JP2004273636A - Method for cleaning substrate, process for producing semiconductor device, and equipment for cleaning substrate - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板清浄方法及び半導体装置の製造方法、並びに基板清浄装置に係り、特に、プローブ検査でパッド電極に生じたカエリを除去するウエーハ清浄方法及び半導体装置の製造方法、並びにウエーハ清浄装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、パソコンや携帯端末等の電子機器の小型化に伴って、これらの電子機器内での半導体装置の実装密度はますます向上しつつある。最近では、ICチップとほぼ同等の大きさの超小型パッケージが普及しつつあり、半導体装置の実装密度を高めている。このような超小型パッケージの一例として、W―CSPが挙げられる。
【0003】
図9(A)は、W―CSP型の半導体装置50の構成例を示す断面図である。図9(A)において、49はシリコンウエーハ、53はアルミニウム合金で構成されるパッド電極、55はパッシベーション膜、57は再配線層、59はソルダーレジスト、61はボール電極(外部端子)、63はエポキシ樹脂である。図9(A)におけるシリコンウエーハ49の上面(素子形成面)には、MOSトランジスタ等の回路素子(図示せず)が複数形成されている。
【0004】
図9(A)に示すW―CSPの特徴として、再配線層57をウエーハ工程(前工程)で形成する点が挙げられる。この再配線層57は、パッシベーション膜55やパッド電極53上に、スパッタ及び電界めっき等によってCu等の金属薄膜が形成され、この金属薄膜がフォトリソグラフィによってパターニングされたものである。このため、パッド電極と外部端子間の接続をボンディングワイヤーで行なう場合と比べて、パッケージの厚みは格段に薄くなっている。
【0005】
このような半導体装置50において、シリコンウエーハ49に設けられた回路素子の電気的特性を検査(以下で、プローブ検査という)する場合には、図9(B)に示すように、再配線層を形成する前にパッド電極53にプローブ針30を接触させる。そして、これらのプローブ針30を介してパッド電極53に所定の電気信号を入力し、この入力信号に対する回路素子の出力信号を得る。この出力信号に基づいて回路素子の電気的特性を判定する。
【0006】
ところで、アルミニウムは常温大気下で極めて酸化し易いという化学的性質を有するので、プローブ検査前のパッド電極53は、その表面が薄い自然酸化膜(AlXOY)によって覆われている。この自然酸化膜は絶縁性なので、プローブ針30とパッド電極5との電気的接続の障害となる。
このため、半導体装置50をプローブ検査する場合には、図10に示すように、プローブ針30をパッド電極53に接触させて、その表面にある自然酸化膜を削り取る。この削り取った自然酸化膜は、そのままパッド電極53やパッシベーション膜55上に放置すると、図9(A)に示した再配線層57を所定のパターンに形成することができず、再配線層の導通不良等を招いてしまうおそれがある。
【0007】
そこで、プローブ検査後に、パッド電極を含むシリコンウエーハ(以下で、ウエーハという)49上に純水を噴射して、削り取った自然酸化膜を除去する。ウエーハ49に対する純水の噴射圧は、ゲート絶縁膜等を静電破壊しない程度の圧力範囲に設定される。
【0008】
【特許文献1】
特開平10−268242号公報
【特許文献2】
特開平4−354145号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来技術では、半導体装置50をプローブ検査した後に、パッド電極53を含むウエーハ49上に純水を噴射して、プローブ針で削り取った自然酸化膜を除去していた。しかしながら、図10に示すように、プローブ針で削り取った自然酸化膜の一部は、パッド電極53から完全に分離せずにカエリ(切起)71として残る場合がある。
【0010】
このようなカエリ71は、純水の噴射では除去することができなかった。また、このようなカエリ71をパッド電極53に残したまま再配線層57を形成すると、再配線層57とパッド電極53との密着性が低下してしまうおそれがあった。再配線層57とパッド電極53との密着性が低下してしまうと、半導体装置50の信頼性が低下してしまう。
【0011】
そこで、この発明は、このような従来技術の問題点を解決したものであって、プローブ検査によって基板の素子形成面にカエリが生じた場合でも、このカエリを除去できるようにした基板清浄方法及び半導体装置の製造方法、並びに基板清浄装置の提供を目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記した課題を解決するために、本発明に係る第1の基板清浄方法は、複数の回路素子が一体に形成されてなる基板の素子形成面に探針を接触させて当該回路素子の電気的特性を検査した後に、外周面に粘着材を有するローラーをこの基板の素子形成面に接触させて転動させることを特徴とするものである。
【0013】
また、本発明に係る第2の基板清浄方法は、上述した第1の基板清浄方法において、ローラーを基板の素子形成面に接触させて転動させた後に、当該素子形成面をウエット洗浄することを特徴とするものである。
