JP2004349178A

JP2004349178A - Spacer material for flat panel display, its manufacturing method, flat panel display spacer and flat panel display

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Publication number: JP2004349178A
Application number: JP2003146798A
Authority: JP
Inventors: Yukio Kawaguchi; 行雄川口; Atsushi Hitomi; 篤志人見; Kazumitsu Tanaka; 一満田中; Takao Matsumoto; 孝雄松本; Masahiro Ito; 正弘伊東; Kenichi Jinguji; 賢一神宮寺; Tsutomu Koyanagi; 勤小柳
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2003-05-23
Filing date: 2003-05-23
Publication date: 2004-12-09
Anticipated expiration: 2023-05-23
Also published as: CN100538983C; US20070007875A1; WO2005006383A1; JP4133586B2; CN1795526A

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a spacer material for a flat panel display for reducing distortion and blur of an image, its manufacturing method, a flat panel display spacer and a flat panel display. <P>SOLUTION: A sintered compact containing Al<SB>2</SB>O<SB>3</SB>, TiC and TiO<SB>2</SB>, containing the TiC of 6.5-10 wt% to the whole weight of the Al<SB>2</SB>O<SB>3</SB>, TiC and TiO<SB>2</SB>, and containing the TiO<SB>2</SB>of 1.0-2.5 wt% is made as the spacer material. Since this material is a composite ceramics containing TiC and Al<SB>2</SB>O<SB>3</SB>, this spacer material exhibits a property of AlTiC to be a conductive ceramics with a high hardness, endures deformation by compression force. Furthermore, since this spacer material has a described composition, it exhibits a desired conductivity even if an electric field is applied, thereby the electrostatic charge is hardly accumulated. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、平面パネルディスプレイ用スペーサ基材、平面パネル用ディスプレイ用スペーサ基材の製造方法、平面パネルディスプレイスペーサ、及び、平面パネルディスプレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】
電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ）は、従来の陰極線管（ＣＲＴ）を応用した自発光型の平面パネルディスプレイとして知られている。ＦＥＤは多くの陰極（電界放出素子）を二次元状に配列してなる陰極構造体を備えており、減圧環境下において陰極から放出される電子を、各蛍光画素領域に衝突させて発光画像を形成している。蛍光画素領域は燐層を含んでなる。
【０００３】
この平面パネルディスプレイは、陰極構造体を有する背板を備えている。このような平面パネルディスプレイの一例は特許文献１に記載されている。このディスプレイの背板はガラス板上に陰極構造体を堆積することによって形成される。
【０００４】
この平面パネルディスプレイは燐層が堆積されたガラス面板を備えている。ガラスまたは燐層の上には電界印加用の導電性層が堆積される。
【０００５】
面板は背板から０．１ｍｍ〜１ｍｍ乃至２ｍｍ離間されている。面板と背板との間には壁体からなる短冊状スペーサが垂直に介在している。このスペーサは正確な位置に配置されることが望ましいが、ディスプレイ内を減圧すると、大気圧によってスペーサには大きな荷重が加えられる。
【０００６】
この荷重は１０インチのディスプレイでは１トンにも達するといわれている。この荷重によって、スペーサが不整列状態になったり傾斜したりすると、放出された電子が偏向し、ディスプレイ上に目視可能な欠陥が生じる。スペーサは面板及び背板間の非常に大きな圧縮力に耐える必要があり、スペーサ毎の高さは等しく、且つ、平坦である必要もある。また、スペーサの熱膨張率は面板としてのガラス板に近く、且つ、温度依存性も小さくなければならないとされている。
【０００７】
また、面板と背板との間には例えば１ｋＶ以上の高電圧が印加されるので、スペーサには高電圧に対する耐性と２次放射特性が要求される。従来のスペーサとしては、アルミナからなる絶縁材料を導電材料でコーティングしてなるものや（例えば、特許文献２〜３参照）、酸化物微粒子等により形成された凹凸膜を有するもの（例えば、特許文献４参照）や、遷移金属酸化物が分散されたセラミックよりなるもの（例えば、特許文献５参照）等が知られている。
【特許文献１】
米国特許第５５４１４７３号明細書
【特許文献２】
特表２００２−５０８１１０号公報
【特許文献３】
特表２００１−５０８９２６号公報
【特許文献４】
特開２００１−６８０４２号公報
【特許文献５】
特表平１１−５００８５６号公報
【特許文献６】
特表２００２−５１５１３３号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のスペーサを用いた場合には画像の歪み等が発生する場合があった。本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、画像の歪み等の発生を低減できる平面パネルディスプレイ用スペーサ基材、その製造方法、平面パネルディスプレイ用スペーサ、及び、平面パネルディスプレイを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者は鋭意検討した結果、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ_２を所定の比率で含有する焼結体がスペーサ基材として好適であることを見出し、本発明に想到するに至った。
【００１０】
本発明に係る平面パネルディスプレイ用スペーサ基材は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ_２を含む焼結体を有し、この焼結体はＡｌ_２Ｏ_３、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ_２の全重量に対して、ＴｉＣを６．５〜１０重量％含み、かつ、ＴｉＯ_２を１．０〜２．５重量％含む。
【００１１】
本発明に係る平面パネルディスプレイ用スペーサ基材の製造方法は、Ａｌ_２Ｏ_３粉末、ＴｉＣ粉末、及び、ＴｉＯ_２粉末を、Ａｌ_２Ｏ_３粉末、ＴｉＣ粉末、及び、ＴｉＯ_２粉末の全重量に対してＴｉＣ粉末が６．５〜１０重量％、かつ、ＴｉＯ_２粉末が１．０〜２．５重量％となるように混合して混合物を得る工程と、上記混合物を焼成し焼結体を得る工程と、を含む。
【００１２】
本発明に係る平面パネルディスプレイ用スペーサは、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ_２を含み、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ_２の全重量に対して、ＴｉＣを６．５〜１０重量％、かつ、ＴｉＯ_２を１．０〜２．５重量％含む焼結体から形成されると共に、陰極構造体を有する背板と蛍光画素領域を有する面板との間に介在される。
【００１３】
