JP2004341159A

JP2004341159A - Mask for exposure, optical proximity effect correction apparatus, optical proximity effect correction method, method for manufacturing semiconductor device, and optical proximity effect correction program

Info

Publication number: JP2004341159A
Application number: JP2003136913A
Authority: JP
Inventors: Hisashi Akiyama; 久志秋山
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-05-15
Filing date: 2003-05-15
Publication date: 2004-12-02

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance efficiency of an optical proximity effect correction while suppressing deterioration in the accuracy of the optical proximity effect correction. <P>SOLUTION: An inspection region R1 is determined with respect to a mask pattern MP1. When the pattern density of the inspection region R1 is less than a specified value, an objective pattern P1 in the inspection region R1 is subjected to optical proximity effect correction in a specified correction amount. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光用マスク、光近接効果補正（ＯＰＣ：ＯｐｔｉｃａｌＰｒｏｘｉｍｉｔｙＣｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラムに関し、特に、パターンの粗密を考慮した光近接効果の補正方法に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の光近接効果補正方法では、デザインルールが最も激しい箇所で光近接効果補正の合わせ込みを行い、ラインエンドに特化したパターンで縮退量を測定する。そして、その縮退量からデフォーカス時のマージンを差し引いた値を光近接効果補正の補正量とする方法がある。
【０００３】
また、例えば、特許文献１に開示されているように、区分された分割辺の中点を中心とした判断距離を半径とする円を描き、この円内にフォトマスクパターンの占める各分割辺の面積率に基づいて、各分割辺の光近接効果補正が必要か否かの判断を行うことにより、補正精度を維持しつつ、計算時間を短縮する方法がある。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１０−１０４８１８号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ラインエンドは、周辺パターンの有無により縮退量が大きく変動する。このため、ラインエンドに特化したパターンで縮退量を測定する方法では、パターンの粗密によって補正精度が大きな影響を受けるという問題があった。
【０００６】
また、特許文献１に開示された方法では、円で囲まれたパターンの密な部分のみが補正対象となり、それ以外の部分は補正されないため、周辺パターンがない領域の補正精度が劣化するととともに、補正対象となる領域については計算時間を短縮することができないという問題があった。
さらに、従来の光近接効果補正方法では、マスクパターンのコーナーにセリフを付加すると、細かい段差が発生し、マスク検査を通過できなくなるという問題もあった。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、光近接効果補正の効率化を図ることが可能な露光用マスク、光近接効果補正装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラムを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る露光用マスクによれば、パターン密度が規定値以下の領域について一定の補正量で光近接効果の補正がされていることを特徴とする。
これにより、パターン密度が規定値以下の領域については、周辺パターンの影響を考慮することなく、光近接効果の補正を行うことが可能となる。このため、一定の補正量で光近接効果の補正を行った場合においても、光近接効果の補正精度を維持することが可能となり、光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、光近接効果補正の効率化を図ることが可能となる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る露光用マスクによれば、前記領域よりも拡大された領域についてパターン密度が制限値以下の場合、前記光近接効果の補正がされたパターンの幅を細らせる補正がさらに行われていることを特徴とする。
これにより、マスクパターンの単純な補正することで、マイクロローディング効果によるエッチングパターンの変動を補正することが可能となり、マスクパターン作成時のルールの複雑化を抑制しつつ、微細なエッチングパターンを精度よく形成することが可能となる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る露光用マスクによれば、バイアスが付加されたライン＆スペース領域と、ハンマーヘッドが付加されたラインエンド領域と、ポジセリフが付加されたアウトコーナー領域と、ネガセリフが付加されたインコーナー領域とを備え、デザインルールまたはオプティカルルールに反する領域について前記ネガセリフが優先して除去されていることを特徴とする。
【００１１】
これにより、光近接効果補正パターンがマスクパターンに付加されたために、デザインルールまたはオプティカルルールに反するようになった場合においても、優先度の低い光近接効果補正パターンから除去することが可能となり、光近接効果による悪影響を抑止しつつ、微細パターンを形成することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、処理対象パターンデータを入力するデータ入力手段と、前記入力データに基づいて、検査領域のパターン密度を検査する第１パターン密度検査手段と、前記パターン密度が規定値以下の検査領域について一定の補正量で光近接効果の補正を行う第１光近接効果補正手段とを備えることを特徴とする。
【００１２】
これにより、周辺パターンの影響を考慮することなく光近接効果の補正を行った場合においても、光近接効果の補正精度を維持することが可能となり、光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、光近接効果補正の効率化を図ることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、前記パターン密度が前記規定値を越える領域について、補正量を変更して光近接効果の補正を行う第２光近接効果補正手段をさらに備えることを特徴とする。
【００１３】
これにより、周辺パターンの影響を受ける領域に限定して、補正量を変更しながら光近接効果の補正を行うことが可能となり、光近接効果補正の精度を維持することを可能としつつ、光近接効果補正の効率化を図ることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、前記検査領域よりも拡大された拡大領域についてパターン密度を検査する第２パターン密度検査手段と、前記拡大領域のパターン密度が制限値以下の場合、前記第１光近接効果補正手段により補正がされたパターンの幅を細らせる細線化手段をさらに備えることを特徴とする。
【００１４】
これにより、マスクパターン作成時のルールの複雑化を抑制しつつ、マイクロローディング効果によるエッチングパターンの変動を補正することが可能となり、マスクパターン補正時の計算時間の増大を抑制しつつ、微細なエッチングパターンを精度よく形成することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、処理対象パターンデータを入力するデータ入力手段と、前記入力データに基づいて、前記処理対象パターンのライン＆スペース領域にバイアスを付加するバイアス付加手段と、前記バイアスが付加された前記処理対象パターンのラインエンド領域にハンマーヘッドを付加するハンマーヘッド付加手段と、前記ハンマーヘッドが付加された前記処理対象パターンのアウトコーナー領域にポジセリフを付加するポジセリフ付加手段と、前記ポジセリフが付加された前記処理対象パターンのインコーナー領域にネガセリフを付加するネガセリフ付加手段とを備えることを特徴とする。
【００１５】
これにより、周辺パターンの影響を受け易いバイアスを優先して付加することが可能となり、周辺パターンによる影響を抑制して、バイアスを精度よく付加することが可能となる。
また、セリフを付加する前にハンマーヘッドを付加することで、細かい段差の発生量を抑制することが可能となり、必要な領域に光近接効果補正パターンを付加することを可能としつつ、マスク検査を通過させることが可能となる。
【００１６】
さらに、ネガセリフを付加する前にポジセリフを付加することで、ポジセリフを優先して付加することが可能となり、コーナー領域が細ることを防止することが可能となる。このため、パターンが微細化された場合においても、コーナー領域でパターンが切断されることを防止することが可能となり、光近接効果による悪影響を抑制することが可能となる。
【００１７】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正装置によれば、前記ネガセリフが付加された処理対象パターンのデザインルールチェックまたはオプティカルルールチェックを行う検査手段と、前記デザインルールまたは前記オプティカルルールに反する領域について前記ネガセリフを除去するネガセリフ除去手段をさらに備えることを特徴とする。
【００１８】
これにより、デザインルールまたはオプティカルルールに反する場合においても、ネガセリフを優先して除去することが可能となり、光近接効果による悪影響を抑止しつつ、微細パターンを形成することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正方法によれば、処理対象パターンデータを入力するステップと、前記入力データに基づいて、検査領域のパターン密度を検査するステップと、前記パターン密度が規定値以下の検査領域について一定の補正量で光近接効果の補正を行うステップとを備えることを特徴とする。
【００１９】
これにより、光近接効果の補正精度を維持することを可能としつつ、一定の補正量で光近接効果の補正を行うことが可能となる。このため、光近接効果の補正精度を維持するために、周辺パターンの影響を考慮する必要がなくなり、光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、光近接効果補正の効率化を図ることが可能となる。
【００２０】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正方法によれば、前記光近接効果の補正を行うステップは、前記処理対象パターンのライン＆スペース領域にバイアスを付加するステップと、前記バイアスが付加された前記処理対象パターンのラインエンド領域にハンマーヘッドを付加するステップと、前記ハンマーヘッドが付加された前記処理対象パターンのアウトコーナー領域にポジセリフを付加するステップと、前記ポジセリフが付加された前記処理対象パターンのインコーナー領域にネガセリフを付加するステップとを備えることを特徴とする。
【００２１】
これにより、周辺パターンの影響を抑制することを可能としつつ、バイアスを精度よく付加することが可能となるとともに、細かい段差の発生量を抑制することを可能としつつ、必要な領域にセリフを付加することが可能となる。このため、マスク検査を通過させることが可能としつつ、光近接効果補正を精度よく行うことが可能となり、微細パターンを精度よく形成することが可能となる。
【００２２】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正方法によれば、前記検査領域よりも拡大された拡大領域についてパターン密度を検査するステップと、前記拡大領域のパターン密度が制限値以下の場合、前記光近接効果補正の補正がされたパターンの幅を細らせるステップとをさらに備えることを特徴とする。
これにより、マスクパターンの単純な補正を行うことで、マイクロローディング効果によるエッチングパターンの変動を補正することが可能となり、エッチング時にマイクロローディング効果が発生する場合においても、微細なエッチングパターンを精度よく形成することが可能となる。
【００２３】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体ウェハ上にフォトレジストを塗布する工程と、パターン密度が規定値以下の領域について一定の補正量で光近接効果の補正がされた露光用マスクを介して前記フォトレジストを露光する工程と、前記露光されたフォトレジストを現像する工程と、前記現像されたフォトレジストをマスクとして前記半導体ウェハのイオン注入処理またはエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
【００２４】
これにより、パターン密度が規定値以下の領域について一定の補正量で光近接効果の補正がされた露光マスクを用いて、フォトリソグラフィーを行うことが可能となり、光近接効果補正時の計算時間の短縮を可能としつつ、微細なエッチングパターンを精度よく形成することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、前記領域よりも拡大された領域についてパターン密度が制限値以下の場合、前記光近接効果の補正がされたパターンの幅を細らせる補正がさらに行われていることを特徴とする。
