JP2005011519A - Thin film magnetic head and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば浮上式磁気ヘッドなどに使用される記録用の薄膜磁気ヘッドに係り、特に狭トラック化と共に、ライトフリンジングの発生の防止と、磁気飽和の低減を図ることが可能な薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。 The present invention relates to a thin film magnetic head for recording used in, for example, a floating magnetic head, and more particularly to a thin film magnetic head capable of preventing write fringing and reducing magnetic saturation as well as narrowing a track. The present invention relates to a head and a manufacturing method thereof.
図12は、従来における薄膜磁気ヘッド(インダクティブヘッド)の構造を示す部分正面図、図13は、図12に示す13−13線から切断された薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部分断面図である。 FIG. 12 is a partial front view showing the structure of a conventional thin film magnetic head (inductive head), and FIG. 13 is a partial cross-sectional view of the thin film magnetic head cut along line 13-13 shown in FIG. is there.
図12及び図13に示す符号1は、パーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層であり、この下部コア層1の上に非磁性材料のギャップ層7が形成されている。
図13に示すように、前記ギャップ層7の上にはポリイミドやレジストなどで形成された有機絶縁層4を介してコイル層5が形成されている。
As shown in FIG. 13, a
また前記コイル層5の上には、ポリイミドやレジストなどの有機絶縁層6が形成され、さらに前記有機絶縁層6の上には、パーマロイなどの磁性材料製の上部コア層3が形成されている。
An
図12に示すように上部コア層3の先端部3aは、ギャップ層7を介して下部コア層1と対向し、前記先端部3aの幅寸法はトラック幅Twに規制されている。また前記上部コア層3の基端部3bは下部コア層1と磁気的に接続された状態になっている。
As shown in FIG. 12, the front end portion 3a of the upper core layer 3 faces the
図12および図13に示すインダクティブヘッドでは、コイル層5に記録電流が与えられると、下部コア層1及び上部コア層3に記録磁界が誘導され、前記上部コア層3の先端部3aと下部コア層1間からの洩れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。
ところで、今後の高記録密度化に伴い、狭トラック化を実現する必要がある。
前述したようにトラック幅Twは、上部コア層3の先端部3aの幅寸法により規制され(図12参照)、前記上部コア層3は、いわゆるフレームメッキ法により形成される。
By the way, it is necessary to realize a narrow track as the recording density increases in the future.
As described above, the track width Tw is regulated by the width of the tip 3a of the upper core layer 3 (see FIG. 12), and the upper core layer 3 is formed by a so-called frame plating method.
フレームメッキ法ではまず上部コア層3が形成されるべき面全面にレジスト層を塗布し、前記レジスト層に上部コア層3のパターンを露光現像により形成する。次に形成された前記パターン内に磁性材料をメッキ形成し前記レジスト層を除去すると図12及び図13に示す形状の上部コア層3が完成する。 In the frame plating method, a resist layer is first applied to the entire surface on which the upper core layer 3 is to be formed, and a pattern of the upper core layer 3 is formed on the resist layer by exposure and development. Next, when a magnetic material is plated in the formed pattern and the resist layer is removed, the upper core layer 3 having the shape shown in FIGS. 12 and 13 is completed.
ところで前記レジスト層の解像度は、露光現像の際に使用される波長に大きく関わり、前記波長を短くすると解像度を高めることができる。 By the way, the resolution of the resist layer is greatly related to the wavelength used in exposure and development, and the resolution can be increased by shortening the wavelength.
しかしながら当然に前記解像度には限界があり、上部コア層3の先端部3aの幅寸法で規制されるべきトラック幅Twを、前記解像度の限界値以下の寸法でパターン形成することはできない。よって図12及び図13に示す構造のインダクティブヘッドでは、今後のさらなる高記録密度化に伴い狭トラック化を実現することは難しい。 However, of course, the resolution has a limit, and the track width Tw to be regulated by the width dimension of the front end portion 3a of the upper core layer 3 cannot be patterned with a dimension less than the limit value of the resolution. Therefore, with the inductive head having the structure shown in FIGS. 12 and 13, it is difficult to realize a narrow track as the recording density further increases.
またトラック幅Twを小さくすることで、前記上部コア層3の先端部3aの体積が小さくなり、高記録周波数化に伴って磁気飽和の問題が顕著に現われ、記録特性の低下を招く。 Further, by reducing the track width Tw, the volume of the tip portion 3a of the upper core layer 3 is reduced, and the problem of magnetic saturation becomes conspicuous as the recording frequency is increased, leading to deterioration of recording characteristics.
さらに図12及び図13に示すインダクティブヘッドでは、下部コア層1と上部コア層3の先端部3a間で発生する漏れ磁界がトラック幅Tw内に納まらずにトラック幅Twからはみ出てしまう、いわゆるライトフリンジングの問題が発生し易い。
Further, in the inductive head shown in FIG. 12 and FIG. 13, a so-called write magnetic field in which a leakage magnetic field generated between the tip 3a of the
前記ライトフリンジングが発生すると、書き込まれた記録媒体でのトラック位置検出を高精度に行うことができず、トラッキングサーボエラーを引き起こし、記録特性を悪化させ易い。 When the write fringing occurs, track position detection on the written recording medium cannot be performed with high accuracy, and a tracking servo error is caused and the recording characteristics are easily deteriorated.
前記ライトフリンジングの発生は、図12に示すように下部コア層1の幅がトラック幅Twよりも延出して形成され、この延出した部分の下部コア層1と上部コア層3の先端部3aとの距離が短いことにより起こり易くなっている。
As shown in FIG. 12, the light fringing is generated by extending the width of the
ところで特開平10−143817号公報(特許文献1)では、上記したライトフリンジングの発生を効果的に防止したインダクティブヘッドの構造が開示されている。 By the way, Japanese Patent Laid-Open No. 10-143817 (Patent Document 1) discloses an inductive head structure that effectively prevents the occurrence of the above-described write fringing.
しかしながら上記公報に開示された発明では、図12に示すトラック幅Twよりも延出したギャップ層7を削る工程が必要なこと、さらに前記ギャップ層7を削ることにより露出した下部コア層1表面をイオンミリングで削り、下部コア層1と上部コア層3の先端部3aとの距離を離すことができながらもその際に、磁粉が前記先端部3a等の両側端面に付着し、この付着物を取り除く工程が必要になるなど、製造工程を煩雑化させる結果になる。
However, in the invention disclosed in the above publication, a step of cutting the
また上記公報に開示された発明では、依然として狭トラック化とともに磁気飽和防止を実現することはできない。 Further, in the invention disclosed in the above publication, it is still impossible to realize magnetic saturation prevention while reducing the track width.
本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、狭トラック化とともに、ライトフリンジングの発生の防止と磁気飽和を効果的に低減することができる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的としている。 The present invention is intended to solve the above-described conventional problems, and provides a thin film magnetic head capable of preventing the occurrence of write fringing and effectively reducing magnetic saturation as well as narrowing the track, and a method of manufacturing the same. The purpose is that.
本発明は、下部コア層及び上部コア層と、前記下部コア層と上部コア層との間に位置し且つ幅寸法が前記下部コア層及び上部コア層よりも短く規制されたトラック幅規制部とを有し、
前記トラック幅規制部は、下部コア層と連続する下部磁極層、上部コア層と連続する上部磁極層、および前記下部磁極層と前記上部磁極層間に位置するギャップ層とで構成され、あるいは前記トラック幅規制部は、上部コア層と連続する上部磁極層、および前記上部磁極層と下部コア層との間に位置するギャップ層とで構成され、
前記トラック幅規制部の両側に延びる下部コア層の上面には、トラック幅方向へ向けて前記トラック幅規制部から離れるにしたがって前記上部コア層との間隔が徐々に広がる傾斜面が形成されていることを特徴とするものである。
The present invention relates to a lower core layer and an upper core layer, and a track width restricting portion which is located between the lower core layer and the upper core layer and whose width dimension is restricted to be shorter than that of the lower core layer and the upper core layer. Have
The track width restricting portion includes a lower magnetic pole layer continuous with the lower core layer, an upper magnetic pole layer continuous with the upper core layer, and a gap layer located between the lower magnetic pole layer and the upper magnetic pole layer, or the track The width restricting portion includes an upper magnetic pole layer continuous with the upper core layer, and a gap layer positioned between the upper magnetic pole layer and the lower core layer,
On the upper surface of the lower core layer extending on both sides of the track width restricting portion, an inclined surface is formed in which the distance from the upper core layer gradually increases as the distance from the track width restricting portion increases in the track width direction. It is characterized by this.
上記のように本発明では、下部コア層と上部コア層との間に、トラック幅方向の幅寸法がトラック幅で規制されるトラック幅規制部が形成されている。前記トラック幅規制部内には、前記上部コア層と磁気的に接続された上部磁極層が形成されており、しかも本発明では、前記トラック幅規制部の両側から延びる下部コア層の上面には、前記上部コア層から離れる方向に傾斜する傾斜面が形成されているから、前記上部磁極層と下部コア層との距離は適切に離れ、ライトフリンジングの発生を効果的に防止することが可能になっている。 As described above, in the present invention, the track width regulating portion in which the width dimension in the track width direction is regulated by the track width is formed between the lower core layer and the upper core layer. In the track width restricting portion, an upper magnetic pole layer magnetically connected to the upper core layer is formed, and in the present invention, on the upper surface of the lower core layer extending from both sides of the track width restricting portion, Since an inclined surface that is inclined in a direction away from the upper core layer is formed, the distance between the upper magnetic pole layer and the lower core layer is appropriately separated, and the occurrence of write fringing can be effectively prevented. It has become.
