JP2004202459A - 光触媒装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】かゝる本発明は、コア110とクラッド120からなる導光ファイバ100Aの外周に光触媒層200を施した光触媒装置10Aであって、導光ファイバのコア外径をX、導光ファイバの外径をY、コアの屈折率をn1 、クラッドの屈折率をn2 として、Yが50〜5000μm、X>1/3Y、かつ、n1 が僅かにn2 より大きく(n1 >n2 )することにより、導光ファイバ100Aに入射された入射光を、クラッド120側から適宜漏光させることができる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光触媒を導光ファイバに担持させて、入射光を光触媒の励起光としてその長手方向に沿って漏光させることを制御できるようにした光触媒装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、光触媒は、その優れた特性からいろいろ分野での応用が期待されている。代表的な光触媒としてはTiO2 が挙げられ、基本的には、400nm以下の波長の光(紫外光、紫外線とも同義)が照射されると、光触媒が活性化して周囲にある有機化合物などを分解する機能(光触媒分解機能)や周囲にある水と馴染み易くなる機能(光親水化機能)などがあるとされている。
【0003】
しかも、光触媒の反応には、熱エネルギーを必要としないため、常温での反応が可能となるだけでなく、熱と比較して、光の応答速度の速さ故に反応の制御性にも優れているなどの利点が挙げられている。
【0004】
このような優れた特性を有する光触媒であるが、触媒の機能上、当然のことであるが、先ず反応物質と接触している必要があり、また、それと同時に反応光である、紫外光が触媒部分に有効に到達することが必要とされる。
【0005】
例えば、光触媒を汚水などの流体浄化フィルタなどとして使用する場合、その汚れによって汚水の光透過性が悪いと、光触媒の側方に設置した光源(UVランプなど)からの紫外光が十分に伝達されないなどのことが問題となっている。
【0006】
このような問題を解決するため、既に種々の形態からなる光触媒担体やその装置などが提案されている。特に、紫外光の伝達手段として、石英ガラスなどのコア、クラッドからなる光ファイバに着目し、この外周に光触媒を担持させたもの(特許文献1参照)が提案されている。
【0007】
【特許文献1】
特開2000−140579号 2〜3頁、図2
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
この紫外光の伝達手段としての光ファイバは、その長手方向への入射光の伝送特性に優れ、また、光触媒が直接ガラス材料に接触しているため、良好な結果が得られるものの、入射光が、光ファイバの長手方向に沿って、どのような構造のもとで、適宜漏光されて光触媒層を活性化させるかの点については、明らかにされていない。
【0009】
そこで、本発明者は、コアとクラッドを有する光ファイバと同構造の導光ファイバにおいて、コアとクラッドの大きさやそれぞれの屈折率がどのような条件下にあれば、入射光が、光ファイバの長手方向に沿って、所望の形で漏光されるかについて、種々の研究を行った。
【0010】
また、この研究の際、多成分系のガラス材を取り扱ったところ、400nm 以下の波長の光の透過率が悪いだけではなく、光触媒であるTiO2 と接する部分に種々の金属イオン(例えばNa、K、Ca、Li、Be、Mgなど)が含まれていると、金属イオンが光触媒層側に拡散していき易く、触媒活性が著しく低下することを見い出した。これは、石英ガラス製の光ファイバについても同様であり、導光ファイバの少なくとも光触媒層に接する部分には金属イオンが含まれない構造を採用することとした。
【0011】
また、上記導光ファイバの場合、光触媒層の厚さは約1μm程度と薄く、この部分に紫外光が必要なだけ漏光されるには、通常の光ファイバ構造のものに比較して、相対的にコア部分の外径をクラッド部分のそれよりかなり大きなものとし、つまり、クラッド部分を薄膜状のものとする一方、コアとクラッドの屈折率の大小を適宜調整することで、漏光がある程度制御できることを見い出した。
さらに、漏光の程度が小さくしても、導光ファイバ側に曲げ応力などの外力を付加すれば、漏光が増やせるなど調整できることが判った。さらにまた、クラッドを2層構造とすると、つまり、クラッド上に薄膜状の第2クラッドを設け、かつ、これらの各クラッドとコアの屈折率の大小を適宜調整すれば、入射光(励起光)のよりスムーズな漏光が得られることが判った。