ここで、基板に形成された回路素子の電気的特性の検査(プローブ検査)は、通常、回路素子のパッド電極等に探針を接触させて行なう。そして、このプローブ検査では、探針によってパッド電極の表層部分が削られ、削られた表層部分のうち、一部はパッド電極から完全に分離して基板の素子形成面に拡がり、他の一部はパッド電極から完全に分離せずにカエリとして残る。
【0014】
本発明に係る第1、第2の基板清浄方法によれば、外周面に粘着材を有するローラーがパッド電極に接触すると、このパッド電極上のカエリはローラーの外周面に粘着される。そして、この外周面に粘着されたカエリはローラーの転動によってパッド電極から引き剥がされる。従って、基板の素子形成面に生じたカエリを取り除くことができる。
【0015】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上述した第1又は第2の基板清浄方法を、回路素子の電気的特性を検査する工程と、この回路素子をパッケージングする工程との間で行なうことを特徴とするものである。
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、プローブ検査工程で基板の素子形成面にカエリが生じた場合でも、このカエリを取り除くことができる。従って、プローブ検査後の素子形成面に配線パターンを密着性良く形成することができ、半導体装置の信頼性向上に寄与することができる。
【0016】
本発明に係る第1の基板清浄装置は、複数の回路素子が一体に形成されてなる基板の素子形成面を清浄する装置であって、この基板を素子形成面の反対側から支持する支持手段と、この支持手段によって支持される基板の素子形成面に外周面が接触して転動するローラーとを備え、このローラーは外周面に粘着材を有することを特徴とするものである。
【0017】
また、本発明に係る第2の基板清浄装置は、上述した第1の基板清浄装置において、基板の素子形成面に外周面が接触して転動するローラーを第1ローラーとしたとき、支持手段は、この基板の素子形成面の反対側に外周面を接触させる第2ローラーを備え、この第2ローラーは、第1ローラーとで基板を挟んだ状態で転動することを特徴とするものである。
【0018】
さらに、本発明に係る第3の基板清浄装置は、上述した第2の基板清浄装置において、第2ローラーは、外周面に粘着材を有することを特徴とするものである。
本発明に係る第1〜第3の基板清浄装置によれば、外周面に粘着材を有するローラーが基板の素子形成面に接触すると、この素子形成面上の異物はローラーの外周面に粘着される。そして、この外周面に粘着された異物はローラーの転動によって素子形成面から分離させられる。従って、プローブ検査によって基板の素子形成面に生じたカエリを除去することができる。
【0019】
本発明に係る第4の基板清浄装置は、複数の回路素子が一体に形成されてなる基板の素子形成面を清浄する装置であって、この基板を素子形成面の反対側から支持する支持手段と、この支持手段によって支持される基板の素子形成面に外周面が接触して転動するローラーとを備え、このローラーは外周面にゴム系の樹脂材を有することを特徴とするものである。
【0020】
本発明に係る第4の基板清浄装置によれば、外周面にゴム系の樹脂材を有するローラーが基板の素子形成面に接触すると、この素子形成面上の異物はローラーの外周面に掛着される。そして、この外周面に掛着された異物はローラーの転動によって素子形成面から分離させられる。従って、プローブ検査によって基板の素子形成面に生じたカエリを除去することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態に係るウエーハ清浄方法及び半導体装置の製造方法、並びにウエーハ清浄装置について説明する。
(1)第1実施形態
図1は本発明の第1実施形態に係るウエーハ清浄装置100の構成例を示す平面図である。このウエーハ清浄装置100は、プローブ検査後のウエーハ49の素子形成面を清浄して、パッド電極上のカエリを除去する装置である。図1において、このウエーハ清浄装置100は、ウエーハ49を素子形成面の反対側から支持する支持手段10と、ウエーハ49の素子形成面に外周面が接触して転動する粘着ローラー1と、この粘着ローラー1をY方向から挟み込み、回転可能に支持する一対の軸受け20と、粘着ローラー1を上方から覆うフード25とを備えている。
【0022】
図2は、図1に示したウエーハ清浄装置100のX1―X2矢視断面図である。図2に示すように、支持手段10は、搬入側ステージ11と、搬出側ステージ13と、搬送用ローラー15とから構成されている。これらの支持手段10は、例えば図2のX方向に沿って配置されており、搬入側ステージ11は左側に配置され、搬出側ステージ13は右側に配置されている。搬送用ローラー15は、搬入側ステージ11と、搬出側ステージ13の間に配置されている。また、搬入側ステージ11と搬出側ステージ13、及び搬送用ローラー15はそれぞれの上面がほぼ同一の高さとなるように、それぞれの位置が調整されている。
【0023】
搬入側ステージ11と搬出側ステージ13の形状は例えば長方体であり、その本体がステンレス等の金属で構成されている。また、搬入側ステージ11と搬出側ステージ13のウエーハ49が載置される面は特に平坦加工されており、その表面にはフッ素樹脂等の低摩擦性樹脂(図示せず)が塗布されている。