また前記上部磁極層上に形成される上部コア層は、その幅寸法がトラック幅よりも大きい幅で形成されており、前記上部コア層の先端部付近における磁気飽和を適切に低減することができる。 Further, the upper core layer formed on the upper magnetic pole layer has a width dimension larger than the track width, and can appropriately reduce magnetic saturation in the vicinity of the tip of the upper core layer. .
さらに本発明では、後述する製造方法に示すように、トラック幅規制部の幅寸法(=トラック幅)を、レジストの露光現像の際に使用される波長の解像度以下の幅で形成することが可能であり、今後の高記録密度化に伴う狭トラック化を実現することができる。 Furthermore, in the present invention, as shown in the manufacturing method described later, the width dimension of the track width restricting portion (= track width) can be formed with a width equal to or smaller than the resolution of the wavelength used in the resist exposure and development. Thus, it is possible to realize narrowing of the track with the future increase in recording density.
また本発明では、前記トラック幅規制部の幅寸法により規制されるトラック幅は0.4μm以下であることが好ましい。この寸法は、レジストの露光現像の際にi線を使用した場合の解像度以下の数値である。またより好ましくは、前記トラック幅は0.2μm以下である。 In the present invention, it is preferable that the track width regulated by the width dimension of the track width regulating portion is 0.4 μm or less. This dimension is a numerical value equal to or lower than the resolution when i-line is used in the resist exposure and development. More preferably, the track width is 0.2 μm or less.
また本発明では、前記下部コア層の上面に形成された傾斜面のトラック幅方向に対する傾斜角度θ1は、2°以上で10°以下であることが好ましい。この範囲内であると、ライトフリンジングの発生を適切に抑制できる。また下部コア層のシールド機能を十分に保つことができる。 In the present invention, the inclination angle θ1 of the inclined surface formed on the upper surface of the lower core layer with respect to the track width direction is preferably 2 ° or more and 10 ° or less. Within this range, the occurrence of light fringing can be appropriately suppressed. In addition, the shielding function of the lower core layer can be sufficiently maintained.
または本発明は、トラック幅よりも大きい幅寸法を有する下部コア層及び上部コア層と、前記下部コア層と上部コア層との間に位置し且つ幅寸法がトラック幅に規制されたトラック幅規制部とを有し、
前記トラック幅規制部は、下部コア層と連続する下部磁極層、上部コア層と連続する上部磁極層、および前記下部磁極層と前記上部磁極層間に位置するギャップ層とで構成され、あるいは前記トラック幅規制部は、上部コア層と連続する上部磁極層、および前記上部磁極層と下部コア層との間に位置するギャップ層とで構成され、
前記トラック幅規制部で規制されるトラック幅が、0.4μm以下であることを特徴とするものである。
Alternatively, the present invention provides a lower core layer and an upper core layer having a width dimension larger than the track width, and a track width restriction that is positioned between the lower core layer and the upper core layer and the width dimension is restricted to the track width. And
The track width restricting portion includes a lower magnetic pole layer continuous with the lower core layer, an upper magnetic pole layer continuous with the upper core layer, and a gap layer located between the lower magnetic pole layer and the upper magnetic pole layer, or the track The width restricting portion includes an upper magnetic pole layer continuous with the upper core layer, and a gap layer positioned between the upper magnetic pole layer and the lower core layer,
The track width regulated by the track width regulating unit is 0.4 μm or less.
上記したように、下部コア層と上部コア層との間には、トラック幅方向の幅寸法がトラック幅に規制されたトラック幅規制部が形成されている。そして前記上部コア層の幅寸法はトラック幅よりも大きい幅寸法で形成されているので、前記上部コア層の先端部付近の体積は大きくなり磁気飽和を適正に低減することができる。 As described above, between the lower core layer and the upper core layer, the track width restricting portion in which the width dimension in the track width direction is restricted to the track width is formed. Since the upper core layer is formed with a width larger than the track width, the volume near the tip of the upper core layer is increased, and magnetic saturation can be reduced appropriately.
また本発明では後述する製造方法で示すように、前記トラック幅規制部の幅寸法(=トラック幅)を、レジストの露光現像の際に使用される波長の解像度以下の幅寸法で形成することができる。 Further, in the present invention, as shown in the manufacturing method described later, the width dimension (= track width) of the track width restricting portion may be formed with a width dimension equal to or smaller than the resolution of the wavelength used in the resist exposure and development. it can.
特に本発明では、前記トラック幅を0.4μm以下で形成しており、この寸法は、露光現像の際の波長にi線を使用した場合の解像度の限界値以下の寸法である。なおより好ましくは、前記トラック幅は、0.2μm以下である。 In particular, in the present invention, the track width is formed to be 0.4 μm or less, and this dimension is a dimension that is less than the limit value of the resolution when i-line is used for the wavelength during exposure and development. More preferably, the track width is 0.2 μm or less.
また本発明では、前記トラック幅規制部の両側に延びる下部コア層の上面には、トラック幅方向へ向けて前記トラック幅規制部から離れるにしたがって前記上部コア層との間隔が徐々に広がる傾斜面が形成されていることが好ましい。 Further, in the present invention, the upper surface of the lower core layer extending on both sides of the track width restricting portion is an inclined surface in which the distance from the upper core layer gradually increases as the distance from the track width restricting portion increases in the track width direction. Is preferably formed.
前記トラック幅規制部内には、上部コア層と磁気的に接続する上部磁極層が形成されているが、上記構成により前記上部磁極層と下部コア層との距離が適切に離れ、ライトフリンジングの発生を効果的に抑制することが可能になる。 An upper magnetic pole layer that is magnetically connected to the upper core layer is formed in the track width restricting portion. With the above configuration, the distance between the upper magnetic pole layer and the lower core layer is appropriately increased, and write fringing is performed. Generation | occurrence | production can be suppressed effectively.
また本発明では、前記下部コア層の上面に形成された傾斜面のトラック幅方向に対する傾斜角度θ1は、2°以上で10°以下であることが好ましい。 In the present invention, the inclination angle θ1 of the inclined surface formed on the upper surface of the lower core layer with respect to the track width direction is preferably 2 ° or more and 10 ° or less.
また本発明では、前記トラック幅規制部の高さ寸法は、2μm以上で3μm以下であることが好ましい。この範囲内であると、下部コア層と上部磁極層との距離は適切に離れ、ライトフリンジングの発生を抑制でき、また上部磁極層の高さ寸法も高くでき、高記録密度化の下においても磁気飽和に達し難くなる。しかも前記高さ寸法内であると、トラック幅規制部を容易に形成しやすいといった利点もある。 In the present invention, the height dimension of the track width restricting portion is preferably 2 μm or more and 3 μm or less. If it is within this range, the distance between the lower core layer and the upper magnetic pole layer is appropriately increased, the occurrence of write fringing can be suppressed, and the height of the upper magnetic pole layer can be increased. It becomes difficult to reach magnetic saturation. Moreover, within the height dimension, there is an advantage that the track width restricting portion can be easily formed.
また本発明では、前記ギャップ層は、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されていることが好ましく、前記非磁性金属材料は、NiP、NiPd、NiW、NiMo、Au、Pt、Rh、Pd、Ru、Crのうち1種または2種以上から選択されたものであることが好ましい。 In the present invention, the gap layer is preferably formed of a nonmagnetic metal material that can be plated. The nonmagnetic metal material includes NiP, NiPd, NiW, NiMo, Au, Pt, Rh, Pd, It is preferable that it is selected from one or more of Ru and Cr.
また本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
(a)下部コア層上にレジスト層を形成し、前記レジスト層に、所定の幅寸法で且つ記録媒体との対向面からハイト方向に向けて所定の長さ寸法の溝を形成する工程と、
(b)前記溝内に、下部磁極層、非磁性のギャップ層ならびに上部磁極層を順に積層したトラック幅規制部、あるいは非磁性のギャップ層ならびに上部磁極層を順に積層したトラック幅規制部、を形成する工程と、
(c)前記レジスト層を除去する工程と、
(d)前記トラック幅規制部のトラック幅方向の両側面を削って、前記トラック幅規制部の幅寸法をトラック幅に規制する工程と、
(e)前記トラック幅規制部の両側に延びる下部コア層の上面に、前記トラック幅規制部から離れるにしたがって前記上部コア層との間隔が徐々に広がる傾斜面を形成する工程と、
(f)前記トラック幅規制部上に、前記トラック幅よりも大きい幅寸法を有する上部コア層を形成する工程と、
を有することを特徴とするものである。
The method of manufacturing the thin film magnetic head in the present invention is as follows.
(A) forming a resist layer on the lower core layer, and forming a groove having a predetermined width dimension and a predetermined length dimension in a height direction from a surface facing the recording medium in the resist layer;
(B) A track width restricting portion in which a lower magnetic pole layer, a nonmagnetic gap layer, and an upper magnetic pole layer are sequentially laminated in the groove, or a track width restricting portion in which a nonmagnetic gap layer and an upper magnetic pole layer are sequentially laminated. Forming, and
(C) removing the resist layer;
(D) cutting both side surfaces of the track width restricting portion in the track width direction to restrict the width dimension of the track width restricting portion to the track width;
(E) forming an inclined surface on the upper surface of the lower core layer extending on both sides of the track width restricting portion so that the distance from the upper core layer gradually increases as the distance from the track width restricting portion increases;
(F) forming an upper core layer having a width dimension larger than the track width on the track width regulating portion;
It is characterized by having.
