JP2004342917A - Thin film pattern forming method, device, its manufacturing method, electro-optical device and electronic equipment - Google Patents

Thin film pattern forming method, device, its manufacturing method, electro-optical device and electronic equipment Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To form a wiring without leaving behind any drop of liquid on a liquid repelling part. <P>SOLUTION: A thin film pattern is formed on the surface of a substrate P by discharging a plurality of drops 32 of functional liquid on a region H1 to be coated between liquid repelling regions H2 formed by a liquid repelling film F. The drops of liquid are discharged so as to have a size which satisfies D≤4×W when the diameter of the liquid drop upon hitting the liquid repelling film F is shown by D and the width of the region to be coated H1 is shown by W. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜パターン形成方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体集積回路などの微細な配線パターンの製造方法としては、フォトリソグラフィー法が多用されている。一方、特許文献１、特許文献２などには、液滴吐出方式を用いた方法が開示されている。これら公報に開示されている技術は、パターン形成用材料を含んだ機能液を液滴吐出ヘッドから基板上に吐出することにより、パターン形成面に材料を配置（塗布）して配線パターンを形成するものであり、少量多種生産に対応可能であるなど大変有効であるとされている。
【０００３】
ところで、近年ではデバイスを構成する回路の高密度化がますます進み、例えば配線パターンについてもさらなる微細化、細線化が要求されている。
しかしながら、このような微細な配線パターンを前記の液滴吐出方式による方法によって形成しようとした場合、特にその配線幅の精度を十分にだすのが難しい。そのため、基板上に仕切部材であるバンクを設けるとともに、バンクの上部を撥液性にし、それ以外の部分が親液性となるように表面処理を施す方法も提案されているが、バンクはフォトリソグラフィ法を用いて形成されるため、コスト高につながってしまう。
【０００４】
そこで、予め撥液部と親液部とがパターニングされた基板の親液部に、液滴吐出方式により選択的に液体材料（機能液）を吐出することも提案されている。この場合、例えば導電性微粒子を分散させた液体材料は、親液部に溜まりやすくなるため、バンクを形成することなく、位置精度を保って配線パターンを形成することが可能である。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−２７４６７１号公報
【特許文献２】
特開２０００−２１６３３０号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
細線化を図って親液部の幅を小さくすると、吐出した液滴の直径が親液部の幅よりも大きくなることが考えられる。この場合、着弾した液滴が撥液部の表面に溢れて残留する虞がある。そして、隣り合う配線間の撥液部において液滴が残留した場合には短絡の可能性もあるため、デバイスとしての品質を大きく低下させることになってしまう。
【０００７】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、液滴を撥液部に残留させることなく配線を形成できる薄膜パターン形成方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の薄膜パターン形成方法は、撥液性膜で形成された撥液領域間の被塗布領域に機能液の液滴を複数吐出して基板の表面に薄膜パターンを形成する方法であって、前記撥液性膜に着弾した際の前記液滴の直径をＤとし、前記被塗布領域の幅をＷとしたときに、Ｄ≦４×Ｗを満足する大きさで前記液滴を吐出することを特徴とするものである。
【０００９】
撥液領域に着弾した液滴の直径が被塗布領域幅の４倍より大きいと被塗布領域における容量を超えてしまい、着弾した機能液を被塗布領域内に引き込み（はじき）きれなかったが、本発明の薄膜パターン形成方法ではＤ≦４Ｗを満足することで、着弾した液滴を被塗布領域内に引き込むことができた。そのため、撥液領域に液滴が残留せず、短絡等による品質低下を防止することができる。
【００１０】
機能液に対する前記被塗布領域の接触角と、前記機能液に対する前記撥液領域の接触角との差は４０°以上であることが好ましい。
これにより、吐出した機能液の一部が撥液領域にのった場合でも、機能液の流動性や撥液性膜の撥液性等によりはじかせて機能液を確実に被塗布領域に入り込ませることが可能になり、被塗布領域の幅で規定された細線パターンを得ることができる。また、機能液に対する前記被塗布領域の接触角は１５°以下が好ましく、この場合、被塗布領域の機能液が基板上でより塗れ拡がり易くなり、より均一に被塗布領域を埋め込むことができる。
【００１１】
また、液滴が前記被塗布領域内で塗れ拡がったときに、前記被塗布領域内で隣り合う液滴とつながるピッチで前記液滴を吐出することが好ましい。
これにより本発明では、撥液領域上の液滴の引き込み力を大きくすることができ、撥液領域上に液滴が残留する可能性を小さくすることができる。
特に、撥液領域に前記被塗布領域よりも高い撥液性を付与することが、機能液をはじいて効果的に被塗布領域内に入り込ませるために好ましい。
【００１２】
本発明において、前記撥液性膜としては、表面に形成された撥液性の単分子膜とする構成を好適に採用できる。撥液性の単分子膜としては有機分子からなる自己組織化膜が好ましい。この場合容易に単分子膜を形成できる。
【００１３】
なお、被塗布領域には親液性を付与することが好ましく、この場合、紫外光の照射や酸素を反応ガスとするプラズマ処理、基板をオゾン雰囲気にさらす処理を好適に採用できる。この場合、一旦形成された撥液性の膜を、マスクパターンに応じて部分的に、しかも全体的に均一に破壊することができるので、撥液性を緩和し、所望の親液性を均一に得ることができる。
【００１４】
また、機能液に導電性微粒子が含まれる場合には、薄膜パターンを配線パターンとすることができ、各種デバイスに応用することができる。また導電性微粒子の他に、有機ＥＬ等の発光素子形成材料やＲ・Ｇ・Ｂのインク材料を用いることで有機ＥＬ装置や、カラーフィルタを有する液晶表示装置等の製造にも適用することができる。さらに、機能液としては、加熱等の熱処理または光照射等の光処理により導電性を発現するものを選択することも可能である。
【００１５】
一方、本発明のデバイス製造方法は、基板に薄膜パターンが形成されてなるデバイスの製造方法であって、上記の薄膜パターン形成方法により、前記基板に前記薄膜パターンを形成することを特徴とするものである。
また、本発明のデバイスは、基板に薄膜パターンが形成されてなるデバイスであって、上記の薄膜パターン形成方法により、前記基板に前記薄膜パターンが形成されていることを特徴とするものである。
これにより本発明では、短絡等の品質低下が生じず、細線の薄膜パターンが形成された薄型のデバイスを得ることが可能になる。
【００１６】
そして、本発明の電気光学装置は、上記のデバイスを備えることを特徴としている。
また、本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴としている。
これにより本発明では、短絡等の品質低下が生じない薄型の電気光学装置及び電子機器を得ることが可能になる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の薄膜パターン形成方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器の実施の形態を、図１ないし図１１を参照して説明する。
（第１実施形態）
本実施の形態では、液滴吐出法によって液体吐出ヘッドのノズルから導電性微粒子を含む配線パターン（薄膜パターン）用インク（機能液）を液滴状に吐出し、基板上に導電性膜で形成された配線パターンを形成する場合の例を用いて説明する。
【００１８】
まず機能液である配線パターン用インクについて説明する。
液滴吐出法によって液体吐出ヘッドのノズルから液滴状に吐出される配線パターン用インクは、一般に、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液からなる。
本実施の形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液体吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００１９】
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００２０】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００２１】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００２２】
配線パターンが形成される基板としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００２３】
ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズルから吐出させるものである。
【００２４】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料（流動体）の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００２５】
次に、本発明に係るデバイスを製造する際に用いられるデバイス製造装置について説明する。
このデバイス製造装置としては、液滴吐出ヘッドから基板に対して液滴を吐出することによりデバイスを製造する液滴吐出装置（インクジェット装置）が用いられる。
【００２６】
図１は、液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図である。
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と、Ｘ軸方向駆動軸４と、Ｙ軸方向ガイド軸５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ７と、クリーニング機構８と、基台９と、ヒータ１５とを備えている。
ステージ７は、この液滴吐出装置ＩＪによりインク（機能液）を設けられる基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００２７】
液滴吐出ヘッド１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＹ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド１の下面にＹ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルからは、ステージ７に支持されている基板Ｐに対して、上述した導電性微粒子を含むインクが吐出される。
【００２８】
Ｘ軸方向駆動軸４には、Ｘ軸方向駆動モータ２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、液滴吐出ヘッド１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向ガイド軸５は、基台９に対して動かないように固定されている。ステージ７は、Ｙ軸方向駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向に移動する。
【００２９】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸方向駆動モータ２に液滴吐出ヘッド１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モータ３にステージ７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構８は、液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものである。クリーニング機構８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ軸方向ガイド軸５に沿って移動する。クリーニング機構８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ１５は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００３０】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐを支持するステージ７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、Ｘ軸方向を走査方向、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向を非走査方向とする。したがって、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルは、非走査方向であるＹ軸方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図１では、液滴吐出ヘッド１は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド１の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
【００３１】
図２は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。
図２において、液体材料（配線パターン用インク、機能液）を収容する液体室２１に隣接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、ノズル２５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００３２】
