JP2004303987A - Wafer map automatic discrimination control method, semiconductor inspection apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and semiconductor device - Google Patents

Wafer map automatic discrimination control method, semiconductor inspection apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and semiconductor device Download PDF

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JP2004303987A JP2003095962A JP2003095962A JP2004303987A JP 2004303987 A JP2004303987 A JP 2004303987A JP 2003095962 A JP2003095962 A JP 2003095962A JP 2003095962 A JP2003095962 A JP 2003095962A JP 2004303987 A JP2004303987 A JP 2004303987A
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Yoshinori Nagatsuka
義則 長塚
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer map automatic discrimination control method and a semiconductor inspection apparatus for automatically and properly detecting the tendency of a wafer map, and to provide a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor device. <P>SOLUTION: A flowchart indicating the wafer map automatic discrimination control method includes a step S1 of acquiring positional information for discriminating a defective part of a semiconductor wafer in response to an inspection mode of a defect inspection apparatus or the like; a map processing step of dividing the surface of the semiconductor wafer into areas on information processing by a map processing process, and overlapping the result on the fault location information obtained by the defect inspection apparatus as shown in a step S2; an arithmetic processing step in a step 5 of discriminating whether or not the density or the number of defective parts exceeds a preset reference value on the basis of the positional information in the step S1 for each area in the step S2, and displaying the result in a way capable of identifying the inside of the reference value and the other parts; and a defective area information acquisition step in the step S5 of carrying out identification purpose display control for areas discriminated in excess of the reference value, and areas adjacent to the discriminated areas respectively as areas with defective tendency. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置製造に係り、特に、半導体ウェハにおける不具合、パターン欠陥や異物の付着などの異常をウェハマップ傾向として判定、認識するウェハマップ自動判定制御方法及び半導体検査装置、半導体製造装置、半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウェハ(以下、ウェハともいう)は、LSI製造に必要な集積回路のパターンを例えば縮小投影露光によって繰り返し形成する。すなわち、所定のレチクルがセットされた縮小投影露光装置が、ウェハ上の被投影領域を次々と移動させながら繰り返しパターンを露光する。これにより、ウェハ内に所定個数分の集積回路チップ領域を取得する。スクライブライン領域内には、露光すべき複数種類のパターンが合わせ込まれる。その間、成膜工程やエッチング工程、洗浄工程等様々な処理工程の実施を経てチップ製品を完成させる。
【0003】
LSIの多機能化に伴い、チップ製品は大規模集積化、デザインルールの縮小化が常に要求される。そして、ロジック製品やメモリ製品等、ある用途に応じたチップ製品をその時のデザインルールで半導体ウェハ一枚からなるべく多数確保する必要がある。かつ、各々性能を均一化し高歩留まりで量産化しなければならない。
【0004】