搬送用ローラー15は、軸15Aと、円筒体15Bと、ゴム15Cとから構成されている。軸15Aは、図2のY方向へ延びており、搬送用ローラー15をY方向から挟み込む軸受け20に回転可能に掛け渡されている。この軸15Aは、例えばステンレス等の金属製である。また、円筒体15Bは、図2のY方向に延びており、そのXZ断面の中心部はY方向へ延びる軸15Aによって貫かれている。この円筒体15Bは軸15Aに対して固定されている。円筒体15Bは、例えばステンレス等の金属製である。
【0024】
さらに、ゴム15Cは、この円筒体15Bの外周面に設けられている。図2に示すように、このゴム15Cの表面はウエーハ49の下面(素子形成面の反対側)と接触するようになっている。
一方、粘着ローラー1は、清浄されるウエーハ49を挟んで搬送用ローラー15の上方に設けられている。この粘着ローラー1は、軸1Aと、円筒体1Bと、粘着材1Cとから構成されている。軸1Aは、図2のY方向へ延びており、搬送用ローラー15をY方向から挟み込む軸受け20に回転可能に掛け渡されている。この軸1Aは図示しないモータ等によって、例えば図2の矢印方向(反時計回り)に回転するようになっている。この軸1Aは、例えばステンレス等の金属製である。
【0025】
また、円筒体1Bは、図2のY方向に延びており、そのXZ断面の中心部はY方向へ延びる軸1Aによって貫かれている。この円筒体1Bは軸1Aに対して固定されている。この円筒体1Bは、例えばステンレス等の金属製である。
さらに、粘着材1Cは、この円筒体1Bの外周面に設けられている。図2に示すように、この粘着材1Cの表面はウエーハ49の上面(素子形成面)と接触するようになっている。この粘着材1Cは、例えば水溶性であり、その粘着力はウエーハ49上からパッシベーション膜55(図9参照)を剥離させず、かつパッド電極上のカエリや削りカス等を粘着できる程度である。粘着ローラー1は、図1に示す軸受け20から簡単に脱着することができ、粘着材1Cを定期的に水洗いすることができる。
【0026】
このウエーハ清浄装置100では、図示しないモータの動力によって、粘着ローラー1が例えば反時計回りに回転すると、この粘着ローラー1と接触するウエーハ49は図2の右方向に送り出される。また、このウエーハ49の右方向への移動によって、このウエーハ49の下面と接触する搬送用ローラー15は時計回りに回転する。
【0027】
次に、このウエーハ清浄装置100を用いて、ウエーハ49のプローブ検査後の素子形成面を清浄する方法について説明する。
図6(A)及び(B)、図7はウエーハ49の清浄例(その1、2)を示す行程図である。ここでは、プローブ検査によって、ウエーハ49の素子形成面に図10に示したようなカエリ71や削りカスが生じた場合を想定している。
【0028】
まず始めに、図2に示した粘着ローラー1を図示しないモータの動力によって、反時計回りに回転させておく。また、搬入側ステージ11上に、図6(A)に示すウエーハ49を載置する。
次に、このウエーハ49を図2に示した粘着ローラー1側に進めて、粘着ローラー1と搬送用ローラー15との間に挟み込む。この挟み込みの操作は、オペレータによるマニュアル操作で行なう。ウエーハ清浄装置100では、粘着ローラー1はフード25で覆われているので、オペレータによるマニュアル操作の場合でも指先等を粘着ローラー1と搬送用ローラーとの間に挟み込むおそれがなく、安全に操作できる。粘着ローラー1と搬送用ローラー15との間に挟み込まれたウエーハ49は、このウエーハ49に対する粘着ローラー1の相対的な転動によって、搬入側ステージ11から搬出側ステージ13に送り出される。
【0029】
また、この送り出しの過程で、図6(B)に示すように、粘着ローラー1はウエーハ49上の素子形成面に接触する。この接触によって、パッド電極53上のカエリ71や削りカスは粘着材1Cに粘着保持される。さらに、この粘着ローラー1のウエーハ49に対する相対的な転動によって、粘着材1Cに粘着保持されたカエリ71はパッド電極53から引き剥がされる。これにより、図7に示すように、ウエーハ49の素子形成面において、パッド電極53に生じていたカエリや、削りカスを除去することができる。
【0030】
次に、このウエーハ清浄装置100を用いてカエリを除去した後に、このウエーハ49を純水等で水洗いすることが望ましい。これには、理由が2つある。第1の理由は、粘着材1Cに粘着保持されていた削りカス等が、粘着ローラーの転動によって粘着材1Cから剥がれ落ち、ウエーハ49に再付着するおそれがあるからである。粘着材1Cは、ウエーハ49上からパッシベーション膜55(図9参照)を剥離させず、かつパッド電極上のカエリや削りカス等を粘着できる程度に粘着力が抑えられている。そのため、粘着材1Cから削りカス等が剥がれ落ちる可能性がある。
【0031】
また、第2の理由は、粘着材1Cがウエーハ49の素子形成面に残ってしまうおそれがあるからである。素子形成面に粘着材1Cを残したまま、このウエーハ49を次工程に流すと、その粘着材の種類によっては、次工程の製造装置を汚染する可能性がある。そこで、ウエーハ49を水洗いして、素子形成面に残った粘着材を除去する。
【0032】
このように、本発明の第1実施形態に係るウエーハ清浄装置100によれば、外周面に粘着材1Cを有する粘着ローラー1がウエーハ49のパッド電極53上に接触すると、このパッド電極53上のカエリ71は粘着ローラー1の外周面に粘着される。そして、この外周面に粘着されたカエリ71は粘着ローラー1の転動によってパッド電極から引き剥がされる。従って、プローブ検査によってパッド電極53に生じたからカエリ71や、削りカス等を除去することができる。
