JP2004111065A - Electron generating device - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、電子加速装置への電子の入射用として用いられる電子発生装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
本発明に係る電子発生装置は、電子を発生させ、電子加速装置へ加速用電子を供給するための装置である。電子加速装置は、電子発生装置から供給された電子を、そこに設置した電子加速手段により、加速するための装置で、所定のエネルギーまで加速された電子は、照射等の目的に利用される。電子加速装置に使用する電子加速手段には、通常、高周波加速空洞(RF加速空洞と略称する。RF=Radio−Frequency)を使用し、このRF加速空洞に形成されたRF加速電界を利用して、RF加速空洞を通過する電子を加速するという方法を採る。
【0003】
ところで、RF加速空洞での加速については、RF加速電界による加速の原理により、加速電界の正弦波360°中、特定の位相幅(加速位相)に属する電子のみが加速可能であり(例えば、非特許文献1参照。)、それ以外の位相の電子は加速途中に設計軌道からはずれたり、減速位相となったりして、真空ダクト等に衝突して失われる。この電子の消失は、不経済というだけでなく消失時の制動放射により、放射線の発生を伴う。従って、これを避けるために、電子を加速周波数に同期して発生させ、ある位相幅の電子のみを取り出して、電子加速装置に供給するという手法が用いられる。
【0004】
電子発生装置では電子発生手段である電子銃を構成するカソード電極に高電圧を印加して電子を生成するが、上記電子加速装置のRF加速電界と同期した形で電子を得る為には上記カソード電極へ印加する高電圧は、RF加速電界と同一周期でパルス状に運転するのが望ましい。しかし、加速周波数は通常数100MHz程度であり、カソード電極へ印加電圧を供給する電源の仕様をこの周波数に合わせることは非常に難しい。従って、通常はカソード電極の前方にグリッド電極を配置し、グリッド電極とカソード電極間の電位差を、直流電圧に、加速電界と同一周波数の高周波電圧(以降RF電圧と記載する。)を加えたものにするという方法をとる。すなわち、グリッド電極とカソード電極間には直流電圧と、加速電界と同一周波数のRF電圧とを合わせた合成RF電圧が印加される。更に、グリッド/カソード間に直流バイアス電圧を印加してカットオフ電圧を設定する。これにより、カソード電位に対するグリッド電位がこのカットオフ電圧を越えたときには、電子発生装置から電子ビームが発生する。更に、このカットオフ電圧と上記RF電圧のピーク値とを調整することにより、取り出すことのできる電子の数(即ち電流値)と、その位相幅を調節することができる。加速に供される位相幅は小さいものなので、これに対応すべく、前記グリッド電極に印加される合成RF電圧の正弦波尖塔部分のみが取り出されるようにカットオフ電圧のレベルは前記合成RF電圧波形に対して高い位置で設定される。したがって、電子発生装置は、所謂C級増幅モードで運転されることとなる。従来は、このような方法で位相幅(パルス幅)約60°以下の電子を発生させていた(例えば、非特許文献2参照)。
【0005】
ここで、電子加速手段で加速できる加速位相幅は正弦波360°中の精々20°〜30°であるが、電子発生装置で発生した電子の位相幅が従来の約60°のままであったとすると、例えば加速位相幅を30°として、電子の差し引き位相幅約30°分は加速中に真空ダクトに衝突し失われる。数10kWといった大強度ビームを加速する電子加速装置ではこの衝突による真空ダクトの熱除去が大掛かりとなり、また、電力効率が悪い装置となる。
そこで位相幅を更に小さくすることが求められるが、このためにはRF電圧を大きくし、カットオフ電圧を相対的に高い位置に設定する必要がある。このことを示したのが、図7と図8である。図8は図7に示すRF電圧がカットオフ電圧を越える領域の近傍を拡大して示したものである。尚、この図の縦軸は符号を反転させて描いてある点に留意のこと。図8の実線が、従来のグリッド/カソード間にかける合成RF電圧の時間変化を示す波形であり、破線が、位相幅を小さくした場合の合成RF電圧の時間変化を示す波形である。この例では、カットオフ電圧を超える合成RF電圧の位相幅を、従来の例えば1/2にしつつ、この位相幅に相当するカットオフ電圧を超える部分の合成RF電圧の時間変化を示す波形の面積が、実線/破線の両方で等しくなるようにした場合のグリッド/カソード間にかける合成RF電圧の変化の例を示している。本来は両者での電子発生数、即ち電流値と、その位相幅を比較対象とすべきであるが、ここでは、説明の便宜上、発生電子の位相幅とその数とは、カットオフ電圧を超える部分の合成RF電圧の位相幅とその同一位相幅に対応する面積に対応するものとして簡略化した。カットオフ電圧を超える部分の位相幅を狭くし、且つ電流値を維持するためには、図7に示すように、RF電圧を著しく大きくする必要が生じる。RF周波数は加速周波数と同じでなければならないので、加速周波数が数100MHzといった高周波になると、RF電圧を大きくすることは高周波電源の負担が大きくなり、電子発生装置を全体として著しく高価なものになってしまう。
【0006】
位相幅の低減要求が大きくない場合は、必要なRF電圧はそれほど大きくはならないが、このような高い周波数領域では、信号伝送時の放射損失やインピーダンスのミスマッチによる信号の反射による損失が起こる。この場合、高周波電源は、その損失を補填するだけの裕度を持っていなければならなくなり、高周波電源の負担が大きくなってしまう。高周波信号伝送時の放射損失を改善するには、RF電圧伝送信号線を導体でシールドするとよいが、電子銃のような電子発生手段では、カソード電極にヒータが設置され、これでカソード電極を過熱することにより、電子を発生させているため、直流のヒータ電源からカソード電極に設置されているヒータまで、ヒータ線を引くことが必要になる。このヒータ線も併せて頑丈なシールド対策を施すことにより、インピーダンスのミスマッチを抑えて、反射を低減している例がある(例えば、特許文献1参照。)が、ヒータ線へのシールド対策は電子銃を大型にしてしまい、電子発生装置のコストアップの要因になる。