上記のように本発明では、まず下部コア層上にレジスト層を塗布し前記レジスト層に、トラック幅規制部のパターンを露光現像により形成する。前記トラック幅規制部となるべきパターンの幅寸法は、露光現像の際の光源の波長に大きく係り、例えばi線(波長=365nm)を使用した場合には、前記幅寸法を約0.4μm程度にまで小さく形成することができる。 As described above, in the present invention, a resist layer is first applied on the lower core layer, and a pattern of the track width restricting portion is formed on the resist layer by exposure and development. The width dimension of the pattern to be the track width restricting portion largely depends on the wavelength of the light source at the time of exposure and development. For example, when i-line (wavelength = 365 nm) is used, the width dimension is about 0.4 μm. Can be made as small as possible.
しかしながら上記0.4μmという数値は、i線を使用した場合の解像度の限界値であり、0.4μmよりも小さい幅を前記レジスト層に形成することはできない。 However, the numerical value of 0.4 μm is a resolution limit value when i-line is used, and a width smaller than 0.4 μm cannot be formed in the resist layer.
そこで本発明では、上記したレジスト層のパターン内にトラック幅規制部を形成した後、前記トラック幅規制部のトラック幅方向における両側端面を削り、前記トラック幅規制部の幅寸法(=トラック幅)をさらに小さくしている。これにより例えば前記レジスト層に形成されたパターンの幅寸法が、露光現像の際に使用されたi線の解像度の限界である0.4μm程度であった場合には、トラック幅規制部の幅寸法を0.4μm以下で形成することが可能になる。このように本発明によれば、トラック幅規制部の幅寸法(=トラック幅)を、i線の解像度以下の幅寸法で形成することができる。 Therefore, in the present invention, after the track width restricting portion is formed in the pattern of the resist layer, both end faces in the track width direction of the track width restricting portion are shaved, and the width dimension of the track width restricting portion (= track width) Is even smaller. Thereby, for example, when the width dimension of the pattern formed on the resist layer is about 0.4 μm which is the limit of the resolution of the i-line used in exposure and development, the width dimension of the track width restricting portion Can be formed at 0.4 μm or less. Thus, according to the present invention, the width dimension (= track width) of the track width restricting portion can be formed with a width dimension equal to or less than the resolution of the i line.
また本発明では、前記トラック幅規制部の両側から延びる下部コア層の上面に、前記トラック幅規制部から離れるに従って徐々に下部コア層の膜厚が小さくなるように傾斜する傾斜面を形成する工程を含み、これによりライトフリンジングの発生を適切に防止することができる。 In the present invention, the step of forming an inclined surface on the upper surface of the lower core layer extending from both sides of the track width restricting portion so that the film thickness of the lower core layer gradually decreases as the distance from the track width restricting portion increases. Thus, the occurrence of light fringing can be appropriately prevented.
さらに本発明では、トラック幅規制部を構成する上部磁極層上に、トラック幅よりも大きい幅寸法を有する上部コア層を、例えばフレームメッキ法等で形成することで、前記上部コア層の先端付近における体積を大きくすることができ、磁気飽和を適切に低減することが可能である。 Further, in the present invention, an upper core layer having a width dimension larger than the track width is formed on the upper magnetic pole layer constituting the track width restricting portion by, for example, a frame plating method, so that the vicinity of the tip of the upper core layer is formed. The volume at can be increased, and magnetic saturation can be appropriately reduced.
また本発明では、イオンミリング法を使用して、前記(d)のトラック幅規制部の幅寸法を規制する工程と、前記(e)の傾斜面を形成する工程とを、同時に行うことが好ましい。これにより製造方法を簡素化することができる。 In the present invention, it is preferable that the step of regulating the width dimension of the track width regulating portion of (d) and the step of forming the inclined surface of (e) are simultaneously performed using an ion milling method. . Thereby, a manufacturing method can be simplified.
本発明では、前記イオンミリングの際におけるイオン照射角度θ2は、トラック幅規制部の高さ方向と平行な方向に対して、45°以上で75°以下の傾きを有していることが好ましく、より好ましくは、前記イオン照射角度θ2は、55°以上で70°以下である。 In the present invention, the ion irradiation angle θ2 at the time of the ion milling preferably has an inclination of 45 ° or more and 75 ° or less with respect to a direction parallel to the height direction of the track width regulating portion. More preferably, the ion irradiation angle θ2 is not less than 55 ° and not more than 70 °.
上記のイオン照射角度θ2を有することで、後述する実験結果に示すように、上部磁極層の高さ寸法を極端に減らすことなく、トラック幅を小さくすることができる。それと同時に、イオン照射角度に上記の傾きを持たせることで、下部コア層の上面に傾斜面を容易に形成することが可能である。 By having the ion irradiation angle θ2 described above, the track width can be reduced without drastically reducing the height dimension of the upper magnetic pole layer, as shown in the experimental results described later. At the same time, it is possible to easily form an inclined surface on the upper surface of the lower core layer by giving the above-described inclination to the ion irradiation angle.
また本発明では、前記(d)の工程で、トラック幅規制部で規制されるトラック幅を0.4μm以下に形成することが好ましい。 In the present invention, it is preferable that in the step (d), the track width regulated by the track width regulating portion is formed to 0.4 μm or less.
上記したように、トラック幅を0.4μm以下で形成することにより、レジストの露光現像の際にi線を使用した場合における現像度の限界値よりも、トラック幅を小さい値にすることができる。より好ましくは、前記トラック幅を0.2μm以下に形成する。 As described above, by forming the track width to 0.4 μm or less, the track width can be made smaller than the limit value of the degree of development when i-line is used for resist exposure and development. . More preferably, the track width is 0.2 μm or less.
また本発明では、前記(e)工程で、前記下部コア層の上面に形成される傾斜面を、トラック幅方向に対して2°以上で10°以下の傾斜角度θ1を有して形成することが好ましい。 In the present invention, in the step (e), the inclined surface formed on the upper surface of the lower core layer is formed with an inclination angle θ1 of 2 ° or more and 10 ° or less with respect to the track width direction. Is preferred.
上記のトラック幅を0.4μm以下で形成すること、及び下部コア層の上面に形成される傾斜面を、トラック幅方向に対して2°以上で10°以下の傾斜角度θ1を有して形成することは、イオンミリングの際のイオン照射角度θ2を、45°以上で75°以下とすれば達成することが可能である。 The track width is formed to be 0.4 μm or less, and the inclined surface formed on the upper surface of the lower core layer is formed with an inclination angle θ1 of 2 ° to 10 ° with respect to the track width direction. This can be achieved by setting the ion irradiation angle θ2 during ion milling to 45 ° or more and 75 ° or less.
また本発明では、トラック幅規制部を構成するギャップ層を磁極層と共にメッキ形成することが好ましい。これにより磁極層及びギャップ層を連続メッキにて形成することができる。 In the present invention, the gap layer constituting the track width restricting portion is preferably formed by plating together with the pole layer. Thereby, the pole layer and the gap layer can be formed by continuous plating.
なおギャップ層を形成するメッキ形成可能な非磁性金属材料を、NiP、NiPd、NiW、NiMo、Au、Pt、Rh、Pd、Ru、Crの中から1種または2種以上選択することが好ましい。 In addition, it is preferable to select one or more kinds of nonmagnetic metal materials capable of plating for forming the gap layer from NiP, NiPd, NiW, NiMo, Au, Pt, Rh, Pd, Ru, and Cr.
本発明によれば、下部コア層と上部コア層との間に幅寸法がトラック幅Twに規制されたトラック幅規制部を有し、特に本発明における製造方法を用いれば、前記トラック幅規制部の幅寸法(=トラック幅Tw)を、レジストを露光現像する際に使用される波長の解像度以下の寸法で形成することができる。これにより狭トラック化を図ることができる。 According to the present invention, the track width restricting portion whose width dimension is restricted by the track width Tw is provided between the lower core layer and the upper core layer. The width dimension (= track width Tw) can be formed with a dimension smaller than the resolution of the wavelength used when the resist is exposed and developed. As a result, the track width can be reduced.
また本発明では、トラック幅Twに規制されたトラック幅規制部上に、前記トラック幅Twよりも大きい幅寸法を有する上部コア層を形成でき、これにより前記上部コア層の体積を大きくできるから、磁気飽和の発生を効果的に低減することができる。 Further, in the present invention, the upper core layer having a width dimension larger than the track width Tw can be formed on the track width restriction portion restricted by the track width Tw, and thereby the volume of the upper core layer can be increased. Generation of magnetic saturation can be effectively reduced.
さらに本発明では、トラック幅規制部の両側から延びる下部コア層の上面に、前記トラック幅規制部から離れる方向に向かって傾斜する傾斜面を形成しているので、前記下部コア層と、トラック幅規制部を構成する上部磁極層との距離を適切に離すことができ、ライトフリンジングの発生を適切に防止することができる。 Furthermore, in the present invention, the lower core layer extending from both sides of the track width restricting portion is formed with an inclined surface that is inclined toward the direction away from the track width restricting portion. The distance from the upper magnetic pole layer constituting the restricting portion can be appropriately separated, and the occurrence of write fringing can be prevented appropriately.
以上により本発明によれば、今後のさらなる高記録密度化にも対向可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to manufacture a thin film magnetic head that can be opposed to further higher recording density.