本発明に係る平面パネルディスプレイは、陰極構造体を有する背板と、光画素領域を有する面板と、上記背板及び上記面板間に介在されると共にＡｌ_２Ｏ_３、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ_２を含み、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ_２の全重量に対して、ＴｉＣを６．５〜１０重量％、かつ、ＴｉＯ_２を１．０〜２．５重量％含む焼結体から形成された平面パネルディスプレイ用スペーサと、を備える。
【００１４】
これらの発明において、焼結体はＴｉＣとＡｌ_２Ｏ_３とを含む複合セラミクスであり、このような複合セラミクスは高硬度の導電性セラミクスであるアルティック（ＡｌＴｉＣ）の性質を示し、圧縮力による変形に耐えることができる。このため、このような焼結体であるスペーサ基材を平面パネルディスプレイ用スペーサとすると、画像の歪み等を低減することができる。
【００１５】
さらに、この焼結体は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ_２の全重量に対して、ＴｉＣを６．５〜１０重量％含み、かつ、ＴｉＯ_２を１．０〜２．５重量％含んでいる。このような焼結体は、この焼結体に印加する電界を０〜１００００Ｖ／ｍｍ程度の範囲で変化させて比抵抗値を測定した場合に、電界が大きくなるにつれて比抵抗値が漸減し、この範囲におけるある電界の大きさを超えると急激に比抵抗値が低下するようなことがない。また、この範囲内でＴｉＣやＴｉＯ_２の組成を変動させることにより、比抵抗値が約１．０×１０^６Ω・ｃｍ〜１．０×１０^１１Ω・ｃｍとなるような焼結体を、容易に得ることができる。このため、このような焼結体を有するスペーサ基材を平面パネルディスプレイ用スペーサとすると、電界が印加されても所望の導電性を示し、帯電が起こりにくくなると共に過電流が流れることによる熱暴走も抑制され、平面パネルディスプレイにおける画像の歪み等をより低減することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１７】
まず、本実施形態に係る平面パネルディスプレイ用スペーサ基材及びその製造方法について説明する。本実施形態においては、平面パネルディスプレイ用スペーサ基材として、Ａｌ_２Ｏ_３（アルミナ）、ＴｉＣ（炭化チタン）、及び、ＴｉＯ_２（チタニア）を含有し、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ_２の全重量に対してＴｉＣを６．５〜１０重量％、かつ、ＴｉＯ_２を１．０〜２．５重量％含む複合セラミクス焼結体を用いる。
【００１８】
このようなスペーサ基材は、Ａｌ_２Ｏ_３粉末、ＴｉＣ粉末、及び、ＴｉＯ_２の粉末を、Ａｌ_２Ｏ_３粉末、ＴｉＣ粉末、及び、ＴｉＯ_２粉末の全重量に対してＴｉＣ粉末を６．５〜１０重量％、かつ、ＴｉＯ_２粉末を１．０〜２．５重量％含むように混合し、成形し、成形体を所定の温度で焼成し、放冷することにより得られる。
【００１９】
以下に、本実施形態に係るスペーサ基材の製造方法について詳しく説明する。まず、原料となる、Ａｌ_２Ｏ_３粉末、ＴｉＣ粉末、及び、ＴｉＯ_２粉末を用意する。ここで、原料のＡｌ_２Ｏ_３粉末は、微粉であることが好ましく、平均粒子径が０．１〜１μｍ、特に０．４〜０．６μｍであることが好ましい。またＴｉＣ粉末は、微粉であることが好ましく、平均粒子径が０．１〜３μｍ、特に０．５〜１．５μｍであることが好ましい。また、ＴｉＯ_２粉末は、微粉であることが好ましく、平均粒子径が０．１〜３μｍ、特に０．５〜１μｍであることが好ましい。
【００２０】
そして、これらの粉末の各々を、Ａｌ_２Ｏ_３粉末、ＴｉＣ粉末、及び、ＴｉＯ_２粉末の全重量に対して、ＴｉＣ粉末を６．５〜１０重量％、かつ、ＴｉＯ_２粉末を１．０〜２．５重量％含むように混合し、混合粉末を得る。
【００２１】
ここで、粉末の混合は、ボールミルやアトライター中で行うことが好ましい。また、好適に混合すべく、水以外の、例えば、エタノール、ＩＰＡ、９５％変性エタノール等を溶剤として用いることが好ましい。また、１０〜１００時間程度混合することが好ましい。なお、ボールミルやアトライター中の混合メディアとしては、例えば、直径１〜２０ｍｍ程度の、アルミナボールや、ジルコニアボールを使用することが好ましい。
【００２２】
次に、混合された混合粉末を、スプレー造粒する。ここでは、例えば、酸素をほとんど含まない窒素やアルゴン等の不活性ガスの、６０〜２００℃程度の温風中で噴霧乾燥すればよく、これによって、上記の組成の混合粉末の造粒物が得られる。ここで、例えば、造粒物の粒径は、５０μｍ〜２００μｍ程度が好ましい。
【００２３】
次に、必要に応じて溶剤等を添加して造粒物の液体含有量の調節を行い、０．１〜１０重量％程度、造粒物中に溶剤が含まれるようにする。
【００２４】
次に、この造粒物を所定の型内に充填し、冷間プレスにより一次成形を行って成形体を得る。ここでは、例えば、内径１５０ｍｍの円板形成用の金属製あるいはカーボン製の型内に造粒物を充填し、例えば、５〜１５ＭＰａ（５０〜１５０ｋｇｆ／ｃｍ^２）程度の圧力で冷間プレスすればよい。
【００２５】
続いて、一次成形された成形体をホットプレスし焼結体を得る。ここで、例えば、焼成温度を１２００〜１７００℃、圧力を１０〜５０ＭＰａ（１００〜５００ＭＰａ）、雰囲気を真空、窒素、アルゴン中とすることが好ましい。なお、非酸化性雰囲気とするのは、ＴｉＣの酸化を防ぐためである。また、カーボン製の型を用いることが好ましい。焼結時間は１〜３時間程度が好ましい。
【００２６】
そして、外観等を検査した後に、ダイヤモンド砥石等によって機械仕上げ加工を行い、平面パネルディスプレイ用スペーサ基材が完成する。最終的な平面パネルディスプレイ用スペーサ基材の具体的形状は、例えば、直径６インチ、厚み２ｍｍ程度の円板状の基板である。
【００２７】
このようにして得られるスペーサ基材は、ＴｉＣとＡｌ_２Ｏ_３とを含む複合セラミクス焼結体であるので高硬度の導電性セラミクスであるアルティック（ＡｌＴｉＣ）の性質を示し、圧縮力による変形に耐えることができる。このため、平面パネルディスプレイのスペーサとして用いると、スペーサが不整列状態になったり傾斜したりしにくくなり、画像の歪みが低減される。
【００２８】
さらに、このスペーサ基材は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＣ、及び、ＴｉＯ_２の全重量に対して、ＴｉＣの含有量が６．５〜１０重量％、かつ、ＴｉＯ_２の含有量が１．０〜２．５重量％となる焼結体である。このようなスペーサ基材は、このこのスペーサ基材に印加する電界を０〜１００００Ｖ／ｍｍ程度まで変化させて比抵抗値を測定すると、この範囲内では電界が大きくなるにつれて比抵抗値が漸減し、この範囲内におけるある電界の大きさを超えると急激に比抵抗値が低下するようなことがない。また、この範囲内でＴｉＣやＴｉＯ_２の組成を変動させることにより、比抵抗値が約１．０×１０^６Ω・ｃｍ〜１．０×１０^１１Ω・ｃｍとなるようなスペーサ基材を、容易に得ることができる。
【００２９】
このため、このようなスペーサ基材を平面パネルディスプレイのスペーサとして用いると、電界が印加されても所望の導電性を示し、帯電が起こりにくくなる。このため、帯電による電子軌道の偏向が抑制されると共に、過電流が流れることによる熱暴走も抑制され、平面パネルディスプレイにおける画像の歪み等をより低減することができる。
【００３０】
ここで、ＴｉＣの含有量が６．５重量％を下回る、または、１０重量％を超えると、電界が１００００Ｖ／ｍｍに達する前に、比抵抗値が急減する。また、ＴｉＯ_２の含有量が１．０重量％を下回る、または、２．５重量％を超えると、スペーサ基材の比抵抗値を、スペーサの比抵抗値として好適とされる１．０×１０^６〜１．０×１０^１１Ω・ｃｍとすることが困難となる。そして、例えば、比抵抗値がこの範囲を超えて高くなりすぎると、帯電が起こりやすくなって歪み等が発生する場合がある。また、比抵抗値がこの範囲を下回って低くなりすぎると、過電流が流れて熱暴走する場合がある。
【００３１】
なお、本実施形態に係る焼結体の組成範囲では、例えば、ＴｉＣやＴｉＯ_２の組成が変動した場合における、焼結体の比抵抗値の変動が比較的少ない。このため、１×１０^６〜１×１０^１１Ωｃｍ程度の比抵抗値のスペーサ基材を、比抵抗値のバラツキを少なくしつつ高い歩留まりで容易に製造することができる。
【００３２】
次に、本実施形態に係るスペーサ基材の実施例について説明する。
【００３３】
（実施例１−１〜実施例１−４）
まず、Ａｌ_２Ｏ_３粉末（平均粒径０．５μｍ、純度９９．９％）、ＴｉＣ粉末（平均粒径０．５μｍ、純度９９％、炭素含有量１９％以上でその１％以下は遊離黒鉛である）、及び、ＴｉＯ_２粉末（平均粒径０．１μｍ）を各々所定量秤量し、ボールミル中でエタノールと共に３０分粉砕混合し、窒素中で１５０℃でスプレー造粒し造粒物を得た。ここで、実施例１−１〜実施例１−４において、Ａｌ_２Ｏ_３粉末、ＴｉＣ粉末、及び、ＴｉＯ_２粉末を合わせた全重量に対して、ＴｉＯ_２粉末の含有量をいずれも１．０重量％とした。また、全重量に対するＴｉＣ粉末の含有量を、実施例１−１において１０．０重量％、実施例１−２において８．０重量％、実施例１−３において７．０重量％、実施例１−４において６．５重量％とした。