【0033】
また、パッド電極53からカエリ71が除去されるので、このパッド電極53上に再配線層57を密着性良く形成することができる。図9(A)に示したように、再配線層57を形成した後に、ソルダーレジスト59、ボール電極61、エポキシ樹脂63を順次形成する。そして、エポキシ樹脂63で素子形成面を樹脂封止されたウエーハ49をダイシングする。これにより、半導体装置50が完成する。
【0034】
この第1実施形態では、粘着ローラー1が本発明の第1ローラーに対応し、搬送用ローラー15が第2ローラーに対応している。また、パッド電極53を含むウエーハ49が本発明の基板に対応し、プローブ針30が本発明の探針に対応している。
なお、この第1実施形態では、図1の矢印で示したように、粘着ローラー1をウエーハ49に対して相対的に一方向にのみ移動(転動)させる場合について説明したが、粘着ローラー1の相対的な移動方向は、一方向に限られることはない。
【0035】
例えば、図8に示すように、ウエーハ清浄装置100の搬送方向に対して、ウエーハ49の向きを90度ずつ変えて、粘着ローラーの転動をそれぞれの向きから計4回行なっても良い。図8の矢印▲1▼〜▲4▼は、ウエーハ49に対する粘着ローラーの相対的な移動方向を示すものである。これにより、パッド電極53上のカエリをそれぞれ四方向から粘着することができ、カエリの向きに影響されずにこのカエリを除去することができる。
(2)第2実施形態
上述の第1実施形態では、支持手段10を、搬入側ステージ11と、搬出側ステージ13と、搬送用ローラー15とで構成する場合について説明したが、支持手段10の構成例はこれに限られることはない。
【0036】
図3は本発明の第2実施形態に係るウエーハ清浄装置200の構成例を示す断面図である。図3に示すウエーハ清浄装置200において、図2に示したウエーハ清浄装置100と同一な構造を有する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
図3に示すウエーハ清浄装置200では、支持手段10´が、搬入装置11´と、搬出装置13´と、搬送用ローラー15とから構成されている。例えば、搬入装置11´は図3の左側に配置され、搬出装置13´は図3の右側に配置され、搬送用ローラー15は、搬入装置11´と、搬出装置13´の間にそれぞれ配置されている。
【0037】
図3に示すように、搬入装置11´と搬出装置13´は、例えば一対の金属プーリ17と、この金属プーリ17に掛架された無端ベルト18とから構成されている。図3に示すように、搬入装置11´の一対の金属プーリ17が時計回りに回ることで無端ベルト18も時計回りに回り、ウエーハ49は粘着ローラー1及び15´の間に自動的に搬入される。また、この搬入装置11´と同様に、搬出装置13´の金属プーリ17と無端ベルト18も時計回りに回り、粘着ローラー1によってカエリが除去された後のウエーハ49は所定の位置まで自動的に搬出される。
【0038】
このウエーハ清浄装置200では、粘着ローラー1を回転させるモータ(図示せず)の回転速度と、搬入装置11´、搬出装置13´の金属プーリを回転させるモータ(図示せず)の回転速度とが調整されて、ウエーハ49の搬入位置から搬出位置まで、ウエーハ49は一定の速度で支持手段10´上を移動するようになっている。従って、ウエーハ清浄装置100と比べて、ウエーハ49の搬入、搬出操作を自動で行なうことができるので、オペレータの作業負荷を軽減することができ、便利である。
(3)第3実施形態
図4は、本発明の第3実施形態に係るウエーハ清浄装置300の構成例を示す断面図である。このウエーハ清浄装置300は、上述した第2実施形態に係るウエーハ清浄装置200において、搬送用ローラー15を粘着ローラー15´に変えたものである。従って、図4に示すウエーハ清浄装置300において、図3に示したウエーハ清浄装置200と同一な構造を有する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【0039】
図4に示すように、このウエーハ清浄装置300では、支持手段10´が、搬入装置11´と、搬出装置13´と、粘着ローラー15´とから構成されており、粘着ローラー15´は、搬入装置11´と搬出装置13´との間に配置されている。そして、粘着ローラー15´は、軸15Aと、円筒体15Bと、粘着材15C´とから構成されている。
【0040】
軸15Aは、軸受け20(図1参照)に回転可能に掛け渡されている。この軸15Aは、軸1Aとは異なりモータ等には接続されていない。また、円筒体15Bは中心部を軸15Aに貫かれた状態で、この軸15Aに固定されている。さらに、粘着材15C´は、円筒体15Bの外周面に設けられており、その表面がウエーハ49の下面と接触するようになっている。この粘着材15C´は、水溶性である。
【0041】
図4に示すウエーハ清浄装置300では、粘着ローラー1の反時計回りの回転をウエーハ49が受けて右方向に移動し、このウエーハ49の右方向への移動によって粘着ローラー15´が時計回りに回転する。従って、ウエーハ清浄装置100及び200と比べて、ウエーハ49の上面だけでなく、その下面(素子形成面の反対側)も清浄することができる。
(4)第4実施形態
上述の第1〜第3実施形態では、ウエーハ49の素子形成面側に粘着ローラー1を接触させ、この粘着ローラー1でパッド電極上のカエリを粘着し除去する場合について説明した。しかしながら、粘着ローラー1でなく、外周面にゴム系の樹脂材を有する樹脂ローラーでも、パッド電極上のカエリを除去することができる。
