JP2004112238A - Elastic surface wave apparatus and wave divider - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a low-loss high-attenuation characteristic of an elastic surface wave apparatus with a reduced number of used elastic surface wave resonators. <P>SOLUTION: The elastic surface wave apparatus comprises input and output signal electrodes 15, 16 for inputting/outputting electric signals, a first elastic surface wave resonator 18 composed of an input terminal 18a having a plurality of digital electrodes connected to the input signal electrode 15, an output terminal 18b having a plurality of digital electrodes connected to the output signal electrode 16, and a common terminal 18c having a plurality of digital electrodes forming interdigital electrodes A, B with the digital electrodes of the input terminal 18a and those of the output terminal 18b, and a second elastic surface wave resonator 19 connected between the common terminal 18c of the first resonator 18 and a ground electrode 17. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、弾性表面波装置および分波器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機をはじめとした移動体通信端末機が急速に発展している。この端末機は、持ち運びの便利さから、特に小型軽量であることが望まれている。
【０００３】
そして、移動体通信端末機の小型軽量化を達成するには、そこに使われる電子部品も小型軽量であることが必須であり、このため、端末機の高周波部や中間周波部には、小型軽量化に有利な弾性表面波装置、すなわち弾性表面波フィルタが多用されている。
【０００４】
弾性表面波フィルタに求められる重要な特性として、挿入損失および通過帯域外減衰が挙げられる。挿入損失は機器の消費電力に影響し、低損失であればあるほどバッテリーの寿命が延びるため、バッテリーの容量を削減することができて小型軽量化に貢献する。また、一つの弾性表面波フィルタで高帯域外減衰を得ることができれば、機器の小型軽量化に貢献する。
【０００５】
以下に、従来の弾性表面波フィルタについて説明する。
【０００６】
低損失高減衰特性を満たすフィルタとして、ラダー型フィルタが挙げられる。
【０００７】
ラダー型フィルタは、入出力信号電極に直列に接続した弾性表面波共振器と並列に接続した弾性表面波共振器とを一区間とし、この一区間を複数区間縦続接続したものである。このラダー型フィルタは、低損失かつ通過帯域近傍の減衰に優れるため、携帯電話の高周波フィルタに多用されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ラダー型フィルタは、入出力信号電極に直列に接続した弾性表面波共振器と並列に接続した弾性表面波共振器を一区間とすると、この一区間のみを用いただけでは要求される特性を満たすことが困難なために、複数区間縦続接続して用いる必要がある。例えば、Ｗ−ＣＤＭＡ用分波器の受信側フィルタにおいては少なくとも７つの弾性表面波共振器を用いる必要がある。そのため、チップサイズが増大して小型化の要求に反するという問題がある。
【０００９】
また、弾性表面波共振器は他の弾性表面波共振器と干渉しない位置に配置する必要があるために、所定の電気的接続を行うためには、長い接続線路が必要となる。そして、この接続線路に起因する損失は、無視できないほど大きく問題となっている。
【００１０】
そこで、本発明は、使用する弾性表面波共振器の数を少なくしつつ低損失高減衰特性を得ることのできる弾性表面波装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係る弾性表面波装置は、電気信号が入出力される入力信号電極および出力信号電極と、入力信号電極と接続され複数の指状電極を具備する入力端子、出力信号電極と接続され複数の指状電極を具備する出力端子、複数の指状電極を具備し当該指状電極の一部が入力端子の指状電極とで交差指状電極を構成する第１の共通端子、および複数の指状電極を具備し当該指状電極の一部が出力端子の指状電極とで交差指状電極を構成する第２の共通端子を備えた第１の弾性表面波共振器と、第１の弾性表面波共振器の少なくとも一つの共通端子と接地電極との間に接続された第２の弾性表面波共振器とを有することを特徴とする。
【００１２】
また、上記課題を解決するため、本発明に係る弾性表面波装置は、電気信号が入出力される入力信号電極および出力信号電極と、入力信号電極と出力信号電極との間に接続された第３の弾性表面波共振器と、入力信号電極と第３の弾性表面波共振器との中点および出力信号電極と第３の弾性表面波共振器との中点と接続され複数の指状電極を具備する複数の信号側端子、並びに複数の指状電極を具備して当該指状電極と複数の信号側端子の指状電極とで交差指状電極を構成するとともに接地電極と接続された接地側端子を備えた第４の弾性表面波共振器とを有することを特徴とする。
【００１３】
そして、上記課題を解決するため、本発明に係る弾性表面波装置は、電気信号が入出力される入力信号電極および出力信号電極と、入力信号電極と出力信号電極との間に直列に接続された複数の第３の弾性表面波共振器と、入力信号電極と第３の弾性表面波共振器との中点、出力信号電極と第３の弾性表面波共振器との中点、および第３の弾性表面波共振器相互間の中点と接続され複数の指状電極を具備する複数の信号側端子、並びに複数の指状電極を具備して当該指状電極と複数の信号側端子の指状電極とで交差指状電極を構成するとともに接地電極と接続された接地側端子を備えた第４の弾性表面波共振器とを有することを特徴とする。
【００１４】
このような発明によれば、使用する弾性表面波共振器の数を少なくしつつ低損失高減衰特性を得ることが可能になる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつさらに具体的に説明する。ここで、添付図面において同一の部材には同一の符号を付しており、また、重複した説明は省略されている。なお、発明の実施の形態は、本発明が実施される特に有用な形態としてのものであり、本発明がその実施の形態に限定されるものではない。
【００１６】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１における弾性表面波装置がパッケージ化された電子部品を示す断面図、図２は本発明の実施の形態１における弾性表面波装置の等価回路を示す回路図、図３は図２の弾性表面波装置の周波数特性を示すグラフ、図４は本発明者による第１の検討対象としての弾性表面波装置の等価回路を示す回路図、図５は図４の弾性表面波装置の周波数特性を示すグラフである。
【００１７】
図１に示す電子部品１０は、圧電基板（たとえば、３９°回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３　の圧電基板）上に所定の導電パターンが形成された弾性表面波装置１１が、単層あるいは複数層からなり所定の配線パターンや回路パターンの形成されたセラミック製や樹脂製の実装基板１２に搭載されたものである。そして、圧電基板におけるパターン形成面は実装基板１２の実装面と対向配置されており、弾性表面波装置１１と実装基板１２とはバンプ１３を介してフリップチップ接続されている。なお、両者はワイヤボンディング技術によりワイヤ接続してもよい。
【００１８】
ここで、圧電基板は、ＬｉＮｂＯ３　、ＬｉＴａＯ３　や水晶などの圧電単結晶、あるいはチタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミックスのような圧電性セラミックスにより形成されている。但し、絶縁基板上にＺｎＯ薄膜などの圧電薄膜を形成したものを圧電基板として用いてもよい。
【００１９】
そして、実装基板１２には、弾性表面波装置１１を包囲するようにしてキャップ１４が接着されており、弾性表面波装置１１を塵埃や機械的衝撃などから保護している。
【００２０】
弾性表面波装置１１において、圧電基板上には、図２に示すように、電気信号が入出力される入力信号電極１５および出力信号電極１６、接地電位とされた接地電極１７、並びに所定周波数の弾性表面波に共振する第１の弾性表面波共振器１８および第２の弾性表面波共振器１９が形成されている。
【００２１】
ここで、第１の弾性表面波共振器１８は、入力信号電極１５と接続されて複数の指状電極を具備する入力端子１８ａ、出力信号電極１６と接続され複数の指状電極を具備する出力端子１８ｂ、および複数の指状電極を具備する共通端子（第１および第２の共通端子）１８ｃから構成されている。そして、共通端子１８ｃの一部の指状電極と入力端子１８ａの指状電極とで１つの交差指状電極Ａが形成され、共通端子１８ｃの他の一部の指状電極と出力電極１８ｂの指状電極とで他の１つの交差指状電極Ｂが形成される。なお、第１の弾性表面波共振器１８および第２の弾性表面波共振器１９の両側には、弾性表面波を反射する反射器２０が配置されている（第２の弾性表面波共振器１９側の反射器は図示せず）。
【００２２】
第２の弾性表面波共振器１９は、このような第１の弾性表面波共振器１８の共通端子１８ｃと接地電極１７との間に接続されている。
【００２３】
そして、第２の弾性表面波共振器１９の反共振周波数が第１の弾性表面波共振器１８の共振周波数と略一致するように設定されている。
【００２４】
なお、以下の説明を含めて、第２の弾性表面波共振器を構成する交差指状電極の電極数および交差幅は自由に設定することができる。
【００２５】
また、第１の弾性表面波共振器の交差指状電極の電極周期および対数は、本実施の形態では同一の値とされているが、異なる電極周期および対数を用いてよい。また、交差幅については、完全に一致させる必要はなく、異なっていてもよい。さらに、第２の弾性表面波共振器を構成する交差指状電極との関係においては、電極周期は相互に同一であっても異なっていてもよく、何れかが同一であってもよい。
【００２６】
但し、望ましい周波数特性を得るためには、第２の弾性表面波共振器を構成する交差指状電極の電極周期を第１の弾性表面波共振器を構成する交差指状電極の電極周期よりも大きく設定するのがよい。
【００２７】
以上の構成を有する弾性表面波装置の周波数特性を図３に示す。
【００２８】
ここで、本発明者による第１の検討対象としての弾性表面波装置の等価回路を図４に示す。
【００２９】
図４は、いわゆるラダー型と呼ばれる弾性表面波装置であり、入力信号電極１１５と出力信号電極１１６との間に２つの弾性表面波共振器１１８，１１９が直列に接続されている。そして、これらの弾性表面波共振器１１８，１１９の中点と接地電極１１７との間に１つの弾性表面波共振器１２０が接続されている。すなわち、図示する場合には、合計３つの弾性表面波共振器が用いられている。そして、弾性表面波共振器１２０の反共振周波数が弾性表面波共振器１１８，１１９の共振周波数と略一致するように設定されている。
【００３０】
図４の構成を有する弾性表面波装置の周波数特性を図５に示す。
【００３１】
