Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
レジスト層を露光した後、あるいはレジスト層を露光し、現像した後に、レジスト層の感光部分を光学的に検査するレジスト検査方法であって、波長５２２〜６４５ｎｍの光を照射することを特徴とするレジスト検査方法。A resist inspection method for optically inspecting a photosensitive portion of a resist layer after exposing the resist layer or after exposing and developing the resist layer, characterized by irradiating light having a wavelength of 522 to 645 nm. Resist inspection method .ドライフィルムレジストを用いて基板上に形成したレジスト層を露光した後、あるいは該レジスト層を露光し、現像した後に、レジスト層の感光部分を光学的に検査するレジスト検査方法であって、前記ドライフィルムレジストを前記基板に張り付けるときに伸ばした方向に対して直交する方向から、波長５２２〜６４５ｎｍの光を照射することを特徴とするレジスト検査方法。A resist inspection method for optically inspecting a photosensitive portion of a resist layer after exposing a resist layer formed on a substrate using a dry film resist, or after exposing and developing the resist layer. A resist inspection method comprising irradiating light having a wavelength of 522 to 645 nm from a direction orthogonal to a direction stretched when a film resist is attached to the substrate .ラインＣＣＤカメラを用いて撮像することを特徴とする請求項２に記載のレジスト検査方法。The resist inspection method according to claim 2, wherein imaging is performed using a line CCD camera.