【0042】
図5は本発明の第4実施形態に係るウエーハ清浄装置400の構成例を示す断面図である。図4に示すウエーハ清浄装置400において、図1に示したウエーハ清浄装置100と同一な構造を有する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
このウエーハ清浄装置400では、上述した粘着ローラー1の代わりに、樹脂ローラー1´を備えている。この樹脂ローラー1´は、例えば、軸1Aと、円筒体1Bと、ゴム系樹脂1C´とから構成されている。
【0043】
ゴム系樹脂1C´は、円筒体1Bの外周面に設けられており、その表面はウエーハ49の素子形成面と接触するようになっている。このゴム系樹脂1C´の表面は例えば多孔性になっており、表面の孔部にパッド電極上のカエリや、削りカス等が掛かり易くなっている。
このウエーハ清浄装置400によれば、樹脂ローラー1´がウエーハ49の素子形成面に接触すると、パッド電極上のカエリはゴム系樹脂1C´に掛着される。そして、このゴム系樹脂1C´に掛着されたカエリは樹脂ローラー1´の転動によってパッド電極上から引き剥がされる。従って、上述したウエーハ清浄装置100と同様に、パッド電極上のカエリや、削りカス等を取り除くことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】ウエーハ清浄装置100の構成例を示す平面図。
【図2】ウエーハ清浄装置100の構成例を示すX1―X2矢視断面図。
【図3】ウエーハ清浄装置200の構成例を示す断面図。
【図4】ウエーハ清浄装置300の構成例を示す断面図。
【図5】ウエーハ清浄装置400の構成例を示す断面図。
【図6】ウエーハ49の清浄例(その1)を示す行程図。
【図7】ウエーハ49の清浄例(その2)を示す行程図。
【図8】ウエーハ49に対する粘着ローラー1の転動例を示す概念図。
【図9】半導体装置50におけるプローブ検査の一例。
【図10】パッド電極53上に生じたカエリ71の一例。
【符号の説明】
1 粘着ローラー、1A 軸、1B 円筒体、1C 粘着材、1´ 樹脂ローラー、1C´ ゴム系樹脂、10、10´ 支持手段、11 搬入側ステージ、11´ 搬入装置、13 搬出側ステージ、13´ 搬出装置、15 搬送用ローラー、15A 軸、15B 円筒体、15C ゴム、15´ 粘着ローラー、15C´ 粘着材、17 金属プーリ、18 無端ベルト、20 軸受け、25フード、30 プローブ針、49 シリコンウエーハ、50 半導体装置、53 パッド電極、55 パッシベーション膜、57 再配線層、59 ソルダーレジスト、61 ボール電極、63 エポキシ樹脂、71 カエリ、100、200、300、400 ウエーハ清浄装置[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for cleaning a substrate, a method for manufacturing a semiconductor device, and a substrate cleaning apparatus, and more particularly to a method for cleaning a wafer, a method for manufacturing a semiconductor device, and a method for cleaning a wafer, which removes burrs generated on a pad electrode in a probe test. Things.
[0002]
[Prior art]
In recent years, with the miniaturization of electronic devices such as personal computers and portable terminals, the mounting density of semiconductor devices in these electronic devices has been increasing more and more. Recently, ultra-small packages having almost the same size as IC chips have become widespread, and the mounting density of semiconductor devices has been increased. One example of such an ultra-small package is W-CSP.
[0003]
FIG. 9A is a cross-sectional view illustrating a configuration example of a W-
[0004]
A feature of the W-CSP illustrated in FIG. 9A is that the rewiring layer 57 is formed in a wafer process (previous process). The rewiring layer 57 is formed by forming a metal thin film such as Cu on the
[0005]
In such a
[0006]
