JP2004199088A - Base substrate and active matrix substrate for film liquid crystal panel manufacturing - Google Patents

Base substrate and active matrix substrate for film liquid crystal panel manufacturing Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a base substrate and an active matrix substrate for manufacturing a thin and lightweight film liquid crystal panel of an active matrix display type, with superior display quality. <P>SOLUTION: This base substrate is composed of a metallic plated layer separably formed on a surface of a heat-resisting support substrate conductive at least on the surface, and an electrical insulation layer provided on the metallic plated layer. This configuration prevents deformation of the electrical insulation layer by the heat-resisting support substrate of the base substrate, even if the base substrate is held at high temperature of 200-350°C in an active matrix layer forming process onto the electrical insulation layer of the base substrate, to form the active matrix substrate of the present invention. After forming the liquid crystal layer on the matrix layer, unnecessary heat-resisting support substrate is removed by separation to manufacture the film liquid crystal panel. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

本発明は、液晶パネル、特にフィルム状の液晶パネルの製造に使用するベース基板とアクティブマトリックス基板に関する。   The present invention relates to a base substrate and an active matrix substrate used for manufacturing a liquid crystal panel, particularly, a film-like liquid crystal panel.

近年、省電力、薄型の情報表示装置として、液晶ディスプレイ(LCD)は広範囲な用途に利用されている。   2. Description of the Related Art In recent years, a liquid crystal display (LCD) has been used for a wide range of applications as a power-saving and thin information display device.

一般的に用いられている液晶ディスプレイは、2枚の基板の間に液晶を充填し、両基板間に画素単位で電圧を印加して、液晶の光学特性を制御することにより動作する。このような液晶ディスプレイは、その表示形態によってセグメント形表示、マトリックス形表示に大別される。セグメント形表示はバーグラフ表示とセグメント数字・記号表示に分けられるが、どちらも表示量が少ない場合にはスタティック駆動し、表示量が多い場合にはマルチプレックス駆動する。また、マトリックス形表示は単純マトリックス形表示とアクティブマトリックス形表示に分けられ、どちらもマルチプレックス駆動とするのが一般的である。   A commonly used liquid crystal display operates by filling a liquid crystal between two substrates and applying a voltage between the two substrates in pixel units to control the optical characteristics of the liquid crystal. Such a liquid crystal display is roughly classified into a segment type display and a matrix type display according to its display form. The segment type display is divided into a bar graph display and a segment number / symbol display. In both cases, static driving is performed when the display amount is small, and multiplex driving is performed when the display amount is large. Further, the matrix type display is divided into a simple matrix type display and an active matrix type display, and both are generally driven by multiplex driving.

上記のセグメント形表示、単純マトリックス形表示の液晶ディスプレイは、液晶ディスプレイを構成する2枚の基板に表示情報に則したパターン形状あるいはストライプ形状を有する透明電極を設けるのみで画素を構成できるため、アクティブマトリックス形表示に比べて安価に製造でき、表示情報量が少ない電卓、時計、電子手帳、ポケットベル等の小型情報機器、計測機器、電子ゲーム、バーグラフ表示等に広く用いられている。特に小型情報機器向けのセグメント形表示あるいは単純マトリックス形表示の液晶ディスプレイでは、携帯性の向上、落下や外押圧ストレスに対する耐衝撃性の向上のため、基板としてプラスチック基板が用いられている。   Since the above-described segment-type display and simple-matrix-type liquid crystal display can form pixels simply by providing a transparent electrode having a pattern shape or a stripe shape in accordance with display information on two substrates constituting the liquid crystal display, active pixels can be formed. It can be manufactured at a lower cost than the matrix type display, and is widely used for small information devices such as calculators, watches, electronic organizers, pagers, measuring devices, electronic games, bar graph displays, etc., which have a small amount of display information. In particular, in a liquid crystal display of a segment type display or a simple matrix type display for a small information device, a plastic substrate is used as a substrate in order to improve portability and improve impact resistance against a drop or an external pressing stress.

一方、アクティブマトリックス形表示の液晶ディスプレイでは、表示特性を向上させるため、液晶ディスプレイを構成する2枚の基板のうち一方の基板としてアクティブマトリックス基板が用いられており、このようなアクティブマトリックス形表示の液晶ディスプレイは、近年、表示情報量の多い液晶ディスプレイで主流となりつつある。上記のアクティブマトリックス基板は、基板上に複数の画素電極が縦横に配列されており、しかも個々の画素電極には、それぞれトランジスタ素子やダイオード素子といった能動素子(アクティブ素子)が接続されていて、個々の能動素子をオン・オフまたは中間制御することにより、各画素ごとの液晶の光学特性を制御できるようになっている。   On the other hand, in a liquid crystal display of an active matrix type display, an active matrix substrate is used as one of two substrates constituting the liquid crystal display in order to improve display characteristics. 2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal displays have become mainstream in liquid crystal displays having a large amount of display information. In the active matrix substrate described above, a plurality of pixel electrodes are arranged vertically and horizontally on the substrate, and an active element (active element) such as a transistor element or a diode element is connected to each pixel electrode. By turning on / off or intermediately controlling the active elements, the optical characteristics of the liquid crystal for each pixel can be controlled.

また、上述のような液晶ディスプレイは、使用する液晶の種類によって、ツイストネマティック型の液晶ディスプレイと高分子分散型の液晶ディスプレイに大別される。   In addition, the above-described liquid crystal displays are roughly classified into a twisted nematic liquid crystal display and a polymer dispersed liquid crystal display depending on the type of liquid crystal used.

ツイストネマティック型の液晶ディスプレイの表示方法は、ツイストネマティック液晶を挟んでその両側に、それぞれ偏光板が配置された上部電極基板と下部電極基板を配置し、電圧印加により液晶の配向を変化させ、偏光板を通る光を透過または遮断するようにしたものである。   The display method of the twisted nematic liquid crystal display is such that an upper electrode substrate and a lower electrode substrate each having a polarizing plate are arranged on both sides of the twisted nematic liquid crystal, and the orientation of the liquid crystal is changed by applying a voltage to change the polarization of the liquid crystal. Light passing through the plate is transmitted or blocked.

一方、消費電力低減化向上、薄型化の向上の目的でバックライトを必要としない反射型液晶ディスプレイが提案されている。この液晶ディスプレイは、高分子の3次元ネットワーク中に液晶組成物を充満させた液晶層を使用するものであり、液晶組成物が充満された高分子層の両側に上部電極基板と下部電極基板を配置し、この電極間に電圧を印加しない状態では液晶の配向がランダムのため光が透過せず、電圧を印加すると液晶の配向が揃って光透過性となるものである。この高分子分散型液晶ディスプレイは、ツイストネマティック型の液晶ディスプレイの表示方法を反射型表示装置に適用するのと比べ、液晶を基板上に印刷等によりコーティングでき、偏光板を使用する必要がなく光反射層を基板上に設けることができ、なおかつ、金属膜を電極と反射層に兼用することができるので製造プロセス上簡略化を図ることができる。   On the other hand, there has been proposed a reflective liquid crystal display that does not require a backlight for the purpose of reducing power consumption and improving thickness. This liquid crystal display uses a liquid crystal layer filled with a liquid crystal composition in a polymer three-dimensional network. An upper electrode substrate and a lower electrode substrate are provided on both sides of the polymer layer filled with the liquid crystal composition. When no voltage is applied between the electrodes, light is not transmitted because the orientation of the liquid crystal is random, and when a voltage is applied, the orientation of the liquid crystal is uniform and the light is transmitted. This polymer-dispersed liquid crystal display can coat the liquid crystal on the substrate by printing or the like, compared to applying the display method of a twisted nematic liquid crystal display to a reflective display device, and can eliminate the need for using a polarizing plate. Since the reflective layer can be provided on the substrate, and the metal film can be used both as the electrode and the reflective layer, the manufacturing process can be simplified.

また、異なった観点より、論理演算素子やメモリ素子といった一般的な半導体装置においては、シリコン基板内に種々の構造が形成される。これに対して液晶ディスプレイ等を駆動するための半導体装置においては、基板上に種々の構造が形成される。これは、ディスプレイとしての機能上の要請から、透明な基板を使用する必要があり、シリコン基板を使用することができないためである。例えば、アクティブマトリックス型液晶を駆動するための半導体装置におけるアクティブマトリックスのトランジスタ素子やダイオード素子といった能動素子(アクティブ素子)は、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、半導体層等、すべての構成要素が基板上に形成されている。   Further, from a different viewpoint, in a general semiconductor device such as a logical operation element or a memory element, various structures are formed in a silicon substrate. On the other hand, in a semiconductor device for driving a liquid crystal display or the like, various structures are formed on a substrate. This is because it is necessary to use a transparent substrate because of a functional requirement as a display, and a silicon substrate cannot be used. For example, in a semiconductor device for driving an active matrix type liquid crystal, an active element such as a transistor element or a diode element of an active matrix includes all components such as a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, and a semiconductor layer. It is formed on.

上述のアクティブマトリックス形表示の液晶ディスプレイは、使用するアクティブマトリックス基板の能動素子の性能、品質が良好であることが要求されるが、性能や品質の良好な能動素子を備えたアクティブマトリックス基板を製造するには、その製造プロセスにおいて基板を200〜350℃までの温度に加熱し保つ必要がある。このため、アクティブマトリックス基板には、耐熱性、寸法安定性の観点からガラス基板が使用されており、したがって、現状のアクティブマトリックス形表示の液晶ディスプレイは、薄型軽量化を求めてガラス基板を薄くすると割れやすくなるという問題を抱えている。   The active matrix type liquid crystal display described above requires that the active elements of the active matrix substrate used have good performance and quality, but an active matrix substrate having active elements with good performance and quality is manufactured. To do so, it is necessary to heat the substrate to a temperature of 200 to 350 ° C. in the manufacturing process. For this reason, a glass substrate is used for the active matrix substrate from the viewpoint of heat resistance and dimensional stability.Therefore, in the current active matrix type liquid crystal display, when the thickness of the glass substrate is reduced in order to reduce the thickness and weight. There is a problem that it is easily broken.

これに対して、性能や品質が良好な能動素子を150℃程度以下のプロセス温度で作製できるようになれば、ガラス基板の代わりにプラスチック基板(フィルム)を使用することが可能となり、上記の薄型軽量化による割れの問題は解消され、いわゆるフィルム液晶ディスプレイが可能となる。しかし、150℃程度以下のプロセス温度での能動素子の製造は現段階では基礎研究の域を出ておらず実用的ではない。また、250℃程度の温度に耐えるプラスチック基板(フィルム)も存在するが、光透過性が不十分であるか高価格であり、やはり、実用的ではない。   On the other hand, if an active element having good performance and quality can be manufactured at a process temperature of about 150 ° C. or less, a plastic substrate (film) can be used instead of a glass substrate. The problem of cracking due to weight reduction is eliminated, and a so-called film liquid crystal display becomes possible. However, the manufacture of active devices at a process temperature of about 150 ° C. or less has not yet reached basic research and is not practical. There are also plastic substrates (films) that can withstand a temperature of about 250 ° C., but they are not practical because of insufficient light transmittance or high cost.

