JP2005048286A - Cover assembly for crucible used for evaporation of raw material - Google Patents

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Luc Struye
リュック・ストリュイエ
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent spot errors or pits, resulting in uneven deposit of phosphors or scintillators. <P>SOLUTION: An assembly comprises two plates or covers, one of which being an outermost plate or cover, and both, at least in part having a perforation pattern over a surface area covering an open side of a crucible having a bottom and surrounding sidewalls containing raw materials, wherein the outermost cover is mounted at a distance farther from the crucible than the cover covering the open side of a crucible, and wherein both covers are mounted versus each other, so that, when viewed through an axis in a direction perpendicular to the bottom of the crucible from a distance to the outermost cover of at least 10 times the distance between the two plate or covers, its contents cannot be observed. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は原材料からの燐光体又はシンチレータ材料の不均一な蒸着に対する解決策に関し、それによって加熱されたるつぼに存在する液化原材料の吐き出しによる前記燐光体又はシンチレータの不均一な蒸着を生じる“スポットエラー”又は“ピット”を避けるものである。   The present invention relates to a solution for the non-uniform deposition of phosphor or scintillator material from the raw material, thereby causing a “spot error” resulting in non-uniform deposition of said phosphor or scintillator due to the discharge of liquefied raw material present in a heated crucible. "Or" pit "is avoided.

物理蒸着(PVD)並びに化学蒸着(CVD)技術では、特別に設計された電気加熱るつぼの使用に加えて均一な燐光体又はシンチレータ被覆組成及び全表面にわたる均一な層厚さの蒸着を与える要因は例えばEP出願No.03100723(2003年3月20日出願)及び04101138(2004年3月19日出願)に記載されているように基体の位置における蒸気クラウドのプロファイルを決定する距離と関連する。   In physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD) techniques, in addition to the use of specially designed electric heated crucibles, the factors that provide uniform phosphor or scintillator coating composition and uniform layer thickness deposition over the entire surface are For example, EP Application No. Related to the distance determining the profile of the vapor cloud at the location of the substrate as described in 03100723 (filed 20 March 2003) and 04101138 (filed 19 March 2004).

るつぼと基体の間の最短距離の平均値は好ましくは5〜10cmの範囲である。この距離が大きすぎると材料の損失及びプロセスの低下した収率に導き、一方この距離が小さすぎると基体の極めて高い温度に導くだろう。   The average value of the shortest distance between the crucible and the substrate is preferably in the range of 5-10 cm. If this distance is too large, it will lead to material loss and reduced process yields, while if this distance is too small it will lead to very high temperatures of the substrate.

しかしながら、加熱容器中に存在する液化原材料の吐き出しによる燐光体又はシンチレータの不均一な蒸着を生じる“スポットエラー”又は“ピット”を避けるために注意を払うべきである:表面における望ましくない不均一性の物理的存在に加えて、スピード又は感度の差は診断像形成に使用するためのスクリーン、プレート又はパネルとしてのその使用に負担を与えるかもしれない。特にそれらの燐光体がシンチレータとして直接放射線写真に、即発燐光体として増感スクリーンに又はコンピュータ放射線写真(CR)に使用される刺激性燐光体として貯蔵パネルに使用するために好適であるときにそうである。   However, care should be taken to avoid “spot errors” or “pits” that result in non-uniform deposition of phosphors or scintillators due to the discharge of liquefied raw materials present in the heated vessel: undesirable non-uniformities at the surface In addition to its physical presence, differences in speed or sensitivity may strain its use as a screen, plate or panel for use in diagnostic imaging. In particular when those phosphors are suitable for use in direct radiographs as scintillators, intensifying screens as prompt phosphors or as stimulating phosphors used in computer radiography (CR) for storage panels. It is.

それゆえ本発明の目的は前記シンチレータ又は燐光体材料を支持体上に蒸発及び蒸着するために、特に蒸着チャンバー内を真空条件でCVD又はPVD技術を適用しながら、作られるべき燐光体又はシンチレータのための基体又は支持体に望ましくない“スポット”又は“ピット”が達するのを防止するためのツールを提供することである。   The object of the present invention is therefore to evaporate and deposit the scintillator or phosphor material on a support, in particular of the phosphor or scintillator to be produced while applying CVD or PVD technology under vacuum conditions in the deposition chamber. It is to provide a tool for preventing unwanted “spots” or “pits” from reaching the substrate or support.