【００３４】
続いて、これらの混合物を各々約０．５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ^２）で一次成形し、ホットプレス法によって真空雰囲気で１時間、焼結温度１６００℃、プレス圧力約３０ＭＰａ（約３００ｋｇｆ／ｃｍ^２）で焼成し各々の実施例についてスペーサ基材を得た。
【００３５】
（比較例１−１、比較例１−２）
全重量に対するＴｉＯ_２の含有量を何れも実施例１−１と同様に１．０重量％とする一方、全重量に対するＴｉＣの含有量を、各々１２．０重量％、６．０重量％とする以外は、実施例１−１と同様にして比較例１−１、比較例１−２のスペーサ基材を得た。実施例１−１〜実施例１−４と、比較例１−１、比較例１−２における各成分の組成ついて図１の表に示す。
【００３６】
（実施例２−１〜実施例２−４）
ＴｉＯ_２の含有量を全て１．５％とすると共に、ＴｉＣの含有量を各々実施例１−１〜実施例１−４と同様に、実施例２−１から順に、１０．０重量％、８．０重量％、７．０重量％、６．５重量％とする以外は実施例１−１と同様にして、実施例２−１〜実施例２−４のスペーサ基材を各々得た。
【００３７】
（比較例２−１、比較例２−２）
ＴｉＯ_２の含有量を何れも実施例２−１と同様に１．５重量％とし、ＴｉＣの含有量を、各々１２．０重量％、６．０重量％として混合する以外は、実施例２−１と同様にして比較例２−１、比較例２−２のスペーサ基材を得た。実施例２−１〜実施例２−４と、比較例２−１、比較例２−２における各成分の組成ついて図２の表に示す。
【００３８】
（実施例３−１〜実施例３−４）
ＴｉＯ_２の含有量を全て２．０重量％とすると共に、ＴｉＣの含有量を各々実施例１−１〜実施例１−４と同様に、実施例３−１から順に、１０．０重量％、８．０重量％、７．０重量％、６．５重量％とする以外は実施例１−１と同様にして、実施例３−１〜実施例３−４のスペーサ基材を各々得た。
【００３９】
（比較例３−１、比較例３−２）
ＴｉＯ_２の含有量を何れも実施例３−１と同様に２．０重量％とし、ＴｉＣの含有量を、各々１２．０重量％、６．０重量％として混合する以外は、実施例３−１と同様にして比較例３−１、比較例３−２のスペーサ基材を得た。実施例３−１〜実施例３−４と、比較例３−１、比較例３−２における各成分の組成ついて図３の表に示す。
【００４０】
（実施例４−１〜実施例４−４）
ＴｉＯ_２の含有量を全て２．５重量％とすると共に、ＴｉＣの含有量を各々実施例１−１〜実施例１−４と同様に、実施例４−１から順に、１０．０重量％、８．０重量％、７．０重量％、６．５重量％とする以外は実施例１−１と同様にして、実施例４−１〜実施例４−４のスペーサ基材を各々得た。
【００４１】
（比較例４−１、比較例４−２）
ＴｉＯ_２の含有量を何れも実施例３−１と同様に２．５重量％とし、ＴｉＣの含有量を、各々１２．０重量％、６．０重量％として混合する以外は、実施例４−１と同様にして比較例４−１、比較例４−２のスペーサ基材を得た。実施例４−１〜実施例４−４と、比較例４−１、比較例４−２における各成分の組成ついて図４の表に示す。
【００４２】
（比較例５−１〜比較例５−５）
ＴｉＯ_２の含有量を全て０．５重量％とすると共にＴｉＣの含有量を実施例５−１から順に、１０．０重量％、８．０重量％、７．０重量％、６．５重量％、６．０重量％、とする以外は実施例１−１と同様にして、比較例５−１〜比較例５−５のスペーサ基材を各々得た。比較例５−１〜比較例５−５における各成分の組成について図５の表に示す。
【００４３】
（比較例６−１〜比較例６−５）
ＴｉＯ_２の含有量を３．０重量％とすると共にＴｉＣの含有量を実施例６−１から順に、１２．０重量％、１０．０重量％、８．０重量％、７．０重量％、６．５重量％、６．０重量％とする以外は実施例１−１と同様にして、比較例６−１〜比較例６−７のスペーサ基材を各々得た。比較例６−１〜比較例６−５における各成分の組成について図６の表に示す。
【００４４】
また、このようにして得られた各スペーサ基材について、種々の電界を印加することにより測定されたスペーサ基材の比抵抗値を図１〜図６の表に各々示す。また、ＴｉＯ_２の含有量が１．５重量％であるスペーサ基材（実施例２−１〜２−４、及び、比較例２−１〜２−２）における、印加する電界と比抵抗値との関係を図７に示す。さらに、ＴｉＣの含有量およびＴｉＯ_２の含有量と、１００００Ｖ／ｍｍの電界を印加した時のスペーサ基材の比抵抗値と、の関係を図８に示す。
【００４５】
図７よりわかるように、ＴｉＣの含有量が６重量％以下となる場合（比較例２−１）やＴｉＣの含有量が１２重量％以上となる場合（比較例２−２）は、０〜１００００Ｖ／ｍｍの電界の大きさの範囲内で、電界の大きさが所定の値を超えると比抵抗値が急減してしまうのに対し、ＴｉＣの含有量が６．５％重量以上１０重量％以下（実施例２−１〜実施例２−４）であれば、電界が０〜１００００Ｖ／ｍｍの範囲内で、比抵抗値は急減せず漸減するのみである。
【００４６】
このことは、ＴｉＯ_２の含有量を１．０％にした場合（実施例１−１〜実施例１−４、比較例１−１、比較例１−２）、ＴｉＯ_２の含有量を２．０％にした場合（実施例３−１〜実施例３−４、比較例３−１、比較例３−２）、ＴｉＯ_２の含有量を２．５％にした場合（実施例４−１〜実施例４−４、比較例４−１、比較例４−２）等でも各々同様であることが図１から図６の表によって理解される。
【００４７】
一方、図８より明らかなように、ＴｉＣの含有量が６．５％重量以上１０重量％以下である場合、比較例５−１〜比較例５−５のようにＴｉＯ_２の含有量が０．５重量％以下となる場合や、比較例６−１〜比較例６−５のようにＴｉＯ_２の含有量が約３．０重量％以上となる場合には、スペーサ基材の比抵抗値を、平面パネルディスプレイ用スペーサとして好ましい比抵抗値である１．０×１０^６Ω・ｃｍ〜１．０×１０^１１Ω・ｃｍにすることが困難である。
【００４８】
これに対して、実施例１−１〜実施例１−４、実施例２−１〜実施例２−４、実施例３−１〜実施例３−４、実施例４−１〜実施例４−４、のように、ＴｉＯ_２の含有量が１．０重量％以上かつ２．５重量％以下の場合には、ＴｉＣやＴｉＯ_２の組成をこの範囲で調節することによりスペーサ基材の比抵抗値を平面パネルディスプレイ用スペーサとして好ましい比抵抗値である１．０×１０^６Ω・ｃｍ〜１．０×１０^１１Ω・ｃｍにすることができる。
【００４９】
また、上述の実施例のスペーサ基材は、密度３．９〜４．２ｇ／ｃｍ^２、ビッカーズ強度２０００〜２２００（Ｈｖ２０）、抗折強度５００〜８００ＭＰａ、ヤング率３８０〜４１０ＧＰａ、熱伝導率２２〜３３Ｗ／ｍＫ、熱膨張係数７．０×１０^−６〜７．３×１０^−６［１／℃］であって、強度等いずれの観点からも、平面パネルディスプレイのスペーサ基材として好ましいことが確認された。
【００５０】
さらに、本実施形態に係る焼結体の組成範囲では、例えば、ＴｉＣの組成が１重量％程度変動しても、比抵抗値が１×１０^２倍程度以下しか変動せず、また、ＴｉＯ_２の組成が０．５％程度変動した場合でも、比抵抗値は１×１０^２倍程度以下しか変動しない。このため、ＴｉＯ_２やＴｉＣの組成に製造上の誤差等が発生しても、製造されるスペーサ基材の比抵抗値の変動が比較的少なくなる。このため、１×１０^６〜１×１０^１１Ωｃｍ程度の比抵抗値のスペーサ基材を高い歩留まりで容易に得ることができる。
【００５１】
次に、上述のスペーサ基材から形成される平面パネルディスプレイ用スペーサと、このスペーサが適用される平面パネルディスプレイであるＦＥＤの概要について説明する。
【００５２】
図９は平面パネルディスプレイ１０の平面図、図１０は平面パネルディスプレイ１０のＸ−Ｘ矢印断面図、図１１は平面パネルディスプレイ面板側内部構造を示す平面パネルディスプレイ側面図である。
【００５３】
ガラス製の面板１０１上には、ブラックマトリックス構造体１０２が形成されている。ブラックマトリックス構造体１０２は燐層からなる複数の蛍光画素領域を含んでいる。燐層は高エネルギー電子が衝突すると、光を放出して可視ディスプレイを形成する。特定の蛍光画素領域から発した光は、ブラックマトリックス構造を介して外部に出力される。ブラックマトリックスは、互いに隣接する蛍光画素領域からの光の混合を抑制するための格子状黒色構造体である。
【００５４】
面板１０１上には、その表面に対して垂直に立設した壁体であるスペーサ１０３−１１９が取り付けられている。
【００５５】
面板１０１上にはスペーサ１０３〜１１９（１０３，１０４，１０５，１０６，１０７，１０８，１０９，１１０，１１１，１１２，１１３，１１４，１１５，１１６，１１７，１１８，１１９）を介して背板２０１が設けられる（図１０参照）。スペーサ１０３〜１１９は、面板１０１と背板２０１との間の間隔を均等に保持している。背板２０１の能動領域面は陰極構造体２０２を含んでいる。この陰極構造体２０２は電子を放出するための突起からなる陰極（電界（電子）放出素子）を複数有している。
