JP2004288773A - Waveguide type optical amplifier - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導波路型光増幅器に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、励起光を用いて信号光を増幅するようにした導波路型光増幅器について、様々な発明が提案され、又は、実用化されている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
上述した特許文献1に開示された導波路型光増幅器について図18に基づいて説明する。この導波路型光増幅器101は、信号光が導波される第一光導波路102と、励起光が導波される第二光導波路103と、これらの第一光導波路102と第二光導波路103とが一つに合体された第三光導波路104とが基板105上に形成されている。第一光導波路102、第二光導波路103、第三光導波路104は略同じ径に形成されている。第三光導波路104には、励起光により光学的に活性化される活性ドーパントが添加されている。第三光導波路104の途中には、この第三光導波路104内を導波される信号光を透過させて励起光を吸収又は反射させるグレーティングからなるフィルタ106が設けられている。
【0004】
この導波路型光増幅器101では、信号光が第一光導波路102を経て第三光導波路104を導波され、励起光が第二光導波路103を経て第三光導波路104を導波される。励起光が第三光導波路104を導波されることにより、第三光導波路104中の活性ドーパントが励起光を吸収して活性化され、信号光の導波時に信号光による誘導によって活性化されている活性ドーパントから信号光と同じ波長の光が放出され、これにより信号光の増幅が行われる。
【0005】
ところで、信号光が導波される第一光導波路102の径に関しては、この径を太くすると、第一光導波路102を導波される信号光の導波方向と直交する方向の空間強度分布が大きくなり、出射面での信号光が分散された状態となって信号の精度が低下するので、第一光導波路102の径を細くする(第一光導波路102を導波される信号光の導波方向と直交する方向の空間強度分布を小さくする)とともに出射面での信号光のスポット径を小さくすることが望ましい。
【0006】
一方、励起光が入射される第二光導波路103の径に関しては、この径を太くすると、第二光導波路103を導波される励起光の導波方向と直交する方向の空間強度分布が大きくなり、導波できる励起光の光量を増やすことができ、信号光の増幅作用を高めることができるので、第二光導波路103の径を太くする(第二光導波路103を導波される信号光の導波方向と直交する方向の空間強度分布を大きくする)とともに励起光の光量を増やすことが望ましい。
【0007】
【特許文献1】
特許第3001672号公報(図9)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述した図18に示した導波路型光増幅器101においては、第一光導波路102と第二光導波路103と第三光導波路104とが略同じ径に形成されているため、第一光導波路102の径を細くして出射面での信号光のスポット径を小さくするとともに、第二光導波路103の径を太くして励起光の光量を増やすという、相反する二つの目的を同時に達成することはできない。
【0009】
本発明の目的は、信号光の出射面でのスポット径を小さくするとともに励起光の光量を増やして信号光の増幅率を高めることができる導波路型光増幅器を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明の導波路型光増幅器は、基板と、前記基板上に設けられ、信号光出射部から出射された信号光が導波される第一光導波路と、前記基板上に設けられ、励起光出射部から出射された励起光が導波される第二光導波路と、を有し、前記第一光導波路の屈折率が前記第二光導波路の屈折率より大きく設定され、前記第一光導波路と前記第二光導波路とが少なくとも一部に重なり部を有して少なくともこの重なり部に前記励起光により光学的に活性化される活性ドーパントがドープされ、前記第二光導波路の前記励起光の導波方向と直交する方向の空間強度分布が前記第一光導波路の前記信号光の導波方向と直交する方向の空間強度分布より大きく設定されている。
【0011】
したがって、第二光導波路を導波される励起光により活性ドーパントが活性化され、信号光が重なり部を通過するときに、活性化された光ドーパントから信号光と同じ波長の光が放出されて信号光の増幅が行われる。そして、第二光導波路における励起光と直交する方向の空間強度分布が第一光導波路における信号光の導波方向と直交する方向の空間強度分布より大きく設定されているので、信号光の出射面でのスポット径を大きくすることなく励起光の光量を増やすことが可能になり、信号光の精度を維持しつつ信号光の増幅率を高めることが可能になる。
【0012】
請求項2記載の発明は、請求項1記載の導波路型光増幅器において、前記第二光導波路中の前記活性ドーパントは、前記重なり部にのみ設けられている。
【0013】
したがって、励起光が第二光導波路を導波されるときに、重なり部以外の部分で励起光が活性ドーパントに吸収されるということが起こらず、励起光は信号光の増幅が行われる領域である重なり部で活性ドーパントに効率よく吸収される。これにより、励起光が信号光の増幅のために効率良く使用されるようになり、信号光の増幅が効率良く行われる。また、第二光導波路における重なり部以外の部分では励起光が吸収されないので、第二光導波路の長さを長くしても励起光の減衰されにくくなり、第二光導波路のレイアウトの自由度が高くなる。
【0014】
請求項3記載の発明は、請求項1記載の導波路型光増幅器において、前記第二光導波路中に前記活性ドーパントがドープされ、前記第一光導波路中には前記活性ドーパントがドープされていない。
【0015】
したがって、第一光導波路を形成する際に、活性ドーパントをドープし易い材料を用いる必要がなく、第一光導波路を形成する材料の選択幅が広くなり、製造作業が容易になるとともに製造コストが低減される。
【0016】
請求項4記載の発明は、請求項1記載の導波路型光増幅器において、前記第一光導波路中の前記活性ドーパントの濃度が前記第二光導波路中の前記活性ドーパントの濃度より高く設定されるとともに、この活性ドーパントの濃度により前記第一光導波路の屈折率が前記第二光導波路中の屈折率より高く設定されている。
【0017】
したがって、第一光導波路と第二光導波路との屈折率を設定するために使用されるドーパントとして活性ドーパントが用いられているので、活性ドーパントによる励起光の吸収率が高くなり、信号光の増幅率が向上する。
【0018】
請求項5記載の発明は、請求項1記載の導波路型光増幅器において、前記第二光導波路に比べて屈折率が大きく設定された前記第一光導波路は、前記活性ドーパントに加えて高屈折率を生じさせるドーパントを含んでいる。
【0019】
したがって、第一光導波路と第二光導波路との屈折率を変えるために第一光導波路には高屈折率を生じさせるドーパントを含んだ材料を使用すればよく、第一光導波路、第二光導波路の形成方法の自由度が高くなる。
【0020】
請求項6記載の発明は、請求項1ないし5のいずれか一記載の導波路型光増幅器において、前記重なり部における前記信号光と前記励起光とが出射される部位に前記励起光を透過させずに前記信号光のみを透過させるフィルタが設けられている。
【0021】
したがって、重なり部の出射側の部位からは励起光を除いた信号光のみを出射させることができる。
【0022】
ここで、本発明及び以下の発明において、「励起光を透過させず」とは、励起光を反射させたり吸収したりし、その結果として励起光が透過されないことを意味する。
【0023】
請求項7記載の発明は、請求項1ないし5のいずれか一記載の導波路型光増幅器において、前記第一光導波路と前記第二光導波路とは、前記信号光と前記励起光との導波方向に沿った前記重なり部より下流側において前記第一光導波路と前記第二光導波路とに分離され、分離された後の前記第一光導波路における前記信号光が出射される部位に前記励起光を透過させずに前記信号光のみを透過させるフィルタが設けられている。