また本発明における製造方法では、レジストを用いてトラック幅規制部を形成した後、前記トラック幅規制部の両側端面をイオンミリングにより削ることによって前記トラック幅規制部の幅寸法を、レジストを露光現像する際に使用される波長の解像度以下の寸法で形成できると同時に、前記イオンミリングを用いれば下部コア層の上面への傾斜面の形成工程をも行うことができる。これにより製造工程を、簡素化することが可能である。 In the manufacturing method according to the present invention, after forming the track width restricting portion using a resist, both side end surfaces of the track width restricting portion are shaved by ion milling, and the width dimension of the track width restricting portion is exposed and developed. In addition, the ion milling can be used to form an inclined surface on the upper surface of the lower core layer. As a result, the manufacturing process can be simplified.
また前記イオンミリングの際のイオン照射角度θ2は45°以上で75°以下であることが好ましく、この範囲内であると、イオンミリングによる再付着の問題が起らず、前記ラック幅Twを、0.4μm以下、より好ましくは0.2μm以下にでき、しかも下部コア層10の上面に2°以上で10°以下の傾斜角度θ1を有する傾斜面を形成できる。
Further, the ion irradiation angle θ2 at the time of the ion milling is preferably 45 ° or more and 75 ° or less, and within this range, the problem of reattachment due to ion milling does not occur, and the rack width Tw is An inclined surface having an inclination angle θ1 of 2 ° or more and 10 ° or less can be formed on the upper surface of the
図1は、本発明における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図2は図1に示す2−2線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部分断面図である。 FIG. 1 is a partial front view showing the structure of a thin film magnetic head according to the present invention, and FIG. 2 is a partial sectional view of the thin film magnetic head cut from line 2-2 shown in FIG.
図1に示す薄膜磁気ヘッドは、記録用のインダクティブヘッドであるが、本発明では、このインダクティブヘッドの下に、磁気抵抗効果を利用した再生用ヘッド(MRヘッド)が積層されていてもよい。 The thin film magnetic head shown in FIG. 1 is an inductive head for recording. In the present invention, a reproducing head (MR head) using a magnetoresistive effect may be laminated below the inductive head.
図1及び図2に示す符号10は、例えばパーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層である。なお、前記下部コア層10の下側に再生用ヘッドが積層される場合、前記下部コア層10とは別個に、磁気抵抗効果素子をノイズから保護するシールド層を設けてもよいし、あるいは、前記シールド層を設けず、前記下部コア層10を、前記再生用ヘッドの上部シールド層として機能させてもよい。
図1に示すように、下部コア層10の上には、トラック幅Twで形成されたトラック幅規制部14が形成されている。前記トラック幅Twは、0.4μm以下で形成されることが好ましい。またより好ましくは0.2μm以下である。
As shown in FIG. 1, a track
本発明では、前記トラック幅規制部14の幅寸法、すなわちトラック幅Twを、後述する製造方法によって、レジストを露光現像する際に使用される波長の解像度以下の幅寸法で形成することができる。上記0.4μmという数値は、レジストに露光現像によりパターンを形成する際に、i線を使用した場合の解像度の限界値であり、本発明によれば、i線の解像度以下の寸法にてトラック幅Twを規制することができる。
In the present invention, the width dimension of the track
図1および図2に示す実施例では、前記トラック幅規制部14は、下部磁極層11、ギャップ層15、および上部磁極層12の3層膜の積層構造で構成されている。以下、前記磁極層11、12およびギャップ層15について説明する。
In the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the track
図1および図2に示すように、前記下部コア層10上には、トラック幅規制部14の最下層となる下部磁極層11がメッキ形成されている。前記下部磁極層11は、下部コア層10と磁気的に接続されており、前記下部磁極層11は、前記下部コア層10と同じ材質でも異なる材質で形成されていてもどちらでもよい。また単層膜でも多層膜で形成されていてもどちらでもよい。
As shown in FIGS. 1 and 2, a lower magnetic pole layer 11 that is the lowest layer of the track
また図1及び図2に示すように、前記下部磁極層11上には、非磁性のギャップ層15が積層されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, a
本発明では、前記ギャップ層15は、非磁性金属材料で形成されて、下部磁極層11上にメッキ形成されることが好ましい。なお本発明では、前記非磁性金属材料として、NiP、NiPd、NiW、NiMo、NiRh、Au、Pt、Rh、Pd、Ru、Crのうち1種または2種以上を選択することが好ましく、前記ギャップ層15は、単層膜で形成されていても多層膜で形成されていてもどちらであってもよい。
In the present invention, the
次に前記ギャップ層15上には、後述する上部コア層16と磁気的に接続する上部磁極層12がメッキ形成されている。なお前記上部磁極層12は、上部コア層16と同じ材質で形成されていてもよいし、異なる材質で形成されていてもよい。また単層膜でも多層膜で形成されていてもどちらでもよい。
Next, an upper
上記したようにギャップ層15が、非磁性金属材料で形成されていれば、下部磁極層11、ギャップ層15および上部磁極層12を連続してメッキ形成することが可能になる。
As described above, if the
また上記したように、トラック幅規制部14を構成する下部磁極層11および上部磁極層12は、それぞれの磁極層が磁気的に接続されるコア層と同じ材質でも異なる材質で形成されてもどちらでもよいが、記録密度を向上させるためには、ギャップ層15に対向する下部磁極層11および上部磁極層12は、それぞれの磁極層が磁気的に接続されるコア層の飽和磁束密度よりも高い飽和磁束密度を有していることが好ましい。このように下部磁極層11および上部磁極層12が高い飽和磁束密度を有していることにより、ギャップ近傍に記録磁界を集中させ、記録密度を向上させることが可能になる。
Further, as described above, the lower magnetic pole layer 11 and the upper
また図1に示すように、前記トラック幅規制部14の高さ寸法はH1で形成されている。例えば一例として、下部磁極層11の膜厚は0.4μm程度、ギャップ層15の膜厚は0.2μm程度、上部磁極層12の膜厚は2μm程度である。
As shown in FIG. 1, the height dimension of the track
前記トラック幅規制部14の高さ寸法H1は、2.0μm以上で3.0μm以下で形成されることが好ましい。また前記高さ寸法H1は、2.3μm以上で2.5μm以下で形成されることがより好ましい。
The height H1 of the track
前記高さ寸法内であると、下部コア層10と上部磁極層12との距離を適切に離すことができ、ライトフリンジングの発生を抑制できる。また上部磁極層12の高さ寸法を高くでき、前記上部磁極層12の体積を大きくできるから、高記録密度化の下において、磁気飽和を抑制できる。
Within the height dimension, the distance between the
さらに前記トラック幅規制部14は後述するように、レジスト層に溝を形成し、この溝の中に各磁性層の金属材料をメッキすることによって形成されるが、前記トラック幅規制部14を上記の高さ寸法とすれば、前記レジスト層に所定形状及び所定寸法の溝を露光現像によって形成し易く、狭トラック化に対応可能な前記トラック幅規制部14を容易に形成することができる。
Further, as will be described later, the track
前記トラック幅規制部14は、図2に示すように、記録媒体との対向面(ABS面)からハイト方向(図示Y方向)に所定の長さ寸法にて形成されており、また前記下部コア層10上には、例えばレジストやポリイミドなどの有機絶縁材料で形成されたGd決め絶縁層17が形成されている。
As shown in FIG. 2, the track
前記Gd決め絶縁層17は、薄膜磁気ヘッドの電気特性に多大な影響を与えるギャップデプス(Gd)を規制するために設けられたものであり、前記ギャップデプスは、前記Gd決め絶縁層17の前端面からABS面までの長さ寸法によって決定される。なお前記Gd決め絶縁層17を設けることにより図2に示すように上部磁極層12のハイト方向(図示Y方向)における長さ寸法を長く形成することでき、前記上部磁極層12の体積を大きくできるから、磁気飽和の発生を防ぎ、記録特性を向上させることができるという利点もある。
The Gd determining insulating
ただし前記Gd決め絶縁層17を設けるか否かは任意であり、前記Gd決め絶縁層17を設けない場合は、前記トラック幅規制部14のハイト方向への長さ寸法にてギャップデプスが決定される。
However, whether or not to provide the Gd determining insulating
また図2に示すようにトラック幅規制部14の後端からハイト方向にかけて絶縁層18が形成されている。前記絶縁層18は、例えば無機材料で形成された無機絶縁層であり、前記無機材料には、Al2O3、SiN、SiO2から1種または2種以上が選択されることが好ましい。
Further, as shown in FIG. 2, an insulating
また図2に示すように、上部磁極層12と、後述する上部コア層16との接合面を基準平面Aとしたときに、前記絶縁層18の上面18aが前記基準平面Aと同一平面上に平坦化されて形成されていることが好ましい。
As shown in FIG. 2, the
そして本発明では図2に示すように、前記絶縁層18上にコイル層19が螺旋状にパターン形成されている。前記絶縁層18の上面18aは平坦化されているので、コイル層19を形成する際にパターン精度良く形成することができ、よって前記コイル層19の各導体部のピッチ間を狭くして形成することができる。
In the present invention, as shown in FIG. 2, a
各導体部のピッチ間を狭くできることにより、後述する上部コア層16のハイト方向における長さ寸法を短くでき、下部コア層10を経て形成される磁路長の短磁路化により、記録特性の向上を図ることができる。
Since the pitch between the conductor portions can be narrowed, the length dimension in the height direction of the
なお前記コイル層19は、導電性材料層とその上に積層された保護層とで構成されていることが好ましい。この場合、前記導電性材料層は、Cu、Auのうちのいずれか一方または両方の元素を含む単層構造または多層構造の非磁性導電層であり、前記保護層は、Ni、NiP、Pd、Pt、B、Auから選ばれる1種または2種以上の元素を含む単層構造または多層構造の非磁性導電層であることが好ましい。
The
上記保護層は、前記コイル層19がパターン形成された後前記コイル層19上に有機絶縁層20を形成する前に、前記コイル層19が大気中に曝されるときがあり、この際前記コイル層を酸化から防止するために設けられたものである。
The protective layer may be exposed to the atmosphere before the organic insulating
図2に示すように前記コイル層19上には、レジストやポリイミドなどの有機材料で形成された有機絶縁層20が形成されており、さらに前記有機絶縁層20上には、パーマロイなどの磁性材料で形成された上部コア層16が、フレームメッキ法などで形成されている。
As shown in FIG. 2, an organic insulating
図2に示すように前記上部コア層16の先端部16aは、上部磁極層12上に磁気的に接続して形成され、また基端部16bは、下部コア層10上に形成された磁性材料製の持ち上げ層(バックギャップ層)21上に磁気的に接続されて形成される。なお本発明では前記持ち上げ層21が形成されていなくてもかまわない。この場合前記上部コア層16の基端部16bは下部コア層10上に直接接して形成されることになる。
As shown in FIG. 2, the
図1および図2に示すインダクティブヘッドでは、コイル層19に記録電流が与えられると、下部コア層10及び上部コア層16に記録磁界が誘導され、トラック幅規制部14において、ギャップ層15を介して対向する下部磁極層11及び上部磁極層12間に漏れ磁界が発生し、この漏れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。
In the inductive head shown in FIGS. 1 and 2, when a recording current is applied to the
ところで本発明では、今後のさらなる高記録密度化に伴い狭トラック化と共に、ライトフリンジングの発生を適切に防止し、さらに磁気飽和を低減すべく、図1に示す構造のインダクティブヘッドを開発するに至った。 By the way, in the present invention, in order to develop an inductive head having the structure shown in FIG. 1 in order to appropriately prevent the occurrence of write fringing and to reduce magnetic saturation as the recording density is further increased in the future. It came.