上述の有利な効果は出発材料として原材料を含有する加熱されたるつぼと組み合わされたカバーの特別なアセンブリを利用することによって実現され、前記アセンブリは請求項1に述べられた特徴を有する。本発明の好ましい例の特徴は従属請求項に述べられている。   The abovementioned advantageous effect is realized by utilizing a special assembly of the cover combined with a heated crucible containing the raw materials as starting material, said assembly having the features set out in claim 1. The features of preferred embodiments of the invention are set out in the dependent claims.

本発明のさらなる利点及び具体例は以下の記述から明らかになるだろう。   Further advantages and embodiments of the present invention will become apparent from the following description.

スポットがウェブ、基体又は支持体に達するのを避けるための一つの方法は容器、トレー、ボート又はるつぼに対して、前記るつぼの周囲縁によって支持されかつ前記るつぼを少なくとも部分的にカバーする金属ラスターを与えることである。   One way to avoid the spot reaching the web, substrate or support is for a container, tray, boat or crucible supported by the peripheral edge of the crucible and at least partially covering the crucible. Is to give.

カバー及びるつぼの材料組成は物理的影響に対して抵抗性を有するべきであり、その材料は耐火材料であるべきであることは明らかである。望ましい耐火材料はMo,Nb,Ta及びWからなる材料の群から選択される。耐火カバー材料として使用するために好適な材料の究極の選択はほとんどそのマニュテンション(manutention)に依存する。なぜならばカバーは蒸発される原材料の容器、ボート又はるつぼ上へのカバーとして使用するために好適であるために所望の形にもたらされるべきだからである(例えばいわゆる“ニップ領域”又はローラ又は他の“平滑化手段”又は“曲げ手段”における所望の厚さのプレートの折り曲げ又は弯曲による変形)。   Obviously, the material composition of the cover and crucible should be resistant to physical influences and the material should be a refractory material. The preferred refractory material is selected from the group of materials consisting of Mo, Nb, Ta and W. The ultimate choice of material suitable for use as a refractory cover material is largely dependent on its manu- mentation. This is because the cover should be brought into the desired shape to be suitable for use as a cover on the container of raw material to be evaporated, boat or crucible (eg a so-called “nip area” or roller or other Deformation by bending or bending a plate of a desired thickness in “smoothing means” or “bending means”).

さらに、るつぼ又はボートに含まれる原材料だけが冷却された基体支持体上に後で蒸発及び蒸着されるために、設計された高いプロセス温度(少なくとも300℃、より好ましくは少なくとも450℃、さらには700〜900℃)で溶融すべきことは明らかである。るつぼに含まれる原材料及びるつぼ材料の例えば“混合溶融”結晶の形成は明らかに認識されるべきではない。なぜならば蒸着された層におけるるつぼ材料の存在は望ましくない汚染の源であるからである。物理的に不活性であることに加えて、カバー材料並びにるつぼ材料は化学的に不活性であるべきであること、接触する原材料とるつぼ材料の間の化学反応が不可能であるべきであることは明らかであり、そうでなければ冷却された基体上への蒸着化合物の組成は制御下にないだろうし、かかる制御できない組成に加えて、蒸着された層の均一性も制御外であるだろう。   Furthermore, because only the raw materials contained in the crucible or boat are later evaporated and deposited on the cooled substrate support, the designed high process temperature (at least 300 ° C, more preferably at least 450 ° C, even 700 ° C). It is clear that it should melt at ˜900 ° C.). The formation of raw materials contained in the crucible and for example “mixed melt” crystals of the crucible material should not be clearly recognized. This is because the presence of crucible material in the deposited layer is a source of undesirable contamination. In addition to being physically inert, the cover material as well as the crucible material should be chemically inert and that no chemical reaction between the raw material and the crucible material in contact should be possible. Is obvious, otherwise the composition of the vapor deposition compound on the cooled substrate will not be under control, and in addition to such uncontrollable composition, the uniformity of the deposited layer will also be out of control. .