次に、本発明の配線パターン形成方法（薄膜パターン形成方法）の実施形態の一例として、基板上に導電膜配線を形成する方法について図３及び図４を参照して説明する。本実施形態に係る配線パターン形成方法は、上述した配線パターン用のインクを基板Ｐ上に配置し、その基板Ｐ上に配線用の導電膜パターン（導電性膜）を形成するものであり、表面処理工程、材料配置工程及び熱処理／光処理工程から概略構成される。
以下、各工程毎に詳細に説明する。
【００３３】
なお、本例では、導電膜配線用のインクとして、上述した本発明の配線パターン用インクを用いる。また、インクの配置には、液滴吐出装置ＩＪを用い、液体吐出ヘッド１のノズル２５を介してインクを液滴として吐出する液滴吐出法、いわゆるインクジェット法を用いる。ここで、液滴吐出装置の吐出方式としては、ピエゾ方式の他に、熱の印加により急激に蒸気が発生することにより液体材料を吐出させる方式等であってもよい。
【００３４】
（表面処理工程）
表面処理工程は、基板表面を撥液化する撥液化処理工程と、撥液化された基板表面を親液化する親液化処理工程とに大別される。
撥液化処理工程では、導電膜配線を形成する基板の表面を、液体材料に対して撥液性に加工する。具体的には、導電性微粒子を含有した液体材料に対する所定の接触角が、後述する被塗布領域における接触角との差が４０°以上となるように、好ましくは５０°以上となるように基板に対して表面処理を施す。
表面の撥液性（濡れ性）を制御する方法としては、例えば、基板の表面に自己組織化膜を形成する方法等を採用できる。
【００３５】
自己組織膜形成法では、導電膜配線を形成すべき基板の表面に、有機分子膜などからなる自己組織化膜を形成する。
基板表面を処理するための有機分子膜は、基板に結合可能な官能基と、その反対側に親液基あるいは撥液基といった基板の表面性を改質する（表面エネルギーを制御する）官能基と、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖とを備えており、基板に結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成する。
【００３６】
ここで、自己組織化膜とは、基板の下地層等の構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。すなわち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性や親液性を付与することができる。
【００３７】
上記の高い配向性を有する化合物として、例えばフルオロアルキルシランを用いることにより、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成され、膜の表面に均一な撥液性が付与される。
自己組織化膜を形成する化合物としては、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン（以下「ＦＡＳ」という）を例示できる。これらの化合物は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。なお、ＦＡＳを用いることにより、基板との密着性と良好な撥液性とを得ることができる。
【００３８】
ＦＡＳは、一般的に構造式ＲｎＳｉＸ（４−ｎ）で表される。ここでｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子などの加水分解基である。またＲはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｘ（ＣＨ２）ｙの（ここでｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す）構造を持ち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでもよく、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、基板（ガラス、シリコン）の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板と結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ２）等のフルオロ基を有するため、基板の下地表面を濡れない（表面エネルギーが低い）表面に改質する。
【００３９】
有機分子膜などからなる自己組織化膜は、上記の原料化合物と基板とを同一の密閉容器中に入れておき、室温で２〜３日程度の間放置することにより基板上に形成される。また、密閉容器全体を１００℃に保持することにより、３時間程度で基板上に形成される。これらは気相からの形成法であるが、液相からも自己組織化膜を形成できる。例えば、原料化合物を含む溶液中に基板を浸積し、洗浄、乾燥することで基板上に自己組織化膜が形成される。
なお、自己組織化膜を形成する前に、基板表面に紫外光を照射したり、溶媒により洗浄したりして、基板表面の前処理を施すことが望ましい。
【００４０】
なお、基板Ｐの表面を撥液性に加工する処理は、所望の撥液性を有するフィルム、例えば４フッ化エチレン加工されたポリイミドフィルム等を基板表面に貼着することによっても行ってもよい。また、撥液性の高いポリイミドフィルムをそのまま基板として用いてもよい。
このように、自己組織膜形成法を実施することにより、図３（ａ）に示されるように、基板Ｐの表面に撥液性膜Ｆが形成される。
【００４１】
次に、配線パターン形成材料を塗布して配線パターンを形成すべき被塗布領域の撥液性を緩和して親液性を付与することで（親液化処理）、基板表面の濡れ性を制御する。
以下、親液化処理について説明する。
親液化処理としては、波長１７０〜４００ｎｍの紫外光を照射する方法が挙げられる。このとき、配線パターンに応じたマスクを用いて紫外光を照射することで、一旦形成した撥液性膜Ｆの中、配線部分のみ部分的に変質させて撥液性を緩和して親液化することができる。つまり、上記撥液化処理及び親液化処理を施すことにより、図３（ｂ）に示されるように、基板Ｐには、配線パターンが形成されるべき位置に親液性を付与された被塗布領域Ｈ１と、被塗布領域Ｈ１を囲む撥液性膜Ｆで構成される撥液領域Ｈ２とが形成される。
なお、撥液性の緩和の程度は紫外光の照射時間で調整できるが、紫外光の強度、波長、熱処理（加熱）との組み合わせ等によって調整することもできる。本実施の形態では、導電性微粒子を含有した液体材料に対する被塗布領域Ｈ１の接触角と撥液領域Ｈ２における接触角との差が４０°以上となるように、被塗布領域Ｈ１の接触角が１５°以下となる条件で紫外光を照射する。
【００４２】
親液化処理の他の方法としては、酸素を反応ガスとするプラズマ処理が挙げられる。具体的には、基板Ｐに対しプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射することで行う。Ｏ２プラズマ処理の条件としては、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｐの板搬送速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃とされる。
この場合、導電性微粒子を含有した液体材料に対する被塗布領域Ｈ１の接触角が１０°以下となるように、例えば基板Ｐの搬送速度を遅くしてプラズマ処理時間を長くする等、プラズマ処理条件を調整する。
さらに、別の親液化処理としては、基板をオゾン雰囲気に曝す処理も採用できる。
【００４３】
（材料配置工程）
次に、上記の液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出法を用いて、配線パターン形成材料を基板Ｐ上の被塗布領域Ｈ１に塗布する。なお、ここでは、機能液（配線パターン用インク）として、導電性微粒子を溶媒（分散媒）に分散させた分散液を吐出する。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、ニッケルの何れかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
【００４４】
すなわち、材料配置工程では、上述した液滴吐出装置ＩＪの液滴吐出ヘッド１と基板Ｐとを相対移動させながら、図３（ｃ）に示すように、液体吐出ヘッド１から配線パターン形成材料を含む液体材料を液滴３２として吐出し、その液滴３２を基板Ｐ上の被塗布領域Ｈ１に配置する。具体的には、被塗布領域Ｈ１の長さ方向（配線パターンの形成方向）に沿って、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐとを相対移動させつつ、所定のピッチで液滴３２を複数吐出することで、線状の配線パターンを形成する。
なお、本例では、吐出した液滴３２の直径Ｄ’が被塗布領域Ｈ１の幅Ｗよりも大きいものとする。具体的には、撥液領域Ｈ２（撥液性膜Ｆ）に着弾した際の液滴の直径をＤ（図２参照）とすると、Ｄ≦４×Ｗを満足する大きさで液滴を吐出する。
【００４５】
このとき、撥液領域Ｈ２は撥液性が付与されているため、吐出された液滴の一部が撥液領域Ｈ２にのっても撥液領域Ｈ２からはじかれ、図３（ｄ）に示されるように、撥液領域Ｈ２間の被塗布領域Ｈ１に溜まるようになる。さらに、被塗布領域Ｈ１は親液性を付与されているため、吐出された液状体が被塗布領域Ｈ１にてより拡がり易くなり、これによって液状体が、分断されることなく所定位置内でより均一に被塗布領域Ｈ１を埋め込むようにすることができる。
【００４６】
ところが、液滴３２はその直径Ｄ’が被塗布領域Ｈ１の幅Ｗより大きいことから、図４（ａ）に示すように、吐出された液状体（符号３２ａで示す）の一部が溢れて撥液領域Ｈ２上に残ることがある。そして、続いてピッチＬ離れた被塗布領域Ｈ１内に液滴３２を吐出するが、この吐出ピッチＬは、Ｌ＞Ｄ’（液滴直径）とされ、被塗布領域Ｈ１内に吐出された液状体（液滴）が塗れ拡がったときに、ピッチＬ離間して吐出された隣り合う液状体とつながる大きさに設定されており、予め実験等により求められているものである。
【００４７】
すなわち、図４（ｂ）に示されるように、液状体３２ａに対して距離Ｌ離間して吐出された液状体（符号３２ｂで示す）は、塗れ拡がることで、先に吐出された液状体３２ａとつながる。このとき、液状体３２ｂにおいても、その一部が溢れて撥液領域Ｈ２上に残る可能性があるが、液状体３２ａ、３２ｂがつながったときに接触部が引き合うことにより、撥液領域Ｈ２に残った液状体が被塗布領域Ｈ１内に引き込まれる。その結果、図４（ｃ）に符号３２ｃで示すように、撥液領域Ｈ２に残留させることなく、液状体を被塗布領域Ｈ１内でつながらせて線状に形成することができる。
【００４８】
この場合も、被塗布領域Ｈ１内に吐出され、あるいは撥液領域Ｈ２からはじかれた液状体３２ａ、３２ｂは、被塗布領域Ｈ１が親液化処理されていることからより広がり易くなっており、これによって液状体３２ａ、３２ｂはより均一に被塗布領域Ｈ１内を埋め込むようになる。したがって、被塗布領域Ｈ１の幅Ｗが液滴３２の直径Ｄ’より狭い（小さい）にもかかわらず、被塗布領域Ｈ１内に向けて吐出された液滴３２（液状体３２ａ、３２ｂ）は、撥液領域Ｈ２上に残留することなく、被塗布領域Ｈ１内に良好に入り込んでこれを均一に埋め込むようになる。
【００４９】
（熱処理／光処理工程）
次に、熱処理／光処理工程では、基板上に配置された液滴に含まれる分散媒あるいはコーティング剤を除去する。すなわち、基板上に配置された導電膜形成用の液体材料は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング剤がコーティングされている場合には、このコーティング剤も除去する必要がある。
【００５０】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
【００５１】
例えば、有機物からなるコーティング剤を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。
熱処理及び／又は光処理は、例えばホットプレート、電気炉などの加熱手段を用いた一般的な加熱処理の他に、ランプアニールを用いて行ってもよい。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態例では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
上記熱処理及び／又は光処理により、微粒子間の電気的接触が確保され、導電膜に変換される。
以上説明した一連の工程により、基板上に線状の導電膜パターン（導電膜配線）が形成される。
【００５２】
（実施例）
基板Ｐとしてガラス基板を、有機分子膜などからなる自己組織化膜の原料化合物と同一の密閉容器中に入れておき、密閉容器全体を１００℃、３時間程度で保持することにより、基板上に単分子膜を形成した。
このとき、導電性微粒子材料に対するに対する接触角は、撥液化処理前の撥液領域Ｈ２が１０°以下であったのに対し、撥液化処理後の撥液領域Ｈ２が５４．０°になり、被塗布領域Ｈ１と撥液領域Ｈ２との接触角の差は４０°以上となった。
【００５３】
そして、このガラス基板に対して、液滴直径Ｄ’≒２０μｍ（重量約７．０ｎｇ／ｄｏｔ）、インク速度（吐出速度）５〜７ｍ／ｓｅｃ、ピッチＬが４０μｍで粘度が８ｍＰａ・ｓの導電性微粒子材料の液滴を吐出した。
ここでは、液滴直径Ｄ’を一定とし、複数種類の幅Ｗで被塗布領域が形成されたガラス基板に対して液滴吐出を行った。このとき、撥液領域Ｈ２に着弾した際の液滴の直径Ｄ（図２参照）は約３２μｍとなり、幅Ｗが１０μｍ、２５μｍ、５０μｍの被塗布領域にそれぞれ吐出された液滴は、撥液領域Ｈ２に溢れ出ることなく引き込まれ幅Ｗで規定された線状の配線パターンとなったが、幅Ｗが５μｍ、７μｍの被塗布領域に吐出された液滴は、被塗布領域内に収まりきれず撥液領域Ｈ２上に溢れ出た。
換言すると、Ｄ≦４×Ｗを満足しない場合は、液滴が撥液領域Ｈ２に溢れ出てしまい所望の配線パターンを得られなかったが、Ｄ≦４×Ｗを満足する条件で液滴を吐出した場合には、撥液領域Ｈ２に溢れ出ることなく所望の幅を有する配線パターンを得ることができた。
【００５４】
このように、本実施の形態では、Ｄ≦４×Ｗを満足する大きさで液滴を吐出することで撥液領域Ｈ２に溢れ出ることなく、すなわち短絡の虞のない配線パターンを形成することが可能となり、配線同士が短絡する等、デバイスの品質低下を防止することができる。特に、本実施の形態では、液状体が被塗布領域Ｈ１内で塗れ拡がったときに隣り合う液状体とつながるピッチで吐出するため、つながったときの引き込み力が大きくなり、より確実に液滴を被塗布領域Ｈ１内に引き込むことができる。
【００５５】
また、本実施の形態では、液状体に対する被塗布領域Ｈ１と撥液領域Ｈ２との接触角の差を４０°以上とすることで、液滴の一部が撥液領域Ｈ２にのった場合でも、被塗布領域Ｈ１内に入り込ませることが可能になり、被塗布領域Ｈ１の幅で規定された細線パターンを得ることができる。しかも、本実施の形態では、液状体に対する被塗布領域Ｈ１の接触角を１５°以下とすることで、被塗布領域Ｈ１の液状体が基板Ｐ上でより塗れ拡がり易くなり、より均一に被塗布領域Ｈ１を埋め込むことができる。そのため、間隔をあけて吐出した液状体を被塗布領域Ｈ１において分断することなく一体化することが可能となり、断線等の不良が生じることも防止することができ、デバイスとしての品質も向上させることが可能である。
