JP2004199843A - Thin film magnetic head and manufacturing method for thin film magnetic head - Google Patents

Thin film magnetic head and manufacturing method for thin film magnetic head Download PDF

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英雄 山倉
Akio Takakura
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To eliminate the influence of a wire bonding residue produced by performing control of height of an MR element using the result of measurement by a real element detecting system during polishing work is performed. <P>SOLUTION: When a floating surface of a thin film magnetic head is polished to set the height of the MR element at an MR head element to a prescribed value, if the real element detecting system is adopted in which a terminal 18a of the MR head element is wire bonded to a circuit board for measurement and the resistance value of the MR element is directly measured to control the height of the MR element, the wire bonding residue 24a remains at the terminal 18a even if the wire bonding is removed after the polishing work. The surface of the terminal 18a is arranged longitudinally, a peeling tool 25 is made to descend on the wire bonding residue 24a with a prescribed clearance C to peel the wire bonding residue 24a from the surface of the terminal 18a. In this manner, a dimple is generated in the surface of the terminal 18a however the wire bonding residue 24a is eliminated. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、再生ヘッド素子として磁気抵抗効果型ヘッド素子を用いた薄膜磁気ヘッドに係り、特に、磁気抵抗効果型ヘッド素子の素子高さが高精度に制御された薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、磁気ディスク装置においては、小型・大容量化が進んでおり、現在3.5インチと2.5インチサイズのディスク状記録媒体(以下、単にディスクという)を用いた小型磁気ディスク装置が主流になっている。
【0003】
このような小型磁気ディスク装置では、ディスクの速度が遅いことから、再生出力がディスクの回転速度に依存しない磁気抵抗効果型ヘッドをリード(再生)ヘッド素子として備え、磁気誘導型ヘッドをライト(記録)ヘッド素子として備えた複合ヘッド素子構成の薄膜磁気ヘッドが用いられる。MRヘッド(磁気抵抗効果型ヘッド)素子では、磁界の変化に起因するMR(磁気抵抗)素子の抵抗値の変化を検出するため、磁気ヘッドスライダ(薄膜磁気ヘッド)のディスクに対向する浮上面にMR素子を露出させて使用する構造が最も再生効率が高い。
【0004】
磁気ヘッドスライダ1は、図8に示すように、基板材6の後端部に、保護アルミ5で保護されて、ヘッド素子部4が設けられた構成をなしている。このヘッド素子部4には、ライトヘッド素子としての磁気誘導型ヘッド素子とリードヘッド素子としてのMRヘッド素子とが設けられており、これらヘッド素子の先端部が浮上面3に露出している。CSS(Contact Start Stop)方式の小型磁気ディスク装置では、ディスク2の回転による動圧を利用することにより、磁気ヘッドスライダ1を、先端部側が微小角(仰角)θだけ持ち上がるようにし、ディスク2の表面から微小量(浮上量)dだけ浮上させ、ヘッド素子部4によってディスク2でのデータの記録再生を行なっている。
【0005】
ヘッド素子部4では、図9に示すように、硬質セラミックス材で構成される基板材6(図8)上に、ベースアルミナ(図示せず)を介して、MRヘッド素子9が下部シールド膜10と上部シールド膜11とで挟まれて配置されている。そして、このMRヘッド素子9の上に、上部シールド膜11を下部磁極とする磁気誘導型ヘッド素子8が配置され、かかる構成のヘッド素子部4が保護アルミナ5(図8)によって覆われている。また、浮上面3の形成の研磨加工により、磁気誘導型ヘッド素子8やMRヘッド素子9などの先端部が浮上面3に露出している。
【0006】
磁気誘導型ヘッド素子8は、上部磁極12と、下部磁極としての上部シールド膜11と、これらの間に設けられたコイル13とから構成されており、また、MRヘッド素子9は、MR素子9aと、データ再生のためにこのMR素子9aの両端部に接続された電極14a,14bとから構成されている。
【0007】
浮上面3にMR素子9aが露出する露出型のMRヘッド素子9では、浮上面3の加工時にMR素子9aの一部を研磨加工することにより、浮上面3にMR素子9aの端部を露出させている。ここで、MR素子9aの浮上面3に直角な方向の寸法をMR素子高さhという。
【0008】
次に、磁気ヘッドスライダ1の製造方法と浮上面3の研磨加工の一従来例について説明する。
【0009】
磁気ヘッドスライダ1は、セラミックスのウエハの表面に磁気誘導型ヘッド素子とMRヘッド素子とを薄膜工程によって形成される。かかる工程を経たウェハを切断加工することにより、数十個の磁気ヘッドスライダが一線状に連なったロウバーを得る。MR素子高さhの制御のための研磨工程は、かかるロウバーの状態で行なわれる。そして、このロウバーを切断加工することにより、図9に示す構成の磁気ヘッドスライダ1が得られる。
【0010】
MRヘッド素子9では、このMR素子高さhによって再生出力が大きく影響することから、このMR素子高さhを高精度に寸法制御することが必要となる。このMR素子高さhは、その寸法を小さくことによって感度が高くなることから、年々寸法が小さくなってきており、これに伴い、MR素子高さhの加工精度の要求値も年々高精度化する傾向にある。面記録密度100Gbit/in2以上の小型磁気ディスク装置に搭載するMRヘッド素子では、±0.02mm以下の加工精度が要求される。
【0011】
MR素子高さhの制御研磨方法の一従来例としては、ヘッド素子の形成工程で、図10に示すように、ロウバー15にMRヘッド素子とは別に測定用のパターン(抵抗検知素子)17を形成し、この抵抗検知素子17の抵抗値を測定してMR素子高さに換算することにより、研磨加工中のMR素子高さhをインプロセスでモニタリングして寸法を制御する方法が一般的である。制御方法としては、ロウバー内の数十ポイントの抵抗検知素子の抵抗値から得られたMR素子高さhがロウバー全体で均一な分布となるように、研磨加工中に回転する研磨用定盤に押圧するロウバーへの荷重を制御することにより、ロウバー内のMR素子高さhを制御している(例えば、特許文献1参照)。
【0012】
また、他の方法として、MR素子自体の抵抗値を研磨加工中にインプロセスでモニタリングする実素子検知方式が知られている(例えば、特許文献2参照)。
【0013】
【特許文献1】
特開昭63−191570号公報
【0014】
【特許文献2】
特開平5−46495号公報
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
図10に示すような抵抗検知素子17を用いる上記特許公報1に記載の従来技術では、抵抗検知素子17とMR素子9aとの寸法・構造の違いや位置ずれなどによる測定誤差が発生するために、特に、MR素子高さhの分布を高い精度で測定をすることができず、測定誤差が大きくなるという問題がある。
【0016】
そこで、上記特許文献2に記載のような実素子検知方式が、MRヘッド素子9の抵抗を直接測定するものであるから、最も有効なものとなる。
【0017】
ところで、かかる実素子検知方式では、MRヘッド素子9と研磨加工装置の抵抗測定回路とを電気的に接続するが、その接続方法としては、図10において、MRヘッド素子9の端子表面18a,18bと抵抗測定用中継回路基板(図示せず)とをワイヤボンディングにより接続する方法がある。この方法では、ワイヤボンディングを用いてMRヘッド素子9もしくは抵抗検知素子17と抵抗測定用中継回路基板を接続する方法が一般に採られている。
【0018】
しかしながら、ワイヤボンディングを用いた実素子検知方式によるMR素子高さhの分布測定によると、MRヘッド素子9の端子表面18a,18bにワイヤボンディングを行なうことから、次のような問題が生じる。
【0019】
即ち、(1)MRヘッド素子9の端子表面18a,18bにワイヤボンディング残渣が付着する、(2)ワイヤの線材が腐食し易い場合には、磁気ヘッドスライダの製造プロセスで使用する洗浄液や現像液などの薬液によりワイヤボンディング残渣が腐食する可能性がある、(3)ワイヤボンディング残渣とMRヘッド素子9の端子18a,18bの表面との界面での接着性が悪い場合には、磁気ヘッドスライダの製造プロセスの途中もしくは磁気ディスク装置内でワイヤボンディング残渣が剥がれる可能性がある、(4)ワイヤボンディング残渣の高さが高い場合には、磁気ヘッドスライダ製造プロセスで問題となる、(5)磁気ヘッドスライダをサスペンションに接着した後に、サスペンション側の接続端子とMRヘッド素子9とを接続する際のボールボンディングでは、ワイヤボンディング残渣がこのボールボンディングの不良の原因となる。
【0020】
本発明の目的は、かかる問題を解消し、MR素子高さの制御を研磨加工中に実素子検知方式による測定結果を用いて行なうことによって生ずるワイヤボンディング残渣の影響をなくすることができるようにした薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することにある。