さらに、プラスチック基板(フィルム)上に能動素子を作製する際の問題点として、その作製プロセスにおいて形成される各種金属薄膜、無機薄膜の内部応力やバイメタル効果により、プラスチック基板(フィルム)自身が変形し平面性が損なわれるため、必要なプロセス中の各種フォトリソグラフィーによるパターニングが良好に行えないという問題がある。   Furthermore, a problem in manufacturing an active device on a plastic substrate (film) is that the plastic substrate (film) itself is deformed due to internal stress and bimetal effect of various metal thin films and inorganic thin films formed in the manufacturing process. Since the flatness is impaired, there is a problem that patterning by various photolithography during a necessary process cannot be performed well.

本発明は上述のような実情に鑑みてなされたものであり、薄型軽量で表示品質に優れたアクティブマトリックス形表示のフィルム液晶パネルを製造するためのベース基板とアクティブマトリックス基板を提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a base substrate and an active matrix substrate for manufacturing a thin, lightweight, active matrix type film liquid crystal panel having excellent display quality. And

このような目的を達成するために、本発明は、フィルム液晶パネルを製造するためのベース基板において、少なくとも一方の表面が導電性である耐熱性支持基板と、該耐熱性支持基板の表面に剥離可能に形成された金属メッキ層と、該金属メッキ層上に設けられた電気絶縁層とを有するような構成とした。   In order to achieve such an object, the present invention provides a base substrate for manufacturing a film liquid crystal panel, wherein a heat-resistant support substrate having at least one surface conductive is provided, and a surface of the heat-resistant support substrate is peeled off. The configuration includes a metal plating layer formed as possible and an electric insulating layer provided on the metal plating layer.

本発明の好ましい態様として、前記電気絶縁層が透明電気絶縁層であるような構成とした。   As a preferred embodiment of the present invention, the electric insulating layer is configured to be a transparent electric insulating layer.

本発明の好ましい態様として、前記透明電気絶縁層が有機系ガラス層であるような構成とした。   As a preferred embodiment of the present invention, the transparent electric insulating layer is configured to be an organic glass layer.

また、本発明は、フィルム液晶パネルを製造するためのアクティブマトリックス基板において、上記のいずれかのベース基板の電気絶縁層上にアクティブマトリックス層を備えるような構成とした。   According to the present invention, an active matrix substrate for manufacturing a film liquid crystal panel has a configuration in which an active matrix layer is provided on an electrical insulating layer of any one of the above base substrates.

本発明によれば、ベース基板の電気絶縁層上にアクティブマトリックス層を形成するプロセスでベース基板が高温(200〜350℃程度)に保持されても、ベース基板が備える耐熱性支持基板によって透明電気絶縁層や電気絶縁層の変形が防止されるので、従来のガラス基板で確立されている能動素子の製造プロセス技術および設備をそのまま使用してアクティブマトリックス層形成が行える。そして、アクティブマトリックス基板のアクティブマトリックス層上に液晶層を介して透明導電膜、透明基板を積層した後、ベース基板を構成する耐熱性支持基板から金属メッキ層を剥離することによりフィルム状の液晶パネルが得られる。あるいは、上記のアクティブマトリックス層上に高分子分散液晶層、導電膜を積層した後、ベース基板を構成する耐熱性支持基板から金属メッキ層を剥離することによりフィルム状の液晶パネルが得られる。このようにして得られたフィルム液晶パネルは性能、品質が良好な能動素子を備えているため表示品質に優れるとともに薄型軽量化を可能とし、さらに、従来の薄型軽量の液晶ディスプレイとは異なりガラス基板を使用していないため薄型であっても割れないという効果を奏する。さらに、分散型液晶層を備えるフィルム液晶パネルは、液晶の注入という工程を、塗布による液晶層の形成という工程に変えることができ、また、偏光板を使用する必要がなく光反射層を基板上に設けることができ、なおかつ、金属膜を電極と反射層に兼用することができるので製造プロセスの簡略化が可能となり、また、塗布形成された分散型液晶層の厚みが均一なため、セルギャップの均一化がより容易となる。また、分散型液晶層を挟持する電気絶縁層や金属メッキ層は、仮にピンホール等の欠陥があったとしても、液晶がにじみ出るという問題がなく、また、外壁としての強度を要求されることもないので、材料選定の幅が拡大するという効果が奏される。   According to the present invention, even if the base substrate is maintained at a high temperature (about 200 to 350 ° C.) in the process of forming the active matrix layer on the electrical insulating layer of the base substrate, the transparent substrate is provided by the heat-resistant supporting substrate provided in the base substrate. Since the deformation of the insulating layer and the electric insulating layer is prevented, the active matrix layer can be formed using the manufacturing process technology and equipment of the active element established on the conventional glass substrate as it is. Then, after laminating a transparent conductive film and a transparent substrate on the active matrix layer of the active matrix substrate via a liquid crystal layer, a metal-plated layer is peeled off from the heat-resistant support substrate constituting the base substrate to form a film-like liquid crystal panel. Is obtained. Alternatively, a film-like liquid crystal panel can be obtained by laminating a polymer-dispersed liquid crystal layer and a conductive film on the active matrix layer, and then peeling off the metal plating layer from the heat-resistant support substrate constituting the base substrate. The film liquid crystal panel obtained in this way is equipped with active elements with good performance and quality, so it is excellent in display quality and can be made thin and light.In addition, unlike conventional thin and light liquid crystal displays, glass substrates Since it is not used, there is an effect that it is not broken even if it is thin. Furthermore, in the case of a film liquid crystal panel having a dispersion type liquid crystal layer, the step of injecting liquid crystal can be changed to the step of forming a liquid crystal layer by coating, and the light reflection layer is formed on the substrate without using a polarizing plate. In addition, since the metal film can also be used as the electrode and the reflective layer, the manufacturing process can be simplified, and since the thickness of the applied dispersed liquid crystal layer is uniform, the cell gap can be reduced. Becomes easier. In addition, even if there is a defect such as a pinhole, the electric insulating layer and the metal plating layer sandwiching the dispersion type liquid crystal layer do not have a problem that the liquid crystal oozes out, and also require strength as an outer wall. Since there is no material, there is an effect that the range of material selection is expanded.

以下、本発明について図面を参照して説明する。   Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明のフィルム液晶パネルの一実施例を用いたアクティブマトリックス形表示の液晶ディスプレイ(LCD)の一例を示す概略断面図である。図1において、液晶ディスプレイ1はフィルム液晶パネル11と、このフィルム液晶パネル11の両外側に配設された偏光板2,3で構成されている。液晶ディスプレイ1を構成するフィルム液晶パネル11は、透明電気絶縁層12と、この透明電気絶縁層12上に形成されたアクティブマトリックス層13と、液晶層14を介してアクティブマトリックス層13と対向するように設けられた透明導電膜15と、この透明導電膜15上に積層された透明基板16とからなっている。上記のアクティブマトリックス層13と透明導電膜15はスペーサ(図中に想像線で示される)を介して所定の間隔で対向しており、その間に捩れネマティック(TN)液晶からなる厚さ約5〜10μm程度の液晶層14が形成されている。尚、図示例では省略されているが、液晶層14に面したアクティブマトリックス層13上と透明導電膜15上には配向膜が設けられている。また、図示例では省略されているが、カラーパネルとするため、カラーフィルタを設ける場合には、透明導電膜15と透明基板16の間にカラーフィルタを設けることができる。   FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of an active matrix type liquid crystal display (LCD) using one embodiment of the film liquid crystal panel of the present invention. In FIG. 1, a liquid crystal display 1 includes a film liquid crystal panel 11 and polarizing plates 2 and 3 disposed on both outer sides of the film liquid crystal panel 11. The film liquid crystal panel 11 constituting the liquid crystal display 1 has a transparent electric insulating layer 12, an active matrix layer 13 formed on the transparent electric insulating layer 12, and a liquid crystal layer 14 so as to face the active matrix layer 13. And a transparent substrate 16 laminated on the transparent conductive film 15. The active matrix layer 13 and the transparent conductive film 15 are opposed to each other at a predetermined interval via a spacer (indicated by an imaginary line in the figure), and have a thickness of about 5 to 5 made of twisted nematic (TN) liquid crystal therebetween. A liquid crystal layer 14 of about 10 μm is formed. Although not shown in the drawing, an alignment film is provided on the active matrix layer 13 facing the liquid crystal layer 14 and on the transparent conductive film 15. Although omitted in the illustrated example, when a color filter is provided for a color panel, a color filter can be provided between the transparent conductive film 15 and the transparent substrate 16.

上記のフィルム液晶パネル11において、透明電気絶縁層12は、酸化ケイ素を主成分とする有機ガラス、スパッタリング法、CVD法等で形成される窒化ケイ素や酸化ケイ素、反応性蒸着法により形成される窒化ケイ素、酸化ケイ素やショットガラス膜、透明耐熱性高分子であるポリイミドやポリアミドイミド、塗布・焼成タイプのコーティングガラス(東京応化工業(株)製 T2(焼成温度450℃)、東燃(株)製低温焼成タイプポリシラザン(焼成温度250℃))等により形成することができ、特に耐衝撃性の点から有機ガラスが好ましい。このような透明電気絶縁層12の厚みは0.5〜10μm程度が好ましい。   In the above film liquid crystal panel 11, the transparent electric insulating layer 12 is made of an organic glass containing silicon oxide as a main component, silicon nitride or silicon oxide formed by a sputtering method, a CVD method, or the like, or a nitride formed by a reactive evaporation method. Silicon, silicon oxide and shot glass films, transparent heat-resistant polymers such as polyimide and polyamide imide, and coating / firing type coating glass (T2 (firing temperature 450 ° C) manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., low temperature manufactured by Tonen Co., Ltd.) It can be formed by firing type polysilazane (a firing temperature of 250 ° C.) or the like, and organic glass is particularly preferable from the viewpoint of impact resistance. The thickness of such a transparent electric insulating layer 12 is preferably about 0.5 to 10 μm.

アクティブマトリックス層13は、複数の画素電極が縦横に配列されており、個々の画素電極には、それぞれアモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタや薄膜ダイオード、あるいはタンタル、酸化タンタルを用いたMIM(金属/絶縁物/金属)素子といった能動素子(アクティブ素子)が接続されている。   The active matrix layer 13 has a plurality of pixel electrodes arranged in rows and columns. Each pixel electrode has a thin film transistor or a thin film diode using amorphous silicon, or a MIM (metal / insulator) using tantalum or tantalum oxide. An active element such as a (/ metal) element is connected.

また、透明導電膜15は、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、CVD法等の公知の方法により、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化スズ(NESA)、酸化亜鉛等の透明導電性物質を成膜(厚さ200〜2000Å)することにより形成される。   The transparent conductive film 15 is formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), tin oxide (NESA), and zinc oxide by a known method such as a sputtering method, a vacuum evaporation method, and a CVD method. (Thickness: 200 to 2,000 mm).

