JP2004186555A - Wafer suction device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer suction device capable of preventing a wafer from being dropped or damaged due to pressure variation and capable of surely attaching/detaching and carrying the wafer. <P>SOLUTION: The wafer suction device is provided with a suction holding part 6 having a suction port 6B for vacuum suction and capable of approximately vertically sucking a wafer 11 in vacuum to hold the wafer 11. Groove parts 7 for connecting the end part of a wafer loading surface 6A to the suction port 6B are formed on the wafer loading surface 6A of the suction holding part 6. When vacuum suction is stopped at the time of attaching/detaching the wafer 11, negative pressure in a pipe or the like is quickly removed by the groove parts and the suction of the wafer 11 is immediately removed. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、垂直搬送されるウエハを真空チャッキングするウエハ吸着装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
例えば半導体製造装置において、成膜等の各種処理を行う際には、真空チャッキングによってウエハを保持するようにしている。スパッタ装置を例に説明すると、被成膜基板であるウエハをスパッタ装置内のウエハホルダまで搬送し、これを真空吸引によって吸着保持した後、成膜を行う。このとき、ウエハを垂直に保持して成膜する技術が知られており、この場合には、ウエハを垂直方向に搬送し、ウエハホルダに垂直に真空吸着する必要がある(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開平9−272975号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記のようにウエハを垂直に真空チャッキングする場合、吸引圧力が変動すると、ウエハが落下したり、ウエハに割れが発生する等の不具合が生ずる虞れがある。吸引力が弱いとウエハが落下し、逆に吸引力が強すぎるとウエハが割れてしまう。工場において使用する真空装置では、大きなポンプを使用して集中供給により各装置の真空吸引が行われるため、配管の末端になると真空吸引力が弱くなり、また周辺装置の稼働状況(真空の使用頻度)により圧力変動を起こす。
【0005】
また、真空チャッキングの吸引圧力が高い場合には、真空吸引を停止してウエハの搬送を行う際に、負圧が残って搬送に支障を来すという問題もある。具体的には、ウエハがチャッキングされた状態で負圧を速やかに解消することができず、真空吸引を停止した状態になっても配管内が負圧となってしまう。その結果、ウエハは吸着されたままとなり、円滑な搬送の妨げとなる。例えば、負圧に抗してウエハを引き剥がそうとすると、ウエハを損傷する虞れがある。
【0006】
本発明は、このような従来の技術の有する欠点を解消することを目的に提案されたものである。すなわち、本発明は、圧力変動に伴うウエハの落下や破損を防止することができ、またウエハの円滑な着脱及び搬送を実現することが可能なウエハ吸着装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明のウエハ吸着装置は、真空吸引するための吸引口を有し、ウエハを略々垂直に真空吸着しこれを保持する吸着保持部を備え、上記吸着保持部のウエハ装着面には、上記吸引口とウエハ装着面端部とを連通する溝部が形成されていることを特徴とするものである。
【0008】
吸引口とウエハ装着面端部とを連通する溝部を形成することで、圧力変動に対するバッファ(緩衝)として機能する。したがって、真空吸引するための真空供給手段において圧力変動が生じたとしても、この圧力変動がダイレクトに吸引圧力に影響を及ぼすことがなくなり、常にほぼ一定の吸引圧力でウエハが吸着されることになる。その結果、ウエハの脱落や破損が解消される。
【0009】
また、ウエハの搬送に際して、真空吸引を停止した時には、配管内等の負圧は、上記溝部によって速やかに解消され、ウエハの吸着は直ちに解消される。したがって、ウエハの搬送を円滑に行うことができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用したウエハ吸着装置について、図面を参照しながら説明する。