【0024】
したがって、重なり部で信号光と励起光とが重なった後、重なり部を通過した励起光は第一光導波路と第二光導波路とに分かれて導波される、重なり部を通過した信号光の大部分は第一光導波路を導波されて出射される。このため、重なり部を通過した後に第一光導波路を導波されて信号光と共に出射される励起光の量が少なくなり、重なり部を通過した後に第一光導波路から出射される信号光の励起光に対するS/N比が向上し、フィルタによる励起光の除去性能が高くなり、出射される信号光の品質が高くなる。
【0025】
請求項8記載の発明は、請求項1ないし5のいずれか一記載の導波路型光増幅器において、前記第二光導波路が複数設けられ、複数の前記第二光導波路が前記重なり部で合流されている。
【0026】
したがって、第二光導波路を導波される励起光の光量を増加させることが可能となり、信号光の増幅率を高めることが可能となる。
【0027】
請求項9記載の発明は、請求項1ないし5のいずれか一記載の導波路型光増幅器において、前記励起光の導波方向に沿った前記重なり部の上流側に複数の前記第二光導波路が設けられ、前記励起光の導波方向に沿った重なり部の下流側において前記第一光導波路と前記第二光導波路とに分離されている。
【0028】
したがって、第二光導波路を導波される励起光の光量を増加させることが可能になるとともに信号光の増幅率を高めることが可能となる。また、重なり部を通過した後に第一光導波路を導波される励起光の量が少なくなり、重なり部を通過した後に第一光導波路から出射される信号光の励起光に対するS/N比が向上する。
【0029】
請求項10記載の発明は、請求項1ないし5のいずれか一記載の導波路型光増幅器において、前記第二光導波路は平面型に形成されている。
【0030】
したがって、第二光導波路を導波される励起光の光量を増加させることが可能となり、信号光の増幅率を高めることが可能となる。
【0031】
請求項11記載の発明は、請求項6ないし10のいずれか一記載の導波路型光増幅器において、前記信号光の導波方向に沿った前記重なり部の上流側にそれぞれ前記信号光出射部から出射された信号光が導波される複数の前記第一光導波路が設けられ、複数の前記第一光導波路が前記重なり部の上流側で合流されている。
【0032】
したがって、複数の第一光導波路に同一波長で同一周期の信号光を入射することができ、第一光導波路を導波される信号光の出力アップを図ることが可能となる。
【0033】
請求項12記載の発明は、請求項1ないし11のいずれか一記載の導波路型光増幅器において、前記重なり部に、前記励起光を導波させずに前記信号光を導波させるフィルタが設けられている。
【0034】
したがって、励起光を導波させずに信号光を導波させるフィルタの設置位置の自由度が高くなる。
【0035】
請求項13記載の発明は、請求項1ないし12のいずれか一記載の導波路型光増幅器において、前記第一光導波路又は前記重なり部における前記信号光が入射又は出射される部位に前記信号光に対する無反射コーティング膜が設けられている。
【0036】
したがって、第一光導波路や重なり部に対する信号光の入射及び出射の効率が高くなり、信号光の出力アップを図れる。
【0037】
請求項14記載の発明は、請求項1ないし13のいずれか一記載の導波路型光増幅器において、前記基板が酸化物またはフッ化物により形成され、前記活性ドーパントとしてCrまたはTiが用いられている。
【0038】
したがって、基板を酸化物またはフッ化物により形成し、活性ドーパントとしてCrまたはTiを用いる組み合わせにより、波長が0.6〜0.8μm付近の赤色から近赤外の波長領域の信号光の増幅を効果的に図ることができる。
【0039】
【発明の実施の形態】
本発明の第一の実施の形態を図1ないし図3に基づいて説明する。本実施の形態の導波路型光増幅器1は、基板2と、基板2上に形成された第一光導波路3と第二光導波路4とにより形成されている。第一光導波路3は信号光出射部である光源用半導体レーザ5から出射された信号光が入射されて導波される導波路であり、第二光導波路4は励起光出射部である励起用レーザ6から出射された励起光が入射されて導波される導波路である。この導波路型光増幅器1の近傍には、光源用半導体レーザ5と励起用レーザ6とが設置された基板7が配置されている。
【0040】
基板2は、酸化物であるAl2O3により形成されている。
【0041】
第一光導波路3と第二光導波路4とには活性ドーパントがドープされている。第一光導波路3と第二光導波路4とにドープされる活性ドーパントとしては、例えば、TiイオンやCrイオンを用いることができる。第一光導波路3と第二光導波路4とのドープ領域の断面積、言い換えると、第一・第二光導波路3、4における信号光又は励起光が導波される領域である導波方向と直交する方向の空間強度分布が、第二光導波路4が第一光導波路3より大きく設定されている。また、活性ドーパントの濃度を比べると、第一光導波路3では高く、第二光導波路4では低く設定されている。また、この濃度の違いにより、第一光導波路3の屈折率が第二光導波路4の屈折率に比べて大きく設定されている。
【0042】
第一光導波路3と第二光導波路4とは、信号光又は励起光が入射される側では分岐されており、途中から重なり合った重なり部8とされている。信号光及び励起光の導波方向に沿った重なり部8の下流側先端部であって導波された信号光や励起光が出射される部位には、励起光を透過させず反射又は吸収し、及び、信号光のみを透過させるフィルタ9が取付けられている。
【0043】
また、第一光導波路3の入射側の部位と重なり部8の出射側の部位とには、信号光に対する無反射コーティング膜10が設けられている。
【0044】
ここで、導波路型光増幅器1の製造方法について説明する。まず、Al2O3の基板2の上に、Al2O3に対してTiイオンをドープした層を形成する。この層の形成は、パルスレーザデポジション法、反応性クラスタービームデポジション法等が知られている。さらに、マスクを用いた気相エッチング法等により、第一光導波路3を形成する。第一光導波路3を形成した後、同様の手法で第二光導波路4を形成する。
【0045】
このような構成において、光源用半導体レーザ5から出射された信号光は、第一光導波路3内を導波され、重なり部8において第二光導波路4と重なり合った後も第一光導波路3と第二光導波路4との屈折率の差によって第一光導波路3の部分のみを導波し、導波方向に沿った重なり部8の下流側先端部から出射される。
【0046】
また、励起用レーザ6から出射された励起光は、第二光導波路4内を導波され、重なり部8においては第二光導波路4と第一光導波路3とを導波され、導波方向に沿った重なり部8の下流側先端部から出射される。
【0047】
ここで、第二光導波路4を励起光が導波されることにより、第二光導波路4中の活性ドーパントが励起光を吸収して活性化され、高エネルギー状態となる。そして、活性ドーパントが活性化されているときに、信号光が第一光導波路3中を導波されることにより、重なり部8において、信号光による誘導によって活性化されている活性ドーパントから信号光と同じ波長の光が放出され、放出された光により信号光が増幅される。
【0048】
第二光導波路4は、励起光の導波方向と直交する方向の断面積、言い換えると、励起光の導波方向と直交する方向の空間強度分布が大きく設定されているので、励起光の光量を増やすることができるとともに信号光の増幅率を高めることができる。
【0049】
一方、第一光導波路3は、信号光の導波方向と直交する方向の断面積、言い換えると、信号光の導波方向と直交する方向の空間強度分布が小さく設定されているので、重なり部8の下流側端部から出射された信号光のスポット径を小さくし、信号光の精度を維持することができる。
【0050】
つまり、本実施の形態の導波路型光増幅器1を用いれば、信号光の出射面でのスポット径を小さくできるとともに、励起光の光量を増やして信号光の増幅率を高めることができる。
【0051】
また、本実施の形態では、第一光導波路3の入射側の部位と重なり部8の出射側の部位とに、信号光に対する無反射コーティング膜10が設けられているので、第一光導波路3への信号光の入射時、重なり部8から信号光の出射時に信号光が反射されにくくなり、信号光の出力アップを図れる。
【0052】