【0012】
本発明は、このような研究結果に基づきなされたもので、通常の光ファイバ構造とは、各部の大きさや屈折率が異なる独自の導光ファイバや中空導光ファイバを採用し、その使用目的、用途などに合わせて、漏光量を制御できるようにした光触媒装置を提供せんとするものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
請求項1の本発明は、コアとクラッドからなる導光ファイバの外周に光触媒層を施した光触媒装置であって、少なくとも前記光触媒層に接する導光ファイバの部位側に金属イオンが含まれない構造としたことを特徴とする光触媒装置にある。
【0014】
請求項2の本発明は、前記導光ファイバのコア外径をX、導光ファイバの外径をY、コアの屈折率をn1 、クラッドの屈折率をn2 として、Yが50〜5000μm、X>1/3Y、かつ、n1 を僅かにn2 より大きく(n1 >n2 )することによって、当該導光ファイバに入射された入射光を、クラッド側から適宜漏光させることを特徴とする請求項1記載の光触媒装置にある。
【0015】
請求項3の本発明は、前記導光ファイバのクラッド外周と光触媒層間に第2クラッドを設け、その厚さをZ、その屈折率をn3 として、Z<Y−Xで、n1、n3 を僅かにn2 より大きく(n1、n3 >n2 )することによって、前記入射光の漏光を促進させることを特徴とする請求項2記載の光触媒装置にある。
【0016】
請求項4の本発明は、前記導光ファイバのコア外径をX、導光ファイバの外径をY、コアの屈折率をn1 、クラッドの屈折率をn2 として、Yが50〜5000μm、X>1/3Y、かつ、n1 を僅かにn2 より小さく(n1 <n2 )することによって、当該導光ファイバに入射された入射光を、クラッド側からより多く漏光させることを特徴とする請求項1記載の光触媒装置にある。
【0017】
請求項5の本発明は、中空コアと中空内のクラッドからなる中空導光ファイバの内周に光触媒層を施した光触媒装置であって、少なくとも前記光触媒層に接する中空導光ファイバの部位側に金属イオンが含まれない構造としたことを特徴とする光触媒装置にある。
【0018】
請求項6の本発明は、前記中空コアの屈折率をn01、クラッドのそれをn02として、n01を僅かにn2 より大きく(n01>n02)することによって、当該中空導光ファイバに入射された入射光を、クラッド側から適宜漏光させることを特徴とする請求項5記載の光触媒装置にある。
【0019】
請求項7の本発明は、前記中空コアの屈折率をn01、クラッドのそれをn02として、n01を僅かにn2 より小さく(n01<n02)することによって、当該中空導光ファイバに入射された光触媒層の励起光を、クラッド側からより多く漏光させることを特徴とする請求項5記載の光触媒装置にある。
【0020】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明に係る光触媒装置の一例を示したものである。この光触媒装置10Aは、コア110とクラッド120からなる導光ファイバ100Aの外周に光触媒層200を施してなる。これらのコア110、クラッド120は、多成分系のガラスとすることも可能であるが、好ましくは石英ガラス製がよく、少なくともクラッド120側にあっては、金属イオン、例えばNa、K、Ca、Li、Be、Mgなどが含まれない構造としてある。従って、金属イオンが光触媒層200のTiO2 側に移行することもなく、触媒活性の低下が効果的に防止されている。また、クラッド120側には、紫外光自体の伝送損失を低減させるため、必要によりフッ素を添加することが望ましい(以下同様とする)。
【0021】
この導光ファイバ100Aにおいて、コア外径をX、導光ファイバの外径をY、コア110の屈折率をn1 、クラッド120の屈折率をn2 としたとき、Yを50〜5000μmとし、X>1/3Yで、かつ、n1 を僅かにn2 より大きく(n1 >n2 )してある。その理由は、Yが50μm未満であると、紫外光が十分に入射できず、逆に、Yが5000μmを越えるようになると、スムーズな曲げが困難となるからである。また、X>1/3Yとしたのは、コア外径がこれより小さくなると、入射光が中心に集まるようになって、クラッド120側に漏光され難くなるからである。つまり、通常の光ファイバに比較して、コア部分がかなり太径のものとしてある。
【0022】