それらのスポット欠陥を避けるために最も有利な解決策を得るために様々な構成が利用可能である。極めて小さい穴が本発明によるるつぼをカバーするパネルに存在するときであっても、“スポットエラー”又は“ピット”は蒸着された層のパターンの均一性をなお妨げうる。そのための解決策は第一カバーよりるつぼから遠い距離で小さな穴を有する第二カバー(その表面にわたって同一の穴パターンを有するか否かにかかわらず)を装着することによって達成され、両表面に穴パターンを有する両カバーを装着した後、両カバーは穴が二つの最外プレート又はカバーの間の距離の少なくとも10倍の距離からるつぼの底部に垂直な方向から見たときに完全に互いに重なることが決してないように位置される。   Various configurations are available to obtain the most advantageous solution to avoid those spot defects. Even when very small holes are present in the panel covering the crucible according to the invention, "spot errors" or "pits" can still hinder the uniformity of the pattern of the deposited layer. The solution for this is achieved by mounting a second cover (with or without the same hole pattern across its surface) with small holes at a distance farther from the crucible than the first cover, with holes on both surfaces. After mounting both covers with a pattern, they cover each other completely when viewed from the direction perpendicular to the bottom of the crucible from a distance of at least 10 times the distance between the two outermost plates or covers. Positioned so that there is never.

本発明によるアセンブリは二つのプレート又はカバーを含み、それらのうちの一つが最外プレート又はカバーであり、両方が少なくとも一部において、原材料を含有する底部及び周囲側壁を有するるつぼの開放側をカバーする表面領域上に穿孔パターンを有するものであり、前記最外カバーはるつぼの前記開放側をカバーする前記カバーより前記るつぼから遠い距離に装着されており、両カバーは前記二つのプレート又はカバーの間の距離の少なくとも10倍の前記最外カバーへの距離からるつぼの底部に垂直な方向の軸を通して見たときにその内容物を観察することができないように互いに対して装着される。他の言葉で表現すると、それらの穿孔又は穿孔パターン(しかし穿孔パターンとして現れるジグザグの耐火性金属構造を除外しない)、及びるつぼの底部はるつぼの底部によって形成される平面に垂直な方向から見たときに一本の線を決して形成しない。従って、るつぼ中の原材料は二つのプレート又はカバーの間の距離の少なくとも10倍の最外穿孔カバーからの距離から見たときに見えないままである。   The assembly according to the invention comprises two plates or covers, one of which is the outermost plate or cover, both covering at least partly the open side of the crucible having a bottom containing the raw material and a peripheral side wall. The outermost cover is mounted at a distance farther from the crucible than the cover covering the open side of the crucible, and both covers are the two plates or covers. Mounted relative to each other such that their contents cannot be observed when viewed through an axis perpendicular to the bottom of the crucible from a distance to the outermost cover of at least 10 times the distance between them. In other words, their perforation or perforation pattern (but not excluding the zigzag refractory metal structure that appears as perforation pattern), and the bottom of the crucible viewed from the direction perpendicular to the plane formed by the bottom of the crucible Sometimes never form a single line. Thus, the raw material in the crucible remains invisible when viewed from a distance from the outermost perforated cover at least 10 times the distance between the two plates or covers.

本発明の別の好ましい例では、両カバーはるつぼの底部に垂直な各軸のまわりに制限された目視角度下の方向で見たときで前記目視角度が5°から30°までの範囲であるとき、さらに再び二つの最外プレート又はカバー間の距離の少なくとも10倍の(最外穿孔プレート又はカバーからの)距離から見たとき、その内容物を観察することができないように互いに対して位置される。   In another preferred embodiment of the invention, the covers are in the range of 5 ° to 30 ° when viewed in a direction below a limited viewing angle about each axis perpendicular to the bottom of the crucible. Sometimes again, when viewed from a distance (from the outermost perforated plate or cover) of at least 10 times the distance between the two outermost plates or covers, their contents cannot be observed. Is done.

本発明によれば、前記二つのプレート又はカバーが平行に装着されるアセンブリが提供される。   According to the present invention, an assembly is provided in which the two plates or covers are mounted in parallel.