さらに、透明基板16は、セグメントあるいは単純マトリックスのフィルムLCD用基材として用いられているポリアレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、変性アクリル、あるいはポリメチルメタクリレート、エポキシ、APO(登録商標)、ZEONEX(登録商標)、ARTON(登録商標)等の樹脂を成形したフィルムであり、厚みは100〜1000μm程度が好ましい。   Further, the transparent substrate 16 is made of polyalate, polyethersulfone, polycarbonate, modified acrylic, or polymethyl methacrylate, epoxy, APO (registered trademark), ZEONEX (registered trademark) used as a segment or simple matrix film LCD substrate. ), A film formed by molding a resin such as ARTON (registered trademark), and the thickness is preferably about 100 to 1000 μm.

このようなフィルム液晶パネル11の厚みは0.5〜2.0mm程度が好ましい。   The thickness of such a film liquid crystal panel 11 is preferably about 0.5 to 2.0 mm.

次に、本発明のフィルム液晶パネルの製造方法を図1のフィルム液晶パネル11の製造を例にして説明する。図2は本発明によるフィルム液晶パネル11の製造方法の一例を説明するための工程図である。まず、耐熱性支持基板6上に金属メッキ層7を形成し、この金属メッキ層7上に透明電気絶縁層12を形成して3層構造のベース基板4を作製する(図2(A))。耐熱性支持基板6は少なくとも一方の表面(金属メッキ層7の形成面側)が導電性であればよく、また350℃程度での加熱において形状および寸法が安定しているものであればよく、例えばガラス基板上にチタン、クロム、タングステン、タンタル等の金属薄膜をスパッタリング等により形成したもの、SUS430等のSUS基板、アンバー36(Ni:Fe=36:64)、アンバー42(Ni:Fe=42:58)等のインバー合金基板、コバール合金(Fe:Ni:Co=54:29:17)基板等を使用することができる。この耐熱性支持基板6の厚みは、ガラス基板上に金属薄膜を形成した耐熱性支持基板の場合には1〜3mm程度が好ましく、また、SUS基板、インバー合金基板、コバール合金基板等からなる耐熱性支持基板の場合には0.1〜0.3mm程度が好ましい。さらに、耐熱性支持基板6の金属メッキ層7を形成する面の表面粗さ(Rmax )は、1000Å以下であることが好ましい。耐熱性支持基板6の表面粗さ(Rmax )を1000Å以下とするための研磨処理は、ラッピング研磨、電解研磨と機械研磨との併用(例えば、日造精密研磨(株)製の研磨装置による電解複合研磨)等により行うことができる。   Next, a method for manufacturing a film liquid crystal panel of the present invention will be described with reference to an example of manufacturing the film liquid crystal panel 11 in FIG. FIG. 2 is a process chart for explaining an example of a method of manufacturing the film liquid crystal panel 11 according to the present invention. First, a metal plating layer 7 is formed on a heat-resistant support substrate 6, and a transparent electric insulating layer 12 is formed on the metal plating layer 7 to manufacture a three-layer base substrate 4 (FIG. 2A). . The heat-resistant support substrate 6 only needs to have conductivity on at least one surface (the surface on which the metal plating layer 7 is formed), as long as the shape and dimensions are stable when heated at about 350 ° C. For example, a metal thin film of titanium, chromium, tungsten, tantalum or the like formed on a glass substrate by sputtering or the like, a SUS substrate such as SUS430, Amber 36 (Ni: Fe = 36: 64), Amber 42 (Ni: Fe = 42) : 58), a Kovar alloy (Fe: Ni: Co = 54: 29: 17) substrate, or the like can be used. The thickness of the heat-resistant support substrate 6 is preferably about 1 to 3 mm in the case of a heat-resistant support substrate in which a metal thin film is formed on a glass substrate, and a heat-resistant support substrate made of a SUS substrate, an Invar alloy substrate, a Kovar alloy substrate, or the like. In the case of a conductive support substrate, the thickness is preferably about 0.1 to 0.3 mm. Further, the surface roughness (Rmax) of the surface of the heat-resistant support substrate 6 on which the metal plating layer 7 is formed is preferably 1000 ° or less. The polishing treatment for reducing the surface roughness (Rmax) of the heat-resistant support substrate 6 to 1000 ° or less is performed by a combination of lapping polishing, electrolytic polishing and mechanical polishing (for example, electrolytic polishing by a polishing device manufactured by Nikko Precision Polishing Co., Ltd.). Composite polishing) or the like.

また、金属メッキ層7は上記の耐熱性支持基板6に対して適度な接着性を示し、かつ、剥離可能なものであり、ニッケル、銅、クロム、亜鉛、スズ、鉄等、および、これらの合金等、耐熱性支持基板6の表面材料との関係から適宜選択することができる。このような金属メッキ層7の厚みは1〜100μm程度が好ましい。また、形成した金属メッキ層7の内部応力を低くすることが好ましく、例えば、ニッケルメッキ液では、スルファミン酸ニッケルが好ましく、硫酸ニッケルを用いたワット浴は内部応力が大きいため好ましくない。また、金属メッキ層7の内部応力を低くするために、メッキ液に添加剤、例えば、荏原ユージライト社製の光沢剤#61、#63、#610、#62等を添加することが好ましい。添加濃度としては、光沢剤#61は適時補給すればよく、#63は10〜15ml/l程度、#610は3〜7ml/l程度、#62は0.5〜3ml/l程度である。   Further, the metal plating layer 7 has a suitable adhesiveness to the heat-resistant support substrate 6 and can be peeled off, and is made of nickel, copper, chromium, zinc, tin, iron, or the like. It can be appropriately selected from the relationship with the surface material of the heat-resistant support substrate 6, such as an alloy. The thickness of such a metal plating layer 7 is preferably about 1 to 100 μm. Further, it is preferable to reduce the internal stress of the formed metal plating layer 7. For example, in a nickel plating solution, nickel sulfamate is preferable, and a watt bath using nickel sulfate is not preferable because the internal stress is large. Further, in order to reduce the internal stress of the metal plating layer 7, it is preferable to add an additive to the plating solution, for example, brighteners # 61, # 63, # 610, and # 62 manufactured by Ebara Ujilite. As the additive concentration, the brightener # 61 may be replenished as appropriate, # 63 is about 10 to 15 ml / l, # 610 is about 3 to 7 ml / l, and # 62 is about 0.5 to 3 ml / l.

尚、上述のように金属メッキ層7は耐熱性支持基板6に対して適度な接着性と剥離性を示す必要があるが、例えば、耐熱性支持基板6としてインバー合金あるいはコバール合金を使用し、これに金属メッキ層6としてニッケルメッキを施すと、両者は剥離できなくなる。この場合、インバー合金あるいはコバール合金に不動態化処理することによって剥離可能とすることができる。インバー合金あるいはコバール合金の不動態化処理の一例としては、前記合金の表面にニッケルメッキを施し、重クロム酸に10〜30秒間浸漬し、洗浄後、さらにニッケルメッキを施すことにより、2回目のニッケルメッキ膜を剥離メッキ膜とする処理が可能である。   Note that, as described above, the metal plating layer 7 needs to have appropriate adhesiveness and peelability with respect to the heat-resistant support substrate 6. For example, an invar alloy or a Kovar alloy is used as the heat-resistant support substrate 6. If nickel plating is applied to this as the metal plating layer 6, they cannot be peeled off. In this case, the invar alloy or the Kovar alloy can be peeled by a passivation treatment. As an example of passivation treatment of an Invar alloy or a Kovar alloy, the surface of the alloy is plated with nickel, immersed in dichromic acid for 10 to 30 seconds, washed, and further plated with nickel for the second time. A process in which a nickel plating film is used as a release plating film is possible.

本発明のフィルム液晶パネルの製造方法は、上記のようなベース基板4を作製した後、ベース基板4の透明電気絶縁層12上にアクティブマトリックス層13を形成してアクティブマトリックス基板5とする(図2(B))。このアクティブマトリックス層形成プロセスでベース基板4が高温(200〜350℃程度)に保持されても、ベース基板4が備える耐熱性支持基板6によって透明電気絶縁層12の変形が防止される。したがって、アクティブマトリックス層13の形成は、従来のガラス基板で確立されている能動素子の製造プロセス技術および設備をそのまま使用して行うことができる。   According to the method for manufacturing a film liquid crystal panel of the present invention, after the above-described base substrate 4 is manufactured, an active matrix layer 13 is formed on the transparent electric insulating layer 12 of the base substrate 4 to obtain an active matrix substrate 5 (FIG. 2 (B)). Even if the base substrate 4 is maintained at a high temperature (about 200 to 350 ° C.) in the active matrix layer forming process, the transparent electric insulating layer 12 is prevented from being deformed by the heat-resistant support substrate 6 included in the base substrate 4. Therefore, the formation of the active matrix layer 13 can be performed using the active element manufacturing process technology and equipment established on the conventional glass substrate as it is.

一方、透明基板16の一方の面にカラーフィルタ(図示せず)を介して透明導電膜15を形成し、さらに、この透明導電膜15上に配向膜(図示せず)を形成した積層体を作製し、所定の大きさのスペーサとシール材(図示せず)を介して透明導電膜15がアクティブマトリックス層13と対向するように上記の積層体をアクティブマトリックス基板5上に配設する(図2(C))。   On the other hand, a laminate in which a transparent conductive film 15 is formed on one surface of a transparent substrate 16 via a color filter (not shown), and an alignment film (not shown) is further formed on the transparent conductive film 15 is provided. The laminate is manufactured and disposed on the active matrix substrate 5 such that the transparent conductive film 15 faces the active matrix layer 13 via a spacer of a predetermined size and a sealing material (not shown) (FIG. 2 (C)).

これ以降の工程では高温加熱プロセスはないため、上記の耐熱性支持基板6は不要となる。したがって、不要となった耐熱性支持基板6を金属メッキ層7から剥離し、その後、金属メッキ層7をフォトリソグラフィーにより除去する。次に、アクティブマトリックス層13と透明導電膜15との間隙部に液晶を注入しシール材19で密封して液晶層14を形成(図2(D))することによりフィルム液晶パネル11とする。   Since there is no high-temperature heating process in the subsequent steps, the heat-resistant support substrate 6 is not required. Therefore, the unnecessary heat-resistant support substrate 6 is peeled off from the metal plating layer 7, and then the metal plating layer 7 is removed by photolithography. Next, a liquid crystal is injected into a gap between the active matrix layer 13 and the transparent conductive film 15 and sealed with a sealing material 19 to form a liquid crystal layer 14 (FIG. 2D), thereby forming a film liquid crystal panel 11.