また、本実施の形態では、重なり部8の出射側の部位にフィルタ9が取り付けられているので、励起光を除いた信号光のみを出射させることができ、信号光の精度がアップする。
【0053】
なお、本実施の形態では、第一光導波路3、第二光導波路4を形成する際に、Al2O3に対してTiイオンをドープした層を形成して行う場合を例に挙げて説明したが、この他に、CrイオンをAl2O3やLiSrAlF6等の材料にドープした層を形成して行うようにしてもよい。
【0054】
本発明の第二の実施の形態を図4及び図5に基づいて説明する。なお、図1ないし図3において説明した部分と同じ部分は同じ符号で示し、説明も省略する(以下の実施の形態でも同じ)。
【0055】
本実施の形態の導波路型光増幅器21の基本的構成は第一の実施の形態の導波路型光増幅器1と同じであり、この導波路型光増幅器21と第一の実施の形態の導波路型光増幅器1との相違する部分は、第一光導波路22と第二光導波路23とが基板24中に埋め込み型に形成されている点である。
【0056】
第一光導波路22は光源用半導体レーザ5(図1参照)から出射された信号光が入射されて導波される導波路であり、第二光導波路23は励起用レーザ6(図1参照)から出射された励起光が入射されて導波される導波路である。
【0057】
第一光導波路22と第二光導波路23とは、信号光又は励起光が入射される側では分岐されており、途中から重なり合った重なり部25とされている。信号光及び励起光の導波方向に沿った重なり部25の下流側先端部であって導波された信号光や励起光が出射されたる部位には、励起光を透過させず反射又は吸収し、及び、信号光のみを透過させるフィルタ9が取付けられている。
【0058】
第一光導波路22と第二光導波路23とには活性ドーパントがドープされている。第一光導波路22と第二光導波路23とのドープ領域の断面積、言い換えると、第一・第二光導波路22、23における信号光又は励起光が導波される領域である導波方向と直交する方向の空間強度分布が、第二光導波路23が第一光導波路22より大きく設定されている。また、活性ドーパントの濃度を比べると、第一光導波路22では高く、第二光導波路23では低く設定されている。また、この濃度の違いにより、第一光導波路22の屈折率が第二光導波路23の屈折率に比べて大きく設定されている。
【0059】
このような構成において、第二光導波路23を励起光が導波されることにより、第二光導波路23中の活性ドーパントが励起光を吸収して活性化され、高エネルギー状態となる。そして、活性ドーパントが活性化されているときに、信号光が第一光導波路22中を導波されることにより、重なり部25において、信号光による誘導によって活性化されている活性ドーパントから信号光と同じ波長の光が放出され、放出された光により信号光が増幅される。
【0060】
第二光導波路23は、励起光の導波方向と直交する方向の断面積、言い換えると、励起光の導波方向と直交する方向の空間強度分布が大きく設定されているので、励起光の光量を増やすることができるとともに信号光の増幅率を高めることができる。
【0061】
一方、第一光導波路22は、信号光の導波方向と直交する方向の断面積、言い換えると、信号光の導波方向と直交する方向の空間強度分布が小さく設定されているので、重なり部25の下流側端部から出射された信号光のスポット径を小さくし、信号光の精度を維持することができる。
【0062】
つまり、本実施の形態の導波路型光増幅器21を用いれば、信号光の出射面でのスポット径を小さくできるとともに、励起光の光量を増やして信号光の増幅率を高めることができる。
【0063】
本発明の第三の実施の形態を図6及び図7に基づいて説明する。本実施の形態の導波路型光増幅器31では、基板32内へ埋め込み型の第二光導波路34が形成され、その上に第一光導波路33が形成されている。
【0064】
第一光導波路33と第二光導波路34とは、信号光又は励起光が入射される側では分岐されており、途中から重なり合った重なり部35とされている。信号光及び励起光の導波方向に沿った重なり部35の下流側先端部であって導波された信号光や励起光が出射されたる部位には、励起光を透過させず反射又は吸収し、及び、信号光のみを透過させるフィルタ9が取付けられている。
【0065】
第一光導波路33と第二光導波路34とには活性ドーパントがドープされている。第一光導波路33と第二光導波路34とのドープ領域の断面積、言い換えると、第一・第二光導波路33、34における信号光又は励起光が導波される領域である導波方向と直交する方向の空間強度分布が、第二光導波路34が第一光導波路33より大きく設定されている。また、活性ドーパントの濃度を比べると、第一光導波路33では高く、第二光導波路34では低く設定されている。また、この濃度の違いにより、第一光導波路33の屈折率が第二光導波路34の屈折率に比べて大きく設定されている。
【0066】
このような構成において、第二光導波路34を励起光が導波されることにより、第二光導波路34中の活性ドーパントが励起光を吸収して活性化され、高エネルギー状態となる。そして、活性ドーパントが活性化されているときに、信号光が第一光導波路33中を導波されることにより、重なり部35において、信号光による誘導によって活性化されている活性ドーパントから信号光と同じ波長の光が放出され、放出された光により信号光が増幅される。
【0067】
第二光導波路34は、励起光の導波方向と直交する方向の断面積、言い換えると、励起光の導波方向と直交する方向の空間強度分布が大きく設定されているので、励起光の光量を増やすることができるとともに信号光の増幅率を高めることができる。
【0068】
一方、第一光導波路33は、信号光の導波方向と直交する方向の断面積、言い換えると、信号光の導波方向と直交する方向の空間強度分布が小さく設定されているので、重なり部35の下流側端部から出射された信号光のスポット径を小さくし、信号光の精度を維持することができる。
【0069】
つまり、本実施の形態の導波路型光増幅器31を用いれば、信号光の出射面でのスポット径を小さくできるとともに、励起光の光量を増やして信号光の増幅率を高めることができる。
【0070】
なお、上述した第一ないし第三の実施の形態では、第一光導波路3、22,33と第二光導波路4、23、34とに活性ドーパントをドープした場合を例に挙げて説明したが、第二光導波路4、23、34中の活性ドーパントを重なり部8、25、35のみに設けてもよい。
【0071】
また、活性ドーパントを第二光導波路4、23、34にのみ設けて第一光導波路3、22、33には設けない構成としてもよい。
【0072】
上述した各構成の導波路型光増幅器においても、励起光による活性ドーパントの活性化と、活性化された活性ドーパントから放出された光による信号光の増幅とが行われる。
【0073】
また、第一光導波路3、22、33と第二光導波路4、23、34とにおいては、第一光導波路3、22、33の屈折率を第二光導波路4、23、34より大きくするために活性ドーパントとは異なる材料のドーパントを加えることもできる。この場合のドーパントとしては、例えば、銀イオン、タリウム等を用いることができる。
【0074】
本発明の第四の実施の形態を図8に基づいて説明する。本実施の形態の導波路型光増幅器41では、基板42上に第一光導波路43と第二光導波路44とがX字状に形成されており、第一光導波路43と第二光導波路44とが重なり合う重なり部45は中央部にのみ存在する。即ち、第一光導波路43と第二光導波路44とは、信号光又は励起光が入射される側では分岐されており、途中に重なり部45が形成され、信号光及び励起光の導波方向に沿った重なり部45の下流側で第一光導波路43と第二光導波路44とに分岐されている。重なり部45より下流側の第一光導波路43における信号光が出射される部位には、励起光を透過させずに信号光のみを透過させるフィルタ9が取付けられている。
【0075】
本実施の形態でも上述した各導波路型光増幅器と同じように、第一光導波路43と第二光導波路44とにおける少なくとも重なり部45には活性ドーパントがドープされている。
【0076】
このような構成において、重なり部45を通過した信号光は第一光導波路43を導波され、重なり部45を通過した励起光は第一光導波路43と第二光導波路44とに分かれて導波される。
【0077】