By the way, since aluminum has a chemical property that it is very easily oxidized at normal temperature in the air, the surface of the
For this reason, when performing a probe test on the
[0007]
Therefore, after the probe inspection, pure water is sprayed onto a silicon wafer (hereinafter, referred to as a wafer) 49 including a pad electrode to remove the shaved natural oxide film. The injection pressure of the pure water with respect to the
[0008]
[Patent Document 1]
JP-A-10-268242 [Patent Document 2]
JP-A-4-354145 [0009]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the prior art, after performing a probe test on the
[0010]
[0011]
Therefore, the present invention is to solve such a problem of the prior art, and even if burrs are generated on the element formation surface of the substrate by the probe inspection, the substrate cleaning method and the burrs can be removed. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device manufacturing method and a substrate cleaning device.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problems, a first substrate cleaning method according to the present invention provides a method of cleaning a substrate, in which a probe is brought into contact with an element forming surface of a substrate on which a plurality of circuit elements are integrally formed. After inspecting the characteristics, a roller having an adhesive material on the outer peripheral surface is brought into contact with the element forming surface of the substrate and is rolled.
[0013]
Further, in the second substrate cleaning method according to the present invention, in the above-described first substrate cleaning method, the roller is brought into contact with the element forming surface of the substrate and rolled, and then the element forming surface is wet-cleaned. It is characterized by the following.
Here, inspection (probe inspection) of the electrical characteristics of the circuit element formed on the substrate is usually performed by bringing a probe into contact with a pad electrode or the like of the circuit element. In this probe inspection, the surface layer of the pad electrode is shaved by the probe, and part of the shaved surface layer is completely separated from the pad electrode and spreads on the element formation surface of the substrate, and the other part is cut off. Remains as burrs without completely separating from the pad electrode.