【００２５】
これにより、パターンの幅を細らせる補正が行われた露光マスクを用いて、フォトリソグラフィーを行うことが可能となり、エッチング時にマイクロローディング効果が発生する場合においても、光近接効果補正時の計算時間の短縮を可能としつつ、微細なエッチングパターンを精度よく形成することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、エッチング対象領域上にフォトレジストを塗布する工程と、光近接効果補正パターンが付加され、デザインルールまたはオプティカルルールに反する領域についてネガセリフが除去された露光用マスクを介して前記フォトレジストを露光する工程と、前記露光されたフォトレジストを現像する工程と、前記現像されたフォトレジストをマスクとして前記エッチング対象領域のエッチング処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
【００２６】
これにより、デザインルールまたはオプティカルルールに反する領域についてネガセリフが除去された露光マスクを用いて、フォトリソグラフィーを行うことが可能となり、光近接効果による悪影響を抑止しつつ、微細なエッチングパターンを形成することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正プログラムによれば、処理対象パターンデータを取得するステップと、前記取得データに基づいて、検査領域のパターン密度を検査するステップと、前記パターン密度が規定値以下の検査領域について一定の補正量で光近接効果の補正を行うステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする。
【００２７】
これにより、光近接効果補正プログラムをコンピュータに実行させることで、光近接効果の補正精度を維持することを可能としつつ、一定の補正量で光近接効果の補正を行うことが可能となり、光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、光近接効果補正時の計算時間を短縮することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正プログラムによれば、前記光近接効果の補正を行うステップは、前記処理対象パターンのライン＆スペース領域にバイアスを付加するステップと、前記バイアスが付加された前記処理対象パターンのラインエンド領域にハンマーヘッドを付加するステップと、前記ハンマーヘッドが付加された前記処理対象パターンのアウトコーナー領域にポジセリフを付加するステップと、前記ポジセリフが付加された前記処理対象パターンのインコーナー領域にネガセリフを付加するステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする。
【００２８】
これにより、光近接効果補正プログラムをコンピュータに実行させることで、周辺パターンの影響を抑制することを可能としつつ、バイアスを精度よく付加することが可能となるとともに、細かい段差の発生量を抑制することを可能としつつ、必要な領域にセリフを付加することが可能となり、微細パターンを精度よく形成することが可能となる。
【００２９】
また、本発明の一態様に係る光近接効果補正プログラムによれば、前記検査領域よりも拡大された拡大領域についてパターン密度を検査するステップと、前記拡大領域のパターン密度が制限値以下の場合、前記光近接効果補正の補正がされたパターンの幅を細らせるステップとをさらに備えることを特徴とする。
これにより、光近接効果補正プログラムをコンピュータに実行させることで、マイクロローディング効果によるパターンの変動を補正することが可能となり、光近接効果補正時の計算時間の短縮を可能としつつ、微細なエッチングパターンを精度よく形成することが可能となる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る光近接効果補正方法について図面を参照しながら説明する。
図１〜図３は、本発明の一実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図である。なお、図１（ａ）は、マスクパターンＭＰ１が形成された露光マスクＭ１の一例を示す平面図、図１（ｂ）は、マスクパターンＭＰ１から抽出された処理対象パターンＭＰ１の一例を示す平面図、図２は、光近接効果補正パターンの付加順所を示す平面図、図３（ａ）は、光近接効果補正パターンが付加されたマスクパターンＭＰ２が形成された露光マスクＭ２の一例を示す平面図、図３（ｂ）は、マスクパターンＭＰ２から抽出された処理対象パターンＭＰ５の補正方法を示す平面図である。
【００３１】
図１において、露光マスクＭ１にはマスクパターンＭＰ１が形成されている。ここで、マスクパターンＭＰ１の光近接効果補正を行う場合、マスクパターンＭＰ１に対して検査領域Ｒ１を設定する。そして、検査領域Ｒ１が設定されると、ＤＲＣ（ルールベース）にて、検査領域Ｒ１内のパターン密度を検査する。そして、検査領域Ｒ１内のパターン密度が規定値以下の場合、検査領域Ｒ１内の処理対象パターンＰ１について一定の補正量で光近接効果の補正を行う。なお、検査領域Ｒ１内のパターン密度は、（検査領域Ｒ１内のパターン面積）／（検査領域Ｒ１の面積）で定義することができる。ここで、検査領域Ｒ１の面積は、露光プロセスが影響を及ぼす範囲に設定することができる。そして、例えば、検査領域Ｒ１内のパターン密度が０．２５以下の場合、検査領域Ｒ１内の処理対象パターンＰ１について一定の補正量で光近接効果の補正を行うことができる。
【００３２】
ここで、パターン密度が規定値以下の検査領域Ｒ１内の処理対象パターンＰ１を対象として光近接効果の補正を行うことにより、光近接効果の補正精度を維持することを可能としつつ、一定の補正量で光近接効果の補正を行うことが可能となる。このため、光近接効果の補正精度を維持するために、周辺パターンの影響を考慮する必要がなくなり、光近接効果補正の精度の劣化を抑制しつつ、光近接効果補正の効率化を図ることが可能となる。
【００３３】
そして、処理対象パターンＰ１についての光近接効果の補正を行う場合、シミュレーションベースまたはルールベースにて、光近接効果補正パターンを付加することができる。
ここで、処理対象パターンＰ１は、処理対象パーツから構成することができ、処理対象パーツとしては、例えば、ラインエンド領域、コーナー領域およびライン＆スペース領域を挙げることができる。なお、ラインエンド領域は処理対象パターンＰ１の端部に相当し、コーナー領域は処理対象パターンＰ１のコーナー部（インコーナ領域およびアウトコーナー領域を含む。）に相当し、ライン＆スペース領域はラインエンド領域およびコーナー領域を除いた残りの領域に相当する。また、ライン＆スペース領域には、アイソレーションライン（単独の線状パターン）を含ませることができる。
【００３４】
そして、処理対象パターンＰ１に光近接効果補正パターンを付加する場合、バイアス、ハンマーヘッド、ポジセリフおよびネガセリフをライン＆スペース領域、ラインエンド領域、アウトコーナー領域およびインコーナ領域にそれぞれ付加することができる。
ここで、バイアス、ハンマーヘッド、ポジセリフおよびネガセリフをライン＆スペース領域、ラインエンド領域、アウトコーナー領域およびインコーナ領域にそれぞれ付加する場合、バイアス→ハンマーヘッド→ポジセリフ→ネガセリフの順序で行うことができる。
【００３５】
すなわち、図１（ｂ）の処理対象パターンＰ１が与えられると、図２（ａ）に示すように、処理対象パターンＰ１のライン＆スペース領域にバイアスＢＳ１、ＢＳ２を付加することにより、補正パターンＰ２を生成する。
次に、補正パターンＰ２が生成されると、図２（ｂ）に示すように、補正パターンＰ２のラインエンド領域にハンマーヘッドＨ１、Ｈ２を付加することにより、補正パターンＰ３を生成する。
【００３６】
次に、補正パターンＰ３が生成されると、図２（ｃ）に示すように、補正パターンＰ３のアウトコーナー領域にポジセリフＰＳ１、ＰＳ２を付加することにより、補正パターンＰ４を生成する。
次に、補正パターンＰ４が生成されると、図２（ｄ）に示すように、補正パターンＰ４のインコーナー領域にネガセリフＮＳ１、ＮＳ２を付加することにより、補正パターンＰ５を生成する。
【００３７】
ここで、ハンマーヘッドＨ１、Ｈ２、ポジセリフＰＳ１、ＰＳ２およびネガセリフＮＳ１、ＮＳ２を付加する前にバイアスＢＳ１、ＢＳ２を付加することで、周辺パターンの影響を受け易いバイアスＢＳ１、ＢＳ２を優先して付加することが可能となり、周辺パターンによる影響を抑制して、バイアスＢＳ１、ＢＳ２を精度よく付加することが可能となる。
【００３８】
また、ポジセリフＰＳ１、ＰＳ２およびネガセリフＮＳ１、ＮＳ２を付加する前にハンマーヘッドＨ１、Ｈ２を付加することで、細かい段差の発生量を抑制することが可能となり、必要な領域に光近接効果補正パターンを付加することを可能としつつ、マスク検査を通過させることが可能となる。
さらに、ネガセリフＮＳ１、ＮＳ２を付加する前にポジセリフＰＳ１、ＰＳ２を付加することで、ポジセリフＰＳ１、ＰＳ２を優先して付加することが可能となり、コーナー領域が細ることを防止することが可能となる。このため、パターンが微細化された場合においても、コーナー領域でパターンが切断されることを防止することが可能となり、光近接効果による悪影響を抑制することが可能となる。
【００３９】
そして、マスクパターンＭＰ１全体について以上の処理を行うことにより、図３（ａ）に示すように、光近接効果補正が行われたマスクパターンＭＰ２が形成された露光マスクＭ２を生成することができる。
そして、バイアスＢＳ１、ＢＳ２、ハンマーヘッドＨ１、Ｈ２、ポジセリフＰＳ１、ＰＳ２およびネガセリフＮＳ１、ＮＳ２が付加された補正パターンＰ５が生成されると、デザインルールチェックおよびオプティカルルールチェックを行うことができる。なお、デザインルールチェックでは、補正パターンＰ５を露光マスクＭ２上に形成することができるかどうかを検査することができ、オプティカルルールチェックでは、レジストが解像するかどうかを検査することができる。
【００４０】
そして、補正パターンＰ５がデザインルールまたはオプティカルルールに反する場合、補正パターンＰ５に設けられたネガセリフＮＳ１、ＮＳ２を優先して除去することができる。これにより、補正パターンＰ５がデザインルールまたはオプティカルルールに反する場合においても、バイアスＢＳ１、ＢＳ２、ハンマーヘッドＨ１、Ｈ２およびポジセリフＰＳ１、ＰＳ２を残すことが可能となり、光近接効果による悪影響を抑止しつつ、微細パターンを形成することが可能となる。
【００４１】
次に、光近接効果補正が行われたマスクパターンＭＰ２が生成されると、マスクパターンＭＰ２に対して検査領域Ｒ２を設定する。そして、検査領域Ｒ２が設定されると、検査領域Ｒ２内のパターン密度を検査する。そして、検査領域Ｒ２内のパターン密度が制限値以下の場合、検査領域Ｒ２内の処理対象パターンＰ５について、線幅を一律に細らせる補正を行うことができる。なお、検査領域Ｒ２内のパターン密度は、（検査領域Ｒ２内のパターン面積）／（検査領域Ｒ２の面積）で定義することができる。ここで、検査領域Ｒ２の面積は、エッチングプロセスが影響を及ぼす範囲に設定することができ、検査領域Ｒ１の面積よりも拡大することが好ましい。そして、例えば、検査領域Ｒ２内のパターン密度が０．１以下の場合、図３（ｂ）に示すように、検査領域Ｒ２内の処理対象パターンＰ５について線幅を一律に細らせることにより、補正パターンＰ６を生成することができる。
【００４２】
これにより、マスクパターンＭＰ２の単純な補正することで、マイクロローディング効果によるエッチングパターンの変動を補正することが可能となり、補正ルールの複雑化を抑制しつつ、微細なエッチングパターンを精度よく形成することが可能となる。
なお、シミュレーションベース補正は、露光プロセスに伴う現象をモデル化したシミュレータを用いるもので、シミュレーションベース補正に関しては、例えば、Ｏｐｔｉｃａｌ／ＬａｓｅｒＭｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙＶＩＩＩ，Ｖｏｌ２４４０，ＳＰＩＥＳｙｍｐｏｓｉｕｍｏｎＭｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ１９９５，ｐ２６１−２６９におけるＳａｔｏｍｉＳｈｉｏｉｒｉらによるＦａｓｔｏｐｔｉｃａｌｐｒｏｘｉｍｉｔｙｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：ａｎａｌｙｔｉｃａｌｍｅｔｈｏｄと題する論文に開示されている。
【００４３】
また、ルールベース補正は、予め求めた補正ルールに基づいて光近接効果補正を行う方法もので、ルールベース補正に関しては、例えば、Ｏｐｔｉｃａｌ／ＬａｓｅｒＭｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙＶＩＩ，Ｖｏｌ２１９７，ＳＰＩＥＳｙｍｐｏｓｉｕｍｏｎＭｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ１９９４，ｐ２７８−２９３におけるＯｂｅｒｄａｎＷ．ＯｔｔｏらによるＡｕｔｏｍａｔｅｄｏｐｔｉｃａｌｐｒｏｘｉｍｉｔｙｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ−ａｒｕｌｅ−ｂａｓｅｄａｐｐｒｏａｃｈと題する論文および第３６１ページから第３７０ページにおけるＲｉｃｈａｒｄＣ．Ｈｅｎｄｅｒｓｏｎらによるｃｏｒｒｅｃｔｉｎｇｆｏｒｐｒｏｘｉｍｉｔｙｅｆｆｅｃｔｗｉｄｅｎｓｐｒｏｃｅｓｓｌａｔｉｔｕｄｅと題する論文に開示されている。
【００４４】
図４は、本発明の一実施形態に係る光近接効果補正方法を示すフローチャートである。
図４において、光近接効果補正の対象となる処理対象パターンＭＰ１が入力されると、ＤＲＣ（ルールベース）にて、検査領域Ｒ１内のパターン密度を検査する（ステップ１）。
【００４５】
そして、検査領域Ｒ１内のパターン密度が規定値を超える場合（ステップ２）、検査領域Ｒ１内のパターン密度に応じて補正量を制御しながら、検査領域Ｒ１内の処理対象パターンＰ１の光近接効果の補正を行う（ステップ３）。