【００５６】
陰極構造体２０２の形成領域は背板２０１の面積よりも小さい。面板１０１の外周領域と背板２０１の外周領域との間にはガラスシール２０３が介在しており、中央部に密閉室を提供している。この密閉室内は電子が飛行可能な程度に減圧されている。また、この密閉室内には、陰極構造体２０２、ブラックマトリックス構造体１０２及びスペーサ１０３〜１１９が配置されることとなる。シール２０３は融解ガラスフリットによって形成される。
【００５７】
なお、全てのスペーサ１０３〜１１９の構造は同一であるので、以下では、一つのスペーサ１０３に着目して説明を行う。
【００５８】
スペーサ（平面パネルディスプレイ用スペーサ）１０３は、図１１に示すように、その長手方向の両端に設けられた接着剤３０１，３０２によって面板１０１に固定されている。本例の接着剤３０１，３０２の材料はＵＶ硬化性ポリイミド接着剤であるが、熱硬化性接着剤または無機接着剤を使用することができる。なお、接着剤３０１，３０２はブラックマトリックス構造体１０２の外側に配置される。
【００５９】
次に、スペーサ１０３について詳説する。
【００６０】
図１２はスペーサ１０３の製造方法の一例を説明するための説明図である。このスペーサの製造方法は、上述の陰極構造体（２０２）を有する背板（２０１）と蛍光画素領域（ブラックマトリックス構造体１０２）を有する面板（１０１）との間に介在する平面パネルディスプレイ用スペーサを製造する方法である。このスペーサ１０３は、例えば、以下の工程▲１▼〜▲７▼を順次実行することによって製造することができる。
▲１▼上述の複合セラミクス焼結体の基板（平面パネルディスプレイ用スペーサ基材）Ａ１０３を用意する（図１２（ａ））。
▲２▼次に、基板Ａ１０３の両面に、膜厚が数ｎｍ〜１μｍ、材料がＴｉ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｐｔ等の金属からなる金属膜Ｍをスパッタリング法によって形成する（図１２（ｂ）。なお、この金属膜Ｍは分離後には金属膜ｍとして記載する。
▲３▼基板Ａ１０３の平面形状が四角形となるように周囲を切断し、周辺部を除去する（図１２（ｃ））。
▲４▼基板Ａ１０３の厚み（Ｄ）よりも小さい間隔（Ｗ）で基板を短冊状に切断し、これらの短冊体を分離し、しかる後、洗浄を行う（図１２（ｄ））。
▲５▼短冊状に切断されてなる短冊体の切断面を、全て短冊体の切断面に垂直な方向の寸法Ｗが３００±５０μｍ以内となるように同時に研磨する（図１２（ｅ））。
▲６▼スペーサ１０３の厚み方向及びスペーサ１０３の長手方向を含む平面に平行な端面上に金属膜ｅをパターニングして形成する（図１２（ｆ））。この形成には、まず、この端面を洗浄し、続いて、この端面上にスパッタリング法によってＴｉ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｐｔ等の金属膜を１００ｎｍ堆積し、ドライエッチング用のマスクを金属膜上にパターニングした後、イオンミリングによって当該金属膜をエッチングし、金属膜ｅを形成する。なお、金属膜ｅの長手方向はスペーサ１０３の長手方向に一致する。
【００６１】
また、厚み方向Ｄに関し、金属膜ｅのスペーサ１０３の一端部からの距離Ｄ１、金属膜ｅの寸法Ｄ２、金属膜ｅのスペーサ１０３の他端部からの距離Ｄ３は、製品公差及び誤差が±５μｍ以内となるように設定される。
▲７▼複数の短冊体の前記端面とは反対側の端面を同時に研磨し、その幅Ｗ１を５０〜１００μｍから選択される値に設定する（図１２（ｇ））。この値が小さいほどスペーサ１０３は目立たないが、圧縮力に耐えにくくなる傾向があるため、本例では５０〜１００μｍから選択して設定する。なお、上述の研磨とは、機械研磨及び／又は化学研磨を含むものとする。
【００６２】
また、いずれの工程においても、その平坦度は少なくとも５０μｍ以下に抑制される。
【００６３】
このスペーサ１０３は、上述の焼結体、すなわち、Ａｌ_２Ｏ_３とＴｉＣとＴｉＯ_２とを含み、Ａｌ_２Ｏ_３及びＴｉＣ及びＴｉＯ_２を合わせた重量を１００重量％としたときにＴｉＣを６．５重量％以上１０重量％以下、かつ、ＴｉＯ_２を１．０重量％以上２．５重量％以下含む複合セラミクス焼結体である。このため、上述したように、圧縮力による変形に耐え、また電界が印加されても所望の導電性を示し、帯電や熱暴走が起こりにくくなるので、画像の歪みを効果的に抑制することができる。
【００６４】
また、このスペーサ１０３は、厚み方向の両端面に金属膜ｍを有する。この金属膜ｍは、切断前に形成された金属膜Ｍの一部分である。この金属膜ｍは、背板及び面板との接触抵抗の面内不均一性等を低減させ、スペーサ全体としての抵抗率、導電率の設定に寄与する。
【００６５】
上述のスペーサ１０３は直方体であるが、これは厚み方向及び長手方向を含む平面に平行な端面を有し、この端面上にパターニングされた金属膜ｅを有している。このパターンは内部電界分布を規定するものであるが、その基板厚み方向に沿った形成位置精度は、厚み方向の精度が高いため、元々の基板表面に形成した場合の形成位置精度よりも高くすることができる。
【００６６】
なお、上述のスペーサは反射型のＦＥＤにも適用することができる。また、上述のスペーサ基材は特性に大きな影響を与えない程度に他の材料を含んでいてもよい。
【００６７】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、画像の歪み等の発生をより低減できる平面パネルディスプレイ用スペーサ基材、その製造方法、平面パネルディスプレイ用スペーサ、及び、平面パネルディスプレイが提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１−１〜１−４、及び、比較例１−１〜１−２のスペーサ基材の組成及び特性を示す図表である。
【図２】実施例２−１〜２−４、及び、比較例２−１〜２−２のスペーサ基材の組成及び特性を示す図表である。
【図３】実施例３−１〜３−４、及び、比較例３−１〜３−２のスペーサ基材の組成及び特性を示す図表である。
【図４】実施例４−１〜４−４、及び、比較例４−１〜４−２のスペーサ基材の組成及び特性を示す図表である。
【図５】比較例５−１〜５−５のスペーサ基材の組成及び特性を示す図表である。
【図６】比較例６−１〜６−５のスペーサ基材の組成及び特性を示す図表である。
【図７】実施例２−１〜２−４、及び、比較例２−１〜２−２におけるスペーサ基材の比抵抗と印加電圧との関係を示す図である。
【図８】ＴｉＣの添加量と印加電界１００００Ｖ／ｍｍの時のスペーサ基材の比抵抗値との関係を示す図である。
【図９】平面パネルディスプレイの平面図である。
【図１０】平面パネルディスプレイのＸ−Ｘ矢視断面図である。
【図１１】平面パネルディスプレイ面板側の内部構造を示す平面パネルディスプレイ側面図である。
【図１２】スペーサの製造方法を説明するための説明図である。
【符号の説明】
１０…平面パネルディスプレイ、１０１…面板、１０２…ブラックマトリックス構造、１０２…ブラックマトリックス構造体、１０３…スペーサ（平面パネルディスプレイ用スペーサ）、２０１…背板、２０２…陰極構造体、２０３…ガラスシール、３０１，３０２…接着剤、Ａ１０３…基板（平面パネルディスプレイ用スペーサ基材）、ｅ…金属膜、Ｍ…金属膜、ｍ…金属膜。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a flat panel display spacer base material, a method for manufacturing a flat panel display spacer base material, a flat panel display spacer, and a flat panel display.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art A field emission display (FED) is known as a self-luminous type flat panel display to which a conventional cathode ray tube (CRT) is applied. The FED has a cathode structure in which a number of cathodes (field emission devices) are two-dimensionally arranged. Under a reduced pressure environment, electrons emitted from the cathodes collide with each fluorescent pixel area to generate a luminescent image. Has formed. The fluorescent pixel region includes a phosphor layer.