LSI製造のプロセスにおける最適化条件の模索やプロセスコントロールに影響してウェハ内の欠陥は増減する。露光パターンの不具合に起因するパターン欠陥やパーティクル発生によるウェハ上への異物付着の検査は、一般には比較検査で達成される。すなわち、隣り合う集積回路チップ領域の同一パターン領域の画像を取り込んで比較検査する。その結果は、例えばウェハマップにて異常箇所の座標位置がプロット表示される。ウェハマップは、オペレータ等が実見し、異常箇所の集中部分、散在度合い、その他偏りや傾向等を判定する。これにより、今後のプロセスコントロールや製造ラインの改善、検査レシピの変更等に反映させる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のウェハマップは、判定を下すオペレータ等のスキルが左右し、判定者間でばらつきが生じる。これにより、半導体製造に関する適切な処置が十分に行なわれない恐れがある。
本発明は、上記のような事情を考慮してなされたもので、自動的に適正なウェハマップ傾向を検出するウェハマップ自動判定制御方法及び半導体検査装置、半導体製造装置、半導体装置を提供しようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るウェハマップ自動判定制御方法は、半導体ウェハの異常箇所を特定する位置情報を取得する第1情報取得工程と、前記半導体ウェハの面上を情報処理上の区域に分割するマップ処理工程と、前記区域それぞれにおいて前記位置情報に基づいた異常箇所の密度または個数が予め設定された基準値を超えるか否かを判定する演算処理工程と、前記区域のうち前記基準値を超える第1区域、前記第1区域に隣り合う第2区域をそれぞれ記憶する第2情報取得工程と、少なくとも前記第1区域及び第2区域を認識可能なように表示する表示工程と、を含むことを特徴とする。
【0007】
上記本発明に係るウェハマップ自動判定制御方法によれば、半導体ウェハのマップは、第1情報取得工程とは別に、マップ処理工程により所定の区域毎に分けられる。演算処理工程によって、それぞれの区域における異常箇所の密度または個数に応じて決められた判定が自動的になされる。しかも、第2情報取得工程によって、同一傾向内にある領域を自動判定する。
【0008】
なお、上記本発明に係るウェハマップ自動判定制御方法において、好ましい実施態様として次のような特徴をあげる。
前記マップ処理工程は、所定面積単位のメッシュ状のマップシートを前記半導体ウェハの面上に被せるように前記区域を対応させることを特徴とする。
前記区域の大きさは設定変更可能であることを特徴とする。
前記基準値は設定変更可能であることを特徴とする。
前記第2情報取得工程は、前記第1区域の上下左右に存在する区域を第2区域とすることを特徴とする。
前記第2情報取得工程による前記第1区域、前記第2区域のいずれかの数または総数をウェハマップ傾向の評価と関係させることを特徴とする。
【0009】
本発明に係る半導体検査装置は、上記いずれかに記載の特徴を有するウェハマップ自動判定制御方法を利用することを特徴としている。検査異常箇所におけるマップ傾向について判定が容易になる。
【0010】
本発明に係る半導体検査装置は、半導体ウェハの異常箇所を特定する位置情報を取得する検査機構と、前記半導体ウェハの面上を情報処理上の区域に分割し、前記区域それぞれにおいて前記位置情報に基づいた異常箇所の密度または個数が予め設定された基準値を超えるか否かを判定する演算制御機構と、前記区域のうち前記基準値を超える第1区域、前記第1区域に隣り合う第2区域をそれぞれ情報記憶する記憶部と、少なくとも前記第1区域及び第2区域を認識可能なように表示する表示部と、を含むことを特徴とする。
【0011】
上記本発明に係る半導体検査装置によれば、半導体ウェハのマップは、検査機構とは別に、所定の区域毎に分けられ、演算制御機構によって処理される。すなわち、それぞれの区域における異常箇所の密度または個数に応じて決められた判定が自動的になされ、同一傾向内にある領域と共に情報(第1区域及び第2区域)が記憶部に格納される。これにより、表示部でウェハマップ傾向が容易に確認できる。
【0012】
上記本発明に係る半導体検査装置において、前記表示部は、前記検査機構による位置情報に基づいた異常箇所をも表示可能であることを特徴とする。実際の異常箇所のマップを参考に表示することも有用である。
【0013】
上記本発明に係る半導体検査装置において、前記記憶部における前記第1区域、前記第2区域のいずれかの数または総数をウェハマップ傾向の評価と関係させる判定制御部を具備し、前記表示部に前記ウェハマップ傾向を自動判定表示することを特徴とする。
【0014】
本発明の半導体製造装置は、上記いずれかに記載のウェハマップ自動判定制御方法を利用することを特徴としている。
本発明の半導体装置は、上記いずれかに記載のウェハマップ自動判定制御方法を利用することを特徴としている。
また、本発明の半導体装置は、上記いずれかに記載の半導体検査装置を利用することを特徴としている。
上記により、扱い易く、信頼性の高い半導体製造装置が提供でき、高信頼性の半導体装置の量産に寄与する。
【0015】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の一実施形態に係るウェハマップ自動判定制御方法を示す流れ図である。また、図2は、本発明に係るウェハマップ自動判定制御方法を採用したウェハマップを示す平面図である。このようなウェハマップ自動判定制御方法は、半導体ウェハに複数の集積回路チップ領域がスクライブライン領域を隔てて形成されるよう、所定のマスクパターンを繰り返し露光するプロセスを含む半導体装置の製造途中で用いられる。
【0016】
図1において、処理S1に示すように、欠陥検査装置等の検査モードに応じて半導体ウェハの異常箇所を特定する位置情報を取得する。例えば、隣り合う2つのチップ領域間で同じ領域の所定パターンどうしを比較検査する。これにより、ウェハ面内の異常箇所の位置情報を取得する。一方、処理S2に示すように、マップ処理工程によって、半導体ウェハの面上が情報処理上の区域に分割される。例えば、所定面積単位(1mm角)のメッシュ状のマップシートを半導体ウェハの面上に被せるように上記区域を対応させる(図2参照)。これにより、欠陥検査装置にて得られた異常箇所の情報に重ねる。一つの区域には予め許容できる異常箇所の密度または個数に関係する基準値が設定される。なお、上記メッシュ状の区域(区画)の大きさや基準値は任意に設定変更可能である。
【0017】
次に、処理S3のように、演算処理工程がなされる。演算処理工程は、上記処理S2での区域それぞれにおいて、上記処理S1での位置情報に基づいた異常箇所の密度または個数が予め設定された基準値を超えるか否かを判定する。基準値を超えていないと判定される区域には色分けなど第1の識別用の表示制御がなされる(処理S5)。一方、処理S4に示すように、異常区域情報取得工程では、基準値を超えていると判定される第1異常区域はデータ保持され、情報処理によりさらに、第1異常区域に上下左右に隣り合う区域をそれぞれ異常傾向ありの第2異常区域としてデータ保持される。第1異常区域及び第2異常区域に対し、それぞれ色分けなど第2及び第3の識別用の表示制御がなされる(処理S5)。