さらに、n1 を僅かにn2 より大きくしたのは、光ファイバの場合と同様、入射光のクラッド120側からの漏光を調整するためのものである。これらの屈折率n1 、n2 の比屈折率差Δであるが、光触媒層200をTiO2 とした場合、その屈折率ncaが2.56とかなり高く、その外側の空気(層部分)は屈折率が1であるため、(2.56−1)/n1 、即ち1.56/n1 より小さいことが必要であり、実用的には、0.3〜10%以下が望ましい。この条件により、コア110側から漏れてきた光が光触媒層200側に取り込まれ易くなることが期待できる。
【0023】
図2は、この光触媒装置10Aにおける、各部の屈折率n1 、n2 、ncaを示したものであり、なお、ncaは光触媒の屈折率である。より具体的な各部のパラメータは、表1の如くである。
【0024】
【表1】
【0025】
この表1のパラメータを有する導光ファイバ100Aにおいて、光源から、例えば365nmの光を入射させた場合、その放射率は計算上−0.04dB/mとなり、ファイバ中を伝搬している光のパワーが50mWとすると、50mW×−0.04dB/ファイバの表面積(125×10-4×3.14×102 )=0.13mW/cm2 となる。これにより、適当なパワーの漏光(放射)が行われていることが判る。
【0026】
本発明の光触媒装置10Aでは、各パラメータの調整により、入射光の伝搬中における単位表面積当たりの最大の漏光が10mW/cm2 で、最小のそれが50μW/cm2 となるようにすることができる。しかし、実用的には、500μW/cm2 〜5mW/cm2 の範囲にあれば十分である。
【0027】
このような範囲から、本発明では、光源として、LEDを用いることができる。LEDの使用は、装置のコンパクト化が可能となり、また、バッテリー駆動も可能となる。LEDの場合、高い光電効率が得られるため、低消費電力化も可能となる。さらに、光源と光触媒までを完全に閉じた系とすることもできるため、使用環境を選ばず、大きな汎用性が得られる。なお、他の光源として、自然光、ブラックライト、UVランプなどにも勿論使用することができる。
【0028】
光触媒装置10Aの場合、この構成から、入射光は、導光ファイバ100A中を伝搬しながら均一に、かつ徐々に光が漏光されるため、ファイバの長手方向に渡ってほぼ均一に効率よく触媒効果が得られる。従来技術によるこの種のものでは、光の漏光が均一ではなかったため、一部で漏光強度が過度に増大したりするだけでなく、光の強度が強すぎで、反応物の拡散が追いつかず、光エネルギーが化学反応に変換されることなく、熱ロスとして失われるなどの問題があった。
【0029】
図3は、本発明に係る光触媒装置の他の例を示したものである。この光触媒装置10Bは、コア110とクラッド120からなる導光ファイバ100Bにおいて、クラッド120の外周と光触媒層200間に第2クラッド130を設け、その厚さをZ、その屈折率をn3 として、Z<Y−Xで、かつ、n1 、n3 を僅かにn2 より大きく(n1 、n3 >n2 )してある。ここで、クラッド120のの屈折率n2 より大きい屈折率n3 の第2クラッド130を設けたのは、クラッド120からの漏光をより促進させるためである。この層の厚さZを、Z<Y−Xとしたのは、この厚さZがあまり大きいと、漏光が大きくなり過ぎるからである。しかし、コア外径Xが小さいときには、ある程度大きくする必要がある。
【0030】
第2クラッド130の厚さZとその屈折率n3 をどの程度の値にするかは、漏光量をどの程度の値にするかによって決定される。一般により多くの漏光を得るには、屈折率n3 は、クラッド120の屈折率n2 と光触媒層200の屈折率ncaの間にする必要がある。また、厚さZは、屈折率n3 が低いときには厚く、固いときには薄くする必要がある。
【0031】
図4は、このこの光触媒装置10Bにおける、各部の屈折率n1 、n2 、n3 、ncaを示したものであり、また、より具体的な各部のパラメータは、表2の如くである。
【0032】
【表2】
【0033】
この表2のパラメータによる光触媒装置10Bの場合、入射光の導光ファイバ100B中における漏光がより促進されて大きくなるため、放射され難い低次モードの光にあっても、良好に漏光されるようになる。因みに、この関係を示すと、表3〜表4のごとくである。
【0034】
【表3】
【0035】
【表4】
【0036】
つまり、表3によると、第2クラッド130を設けた場合、低次モードの光でも、吸収率が高く、十分漏光されていることが判る。これに対して、第2クラッド130がない場合には、表4から明らかなように、低次モードの光は、殆ど吸収されず、漏光されないことが判る。
【0037】