図3は本発明のフィルム液晶パネルの他の態様を示す概略断面図である。図3において、フィルム液晶パネル21は、透明電気絶縁層22と、この透明電気絶縁層22に一方の面に設けられた金属メッキ層27と、透明電気絶縁層22の他の面に形成されたアクティブマトリックス層23と、液晶層24を介してアクティブマトリックス層23と対向するように設けられた透明導電膜25と、この透明導電膜25上に積層された透明基板26とからなっている。すなわち、図3に示されるフィルム液晶パネル21は、透明電気絶縁層22の外側に金属メッキ層27を備えている点で図1に示されるフィルム液晶パネル11と相違しており、この金属メッキ層27は、画素に対応した孔部27aを備えるものである。   FIG. 3 is a schematic sectional view showing another embodiment of the film liquid crystal panel of the present invention. 3, the film liquid crystal panel 21 is formed on a transparent electric insulating layer 22, a metal plating layer 27 provided on one surface of the transparent electric insulating layer 22, and another surface of the transparent electric insulating layer 22. The active matrix layer 23 includes a transparent conductive film 25 provided so as to face the active matrix layer 23 with the liquid crystal layer 24 interposed therebetween, and a transparent substrate 26 laminated on the transparent conductive film 25. That is, the film liquid crystal panel 21 shown in FIG. 3 is different from the film liquid crystal panel 11 shown in FIG. 1 in that a metal plating layer 27 is provided outside the transparent electric insulating layer 22. 27 is provided with a hole 27a corresponding to the pixel.

このようなフィルム液晶パネル21は、図2に示される製造方法において、不要となった耐熱性支持基板6を金属メッキ層7から剥離した後(図2(D))、金属メッキ層7を除去することなくそのまま後工程に流すことにより作製することができる。金属メッキ層27への孔部27aの形成は、不要となった耐熱性支持基板6を金属メッキ層7から剥離した後に金属メッキ層27上にフォトレジストを塗布し、所望のパターンでフォトレジストを露光・現像することによりマスク層を形成し、このマスク層を介して金属メッキ層27をエッチングすることにより行うことができる。このように孔部を金属メッキ層27に形成することにより、強度の高い光透過型のフィルム液晶パネルとすることができる。   In such a film liquid crystal panel 21, in the manufacturing method shown in FIG. 2, after removing the unnecessary heat-resistant support substrate 6 from the metal plating layer 7 (FIG. 2D), the metal plating layer 7 is removed. It can be manufactured by flowing it to the subsequent process without performing it. The hole 27a is formed in the metal plating layer 27 by removing the unnecessary heat-resistant support substrate 6 from the metal plating layer 7 and then applying a photoresist on the metal plating layer 27, and applying the photoresist in a desired pattern. A mask layer is formed by exposure and development, and the metal plating layer 27 is etched through the mask layer. By forming the holes in the metal plating layer 27 in this manner, a light-transmitting film liquid crystal panel with high strength can be obtained.

次に、液晶層として高分子分散液晶層を備えた反射型の本発明のフィルム液晶パネルについて説明する。   Next, the reflection type film liquid crystal panel of the present invention having a polymer dispersed liquid crystal layer as a liquid crystal layer will be described.

図4は、本発明のフィルム液晶パネルの他の態様を示す概略断面図である。図4において、フィルム液晶パネル31は、アクティブマトリックス層33と、高分子分散液晶層34を介してアクティブマトリックス層33に積層された導電膜35とからなっている。   FIG. 4 is a schematic sectional view showing another embodiment of the film liquid crystal panel of the present invention. In FIG. 4, the film liquid crystal panel 31 includes an active matrix layer 33 and a conductive film 35 laminated on the active matrix layer 33 with a polymer dispersed liquid crystal layer 34 interposed therebetween.

アクティブマトリックス層33は上述のフィルム液晶パネル11におけるアクティブマトリックス13と同様に形成される。   The active matrix layer 33 is formed similarly to the active matrix 13 in the film liquid crystal panel 11 described above.

高分子分散液晶層34は、硬化型と分散型とがあり、電界がない状態では液晶の配向がランダムなため光が透過せず、電界がかかると液晶の配向が揃って光透過性となるものである。   The polymer-dispersed liquid crystal layer 34 has a curable type and a dispersed type. In the absence of an electric field, the orientation of the liquid crystal is random, so that light is not transmitted. When the electric field is applied, the orientation of the liquid crystal is uniform and the liquid crystal becomes transparent. Things.

硬化型の高分子分散液晶層は、高分子の3次元ネットワーク中に液晶組成物を充満させたものである。この硬化型の高分子分散液晶層は、液晶とモノマー、プレポリマーを相溶させたものをスクリーン印刷等により塗布し、電離放射線(紫外線、電子ビーム等)を照射することにより硬化させて3次元ネットワーク中に液晶滴を形成することにより作成することができる。   The curable polymer-dispersed liquid crystal layer has a three-dimensional polymer network filled with a liquid crystal composition. This curable polymer-dispersed liquid crystal layer is three-dimensionally applied by screen printing or the like, in which a liquid crystal, a monomer, and a prepolymer are compatible with each other, and cured by irradiating with ionizing radiation (ultraviolet rays, electron beams, etc.). It can be created by forming liquid crystal droplets in a network.

一方、分散型の高分子分散液晶層は、高分子の中に液晶が単に分散されているものであり、水中で水溶性ポリマー好ましくはポリビニルアルコール(PVA)中に液晶を懸濁分散させて形成するタイプと、有機溶剤中で親油性ポリマー、例えば、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、エポキシ樹脂等の中に液晶を相溶させ、有機溶剤を除去することにより液晶を分散させて形成するタイプとがある。   On the other hand, a dispersed polymer-dispersed liquid crystal layer is a layer in which liquid crystals are simply dispersed in a polymer, and is formed by suspending and dispersing liquid crystals in a water-soluble polymer, preferably polyvinyl alcohol (PVA) in water. And a type in which a liquid crystal is made compatible with a lipophilic polymer such as polymethyl methacrylate (PMMA) or an epoxy resin in an organic solvent, and the liquid crystal is dispersed by removing the organic solvent. is there.

通常、高分子分散液晶層34の厚みは5〜30μm、好ましくは8〜13μm程度とすることができる。   Usually, the thickness of the polymer-dispersed liquid crystal layer 34 can be about 5 to 30 μm, preferably about 8 to 13 μm.

フィルム液晶パネル31は反射型のフィルム液晶パネルであるため、表示面がいずれの面であるかに応じて導電膜35は透明としたり不透明とすることができる。   Since the film liquid crystal panel 31 is a reflective film liquid crystal panel, the conductive film 35 can be made transparent or opaque depending on the display surface.

導電膜35が透明の場合、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、CVD法等の公知の方法により、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化スズ(NESA)、酸化亜鉛等の透明導電性物質を成膜(厚さ200〜2000Å)することにより形成できる。尚、高分子分散液晶層34が上記の分散型である場合、高分子分散液晶層34上へのスパッタリング法、真空蒸着法等による透明導電性物質成膜によって、分散型の高分子分散液晶層34の液晶が揮発するため、高分子分散液晶層34上に保護膜を形成した後に透明導電性物質の成膜を行う必要がある。但し、透明導電性物質が成膜されているフィルムを接着層を介して高分子分散液晶層34に積層する場合には、高分子分散液晶層34が硬化型でも分散型でも問題はない。このときの接着層は、単なる接着性があるものでは電圧損失が生じるため、例えば、日立ケミカル(株)製 Anisotropic Conductive Film等の導電性を有する接着層を使用することが好ましい。   When the conductive film 35 is transparent, for example, a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), tin oxide (NESA), or zinc oxide is formed by a known method such as a sputtering method, a vacuum evaporation method, and a CVD method. (Thickness: 200 to 2000 mm). When the polymer-dispersed liquid crystal layer 34 is of the above-mentioned dispersion type, the dispersion-type polymer-dispersed liquid crystal layer is formed on the polymer-dispersed liquid crystal layer 34 by forming a transparent conductive material by a sputtering method, a vacuum deposition method, or the like. Since the liquid crystal of 34 is volatilized, it is necessary to form a transparent conductive substance after forming a protective film on the polymer dispersed liquid crystal layer 34. However, when a film on which a transparent conductive material is formed is laminated on the polymer-dispersed liquid crystal layer 34 via an adhesive layer, there is no problem whether the polymer-dispersed liquid crystal layer 34 is of a curable type or a dispersed type. In this case, since a voltage loss occurs if the adhesive layer has a mere adhesive property, it is preferable to use a conductive adhesive layer such as, for example, Anisotropic Conductive Film manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.

導電膜35が不透明の場合、スパッタリング法、真空蒸着法、CVD法等による不透明な導電膜形成、導電膜が形成されたフィルムの積層の他に、導電性樹脂の印刷等により形成することもできる。   When the conductive film 35 is opaque, the conductive film 35 can be formed by forming an opaque conductive film by a sputtering method, a vacuum deposition method, a CVD method, or the like, laminating a film on which the conductive film is formed, or printing a conductive resin. .

また、図4に示されるフィルム液晶パネル31のアクティブマトリックス層33の外側および/または導電層35の外側(高分子分散液晶層34の形成側と反対側)に粘着性を有する透明絶縁性フィルムを積層してフィルム層を設け短絡を防止した構成、さらには、導電層35とフィルム層との間にバリヤー層を設けた構成としてもよい。上記の粘着性を有する透明絶縁性フィルムとしては、粘着シート、例えば、日東電工(株)製SPV−C100、SPV−367、大日本インキ化学工業(株)製PET透明25等を使用することができ、バリヤー層は、エチレンビニルアルコール共重合体、ポリビニルアルコール、SiOx 、SiNx 有機ガラス、ポリイミド等により形成することができる。また、透明な導電膜35の外側に、導電膜35の短絡を防止する目的で、酸化ケイ素を主成分とする有機ガラス、蒸着法、スパッタリング法、CVD法等で形成される窒化ケイ素や酸化ケイ素、透明耐熱性高分子であるポリイミド、ポリアミドイミド等により形成して透明電気絶縁層を設けた構成としてもよい。尚、この透明電気絶縁層は、通常、バリヤー性を有しているため、上記のバリヤー層の形成は不要である。 In addition, a transparent insulating film having an adhesive property is provided outside the active matrix layer 33 of the film liquid crystal panel 31 and / or outside the conductive layer 35 (the side opposite to the side on which the polymer dispersed liquid crystal layer 34 is formed) shown in FIG. A configuration in which short-circuits are prevented by providing a film layer by lamination, and a configuration in which a barrier layer is provided between the conductive layer 35 and the film layer may be adopted. As the transparent insulating film having the above-mentioned adhesive property, an adhesive sheet, for example, SPV-C100 and SPV-367 manufactured by Nitto Denko Corporation, PET transparent 25 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc. may be used. The barrier layer can be formed of ethylene vinyl alcohol copolymer, polyvinyl alcohol, SiO x , SiN x organic glass, polyimide, or the like. Further, for the purpose of preventing a short circuit of the conductive film 35 on the outside of the transparent conductive film 35, an organic glass containing silicon oxide as a main component, silicon nitride or silicon oxide formed by an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, or the like. Alternatively, a transparent electric insulating layer may be formed by forming a transparent heat-resistant polymer such as polyimide or polyamideimide. Note that the transparent electric insulating layer usually has a barrier property, so that the formation of the barrier layer is unnecessary.

図5は、高分子分散液晶層を備えた反射型のフィルム液晶パネルの他の態様を示す概略断面図である。図5において、フィルム液晶パネル41は、電気絶縁層42、アクティブマトリックス層43と、高分子分散液晶層44を介してアクティブマトリックス層43に積層された導電膜45とからなっている。   FIG. 5 is a schematic sectional view showing another embodiment of a reflection type film liquid crystal panel provided with a polymer dispersed liquid crystal layer. In FIG. 5, the film liquid crystal panel 41 includes an electric insulating layer 42, an active matrix layer 43, and a conductive film 45 laminated on the active matrix layer 43 via a polymer dispersed liquid crystal layer 44.

