JP2004342916A - Thin film pattern forming method, device and its manufacturing method, and electro-optical device and electronic instrument - Google Patents

Thin film pattern forming method, device and its manufacturing method, and electro-optical device and electronic instrument Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a thin film pattern more surely by arranging functional liquid between the banks.
SOLUTION: The forming method of the thin film pattern 33 by arranging the functional liquid on a substrate P comprises a process for forming the banks B, B in accordance with the thin film pattern 33 on the substrate P, a process for arranging the functional liquid on the substrate P between the banks B, B, a process for making the banks B, B so as to repel the liquid after the functional liquid arranging process, and a process for further discharging the functional liquid on the functional liquid already arranged between the banks B, B again after the process of making the banks B, B so as to repel the liquid.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、薄膜パターン形成方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器に関する。 The present invention relates to a thin film pattern forming method, a device and its manufacturing method and an electro-optical device and an electronic apparatus.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
電子回路または集積回路などに使われる配線を有するデバイス製造には、例えばフォトリソグラフィ法が用いられている。 The device fabrication having a wiring used for electronic circuits or integrated circuits, for example, a photolithography method is used. このリソグラフィ法は、予め導電膜を形成した基板上にレジストと呼ばれる感光材を塗布し、回路パターンを照射して現像し、レジストパターンに応じて導電膜をエッチングすることで薄膜の配線パターンを形成するものである。 The lithography method includes pre conductive film formed was on the substrate called resist photosensitive material is applied, and developed by irradiating the circuit pattern, forming a thin film of a wiring pattern by etching a conductive film according to the resist pattern it is intended to. このリソグラフィ法は真空装置などの大掛かりな設備と複雑な工程を必要とし、また材料使用効率も数%程度でそのほとんどを廃棄せざるを得ず、製造コストが高い。 The lithography method requires large-scale equipment and complicated processes such as a vacuum device and the material utilization is also inevitable to discard the most about several%, the manufacturing cost is high.
【0003】 [0003]
これに対して、液体吐出ヘッドから液体材料を液滴状に吐出する液滴吐出法、いわゆるインクジェット法を用いて基板上に配線パターンを形成する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。 In contrast, a droplet discharge method for discharging from the liquid ejection head a liquid material into droplet form, a method of forming a wiring pattern on a substrate using a so-called ink-jet method has been proposed (e.g., see Patent Document 1 ). この方法では、金属微粒子等の導電性微粒子を分散させた機能液である配線パターン用インクを基板に直接パターン配置し、その後熱処理やレーザー照射を行って薄膜の導電膜パターンに変換する。 In this method, the conductive fine particles ink for a wiring pattern is a functional solution obtained by dispersing such fine metal particles is directly pattern disposed on a substrate by performing a subsequent heat treatment or laser irradiation to convert the conductive film pattern of the film. この方法によれば、フォトリソグラフィが不要となり、プロセスが大幅に簡単なものになるとともに、原材料の使用量も少なくてすむというメリットがある。 According to this method, photolithography is not required, with the process is that significantly simpler, there is a merit that only a small amount of raw materials.
【0004】 [0004]
【特許文献1】 [Patent Document 1]
米国特許5132248号明細書【0005】 US Pat. No. 5132248 [0005]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
ところで、導電膜パターンは、通常、基板上に配線パターンに応じて形成されたバンクの間に配線パターン用インクを複数回に分けて配置させ、該配線パターン用インクに対し上述のように熱処理やレーザー照射を行うことによって形成される。 Meanwhile, the conductive film pattern is typically the ink for a wiring pattern between the bank formed in accordance with the wiring pattern on the substrate is arranged in a plurality of times, the heat treatment as described above Ya to wiring pattern ink It is formed by performing laser irradiation. また、バンクは、配線パターン用インクがバンク間に入り込みやすくなるように基板上よりも高い撥液性が付与されている。 Further, banks, liquid repellency is imparted greater than the ink wiring pattern on the substrate so easily enter between the banks. ところが、始めに配線パターン用インクをバンク間に配置した際に配線パターン用インクがバンクに配置し、バンクの撥液性が低下する場合がある。 However, there is a case where the ink wiring pattern when arranging the wiring pattern ink between the banks at the beginning is placed on the banks, liquid repellency of the banks is lowered. この場合に、続けて配線パターン用インクをバンク間に配置すると配線パターン用インクがバンク間から溢れ出し、導電膜パターンを形成できなくなるという問題が生じる。 In this case, the ink for a wiring pattern followed by placing the wiring pattern ink between the banks overflows from between the banks, a problem that can not be formed a conductive pattern arises.
【0006】 [0006]
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、機能液をバンク間に確実に配置させることによって、より確実に薄膜パターンを形成することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, by reliably the functional liquid between the banks, and an object thereof is to more securely formed thin film pattern.
【0007】 [0007]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
上記目的を達成するために、本発明に係る薄膜パターン形成方法は、機能液を基板上に配置させて薄膜パターンを形成する方法であって、上記基板上に上記薄膜パターンに応じたバンクを形成する工程と、上記バンク間の上記基板上に機能液を配置させる工程と、機能液を配置させる工程後に上記バンクを撥液化する工程と、該バンクを撥液化する工程後に再び上記バンク間に配置された上記機能液上にさらに機能液を吐出する工程とを有することを特徴とする。 To achieve the above object, a thin film pattern forming method according to the present invention, the functional liquid to a method of forming a thin film pattern is arranged on a substrate, forming a bank corresponding to the thin film pattern on the substrate arrangement and process, the step of disposing the functional liquid on the substrate between the banks, comprising the steps of lyophobic the bank after the step of depositing the functional liquid, between re the bank the bank after the step of liquid repellency to characterized by a step of discharging the further function liquid on the function liquid on which are.
【0008】 [0008]
このような特徴を有する本薄膜パターン形成方法によれば、始めに機能液をバンク間に配置した際に機能液がバンクに配置してバンクの撥液性が低下した場合であっても、再びバンクの撥液性が高められる。 According to the thin film pattern forming method having such a feature, even when the liquid repellency of the bank is decreased functional liquid upon the functional liquid between the banks at the beginning it is placed on the bank, again liquid repellency of the bank is increased. このため、続いてバンク間の機能液上に機能液を吐出しても、機能液を確実にバンク間に入れることが可能となる。 Therefore, continued by ejecting functional liquid on the function liquid between the banks, it becomes possible to put between reliable bank functional fluid. 特に、バンク間の寸法が吐出された機能液の液滴の径よりも小さい場合には必ず機能液がバンクに配置するので、より高い効果が得られる。 In particular, since always functional fluid is smaller than the diameter of the functional liquid droplet size ejected between the banks are arranged in banks, a higher effect is obtained.
【0009】 [0009]
次に、本発明に係る薄膜パターン形成方法は、機能液を配置させる工程後に上記バンクを撥液化する工程と、上記バンクを撥液化する工程後に再び上記バンク間に配置された上記機能液上に機能液を吐出する工程とを繰り返し行うことによって所定量の機能液を基板上に配置させることを特徴とする。 Next, a thin film pattern forming method according to the present invention, the bank after the step of depositing the functional liquid and a step of lyophobic, the bank on the function liquid that has been re-arranged between the bank after the step of lyophobic wherein the placement of a predetermined amount of functional liquid on a substrate by repeatedly performing step of ejecting the functional liquid.
【0010】 [0010]
このような特徴を有する本薄膜パターン形成方法によれば、バンク間に機能液を吐出するたびに、撥液性が低下したバンクの撥液性を再び高めるので、機能液を3回以上バンク間に吐出する場合であっても機能液を確実にバンク間に入れることが可能となる。 According to the thin film pattern forming method having such a feature, each time for discharging the functional liquid between the banks, between so again enhance the liquid repellency of the bank in which liquid repellency is reduced, the functional liquid least 3 times Bank a case of discharging it becomes possible to put between reliable bank functional liquid.
また、複数回に分けて機能液をバンク間に吐出することによって、先に吐出下機能液がバンク間において濡れ広がるのを待ってから次ぎの機能液を吐出することができる。 Further, by discharging the functional liquid a plurality of times between the banks can be discharged under the functional liquid previously ejects functional liquid next Wait for the spreads between the banks. これにより、一度に所定量の機能液をバンク間に吐出したために機能液がバンク間から溢れ出してしまうというような事態を防止しつつ、所定量の機能液を確実にバンク間の基板上に配置させることが可能となる。 Thus, the functional liquid to discharging the predetermined amount of functional liquid between the banks is while preventing such a situation that arises that overflows from between the banks at a time, on a substrate between reliably banks a predetermined amount of functional liquid it is possible to be placed.