本実施の形態の弾性表面波装置の周波数特性（図３）と第１の検討対象である弾性表面波装置の周波数特性（図５）を比較すれば分かるように、両者の挿入損失および減衰特性は略同等となっている。
【００３２】
前述のように、本実施の形態の弾性表面波装置では、第１の弾性表面波共振器１８および第２の弾性表面波共振器１９という２つの弾性表面波共振器しか用いられていない。これに対して、第１の検討対象である弾性表面波装置では、３つの弾性表面波共振器が用いられている。
【００３３】
このように、本発明によれば、第１の弾性表面波共振器１８において複数の指状端子を具備する入力端子１８ａおよび出力端子１８ｂをそれぞれ入力信号電極１５および出力信号電極１６と接続し、入力端子１８ａの指状電極と出力端子１８ｂの指状電極とで交差指状電極を構成する共通端子１８ｃと接地電極１７との間に第２の弾性表面波共振器１９を接続したので、必要な弾性表面波共振器の数が削減されるとともに、電気的接続に必要な接続線路長を短くすることができ、使用する弾性表面波共振器の数を少なくしつつ、低損失高減衰特性という周波数特性を得ることができる。
【００３４】
これにより、チップサイズを小さくすることができ、装置の小型化を図ることが可能になる。
【００３５】
（実施の形態２）
図６は本発明の実施の形態２における弾性表面波装置の等価回路を示す回路図、図７は図６の弾性表面波装置の周波数特性を示すグラフ、図８は本発明者による第２の検討対象としての弾性表面波装置の等価回路を示す回路図、図９は図８の弾性表面波装置の周波数特性を示すグラフ、図１０は図６の弾性表面波装置の素子レイアウトを示す説明図、図１１は図８の弾性表面波装置の素子レイアウトを示す説明図、図１２は本発明の実施の形態２における変形例としての弾性表面波装置の等価回路を示す回路図、図１３は本発明者による第３の検討対象としての弾性表面波装置の等価回路を示す回路図である。
【００３６】
なお、以下に説明する実施の形態を含め、弾性表面波装置がパッケージ化された電子部品は実施の形態１において示した図１と同様となっている。
【００３７】
本実施の形態の弾性表面波装置には、図６に示すように、１つの第１の弾性表面波共振器１８および２つの第２の弾性表面波共振器１９ａ，１９ｂが形成されている。
【００３８】
ここで、第１の弾性表面波共振器１８は、入力信号電極１５と接続されて複数の指状電極を具備する入力端子１８ａ、出力信号電極１６と接続されて複数の指状電極を具備する出力端子１８ｂ、および複数の指状電極をそれぞれ具備する第１および第２の共通端子１８ｃ１　，１８ｃ２　から構成されている。そして、第１の共通端子１８ｃ１　の一部の指状電極と入力端子１８ａの指状電極とで交差指状電極Ａが、第１の共通端子１８ｃ２　の一部の指状電極と出力電極１８ｂの指状電極とで交差指状電極Ｂが、第１の共通端子１８ｃ１　の他の一部の指状電極と第２の共通端子１８ｃ２　の他の一部の指状電極とで交差指状電極Ｃが、それぞれ形成される。
【００３９】
一方の第２の弾性表面波共振器１９ａは第１の弾性表面波共振器１８の第１の共通端子１８ｃ１　と接地電極１７との間に接続され、もう一方の第２の弾性表面波共振器１９ｂは第１の弾性表面波共振器１８の第２の共通端子１８ｃ２　と接地電極１７との間に接続されている。但し、第２の弾性表面波共振器は第１の共通端子１８ｃ１　と接地電極１７との間または第２の共通端子１８ｃ２　と接地電極１７との間の何れかに設けられていればよい。
【００４０】
そして、第２の弾性表面波共振器１９ａ，１９ｂの反共振周波数が第１の弾性表面波共振器１８の共振周波数と略一致するように設定されている。
【００４１】
以上の構成を有する弾性表面波装置の周波数特性を図７に示す。
【００４２】
ここで、本発明者による第２の検討対象としての弾性表面波装置の等価回路を図８に示す。
【００４３】
図８もまた、いわゆるラダー型と呼ばれる弾性表面波装置であり、入力信号電極１１５と出力信号電極１１６との間に３つの弾性表面波共振器１２１，１２２，１２３が直列に接続されている。そして、これらの弾性表面波共振器１２１，１２２，１２３のそれぞれの中点と接地電極１１７との間に２つの弾性表面波共振器１２４，１２５が接続されている。すなわち、図示する場合には、合計５つの弾性表面波共振器が用いられている。そして、弾性表面波共振器１２４，１２５の反共振周波数が弾性表面波共振器１２１，１２２，１２３の共振周波数と略一致するように設定されている。
【００４４】
図８の構成を有する弾性表面波装置の周波数特性を図９に示す。
【００４５】
本実施の形態の弾性表面波装置の周波数特性（図７）と第２の検討対象である弾性表面波装置の周波数特性（図９）を比較すれば分かるように、両者の挿入損失および減衰特性は略同等となっている。
【００４６】
前述のように、本実施の形態の弾性表面波装置では、１つの第１の弾性表面波共振器１８および２つの第２の弾性表面波共振器１９ａ，１９ｂという合計３つの弾性表面波共振器しか用いられていない。これに対して、第１の検討対象である弾性表面波装置では、５つの弾性表面波共振器が用いられている。
【００４７】
したがって、本発明によれば、第１の弾性表面波共振器１８において複数の指状端子を具備する入力端子１８ａおよび出力端子１８ｂをそれぞれ入力信号電極１５および出力信号電極１６と接続し、入力端子１８ａの指状電極とで交差指状電極を構成する第１の共通端子１８ｃ１　と接地電極１７との間に第２の弾性表面波共振器１９ａを接続し、出力端子１８ｂの指状電極とで交差指状電極を構成する第２の共通端子１８ｃ２　と接地電極１７との間に第２の弾性表面波共振器１９ｂを接続したので、使用する弾性表面波共振器の数を少なくしつつ、低損失高減衰特性という周波数特性を得ることができる。これにより、チップサイズを小さくすることができ、装置の小型化を図ることが可能になる。
【００４８】
図６における本発明の弾性表面波装置の素子レイアウトを図１０に、図８における第２の検討対象としての弾性表面波装置の素子レイアウトを図１１に、それぞれ示す。
【００４９】
これらの図から明らかなように、本発明の弾性表面波装置では、これと同等の周波数特性を有する第２の検討対象としての弾性表面波装置に比較して、使用する弾性表面波共振器の数が少ないために、チップサイズが大幅に小さくなっていることが分かる。
【００５０】
ここで、実施の形態２における変形例としての弾性表面波装置の等価回路を図１２に、本発明者による第３の検討対象としての弾性表面波装置の等価回路を図１３にそれぞれ示す。
【００５１】
図１２においては、１つの第１の弾性表面波共振器１８および３つの第２の弾性表面波共振器１９ａ，１９ｂ，１９ｃの合計４つが形成されている。
【００５２】
第１の弾性表面波共振器１８は、入力信号電極１５と接続されて複数の指状電極を具備する入力端子１８ａ、出力信号電極１６と接続されて複数の指状電極を具備する出力端子１８ｂ、および複数の指状電極をそれぞれ具備する第１、第２および第３の共通端子１８ｃ１　，１８ｃ２　，１８ｃ３　から構成されている。そして、第１の共通端子１８ｃ１　の一部の指状電極と入力端子１８ａの指状電極とで交差指状電極Ａが、第２の共通端子１８ｃ２　の一部の指状電極と出力電極１８ｂの指状電極とで交差指状電極Ｂが、第１の共通端子１８ｃ１　の他の一部の指状電極と第３の共通端子１８ｃ３　の一部の指状電極とで交差指状電極Ｃが、第２の共通端子１８ｃ２　の他の一部の指状電極と第３の共通端子１８ｃ３　の他の一部の指状電極とで交差指状電極Ｄが、それぞれ形成される。
【００５３】
そして、３つの第２の弾性表面波共振器１９ａ，１９ｂ，１９ｃは、第１の弾性表面波共振器１８のそれぞれの共通端子１８ｃ１　，１８ｃ２　，１８ｃ３　と接地電極１７との間にそれぞれ接続されている。但し、第２の弾性表面波共振器は少なくとも一つの共通端子と接地電極との間に設けられていればよい。
【００５４】
また、図１３においては、入力信号電極１１５と出力信号電極１１６との間に４つの弾性表面波共振器１２６，１２７，１２８，１２９が直列に接続されている。そして、これらの弾性表面波共振器１２６，１２７，１２８，１２９のそれぞれの中点と接地電極１１７との間に３つの弾性表面波共振器１３０，１３１，１３２が接続されている。すなわち、合計７つの弾性表面波共振器が用いられている。
【００５５】
これら図１２に示す本発明の弾性表面波装置と図１３に示す第３の検討対象である弾性表面波装置も、やはり同等の周波数特性を有している。
【００５６】
このように、本発明において第１の弾性表面波共振器１８を構成する共通端子の数が増えた場合には、共通端子と接地電極との間に第２の弾性表面波共振器を接続すればよい。
【００５７】
なお、第３の共通端子はさらに増設することができる。つまり、第３の共通端子は複数設けることができる。この場合は、一方の第３の共通端子の指状電極の一部と他方の第３の共通端子の指状電極の一部とで交差指状電極を構成する。これにより、入力端子１８ａ、第１の共通端子１８ｃ１　、複数の第３の共通端子１８ｃ３　、第２の共通端子１８ｃ２　および出力端子１８ｂの相互間が交差指状電極を介して結合される。
【００５８】
（実施の形態３）
図１４は本発明の実施の形態３における弾性表面波装置の等価回路を示す回路図、図１５は図１４の弾性表面波装置の周波数特性を示すグラフ、図１６は本発明者による第４の検討対象としての弾性表面波装置の等価回路を示す回路図、図１７は図１６の弾性表面波装置の周波数特性を示すグラフ、図１８は本発明の実施の形態３における第１の変形例としての弾性表面波装置の等価回路を示す回路図、図１９は本発明者による第５の検討対象としての弾性表面波装置の等価回路を示す回路図、図２０は本発明の実施の形態３における第２の変形例としての弾性表面波装置の等価回路を示す回路図、図２１は本発明者による第６の検討対象としての弾性表面波装置の等価回路を示す回路図である。
【００５９】
図１４に示すように、本実施の形態の弾性表面波装置は、所定周波数の弾性表面波に共振する第３の弾性表面波共振器２１および第４の弾性表面波共振器２２が形成されている。
【００６０】
ここで、第３の弾性表面波共振器２１は、入力信号電極１５と出力信号電極１６との間に接続されている。なお、第３の弾性表面波共振器２１を構成する交差指状電極の電極数および交差幅は自由に設定することができる。
【００６１】
また、第４の弾性表面波共振器２２は、入力信号電極１５と第３の弾性表面波共振器２１との中点および出力信号電極１６と第３の弾性表面波共振器２１との中点と接続されて複数の指状電極をそれぞれ具備する２つ（複数）の信号側端子２２ａ、並びに複数の指状電極を具備してこの指状電極と各信号側端子２２ａの指状電極とで交差指状電極を構成するとともに接地電極１７と接続された接地側端子２２ｂから構成されている。ここで、一方の信号側端子２２ａの指状電極と接地側端子２２ｂの一部の指状電極とで１つの交差指状電極Ａが形成され、他方の信号側端子２２ａの指状電極と接地側端子２２ｂの他の一部の指状電極とで他の１つの交差指状電極Ｂが形成される。なお、第４の弾性表面波共振器２２の両側には、弾性表面波を反射する反射器２０が配置されている（第３の弾性表面波共振器２１側の反射器は図示せず）。
【００６２】
そして、第４の弾性表面波共振器２２の反共振周波数が第３の弾性表面波共振器２１の共振周波数と略一致するように設定されている。
【００６３】
また、第４の弾性表面波共振器２２の交差指状電極Ａ，Ｂの電極周期および対数は、本実施の形態では同一の値とされているが、異なる電極周期および対数を用いてよい。また、交差幅については、完全に一致させる必要はなく、異なっていてもよい。さらに、第３の弾性表面波共振器２１を構成する交差指状電極との関係においては、電極周期は相互に同一であっても異なっていてもよく、何れかが同一であってもよい。
【００６４】
但し、望ましい周波数特性を得るためには、第４の弾性表面波共振器２２を構成する交差指状電極Ａ，Ｂの電極周期は第３の弾性表面波共振器２１を構成する交差指状電極の電極周期よりも大きく設定するのがよい。
【００６５】
以上の構成を有する弾性表面波装置の周波数特性を図１５に示す。
【００６６】
ここで、本発明者による第４の検討対象としての弾性表面波装置の等価回路を図１６に示す。
【００６７】