【0018】
すなわち、処理S5では、異常のない区域、第1異常区域、及び第1異常区域に隣り合う第2異常区域がメッシュ区画毎にそれぞれ色分け表示されることが好ましい(図2参照)。また、実際の異常箇所のプロット表示が重ねて表示されるようにしてもよい。
【0019】
上記実施形態のウェハマップ自動判定制御方法によれば、半導体ウェハのマップは、欠陥検査装置等で取得した異常箇所の位置情報とは別に、マップ処理工程により所定の区域毎に分けられる。演算処理工程によって、それぞれの区域における異常箇所の密度または個数に応じて決められた判定が自動的になされる。しかも、異常区域情報取得工程によって、同一傾向内にある領域を自動判定する。これにより、オペレータ間で判定のばらつきはなくなり、より適正となる。このようなウェハマップ自動判定制御方法が組み込まれた半導体製造装置は、扱い易く、信頼性が向上し、高信頼性の半導体装置の量産に寄与する。
【0020】
図3は、本発明の一実施形態に係る半導体検査装置の要部構成を示すブロック図である。半導体ウェハ10は、半導体プロセス製造途中のものを含み、図示しないスクライブラインを隔ててチップ領域の所定パターンが繰り返し配置されている。ステージ11は半導体ウェハ10が水平に載置されX,Y方向に移動可能である。これにより、半導体ウェハ10上で検査箇所を移動させる。
【0021】
半導体ウェハの異常箇所を特定する位置情報を取得する検査機構INSが設けられている。検査機構INSは、制御部12、画像データ取得機構13、画像データ処理部14、メモリ部15、演算処理部16、出力制御部17を含む。画像データ取得機構13は、例えばカメラによりウェハ10上の検査対象領域の画像を取得する。画像データ処理部14にて信号処理された画像データはメモリ部16に蓄積される。演算処理部16は、画像データ中の比較検査すべき画像データについて比較して、異なるデータを検出し欠陥データとして位置情報を取得する。出力制御部17は少なくとも上記欠陥データに関する検査結果の出力を制御する。
【0022】
演算制御機構20は、半導体ウェハ10の面上を情報処理上の区域に分割し、区域それぞれにおいて、上記検査機構INSでの位置情報に基づいた異常箇所の密度または個数が予め設定された基準値を超えるか否かを判定する。上記区域のうち基準値を超える第1区域、この第1区域に隣り合う上下左右の第2区域をそれぞれ情報記憶するメモリ21が設けられている。この第1区域及び第2区域の情報は出力制御部17を介して表示部21に伝達され、認識可能なように表示される。
【0023】
図4は、本発明の他の実施形態に係る半導体検査装置の要部構成を示すブロック図である。図3に比べて判定制御部22が付加されている。その他の構成は図3と同様であり同一の符号を付す。表示部21は、検査機構INSによる位置情報に基づいた異常箇所をも表示可能である。さらに、メモリ部21における第1区域、第2区域のいずれかの数または総数をウェハマップ傾向の評価と関係させる判定制御部22が設けられている。表示部21にウェハマップ傾向を自動判定表示する際に便利である。
【0024】
以上説明したように、本発明によれば、半導体ウェハのマップは、通常の欠陥検査から異常個所の位置情報が得られる第1の情報取得工程とは別に、マップ処理工程により所定の区域毎に分けられる。演算処理工程によって、それぞれの区域における異常箇所の密度または個数に応じて決められた判定が自動的になされる。しかも、同一傾向内にある領域を自動判定する。このようなウェハマップ自動判定制御方法を適当な半導体製造装置に組み込めば、扱い易く、処理効率の向上が期待できる。この結果、自動的に適正なウェハマップ傾向を検出するウェハマップ自動判定制御方法及び半導体検査装置、半導体製造装置、半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】一実施形態に係るウェハマップ自動判定制御方法を示す流れ図。
【図2】本発明に係るウェハマップを示す平面図。
【図3】一実施形態に係る半導体検査装置の要部構成を示すブロック図。
【図4】他の実施形態に係る半導体検査装置の要部構成のブロック図。
【符号の説明】
S1〜S5…各処理ステップ、INS…検査機構、10…半導体ウェハ、11…ステージ、12…制御部、13…画像データ取得機構、14…画像データ処理部、15,21…メモリ部、16…演算処理部、17…出力制御部、20……演算制御機構、21…表示部、22…判定制御部。
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to semiconductor device manufacturing, and in particular, a wafer map automatic determination control method, a semiconductor inspection device, a semiconductor manufacturing device, and a semiconductor device that determine and recognize an abnormality such as a defect in a semiconductor wafer, a pattern defect, or an adhesion of a foreign substance as a wafer map tendency. Equipment related.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art A semiconductor wafer (hereinafter, also referred to as a wafer) is formed by repeatedly forming a pattern of an integrated circuit necessary for manufacturing an LSI by, for example, reduction projection exposure. That is, the reduction projection exposure apparatus on which a predetermined reticle is set repeatedly exposes the pattern while moving the projection area on the wafer one after another. As a result, a predetermined number of integrated circuit chip areas are obtained in the wafer. A plurality of patterns to be exposed are aligned in the scribe line area. In the meantime, a chip product is completed through various processing steps such as a film forming step, an etching step, and a cleaning step.