【0007】
【非特許文献1】
大柳宏之編「シンクロトロン放射光の基礎」、丸善(株)発行、平成8年3月、p64
【非特許文献2】
「放射線と産業」、財団法人 原子力弘済会 資料センター発行、No78(1998)、p27〜p32掲載のAヘレール等著「IBA社工業用高電圧高出力電子線加速器ロードトロン」、p28
【特許文献1】
特開平7−161330号公報(請求項1、請求項2、第1図)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
このように、位相幅を小さくするには、高周波電源の負担も含めて電子発生装置のコストが上昇してしまうため、簡単な方法で、安価に発生電子の位相幅を小さくすることができる電子発生装置の実現が待たれていた。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子発生装置は、高周波加速電界により電子を加速する電子加速手段を有する電子加速装置に対して、前記高周波加速電界に同期して、電子を発生し供給する電子発生装置において、電子発生手段としてカソード電極とグリッド電極とアノード電極とを備え、直流のバイアス電圧を供給するバイアス電源と、前記高周波加速電界と同一周波数の基本高周波電圧を供給する基本高周波電源と、前記高周波加速電界に同期し、前記加速電界の、2以上の整数倍周波数をもつ定倍高周波電圧を供給する定倍高周波電源とを備え、更に、前記バイアス電圧と、前記基本高周波電圧と、前記定倍高周波電圧とを重畳した重畳高周波電圧を生成する重畳手段を備え、この重畳高周波電圧を前記カソード電極と前記グリッド電極間に供給し、且つ、前記重畳高周波電圧が、前記バイアス電圧により設定されるカットオフ電圧を超える回数が、前記高周波加速電界の1周期中、1回であることを特徴とするものである。
【0010】
本発明の電子発生装置は、前記重畳手段に前記定倍高周波電圧の位相を前記基本高周波電圧の位相からずらすための位相調整器を備えたことを特徴とするものである。
【0011】
本発明の電子発生装置は、電子発生手段としてカソード電極とグリッド電極とアノード電極とを備え、前記カソード電極に高周波電圧を印加するための外部導体シールドで囲まれた導体を伝送路として有し、併せて前記カソード電極に配設されたヒータに電圧を供給するヒータ線を有する電子発生装置において、前記カソード電極近傍において、前記外部導体シールドに、前記高周波電圧中最短波長の1/40以下の貫通穴を配設し、前記ヒータ線用の外部導体シールドを設置することなく、前記貫通穴を介して前記ヒータ線を前記ヒータに接続するものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
図1は本発明の実施の形態1に係る電子発生装置の概略構成図である。以下では、電子加速装置のRF加速電界と同一周波数のRF電圧を基本RF電圧と、その電源を基本RF電源と呼ぶこととする。また、RF加速電界周波数の整数倍(2倍以上)の周波数を持つRF電圧を定倍RF電圧と、その電源を定倍RF電源と呼ぶこととする。
図において、101はカソード電極、102はグリッド電極、103はアノード電極、104は直流高圧電源、105はバイアス電源、106は基本及び定倍RF電圧をカソード電極101へ伝送するRF電圧伝送信号線、107は直流電圧をカソード電極101へ供給するための直流電圧伝送線、108はカソード電極101に設置してあるヒータに電力を供給するためのヒータ線、110は基本RF電源、111は定倍RF電源、130はカソード電極101から発生し、電子発生装置から引き出される電子ビームである。
【0013】
次に動作について説明する。
カソード電極101に配設したヒータに、ヒータ線108を介して電力を供給して、カソード電極101を加熱して熱電子を発生させる。グリッド電極102とカソード電極101との間には、バイアス電源105、基本RF電源110、及び定倍RF電源111が接続され、直流バイアス電圧と、基本RF電圧と、定倍RF電圧とが重畳された重畳RF電圧が供給される。ここで、基本RF電圧の周波数は、RF加速電界の周波数と同じとし、定倍RF電圧の周波数は、RF加速電界の周波数の整数倍(2倍以上)と同じとする。バイアス電源105によりグリッド/カソード電極間に印加されるバイアス電圧値によりカットオフ電圧が設定される。尚、基本RF電源110と定倍RF電源111の接続については、図1では概念的に示すにとどめており、基本RF電圧と、定倍RF電圧の重畳手段の詳細については図3、図4で後述することにする。
【0014】
図2は、定倍RF電圧が基本RF電圧の5倍の周波数を持つとした場合を例に取り、重畳された重畳RF電圧の時間変化を、従来型の合成RF電圧の時間変化と比較して示した図である。図2は、特定の位相幅で、カットオフ電圧を超える部分の重畳RF電圧波形の面積が合成RF電圧波形の面積と同じになるようにした場合の重畳RF電圧の時間変化を示したものである。基本RF電圧の1周期中、この重畳RF電圧がカットオフ電圧を超えるのは1回のみである。したがって、加速位相に同期して加速位相幅に対応して電子を発生することができ、加速に供さず加速途中で消滅するような電子は発生させないように調節することができるようになる。カットオフ電圧を1周期に1回だけ超えるようにするためには、定倍RF電圧の値と基本RF電圧の値と、バイアス電圧の値を変えることによって調整することができる。このカットオフ電圧を超える部分の近傍を拡大して示すと図8に類似の図になる。従来方式の場合に必要となる合成RF電圧の様子を示す図7と本発明に係る図2とを比較すればわかるように、この発明を使用した場合、基本及び定倍RF電圧とも、図7に示す方式でのRF電圧に比べ大幅に低減することができる。電子発生装置の本体は安全上の見地から、接地しておく必要があるので、アノード電極103は通常接地されている。よって電子ビームを取り出すにはグリッド電極102とカソード電極101は負電圧とする必要がある。この電子の取りだし用に高電圧を供給するのが直流高圧電源104である。通常は−30kV程度から−200kV程度の負の高電圧がカソード電極にかけられる。なお、本実施例におけるRF電源は、RF増幅器と同義で用いている。
【0015】
