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基板上に、反射層、第一保護層、記録層および第二保護層が順次形成されるとともに前記第二保護層側から400nm〜410nmの波長の光を入射して情報の記録再生を行う光記録媒体であって、前記記録層が、SbおよびTeを主成分とする相変化材料からなり、情報記録前の前記光記録媒体の反射率が8%〜35%であり、かつ前記光記録媒体の情報記録部分の反射率が、前記情報記録前の反射率よりも低くなることを特徴とする光記録媒体。 Light that records and reproduces information by sequentially forming a reflective layer, a first protective layer, a recording layer, and a second protective layer on a substrate and entering light having a wavelength of 400 nm to 410 nm from the second protective layer side A recording medium, wherein the recording layer is made of a phase change material mainly composed of Sb and Te, the reflectance of the optical recording medium before information recording is 8% to 35%, and the optical recording medium The optical recording medium is characterized in that the reflectance of the information recording portion is lower than the reflectance before the information recording. 前記第一保護層の膜厚が10nm〜25nmであり、かつ前記記録層の膜厚が10nm〜20nmであり、かつ前記第二保護層の膜厚が30nm〜50nmであることを特徴とする請求項1に記載の光記録媒体。 The film thickness of the first protective layer is 10 nm to 25 nm, the film thickness of the recording layer is 10 nm to 20 nm, and the film thickness of the second protective layer is 30 nm to 50 nm. Item 4. The optical recording medium according to Item 1. 前記第一保護層および第二保護層が、Zn、S、Si、OおよびNからなる群から選択された少なくとも1種を含有することを特徴とする請求項1に記載の光記録媒体。2. The optical recording medium according to claim 1, wherein the first protective layer and the second protective layer contain at least one selected from the group consisting of Zn, S, Si, O, and N. 3.前記記録層が、Ga、Bi、Sn、BおよびSiからなる群から選択された少なくとも1種をさらに含む相変化材料からなることを特徴とする請求項1に記載の光記録媒体。The optical recording medium according to claim 1, wherein the recording layer is made of a phase change material further including at least one selected from the group consisting of Ga, Bi, Sn, B, and Si.前記反射層が、AgまたはAg合金からなることを特徴とする請求項1に記載の光記録媒体。The optical recording medium according to claim 1, wherein the reflective layer is made of Ag or an Ag alloy.
JP2002295760A2002-10-092002-10-09Optical recording medium
PendingJP2004133979A
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