【0011】 [0011]
なお、バンクが撥液性の低い材料によって形成されている場合には特に、上記基板上に機能液を配置させる工程より前に上記バンクに基板上よりも高い撥液性を付与することが好ましい。 Incidentally, in particular, to impart a high liquid repellency than substrates to the bank before the step of depositing the functional liquid on the substrate preferable when the bank is formed by a material having a low liquid repellency . これによって始めに吐出された機能液を確実にバンク間の基板上に配置させることが可能となる。 This makes it possible to arrange on the substrate between the securely bank function liquid ejected first.
【0012】 [0012]
なお、バンクと基板の界面にバンクと基板との密着性を向上させる密着性膜を形成することが好ましい。 It is preferable to form the adhesion layer to improve the adhesion between the bank and the substrate at the interface between the bank and the substrate. この密着性膜によってバンクと基板との密着性が向上し、バンクが基板に対して剥離することを防止することが可能となる。 Improved adhesion between the bank and the substrate by the adhesion layer, bank becomes possible to prevent the peeling off the substrate.
また、この密着性膜は、バンクをマスクとしてパターニングされることが好ましい。 Further, the adhesion layer is preferably patterned bank as a mask. これによって、密着性膜をパターニングするためのマスクを製造したり、基板上にマスクをセッティングする作業が不要となので、生産性を向上させることが可能となる。 This allows you to produce a mask for patterning the adhesion layer, the task of setting a mask on a substrate, such unnecessary, it is possible to improve productivity.
【0013】 [0013]
なお、機能液に導電性微粒子が含まれている場合には、薄膜パターンを配線パターンとすることができ、各種デバイスの配線パターンに応用することが可能となる。 Incidentally, if it contains conductive fine particles to the functional liquid can be a thin film pattern and the wiring pattern can be applied to wiring patterns of various devices. また、導電性微粒子の他に有機EL等の発光素子形成材料やR・G・Bのインク材料を用いることによって、有機EL表示装置やカラーフィルタを有する液晶表示装置等の製造にも適用するこが可能となる。 In addition to using the light-emitting element-forming material and the ink material of R · G · B such as an organic EL conductive particles, it applied to the production of a liquid crystal display device having the organic EL display device or a color filter child it is possible.
【0014】 [0014]
一方、本発明に係るデバイス製造方法は、基板に形成された薄膜パターンを備えるデバイスの製造方法であって、上記薄膜パターン形成方法によって上記基板に上記薄膜パターンを形成することを特徴とする。 On the other hand, a device manufacturing method according to the present invention is a method for producing a device comprising a thin film pattern formed on the substrate, and forming the thin film pattern on the substrate by the thin film pattern forming method.
本発明に係る薄膜パターン形成方法は、確実に機能液をバンク間に吐出することができるので、より確実に基板上に薄膜パターンを形成することが可能となり、この本薄膜パターン形成方法を用いることによって、本発明に係るデバイス製造方法は、より確実にデバイスに備えられた薄膜パターンを形成することが可能となる。 Thin film pattern forming method according to the present invention, it is possible to discharge between ensure functional fluid bank, it becomes possible to more securely formed thin film pattern on a substrate, the use of the book thin film pattern forming method Accordingly, the device manufacturing method according to the present invention, it is possible to form a thin film pattern provided on the more securely the device.
また、上記薄膜パターンがスイッチング素子に接続される配線を構成する場合には、スイッチング素子に接続される配線をより確実に形成することが可能となり、デバイスの信頼性が向上する。 Also, when constituting the wiring which the thin film pattern is connected to the switching element, it is possible to more reliably form a wiring connected to the switching element, the reliability of the device is improved.
【0015】 [0015]
そして、本発明に係る電気光学装置は、上記のデバイス製造方法を用いて製造されたデバイスを備えることを特徴としている。 The electro-optical device according to the invention is characterized in that it comprises a device manufactured using the above device manufacturing method.
また、本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴としている。 The electronic device of the present invention is characterized in that it comprises the electro-optical device.
これによって、本発明では、信頼性の高い電気光学装置及び電子機器を得ることが可能となる。 Thus, in the present invention, it is possible to obtain a highly reliable electro-optical device and an electronic apparatus.
【0016】 [0016]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
以下、図面を参照して、本発明に係る薄膜パターン形成方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器の一実施形態について説明する。 Hereinafter, with reference to the drawings, the thin film pattern forming method according to the present invention, the device as an embodiment of the manufacturing method and an electro-optical device and an electronic apparatus will be described. なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺は各層や各部材ごとに異なる場合がある。 In the drawings to be referred to scale in order to have a recognizable size in the drawings may be different for each layer and each member.
【0017】 [0017]
(第1実施形態) (First Embodiment)
本実施の形態では、液滴吐出法によって液体吐出ヘッドのノズルから導電性微粒子を含む配線パターン(薄膜パターン)用インク(機能液)を液滴状に吐出し、基板上に配線パターンに応じて形成されたバンクの間に導電性膜からなる配線パターンを形成する場合の例を用いて説明する。 In this embodiment, the wiring pattern containing conductive fine particles from the nozzles of the liquid discharge head by a droplet discharge method (thin film pattern) ink (functional liquid) ejected in droplet form, depending on the wiring pattern on the substrate It will be described with reference to the example of forming the wiring pattern made of a conductive film between the formed bank.
【0018】 [0018]
この配線パターン用インクは、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液からなるものである。 Ink for the wiring pattern is made of the conductive fine particles from the dispersion obtained by dispersing in a dispersion medium.
本実施の形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。 In this embodiment, as the conductive particles, for example, gold, silver, copper, palladium, and other fine metal particles containing any one of nickel, fine particles of these oxides, and conductive polymer or superconductor such as is used.
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。 These conductive fine particles may be coated with an organic substance on the surface in order to improve dispersibility.
導電性微粒子の粒径は1nm以上0.1μm以下であることが好ましい。 The diameter of the conductive fine particles is preferably 1nm or more 0.1μm or less. 0.1μmより大きいと、後述する液体吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。 And 0.1μm greater, it may cause clogging of the nozzles of the liquid discharge head described later. また、1nmより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。 Further, a 1nm smaller, the volume ratio of the coating agent increases to the conductive particles, the proportion of organic matter in the resulting film becomes excessive.
【0019】 [0019]
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。 As the dispersion medium, as it can disperse the conductive fine particles is not particularly limited as long as it does not cause aggregation. 例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、n−ヘプタン、n−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、p−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ− For example, in addition to water, methanol, ethanol, propanol, alcohols such as butanol, n- heptane, n- octane, decane, dodecane, tetradecane, toluene, xylene, cymene, durene, indene, dipentene, tetrahydronaphthalene, decahydro naphthalene, hydrocarbon compounds such as cyclohexylbenzene and ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, 1,2-dimethoxyethane, bis (2- methoxyethyl) ether, ether compounds such as p- dioxane, propylene carbonate, .gamma. チロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。 Butyrolactone, N- methyl-2-pyrrolidone, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, can be exemplified polar compounds such as cyclohexanone. これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法(インクジェット法)への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。 Of these, the stability of the dispersion with a dispersion of fine particles, also in terms of ease of application to the droplet discharge method (inkjet method), water, alcohol, hydrocarbon compounds and ether compounds are preferable, more preferred dispersion medium include water and hydrocarbon compounds.
【0020】 [0020]
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は0.02N/m以上0.07N/m以下の範囲内であることが好ましい。 The surface tension of the dispersion liquid of the conductive particles is preferably within the range of less than 0.02 N / m or more 0.07 N / m. インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が0.02N/m未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、0.07N/mを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。 In discharging a liquid by the inkjet method, if the surface tension is below 0.02 N / m, it tends to deviate the wettability of the ink composition to the nozzle surface increases, greater than 0.07 N / m the shape of the meniscus at the nozzle tip discharge amount and not stable, control of the discharge timing becomes difficult. 表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。 To adjust the surface tension, the above-mentioned dispersion by large does not reduce the range of the contact angle with the substrate, a fluorine-based, silicone-based, surface tension modifier such as nonionic may be added trace. ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。 The nonionic surface tension modifier increases the wettability of the liquid to the substrate, improves the leveling property of the film, and serves to prevent the occurrence of minute ruggedness on the film. 上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。 The surface tension adjusting agent, optionally, alcohols, ethers, esters, may contain organic compounds of ketone.