【００５６】
（第２実施形態）
第２実施形態として、本発明の電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。図５は、本発明に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図６は図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図７は、液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図８は、液晶表示装置の部分拡大断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００５７】
図５及び図６において、本実施の形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが光硬化性の封止材であるシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されてなり、液晶注入口を備えず、封止材にて封止された痕跡がない構成となっている。
【００５８】
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００５９】
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００６０】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図７に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【００６１】
画素電極１９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図６に示す対向基板２０の対向電極１２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極１９と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば、画素電極１９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【００６２】
図８（ａ）は、ボトムゲート型ＴＦＴ３０を有する液晶表示装置１００の部分拡大断面図であって、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するガラス基板Ｐ上には、上記第１実施形態の配線パターン形成方法によりゲート配線６１が形成されている。
ゲート配線６１上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜６２を介してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層からなる半導体層６３が積層されている。このゲート配線部分に対向する半導体層６３の部分がチャネル領域とされている。半導体層６３上には、オーミック接合を得るための例えばｎ＋型ａ−Ｓｉ層からなる接合層６４ａ及び６４ｂが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層６３上には、チャネルを保護するためのＳｉＮｘからなる絶縁性のエッチストップ膜６５が形成されている。なお、これらゲート絶縁膜６２、半導体層６３、及びエッチストップ膜６５は、蒸着（ＣＶＤ）後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングされる。
【００６３】
さらに、接合層６４ａ、６４ｂ及びＩＴＯからなる画素電極１９も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパターニングされる。そして、画素電極１９、ゲート絶縁膜６２及びエッチストップ膜６５上にそれぞれバンク６６…を突設し、これらバンク６６…間に上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、銀化合物の液滴を吐出することでソース線、ドレイン線を形成することができる。
【００６４】
なお、図８（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜６２に凹部を設けて、この凹部内にゲート絶縁膜６２の表面と略面一に半導体層６３を形成し、その上に接合層６４ａ、６４ｂ、画素電極１９、エッチストップ膜６５を形成することもできる。この場合、バンク６６間の溝底部を図８（ａ）に比較して略フラットにすることで、これら各層及びソース線、ドレイン線の屈曲部が減り、平坦性が向上した高特性のＴＦＴとすることができる。
上記構成のＴＦＴでは、上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、例えば銀化合物の液滴を吐出することでゲート線、ソース線、ドレイン線等を形成することができるため、細線化による小型・薄型化が実現され、短絡等の不良が生じない高品質の液晶表示装置を得ることができる。
【００６５】
（第３実施形態）
上記実施の形態では、ＴＦＴ３０を液晶表示装置１００の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスに応用が可能である。有機ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。そして、上記のＴＦＴ３０を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬデバイスを製造することができる。
本発明におけるデバイス（電気光学装置）の範囲にはこのような有機ＥＬデバイスをも含むものであり、小型・薄型化が実現され、短絡等の不良が生じない高品質の有機ＥＬデバイスを得ることができる。
【００６６】
（第４実施形態）
次に、第４実施形態として、本発明の電気光学装置の一例であるプラズマ型表示装置について説明する。
図９は、本実施形態のプラズマ型表示装置５００の分解斜視図を示している。
プラズマ型表示装置５００は、互いに対向して配置された基板５０１、５０２、及びこれらの間に形成される放電表示部５１０を含んで構成される。
放電表示部５１０は、複数の放電室５１６が集合されたものである。複数の放電室５１６のうち、赤色放電室５１６（Ｒ）、緑色放電室５１６（Ｇ）、青色放電室５１６（Ｂ）の３つの放電室５１６が対になって１画素を構成するように配置されている。
【００６７】
基板５０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極５１１が形成され、アドレス電極５１１と基板５０１の上面とを覆うように誘電体層５１９が形成されている。誘電体層５１９上には、アドレス電極５１１、５１１間に位置しかつ各アドレス電極５１１に沿うように隔壁５１５が形成されている。隔壁５１５は、アドレス電極５１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極５１１と直交する方向に延設された隔壁とを含む。また、隔壁５１５によって仕切られた長方形状の領域に対応して放電室５１６が形成されている。
また、隔壁５１５によって区画される長方形状の領域の内側には蛍光体５１７が配置されている。蛍光体５１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室５１６（Ｒ）の底部には赤色蛍光体５１７（Ｒ）が、緑色放電室５１６（Ｇ）の底部には緑色蛍光体５１７（Ｇ）が、青色放電室５１６（Ｂ）の底部には青色蛍光体５１７（Ｂ）が各々配置されている。
【００６８】
一方、基板５０２には、先のアドレス電極５１１と直交する方向に複数の表示電極５１２がストライプ状に所定の間隔で形成されている。さらに、これらを覆うように誘電体層５１３、及びＭｇＯなどからなる保護膜５１４が形成されている。
基板５０１と基板５０２とは、前記アドレス電極５１１…と表示電極５１２…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされている。
上記アドレス電極５１１と表示電極５１２は図示略の交流電源に接続されている。各電極に通電することにより、放電表示部５１０において蛍光体５１７が励起発光し、カラー表示が可能となる。
【００６９】
本実施形態では、上記アドレス電極５１１、及び表示電極５１２がそれぞれ、上述した配線パターン形成方法に基づいて形成されているため、小型・薄型化が実現され、短絡等の不良が生じない高品質のプラズマ型表示装置を得ることができる。
【００７０】
（第５実施形態）
続いて、第５実施形態として、非接触型カード媒体の実施形態について説明する。図１０に示すように、本実施形態に係る非接触型カード媒体（電子機器）４００は、カード基体４０２とカードカバー４１８から成る筐体内に、半導体集積回路チップ４０８とアンテナ回路４１２を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようになっている。
【００７１】
本実施形態では、上記アンテナ回路４１２が、上記実施形態に係る配線パターン形成方法によって形成されている。
本実施形態の非接触型カード媒体によれば、小型・薄型化が実現され、短絡等の不良が生じない高品質の非接触型カード媒体を得ることができる。
なお、本発明に係るデバイス（電気光学装置）としては、上記の他に、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
【００７２】
（第６実施形態）
第６実施形態として、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図１１（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１１（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１１（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１１（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１１（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１１（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１１（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置を備えたものであるので、小型化、薄型化及び高品質化が可能となる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【００７３】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００７４】
例えば、上記実施形態では、被塗布領域Ｈ１と撥液領域Ｈ２との機能液に対する接触角の差を５０°以上とする構成としたが、これは必須の条件ではなく、５０未満であっても適用可能である。
また、上記実施の形態では、被塗布領域Ｈ１の幅Ｗが液滴の直径Ｄよりも小さい例を用いて説明したが、これに限られることなく、Ｄ≦４×Ｗを満足すれば、例えば被塗布領域Ｈ１の幅と液滴径とが略同一の場合や、領域幅が液滴径よりも大きい場合であっても適用可能である。
また、上記実施の形態では、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液からなる機能液を用いる構成としたが、これに限定されるものではなく、例えばパターン形成後に加熱（熱処理）または光照射（光処理）により導電性を発現させる材料を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】液滴吐出装置の概略斜視図である。
【図２】ピエゾ方式による液状体の吐出原理を説明するための図である。
【図３】配線パターン形成する手順を示す図である。
【図４】吐出された液状体の状態を説明するための図である。
【図５】液晶表示装置を対向基板の側から見た平面図である。
【図６】図５のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図７】液晶表示装置の等価回路図である。
【図８】液晶表示装置の部分拡大断面図である。
【図９】プラズマ型表示装置の分解斜視図である。
【図１０】非接触型カード媒体の分解斜視図である。
【図１１】本発明の電子機器の具体例を示す図である。
【符号の説明】
Ｐ 基板、Ｆ 撥液性膜、Ｈ１ 被塗布領域、Ｈ２ 撥液領域、Ｌ ピッチ、３２ 液滴（機能液）、３２ａ〜３２ｃ 液状体（機能液）、１００ 液晶表示装置（電気光学装置）、４００ 非接触型カード媒体（電子機器）、５００ プラズマ型表示装置（電気光学装置）、６００ 携帯電話本体（電子機器）、７００ 情報処理装置（電子機器）、８００ 時計本体（電子機器）[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for forming a thin film pattern, a device and a method for manufacturing the same, an electro-optical device, and an electronic apparatus.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, a photolithography method has been frequently used as a method for manufacturing a fine wiring pattern such as a semiconductor integrated circuit. On the other hand, Patent Documents 1 and 2 disclose methods using a droplet discharge method. In the technology disclosed in these publications, a functional liquid containing a material for pattern formation is discharged from a droplet discharge head onto a substrate, thereby disposing (applying) a material on a pattern formation surface to form a wiring pattern. It is said that it is very effective because it can cope with various kinds of production in small quantities.