図1に示すインダクティブヘッドでは、下部コア層10と上部コア層16との間に、トラック幅方向(図示X方向)の幅寸法がトラック幅Twに規制されたトラック幅規制部14を形成している。
In the inductive head shown in FIG. 1, a track
上記したようにトラック幅規制部14の幅寸法は、レジストの露光現像の際に使用される波長の解像度以下の幅で形成されるので、適切に狭トラック化を実現することができる。具体的には0.4μm以下の寸法でトラック幅Twを規制することが可能である。またより好ましくは0.2μm以下でトラック幅Twを形成する。
As described above, since the width dimension of the track
また本発明では図1に示すように、上部コア層16のトラック幅方向(図示X方向)における幅寸法はT1で形成され、前記幅寸法T1は、トラック幅Twよりも大きい幅寸法で形成される。このため本発明によれば、前記上部コア層16の先端部16a付近の体積を大きくすることができ、磁気飽和をより適切に低減させることが可能である。
In the present invention, as shown in FIG. 1, the width dimension of the
さらに本発明では図1に示すように、トラック幅規制部14の両側から延びる下部コア層10の上面には、前記トラック幅規制部14から離れる方向に傾斜する傾斜面10aが形成されている。
Further, in the present invention, as shown in FIG. 1, an
前記傾斜面10aの形成により、下部コア層10とトラック幅規制部14を構成する上部磁極層12との距離は適切に離れるので、前記上部磁極層12から発生する漏れ磁界が下部コア層10の幅寸法に引きずられて、トラック幅Twからはみ出ることは少なくなり、いわゆるライトフリンジングの発生を抑制することができる。
By forming the
なおトラック幅方向(図示X方向)に平行な平行線と、前記傾斜面10aとの成す傾斜角度θ1は、2°から10°の範囲内が好ましい。
The inclination angle θ1 formed by the parallel line parallel to the track width direction (X direction in the figure) and the
前記傾斜面10aの角度θ1が2°よりも小さいと、下部コア層10と上部磁極層12との間で漏れ磁界が発生し易くなり、ライトフリンジングの発生の抑制効果をあまり期待できない。
If the angle θ1 of the
また前記傾斜面10aの角度θ1が10°よりも大きい場合は、ライトフリンジングの抑制効果としては適しているが、前記下部コア層10が、図示しない磁気抵抗効果素子のシールド層としても機能している場合、前記傾斜面10aの角度θ1を10°よりも大きくすると、下部コア層10の特に両側部付近における膜厚が薄くなり、あるいは下部コア層10のトラック幅方向(図示X方向)における幅寸法自体が短くなることにより、下部コア層10の磁気抵抗効果素子に対するシールド層としての機能が低下するといった問題などが発生する。
Further, when the angle θ1 of the
また図1に示すように、下部コア層10の上面からは図示Z方向に延びる隆起部10cが形成されていてもよく、この場合、前記隆起部10cの上面とトラック幅規制部14の基端とが接合された状態となる。そして前記隆起部10cの基端から延びる下部コア層10の上面には、トラック幅規制部14から離れる方向に傾斜する傾斜面10b,10bが形成されていることが好ましい。なお図1に示す隆起部10cは幅寸法がトラック幅Twの矩形状で形成されているが、その他の形状であっても良い。例えば上面がトラック幅Twで形成され、下部コア層10方向(図示Z方向と逆方向)に向かうに従って幅寸法が徐々に大きくなるように両側端面が傾斜している台形状であってもよい。
Further, as shown in FIG. 1, a protruding
なお本発明では下部コア層10に傾斜面10a,10bが形成されていなくても良く、下部コア層10の上面がトラック幅方向(図示X方向)と平行に形成されていても良いが、この場合は、傾斜面10a,10bが形成されている場合に比べて、上記したライトフリンジングが発生し易くなるといった問題が発生する。
In the present invention, the
しかしながら下部コア層10の上面がトラック幅方向と平行に形成されていても、本発明によれば、適切に狭トラック化を図ることができ、さらに磁気飽和の発生を効果的に抑制することができるという従来のインダクティブヘッドには無い効果を奏することができる。また下部コア層10に隆起部10cが形成される場合には、下部コア層10と上部磁極層12との距離を離すことができるので、傾斜面10bが形成されていなくても、有効にライトフリンジングの発生を抑制できる。
However, even if the upper surface of the
図3は、本発明の第2実施例の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図である。
この実施例では、トラック幅規制部14の膜構成が、図1と異なるのみで他の構成は同一である。
FIG. 3 is a partial front view showing the structure of the thin film magnetic head according to the second embodiment of the present invention.
In this embodiment, the film configuration of the track
図3に示すように、トラック幅規制部14は、ギャップ層15と上部磁極層12の2層で構成されている。
As shown in FIG. 3, the track
図3に示すように、ギャップ層15の基端から延びる下部コア層10の上面にはトラック幅規制部14から離れる方向に傾斜する傾斜面10a,10aが形成されている。これによりライトフリンジングの発生を適正に抑制することができる。
As shown in FIG. 3, inclined surfaces 10 a and 10 a that are inclined in a direction away from the track
また図3に示すように、前記下部コア層10の上面には図示Z方向に延びる隆起部10cが形成され、前記隆起部10cの上面とトラック幅規制部14の基端とが接合されていてもよい。そして前記隆起部10cの基端から延びる下部コア層10の上面には、トラック幅規制部14から離れるに従って傾斜する傾斜面10b,10bが形成されていることが好ましい。これによりライトフリンジングの発生を適性に抑制することができる。
Further, as shown in FIG. 3, a raised
図4から図10は、図1及び図2に示す本発明における薄膜磁気ヘッド(インダクティブヘッド)の製造方法を示す工程図である。なお図4から図7の工程では、薄膜磁気ヘッドを部分正面図で、図8から図10の工程では、薄膜磁気ヘッドを部分縦断面図で表している。 4 to 10 are process diagrams showing a method of manufacturing the thin film magnetic head (inductive head) according to the present invention shown in FIGS. 4 to 7, the thin film magnetic head is represented by a partial front view, and in the processes of FIGS. 8 to 10, the thin film magnetic head is represented by a partial longitudinal sectional view.