【0011】
本発明のウエハ吸着装置は、例えばスパッタ装置におけるウエハホルダに適用することができる。図1は、スパッタ装置の一例を示すものであり、スパッタ装置1は、内部にスパッタによる成膜を行う真空チャンバ(図示は省略する。)が設けられており、この中に後述するウエハ吸着装置が設置されている。
【0012】
スパッタ装置1の前面には、真空チャンバ内の真空度を表示する真空ゲージ2や、真空バキュームの手動操作を行うための操作ハンドル3等が設けられれいる。前記真空ゲージ2によって外部から真空チャンバ内の圧力を把握することが可能でありる。
【0013】
上記スパッタ装置1に設置されるウエハ吸着装置4は、例えば図2に示すように、ウエハドアと称される支持基盤5の中央部にウエハを吸着保持するピックアップ部6を設けてなるものである。ピックアップ部6は、支持基板5の中央部に円柱状に突出形成されており、その先端面がウエハ吸着面6Aとなる。
【0014】
ウエハ吸着面6Aの中心部には、ウエハ吸着時に真空吸引を行うための吸引口6Bが設けられており、この吸引口6Bを通してウエハを背面から吸引支持するような構造となっている。
【0015】
ここで、ウエハ吸着面6Aは、基本的には平坦面とされるが、本発明においては、図3(A)に示すように、吸引口6Bを中心として、ウエハ吸着面6Aの外周縁に至る複数の溝部7が放射状に切削形成されている。これら溝部7は、図3(B)に示すように、断面形状がV字状であり、上記吸引口6Bと真空チャンバ内の空間とをピックアップ部6の外周面において連通する。
【0016】
上記構造のピックアップ部6にウエハを真空チャックするが、このとき、溝部7の働きによってウエハ取り出しが容易なものとなり、ウエハをピックアップ部6から取り外して搬送する動作を円滑に行うことができる。すなわち、真空ポンプによる真空吸引を停止してウエハを取り出す際には、溝部7が形成されているが故に、負圧が残った場合に溝部7から空気が流入し、チャック部分が大気圧になる。したがって、真空吸引停止時には、ウエハはピックアップ部6から速やかに引き剥がされて搬送される。
【0017】
なお、上記溝部7を設けることで、ウエハの真空チャッキング中にも空気(キャリアガス)が流入することになるが、吸引圧力を真空レギュレータ等で調整することにより、良好な真空チャッキング状態を保つことができる。特に、吸引圧力が50〜60mmHgとなるように調整することで、安定して良好な真空チャッキング状態を維持することができる。
【0018】
また、溝部7の形成は、ウエハの真空吸引時の圧力変動を解消する上でも有効である。先にも述べたように、工場において使用する真空装置では、大きなポンプを使用して集中供給により各装置の真空吸引が行われるため、例えば周辺装置の稼働状況(真空の使用頻度)等により圧力変動を起こす。溝部7を設けることで、真空系と真空チャンバ内の空間とが連通し、ウエハの真空チャッキング中での空気の流入がバッファとなって、圧力変動を解消するものと考えられる。要するに、真空系の吸引圧力が増加すると、前記空気(キャリアガス)の流入が増加して、吸引圧力の増加を抑える。逆に、真空系の吸引圧力が減少すると、空気(キャリアガス)の流入も減少して、吸引圧力の低下を抑える。
【0019】
次に、上記ウエハ吸着装置4に対するウエハの搬送及び着脱操作について図4を参照して説明する。
【0020】
図4(A)は、ウエハ11のウエハ吸着装置4へ装着するための搬送工程を示すものである。ウエハ11をウエハ吸着装置4に装着するには、ウエハ11をウエハエレベータ12に装着し、上記ウエハ吸着装置4の下方よりこれを上昇させる。このとき、ウエハ11は、ウエハエレベータ12に設けられた吸引孔12Aによって吸着支持され、脱落することはない。
【0021】
ウエハ11は、垂直の状態でウエハ吸着装置4の支持基盤5の下部より持ち上げられ、支持基盤5の中央位置まで搬送された時に、ウエハ吸着面6Aに設けられた吸引口6Bの吸引が開始される。これにより、支持基盤5中央のピックアップ部6にウエハ11がほぼ垂直な状態で吸着され、保持される。ウエハ11をピックアップ部6に吸着保持した後、上記ウエハエレベータ12の吸引孔12Aによる吸引を停止し、ウエハ11を開放し、ウエハエレベータ12を下降する。以上により、ウエハ11のウエハ吸着装置4への装着を完了する。ウエハ11の装着状態を図4(B)に示す。
【0022】
ウエハ11装着の後、スパッタ装置の場合にはウエハ11上に成膜を行い、必要な処理を完了する。処理(成膜)が終わったら、ウエハ11をウエハ吸着装置4から取り外し、スパッタ装置1の外部に搬送する。
【0023】
ウエハ11をウエハ吸着装置4から取り外し、搬送するには、図4(C)に示すように、下方からウエハエレベータ12を上昇させ、吸引孔12Aの吸引を開始し、ウエア11を吸着保持する。次いで、ウエハ吸着装置4の吸引口6Bの吸引を停止し、ウエハ11のウエハ吸着装置4での吸着を開放する。このとき、ウエハ吸着面6Aに溝部7が形成されているので、速やかに負圧が解消され、ウエハ11は前記吸着から開放される。この状態でウエハエレベータ12を下方に移動し、ウエハ11を搬送する。
【0024】