[0003]
By the way, in recent years, the density of circuits constituting a device has been increasingly increased, and for example, further miniaturization and thinning of wiring patterns have been required.
However, when such a fine wiring pattern is to be formed by the above-described method using the droplet discharge method, it is particularly difficult to sufficiently obtain the accuracy of the wiring width. Therefore, a method has been proposed in which a bank as a partition member is provided on a substrate, and a surface treatment is performed so that the upper part of the bank is made lyophobic and the other part is made lyophilic. Since it is formed using a lithography method, it leads to an increase in cost.
[0004]
Therefore, it has been proposed to selectively discharge a liquid material (functional liquid) to the lyophilic portion of the substrate on which the lyophobic portion and the lyophilic portion are patterned in advance by a droplet discharging method. In this case, for example, the liquid material in which the conductive fine particles are dispersed easily accumulates in the lyophilic portion, so that it is possible to form a wiring pattern while maintaining positional accuracy without forming a bank.
[0005]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-274671 [Patent Document 2]
JP 2000-216330 A
[Problems to be solved by the invention]
However, the above-described related art has the following problems.
If the width of the lyophilic portion is reduced by making the line thinner, the diameter of the discharged droplet may be larger than the width of the lyophilic portion. In this case, there is a possibility that the landed droplets overflow and remain on the surface of the liquid repellent portion. If the liquid droplets remain in the liquid-repellent portion between the adjacent wirings, there is a possibility of a short circuit, so that the quality as a device is greatly reduced.
[0007]
The present invention has been made in view of the above points, and has been made in consideration of the above points, and a thin film pattern forming method, a device, a manufacturing method thereof, an electro-optical device, and an electronic apparatus capable of forming a wiring without leaving a droplet in a liquid repellent portion The purpose is to provide.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention employs the following configuration.
The thin film pattern forming method of the present invention is a method of forming a thin film pattern on the surface of a substrate by discharging a plurality of functional liquid droplets to a coating target area between liquid repellent regions formed of a liquid repellent film, Discharging the droplet in a size satisfying D ≦ 4 × W, where D is the diameter of the droplet upon landing on the liquid-repellent film, and W is the width of the region to be coated. It is characterized by the following.
[0009]
If the diameter of the droplet landed on the liquid-repellent region is larger than four times the width of the region to be coated, the capacity of the region to be coated is exceeded, and the landed functional liquid cannot be drawn (repelled) into the region to be coated. In the method of forming a thin film pattern according to the present invention, by satisfying D ≦ 4W, the landed droplets could be drawn into the application area. Therefore, no liquid droplets remain in the liquid-repellent region, and it is possible to prevent quality deterioration due to a short circuit or the like.
[0010]
It is preferable that a difference between a contact angle of the application area with the functional liquid and a contact angle of the liquid-repellent area with the functional liquid is 40 ° or more.
As a result, even when a part of the discharged functional liquid is on the lyophobic area, the functional liquid is repelled by the fluidity of the functional liquid and the lyophobic property of the lyophobic film, so that the functional liquid is surely entered into the coating target area. It is possible to obtain a fine line pattern defined by the width of the region to be coated. Further, the contact angle of the region to be coated with the functional liquid is preferably 15 ° or less. In this case, the functional liquid in the region to be coated can be more easily spread and spread on the substrate, and the region to be coated can be embedded more uniformly.
[0011]
Further, it is preferable that, when the droplet spreads and spreads in the region to be coated, the droplet is discharged at a pitch connected to a droplet adjacent in the region to be coated.
As a result, in the present invention, it is possible to increase the pull-in force of the droplet on the liquid-repellent region, and to reduce the possibility that the droplet remains on the liquid-repellent region.
In particular, it is preferable that the liquid-repellent region be provided with higher liquid-repellency than the region to be coated in order to repel the functional liquid and effectively enter the region to be coated.
[0012]
In the present invention, a configuration in which the liquid-repellent film is a liquid-repellent monomolecular film formed on the surface can be suitably employed. As the liquid-repellent monomolecular film, a self-assembled film made of organic molecules is preferable. In this case, a monomolecular film can be easily formed.
[0013]
Note that it is preferable to impart lyophilicity to the region to be coated. In this case, irradiation with ultraviolet light, plasma treatment using oxygen as a reactive gas, or treatment of exposing the substrate to an ozone atmosphere can be suitably employed. In this case, the once formed lyophobic film can be partially and entirely uniformly destroyed according to the mask pattern, so that the lyophobic property is relaxed and the desired lyophilic property is made uniform. Can be obtained.
[0014]
Further, when the functional liquid contains conductive fine particles, the thin film pattern can be used as a wiring pattern, and can be applied to various devices. Further, in addition to the conductive fine particles, a light emitting element forming material such as an organic EL or an R, G, B ink material can be used to manufacture an organic EL device or a liquid crystal display device having a color filter. it can. Furthermore, it is also possible to select a functional liquid that exhibits conductivity by a heat treatment such as heating or a light treatment such as light irradiation.
[0015]
On the other hand, a device manufacturing method of the present invention is a device manufacturing method in which a thin film pattern is formed on a substrate, wherein the thin film pattern is formed on the substrate by the above-described thin film pattern forming method. It is.
Further, a device of the present invention is a device in which a thin film pattern is formed on a substrate, wherein the thin film pattern is formed on the substrate by the above-described thin film pattern forming method.
As a result, in the present invention, it is possible to obtain a thin device in which a thin-film pattern is formed without quality deterioration such as a short circuit.
[0016]
An electro-optical device according to the present invention includes the above device.
According to another aspect of the invention, an electronic apparatus includes the above-described electro-optical device.
As a result, according to the present invention, it is possible to obtain a thin electro-optical device and an electronic apparatus that do not cause quality deterioration such as a short circuit.
[0017]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of a thin film pattern forming method, a device, a method of manufacturing the same, an electro-optical device, and an electronic apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS.
(1st Embodiment)
In this embodiment mode, a wiring pattern (thin film pattern) ink (functional liquid) containing conductive fine particles is discharged in droplet form from a nozzle of a liquid discharge head by a droplet discharge method, and is formed of a conductive film on a substrate. A description will be given using an example of a case in which a formed wiring pattern is formed.
[0018]
First, the wiring pattern ink, which is a functional liquid, will be described.
The ink for a wiring pattern, which is ejected in a droplet form from a nozzle of a liquid ejection head by a droplet ejection method, generally comprises a dispersion liquid in which conductive fine particles are dispersed in a dispersion medium.
In the present embodiment, as the conductive fine particles, for example, other than metal fine particles containing any of gold, silver, copper, palladium, and nickel, oxides thereof, and fine particles of a conductive polymer or a superconductor Are used.
These conductive fine particles can be used by coating the surface with an organic substance or the like in order to improve dispersibility.
The particle size of the conductive fine particles is preferably 1 nm or more and 0.1 μm or less. If it is larger than 0.1 μm, clogging may occur in nozzles of a liquid ejection head described later. On the other hand, if it is smaller than 1 nm, the volume ratio of the coating agent to the conductive fine particles becomes large, and the ratio of the organic substance in the obtained film becomes excessive.
[0019]
The dispersion medium is not particularly limited as long as it can disperse the above-described conductive fine particles and does not cause aggregation. For example, in addition to water, alcohols such as methanol, ethanol, propanol and butanol, n-heptane, n-octane, decane, dodecane, tetradecane, toluene, xylene, cymene, durene, indene, dipentene, tetrahydronaphthalene, decahydro Hydrocarbon compounds such as naphthalene and cyclohexylbenzene, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, 1,2-dimethoxyethane, bis (2- Methoxyethyl) ether, ether compounds such as p-dioxane, propylene carbonate, γ- Butyrolactone, N- methyl-2-pyrrolidone, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, can be exemplified polar compounds such as cyclohexanone. Of these, water, alcohols, hydrocarbon compounds, and ether compounds are preferred in terms of the dispersibility of the fine particles and the stability of the dispersion, and the ease of application to the droplet discharge method (inkjet method). More preferred dispersion media include water and hydrocarbon compounds.
[0020]
The surface tension of the dispersion liquid of the conductive fine particles is preferably in the range of 0.02 N / m to 0.07 N / m. When the surface tension is less than 0.02 N / m when the liquid is ejected by the ink jet method, the wettability of the ink composition with respect to the nozzle surface increases, so that the ink composition tends to bend, and exceeds 0.07 N / m. In addition, since the shape of the meniscus at the tip of the nozzle is not stable, it becomes difficult to control the discharge amount and the discharge timing. In order to adjust the surface tension, a small amount of a surface tension regulator such as a fluorine-based, silicone-based, or nonionic-based surfactant may be added to the above-mentioned dispersion liquid within a range that does not significantly reduce the contact angle with the substrate. The nonionic surface tension modifier improves the wettability of the liquid to the substrate, improves the leveling property of the film, and helps prevent the occurrence of fine irregularities on the film. The surface tension adjuster may contain an organic compound such as alcohol, ether, ester, and ketone, if necessary.