[0014]
According to the first and second substrate cleaning methods according to the present invention, when the roller having the adhesive on the outer peripheral surface contacts the pad electrode, the burrs on the pad electrode are adhered to the outer peripheral surface of the roller. Then, the burrs adhered to the outer peripheral surface are peeled off from the pad electrode by rolling of the roller. Therefore, burrs generated on the element formation surface of the substrate can be removed.
[0015]
In a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the above-described first or second substrate cleaning method is performed between a step of inspecting electrical characteristics of a circuit element and a step of packaging the circuit element. It is characterized by the following.
According to the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, even if burrs occur on the element formation surface of the substrate in the probe inspection step, the burrs can be removed. Therefore, a wiring pattern can be formed with good adhesion on the element formation surface after the probe test, which can contribute to improvement in reliability of the semiconductor device.
[0016]
A first substrate cleaning apparatus according to the present invention is an apparatus for cleaning an element forming surface of a substrate on which a plurality of circuit elements are integrally formed, and a supporting means for supporting the substrate from a side opposite to the element forming surface. And a roller whose outer peripheral surface is in contact with the element forming surface of the substrate supported by the supporting means and rolls, and the roller has an adhesive on the outer peripheral surface.
[0017]
In the second substrate cleaning apparatus according to the present invention, in the first substrate cleaning apparatus described above, when the first roller is a roller that rolls when the outer peripheral surface is in contact with the element forming surface of the substrate, Is provided with a second roller for bringing the outer peripheral surface into contact with the opposite side of the element formation surface of the substrate, and the second roller rolls while sandwiching the substrate with the first roller. is there.
[0018]
Further, a third substrate cleaning apparatus according to the present invention is characterized in that, in the above-described second substrate cleaning apparatus, the second roller has an adhesive material on an outer peripheral surface.
According to the first to third substrate cleaning apparatuses according to the present invention, when the roller having the adhesive on the outer peripheral surface contacts the element forming surface of the substrate, the foreign matter on the element forming surface is adhered to the outer peripheral surface of the roller. You. Then, the foreign matter adhered to the outer peripheral surface is separated from the element forming surface by rolling of the roller. Therefore, burrs generated on the element formation surface of the substrate by the probe inspection can be removed.
[0019]
A fourth substrate cleaning apparatus according to the present invention is an apparatus for cleaning an element forming surface of a substrate on which a plurality of circuit elements are integrally formed, and a supporting means for supporting the substrate from a side opposite to the element forming surface. And a roller whose outer peripheral surface is in contact with the element forming surface of the substrate supported by the support means and rolls, and the roller has a rubber-based resin material on the outer peripheral surface. .
[0020]
According to the fourth substrate cleaning apparatus of the present invention, when the roller having the rubber-based resin material on the outer peripheral surface contacts the element forming surface of the substrate, the foreign matter on the element forming surface is caught on the outer peripheral surface of the roller. Is done. Then, the foreign matter hung on the outer peripheral surface is separated from the element formation surface by the rolling of the roller. Therefore, burrs generated on the element formation surface of the substrate by the probe inspection can be removed.
[0021]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a wafer cleaning method, a semiconductor device manufacturing method, and a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
(1) First Embodiment FIG. 1 is a plan view showing a configuration example of a
[0022]
FIG. 2 is a cross-sectional view of the
[0023]
The shape of the carry-in
The
[0024]
Further, the rubber 15C is provided on the outer peripheral surface of the cylindrical body 15B. As shown in FIG. 2, the surface of the rubber 15C comes into contact with the lower surface of the wafer 49 (the side opposite to the element forming surface).