図１６は、いわゆるラダー型と呼ばれる弾性表面波装置であり、入力信号電極１１５と出力信号電極１１６との間に１つの弾性表面波共振器１３３が接続されている。そして、入力信号電極１１５と弾性表面波共振器１２２との中点と接地電極１１７との間、および出力信号電極１１６と弾性表面波共振器１２２との中点と接地電極１１７との間に、２つの弾性表面波共振器１３４，１３５が並列に接続されている。すなわち、図示する場合には、合計３つの弾性表面波共振器が用いられている。そして、弾性表面波共振器１３４，１３５の反共振周波数が弾性表面波共振器１３３の共振周波数と略一致するように設定されている。
【００６８】
図１６の構成を有する弾性表面波装置の周波数特性を図１７に示す。
【００６９】
本実施の形態の弾性表面波装置の周波数特性（図１５）と第４の検討対象である弾性表面波装置の周波数特性（図１７）を比較すれば分かるように、両者の挿入損失および減衰特性は略同等となっている。
【００７０】
前述のように、本実施の形態の弾性表面波装置では、第３の弾性表面波共振器２１および第４の弾性表面波共振器２２という２つの弾性表面波共振器しか用いられていない。これに対して、第４の検討対象である弾性表面波装置では、３つの弾性表面波共振器が用いられている。
【００７１】
このように、本発明によれば、第４の弾性表面波共振器２２において、入力信号電極１５と第３の弾性表面波共振器２１との中点および出力信号電極１６と第３の弾性表面波共振器２１との中点と複数の指状電極を具備する信号側端子２２ａとを接続し、接地側端子２２ｂの指状電極と信号側端子２２ａの指状電極とで交差指状電極を構成し、当該接地側端子２２ｂと接地電極１７とを接続したので、使用する弾性表面波共振器の数を少なくしつつ、低損失高減衰特性という周波数特性を得ることができる。これにより、チップサイズを小さくすることができ、装置の小型化を図ることが可能になる。
【００７２】
ここで、第３の弾性表面波共振器が複数用いられた場合における接続形態について、検討対象とした弾性表面波装置との比較で説明する。
【００７３】
先ず、第３の弾性表面波共振器２１ａ，２１ｂが２つ用いられた場合には、図１８に示すように、この第３の弾性表面波共振器２１ａ，２１ｂは入力信号電極１５と出力信号電極１６との間に直列に接続される。
【００７４】
また、第４の弾性表面波共振器２２は、入力信号電極１５と一方の第３の弾性表面波共振器２１ａとの中点、出力信号電極１６と他方の第３の弾性表面波共振器２１ｂとの中点、および第３の弾性表面波共振器２１ａと第３の弾性表面波共振器２１ｂとの中点と接続されて複数の指状電極をそれぞれ具備する３つ（複数）の信号側端子２２ａ、並びに複数の指状電極を具備してこの指状電極と各信号側端子２２ａの指状電極とで交差指状電極を構成するとともに接地電極１７と接続された接地側端子２２ｂから構成されている。ここで、それぞれの信号側端子２２ａと接地側端子２２ｂの一部とで交差指状電極Ａ，Ｂ，Ｃが形成される。
【００７５】
以上の構成を有する弾性表面波装置と同等の周波数特性を有する第５の検討対象としての弾性表面波装置を図１９に示す。
【００７６】
図１９において、入力信号電極１１５と出力信号電極１１６との間に２つの弾性表面波共振器１３６，１３７が直列に接続されている。そして、入力信号電極１１５と弾性表面波共振器１３６との中点と接地電極１１７との間、弾性表面波共振器１３６と弾性表面波共振器１３７との中点と接地電極１１７との間、および出力信号電極１１６と弾性表面波共振器１３７との中点と接地電極１１７との間に、３つの弾性表面波共振器１３８，１３９，１４０が並列に接続されている。すなわち、図示する場合には、合計５つの弾性表面波共振器が用いられている。
【００７７】
本発明による弾性表面波装置を示す図１８と第５の検討対象である弾性表面波装置を示す図１９との比較から明らかなように、所定の周波数特性を得るために、前者では３つの弾性表面波共振器（第３の弾性表面波共振器２１ａ，２１ｂおよび第４の弾性表面波共振器２２）が必要なのに対して、後者では５つの弾性表面波共振器１３６〜１４０が必要になる。
【００７８】
次に、第３の弾性表面波共振器２１ａ，２１ｂ，２１ｃが３つ用いられた場合には、図２０に示すように、この第３の弾性表面波共振器２１ａ，２１ｂ，２１ｃは入力信号電極１５と出力信号電極１６との間に直列に接続される。
【００７９】
また、第４の弾性表面波共振器２２は、入力信号電極１５と第３の弾性表面波共振器２１ａとの中点、出力信号電極１６と第３の弾性表面波共振器２１ｂとの中点、第３の弾性表面波共振器２１ａと第３の弾性表面波共振器２１ｂとの中点、および第３の弾性表面波共振器２１ｂと第３の弾性表面波共振器２１ｃとの中点と接続されて複数の指状電極をそれぞれ具備する４つ（複数）の信号側端子２２ａ、並びに複数の指状電極を具備してこの指状電極と各信号側端子２２ａの指状電極とで交差指状電極を構成するとともに接地電極１７と接続された接地側端子２２ｂから構成されている。ここで、それぞれの信号側端子２２ａと接地側端子２２ｂの一部とで交差指状電極Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄが形成される。
【００８０】
このように、入力信号電極１５と出力信号電極１６との間に直列接続される第３の弾性表面波共振器が増えた場合には、隣り合う第３の弾性表面波共振器の中点と接続される信号側端子を増設するようにすればよい。
【００８１】
以上の構成を有する弾性表面波装置と同等の周波数特性を有する第６の検討対象としての弾性表面波装置を図２１に示す。
【００８２】
図２１において、入力信号電極１１５と出力信号電極１１６との間に３つの弾性表面波共振器１４１，１４２，１４３が直列に接続されている。そして、入力信号電極１１５と弾性表面波共振器１４１との中点と接地電極１１７との間、弾性表面波共振器１４１と弾性表面波共振器１４２との中点と接地電極１１７との間、弾性表面波共振器１４２と弾性表面波共振器１４３との中点と接地電極１１７との間、および出力信号電極１１６と弾性表面波共振器１４３との中点と接地電極１１７との間に、４つの弾性表面波共振器１４４，１４５，１４６，１４７が並列に接続されている。すなわち、図示する場合には、合計７つの弾性表面波共振器が用いられている。
【００８３】
本発明による弾性表面波装置を示す図２０と第６の検討対象である弾性表面波装置を示す図２１との比較から明らかなように、所定の周波数特性を得るために、前者では４つの弾性表面波共振器（第３の弾性表面波共振器２１ａ，２１ｂ，２１ｃおよび第４の弾性表面波共振器２２）が必要なのに対して、後者では７つの弾性表面波共振器１４１〜１４７が必要になる。
【００８４】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態により説明したが、前述した第２の弾性表面波共振器１９，１９ａ，１９ｂ，１９ｃと接地電極１７との間にはインダクタンス素子を接続することができる。また、第４の弾性表面波共振器２２の接地側端子２２ｂと接地電極１７との間にもインダクタンス素子を接続することができる。このようにすれば、通過帯域外でより大きな減衰が得られるので、一層良好な周波数特性となる。
【００８５】
また、本願の弾性表面波装置を複数接続することや、本願の弾性表面波装置に他の構成を有する弾性表面波装置を接続することもできる。
【００８６】
本発明の弾性表面波装置はフィルタ、特に複数のフィルタを用いる分波器用フィルタに好適である。また、本発明による弾性表面波装置は、相互に異なる帯域中心周波数を有する複数の通過帯域を有する複合フィルタにも好適である。これらの場合において、少なくとも１つが本発明の弾性表面波装置であればよい。
【００８７】
但し、本発明の適用範囲はフィルタに限定されるものではなく、弾性表面波共振器が複数個搭載されたフィルタ分野以外の種々の弾性表面波装置に適用することが可能である。
【００８８】
なお、「弾性素子技術ハンドブック」（株式会社オーム社、１９９１年１１月３０発行）の２１７ページには、１端子対弾性表面波共振器および２端子対弾性表面波共振器が開示されている。
【００８９】
また、１端子対弾性表面波共振器および２端子対弾性表面波共振器を組み合わせた弾性表面波フィルタが、例えば特開平５−４８０５５号公報などに開示されている。ここでは、１端子対弾性表面波共振器と２端子対弾性表面波共振器とが直列に接続した構成が開示されている。
【００９０】
これに対して、本願は、第１の弾性表面波共振器１８において複数の指状電極を具備した入力端子１８ａおよび出力端子１８ｂをそれぞれ入力信号電極１５および出力信号電極１６と接続し、複数の指状電極を具備して入力端子１８ａと出力端子１８ｂとで交差指状電極を構成する共通端子１８ｃと接地電極１７との間に第２の弾性表面波共振器１９を接続したものである。また、第４の弾性表面波共振器２２において、入力信号電極１５と第３の弾性表面波共振器２１との中点および出力信号電極１６と第３の弾性表面波共振器２１との中点と複数の指状電極を具備した信号側端子２２ａとを接続し、第３の弾性表面波共振器が複数の場合には、隣り合う第３の弾性表面波共振器の中点と複数の指状電極を具備した信号側端子２２とを接続し、複数の指状電極を具備した接地側端子２２ｂと信号側端子の指状電極とで交差指状電極を構成し、さらに接地側端子２２ｂを接地電極１７とを接続したものである。
【００９１】
そして、このような構成は、前述した文献などには何れも示唆すらされておらず、本願により初めて開示されたものである。
【００９２】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば以下の効果を奏することができる。
【００９３】
（１）．必要な弾性表面波共振器の数が削減されるとともに、電気的接続に必要な接続線路長を短くすることができるので、使用する弾性表面波共振器の数を少なくしつつ、低損失高減衰特性という周波数特性を得ることができる。
【００９４】
（２）．これにより、チップサイズを小さくすることができ、装置の小型化を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における弾性表面波装置がパッケージ化された電子部品を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１における弾性表面波装置の等価回路を示す回路図である。
【図３】図２の弾性表面波装置の周波数特性を示すグラフである。
【図４】本発明者による第１の検討対象としての弾性表面波装置の等価回路を示す回路図である。
【図５】図４の弾性表面波装置の周波数特性を示すグラフである。
【図６】本発明の実施の形態２における弾性表面波装置の等価回路を示す回路図である。
【図７】図６の弾性表面波装置の周波数特性を示すグラフである。
【図８】本発明者による第２の検討対象としての弾性表面波装置の等価回路を示す回路図である。
【図９】図８の弾性表面波装置の周波数特性を示すグラフである。
【図１０】図６の弾性表面波装置の素子レイアウトを示す説明図である。
【図１１】図８の弾性表面波装置の素子レイアウトを示す説明図である。
【図１２】本発明の実施の形態２における変形例としての弾性表面波装置の等価回路を示す回路図である。
【図１３】本発明者による第３の検討対象としての弾性表面波装置の等価回路を示す回路図である。
【図１４】本発明の実施の形態３における弾性表面波装置の等価回路を示す回路図である。
【図１５】図１４の弾性表面波装置の周波数特性を示すグラフである。
【図１６】本発明者による第４の検討対象としての弾性表面波装置の等価回路を示す回路図である。
【図１７】図１６の弾性表面波装置の周波数特性を示すグラフである。
【図１８】本発明の実施の形態３における第１の変形例としての弾性表面波装置の等価回路を示す回路図である。
【図１９】本発明者による第５の検討対象としての弾性表面波装置の等価回路を示す回路図である。
【図２０】本発明の実施の形態３における第２の変形例としての弾性表面波装置の等価回路を示す回路図である。
【図２１】本発明者による第６の検討対象としての弾性表面波装置の等価回路を示す回路図である。
【符号の説明】
１０　電子部品
１１　弾性表面波素子
１２　実装基板
１３　バンプ
１４　キャップ
１５　入力信号電極
１６　出力信号電極
１７　接地電極
１８　第１の弾性表面波共振器
１８ａ　入力端子
１８ｂ　出力端子