[0021]
The dispersion preferably has a viscosity of 1 mPa · s or more and 50 mPa · s or less. When a liquid material is ejected as droplets using an ink jet method, if the viscosity is less than 1 mPa · s, the periphery of the nozzle is likely to be contaminated by the outflow of ink, and if the viscosity is greater than 50 mPa · s, the nozzle hole And the frequency of clogging increases, making it difficult to discharge droplets smoothly.
[0022]
Various substrates such as glass, quartz glass, Si wafer, plastic film, and metal plate can be used as the substrate on which the wiring pattern is formed. In addition, a substrate in which a semiconductor film, a metal film, a dielectric film, an organic film, or the like is formed as a base layer on the surface of these various material substrates is also included.
[0023]
Here, as a discharge technique of the droplet discharge method, there are a charge control method, a pressure vibration method, an electromechanical conversion method, an electrothermal conversion method, an electrostatic suction method, and the like. In the charging control method, a charge is applied to a material with a charging electrode, and the deflecting electrode controls the flying direction of the material and discharges the material from a nozzle. In the pressure vibration method, the material is ejected toward the nozzle tip side by applying an ultra-high pressure of about 30 kg / cm2 to the material. When no control voltage is applied, the material moves straight and is ejected from the nozzle. When a control voltage is applied, electrostatic repulsion occurs between the materials, and the materials are scattered and are not discharged from the nozzles. The electromechanical conversion method utilizes the property that a piezo element (piezoelectric element) is deformed by receiving a pulse-like electric signal, and the piezo element is deformed into a space in which a material is stored through a flexible substance. Pressure is applied to push out the material from this space and discharge it from the nozzle.
[0024]
In the electrothermal conversion method, a material is rapidly vaporized by a heater provided in a space in which the material is stored to generate bubbles (bubbles), and the material in the space is discharged by the pressure of the bubbles. In the electrostatic suction method, a minute pressure is applied to a space in which a material is stored, a meniscus of the material is formed in a nozzle, and in this state, the material is pulled out by applying an electrostatic attractive force. In addition, other techniques such as a method using a change in viscosity of a fluid due to an electric field and a method using a discharge spark are also applicable. The droplet discharge method has an advantage that a useless amount of material is reduced and a desired amount of material can be accurately arranged at a desired position. The amount of one droplet of the liquid material (fluid) discharged by the droplet discharge method is, for example, 1 to 300 nanograms.
[0025]
Next, a device manufacturing apparatus used when manufacturing the device according to the present invention will be described.
As this device manufacturing apparatus, a droplet discharge apparatus (inkjet apparatus) that manufactures a device by discharging droplets from a droplet discharge head to a substrate is used.
[0026]
FIG. 1 is a perspective view illustrating a schematic configuration of the droplet discharge device IJ.
The droplet discharge device IJ includes a droplet discharge head 1, an X-axis drive shaft 4, a Y-axis guide shaft 5, a control unit CONT, a stage 7, a cleaning mechanism 8, a base 9, a heater 15 is provided.
The stage 7 supports a substrate P on which ink (functional liquid) is provided by the droplet discharge device IJ, and includes a fixing mechanism (not shown) that fixes the substrate P at a reference position.
[0027]
The droplet discharge head 1 is a multi-nozzle type droplet discharge head having a plurality of discharge nozzles, and the longitudinal direction and the Y-axis direction are matched. The plurality of ejection nozzles are provided at regular intervals on the lower surface of the droplet ejection head 1 in the Y-axis direction. From the discharge nozzle of the droplet discharge head 1, the ink containing the conductive fine particles described above is discharged to the substrate P supported on the stage 7.
[0028]
The X-axis direction drive motor 4 is connected to the X-axis direction drive shaft 4. The X-axis direction drive motor 2 is a stepping motor or the like, and rotates the X-axis direction drive shaft 4 when a drive signal in the X-axis direction is supplied from the control device CONT. When the X-axis direction drive shaft 4 rotates, the droplet discharge head 1 moves in the X-axis direction.
The Y-axis direction guide shaft 5 is fixed so as not to move with respect to the base 9. The stage 7 has a Y-axis direction drive motor 3. The Y-axis direction drive motor 3 is a stepping motor or the like, and moves the stage 7 in the Y-axis direction when a drive signal in the Y-axis direction is supplied from the control device CONT.
[0029]
The control device CONT supplies the droplet discharge head 1 with a voltage for controlling the droplet discharge. A drive pulse signal for controlling the movement of the droplet discharge head 1 in the X-axis direction is sent to the X-axis direction drive motor 2, and a drive pulse signal for controlling the movement of the stage 7 in the Y-axis direction is sent to the Y-axis direction drive motor 3. Supply.
The cleaning mechanism 8 is for cleaning the droplet discharge head 1. The cleaning mechanism 8 includes a drive motor (not shown) in the Y-axis direction. The driving of the drive motor in the Y-axis direction causes the cleaning mechanism to move along the Y-axis direction guide shaft 5. The movement of the cleaning mechanism 8 is also controlled by the controller CONT.
Here, the heater 15 is means for heat-treating the substrate P by lamp annealing, and performs evaporation and drying of the solvent contained in the liquid material applied on the substrate P. The turning on and off of the power of the heater 15 is also controlled by the controller CONT.
[0030]
The droplet discharge device IJ discharges droplets onto the substrate P while relatively scanning the droplet discharge head 1 and the stage 7 supporting the substrate P. Here, in the following description, the X-axis direction is a scanning direction, and the Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction is a non-scanning direction. Therefore, the ejection nozzles of the droplet ejection head 1 are provided at regular intervals in the Y-axis direction, which is the non-scanning direction. In FIG. 1, the droplet discharge head 1 is disposed at right angles to the direction of travel of the substrate P. However, the angle of the droplet discharge head 1 is adjusted so as to intersect the direction of travel of the substrate P. It may be. In this way, the pitch between the nozzles can be adjusted by adjusting the angle of the droplet discharge head 1. Further, the distance between the substrate P and the nozzle surface may be arbitrarily adjustable.
[0031]
FIG. 2 is a diagram for explaining the principle of discharging the liquid material by the piezo method.
In FIG. 2, a piezo element 22 is provided adjacent to a liquid chamber 21 containing a liquid material (ink for a wiring pattern, functional liquid). The liquid material is supplied to the liquid chamber 21 via a liquid material supply system 23 including a material tank for storing the liquid material. The piezo element 22 is connected to a drive circuit 24, and a voltage is applied to the piezo element 22 via the drive circuit 24 to deform the piezo element 22. Is discharged. In this case, the amount of distortion of the piezo element 22 is controlled by changing the value of the applied voltage. Further, by changing the frequency of the applied voltage, the strain rate of the piezo element 22 is controlled. The droplet discharge by the piezo method does not apply heat to the material, and thus has an advantage that the composition of the material is hardly affected.
[0032]
Next, as an example of an embodiment of a wiring pattern forming method (thin film pattern forming method) of the present invention, a method of forming a conductive film wiring on a substrate will be described with reference to FIGS. The method of forming a wiring pattern according to the present embodiment includes disposing the above-described ink for a wiring pattern on a substrate P and forming a conductive film pattern (conductive film) for wiring on the substrate P. It roughly comprises a processing step, a material arrangement step, and a heat treatment / light treatment step.
Hereinafter, each step will be described in detail.
[0033]
In this example, the above-described ink for a wiring pattern of the present invention is used as the ink for a conductive film wiring. Further, for the arrangement of the ink, a so-called ink jet method is used, in which a liquid droplet discharging apparatus IJ is used to discharge the ink as liquid droplets through the nozzle 25 of the liquid discharging head 1. Here, as a discharge method of the droplet discharge device, besides the piezo method, a method of discharging a liquid material by suddenly generating vapor by applying heat may be used.
[0034]
(Surface treatment process)
The surface treatment step is roughly classified into a lyophobic treatment step for making the substrate surface lyophobic and a lyophilic treatment step for making the lyophobic substrate surface lyophilic.
In the lyophobic treatment step, the surface of the substrate on which the conductive film wiring is formed is processed to be lyophobic with respect to the liquid material. Specifically, the substrate is set such that a predetermined contact angle with respect to a liquid material containing conductive fine particles is at least 40 °, preferably at least 50 °, with a contact angle in a region to be coated described later. Is subjected to a surface treatment.
As a method of controlling the liquid repellency (wetting property) of the surface, for example, a method of forming a self-assembled film on the surface of the substrate can be adopted.
[0035]
In the self-assembled film forming method, a self-assembled film made of an organic molecular film or the like is formed on a surface of a substrate on which a conductive film wiring is to be formed.
The organic molecular film for treating the substrate surface has a functional group that can bind to the substrate and a functional group that modifies the surface properties of the substrate (controls the surface energy) such as a lyophilic group or a lyophobic group on the opposite side. And a straight or partially branched carbon chain of carbon that connects these functional groups, and forms a molecular film, for example, a monomolecular film by bonding to a substrate and self-organizing.
[0036]
Here, the self-assembled film is composed of a bonding functional group capable of reacting with constituent atoms such as a base layer of a substrate and other linear molecules, and has extremely high orientation due to the interaction of the linear molecules. It is a film formed by orienting a compound. Since the self-assembled film is formed by orienting single molecules, the thickness can be extremely reduced, and the film is uniform at the molecular level. That is, since the same molecule is located on the surface of the film, it is possible to impart uniform and excellent lyophobicity and lyophilicity to the surface of the film.
[0037]
As a compound having the above high orientation, for example, by using a fluoroalkylsilane, each compound is oriented so that the fluoroalkyl group is located on the surface of the film, a self-assembled film is formed, and a uniform film is formed on the surface of the film. Liquid repellency.
Compounds forming a self-assembled film include heptadecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrodecyltriethoxysilane, heptadecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrodecyltrimethoxysilane, heptadecafluoro-1 , 1,2,2 tetrahydrodecyltrichlorosilane, tridecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrooctyltriethoxysilane, tridecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrooctyltrimethoxysilane, tridecafluoro-1 And 1,1,2,2 tetrahydrooctyltrichlorosilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, and other fluoroalkylsilanes (hereinafter referred to as "FAS"). These compounds may be used alone or in combination of two or more. Note that by using FAS, adhesion to a substrate and good liquid repellency can be obtained.