On the other hand, the
[0025]
The cylindrical body 1B extends in the Y direction in FIG. 2, and the center of the XZ section is penetrated by an
Further, the adhesive 1C is provided on the outer peripheral surface of the cylindrical body 1B. As shown in FIG. 2, the surface of the adhesive 1C is in contact with the upper surface (element formation surface) of the
[0026]
In the
[0027]
Next, a method for cleaning the element forming surface of the
FIGS. 6A, 6B and 7 are process diagrams showing examples of cleaning of the wafer 49 (Nos. 1 and 2). Here, it is assumed that
[0028]
First, the
Next, the
[0029]
Further, in the course of this feeding, as shown in FIG. 6B, the
[0030]
Next, after removing burrs using the
[0031]
The second reason is that the adhesive 1C may remain on the element forming surface of the
[0032]
As described above, according to the
[0033]
Further, since the
[0034]
In the first embodiment, the
In the first embodiment, a case has been described in which the
[0035]
For example, as shown in FIG. 8, the direction of the
(2) Second Embodiment In the above-described first embodiment, a case has been described in which the
[0036]
FIG. 3 is a sectional view showing a configuration example of a
In the
[0037]
As shown in FIG. 3, the carry-in
[0038]
In the
(3) Third Embodiment FIG. 4 is a sectional view showing a configuration example of a
[0039]
As shown in FIG. 4, in the
[0040]
The
[0041]
In the
(4) Fourth Embodiment In the first to third embodiments described above, the case where the
[0042]
FIG. 5 is a sectional view showing a configuration example of a
The
[0043]
The rubber-based resin 1C 'is provided on the outer peripheral surface of the cylindrical body 1B, and the surface thereof comes into contact with the element forming surface of the
According to the
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a configuration example of a
FIG. 2 is a sectional view taken along the line X1-X2, showing a configuration example of the
FIG. 3 is a sectional view showing a configuration example of a
FIG. 4 is a sectional view showing a configuration example of a
FIG. 5 is a sectional view showing a configuration example of a
FIG. 6 is a process chart showing an example of cleaning the wafer 49 (part 1).
FIG. 7 is a process chart showing an example of cleaning the wafer 49 (part 2).
FIG. 8 is a conceptual diagram illustrating an example of rolling of an
FIG. 9 is an example of a probe test in the
FIG. 10 shows an example of
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (7)
外周面に粘着材を有するローラーを前記基板の素子形成面に接触させて転動させることを特徴とする基板清浄方法。After inspecting the electrical characteristics of the circuit elements by contacting the probe with the element forming surface of the substrate on which the plurality of circuit elements are integrally formed,
A method for cleaning a substrate, comprising: bringing a roller having an adhesive material on an outer peripheral surface thereof into contact with an element forming surface of the substrate and rolling the substrate.
前記基板を素子形成面の反対側から支持する支持手段と、
前記支持手段によって支持される基板の素子形成面に外周面が接触して転動するローラーとを備え、
前記ローラーは外周面に粘着材を有することを特徴とする基板清浄装置。An apparatus for cleaning an element forming surface of a substrate on which a plurality of circuit elements are integrally formed,
Support means for supporting the substrate from the side opposite to the element forming surface,
Rollers that contact the outer peripheral surface with the element forming surface of the substrate supported by the supporting means and roll,
The said roller has an adhesive material on the outer peripheral surface, The board | substrate cleaning apparatus characterized by the above-mentioned.
前記支持手段は、
前記基板の素子形成面の反対側に外周面を接触させる第2ローラーを備え、
前記第2ローラーは、
前記第1ローラーとで前記基板を挟んだ状態で転動することを特徴とする請求項4に記載の基板清浄装置。When the roller is a first roller,
The support means,
A second roller for bringing the outer peripheral surface into contact with the opposite side of the element formation surface of the substrate,
The second roller is
The substrate cleaning apparatus according to claim 4, wherein the substrate is rolled while sandwiching the substrate with the first roller.
前記基板を素子形成面の反対側から支持する支持手段と、
前記支持手段によって支持される基板の素子形成面に外周面が接触して転動するローラーとを備え、
前記ローラーは外周面にゴム系の樹脂材を有することを特徴とする基板清浄装置。An apparatus for cleaning an element forming surface of a substrate on which a plurality of circuit elements are integrally formed,
Support means for supporting the substrate from the side opposite to the element forming surface,
Rollers that contact the outer peripheral surface with the element forming surface of the substrate supported by the supporting means and roll,
The substrate cleaning apparatus, wherein the roller has a rubber-based resin material on an outer peripheral surface.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003060255A JP2004273636A (en) | 2003-03-06 | 2003-03-06 | Method for cleaning substrate, process for producing semiconductor device, and equipment for cleaning substrate |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008147505A (en) * | 2006-12-12 | 2008-06-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | Processing machine with cleaning device for chuck table |
CN104551913A (en) * | 2014-12-23 | 2015-04-29 | 都匀双成机械设备有限公司 | Dual-surface de-burring machine for electronic ceramic substrate |
-
2003
- 2003-03-06 JP JP2003060255A patent/JP2004273636A/en not_active Withdrawn
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