【0021】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明による薄膜ヘッドは、磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子の表面に所定の高さよりも低いワイヤボンディング残渣が付着しているものである。
【0022】
また、ワイヤボンディング残渣は押し潰されているものである。
【0023】
また、本発明による薄膜ヘッドは、磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子の表面に円形状の窪みがあるものである。
【0024】
上記目的を達成するために、本発明は、磁気抵抗効果型ヘッド素子を再生ヘッド素子として備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、抵抗値を測定するための電気回路基板と磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子との間をワイヤで結線するワイヤボンディング工程と、電気回路基板によって磁気抵抗効果型ヘッド素子の抵抗値を測定しながら、薄膜磁気ヘッドスライダの浮上面を研磨加工し、磁気抵抗効果型ヘッド素子の素子高さを所定の高さに設定する研磨処理工程と、研磨処理した薄膜磁気ヘッドに対し、ワイヤボンディングのワイヤを磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子から除去し、端末のワイヤボンディング残渣を所定の高さ以下とする工程とを含むものである。
【0025】
また、薄膜磁気ヘッドは複数個ロウバーに組み込まれて、かつこのロウバーの薄膜磁気ヘッド間に抵抗値モニタ用の抵抗検知素子が組み込まれており、上記のワイヤボンディング工程では、抵抗検知素子と電気回路基板との間にもワイヤで結線され、上記の研磨処理工程では、磁気抵抗効果型素子の素子高さが所定の高さ範囲にあるとき、抵抗検知素子の抵抗値を測定しながら、この素子高さを制御するものである。
【0026】
また、磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子に残ったワイヤボンディング残渣を上記の所定の高さ以下とするために、ワイヤボンディング残渣を押し潰す工程を含むものである。
【0027】
または、磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子に残ったワイヤボンディング残渣を上記の所定の高さ以下とするために、磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子に残ったワイヤボンディング残渣に対して磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子の表面に平行な方向の荷重を加えることにより、ワイヤボンディング残渣を磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子の表面との界面から剥ぎ取る工程を含むものである。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を用いて説明するが、まず、本発明の実施形態に用いるワイヤボンディングについて説明する。
【0029】
ワイヤボンディングは、半導体のチップとリードフレームの結線に用いられることで知られており、大きく分けて2つの方式がある。1つはアルミワイヤまたは金ワイヤを用い、ワイヤをワーク接着面に押しつけた際に超音波振動を付加することにより、ワイヤとワーク接着面との間を摺動させ、このときに発生する熱により、ワイヤを溶着させるウエッジボンディングである。アルミワイヤを用いたウエッジボンディングの特徴としては、金または銅を材料としたワーク接着面にワイヤボンディングができることと、接着強度が比較的強いことである。
【0030】
他の1つは金ワイヤを用い、ボンディングする際に予め接着面を加熱するとともに、ワイヤ先端に放電することでボールを形成し、このボールをワーク接着面に押しつけた際に超音波振動を付加することにより、ボールとワーク接着面との間を摺動させ、このときに発生する熱により、ボールを溶着させるボールワイヤボンディングがある。
【0031】
ボールワイヤボンディングの特徴としては、ワイヤを押しつける工具であるキャピラリの先端を細くできることから、小さいワーク接着面にボンディングできるとともに、ワーク接着面が基準ボンディング面よりも1〜2mm下がった位置であっても、ワイヤボンディングが可能であることである。また、いずれのワイヤボンディングにおいても、金ワイヤを用いる際には、超音波振動による熱溶着だけでなく、ボンディングの対象に関しても加熱することが必要となるともに、ワーク接着面を金メッキすることが必要となる。
【0032】
従来のMRヘッド素子のMR素子高さhを制御する浮上面研磨加工では、薄膜磁気ヘッド及び抵抗測定用中継回路基板を加熱することは困難であり、かつ抵抗測定用中継回路基板を安価な銅配線とするために、アルミワイヤを用いたウエッジボンディングを用いている磁気ヘッドメーカがほとんどである。
【0033】
従来のMR素子高さhの制御のための浮上面研磨加工では、切断部に形成された抵抗検知素子にワイヤボンディングしていることから、実際の製品にワイヤボンディング残渣が残らないため、アルミワイヤを用いたウエッジボンディングでも問題はなかったが、実素子検知方式または磁気ヘッドスライダ内に実素子と同一寸法・形状の実素子型抵抗検知素子を形成する磁気ヘッドスライダ内実素子型抵抗検知方式では、実際の製品となる磁気ヘッドスライダの端子表面にワイヤボンディングを行なうことが必要となるため、MR素子高さhの制御のための浮上面研磨加工後にワイヤを除去すると、磁気ヘッドスライダの端子表面にワイヤボンディング残渣が残ってしまう。特に、ウエッジボンディングでは、幅0.04〜0.06mm、長さ0.08〜0.20mmと非常に大きな残渣が残る。MRヘッド素子の端子表面にこのような大きな残渣が付着していると、磁気ヘッドスライダの完成後にサスペンション側の接続端子とMRヘッド素子の端子表面とを接続するボールボンディングの邪魔になり、ボンディング不良の原因となる。また、残渣の材質がアルミニウムである場合には、プロセス途中の現像液や洗浄液などの薬液によって腐食する場合があるため、MRヘッド素子の端子の表面にアルミニウムを付着させることはできない。
【0034】
以上のことから、本発明では、基本的には、金もしくは金合金のワイヤ(以下、これらをまとめて金ワイヤという)を用いたボールワイヤボンディング方式を採用した。金ワイヤボンディングの条件を以下に示す。
・ワイヤボンディング装置:新川製UTC-475BI super
・ファースト:磁気ヘッドスライダMR素子の端子(金メッキ)
・セカンド:抵抗測定用中継回路基板(金メッキ)
・サンプルの加熱:加熱なし(室温)
・ワイヤ:φ25mm金ワイヤ
・キャピラリ:ホール径=33mm,T値=152mm,長さ=11.1mm。
【0035】
次に、本発明の実施形態について説明する。
図1(a),(b),(c)は夫々本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の実施形態を示すプロセス図である。
【0036】
いずれの実施形態においても、MR素子高さ制御浮上面研磨加工(ステップ105)とバータッチラップ(ステップ110)とで浮上面3の研磨加工が行なわれる。この場合、MR素子高さ制御浮上面研磨加工は、主にMR素子高さhを制御する工程であり、バータッチラップは、主に浮上面の平面度・表面粗さ・PTRを高精度化するための工程である。しかし、バータッチラップでは、浮上面を研磨加工するため、研磨加工中にロウバー15に傾きが発生し易く、加工量の過剰・不足によっても、MR素子高さhに誤差が発生する。これを解決するために、バータッチラップにおいても、研磨加工中にインプロセスでMR素子高さhを測定し、ロウバー15の傾き制御と終点制御を行なうことがある。
【0037】
まず、図1(a)に示す第1の実施形態について説明するが、この第1の実施形態は、MR素子高さ制御浮上面研磨加工(ステップ105)とバータッチラップ(ステップ110)とにおいて、実素子検知方式でMR素子高さhの制御を行なうものである。従って、ワイヤボンディング残渣処理工程は、MR素子高さ制御浮上面研磨加工処理とバータッチラップとの夫々の工程後に行なわれる。
【0038】
なお、以下では、図1(b),(c)の実施形態も含めて、バータッチラップ工程(ステップ110)をロウバー15の状態で行なうものとするが、ロウバー15を切断して後の磁気ヘッドスライダ1の状態でタッチラップを行なうようにしてもよい。この場合には、ステップ108の前段にステップ114(スライダ切断)が入ることになる。
【0039】
図1(a)において、まず、スパッタリングやイオンミリング,フォトリソグラフィーなどの薄膜プロセスにより、MRヘッド素子や磁気抵抗効果型ヘッド素子,抵抗検知素子などを形成し、ウェハを作成し(ステップ100)、ダイヤモンド切断砥石を工具としたスライシングにより、ウエハをロウバー15に切り出す(ステップ101)。ロウバー15は、図10に示すように、磁気ヘッドスライダ1が横に数十個連なった状態であり、ロウバー15のサイズとしては、例えば、幅:1.2mm、長さ:40〜80mm、厚さ:0.30〜0.33mmとなっている。そして、基板切断工程で発生するロウバー15の2次曲がり量とうねりを低減するために、磁気ヘッドスライダの浮上面となる面とこれに対する裏面とを同時に研磨する両面ラップを行なう(ステップ102)。
【0040】
次に、ワックスなどを用いて、ロウバー15を研磨加工治具に接着し(ステップ103)、金ワイヤのボールワイヤボンディング装置により、MRヘッド素子9の端子18a,18b(図10)と抵抗測定用中継回路基板とを電気的に接続する(ステップ104)。
【0041】
図2はロウバー15を研磨加工治具に取り付けてワイヤボンディングを行なった状態を示す斜視図であって、19は研磨加工治具、20は抵抗測定用中継回路基板、21は金ワイヤである。
【0042】
また、図3は図2でのロウバー15の部分を拡大して示す平面図であって、22a,22bは抵抗測定用中継回路基板の端子、23a,23bは磁気誘導型ヘッド素子9の端子であり、図9及び図10に対応する部分には同一符号を付けている。
【0043】
図2において、研磨加工治具19の1つの面にロウバー15が固定されており、また、抵抗測定用中継回路基板20が研磨加工治具19の他の面に固定される。そして、図3に示すように、固定されたロウバー15のMRヘッド素子9の端子18a,18bと抵抗測定用中継回路基板20の端子22a,22bとに夫々金ワイヤ21がワイヤボンディングされることにより、これらMRヘッド素子9と抵抗測定用中継回路基板20とが電気的に接続される。
【0044】