図3は本発明の実施の形態1に係る、電子発生装置のグリッド電極102とカソード電極101の間にかける前記重畳RF電圧を発生させる重畳手段の具体例を示す機器構成のブロック図であり、図1で概念的に示した基本RF電源110と定倍RF電源111の部分を、より具体的に示したものの一例である。図3において、112は電子加速手段の加速位相に同期した基準信号、113は基準信号112を分配するための信号分配器、114はRF加速電界と同一周波数の基本RF電圧を発生させる基本RF増幅器で、図1の基本RF電源110に対応する。115はRF加速電界の周波数の2以上の整数倍である定倍RF電圧信号を発生する定倍器、116はこの定倍RF電圧を増幅する定倍RF増幅器で、図1の定倍RF電源111に対応する。117は定倍RF電圧信号の位相を基本RF電圧信号に対してずらす位相調整器、118はカソード電極につながる電圧信号線で、RF電圧伝送信号線106に対応する。
【0016】
次に図3のブロック図の動作について説明する。
既に説明した通り、電子発生装置で発生させる電子ビームは電子加速手段のRF加速電界(ここでは、RFを例えば500MHzと仮定する。)の加速位相に同期している必要がある。その加速位相に同期した基準信号112が信号分配器113に入る。信号分配器113では500MHzの基準信号を2つに分離する。その内の一方の信号は基本RF増幅器114の入力信号となり、他方の信号は定倍器115の入力信号となる。例えば3倍の定倍器では、500MHzの基準信号が1500MHzの信号となる。上記定倍された信号が定倍RF増幅器116の入力信号となり、定倍RF増幅器116で増幅された1500MHzの信号は位相調整器117で所定量、位相がずらされ、基本RF増幅器114の出力信号と、位相調整器117の出力信号の和である重畳RF電圧信号が、電圧信号線118によりカソード電極101に供給される。尚、図1のこの部分に対応するRF電源では、位相調整器などの詳細は省略して、概念のみを示してある点に留意のこと。この位相調整器117では、定倍RF電圧の位相を基本RF電圧の位相に対して調整することにより、重畳RF電圧のカットオフ電圧を超える部分の電圧の値と共に、時間変化の波形、即ち位相幅を調節することができる。したがって、電子発生装置から発生する電子の数(電流)と、位相、及び位相幅を制御することができ、その結果、電子加速装置に入射された電子は、電子加速手段で有効に加速できるようなり、電流値を調節することもできるようになる。
【0017】
図4に、図3のバリエーションを示す。図4は、図3の2台の増幅器114と117を広帯域RF増幅器119として1台にまとめたものである。動作は、増幅器で増幅した結果を重畳するか、重畳した結果を増幅するかの違いであり、最終出力は同じものとなる。
尚、図3において、位相調整器を基本RF増幅器114の後段にも設置し、重畳RF電圧全体の位相を加速電界の位相に対して調節できるようにしても良いし、図3の位相調整器117を、基本RF電圧とRF電圧を重畳した後に設置してもよい。後者の場合は、基本RF電圧と定倍RF電圧の相互の位相を調節することはできなくなるが、前者、後者とも、重畳RF電圧の位相を全体として加速電界の位相に対して調節することができ、加速位相との位相関係を調整し、発生電子を効率良く加速に供することができるようになる。また、図4についても、位相調整器の設置について、上記と同様のバリエーションが考えられ、同様の効果を奏することができる。
以上の説明では、全て位相調整器117の設置を前提としてきたが、必ずしも採用しなくてもよい。その場合は、上述の位相調整器117に関する機能はなくなるが、重畳RF電圧の生成という基本的な機能は維持される。
【0018】
以上説明したように、本発明によると、電子発生数を維持したままで、低コストな電源を用いて電子発生装置から発生させる電子の位相幅を狭くすることができる。このような電子発生装置を電子加速装置の電子入射器として使用した場合、加速位相から外れる電子の割合、即ち消失する電子の割合を大きく低減でき、したがって、電子の消失に伴う電子加速装置に対する熱負荷や放射線発生量を低減できるので、大電流の加速が可能となる。また、本実施の形態による電子発生装置の出力の時間特性をコンピュータシミュレーションにより計算評価した例によると、電子ビーム位相幅を60°と同程度の45°にした場合、基本及び定倍RF電源のパワーは1.7W程度で済み、従来例と比較して1/50以下となることがわかった。したがって、小出力のRF電源で、同程度の位相幅仕様の電子ビームを取り出すことが可能であるということになる。このことから、本発明によると、電源が2台必要にはなるものの、電源コストの低減という点で効果が大きい。
【0019】
なお、本実施の形態の電子発生装置は、電子ライナックやシンクロトロン、ロードトロンなど従来型の電子加速装置だけでなく、現在開発中のCW(連続波)マイクロトロンなどの、RF加速電界で電子を加速する加速装置全般に対して電子入射するための電子発生装置としても全く同様の効果を奏する。
【0020】
実施の形態2
本発明の実施の形態2を、図5を用いて説明する。
図5は、本発明の電子発生装置のカソード電極にかけるRF電圧の伝送部分とヒータ通電部分の概略図を示すものである。図において、101、102、104、106、108はこれまでの説明と同じものである。140はRF電圧発生部で、これは図1の110または111のRF電源若しくは両者を併せたものに相当する。150はRF電圧伝送信号線106の外部導体シールド、160はヒータ線108を介してカソード電極101に設置してあるヒータに直流電圧を供給するためのヒータ電源、170はカソード電極101に設置したヒータにヒータ線108を接続するためにひき込み用として外部導体シールド150に設けられた貫通穴、180はフェライトコアである。
【0021】
ここで、ヒータ線108は非同軸型のケーブル(絶縁物で被覆された複数の導線からなるもの)又は通常市販されている同軸ケーブルまたは、これと同種のケーブルである。RF電圧伝送信号線106は金属板からなり、通常、カソード電極101付近で円錐状に広げられ、更に円筒状にして、カソード電極101に接続される。また、外部導体シールド150も金属板からなり、RF電圧伝送信号線106を囲むようにして、通常、カソード電極101付近で円錐状に広げられ、更に円筒状にして、グリッド電極102に接続される。ここで言う外部導体シールドとは、ヒータ線に対して言及する場合も含めて、また、このヒータ線が同軸/非同軸ケーブルの場合を含めて、これを更に導体で囲いシールドするために設置されるものを言い、前記同軸ケーブルとして一体となり組み込まれたシールドを含まないものとする。