アクティブマトリックス層43は上述のフィルム液晶パネル11におけるアクティブマトリックス13と同様に形成される。   The active matrix layer 43 is formed similarly to the active matrix 13 in the film liquid crystal panel 11 described above.

高分子分散液晶層44は、上記の高分子分散液晶層34と同様に、高分子中に液晶を分散させた液晶層である。   The polymer dispersed liquid crystal layer 44 is a liquid crystal layer in which liquid crystal is dispersed in a polymer, similarly to the polymer dispersed liquid crystal layer 34 described above.

このフィルム液晶パネル41も反射型のフィルム液晶パネルであるため、表示面がいずれの面であるかに応じて電気絶縁層42と導電膜45の一方を不透明とすることができる。電気絶縁層42が透明の場合、例えば、酸化ケイ素を主成分とする有機ガラス、蒸着法、スパッタリング法、CVD法等で形成される窒化ケイ素や酸化ケイ素、透明耐熱性高分子であるポリイミド、ポリアミドイミド等により形成することができ、特に耐衝撃性の点から有機ガラスが好ましい。このような電気絶縁層42の厚みは0.5〜10μm程度が好ましい。電気絶縁層42が不透明の場合、スパッタリング法、真空蒸着法、CVD法等による不透明な電気絶縁層形成の他に、絶縁性樹脂の印刷等により形成することもできる。尚、導電膜45は上記の導電膜35と同様に形成することができる。   Since the film liquid crystal panel 41 is also a reflection type film liquid crystal panel, one of the electric insulating layer 42 and the conductive film 45 can be made opaque depending on which surface the display surface is. When the electric insulating layer 42 is transparent, for example, organic glass containing silicon oxide as a main component, silicon nitride or silicon oxide formed by an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, or the like, a transparent heat-resistant polymer such as polyimide or polyamide It can be formed of imide or the like, and organic glass is particularly preferable from the viewpoint of impact resistance. The thickness of the electric insulating layer 42 is preferably about 0.5 to 10 μm. When the electric insulating layer 42 is opaque, it can be formed by printing an insulating resin or the like in addition to forming the opaque electric insulating layer by a sputtering method, a vacuum evaporation method, a CVD method, or the like. Note that the conductive film 45 can be formed in the same manner as the conductive film 35 described above.

さらに、図5に示されるフィルム液晶パネル41の透明な導電層45の外側(高分子分散液晶層44の形成側と反対側)に粘着性を有する透明絶縁性フィルムを積層してフィルム層を設け短絡を防止した構成、さらには、導電層45とフィルム層との間にバリヤー層を設けた構成としてもよい。フィルム層およびバリヤー層は、上述(図4)のフィルム液晶パネルの場合と同様にして形成することができる。また、透明な導電膜45の外側に、導電膜45の短絡を防止する目的で、酸化ケイ素を主成分とする有機ガラス、蒸着法、スパッタリング法、CVD法等で形成される窒化ケイ素や酸化ケイ素、透明耐熱性高分子であるポリイミド、ポリアミドイミド等により形成して透明電気絶縁層を設けた構成としてもよい。尚、この透明電気絶縁層は、通常、バリヤー性を有しているため、上記のバリヤー層の形成は不要である。   Further, a transparent insulating film having adhesiveness is laminated on the outside of the transparent conductive layer 45 of the film liquid crystal panel 41 shown in FIG. 5 (the side opposite to the side on which the polymer dispersed liquid crystal layer 44 is formed) to provide a film layer. A configuration in which a short circuit is prevented, and a configuration in which a barrier layer is provided between the conductive layer 45 and the film layer may be employed. The film layer and the barrier layer can be formed in the same manner as in the case of the film liquid crystal panel described above (FIG. 4). Further, for the purpose of preventing a short circuit of the conductive film 45 on the outside of the transparent conductive film 45, an organic glass containing silicon oxide as a main component, silicon nitride or silicon oxide formed by an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, or the like. Alternatively, a transparent electric insulating layer may be formed by forming a transparent heat-resistant polymer such as polyimide or polyamideimide. Note that the transparent electric insulating layer usually has a barrier property, so that the formation of the barrier layer is unnecessary.

図6は、高分子分散液晶層を備えた反射型のフィルム液晶パネルの他の態様を示す概略断面図である。図6において、フィルム液晶パネル51は、電気絶縁層52、アクティブマトリックス層53と、高分子分散液晶層54を介してアクティブマトリックス層53に積層された導電膜55と、電気絶縁層52の外側に形成された金属メッキ層57からなっている。このように、金属メッキ層57を備えることにより、フィルム液晶パネル51は可撓性を有しながら強度的により高いものとなる。したがって、電気絶縁層52を上記のフィルム液晶パネル41の場合よりも広範囲の材料から選択して形成することができる。   FIG. 6 is a schematic sectional view showing another embodiment of a reflection type film liquid crystal panel provided with a polymer dispersed liquid crystal layer. In FIG. 6, a film liquid crystal panel 51 includes an electric insulating layer 52, an active matrix layer 53, a conductive film 55 laminated on the active matrix layer 53 via a polymer dispersed liquid crystal layer 54, and an outer side of the electric insulating layer 52. It consists of the formed metal plating layer 57. By providing the metal plating layer 57 in this way, the film liquid crystal panel 51 has higher strength while having flexibility. Therefore, the electric insulating layer 52 can be formed by selecting from a wider range of materials than in the case of the film liquid crystal panel 41 described above.

アクティブマトリックス層53は上述のフィルム液晶パネル11におけるアクティブマトリックス13と同様に形成される。   The active matrix layer 53 is formed in the same manner as the active matrix 13 in the film liquid crystal panel 11 described above.

高分子分散液晶層54は、上記の高分子分散液晶層34と同様に、高分子中に液晶を分散させた液晶層である。   The polymer dispersed liquid crystal layer 54 is a liquid crystal layer in which liquid crystal is dispersed in a polymer, similarly to the polymer dispersed liquid crystal layer 34 described above.

また、上記の金属メッキ層57を備えたフィルム液晶パネル51は、画素に対応した孔部を金属メッキ層57に形成したものであってもよい。金属メッキ層57への孔部形成は、上述のフィルム液晶パネル21の金属メッキ層27に孔部を形成するのと同様に行うことができる。   Further, the film liquid crystal panel 51 having the above-mentioned metal plating layer 57 may be one in which holes corresponding to pixels are formed in the metal plating layer 57. The formation of the hole in the metal plating layer 57 can be performed in the same manner as the formation of the hole in the metal plating layer 27 of the film liquid crystal panel 21 described above.

このフィルム液晶パネル51は反射型のフィルム液晶パネルであり、金属メッキ層57を電気絶縁層52に備えるため、導電膜55は透明な導電膜である。また、上記のように、画素に対応した孔部が金属メッキ層57に形成された場合には、表示面に応じて電気絶縁層52と導電膜55の一方を不透明とすることができる。導電膜55の形成は、上述のように導電性物質が成膜されているフィルムを接着層を介して高分子分散液晶層54に積層することにより行ってもよい。   The film liquid crystal panel 51 is a reflection type film liquid crystal panel, and the conductive film 55 is a transparent conductive film because the metal plating layer 57 is provided on the electric insulating layer 52. Further, as described above, when the hole corresponding to the pixel is formed in the metal plating layer 57, one of the electric insulating layer 52 and the conductive film 55 can be made opaque according to the display surface. The conductive film 55 may be formed by laminating a film on which a conductive substance is formed as described above to the polymer-dispersed liquid crystal layer 54 via an adhesive layer.

さらに、図6に示されるフィルム液晶パネル51の透明な導電層55の外側(高分子分散液晶層54の形成側と反対側)に粘着性を有する透明絶縁性フィルムを積層してフィルム層を設け短絡を防止した構成、さらには、導電層55とフィルム層との間にバリヤー層を設けた構成としてもよい。フィルム層およびバリヤー層は、図4に示されるフィルム液晶パネルと同様にして形成することができる。また、透明な導電膜55の外側に、導電膜55の短絡を防止する目的で、酸化ケイ素を主成分とする有機ガラス、蒸着法、スパッタリング法、CVD法等で形成される窒化ケイ素や酸化ケイ素、透明耐熱性高分子であるポリイミド、ポリアミドイミド等により形成して透明電気絶縁層を設けた構成としてもよい。尚、この透明電気絶縁層は、通常、バリヤー性を有しているため、上記のバリヤー層の形成は不要である。   Further, a film layer is provided by laminating an adhesive transparent insulating film on the outside of the transparent conductive layer 55 of the film liquid crystal panel 51 shown in FIG. 6 (on the side opposite to the side on which the polymer dispersed liquid crystal layer 54 is formed). A configuration in which a short circuit is prevented and a configuration in which a barrier layer is provided between the conductive layer 55 and the film layer may be employed. The film layer and the barrier layer can be formed in the same manner as the film liquid crystal panel shown in FIG. In order to prevent a short circuit of the conductive film 55 on the outside of the transparent conductive film 55, an organic glass containing silicon oxide as a main component, silicon nitride or silicon oxide formed by an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, or the like. Alternatively, a transparent electric insulating layer may be formed by forming a transparent heat-resistant polymer such as polyimide or polyamideimide. Note that the transparent electric insulating layer usually has a barrier property, so that the formation of the barrier layer is unnecessary.

上述の高分子分散液晶層を備えた本発明のフィルム液晶パネルは、液晶の注入という工程が塗布による液晶層の形成という工程に変えることができ、また、偏光板を使用する必要がなく光反射層を基板上に設けることができ、なおかつ、金属膜を電極と反射層に兼用することができるので製造プロセス上簡略化を図ることができる。さらに、アクティブマトリックス層上に積層された高分子分散液晶層の厚みが均一であるため、セルギャップの均一化がより容易になる。また、高分子分散液晶層を挟持する電気絶縁層や金属メッキ層は、仮にピンホール等の欠陥があったとしても、液晶がにじみ出るという問題がなく、また、外壁としての強度を要求されることもないため、材料選定の幅が広がる。   In the film liquid crystal panel of the present invention having the above-mentioned polymer dispersed liquid crystal layer, the step of injecting the liquid crystal can be changed to the step of forming the liquid crystal layer by coating, and the light reflection can be performed without using a polarizing plate. The layer can be provided on the substrate, and the metal film can be used also as the electrode and the reflective layer, so that the manufacturing process can be simplified. Further, since the thickness of the polymer-dispersed liquid crystal layer laminated on the active matrix layer is uniform, it is easier to make the cell gap uniform. In addition, the electric insulating layer and metal plating layer sandwiching the polymer dispersed liquid crystal layer do not have the problem that the liquid crystal oozes out even if there is a defect such as a pinhole, and the strength of the outer wall is required. Because there is no material, the range of material selection is expanded.