本発明による一つの例では、プレート又はカバーにおける穿孔パターンは1mm〜5mmの範囲の平均等価円直径、及び2mm〜10mmの範囲の等価円の中心間の平均距離を有する穿孔を持つ。“等価円直径”及び“等価円”の用語は穿孔の各形態を許容し、穿孔又は穿孔パターンの形から独立した方法で穿孔の寸法及び穿孔間の距離を規定するために導入された:“等価円直径”の用語はどのような穿孔であれ、その穿孔の表面積をそれに等価な円の表面積として表示し、それから計算した直径に関する。同じ円等価表面積から、穿孔間の平均距離を表示するために中心がとられる。穿孔又は穿孔パターンの形はジグザグ構造から又はその中で得られたときであっても、円、三角形、正方形、六角形(例えばハチの巣形)、又は別の多角形(それらに制限されない)であってよく、サイズが同一であってもそうでなくてもよい。従って、るつぼと最も接近して接触するプレートについて、例えば最外プレートの中心に大きなサイズを有し側壁の近くに小さなサイズを有する穿孔及び例えばその逆の穿孔は本発明のアセンブリの構成において有利でありうる。本発明によれば、アセンブリ中の穿孔プレート又はカバーの間の最短距離は1mm〜20mmの範囲、より好ましくは5mm〜10mmの範囲である。   In one example according to the invention, the perforation pattern in the plate or cover has perforations having an average equivalent circle diameter in the range of 1 mm to 5 mm and an average distance between the centers of the equivalent circles in the range of 2 mm to 10 mm. The terms “equivalent circle diameter” and “equivalent circle” were introduced to allow each form of perforation and to define the size and distance between perforations in a manner independent of the shape of the perforations or perforation pattern: The term “equivalent circular diameter” refers to the diameter calculated from any perforation, displaying the surface area of the perforation as the equivalent surface area of the circle. From the same circular equivalent surface area, it is centered to display the average distance between perforations. The shape of the perforation or perforation pattern, even when obtained from or in a zigzag structure, is a circle, triangle, square, hexagon (eg, honeycomb), or another polygon (not limited to them) May be the same size or not. Thus, for a plate that is in closest contact with the crucible, for example, a perforation having a large size in the center of the outermost plate and a small size near the side wall and vice versa, for example, is advantageous in the construction of the assembly of the present invention. It is possible. According to the present invention, the shortest distance between perforated plates or covers in the assembly is in the range of 1 mm to 20 mm, more preferably in the range of 5 mm to 10 mm.

本発明による一つの例では、アセンブリは前記穿孔が前記二つのプレートの両方に対して同一であるように構成される。   In one example according to the present invention, the assembly is configured such that the perforations are the same for both of the two plates.

本発明による別の例では、アセンブリは前記穿孔が二つのプレートの両方に対して異なり、るつぼから遠い方のプレートが最も小さい穿孔を有するように構成される。   In another example according to the invention, the assembly is configured such that the perforations are different for both of the two plates and the plate farthest from the crucible has the smallest perforations.

本発明によるアセンブリのためのさらに別の例では、るつぼと最も接近して接触する穿孔されたプレートについて穿孔が最外プレートの中心に大きなサイズを有し、るつぼの側壁の近くに小さなサイズを有することが好ましい。   In yet another example for an assembly according to the invention, the perforation has a large size in the center of the outermost plate and a small size near the crucible sidewalls for the perforated plate that is in closest contact with the crucible. It is preferable.

本発明によるさらなる例によれば、前記アセンブリにおいて前記二つのカバー及び前記るつぼは同じ又は異なる耐火材料から作られ、前記耐火材料はタンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)、タングステン(W)及び耐熱性ステンレス鋼からなる群から選択される金属又は金属合金である。前記耐火材料はるつぼに対してと同じ又はそれとは異なる耐火材料であり、プレート又はカバーは前記るつぼの上に本発明によるアセンブリとして装着される。   According to a further example according to the invention, in the assembly the two covers and the crucible are made of the same or different refractory materials, which are tantalum (Ta), molybdenum (Mo), niobium (Nb), tungsten ( W) and a metal or metal alloy selected from the group consisting of heat-resistant stainless steel. The refractory material is the same or different refractory material as for the crucible and the plate or cover is mounted on the crucible as an assembly according to the invention.

閉鎖カバー又は“スロットカバー”として“非穿孔カバー”とも称される、穴又は他の穿孔パターンの全くないカバーは特に加熱中、本発明によるアセンブリの最外カバーとして存在することが好ましく、それによって本発明によるカバーアセンブリの最外カバーの穴をカバーする。従って、本発明によるアセンブリはさらに閉鎖カバーとして非穿孔カバーを与えられる。るつぼを最適な一定の高い温度にもたらす前に、かかるスロットカバーでるつぼをカバーすることが好ましい。前記温度は原材料を“定常状態流れ”で蒸発するためにるつぼ全体にわたって均一に分布されることが好ましい。   A cover without any holes or other perforation pattern, also referred to as a “non-perforated cover” as a closure cover or “slot cover”, is preferably present as the outermost cover of the assembly according to the invention, in particular during heating, whereby Cover the hole of the outermost cover of the cover assembly according to the present invention. Thus, the assembly according to the invention is further provided with a non-perforated cover as a closure cover. It is preferable to cover the crucible with such a slot cover before bringing the crucible to an optimal constant high temperature. The temperature is preferably distributed uniformly throughout the crucible to evaporate the raw material in a “steady state flow”.