まず図8以降に図示されているようにGd決め絶縁層17を形成する場合は、予め下部コア層10上に前記Gd決め絶縁層17を形成しておく必要がある。
First, when the Gd determining insulating
図4では下部コア層10上に、レジスト層30を塗布する。なお前記レジスト層30の膜厚はH2で形成される。
In FIG. 4, a resist
次に図4に示すように、前記レジスト層30にトラック幅規制部14を形成するための溝30aを、露光現像によりパターン形成する。図4に示すように溝30aのトラック幅方向(図示X方向)に対する幅をT2で形成し、さらにハイト方向(図示Y方向)に対する長さを所定の寸法で形成する。
Next, as shown in FIG. 4, a
ここで例えば露光現像の際の波長にi線を使用した場合、前記レジスト層30に形成された溝30aの幅T2を0.4μm程度まで小さく形成できる。しかし前記0.4μmという数値はi線を使用した場合の現像度の限界値であり、これ以上小さい寸法で前記溝30aの幅T2を形成することはできない。
Here, for example, when i-line is used for the wavelength during exposure and development, the width T2 of the
解像度を高めるには、露光現像の際に使用される波長をより短いものにすれば良く、i線を使用した場合よりも解像度を高めるにはエキシマレーザなどを使用すれば良い。エキシマレーザを使用した場合は、前記レジスト層30に形成された溝30aの幅T2を0.3μm程度まで小さくすることが可能である。
In order to increase the resolution, the wavelength used at the time of exposure and development may be made shorter, and an excimer laser or the like may be used to increase the resolution compared to the case where i-line is used. When an excimer laser is used, the width T2 of the
次に図5に示すように、レジスト層30に形成された溝30a内にトラック幅規制部14を形成する。本発明における実施例では図5に示すように前記トラック幅規制部14は、下から下部磁極層11、ギャップ層15及び上部磁極層12の積層構造で構成されている。なお前記下部磁極層11は下部コア層10と磁気的に接続し、電気メッキ法等によりメッキ形成される。また前記上部磁極層12は上部コア層16に磁気的に接続し、電気メッキ法等によりメッキ形成される。
Next, as shown in FIG. 5, the track
本発明では前記ギャップ層15を、磁極層11,12と共にメッキ形成することが好ましい。これにより前記磁極層11,12及びギャップ層15を連続してメッキ形成することができる。
In the present invention, the
なおギャップ層15を形成するメッキ形成可能な非磁性金属材料を、NiP、NiPd、NiW、NiMo、Au、Pt、Rh、Pd、Ru、Crの中から1種または2種以上選択することが好ましい。
In addition, it is preferable to select one or more kinds of nonmagnetic metal materials that can be plated to form the
また本発明でトラック幅規制部14を下部磁極層11、ギャップ層15及び上部磁極層12の3層の積層構造で形成しなくても良く、例えばギャップ層15と上部磁極層12との2層の積層構造で構成してもよい。
In the present invention, the track
ところで図5に示すように本発明ではトラック幅規制部14を高さ寸法H3で形成する。この高さ寸法H3は、レジスト層30の膜厚H2と同程度かそれよりも若干小さく形成される。
Incidentally, as shown in FIG. 5, in the present invention, the track
しかも前記高さ寸法H3は、図1に示すトラック幅規制部14の高さH1よりも大きく形成される。すなわち図4の工程で、トラック幅規制部14の高さ寸法H3を規制すべきレジスト層30の高さ寸法H2自体が、予め前記高さ寸法H1よりも高く形成される。
Moreover, the height dimension H3 is formed larger than the height H1 of the track
また前記高さ寸法H3は、前記トラック幅規制部14の高さH1とさらには図7工程に示すCMP技術による研削工程の際の削り量等を考慮して決定される。
The height dimension H3 is determined in consideration of the height H1 of the track
前記研削工程では、前記トラック幅規制部14の高さが、1μm程度小さくなる。また図6に示すイオンミリング工程でも、前記トラック幅規制部14の高さは、小さくなる。
In the grinding step, the height of the track
既に説明したように本発明では、製造後のトラック幅規制部14の高さ寸法H1(図1参照)は、2μm以上で3μm以下で形成されることが好ましく、より好ましくは2.3μm以上で2.5μm以下であったが、前記寸法の高さ寸法H1を確保するには、上記の研削工程、イオンミリング工程を考慮して、図5に示すトラック幅規制部14の高さ寸法H3を、3.5μm以上で5.0μm以下で形成することが好ましい。より好ましくは、4.0μm以上で4.2μm以下である。
As already described, in the present invention, the height dimension H1 (see FIG. 1) of the track
以上のようにしてレジスト層30の溝30a内にトラック幅規制部14を形成した後、図2に示す持ち上げ層21を形成する。
After the track
前記持ち上げ層21を下部コア層10上に形成する場合には、図5に示す工程後、レジスト層30を除去した後、再度レジスト層を形成し、持ち上げ層21のパターンを前記レジスト層に形成して、前記パターン内に、磁性材料をメッキ形成することで、前記持ち上げ層21を形成することができる。
When the
そして持ち上げ層21形成のためのレジスト層を除去した状態が図6に示されている。
図6に示すように、下部コア層10上のABS面付近には、トラック幅規制部14のみが立った状態で形成されており、その周囲には何も形成されていない。
FIG. 6 shows a state where the resist layer for forming the
As shown in FIG. 6, in the vicinity of the ABS surface on the
本発明では図6に示す状態で、前記トラック幅規制部14のトラック幅方向(図示X方向)における両側端面14a,14aを削り、前記トラック幅規制部14の幅寸法をより小さくしている。
In the present invention, in the state shown in FIG. 6, both side end surfaces 14 a, 14 a in the track width direction (X direction in the figure) of the track
本発明では、前記トラック幅規制部14の両側端面14a,14aを削る方法としてイオンミリング法を挙げることができる。
In the present invention, an ion milling method can be used as a method for scraping the
前記イオンミリング法では、中性イオン化されたAr(アルゴン)ガスが使用される。図6に示すようにイオンミリングは斜め方向(矢印B、C方向)から行なわれる。 The ion milling method uses neutral ionized Ar (argon) gas. As shown in FIG. 6, ion milling is performed from an oblique direction (directions of arrows B and C).
矢印B、C方向からイオンが照射されると、物理的作用により前記トラック幅規制部14の両側端面14a,14aが削られていき、前記トラック幅規制部14の幅寸法は徐々に小さくなっていく。
When ions are irradiated from the directions of arrows B and C, both
上記したように本発明ではトラック幅規制部14を構成するギャップ層15には非磁性金属材料を選択しメッキ形成されることが好ましく、この場合、前記ギャップ層15及び磁極層11,12のミリングレートは3層ともほぼ同じであるから、前記トラック幅規制部14の両側端面14a,14aは適切に同一面状で削られていく。
As described above, in the present invention, it is preferable that the
ところで前記トラック幅規制部14の幅寸法はトラック幅Twとして規制されるが、本発明の方法によれば、前記トラック幅Twを、レジストの露光現像の際に使用された波長の現像度の限界値よりも小さい寸法にて形成することができる。
By the way, the width dimension of the track
すなわち上記したように図4に示す工程では、トラック幅規制部14を形成すべきレジスト層30の部分に溝30aを形成するが、この溝30aの幅寸法T2は、最小でも露光現像の際に使用される波長の現像度の限界値であり、これ以上幅寸法を小さくすることはできない。
That is, as described above, in the process shown in FIG. 4, the
従って前記レジスト層30の溝30a内に形成されるトラック幅規制部14の幅寸法はT2であるが(図6参照)、本発明では前記トラック幅規制部14の両側端面をイオンミリング等で削ることにより、前記トラック幅規制部14の幅寸法をT2よりも小さくすることができ、換言すれば、前記トラック幅規制部14のトラック幅Twをレジストの露光現像の際に使用される波長の現像度の限界値よりも小さい寸法にて形成することができる(図7参照)。
Therefore, the width dimension of the track
例えば前記レジスト層30の露光現像の際にi線を使用した場合では、レジスト層30に形成されるべき溝30aの幅寸法T2は、最小でも0.4μm程度であるが、本発明では図6に示す工程でトラック幅規制部14の両側端面14a,14aをイオンミリングで削ることで、前記トラック幅規制部14の幅寸法(=トラック幅Tw)を0.4μm以下で形成することが可能である。またイオンミリング時間やイオン照射角度の調整によって、前記トラック幅Twを0.2μm以下で形成することも可能である。
For example, when i-line is used in the exposure and development of the resist
図7に示すように、イオンミリングによりトラック幅規制部14の両側端面14a,14aを削り終えると、前記トラック幅規制部14の幅寸法はトラック幅Twとして設定されるが、同時に前記イオンミリングにより前記トラック幅規制部14の両側から延びる下部コア層10の上面も斜めに削り取られ、前記下部コア層10の上面には傾斜面10a,10aが形成される。
As shown in FIG. 7, when both
このように本発明によればイオンミリングにより、トラック幅規制部14の両側端面14a,14aを削って前記トラック幅規制部14の幅寸法をトラック幅Twに規制する工程と、前記下部コア層10の上面に傾斜面10a,10aを形成する工程とを同時に行うことが可能であるが、例えば前記下部コア層10が削られることにより発生する磁粉の再付着を防止し、さらには前記下部コア層10に形成された傾斜面10aの傾斜角度θ1を所定範囲内(上記したように2°から10°の範囲内)に設定するために、前記イオンミリングの際におけるイオン照射の傾斜角度θ2(トラック幅規制部14の高さ方向(図示Z方向)に対する前記イオン照射の傾斜角度)を適切に設定する必要がある。
As described above, according to the present invention, by ion milling, the both
本発明では、前記イオン照射の傾斜角度θ2を45°以上で75°以下の範囲内とすることが好ましい。 In the present invention, the inclination angle θ2 of the ion irradiation is preferably in the range of 45 ° to 75 °.