[0038]
FAS is generally represented by the structural formula RnSiX (4-n) . Here, n represents an integer of 1 to 3, and X is a hydrolyzable group such as a methoxy group, an ethoxy group, and a halogen atom. R is a fluoroalkyl group, and a structure of (CF 3 ) (CF 2 ) x (CH 2 ) y (where x represents an integer of 0 to 10 and y represents an integer of 0 to 4) When a plurality of R or X are bonded to Si, each of R or X may be the same or different. The hydrolyzable group represented by X forms silanol by hydrolysis, reacts with the hydroxyl group on the base of the substrate (glass, silicon), and bonds to the substrate by a siloxane bond. On the other hand, since R has a fluoro group such as (CF 2 ) on the surface, it modifies the base surface of the substrate into a non-wetting (low surface energy) surface.
[0039]
A self-assembled film composed of an organic molecular film or the like is formed on a substrate by placing the above-mentioned raw material compound and the substrate in the same closed container and leaving them at room temperature for about 2 to 3 days. In addition, by maintaining the whole closed container at 100 ° C., it is formed on the substrate in about 3 hours. These are methods of forming from a gas phase, but a self-assembled film can also be formed from a liquid phase. For example, a self-assembled film is formed on a substrate by immersing the substrate in a solution containing a raw material compound, washing and drying.
Before forming the self-assembled film, it is desirable to irradiate the substrate surface with ultraviolet light or wash it with a solvent to perform a pretreatment on the substrate surface.
[0040]
The process of processing the surface of the substrate P to be lyophobic may be performed by attaching a film having a desired lyophobic property, for example, a polyimide film processed with tetrafluoroethylene to the substrate surface. . Alternatively, a polyimide film having high liquid repellency may be used as it is as the substrate.
As described above, by performing the self-organizing film forming method, the liquid-repellent film F is formed on the surface of the substrate P as shown in FIG.
[0041]
Next, the wettability of the substrate surface is controlled by applying a lyophilic property by applying a wiring pattern forming material to alleviate the lyophobic property of a region where the wiring pattern is to be formed (the lyophilic treatment). .
Hereinafter, the lyophilic treatment will be described.
As the lyophilic treatment, a method of irradiating ultraviolet light having a wavelength of 170 to 400 nm can be used. At this time, by irradiating ultraviolet light using a mask corresponding to the wiring pattern, only the wiring portion in the liquid-repellent film F once formed is partially deteriorated, the liquid-repellency is reduced, and lyophilicity is achieved. be able to. In other words, by performing the lyophobic treatment and the lyophilic treatment, as shown in FIG. 3B, the substrate P is provided with a lyophilic region at a position where a wiring pattern is to be formed. H1 and a liquid-repellent region H2 formed of a liquid-repellent film F surrounding the application region H1 are formed.
The degree of relaxation of the liquid repellency can be adjusted by the irradiation time of the ultraviolet light, but can also be adjusted by the combination of the intensity, wavelength, heat treatment (heating) of the ultraviolet light, and the like. In the present embodiment, the contact angle of the application region H1 is set so that the difference between the contact angle of the application region H1 to the liquid material containing conductive fine particles and the contact angle of the liquid repellent region H2 is 40 ° or more. Irradiation with ultraviolet light is performed under a condition of 15 ° or less.
[0042]
As another method of the lyophilic treatment, there is a plasma treatment using oxygen as a reactive gas. Specifically, this is performed by irradiating the substrate P with oxygen in a plasma state from a plasma discharge electrode. The conditions of the O 2 plasma treatment include, for example, a plasma power of 50 to 1000 W, an oxygen gas flow rate of 50 to 100 ml / min, a plate transport speed of the substrate P with respect to the plasma discharge electrode of 0.5 to 10 mm / sec, and a substrate temperature of 70. ~ 90 ° C.
In this case, the plasma processing conditions are set such that the transfer speed of the substrate P is reduced and the plasma processing time is lengthened so that the contact angle of the coating region H1 with the liquid material containing the conductive fine particles is 10 ° or less. adjust.
Further, as another lyophilic process, a process of exposing the substrate to an ozone atmosphere can be employed.
[0043]
(Material placement process)
Next, the wiring pattern forming material is applied to the application region H1 on the substrate P by using the droplet discharge method by the above-described droplet discharge device IJ. Here, a dispersion liquid in which conductive fine particles are dispersed in a solvent (dispersion medium) is discharged as a functional liquid (ink for a wiring pattern). The conductive fine particles used here include metal fine particles containing any of gold, silver, copper, palladium, and nickel, as well as conductive polymer and superconductor fine particles.
[0044]
That is, in the material disposing step, as shown in FIG. 3C, while the droplet discharge head 1 of the droplet discharge device IJ and the substrate P are relatively moved, the wiring pattern forming material is removed from the liquid discharge head 1. The contained liquid material is ejected as droplets 32, and the droplets 32 are arranged in the application region H1 on the substrate P. Specifically, a plurality of droplets 32 are ejected at a predetermined pitch while relatively moving the droplet ejection head 1 and the substrate P along the length direction of the application region H1 (the direction in which the wiring pattern is formed). Thus, a linear wiring pattern is formed.
In this example, it is assumed that the diameter D ′ of the discharged droplet 32 is larger than the width W of the application area H1. Specifically, assuming that the diameter of the liquid droplet when landing on the liquid-repellent region H2 (liquid-repellent film F) is D (see FIG. 2), the liquid droplet is discharged in a size satisfying D ≦ 4 × W. I do.
[0045]
At this time, since the lyophobic region H2 is provided with the lyophobic property, even if a part of the ejected liquid droplets falls on the lyophobic region H2, it is repelled from the lyophobic region H2, and as shown in FIG. As shown in the figure, the liquid is collected in the application area H1 between the liquid repellent areas H2. Further, since the application area H1 is provided with lyophilicity, the discharged liquid material is more likely to spread in the application area H1, and thereby the liquid material is more easily separated within a predetermined position without being divided. The application area H1 can be uniformly embedded.
[0046]
However, since the diameter D ′ of the droplet 32 is larger than the width W of the application area H1, a part of the discharged liquid (indicated by reference numeral 32a) overflows as shown in FIG. It may remain on the liquid repellent area H2. Subsequently, the droplets 32 are ejected into the application area H1 separated by the pitch L. The ejection pitch L is set to L> D ′ (droplet diameter), and the liquid ejected into the application area H1 is discharged. When a body (droplet) is spread and spread, it is set to a size that is connected to an adjacent liquid body that is ejected at a distance of pitch L, and is obtained in advance by an experiment or the like.
[0047]
That is, as shown in FIG. 4B, the liquid material (indicated by reference numeral 32b) ejected at a distance L from the liquid material 32a spreads, thereby spreading the liquid material 32a ejected earlier. Connect with. At this time, there is a possibility that a part of the liquid material 32b overflows and remains on the liquid repellent region H2. The remaining liquid is drawn into the application area H1. As a result, as shown by reference numeral 32c in FIG. 4C, the liquid material can be formed in a linear shape by connecting the liquid material within the application target region H1 without remaining in the liquid repellent region H2.
[0048]
Also in this case, the liquids 32a and 32b discharged into the application area H1 or repelled from the liquid repellent area H2 are more likely to spread because the application area H1 has been subjected to the lyophilic treatment. As a result, the liquid materials 32a and 32b more uniformly embed the inside of the application area H1. Therefore, even though the width W of the coating area H1 is smaller (smaller) than the diameter D ′ of the droplet 32, the droplets 32 (the liquids 32a and 32b) discharged toward the coating area H1 are: Instead of remaining on the liquid-repellent area H2, the liquid-repellent area H1 can be satisfactorily penetrated into the application area H1 and uniformly embedded therein.
[0049]
(Heat treatment / light treatment process)
Next, in the heat treatment / light treatment step, the dispersion medium or the coating agent contained in the droplets arranged on the substrate is removed. That is, in the liquid material for forming a conductive film disposed on the substrate, it is necessary to completely remove the dispersion medium in order to improve the electrical contact between the fine particles. When the surface of the conductive fine particles is coated with a coating agent such as an organic substance in order to improve dispersibility, it is necessary to remove the coating agent.
[0050]
The heat treatment and / or light treatment is generally performed in the air, but may be performed in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen, argon, or helium, if necessary. The treatment temperature of the heat treatment and / or light treatment includes the boiling point (vapor pressure) of the dispersion medium, the type and pressure of the atmospheric gas, the thermal behavior such as the dispersibility and oxidizing properties of the fine particles, the presence and amount of the coating agent, and the It is appropriately determined in consideration of the heat resistance temperature and the like.
[0051]
For example, it is necessary to bake at about 300 ° C. in order to remove the organic coating agent. In the case where a substrate such as a plastic substrate is used, it is preferable to perform the heating at room temperature or higher and 100 ° C. or lower.
The heat treatment and / or light treatment may be performed using lamp annealing, in addition to general heat treatment using a heating means such as a hot plate or an electric furnace. The light source of the light used for the lamp annealing is not particularly limited, but may be an infrared lamp, a xenon lamp, a YAG laser, an argon laser, a carbon dioxide laser, an excimer laser such as XeF, XeCl, XeBr, KrF, KrCl, ArF, ArCl, or the like. Can be used. These light sources generally have an output of 10 W or more and 5000 W or less, but in this embodiment, a range of 100 W or more and 1000 W or less is sufficient.
By the heat treatment and / or the light treatment, electrical contact between the fine particles is secured, and the fine particles are converted into a conductive film.
Through the series of steps described above, a linear conductive film pattern (conductive film wiring) is formed on the substrate.
[0052]
(Example)
A glass substrate is placed as a substrate P in the same closed container as the raw material compound of the self-assembled film composed of an organic molecular film or the like, and the entire closed container is kept at 100 ° C. for about 3 hours. A monolayer was formed.
At this time, the contact angle with respect to the conductive fine particle material was 10 ° or less in the liquid-repellent region H2 before the liquid-repellent treatment, but was 54.0 ° in the liquid-repellent region H2 after the liquid-repellent treatment. The difference in the contact angle between the application area H1 and the liquid repellent area H2 was 40 ° or more.
[0053]
Then, a conductive material having a droplet diameter D ′ ≒ 20 μm (weight of about 7.0 ng / dot), an ink speed (ejection speed) of 5 to 7 m / sec, a pitch L of 40 μm and a viscosity of 8 mPa · s is applied to the glass substrate. Droplets of the conductive fine particle material were discharged.