一方、検査領域Ｒ１内のパターン密度が規定値以下の場合、検査領域Ｒ１から補正が必要な領域を選択する（ステップ４）。なお、補正が必要な領域としては、例えば、能動領域上のゲート、配線層のラインエンド、ゲートのラインエンドなどを選択することができる。
【００４６】
そして、補正が必要な領域が選択されると、バイアスＢＳ１、ＢＳ２、ハンマーヘッドＨ１、Ｈ２、ポジセリフＰＳ１、ＰＳ２およびネガセリフＮＳ１、ＮＳ２を、処理対象パターンＰ１のライン＆スペース領域、ラインエンド領域、アウトコーナー領域およびインコーナ領域にそれぞれ付加する（ステップ５）。ここで、バイアスＢＳ１、ＢＳ２、ハンマーヘッドＨ１、Ｈ２、ポジセリフＰＳ１、ＰＳ２およびネガセリフＮＳ１、ＮＳ２を、処理対象パターンＰ１のライン＆スペース領域、ラインエンド領域、アウトコーナー領域およびインコーナ領域にそれぞれ付加する場合、バイアスＢＳ１、ＢＳ２→ハンマーヘッドＨ１、Ｈ２→ポジセリフＰＳ１、ＰＳ２→ネガセリフＮＳ１、ＮＳ２の順序で行うことができる。
【００４７】
次に、バイアスＢＳ１、ＢＳ２、ハンマーヘッドＨ１、Ｈ２、ポジセリフＰＳ１、ＰＳ２およびネガセリフＮＳ１、ＮＳ２が付加された補正パターンＰ５が生成されると、デザインルールチェックおよびオプティカルルールチェックを行う（ステップ６）。
そして、補正パターンＰ５がデザインルールまたはオプティカルルールに反する場合、補正パターンＰ５に設けられたネガセリフＮＳ１、ＮＳ２またはポジセリフＰＳ１、ＰＳ２を除去する（ステップ７）。ここで、補正パターンＰ５からネガセリフＮＳ１、ＮＳ２またはポジセリフＰＳ１、ＰＳ２を除去する場合、ネガセリフＮＳ１、ＮＳ２→ポジセリフＰＳ１、ＰＳ２の順序で行うことができる。
【００４８】
次に、補正パターンＰ５がデザインルールチェックおよびオプティカルルールチェックを通過すると、検査領域Ｒ１よりも面積が拡大された検査領域Ｒ２を設定し、検査領域Ｒ２内のパターン密度を検査する（ステップ８）。そして、検査領域Ｒ２内のパターン密度が制限値以下の場合、検査領域Ｒ２内の処理対象パターンＰ５について、線幅を細らせる補正を行う（ステップ９）。
【図面の簡単な説明】
【図１】一実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図。
【図２】一実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図。
【図３】一実施形態に係る光近接効果補正方法を示す図。
【図４】一実施形態に係る光近接効果補正方法を示すフローチャート。
【符号の説明】
Ｍ１、Ｍ２露光マスク、ＭＰ１、ＭＰ２マスクパターン、Ｐ１処理対象パターン、Ｒ１、Ｒ２検査領域、Ｐ２〜Ｐ６補正パターン、ＢＳ１、ＢＳ２バイアス、Ｈ１、Ｈ２ハンマーヘッド、ＰＳ１、ＰＳ２ポジセリフ、ＮＳ１、ＮＳ２ネガセリフ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an exposure mask, an optical proximity correction (OPC: Optical Proximity Correction) device, an optical proximity effect correction method, a semiconductor device manufacturing method, and an optical proximity effect correction program. This is suitable for application to the effect correction method.
[0002]
[Prior art]
In the conventional optical proximity effect correction method, the optical proximity effect correction is adjusted at a location where the design rule is the most intense, and the amount of degeneration is measured using a pattern specialized for the line end. Then, there is a method in which a value obtained by subtracting a defocus margin from the degeneration amount is used as a correction amount of the optical proximity effect correction.
[0003]
Further, for example, as disclosed in Patent Document 1, a circle having a radius equal to the judgment distance centered on the midpoint of the divided side of the divided side is drawn, and within this circle, each divided side occupied by the photomask pattern is drawn. There is a method of reducing the calculation time while maintaining the correction accuracy by determining whether or not the optical proximity effect correction of each divided side is necessary based on the area ratio.
[0004]
[Patent Document 1]
JP-A-10-104818
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, the amount of degeneration at the line end varies greatly depending on the presence or absence of a peripheral pattern. Therefore, the method of measuring the amount of degeneration using a pattern specialized for the line end has a problem that the correction accuracy is greatly affected by the density of the pattern.
[0006]
Further, according to the method disclosed in Patent Document 1, only a dense portion of a pattern surrounded by a circle is to be corrected, and other portions are not corrected, so that the correction accuracy of a region having no peripheral pattern is deteriorated, and There is a problem that the calculation time cannot be shortened for the region to be corrected.
Further, in the conventional optical proximity effect correction method, when serifs are added to the corners of the mask pattern, there is a problem that a fine step is generated and the mask inspection cannot be performed.
[0007]
Therefore, an object of the present invention is to provide an exposure mask, an optical proximity effect correction device, an optical proximity effect correction method, and an exposure mask capable of improving the efficiency of the optical proximity effect correction while suppressing the deterioration of the accuracy of the optical proximity effect correction. An object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing method and an optical proximity effect correction program.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problem, according to the exposure mask of one embodiment of the present invention, the optical proximity effect is corrected with a fixed correction amount in a region where the pattern density is equal to or less than a specified value. I do.
This makes it possible to correct the optical proximity effect in a region where the pattern density is equal to or less than the specified value without considering the influence of the peripheral pattern. For this reason, even when the optical proximity effect is corrected with a fixed correction amount, it is possible to maintain the correction accuracy of the optical proximity effect, and to suppress the deterioration of the accuracy of the optical proximity effect while suppressing the optical proximity effect. It is possible to improve the efficiency of correction.
[0009]
Further, according to the exposure mask of one embodiment of the present invention, when the pattern density is equal to or less than a limit value in an area enlarged than the area, the width of the pattern corrected for the optical proximity effect is reduced. The correction is further performed.
This makes it possible to correct variations in the etching pattern due to the microloading effect by simply correcting the mask pattern, and to suppress the fineness of the fine etching pattern with high accuracy while suppressing the complexity of the rules when creating the mask pattern. It can be formed.
[0010]
According to the exposure mask of one embodiment of the present invention, a line and space region to which a bias is added, a line end region to which a hammer head is added, an out-corner region to which positive serif is added, and a negative serif are formed. And an added in-corner region, wherein the negative line is preferentially removed in a region that violates a design rule or an optical rule.
[0011]
Accordingly, even when the optical proximity correction pattern is added to the mask pattern and thus violates the design rule or the optical rule, it is possible to remove the optical proximity correction pattern from the optical proximity correction pattern having a low priority. It is possible to form a fine pattern while suppressing an adverse effect due to the proximity effect.