このため、重なり部45を通過した後に第一光導波路43を導波されて信号光と共に出射される励起光の量が少なくなり、重なり部45を通過した後に第一光導波路43から出射される信号光の励起光に対するS/N比が向上し、フィルタ9による励起光の除去性能が高くなるので出射される信号光の品質が高くなる。
【0078】
なお、励起光による信号光の増幅は、上述した各実施の形態と同様に行われる。
【0079】
本発明の第五の実施の形態を図9に基づいて説明する。本実施の形態の導波路型光増幅器51では、基板52上に一つの第一光導波路53と複数の第二光導波路54とが形成されている。各第二光導波路54の入射側端部には、励起光を出射する励起用レーザ6がそれぞれ配置され、第一光導波路53の入射側端部には信号光を出射する光源用半導体レーザ5(図1参照)が配置されている。
【0080】
各第二光導波路54は第一光導波路53の周囲で合流され、第一光導波路53の周囲を囲んだ重なり部55が形成されている。
【0081】
本実施の形態でも上述した各導波路型光増幅器と同じように、第一光導波路53と第二光導波路54とにおける少なくとも重なり部55には活性ドーパントがドープされている。
【0082】
このような構成において、複数の第二光導波路54のそれぞれから励起光を入射することができ、信号光を増幅する励起光の光量を増加させることが可能となり、信号光の増幅率を高めることが可能となる。
【0083】
本発明の第六の実施の形態を図10に基づいて説明する。本実施の形態の導波路型光増幅器61では、基板62上に、第一光導波路63と、第二光導波路64とが形成され、第一光導波路63と第二光導波路64とが重なり合った重なり部65が形成されている。第一光導波路63は直線状に形成されている。第二光導波路64は、励起光の導波方向に沿った重なり部65の上流側である入射側が二本に分岐されており、二本の第二光導波路64は重なり部65の位置で合流し、合流した第二光導波路64は重なり部65の下流側において一本に合流した状態のまま第一光導波路63に対して分離されている。
【0084】
本実施の形態でも上述した各導波路型光増幅器と同じように、第一光導波路63と第二光導波路64とにおける少なくとも重なり部65には活性ドーパントがドープされている。
【0085】
このような構成において、本実施の形態の導波路型光増幅器61では、二本に分かれている第二光導波路64のそれぞれから励起光を入射させることができ、信号光を増幅する励起光の光量を増加させることが可能となり、信号光の増幅率を高めることができる。
【0086】
また、重なり部65を通過した信号光は第一光導波路63を導波され、重なり部65を通過した励起光は第一光導波路63と第二光導波路64とに分かれて導波される。
【0087】
このため、重なり部65を通過した後に第一光導波路63を導波されて信号光と共に出射される励起光の量が少なくなり、重なり部65を通過した後に第一光導波路63から出射される信号光の励起光に対するS/N比が向上し、フィルタ9による励起光の除去性能が高くなるので第一光導波路63から出射される信号光の品質が高くなる。
【0088】
本発明の第七の実施の形態を図11及び図12に基づいて説明する。本実施の形態の導波路型光増幅器71では、基板72上に直線状の第一光導波路73と、基板72上の第一光導波路73以外の部分を覆う平面型の第二光導波路74とが形成され、第一光導波路73の周囲には第二光導波路74が重なった重なり部75が形成されている。第二光導波路74の入射側端部には励起光を出射する複数の励起用レーザ6が配置されている。
【0089】
本実施の形態でも上述した各導波路型光増幅器と同じように、第一光導波路73と第二光導波路74とにおける少なくとも重なり部75には活性ドーパントがドープされている。
【0090】
このような構成において、複数の励起用レーザ6から励起光が出射され、信号光の増幅のために用いられる励起光の光量を増加させることができる。これにより、信号光の増幅率を高めることができる。
【0091】
本発明の第八の実施の形態を図13に基づいて説明する。本実施の形態の導波路型光増幅器81では、基板82上に、第一光導波路83と、第二光導波路84とが形成され、第一光導波路83と第二光導波路84とが重なり合った重なり部85が形成されている。
【0092】
第一光導波路83は、この第一光導波路83を導波される信号光の導波方向に沿った重なり部85より上流側である入射側が二本に分岐されており、二本の第一光導波路83は重なり部85の上流位置で合流し、合流した第一光導波路83は重なり部85の下流側においても一本に合流した状態を維持される。
【0093】
第二光導波路84は第六の実施の形態(図10)で説明した第二光導波路64と同じ構造であり、励起光の導波方向に沿った重なり部85の上流側である入射側が二本に分岐されており、重なり部85で合流した二本の第二光導波路84は、重なり部85の下流側において一本に合流した状態で第一光導波路83に対して分離されている。
【0094】
本実施の形態でも上述した各導波路型光増幅器と同じように、第一光導波路83と第二光導波路84とにおける少なくとも重なり部85には活性ドーパントがドープされている。
【0095】
このような構成において、分岐された第一光導波路83の入射側端部から同一波長で同一周期の信号光を入射することができ、その信号光を一つに合流させてから重なり部85で増幅することができる。これにより、信号光の出力アップを図ることができる。
【0096】
また、重なり部85を通過した励起光は第一光導波路83と第二光導波路84とに分かれて導波されるので、重なり部85を通過した後に第一光導波路83を導波されて信号光と共に出射される励起光の量が少なくなり、重なり部85を通過した後に第一光導波路83から出射される信号光の励起光に対するS/N比が向上し、フィルタ9による励起光の除去性能が高くなるので第一光導波路63から出射される信号光の品質が高くなる。
【0097】
本発明の第九の実施の形態を図14及び図15に基づいて説明する。本実施の形態の導波路型光増幅器91の基本的構造は第六の実施の形態(図10)の導波路型光増幅器61と同じであり、重なり部65にフィルタ92が設けられている。このフィルタ92は、装荷型グレーティングであり、励起光を透過させずに信号光を透過させる性能を有する。ここで、フィルタ92のグレーティングの間隔を、励起光の中心周波数に対応する第二光導波路64の導波モードが反射するように選ぶことで、励起光を反射させ、信号光を透過させることが可能となる。なお、フィルタ92としては、屈折率変調型グレーティングを用いることも可能である。
【0098】
本発明の第十の実施の形態を図16及び図17に基づいて説明する。本実施の形態の導波路型光増幅器94では、基板95上に第一光導波路96と第二光導波路97とが形成され、これらの第一光導波路96と第二光導波路97との重なり部98に、フィルタ99が設けられている。フィルタ99は、重なり部98を斜めに分離するように誘電体多層膜を挿入したものであり、フィルタ99の誘電体多層膜の各膜厚を、励起光の中心周波数に対応する第二光導波路97の導波モードが反射するように選ぶことで、励起光を反射させ、信号光を透過させることが可能となる。
【0099】
【発明の効果】
請求項1記載の発明の導波路型光増幅器によれば、励起光が導波される第二光導波路における励起光と直交する方向の空間強度分布が、信号光が導波される第一光導波路における信号光の導波方向と直交する方向の空間強度分布より大きく設定されているので、信号光の出射面でのスポット径を大きくすることなく励起光の光量を増やすことが可能になり、信号光の精度を維持しつつ信号光の増幅率を高めることができる。
【0100】
請求項2記載の発明によれば、請求項1記載の導波路型光増幅器において、前記第二光導波路中の前記活性ドーパントは、前記重なり部にのみ設けられているので、励起光が第二光導波路を導波されるときに、重なり部以外の部分で励起光が活性ドーパントに吸収されるということが起こらず、励起光は信号光の増幅が行われる領域である重なり部で活性ドーパントに効率よく吸収されることになり、励起光を信号光の増幅のために効率良く使用することができ、信号光の増幅を効率良く行うことができる。
【0101】