いったん“スロットカバー”が除去されると、原材料の蒸発は基体への方向において連続的かつ均一な蒸気流を得るような方法で行われ、そこではガイドプレートが蒸発又は蒸着チャンバー内にさらに与えられ、それによって燐光体又はシンチレータ材料が蒸着されるべき領域をより明確に規定するために一以上の蒸気流を基体の方に案内する。従って、そらせ板の存在は基体上の蒸着領域を小さな区域に有利に制限し、かくして例えば蒸着チャンバーの壁上の如きシンチレータ又は燐光体材料の望ましくない蒸着を防止する。   Once the “slot cover” is removed, the evaporation of the raw material is performed in such a way as to obtain a continuous and uniform vapor flow in the direction to the substrate, where a guide plate is further provided in the evaporation or evaporation chamber. , Thereby guiding one or more vapor streams toward the substrate in order to more clearly define the region in which the phosphor or scintillator material is to be deposited. Thus, the presence of the deflector advantageously limits the deposition area on the substrate to a small area, thus preventing undesired deposition of scintillators or phosphor materials, such as on the walls of the deposition chamber.

特に蒸着プロセスでは、蒸発された原材料は数m/s、あるいはkm/sの範囲の速度で制御されない態様で液化又は溶融原材料混合物から逃避するかもしれない。   Especially in the vapor deposition process, the evaporated raw material may escape from the liquefied or molten raw material mixture in an uncontrolled manner at a rate in the range of a few m / s, or km / s.

前述のようなアセンブリを利用して蒸気相から蒸着されるアルカリ金属貯蔵型の好ましい燐光体は例えばUS−A 5736069に記載されているものである。   A preferred phosphor of the alkali metal storage type deposited from the vapor phase using an assembly as described above is, for example, as described in US Pat. No. 5,736,069.

そこには以下に与えられる一般式を有する燐光体が開示されている:
1+X.aM2+X′.bM3+X″:cZ
式中M1+はLi,Na,K,CsおよびRbからなる群から選択される少なくとも一つの構成要素であり、
2+はBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,Cu,Pb及びNiからなる群から選択される少なくとも一つの構成要素であり、
3+はSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Al,Bi,In及びGaからなる群から選択される少なくとも一つの構成要素であり、
ZはGa1+,Ge2+,Sn2+,Sb3+及びAs3+からなる群から選択される少なくとも一つの構成要素であり、
X,X′及びX″は同じであっても異なってもよく、各々はF,Br,Cl,及びIからなる群から選択されるハロゲン原子を表わし、0≦a≦1,0≦b≦1及び0<c≦0.2である。
There are disclosed phosphors having the general formula given below:
M 1+ X. aM 2+ X ′ 2 . bM 3+ X ″ 3 : cZ
Wherein M 1+ is at least one component selected from the group consisting of Li, Na, K, Cs and Rb,
M 2+ is at least one component selected from the group consisting of Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu, Pb and Ni,
M 3+ is selected from the group consisting of Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Bi, In, and Ga. At least one component,
Z is at least one component selected from the group consisting of Ga 1+ , Ge 2+ , Sn 2+ , Sb 3+ and As 3+ ,
X, X ′ and X ″ may be the same or different and each represents a halogen atom selected from the group consisting of F, Br, Cl, and I, and 0 ≦ a ≦ 1, 0 ≦ b ≦. 1 and 0 <c ≦ 0.2.

前述のような組成を有する燐光体又はシンチレータ層を持つ、スクリーン又はパネルに加えて、CsX:Eu刺激性燐光体(XはBr,Cl及びIからなる群から選択されるハロゲン化物を表す)を含有する燐光体スクリーン又はパネルが特に望ましい。   In addition to a screen or panel having a phosphor or scintillator layer having the composition described above, a CsX: Eu stimulable phosphor (X represents a halide selected from the group consisting of Br, Cl and I). A phosphor screen or panel containing is particularly desirable.