【0021】 [0021]
上記分散液の粘度は1mPa・s以上50mPa・s以下であることが好ましい。 It is preferable that the viscosity of the dispersion is not more than 1 mPa · s or more 50 mPa · s. インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が1mPa・sより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が50mPa・sより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。 When using the ink jet method for discharging a liquid material as droplets, the viscosity is easily contaminated by flow nozzle periphery of the ink in the case 1 mPa · s less, and if the viscosity is more than 50 mPa · s, the nozzle hole clogging frequency becomes higher smooth ejection of droplets in it is difficult.
【0022】 [0022]
配線パターンが形成される基板としては、ガラス、石英ガラス、Siウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。 The substrate on which a wiring pattern is formed, may be a glass, quartz glass, Si wafer, plastic film, any of various metal plates or the like. また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。 Also includes those semiconductor film on the surface of various materials substrate, a metal film, a dielectric film, an organic film is formed as a base layer.
【0023】 [0023]
ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。 Here, the discharging technique of droplet discharge method, a charge control method, a pressure vibration method, electromechanical conversion method, an electrothermal conversion method, an electrostatic suction method and the like. 帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。 In the charge control method, and it imparts a charge by the charging electrode material is discharged from a nozzle to control the flying direction of the material by a deflection electrode. また、加圧振動方式は、材料に30kg/cm2程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。 Also, pressure vibration method is intended to discharge the material to the nozzle tip side by application of ultra-high pressure of about 30kg / cm @ 2 on the material discharged from the nozzle material is straight when not applying a control voltage When applying a control voltage occurs, electrostatic repulsion between materials, not discharged from the nozzle material is scattered. また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子(圧電素子)がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズルから吐出させるものである。 Further, electromechanical conversion method, in which a piezo element (piezoelectric element) utilizing the property of deforming in response to a pulsed electric signal, through the space to the flexible material storing the material by the piezo element is deformed applying a pressure Te, it is discharged from a nozzle extruding the material from the space.
【0024】 [0024]
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル(泡)を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。 Further, electrothermal conversion method, by a heater provided in a space storing the material rapidly vaporize the material to generate a bubble (bubbles) with one in which the material in the space is ejected by the pressure of the bubbles. 静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。 Electrostatic attraction method, a very small pressure is applied to a space storing the material to form a meniscus of the material at the nozzle, it is intended to draw the material from the addition of electrostatic attraction in this state. また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。 Furthermore, In addition, method and utilizing the viscosity change of the fluid due to an electric field, techniques such as a method in discharge sparks can also be applied. 液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。 The droplet discharge method has an advantage that waste use of the material is small, yet can be accurately place the desired amount of material in the desired position. なお、液滴吐出法により吐出される液状材料(流動体)の一滴の量は、例えば1〜300ナノグラムである。 Incidentally, amount of one droplet of the liquid material discharged by the droplet discharge method (fluid) is, for example, 1 to 300 nanograms.
【0025】 [0025]
次に、本発明に係るデバイスを製造する際に用いられるデバイス製造装置について説明する。 The following will describe a device manufacturing apparatus used for manufacturing a device according to the present invention.
このデバイス製造装置としては、液滴吐出ヘッドから基板に対して液滴を吐出(滴下)することによりデバイスを製造する液滴吐出装置(インクジェット装置)が用いられる。 As the device manufacturing apparatus, a droplet ejection apparatus for manufacturing a device by droplets to the substrate from a droplet discharge head for discharging (dropping) (inkjet apparatus) is used.
【0026】 [0026]
図1は、液滴吐出装置IJの概略構成を示す斜視図である。 Figure 1 is a perspective view showing a schematic structure of a droplet discharge device IJ.
液滴吐出装置IJは、液滴吐出ヘッド1と、X軸方向駆動軸4と、Y軸方向ガイド軸5と、制御装置CONTと、ステージ7と、クリーニング機構8と、基台9と、ヒータ15とを備えている。 The droplet discharge device IJ includes a droplet discharge head 1, an X-axis direction drive shaft 4, a Y-axis direction guide shaft 5, a controller CONT, a stage 7, a cleaning mechanism 8, a base 9, a heater and a 15.
ステージ7は、この液滴吐出装置IJによりインク(液体材料)を設けられる基板Pを支持するものであって、基板Pを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。 Stage 7 is for supporting the substrate P is provided with an ink (liquid material) by the droplet discharge device IJ, and includes a fixing mechanism (not shown) for fixing the substrate P to a reference position.
【0027】 [0027]
液滴吐出ヘッド1は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とY軸方向とを一致させている。 The droplet discharge head 1 is a multi-nozzle type droplet discharge head including a plurality of ejection nozzles, is made to coincide with the longitudinal direction and the Y-axis direction. 複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド1の下面にY軸方向に並んで一定間隔で設けられている。 A plurality of ejection nozzles are provided at regular intervals arranged in the lower surface of the droplet discharge head 1 in the Y-axis direction. 液滴吐出ヘッド1の吐出ノズルからは、ステージ7に支持されている基板Pに対して、上述した導電性微粒子を含むインクが吐出される。 From the discharge nozzles of the droplet discharge head 1 to the substrate P supported by the stage 7, it is ejected ink containing conductive fine particles described above.
【0028】 [0028]
X軸方向駆動軸4には、X軸方向駆動モータ2が接続されている。 The X-axis direction drive shaft 4, is connected the X-axis direction drive motor 2. X軸方向駆動モータ2はステッピングモータ等であり、制御装置CONTからX軸方向の駆動信号が供給されると、X軸方向駆動軸4を回転させる。 X-axis direction drive motor 2 is a stepping motor or the like, when a driving signal for the X-axis direction is supplied from the control device CONT, it rotates the X-axis direction drive shaft 4. X軸方向駆動軸4が回転すると、液滴吐出ヘッド1はX軸方向に移動する。 When X-axis direction drive shaft 4 is rotated, the droplet discharge head 1 moves in the X-axis direction.
Y軸方向ガイド軸5は、基台9に対して動かないように固定されている。 Y-axis direction guide shaft 5 is fixed so as not to move with respect to the base 9. ステージ7は、Y軸方向駆動モータ3を備えている。 The stage 7 is equipped with a Y-axis direction drive motor 3. Y軸方向駆動モータ3はステッピングモータ等であり、制御装置CONTからY軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ7をY軸方向に移動する。 Y-axis direction drive motor 3 is a stepping motor or the like, a drive signal of the Y-axis direction is supplied from the control device CONT, it moves the stage 7 in the Y-axis direction.
【0029】 [0029]
制御装置CONTは、液滴吐出ヘッド1に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。 The controller CONT supplies a voltage for the ejection control of the droplet to the droplet discharge head 1. また、X軸方向駆動モータ2に液滴吐出ヘッド1のX軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Y軸方向駆動モータ3にステージ7のY軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。 Further, a drive pulse signal for controlling the movement of the X-axis direction of the droplet discharge head 1 in the X-axis direction drive motor 2, the Y-axis direction drive motor 3 a drive pulse signal for controlling the movement of the Y-axis direction of the stage 7 supplies.
クリーニング機構8は、液滴吐出ヘッド1をクリーニングするものである。 The cleaning mechanism 8 cleans the droplet discharge head 1. クリーニング機構8には、図示しないY軸方向の駆動モータが備えられている。 The cleaning mechanism 8, a drive motor (not shown) for the Y-axis direction is provided. このY軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Y軸方向ガイド軸5に沿って移動する。 By driving the Y-axis direction drive motor, the cleaning mechanism moves along the Y-axis direction guide shaft 5. クリーニング機構8の移動も制御装置CONTにより制御される。 The movement of the cleaning mechanism 8 is also controlled by the controller CONT.
ヒータ15は、ここではランプアニールにより基板Pを熱処理する手段であり、基板P上に配置された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。 Heater 15, is a means for heat treating the substrate P by lamp annealing, and evaporates and dries a solvent contained in the liquid material disposed on the substrate P here. このヒータ15の電源の投入及び遮断も制御装置CONTにより制御される。 On and off of the heater 15 is also controlled by the controller CONT.