従って、本発明では、使用目的や用途によっては、例えばファイバを単に直線状に布設して、より多くの漏光を得るには、光触媒装置10Aより光触媒装置10Bを用いる方が有利である。しかし、光触媒装置10Aであっても、導光ファイバ100A側に曲げ応力などの外力を付加すれば、通常の光ファイバと同様、漏光を適宜増やしたりして、調整し、制御することが可能である。なお、この曲げの大きさとしては、曲げ径(直径)が500mm以下であることが好ましい。曲げ径があまり大きいと、漏光促進効果が得られないからである。曲げ径の大きさについては、以下も同様とする。
【0038】
図5は、本発明に係る光触媒装置の他の例を示したものである。この光触媒装置10Cは、基本的には、図1の場合と同構造であるが、導光ファイバ100Cのコア110の屈折率n1 とクラッド120の屈折率n2 において、n1 を僅かにn2 より小さく(n1 <n2 )してある。
【0039】
このため、入射光は、クラッド120側からより多く漏光されることとなる。つまり、直線状の布設状態にあって、特に曲げなどの外力の付加がなくとも、低次モードの光も含めて、すべての光を順次漏光させることができる。従って、使用目的や用途によっては、より有益な効果が得られる。例えば、直線状導波路などでの使用である。なお、図6は、この光触媒装置10Cにおける、各部の屈折率n1 、n2 、ncaを示したものである。
【0040】
なお、この光触媒装置10Cに対して、そのクラッド120の外側で、光触媒層200との間に、上記図3の場合と同様、第2クラッド130を設けて3層構造とする一方、第2クラッド130の屈折率n3 を、クラッド120の屈折率n2 より小さくしたり、さらには、コア110の屈折率n1 よりも小さくすることも考えられるが、試しに同構造のものを作製して見たところ、得られる効果は、光触媒装置10Cと実質的に変わらなかった。このときの各屈折率n1 、n2 、n3 、ncaの関係を図示すると、図7の如くである。つまり、コア110の屈折率n1 に対してクラッド120の屈折率n2 が高い構造によって、既に十分な漏光効果が得られているため、第2クラッド130を設けて、その屈折率n3 を下げて見ても、さらなる漏光の促進効果は特に得られない上に、漏光量の調整にも適していなかった。このことから、第2クラッド130を設け、その屈折率n3 を下げた3層構造の場合、広義には光触媒装置10Cに含まれる変形例と見なすことも可能である。
【0041】
図8は、本発明に係る光触媒装置の他の例を示したものである。この光触媒装置10Dは、中空コア111と中空内のクラッド120からなる中空導光ファイバ100Dの内周に光触媒層200を施してなる。この中空コア111、クラッド120は、多成分系のガラスとすることも可能であるが、好ましくは石英ガラス製がよく、少なくともクラッド120側にあっては、金属イオン、例えばNa、K、Ca、Li、Be、Mgなどが含まれない構造としてある。
そして、中空コアの屈折率をn01、クラッドのそれn02としたとき、n01を僅かにn2 より大きく(n01>n02)してある。なお、中空コア111の外周には、入射光が外方に漏れるのを防止するため、遮光機能や反射機能などを有する層140を設けるとよい。
【0042】
このため、入射光は、クラッド120側から適宜漏光される。しかし、漏光量は少ないので、より多くの漏光量を得るには、布設された中空導光ファイバ100D側に曲げなどの外力を適宜付加すればよい、なお、図9は、この光触媒装置10Dにおける、各部の屈折率n01、n02、ncaを示したものである。
【0043】
図10は、本発明に係る光触媒装置の他の例を示したものである。この光触媒装置10Eは、基本的には、図7の場合と同構造であるが、導光ファイバ100Eの中空コア110´の屈折率n01とクラッド120の屈折率n02において、n01を僅かにn02より小さく(n01<n02)してある。
【0044】
このため、入射光は、クラッド120側からより多く漏光されることとなる。つまり、直線状の布設状態にあって、特に曲げなどの外力の付加がなくとも、低次モードの光も含めて、すべての光を順次漏光させることができる。従って、使用目的や用途によっては、より有益な効果が得られる。例えば、直線状導波路などでの使用である。なお、図11は、この光触媒装置10Eにおける、各部の屈折率n01、n02、ncaを示したものである。
【0045】
以上の各例では、各部分の屈折率が均等な場合であったが、本発明は、これに限定されず、曲線状の分布形であってもよい。また、中空コア111の場合、穴は1個に限定されるものではない。
【0046】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、通常の光ファイバ構造とは、各部の大きさや屈折率が異なる独自の導光ファイバや中空導光ファイバを採用してあるため、その使用目的、用途などに合わせて、漏光量を適宜制御できる優れた光触媒装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る光触媒装置の一例を示した縦断面図である。