Further, according to the optical proximity correction device of one aspect of the present invention, the data input means for inputting the pattern data to be processed, and the first pattern density inspection for inspecting the pattern density of the inspection area based on the input data Means, and first optical proximity effect correction means for correcting the optical proximity effect with a fixed correction amount for the inspection area where the pattern density is equal to or less than a specified value.
[0012]
This makes it possible to maintain the correction accuracy of the optical proximity effect even when the correction of the optical proximity effect is performed without considering the influence of the peripheral pattern, while suppressing the deterioration of the accuracy of the optical proximity effect correction. Thus, it is possible to improve the efficiency of the optical proximity effect correction.
Further, according to the optical proximity effect correction device according to one aspect of the present invention, the second optical proximity effect correction unit that corrects the optical proximity effect by changing the correction amount in an area where the pattern density exceeds the specified value. Is further provided.
[0013]
This makes it possible to correct the optical proximity effect while changing the correction amount only in the area affected by the peripheral pattern, and to maintain the accuracy of the optical proximity effect correction while maintaining the accuracy of the optical proximity effect. It is possible to increase the efficiency of effect correction.
According to the optical proximity correction device of one aspect of the present invention, the second pattern density inspection means for inspecting the pattern density of an enlarged area larger than the inspection area, and the pattern density of the enlarged area is limited. When the value is equal to or less than the value, the image processing apparatus further includes a thinning unit that narrows the width of the pattern corrected by the first optical proximity effect correcting unit.
[0014]
This makes it possible to correct the variation of the etching pattern due to the microloading effect while suppressing the complexity of the rules at the time of creating the mask pattern, and to suppress the increase of the calculation time at the time of correcting the mask pattern, and to perform the fine etching. A pattern can be formed with high accuracy.
Further, according to the optical proximity correction device of one aspect of the present invention, a data input unit for inputting the pattern data to be processed, and a bias is added to the line & space area of the pattern to be processed based on the input data. Bias adding means, a hammer head adding means for adding a hammer head to a line end area of the processing target pattern to which the bias is added, and a positive serif in an out-corner area of the processing target pattern to which the hammer head is added. It is characterized by comprising a positive serif adding means for adding, and a negative serif adding means for adding a negative serif to an in-corner area of the processing target pattern to which the positive serif is added.
[0015]
This makes it possible to preferentially add a bias that is likely to be affected by the peripheral pattern, suppresses the influence of the peripheral pattern, and accurately adds the bias.
Also, by adding a hammer head before adding serifs, it is possible to suppress the amount of occurrence of fine steps, and it is possible to add an optical proximity correction pattern to a required area, and to perform mask inspection. It is possible to pass.
[0016]
Further, by adding a positive serif before adding a negative serif, it becomes possible to preferentially add a positive serif, and it is possible to prevent a corner area from being narrowed. For this reason, even when the pattern is miniaturized, it is possible to prevent the pattern from being cut in the corner region, and it is possible to suppress the adverse effect due to the optical proximity effect.
[0017]
Further, according to the optical proximity correction device of one aspect of the present invention, an inspection unit that performs a design rule check or an optical rule check of the processing target pattern to which the negative serif is added is contrary to the design rule or the optical rule. The image processing apparatus further includes a negative serif removing unit that removes the negative serif from the region.
[0018]
This makes it possible to preferentially remove negative serifs even when the design rule or the optical rule is violated, and to form a fine pattern while suppressing the adverse effect of the optical proximity effect.
According to the optical proximity effect correction method of one aspect of the present invention, a step of inputting pattern data to be processed, a step of inspecting a pattern density of an inspection area based on the input data, Performing a correction of the optical proximity effect with a fixed correction amount for an inspection area equal to or less than a prescribed value.
[0019]
Thus, it is possible to maintain the correction accuracy of the optical proximity effect and to perform the correction of the optical proximity effect with a fixed correction amount. For this reason, in order to maintain the correction accuracy of the optical proximity effect, it is not necessary to consider the influence of the peripheral pattern, and it is possible to improve the efficiency of the optical proximity effect correction while suppressing the deterioration of the accuracy of the optical proximity effect correction. It becomes possible.
[0020]
According to the optical proximity effect correction method of one aspect of the present invention, the step of correcting the optical proximity effect includes the steps of: applying a bias to a line & space region of the processing target pattern; Adding a hammer head to a line end area of the processed pattern to be processed, adding positive serif to an out-corner area of the processing target pattern to which the hammer head is added, and the processing to which the positive serif is added. Adding a negative serif to the in-corner area of the target pattern.
[0021]