【0022】
次に動作について説明する。
カソード電極101から電子を取り出す為に、カソード電極101にはヒータが設置されている。ヒータ線108を介して、ヒータ電源160でこのヒータに電力を供給することにより、カソード電極101を加熱し、熱電子を放出させ電子ビームを得る。この時のRF電圧信号の必要性については実施の形態1で既に述べてきたところであり、カソード電極101にかけるRF電圧が数100MHz程度になると単純な信号線の場合、電磁放射の影響で信号強度の損失が大きくなるため、これを低減するために、RF電圧伝送信号線106は、外部導体シールド150とあわせ、同軸線路を形成している。従来は、前記特開平7−161330の図1に示すように、ヒータ線108用に外部導体シールドを別途設置し、前記RF電圧伝送信号線106の外部導体シールド150に直交する形で接続していたが、本発明では、ヒータ線108用の外部導体シールドを設置せず、RF電圧伝送信号線106用の外部導体シールド150のカソード電極近傍における円錐状若しくは円筒状に広げた部分の近傍に設けた貫通穴170から、ヒータ線108を外部導体シールド150の内側に挿入し、その内側に設置されているRF電圧伝送信号線106のカソード電極近傍における円錐状若しくは円筒状に広げた部分の近傍に設けた貫通穴(図5では明示していない。)を介して、図5に示すようにヒータ及びRF電圧伝送信号線106と接続する。尚、外部導体シールド150はグリッド電極に接続する。
【0023】
通常、このような形で外部導体シールド150に貫通穴170を設けヒータ線108を外部導体シールドなしでカソード電極101に配設したヒータに接続すると、この貫通穴170により、インピーダンスが変化し、インピーダンスのミスマッチによるRF信号の反射の影響が問題になると考えられていた。しかし、この貫通穴170の直径が、信号として扱っている高周波の波長の1/40よりも小さい場合は、外部導体シールドなしのケーブルが貫通穴170内に導入接続されてもインピーダンスのミスマッチによる反射の影響を低減することができることがわかった。この発明は、この貫通穴170の大きさを規定することにより、高周波の反射を低減し、その結果、従来例にあるような、ヒータ線108に対する、大きな容積を占める外部導体シールドを省略しても、反射によるRF電圧信号の低減を最小限に抑えることができるというもので、電子発生装置を簡略化でき、簡略化しても、反射の影響を低減できることから、反射による損失相当分だけRF電源の負担を軽くすることができる。そのため、簡便、安価な電子発生装置を実現することができる。
【0024】
ここで、貫通穴170の直径を高周波の波長の1/40以下とした理由は次の通りである。
図6は、高周波反射率の貫通穴直径依存性をシミュレーション評価したもので、外部導体シールドの外形サイズとして、現在実用的に考えられる100mmを仮定して貫通穴170の直径と反射率との関係を評価したものである。横軸は高周波の波長に対する貫通穴直径の比である。この図より、高周波波長の1/40以下の貫通穴直径であれば、反射率は無視できる程小さくなることがわかる。例えば、500MHzの高周波の場合には、波長は約600mmであり、この場合のRF電圧伝送信号線106の外部導体シールド150にあけられた穴の直径は600/40=15mm以下とする。そうすることで、RF電圧発生部140で発生させたRF電圧の伝送部での減衰を小さくすることが可能で、カソード電極101に効率的にRF電圧を供給することが可能となる。RF電圧発生部140とヒータ電源160は、高圧電源104により電位的にフローティングした状態で用いる。また、RF電圧がヒータ線108を通して、ヒータ電源160に流れ込むことを防ぐ為に、フェライトコア180中にヒータ線108を通し、インダクタンスを大きくする。フェライトコア180は高周波領域まで高透磁率の材料、例えばファインメットやメタグラス等でも良い。
尚、実施の形態1で説明したような、RF電圧伝送信号線106を介して、基本RF電圧、定倍RF電圧が重畳した信号が伝送されている場合は、より短い波長を基準にして、貫通穴直径は、その1/40以下にする必要がある。
【0025】
【発明の効果】
本発明によると、高周波加速電界により電子を加速する電子加速手段を有する電子加速装置に対して、前記高周波加速電界に同期して、電子を発生し供給する電子発生装置において、電子発生手段としてカソード電極とグリッド電極とアノード電極とを備え、直流のバイアス電圧を供給するバイアス電源と、前記高周波加速電界と同一周波数の基本高周波電圧を供給する基本高周波電源と、前記高周波加速電界に同期し、前記加速電界の、2以上の整数倍周波数をもつ定倍高周波電圧を供給する定倍高周波電源とを備え、更に、前記バイアス電圧と、前記基本高周波電圧と、前記定倍高周波電圧とを重畳した重畳高周波電圧を生成する重畳手段を備え、この重畳高周波電圧を前記カソード電極と前記グリッド電極間に供給し、且つ、前記重畳高周波電圧が、前記バイアス電圧により設定されるカットオフ電圧を超える回数が、前記高周波加速電界の1周期中、1回であるため、従来よりも著しく小さい容量の高周波電源で、位相幅の小さい電子を発生させることができるので、安価な電子発生装置を実現することができる。
【0026】
本発明によると、前記重畳手段に前記定倍高周波電圧の位相を前記基本高周波電圧の位相からずらすための位相調整器を備えたため、位相幅の小さい電子を、従来よりも著しく小さい容量の高周波電源で発生させることができるとともに、位相幅と発生電子の電流値をより簡便に調整可能になり、安価な電子発生装置を実現することができる。
【0027】