上記着脱及び搬送では、ウエハ11を下方からウエハ装着装置4に装着し、成膜終了後は、ウエハ11を下方へ搬送する。このような搬送形態を考えたときには、上記ウエハ装着装置4のウエハ吸着面6Aに形成される溝部7の数をウエハ吸着面6Aの上部と下部とで変えることが望ましい。特に、ウエハ吸着面6Aの上部において溝部7の数が多くなるように設計することが好ましい。先の図3(A)に示すように、5本の溝部7を形成する場合、3本がウエハ吸着面6Aの中央より上部に、2本が下部に位置するように配置する。これに限らず、溝部7の数を変更してもよい。また、溝部7の数を変える代わりに、溝部7の深さを変えてもよい。具体的には、ウエハ吸着面6Aの中央より上部に配置される溝部7の深さを深く、下部に配置される溝部7の深さを浅く形成する。
【0025】
上記いずれの場合にも、ウエハ11を下方に搬送しながらウエハ吸着面6Aから取り外す際に、上部から流入する空気(キャリアガス)の流入量を多くすることができる。したがって、真空吸引停止の際にウエハ11の上部から先に外れ易くなり、下方への搬送動作が円滑になる。その結果、ウエハ11の破損が防止される。
【0026】
【発明の効果】
以上の説明からも明らかなように、本発明によれば、真空系の圧力変動に伴うウエハの落下や破損を防止することができ、また、ウエハの円滑な着脱及び搬送を実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】スパッタ装置の概略構成を示す斜視図である。
【図2】ウエハ吸着装置の一例を示す概略斜視図である。
【図3】(A)はウエハ吸着面の平面図、(B)はウエハ吸着面の断面図である。
【図4】ウエハの搬送及び着脱操作を説明するものであり、(A)はウエハ装着動作を示す斜視図、(B)はウエハ装着状態を示す斜視図、(C)はウエア取り外し動作を示す斜視図である。
【符号の説明】
1 スパッタ装置
4 ウエハ吸着装置
5 支持基盤
6 ピックアップ部
6A ウエハ吸着面
6B 吸引口
7 溝部
11 ウエハ
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a wafer suction device for vacuum chucking a vertically transported wafer.
[0002]
[Prior art]
For example, in a semiconductor manufacturing apparatus, when performing various processes such as film formation, a wafer is held by vacuum chucking. Taking a sputtering apparatus as an example, a wafer as a substrate on which a film is to be formed is transported to a wafer holder in the sputtering apparatus, and the wafer is suction-held by vacuum suction and then formed. At this time, a technique for forming a film while holding the wafer vertically is known. In this case, it is necessary to transfer the wafer in the vertical direction and vacuum-suction the wafer vertically to the wafer holder (for example, see Patent Document 1). ).
[0003]
[Patent Document 1]
JP-A-9-272975
[Problems to be solved by the invention]
In the meantime, when the wafer is vertically vacuum-chucked as described above, if the suction pressure fluctuates, there is a possibility that the wafer may drop or the wafer may be cracked. If the suction force is weak, the wafer will fall, and if the suction force is too strong, the wafer will break. In vacuum equipment used in factories, the vacuum suction of each device is performed by centralized supply using a large pump, so the vacuum suction force is weakened at the end of the pipe, and the operating conditions of peripheral equipment (frequency of vacuum use) ) Causes pressure fluctuations.