[0003]
With the increase in the functions of LSIs, chip products are constantly required to be integrated on a large scale and to reduce design rules. Then, it is necessary to secure as many chip products as possible from a single semiconductor wafer according to the design rule at that time, such as logic products and memory products. In addition, the mass production must be performed with uniform performance and high yield.
[0004]
The number of defects in the wafer increases or decreases due to the search for optimization conditions and process control in the LSI manufacturing process. Inspection of foreign matter adhering to a wafer due to pattern defects or particles generated due to a defect in an exposure pattern is generally achieved by a comparative inspection. That is, an image of the same pattern area in an adjacent integrated circuit chip area is fetched and compared and inspected. As a result, for example, the coordinate position of the abnormal location is plotted and displayed on a wafer map. An operator or the like actually looks at the wafer map, and determines a concentrated portion of an abnormal portion, a scattered degree, and other deviations and tendencies. This will be reflected in future improvements in process control and manufacturing lines, changes in inspection recipes, and the like.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional wafer map, the skill of an operator or the like who makes a determination is affected, and variation occurs among the determination persons. As a result, there is a possibility that appropriate measures for semiconductor manufacturing may not be sufficiently performed.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a wafer map automatic determination control method, a semiconductor inspection device, a semiconductor manufacturing device, and a semiconductor device that automatically detect an appropriate wafer map tendency. Is what you do.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
A wafer map automatic determination control method according to the present invention includes: a first information obtaining step of obtaining position information for specifying an abnormal portion of a semiconductor wafer; and a map processing step of dividing a surface of the semiconductor wafer into an information processing area. And an arithmetic processing step of determining whether the density or the number of abnormal points based on the position information in each of the sections exceeds a preset reference value, and a first section of the sections that exceeds the reference value A second information acquisition step of storing a second area adjacent to the first area, and a display step of displaying at least the first area and the second area in a recognizable manner. .