As a result, it is possible to accurately add a bias while suppressing the influence of the peripheral pattern, and to add a line to a necessary area while suppressing the amount of generation of a small step. It is possible to do. For this reason, the optical proximity effect correction can be performed with high accuracy while allowing the mask inspection to pass, and a fine pattern can be formed with high accuracy.
[0022]
Further, according to the optical proximity correction method according to one aspect of the present invention, the step of inspecting a pattern density for an enlarged area larger than the inspection area, and when the pattern density of the enlarged area is equal to or less than a limit value, Narrowing the width of the pattern corrected for the optical proximity effect correction.
This makes it possible to correct variations in the etching pattern due to the microloading effect by performing simple correction of the mask pattern, and to accurately form a fine etching pattern even when the microloading effect occurs during etching. It is possible to do.
[0023]
According to the method of manufacturing a semiconductor device of one embodiment of the present invention, the step of applying a photoresist on a semiconductor wafer and the correction of the optical proximity effect with a fixed correction amount in a region where the pattern density is equal to or less than a specified value are performed. Exposing the photoresist through the exposed exposure mask, developing the exposed photoresist, and performing ion implantation or etching of the semiconductor wafer using the developed photoresist as a mask. And a step.
[0024]
This makes it possible to perform photolithography using an exposure mask in which the optical proximity effect has been corrected with a fixed correction amount in a region where the pattern density is equal to or less than the specified value, thereby shortening the calculation time for correcting the optical proximity effect. And a fine etching pattern can be formed with high accuracy.
Further, according to the method for manufacturing a semiconductor device of one embodiment of the present invention, when the pattern density is equal to or less than a limit value in an area larger than the area, the width of the pattern corrected for the optical proximity effect is reduced. It is characterized in that a correction for making the correction is further performed.
[0025]
This makes it possible to perform photolithography using an exposure mask that has been corrected to reduce the width of the pattern. Even when a microloading effect occurs during etching, the calculation time for correcting the optical proximity effect can be improved. It is possible to form a fine etching pattern with high accuracy while making it possible to shorten the length of the etching pattern.
According to the method for manufacturing a semiconductor device of one embodiment of the present invention, a step of applying a photoresist on a region to be etched and an optical proximity correction pattern are added, and a negative line is formed in a region that violates a design rule or an optical rule. Exposing the photoresist through an exposure mask from which is removed, developing the exposed photoresist, and performing an etching process on the etching target region using the developed photoresist as a mask. And characterized in that:
[0026]
This makes it possible to perform photolithography using an exposure mask from which negative serifs have been removed for a region that violates a design rule or an optical rule, and to form a fine etching pattern while suppressing an adverse effect due to an optical proximity effect. Becomes possible.
According to the optical proximity effect correction program of one aspect of the present invention, a step of acquiring pattern data to be processed, a step of inspecting a pattern density of an inspection area based on the acquired data, Correcting the optical proximity effect with a fixed correction amount for an inspection area equal to or less than a prescribed value.
[0027]
Accordingly, by causing the computer to execute the optical proximity effect correction program, the optical proximity effect can be corrected with a fixed correction amount while maintaining the optical proximity effect correction accuracy. It is possible to reduce the calculation time at the time of correcting the optical proximity effect while suppressing the deterioration of the accuracy of the effect correction.
According to the optical proximity effect correction program according to an aspect of the present invention, the step of correcting the optical proximity effect includes the steps of: applying a bias to a line & space area of the processing target pattern; Adding a hammer head to a line end area of the processed pattern to be processed, adding positive serif to an out-corner area of the processing target pattern to which the hammer head is added, and the processing to which the positive serif is added. Adding a negative serif to the in-corner area of the target pattern.
[0028]
Accordingly, by causing the computer to execute the optical proximity effect correction program, it is possible to suppress the influence of the peripheral pattern, to add the bias with high accuracy, and to suppress the generation amount of the fine step. In addition, it is possible to add serifs to a necessary area while making it possible to form a fine pattern with high accuracy.
[0029]
According to the optical proximity effect correction program of one aspect of the present invention, the step of inspecting a pattern density of an enlarged area larger than the inspection area, and if the pattern density of the enlarged area is less than or equal to a limit value, Narrowing the width of the pattern corrected for the optical proximity effect correction.
This enables the computer to execute the optical proximity effect correction program, thereby correcting pattern variations due to the microloading effect. Can be formed with high accuracy.
[0030]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, an optical proximity effect correction method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