１８ｃ　共通端子（第１および第２の共通端子）
１８ｃ１　　第１の共通端子
１８ｃ２　　第２の共通端子
１８ｃ３　　第３の共通端子
１９，１９ａ，１９ｂ，１９ｃ　第２の弾性表面波共振器
２０　反射器
２１，２１ａ，２１ｂ，２１ｃ　第３の弾性表面波共振器
２２　第４の弾性表面波共振器
２２ａ　信号側端子
２２ｂ　接地側端子
１１５　入力信号電極
１１６　出力信号電極
１１７　接地電極
１１８〜１４７　弾性表面波共振器
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ　交差指状電極[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a surface acoustic wave device and a duplexer.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, mobile communication terminals such as mobile phones are rapidly developing. It is desired that the terminal be particularly small and lightweight because of its easy portability.
[0003]
In order to reduce the size and weight of the mobile communication terminal, it is essential that the electronic components used in the terminal are also small and lightweight. A surface acoustic wave device that is advantageous for weight reduction, that is, a surface acoustic wave filter is frequently used.
[0004]
Important characteristics required for a surface acoustic wave filter include insertion loss and out-of-passband attenuation. The insertion loss affects the power consumption of the device, and the lower the loss, the longer the life of the battery. Therefore, the capacity of the battery can be reduced, which contributes to reduction in size and weight. In addition, if high attenuation outside the band can be obtained with a single surface acoustic wave filter, this contributes to a reduction in the size and weight of the device.
[0005]
Hereinafter, a conventional surface acoustic wave filter will be described.
[0006]
A ladder-type filter is one example of a filter that satisfies low-loss and high-attenuation characteristics.
[0007]
The ladder-type filter is configured such that a surface acoustic wave resonator connected in series to an input / output signal electrode and a surface acoustic wave resonator connected in parallel constitute one section, and this section is cascaded for a plurality of sections. The ladder-type filter is frequently used for a high-frequency filter of a mobile phone because of its low loss and excellent attenuation near a pass band.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, if the ladder-type filter has a section consisting of a surface acoustic wave resonator connected in series to the input / output signal electrode and a surface acoustic wave resonator connected in parallel, the characteristics required only by using this section alone are required. Since it is difficult to satisfy, it is necessary to use a plurality of sections in cascade connection. For example, it is necessary to use at least seven surface acoustic wave resonators in a receiving filter of a W-CDMA duplexer. For this reason, there is a problem that the chip size increases, which is against the demand for miniaturization.
[0009]
In addition, since the surface acoustic wave resonator needs to be arranged at a position that does not interfere with other surface acoustic wave resonators, a long connection line is required to perform predetermined electrical connection. The loss caused by this connection line is a problem that cannot be ignored.
[0010]
Accordingly, it is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave device that can obtain low loss and high attenuation characteristics while reducing the number of surface acoustic wave resonators to be used.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problem, a surface acoustic wave device according to the present invention has an input signal electrode and an output signal electrode for inputting and outputting an electric signal, and an input terminal including a plurality of finger electrodes connected to the input signal electrode. An output terminal connected to the output signal electrode and having a plurality of finger electrodes; a first electrode having a plurality of finger electrodes and a part of the finger electrode forming a cross finger electrode with the finger electrode of the input terminal; A first surface acoustic wave having a common terminal and a second common terminal comprising a plurality of finger electrodes, and a part of the finger electrodes constituting a cross finger electrode with the finger electrode of the output terminal It is characterized by including a resonator and a second surface acoustic wave resonator connected between at least one common terminal of the first surface acoustic wave resonator and a ground electrode.
[0012]
Further, in order to solve the above problem, a surface acoustic wave device according to the present invention includes an input signal electrode and an output signal electrode through which an electric signal is input and output, and a second electrode connected between the input signal electrode and the output signal electrode. A plurality of finger-like electrodes connected to the third surface acoustic wave resonator, the middle point between the input signal electrode and the third surface acoustic wave resonator, and the middle point between the output signal electrode and the third surface acoustic wave resonator; A plurality of signal-side terminals comprising: and a plurality of finger-like electrodes, the finger-like electrodes and the finger-like electrodes of the plurality of signal-side terminals constitute a cross finger-like electrode, and are connected to the ground electrode. A fourth surface acoustic wave resonator having a side terminal.