本発明によると、電子発生手段としてカソード電極とグリッド電極とアノード電極とを備え、前記カソード電極に高周波電圧を印加するための外部導体シールドで囲まれた導体を伝送路として有し、併せて前記カソード電極に配設されたヒータに電圧を供給するヒータ線を有する電子発生装置において、前記カソード電極近傍において、前記外部導体シールドに、前記高周波電圧中最短波長の1/40以下の貫通穴を配設し、前記ヒータ線用の外部導体シールドを設置することなく、前記貫通穴を介して前記ヒータ線を前記ヒータに接続することにより、ヒータ線用の外部導体シールドなしで、反射を低減できるため、位相幅を小さくする際に必要とされる高周波電源容量を低減でき、外部導体シールド削除分も含め、安価な電子発生装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1に係る電子発生装置の概略構成図。
【図2】本発明の実施の形態1に係る重畳RF電圧の時間変化と従来型の合成RF電圧の時間変化とを比較して示した図。
【図3】本発明の実施の形態1に係る、電子発生装置のグリッド電極とカソード電極間に供給する重畳RF電圧を発生させる重畳手段の機器構成例1のブロック図。
【図4】本発明の実施の形態1に係る、電子発生装置のグリッド電極とカソード電極の間にかける重畳RF電圧を発生させる重畳手段の機器構成例2のブロック図。
【図5】本発明の実施の形態2に係る電子発生装置のカソード電極にかけるRF電圧の伝送部分とヒータ通電部分の概略図。
【図6】高周波反射率の貫通穴直径依存性を示すシミュレーション評価図。
【図7】従来の位相幅に対応するRF電圧、及び、従来方式による、位相幅を小さくするために必要なRF電圧の時間変化波形の比較図。
【図8】従来の位相幅に対応するRF電圧、及び、従来方式による、位相幅を小さくするために必要なRF電圧の時間変化波形のカットオフ電圧近傍の拡大図。
【符号の説明】
101 カソード電極、102 グリッド電極、103 アノード電極、104 直流高圧電源、105 バイアス電源、106 RF電圧伝送信号線、107 直流電圧印加線、108 ヒータ線、110 基本RF電源、111 定倍RF電源、112 基準信号、113 信号分配器、114 基本RF増幅器、115 定倍RF増幅器、116 定倍RF増幅器、117 位相調整器、118 電圧信号線、119 広帯域RF増幅器、130 電子ビーム、140 RF電圧発生部、150 外部導体シールド、160 ヒータ電源、170 外部導体シールド貫通穴、180 フェライトコア。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an electron generator used for electron injection into an electron accelerator.
[0002]
[Prior art]
An electron generation device according to the present invention is a device for generating electrons and supplying acceleration electrons to an electron accelerator. The electron accelerator is a device for accelerating electrons supplied from an electron generator by an electron accelerating means installed therein. The electrons accelerated to a predetermined energy are used for purposes such as irradiation. Generally, a high-frequency acceleration cavity (abbreviated as RF acceleration cavity; RF = Radio-Frequency) is used as an electron acceleration means used in the electron acceleration device, and an RF acceleration electric field formed in the RF acceleration cavity is used. , The electron passing through the RF accelerating cavity is accelerated.
[0003]
By the way, regarding the acceleration in the RF accelerating cavity, only electrons belonging to a specific phase width (acceleration phase) can be accelerated during a 360 ° sine wave of the accelerating electric field due to the principle of acceleration by the RF accelerating electric field (for example, non-acceleration). In addition, electrons in other phases deviate from the design trajectory during acceleration or have a deceleration phase, and collide with a vacuum duct or the like and are lost. This loss of electrons is not only uneconomical, but also involves the generation of radiation due to bremsstrahlung upon loss. Therefore, in order to avoid this, a method is used in which electrons are generated in synchronization with the acceleration frequency, and only electrons having a certain phase width are extracted and supplied to the electron accelerator.