1 to 3 are diagrams illustrating an optical proximity effect correction method according to an embodiment of the present invention. FIG. 1A is a plan view illustrating an example of an exposure mask M1 on which a mask pattern MP1 is formed, and FIG. 1B is a plan view illustrating an example of a processing target pattern MP1 extracted from the mask pattern MP1. FIG. 2 is a plan view showing the order in which the optical proximity correction pattern is added. FIG. 3A is a plan view showing an example of an exposure mask M2 on which a mask pattern MP2 to which the optical proximity correction pattern is added is formed. FIG. 3B is a plan view showing a method of correcting the processing target pattern MP5 extracted from the mask pattern MP2.
[0031]
In FIG. 1, a mask pattern MP1 is formed on an exposure mask M1. Here, when performing the optical proximity correction of the mask pattern MP1, the inspection region R1 is set for the mask pattern MP1. When the inspection region R1 is set, the pattern density in the inspection region R1 is inspected by DRC (rule base). When the pattern density in the inspection region R1 is equal to or less than the specified value, the optical proximity effect is corrected with a fixed correction amount for the processing target pattern P1 in the inspection region R1. The pattern density in the inspection region R1 can be defined by (pattern area in the inspection region R1) / (area of the inspection region R1). Here, the area of the inspection region R1 can be set to a range that is affected by the exposure process. Then, for example, when the pattern density in the inspection region R1 is 0.25 or less, the optical proximity effect can be corrected with a fixed correction amount for the processing target pattern P1 in the inspection region R1.
[0032]
Here, by performing correction of the optical proximity effect on the processing target pattern P1 in the inspection area R1 having the pattern density equal to or less than the specified value, it is possible to maintain the correction accuracy of the optical proximity effect while maintaining a constant correction. The optical proximity effect can be corrected by the amount. For this reason, in order to maintain the correction accuracy of the optical proximity effect, it is not necessary to consider the influence of the peripheral pattern, and it is possible to improve the efficiency of the optical proximity effect correction while suppressing the deterioration of the accuracy of the optical proximity effect correction. It becomes possible.
[0033]
When correcting the optical proximity effect for the processing target pattern P1, the optical proximity effect correction pattern can be added on a simulation basis or a rule basis.
Here, the processing target pattern P1 can be configured from processing target parts, and examples of the processing target parts include a line end area, a corner area, and a line & space area. Note that the line end area corresponds to the end of the processing target pattern P1, the corner area corresponds to the corner part (including the inner corner area and the out corner area) of the processing target pattern P1, and the line & space area corresponds to the line end area. And the remaining area excluding the corner area. Further, the line & space region can include an isolation line (a single linear pattern).
[0034]
When an optical proximity correction pattern is added to the processing target pattern P1, a bias, a hammer head, a positive serif, and a negative serif can be added to the line & space area, line end area, out corner area, and in corner area, respectively.
Here, when adding a bias, a hammer head, a positive serif, and a negative serif to the line & space area, the line end area, the out-corner area, and the corner area, respectively, the steps can be performed in the order of bias → hammer head → positive serif → negative serif.
[0035]
That is, when the processing target pattern P1 shown in FIG. 1B is given, as shown in FIG. 2A, the bias patterns BS1 and BS2 are added to the line & space area of the processing target pattern P1, thereby obtaining the correction pattern P2. Generate
Next, when the correction pattern P2 is generated, as shown in FIG. 2B, the correction pattern P3 is generated by adding the hammer heads H1 and H2 to the line end area of the correction pattern P2.
[0036]
Next, when the correction pattern P3 is generated, as shown in FIG. 2C, a correction pattern P4 is generated by adding positive serifs PS1 and PS2 to the out-corner area of the correction pattern P3.
Next, when the correction pattern P4 is generated, as shown in FIG. 2D, a correction pattern P5 is generated by adding negative serifs NS1 and NS2 to the in-corner area of the correction pattern P4.
[0037]
Here, by adding the biases BS1 and BS2 before adding the hammer heads H1 and H2, the positive serifs PS1 and PS2, and the negative serifs NS1 and NS2, the biases BS1 and BS2 that are easily affected by the peripheral pattern are preferentially added. This makes it possible to suppress the influence of the peripheral pattern and add the biases BS1 and BS2 with high accuracy.
[0038]
Further, by adding the hammer heads H1 and H2 before adding the positive serifs PS1 and PS2 and the negative serifs NS1 and NS2, it is possible to suppress the amount of occurrence of fine steps, and to apply the optical proximity effect correction pattern to a necessary area. It is possible to pass the mask inspection while enabling the addition.
Further, by adding the positive serifs PS1 and PS2 before adding the negative serifs NS1 and NS2, the positive serifs PS1 and PS2 can be preferentially added, and the corner area can be prevented from being narrowed. For this reason, even when the pattern is miniaturized, it is possible to prevent the pattern from being cut in the corner region, and it is possible to suppress the adverse effect due to the optical proximity effect.
[0039]
Then, by performing the above processing on the entire mask pattern MP1, it is possible to generate the exposure mask M2 on which the mask pattern MP2 subjected to the optical proximity effect correction is formed, as shown in FIG.
When the correction pattern P5 to which the biases BS1, BS2, the hammer heads H1, H2, the positive serifs PS1, PS2, and the negative serifs NS1, NS2 are added is generated, the design rule check and the optical rule check can be performed. In the design rule check, it can be checked whether the correction pattern P5 can be formed on the exposure mask M2. In the optical rule check, it can be checked whether the resist can be resolved.