ここでは、磁気誘導型ヘッド素子8の端子23a,23b(図9のコイル13に接続されている)に金ワイヤを接続しないが、抵抗検知素子17と抵抗測定用中継回路基板20との間を金ワイヤ21で電気的に接続する場合がある。これは、ウェハ形成時(図5のステップ100)のMR素子高さhは3mmであることから、実素子検知方式の抵抗測定範囲は0〜3mmとなるが、次のMR素子高さ制御浮上面研磨加工工程(図1のステップ105)では、およそ10mm程度研磨するために、実素子検知方式の場合には、無制御で7mm程度加工することになり、この間にロウバー15内のMR素子高さhの分布の傾きと2次曲がりが増大して修正ができなくなる場合があるからであり、このために、この実施形態では、抵抗検知素子17もワイヤボンディングを行なって抵抗測定用中継回路基板20と接続し、MR素子高さhが2mm以上の範囲では、抵抗検知素子17によってMR素子高さhを測定し、MR素子高さhが2mm以下の範囲では、実素子検知方式により、MR素子高さhを測定するものである。
【0045】
図1(a)に戻って、次に、MR素子高さhを制御するために、磁気ヘッドスライダ1の浮上面3(図9)を研磨加工する(ステップ105)。これは、MR素子高さhを制御するために、図2,図3に示すように研磨加工治具19に取り付けた状態で、ロウバー15に偏荷重を加えることでロウバー15内に加工量に分布を作り、その加工量の分布を制御することでMR素子高さhを制御するMR素子高さ制御浮上面研磨加工工程である。ここでは、この研磨加工中にインプロセスでMR素子高さhを測定するために、MR素子9aそのものの抵抗値を測定する実素子検知方式を採用している。
【0046】
所定のMR素子高さhが得られてMR素子高さ制御浮上面研磨加工工程(ステップ105)が終了すると、次に、ロウバー15のMRヘッド素子9の端子18a,18bからワイヤボンディングの金ワイヤ21を除去する(ステップ106)。この除去はエアブローによって行なわれるが、これにより、MRヘッド素子9の端子18a,18bの表面には、図4に示すようなワイヤボンディング残渣24a,24bが付着した状態で残る。このワイヤボンディング残渣24a,24bは、直径:0.04〜0.06mm、高さH:0.06〜0.10mmと大きいため、このままの状態で後工程に流す場合には、ワイヤボンディング残渣24a,24bと途中工程での治具とが擦れることにより、金の細かいゴミが発生して金属コンタミの原因になるとともに、ワイヤボンディング残渣24a,24bと途中工程の治具とが接触することにより、ワイヤボンディング残渣24a,24bが途中工程で剥がれ落ちたりする。また、組立工程(ステップ115)において、サスペンションの接続端子とMRヘッド素子9の端子18a,18bをボールボンディングにより接続する際に、ワイヤボンディング残渣24a,24bとボールとが接触することにより、接続不良の原因となる。
【0047】
そこで、この実施形態では、図1(a)において、MRヘッド素子9の端子18a,18bに付着したワイヤボンディング残渣24a,24bによるかかる問題が解消できるように、ワイヤボンディング残渣の処理を行なう(ステップ107)。
【0048】
ここで、このワイヤボンディング残渣の処理について説明する。
【0049】
図4に示すようなワイヤボンディング残渣24a,24bが問題になるのは、これらの高さHが0.06〜0.10mmと高いことが原因である。その高さHを低くすることがこの問題の一解決方法となる。そこで、ワイヤボンディング残渣の処理(ステップ107)の一具体例としては、ワイヤボンディング残渣24a,24bを押し潰す方法を採るものであるが、ここで、この具体例について説明する。
【0050】
まず、図4に示すワイヤ除去(ステップ106)後のロウバー15(または磁気ヘッドスライダ1)を、MRヘッド素子9の端子18a,18bを上にして、固定する。そして、半導体セラミックス(抵抗値:1MΩ)材料からなる60×10×10mmの直方体工具(図示せず)を低速でワイヤボンディング残渣24a,24b上に落とす。なお、この直方体工具がMRヘッド素子9の端子18a,18bの表面から0.02mmの位置で止まるように、予めストッパを設けておく。このストッパに当たって止まるまで、直方体工具を落下させ、直方体工具がストッパに当たると、この直方体工具を押し下げてワイヤボンディング残渣24a,24bを押し潰す。しかる後、ロウバー15(または磁気ヘッドスライダ1)を取り出す。
【0051】
かかるワイヤボンディング残渣の処理がなされたロウバー15は、後述するように、図1(a)のステップ108〜114を経て磁気ヘッドスライダ1毎に切断されるが、あるいはまた、かかるワイヤボンディング残渣の処理をなされた磁気ヘッドスライダ1は、後述するように、図1(a)のステップ108〜113の処理がなされるが、図5はこれによって得られる本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施形態を示すものであり、同図(a)は平面図、同図(b)は側面図であって、24a’,24b’は押し潰されたワイヤボンディング残渣である。なお、前出図面に対応する部分には同一符号を付けて重複する説明は省略する。
【0052】
同図(a),(b)において、図4に示すワイヤボンディング残渣24a,24bは、上記の工程によって押し潰されることにより、充分に低い、例えば、高さH:0.02mmの円盤状に変形させることができる。これにより、ワイヤボンディング残渣24a,24bと途中工程での治具との接触が無くなり、金属コンタミの問題が解決できるとともに、途中工程で剥がれ落ちを防止することができる。また、組立工程(ステップ115)において、サスペンションの接続端子とMRヘッド素子9の端子18a,18bとをボールボンディングによって接続する際に、ワイヤボンディング残渣24a,24bとボールとの接触を回避することができ、接続不良を回避することができる。
【0053】
ワイヤボンディング残渣の処理(ステップ107)の他の具体例としては、ワイヤボンディング残渣24a,24bを剥離する処理方法である。
【0054】
図1におけるワイヤボンディング(ステップ104)では、金ワイヤのボールワイヤボンディング方法を用いている。通常、金ワイヤを用いたボールワイヤボンディング方法では、金ワイヤを堅固にMRヘッド素子9の端子18a,18bの表面に接続するためには、ワークであるロウバー15及びそのMRヘッド素子9の端子18a,18bを加熱することが必要であり、この加熱の温度が高ければ高いほど、超音波振動を加えてワイヤボンディングを行なう際に、MRヘッド素子9の端子18a,18bの表面と金ワイヤとが接触する界面の金が軟化して溶着し易い。
【0055】
これに対し、図1に示す各実施形態では、図3に示す金ワイヤのボールワイヤボンディング条件として、ワークであるロウバー15及びそのMRヘッド素子9の端子18a,18bを加熱せず、室温(20℃)でワイヤボンディングを行なう。これにより、金ワイヤ21とMRヘッド素子9の端子18a,18bとの界面が完全に溶着せず、部分的に溶着する。このような接着状態でも、電気的な接続には問題が生ずることがなく、エアブロー程度では、金ワイヤ21とMRヘッド素子9の端子18a,18bとの界面における剥離はほとんど起こらない。しかし、MRヘッド素子9の端子18a,18bの表面に平行な方向の荷重をワイヤボンディング残渣24a,24bに加えると、金ワイヤ21とMRヘッド素子9の端子18a,18bとがそれらの界面から完全に剥離する。
【0056】
図6はこのようにしてワイヤボンディング残渣24a,24bを剥離するワイヤボンディング残渣の処理(ステップ107)の他の具体例を示す図であって、25は剥離工具、25aはその側面であり、前出図面に対応する部分には同一符号を付けている。
【0057】
同図において、まず、ワイヤ除去(ステップ106)後のロウバー15(または磁気ヘッドスライダ1)を、MRヘッド素子9の端子18a(ここでは、端子18aのみ図示しているが、他の端子18bについても同様である)の面を横にして固定し、半導体セラミックス(抵抗値:1MΩ)材料からなる剥離工具25をワイヤボンディング残渣24a(ここでは、ワイヤボンディング残渣24aのみ図示しているが、他のワイヤボンディング残渣24bについても同様である)の上方に配置する。このとき、剥離工具25の側面25aとMRヘッド素子9の端子18aの表面とのクリアランスC:0.02mmになるように、剥離工具25が配置される。そして、この剥離工具25を降下させる。これにより、剥離工具25の下端エッジがワイヤボンディング残渣24aに当たった瞬間にワイヤボンディング残渣24aに下向きの荷重が加わることになり、これにより、ワイヤボンディング残渣24aとMRヘッド素子9の端子18aの表面との界面からこれらワイヤボンディング残渣24aが剥ぎ取られることになる。しかる後、剥離工具25を押し上げ、ロウバー15(または、磁気ヘッドスライダ1)を取り出す。
【0058】
以上の操作により、MRヘッド素子9の端子18a,18bの表面からワイヤボンディング残渣24a,24bが完全に剥離される。図7はこのようにワイヤボンディング残渣24a,24bが剥離されたロウバー15を図1でのステップ108〜114の処理をして得られる、あるいはこのようにワイヤボンディング残渣24a,24bが剥離された磁気ヘッドスライダ1を図1でのステップ108〜113の処理をして得られる本発明による薄膜磁気ヘッドの他の実施形態を示し、同図(a)は平面図、同図(b)は側面図であって、26a,26bは窪み部である。また、前出図面に対応する部分には同一符号を付けている。
【0059】
同図(a),(b)において、以上の剥離によるワイヤボンディング残渣の処理がなされた薄膜磁気ヘッドでは、MRヘッド素子9の端子18a,18bの表面には、ワイヤボンディング残渣がなくて、円形状の窪み26a,26bが残るだけとなる。
【0060】
これにより、この実施形態では、ワイヤボンディング残渣と治具とが接触するという問題がなくなり、金属コンタミの問題が解決できるとともに、途中工程でワイヤボンディング残渣の剥がれ落ちということがなくなる。また、組立工程(図1(a)のステップ115)において、サスペンションの接続端子とMRヘッド素子9の端子18a,18bとをボールボンディングにより接続する際に、ワイヤボンディング残渣とボールの接触ということがないので、接続不良が生ずることはない。
【0061】
なお、このように、ワイヤボンディング残渣をMRヘッド素子9の端子18a,18bの表面から剥離する場合には、ボンディングするワイヤとしては、アルミニウムあるいはその合金であってもよい。
【0062】
図1(a)に戻って、ワイヤボンディング残渣の処理(ステップ107)が終了すると、ロウバー15をバータッチラップ用の研磨加工治具に粘着性弾性体を介して固定する(ステップ108)。そして、次のバータッチラップ(ステップ110)でMR素子高さhの制御も行なうために、図3に示したように、MRヘッド素子9の端子18a,18bに金ワイヤをワイヤボンディングすることにより、抵抗測定用中継回路基板20と電気的に接続する(ステップ109)。