[0005]
Further, when the suction pressure of the vacuum chucking is high, there is also a problem that, when the vacuum suction is stopped and the wafer is transferred, a negative pressure remains, which hinders the transfer. Specifically, the negative pressure cannot be quickly released in a state where the wafer is chucked, and the pressure in the piping becomes negative even when the vacuum suction is stopped. As a result, the wafer remains sucked, which hinders smooth transfer. For example, if an attempt is made to peel the wafer against the negative pressure, the wafer may be damaged.
[0006]
The present invention has been proposed for the purpose of overcoming such disadvantages of the prior art. That is, an object of the present invention is to provide a wafer suction device capable of preventing a wafer from falling or being damaged due to a pressure change, and capable of realizing smooth attachment / detachment and transfer of a wafer.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a wafer suction apparatus of the present invention includes a suction port for vacuum suction, a suction holding unit for holding a wafer by vacuum suction substantially vertically, and holding the wafer. A groove is formed on the wafer mounting surface of the portion to communicate the suction port with the end of the wafer mounting surface.
[0008]
By forming a groove communicating the suction port and the end of the wafer mounting surface, the groove functions as a buffer against pressure fluctuation. Therefore, even if a pressure fluctuation occurs in the vacuum supply means for vacuum suction, the pressure fluctuation does not directly affect the suction pressure, and the wafer is always suctioned at a substantially constant suction pressure. . As a result, falling off or breakage of the wafer is eliminated.
[0009]
Further, when the vacuum suction is stopped during the transfer of the wafer, the negative pressure in the piping or the like is quickly eliminated by the groove portion, and the suction of the wafer is immediately eliminated. Therefore, the transfer of the wafer can be performed smoothly.
[0010]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a wafer suction device to which the present invention is applied will be described with reference to the drawings.
[0011]
The wafer suction device of the present invention can be applied to, for example, a wafer holder in a sputtering device. FIG. 1 shows an example of a sputtering apparatus. The sputtering apparatus 1 is provided therein with a vacuum chamber (not shown) for forming a film by sputtering. Is installed.
[0012]
On a front surface of the sputtering apparatus 1, a vacuum gauge 2 for displaying a degree of vacuum in a vacuum chamber, an operation handle 3 for performing a manual operation of a vacuum, and the like are provided. The pressure in the vacuum chamber can be grasped from the outside by the vacuum gauge 2.
[0013]
As shown in FIG. 2, for example, the wafer suction apparatus 4 installed in the sputtering apparatus 1 is provided with a pickup section 6 for sucking and holding a wafer at the center of a support base 5 called a wafer door. The pickup section 6 is formed in a columnar shape at the center of the support substrate 5, and its tip end surface serves as a wafer suction surface 6 </ b> A.
[0014]
A suction port 6B for performing vacuum suction at the time of wafer suction is provided at the center of the wafer suction surface 6A, and the wafer is suction-supported from the back through the suction port 6B.
[0015]
Here, the wafer suction surface 6A is basically a flat surface, but in the present invention, as shown in FIG. A plurality of grooves 7 are cut radially. As shown in FIG. 3B, these grooves 7 have a V-shaped cross section, and connect the suction port 6 </ b> B and the space in the vacuum chamber on the outer peripheral surface of the pickup 6.
[0016]
The wafer is vacuum-chucked to the pickup section 6 having the above structure. At this time, the action of the groove section 7 makes it easy to take out the wafer, and the operation of removing the wafer from the pickup section 6 and carrying it can be performed smoothly. That is, when the vacuum suction by the vacuum pump is stopped and the wafer is taken out, since the groove 7 is formed, when the negative pressure remains, air flows in from the groove 7 and the chuck portion becomes the atmospheric pressure. . Therefore, when the vacuum suction is stopped, the wafer is quickly peeled off from the pickup unit 6 and transferred.
[0017]
The provision of the groove 7 allows air (carrier gas) to flow during vacuum chucking of the wafer. However, by adjusting the suction pressure with a vacuum regulator or the like, a good vacuum chucking state can be obtained. Can be kept. In particular, by adjusting the suction pressure to be 50 to 60 mmHg, a good vacuum chucking state can be stably maintained.