[0007]
According to the wafer map automatic determination control method according to the present invention, the map of the semiconductor wafer is divided into predetermined areas by the map processing step separately from the first information acquisition step. In the arithmetic processing step, a determination determined according to the density or the number of abnormal portions in each area is automatically made. In addition, regions in the same tendency are automatically determined by the second information acquisition step.
[0008]
In the above-described wafer map automatic determination control method according to the present invention, the following features are given as preferred embodiments.
The map processing step is characterized in that the areas correspond to each other such that a mesh-shaped map sheet of a predetermined area unit is put on the surface of the semiconductor wafer.
The size of the area can be changed.
The reference value can be changed in setting.
The second information acquiring step is characterized in that an area existing on the upper, lower, left and right sides of the first area is a second area.
The number or total number of either the first area or the second area in the second information acquisition step is related to the evaluation of the tendency of the wafer map.
[0009]
A semiconductor inspection apparatus according to the present invention uses a wafer map automatic determination control method having any one of the features described above. It becomes easy to determine the tendency of the map at the abnormal inspection location.
[0010]
A semiconductor inspection apparatus according to the present invention includes an inspection mechanism that acquires position information that specifies an abnormal portion of a semiconductor wafer, and divides the surface of the semiconductor wafer into information processing areas, and applies the position information to each of the areas. An arithmetic and control unit for determining whether or not the density or the number of abnormal points based on the reference value exceeds a preset reference value; and a first section exceeding the reference value and a second section adjacent to the first section among the sections. It is characterized by including a storage unit for storing information of each area, and a display unit for displaying at least the first area and the second area in a recognizable manner.
[0011]
According to the semiconductor inspection apparatus of the present invention, the map of the semiconductor wafer is divided into predetermined areas separately from the inspection mechanism, and is processed by the arithmetic and control unit. That is, the determination determined according to the density or the number of abnormal portions in each area is automatically made, and the information (the first area and the second area) is stored in the storage unit together with the areas having the same tendency. Thereby, the tendency of the wafer map can be easily confirmed on the display unit.
[0012]
In the above-described semiconductor inspection apparatus according to the present invention, the display unit can display an abnormal portion based on position information obtained by the inspection mechanism. It is also useful to display the map of the actual abnormal location with reference.
[0013]
The semiconductor inspection device according to the present invention, further comprising: a determination control unit that relates the number or the total number of any of the first area and the second area in the storage unit to an evaluation of a wafer map tendency. The wafer map tendency is automatically determined and displayed.
[0014]
A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention uses any one of the above-described wafer map automatic determination control methods.
A semiconductor device according to the present invention uses any one of the wafer map automatic determination control methods described above.
Further, a semiconductor device according to the present invention uses any one of the semiconductor inspection devices described above.
As described above, an easy-to-handle and highly reliable semiconductor manufacturing apparatus can be provided, which contributes to mass production of a highly reliable semiconductor device.