かかるスクリーン又はパネルを製造するための製造工程はWO 01/03156に記載されている。像シャープネスのためには針状Eu活性化アルカリ金属ハロゲン化物燐光体、特にEP−A 1113458に記載されたようなEu活性化CsBr燐光体スクリーンが好ましく、改良された感度のためにはEP−A 1217633のような前記燐光体のアニールが有利に実施され、前記アニール工程は基体上に蒸着されるような冷却された蒸着された混合物を80〜220℃の温度にもたらし、それをその温度で10分〜15時間維持することからなる。   Manufacturing processes for manufacturing such screens or panels are described in WO 01/03156. Acicular Eu-activated alkali metal halide phosphors are preferred for image sharpness, in particular Eu-activated CsBr phosphor screens as described in EP-A 111 13458, and EP-A for improved sensitivity. Annealing of the phosphor, such as 1217633, is advantageously performed, and the annealing step results in a cooled deposited mixture as deposited on the substrate at a temperature of 80-220 ° C., at which temperature 10 Consisting of maintaining for 15 minutes.

高い結晶化度はEP−A 1113458に示されたように特定のXRDスペクトルを与えるX線回折技術によって容易に分析される。それゆえCsBrとEuOBr及び/又はEuBrの混合物はるつぼ中の原材料混合物として与えられ、そこでは両原材料間の割合は通常約90重量%である。高い結晶化度はEP−A 1113458に示されたように特定のXRDスペクトルを与えるX線回折技術によって容易に分析される。 High crystallinity is easily analyzed by X-ray diffraction techniques that give specific XRD spectra as shown in EP-A 11113458. Therefore, a mixture of CsBr and EuOBr and / or EuBr 3 is provided as a raw material mixture in the crucible, where the ratio between the two raw materials is usually about 90% by weight. High crystallinity is easily analyzed by X-ray diffraction techniques that give specific XRD spectra as shown in EP-A 11113458.

それゆえCsBrとEuOBr及び/又はEuBrの混合物はるつぼ中の原材料混合物として与えられ、両原材料間の割合は約90重量%の安いCsBrと約10重量%の高価なEuOBrである。 Therefore, a mixture of CsBr and EuOBr and / or EuBr 3 is provided as a raw material mixture in the crucible, with the ratio between both raw materials being about 90% by weight cheap CsBr and about 10% by weight expensive EuOBr.

しかしながら、被覆(蒸発)温度の関数として組成に変化を生じずに低い材料及び製造コストに有利なように割合を適応できることが示された:99.5重量%のCsBr及び0.5重量%のEuOBr/EuBrの割合の原材料混合物のための高い蒸発温度は前のように(スピードに関して)同じ結果を与える。 However, it has been shown that the proportions can be adapted to favor low materials and manufacturing costs without causing a change in composition as a function of coating (evaporation) temperature: 99.5 wt% CsBr and 0.5 wt% The high evaporation temperature for the EuOBr / EuBr 3 ratio raw material mixture gives the same result (in terms of speed) as before.

かかる方法はより均一に分割された燐光体層及びより低い量のEuドーパントに明らかに導く。   Such a method clearly leads to a more evenly divided phosphor layer and a lower amount of Eu dopant.

少なくとも500−800p.p.m.(EP−A 1113458参照−本発明によるカバーされたるつぼアセンブリの不存在下で作られた燐光体層)に対して低量(即ち、100−200p.p.m.の範囲)のユウロピウムドーパントを有するCsBr:Eu2+燐光体のスクリーンがかくして利用可能になった。 At least 500-800 p. p. m. Low amounts (ie in the range of 100-200 pm) of europium dopant relative to (see EP-A 111 13458-a phosphor layer made in the absence of a covered crucible assembly according to the invention) Having a CsBr: Eu 2+ phosphor screen thus became available.

これらのデータは低量のユウロピウムドーパントの存在が同じスクリーンスピードに導くにもかかわらず、ドーパントのより均一な分布及び/又はより効率的な組み込みを示すことを示唆している。   These data suggest that despite the presence of low amounts of europium dopant leads to the same screen speed, it shows a more uniform distribution of dopant and / or more efficient incorporation.

それに対して1000p.p.m.から3000p.p.m.の範囲のドーパントの量を要求するスクリーンはドーパントが効率的に組み込まれているようではないことを示している。   In contrast, 1000 p. p. m. To 3000 p. p. m. Screens requiring amounts of dopant in the range indicate that the dopant does not appear to be incorporated efficiently.