Here, the droplet diameter D ′ was fixed, and the droplets were discharged onto the glass substrate on which the application region was formed with a plurality of types of widths W. At this time, the diameter D (see FIG. 2) of the droplet when it lands on the lyophobic region H2 is approximately 32 μm, and the droplets respectively discharged to the application regions having the width W of 10 μm, 25 μm, and 50 μm are lyophobic. Although the wiring pattern was drawn without overflowing into the region H2 and became a linear wiring pattern defined by the width W, the droplets discharged to the application region having the width W of 5 μm and 7 μm could not fit within the application region. But overflowed over the liquid repellent area H2.
In other words, when D ≦ 4 × W is not satisfied, the droplet overflows into the liquid repellent region H2 and a desired wiring pattern cannot be obtained. However, the droplet is discharged under the condition satisfying D ≦ 4 × W. When the liquid was ejected, a wiring pattern having a desired width could be obtained without overflowing into the liquid repellent region H2.
[0054]
As described above, in the present embodiment, it is possible to form a wiring pattern that does not overflow into the lyophobic region H2 by discharging droplets with a size satisfying D ≦ 4 × W, that is, does not cause a short circuit. This makes it possible to prevent degradation of device quality, such as short-circuiting between wires. In particular, in the present embodiment, when the liquid material is spread and spread in the application area H1, the liquid material is discharged at a pitch connected to the adjacent liquid material, so that the pulling force when connected is increased, and the liquid droplet is more reliably discharged. It can be drawn into the application area H1.
[0055]
Further, in the present embodiment, by setting the difference in the contact angle between the application area H1 and the liquid-repellent area H2 to the liquid material to be equal to or more than 40 °, a case where a part of the liquid droplets is on the liquid-repellent area H2 is obtained. However, it is possible to enter the coated area H1, and a thin line pattern defined by the width of the coated area H1 can be obtained. In addition, in the present embodiment, by setting the contact angle of the application region H1 with the liquid material to 15 ° or less, the liquid material in the application region H1 can be more easily spread and spread on the substrate P, and the liquid material can be more uniformly applied. The region H1 can be embedded. For this reason, it is possible to integrate the liquids discharged at intervals without being divided in the application region H1, to prevent the occurrence of defects such as disconnection, and to improve the quality as a device. Is possible.
[0056]
(2nd Embodiment)
As a second embodiment, a liquid crystal display device as an example of the electro-optical device according to the invention will be described. FIG. 5 is a plan view showing the liquid crystal display device according to the present invention together with each component as viewed from the counter substrate side, and FIG. 6 is a sectional view taken along line HH ′ in FIG. FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of various elements, wiring, and the like in a plurality of pixels formed in a matrix in an image display area of the liquid crystal display device. FIG. 8 is a partially enlarged cross-sectional view of the liquid crystal display device. In each of the drawings used in the following description, the scale of each layer and each member is different so that each layer and each member have a size recognizable in the drawings.
[0057]
5 and 6, in the liquid crystal display device (electro-optical device) 100 according to the present embodiment, a pair of the TFT array substrate 10 and the opposing substrate 20 are attached to each other by a sealing material 52 which is a photo-curing sealing material. The liquid crystal 50 is sealed and held in a region defined by the sealing material 52. The sealing material 52 is formed in a closed frame shape in a region within the substrate surface, has no liquid crystal injection port, and has no trace of sealing with a sealing material.
[0058]
A peripheral partition 53 made of a light-shielding material is formed in a region inside the formation region of the sealing material 52. In a region outside the sealing material 52, a data line driving circuit 201 and mounting terminals 202 are formed along one side of the TFT array substrate 10, and a scanning line driving circuit 204 is formed along two sides adjacent to this one side. Is formed. On one remaining side of the TFT array substrate 10, a plurality of wirings 205 for connecting between the scanning line driving circuits 204 provided on both sides of the image display area are provided. In at least one of the corners of the opposing substrate 20, an inter-substrate conducting material 206 for establishing electric conduction between the TFT array substrate 10 and the opposing substrate 20 is provided.
[0059]
Instead of forming the data line driving circuit 201 and the scanning line driving circuit 204 on the TFT array substrate 10, for example, a TAB (Tape Automated Bonding) substrate on which a driving LSI is mounted and a peripheral portion of the TFT array substrate 10 May be electrically and mechanically connected to the terminal group formed through the anisotropic conductive film. In the liquid crystal display device 100, the type of the liquid crystal 50 to be used, that is, an operation mode such as a TN (Twisted Nematic) mode, an STN (Super Twisted Nematic) mode, or a normally white mode / normally black mode. Thus, a retardation plate, a polarizing plate and the like are arranged in a predetermined direction, but are not shown here.
When the liquid crystal display device 100 is configured for color display, for example, red (R), green (G), A blue (B) color filter is formed together with the protective film.
[0060]
In the image display area of the liquid crystal display device 100 having such a structure, as shown in FIG. 7, a plurality of pixels 100a are arranged in a matrix, and each of the pixels 100a has a pixel switching device. , And a data line 6a for supplying pixel signals S1, S2,..., Sn is electrically connected to the source of the TFT 30. The pixel signals S1, S2,..., Sn to be written to the data lines 6a may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied to a plurality of adjacent data lines 6a for each group. . The scanning line 3a is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the scanning signals G1, G2,..., Gm are applied to the scanning line 3a in a pulsed manner in this order at a predetermined timing. It is configured.
[0061]
The pixel electrode 19 is electrically connected to the drain of the TFT 30. By turning on the TFT 30 as a switching element for a certain period, the pixel signals S1, S2,... Writing is performed on each pixel at a predetermined timing. The predetermined-level pixel signals S1, S2,..., Sn written to the liquid crystal via the pixel electrodes 19 are held for a certain period between the counter electrodes 121 of the counter substrate 20 shown in FIG. Note that a storage capacitor 60 is added in parallel with a liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 19 and the counter electrode 121 to prevent the held pixel signals S1, S2,..., And Sn from leaking. For example, the voltage of the pixel electrode 19 is held by the storage capacitor 60 for a time that is three orders of magnitude longer than the time when the source voltage is applied. Thereby, the charge retention characteristics are improved, and the liquid crystal display device 100 having a high contrast ratio can be realized.
[0062]
FIG. 8A is a partially enlarged cross-sectional view of the liquid crystal display device 100 having the bottom gate type TFT 30, and the wiring pattern forming method of the first embodiment is formed on the glass substrate P constituting the TFT array substrate 10. Thereby, a gate wiring 61 is formed.
On the gate line 61, a semiconductor layer 63 made of an amorphous silicon (a-Si) layer is stacked via a gate insulating film 62 made of SiNx. The portion of the semiconductor layer 63 facing the gate wiring portion is a channel region. Junction layers 64a and 64b made of, for example, an n + type a-Si layer for obtaining an ohmic junction are stacked on the semiconductor layer 63, and the channel is protected on the semiconductor layer 63 at the center of the channel region. An insulating etch stop film 65 made of SiNx is formed. The gate insulating film 62, the semiconductor layer 63, and the etch stop film 65 are patterned as shown by applying resist, exposing / developing, and photoetching after vapor deposition (CVD).
[0063]
Further, the pixel electrodes 19 made of the bonding layers 64a and 64b and ITO are formed in the same manner, and are subjected to photoetching to be patterned as shown in the drawing. Then, banks 66 are projected on the pixel electrode 19, the gate insulating film 62, and the etch stop film 65, respectively, and droplets of the silver compound are ejected between the banks 66 by using the above-described droplet ejection device IJ. By doing so, a source line and a drain line can be formed.
[0064]
As shown in FIG. 8B, a recess is provided in the gate insulating film 62, a semiconductor layer 63 is formed in the recess substantially flush with the surface of the gate insulating film 62, and a bonding layer 64a is formed thereon. , 64b, the pixel electrode 19, and the etch stop film 65. In this case, by making the bottom of the groove between the banks 66 substantially flat as compared with FIG. 8A, the bent portions of each of these layers and the source line and the drain line are reduced, and a TFT having high characteristics with improved flatness is obtained. can do.
In the TFT having the above structure, a gate line, a source line, a drain line, and the like can be formed by discharging droplets of a silver compound, for example, using the above-described droplet discharging device IJ. It is possible to obtain a high-quality liquid crystal display device in which the thickness is reduced and a defect such as a short circuit does not occur.
[0065]
(Third embodiment)
In the above embodiment, the TFT 30 is used as a switching element for driving the liquid crystal display device 100. However, the present invention is applicable to an organic EL (electroluminescence) display device other than the liquid crystal display device. An organic EL display device has a configuration in which a thin film containing a fluorescent inorganic and organic compound is sandwiched between a cathode and an anode, and is excited by injecting electrons and holes into the thin film and recombining them. This is an element that generates electrons (excitons) and emits light by using light emission (fluorescence / phosphorescence) when the excitons are deactivated. Then, on the substrate having the above-described TFT 30, among the fluorescent materials used for the organic EL display element, materials exhibiting respective luminescent colors of red, green and blue, that is, a luminescent layer forming material and a hole injection / electron transport layer are provided. A self-luminous full-color EL device can be manufactured by using a material to be formed as ink and patterning each of them.
The range of the device (electro-optical device) in the present invention includes such an organic EL device, and it is possible to obtain a high-quality organic EL device which can be reduced in size and thickness and does not cause a defect such as a short circuit. Can be.
[0066]
(Fourth embodiment)
Next, as a fourth embodiment, a plasma display device which is an example of the electro-optical device of the present invention will be described.
FIG. 9 is an exploded perspective view of the plasma display device 500 of the present embodiment.
The plasma display device 500 includes substrates 501 and 502 disposed to face each other, and a discharge display unit 510 formed therebetween.
The discharge display unit 510 is formed by assembling a plurality of discharge chambers 516. Out of the plurality of discharge chambers 516, three discharge chambers 516 of a red discharge chamber 516 (R), a green discharge chamber 516 (G), and a blue discharge chamber 516 (B) are arranged so as to form one pixel. Have been.
