |
US7107170B2 (en) | Multiport network analyzer calibration employing reciprocity of a device | |
US6960920B2 (en) | Method for correcting measurement error and electronic component characteristic measurement apparatus | |
US6650123B2 (en) | Methods for determining characteristics of interface devices used with vector network analyzers | |
US7064555B2 (en) | Network analyzer calibration employing reciprocity of a device | |
JPH11326413A (en) | Measurement error correcting method in network analyzer | |
JPH03181870A (en) | Multiport error model correction | |
JP2006201172A (en) | Method and apparatus for performing minimum connection multiport through-reflect-line calibration and measurement | |
US7113891B2 (en) | Multi-port scattering parameter calibration system and method | |
JP3668136B2 (en) | Multiport device analysis apparatus and analysis method and calibration method for multiport device analysis apparatus | |
US10365345B1 (en) | Calibration device for use with measurement instruments | |
US6571187B1 (en) | Method for calibrating two port high frequency measurements | |
JP2005049358A (en) | Electronic calibrating apparatus and method | |
JP6389354B2 (en) | Total network characteristic measuring method and apparatus | |
Hiebel | Vector network analyzer (VNA) calibration: the basics | |
DeGroot et al. | Equivalent circuit models for coaxial OSLT standards | |
Gantner et al. | An Efficient Pico-Probe Error Box Removal Method | |
Yates | RF Switch Considerations for Automatic Test Equipment Making Vector Measurements |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041117 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060418 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20060714 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060720 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061018 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070511 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070518 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20071213 |