請求項3記載の発明によれば、請求項1記載の導波路型光増幅器において、前記第二光導波路中に前記活性ドーパントがドープされ、前記第一光導波路中には前記活性ドーパントがドープされていないので、第一光導波路を形成する際に活性ドーパントをドープし易い材料を用いる必要がなくなり、第一光導波路を形成する材料の選択幅を広くできるとともに製造コストを低減することができる。
【0102】
請求項4記載の発明によれば、請求項1記載の導波路型光増幅器において、前記第一光導波路中の前記活性ドーパントの濃度が前記第二光導波路中の前記活性ドーパントの濃度より高く設定されるとともに、この活性ドーパントの濃度により前記第一光導波路の屈折率が前記第二光導波路中の屈折率より高く設定されているので、第一光導波路と第二光導波路との屈折率を設定するために使用されるドーパントとして活性ドーパントを用いているので、活性ドーパントによる励起光の吸収率を高くして信号光の増幅率を向上させることができる。
【0103】
請求項5記載の発明によれば、請求項1記載の導波路型光増幅器において、前記第二光導波路に比べて屈折率が大きく設定された前記第一光導波路は、前記活性ドーパントに加えて高屈折率を生じさせるドーパントを含んでいるので、第一光導波路と第二光導波路との屈折率を変えるために第一光導波路には高屈折率を生じさせるドーパントを含んだ材料を使用すればよく、第一光導波路、第二光導波路の形成方法の自由度を高めることができる。
【0104】
請求項6記載の発明によれば、請求項1ないし5のいずれか一記載の導波路型光増幅器において、前記重なり部における前記信号光と前記励起光とが出射される部位に前記励起光を透過させずに前記信号光のみを透過させるフィルタが設けられているので、重なり部の出射側の部位からは励起光を除いた信号光のみを出射させることができる。
【0105】
請求項7記載の発明によれば、請求項1ないし5のいずれか一記載の導波路型光増幅器において、前記第一光導波路と前記第二光導波路とは、前記信号光と前記励起光との導波方向に沿った前記重なり部より下流側において前記第一光導波路と前記第二光導波路とに分離され、分離された後の前記第一光導波路における前記信号光が出射される部位に前記励起光を透過させずに前記信号光のみを透過させるフィルタが設けられているので、重なり部を通過した後に第一光導波路から出射される信号光の励起光に対するS/N比を向上させることができ、フィルタによる励起光の除去性能が高くなって出射される信号光の品質を高めることができる。
【0106】
請求項8記載の発明によれば、請求項1ないし5のいずれか一記載の導波路型光増幅器において、前記第二光導波路が複数設けられ、複数の前記第二光導波路が前記重なり部で合流されているので、第二光導波路を導波される励起光の光量を増加させることができ、信号光の増幅率を高めることができる。
【0107】
請求項9記載の発明によれば、請求項1ないし5のいずれか一記載の導波路型光増幅器において、前記励起光の導波方向に沿った前記重なり部の上流側に複数の前記第二光導波路が設けられ、前記励起光の導波方向に沿った重なり部の下流側において前記第一光導波路と前記第二光導波路とに分離されているので、第二光導波路を導波される励起光の光量を増加させることにより信号光の増幅率を高めることができ、また、重なり部を通過した後に第一光導波路から出射される信号光の励起光に対するS/N比を向上させることができる。
【0108】
請求項10記載の発明によれば、請求項1ないし5のいずれか一記載の導波路型光増幅器において、前記第二光導波路は平面型に形成されているので、第二光導波路を導波される励起光の光量を増加させることができ、信号光の増幅率を高めることができる。
【0109】
請求項11記載の発明によれば、請求項6ないし10のいずれか一記載の導波路型光増幅器において、前記信号光の導波方向に沿った前記重なり部の上流側にそれぞれ前記信号光出射部から出射された信号光が導波される複数の前記第一光導波路が設けられ、複数の前記第一光導波路が前記重なり部の上流側で合流されているので、複数の第一光導波路に同一波長で同一周期の信号光を入射することができ、第一光導波路を導波される信号光の出力アップを図ることができる。
【0110】
請求項12記載の発明によれば、請求項1ないし11のいずれか一記載の導波路型光増幅器において、前記重なり部に、前記励起光を導波させずに前記信号光を導波させるフィルタが設けられているので、このフィルタの設置位置の自由度を高めることができる。
【0111】
請求項13記載の発明によれば、請求項1ないし12のいずれか一記載の導波路型光増幅器において、前記第一光導波路又は前記重なり部における前記信号光が入射又は出射される部位に前記信号光に対する無反射コーティング膜が設けられているので、第一光導波路や重なり部に対する信号光の入射及び出射の効率が高くなり、信号光の出力アップを図ることができる。
【0112】
請求項14記載の発明によれば、請求項1ないし13のいずれか一記載の導波路型光増幅器において、前記基板が酸化物またはフッ化物により形成され、前記活性ドーパントとしてCrまたはTiが用いられているので、この組み合わせによって波長が0.6〜0.8μm付近の赤色から近赤外の波長領域の信号光の増幅を効果的に図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施の形態の導波路型光増幅器と光源用半導体レーザと励起用レーザとを示す斜視図である。
【図2】導波路型光増幅器を示す斜視図である。
【図3】その重なり部の断面図である。
【図4】本発明の第二の実施の形態の導波路型光増幅器を示す斜視図である。
【図5】その重なり部の断面図である。
【図6】本発明の第三の実施の形態の導波路型光増幅器を示す斜視図である。
【図7】その重なり部の断面図である。
【図8】本発明の第四の実施の形態の導波路型光増幅器を示す斜視図である。
【図9】本発明の第五の実施の形態の導波路型光増幅器を示す斜視図である。
【図10】本発明の第六の実施の形態の導波路型光増幅器を示す平面図である。
【図11】本発明の第七の実施の形態の導波路型光増幅器を示す平面図である。
【図12】その断面図である。
【図13】本発明の第八の実施の形態の導波路型光増幅器を示す平面図である。
【図14】本発明の第九の実施の形態の導波路型光増幅器を示す平面図である。
【図15】その重なり部の断面図である。
【図16】本発明の第十の実施の形態の導波路型光増幅器を示す平面図である。
【図17】その斜視図である。
【図18】従来例の導波路型光増幅器を示す斜視図である。
【符号の説明】
1 導波路型光増幅器
2 基板
3 第一光導波路
4 第二光導波路
5 信号光出射部
6 励起光出射部
8 重なり部
9 フィルタ
10 無反射コーティング膜
21 導波路型光増幅器
22 第一光導波路
23 第二光導波路
24 基板
25 重なり部
31 導波路型光増幅器
32 基板
33 第一光導波路
34 第二光導波路
35 重なり部
41 導波路型光増幅器
42 基板
43 第一光導波路
44 第二光導波路
45 重なり部
51 導波路型光増幅器
52 基板
53 第一光導波路
54 第二光導波路
55 重なり部
61 導波路型光増幅器
62 基板
63 第一光導波路
64 第二光導波路
65 重なり部
71 導波路型光増幅器
72 基板
73 第一光導波路
74 第二光導波路
75 重なり部
81 導波路型光増幅器
82 基板
83 第一光導波路
84 第二光導波路
85 重なり部
91 導波路型光増幅器
92 フィルタ
94 導波路型光増幅器
95 基板
96 第一光導波路
97 第二光導波路
98 重なり部
99 フィルタ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a waveguide type optical amplifier.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, various inventions have been proposed or put into practical use for a waveguide type optical amplifier in which signal light is amplified using pump light (for example, see Patent Document 1).