[0013]
In order to solve the above problems, the surface acoustic wave device according to the present invention includes an input signal electrode and an output signal electrode for inputting and outputting an electric signal, and is connected in series between the input signal electrode and the output signal electrode. A plurality of third surface acoustic wave resonators; a midpoint between the input signal electrode and the third surface acoustic wave resonator; a midpoint between the output signal electrode and the third surface acoustic wave resonator; A plurality of signal-side terminals connected to a midpoint between the surface acoustic wave resonators and including a plurality of finger-like electrodes; and a plurality of finger-like electrodes including a plurality of finger-like electrodes and fingers of the finger-like electrodes and the plurality of signal-side terminals And a fourth surface acoustic wave resonator having a ground-side terminal connected to the ground electrode.
[0014]
According to such an invention, it is possible to obtain low loss and high attenuation characteristics while reducing the number of surface acoustic wave resonators to be used.
[0015]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described more specifically with reference to the drawings. Here, in the attached drawings, the same members are denoted by the same reference numerals, and duplicate description is omitted. The embodiment of the present invention is a particularly useful embodiment in which the present invention is implemented, and the present invention is not limited to the embodiment.
[0016]
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an electronic component in which the surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention is packaged. FIG. 2 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention. 3 is a graph showing a frequency characteristic of the surface acoustic wave device of FIG. 2, FIG. 4 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the surface acoustic wave device as a first study object by the present inventors, and FIG. 6 is a graph illustrating frequency characteristics of the surface acoustic wave device.
[0017]
An electronic component 10 shown in FIG. 1 includes a piezoelectric substrate (for example, a 39 ° rotation Y-cut X-propagation LiTaO 3 A surface acoustic wave device 11 having a predetermined conductive pattern formed on a piezoelectric substrate) is mounted on a ceramic or resin mounting substrate 12 formed of a single layer or a plurality of layers and having a predetermined wiring pattern or circuit pattern formed thereon. It was done. The pattern forming surface of the piezoelectric substrate is disposed to face the mounting surface of the mounting substrate 12, and the surface acoustic wave device 11 and the mounting substrate 12 are flip-chip connected via the bumps 13. Note that the two may be connected by a wire bonding technique.
[0018]
Here, the piezoelectric substrate is formed of a piezoelectric single crystal such as LiNbO3, LiTaO3 or quartz, or a piezoelectric ceramic such as a lead zirconate titanate-based piezoelectric ceramic. However, a piezoelectric thin film such as a ZnO thin film formed on an insulating substrate may be used as the piezoelectric substrate.
[0019]
A cap 14 is adhered to the mounting substrate 12 so as to surround the surface acoustic wave device 11, thereby protecting the surface acoustic wave device 11 from dust and mechanical shock.
[0020]
As shown in FIG. 2, in the surface acoustic wave device 11, an input signal electrode 15 and an output signal electrode 16 for inputting and outputting an electric signal, a ground electrode 17 at a ground potential, and a predetermined frequency A first surface acoustic wave resonator 18 and a second surface acoustic wave resonator 19 that resonate with a surface acoustic wave are formed.
[0021]
Here, the first surface acoustic wave resonator 18 is connected to the input signal electrode 15 and has an input terminal 18a having a plurality of finger electrodes, and the output signal electrode 16 is connected to the output signal electrode 16 and has an output having a plurality of finger electrodes. It comprises a terminal 18b and a common terminal (first and second common terminals) 18c having a plurality of finger electrodes. One intersecting finger electrode A is formed by a part of the finger electrodes of the common terminal 18c and the finger electrodes of the input terminal 18a, and the other part of the finger electrodes of the common terminal 18c and the output electrode 18b. Another interdigital electrode B is formed with the finger electrode. Note that reflectors 20 that reflect surface acoustic waves are disposed on both sides of the first surface acoustic wave resonator 18 and the second surface acoustic wave resonator 19 (the second surface acoustic wave resonator 19). Side reflector is not shown).
[0022]
The second surface acoustic wave resonator 19 is connected between the common terminal 18c of the first surface acoustic wave resonator 18 and the ground electrode 17.
[0023]
The anti-resonance frequency of the second surface acoustic wave resonator 19 is set to be substantially equal to the resonance frequency of the first surface acoustic wave resonator 18.
[0024]
In addition, including the following description, the number of electrodes and the width of the interdigital electrodes constituting the second surface acoustic wave resonator can be freely set.
[0025]
Although the electrode period and the logarithm of the interdigital electrode of the first surface acoustic wave resonator have the same value in the present embodiment, different electrode periods and logarithms may be used. Further, it is not necessary to completely match the intersection widths, and they may be different. Further, in relation to the interdigital electrodes constituting the second surface acoustic wave resonator, the electrode periods may be the same or different from each other, or one of them may be the same.
[0026]
However, in order to obtain a desirable frequency characteristic, the electrode period of the interdigital electrode constituting the second surface acoustic wave resonator is made longer than the electrode period of the interdigital electrode constituting the first surface acoustic wave resonator. It is better to set a large value.
[0027]
FIG. 3 shows the frequency characteristics of the surface acoustic wave device having the above configuration.
[0028]
Here, FIG. 4 shows an equivalent circuit of a surface acoustic wave device as a first object of study by the present inventors.
[0029]
FIG. 4 shows a so-called ladder-type surface acoustic wave device, in which two surface acoustic wave resonators 118 and 119 are connected in series between an input signal electrode 115 and an output signal electrode 116. One surface acoustic wave resonator 120 is connected between the middle point of the surface acoustic wave resonators 118 and 119 and the ground electrode 117. That is, in the case of the drawing, a total of three surface acoustic wave resonators are used. The anti-resonance frequency of the surface acoustic wave resonator 120 is set to be substantially equal to the resonance frequencies of the surface acoustic wave resonators 118 and 119.
[0030]
FIG. 5 shows the frequency characteristics of the surface acoustic wave device having the configuration shown in FIG.
[0031]
As can be seen by comparing the frequency characteristics of the surface acoustic wave device of the present embodiment (FIG. 3) and the frequency characteristics of the surface acoustic wave device to be studied first (FIG. 5), the insertion loss and the attenuation characteristics of both devices are shown. Are approximately equivalent.
[0032]
As described above, in the surface acoustic wave device of the present embodiment, only two surface acoustic wave resonators, that is, the first surface acoustic wave resonator 18 and the second surface acoustic wave resonator 19 are used. On the other hand, three surface acoustic wave resonators are used in the surface acoustic wave device which is the first object of study.
[0033]
Thus, according to the present invention, in the first surface acoustic wave resonator 18, the input terminal 18a and the output terminal 18b having a plurality of finger terminals are connected to the input signal electrode 15 and the output signal electrode 16, respectively. Necessary because the second surface acoustic wave resonator 19 is connected between the common terminal 18c and the ground electrode 17 that form a cross finger-like electrode with the finger-like electrode of the input terminal 18a and the finger-like electrode of the output terminal 18b. The number of suitable surface acoustic wave resonators is reduced, and the connection line length required for electrical connection can be shortened. Frequency characteristics can be obtained.
[0034]
As a result, the chip size can be reduced, and the size of the device can be reduced.
[0035]
(Embodiment 2)
FIG. 6 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the surface acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention, FIG. 7 is a graph showing frequency characteristics of the surface acoustic wave device of FIG. 6, and FIG. FIG. 9 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the surface acoustic wave device to be studied, FIG. 9 is a graph showing the frequency characteristics of the surface acoustic wave device of FIG. 8, and FIG. 10 is an explanatory diagram showing an element layout of the surface acoustic wave device of FIG. FIG. 11 is an explanatory view showing an element layout of the surface acoustic wave device of FIG. 8, FIG. 12 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a surface acoustic wave device as a modification of the second embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 9 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a surface acoustic wave device as a third study object by the inventor.
[0036]
Note that the electronic components in which the surface acoustic wave device is packaged, including the embodiments described below, are the same as those in FIG. 1 shown in the first embodiment.
[0037]
In the surface acoustic wave device according to the present embodiment, as shown in FIG. 6, one first surface acoustic wave resonator 18 and two second surface acoustic wave resonators 19a and 19b are formed.
[0038]
Here, the first surface acoustic wave resonator 18 is connected to the input signal electrode 15 and has an input terminal 18a having a plurality of finger electrodes, and is connected to the output signal electrode 16 and has a plurality of finger electrodes. An output terminal 18b, and first and second common terminals 18c each having a plurality of finger electrodes 1 , 18c 2 It is composed of Then, the first common terminal 18c 1 Of the finger electrodes of the input terminal 18a and a part of the finger electrodes of the input terminal 18a, the first common terminal 18c 2 Of the finger electrode of the output electrode 18b and a part of the finger electrode of the output electrode 18b, the first common terminal 18c 1 Other part of the finger electrodes and the second common terminal 18c 2 The cross finger electrodes C are respectively formed with the other part of the finger electrodes.
[0039]
One second surface acoustic wave resonator 19a is connected to the first common terminal 18c of the first surface acoustic wave resonator 18. 1 And the other surface acoustic wave resonator 19b is connected between the first surface acoustic wave resonator 18 and the second common terminal 18c of the first surface acoustic wave resonator 18. 2 And the ground electrode 17. However, the second surface acoustic wave resonator is connected to the first common terminal 18c. 1 Between the ground electrode 17 and the second common terminal 18c 2 It may be provided anywhere between the ground electrode 17.
[0040]
The anti-resonance frequencies of the second surface acoustic wave resonators 19 a and 19 b are set so as to substantially match the resonance frequency of the first surface acoustic wave resonator 18.
[0041]
FIG. 7 shows the frequency characteristics of the surface acoustic wave device having the above configuration.
[0042]
Here, FIG. 8 shows an equivalent circuit of a surface acoustic wave device as a second object of study by the present inventors.
[0043]
FIG. 8 also shows a so-called ladder-type surface acoustic wave device, in which three surface acoustic wave resonators 121, 122, and 123 are connected in series between an input signal electrode 115 and an output signal electrode. Two surface acoustic wave resonators 124 and 125 are connected between the respective middle points of the surface acoustic wave resonators 121, 122 and 123 and the ground electrode 117. That is, in the case shown, a total of five surface acoustic wave resonators are used. The anti-resonance frequencies of the surface acoustic wave resonators 124 and 125 are set to substantially match the resonance frequencies of the surface acoustic wave resonators 121, 122 and 123.