[0018]
The formation of the groove 7 is also effective in eliminating pressure fluctuation during vacuum suction of the wafer. As described above, in a vacuum device used in a factory, since vacuum suction of each device is performed by centralized supply using a large pump, for example, the pressure is determined by the operation status of peripheral devices (the frequency of use of vacuum). Cause fluctuations. It is considered that the provision of the groove 7 allows the vacuum system to communicate with the space in the vacuum chamber, and serves as a buffer for the inflow of air during the vacuum chucking of the wafer, thereby eliminating pressure fluctuations. In short, when the suction pressure of the vacuum system increases, the inflow of the air (carrier gas) increases, and the increase in the suction pressure is suppressed. Conversely, when the suction pressure of the vacuum system decreases, the inflow of air (carrier gas) also decreases, and a decrease in the suction pressure is suppressed.
[0019]
Next, a description will be given, with reference to FIG.
[0020]
FIG. 4A shows a transfer process for mounting the wafer 11 on the wafer suction device 4. In order to mount the wafer 11 on the wafer suction device 4, the wafer 11 is mounted on the wafer elevator 12, and the wafer 11 is raised from below the wafer suction device 4. At this time, the wafer 11 is sucked and supported by the suction holes 12A provided in the wafer elevator 12 and does not fall off.
[0021]
When the wafer 11 is lifted vertically from the lower portion of the support base 5 of the wafer suction device 4 and transferred to the center position of the support base 5, suction of the suction port 6B provided on the wafer suction surface 6A is started. You. As a result, the wafer 11 is sucked and held by the pickup unit 6 at the center of the support base 5 in a substantially vertical state. After the wafer 11 is sucked and held by the pickup unit 6, the suction by the suction hole 12A of the wafer elevator 12 is stopped, the wafer 11 is opened, and the wafer elevator 12 is lowered. Thus, the mounting of the wafer 11 on the wafer suction device 4 is completed. FIG. 4B shows the mounted state of the wafer 11.
[0022]
After the wafer 11 is mounted, a film is formed on the wafer 11 in the case of a sputtering apparatus, and necessary processing is completed. After the processing (film formation) is completed, the wafer 11 is removed from the wafer suction device 4 and transferred to the outside of the sputtering device 1.
[0023]
To remove the wafer 11 from the wafer suction device 4 and transport it, as shown in FIG. 4C, the wafer elevator 12 is raised from below, suction of the suction holes 12A is started, and the wear 11 is sucked and held. Next, the suction of the suction port 6B of the wafer suction device 4 is stopped, and the suction of the wafer 11 by the wafer suction device 4 is released. At this time, since the groove 7 is formed on the wafer suction surface 6A, the negative pressure is immediately released, and the wafer 11 is released from the suction. In this state, the wafer elevator 12 is moved downward, and the wafer 11 is transferred.
[0024]
In the attachment / detachment and transfer, the wafer 11 is mounted on the wafer mounting device 4 from below, and after the film formation, the wafer 11 is transferred downward. When considering such a transfer mode, it is desirable to change the number of grooves 7 formed on the wafer suction surface 6A of the wafer mounting device 4 between the upper portion and the lower portion of the wafer suction surface 6A. In particular, it is preferable to design such that the number of the grooves 7 is increased above the wafer suction surface 6A. As shown in FIG. 3A, when five grooves 7 are formed, three grooves 7 are arranged above the center of the wafer suction surface 6A and two are arranged below. The present invention is not limited to this, and the number of the grooves 7 may be changed. Further, instead of changing the number of the grooves 7, the depth of the grooves 7 may be changed. Specifically, the depth of the groove 7 arranged above the center of the wafer suction surface 6A is made deep, and the depth of the groove 7 arranged below is formed shallow.
[0025]
In any of the above cases, the amount of air (carrier gas) flowing from above can be increased when the wafer 11 is removed from the wafer suction surface 6A while being transported downward. Therefore, when the vacuum suction is stopped, the wafer 11 is easily detached from the upper portion of the wafer 11 first, and the transfer operation downward is facilitated. As a result, breakage of the wafer 11 is prevented.
[0026]
【The invention's effect】
As is clear from the above description, according to the present invention, it is possible to prevent the wafer from falling or being damaged due to the fluctuation in the pressure of the vacuum system, and to realize the smooth attachment / detachment and transfer of the wafer. It is.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a sputtering apparatus.