[0004]
In the electron generating device, a high voltage is applied to a cathode electrode constituting an electron gun, which is an electron generating means, to generate electrons. In order to obtain electrons in synchronization with the RF acceleration electric field of the electron accelerator, the cathode is used. The high voltage applied to the electrodes is desirably operated in a pulsed manner in the same cycle as the RF acceleration electric field. However, the acceleration frequency is usually on the order of several hundred MHz, and it is very difficult to match the specifications of a power supply for supplying an applied voltage to the cathode electrode with this frequency. Therefore, usually, a grid electrode is arranged in front of the cathode electrode, and a potential difference between the grid electrode and the cathode electrode is obtained by adding a DC voltage to a high-frequency voltage having the same frequency as the accelerating electric field (hereinafter referred to as an RF voltage). Take the method of. That is, a combined RF voltage, which is a combination of a DC voltage and an RF voltage having the same frequency as the acceleration electric field, is applied between the grid electrode and the cathode electrode. Further, a DC bias voltage is applied between the grid and the cathode to set a cutoff voltage. Thus, when the grid potential with respect to the cathode potential exceeds this cutoff voltage, an electron beam is generated from the electron generator. Further, by adjusting the cutoff voltage and the peak value of the RF voltage, the number of electrons that can be extracted (that is, the current value) and the phase width thereof can be adjusted. Since the phase width provided for acceleration is small, the level of the cut-off voltage is adjusted so that only the sine-wave spike portion of the composite RF voltage applied to the grid electrode is taken out. Is set at a higher position with respect to. Therefore, the electron generator is operated in a so-called class C amplification mode. Conventionally, electrons having a phase width (pulse width) of about 60 ° or less have been generated by such a method (for example, see Non-Patent Document 2).
[0005]
Here, the acceleration phase width that can be accelerated by the electron acceleration means is at most 20 ° to 30 ° in the sine wave 360 °, but the phase width of the electrons generated by the electron generator remains at about 60 ° in the related art. Then, for example, assuming that the acceleration phase width is 30 °, the electron subtraction phase width of about 30 ° collides with the vacuum duct during acceleration and is lost. In an electron accelerator that accelerates a high intensity beam such as several tens of kW, heat removal from the vacuum duct due to the collision becomes large, and the power efficiency is low.
Therefore, it is required to further reduce the phase width. For this purpose, it is necessary to increase the RF voltage and set the cutoff voltage at a relatively high position. This is shown in FIG. 7 and FIG. FIG. 8 is an enlarged view of the vicinity of the region where the RF voltage shown in FIG. 7 exceeds the cutoff voltage. Note that the vertical axis of this figure is drawn with the sign inverted. The solid line in FIG. 8 is a waveform showing the time change of the composite RF voltage applied between the conventional grid and the cathode, and the broken line is the waveform showing the time change of the composite RF voltage when the phase width is reduced. In this example, while the phase width of the combined RF voltage exceeding the cutoff voltage is reduced to, for example, の of the conventional one, the area of the waveform indicating the temporal change of the combined RF voltage in the portion exceeding the cutoff voltage corresponding to this phase width Shows an example of a change in the composite RF voltage applied between the grid and the cathode when equalization is made in both the solid line and the broken line. Originally, the number of generated electrons in both cases, that is, the current value, and the phase width thereof should be compared, but here, for convenience of explanation, the phase width of the generated electrons and the number thereof exceed the cutoff voltage. It is simplified as corresponding to the phase width of the combined RF voltage of the portion and the area corresponding to the same phase width. In order to reduce the phase width of the portion exceeding the cutoff voltage and maintain the current value, it is necessary to significantly increase the RF voltage as shown in FIG. Since the RF frequency must be the same as the acceleration frequency, when the acceleration frequency becomes a high frequency such as several hundred MHz, increasing the RF voltage increases the burden on the high-frequency power supply, and makes the entire electron generator extremely expensive. Would.
[0006]
If the request for reducing the phase width is not large, the required RF voltage does not become so large. However, in such a high frequency region, radiation loss during signal transmission and loss due to signal reflection due to impedance mismatch occur. In this case, the high-frequency power supply must have enough margin to compensate for the loss, and the load on the high-frequency power supply increases. To reduce radiation loss during high-frequency signal transmission, it is better to shield the RF voltage transmission signal line with a conductor. However, in electron generating means such as an electron gun, a heater is installed on the cathode electrode, which heats the cathode electrode. In this case, since electrons are generated, it is necessary to draw a heater line from a DC heater power supply to a heater provided on the cathode electrode. In some cases, the heater wire is also provided with robust shielding measures to suppress impedance mismatch and reduce reflection (for example, see Patent Document 1). This increases the size of the gun and increases the cost of the electron generator.
[0007]
[Non-patent document 1]
Hiroyuki Oyanagi, "Basics of Synchrotron Radiation", published by Maruzen Co., Ltd., March 1996, p.64.
[Non-patent document 2]
"Radiation and Industry", published by the Nuclear Energy Society of Japan, No. 78 (1998), A Heler et al., P27-p32, "IBA Industrial High Voltage High Power Electron Beam Accelerator Roadtron", p28
[Patent Document 1]
JP-A-7-161330 (Claim 1,
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, reducing the phase width increases the cost of the electron generator, including the burden on the high-frequency power supply. Therefore, it is possible to reduce the phase width of the generated electrons by a simple method at low cost. The realization of the generator was awaited.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
An electron generating apparatus according to the present invention is provided with an electron generating apparatus that generates and supplies electrons in synchronization with the high-frequency accelerating electric field. A bias power supply that includes a cathode electrode, a grid electrode, and an anode electrode as means and supplies a DC bias voltage, a basic high-frequency power supply that supplies a basic high-frequency voltage having the same frequency as the high-frequency acceleration electric field, and is synchronized with the high-frequency acceleration electric field A constant-frequency high-frequency power supply for supplying a constant-frequency high-frequency voltage having an integer multiple of 2 or more of the accelerating electric field, and further comprising the bias voltage, the basic high-frequency voltage, and the constant-frequency high-frequency voltage. A superimposing means for generating a superimposed superimposed high-frequency voltage, supplying the superimposed high-frequency voltage between the cathode electrode and the grid electrode, and Serial superposed high frequency voltage, the number of times greater than the cut-off voltage set by the bias voltage, in one cycle of the high frequency acceleration electric field, is characterized in that it is one.