後述する実験結果によって、前記イオン照射角度θ2を45°以上で75°以下にすると、トラック幅規制部14の両側端面のエッチングレートは正値となり、前記トラック幅規制部14の両側端面を適切に削ることができ、トラック幅Twを0.4μm以下に小さく形成できる。
When the ion irradiation angle θ2 is set to 45 ° or more and 75 ° or less according to the experimental result described later, the etching rate of both end surfaces of the track
一方、上部磁極層12の上面(すなわちトラック幅規制部14の上面)は、前記イオン照射によって削られるが、前記上部磁極層12の上面に対するエッチングレートは、前記イオン照射角度θ2が約40°〜45°の範囲で最も大きくなり、したがって前記イオン照射角度θ2を45°以上にすれば、前記エッチングレートを小さくでき、前記トラック幅規制部14の高さの極端な減少を抑えることが可能である。
On the other hand, the upper surface of the upper magnetic pole layer 12 (that is, the upper surface of the track width restricting portion 14) is scraped by the ion irradiation, but the etching rate with respect to the upper surface of the upper
また上記のイオン照射角度θ2であると、下部コア層10のトラック幅規制部14との接合部D,Dでのエッチングレートは正値となるので、この接合部Dの部分は適切に削れていき、イオンミリングによる再付着により下部コア層10上面が盛り上がるといった心配がない。
Further, when the ion irradiation angle θ2 is set, the etching rate at the joints D and D with the track
また既に説明したように、従来の薄膜磁気ヘッド(図12参照)では、トラック幅Twよりも延出したギャップ層7及びその下に形成された下部コア層10の表面をイオンミリングで削る工程が必要となり、しかも前記イオンミリングによる上部コア層3への再付着物を除去する工程が必要であったが、本発明のトラック幅規制部14は、ギャップ層15を含む3層メッキ構造の隆起形状であるので、上記のイオンミリング工程は必要無く、そのため前記イオンミリングによる再付着の問題も発生しない。
As already described, in the conventional thin film magnetic head (see FIG. 12), there is a step of cutting the surface of the
さらに本発明ではイオンミリング工程前のとき(図5のとき)、トラック幅規制部14のトラック幅方向における幅寸法が所定幅よりも多少大きく形成されても、その後のイオンミリング工程で、トラック幅規制部14の両側端面14a,14aの削り量を修正することで、トラック幅Twを所定の寸法範囲内に容易に収めることができる。
Further, in the present invention, before the ion milling process (in the case of FIG. 5), even if the width dimension in the track width direction of the track
また本発明では、図4に示す工程のときレジスト層30を形成する前に、下部コア層10上面にトラック幅規制部14の形成のためのメッキ下地層を形成するが、図6の工程では、トラック幅規制部14の下以外の部分に設けられたメッキ下地層がイオンミリングによって適切に除去され、前記メッキ下地層の除去工程を考慮する必要がない。
In the present invention, a plating underlayer for forming the track
以上のように本発明では、上記のイオン照射角度θ2でイオンミリングを行うと、トラック幅規制部14のトラック幅Twを0.4μm以下、好ましくは0.2μm以下に形成でき、しかも下部コア層10の上面に形成される傾斜面10aの傾斜角度θ1を2°以上で10°以下の範囲内に調整できる。
As described above, in the present invention, when ion milling is performed at the above-described ion irradiation angle θ2, the track width Tw of the track
特にイオン照射の傾斜角度θ2を55°から70°の範囲にすることで、後述する実験結果に示すように、トラック幅規制部14の両側端面でのエッチングレート、上部磁極層12の上面でのエッチングレート、及び下部コア層10のトラック幅規制部14との接合部Dでのエッチングレートを適切な範囲内に調整でき、イオンミリングによる再付着の悪影響も無く、前記トラック幅規制部14のトラック幅Twの寸法と下部コア層10上面の傾斜面10aの傾斜角度θ1を上記所定範囲内に容易に収めることが可能である。
In particular, by setting the ion irradiation inclination angle θ2 in the range of 55 ° to 70 °, as shown in the experimental results to be described later, the etching rate on both end faces of the track
また本発明では、イオン照射角度θ2を、45°から75°の範囲内にて一定の角度に固定してイオンミリングを行うものであるが、トラック幅Twを所定範囲内に収めるためのエッチングレートの適切な範囲、及び下部コア層10上面に傾斜面10aを形成するためのエッチングレートの適切な範囲は、それぞれ異なるために、例えば、最初にイオン照射角度θ2を60°から75°の範囲内としてトラック幅規制部14の両側端面14a,14aを削り、前記トラック幅Twを小さくした後、イオン照射の角度θ2を45°から60°に変えて、下部コア層10上面に適切な傾斜角度θ1を有する傾斜面10aを形成してもよい。
In the present invention, ion milling is performed with the ion irradiation angle θ2 fixed at a constant angle within the range of 45 ° to 75 °, but the etching rate for keeping the track width Tw within a predetermined range. The appropriate range of the etching rate and the appropriate range of the etching rate for forming the
また本発明では、上記のイオン照射角度θ2であれば、下部コア層10のトラック幅規制部14との接合部Dも適切に削れるので、図1及び図3に示すような隆起部10cを前記下部コア層10に形成することができる。あるいは図6に示すトラック幅規制部14の両側端面14a,14aを削る工程よりも前の段階で、下部コア層10に対してイオン照射角度をほぼ垂直方向(0°から15°程度)にしたイオンミリングを用い、まず下部コア層10の上面のみを削って隆起部10cを形成し、その後図6、7に示すイオンミリング工程を行っても良い。
Further, in the present invention, if the ion irradiation angle θ2 described above, the joint D with the track
これにより図1及び図3に示すように下部コア層10に隆起部10cを形成でき、さらに前記隆起部10cの基端から延びる下部コア層10の上面に、トラック幅規制部14から離れるに従って、下部コア層10の膜厚が徐々に薄くなるように傾斜する傾斜面10b,10bを形成することができる。
As a result, as shown in FIGS. 1 and 3, the raised
次に図8に示すように、下部コア層10上を絶縁層18によって覆う。この場合前記トラック幅規制部14及び持ち上げ層21上もまた前記絶縁層18によって覆われる。
Next, as shown in FIG. 8, the
なお本発明では前記絶縁層18を無機材料によってスパッタ形成する。前記無機材料には、Al2O3、SiN、SiO2のうちから1種または2種以上を選択することが好ましい。
In the present invention, the insulating
そして図8に示すように、前記絶縁層18の表面をCMP技術などを利用して、トラック幅規制部14の表面が露出するように、D−D線上まで削っていく。
これにより図9に示すように、絶縁層18の上面18aは、トラック幅規制部14の表面14bと同一平面上で平坦化されて形成される。なお前記CMPによる研削工程により持ち上げ層21の表面21aも露出する。
Then, as shown in FIG. 8, the surface of the insulating
As a result, as shown in FIG. 9, the
既に説明したように、この研削工程によってトラック幅規制部14の高さは1μm程度削られる。そしてこの工程後の状態では、前記トラック幅規制部14の高さ寸法H1(図1参照)は、2μm以上で3μm以下の高さ寸法内に収められる。
As already described, the height of the track
次に図9に示すように前記絶縁層18上にコイル層19を螺旋状にパターン形成する。上記したように絶縁層18の表面18aは平坦化されて形成されているので、前記コイル層19をパターン精度良く形成することができ、よって各導体部のピッチ間を小さくして形成することができる。
Next, as shown in FIG. 9, a
そして図10に示すように前記コイル層19を、レジストやポリイミドなどの有機絶縁材料で形成された有機絶縁層20によって覆い、さらに前記有機絶縁層20上に上部コア層16を、フレームメッキ法などの既存の方法でパターン形成する。図10に示すように前記上部コア層16は、その先端部16aにてトラック幅規制部14上に接して形成され、また基端部16bにて下部コア層10上に形成された持ち上げ層21上に磁気的に接して形成される。
As shown in FIG. 10, the
前記上部コア層16の先端部16aのトラック幅方向(図示X方向)における幅寸法は、図1及び図3に示すようにトラック幅Twよりも大きい幅寸法T1で形成される。このようにトラック幅Twよりも大きい幅寸法T1で形成できる理由は、トラック幅Twが、上部コア層16と分離して形成された上部磁極層12の幅寸法によって既に設定されているからである。
The width dimension in the track width direction (X direction in the drawing) of the
このように前記上部コア層16の先端部16aの幅寸法をトラック幅Twよりも大きい幅寸法で形成できることにより、従来に比べて(すなわち前記先端部16aの幅寸法をトラック幅Twに規制していた場合に比べて)、パターン精度を向上させて上部コア層16を形成することができ、また前記上部コア層16の先端部16aの幅寸法T1を大きくできることで、前記上部コア層16の体積を大きくできて磁気飽和の発生を適切に抑制することができる。
In this way, the width dimension of the
本発明では、図6工程のときに行なわれるイオンミリングにおいて、イオン照射角度と、任意の場所でのエッチングレートとの関係を調べた。 In the present invention, the relationship between the ion irradiation angle and the etching rate at an arbitrary place was examined in the ion milling performed in the process of FIG.