[0003]
The waveguide type optical amplifier disclosed in Patent Document 1 will be described with reference to FIG. This waveguide type
[0004]
In this waveguide type
[0005]
By the way, as for the diameter of the first
[0006]
On the other hand, with respect to the diameter of the second
[0007]
[Patent Document 1]
Japanese Patent No. 3001672 (FIG. 9)
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described waveguide type
[0009]
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a waveguide-type optical amplifier that can reduce the spot diameter on the emission surface of signal light and increase the amount of excitation light to increase the amplification factor of signal light.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The waveguide type optical amplifier according to the first aspect of the present invention is provided on a substrate, a first optical waveguide provided on the substrate, through which the signal light emitted from the signal light emitting unit is guided, and provided on the substrate. And a second optical waveguide through which the excitation light emitted from the excitation light emission unit is guided, and the refractive index of the first optical waveguide is set to be larger than the refractive index of the second optical waveguide, and The first optical waveguide and the second optical waveguide at least partially have an overlapping portion, and at least this overlapping portion is doped with an active dopant that is optically activated by the excitation light, and the second optical waveguide has The spatial intensity distribution in the direction orthogonal to the waveguide direction of the pump light is set to be larger than the spatial intensity distribution in the direction orthogonal to the waveguide direction of the signal light in the first optical waveguide.
[0011]
Therefore, the active dopant is activated by the excitation light guided through the second optical waveguide, and when the signal light passes through the overlapping portion, light having the same wavelength as the signal light is emitted from the activated light dopant. The signal light is amplified. Since the spatial intensity distribution in the direction orthogonal to the excitation light in the second optical waveguide is set to be larger than the spatial intensity distribution in the direction orthogonal to the guiding direction of the signal light in the first optical waveguide, the emission surface of the signal light It is possible to increase the light amount of the excitation light without increasing the spot diameter in the above, and it is possible to increase the amplification factor of the signal light while maintaining the accuracy of the signal light.
[0012]
According to a second aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to the first aspect, the active dopant in the second optical waveguide is provided only in the overlapping portion.
[0013]
Therefore, when the pumping light is guided through the second optical waveguide, the pumping light is not absorbed by the active dopant in a portion other than the overlapping portion, and the pumping light is in a region where the signal light is amplified. The active dopant is efficiently absorbed at a certain overlap portion. As a result, the pump light is efficiently used for amplifying the signal light, and the signal light is efficiently amplified. In addition, since the excitation light is not absorbed in portions other than the overlapping portion in the second optical waveguide, even if the length of the second optical waveguide is increased, the excitation light is hardly attenuated, and the degree of freedom of the layout of the second optical waveguide is reduced. Get higher.
[0014]
According to a third aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to the first aspect, the active dopant is doped in the second optical waveguide, and the active dopant is not doped in the first optical waveguide. .
[0015]
Therefore, when forming the first optical waveguide, it is not necessary to use a material which is easy to dope the active dopant, and the selection range of the material for forming the first optical waveguide is widened. Reduced.
[0016]
According to a fourth aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to the first aspect, the concentration of the active dopant in the first optical waveguide is set higher than the concentration of the active dopant in the second optical waveguide. At the same time, the refractive index of the first optical waveguide is set higher than the refractive index of the second optical waveguide by the concentration of the active dopant.
[0017]
Therefore, since the active dopant is used as a dopant used to set the refractive index of the first optical waveguide and the second optical waveguide, the absorption of the excitation light by the active dopant is increased, and the amplification of the signal light is performed. The rate is improved.
[0018]
According to a fifth aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to the first aspect, the first optical waveguide having a higher refractive index than the second optical waveguide has a high refractive index in addition to the active dopant. It contains a dopant that produces a rate.
[0019]
Therefore, in order to change the refractive index between the first optical waveguide and the second optical waveguide, a material containing a dopant that produces a high refractive index may be used for the first optical waveguide. The degree of freedom in the method of forming the waveguide is increased.
[0020]
According to a sixth aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to any one of the first to fifth aspects, the pumping light is transmitted through a portion of the overlapping portion where the signal light and the pumping light are emitted. A filter that allows only the signal light to pass therethrough is provided.
[0021]
Therefore, only the signal light excluding the excitation light can be emitted from the portion on the emission side of the overlapping portion.
[0022]
Here, in the present invention and the following invention, "not transmit the excitation light" means that the excitation light is reflected or absorbed, and as a result, the excitation light is not transmitted.
[0023]
According to a seventh aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to any one of the first to fifth aspects, the first optical waveguide and the second optical waveguide are configured to guide the signal light and the pump light. The first optical waveguide and the second optical waveguide are separated on the downstream side from the overlapping portion along the wave direction, and the excitation is performed at a portion where the signal light is emitted in the separated first optical waveguide. A filter is provided for transmitting only the signal light without transmitting light.
[0024]
Therefore, after the signal light and the pumping light overlap in the overlapping portion, the pumping light that has passed through the overlapping portion is guided separately to the first optical waveguide and the second optical waveguide, and the signal light that has passed through the overlapping portion Most of the light is guided through the first optical waveguide and emitted. Therefore, the amount of the excitation light guided through the first optical waveguide after passing through the overlapping portion and emitted together with the signal light is reduced, and the excitation of the signal light emitted from the first optical waveguide after passing through the overlapping portion is reduced. The S / N ratio with respect to light is improved, the performance of removing the excitation light by the filter is increased, and the quality of the emitted signal light is increased.
[0025]
According to an eighth aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to any one of the first to fifth aspects, a plurality of the second optical waveguides are provided, and the plurality of the second optical waveguides are joined at the overlapping portion. ing.
[0026]
Therefore, it is possible to increase the amount of the excitation light guided through the second optical waveguide, and to increase the amplification factor of the signal light.
[0027]
According to a ninth aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to any one of the first to fifth aspects, a plurality of the second optical waveguides are provided on an upstream side of the overlapping portion along a waveguide direction of the pump light. Is provided, and is separated into the first optical waveguide and the second optical waveguide on the downstream side of the overlapping portion along the waveguide direction of the excitation light.
[0028]
Therefore, it is possible to increase the amount of the excitation light guided through the second optical waveguide and to increase the amplification factor of the signal light. Further, the amount of the excitation light guided through the first optical waveguide after passing through the overlapping portion is reduced, and the S / N ratio of the signal light emitted from the first optical waveguide after passing through the overlapping portion to the excitation light is reduced. improves.