[0015]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
FIG. 1 is a flowchart illustrating a wafer map automatic determination control method according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view showing a wafer map adopting the wafer map automatic determination control method according to the present invention. Such a wafer map automatic determination control method is used during the manufacture of a semiconductor device including a process of repeatedly exposing a predetermined mask pattern so that a plurality of integrated circuit chip regions are formed on a semiconductor wafer separated by scribe line regions. Can be
[0016]
In FIG. 1, as shown in a process S1, position information for specifying an abnormal portion of a semiconductor wafer is acquired according to an inspection mode of a defect inspection device or the like. For example, a predetermined pattern in the same region is compared and inspected between two adjacent chip regions. Thereby, the position information of the abnormal part in the wafer surface is obtained. On the other hand, as shown in processing S2, the surface of the semiconductor wafer is divided into information processing areas by the map processing step. For example, the above areas are made to correspond so that a mesh-shaped map sheet of a predetermined area unit (1 mm square) is placed on the surface of the semiconductor wafer (see FIG. 2). Thereby, the information is superimposed on the information of the abnormal part obtained by the defect inspection apparatus. In one area, a reference value relating to the density or the number of allowable abnormal points is set in advance. The size and reference value of the mesh-like area (section) can be arbitrarily set and changed.
[0017]
Next, an arithmetic processing step is performed as in processing S3. The arithmetic processing step determines whether or not the density or the number of abnormal locations based on the position information in the process S1 exceeds a preset reference value in each of the sections in the process S2. The first discrimination display control, such as color coding, is performed on the area determined not to exceed the reference value (process S5). On the other hand, as shown in the process S4, in the abnormal area information acquiring step, the first abnormal area determined to exceed the reference value is held as data, and further vertically and horizontally adjacent to the first abnormal area by information processing. Data is held for each of the sections as a second abnormal section having an abnormal tendency. For the first abnormal area and the second abnormal area, display control for the second and third discrimination such as color coding is performed (step S5).
[0018]
That is, in the process S5, it is preferable that the area having no abnormality, the first abnormal area, and the second abnormal area adjacent to the first abnormal area are displayed in different colors for each mesh section (see FIG. 2). Further, the plot display of the actual abnormal part may be displayed in a superimposed manner.
[0019]
According to the wafer map automatic determination control method of the above-described embodiment, the map of the semiconductor wafer is divided into predetermined areas by the map processing step, separately from the position information of the abnormal part obtained by the defect inspection device or the like. In the arithmetic processing step, a determination determined according to the density or the number of abnormal portions in each area is automatically made. In addition, the areas within the same tendency are automatically determined by the abnormal area information obtaining step. As a result, there is no variation in determination among operators, and the determination becomes more appropriate. A semiconductor manufacturing apparatus incorporating such a wafer map automatic determination control method is easy to handle, has improved reliability, and contributes to mass production of highly reliable semiconductor devices.
[0020]
FIG. 3 is a block diagram showing a main configuration of a semiconductor inspection apparatus according to one embodiment of the present invention. The semiconductor wafer 10 includes those in the process of manufacturing a semiconductor process, and a predetermined pattern of a chip region is repeatedly arranged with a scribe line (not shown) interposed therebetween. The stage 11 has a semiconductor wafer 10 mounted horizontally and is movable in the X and Y directions. Thereby, the inspection location is moved on the semiconductor wafer 10.
[0021]
An inspection mechanism INS for acquiring position information for specifying an abnormal portion of the semiconductor wafer is provided. The inspection mechanism INS includes a control unit 12, an image data acquisition mechanism 13, an image data processing unit 14, a memory unit 15, an arithmetic processing unit 16, and an output control unit 17. The image data acquisition mechanism 13 acquires an image of the inspection target area on the wafer 10 by, for example, a camera. The image data processed by the image data processing unit 14 is stored in the memory unit 16. The arithmetic processing unit 16 compares image data to be compared and inspected in the image data, detects different data, and acquires position information as defect data. The output control unit 17 controls at least the output of the inspection result regarding the defect data.
[0022]
The arithmetic and control unit 20 divides the surface of the semiconductor wafer 10 into information processing areas, and in each of the areas, the density or the number of abnormal spots based on the position information in the inspection mechanism INS is set to a predetermined reference value. Is determined. A memory 21 is provided for storing information of a first section exceeding a reference value among the above sections, and upper, lower, left and right second sections adjacent to the first section. The information of the first area and the second area is transmitted to the display unit 21 via the output control unit 17 and displayed so as to be recognizable.