EP−A 1113458の実施例CsBr:EuからスクリーンがCsBr及びEuOBr(及び/又はEuBr)の熱蒸着によって作られること及び蒸着プロセスにおける変数は基体温度とArガス圧であり、それはXRDスペクトルにおける[100]結晶面に対して特徴的に高い強度を有する針状結晶に導くことが認識される。 EP-A 111 13458 Example CsBr: From Eu the screen is made by thermal deposition of CsBr and EuOBr (and / or EuBr 3 ) and the variables in the deposition process are the substrate temperature and Ar gas pressure, which in the XRD spectrum [ 100] It is recognized that it leads to needle-like crystals with characteristically high strength with respect to the crystal plane.

実施例
本発明によるアセンブリを利用することは本発明の目的において考えられるような望ましくないスポットの形成又は“吐き出し”を避けるだけでなく、(3価Euドーパントを少量の無視できない量で最終的に含む針状CsBr:Eu2+燐光体について)ドーパントのより均一な分布に導く。
EXAMPLE Utilizing the assembly according to the present invention not only avoids unwanted spot formation or “spouting” as considered for the purposes of the present invention, but ultimately (trivalent Eu dopants in small non-negligible amounts). Containing acicular CsBr: Eu 2+ phosphor) leads to a more uniform distribution of dopants.

本発明のアセンブリにおいて、非穿孔最外カバーでアセンブリをカバーしながら、るつぼを最適で一定の高い温度(800℃)に加熱し、るつぼ全体にわたって均一に分布された前記温度を得て、さらに前記最外非穿孔カバーの除去後に均一な蒸気クラウドにおいて“定常流れ”で原材料(95:5の重量%の各割合のCsBrとEuOBr/EuBr)を蒸発するとき、るつぼから遠い穿孔されたカバー上で、蒸発中、針状結晶が(るつぼの壁と接触するカバーから5mmの距離に装着された)前記穿孔されたカバー上に中間“層”として形成されることが実験的に観察された。 In the assembly of the present invention, the crucible is heated to an optimal and constant high temperature (800 ° C.) while covering the assembly with a non-perforated outermost cover to obtain the temperature evenly distributed throughout the crucible, and On the perforated cover far from the crucible when evaporating the raw materials (95: 5 wt.% CsBr and EuOBr / EuBr 3 ) in a “steady flow” in a uniform vapor cloud after removal of the outermost non-perforated cover Thus, it was experimentally observed that during evaporation, acicular crystals formed as an intermediate “layer” on the perforated cover (mounted at a distance of 5 mm from the cover in contact with the crucible wall).

カバーの穿孔は10mmの中心間の距離で2mmの直径を有する円の形であった。前記中間層は一方の側ではるつぼに存在する蒸発原材料から連続的に供給され、他方の側では蒸着チャンバーへの蒸発によって連続的に消耗され、蒸発クラウドはちょうどEP出願No.03100723(2003年3月20日出願)及び04101138(2004年3月19日出願)に記載されているようにアルミニウム基体上に蒸着された。   The perforations in the cover were in the form of circles with a diameter of 2 mm with a center distance of 10 mm. Said intermediate layer is continuously fed from the evaporation raw material present in the crucible on one side and continuously consumed by evaporation to the deposition chamber on the other side, and the evaporation cloud is just EP application no. It was deposited on an aluminum substrate as described in 03100723 (filed 20 March 2003) and 04101138 (filed 19 March 2004).

かかる中間層が形成されるこの現象は中間“均一化層”の形成として理解され、それは臭化セシウムベース材料におけるユウロピウムドーパントのさらにより均一な混入を与え、それによって製造中に少ない高価なユウロピウムドーパント原材料を使用する可能性を与える。   This phenomenon of forming such an intermediate layer is understood as the formation of an intermediate “homogenization layer”, which gives even more uniform incorporation of europium dopant in the cesium bromide base material, thereby reducing the amount of expensive europium dopant during manufacture. Gives the possibility to use raw materials.