[0029]
According to a tenth aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to any one of the first to fifth aspects, the second optical waveguide is formed to be planar.
[0030]
Therefore, it is possible to increase the amount of the excitation light guided through the second optical waveguide, and to increase the amplification factor of the signal light.
[0031]
According to an eleventh aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to any one of the sixth to tenth aspects, each of the signal light emitting units is provided on the upstream side of the overlapping portion along the signal light guiding direction. A plurality of the first optical waveguides through which the emitted signal light is guided are provided, and the plurality of the first optical waveguides are joined on the upstream side of the overlapping portion.
[0032]
Therefore, the signal light having the same wavelength and the same period can be incident on the plurality of first optical waveguides, and the output of the signal light guided through the first optical waveguide can be increased.
[0033]
According to a twelfth aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to any one of the first to eleventh aspects, a filter that guides the signal light without guiding the pumping light is provided in the overlapping portion. Have been.
[0034]
Therefore, the degree of freedom of the installation position of the filter for guiding the signal light without guiding the excitation light is increased.
[0035]
According to a thirteenth aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to any one of the first to twelfth aspects, the signal light is applied to a portion of the first optical waveguide or the overlapping portion where the signal light enters or exits. Is provided with a non-reflective coating film.
[0036]
Therefore, the efficiency of the signal light entering and exiting the first optical waveguide and the overlapping portion is increased, and the output of the signal light can be increased.
[0037]
According to a fourteenth aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to any one of the first to thirteenth aspects, the substrate is formed of an oxide or a fluoride, and Cr or Ti is used as the active dopant. .
[0038]
Therefore, by combining the substrate with an oxide or a fluoride and using Cr or Ti as an active dopant, the effect of amplifying the signal light in the wavelength region from red to near infrared having a wavelength of about 0.6 to 0.8 μm is obtained. It can be aimed at.
[0039]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The waveguide type optical amplifier 1 of the present embodiment is formed by a
[0040]
The
[0041]
The first
[0042]
The first
[0043]
An
[0044]
Here, a method for manufacturing the waveguide optical amplifier 1 will be described. First, Al 2 O 3 Al on the
[0045]
In such a configuration, the signal light emitted from the semiconductor laser for
[0046]
Excitation light emitted from the
[0047]
Here, when the excitation light is guided through the second
[0048]
The second
[0049]
On the other hand, the first
[0050]
That is, by using the waveguide type optical amplifier 1 of the present embodiment, the spot diameter on the emission surface of the signal light can be reduced, and the amount of the excitation light can be increased to increase the amplification factor of the signal light.
[0051]
Further, in the present embodiment, the
[0052]
Further, in the present embodiment, since the filter 9 is attached to a portion on the emission side of the overlapping portion 8, only the signal light excluding the excitation light can be emitted, and the accuracy of the signal light is improved.
[0053]
In the present embodiment, when forming the first
[0054]
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted (the same applies to the following embodiments).
[0055]
The basic configuration of the waveguide type
[0056]
The first
[0057]
The first
[0058]
The first
[0059]
In such a configuration, when the excitation light is guided through the second
[0060]
The second
[0061]
On the other hand, the first
[0062]
That is, by using the waveguide type
[0063]
A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the waveguide type
[0064]
The first
[0065]
The first
[0066]
In such a configuration, when the excitation light is guided through the second
[0067]
The second
[0068]
On the other hand, the first
[0069]
That is, by using the waveguide type
[0070]
In the first to third embodiments, the case where the first
[0071]
Further, a configuration may be adopted in which the active dopant is provided only in the second
[0072]
Also in the waveguide type optical amplifier having the above-described configuration, activation of the active dopant by the excitation light and amplification of the signal light by the light emitted from the activated active dopant are performed.
[0073]
Further, in the first
[0074]
A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the waveguide type
[0075]
In this embodiment, at least the overlapping
[0076]
In such a configuration, the signal light that has passed through the overlapping
[0077]
Therefore, the amount of the excitation light guided through the first
[0078]
The amplification of the signal light by the pump light is performed in the same manner as in the above-described embodiments.
[0079]
A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the waveguide type
[0080]
Each of the second
[0081]
In this embodiment, at least the overlapping
[0082]
In such a configuration, the excitation light can be incident from each of the plurality of second
[0083]
A sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the waveguide type
[0084]
In the present embodiment, at least the overlapping
[0085]
In such a configuration, in the waveguide type
[0086]
The signal light that has passed through the overlapping
[0087]
Therefore, the amount of the excitation light guided through the first
[0088]
A seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the waveguide type optical amplifier 71 of the present embodiment, a linear first
[0089]
In this embodiment, at least the overlapping
[0090]
In such a configuration, the excitation light is emitted from the plurality of
[0091]
An eighth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the waveguide type
[0092]
The first
[0093]
The second
[0094]
Also in the present embodiment, at least the overlapping
[0095]
In such a configuration, the signal light having the same wavelength and the same period can be incident from the incident side end of the branched first
[0096]
In addition, since the excitation light that has passed through the overlapping
[0097]
A ninth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The basic structure of a waveguide type optical amplifier 91 of the present embodiment is the same as that of the waveguide type
[0098]
A tenth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the waveguide type
[0099]
【The invention's effect】
According to the waveguide type optical amplifier of the first aspect of the present invention, the spatial intensity distribution in the direction orthogonal to the pumping light in the second optical waveguide through which the pumping light is guided is determined by the first optical waveguide through which the signal light is guided. Since the spatial intensity distribution is set to be larger than the spatial intensity distribution in the direction orthogonal to the waveguide direction of the signal light in the wave path, it is possible to increase the amount of excitation light without increasing the spot diameter on the emission surface of the signal light, The amplification factor of the signal light can be increased while maintaining the accuracy of the signal light.
[0100]
According to the second aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to the first aspect, since the active dopant in the second optical waveguide is provided only in the overlapping portion, the pumping light is emitted from the second optical waveguide. When guided through the optical waveguide, the excitation light is not absorbed by the active dopant in portions other than the overlapping portion, and the excitation light is applied to the active dopant in the overlapping portion where signal light is amplified. Since the pump light is efficiently absorbed, the pump light can be used efficiently for amplifying the signal light, and the signal light can be efficiently amplified.
[0101]
According to the third aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to the first aspect, the active dopant is doped in the second optical waveguide, and the active dopant is doped in the first optical waveguide. Since the first optical waveguide is not formed, it is not necessary to use a material which is easily doped with an active dopant when forming the first optical waveguide, so that it is possible to widen the selection range of the material forming the first optical waveguide and to reduce the manufacturing cost.
[0102]
According to the fourth aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to the first aspect, the concentration of the active dopant in the first optical waveguide is set higher than the concentration of the active dopant in the second optical waveguide. In addition, since the refractive index of the first optical waveguide is set higher than the refractive index in the second optical waveguide by the concentration of the active dopant, the refractive indices of the first optical waveguide and the second optical waveguide are reduced. Since the active dopant is used as the dopant used for setting, the absorptance of the excitation light by the active dopant can be increased, and the amplification factor of the signal light can be improved.
[0103]
According to the fifth aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to the first aspect, the first optical waveguide whose refractive index is set to be larger than that of the second optical waveguide is added to the active dopant. Since the first optical waveguide contains a dopant that produces a high refractive index, a material containing a dopant that produces a high refractive index may be used for the first optical waveguide to change the refractive index between the first optical waveguide and the second optical waveguide. The degree of freedom of the method of forming the first optical waveguide and the second optical waveguide can be increased.