【0063】
しかる後、浮上面を研磨するバータッチラップを行なう(ステップ110)。このバータッチラップでは、浮上面3の研磨加工精度を高めることにより、浮上面3の平面度(クラウン,キャンバ,ツイスト)や浮上面3の表面粗さの向上を図り、加工段差の低減を図るものであるが、上記のように、MR素子高さhの精度劣化を抑制するために、研磨加工中に、MR素子9aそのものの抵抗値を測定する実素子検知方式を採用して、インプロセスでMR素子高さhを測定する。
【0064】
次に、研磨加工終了後のロウバー15(または磁気ヘッドスライダ1)のMRヘッド素子9の端子18a,18bからワイヤボンディングのワイヤを除去する(ステップ111)。この場合も、ステップ106と同様に、MR素子9aの静電破壊を防止するために、エアブローによってワイヤを除去し、ステップ107と同様にして、MRヘッド素子9の端子18a,18bに付着したワイヤボンディング残渣を処理する(ステップ112)。しかる後、図8に示したように、磁気ヘッドスライダ1を回転するディスク表面から10〜20nmの浮上量dで浮上させるために、フォトリソグラフィー工程とイオンミリングなどにより浮上面にレールを形成する(ステップ113)。そして、以上の処理をロウバー15で行なった場合には、このロウバー15を、ダイヤモンド切断砥石を工具としたスライシングにより、磁気ヘッドスライダ1に切り出す(ステップ114)。そして、磁気ヘッドスライダの加工終了後、組立工程に移り(ステップ115)、サスペンションに磁気ヘッドスライダ1を接着剤で固定し、MRヘッド素子9の端子18a,18b及び磁気誘導型ヘッド素子8の端子23a,23b(図3)とサスペンション側の接続端子とをボールボンディングによって接続する。そして、これをサスペンションアームに接続する。
【0065】
以上のようにして、MR素子高さhが高い精度で所定の値に設定され、かつボンディング残渣が影響しない磁気ヘッドスライタ(即ち、薄膜磁気ヘッド)が得られることになる。
【0066】
図1(b)に示す第2の実施形態は、MR素子高さ制御研磨加工処理(ステップ105)でのみ実素子検知方式でMR素子高さhを制御するものであり、バータッチラップ(ステップ110)では、MR素子高さhの制御は行なわれない。このため、MRヘッド素子9の端子18a,18bでのワイヤボンディングは不要であり、このため、図1(a)の第1の実施形態でのワイヤボンディング(ステップ109)、ワイヤ除去処理(ステップ111)、ワイヤボンディング残渣処理(ステップ112)は不要となり、MR素子高さ制御処理(ステップ103〜107)がなされたロウバー15(または、磁気ヘッドスライダ1)は、治具に固定されると(ステップ)、バータッチラップが行なわれ(ステップ110)、しかる後、浮上面レールの形成処理が行なわれる(ステップ113)。
【0067】
このように、図1(b)に示す第2の実施形態では、図1(a)に示す第1の実施形態とほぼ同等の高い精度でMR素子高さhの制御が行なわれるし、また、ワイヤボンディング残渣処理のための作業を軽減できて、それに要する時間も低減できる。
【0068】
図1(c)に示す第3の実施形態は、MR素子高さhの制御のための浮上面3の研磨加工処理(ステップ105)とバータッチラップ処理(ステップ110)との夫々毎にワイヤボンディングの金ワイヤの除去を行なうが(夫々の処理毎に処理装置が異なるため)、これに処理工程が終わってから、まとめてワイヤボンディング残渣処理(ステップ112)を行なうものである。従って、図1(a)でのMR素子高さ制御処理工程後のワイヤボンディング残渣処理(ステップ107)は行なわれず、MR素子高さhの制御のための浮上面3の研磨加工処理(ステップ105)が終わってワイヤ除去処理がなされると(ステップ106)、ステップ108からのバータッチラップ(ステップ110)のための準備がなされる。
【0069】
なお、この第3の実施形態において、ステップ109でなされるワイヤボンディングは、同じMRヘッド素子9の端子18a,18bのステップ104でなされたワイヤボンディング位置とは別の位置になされるものであるが、特に、ロウバー15の場合には、MR素子高さ制御浮上面研磨加工処理(ステップ105)やバータッチラップ(ステップ112)で必ずしも全ての磁気ヘッドスライダ1でMR素子高さhの制御のための測定を行なう必要がないので、これらMR素子高さ制御浮上面研磨加工処理(ステップ105)とバータッチラップ(ステップ112)とで異なるMRヘッド素子9にワイヤボンディングを行なうようにしてもよい。
【0070】
以上のように、この第3の実施形態では、ワイヤボンディング残渣処理をMR素子高さ制御浮上面研磨加工処理(ステップ105)とバータッチラップ(ステップ112)とに対してまとめて行なうことができるから、残渣処理のための手間が軽減されることになり、しかも、第1の実施形態と同等の効果が得られることになる。
【0071】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明による薄膜磁気ヘッドによると、MRヘッド素子の端子にワイヤボンディングしてMR素子高さの制御を行なっても、ワイヤボンディング残渣を所定の高さ以下としたものであるから、高い精度でMR素子高さが設定されていて安定化した再生出力が得られるとともに、MRヘッド素子の端子にワイヤボンディングをしたことによるワイヤボンディング残渣が低いから、サスペンションに接着した場合のワイヤボンディング残渣による影響をなくすることができるし、磁気ディスク装置でワイヤボンディング残渣が剥がれるような事態も生ずることはない。
【0072】
また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法によると、実素子検知方式でMR素子高さを制御できるから、該MR素子高さを高精度に設定できて再生出力が安定化し、しかも、この実素子検知方式を採ることによってMRヘッド素子の端子の表面に生ずるワイヤボンディング残渣を低く、あるいはなくすことができるから、かかるワイヤボンディング残渣によって影響されない加工歩留まりの高い薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の実施形態を示す工程図である。
【図2】図1におけるステップ104でのワイヤボンディング後の研磨加工治具に取り付けられたロウバーを示す外観図である。
【図3】図2でのロウバーの抵抗測定用中継回路基板への接続状態を拡大して示す平面図である。
【図4】図1におけるステップ106によるMRヘッド素子の端子にワイヤボンディング残渣が付着した状態を示す図である。
【図5】図1に示す製造方法で得られた本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施形態を示す図である。
【図6】図1におけるステップ107,112のワイヤボンディング残渣処理の他の具体例を示す図である。
【図7】図6に示すワイヤボンディング残渣処理によって得られた本発明による薄膜磁気ヘッドの他の実施形態を示す図である。
【図8】回転するディスクに対する薄膜磁気ヘッドの姿勢を摸式的に示す図である。
【図9】薄膜磁気ヘッドの構造を示す図である。
【図10】ロウバーにおける磁気ヘッドスライダの配置を示す図である。
【符号の説明】
1 薄膜磁気ヘッド(磁気ヘッドスライダ)
2 ディスク(記録媒体)
3 浮上面
4 ヘッド素子部
8 磁気誘導型ヘッド素子
9 MRヘッド素子(磁気抵抗効果型ヘッド素子)
9a MR素子
15 ロウバー
16 切断部
17 抵抗検知素子
18a,18b MRヘッド素子の端子
19 研磨加工治具
20 抵抗値測定用電気回路基板
21 金ワイヤ
24a,24b,24a’,24b’ ワイヤボンディング残渣
25 剥離工具
26a,26b ワイヤボンディング残渣の剥離痕
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a thin-film magnetic head using a magnetoresistive head element as a reproducing head element, and more particularly to a thin-film magnetic head in which the element height of the magnetoresistive head element is controlled with high precision and a thin-film magnetic head. It relates to a manufacturing method.
[0002]
[Prior art]
In recent years, the size and capacity of magnetic disk drives have been reduced, and small magnetic disk drives using disk-shaped recording media (hereinafter simply referred to as disks) of 3.5-inch and 2.5-inch sizes are currently the mainstream. It has become.
[0003]
In such a small magnetic disk device, since the speed of the disk is low, a magnetoresistive head whose reproduction output does not depend on the rotation speed of the disk is provided as a read (reproduction) head element, and a magnetic induction type head is written (recorded). A) A thin film magnetic head having a composite head element structure provided as a head element is used. In an MR head (magnetoresistive head) element, a magnetic head slider (thin film magnetic head) is mounted on an air bearing surface facing a disk to detect a change in the resistance value of the MR (magnetoresistive) element caused by a change in a magnetic field. The structure in which the MR element is exposed and used has the highest reproduction efficiency.