次に、図4に示されるフィルム液晶パネルを例にして、高分子分散液晶層を備えたフィルム液晶パネルの製造方法を説明する。図7は本発明によるフィルム液晶パネル31の製造方法の一例を説明するための工程図である。まず、耐熱性支持基板66上に金属メッキ層67を形成して2層構造のベース基板64を作製する(図7(A))。耐熱性支持基板66と金属メッキ層67の材質、および、耐熱性支持基板66上への金属メッキ層67の形成は、上述(図2)の3層構造のベース基板4における耐熱性支持基板6、金属メッキ層7と同様であり、ここでの説明は省略する。   Next, a method for manufacturing a film liquid crystal panel having a polymer dispersed liquid crystal layer will be described using the film liquid crystal panel shown in FIG. 4 as an example. FIG. 7 is a process chart for explaining an example of a method of manufacturing the film liquid crystal panel 31 according to the present invention. First, a metal plating layer 67 is formed on a heat-resistant support substrate 66 to form a base substrate 64 having a two-layer structure (FIG. 7A). The materials of the heat-resistant support substrate 66 and the metal plating layer 67, and the formation of the metal plating layer 67 on the heat-resistant support substrate 66 are performed by the heat-resistant support substrate 6 of the base substrate 4 having the three-layer structure described above (FIG. 2). , And the same as the metal plating layer 7, and the description is omitted here.

上記のベース基板64を作製した後、ベース基板64の金属メッキ層67上にアクティブマトリックス層33を形成してアクティブマトリックス基板65とする(図7(B))。このアクティブマトリックス層形成プロセスでベース基板64が高温(200〜350℃程度)に保持されても、ベース基板64が備える耐熱性支持基板66によってベース基板64の変形が防止される。したがって、アクティブマトリックス層33の形成は、従来のガラス基板で確立されている能動素子の製造プロセス技術および設備をそのまま使用して行うことができる。   After manufacturing the base substrate 64, the active matrix layer 33 is formed on the metal plating layer 67 of the base substrate 64 to form an active matrix substrate 65 (FIG. 7B). Even if the base substrate 64 is maintained at a high temperature (about 200 to 350 ° C.) in the active matrix layer forming process, the deformation of the base substrate 64 is prevented by the heat resistant support substrate 66 provided in the base substrate 64. Therefore, the formation of the active matrix layer 33 can be performed using the manufacturing process technology and equipment of the active element established on the conventional glass substrate as it is.

次に、アクティブマトリックス層33上に、高分子中に液晶が分散された高分子分散液晶層34を塗布形成し、さらに、この高分子分散液晶層34上に導電膜35を形成する(図7(C))。   Next, a polymer dispersed liquid crystal layer 34 in which liquid crystal is dispersed in a polymer is applied on the active matrix layer 33, and a conductive film 35 is formed on the polymer dispersed liquid crystal layer 34 (FIG. 7). (C)).

これ以降の工程では高温加熱プロセスはないため、上記の耐熱性支持基板66は不要となる。したがって、不要となった耐熱性支持基板66を金属メッキ層67から剥離し、その後、金属メッキ層67をフォトリソグラフィーにより除去することにより、フィルム液晶パネル31とする(図7(D))。   Since there is no high-temperature heating process in the subsequent steps, the heat-resistant supporting substrate 66 is not required. Therefore, the unnecessary heat-resistant support substrate 66 is peeled off from the metal plating layer 67, and then the metal plating layer 67 is removed by photolithography to obtain the film liquid crystal panel 31 (FIG. 7D).

尚、図5に示されるフィルム液晶パネル41の製造は、上記のベース基板64の代わりに、図2に示されるような3層構造のベース基板4を使用して図7に示される工程で行うことができる。また、図6に示されるフィルム液晶パネル51は、フィルム液晶パネル41の製造において金属メッキ層を除去することなくそのまま積層した状態とすることにより製造できる。   The production of the film liquid crystal panel 41 shown in FIG. 5 is performed in a process shown in FIG. 7 using a base substrate 4 having a three-layer structure as shown in FIG. be able to. Further, the film liquid crystal panel 51 shown in FIG. 6 can be manufactured by forming the film liquid crystal panel 41 as it is without removing the metal plating layer.

上述の高分子分散液晶層を備えたフィルム液晶パネルの製造方法では、導電膜35が不透明でよい場合には、導電性樹脂の印刷等により形成することができ、このため、アクティブマトリックス層33の形成以降の工程(高分子分散液晶層の形成、導電膜の形成等)は全て塗布工程とすることができ、製造プロセス上簡略化が可能となる。   In the method of manufacturing a film liquid crystal panel having the polymer dispersed liquid crystal layer described above, if the conductive film 35 may be opaque, it can be formed by printing a conductive resin or the like. All the steps after the formation (formation of the polymer dispersed liquid crystal layer, formation of the conductive film, etc.) can be applied steps, which can simplify the production process.

次に、実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。
(実施例1)
厚さ1mmのガラス基板に金属Ti層(厚さ1μm)をスパッタリング法により形成して耐熱性支持基板とした。この耐熱性支持基板の金属Ti層上に、下記のNiメッキ液を用いて電気メッキ法によりNiメッキ層(厚さ3μm)を形成した。
Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples.
(Example 1)
A metal Ti layer (thickness: 1 μm) was formed on a glass substrate having a thickness of 1 mm by a sputtering method to obtain a heat-resistant support substrate. An Ni plating layer (thickness: 3 μm) was formed on the metal Ti layer of the heat-resistant support substrate by an electroplating method using the following Ni plating solution.

Niメッキ液の組成
・スルファミン酸ニッケル … 350g/l
・荏原ユージライト社製光沢剤#61 … 適時、補給
・荏原ユージライト社製光沢剤#63 … 10〜15ml/l
・荏原ユージライト社製光沢剤#610 … 3〜7ml/l
・荏原ユージライト社製光沢剤#62 … 0.5〜3ml/l
・pH緩衝剤(硼酸) … 40g/l
さらに、Niメッキ層上に常温ガラスコーティング剤GA−1(ファイングラス・テクノロジー社製)を塗布して透明電気絶縁層(厚さ1μm)を形成して、3層構造のベース基板とした。
Composition of Ni plating solution: Nickel sulfamate 350 g / l
・ Ebara Eugerite Brightener # 61… timely replenishment ・ Ebara Eugerite Brightener # 63… 10-15ml / l
・ Ebara Eugelight Co., Ltd. Brightener # 610 3-7ml / l
・ Ebara Eugelight Co., Ltd. Brightener # 62… 0.5-3ml / l
・ PH buffer (boric acid)… 40g / l
Further, a normal temperature glass coating agent GA-1 (manufactured by Fine Glass Technology Co., Ltd.) was applied on the Ni plating layer to form a transparent electric insulating layer (thickness: 1 μm) to obtain a three-layer base substrate.

次に、ベース基板の透明電気絶縁層上の所定の部分にCrを用いてゲート電極および画素電極を形成した。その後、ゲート電極を覆うようにSiNx 層を形成してゲート絶縁層とし、SiNx 層を介してゲート電極上にアモルファスシリコン(a−Si)層を形成した。また、a−Si層の一端に接続するようにCrソース電極を形成し、a−Si層の他端と画素電極に接続するようにCrドレイン電極を形成してTFTアクティブマトリックス層とし、アクティブマトリックス基板を得た。このアクティブマトリックス層形成において、ベース基板は250〜350℃に90分間保持された。 Next, a gate electrode and a pixel electrode were formed on predetermined portions of the transparent electric insulating layer of the base substrate using Cr. Thereafter, a SiN x layer was formed so as to cover the gate electrode to form a gate insulating layer, and an amorphous silicon (a-Si) layer was formed on the gate electrode via the SiN x layer. Further, a Cr source electrode is formed so as to be connected to one end of the a-Si layer, and a Cr drain electrode is formed so as to be connected to the other end of the a-Si layer and the pixel electrode, thereby forming a TFT active matrix layer. A substrate was obtained. In forming the active matrix layer, the base substrate was kept at 250 to 350 ° C. for 90 minutes.

上記のアクティブマトリックス基板のアクティブマトリックス層上にスピンナー塗布(3000rpm、30秒間)によって配向膜用塗布液(配向剤AL−3046(日本合成ゴム(株)製)と希釈剤ACT−608(日本合成ゴム(株)製)とを5:3の割合で混合したもの)を塗布して配向膜(厚さ800Å)を形成した。その後、ラビング処理を、ロール回転速度200rpm、ステージ速度10mm/秒の条件で行った。   A coating liquid for an alignment film (alignment agent AL-3046 (manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.)) and a diluent ACT-608 (Nippon Synthetic Rubber) are applied on the active matrix layer of the active matrix substrate by spinner coating (3000 rpm, 30 seconds). (Manufactured by Co., Ltd.) at a ratio of 5: 3) to form an alignment film (thickness: 800 °). Thereafter, a rubbing treatment was performed under the conditions of a roll rotation speed of 200 rpm and a stage speed of 10 mm / sec.

一方、透明基板としてポリカーボネート(帝人化学(株)製 厚さ400μm)を用い、この透明基板上に公知の顔料分散法、染色法、電着法、印刷法等によりR,G,Bの着色層(厚さ3μm)を上記の画素電極に対応するように形成してカラーフィルタとした。さらに、定法に従って厚さ1000Åの透明導電膜(ITO)を形成し、この透明導電膜上に上記のようにして配向膜(厚さ800Å)を形成しラビング処理を行って積層体を作製した。   On the other hand, polycarbonate (Teijin Chemical Co., Ltd., 400 μm thick) is used as a transparent substrate, and R, G, B colored layers are formed on the transparent substrate by a known pigment dispersion method, dyeing method, electrodeposition method, printing method, or the like. (Thickness: 3 μm) was formed so as to correspond to the above-mentioned pixel electrode, and was used as a color filter. Further, a transparent conductive film (ITO) having a thickness of 1000 ° was formed according to a standard method, and an alignment film (thickness of 800 °) was formed on the transparent conductive film as described above, and a rubbing treatment was performed to produce a laminate.

次に、上記の配向処理を施したアクティブマトリックス基板にシール剤でシール層を形成した。シール層形成は、シール剤(四国化成(株)製DSK−7211−4)1gに対して平均粒径6μmのスペーサ(日本電気硝子(株)製PF−60)20mgを混合させたものを使用し、ディスペンサー装置により形成した。   Next, a seal layer was formed with a sealant on the active matrix substrate on which the above-described alignment treatment was performed. For the formation of the seal layer, a mixture of 1 g of a sealant (DSK-7221-4 manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.) and 20 mg of a spacer (PF-60 manufactured by NEC Corporation) having an average particle diameter of 6 μm is used. And formed by a dispenser device.

また、上記の配向処理を施した積層体には、スペーサ層を塗布形成した。このスペーサ層は、平均粒径6μmの粘着性スペーサ(ナトコ社製XC−610)を希釈液(IPA:水=1:1)で希釈したスペーサ希釈液(濃度0.2重量%)をスピンナー塗布(2000rpm、30秒間)して、粒子密度150〜200個/mm2 となるように形成した。 In addition, a spacer layer was applied and formed on the laminate subjected to the above-mentioned orientation treatment. This spacer layer is spinner-coated with a spacer diluent (concentration: 0.2% by weight) obtained by diluting an adhesive spacer having an average particle diameter of 6 μm (XC-610 manufactured by Natco) with a diluent (IPA: water = 1: 1). (2000 rpm, 30 seconds) to form a particle density of 150 to 200 particles / mm 2 .