[0003]
The flat panel display includes a back plate having a cathode structure. An example of such a flat panel display is described in Patent Document 1. The back plate of this display is formed by depositing a cathode structure on a glass plate.
[0004]
The flat panel display has a glass faceplate on which a phosphor layer is deposited. A conductive layer for applying an electric field is deposited on the glass or phosphor layer.
[0005]
The face plate is separated from the back plate by 0.1 mm to 1 mm to 2 mm. A strip spacer consisting of a wall is vertically interposed between the face plate and the back plate. Although it is desirable that the spacer is arranged at an accurate position, when the pressure in the display is reduced, a large load is applied to the spacer due to the atmospheric pressure.
[0006]
This load is said to reach one ton on a 10-inch display. When the spacer is misaligned or tilted by this load, the emitted electrons are deflected, causing visible defects on the display. The spacers must withstand very high compressive forces between the face and back plates, and the height of each spacer must be equal and flat. Further, it is described that the thermal expansion coefficient of the spacer must be close to that of a glass plate as a face plate, and that the temperature dependence thereof be small.
[0007]
Since a high voltage of, for example, 1 kV or more is applied between the face plate and the back plate, the spacer is required to have high voltage resistance and secondary radiation characteristics. As a conventional spacer, a spacer formed by coating an insulating material made of alumina with a conductive material (for example, see Patent Literatures 2 and 3), or a spacer having a concavo-convex film formed by oxide fine particles or the like (for example, see Patent Literature 2) 4) and those made of a ceramic in which a transition metal oxide is dispersed (for example, see Patent Document 5).
[Patent Document 1]
U.S. Pat. No. 5,541,473
[Patent Document 2]
JP 2002-508110 A
[Patent Document 3]
JP 2001-508926 A
[Patent Document 4]
JP 2001-68042 A
[Patent Document 5]
Japanese Patent Publication No. 11-500856
[Patent Document 6]
JP 2002-515133 A
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, when a conventional spacer is used, image distortion or the like may occur. The present invention has been made in view of such problems, and a flat panel display spacer base material capable of reducing the occurrence of image distortion and the like, a method for manufacturing the same, a flat panel display spacer, and a flat panel display. The purpose is to provide.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The present inventors have conducted intensive studies and found that Al ₂ O ₃ , TiC and TiO ₂ Have been found to be suitable as a spacer base material, and have reached the present invention.
[0010]
The spacer substrate for a flat panel display according to the present invention is made of Al ₂ O ₃ , TiC and TiO ₂ Having a sintered body containing Al ₂ O ₃ , TiC and TiO ₂ Contains 6.5 to 10% by weight with respect to the total weight of ₂ From 1.0 to 2.5% by weight.
[0011]
The method for producing a spacer substrate for a flat panel display according to the present invention comprises the steps of: ₂ O ₃ Powder, TiC powder and TiO ₂ Powder, Al ₂ O ₃ Powder, TiC powder and TiO ₂ 6.5 to 10% by weight of TiC powder based on the total weight of the powder, and TiO ₂ A step of obtaining a mixture by mixing the powder so as to be 1.0 to 2.5% by weight; and a step of firing the mixture to obtain a sintered body.
[0012]
The spacer for a flat panel display according to the present invention is made of Al ₂ O ₃ , TiC and TiO ₂ Containing, Al ₂ O ₃ , TiC and TiO ₂ 6.5 to 10% by weight with respect to the total weight of ₂ From 1.0 to 2.5% by weight, and is interposed between the back plate having the cathode structure and the face plate having the fluorescent pixel region.
[0013]
A flat panel display according to the present invention includes a back plate having a cathode structure, a face plate having an optical pixel region, and an Al interposed between the back plate and the face plate. ₂ O ₃ , TiC and TiO ₂ Containing, Al ₂ O ₃ , TiC and TiO ₂ 6.5 to 10% by weight with respect to the total weight of ₂ And a spacer for a flat panel display formed from a sintered body containing 1.0 to 2.5% by weight.
[0014]
In these inventions, the sintered body is made of TiC and Al ₂ O ₃ And the composite ceramics has the properties of AlTiC (AlTiC), which is a conductive ceramic of high hardness, and can withstand deformation due to compressive force. For this reason, when the spacer base material, which is such a sintered body, is used as a spacer for a flat panel display, image distortion and the like can be reduced.
[0015]
Further, this sintered body is made of Al ₂ O ₃ , TiC and TiO ₂ Contains 6.5 to 10% by weight with respect to the total weight of ₂ From 1.0 to 2.5% by weight. When the specific resistance is measured by changing the electric field applied to this sintered body in the range of about 0 to 10,000 V / mm, the specific resistance gradually decreases as the electric field increases, When the electric field exceeds a certain electric field in this range, the specific resistance value does not suddenly decrease. Further, within this range, TiC or TiO ₂ By changing the composition of ⁶ Ω · cm to 1.0 × 10 ¹¹ A sintered body having a resistance of Ω · cm can be easily obtained. For this reason, when the spacer base material having such a sintered body is used as a spacer for a flat panel display, the spacer exhibits desired conductivity even when an electric field is applied, and is less likely to be charged. Is also suppressed, and image distortion and the like in the flat panel display can be further reduced.
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the drawings, the same or corresponding elements have the same reference characters allotted, and overlapping description will be omitted.
[0017]
First, a spacer substrate for a flat panel display according to the present embodiment and a method for manufacturing the same will be described. In the present embodiment, as the flat panel display spacer base material, Al ₂ O ₃ (Alumina), TiC (titanium carbide), and TiO ₂ (Titania) ₂ O ₃ , TiC and TiO ₂ 6.5 to 10% by weight with respect to the total weight of ₂ Of a composite ceramics sintered body containing 1.0 to 2.5% by weight.
[0018]
Such a spacer substrate is made of Al ₂ O ₃ Powder, TiC powder and TiO ₂ Powder of Al ₂ O ₃ Powder, TiC powder and TiO ₂ 6.5 to 10% by weight of TiC powder based on the total weight of the powder, and TiO ₂ It is obtained by mixing and molding so as to contain 1.0 to 2.5% by weight of the powder, firing the molded body at a predetermined temperature, and allowing it to cool.