[0023]
FIG. 4 is a block diagram showing a main configuration of a semiconductor inspection apparatus according to another embodiment of the present invention. A determination control unit 22 is added as compared with FIG. Other configurations are the same as those in FIG. 3 and are denoted by the same reference numerals. The display unit 21 can also display an abnormal location based on the position information from the inspection mechanism INS. Further, there is provided a determination control unit 22 for relating the number or total number of either the first area or the second area in the memory unit 21 to the evaluation of the tendency of the wafer map. This is convenient when the display unit 21 automatically displays the tendency of the wafer map.
[0024]
As described above, according to the present invention, a map of a semiconductor wafer is provided for each predetermined area by a map processing step, separately from the first information acquisition step in which position information of an abnormal part is obtained from a normal defect inspection. Divided. In the arithmetic processing step, a determination determined according to the density or the number of abnormal portions in each area is automatically made. In addition, areas that are in the same tendency are automatically determined. If such a wafer map automatic determination control method is incorporated in an appropriate semiconductor manufacturing apparatus, it is easy to handle and an improvement in processing efficiency can be expected. As a result, it is possible to provide a wafer map automatic determination control method, a semiconductor inspection apparatus, a semiconductor manufacturing apparatus, and a semiconductor device that automatically detect an appropriate wafer map tendency.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a flowchart illustrating a wafer map automatic determination control method according to an embodiment.
FIG. 2 is a plan view showing a wafer map according to the present invention.
FIG. 3 is a block diagram illustrating a configuration of a main part of the semiconductor inspection device according to the embodiment;
FIG. 4 is a block diagram of a configuration of a main part of a semiconductor inspection device according to another embodiment.
[Explanation of symbols]
S1 to S5: each processing step, INS: inspection mechanism, 10: semiconductor wafer, 11: stage, 12: control unit, 13: image data acquisition mechanism, 14: image data processing unit, 15, 21: memory unit, 16 ... Arithmetic processing unit, 17 ... output control unit, 20 ... arithmetic control mechanism, 21 ... display unit, 22 ... determination control unit.

Claims (12)

半導体ウェハの異常箇所を特定する位置情報を取得する第1情報取得工程と、
前記半導体ウェハの面上を情報処理上の区域に分割するマップ処理工程と、
前記区域それぞれにおいて前記位置情報に基づいた異常箇所の密度または個数が予め設定された基準値を超えるか否かを判定する演算処理工程と、
前記区域のうち前記基準値を超える第1区域、前記第1区域に隣り合う第2区域をそれぞれ記憶する第2情報取得工程と、
少なくとも前記第1区域及び第2区域を認識可能なように表示する表示工程と、
を含むことを特徴とするウェハマップ自動判定制御方法。
A first information acquisition step of acquiring position information specifying an abnormal part of the semiconductor wafer;
A map processing step of dividing the surface of the semiconductor wafer into information processing areas;
An arithmetic processing step of determining whether the density or the number of abnormal locations based on the position information in each of the sections exceeds a preset reference value,
A first section exceeding the reference value among the sections, a second information acquisition step of storing a second section adjacent to the first section,
A display step of displaying at least the first area and the second area so as to be recognizable;
And a wafer map automatic determination control method.