このようなアクティブマトリックス基板と積層体を、従来のガラス基板で確立されているパネルセル組み立て製造プロセスを使用して、透明導電膜側とアクティブマトリックス層側とが対向するように配設した。配設方法としては、圧着治具を用いて圧着圧力4kg/cm2 、熱処理120℃、1時間の条件で圧着、硬化を行った。その後、耐熱性支持基板をNiメッキ層から剥離し、さらに、Niメッキ層をフォトリソグラフィーにより除去した後、アクティブマトリックス層と透明導電膜との間隙部にツイストネマティック液晶LDP−5034LA(チッソ社製)を注入し封止剤で密封して液晶層を形成して図2に示されるような透過型のフィルム液晶パネルを作製した。このフィルム液晶パネルの厚さは0.5mmであった。 Such an active matrix substrate and a laminate were disposed using a panel cell assembly and manufacturing process established with a conventional glass substrate such that the transparent conductive film side and the active matrix layer side faced each other. As a disposition method, pressure bonding and curing were performed using a pressure bonding jig under the conditions of a pressure of 4 kg / cm 2 , a heat treatment of 120 ° C., and an hour. Thereafter, the heat-resistant support substrate is peeled off from the Ni plating layer, and the Ni plating layer is removed by photolithography. Then, a twisted nematic liquid crystal LDP-5034LA (manufactured by Chisso Corporation) is provided in the gap between the active matrix layer and the transparent conductive film. And sealed with a sealant to form a liquid crystal layer, thereby producing a transmission type film liquid crystal panel as shown in FIG. The thickness of this film liquid crystal panel was 0.5 mm.

このフィルム液晶パネルを用いて図1に示されるようなパネル両面に偏光フィルムを貼りつけた透過型アクティブマトリックス形表示のカラー液晶ディスプレイ(厚さ1.0mm)を作製した。このカラー液晶ディスプレイに駆動回路を接続し表示を行ったところ、従来のガラス基板を用いて作製したカラー液晶ディスプレイと同等の極めて表示品質の高い液晶表示装置であった。また、メッキ層の剥離によるアクティブ素子の特性変化や各種配線ラインの断線、短絡は認められなかった。
(実施例2)
耐熱性支持基板を金属メッキ層から剥離した後、金属メッキ層のうち画素電極に対応した箇所のみをフォトリソグラフィーにより除去した他は、実施例1と同様に透過型のフィルム液晶パネル(厚さ1.0mm)を作製した。
Using this film liquid crystal panel, a transmission type active matrix type color liquid crystal display (thickness: 1.0 mm) having polarizing films attached to both sides of the panel as shown in FIG. 1 was produced. When a drive circuit was connected to this color liquid crystal display to perform display, it was a liquid crystal display having extremely high display quality equivalent to a color liquid crystal display manufactured using a conventional glass substrate. Further, no change in the characteristics of the active element due to the peeling of the plating layer, and no disconnection or short circuit of various wiring lines were observed.
(Example 2)
After peeling off the heat-resistant support substrate from the metal plating layer, only the portions corresponding to the pixel electrodes in the metal plating layer were removed by photolithography, except that the transmission type film liquid crystal panel (thickness 1) was used. .0 mm).

このフィルム液晶パネルを用いてアクティブマトリックス形表示のカラー液晶ディスプレイ(厚さ1.6mm)を作製した。このカラー液晶ディスプレイに駆動回路を接続し表示を行ったところ、従来のガラス基板を用いて作製したカラー液晶ディスプレイと同等の極めて表示品質の高い液晶表示装置であった。また、メッキ層の剥離によるアクティブ素子の特性変化や各種配線ラインの断線、短絡は認められなかった。
(実施例3)
まず、実施例1と同様にしてベース基板の透明電気絶縁層上にアクティブマトリックス層を形成してアクティブマトリックス基板を作製した。
Using this film liquid crystal panel, an active matrix type color liquid crystal display (1.6 mm thick) was produced. When a drive circuit was connected to this color liquid crystal display to perform display, it was a liquid crystal display having extremely high display quality equivalent to a color liquid crystal display manufactured using a conventional glass substrate. Further, no change in the characteristics of the active element due to the peeling of the plating layer, and no disconnection or short circuit of various wiring lines were observed.
(Example 3)
First, an active matrix layer was formed on the transparent electric insulating layer of the base substrate in the same manner as in Example 1 to produce an active matrix substrate.

次に、KP−06(日本合成化学工業(株)製、重合度:約600、けん化度:71〜75)の5重量%水溶液に、E−44(メルク社製)を超音波分散した後、KH−17(日本合成化学工業(株)製、重合度:約1700、けん化度:78.5〜81.5)の10重量%水溶液を添加して、最終的にPVA:液晶=20:80(重量比)となるように液晶のPVA分散水溶液を作製して高分子分散型液晶とした。   Next, E-44 (manufactured by Merck) was ultrasonically dispersed in a 5% by weight aqueous solution of KP-06 (manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., degree of polymerization: about 600, degree of saponification: 71 to 75). , KH-17 (manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., polymerization degree: about 1700, saponification degree: 78.5 to 81.5), and finally PVA: liquid crystal = 20: A PVA aqueous solution of the liquid crystal was prepared so as to have a weight ratio of 80 (weight ratio) to obtain a polymer-dispersed liquid crystal.

次に、上記の高分子分散型液晶をアクティブマトリックス基板のアクティブマトリックス層上にブレードコータを用いて塗布し、40℃、1時間の熱処理を施して乾燥させ、膜厚10μmの高分子分散液晶層を形成した。   Next, the polymer-dispersed liquid crystal was coated on the active matrix layer of the active matrix substrate using a blade coater, heat-treated at 40 ° C. for 1 hour, and dried to form a polymer-dispersed liquid crystal layer having a thickness of 10 μm. Was formed.

一方、透明基板としてポリカーボネート(帝人化学(株)製 厚さ400μm)を用い、この透明基板上に公知の顔料分散法、染色法、電着法、印刷法等によりR,G,Bの着色層(厚さ3μm)を上記のアクティブマトリックス層の画素電極に対応するように形成してカラーフィルタとした。さらに、定法に従って厚さ1000Åの透明導電膜(ITO)を形成し、この透明導電膜上に接着剤をスピンナー塗布(3000rpm、30秒間)して接着剤層(厚み2μm)を形成して積層体を作製した。   On the other hand, polycarbonate (Teijin Chemical Co., Ltd., 400 μm thick) is used as a transparent substrate, and R, G, B colored layers are formed on the transparent substrate by a known pigment dispersion method, dyeing method, electrodeposition method, printing method, or the like. (Thickness: 3 μm) was formed so as to correspond to the pixel electrodes of the active matrix layer, thereby forming a color filter. Further, a transparent conductive film (ITO) having a thickness of 1000 ° is formed according to a standard method, and an adhesive is applied on the transparent conductive film by spinner coating (3000 rpm, 30 seconds) to form an adhesive layer (thickness: 2 μm). Was prepared.

このようなアクティブマトリックス基板と積層体を、実施例1と同様にして高分子分散液晶層側と透明導電膜側とが対向するように配設した。配設方法としては、圧着治具を用いて圧着圧力4kg/cm2 、熱処理40℃、1時間の条件で圧着、硬化を行った。その後、耐熱性支持基板をNiメッキ層から剥離し、さらに、Niメッキ層をフォトリソグラフィーにより除去して、透過型アクティブマトリックス形表示の分散型液晶ディスプレイ(厚さ3mm)を作製した。この液晶ディスプレイに駆動回路を接続し表示を行ったところ、従来のガラス基板を用いて作製した液晶ディスプレイと同等の極めて表示品質の高い液晶表示装置であった。また、メッキ層の剥離によるアクティブ素子の特性変化や各種配線ラインの断線、短絡は認められなかった。
(実施例4)
耐熱性支持基板を金属メッキ層から剥離した後、金属メッキ層をそのまま残した他は実施例3と同様にして、反射型アクティブマトリックス形表示の分散型液晶ディスプレイ(厚さ3mm)を作製した。この液晶ディスプレイに駆動回路を接続し表示を行ったところ、従来のガラス基板を用いて作製した液晶ディスプレイと同等の極めて表示品質の高い液晶表示装置であった。また、メッキ層の剥離によるアクティブ素子の特性変化や各種配線ラインの断線、短絡は認められなかった。
(実施例5)
まず、実施例1と同様にしてベース基板の透明電気絶縁層上にアクティブマトリックス層を形成してアクティブマトリックス基板を作製した。
Such an active matrix substrate and a laminate were disposed in the same manner as in Example 1 such that the polymer dispersed liquid crystal layer side and the transparent conductive film side faced each other. As a disposition method, pressure bonding and curing were performed using a pressure bonding jig under conditions of a pressure of 4 kg / cm 2 , a heat treatment of 40 ° C., and an hour. Thereafter, the heat-resistant support substrate was peeled off from the Ni plating layer, and the Ni plating layer was removed by photolithography to produce a dispersion type liquid crystal display (thickness: 3 mm) of a transmission type active matrix type display. When a drive circuit was connected to this liquid crystal display to perform display, it was a liquid crystal display device with extremely high display quality equivalent to a liquid crystal display manufactured using a conventional glass substrate. Further, no change in the characteristics of the active element due to the peeling of the plating layer, and no disconnection or short circuit of various wiring lines were observed.
(Example 4)
After peeling off the heat-resistant support substrate from the metal plating layer, a dispersion type liquid crystal display (thickness: 3 mm) of a reflective active matrix type display was produced in the same manner as in Example 3 except that the metal plating layer was left as it was. When a drive circuit was connected to this liquid crystal display to perform display, it was a liquid crystal display device with extremely high display quality equivalent to a liquid crystal display manufactured using a conventional glass substrate. Further, no change in the characteristics of the active element due to the peeling of the plating layer, and no disconnection or short circuit of various wiring lines were observed.
(Example 5)
First, an active matrix layer was formed on the transparent electric insulating layer of the base substrate in the same manner as in Example 1 to produce an active matrix substrate.

次に、KP−06(日本合成化学工業(株)製、重合度:約600、けん化度:71〜75)の5重量%水溶液に、E−44(メルク社製)を超音波分散した後、KH−17(日本合成化学工業(株)製、重合度:約1700、けん化度:78.5〜81.5)の10重量%水溶液を添加して、最終的にPVA:液晶=20:80(重量比)となるように液晶のPVA分散水溶液を作製して高分子分散型液晶とした。   Next, E-44 (manufactured by Merck) was ultrasonically dispersed in a 5% by weight aqueous solution of KP-06 (manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., degree of polymerization: about 600, degree of saponification: 71 to 75). , KH-17 (manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., polymerization degree: about 1700, saponification degree: 78.5 to 81.5), and finally PVA: liquid crystal = 20: A PVA aqueous solution of the liquid crystal was prepared so as to have a weight ratio of 80 (weight ratio) to obtain a polymer-dispersed liquid crystal.