[0044]
FIG. 9 shows the frequency characteristics of the surface acoustic wave device having the configuration shown in FIG.
[0045]
As can be seen from a comparison between the frequency characteristics of the surface acoustic wave device of the present embodiment (FIG. 7) and the frequency characteristics of the surface acoustic wave device as the second object of study (FIG. 9), the insertion loss and the attenuation characteristics of both devices are shown. Are substantially equivalent.
[0046]
As described above, in the surface acoustic wave device of the present embodiment, a total of three surface acoustic wave resonators, one first surface acoustic wave resonator 18 and two second surface acoustic wave resonators 19a and 19b. Only used. On the other hand, in the surface acoustic wave device to be studied first, five surface acoustic wave resonators are used.
[0047]
Therefore, according to the present invention, in the first surface acoustic wave resonator 18, the input terminal 18a and the output terminal 18b having a plurality of finger terminals are connected to the input signal electrode 15 and the output signal electrode 16, respectively. The first common terminal 18c which forms a cross finger-like electrode with the finger-like electrode 18a 1 A second surface acoustic wave resonator 19a is connected between the ground electrode 17 and a second common terminal 18c which forms a cross finger electrode with the finger electrode of the output terminal 18b. 2 Since the second surface acoustic wave resonator 19b is connected between the second surface acoustic wave resonator 19b and the ground electrode 17, the frequency characteristics of low loss and high attenuation can be obtained while reducing the number of surface acoustic wave resonators to be used. As a result, the chip size can be reduced, and the size of the device can be reduced.
[0048]
FIG. 10 shows the element layout of the surface acoustic wave device of the present invention in FIG. 6, and FIG. 11 shows the element layout of the surface acoustic wave device as the second object of study in FIG.
[0049]
As is clear from these figures, the surface acoustic wave device of the present invention has a surface acoustic wave resonator to be used, It can be seen that the chip size is significantly reduced due to the small number.
[0050]
Here, FIG. 12 shows an equivalent circuit of a surface acoustic wave device as a modification of the second embodiment, and FIG. 13 shows an equivalent circuit of a surface acoustic wave device as a third object of study by the inventor.
[0051]
In FIG. 12, a total of four of one first surface acoustic wave resonator 18 and three second surface acoustic wave resonators 19a, 19b, 19c are formed.
[0052]
The first surface acoustic wave resonator 18 is connected to the input signal electrode 15 and has an input terminal 18a having a plurality of finger electrodes. The first surface acoustic wave resonator 18 is connected to the output signal electrode 16 and has an output terminal 18b having a plurality of finger electrodes. , And first, second and third common terminals 18c each having a plurality of finger electrodes 1 , 18c 2 , 18c 3 It is composed of Then, the first common terminal 18c 1 Of the finger electrodes of the input terminals 18a and the finger electrodes of the input terminals 18a, the second common terminal 18c 2 Of the finger electrode of the output electrode 18b and a part of the finger electrode of the output electrode 18b, the first common terminal 18c 1 Other part of the finger electrodes and the third common terminal 18c 3 Finger electrode C intersects with some of the finger electrodes of the second common terminal 18c. 2 Other part of the finger electrodes and the third common terminal 18c 3 And the other part of the finger electrodes, the interdigital electrodes D are formed.
[0053]
The three second surface acoustic wave resonators 19a, 19b, 19c are connected to the respective common terminals 18c of the first surface acoustic wave resonator 18. 1 , 18c 2 , 18c 3 And the ground electrode 17. However, the second surface acoustic wave resonator may be provided between at least one common terminal and the ground electrode.
[0054]
In FIG. 13, four surface acoustic wave resonators 126, 127, 128, and 129 are connected in series between the input signal electrode 115 and the output signal electrode 116. Further, three surface acoustic wave resonators 130, 131, and 132 are connected between the middle point of each of the surface acoustic wave resonators 126, 127, 128, and 129 and the ground electrode 117. That is, a total of seven surface acoustic wave resonators are used.
[0055]
The surface acoustic wave device of the present invention shown in FIG. 12 and the surface acoustic wave device which is the third object to be studied shown in FIG. 13 also have the same frequency characteristics.
[0056]
As described above, when the number of common terminals constituting the first surface acoustic wave resonator 18 increases in the present invention, the second surface acoustic wave resonator is connected between the common terminal and the ground electrode. Just fine.
[0057]
Note that the third common terminal can be further added. That is, a plurality of third common terminals can be provided. In this case, a part of the finger electrode of the third common terminal and a part of the finger electrode of the other third common terminal form an interdigital electrode. Thereby, the input terminal 18a and the first common terminal 18c 1 , A plurality of third common terminals 18c 3 , The second common terminal 18c 2 The output terminal 18b and the output terminal 18b are connected to each other via a cross finger electrode.
[0058]
(Embodiment 3)
FIG. 14 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the surface acoustic wave device according to Embodiment 3 of the present invention, FIG. 15 is a graph showing frequency characteristics of the surface acoustic wave device of FIG. 14, and FIG. FIG. 17 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a surface acoustic wave device to be studied, FIG. 17 is a graph showing frequency characteristics of the surface acoustic wave device of FIG. 16, and FIG. 18 is a first modification of the third embodiment of the present invention. FIG. 19 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a surface acoustic wave device according to a fifth embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 21 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a surface acoustic wave device as a second modification, and FIG. 21 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a surface acoustic wave device as a sixth object of study by the present inventors.
[0059]
As shown in FIG. 14, the surface acoustic wave device according to the present embodiment includes a third surface acoustic wave resonator 21 and a fourth surface acoustic wave resonator 22 that resonate with a surface acoustic wave having a predetermined frequency. I have.
[0060]
Here, the third surface acoustic wave resonator 21 is connected between the input signal electrode 15 and the output signal electrode 16. In addition, the number of electrodes and the width of intersection of the interdigital electrodes constituting the third surface acoustic wave resonator 21 can be freely set.
[0061]
The fourth surface acoustic wave resonator 22 is located at the midpoint between the input signal electrode 15 and the third surface acoustic wave resonator 21 and at the midpoint between the output signal electrode 16 and the third surface acoustic wave resonator 21. And two (plural) signal-side terminals 22a each having a plurality of finger-like electrodes connected thereto, and a plurality of finger-like electrodes provided with the finger-like electrodes and the finger-like electrodes of each signal-side terminal 22a. It comprises an interdigital electrode and a ground-side terminal 22b connected to the ground electrode 17. Here, one interdigital electrode A is formed by the finger electrode of one signal side terminal 22a and a part of the finger electrodes of the ground side terminal 22b, and the finger electrode of the other signal side terminal 22a is grounded. Another one of the interdigital electrodes B is formed with another part of the finger electrodes of the side terminal 22b. Note that reflectors 20 that reflect surface acoustic waves are arranged on both sides of the fourth surface acoustic wave resonator 22 (the reflector on the third surface acoustic wave resonator 21 side is not shown).
[0062]
The anti-resonance frequency of the fourth surface acoustic wave resonator 22 is set to be substantially equal to the resonance frequency of the third surface acoustic wave resonator 21.
[0063]
Although the electrode period and the logarithm of the interdigital electrodes A and B of the fourth surface acoustic wave resonator 22 are the same in the present embodiment, different electrode periods and logarithms may be used. Further, it is not necessary to completely match the intersection widths, and they may be different. Further, in relation to the interdigital electrodes constituting the third surface acoustic wave resonator 21, the electrode periods may be the same or different from each other, or one of them may be the same.
[0064]
However, in order to obtain a desirable frequency characteristic, the electrode period of the interdigital electrodes A and B constituting the fourth surface acoustic wave resonator 22 is set to be the same as that of the interdigital electrode constituting the third surface acoustic wave resonator 21. It is better to set it larger than the electrode period.
[0065]
FIG. 15 shows frequency characteristics of the surface acoustic wave device having the above configuration.
[0066]
Here, FIG. 16 shows an equivalent circuit of a surface acoustic wave device as a fourth study object of the present inventors.
[0067]
FIG. 16 shows a so-called ladder type surface acoustic wave device, in which one surface acoustic wave resonator 133 is connected between an input signal electrode 115 and an output signal electrode 116. Then, between the midpoint between the input signal electrode 115 and the surface acoustic wave resonator 122 and the ground electrode 117, and between the midpoint between the output signal electrode 116 and the surface acoustic wave resonator 122 and the ground electrode 117, Two surface acoustic wave resonators 134 and 135 are connected in parallel. That is, in the case of the drawing, a total of three surface acoustic wave resonators are used. The anti-resonance frequencies of the surface acoustic wave resonators 134 and 135 are set to substantially match the resonance frequency of the surface acoustic wave resonator 133.
[0068]
FIG. 17 shows the frequency characteristics of the surface acoustic wave device having the configuration of FIG.
[0069]
As can be seen by comparing the frequency characteristics of the surface acoustic wave device according to the present embodiment (FIG. 15) and the frequency characteristics of the surface acoustic wave device to be studied in the fourth place (FIG. 17), the insertion loss and the attenuation characteristics of both devices are shown. Are approximately equivalent.
[0070]
As described above, in the surface acoustic wave device of the present embodiment, only two surface acoustic wave resonators, that is, the third surface acoustic wave resonator 21 and the fourth surface acoustic wave resonator 22 are used. On the other hand, in the surface acoustic wave device which is the fourth study object, three surface acoustic wave resonators are used.