[0010]
The electron generating apparatus according to the present invention is characterized in that the superimposing means includes a phase adjuster for shifting the phase of the fixed high-frequency voltage from the phase of the basic high-frequency voltage.
[0011]
The electron generating device of the present invention includes a cathode electrode, a grid electrode, and an anode electrode as electron generating means, and has, as a transmission line, a conductor surrounded by an external conductor shield for applying a high-frequency voltage to the cathode electrode, In addition, in the electron generating device having a heater wire for supplying a voltage to a heater disposed on the cathode electrode, the outer conductor shield may pass through the outer conductor shield near 1/40 or less of the shortest wavelength in the high-frequency voltage in the vicinity of the cathode electrode. A hole is provided, and the heater wire is connected to the heater via the through hole without installing an outer conductor shield for the heater wire.
[0012]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of the electron generator according to Embodiment 1 of the present invention. Hereinafter, an RF voltage having the same frequency as the RF acceleration electric field of the electron accelerator is referred to as a basic RF voltage, and its power source is referred to as a basic RF power source. Further, an RF voltage having a frequency that is an integral multiple (two or more times) of the RF acceleration electric field frequency is referred to as a fixed RF power, and a power source thereof is referred to as a constant RF power source.
In the figure, 101 is a cathode electrode, 102 is a grid electrode, 103 is an anode electrode, 104 is a DC high-voltage power supply, 105 is a bias power supply, 106 is an RF voltage transmission signal line for transmitting basic and fixed-size RF voltage to the
[0013]
Next, the operation will be described.
Electric power is supplied to the heater disposed on the
[0014]
FIG. 2 shows an example in which the constant-frequency RF voltage has a frequency five times that of the basic RF voltage, and compares the time change of the superimposed RF voltage with the time change of the conventional combined RF voltage. FIG. FIG. 2 shows a time change of the superimposed RF voltage when the area of the superimposed RF voltage waveform in a portion exceeding the cutoff voltage at a specific phase width is made equal to the area of the composite RF voltage waveform. is there. This superimposed RF voltage exceeds the cutoff voltage only once during one cycle of the basic RF voltage. Therefore, electrons can be generated in accordance with the acceleration phase width in synchronization with the acceleration phase, and adjustment can be performed so as not to generate electrons which are not used for acceleration and disappear during the acceleration. In order to exceed the cutoff voltage only once in one cycle, the cutoff voltage can be adjusted by changing the value of the fixed RF voltage, the value of the basic RF voltage, and the value of the bias voltage. FIG. 8 is an enlarged view of the vicinity of the portion exceeding the cutoff voltage. As can be seen from a comparison between FIG. 7 showing the state of the combined RF voltage required in the case of the conventional method and FIG. 2 according to the present invention, when the present invention is used, both the basic and the fixed-size RF voltages are shown in FIG. Can be greatly reduced as compared with the RF voltage in the method shown in FIG. Since the main body of the electron generator needs to be grounded from the viewpoint of safety, the
[0015]
FIG. 3 is a block diagram of a device configuration showing a specific example of the superimposing means for generating the superimposed RF voltage applied between the
[0016]
Next, the operation of the block diagram of FIG. 3 will be described.
As described above, the electron beam generated by the electron generator needs to be synchronized with the acceleration phase of the RF acceleration electric field (here, RF is assumed to be, for example, 500 MHz) of the electron acceleration means. The
[0017]
FIG. 4 shows a variation of FIG. FIG. 4 shows the two
In FIG. 3, a phase adjuster may be provided after the
In the above description, it is assumed that the
[0018]
As described above, according to the present invention, it is possible to reduce the phase width of electrons generated from an electron generator using a low-cost power supply while maintaining the number of generated electrons. When such an electron generator is used as an electron injector of an electron accelerator, the proportion of electrons that deviate from the acceleration phase, that is, the proportion of electrons that disappear, can be greatly reduced. Since a load and a radiation generation amount can be reduced, acceleration of a large current becomes possible. Further, according to an example in which the time characteristic of the output of the electron generator according to the present embodiment is calculated and evaluated by computer simulation, when the electron beam phase width is set to 45 °, which is almost the same as 60 °, the basic and fixed-size RF power supplies It was found that the power was only about 1.7 W, which was 1/50 or less as compared with the conventional example. Therefore, it is possible to extract an electron beam having the same phase width specification with a small output RF power supply. From this, according to the present invention, although two power supplies are required, the effect is large in terms of reduction of power supply cost.
[0019]
The electron generator of the present embodiment is not limited to a conventional electron accelerator such as an electron linac, a synchrotron, and a roadtron, but also an electron accelerating electric field such as a CW (continuous wave) microtron under development. Exactly the same effect can be obtained as an electron generating device for injecting electrons into the entire accelerating device for accelerating.
[0020]
FIG. 5 is a schematic view showing a portion for transmitting an RF voltage applied to the cathode electrode of the electron generating device of the present invention and a portion for energizing the heater. In the figure, 101, 102, 104, 106 and 108 are the same as those described so far. An
[0021]
Here, the
[0022]
Next, the operation will be described.