次に、上記の高分子分散型液晶をアクティブマトリックス基板のアクティブマトリックス層上にブレードコータを用いて塗布し、40℃、1時間の熱処理を施して乾燥させ、膜厚10μmの高分子分散液晶層を形成した。その後、1000Åの透明導電膜(ITO)を形成したフィルムに、接着層(日立ケミカル(株)製Anisotropic Conductive Film )を形成し、このフィルムを高分子分散液晶層に貼り合わせた。   Next, the polymer-dispersed liquid crystal was coated on the active matrix layer of the active matrix substrate using a blade coater, heat-treated at 40 ° C. for 1 hour, and dried to form a polymer-dispersed liquid crystal layer having a thickness of 10 μm. Was formed. Thereafter, an adhesive layer (Anisotropic Conductive Film manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was formed on the film on which the transparent conductive film (ITO) of 1000 ° was formed, and this film was bonded to the polymer dispersed liquid crystal layer.

その後、耐熱性支持基板をNiメッキ層から剥離して、反射型アクティブマトリックス形表示の高分子分散型液晶ディスプレイ(厚さ3mm)を作製した。この液晶ディスプレイに駆動回路を接続し表示を行ったところ、従来のガラス基板を用いて作製した液晶ディスプレイと同等の極めて表示品質の高い液晶表示装置であった。また、メッキ層の剥離によるアクティブ素子の特性変化や各種配線ラインの断線、短絡は認められなかった。
(実施例6)
透明電気絶縁層をプラズマCVDによるSiNx 膜とした他は実施例1と同様にしてベース基板を作製し、このベース基板の透明電気絶縁層上に実施例1と同様にしてアクティブマトリックス層を形成してアクティブマトリックス基板を作製した。
Thereafter, the heat-resistant support substrate was peeled off from the Ni plating layer to produce a polymer dispersion type liquid crystal display (thickness: 3 mm) of a reflection type active matrix type display. When a drive circuit was connected to this liquid crystal display to perform display, it was a liquid crystal display device with extremely high display quality equivalent to a liquid crystal display manufactured using a conventional glass substrate. Further, no change in the characteristics of the active element due to the peeling of the plating layer, and no disconnection or short circuit of various wiring lines were observed.
(Example 6)
A base substrate was produced in the same manner as in Example 1 except that the transparent electric insulating layer was formed of a SiN x film by plasma CVD, and an active matrix layer was formed on the transparent electric insulating layer of this base substrate in the same manner as in Example 1. Thus, an active matrix substrate was manufactured.

次に、モノマー(東亜合成化学(株)製アロニックスM−1200)に対して開始剤(日本チバガイギー社製イルガキュア184)を5%添加したものに、E−44(メルク社製)を超音波分散して最終的にモノマー:液晶=30:70(重量比)となるように液晶のモノマー分散水溶液を作製した。   Next, E-44 (manufactured by Merck) was ultrasonically dispersed in a monomer (Ironic M-1200 manufactured by Toa Gosei Chemical Co., Ltd.) to which 5% of an initiator (Irgacure 184 manufactured by Ciba Geigy Co., Ltd.) was added. Finally, an aqueous monomer dispersion solution of liquid crystal was prepared so that the ratio of monomer: liquid crystal was finally 30:70 (weight ratio).

次に、上記のモノマー分散水溶液をアクティブマトリックス基板のアクティブマトリックス層上にブレードコータを用いて塗布し、紫外線照射(200mJ/cm2 )により硬化させ、膜厚5μmのモノマー分散型の高分子分散液晶層を形成した。 Next, the above-mentioned monomer-dispersed aqueous solution is applied onto the active matrix layer of the active matrix substrate using a blade coater, and is cured by irradiation with ultraviolet rays (200 mJ / cm 2 ). A layer was formed.

次に、上記の高分子分散液晶層上にスパッタリング法により厚さ1000Åの透明導電膜(ITO)を形成した。   Next, a transparent conductive film (ITO) having a thickness of 1000 ° was formed on the polymer dispersed liquid crystal layer by a sputtering method.

その後、耐熱性支持基板をNiメッキ層から剥離して、反射型アクティブマトリックス形表示の高分子分散型液晶ディスプレイ(厚さ3mm)を作製した。この液晶ディスプレイに駆動回路を接続し表示を行ったところ、従来のガラス基板を用いて作製した液晶ディスプレイと同等の極めて表示品質の高い液晶表示装置であった。また、メッキ層の剥離によるアクティブ素子の特性変化や各種配線ラインの断線、短絡は認められなかった。
(実施例7)
実施例6と同様にして、高分子分散液晶層上に厚さ1000Åの透明導電膜(ITO)形成までを行った。
Thereafter, the heat-resistant support substrate was peeled off from the Ni plating layer to produce a polymer dispersion type liquid crystal display (thickness: 3 mm) of a reflection type active matrix type display. When a drive circuit was connected to this liquid crystal display to perform display, it was a liquid crystal display device with extremely high display quality equivalent to a liquid crystal display manufactured using a conventional glass substrate. Further, no change in the characteristics of the active element due to the peeling of the plating layer, and no disconnection or short circuit of various wiring lines were observed.
(Example 7)
In the same manner as in Example 6, a process up to the formation of a transparent conductive film (ITO) having a thickness of 1000 ° on the polymer dispersed liquid crystal layer was performed.

次に、この透明導電膜上に公知の顔料分散法、染色法、電着法、印刷法等によりR,G,Bの着色層(厚さ3μm)をアクティブマトリックス層の画素電極に対応するように形成してカラーフィルタとした。   Next, R, G, and B colored layers (thickness: 3 μm) are formed on the transparent conductive film by a known pigment dispersion method, dyeing method, electrodeposition method, printing method, or the like so as to correspond to the pixel electrodes of the active matrix layer. To form a color filter.

その後、耐熱性支持基板を金属メッキ層から剥離した後、金属メッキ層のうち画素電極に対応した箇所のみをフォトリソグラフィーにより除去して透過型のフィルム液晶パネル(厚さ1.0mm)を作製した。   Thereafter, after the heat-resistant support substrate was peeled off from the metal plating layer, only the portions of the metal plating layer corresponding to the pixel electrodes were removed by photolithography to produce a transmission type film liquid crystal panel (thickness: 1.0 mm). .

このフィルム液晶パネルを用いてアクティブマトリックス形表示のカラー液晶ディスプレイ(厚さ1.6mm)を作製した。このカラー液晶ディスプレイに駆動回路を接続し表示を行ったところ、従来のガラス基板を用いて作製したカラー液晶ディスプレイと同等の極めて表示品質の高い液晶表示装置であった。また、メッキ層の剥離によるアクティブ素子の特性変化や各種配線ラインの断線、短絡は認められなかった。   Using this film liquid crystal panel, an active matrix type color liquid crystal display (1.6 mm thick) was produced. When a drive circuit was connected to this color liquid crystal display to perform display, it was a liquid crystal display having extremely high display quality equivalent to a color liquid crystal display manufactured using a conventional glass substrate. Further, no change in the characteristics of the active element due to the peeling of the plating layer, and no disconnection or short circuit of various wiring lines were observed.

省電力、薄型のディスプレイ、例えば、フィルム状の液晶パネルの製造に利用することができる。   The present invention can be used for producing a power-saving and thin display, for example, a liquid crystal panel in a film form.

本発明のフィルム液晶パネルを用いたアクティブマトリックス形表示の液晶ディスプレイ(LCD)の一例を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of an active matrix type liquid crystal display (LCD) using a film liquid crystal panel of the present invention. 本発明によるフィルム液晶パネルの製造方法の一例を説明するための工程図である。It is a flowchart for explaining an example of a manufacturing method of a film liquid crystal panel by the present invention. 本発明のフィルム液晶パネルの他の態様を示す概略断面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view showing another embodiment of the film liquid crystal panel of the present invention. 本発明のフィルム液晶パネルの他の態様を示す概略断面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view showing another embodiment of the film liquid crystal panel of the present invention. 本発明のフィルム液晶パネルの他の態様を示す概略断面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view showing another embodiment of the film liquid crystal panel of the present invention. 本発明のフィルム液晶パネルの他の態様を示す概略断面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view showing another embodiment of the film liquid crystal panel of the present invention. 本発明によるフィルム液晶パネルの製造方法の他の例を説明するための工程図である。FIG. 4 is a process chart for explaining another example of the method for manufacturing a film liquid crystal panel according to the present invention.

符号の説明Explanation of reference numerals

1…液晶ディスプレイ
2,3…偏光板
4…ベース基板
5…アクティブマトリックス基板
6…耐熱性支持基板
7…金属メッキ層
8…透明電気絶縁層
11,21,…フィルム液晶パネル
12,22…透明基板絶縁層
13,23…アクティブマトリックス層
14,24…液晶層
15,25…透明導電膜
16,26…透明基板
27…金属メッキ層
31,41,51…フィルム液晶パネル
33,43,53…アクティブマトリックス層
34,44,54…分散型液晶層
35,45,55…導電膜
42,52…電気絶縁層
57…金属メッキ層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Liquid crystal display 2,3 ... Polarizing plate 4 ... Base substrate 5 ... Active matrix substrate 6 ... Heat resistant support substrate 7 ... Metal plating layer 8 ... Transparent electric insulating layer 11,21 ... Film liquid crystal panel 12,22 ... Transparent substrate Insulating layers 13, 23 Active matrix layers 14, 24 Liquid crystal layer 15, 25 Transparent conductive film 16, 26 Transparent substrate 27 Metal plating layers 31, 41, 51 Film liquid crystal panels 33, 43, 53 Active matrix Layers 34, 44, 54: dispersed liquid crystal layer 35, 45, 55: conductive film 42, 52: electric insulating layer 57: metal plating layer

Claims (4)

フィルム液晶パネルを製造するためのベース基板において、
少なくとも一方の表面が導電性である耐熱性支持基板と、該耐熱性支持基板の表面に剥離可能に形成された金属メッキ層と、該金属メッキ層上に設けられた電気絶縁層とを有することを特徴とするベース基板。
In a base substrate for manufacturing a film liquid crystal panel,
At least one surface includes a heat-resistant support substrate having conductivity, a metal plating layer formed releasably on the surface of the heat-resistant support substrate, and an electrical insulating layer provided on the metal plating layer. A base substrate characterized by the above-mentioned.
前記電気絶縁層は、透明電気絶縁層であることを特徴とする請求項1に記載のベース基板。   The base substrate according to claim 1, wherein the electric insulating layer is a transparent electric insulating layer. 前記透明電気絶縁層は、有機系ガラス層であることを特徴とする請求項2に記載のベース基板。   The base substrate according to claim 2, wherein the transparent electric insulating layer is an organic glass layer. フィルム液晶パネルを製造するためのアクティブマトリックス基板において、
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のベース基板の電気絶縁層上にアクティブマトリックス層を備えることを特徴とするアクティブマトリックス基板。
In an active matrix substrate for manufacturing a film liquid crystal panel,
An active matrix substrate, comprising: an active matrix layer on the electrical insulating layer of the base substrate according to claim 1.
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