[0104]
According to a sixth aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to any one of the first to fifth aspects, the pumping light is applied to a portion of the overlapping portion where the signal light and the pumping light are emitted. Since the filter that transmits only the signal light without transmitting the filter is provided, only the signal light excluding the excitation light can be emitted from a portion on the emission side of the overlapping portion.
[0105]
According to a seventh aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to any one of the first to fifth aspects, the first optical waveguide and the second optical waveguide include the signal light, the pump light, The first optical waveguide and the second optical waveguide are separated on the downstream side from the overlapping portion along the waveguide direction, and the portion where the signal light in the first optical waveguide after being separated is emitted. Since the filter that transmits only the signal light without transmitting the excitation light is provided, the S / N ratio of the signal light emitted from the first optical waveguide to the excitation light after passing through the overlapping portion is improved. As a result, the performance of removing the excitation light by the filter is improved, and the quality of the emitted signal light can be improved.
[0106]
According to an eighth aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to any one of the first to fifth aspects, a plurality of the second optical waveguides are provided, and the plurality of the second optical waveguides are arranged in the overlapping portion. Since they are merged, the amount of excitation light guided through the second optical waveguide can be increased, and the amplification factor of signal light can be increased.
[0107]
According to the ninth aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to any one of the first to fifth aspects, a plurality of the second optical amplifiers are provided on the upstream side of the overlapping portion along the waveguide direction of the pump light. Since the optical waveguide is provided and is separated into the first optical waveguide and the second optical waveguide on the downstream side of the overlapping portion along the waveguide direction of the excitation light, the light is guided through the second optical waveguide. By increasing the amount of excitation light, the amplification factor of signal light can be increased, and the S / N ratio of signal light emitted from the first optical waveguide after passing through the overlapping portion to the excitation light can be improved. Can be.
[0108]
According to the tenth aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to any one of the first to fifth aspects, since the second optical waveguide is formed to be planar, the second optical waveguide is guided. It is possible to increase the amount of excitation light to be emitted, and to increase the amplification factor of signal light.
[0109]
According to an eleventh aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to any one of the sixth to tenth aspects, the signal light emission is provided on the upstream side of the overlapping portion along the signal light guiding direction. A plurality of the first optical waveguides through which the signal light emitted from the portion is guided are provided, and the plurality of the first optical waveguides are merged on the upstream side of the overlapping portion. And the signal light having the same wavelength and the same period can be incident on the first optical waveguide, and the output of the signal light guided through the first optical waveguide can be increased.
[0110]
According to a twelfth aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to any one of the first to eleventh aspects, a filter that guides the signal light without guiding the pumping light in the overlapping portion. Is provided, the degree of freedom of the installation position of the filter can be increased.
[0111]
According to the invention of claim 13, in the waveguide type optical amplifier according to any one of claims 1 to 12, the first optical waveguide or the overlapping portion has the signal light incident or emitted at a portion thereof. Since the anti-reflection coating film for the signal light is provided, the efficiency of the incidence and emission of the signal light to the first optical waveguide and the overlapping portion is increased, and the output of the signal light can be increased.
[0112]
According to a fourteenth aspect of the present invention, in the waveguide type optical amplifier according to any one of the first to thirteenth aspects, the substrate is formed of an oxide or a fluoride, and Cr or Ti is used as the active dopant. Therefore, by this combination, it is possible to effectively amplify the signal light in the wavelength region from red to near infrared having a wavelength of about 0.6 to 0.8 μm.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a waveguide type optical amplifier, a light source semiconductor laser, and a pumping laser according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing a waveguide type optical amplifier.
FIG. 3 is a cross-sectional view of the overlapping portion.
FIG. 4 is a perspective view showing a waveguide type optical amplifier according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view of the overlapping portion.
FIG. 6 is a perspective view showing a waveguide type optical amplifier according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view of the overlapping portion.
FIG. 8 is a perspective view showing a waveguide type optical amplifier according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a perspective view showing a waveguide type optical amplifier according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a plan view showing a waveguide type optical amplifier according to a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a plan view showing a waveguide type optical amplifier according to a seventh embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a sectional view of the same.
FIG. 13 is a plan view showing a waveguide type optical amplifier according to an eighth embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a plan view showing a waveguide type optical amplifier according to a ninth embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a sectional view of the overlapping portion.
FIG. 16 is a plan view showing a waveguide type optical amplifier according to a tenth embodiment of the present invention.
FIG. 17 is a perspective view of FIG.
FIG. 18 is a perspective view showing a conventional waveguide type optical amplifier.
[Explanation of symbols]
1 Waveguide optical amplifier
2 substrate
3 First optical waveguide
4 Second optical waveguide
5 Signal light emitting part
6 Excitation light emission section
8 Overlap
9 Filter
10. Non-reflective coating film
21 Waveguide Optical Amplifier
22 First optical waveguide
23 Second optical waveguide
24 substrates
25 Overlap
31 Waveguide Optical Amplifier
32 substrates
33 First Optical Waveguide
34 Second Optical Waveguide
35 Overlap
41 Waveguide Optical Amplifier
42 substrate
43 First Optical Waveguide
44 Second optical waveguide
45 Overlap
51 Waveguide Optical Amplifier
52 substrate
53 first optical waveguide
54 Second Optical Waveguide
55 Overlap
61 Waveguide Optical Amplifier
62 substrate
63 First optical waveguide
64 Second optical waveguide
65 Overlap
71 Waveguide Optical Amplifier
72 substrate
73 First Optical Waveguide
74 Second optical waveguide
75 Overlap
81 Waveguide Optical Amplifier
82 substrate
83 First Optical Waveguide
84 Second optical waveguide
85 Overlap
91 Waveguide Optical Amplifier
92 Filter
94 Waveguide Optical Amplifier
95 substrate
96 First optical waveguide
97 Second optical waveguide
98 Overlap
99 Filter
Claims (14)
前記基板上に設けられ、信号光出射部から出射された信号光が導波される第一光導波路と、
前記基板上に設けられ、励起光出射部から出射された励起光が導波される第二光導波路と、
を有し、
前記第一光導波路の屈折率が前記第二光導波路の屈折率より大きく設定され、
前記第一光導波路と前記第二光導波路とが少なくとも一部に重なり部を有して少なくともこの重なり部に前記励起光により光学的に活性化される活性ドーパントがドープされ、
前記第二光導波路の前記励起光の導波方向と直交する方向の空間強度分布が前記第一光導波路の前記信号光の導波方向と直交する方向の空間強度分布より大きく設定されている導波路型光増幅器。Board and
A first optical waveguide provided on the substrate, through which the signal light emitted from the signal light emitting unit is guided,
A second optical waveguide provided on the substrate, through which excitation light emitted from the excitation light emission unit is guided,
Has,
The refractive index of the first optical waveguide is set to be larger than the refractive index of the second optical waveguide,
The first optical waveguide and the second optical waveguide at least partially have an overlapping portion, and at least the overlapping portion is doped with an active dopant that is optically activated by the excitation light,
A guide in which the spatial intensity distribution of the second optical waveguide in the direction orthogonal to the waveguide direction of the excitation light is set to be larger than the spatial intensity distribution of the first optical waveguide in the direction orthogonal to the waveguide direction of the signal light. Waveguide optical amplifier.
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