実験では、まず図6に示す形状のインダクティブヘッドを形成した。なおこのときのトラック幅規制部14のトラック幅方向(図示X方向)における幅寸法T2は、0.55〜0.6μmの範囲内であった。また前記トラック幅規制部14の高さ寸法H3は、4〜4.2μmの範囲内であった。
In the experiment, an inductive head having the shape shown in FIG. 6 was first formed. At this time, the width T2 in the track width direction (X direction in the drawing) of the track
そしてエッチングレートの測定では、トラック幅規制部14の両側端面でのエッチングレート、上部磁極層12の上面でのエッチングレート、及び下部コア層10のトラック幅規制部14との接合部(図6に示す符号Dの部分)でのエッチングレートを、イオン照射角度θ2(図6を参照)を変化させながら測定した。その実験結果を図11に示す。
In the measurement of the etching rate, the etching rate on the both end faces of the track
図11に示すように、イオン照射角度θ2が大きくなると、トラック幅規制部14の両側端面でのエッチングレートEは直線的に大きくなる。
As shown in FIG. 11, when the ion irradiation angle θ2 is increased, the etching rate E on both end faces of the track
ところで図11に示すように、イオン照射角度θ2が0°以上で40°以下程度では、前記エッチングレートEは負の値であることがわかる。これはイオンミリングによる再付着がされていることを意味し、上記の範囲内のイオン照射角度θ2であると、前記トラック幅規制部14の両側端面では、下部コア層10などで削られた磁粉が付着し、前記トラック幅規制部14のトラック幅方向における幅寸法T2は大きくなるといった問題が発生する。
By the way, as shown in FIG. 11, when the ion irradiation angle θ2 is about 0 ° or more and 40 ° or less, the etching rate E is a negative value. This means that re-adhesion by ion milling is performed. When the ion irradiation angle θ2 is within the above range, the magnetic particles scraped by the
すなわちトラック幅規制部14の前記幅寸法T2を小さくして0.4μm以下のトラック幅Twを確保するには、少なくとも前記エッチングレートEは正の値である必要がある。
That is, at least the etching rate E needs to be a positive value in order to reduce the width dimension T2 of the track
次に上部磁極層12の上面でのエッチングレートGは、イオン照射角度θ2が40°〜45°程度で最も大きくなり、前記イオン照射角度θ2がそれ以上に大きくなると徐々に前記エッチングレートGは小さくなることがわかる。
Next, the etching rate G on the upper surface of the upper
図11に示すように前記エッチングレートGは、どの範囲のイオン照射角度θ2でも正の値である。つまり前記上部磁極層12の上面は、イオンミリングによって削られ、前記上部磁極層12の高さは小さくなる。しかしながら前記上部磁極層12の高さ寸法は、できる限り低減されない方が好ましい。なぜなら前記上部磁極層12の高さ寸法が小さくなると、前記上部磁極層12の体積が小さくなり、高記録密度化の下では磁気飽和に達しやすくなるからである。したがって前記エッチングレートGは正の値であっても、その値はできる限り小さいことが好ましい。
As shown in FIG. 11, the etching rate G is a positive value in any range of the ion irradiation angle θ2. That is, the upper surface of the upper
次に、下部コア層10の接合部DにおけるエッチングレートFは、イオン照射角度θ2が大きくなることにより、直線的に小さくなり、特にイオン照射角度θ2が約75°以上になると、前記エッチングレートFは負の値になる。負の値になることは、上記したと同様にイオンミリングによる再付着されたことを意味する。
Next, the etching rate F at the junction D of the
前記エッチングレートFは少なくとも負の値でなければ良い。負の値であると、前記下部コア層10の接合部Dでは、トラック幅規制部14などでエッチング除去された磁粉が付着し、前記接合部Dが盛り上がる。そうすると下部コア層10と上部磁極層12との距離は小さくなるから、ライトフリンジングの増大に繋がり好ましくない。
The etching rate F may be at least a negative value. When it is a negative value, the magnetic particles etched away by the track
以上、上記した観点から本発明では、イオン照射角度θ2を、45°以上で75°以下に設定した。この範囲内であると図11に示すように、トラック幅規制部14の両側端面でのエッチングレートEは正の値でしかもその値は大きくなるから、前記トラック幅規制部14のトラック幅方向における幅寸法T2を小さくでき、本発明ではトラック幅Twを0.2μm以下に小さくできることが確認されている。
As described above, from the above viewpoint, in the present invention, the ion irradiation angle θ2 is set to 45 ° or more and 75 ° or less. If it is within this range, as shown in FIG. 11, the etching rate E on both end faces of the track
一方、上記のイオン照射角度θ2であると、上部磁極層12の上面でのエッチングレートGは正の値であるものの、その値は小さくなる傾向にあり、イオンミリングを終えた際の前記トラック幅規制部14の高さ寸法は3.3μm〜3.5μm程度であった。
On the other hand, when the ion irradiation angle is θ2, the etching rate G on the upper surface of the upper
次に、上記のイオン照射角度θ2であると、下部コア層12の接合部DでのエッチングレートFは正の値であり、イオンミリングによる再付着は起らない。したがって前記下部コア層10に図1に示す隆起部10cを形成することが可能である。
Next, if it is said ion irradiation angle (theta) 2, the etching rate F in the junction part D of the
また上記のイオン照射角度θ2によって、下部コア層10の上面に形成される傾斜面10aの傾斜角度θ1を、2°以上で10°以下の範囲内に収めることが可能である。
Further, by the ion irradiation angle θ2, the inclination angle θ1 of the
また本発明では、イオン照射角度θ2を、55°以上で70°以下にすることがより好ましいとした。この範囲内であると、上部磁極層12上面でのエッチングレートを適切に低減でき、しかもトラック幅規制部14の両側端面でのエッチングレートを正値で且つ大きくできる。また下部コア層10の接合部Dでのエッチングレートを確実に正値にできる。
In the present invention, the ion irradiation angle θ2 is more preferably 55 ° or more and 70 ° or less. Within this range, the etching rate on the upper surface of the upper
10 下部コア層
10a、10b 傾斜面
10c 隆起部
11 下部磁極層
12 上部磁極層
14 トラック幅規制部
15 ギャップ層
16 上部コア層
17 Gd決め絶縁層
18 絶縁層
19 コイル層
20 有機絶縁層
21 持ち上げ層
30 レジスト層
DESCRIPTION OF
Claims (20)
前記トラック幅規制部は、下部コア層と連続する下部磁極層、上部コア層と連続する上部磁極層、および前記下部磁極層と前記上部磁極層間に位置するギャップ層とで構成され、あるいは前記トラック幅規制部は、上部コア層と連続する上部磁極層、および前記上部磁極層と下部コア層との間に位置するギャップ層とで構成され、
前記トラック幅規制部の両側に延びる下部コア層の上面には、トラック幅方向へ向けて前記トラック幅規制部から離れるにしたがって前記上部コア層との間隔が徐々に広がる傾斜面が形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 A lower core layer and an upper core layer; and a track width restricting portion which is located between the lower core layer and the upper core layer and whose width dimension is restricted to be shorter than the lower core layer and the upper core layer,
The track width restricting portion includes a lower magnetic pole layer continuous with the lower core layer, an upper magnetic pole layer continuous with the upper core layer, and a gap layer located between the lower magnetic pole layer and the upper magnetic pole layer, or the track The width restricting portion includes an upper magnetic pole layer continuous with the upper core layer, and a gap layer positioned between the upper magnetic pole layer and the lower core layer,
On the upper surface of the lower core layer extending on both sides of the track width restricting portion, an inclined surface is formed in which the distance from the upper core layer gradually increases as the distance from the track width restricting portion increases in the track width direction. A thin film magnetic head characterized by that.
前記トラック幅規制部は、下部コア層と連続する下部磁極層、上部コア層と連続する上部磁極層、および前記下部磁極層と前記上部磁極層間に位置するギャップ層とで構成され、あるいは前記トラック幅規制部は、上部コア層と連続する上部磁極層、および前記上部磁極層と下部コア層との間に位置するギャップ層とで構成され、
前記トラック幅規制部の幅寸法が、0.4μm以下であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 A lower core layer and an upper core layer; and a track width restricting portion which is located between the lower core layer and the upper core layer and whose width dimension is restricted to be shorter than the lower core layer and the upper core layer,
The track width restricting portion includes a lower magnetic pole layer continuous with the lower core layer, an upper magnetic pole layer continuous with the upper core layer, and a gap layer located between the lower magnetic pole layer and the upper magnetic pole layer, or the track The width restricting portion includes an upper magnetic pole layer continuous with the upper core layer, and a gap layer positioned between the upper magnetic pole layer and the lower core layer,
A thin film magnetic head, wherein a width dimension of the track width regulating portion is 0.4 μm or less.
(b)前記溝内に、下部磁極層、非磁性のギャップ層ならびに上部磁極層を順に積層したトラック幅規制部、あるいは非磁性のギャップ層ならびに上部磁極層を順に積層したトラック幅規制部、を形成する工程と、
(c)前記レジスト層を除去する工程と、
(d)前記トラック幅規制部のトラック幅方向の両側面を削って、前記トラック幅規制部の幅寸法をトラック幅に規制する工程と、
(e)前記トラック幅規制部の両側に延びる下部コア層の上面に、前記トラック幅規制部から離れるにしたがって前記上部コア層との間隔が徐々に広がる傾斜面を形成する工程と、
(f)前記トラック幅規制部上に、前記トラック幅よりも大きい幅寸法を有する上部コア層を形成する工程と、
を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 (A) forming a resist layer on the lower core layer, and forming a groove having a predetermined width dimension and a predetermined length dimension in a height direction from a surface facing the recording medium in the resist layer;
(B) A track width restricting portion in which a lower magnetic pole layer, a nonmagnetic gap layer, and an upper magnetic pole layer are sequentially laminated in the groove, or a track width restricting portion in which a nonmagnetic gap layer and an upper magnetic pole layer are sequentially laminated. Forming, and
(C) removing the resist layer;
(D) cutting both side surfaces of the track width restricting portion in the track width direction to restrict the width dimension of the track width restricting portion to the track width;
(E) forming an inclined surface on the upper surface of the lower core layer extending on both sides of the track width restricting portion so that the distance from the upper core layer gradually increases as the distance from the track width restricting portion increases;
(F) forming an upper core layer having a width dimension larger than the track width on the track width regulating portion;
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