【図2】図1の光触媒装置における導光ファイバの各部分の屈折率分布図である。
【図3】本発明に係る光触媒装置の他の例を示した縦断面図である。
【図4】図3の光触媒装置における導光ファイバの各部分の屈折率分布図である。
【図5】本発明に係る光触媒装置の他の例を示した縦断面図である。
【図6】図5の光触媒装置における導光ファイバの各部分の屈折率分布図である。
【図7】本発明に係る光触媒装置の他の例になる導光ファイバの各部分の屈折率分布図である。
【図8】本発明に係る光触媒装置の他の例を示した縦断面図である。
【図9】図8の光触媒装置における中空導光ファイバの各部分の屈折率分布図である。
【図10】本発明に係る光触媒装置の他の例を示した縦断面図である。
【図11】図10の光触媒装置における中空導光ファイバの各部分の屈折率分布図である。
【符号の説明】
10A〜10E 光触媒装置
100A〜100C 導光ファイバ
100D〜100E 中空導光ファイバ
110 コア
111 中空コア
120 クラッド
200 光触媒層
Claims (7)
- コアとクラッドからなる導光ファイバの外周に光触媒層を施した光触媒装置であって、少なくとも前記光触媒層に接する導光ファイバの部位側に金属イオンが含まれない構造としたことを特徴とする光触媒装置。
- 前記導光ファイバのコア外径をX、導光ファイバの外径をY、コアの屈折率をn1 、クラッドの屈折率をn2 として、Yが50〜5000μm、X>1/3Y、かつ、n1 を僅かにn2 より大きく(n1 >n2 )することによって、当該導光ファイバに入射された入射光を、クラッド側から適宜漏光させることを特徴とする請求項1記載の光触媒装置。
- 前記導光ファイバのクラッド外周と光触媒層間に第2クラッドを設け、その厚さをZ、その屈折率をn3 として、Z<Y−Xで、n1、n3 を僅かにn2 より大きく(n1、n3 >n2 )することによって、前記入射光の漏光を促進させることを特徴とする請求項2記載の光触媒装置。
- 前記導光ファイバのコア外径をX、導光ファイバの外径をY、コアの屈折率をn1 、クラッドの屈折率をn2 として、Yが50〜5000μm、X>1/3Y、かつ、n1 を僅かにn2 より小さく(n1 <n2 )することによって、当該導光ファイバに入射された入射光を、クラッド側からより多く漏光させることを特徴とする請求項1記載の光触媒装置。
- 中空コアと中空内のクラッドからなる中空導光ファイバの内周に光触媒層を施した光触媒装置であって、少なくとも前記光触媒層に接する中空導光ファイバの部位側に金属イオンが含まれない構造としたことを特徴とする光触媒装置。
- 前記中空コアの屈折率をn01、クラッドのそれをn02として、n01を僅かにn2 より大きく(n01>n02)することによって、当該中空導光ファイバに入射された入射光を、クラッド側から適宜漏光させることを特徴とする請求項5記載の光触媒装置。
- 前記中空コアの屈折率をn01、クラッドのそれをn02として、n01を僅かにn2 より小さく(n01<n02)することによって、当該中空導光ファイバに入射された光触媒層の励起光を、クラッド側からより多く漏光させることを特徴とする請求項5記載の光触媒装置。
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JP2002377921A JP2004202459A (ja) | 2002-12-26 | 2002-12-26 | 光触媒装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007144328A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Shinshu Univ | 光触媒ファイバーとそれを使用した液体浄化装置 |
-
2002
- 2002-12-26 JP JP2002377921A patent/JP2004202459A/ja active Pending
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JP2007144328A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Shinshu Univ | 光触媒ファイバーとそれを使用した液体浄化装置 |
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