[0019]
Hereinafter, the manufacturing method of the spacer base material according to the present embodiment will be described in detail. First, the raw material, Al ₂ O ₃ Powder, TiC powder and TiO ₂ Prepare powder. Here, the raw material Al ₂ O ₃ The powder is preferably a fine powder, and has an average particle diameter of 0.1 to 1 μm, particularly preferably 0.4 to 0.6 μm. The TiC powder is preferably a fine powder, and has an average particle diameter of 0.1 to 3 μm, particularly preferably 0.5 to 1.5 μm. Also, TiO ₂ The powder is preferably a fine powder, and has an average particle diameter of 0.1 to 3 μm, particularly preferably 0.5 to 1 μm.
[0020]
Then, each of these powders is ₂ O ₃ Powder, TiC powder and TiO ₂ 6.5 to 10% by weight of TiC powder based on the total weight of powder and TiO ₂ The powder is mixed to contain 1.0 to 2.5% by weight to obtain a mixed powder.
[0021]
Here, the mixing of the powder is preferably performed in a ball mill or an attritor. In addition, it is preferable to use a solvent other than water, for example, ethanol, IPA, 95% denatured ethanol, or the like as a solvent in order to properly mix. It is preferable to mix for about 10 to 100 hours. In addition, as a mixed medium in a ball mill or an attritor, for example, alumina balls or zirconia balls having a diameter of about 1 to 20 mm are preferably used.
[0022]
Next, the mixed powder is spray-granulated. Here, for example, an inert gas such as nitrogen or argon containing almost no oxygen may be spray-dried in hot air at about 60 to 200 ° C., whereby the granulated product of the mixed powder having the above composition may be obtained. can get. Here, for example, the particle size of the granulated material is preferably about 50 μm to 200 μm.
[0023]
Next, if necessary, a solvent or the like is added to adjust the liquid content of the granulated material so that the granulated material contains the solvent in an amount of about 0.1 to 10% by weight.
[0024]
Next, the granulated product is filled in a predetermined mold, and is subjected to primary forming by cold pressing to obtain a formed body. Here, for example, the granulated material is filled in a metal or carbon mold for forming a disk having an inner diameter of 150 mm, and is, for example, 5 to 15 MPa (50 to 150 kgf / cm). ² ) May be performed by cold pressing at a pressure of about).
[0025]
Subsequently, the primary molded body is hot pressed to obtain a sintered body. Here, for example, it is preferable that the firing temperature is 1200 to 1700 ° C., the pressure is 10 to 50 MPa (100 to 500 MPa), and the atmosphere is vacuum, nitrogen, or argon. The non-oxidizing atmosphere is used to prevent oxidation of TiC. Further, it is preferable to use a carbon mold. The sintering time is preferably about 1 to 3 hours.
[0026]
Then, after inspecting the appearance and the like, mechanical finishing is performed using a diamond grindstone or the like to complete the spacer base material for a flat panel display. The specific shape of the final spacer substrate for a flat panel display is, for example, a disk-shaped substrate having a diameter of 6 inches and a thickness of about 2 mm.
[0027]
The spacer base material thus obtained is composed of TiC and Al ₂ O ₃ Since it is a composite ceramic sintered body containing the following, it exhibits the properties of AlTiC (AlTiC), which is a conductive ceramic of high hardness, and can withstand deformation due to compressive force. Therefore, when used as a spacer for a flat panel display, the spacer is less likely to be misaligned or tilted, and image distortion is reduced.
[0028]
Further, the spacer substrate is made of Al ₂ O ₃ , TiC and TiO ₂ Is contained in an amount of 6.5 to 10% by weight with respect to the total weight of ₂ Is 1.0 to 2.5% by weight. When the specific resistance is measured by changing the electric field applied to this spacer base to about 0 to 10,000 V / mm, the specific resistance gradually decreases as the electric field increases within this range. When the magnitude of an electric field in this range is exceeded, the specific resistance does not suddenly decrease. Further, within this range, TiC or TiO ₂ By changing the composition of ⁶ Ω · cm to 1.0 × 10 ¹¹ A spacer base material having a resistance of Ω · cm can be easily obtained.
[0029]
Therefore, when such a spacer base material is used as a spacer for a flat panel display, the spacer exhibits desired conductivity even when an electric field is applied, and is less likely to be charged. For this reason, the deflection of the electron trajectory due to the charging is suppressed, and the thermal runaway due to the flow of the overcurrent is also suppressed, so that the image distortion and the like on the flat panel display can be further reduced.
[0030]
Here, when the content of TiC is less than 6.5% by weight or more than 10% by weight, the specific resistance value rapidly decreases before the electric field reaches 10,000 V / mm. Also, TiO ₂ Is less than 1.0% by weight or more than 2.5% by weight, the specific resistance of the spacer substrate is set to 1.0 × 10 ⁶ ~ 1.0 × 10 ¹¹ It is difficult to set the resistance to Ω · cm. If, for example, the specific resistance value exceeds this range and becomes too high, charging is likely to occur and distortion may occur. If the specific resistance value falls below this range and becomes too low, an overcurrent may flow and thermal runaway may occur.
[0031]
In the composition range of the sintered body according to the present embodiment, for example, TiC or TiO ₂ Is relatively small when the composition changes. Therefore, 1 × 10 ⁶ ~ 1 × 10 ¹¹ A spacer base material having a specific resistance value of about Ωcm can be easily manufactured with high yield while reducing variation in specific resistance value.
[0032]
Next, examples of the spacer base material according to the present embodiment will be described.
[0033]
(Example 1-1 to Example 1-4)
First, Al ₂ O ₃ Powder (average particle size 0.5 μm, purity 99.9%), TiC powder (average particle size 0.5 μm, purity 99%, carbon content is 19% or more and 1% or less is free graphite), and TiO ₂ A predetermined amount of each powder (average particle size: 0.1 μm) was weighed, pulverized and mixed with ethanol in a ball mill for 30 minutes, and spray granulated at 150 ° C. in nitrogen to obtain a granulated product. Here, in Examples 1-1 to 1-4, Al ₂ O ₃ Powder, TiC powder and TiO ₂ TiO, based on the total weight of the powder combined ₂ The content of each powder was 1.0% by weight. Further, the content of TiC powder with respect to the total weight was 10.0% by weight in Example 1-1, 8.0% by weight in Example 1-2, 7.0% by weight in Example 1-3, and In 1-4, the content was 6.5% by weight.
[0034]
Subsequently, each of these mixtures was added to about 0.5 MPa (50 kgf / cm ² ), Hot-pressing in a vacuum atmosphere for 1 hour, sintering temperature of 1600 ° C., pressing pressure of about 30 MPa (about 300 kgf / cm). ² ) To obtain a spacer substrate for each example.
[0035]
(Comparative Example 1-1, Comparative Example 1-2)
TiO to total weight ₂ In the same manner as in Example 1-1, except that the TiC content was 12.0% by weight and 6.0% by weight, respectively, based on the total weight. In the same manner as in Example 1-1, spacer base materials of Comparative Examples 1-1 and 1-2 were obtained. The composition of each component in Example 1-1 to Example 1-4, Comparative Example 1-1, and Comparative Example 1-2 is shown in the table of FIG.
[0036]
(Example 2-1 to Example 2-4)
TiO ₂ Is 1.5%, and the content of TiC is 10.0% by weight and 8. wt.% In order from Example 2-1 in the same manner as in Examples 1-1 to 1-4. Except for 0% by weight, 7.0% by weight and 6.5% by weight, the spacer substrates of Examples 2-1 to 2-4 were obtained in the same manner as in Example 1-1.
[0037]
(Comparative Example 2-1 and Comparative Example 2-2)
TiO ₂ Example 2-1 except that the content of TiC was 1.5% by weight as in Example 2-1 and the content of TiC was 12.0% by weight and 6.0% by weight, respectively. In the same manner as in the above, spacer base materials of Comparative Examples 2-1 and 2-2 were obtained. The composition of each component in Example 2-1 to Example 2-4, Comparative Example 2-1 and Comparative Example 2-2 is shown in the table of FIG.