[0004]
As shown in FIG. 8, the magnetic head slider 1 has a configuration in which a head element portion 4 is provided at the rear end of a substrate material 6 and protected by protective aluminum 5. The head element section 4 is provided with a magnetic induction type head element as a write head element and an MR head element as a read head element, and the tips of these head elements are exposed on the air bearing surface 3. In a small magnetic disk drive of the CSS (Contact Start Stop) system, the magnetic head slider 1 is lifted by a very small angle (elevation angle) θ at the tip end by utilizing the dynamic pressure generated by the rotation of the disk 2. The head element 4 is used to record / reproduce data on / from the disk 2 by flying a minute amount (flying amount) d from the surface.
[0005]
In the head element section 4, as shown in FIG. 9, an MR head element 9 is provided on a base material 6 (FIG. 8) made of a hard ceramic material via a base alumina (not shown). And the upper shield film 11. A magnetic induction type head element 8 having an upper shield film 11 as a lower magnetic pole is arranged on the MR head element 9, and the head element portion 4 having such a configuration is covered with a protective alumina 5 (FIG. 8). . In addition, the tip of the magnetic induction type head element 8 and the MR head element 9 are exposed on the floating surface 3 by the polishing process for forming the floating surface 3.
[0006]
The magnetic induction type head element 8 includes an upper magnetic pole 12, an upper shield film 11 as a lower magnetic pole, and a coil 13 provided therebetween. The MR head element 9 has an MR element 9a. And electrodes 14a and 14b connected to both ends of the MR element 9a for data reproduction.
[0007]
In the exposure type MR head element 9 in which the MR element 9a is exposed on the air bearing surface 3, an end of the MR element 9a is exposed on the air bearing surface 3 by polishing a part of the MR element 9a when processing the air bearing surface 3. Let me. Here, the dimension of the MR element 9a in the direction perpendicular to the air bearing surface 3 is referred to as the MR element height h.
[0008]
Next, a method of manufacturing the magnetic head slider 1 and a conventional example of polishing of the flying surface 3 will be described.
[0009]
The magnetic head slider 1 has a magnetic induction type head element and an MR head element formed on a surface of a ceramic wafer by a thin film process. By cutting the wafer having undergone such a process, a row bar in which several tens of magnetic head sliders are linearly connected is obtained. The polishing step for controlling the height h of the MR element is performed in the state of the row bar. By cutting the row bar, the magnetic head slider 1 having the configuration shown in FIG. 9 is obtained.
[0010]
In the MR head element 9, since the reproduction output is greatly affected by the MR element height h, it is necessary to precisely control the dimension of the MR element height h. The height h of the MR element is becoming smaller year by year because the sensitivity is increased by making the dimension smaller, and accordingly, the required value of the processing accuracy of the height h of the MR element becomes higher year by year. Tend to. Areal recording density 100Gbit / in Two The MR head element mounted on the above-mentioned small magnetic disk device requires a processing accuracy of ± 0.02 mm or less.
[0011]
As a conventional example of a method for controlling and polishing the height h of the MR element, a pattern (resistance detecting element) 17 for measurement is separately provided on the row bar 15 separately from the MR head element in the head element forming step, as shown in FIG. A method of controlling the dimensions by monitoring the height h of the MR element during polishing by in-process by measuring the resistance value of the resistance detection element 17 and converting the resistance value to the MR element height is generally used. is there. As a control method, a polishing platen that rotates during the polishing process so that the MR element height h obtained from the resistance values of the resistance detection elements at several tens of points in the row bar has a uniform distribution throughout the row bar. The height h of the MR element in the row bar is controlled by controlling the load on the row bar to be pressed (for example, see Patent Document 1).
[0012]
As another method, there is known an actual element detection method in which the resistance value of the MR element itself is monitored in-process during polishing (for example, see Patent Document 2).
[0013]
[Patent Document 1]
JP-A-63-191570
[0014]
[Patent Document 2]
JP-A-5-46495
[0015]
[Problems to be solved by the invention]
In the prior art described in Patent Document 1 using the resistance detecting element 17 as shown in FIG. 10, a measurement error occurs due to a difference in dimensions and structure between the resistance detecting element 17 and the MR element 9a or a positional shift. In particular, there is a problem that the distribution of the height h of the MR element cannot be measured with high accuracy, and the measurement error increases.
[0016]
Therefore, the real element detection method as described in Patent Document 2 is the most effective one because it directly measures the resistance of the MR head element 9.
[0017]
In the actual element detection method, the MR head element 9 is electrically connected to the resistance measuring circuit of the polishing apparatus. The connection method is shown in FIG. 10 by using the terminal surfaces 18a and 18b of the MR head element 9. And a relay circuit board for resistance measurement (not shown). In this method, a method is generally employed in which the MR head element 9 or the resistance detecting element 17 is connected to the resistance measurement relay circuit board using wire bonding.
[0018]
However, according to the distribution measurement of the height h of the MR element by the actual element detection method using the wire bonding, since the wire bonding is performed on the terminal surfaces 18a and 18b of the MR head element 9, the following problems occur.
[0019]
That is, (1) when a wire bonding residue adheres to the terminal surfaces 18a and 18b of the MR head element 9, and (2) when the wire material is easily corroded, a cleaning solution or a developing solution used in the manufacturing process of the magnetic head slider. (3) If the bonding property at the interface between the wire bonding residue and the surface of the terminals 18a and 18b of the MR head element 9 is poor, the magnetic head slider may be damaged. There is a possibility that the wire bonding residue may be peeled off during the manufacturing process or in the magnetic disk drive. (4) If the height of the wire bonding residue is high, a problem occurs in the magnetic head slider manufacturing process. (5) The magnetic head After bonding the slider to the suspension, the connection terminals on the suspension and the MR head element 9 are connected. In ball bonding during that, wire bonding residue cause failure of the ball bonding.
[0020]
An object of the present invention is to solve such a problem and to eliminate the influence of wire bonding residues caused by performing the control of the MR element height using the measurement result by the actual element detection method during polishing. And a method of manufacturing the same.
[0021]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a thin film head according to the present invention is one in which a wire bonding residue lower than a predetermined height is attached to the surface of a terminal of a magnetoresistive head element.
[0022]
The wire bonding residue is crushed.
[0023]
Further, the thin film head according to the present invention has a circular depression on the surface of the terminal of the magnetoresistive head element.
[0024]
In order to achieve the above object, the present invention provides a method for manufacturing a thin-film magnetic head including a magnetoresistive head element as a reproducing head element, comprising: an electric circuit board for measuring a resistance value; A wire bonding process for connecting the terminals of the head element with wires, and while measuring the resistance value of the magnetoresistive head element using an electric circuit board, the floating surface of the thin-film magnetic head slider is polished to obtain a magnetoresistive effect. Polishing step for setting the element height of the die head element to a predetermined height, and removing the wire bonding wire from the terminal of the magnetoresistive head element for the polished thin film magnetic head, and performing wire bonding of the terminal. Reducing the residue to a predetermined height or less.
[0025]
Further, the thin-film magnetic head is incorporated in a plurality of row bars, and a resistance detecting element for monitoring a resistance value is incorporated between the thin-film magnetic heads of the row bar. A wire is also connected between the substrate and the substrate. In the above-mentioned polishing process, when the element height of the magnetoresistive element is within a predetermined height range, the resistance of the resistance sensing element is measured while the element is being measured. It controls the height.
[0026]
Further, the method includes a step of crushing the wire bonding residue in order to reduce the wire bonding residue remaining at the terminal of the magnetoresistive head element to a predetermined height or less.
[0027]
Alternatively, in order to reduce the wire bonding residue remaining at the terminal of the magnetoresistive head element to a predetermined height or less, the wire bonding residue remaining at the terminal of the magnetoresistive head element is subjected to a magnetoresistive effect. The method includes a step of removing a wire bonding residue from an interface with the surface of the terminal of the magnetoresistive head element by applying a load in a direction parallel to the surface of the terminal of the head element.
[0028]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. First, wire bonding used in the embodiments of the present invention will be described.
[0029]
Wire bonding is known to be used for connection between a semiconductor chip and a lead frame, and is roughly classified into two types. One is to use an aluminum wire or a gold wire and apply ultrasonic vibration when the wire is pressed against the work bonding surface to slide between the wire and the work bonding surface. And wedge bonding for welding wires. The features of wedge bonding using an aluminum wire are that wire bonding can be performed on a work bonding surface made of gold or copper and that the bonding strength is relatively high.
[0030]
The other uses a gold wire, heats the bonding surface in advance during bonding, forms a ball by discharging to the tip of the wire, and applies ultrasonic vibration when the ball is pressed against the work bonding surface. As a result, there is ball wire bonding in which the ball is slid between the ball and the work bonding surface, and the ball is welded by heat generated at this time.
[0031]
As a feature of ball wire bonding, since the tip of the capillary, which is a tool for pressing the wire, can be made thin, it can be bonded to a small work bonding surface, and even if the work bonding surface is lower than the reference bonding surface by 1 to 2 mm. And that wire bonding is possible. In addition, in any wire bonding, when using a gold wire, it is necessary to heat not only the thermal welding by ultrasonic vibration but also the bonding target, and it is necessary to gold-plate the work bonding surface. It becomes.