[0040]
When the correction pattern P5 violates a design rule or an optical rule, the negative serifs NS1 and NS2 provided in the correction pattern P5 can be removed with priority. Thereby, even when the correction pattern P5 violates the design rule or the optical rule, it is possible to leave the biases BS1, BS2, the hammer heads H1, H2, and the positive serifs PS1, PS2, while suppressing the adverse effect due to the optical proximity effect. A fine pattern can be formed.
[0041]
Next, when the mask pattern MP2 on which the optical proximity effect correction has been performed is generated, an inspection region R2 is set for the mask pattern MP2. When the inspection region R2 is set, the pattern density in the inspection region R2 is inspected. Then, when the pattern density in the inspection region R2 is equal to or less than the limit value, correction for uniformly reducing the line width can be performed on the processing target pattern P5 in the inspection region R2. The pattern density in the inspection region R2 can be defined by (pattern area in the inspection region R2) / (area of the inspection region R2). Here, the area of the inspection region R2 can be set to a range affected by the etching process, and is preferably larger than the area of the inspection region R1. Then, for example, when the pattern density in the inspection region R2 is 0.1 or less, as shown in FIG. 3B, the line width of the processing target pattern P5 in the inspection region R2 is reduced uniformly. The correction pattern P6 can be generated.
[0042]
This makes it possible to correct variations in the etching pattern due to the microloading effect by simply correcting the mask pattern MP2, and to form a fine etching pattern with high precision while suppressing the complexity of the correction rule. Becomes possible.
Note that the simulation-based correction uses a simulator that models a phenomenon associated with the exposure process. For the simulation-based correction, for example, Satomi in Optical / Laser Microlithography VIII, Vol 2440, SPIE Symposium on Microlithography 1995, p261-269. Shioiri et al. Disclose in the article entitled Fast optical proximity correction: analytical method.
[0043]
The rule-based correction is a method of performing optical proximity correction based on a correction rule obtained in advance. For the rule-based correction, for example, Optical / Laser Microlithography VII, Vol 2197, SPIE Symposium on Microlithography 1994, p278- Oberdan W. 293. See a paper entitled "Automated optical proximity correction-a rule-based approach" by Otto et al. And Richard C. et al., Pp. 361-370. Henderson et al. Disclose in the article entitled "correcting for proximity effect width processes process latitude".
[0044]
FIG. 4 is a flowchart illustrating an optical proximity effect correction method according to an embodiment of the present invention.
In FIG. 4, when a processing target pattern MP1 to be subjected to the optical proximity correction is input, the pattern density in the inspection region R1 is inspected by DRC (rule base) (step 1).
[0045]
When the pattern density in the inspection region R1 exceeds the specified value (step 2), the optical proximity effect of the processing target pattern P1 in the inspection region R1 is controlled while controlling the correction amount according to the pattern density in the inspection region R1. Is corrected (step 3).
On the other hand, if the pattern density in the inspection area R1 is equal to or less than the specified value, an area requiring correction is selected from the inspection area R1 (step 4). In addition, as a region that needs to be corrected, for example, a gate on the active region, a line end of the wiring layer, a line end of the gate, and the like can be selected.
[0046]
When an area requiring correction is selected, the biases BS1, BS2, the hammer heads H1, H2, the positive serifs PS1, PS2, and the negative serifs NS1, NS2 are replaced with the line & space area, line end area, out of the processing target pattern P1. These are added to the corner area and the corner area, respectively (step 5). Here, when the biases BS1, BS2, the hammer heads H1, H2, the positive serifs PS1, PS2, and the negative serifs NS1, NS2 are added to the line & space area, line end area, out corner area, and corner area of the processing target pattern P1, respectively. , Bias BS1, BS2 → hammer head H1, H2 → positive serif PS1, PS2 → negative serif NS1, NS2.
[0047]
Next, when a correction pattern P5 to which biases BS1, BS2, hammer heads H1, H2, positive serifs PS1, PS2 and negative serifs NS1, NS2 are added is generated, a design rule check and an optical rule check are performed (step 6).
If the correction pattern P5 violates the design rule or the optical rule, the negative serifs NS1 and NS2 or the positive serifs PS1 and PS2 provided in the correction pattern P5 are removed (step 7). Here, when removing the negative serifs NS1 and NS2 or the positive serifs PS1 and PS2 from the correction pattern P5, the negative serifs NS1 and NS2 can be performed in the order of the positive serifs PS1 and PS2.
[0048]
Next, when the correction pattern P5 passes the design rule check and the optical rule check, an inspection region R2 having an area larger than that of the inspection region R1 is set, and the pattern density in the inspection region R2 is inspected (step 8). If the pattern density in the inspection region R2 is equal to or less than the limit value, the line width is corrected for the processing target pattern P5 in the inspection region R2 (step 9).
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a view showing an optical proximity effect correction method according to one embodiment.
FIG. 2 is a diagram showing an optical proximity effect correction method according to one embodiment.
FIG. 3 is a diagram illustrating an optical proximity effect correction method according to one embodiment.
FIG. 4 is a flowchart illustrating an optical proximity effect correction method according to an embodiment.
[Explanation of symbols]
M1, M2 exposure mask, MP1, MP2 mask pattern, P1 processing target pattern, R1, R2 inspection area, P2 to P6 correction pattern, BS1, BS2 bias, H1, H2 hammer head, PS1, PS2 positive serif, NS1, NS2 negative serif