[0038]
(Example 3-1 to Example 3-4)
TiO ₂ Is set to 2.0% by weight, and the content of TiC is set to 10.0% by weight, 8% in order from Example 3-1 in the same manner as in Examples 1-1 to 1-4. The spacer base materials of Examples 3-1 to 3-4 were obtained in the same manner as in Example 1-1, except that the amounts were set to 0.0% by weight, 7.0% by weight, and 6.5% by weight.
[0039]
(Comparative Example 3-1 and Comparative Example 3-2)
TiO ₂ Example 3-1 except that the content of TiC was 2.0% by weight as in Example 3-1 and the content of TiC was 12.0% by weight and 6.0% by weight, respectively. In the same manner as in the above, spacer base materials of Comparative Examples 3-1 and 3-2 were obtained. The composition of each component in Example 3-1 to Example 3-4, Comparative Example 3-1 and Comparative Example 3-2 is shown in the table of FIG.
[0040]
(Example 4-1 to Example 4-4)
TiO ₂ , The content of TiC was set to 2.5% by weight, and the content of TiC was set to 10.0% by weight, 8% in order from Example 4-1 in the same manner as in Examples 1-1 to 1-4. The spacer base materials of Examples 4-1 to 4-4 were obtained in the same manner as in Example 1-1, except that the amounts were set to 0.0% by weight, 7.0% by weight, and 6.5% by weight.
[0041]
(Comparative Example 4-1 and Comparative Example 4-2)
TiO ₂ Example 4-1 except that the content of each was 2.5 wt% as in Example 3-1 and the content of TiC was 12.0 wt% and 6.0 wt%, respectively. In the same manner as in the above, spacer base materials of Comparative Examples 4-1 and 4-2 were obtained. The composition of each component in Example 4-1 to Example 4-4, Comparative Example 4-1 and Comparative Example 4-2 is shown in the table of FIG.
[0042]
(Comparative Example 5-1 to Comparative Example 5-5)
TiO ₂ Was set to 0.5% by weight, and the TiC content was set to 10.0% by weight, 8.0% by weight, 7.0% by weight, 6.5% by weight, in order from Example 5-1. The spacer base materials of Comparative Examples 5-1 to 5-5 were obtained in the same manner as in Example 1-1 except that the weight was 6.0% by weight. The composition of each component in Comparative Example 5-1 to Comparative Example 5-5 is shown in the table of FIG.
[0043]
(Comparative Example 6-1 to Comparative Example 6-5)
TiO ₂ And 3.0% by weight, and the TiC content in the order of Example 6-1 was 12.0% by weight, 10.0% by weight, 8.0% by weight, 7.0% by weight, 6% by weight. The spacer base materials of Comparative Examples 6-1 to 6-7 were obtained in the same manner as in Example 1-1 except that the amounts were changed to 0.5% by weight and 6.0% by weight, respectively. The composition of each component in Comparative Example 6-1 to Comparative Example 6-5 is shown in the table of FIG.
[0044]
In addition, specific resistance values of the spacer base material measured by applying various electric fields to each of the thus obtained spacer base materials are shown in the tables of FIGS. Also, TiO ₂ The relationship between the applied electric field and the specific resistance in the spacer base material (Examples 2-1 to 2-4 and Comparative examples 2-1 to 2-2) in which the content of As shown in FIG. Furthermore, the content of TiC and TiO ₂ FIG. 8 shows the relationship between the content of and the specific resistance of the spacer base material when an electric field of 10,000 V / mm was applied.
[0045]
As can be seen from FIG. 7, when the content of TiC is 6% by weight or less (Comparative Example 2-1) or when the content of TiC is 12% by weight or more (Comparative Example 2-2), 0 to 0%. When the magnitude of the electric field exceeds a predetermined value within the range of the magnitude of the electric field of 10,000 V / mm, the specific resistance value sharply decreases. In the following (Example 2-1 to Example 2-4), when the electric field is in the range of 0 to 10000 V / mm, the specific resistance value does not rapidly decrease but only gradually decreases.
[0046]
This is because TiO ₂ When the content of is 1.0% (Example 1-1 to Example 1-4, Comparative Example 1-1, Comparative Example 1-2), TiO ₂ When the content of is set to 2.0% (Example 3-1 to Example 3-4, Comparative Example 3-1 and Comparative Example 3-2), TiO ₂ 1 to 6 in the case where the content of is 2.5% (Example 4-1 to Example 4-4, Comparative Example 4-1 and Comparative Example 4-2). Understood by the table.
[0047]
On the other hand, as is clear from FIG. 8, when the content of TiC is 6.5% by weight or more and 10% by weight or less, TiO as in Comparative Examples 5-1 to 5-5 is used. ₂ Is not more than 0.5% by weight, or as in Comparative Examples 6-1 to 6-5, TiO. ₂ Is about 3.0% by weight or more, the specific resistance of the spacer base material is set to 1.0 × 10 which is a preferable specific resistance for the flat panel display spacer. ⁶ Ω · cm to 1.0 × 10 ¹¹ It is difficult to make Ω · cm.
[0048]
In contrast, Examples 1-1 to 1-4, Examples 2-1 to 2-4, Examples 3-1 to 3-4, and Examples 4-1 to 4 -4, like TiO ₂ Is not less than 1.0% by weight and not more than 2.5% by weight, TiC or TiO ₂ Is adjusted within this range, the specific resistance of the spacer base material is adjusted to 1.0 × 10, which is a preferable specific resistance for the flat panel display spacer. ⁶ Ω · cm to 1.0 × 10 ¹¹ Ω · cm.
[0049]
Further, the density of the spacer base material in the above-described embodiment is 3.9 to 4.2 g / cm. ² , Vickers strength 2000 to 2200 (Hv20), flexural strength 500 to 800 MPa, Young's modulus 380 to 410 GPa, thermal conductivity 22 to 33 W / mK, thermal expansion coefficient 7.0 × 10 ^-6 ~ 7.3 × 10 ^-6 [1 / ° C.], and it was confirmed that it was preferable as a spacer base material for a flat panel display from any viewpoints such as strength.
[0050]
Furthermore, in the composition range of the sintered body according to the present embodiment, for example, even if the composition of TiC fluctuates by about 1% by weight, the specific resistance value is 1 × 10 ² Fluctuates only about twice or less. ₂ Even when the composition fluctuates about 0.5%, the specific resistance value is 1 × 10 ² It fluctuates only about twice or less. For this reason, TiO ₂ Even if a manufacturing error or the like occurs in the composition of TiC or TiC, the variation in the specific resistance value of the manufactured spacer base material is relatively small. Therefore, 1 × 10 ⁶ ~ 1 × 10 ¹¹ A spacer base material having a specific resistance value of about Ωcm can be easily obtained with a high yield.
[0051]
Next, an outline of a flat panel display spacer formed from the above spacer base material and an FED which is a flat panel display to which the spacer is applied will be described.
[0052]
9 is a plan view of the flat panel display 10, FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line XX of the flat panel display 10, and FIG. 11 is a side view of the flat panel display showing the internal structure of the flat panel display face plate side.
[0053]
A black matrix structure 102 is formed on a face plate 101 made of glass. The black matrix structure 102 includes a plurality of fluorescent pixel regions made of a phosphor layer. The phosphor layer emits light when struck by high energy electrons to form a visible display. Light emitted from a specific fluorescent pixel region is output to the outside via a black matrix structure. The black matrix is a lattice-like black structure for suppressing mixing of light from the fluorescent pixel regions adjacent to each other.
[0054]
On the face plate 101, spacers 103 to 119, which are walls that stand vertically to the surface, are attached.
[0055]
The back plate 201 is placed on the face plate 101 via spacers 103 to 119 (103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119). (See FIG. 10). The spacers 103 to 119 maintain the distance between the face plate 101 and the back plate 201 evenly. The active area surface of the back plate 201 includes the cathode structure 202. The cathode structure 202 has a plurality of cathodes (electric field (electron) emission elements) formed of projections for emitting electrons.
[0056]
The formation area of the cathode structure 202 is smaller than the area of the back plate 201. A glass seal 203 is interposed between the outer peripheral region of the face plate 101 and the outer peripheral region of the back plate 201, and provides a closed chamber at the center. The pressure in this sealed chamber is reduced to such a degree that electrons can fly. Further, the cathode structure 202, the black matrix structure 102, and the spacers 103 to 119 are arranged in the closed chamber. The seal 203 is formed by a molten glass frit.