[0067]
Address electrodes 511 are formed in stripes at predetermined intervals on the upper surface of the substrate 501, and a dielectric layer 519 is formed to cover the address electrodes 511 and the upper surface of the substrate 501. On the dielectric layer 519, partition walls 515 are formed between the address electrodes 511 and 511 and along the address electrodes 511. The partition 515 includes a partition adjacent to the left and right sides of the address electrode 511 in the width direction, and a partition extending in a direction orthogonal to the address electrode 511. Further, a discharge chamber 516 is formed corresponding to a rectangular area partitioned by the partition 515.
In addition, a phosphor 517 is arranged inside a rectangular area defined by the partition 515. The phosphor 517 emits any one of red, green, and blue fluorescent light. A red phosphor 517 (R) is provided at the bottom of the red discharge chamber 516 (R), and a bottom of the green discharge chamber 516 (G). , A green phosphor 517 (G) is arranged, and a blue phosphor 517 (B) is arranged at the bottom of the blue discharge chamber 516 (B).
[0068]
On the other hand, a plurality of display electrodes 512 are formed on the substrate 502 at predetermined intervals in a stripe shape in a direction orthogonal to the address electrodes 511. Further, a dielectric layer 513 and a protective film 514 made of MgO or the like are formed so as to cover them.
The substrate 501 and the substrate 502 are bonded to each other with the address electrodes 511 and the display electrodes 512 facing each other so as to be orthogonal to each other.
The address electrodes 511 and the display electrodes 512 are connected to an AC power supply (not shown). When a current is applied to each electrode, the phosphor 517 is excited and emits light in the discharge display unit 510, so that color display is possible.
[0069]
In the present embodiment, since the address electrodes 511 and the display electrodes 512 are formed based on the above-described wiring pattern forming method, respectively, the size and thickness can be reduced, and high quality such as short-circuiting or other defects does not occur. A plasma display device can be obtained.
[0070]
(Fifth embodiment)
Subsequently, an embodiment of a non-contact type card medium will be described as a fifth embodiment. As shown in FIG. 10, a non-contact type card medium (electronic device) 400 according to the present embodiment has a semiconductor integrated circuit chip 408 and an antenna circuit 412 built in a housing composed of a card base 402 and a card cover 418. At least one of power supply and data transfer is performed by at least one of electromagnetic waves or capacitive coupling with an external transceiver (not shown).
[0071]
In the present embodiment, the antenna circuit 412 is formed by the wiring pattern forming method according to the embodiment.
According to the non-contact type card medium of the present embodiment, it is possible to obtain a high-quality non-contact type card medium that is reduced in size and thickness and free from defects such as short circuits.
The device (electro-optical device) according to the present invention uses, in addition to the above, a phenomenon in which electron emission occurs when a current flows through a small-area thin film formed on a substrate in parallel with the film surface. The present invention is also applicable to a surface conduction electron-emitting device and the like.
[0072]
(Sixth embodiment)
As a sixth embodiment, a specific example of the electronic device of the invention will be described.
FIG. 11A is a perspective view illustrating an example of a mobile phone. In FIG. 11A, reference numeral 600 denotes a mobile phone main body, and reference numeral 601 denotes a liquid crystal display unit including the liquid crystal display device of the above embodiment.
FIG. 11B is a perspective view illustrating an example of a portable information processing device such as a word processor or a personal computer. In FIG. 11B, reference numeral 700 denotes an information processing device, 701 denotes an input unit such as a keyboard, 703 denotes an information processing main body, and 702 denotes a liquid crystal display unit provided with the liquid crystal display device of the above embodiment.
FIG. 11C is a perspective view illustrating an example of a wristwatch-type electronic device. In FIG. 11C, reference numeral 800 denotes a watch main body, and reference numeral 801 denotes a liquid crystal display unit including the liquid crystal display device of the above embodiment.
The electronic devices shown in FIGS. 11A to 11C include the liquid crystal display device of the above embodiment, and thus can be reduced in size, thickness, and quality.
Although the electronic device of the present embodiment includes a liquid crystal device, the electronic device may include another electro-optical device such as an organic electroluminescence display device and a plasma display device.
[0073]
As described above, the preferred embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings. However, it goes without saying that the present invention is not limited to the embodiments. The shapes, combinations, and the like of the constituent members shown in the above-described examples are merely examples, and can be variously changed based on design requirements and the like without departing from the gist of the present invention.
[0074]
For example, in the above embodiment, the difference in the contact angle between the application area H1 and the liquid repellent area H2 with respect to the functional liquid is set to 50 ° or more. However, this is not an essential condition, and even if the difference is less than 50. Applicable.
Further, in the above-described embodiment, the example in which the width W of the application area H1 is smaller than the diameter D of the droplet has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, if D ≦ 4 × W is satisfied, The present invention is applicable even when the width of the application area H1 is substantially the same as the droplet diameter or when the area width is larger than the droplet diameter.
Further, in the above-described embodiment, a configuration is used in which a functional liquid composed of a dispersion liquid in which conductive fine particles are dispersed in a dispersion medium is used. However, the present invention is not limited to this. For example, heating (heat treatment) or light A material that exhibits conductivity by irradiation (light treatment) may be used.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic perspective view of a droplet discharge device.
FIG. 2 is a diagram for explaining a principle of discharging a liquid material by a piezo method.
FIG. 3 is a diagram showing a procedure for forming a wiring pattern.
FIG. 4 is a diagram for explaining a state of a discharged liquid material.
FIG. 5 is a plan view of the liquid crystal display device as viewed from a counter substrate side.
FIG. 6 is a sectional view taken along the line HH ′ of FIG. 5;
FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of the liquid crystal display device.
FIG. 8 is a partially enlarged cross-sectional view of the liquid crystal display device.
FIG. 9 is an exploded perspective view of the plasma display device.
FIG. 10 is an exploded perspective view of a non-contact type card medium.
FIG. 11 is a diagram illustrating a specific example of an electronic apparatus according to the invention.
[Explanation of symbols]
P substrate, F liquid repellent film, H1 coated area, H2 liquid repellent area, L pitch, 32 droplets (functional liquid), 32a to 32c liquid (functional liquid), 100 liquid crystal display device (electro-optical device), 400 Non-contact card medium (electronic device), 500 Plasma display device (electro-optical device), 600 Mobile phone main unit (electronic device), 700 Information processing device (electronic device), 800 Clock main unit (electronic device)

Claims (12)

撥液性膜で形成された撥液領域間の被塗布領域に機能液の液滴を複数吐出して基板の表面に薄膜パターンを形成する方法であって、
前記撥液性膜に着弾した際の前記液滴の直径をＤとし、前記被塗布領域の幅をＷとしたときに、
Ｄ≦４×Ｗ
を満足する大きさで前記液滴を吐出することを特徴とする薄膜パターン形成方法。A method of forming a thin film pattern on a surface of a substrate by discharging a plurality of droplets of a functional liquid on a coating target area between liquid repellent areas formed by a liquid repellent film,
When the diameter of the droplet when it lands on the liquid-repellent film is D, and the width of the application area is W,
D ≦ 4 × W
Discharging the droplets in a size satisfying the following. 請求項１記載の薄膜パターン形成方法において、
前記機能液に対する前記被塗布領域の接触角と、前記機能液に対する前記撥液領域の接触角との差が４０°以上であることを特徴とする薄膜パターン形成方法。The method for forming a thin film pattern according to claim 1,
A method of forming a thin film pattern, wherein a difference between a contact angle of the application area with the functional liquid and a contact angle of the liquid repellent area with the functional liquid is 40 ° or more. 請求項１または２記載の薄膜パターン形成方法において、
前記液滴が前記被塗布領域内で塗れ拡がったときに、前記被塗布領域内で隣り合う液滴とつながるピッチで前記液滴を吐出することを特徴とする薄膜パターン形成方法。The method for forming a thin film pattern according to claim 1 or 2,
A method of forming a thin film pattern, wherein, when the droplet spreads and spreads in the region to be coated, the droplet is discharged at a pitch connected to a droplet adjacent to the region to be coated. 請求項１から３のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、
前記撥液領域に、前記被塗布領域よりも高い撥液性を付与することを特徴とする薄膜パターン形成方法。The method for forming a thin film pattern according to any one of claims 1 to 3,
A method of forming a thin film pattern, wherein the liquid repellent area is provided with higher liquid repellency than the coated area. 請求項１から４のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、
前記撥液性膜は、前記表面に形成された単分子膜であることを特徴とする薄膜パターン形成方法。The method for forming a thin film pattern according to any one of claims 1 to 4,
The method for forming a thin film pattern, wherein the liquid-repellent film is a monomolecular film formed on the surface. 請求項５記載の薄膜パターン形成方法において、
前記単分子膜が有機分子からなる自己組織化膜であることを特徴とする薄膜パターン形成方法。The method for forming a thin film pattern according to claim 5,
A method for forming a thin film pattern, wherein the monomolecular film is a self-assembled film made of organic molecules. 請求項１から６のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、
前記機能液には、導電性微粒子が含まれることを特徴とする薄膜パターン形成方法。The method for forming a thin film pattern according to any one of claims 1 to 6,
A method for forming a thin film pattern, wherein the functional liquid contains conductive fine particles. 請求項１から６のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法において、
前記機能液には、熱処理または光処理により導電性を発現する材料が含まれることを特徴とする薄膜パターン形成方法。The method for forming a thin film pattern according to any one of claims 1 to 6,
A method for forming a thin film pattern, wherein the functional liquid contains a material that exhibits conductivity by heat treatment or light treatment. 基板の表面に薄膜パターンが形成されてなるデバイスの製造方法であって、
請求項１から８のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法により、前記基板に前記薄膜パターンを形成することを特徴とするデバイス製造方法。A method for manufacturing a device in which a thin film pattern is formed on a surface of a substrate,
A device manufacturing method, comprising: forming the thin film pattern on the substrate by the thin film pattern forming method according to claim 1. 基板に薄膜パターンが形成されてなるデバイスであって、
請求項１から８のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法により、前記薄膜パターンが形成されていることを特徴とするデバイス。A device in which a thin film pattern is formed on a substrate,
A device wherein the thin film pattern is formed by the thin film pattern forming method according to claim 1. 請求項１０記載のデバイスを備えることを特徴とする電気光学装置。An electro-optical device comprising the device according to claim 10. 請求項１１記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 11.
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