Claims

An exposure mask, wherein an optical proximity effect is corrected with a fixed correction amount in an area where a pattern density is equal to or less than a specified value.

2. The method according to claim 1, wherein when the pattern density of the region enlarged than the region is equal to or less than a limit value, a correction for further reducing a width of the pattern corrected for the optical proximity effect is further performed. Exposure mask.

Biased line and space areas,
A line end area to which a hammerhead is added,
An out-corner area with positive words added,
With an in-corner area to which negative serif is added,
An exposure mask, wherein the negative serif is preferentially removed in a region that violates a design rule or an optical rule.

Data input means for inputting pattern data to be processed,
First pattern density inspection means for inspecting a pattern density of an inspection area based on the input data;
An optical proximity correction device, comprising: a first optical proximity correction unit that corrects the optical proximity effect with a fixed correction amount for an inspection area in which the pattern density is equal to or less than a specified value.

5. The optical proximity effect correction device according to claim 4, further comprising a second optical proximity effect correction unit that corrects an optical proximity effect by changing a correction amount for an area where the pattern density exceeds the specified value. .

Second pattern density inspection means for inspecting the pattern density of an enlarged area larger than the inspection area;
6. A thinning means for reducing a width of a pattern corrected by the first optical proximity effect correcting means when a pattern density of the enlarged area is equal to or less than a limit value. Optical proximity correction device.

Data input means for inputting pattern data to be processed,
Bias applying means for applying a bias to a line & space area of the processing target pattern based on the input data;
Hammer head adding means for adding a hammer head to a line end region of the processing target pattern to which the bias has been added,
Positive serif adding means for adding a positive serif to an out-corner area of the processing target pattern to which the hammer head is added,
An optical proximity correction device, comprising: negative serif adding means for adding a negative serif to an in-corner area of the processing target pattern to which the positive serif has been added.

Inspection means for performing a design rule check or an optical rule check of the processing target pattern to which the negative serif is added,
The optical proximity correction device according to claim 7, further comprising a negative serif removing unit that removes the negative serif in a region that violates the design rule or the optical rule.

Inputting pattern data to be processed;
A step of inspecting a pattern density of an inspection area based on the input data; and a step of correcting the optical proximity effect with a constant correction amount for the inspection area having the pattern density equal to or less than a specified value. Optical proximity effect correction method.

The step of correcting the optical proximity effect,
Applying a bias to the line & space area of the processing target pattern;
Adding a hammer head to a line end region of the processing target pattern to which the bias has been added,
Adding a positive line to an out-corner area of the processing target pattern to which the hammer head is added,
10. The optical proximity correction method according to claim 9, further comprising: adding a negative serif to an in-corner area of the processing target pattern to which the positive serif has been added.

Inspecting the pattern density for an enlarged area larger than the inspection area;
11. The optical proximity effect according to claim 9, further comprising, when the pattern density of the enlarged area is equal to or less than a limit value, reducing a width of the pattern corrected for the optical proximity effect correction. Correction method.

Applying a photoresist on a semiconductor wafer;
Exposing the photoresist through an exposure mask where the optical proximity effect has been corrected with a constant correction amount for a region where the pattern density is equal to or less than a specified value,
Developing the exposed photoresist,
Performing a process of ion implantation or etching of the semiconductor wafer using the developed photoresist as a mask.

13. The method according to claim 12, wherein, when the pattern density of the area larger than the area is equal to or less than a limit value, a correction for narrowing the width of the pattern corrected for the optical proximity effect is further performed. Manufacturing method of a semiconductor device.

Applying a photoresist on the region to be etched;
An optical proximity correction pattern is added, and a step of exposing the photoresist through an exposure mask from which negative serifs have been removed for a region that violates a design rule or an optical rule,
Developing the exposed photoresist,
Performing an etching process on the region to be etched using the developed photoresist as a mask.

Obtaining pattern data to be processed;
Causing the computer to execute a step of inspecting a pattern density of an inspection area based on the obtained data, and a step of correcting the optical proximity effect with a constant correction amount for the inspection area having the pattern density equal to or less than a specified value. Characteristic optical proximity correction program.

The step of correcting the optical proximity effect,
Applying a bias to the line & space area of the processing target pattern;
Adding a hammer head to a line end region of the processing target pattern to which the bias has been added,
Adding a positive line to an out-corner area of the processing target pattern to which the hammer head is added,
16. The computer-readable recording medium according to claim 15, further comprising: causing a computer to execute a step of adding a negative serif to an in-corner area of the processing target pattern to which the positive serif is added.

Inspecting the pattern density for an enlarged area larger than the inspection area;
17. The optical proximity effect according to claim 15, further comprising, if the pattern density of the enlarged area is equal to or less than a limit value, reducing a width of the pattern corrected for the optical proximity effect correction. Correction program.