[0071]
Thus, according to the present invention, in the fourth surface acoustic wave resonator 22, the midpoint between the input signal electrode 15 and the third surface acoustic wave resonator 21, and the output signal electrode 16 and the third surface acoustic wave The midpoint of the wave resonator 21 is connected to a signal terminal 22a having a plurality of finger electrodes, and a finger electrode of the ground terminal 22b and a finger electrode of the signal terminal 22a form a cross finger electrode. With this configuration, the ground terminal 22b and the ground electrode 17 are connected to each other, so that the frequency characteristics of low loss and high attenuation can be obtained while reducing the number of surface acoustic wave resonators to be used. As a result, the chip size can be reduced, and the size of the device can be reduced.
[0072]
Here, a connection configuration in the case where a plurality of third surface acoustic wave resonators are used will be described in comparison with a surface acoustic wave device to be studied.
[0073]
First, when two third surface acoustic wave resonators 21a and 21b are used, as shown in FIG. 18, the third surface acoustic wave resonators 21a and 21b are connected to the input signal electrode 15 and the output signal. It is connected in series with the electrode 16.
[0074]
Further, the fourth surface acoustic wave resonator 22 includes a midpoint between the input signal electrode 15 and one third surface acoustic wave resonator 21a, an output signal electrode 16 and the other third surface acoustic wave resonator 21b. And three (plural) signal sides respectively connected to the middle point of the third surface acoustic wave resonator 21a and the third surface acoustic wave resonator 21b and provided with a plurality of finger electrodes. A terminal 22a and a plurality of finger electrodes are provided. The finger electrodes and the finger electrodes of each signal side terminal 22a form a cross finger electrode and a ground terminal 22b connected to the ground electrode 17. Have been. Here, the interdigital electrodes A, B, and C are formed by the respective signal-side terminals 22a and a part of the ground-side terminals 22b.
[0075]
FIG. 19 shows a surface acoustic wave device as a fifth object to be studied having the same frequency characteristics as the surface acoustic wave device having the above configuration.
[0076]
In FIG. 19, two surface acoustic wave resonators 136 and 137 are connected in series between an input signal electrode 115 and an output signal electrode 116. Then, between the midpoint between the input signal electrode 115 and the surface acoustic wave resonator 136 and the ground electrode 117, between the midpoint between the surface acoustic wave resonator 136 and the surface acoustic wave resonator 137 and the ground electrode 117, Also, three surface acoustic wave resonators 138, 139, and 140 are connected in parallel between the middle point between the output signal electrode 116 and the surface acoustic wave resonator 137 and the ground electrode 117. That is, in the case shown, a total of five surface acoustic wave resonators are used.
[0077]
As is clear from a comparison between FIG. 18 showing the surface acoustic wave device according to the present invention and FIG. 19 showing the fifth surface acoustic wave device to be studied, in order to obtain a predetermined frequency characteristic, the former uses three elastic waves. While the surface acoustic wave resonators (the third surface acoustic wave resonators 21a and 21b and the fourth surface acoustic wave resonator 22) are required, the latter requires five surface acoustic wave resonators 136 to 140.
[0078]
Next, when three third surface acoustic wave resonators 21a, 21b, and 21c are used, as shown in FIG. 20, the third surface acoustic wave resonators 21a, 21b, and 21c receive input signals. It is connected in series between the electrode 15 and the output signal electrode 16.
[0079]
The fourth surface acoustic wave resonator 22 is located at the midpoint between the input signal electrode 15 and the third surface acoustic wave resonator 21a, and at the midpoint between the output signal electrode 16 and the third surface acoustic wave resonator 21b. The middle point between the third surface acoustic wave resonator 21a and the third surface acoustic wave resonator 21b, and the middle point between the third surface acoustic wave resonator 21b and the third surface acoustic wave resonator 21c. Four (plural) signal-side terminals 22a connected to each other and having a plurality of finger-like electrodes, and a plurality of finger-like electrodes provided and intersecting with the finger-like electrodes of each signal-side terminal 22a. It comprises a finger-like electrode and a ground-side terminal 22 b connected to the ground electrode 17. Here, interdigital electrodes A, B, C, and D are formed by the respective signal-side terminals 22a and a part of the ground-side terminals 22b.
[0080]
As described above, when the number of the third surface acoustic wave resonators connected in series between the input signal electrode 15 and the output signal electrode 16 increases, the middle point of the adjacent third surface acoustic wave resonators What is necessary is just to add the signal side terminal connected.
[0081]
FIG. 21 shows a surface acoustic wave device as a sixth object to be studied having frequency characteristics equivalent to those of the surface acoustic wave device having the above configuration.
[0082]
In FIG. 21, three surface acoustic wave resonators 141, 142, and 143 are connected in series between an input signal electrode 115 and an output signal electrode 116. Then, between the midpoint between the input signal electrode 115 and the surface acoustic wave resonator 141 and the ground electrode 117, between the midpoint between the surface acoustic wave resonator 141 and the surface acoustic wave resonator 142 and the ground electrode 117, Between the midpoint between the surface acoustic wave resonator 142 and the surface acoustic wave resonator 143 and the ground electrode 117, and between the midpoint between the output signal electrode 116 and the surface acoustic wave resonator 143 and the ground electrode 117; Four surface acoustic wave resonators 144, 145, 146, and 147 are connected in parallel. That is, in the case shown, a total of seven surface acoustic wave resonators are used.
[0083]
As is clear from the comparison between FIG. 20 showing the surface acoustic wave device according to the present invention and FIG. 21 showing the surface acoustic wave device to be studied in the sixth embodiment, in order to obtain a predetermined frequency characteristic, the former uses four elastic waves. While the surface acoustic wave resonators (the third surface acoustic wave resonators 21a, 21b, 21c and the fourth surface acoustic wave resonator 22) are required, the latter requires seven surface acoustic wave resonators 141 to 147. Become.
[0084]
As described above, the invention made by the present inventor has been described in the embodiment. However, an inductance element is connected between the second surface acoustic wave resonators 19, 19a, 19b, and 19c and the ground electrode 17. Can be. In addition, an inductance element can be connected between the ground terminal 22 b of the fourth surface acoustic wave resonator 22 and the ground electrode 17. In this way, a larger attenuation can be obtained outside the pass band, so that better frequency characteristics can be obtained.
[0085]
Further, a plurality of surface acoustic wave devices of the present application can be connected, and a surface acoustic wave device having another configuration can be connected to the surface acoustic wave device of the present application.
[0086]
The surface acoustic wave device of the present invention is suitable for a filter, particularly a filter for a duplexer using a plurality of filters. The surface acoustic wave device according to the present invention is also suitable for a composite filter having a plurality of pass bands having mutually different band center frequencies. In these cases, at least one may be the surface acoustic wave device of the present invention.
[0087]
However, the scope of application of the present invention is not limited to filters, and can be applied to various surface acoustic wave devices other than the field of filters in which a plurality of surface acoustic wave resonators are mounted.
[0088]
The “Elastic Element Technology Handbook” (Ohm Co., Ltd., issued on November 30, 1991), page 217, discloses a one-port surface acoustic wave resonator and a two-port surface acoustic wave resonator.
[0089]
A surface acoustic wave filter combining a one-port surface acoustic wave resonator and a two-port surface acoustic wave resonator is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-48055. Here, a configuration in which a one-port surface acoustic wave resonator and a two-port surface acoustic wave resonator are connected in series is disclosed.
[0090]
On the other hand, in the present application, in the first surface acoustic wave resonator 18, the input terminal 18a and the output terminal 18b having a plurality of finger electrodes are connected to the input signal electrode 15 and the output signal electrode 16, respectively. A second surface acoustic wave resonator 19 is connected between a common terminal 18c, which has finger-shaped electrodes and forms an interdigital electrode with an input terminal 18a and an output terminal 18b, and a ground electrode 17. Also, in the fourth surface acoustic wave resonator 22, the midpoint between the input signal electrode 15 and the third surface acoustic wave resonator 21 and the midpoint between the output signal electrode 16 and the third surface acoustic wave resonator 21. And a signal-side terminal 22a having a plurality of finger-like electrodes, and when there are a plurality of third surface acoustic wave resonators, a middle point of the adjacent third surface acoustic wave resonators and a plurality of fingers are connected. The signal-side terminal 22 having a finger-shaped electrode is connected to the ground-side terminal 22b having a plurality of finger-shaped electrodes and the finger-shaped electrode of the signal-side terminal to form a cross finger-shaped electrode. It is connected to a ground electrode 17.
[0091]
Such a configuration is not suggested in any of the above-mentioned documents and the like, and is disclosed for the first time by the present application.
[0092]
【The invention's effect】
As is clear from the above description, the present invention has the following effects.
[0093]
(1). The required number of surface acoustic wave resonators is reduced, and the connection line length required for electrical connection can be shortened. A frequency characteristic called a characteristic can be obtained.
[0094]
(2). As a result, the chip size can be reduced, and the size of the device can be reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an electronic component in which a surface acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention is packaged.
FIG. 2 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the surface acoustic wave device according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 3 is a graph showing frequency characteristics of the surface acoustic wave device of FIG. 2;
FIG. 4 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a surface acoustic wave device as a first object of study by the present inventors.
FIG. 5 is a graph showing frequency characteristics of the surface acoustic wave device of FIG.
FIG. 6 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the surface acoustic wave device according to Embodiment 2 of the present invention.
FIG. 7 is a graph showing frequency characteristics of the surface acoustic wave device of FIG. 6;
FIG. 8 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a surface acoustic wave device as a second object of study by the present inventors.
FIG. 9 is a graph showing frequency characteristics of the surface acoustic wave device of FIG.
FIG. 10 is an explanatory diagram showing an element layout of the surface acoustic wave device of FIG. 6;
FIG. 11 is an explanatory diagram showing an element layout of the surface acoustic wave device of FIG.
FIG. 12 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a surface acoustic wave device according to a modification of the second embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a surface acoustic wave device as a third object of study by the present inventors.
FIG. 14 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the surface acoustic wave device according to Embodiment 3 of the present invention.
FIG. 15 is a graph showing frequency characteristics of the surface acoustic wave device of FIG.