[0032]
It is difficult to heat the thin film magnetic head and the relay circuit board for resistance measurement by the air bearing surface polishing processing for controlling the height h of the MR element of the conventional MR head element, and the relay circuit board for resistance measurement is made of inexpensive copper. Most magnetic head manufacturers use wedge bonding using aluminum wires to provide wiring.
[0033]
In the conventional air bearing surface polishing for controlling the height h of the MR element, since the wire bonding is performed on the resistance detecting element formed at the cut portion, no wire bonding residue remains on the actual product. Although there was no problem with wedge bonding using a real element, the real element type resistance detection method in a magnetic head slider in which a real element type resistance detection element having the same size and shape as a real element in a magnetic head slider was used. Since it is necessary to perform wire bonding on the terminal surface of the magnetic head slider as an actual product, if the wire is removed after the air bearing surface polishing process for controlling the MR element height h, the terminal surface of the magnetic head slider becomes Wire bonding residues remain. In particular, in wedge bonding, a very large residue of 0.04 to 0.06 mm in width and 0.08 to 0.20 mm in length remains. If such a large residue adheres to the terminal surface of the MR head element, it interferes with ball bonding for connecting the connection terminal on the suspension side to the terminal surface of the MR head element after the completion of the magnetic head slider, resulting in poor bonding. Cause. Further, when the material of the residue is aluminum, it may be corroded by a chemical such as a developing solution or a cleaning solution during the process, so that aluminum cannot be attached to the surface of the terminal of the MR head element.
[0034]
From the above, in the present invention, a ball wire bonding method using a gold or gold alloy wire (hereinafter, collectively referred to as a gold wire) is basically adopted. The conditions for gold wire bonding are shown below.
・ Wire bonding equipment: Shinkawa UTC-475BI super
・ First: Magnetic head slider MR element terminal (gold plating)
・ Second: Relay circuit board for resistance measurement (gold plating)
・ Heating of sample: no heating (room temperature)
・ Wire: φ25mm gold wire
Capillary: hole diameter = 33 mm, T value = 152 mm, length = 11.1 mm.
[0035]
Next, an embodiment of the present invention will be described.
1A, 1B, and 1C are process diagrams showing an embodiment of a method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the present invention.
[0036]
In any of the embodiments, the air bearing surface 3 is polished by the MR element height control air bearing surface polishing process (step 105) and the bar touch wrap (step 110). In this case, the MR element height control air bearing surface polishing process is a process for mainly controlling the MR element height h, and the bar touch wrap mainly improves the flatness, surface roughness, and PTR of the air bearing surface. It is a process for doing. However, in the bar touch lap, since the flying surface is polished, the row bar 15 is liable to be inclined during the polishing, and an error occurs in the MR element height h even if the processing amount is excessive or insufficient. In order to solve this problem, in the bar touch lap, the height h of the MR element may be measured in-process during polishing to control the inclination of the row bar 15 and control the end point.
[0037]
First, a first embodiment shown in FIG. 1A will be described. In the first embodiment, the MR element height control floating surface polishing process (step 105) and the bar touch wrap (step 110) are performed. The height h of the MR element is controlled by the actual element detection method. Accordingly, the wire bonding residue processing step is performed after each of the MR element height control air bearing surface polishing processing and the bar touch wrap.
[0038]
In the following, the bar touch wrapping step (step 110) is performed in the state of the row bar 15 including the embodiment of FIGS. 1B and 1C. Touch lap may be performed in the state of the head slider 1. In this case, step 114 (slider cutting) is inserted before step 108.
[0039]
In FIG. 1A, first, an MR head element, a magnetoresistive head element, a resistance detection element, and the like are formed by a thin film process such as sputtering, ion milling, or photolithography, and a wafer is formed (step 100). The wafer is cut into row bars 15 by slicing using a diamond cutting whetstone as a tool (step 101). As shown in FIG. 10, the row bar 15 is a state in which several tens of the magnetic head sliders 1 are arranged side by side. The size of the row bar 15 is, for example, width: 1.2 mm, length: 40 to 80 mm, and thickness. Length: 0.30 to 0.33 mm. Then, in order to reduce the amount of secondary bending and undulation of the row bar 15 generated in the substrate cutting step, double-sided lap is performed for simultaneously polishing the surface serving as the flying surface of the magnetic head slider and the rear surface thereof (step 102).
[0040]
Next, the row bar 15 is bonded to the polishing jig using wax or the like (step 103), and the terminals 18a and 18b (FIG. 10) of the MR head element 9 and the resistance measurement are measured by a gold wire ball wire bonding apparatus. The relay circuit board is electrically connected (step 104).
[0041]
FIG. 2 is a perspective view showing a state in which the row bar 15 is attached to a polishing jig to perform wire bonding. 19 is a polishing jig, 20 is a relay circuit board for resistance measurement, and 21 is a gold wire.
[0042]
FIG. 3 is an enlarged plan view showing the row bar 15 in FIG. 2, wherein 22a and 22b are terminals of a relay circuit board for resistance measurement, and 23a and 23b are terminals of a magnetic induction type head element 9. The parts corresponding to those in FIGS. 9 and 10 are denoted by the same reference numerals.
[0043]
In FIG. 2, the row bar 15 is fixed to one surface of the polishing jig 19, and the relay circuit board 20 for resistance measurement is fixed to the other surface of the polishing jig 19. Then, as shown in FIG. 3, gold wires 21 are wire-bonded to the terminals 18a, 18b of the MR head element 9 of the fixed row bar 15 and the terminals 22a, 22b of the resistance measurement relay circuit board 20, respectively. The MR head element 9 and the resistance measurement relay circuit board 20 are electrically connected.
[0044]
Here, the gold wires are not connected to the terminals 23a and 23b (connected to the coil 13 in FIG. 9) of the magnetic induction type head element 8, but the connection between the resistance detection element 17 and the resistance measurement relay circuit board 20 is established. In some cases, the connection is made electrically by the gold wire 21. This is because the MR element height h at the time of wafer formation (step 100 in FIG. 5) is 3 mm, so that the resistance measurement range of the actual element detection method is 0 to 3 mm. In the surface polishing process (step 105 in FIG. 1), the polishing is performed for about 10 mm, and in the case of the actual element detection method, the processing is performed for about 7 mm without control. This is because the inclination of the distribution h and the secondary bend may be increased to make correction impossible. Therefore, in this embodiment, the resistance detecting element 17 is also subjected to wire bonding to perform the resistance measurement relay circuit board. 20 and when the height h of the MR element is 2 mm or more, the height h of the MR element is measured by the resistance detecting element 17. When the height h of the MR element is 2 mm or less, the actual element detection method is used. , Which measures the MR element height h.
[0045]
Returning to FIG. 1A, the flying surface 3 (FIG. 9) of the magnetic head slider 1 is polished to control the MR element height h (step 105). This is because, in order to control the height h of the MR element, an uneven load is applied to the row bar 15 in a state of being attached to the polishing jig 19 as shown in FIGS. This is an MR element height control air bearing surface polishing step of controlling the MR element height h by creating a distribution and controlling the distribution of the processing amount. Here, in order to measure the height h of the MR element in-process during the polishing process, an actual element detection method of measuring the resistance value of the MR element 9a itself is adopted.
[0046]
When the predetermined MR element height h is obtained and the MR element height control air bearing surface polishing step (Step 105) is completed, the gold wires for wire bonding are then connected from the terminals 18a and 18b of the MR head element 9 of the row bar 15. 21 is removed (step 106). This removal is carried out by air blowing, and as a result, wire bonding residues 24a and 24b as shown in FIG. 4 remain on the surfaces of the terminals 18a and 18b of the MR head element 9. The wire bonding residues 24a and 24b are as large as 0.04 to 0.06 mm in diameter and 0.06 to 0.10 mm in height H. Therefore, when the wire bonding residues 24a and 24b are passed as they are to a subsequent process, the wire bonding residues 24a , 24b and the jig in the middle of the process are rubbed, and fine dust of gold is generated to cause metal contamination. In addition, the wire bonding residues 24a, 24b come into contact with the jig in the middle of the process, The wire bonding residues 24a and 24b may be peeled off during the process. Also, in the assembling step (step 115), when the connection terminals of the suspension and the terminals 18a, 18b of the MR head element 9 are connected by ball bonding, the wire bonding residues 24a, 24b come into contact with the balls, resulting in poor connection. Cause.
[0047]
Therefore, in this embodiment, in FIG. 1A, the processing of the wire bonding residue is performed so that the problem caused by the wire bonding residues 24a and 24b attached to the terminals 18a and 18b of the MR head element 9 can be solved (step). 107).
[0048]
Here, the processing of the wire bonding residue will be described.
[0049]
The problem of the wire bonding residues 24a and 24b as shown in FIG. 4 is caused by their high height H of 0.06 to 0.10 mm. Reducing the height H is one solution to this problem. Therefore, as a specific example of the processing of the wire bonding residue (step 107), a method of crushing the wire bonding residues 24a and 24b is adopted. Here, this specific example will be described.