前記るつぼをカバーする二つの平行なプレートを有する本発明による改良されたアセンブリであって、前記プレートが加熱後液化原材料の“吐き出し”又は“噴き出し”を避けるために穿孔され前記るつぼ上に装着されるアセンブリを利用することに加えて、底部及び周囲側壁を有し、互いに対して対向して位置された側壁の外部部位に電極クランプを与え、前記部位が前記側壁にリップとして延び、前記クランプが前記るつぼを加熱するための電極と接続可能であるるつぼであって、るつぼ壁と電極クランプの間の前記リップの各々の横断面積が本特許出願と同日に提出された特許出願に開示されているように少なくとも5%減少されていることを特徴とするるつぼを利用し、それによって真空蒸着チャンバーにおいてるつぼをより均一に加熱する能力を与える。   An improved assembly according to the present invention having two parallel plates covering the crucible, wherein the plate is perforated and mounted on the crucible to avoid “spout” or “spout” of the liquefied raw material after heating. In addition to utilizing an assembly that provides a bottom and a peripheral sidewall, and provides an electrode clamp to an exterior portion of the sidewall that is positioned opposite to each other, the portion extending as a lip to the sidewall, A crucible connectable with an electrode for heating the crucible, wherein the cross-sectional area of each of the lips between the crucible wall and the electrode clamp is disclosed in a patent application filed on the same day as this patent application. Utilizing a crucible characterized by at least a 5% reduction, thereby making the crucible more uniform in the vacuum deposition chamber Give the heat capacity.

本発明はその好ましい例と関連して記載されているが、本発明をそれらの例に限定することを意図しないことは明らかであり、また特許請求の範囲に規定されたような本発明の範囲から逸脱せずに多数の変更をなしうることが当業者に明らかであるだろう。   While the invention has been described in connection with preferred examples thereof, it is manifestly not intended to limit the invention to those examples, and the scope of the invention as defined in the claims. It will be apparent to those skilled in the art that many changes can be made without departing from the invention.

Claims (4)

二つのプレート又はカバーを含むアセンブリであって、それらのうちの一つが最外プレート又はカバーであり、両方が少なくとも一部において、原材料を含有する底部及び周囲側壁を有するるつぼの開放側をカバーする表面領域上に穿孔パターンを有するものであり、前記最外カバーはるつぼの前記開放側をカバーする前記カバーより前記るつぼから遠い距離に装着されており、両カバーは前記二つのプレート又はカバーの間の距離の少なくとも10倍の前記最外カバーへの距離からるつぼの底部に垂直な方向の軸を通して見たときにその内容物を観察することができないように互いに対して装着されるアセンブリ。   An assembly comprising two plates or covers, one of which is an outermost plate or cover, both covering at least in part the open side of a crucible having a bottom containing material and a peripheral side wall The outermost cover has a perforated pattern on a surface region, and the outermost cover is mounted at a distance farther from the crucible than the cover covering the open side of the crucible, and both covers are between the two plates or covers. Assembly mounted relative to each other such that when viewed through an axis perpendicular to the bottom of the crucible from a distance to the outermost cover of at least 10 times the distance of 両カバーは前記二つのプレート又はカバーの間の距離の少なくとも10倍の前記最外カバーへの距離からるつぼの底部に垂直な各軸のまわりに制限された目視角度下の方向で見たときにその内容物を観察することができないように互いに対して装着される請求項1に記載のアセンブリ。   Both covers when viewed in a viewing angle direction limited around each axis perpendicular to the bottom of the crucible from a distance to the outermost cover at least 10 times the distance between the two plates or covers. The assembly of claim 1, mounted on each other such that its contents cannot be observed. 前記穿孔は前記二つのプレートの両方に対して同一であるか又は前記二つのプレートの両方に対して異なり、るつぼから遠い方のプレートがより小さな穿孔を有し、前記アセンブリは閉鎖カバーとして非穿孔カバーをさらに与えられる請求項1又は2に記載のアセンブリ。   The perforations are the same for both of the two plates or different for both of the two plates, the plate farther from the crucible has smaller perforations and the assembly is non-perforated as a closure cover Assembly according to claim 1 or 2, further provided with a cover. 前記二つのカバー、前記非穿孔閉鎖カバー及び前記るつぼは同じ又は異なる耐火材料から作られ、前記耐火材料はタンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)、タングステン(W)及び耐熱性ステンレス鋼からなる群から選択された金属又は金属合金である請求項3に記載のアセンブリ。   The two covers, the non-perforated closure cover and the crucible are made of the same or different refractory materials, the refractory materials being tantalum (Ta), molybdenum (Mo), niobium (Nb), tungsten (W) and heat resistant stainless steel. 4. The assembly of claim 3, wherein the assembly is a metal or metal alloy selected from the group consisting of steel.
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