FIG. 16 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a surface acoustic wave device as a fourth object of study by the present inventors.
FIG. 17 is a graph showing frequency characteristics of the surface acoustic wave device of FIG.
FIG. 18 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a surface acoustic wave device according to a first modification of the third embodiment of the present invention.
FIG. 19 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a surface acoustic wave device as a fifth object of study by the present inventors.
FIG. 20 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a surface acoustic wave device according to a second modification of the third embodiment of the present invention.
FIG. 21 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a surface acoustic wave device as a sixth object of study by the present inventors.
[Explanation of symbols]
10 Electronic components
11 Surface acoustic wave device
12 Mounting board
13 Bump
14 caps
15 Input signal electrode
16 output signal electrodes
17 Ground electrode
18. First surface acoustic wave resonator
18a input terminal
18b output terminal
18c common terminal (first and second common terminals)
18c 1 First common terminal
18c 2 Second common terminal
18c 3 Third common terminal
19, 19a, 19b, 19c Second surface acoustic wave resonator
20 reflector
21, 21a, 21b, 21c Third surface acoustic wave resonator
22 Fourth surface acoustic wave resonator
22a Signal side terminal
22b Ground terminal
115 input signal electrode
116 output signal electrode
117 Ground electrode
118-147 surface acoustic wave resonator
A, B, C, D Interdigital electrodes

Claims (14)

電気信号が入出力される入力信号電極および出力信号電極と、
前記入力信号電極と接続され複数の指状電極を具備する入力端子、前記出力信号電極と接続され複数の指状電極を具備する出力端子、複数の指状電極を具備し当該指状電極の一部が前記入力端子の前記指状電極とで交差指状電極を構成する第１の共通端子、および複数の指状電極を具備し当該指状電極の一部が前記出力端子の前記指状電極とで交差指状電極を構成する第２の共通端子を備えた第１の弾性表面波共振器と、
前記第１の弾性表面波共振器の少なくとも一つの前記共通端子と接地電極との間に接続された第２の弾性表面波共振器とを有することを特徴とする弾性表面波装置。An input signal electrode and an output signal electrode for inputting and outputting an electric signal,
An input terminal connected to the input signal electrode and including a plurality of finger electrodes; an output terminal connected to the output signal electrode and including a plurality of finger electrodes; A first common terminal that forms a cross finger electrode with the finger electrode of the input terminal; and a plurality of finger electrodes, and a part of the finger electrode is the finger electrode of the output terminal. A first surface acoustic wave resonator having a second common terminal forming an interdigital electrode, and
A surface acoustic wave device comprising: a second surface acoustic wave resonator connected between at least one common terminal of the first surface acoustic wave resonator and a ground electrode. 前記第１の共通端子と前記第２の共通端子とが同一の共通端子であることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置。The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the first common terminal and the second common terminal are the same common terminal. 複数の指状電極を具備した第３の共通端子を有し、
前記第３の共通端子は、当該指状電極の一部が前記第１の共通端子の前記指状電極とで交差指状電極を構成するとともに残部の少なくとも一部が前記第２の共通端子の前記指状電極とで交差指状電極を構成することを特徴とする請求項１記載の弾性表面波共振器。A third common terminal having a plurality of finger electrodes;
In the third common terminal, a part of the finger-like electrode forms a cross finger-like electrode with the finger-like electrode of the first common terminal, and at least a part of the remaining part of the third common terminal has a shape of the second common terminal. 2. The surface acoustic wave resonator according to claim 1, wherein the finger-shaped electrode forms a cross finger-shaped electrode. 前記第３の共通端子は複数設けられ、一方の第３の共通端子の前記指状電極の一部と他方の第３の共通端子の前記指状電極の一部とで交差指状電極を構成することを特徴とする請求項３記載の弾性表面波共振器。A plurality of the third common terminals are provided, and a part of the finger electrode of one third common terminal and a part of the finger electrode of the other third common terminal constitute a cross finger electrode. The surface acoustic wave resonator according to claim 3, wherein 前記第１の弾性表面波共振器を構成する複数の前記交差指状電極の電極周期および前記第２の弾性表面波共振器を構成する交差指状電極の電極周期は、相互に同一、相互に相違、または一部が同一であることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の弾性表面波装置。The electrode periods of the plurality of interdigital electrodes constituting the first surface acoustic wave resonator and the electrode periods of the interdigital electrodes constituting the second surface acoustic wave resonator are identical to each other. The surface acoustic wave device according to any one of claims 1 to 4, wherein a difference or a part thereof is the same. 前記第２の弾性表面波共振器を構成する交差指状電極の電極周期は前記第１の弾性表面波共振器を構成する複数の前記交差指状電極の電極周期よりも大きく設定されていることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の弾性表面波装置。The electrode period of the interdigital electrodes constituting the second surface acoustic wave resonator is set to be larger than the electrode period of the plurality of interdigital electrodes constituting the first surface acoustic wave resonator. The surface acoustic wave device according to any one of claims 1 to 5, wherein 前記第２の弾性表面波共振器と前記接地電極との間にはインダクタンス素子が接続されていることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の弾性表面波装置。The surface acoustic wave device according to any one of claims 1 to 6, wherein an inductance element is connected between the second surface acoustic wave resonator and the ground electrode. 電気信号が入出力される入力信号電極および出力信号電極と、
前記入力信号電極と前記出力信号電極との間に接続された第３の弾性表面波共振器と、
前記入力信号電極と前記第３の弾性表面波共振器との中点および前記出力信号電極と前記第３の弾性表面波共振器との中点と接続され複数の指状電極を具備する複数の信号側端子、並びに複数の指状電極を具備して当該指状電極と前記複数の信号側端子の前記指状電極とで交差指状電極を構成するとともに接地電極と接続された接地側端子を備えた第４の弾性表面波共振器とを有することを特徴とする弾性表面波装置。An input signal electrode and an output signal electrode for inputting and outputting an electric signal,
A third surface acoustic wave resonator connected between the input signal electrode and the output signal electrode;
A plurality of finger-shaped electrodes connected to a midpoint between the input signal electrode and the third surface acoustic wave resonator and to a midpoint between the output signal electrode and the third surface acoustic wave resonator; A signal-side terminal, and a plurality of finger-shaped electrodes, the finger-shaped electrodes of the plurality of signal-side terminals and the finger-shaped electrodes of the plurality of signal-side terminals constitute a cross finger-shaped electrode, and a ground-side terminal connected to a ground electrode. And a fourth surface acoustic wave resonator provided with the surface acoustic wave device. 電気信号が入出力される入力信号電極および出力信号電極と、
前記入力信号電極と前記出力信号電極との間に直列に接続された複数の第３の弾性表面波共振器と、
前記入力信号電極と前記第３の弾性表面波共振器との中点、前記出力信号電極と前記第３の弾性表面波共振器との中点、および前記第３の弾性表面波共振器相互間の中点と接続され複数の指状電極を具備する複数の信号側端子、並びに複数の指状電極を具備して当該指状電極と前記複数の信号側端子の前記指状電極とで交差指状電極を構成するとともに接地電極と接続された接地側端子を備えた第４の弾性表面波共振器とを有することを特徴とする弾性表面波装置。An input signal electrode and an output signal electrode for inputting and outputting an electric signal,
A plurality of third surface acoustic wave resonators connected in series between the input signal electrode and the output signal electrode;
A midpoint between the input signal electrode and the third surface acoustic wave resonator, a midpoint between the output signal electrode and the third surface acoustic wave resonator, and between the third surface acoustic wave resonator A plurality of signal-side terminals connected to the midpoint and including a plurality of finger-like electrodes, and a plurality of finger-like electrodes including a plurality of finger-like electrodes and intersecting fingers between the finger-like electrodes and the finger-like electrodes of the plurality of signal-side terminals And a fourth surface acoustic wave resonator comprising a ground electrode and a ground-side terminal connected to the ground electrode. 前記第３の弾性表面波共振器を構成する交差指状電極の電極周期および前記第４の弾性表面波共振器を構成する複数の前記交差指状電極の電極周期は、相互に同一、相互に相違、または一部が同一であることを特徴とする請求項８または９記載の弾性表面波装置。The electrode period of the interdigital electrodes constituting the third surface acoustic wave resonator and the electrode period of the plurality of interdigital electrodes constituting the fourth surface acoustic wave resonator are identical to each other. 10. The surface acoustic wave device according to claim 8, wherein a difference or a part thereof is the same. 前記第４の弾性表面波共振器を構成する複数の前記交差指状電極の電極周期は前記第３の弾性表面波共振器を構成する交差指状電極の電極周期よりも大きく設定されていることを特徴とする請求項８〜１０の何れか一項に記載の弾性表面波装置。The electrode period of the plurality of interdigital electrodes constituting the fourth surface acoustic wave resonator is set to be larger than the electrode period of the interdigital electrodes constituting the third surface acoustic wave resonator. The surface acoustic wave device according to claim 8, wherein: 前記第４の弾性表面波共振器の前記接地側端子と前記接地電極との間にはインダクタンス素子が接続されていることを特徴とする請求項８〜１１の何れか一項に記載の弾性表面波装置。The elastic surface according to any one of claims 8 to 11, wherein an inductance element is connected between the ground-side terminal of the fourth surface acoustic wave resonator and the ground electrode. Wave device. 請求項１〜１２の何れか一項に記載の弾性表面波装置を少なくとも１つ含むことを特徴とする弾性表面波装置。A surface acoustic wave device comprising at least one surface acoustic wave device according to claim 1. 相互に異なる帯域中心周波数を有する少なくとも２つの弾性表面波装置が搭載され、これらの弾性表面波装置の少なくとも１つが請求項１〜１３の何れか一項に記載の弾性表面波装置であることを特徴とする分波器。At least two surface acoustic wave devices having mutually different band center frequencies are mounted, and at least one of these surface acoustic wave devices is the surface acoustic wave device according to any one of claims 1 to 13. Characteristic duplexer.
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