[0050]
First, the row bar 15 (or the magnetic head slider 1) after the wire removal (step 106) shown in FIG. 4 is fixed with the terminals 18a and 18b of the MR head element 9 facing upward. Then, a 60 × 10 × 10 mm rectangular parallelepiped tool (not shown) made of a semiconductor ceramic material (resistance value: 1 MΩ) is dropped onto the wire bonding residues 24 a and 24 b at a low speed. A stopper is provided in advance so that the rectangular parallelepiped tool stops at a position of 0.02 mm from the surfaces of the terminals 18a and 18b of the MR head element 9. The rectangular parallelepiped tool is dropped until it hits the stopper and stops. When the rectangular parallelepiped tool hits the stopper, the rectangular parallelepiped tool is pushed down to crush the wire bonding residues 24a and 24b. Thereafter, the row bar 15 (or the magnetic head slider 1) is taken out.
[0051]
The row bar 15 on which the wire bonding residue has been processed is cut for each magnetic head slider 1 through steps 108 to 114 in FIG. 1A as described later. Alternatively, the processing of the wire bonding residue is performed. The magnetic head slider 1 is subjected to the processing of steps 108 to 113 in FIG. 1A, as will be described later. FIG. 5 shows an embodiment of the thin film magnetic head according to the present invention obtained thereby. FIG. 3A is a plan view, FIG. 3B is a side view, and 24a ′ and 24b ′ are crushed wire bonding residues. Note that the same reference numerals are given to portions corresponding to the above-described drawings, and redundant description will be omitted.
[0052]
4 (a) and 4 (b), the wire bonding residues 24a and 24b shown in FIG. 4 are crushed by the above-described process, so as to have a sufficiently low disk shape, for example, a height H: 0.02 mm. Can be deformed. As a result, contact between the wire bonding residues 24a and 24b and the jig in the middle step is eliminated, so that the problem of metal contamination can be solved and peeling off in the middle step can be prevented. In the assembling step (step 115), when the connection terminals of the suspension are connected to the terminals 18a and 18b of the MR head element 9 by ball bonding, contact between the wire bonding residues 24a and 24b and the balls may be avoided. Connection failure can be avoided.
[0053]
Another specific example of the processing of the wire bonding residue (step 107) is a processing method of removing the wire bonding residues 24a and 24b.
[0054]
In the wire bonding (step 104) in FIG. 1, a ball wire bonding method of a gold wire is used. Usually, in the ball wire bonding method using a gold wire, in order to firmly connect the gold wire to the surfaces of the terminals 18a and 18b of the MR head element 9, the row bar 15 as a work and the terminal 18a of the MR head element 9 are used. , 18b, the higher the temperature of this heating, the more the surface of the terminals 18a, 18b of the MR head element 9 and the gold wire become closer when applying ultrasonic vibration to perform wire bonding. Gold at the contacting interface is softened and easily welded.
[0055]
On the other hand, in each embodiment shown in FIG. 1, the row bar 15 as the work and the terminals 18a and 18b of the MR head element 9 are not heated and the room temperature (20 (° C.). As a result, the interface between the gold wire 21 and the terminals 18a and 18b of the MR head element 9 is not completely welded but is partially welded. Even in such an adhesive state, there is no problem in electrical connection, and peeling at the interface between the gold wire 21 and the terminals 18a and 18b of the MR head element 9 hardly occurs by air blow. However, when a load in a direction parallel to the surfaces of the terminals 18a and 18b of the MR head element 9 is applied to the wire bonding residues 24a and 24b, the gold wire 21 and the terminals 18a and 18b of the MR head element 9 are completely removed from their interface. Peel off.
[0056]
FIG. 6 is a view showing another specific example of the wire bonding residue treatment (step 107) for stripping the wire bonding residues 24a and 24b in this manner, wherein 25 is a peeling tool, 25a is a side surface thereof, and FIG. The same reference numerals are given to parts corresponding to the drawings.
[0057]
In the figure, first, the row bar 15 (or the magnetic head slider 1) after wire removal (step 106) is connected to the terminal 18a of the MR head element 9 (here, only the terminal 18a is shown, but the other terminals 18b are not shown). Is fixed horizontally, and a peeling tool 25 made of a semiconductor ceramic (resistance value: 1 MΩ) material is used to remove the wire bonding residue 24 a (here, only the wire bonding residue 24 a is shown, The same applies to the wire bonding residue 24b). At this time, the peeling tool 25 is arranged so that the clearance C between the side surface 25a of the peeling tool 25 and the surface of the terminal 18a of the MR head element 9 is 0.02 mm. Then, the peeling tool 25 is lowered. As a result, a downward load is applied to the wire bonding residue 24a at the moment when the lower end edge of the peeling tool 25 hits the wire bonding residue 24a, whereby the wire bonding residue 24a and the surface of the terminal 18a of the MR head element 9 are formed. The wire bonding residue 24a is peeled off from the interface with the wire bonding residue 24a. Thereafter, the peeling tool 25 is pushed up to take out the row bar 15 (or the magnetic head slider 1).
[0058]
By the above operation, the wire bonding residues 24a and 24b are completely separated from the surfaces of the terminals 18a and 18b of the MR head element 9. FIG. 7 shows the row bar 15 from which the wire bonding residues 24a and 24b are peeled off by performing the processing of steps 108 to 114 in FIG. 1, or the magnetic bar from which the wire bonding residues 24a and 24b are peeled off. Another embodiment of the thin-film magnetic head according to the present invention obtained by performing the processing of steps 108 to 113 in FIG. 1 on the head slider 1 is shown, wherein FIG. 1A is a plan view and FIG. And 26a and 26b are depressions. In addition, parts corresponding to the above-mentioned drawings are denoted by the same reference numerals.
[0059]
In FIGS. 9A and 9B, in the thin-film magnetic head in which the wire bonding residue has been treated by the above-described peeling, the surface of the terminals 18a and 18b of the MR head element 9 has no wire bonding residue and is circular. Only the depressions 26a and 26b of the shape remain.
[0060]
Thus, in this embodiment, the problem of contact between the wire bonding residue and the jig is eliminated, the problem of metal contamination can be solved, and the wire bonding residue does not peel off in the middle of the process. Also, in the assembling process (step 115 in FIG. 1A), when the connection terminals of the suspension are connected to the terminals 18a and 18b of the MR head element 9 by ball bonding, the contact between the wire bonding residue and the ball may be referred to. There is no connection failure.
[0061]
When the wire bonding residue is separated from the surfaces of the terminals 18a and 18b of the MR head element 9 as described above, the bonding wire may be aluminum or an alloy thereof.
[0062]
Returning to FIG. 1A, when the processing of the wire bonding residue (Step 107) is completed, the row bar 15 is fixed to a polishing jig for bar touch wrap via an adhesive elastic body (Step 108). Then, in order to control the height h of the MR element in the next bar touch wrap (step 110), gold wires are wire-bonded to the terminals 18a and 18b of the MR head element 9 as shown in FIG. Is electrically connected to the resistance measurement relay circuit board 20 (step 109).
[0063]
Thereafter, bar touch lap for polishing the air bearing surface is performed (step 110). In the bar touch lap, by improving the polishing accuracy of the floating surface 3, the flatness (crown, camber, twist) of the floating surface 3 and the surface roughness of the floating surface 3 are improved, and the processing step is reduced. However, as described above, in order to suppress the deterioration of the accuracy of the height h of the MR element, an actual element detection method of measuring the resistance value of the MR element 9a itself during polishing is adopted. Is used to measure the height h of the MR element.
[0064]
Next, the wire for wire bonding is removed from the terminals 18a and 18b of the MR head element 9 of the row bar 15 (or the magnetic head slider 1) after the polishing process is completed (step 111). Also in this case, as in step 106, the wires are removed by air blowing in order to prevent electrostatic breakdown of the MR element 9a, and the wires adhered to the terminals 18a and 18b of the MR head element 9 in the same manner as in step 107. The bonding residue is processed (step 112). Thereafter, as shown in FIG. 8, in order to cause the magnetic head slider 1 to fly above the rotating disk surface with a flying height d of 10 to 20 nm, a rail is formed on the flying surface by a photolithography process, ion milling, or the like ( Step 113). When the above processing is performed by the row bar 15, the row bar 15 is cut into the magnetic head slider 1 by slicing using a diamond cutting grindstone as a tool (step 114). After the processing of the magnetic head slider is completed, the process proceeds to an assembling process (step 115), and the magnetic head slider 1 is fixed to the suspension with an adhesive, and the terminals 18a and 18b of the MR head element 9 and the terminals of the magnetic induction type head element 8 are connected. The connection terminals 23a and 23b (FIG. 3) and the connection terminals on the suspension side are connected by ball bonding. Then, this is connected to the suspension arm.
[0065]
As described above, it is possible to obtain a magnetic head slider (that is, a thin-film magnetic head) in which the MR element height h is set to a predetermined value with high accuracy and the bonding residue does not influence.
[0066]
In the second embodiment shown in FIG. 1B, the MR element height h is controlled by the real element detection method only in the MR element height control polishing processing (Step 105). At 110), the height h of the MR element is not controlled. For this reason, wire bonding at the terminals 18a and 18b of the MR head element 9 is unnecessary, and therefore, the wire bonding (step 109) and the wire removing process (step 111) in the first embodiment of FIG. ), The wire bonding residue processing (step 112) becomes unnecessary, and the row bar 15 (or the magnetic head slider 1) subjected to the MR element height control processing (steps 103 to 107) is fixed to a jig (step 112). ), A bar touch wrap is performed (step 110), and thereafter, a process of forming a floating surface rail is performed (step 113).