【0030】 [0030]
液滴吐出装置IJは、液滴吐出ヘッド1と基板Pを支持するステージ7とを相対的に走査しつつ基板Pに対して液滴を吐出する。 The droplet discharge device IJ discharges droplets to the substrate P while relatively scanning the stage 7 supporting the droplet discharge head 1 and the substrate P. ここで、以下の説明において、X軸方向を走査方向、X軸方向と直交するY軸方向を非走査方向とする。 In the following description, the scanning in the X-axis direction direction, the non-scanning direction Y-axis direction perpendicular to the X-axis direction. したがって、液滴吐出ヘッド1の吐出ノズルは、非走査方向であるY軸方向に一定間隔で並んで設けられている。 Therefore, the discharge nozzles of the droplet discharge head 1 are arranged side by side at regular intervals in the Y-axis direction which is the non-scanning direction. なお、図1では、液滴吐出ヘッド1は、基板Pの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド1の角度を調整し、基板Pの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。 1, the droplet discharge head 1 is to the traveling direction of the substrate P is arranged at right angles, adjusting the angle of the droplet discharge head 1, so as to cross the traveling direction of the substrate P it may be. このようにすれば、液滴吐出ヘッド1の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。 In this way, by adjusting the angle of the droplet discharge head 1, it is possible to adjust the pitch between the nozzles. また、基板Pとノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。 It is also possible to be able to arbitrarily adjust the distance between the substrate P and the nozzle surface.
【0031】 [0031]
図2は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。 Figure 2 is a diagram for explaining a principle of discharging a liquid material by a piezo method.
図2において、液体材料(配線パターン用インク、機能液)を収容する液体室21に隣接してピエゾ素子22が設置されている。 2, a piezo element 22 is disposed adjacent to a liquid chamber 21 storing a liquid material (ink for wiring patterns, function liquid). 液体室21には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系23を介して液体材料が供給される。 The liquid chamber 21, the liquid material is supplied through a liquid material supply system 23 including a material tank that stores the liquid material. ピエゾ素子22は駆動回路24に接続されており、この駆動回路24を介してピエゾ素子22に電圧を印加し、ピエゾ素子22を変形させることにより、液体室21が変形し、ノズル25から液体材料が吐出される。 The piezoelectric element 22 is connected to a drive circuit 24, a voltage is applied to the piezoelectric element 22 via the drive circuit 24, so as to deform the piezo element 22, the liquid chamber 21 is deformed, the liquid material from the nozzle 25 It is discharged. この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子22の歪み量が制御される。 In this case, by changing the value of the applied voltage, the strain amount of the piezo element 22 is controlled. また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子22の歪み速度が制御される。 Further, by changing the frequency of the applied voltage, the speed of distortion of the piezo element 22 is controlled. ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。 Since the droplet discharge by a piezo method does not apply heat to the material, it has the advantage that hardly affect the composition of the material.
【0032】 [0032]
次に、本発明の配線パターン形成方法の実施形態の一例として、基板上に導電膜配線を形成する方法について図3及び図4を参照して説明する。 Next, as one example of an embodiment of a wiring pattern forming method of the present invention will be described with reference to FIGS method of forming a conductive film wiring on a substrate. 本実施形態に係る配線パターン形成方法は、上述した配線パターン用のインクを基板上に配置し、その基板上に配線用の導電膜パターンを形成するものであり、HMDS膜(密着性膜)形成工程、バンク形成工程、HMDS膜パターニング工程、残渣処理工程、第1撥液化処理工程、材料配置工程、第2撥液化処理工程、中間乾燥工程及び焼成工程から概略構成される。 A wiring pattern forming method according to this embodiment, the ink for a wiring pattern described above is disposed on the substrate, which forms a conductive film pattern for wiring on the substrate, HMDS film (adhesion layer) formed step, a bank forming step, HMDS film patterning step, residue treatment step, the first lyophobic treatment step, a material arrangement step, a second lyophobic treatment step, schematically composed of intermediate drying step and the baking step.
以下、各工程毎に詳細に説明する。 It will be described below in detail for each step.
【0033】 [0033]
(HMDS形成工程) (HMDS forming step)
HMDS(ヘキサメチルジシラザン)膜は、基板とバンクとの密着性を向上させるものであり、例えばHMDSを蒸気状にして対象物に対して付着させる方法(HMDS処理)によって形成される。 HMDS (hexamethyldisilazane) film is intended to improve the adhesion between the substrate and the bank is formed by a method (HMDS treatment) for attaching e.g. HMDS to an object in the vapor form. これによって、図3(a)に示すように、基板P上にHMDS膜32が形成される。 Thus, as shown in FIG. 3 (a), HMDS film 32 is formed on the substrate P.
【0034】 [0034]
(バンク形成工程) (Bank forming step)
バンクは、仕切部材として機能する部材であり、バンクの形成はリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。 Bank is a member functioning as a partition member, the formation of the bank can be carried out in a lithography method or a printing method, any method. 例えば、リソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、図3(b)に示すように、基板P上にバンクの高さに合わせて有機系感光性材料31を塗布し、その上にレジスト層を塗布する。 For example, when using a lithography method, spin coating, spray coating, roll coating, die coating, dip coating or the like a predetermined method, as shown in FIG. 3 (b), in accordance with the height of the banks on the substrate P the organic photosensitive material 31 is applied, applying a resist layer thereon. そして、バンク形状(配線パターン)に合わせてマスクを施しレジストを露光・現像することによりバンク形状に合わせたレジストを残す。 Then, the resist remains to match the bank shape by exposing and developing the resist masked in accordance with the bank shape (wiring pattern). 最後にエッチングしてマスク以外の部分のバンク材料を除去する。 Finally, etching to remove the bank material in the portion other than the mask. また、下層が無機物で上層が有機物で構成された2層以上でバンク(凸部)を形成してもよい。 Further, the bank (the convex portion) in the lower layer is 2 or more layers the upper layer is composed of organic material with inorganic may be formed.
これによって、図3(c)に示されるように、配線パターンを形成すべき領域(例えば10μm幅)の周辺を囲むようにバンクB、Bが形成される。 Thus, as shown in FIG. 3 (c), the bank B so as to surround the periphery of the region for forming a wiring pattern (e.g. 10μm wide), B is formed.
【0035】 [0035]
バンクを形成する有機材料としては、液体材料に対して撥液性を示す材料でも良いし、後述するように、プラズマ処理による撥液化(テフロン(登録商標)化)が可能で下地基板との密着性が良くフォトリソグラフィによるパターニングがし易い絶縁有機材料でも良い。 As the organic material forming the banks, even may of a material exhibiting liquid repellency to the liquid material, as described later, adhesion to the underlying substrate may lyophobic by plasma treatment (Teflon (registered trademark) of) sexual well patterning by photolithography and may be easily insulating organic material. 例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂等の高分子材料を用いることが可能である。 For example, it is possible to use an acrylic resin, polyimide resin, olefin resin, a polymer material such as a melamine resin.
【0036】 [0036]
(HMDS膜パターニング工程) (HMDS film patterning step)
基板P上にバンクB、Bが形成されると、続いてバンクB、B間のHMDS膜32(バンクB、B間の底部)を図3(d)に示すようにエッチングすることによってHMDS膜32をパターニングする。 Bank B on the substrate P, when B is formed, followed by the bank B, HMDS film 32 (the bank B, the bottom between B) between B HMDS film by the etching as shown in FIG. 3 (d) 32 is patterned. 具体的には、バンクB、Bが形成された基板Pに対してバンクをマスクとして、例えば2.5%フッ酸水溶液でエッチングを施すことでHMDS膜をエッチングする。 Specifically, the banks B, B is a bank as a mask to the substrate P is formed, etching the HMDS film by performing etching, for example, 2.5% hydrofluoric acid aqueous solution. これによって基板PがバンクB、B間の底部に露出される。 This substrate P is exposed at the bottom between the banks B, B.
【0037】 [0037]
(残渣処理工程(親液化処理工程)) (Residue treatment step (lyophilic process step))
次に、バンク間におけるバンク形成時のレジスト(有機物)残渣を除去するために、基板Pに対して残渣処理を施す。 Next, in order to remove residues of the resist (organic substance) during bank formation between the banks performs residue treatment to the substrate P.
残渣処理としては、紫外線を照射することにより残渣処理を行う紫外線(UV)照射処理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするO2プラズマ処理等を選択できるが、ここではO2プラズマ処理を実施する。 The residue treatment, ultraviolet radiation can be selected to O2 plasma treatment using oxygen processing gas in the ultraviolet (UV) irradiation treatment and the atmosphere for performing the residue treatment by irradiation, wherein the performing the O2 plasma treatment.
【0038】 [0038]
具体的には、基板Pに対しプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射することで行う。 Specifically, it performed by irradiating oxygen of a plasma state from the plasma discharge electrode to the substrate P. O2プラズマ処理の条件としては、例えばプラズマパワーが50〜1000W、酸素ガス流量が50〜100ml/min、プラズマ放電電極に対する基板1の板搬送速度が0.5〜10mm/sec、基板温度が70〜90℃とされる。 The conditions for the O2 plasma treatment, for example, plasma power is 50 to 1000 W, an oxygen gas flow rate 50-100 ml / min, plate transportation speed of the substrate 1 to the plasma discharge electrode is 0.5 to 10 mm / sec, the substrate temperature is 70 It is a 90 ℃.
なお、基板Pがガラス基板の場合、その表面は配線パターン形成材料に対して親液性を有しているが、本実施の形態のように残渣処理のためにO2プラズマ処理や紫外線照射処理を施すことで、バンクB、Bの底部に露出した基板Pの親液性を高めることができる。 Incidentally, when the substrate P is a glass substrate, its surface has a lyophilic property to the wiring pattern forming material, the O2 plasma treatment or UV irradiation treatment for the residue treatment as in this embodiment it is subjected, it is possible to increase the bank B, and lyophilic property of the substrate P exposed in the bottom portion of the B.
【0039】 [0039]
(第1撥液化処理工程) (First liquid-repelling treatment step)
続いて、バンクBに対し撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。 Then, perform the liquid-repelling treatment to the banks B, and imparting liquid repellency to its surface. 撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法(CF4プラズマ処理法)を採用することができる。 As the lyophobic process, for example, can be employed plasma processing method tetrafluoromethane as the treatment gas in an air atmosphere the (CF4 plasma treatment method). CF4プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが50〜1000W、4フッ化メタンガス流量が50〜100ml/min、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が0.5〜1020mm/sec、基体温度が70〜90℃とされる。 CF4 plasma treatment conditions are, for example, plasma power is 50 to 1000 W, 4 tetrafluoromethane gas flow rate of 50-100 ml / min, the plasma substrate carrying speed with respect to the discharge electrode 0.5~1020mm / sec, the substrate temperature is 70 to 90 ° C. It is.
なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン(四フッ化炭素)に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。 As the treatment gas is not limited to tetrafluoromethane (carbon tetrafluoride), it is also possible to use other fluorocarbon gases.
【0040】 [0040]
このような撥液化処理を行うことにより、バンクB、Bにはこれを構成する樹脂中にフッ素基が導入され、基板Pに対して高い撥液性が付与される。 By performing this lyophobic process, the bank B, a fluorine group is introduced in the resin constituting this to B, high repellency to the substrate P is given. なお、上述した親液化処理としてのO2プラズマ処理は、バンクBの形成前に行ってもよいが、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等は、O2プラズマによる前処理がなされた方がよりフッ素化(撥液化)されやすいという性質があるため、バンクBを形成した後にO2プラズマ処理することが好ましい。 Note that the O2 plasma treatment as a lyophilic treatment described above may be performed before formation of the bank B, but such as acrylic resin or polyimide resin, who pretreatment with O2 plasma is made more fluorinated (lyophobic for) is the property that easily, it is preferable to O2 plasma treatment after forming the bank B.
なお、バンクB、Bに対する撥液化処理により、先に親液化処理した基板P表面に対し多少は影響があるものの、特に基板Pがガラス等からなる場合には、撥液化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、基板Pはその親液性、すなわち濡れ性が実質上損なわれることはない。 Note that the banks B, the liquid-repelling treatment for B, although somewhat relative lyophilic process the surface of the substrate P previously is affected, especially when the substrate P is made of glass or the like, the introduction of a fluorine group by lyophobic process because does not occur, the substrate P is the lyophilic, i.e. does not wettability is impaired substantially.
また、バンクB、Bについては、撥液性を有する材料(例えばフッ素基を有する樹脂材料)によって形成することにより、その撥液処理を省略するようにしてもよい。 Further, the banks B, and of B, by forming a material having liquid repellency (for example, a resin material having a fluorine group), may be omitted from the liquid-repellent treatment.
【0041】 [0041]
(材料配置工程) (Material disposing step)
次に、液滴吐出装置IJによる液滴吐出法を用いて、配線パターン形成材料をバンクB、B間に露出した基板P上に吐出して配置させる。 Next, by using a droplet discharge method employing the droplet discharge device IJ, and includes a fixing mechanism bank B a wiring pattern formation material, is disposed exposed by ejecting onto the substrate P between the B. なお、ここでは、導電性微粒子として銀を用い、溶媒(分散媒)としてジエチレングリコールジエチルエーテルを用いたインク(分散液)を吐出する。 Here, the silver fine particles as conductive fine particles, and discharges ink (dispersion liquid) with diethylene glycol diethyl ether as a solvent (dispersion medium).
【0042】 [0042]
すなわち、材料配置工程では、図4(e)に示すように、液体吐出ヘッド1から配線パターン形成材料を含む液体材料を液滴にして吐出し、その液滴をバンクB、B間に露出した基板P上に配置させる。 That is, in the material disposing step, as shown in FIG. 4 (e), the liquid material including a wiring pattern forming material from the liquid discharge head 1 discharges in the droplet, exposed the droplet bank B, between B It is disposed on the substrate P.
このとき、バンクB、B間に露出した基板PはバンクB、Bに囲まれているので、液状体が所定位置以外に拡がることを阻止できる。 At this time, the banks B, the substrate P exposed between the B bank B, because it is surrounded by B, can prevent the liquid material spreads other than the predetermined position. また、バンクB、Bは撥液性が付与されているため、吐出された液滴の一部がバンクB、B上にのっても、バンク表面が撥液性となっていることによりバンクB、Bからはじかれ、バンクB、B間に流れ落ちるようになる。 Further, the banks B, because B is liquid repellency is imparted, partially bank B of the discharged droplets, even riding on B, the bank by the bank surface is a liquid-repellent B, is repelled from B, will flow down between the banks B, B. さらに、バンクB、B間に露出した基板Pは親液性を付与されているため、吐出された液状体がバンクB、B間に露出した基板P上において拡がり易くなる。 Furthermore, the banks B, because the substrate P exposed between B granted lyophilic, the discharged liquid material banks B, easily spread in the exposed substrate P between B. これによって図4(f)に示すように液状体を所定位置内でより均一にすることができる。 This can be made more uniform the liquid material as shown in FIG. 4 (f) in a predetermined position.
【0043】 [0043]
(第2撥液化処理工程) (Second repellency treatment step)
上述の材料配置工程において、バンクB、Bの側面の上部や上面に液状体が配置すると、バンクB、Bの撥液性が低下する。 In the above-described material arrangement step, the liquid material is disposed on the top or upper surface of the bank B, the side surface of B, the bank B, liquid repellency of B is reduced. このようにバンクB、Bの撥液性が低下した状態で再び液状体をバンクB、B間に吐出すると、吐出された液滴の一部がバンクB、B上にのった場合にバンクB、Bからはじかれず、バンクB、B間に流れ落ちなくなる。 Thus the bank B, bank B again the liquid material in a state in which liquid repellency is decreased in B, and discharge between B, and when a part of the discharged droplets is superimposed on the banks B, B Bank B, not repelled from B, will not flow down between the banks B, B. そこで、再び上述の第1撥液化処理と同様に、例えばCF4プラズマ処理法によって、バンクB、Bを撥液化する。 Therefore, again like the first lyophobic treatment described above, for example by CF4 plasma treatment method, the bank B, the B liquid repellency.
【0044】 [0044]
この第2撥液化工程と上述の材料配置工程とを繰り返し行うことによって、図4(g)に示すように所定量のインクをバンクB、B間に露出した基板P上に確実に配置させることができる。 By repeatedly performing this second lyophobic process above materials disposing step, FIG. 4 (g) bank B a predetermined amount of ink as shown in, be securely positioned on the exposed substrate P between B can. 特に、バンクB、B間の寸法が吐出された液滴の径よりも小さい場合には必ずインクがバンクに配置するので、より高い効果が得られる。 In particular, the bank B, since always ink allocated to the bank when the dimension between B is smaller than the diameter of the droplets ejected, higher effect is obtained.
また、第2撥液化工程と材料配置工程を繰り返し行うことによって、インクを複数回に分けてバンクB、B間に吐出することができるので、先に吐出したインクがバンクB、B間において濡れ拡がるのを待ってから次のインクを吐出することができ、結果、インクがバンクB、B間から溢れ出すことを防止することが可能となる。 Further, wettability by repeating the second lyophobic process and material arrangement step, the banks B divides the ink a plurality of times, it is possible to discharge between B, ink ejected first is the bank B, between B next ink wait for the spreading can be discharged, results, it is possible to prevent the ink overflows from between the banks B, B.
【0045】 [0045]
(中間乾燥工程) (Intermediate drying step)
基板Pに所定量のインクを吐出した後、分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理をする。 After ejecting a predetermined amount of ink to the substrate P, to remove the dispersion medium, the drying treatment if necessary. 乾燥処理は、例えば基板Wを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。 Drying process, for example, another processing ordinary hot plate for heating the the substrate W, due to an electric furnace, can be performed by lamp annealing. ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、YAGレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArClなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。 The light source used for the lamp annealing is not particularly limited, an infrared lamp, a xenon lamp, YAG laser, argon laser, carbon dioxide laser, XeF, XeCl, XeBr, KrF, KrCl, ArF, ArCl, or the like it can be used as a light source. これらの光源は一般には、出力10W以上5000W以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では100W以上1000W以下の範囲で十分である。 These light sources are generally, although used ones 5000W following range of output 10 W, is sufficient 1000W following range of 100W in this embodiment.
【0046】 [0046]
(焼成工程) (Firing step)
吐出工程後の乾燥膜は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。 Drying film after the discharging step, in order to enhance electric contact among the fine particles, it is necessary to completely remove the dispersion medium. また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。 Further, when the coating material such as an organic substance, to enhance dispersibility in the surface of the conductive fine particles are coated, the coating material also needs to be removed. そのため、吐出工程後の基板には熱処理及び/又は光処理が施される。 Therefore, the substrate after the discharging step heat treatment and / or light treatment.
【0047】 [0047]
熱処理及び/又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。 Although heat treatment and / or light treatment is usually performed in air, if necessary, nitrogen, argon, also be carried out in an inert gas atmosphere such as helium. 熱処理及び/又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点(蒸気圧)、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。 The treatment temperature for the heat treatment and / or light treatment is the boiling point (vapor pressure), the type and pressure of the atmospheric gas, thermal behavior such as dispersibility and oxidation property of the microparticles, presence and amount of the coating material, the substrate It is appropriately determined in consideration of the heat resistance temperature.
例えば、有機物からなるコーティング材を除去するためには、約300℃で焼成することが必要である。 For example, in order to remove the coating material made of organic material, it is necessary to baking at about 300 ° C.. また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上100℃以下で行うことが好ましい。 Further, in case of using a substrate made of plastic or the like is preferably carried out at below 100 ° C. above room temperature.
以上の工程により吐出工程後の乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保されて導電性膜に変換され、図4(h)に示すように、バンクB、B間に所定の厚みの配線33が形成される。 Above steps dry film after the ejection process by being converted is ensured electric contact among the fine particles in the conductive film, as shown in FIG. 4 (h), the banks B, having a predetermined thickness between the B wire 33 There is formed.
【0048】 [0048]
以上のように、本実施の形態では、第2撥液化工程と材料配置工程を繰り返し行うので、所定量のインクを確実にバンクB、B間に露出した基板P上に配置させることができ、より確実に配線パターンを形成することが可能となる。 As described above, in this embodiment, since repeated a second lyophobic process and material arrangement step, it can be positioned in a predetermined amount of ink reliably banks B and the exposed substrate P between the B, it is possible to form a more reliable wiring pattern.
【0049】 [0049]
(第2実施形態) (Second Embodiment)
第2実施形態として、本発明の電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。 As a second embodiment, description will be given of a liquid crystal display device which is an example of an electro-optical device of the present invention. 図5は、本発明に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図6は図1のH−H'線に沿う断面図である。 5, a liquid crystal display device according to the present invention, a plan view seen from a counter substrate side shown with each component, FIG. 6 is a sectional view taken along the line H-H 'in FIG. 図7は、液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図8は、液晶表示装置の部分拡大断面図である。 7, various elements in a plurality of pixels formed in a matrix in an image display region of the liquid crystal display device, an equivalent circuit diagram of the wiring, etc., FIG. 8 is a partially enlarged cross-sectional view of a liquid crystal display device.
【0050】 [0050]
図5及び図6において、本実施の形態の液晶表示装置(電気光学装置)100は、対をなすTFTアレイ基板10と対向基板20とが光硬化性の封止材であるシール材52によって貼り合わされ、このシール材52によって区画された領域内に液晶50が封入、保持されている。 5 and 6, the liquid crystal display device of the present embodiment (an electro-optical device) 100 is attached by the TFT array substrate 10 and the sealing material 52 which is a counter substrate 20 each other via light-curing sealant paired is combined, the liquid crystal 50 is sealed and held in a region defined by the sealant 52. シール材52は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されてなり、液晶注入口を備えず、封止材にて封止された痕跡がない構成となっている。 Sealing member 52 is formed in a closed frame shape in a region within the substrate surface becomes to not include the liquid crystal injection port, and has a configuration is not sealed trace by sealing material.
【0051】 [0051]
シール材52の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り53が形成されている。 The region inside the area where the sealing member 52, peripheral partition 53 composed of a light-shielding material is formed. シール材52の外側の領域には、データ線駆動回路201及び実装端子202がTFTアレイ基板10の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する2辺に沿って走査線駆動回路204が形成されている。 Outside of the sealing material 52, the data line driving circuit 201 and mounting terminals 202 are formed along one side of the TFT array substrate 10, the scanning line driver circuit 204 along two sides adjacent to the one side It is formed. TFTアレイ基板10の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路204の間を接続するための複数の配線205が設けられている。 The side of the TFT array substrate 10, a plurality of wires 205 for connecting the scanning line driving circuits 204 provided on both sides of the image display region is provided. また、対向基板20のコーナー部の少なくとも1箇所においては、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的導通をとるための基板間導通材206が配設されている。 Further, in at least one location of the corners of the counter substrate 20, inter-substrate conductive material 206 for electrically connecting the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 is disposed.
【0052】 [0052]
なお、データ線駆動回路201及び走査線駆動回路204をTFTアレイ基板10の上に形成する代わりに、例えば、駆動用LSIが実装されたTAB(Tape Automated Bonding)基板とTFTアレイ基板10の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。 Incidentally, the data line driving circuit 201 and the scanning line driving circuit 204 instead of forming on the TFT array substrate 10, for example, TAB which a driving LSI is mounted (Tape Automated Bonding) perimeter of the substrate and the TFT array substrate 10 it may be electrically and mechanically connected through an anisotropic conductive film and formed terminal groups. なお、液晶表示装置100においては、使用する液晶50の種類、すなわち、TN(Twisted Nematic)モード、STN(Super Twisted Nematic)モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード/ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。 In the liquid crystal display device 100, the type of liquid crystal 50 to be used, i.e., depending on the different TN (Twisted Nematic) mode, STN (Super Twisted Nematic) operation mode mode or the like and, normally white mode / normally black mode Te, the phase difference plate, but the polarizing plate or the like is disposed in a predetermined orientation, not shown here.
また、液晶表示装置100をカラー表示用として構成する場合には、対向基板20において、TFTアレイ基板10の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。 Further, in the case of the liquid crystal display device 100 as a color display, the counter substrate 20, a region facing each pixel electrode to be described later of the TFT array substrate 10, for example, red (R), green (G), and blue (B) color filters are formed together with the protective film.
【0053】 [0053]
このような構造を有する液晶表示装置100の画像表示領域においては、図7に示すように、複数の画素100aがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素100aの各々には、画素スイッチング用のTFT(スイッチング素子)30が形成されており、画素信号S1、S2、…、Snを供給するデータ線6aがTFT30のソースに電気的に接続されている。 In the image display region of the liquid crystal display device 100 having such a structure, as shown in FIG. 7, a plurality of pixels 100a are configured in a matrix, each of these pixels 100a, a pixel switching the TFT is (switching element) 30 is formed, the pixel signals S1, S2, ..., the data line 6a for supplying the Sn is electrically connected to the source of the TFT 30. データ線6aに書き込む画素信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。 Pixel signals S1, S2 to be written to the data lines 6a, ..., Sn may be supplied in this order in a line sequential manner, for a plurality of adjacent data lines 6a phase, or may be supplied for each group . また、TFT30のゲートには走査線3aが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線3aにパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmをこの順に線順次で印加するように構成されている。 Further, the gate of TFT30 scanning line 3a is electrically connected, at a predetermined timing pulses to the scanning signals G1, G2 to the scanning line 3a, ..., Gm and to apply in this order sequentially by line It is configured.
【0054】 [0054]
画素電極19は、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線6aから供給される画素信号S1、S2、…、Snを各画素に所定のタイミングで書き込む。 Pixel electrode 19 is electrically connected to the drain of the TFT 30, by the TFT 30 is a switching element is turned on for a certain period, the pixel signals S1, S2 supplied from the data lines 6a, ..., and Sn written at a predetermined timing in each pixel. このようにして画素電極19を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号S1、S2、…、Snは、図6に示す対向基板20の対向電極121との間で一定期間保持される。 Thus a predetermined level of the pixel signal S1 written to liquid crystal through the pixel electrodes 19, S2, ..., Sn are held for a predetermined period between the counter electrode 121 of the counter substrate 20 shown in FIG. なお、保持された画素信号S1、S2、…、Snがリークするのを防ぐために、画素電極19と対向電極121との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量60が付加されている。 The pixel signals S1, S2 held, ..., in order to prevent the Sn from leaking, storage capacitors 60 are added in parallel to liquid crystal capacitors formed between the pixel electrode 19 and the counter electrode 121. 例えば、画素電極19の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も長い時間だけ蓄積容量60により保持される。 For example, the voltage of the pixel electrode 19 is retained by the storage capacitor 60 3 orders of magnitude longer than the time for which the source voltage is applied. これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置100を実現することができる。 Thus, the charge holding characteristic is improved, it is possible to realize a high contrast ratio liquid crystal display device 100.
【0055】 [0055]
図8は、ボトムゲート型TFT30を有する液晶表示装置100の部分拡大断面図であって、TFTアレイ基板10を構成するガラス基板Pには、上記第1実施形態の配線パターン形成方法によりゲート配線61がガラス基板Pに形成されたバンクB、B間に形成されている。 Figure 8 is a liquid crystal display is a partially enlarged sectional view of the apparatus 100, the glass substrate P composing the TFT array substrate 10, a gate wiring 61 by the wiring pattern forming method of the first embodiment having a bottom-gate type TFT30 There is formed the bank B formed on the glass substrate P, between B. なお、本実施形態では、ゲート配線61を形成する際に、後述するアモルファスシリコン層を形成するプロセスで約350℃まで加熱されるため、その温度に耐えられる材料として無機質のバンク材を用いている。 In the present embodiment, when forming the gate wiring 61, to be heated to about 350 ° C. In the process of forming the amorphous silicon layer, which will be described later with reference to bank material inorganic as a material that can withstand the temperature .
【0056】 [0056]
ゲート配線61上には、SiNxからなるゲート絶縁膜62を介してアモルファスシリコン(a−Si)層からなる半導体層63が積層されている。 On the gate wiring 61, a semiconductor layer 63 made of amorphous silicon (a-Si) layer via a gate insulating film 62 made of SiNx are stacked. このゲート配線部分に対向する半導体層63の部分がチャネル領域とされている。 Portion of the semiconductor layer 63 that faces the gate wiring part is a channel region. 半導体層63上には、オーミック接合を得るための例えばn+型a−Si層からなる接合層64a及び64bが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層63上には、チャネルを保護するためのSiNxからなる絶縁性のエッチストップ膜65が形成されている。 On the semiconductor layer 63 is for example laminated bonding layer 64a and 64b made of n + -type a-Si layer for obtaining an ohmic junction, on the semiconductor layer 63 in the central portion of the channel region, protecting the channel an insulating etch stop film 65 made of SiNx for are formed. なお、これらゲート絶縁膜62、半導体層63、及びエッチストップ膜65は、蒸着(CVD)後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングされる。 Incidentally, these gate insulating film 62, semiconductor layer 63 and the etch stop film 65, the resist coating after deposition (CVD), the photosensitive and development, by being subjected to photo-etching is patterned as shown.
【0057】 [0057]
さらに、接合層64a、64b及びITOからなる画素電極19も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパターニングされる。 Further, the bonding layer 64a, 64b and with deposited similarly pixel electrode 19 made of ITO, by being subjected to photo-etching and patterned as shown. そして、画素電極19、ゲート絶縁膜62及びエッチストップ膜65上にそれぞれバンク66を形成し、これらバンク66間に上述した第1実施形態の配線パターン形成方法によってソース線、ドレイン線を形成することができる。 Then, the pixel electrode 19, a gate insulating film 62 and the etch stop film 65 are banks 66 on the source line by a wiring pattern forming method of the first embodiment described above between these banks 66, a drain line can.
このように、本実施形態では、確実にゲート配線61、ソース線及びドレイン線を形成することができるので、より信頼性の向上させた液晶表示装置100を得ることができる。 Thus, in this embodiment, it ensures the gate wiring 61, it is possible to form the source line and the drain line, it is possible to obtain a liquid crystal display device 100 is improved in reliability.
【0058】 [0058]
(第3実施形態) (Third Embodiment)
上記実施の形態では、TFT30を液晶表示装置100の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも例えば有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示デバイスに応用が可能である。 In the above embodiment, a configuration using TFT30 as a switching element for driving the liquid crystal display device 100, also for example, an organic EL (electroluminescence) in addition to the liquid crystal display device is applicable to the display device. 有機EL表示デバイスは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔(ホール)を注入して再結合させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出(蛍光・燐光)を利用して発光させる素子である。 The organic EL display device excites a thin film containing fluorescent inorganic and organic compounds, has a structure sandwiched by a cathode and an anode, by recombination by injecting electrons and positive holes in the thin film to produce a child (exciton) is an element which emits light by utilizing emission (fluorescence or phosphorescence) of light when the excitons are deactivated. そして、上記のTFT30を有する基板上に、有機EL表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入/電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーELデバイスを製造することができる。 Then, on the substrate having the TFT30 above, among the fluorescent materials used in the organic EL display device, red, material or luminescent layer material and the hole injection / electron transport layer exhibiting green and the emission color of blue forming the material to the ink, by patterning each, it is possible to produce a self-luminous full color EL devices.
本発明におけるデバイス(電気光学装置)の範囲にはこのような有機ELデバイスをも含むものである。 The range of the device (electro-optical apparatus) in the present invention is intended to include such an organic EL device.
【0059】 [0059]
(第4実施形態) (Fourth Embodiment)
第4実施形態として、非接触型カード媒体の実施形態について説明する。 As a fourth embodiment, description will be given of an embodiment of a contactless card medium. 図9に示すように、本実施形態に係る非接触型カード媒体(電子機器)400は、カード基体402とカードカバー418から成る筐体内に、半導体集積回路チップ408とアンテナ回路412を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようになっている。 As shown in FIG. 9, the non-contact card medium according to the present embodiment (the electronic device) 400, in a housing composed of a card base 402 and a card cover 418, a built-in semiconductor integrated circuit chip 408 and an antenna circuit 412, and performs at least one of the power supply or data transfer by at least one of an external transceiver (not shown) electromagnetic or capacitive coupling.
【0060】 [0060]
本実施形態では、上記アンテナ回路412が、上記実施形態に係る配線パターン形成方法によって形成されている。 In the present embodiment, the antenna circuit 412 is formed by the wiring pattern forming method according to the embodiment.
本実施形態の非接触型カード媒体によれば、信頼性が向上した非接触型カード媒体とすることができる。 According to the non-contact card medium of the present embodiment, it may be a contactless card medium having improved reliability.
なお、本発明に係るデバイス(電気光学装置)としては、上記の他に、PDP(プラズマディスプレイパネル)や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。 As the device according to the present invention (an electro-optical device), in addition to the above, PDP and (plasma display panel), by passing a current parallel to the film surface in a thin film of small area formed on a substrate, on the surface conduction electron-emitting device or the like utilizing an electron emission occurs phenomenon is applicable.
【0061】 [0061]
(第5実施形態) (Fifth Embodiment)
第5実施形態として、本発明の電子機器の具体例について説明する。 As the fifth embodiment, a specific example of an electronic apparatus of the present invention.
図10(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。 10 (a) is a perspective view showing an example of a cellular phone. 図10(a)において、600は携帯電話本体を示し、601は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。 In FIG. 10 (a), 600 denotes a cellular phone body, 601 denotes a liquid crystal display unit having a liquid crystal display device of this embodiment.
図10(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。 10 (b) is a word processor, a perspective view showing an example of a portable information processing apparatus such as a personal computer. 図10(b)において、700は情報処理装置、701はキーボードなどの入力部、703は情報処理本体、702は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。 In FIG. 10 (b), 700 denotes an information processing apparatus, 701 denotes an input unit such as a keyboard, 703 denotes an information processing body, 702 denotes a liquid crystal display unit having a liquid crystal display device of this embodiment.
図10(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。 Figure 10 (c) is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic apparatus. 図10(c)において、800は時計本体を示し、801は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。 In FIG. 10 (c), 800 denotes a watch body, 801 denotes a liquid crystal display unit having a liquid crystal display device of this embodiment.
図10(a)〜(c)に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置を備えたものであるので、信頼性が向上した電子機器を提供することが可能となる。 The electronic device illustrated in FIG. 10 (a) ~ (c), because those having a liquid crystal display device of this embodiment, it is possible to provide an electronic device with improved reliability.
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。 The electronic apparatus of the present embodiment was intended to comprise a liquid crystal device may be an electronic apparatus including the organic electroluminescent display device, a plasma display device or the like, other electro-optical devices.
【0062】 [0062]
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。 Having described the preferred embodiments according to the present invention with reference to the accompanying drawings, it goes without saying that the present invention is not limited to the embodiment. 上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。 The shapes and combinations of the components described in the embodiments are merely examples, and various modifications are possible based on design requirements without departing from the scope of the present invention.
【0063】 [0063]
例えば、上記実施の形態では、薄膜パターンを導電性膜とする構成としたが、これに限られず、例えば液晶表示装置において表示画像をカラー化するために用いられているカラーフィルタにも適用可能である。 For example, in the above embodiment, a configuration that the conductive film a thin film pattern is not limited thereto, for example, a display image can also be applied to a color filter which is used to colorize a liquid crystal display device is there. このカラーフィルタは、基板に対してR(赤)、G(緑)、B(赤)のインク(液状体)を液滴として所定パターンで吐出(配置)することで形成することができるが、基板に対して所定パターンに応じたバンクを形成し、このバンク間にインクを配置させてカラーフィルタを形成することで、信頼性が向上したカラーフィルタ、すなわち信頼性が向上した液晶表示装置を得ることができる。 The color filter, R (red) relative to a substrate, G (green), but B ink (red) (liquid material) can be formed by discharging in a predetermined pattern as droplets (arrangement), forming a bank corresponding to the predetermined pattern to the substrate, by ink is arranged to form a color filter between the bank, to obtain a color filter with improved reliability, i.e. the liquid crystal display device with improved reliability be able to.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】液滴吐出装置の概略斜視図である。 1 is a schematic perspective view of a droplet discharge device.
【図2】ピエゾ方式による液状体の吐出原理を説明するための図である。 Figure 2 is a diagram for explaining a principle of discharging a liquid material by a piezo method.
【図3】配線パターン形成する手順を示す図である。 3 is a diagram showing a procedure for forming a wiring pattern.
【図4】配線パターン形成する手順を示す図である。 4 is a diagram showing a procedure for forming a wiring pattern.
【図5】液晶表示装置を対向基板の側から見た平面図である。 5 is a plan view of the liquid crystal display device from a counter substrate.
【図6】図5のH−H'線に沿う断面図である。 6 is a sectional view taken along the line H-H 'in FIG.
【図7】液晶表示装置の等価回路図である。 7 is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal display device.
【図8】同、液晶表示装置の部分拡大断面図である。 [8] the a partially enlarged sectional view of a liquid crystal display device.
【図9】非接触型カード媒体の分解斜視図である。 9 is an exploded perspective view of a non-contact card medium.
【図10】本発明の電子機器の具体例を示す図である。 10 is a diagram showing a specific example of an electronic apparatus of the present invention.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
B……バンク、P……基板(ガラス基板)、30……TFT(スイッチング素子)、33……配線パターン(薄膜パターン)、100……液晶表示装置(電気光学装置)、400……非接触型カード媒体(電子機器)、600……携帯電話本体(電子機器)、700……情報処理装置(電子機器)、800……時計本体(電子機器) B ...... banks, P ...... substrate (glass substrate), 30 ...... TFT (switching element), 33 ...... wiring pattern (thin film pattern), 100 ...... liquid crystal display device (electro-optical device), 400 ...... noncontact type card medium (electronic equipment), 600 ...... main body of the cellular phone (electronic device), 700 ...... information processing device (electronic equipment), 800 ...... watch body (electronic equipment)

Claims (11)

  1. 機能液を基板上に配置させて薄膜パターンを形成する方法であって、 The functional liquid to a method of forming a thin film pattern is arranged on the substrate,
    前記基板上に前記薄膜パターンに応じたバンクを形成する工程と、 Forming a bank corresponding to the thin film pattern on the substrate,
    前記バンク間の前記基板上に機能液を配置させる工程と、 A step of placing a functional liquid on the substrate between the bank,
    機能液を配置させる工程後に前記バンクを撥液化する工程と、 The bank after the step of depositing the functional liquid and a step of lyophobic,
    該バンクを撥液化する工程後に再び前記バンク間に配置された前記機能液上にさらに機能液を吐出する工程とを有することを特徴とする薄膜パターン形成方法。 Thin film pattern forming method characterized by a step of discharging the further functional liquid the bank on the functional fluid again arranged between the bank after the step of lyophobic.
  2. 機能液を配置させる工程後に前記バンクを撥液化する工程と、前記バンクを撥液化する工程後に再び前記バンク間に配置された前記機能液上に機能液を吐出する工程とを繰り返し行うことによって所定量の機能液を基板上に配置させることを特徴とする請求項1記載の薄膜パターン形成方法。 Tokoro a step of lyophobic the bank after the step of depositing the functional liquid, by the bank repeatedly performing step of ejecting the functional liquid to the functional liquid on which is again arranged between the bank after the step of lyophobic thin film pattern forming method according to claim 1, wherein the placement of quantification of the functional liquid on the substrate.
  3. 前記基板上に機能液を配置させる工程より前に前記バンクに基板上よりも高い撥液性を付与する工程を有することを特徴とする請求項1または2記載の薄膜パターン形成方法。 Thin film pattern forming method according to claim 1, wherein further comprising a step of applying a high liquid repellency than substrates in the bank prior to step of the functional liquid on the substrate.
  4. 前記基板上に前記基板と前記バンクとの密着性を向上させる密着性膜を形成する工程と、前記薄膜パターンに応じて密着性膜をパターニングする工程とを有し、前記バンクは前記密着性膜を介して基板上に形成されることを特徴とする請求項1〜3いずれかに記載の薄膜パターン形成方法。 A forming the adhesion layer to improve the adhesion between the substrate and the bank on the substrate, and a step of patterning the adhesion layer in accordance with the thin film pattern, the bank is the adhesion layer thin film pattern forming method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that formed on the substrate through a.
  5. 前記密着性物質をパターニングする工程において、密着性物質は、前記バンクをマスクとしてパターニングされることを特徴とする請求項4記載の薄膜パターン形成方法。 In the step of patterning the adhesion material, adhesion agent, a thin film pattern forming method according to claim 4, characterized in that it is patterning the bank as a mask.
  6. 前記機能液には、導電性微粒子が含まれることを特徴とする請求項1〜5いずれかに記載の薄膜パターン形成方法。 Wherein the functional fluid, a thin film pattern forming method according to any one of claims 1 to 5, characterized in that contains conductive fine particles.
  7. 基板に形成された薄膜パターンを備えるデバイスの製造方法であって、 A method of manufacturing a device comprising a thin film pattern formed on the substrate,
    請求項1〜6いずれかに記載の薄膜パターン形成方法によって前記基板に前記薄膜パターンを形成することを特徴とするデバイスの製造方法。 A device manufacturing method characterized by forming the thin film pattern on the substrate by a thin film pattern forming method according to any one of claims 1 to 6.
  8. 前記薄膜パターンは、スイッチング素子に接続される配線を構成することを特徴とする請求項7記載のデバイスの製造方法。 The thin film pattern The method of claim 7 according device characterized in that it constitutes a wiring connected to the switching element.
  9. 請求項7または8記載のデバイスの製造方法によって製造されることを特徴とするデバイス。 Device characterized in that it is produced by a process according to claim 7 or 8, wherein the device.
  10. 請求項9記載のデバイスを備えることを特徴とする電気光学装置。 Electro-optical device, characterized in that it comprises a device according to claim 9, wherein.
  11. 請求項10記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 10.
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