前記マップ処理工程は、所定面積単位のメッシュ状のマップシートを前記半導体ウェハの面上に被せるように前記区域を対応させることを特徴とする請求項1記載のウェハマップ自動判定制御方法。2. The wafer map automatic determination control method according to claim 1, wherein in the map processing step, the areas are made to correspond so that a mesh-shaped map sheet of a predetermined area unit is put on the surface of the semiconductor wafer. 前記区域の大きさは設定変更可能であることを特徴とする請求項1または2記載のウェハマップ自動判定制御方法。3. The method according to claim 1, wherein the size of the area is changeable. 前記基準値は設定変更可能であることを特徴とする請求項1〜3いずれか一つに記載のウェハマップ自動判定制御方法。4. The method according to claim 1, wherein the reference value is changeable. 5. 前記第2情報取得工程は、前記第1区域の上下左右に存在する区域を前記第2区域とすることを特徴とする請求項1〜4いずれか一つに記載のウェハマップ自動判定制御方法。The method according to any one of claims 1 to 4, wherein the second information acquiring step sets an area existing on the upper, lower, left, and right sides of the first area as the second area. 前記第2情報取得工程による前記第1区域、前記第2区域のいずれかの数または総数をウェハマップ傾向の評価と関係させることを特徴とする請求項1〜5いずれか一つに記載のウェハマップ自動判定制御方法。The wafer according to any one of claims 1 to 5, wherein the number or total number of any of the first area and the second area in the second information acquisition step is related to an evaluation of a wafer map tendency. Map automatic judgment control method. 半導体ウェハの異常箇所を特定する位置情報を取得する検査機構と、
前記半導体ウェハの面上を情報処理上の区域に分割し、前記区域それぞれにおいて前記位置情報に基づいた異常箇所の密度または個数が予め設定された基準値を超えるか否かを判定する演算制御機構と、
前記区域のうち前記基準値を超える第1区域、前記第1区域に隣り合う第2区域をそれぞれ情報記憶する記憶部と、
少なくとも前記第1区域及び第2区域を認識可能なように表示する表示部と、を含むことを特徴とする半導体検査装置。
An inspection mechanism for acquiring position information for identifying an abnormal part of the semiconductor wafer;
An arithmetic and control unit that divides the surface of the semiconductor wafer into information processing areas and determines whether the density or the number of abnormal locations based on the position information in each of the areas exceeds a preset reference value. When,
A storage section that stores information of a first section exceeding the reference value among the sections, and a second section adjacent to the first section;
A display unit for displaying at least the first area and the second area in a recognizable manner.
前記表示部は、前記検査機構による位置情報に基づいた異常箇所をも表示可能であることを特徴とする請求項7記載の半導体検査装置。8. The semiconductor inspection apparatus according to claim 7, wherein the display unit can also display an abnormal part based on the position information by the inspection mechanism. 前記記憶部における前記第1区域、前記第2区域のいずれかの数または総数をウェハマップ傾向の評価と関係させる判定制御部を具備し、前記表示部に前記ウェハマップ傾向を自動判定表示することを特徴とする請求項7または8記載の半導体検査装置。A determination control unit that relates the number or the total number of any one of the first area and the second area in the storage unit to an evaluation of a wafer map tendency; and automatically determining and displaying the wafer map tendency on the display unit. 9. The semiconductor inspection apparatus according to claim 7, wherein: 前記請求項1〜6いずれかに記載のウェハマップ自動判定制御方法を利用することを特徴とした半導体製造装置。A semiconductor manufacturing apparatus using the wafer map automatic determination control method according to claim 1. 前記請求項1〜6いずれかに記載のウェハマップ自動判定制御方法を利用して形成されたことを特徴とする半導体装置。A semiconductor device formed by using the wafer map automatic determination control method according to claim 1. 前記請求項7〜9いずれかに記載の半導体検査装置を利用して形成されたことを特徴とする半導体装置。A semiconductor device formed using the semiconductor inspection device according to claim 7.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2012045563A (en) * 2010-08-25 2012-03-08 Toyota Motor Corp Defect information feedback method
CN112582292A (en) * 2020-12-04 2021-03-30 全芯智造技术有限公司 Automatic detection method for part abnormity of chip production machine, storage medium and terminal
CN112683210A (en) * 2020-12-28 2021-04-20 上海利扬创芯片测试有限公司 MAP graph offset detection method for wafer test

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012045563A (en) * 2010-08-25 2012-03-08 Toyota Motor Corp Defect information feedback method
CN112582292A (en) * 2020-12-04 2021-03-30 全芯智造技术有限公司 Automatic detection method for part abnormity of chip production machine, storage medium and terminal
CN112582292B (en) * 2020-12-04 2023-12-22 全芯智造技术有限公司 Automatic detection method for abnormality of parts of chip production machine, storage medium and terminal
CN112683210A (en) * 2020-12-28 2021-04-20 上海利扬创芯片测试有限公司 MAP graph offset detection method for wafer test

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