[0067]
As described above, in the second embodiment shown in FIG. 1B, the control of the height h of the MR element is performed with almost the same high accuracy as in the first embodiment shown in FIG. 1A. In addition, the work for wire bonding residue treatment can be reduced, and the time required for it can be reduced.
[0068]
In the third embodiment shown in FIG. 1C, a wire is used for each of the polishing process (step 105) and the bar touch wrap process (step 110) of the flying surface 3 for controlling the MR element height h. The gold wire for bonding is removed (because the processing apparatus differs for each processing), but after the processing steps are completed, the wire bonding residue processing (step 112) is performed collectively. Therefore, the wire bonding residue processing (step 107) after the MR element height control processing step in FIG. 1A is not performed, and the air bearing surface 3 is polished (step 105) for controlling the MR element height h. ) Is completed and the wire removal processing is performed (step 106), and preparations are made for the bar touch wrap (step 110) from step 108.
[0069]
In the third embodiment, the wire bonding performed in step 109 is performed at a position different from the wire bonding position performed in step 104 for the terminals 18a and 18b of the same MR head element 9. In particular, in the case of the row bar 15, the height h of the MR element is necessarily controlled in all the magnetic head sliders 1 by the grinding process of the flying surface of the MR element (step 105) or the bar touch lap (step 112). Therefore, wire bonding may be performed to different MR head elements 9 between the MR element height control air bearing surface polishing processing (step 105) and the bar touch wrap (step 112).
[0070]
As described above, in the third embodiment, the wire bonding residue processing can be collectively performed on the MR element height control air bearing surface polishing processing (step 105) and the bar touch wrap (step 112). Therefore, the labor for the residue treatment is reduced, and the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
[0071]
【The invention's effect】
As described above, according to the thin-film magnetic head of the present invention, even if the height of the MR element is controlled by wire bonding to the terminal of the MR head element, the wire bonding residue is reduced to a predetermined height or less. As a result, the MR element height is set with high accuracy, and a stable reproduction output is obtained. In addition, since the wire bonding residue due to the wire bonding to the terminal of the MR head element is low, the wire when the wire is adhered to the suspension is obtained. The influence of the bonding residue can be eliminated, and the situation where the wire bonding residue peels off in the magnetic disk device does not occur.
[0072]
Further, according to the method of manufacturing a thin film magnetic head of the present invention, the height of the MR element can be controlled by the actual element detection method. By employing the element detection method, the wire bonding residue generated on the surface of the terminal of the MR head element can be reduced or eliminated, so that a thin film magnetic head having a high processing yield which is not affected by the wire bonding residue can be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a process chart showing an embodiment of a method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the present invention.
FIG. 2 is an external view showing a row bar attached to a polishing jig after wire bonding in step 104 in FIG. 1;
FIG. 3 is an enlarged plan view showing a connection state of a row bar to a relay circuit board for resistance measurement in FIG. 2;
FIG. 4 is a view showing a state in which wire bonding residues adhere to terminals of the MR head element in step 106 in FIG. 1;
FIG. 5 is a view showing one embodiment of a thin-film magnetic head according to the present invention obtained by the manufacturing method shown in FIG. 1;
FIG. 6 is a diagram showing another specific example of the wire bonding residue processing in steps 107 and 112 in FIG. 1;
7 is a view showing another embodiment of the thin-film magnetic head according to the present invention obtained by the wire bonding residue processing shown in FIG. 6;
FIG. 8 is a diagram schematically showing the attitude of the thin-film magnetic head with respect to a rotating disk.
FIG. 9 is a diagram showing a structure of a thin-film magnetic head.
FIG. 10 is a diagram showing an arrangement of a magnetic head slider in a row bar.
[Explanation of symbols]
1 Thin-film magnetic head (magnetic head slider)
2 disk (recording medium)
3 Floating surface
4 Head element
8 Magnetic induction type head element
9 MR head element (magnetoresistive head element)
9a MR element
15 Rowbar
16 Cutting part
17 Resistance sensing element
18a, 18b Terminal of MR head element
19 Polishing jig
20 Electric circuit board for resistance measurement
21 Gold Wire
24a, 24b, 24a ', 24b' Wire bonding residue
25 peeling tool
26a, 26b Peeling mark of wire bonding residue

Claims (10)

磁気誘導型ヘッド素子と磁気抵抗効果該ヘッド素子とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
該磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子の表面に所定の高さよりも低いワイヤボンディング残渣が付着していることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
In a thin-film magnetic head having a magnetic induction type head element and a magnetoresistive effect head element,
A thin-film magnetic head, wherein a wire bonding residue lower than a predetermined height is attached to a surface of a terminal of the magnetoresistive head element.
請求項1記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記ワイヤボンディング残渣の材質が金または金合金であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
The thin-film magnetic head according to claim 1,
A thin film magnetic head, wherein the material of the wire bonding residue is gold or a gold alloy.
請求項1または2記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記ワイヤボンディング残渣は押し潰されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
3. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein
The thin film magnetic head according to claim 1, wherein the wire bonding residue is crushed.
磁気誘導型ヘッド素子と磁気抵抗効果型ヘッド素子とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
該磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子の表面に円形状の窪みがあることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
In a thin-film magnetic head having a magnetic induction head element and a magnetoresistive head element,
A thin-film magnetic head characterized in that the surface of the terminal of the magnetoresistive head element has a circular depression.
磁気抵抗効果型ヘッド素子を再生ヘッド素子として備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
抵抗値を測定するための電気回路基板と該磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子との間をワイヤで結線するワイヤボンディング工程と、
該電気回路基板によって該磁気抵抗効果型ヘッド素子の抵抗値を測定しながら、該薄膜磁気ヘッドスライダの浮上面を研磨加工し、該磁気抵抗効果型ヘッド素子の素子高さを所定の高さに設定する研磨処理工程と、
該研磨処理した該薄膜磁気ヘッドに対し、該ワイヤボンディングのワイヤを該磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子から除去し、該端末のワイヤボンディング残渣を所定の高さ以下とする工程と
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
A method for manufacturing a thin-film magnetic head including a magnetoresistive head element as a reproducing head element,
A wire bonding step of connecting a wire between the electric circuit board for measuring the resistance value and the terminal of the magnetoresistive head element,
The flying surface of the thin-film magnetic head slider is polished while measuring the resistance value of the magnetoresistive head element by the electric circuit board, and the element height of the magnetoresistive head element is set to a predetermined height. A polishing process step to be set;
Removing the wire of the wire bonding from the terminal of the magnetoresistive head element to the wire bonding residue of the terminal to a predetermined height or less for the polished thin film magnetic head. A method for manufacturing a thin film magnetic head.
請求項5記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
前記薄膜磁気ヘッドは複数個ロウバーに組み込まれて、かつ該ロウバーの前記薄膜磁気ヘッド間に抵抗値モニタ用の抵抗検知素子が組み込まれており、
前記ワイヤボンディング工程では、該抵抗検知素子と前記電気回路基板との間にもワイヤで結線され、
前記研磨処理工程では、前記磁気抵抗効果型ヘッド素子の素子高さが所定の高さ範囲にあるとき、該抵抗検知素子の抵抗値を測定しながら、磁気抵抗効果型ヘッド素子の素子高さを制御することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
The method for manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 5,
The thin film magnetic head is incorporated in a plurality of row bars, and a resistance sensing element for monitoring a resistance value is incorporated between the thin film magnetic heads of the row bar,
In the wire bonding step, a wire is also connected between the resistance sensing element and the electric circuit board,
In the polishing step, when the element height of the magnetoresistive head element is within a predetermined height range, the element height of the magnetoresistive head element is measured while measuring the resistance value of the resistance sensing element. A method for manufacturing a thin-film magnetic head, comprising:
請求項5または6に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
前記磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子に残ったワイヤボンディング残渣を前記所定の高さ以下とするために、前記ワイヤボンディング残渣を押し潰す工程を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
The method for manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 5,
A method for manufacturing a thin-film magnetic head, comprising a step of crushing the wire bonding residue so that the wire bonding residue remaining on the terminal of the magnetoresistive head element is equal to or less than the predetermined height.
請求項5または6に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
前記磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子に残ったワイヤボンディング残渣を前記所定の高さ以下とするために、前記磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子に残ったワイヤボンディング残渣に対して前記磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子の表面に平行な方向の荷重を加えることにより、該ワイヤボンディング残渣を前記磁気抵抗効果型ヘッド素子の端子の表面との界面から剥ぎ取る工程を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
The method for manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 5,
In order to reduce the wire bonding residue remaining at the terminal of the magnetoresistive head element to the predetermined height or less, the wire bonding residue remaining at the terminal of the magnetoresistive head element is compared with the magnetoresistive head element. A step of applying a load in a direction parallel to the surface of the terminal of the head element to peel off the wire bonding residue from an interface with the surface of the terminal of the magnetoresistive head element. Manufacturing method.
請求項8記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
前記ワイヤボンディング残渣の材質がアルミニウムまたはアルミニウム合金であることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
The method for manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 8,
A method for manufacturing a thin-film magnetic head, wherein the material of the wire bonding residue is aluminum or an aluminum alloy.
請求項〜7のいずれか1つに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
前記ワイヤボンディング残渣の材質が金または金合金であることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
The method for manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 1,
A method of manufacturing a thin-film magnetic head, wherein the material of the wire bonding residue is gold or a gold alloy.
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