[0057]
Since the structure of all the spacers 103 to 119 is the same, the following description will be made focusing on one spacer 103.
[0058]
As shown in FIG. 11, the spacer (spacer for flat panel display) 103 is fixed to the face plate 101 by adhesives 301 and 302 provided at both ends in the longitudinal direction. The material of the adhesives 301 and 302 in this example is a UV-curable polyimide adhesive, but a thermosetting adhesive or an inorganic adhesive can be used. Note that the adhesives 301 and 302 are arranged outside the black matrix structure 102.
[0059]
Next, the spacer 103 will be described in detail.
[0060]
FIG. 12 is an explanatory diagram for describing an example of a method for manufacturing the spacer 103. The method of manufacturing the spacer includes a spacer for a flat panel display interposed between a back plate (201) having the above-described cathode structure (202) and a face plate (101) having a fluorescent pixel region (black matrix structure 102). It is a method of manufacturing. The spacer 103 can be manufactured, for example, by sequentially performing the following steps (1) to (7).
(1) A substrate (spacer base material for a flat panel display) A103 of the above-mentioned composite ceramic sintered body is prepared (FIG. 12A).
{Circle around (2)} Next, a metal film M having a thickness of several nm to 1 μm and made of a metal such as Ti, Au, Cr, or Pt is formed on both surfaces of the substrate A103 by a sputtering method (FIG. 12B). The metal film M is described as a metal film m after separation.
{Circle around (3)} The periphery is cut so that the planar shape of the substrate A103 becomes a square, and the peripheral portion is removed (FIG. 12C).
{Circle around (4)} The substrate is cut into strips at intervals (W) smaller than the thickness (D) of the substrate A103, these strips are separated, and then washed (FIG. 12D).
(5) The cut surfaces of the strips cut into strips are simultaneously polished so that the dimension W in the direction perpendicular to the cut surfaces of the strips is within 300 ± 50 μm (FIG. 12 (e)).
(6) A metal film e is formed by patterning on an end surface parallel to a plane including the thickness direction of the spacer 103 and the longitudinal direction of the spacer 103 (FIG. 12F). In this formation, first, the end face is cleaned, and subsequently, a metal film of Ti, Au, Cr, Pt or the like is deposited to a thickness of 100 nm on the end face by sputtering, and a mask for dry etching is patterned on the metal film. After that, the metal film is etched by ion milling to form a metal film e. Note that the longitudinal direction of the metal film e coincides with the longitudinal direction of the spacer 103.
[0061]
Regarding the thickness direction D, the distance D1 of the metal film e from one end of the spacer 103, the dimension D2 of the metal film e, and the distance D3 of the metal film e from the other end of the spacer 103 have a product tolerance and an error of ± 3. It is set to be within 5 μm.
{Circle around (7)} The end faces of the plural strips opposite to the end faces are simultaneously polished, and the width W1 is set to a value selected from 50 to 100 μm (FIG. 12 (g)). As this value is smaller, the spacer 103 is less conspicuous, but tends to be less resistant to compressive force. Note that the above polishing includes mechanical polishing and / or chemical polishing.
[0062]
In any of the steps, the flatness is suppressed to at least 50 μm or less.
[0063]
The spacer 103 is made of the above-mentioned sintered body, that is, Al ₂ O ₃ And TiC and TiO ₂ And Al ₂ O ₃ And TiC and TiO ₂ When the combined weight is set to 100% by weight, TiC is 6.5% by weight or more and 10% by weight or less and TiO ₂ Is a composite ceramic sintered body containing 1.0% by weight or more and 2.5% by weight or less. For this reason, as described above, it resists deformation due to compressive force, exhibits desired conductivity even when an electric field is applied, and is less likely to be charged or thermally runaway. it can.
[0064]
The spacer 103 has metal films m on both end surfaces in the thickness direction. This metal film m is a part of the metal film M formed before cutting. The metal film m reduces in-plane non-uniformity of contact resistance with the back plate and the face plate, and contributes to setting of resistivity and conductivity of the entire spacer.
[0065]
The above-mentioned spacer 103 is a rectangular parallelepiped, which has an end face parallel to a plane including the thickness direction and the longitudinal direction, and has a patterned metal film e on this end face. Although this pattern regulates the internal electric field distribution, the formation position accuracy along the substrate thickness direction is higher than the formation position accuracy when formed on the original substrate surface because the accuracy in the thickness direction is high. be able to.
[0066]
The above-described spacer can be applied to a reflection type FED. Further, the above-mentioned spacer base material may contain other materials to such an extent that the characteristics are not significantly affected.
[0067]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, a flat panel display spacer substrate, a method of manufacturing the same, a flat panel display spacer, and a flat panel display that can further reduce the occurrence of image distortion and the like are provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a table showing compositions and properties of spacer base materials of Examples 1-1 to 1-4 and Comparative Examples 1-1 and 1-2.
FIG. 2 is a table showing compositions and characteristics of spacer base materials of Examples 2-1 to 2-4 and Comparative examples 2-1 and 2-2.
FIG. 3 is a table showing compositions and properties of spacer base materials of Examples 3-1 to 3-4 and Comparative examples 3-1 to 3-2.
FIG. 4 is a table showing compositions and characteristics of spacer base materials of Examples 4-1 to 4-4 and Comparative examples 4-1 and 4-2.
FIG. 5 is a table showing compositions and properties of spacer base materials of Comparative Examples 5-1 to 5-5.
FIG. 6 is a table showing compositions and properties of spacer base materials of Comparative Examples 6-1 to 6-5.
FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the specific resistance of the spacer base material and the applied voltage in Examples 2-1 to 2-4 and Comparative Examples 2-1 and 2-2.
FIG. 8 is a graph showing the relationship between the amount of TiC added and the specific resistance of a spacer base material at an applied electric field of 10,000 V / mm.
FIG. 9 is a plan view of a flat panel display.
FIG. 10 is a cross-sectional view of the flat panel display taken along line XX.
FIG. 11 is a side view of the flat panel display showing the internal structure on the side of the flat panel display face plate.
FIG. 12 is an explanatory diagram for explaining the method for manufacturing the spacer.
[Explanation of symbols]
10: flat panel display, 101: face plate, 102: black matrix structure, 102: black matrix structure, 103: spacer (spacer for flat panel display), 201: back plate, 202: cathode structure, 203: glass seal, 301, 302: adhesive, A103: substrate (spacer base material for flat panel display), e: metal film, M: metal film, m: metal film.

Claims

Al ₂ O _3, TiC, and has a sintered body containing TiO _2, wherein the sintered body is _Al 2 _O 3, TiC, and, with respect to the total weight of TiO _2, 6.5 to 10 and TiC wherein wt%, and containing TiO ₂ 1.0 to 2.5 wt%, the spacer base material for a flat panel display.

The Al ₂ O ₃ powder, TiC powder, and TiO ₂ powder are mixed with the total weight of Al ₂ O ₃ powder, TiC powder, and TiO ₂ powder by 6.5 to 10% by weight, and TiO. ₍₂₎ mixing the powder so as to be 1.0 to 2.5% by weight to obtain a mixture;
Baking the mixture to obtain a sintered body,
A method for producing a spacer substrate for a flat panel display, comprising:

Al ₂ O _3, TiC, and comprises TiO _{_2,} Al ₂ O 3, TiC, and, with respect to the total weight of TiO _2, a TiC 6.5 to 10 wt%, and a TiO ₂ 1.0 A spacer for a flat panel display formed of a sintered body containing up to 2.5% by weight and interposed between a back plate having a cathode structure and a face plate having a fluorescent pixel region.

A back plate having a cathode structure,
A face plate having a fluorescent pixel region,
While it is interposed between the back plate and the face _plates, Al ₂ O 3, TiC, and comprises _{_{_{TiO 2, Al 2 O 3,}}} TiC, and, with respect to the total weight of TiO _2, 6.5 to TiC 10 wt%, and a spacer for a flat panel display formed of a sintered body containing TiO ₂ 1.0 to 2.5 wt%,
A flat panel display comprising: