JP2004342768A - Thin film solar cell module - Google Patents

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solar cell
electrode layer
cell module
thin
film solar
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Japanese (ja)
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Shinichi Shimakawa
伸一 島川
Takayuki Negami
卓之 根上
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film solar cell module with high versatility using a conductive substrate. <P>SOLUTION: A plurality of unit cells 10 connected in series are arranged. The unit cell 10 includes: a conductive substrate 11; and a first electrode layer 12, a semiconductor layer 13, and a second electrode layer 14 which are arranged on the conductive substrate 11 in order from the substrate 11 side. At least a part of ends 11a of the substrate 11 is bent to a second electrode 14 side. Two adjacent unit cells 10 are connected in series by bringing the ends 11a of one unit cell 10 into contact with the second electrode layer 14 of the other unit cell 10. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜太陽電池モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とからなる化合物半導体薄膜(カルコパイライト構造半導体薄膜)であるCuInSe(CIS)、またはこれにGaを固溶したCu(In,Ga)Se(CIGS)、あるいはCuInSを光吸収層に用いた薄膜太陽電池モジュールの構造および製造方法について、報告がなされている(例えば、非特許文献1参照)。このようなCIS系薄膜太陽電池においては、基板上に複数のユニットセルを直列接続した集積型構造が一般的である。
【0003】
CIS系の薄膜太陽電池モジュールを製造するための従来の方法の一例について、図5を参照しながら説明する。まず、図5(a)に示すように、ガラスなどの絶縁性基板1上に第1の電極層2をスパッタリング法によって形成した後、連続発振のレーザビームを照射することによって、第1の電極層2をストライプ状に除去して短冊状の第1の電極層2を形成する。その後、図5(b)に示すように、p形Cu(In,Ga)Se薄膜とn形CdS薄膜との積層膜からなる半導体膜3を形成する。その後、図5(c)に示すように、メカニカルスクライブ法によって半導体膜3を短冊状に分割する。その後、図5(d)に示すように、第2の電極膜4として透明導電膜を形成する。最後に、図5(e)に示すように、メカニカルスクライブ法によって、第2の電極膜4を短冊状に分割する。図5(e)の薄膜太陽電池モジュールでは、各ユニットセル5の第2の電極膜4が、隣接するユニットセル5の第1の電極層2と接続されることによって、各ユニットセル5が直列接続している。
【0004】
このような集積型の薄膜太陽電池においては、ステンレス基板などの可撓性基板を用いることによって汎用性が高くなる。また、可撓性基板を用いた場合には、ロールに巻かれた基板を引き出してその上に太陽電池を連続的に形成することができるため、製造上有利である。
【0005】
【非特許文献1】
第13回 ユーロピアン フォトヴォルテック ソーラー カンファレンス(13TH EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR CONFERENCE)1995 P.1451−1455
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
金属製フレキシブル基板などの導電性基板を用いて集積型太陽電池を製造するためには、基板の表面に絶縁性を付与することが必要である。この場合には、金属製基板上に絶縁膜を形成し、その上にユニットセルを形成する。しかし、絶縁膜の絶縁性がピンホールなどによって不十分な場合には、第1の電極膜と金属基板とが導通し、ユニットセル同士が短絡してしまう。
【0007】
また、金属製基板上に形成された絶縁膜と第1の電極膜との密着性が不十分な場合には、半導体膜を形成する際の高温に耐えきれず、熱応力によって第1の電極膜が剥離することがある。
【0008】
上記従来の技術が有する問題を解決すべく、本発明は、新規な構造の薄膜太陽電池モジュールを提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の薄膜太陽電池モジュールは、直列接続された複数のユニットセルを備える薄膜太陽電池モジュールであって、前記ユニットセルは、導電性基板と、前記導電性基板上に前記導電性基板側から順に配置された第1の電極層と半導体層と第2の電極層とを含み、前記導電性基板の端部の少なくとも一部が前記第2の電極層側に折り曲げられており、隣接する2つの前記ユニットセルは、一方の前記ユニットセルの前記端部と他方の前記ユニットセルの前記第2の電極層とが接触することによって、直列接続されていることを特徴とする。
【0010】
上記薄膜太陽電池モジュールでは、前記端部と前記第2の電極層とが、導電性物質を介して接触していてもよい。
【0011】
上記薄膜太陽電池モジュールでは、前記導電性基板がステンレス基板であってもよい。
【0012】
上記薄膜太陽電池モジュールでは、前記半導体層が、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含む化合物半導体層を含んでいてもよい。
【0013】
上記薄膜太陽電池モジュールでは、前記第1の電極層がモリブデンを含む金属からなるものでもよい。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、同一の部分については同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。
【0015】
本発明の薄膜太陽電池モジュールの一例の断面図を図1に示す。図1の太陽電池モジュール100は、直列接続された複数のユニットセル10を備える。
【0016】
各ユニットセルは、導電性基板11と、導電性基板11上に基板側から順に積層された第1の電極層12、半導体層13および第2の電極層14とを備える。なお、太陽電池として機能する限り、各層の間に他の層を含んでもよい。また、第2の電極層14上に集電用の電極を形成してもよい。
【0017】
導電性基板11の端部11aの少なくとも一部は、第2の電極層14側に折り曲げられている。そして、折り曲げられた端部11aの裏面側は、隣接するユニットセル10の第2の電極層14と直接接触している。このように、隣接する2つのユニットセル10は、一方のユニットセル10の端部11aと、他方のユニットセル10の第2の電極層14とが電気的に接続されることによって、直列接続される。このようにして、一列に配置された複数のユニットセル10が直列接続される。なお、端部11aと第2の電極層14とは、金属ペーストや導電性接着剤などの導電性物質を介して接続されてもよい。この構成により、直列抵抗を低減することができる。端部11aが折り曲げられる角度αは、通常、1°〜90°の範囲(好ましくは1°〜60°の範囲)である。
【0018】
なお、図1に示すように、一列に配置されたユニットセル10のうち一方(図1では右側)の端に配置されたユニットセル10の導電性基板11の端部は折り曲げなくともよい。また、電極層および半導体層は、導電性基板11上の全面に形成してもよい。
【0019】
図2(a)および(b)に、本発明の太陽電池モジュールの他の例の断面図を示す。図2(a)の太陽電池モジュールでは、端部11aの最も端の部分が基板の裏面側に向かって再度折り曲げられている。その結果、端部11aの最も端の部分が第2の電極層14の表面とほぼ平行になり、端部11aと第2の電極層14との接触面積を大きくできる。図2(b)の太陽電池モジュールは、図2(a)の太陽電池モジュールにおいて、端部11aが折り曲げられる角度αを約90°にしたものである。この場合も、端部11aと第2の電極層14との接触面積を大きくできる。
【0020】
以下に、本発明の太陽電池モジュールの製造方法について説明する。まず、導電性基板11上に、第1の電極層12を形成する。第1の電極層12は、Mo膜などの金属膜であり、スパッタリング法によって形成できる。第1の電極層12の厚さは、たとえば0.3μm〜2.0μmの範囲である。導電性基板11には、ステンレス基板などの金属基板を用いることができる。ロール・トゥ・ロール法を用いて太陽電池を製造する場合、導電性基板11は、ロールに巻き取れる程度の可撓性を有することが必要である。導電性基板11が可撓性を有するステンレス基板である場合、導電性基板11の厚さは、たとえば20μm〜200μmの範囲である。
【0021】
次に、第1の電極層12上にpn接合を含む半導体層13を形成する。半導体層13は、p形の半導体層とn形の半導体層とを含む。p形の半導体としては、たとえば、カルコパイライト構造半導体を用いることができ、具体的には、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含む半導体を用いることができる。より具体的には、CuInSe(CIS)、またはこれにGaを固溶したCu(In,Ga)Se(CIGS)、あるいはこれらのSeの一部を硫黄で置き換えた半導体を用いることができる。これらは、蒸着法またはスパッタリング法によって形成できる。また、n形の半導体としては、たとえば、CdS、ZnO、Zn(O,OH)、Zn(O,OH,S)、または、ZnMgO等の少なくともII族元素とVIb族元素とを含む化合物を用いることができる。これらは、化学浴析出法またはスパッタリング法で形成できる。上記のp形半導体およびn形半導体は、この順序で基板側から積層される。上記p形半導体層は光吸収層として機能し、上記n形半導体層は窓層として機能する。
【0022】
次に、半導体層13上に第2の電極層14を形成する。第2の電極層14には、ZnO膜、ZnO:Al膜、ITO膜などの透明導電膜を用いることができ、スパッタリング法やCVD法などによって形成できる。
【0023】
これら一連の工程は、ロール・トゥ・ロール方式で連続的に行うことができる。ロール・トゥ・ロール方式では、ロールに巻かれた基板を送り出して、各層を連続的に形成できる。この方式を用いることによって、生産性および均一性よく太陽電池を製造できる。
【0024】
次に、薄膜太陽電池が形成された導電性基板11を一定の幅で切断し、単位セル化する。そして、単位セル化した太陽電池の導電性基板11の端部11aを、図1または図2のように折り曲げる。折り曲げる角度は、1°〜90°までである。次に、折り曲げた端部11aの裏面側を、隣接する単位セルの第2の電極層14に接触させ、隣接する単位セル同士を直列接続する。このときに、端部11aの裏面側と、第2の電極層14とを、導電性ペーストや導電性接着剤などを介して接触させてもよい。このようにして、本発明の太陽電池を容易に製造できる。
【0025】
図3に、本発明の太陽電池モジュールのその他の例の斜視図を示す。図3の太陽電池モジュールでは、端部11aの裏面と第2の電極層14とが、導電性ペースト31を介して接続されている。また、第2の電極層14上には、集電効率を上げるためのグリッド電極32が形成されている。グリッド電極32は、たとえば銀やアルミを用いて、蒸着法やスクリーン印刷法によって形成できる。
【0026】
本発明の太陽電池モジュールのその他の例について、図4(a)に断面図を示す。また、図4(a)のモジュールで用いたユニットセルの斜視図を図4(b)に示す。図4(a)の太陽電池モジュールでは、導電性基板11の端部11aの一部のみが折り曲げられている。図4(a)の例では、端部11aのうち、中央部が折り曲げられておらず、それ以外の部分が折り曲げられている。端部11aのうち折り曲げられた部分の裏面は、隣接するユニットセル10の第2の電極層14に接続される。また、端部11aのうち折り曲げられていない部分は、絶縁物41を挟むように、隣接するユニットセル10の導電性基板11の裏面側と対向する。絶縁物41によって、端部11aと隣接するユニットセルの導電性基板11とが短絡することを防止できる。図3および図4の太陽電池も、上述した製造方法で容易に製造できる。
【0027】
導電性基板上に形成した1つの薄膜太陽電池は、それ自体では1V以下の電圧しか発生させることができない。しかし、本発明のように単位セルを直列接続することによって、任意の電圧を発生させることが可能な太陽電池モジュールが得られる。
【0028】
以上、本発明の実施の形態について例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されず本発明の技術的思想に基づき他の実施形態に適用することができる。
【0029】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の薄膜太陽電池モジュールは、汎用性に優れ、製造が容易である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の薄膜太陽電池モジュールの一例を示す断面図である。
【図2】本発明の薄膜太陽電池モジュールの他の例を示す断面図である。
【図3】本発明の薄膜太陽電池モジュールの他の例を示す斜視図である。
【図4】本発明の薄膜太陽電池モジュールの他の例を示す(a)断面図および(b)それに用いたユニットセルの斜視図である。
【図5】従来の集積型薄膜太陽電池の製造方法について一例を示す工程断面図である。
【符号の説明】
100 太陽電池モジュール(薄膜太陽電池モジュール)
10 ユニットセル
11 導電性基板
11a 端部
12 第1の電極層
13 半導体層
14 第2の電極層
31 導電性ペースト
32 グリッド電極
41 絶縁物
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a thin-film solar cell module.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, CuInSe 2 (CIS), which is a compound semiconductor thin film (chalcopyrite structure semiconductor thin film) composed of a Group Ib element, a Group IIIb element, and a Group VIb element, or Cu (In, Ga) Se in which Ga is dissolved in this 2 (CIGS) or a structure and a manufacturing method of a thin film solar cell module using CuInS 2 for a light absorbing layer have been reported (for example, see Non-Patent Document 1). In such a CIS-based thin film solar cell, an integrated structure in which a plurality of unit cells are connected in series on a substrate is generally used.
[0003]
An example of a conventional method for manufacturing a CIS-based thin-film solar cell module will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 5A, after a first electrode layer 2 is formed on an insulating substrate 1 such as glass by a sputtering method, the first electrode layer 2 is irradiated with a continuous wave laser beam. The layer 2 is removed in a stripe shape to form a strip-shaped first electrode layer 2. Thereafter, as shown in FIG. 5B, a semiconductor film 3 composed of a laminated film of a p-type Cu (In, Ga) Se 2 thin film and an n-type CdS thin film is formed. Thereafter, as shown in FIG. 5C, the semiconductor film 3 is divided into strips by a mechanical scribe method. After that, as shown in FIG. 5D, a transparent conductive film is formed as the second electrode film 4. Finally, as shown in FIG. 5E, the second electrode film 4 is divided into strips by a mechanical scribe method. In the thin-film solar cell module of FIG. 5E, each unit cell 5 is connected in series by connecting the second electrode film 4 of each unit cell 5 to the first electrode layer 2 of the adjacent unit cell 5. Connected.
[0004]
In such an integrated thin-film solar cell, versatility is enhanced by using a flexible substrate such as a stainless steel substrate. Further, when a flexible substrate is used, the substrate wound around a roll can be pulled out and a solar cell can be continuously formed thereon, which is advantageous in manufacturing.
[0005]
[Non-patent document 1]
The 13th European Photovoltaic Solar Conference (13TH EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR CONFERENCE) 1995 p. 1451-1455
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
In order to manufacture an integrated solar cell using a conductive substrate such as a metal flexible substrate, it is necessary to impart insulation to the surface of the substrate. In this case, an insulating film is formed on a metal substrate, and a unit cell is formed thereon. However, if the insulating property of the insulating film is insufficient due to pinholes or the like, the first electrode film and the metal substrate conduct, and the unit cells are short-circuited.
[0007]
When the adhesion between the insulating film formed on the metal substrate and the first electrode film is insufficient, the first electrode film cannot withstand the high temperature at the time of forming the semiconductor film, and the first electrode film is thermally stressed. The film may peel off.
[0008]
An object of the present invention is to provide a thin-film solar cell module having a novel structure in order to solve the problems of the above-described conventional technology.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a thin-film solar cell module of the present invention is a thin-film solar cell module including a plurality of unit cells connected in series, wherein the unit cells are formed of a conductive substrate and a conductive substrate. A first electrode layer, a semiconductor layer, and a second electrode layer arranged in this order from the conductive substrate side, and at least a part of an end of the conductive substrate is bent toward the second electrode layer side And the two adjacent unit cells are connected in series by contact between the end of one unit cell and the second electrode layer of the other unit cell. And
[0010]
In the thin film solar cell module, the end and the second electrode layer may be in contact with each other via a conductive material.
[0011]
In the thin-film solar cell module, the conductive substrate may be a stainless steel substrate.
[0012]
In the thin-film solar cell module, the semiconductor layer may include a compound semiconductor layer containing a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element.
[0013]
In the thin-film solar cell module, the first electrode layer may be made of a metal containing molybdenum.
[0014]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the same portions are denoted by the same reference numerals, and duplicate description may be omitted.
[0015]
FIG. 1 shows a cross-sectional view of an example of the thin-film solar cell module of the present invention. The solar cell module 100 of FIG. 1 includes a plurality of unit cells 10 connected in series.
[0016]
Each unit cell includes a conductive substrate 11, a first electrode layer 12, a semiconductor layer 13, and a second electrode layer 14 that are sequentially stacked on the conductive substrate 11 from the substrate side. Note that another layer may be included between the layers as long as the layer functions as a solar cell. Further, an electrode for current collection may be formed on the second electrode layer 14.
[0017]
At least a part of the end 11 a of the conductive substrate 11 is bent toward the second electrode layer 14. The back surface of the bent end 11a is in direct contact with the second electrode layer 14 of the adjacent unit cell 10. In this way, two adjacent unit cells 10 are connected in series by electrically connecting the end 11a of one unit cell 10 and the second electrode layer 14 of the other unit cell 10. You. In this way, the plurality of unit cells 10 arranged in a line are connected in series. The end 11a and the second electrode layer 14 may be connected via a conductive material such as a metal paste or a conductive adhesive. With this configuration, the series resistance can be reduced. The angle α at which the end 11a is bent is generally in the range of 1 ° to 90 ° (preferably in the range of 1 ° to 60 °).
[0018]
As shown in FIG. 1, the end of the conductive substrate 11 of the unit cell 10 arranged at one (right side in FIG. 1) end of the unit cells 10 arranged in a row may not be bent. Further, the electrode layer and the semiconductor layer may be formed on the entire surface of the conductive substrate 11.
[0019]
FIGS. 2A and 2B are cross-sectional views of another example of the solar cell module of the present invention. In the solar cell module of FIG. 2A, the end portion of the end portion 11a is bent again toward the back surface side of the substrate. As a result, the end of the end 11a is substantially parallel to the surface of the second electrode layer 14, and the contact area between the end 11a and the second electrode layer 14 can be increased. The solar cell module of FIG. 2B has a configuration in which the angle α at which the end 11a is bent is set to about 90 ° in the solar cell module of FIG. 2A. Also in this case, the contact area between the end 11a and the second electrode layer 14 can be increased.
[0020]
Hereinafter, a method for manufacturing the solar cell module of the present invention will be described. First, a first electrode layer 12 is formed on a conductive substrate 11. The first electrode layer 12 is a metal film such as a Mo film, and can be formed by a sputtering method. The thickness of first electrode layer 12 is, for example, in the range of 0.3 μm to 2.0 μm. As the conductive substrate 11, a metal substrate such as a stainless steel substrate can be used. When a solar cell is manufactured using the roll-to-roll method, the conductive substrate 11 needs to have flexibility enough to be wound around a roll. When the conductive substrate 11 is a flexible stainless steel substrate, the thickness of the conductive substrate 11 is, for example, in a range of 20 μm to 200 μm.
[0021]
Next, a semiconductor layer 13 including a pn junction is formed on the first electrode layer 12. The semiconductor layer 13 includes a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer. As the p-type semiconductor, for example, a chalcopyrite structure semiconductor can be used, and specifically, a semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element can be used. More specifically, CuInSe 2 (CIS), Cu (In, Ga) Se 2 (CIGS) in which Ga is dissolved in Ga, or a semiconductor in which part of Se is replaced by sulfur can be used. . These can be formed by a vapor deposition method or a sputtering method. As the n-type semiconductor, for example, a compound containing at least a group II element and a group VIb element such as CdS, ZnO, Zn (O, OH), Zn (O, OH, S), or ZnMgO is used. be able to. These can be formed by a chemical bath deposition method or a sputtering method. The p-type semiconductor and the n-type semiconductor are stacked in this order from the substrate side. The p-type semiconductor layer functions as a light absorption layer, and the n-type semiconductor layer functions as a window layer.
[0022]
Next, a second electrode layer 14 is formed on the semiconductor layer 13. As the second electrode layer 14, a transparent conductive film such as a ZnO film, a ZnO: Al film, or an ITO film can be used, and can be formed by a sputtering method, a CVD method, or the like.
[0023]
These series of steps can be continuously performed by a roll-to-roll method. In the roll-to-roll method, each layer can be continuously formed by feeding a substrate wound on a roll. By using this method, a solar cell can be manufactured with high productivity and uniformity.
[0024]
Next, the conductive substrate 11 on which the thin-film solar cell is formed is cut into a fixed width to form a unit cell. Then, the end 11a of the conductive substrate 11 of the solar cell formed into a unit cell is bent as shown in FIG. 1 or FIG. The folding angle is from 1 ° to 90 °. Next, the back surface side of the bent end 11a is brought into contact with the second electrode layer 14 of the adjacent unit cell, and the adjacent unit cells are connected in series. At this time, the back side of the end 11a may be brought into contact with the second electrode layer 14 via a conductive paste or a conductive adhesive. Thus, the solar cell of the present invention can be easily manufactured.
[0025]
FIG. 3 shows a perspective view of another example of the solar cell module of the present invention. In the solar cell module of FIG. 3, the back surface of the end 11 a and the second electrode layer 14 are connected via the conductive paste 31. A grid electrode 32 is formed on the second electrode layer 14 to increase current collection efficiency. The grid electrode 32 can be formed by vapor deposition or screen printing using, for example, silver or aluminum.
[0026]
FIG. 4A shows a cross-sectional view of another example of the solar cell module of the present invention. FIG. 4B is a perspective view of a unit cell used in the module of FIG. In the solar cell module of FIG. 4A, only a part of the end 11a of the conductive substrate 11 is bent. In the example of FIG. 4A, the center portion of the end portion 11a is not bent, and the other portions are bent. The back surface of the bent portion of the end 11a is connected to the second electrode layer 14 of the adjacent unit cell 10. The unbent portion of the end 11a faces the back surface of the conductive substrate 11 of the adjacent unit cell 10 with the insulator 41 interposed therebetween. The insulator 41 can prevent a short circuit between the end 11a and the conductive substrate 11 of the adjacent unit cell. 3 and 4 can also be easily manufactured by the above-described manufacturing method.
[0027]
One thin-film solar cell formed on a conductive substrate can generate only a voltage of 1 V or less by itself. However, by connecting the unit cells in series as in the present invention, a solar cell module capable of generating an arbitrary voltage can be obtained.
[0028]
As described above, the embodiments of the present invention have been described by way of examples. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and can be applied to other embodiments based on the technical idea of the present invention.
[0029]
【The invention's effect】
As described above, the thin-film solar cell module of the present invention has excellent versatility and is easy to manufacture.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a sectional view showing an example of a thin-film solar cell module according to the present invention.
FIG. 2 is a sectional view showing another example of the thin-film solar cell module of the present invention.
FIG. 3 is a perspective view showing another example of the thin-film solar cell module of the present invention.
4A is a cross-sectional view showing another example of the thin-film solar cell module of the present invention, and FIG. 4B is a perspective view of a unit cell used therein.
FIG. 5 is a process cross-sectional view showing one example of a conventional method for manufacturing an integrated thin-film solar cell.
[Explanation of symbols]
100 solar cell module (thin film solar cell module)
Reference Signs List 10 unit cell 11 conductive substrate 11a end 12 first electrode layer 13 semiconductor layer 14 second electrode layer 31 conductive paste 32 grid electrode 41 insulator

Claims (5)

直列接続された複数のユニットセルを備える薄膜太陽電池モジュールであって、
前記ユニットセルは、導電性基板と、前記導電性基板上に前記導電性基板側から順に配置された第1の電極層と半導体層と第2の電極層とを含み、
前記導電性基板の端部の少なくとも一部が前記第2の電極層側に折り曲げられており、
隣接する2つの前記ユニットセルは、一方の前記ユニットセルの前記端部と他方の前記ユニットセルの前記第2の電極層とが接触することによって、直列接続されていることを特徴とする薄膜太陽電池モジュール。
A thin-film solar cell module including a plurality of unit cells connected in series,
The unit cell includes a conductive substrate, a first electrode layer, a semiconductor layer, and a second electrode layer which are sequentially arranged on the conductive substrate from the conductive substrate side,
At least a part of an end of the conductive substrate is bent toward the second electrode layer,
The two adjacent unit cells are connected in series by contact between the end of one unit cell and the second electrode layer of the other unit cell. Battery module.
前記端部と前記第2の電極層とが、導電性物質を介して接触している請求項1に記載の薄膜太陽電池モジュール。The thin-film solar cell module according to claim 1, wherein the end portion and the second electrode layer are in contact with each other via a conductive material. 前記導電性基板がステンレス基板である請求項1または2に記載の薄膜太陽電池モジュール。3. The thin-film solar cell module according to claim 1, wherein the conductive substrate is a stainless steel substrate. 前記半導体層が、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含む化合物半導体層を含んでいる請求項1または2に記載の薄膜太陽電池モジュール。3. The thin-film solar cell module according to claim 1, wherein the semiconductor layer includes a compound semiconductor layer including a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element. 4. 前記第1の電極層がモリブデンを含む金属からなる請求項1または2に記載の薄膜太陽電池モジュール。3. The thin-film solar cell module according to claim 1, wherein the first electrode layer is made of a metal containing molybdenum.
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