FIG. 2 is a schematic perspective view showing an example of a wafer suction device.
3A is a plan view of a wafer suction surface, and FIG. 3B is a cross-sectional view of the wafer suction surface.
4 (A) is a perspective view showing a wafer mounting operation, FIG. 4 (B) is a perspective view showing a wafer mounting state, and FIG. 4 (C) shows a wear removing operation. It is a perspective view.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Sputtering device 4 Wafer suction device 5 Support base 6 Pickup part 6A Wafer suction surface 6B Suction port 7 Groove 11 Wafer

Claims (8)

真空吸引するための吸引口を有し、ウエハを略々垂直に真空吸着しこれを保持する吸着保持部を備え、
上記吸着保持部のウエハ装着面には、上記吸引口とウエハ装着面端部とを連通する溝部が形成されていることを特徴とするウエハ吸着装置。
It has a suction port for vacuum suction, and has a suction holding section for holding the wafer by vacuum suction substantially vertically and holding the wafer,
A wafer suction device, wherein a groove for communicating the suction port with an end of the wafer mounting surface is formed on a wafer mounting surface of the suction holding unit.
上記溝部は、上記吸引口を中心として放射状に複数形成されていることを特徴とする請求項1記載のウエハ吸着装置。2. The wafer suction device according to claim 1, wherein a plurality of the grooves are formed radially around the suction port. 上記ウエハ装着面の上部における溝部の数が下部における溝部の数よりも多いことを特徴とする請求項2記載のウエハ吸着装置。3. The wafer suction device according to claim 2, wherein the number of grooves in the upper part of the wafer mounting surface is larger than the number of grooves in the lower part. 上記ウエハ装着面の上部における溝部の深さが下部における溝部の深さよりも深いことを特徴とする請求項2記載のウエハ吸着装置。3. The wafer suction device according to claim 2, wherein the depth of the groove at the upper portion of the wafer mounting surface is greater than the depth of the groove at the lower portion. 上記吸着保持部に対して上下動し、上記ウエハを吸着保持部に着脱する搬送手段を有することを特徴とする請求項1記載のウエハ吸着装置。2. The wafer suction apparatus according to claim 1, further comprising a transfer unit that moves up and down with respect to the suction holding unit and detaches the wafer from the suction holding unit. 上記搬送手段は、搬送時に上記ウエハを吸着保持する吸引孔を有することを特徴とする請求項5記載のウエハ吸着装置。6. The wafer suction apparatus according to claim 5, wherein the transfer means has a suction hole for sucking and holding the wafer during transfer. 上記吸着保持部によるウエハ真空吸着時の吸引圧力は、50〜60mmHgとなるように調整されていることを特徴とする請求項1記載のウエハ吸着装置。2. The wafer suction apparatus according to claim 1, wherein the suction pressure at the time of vacuum suction of the wafer by the suction holding unit is adjusted to be 50 to 60 mmHg. 上記ウエハは半導体ウエハであることを特徴とする請求項1記載のウエハ吸着装置。2. The wafer suction device according to claim 1, wherein the wafer is a semiconductor wafer.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007189226A (en) * 2006-01-10 2007-07-26 Hanmi Semiconductor Co Ltd Table for semiconductor manufacturing process
JP2014011378A (en) * 2012-07-02 2014-01-20 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer suction device and wafer suction method
JP2019511131A (en) * 2016-04-08 2019-04-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated Vacuum chuck pressure control system
CN115747710A (en) * 2022-11-01 2023-03-07 浙江合特光电有限公司 Thin film deposition process of photovoltaic module

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007189226A (en) * 2006-01-10 2007-07-26 Hanmi Semiconductor Co Ltd Table for semiconductor manufacturing process
JP2014011378A (en) * 2012-07-02 2014-01-20 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer suction device and wafer suction method
JP2019511131A (en) * 2016-04-08 2019-04-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated Vacuum chuck pressure control system
US11694919B2 (en) 2016-04-08 2023-07-04 Applied Materials, Inc. Vacuum chuck pressure control system
CN115747710A (en) * 2022-11-01 2023-03-07 浙江合特光电有限公司 Thin film deposition process of photovoltaic module

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