In order to extract electrons from the
[0023]
Normally, when a through
[0024]
Here, the reason why the diameter of the through
FIG. 6 is a simulation evaluation of the dependence of the high-frequency reflectance on the diameter of the through-hole. The relationship between the diameter of the through-
When a signal in which the basic RF voltage and the fixed RF voltage are superimposed is transmitted via the RF voltage
[0025]
【The invention's effect】
According to the present invention, there is provided an electron accelerating device having electron accelerating means for accelerating electrons by a high-frequency accelerating electric field. A bias power supply including an electrode, a grid electrode, and an anode electrode, supplying a DC bias voltage, a basic high-frequency power supply supplying a basic high-frequency voltage having the same frequency as the high-frequency acceleration electric field, and synchronizing with the high-frequency acceleration electric field, A constant-frequency high-frequency power supply for supplying a constant-frequency high-frequency voltage having an integral multiple frequency of 2 or more of the acceleration electric field, and further comprising a bias voltage, the basic high-frequency voltage, and the constant-frequency radio-frequency voltage superimposed. Superimposing means for generating a high-frequency voltage; supplying the superimposed high-frequency voltage between the cathode electrode and the grid electrode; Since the frequency voltage exceeds the cut-off voltage set by the bias voltage once during one cycle of the high-frequency acceleration electric field, an electron having a much smaller capacity than a conventional high-frequency power supply and a small phase width is used. Can be generated, so that an inexpensive electron generator can be realized.
[0026]
According to the present invention, since the superimposing means is provided with a phase adjuster for shifting the phase of the constant-frequency high-frequency voltage from the phase of the basic high-frequency voltage, an electron having a small phase width can be supplied to a high-frequency power supply having a significantly smaller capacity than the conventional one. In addition, the phase width and the current value of the generated electrons can be more easily adjusted, and an inexpensive electron generator can be realized.
[0027]
According to the present invention, a cathode electrode, a grid electrode, and an anode electrode are provided as electron generation means, and a conductor surrounded by an outer conductor shield for applying a high-frequency voltage to the cathode electrode is provided as a transmission line, and In an electron generating apparatus having a heater wire for supplying a voltage to a heater provided on a cathode electrode, a through hole having a length of 1/40 or less of the shortest wavelength in the high-frequency voltage is provided in the outer conductor shield near the cathode electrode. By connecting the heater wire to the heater through the through hole without installing an external conductor shield for the heater wire, reflection can be reduced without an external conductor shield for the heater wire. In addition, the high-frequency power supply capacity required for reducing the phase width can be reduced, and an inexpensive It can be current.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an electron generating device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing a comparison between a time change of a superimposed RF voltage and a time change of a conventional combined RF voltage according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a block diagram of a device configuration example 1 of a superimposing unit that generates a superimposed RF voltage to be supplied between a grid electrode and a cathode electrode of the electron generating device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a block diagram of a device configuration example 2 of a superimposing unit that generates a superimposed RF voltage applied between a grid electrode and a cathode electrode of the electron generator according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a schematic view of a portion for transmitting an RF voltage applied to a cathode electrode and a portion for energizing a heater of the electron generator according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a simulation evaluation diagram showing the through-hole diameter dependence of high-frequency reflectance.
FIG. 7 is a comparison diagram of an RF voltage corresponding to a conventional phase width and a time change waveform of an RF voltage required to reduce the phase width according to the conventional method.
FIG. 8 is an enlarged view of an RF voltage corresponding to a conventional phase width and a vicinity of a cutoff voltage of a time-varying waveform of the RF voltage required to reduce the phase width according to the conventional method.
[Explanation of symbols]
101 Cathode electrode, 102 Grid electrode, 103 Anode electrode, 104 DC high voltage power supply, 105 Bias power supply, 106 RF voltage transmission signal line, 107 DC voltage application line, 108 Heater line, 110 Basic RF power supply, 111 Constant RF power supply, 112 Reference signal, 113 signal distributor, 114 basic RF amplifier, 115 constant-frequency RF amplifier, 116 constant-frequency RF amplifier, 117 phase adjuster, 118 voltage signal line, 119 broadband RF amplifier, 130 electron beam, 140 RF voltage generator, 150 outer conductor shield, 160 heater power supply, 170 outer conductor shield through hole, 180 ferrite core.
Claims (3)
電子発生手段としてカソード電極とグリッド電極とアノード電極とを備え、
直流のバイアス電圧を供給するバイアス電源と、前記高周波加速電界と同一周波数の基本高周波電圧を供給する基本高周波電源と、前記高周波加速電界に同期し、前記加速電界の、2以上の整数倍周波数をもつ定倍高周波電圧を供給する定倍高周波電源とを備え、
更に、前記バイアス電圧と、前記基本高周波電圧と、前記定倍高周波電圧とを重畳した重畳高周波電圧を生成する重畳手段を備え、
この重畳高周波電圧を前記カソード電極と前記グリッド電極間に供給し、
且つ、前記重畳高周波電圧が、前記バイアス電圧により設定されるカットオフ電圧を超える回数が、前記高周波加速電界の1周期中、1回であることを特徴とする電子発生装置。For an electron accelerator having electron acceleration means for accelerating electrons by a high-frequency acceleration electric field, an electron generator that generates and supplies electrons in synchronization with the high-frequency acceleration electric field,
A cathode electrode, a grid electrode, and an anode electrode are provided as electron generation means,
A bias power supply that supplies a DC bias voltage, a basic high-frequency power supply that supplies a basic high-frequency voltage having the same frequency as the high-frequency acceleration electric field, and a frequency that is an integer multiple of 2 or more of the acceleration electric field in synchronization with the high-frequency acceleration electric field. A constant-frequency high-frequency power supply for supplying a constant-frequency high-frequency voltage
Furthermore, the bias voltage, the basic high-frequency voltage, the superimposition means for generating a superimposed high-frequency voltage superimposed on the constant-frequency high-frequency voltage,
This superimposed high-frequency voltage is supplied between the cathode electrode and the grid electrode,
The number of times the superimposed high-frequency voltage exceeds a cutoff voltage set by the bias voltage is one time in one cycle of the high-frequency acceleration electric field.
併せて前記カソード電極に配設されたヒータに電圧を供給するヒータ線を有する電子発生装置において、
前記カソード電極近傍において、前記外部導体シールドに、前記高周波電圧中最短波長の1/40以下の貫通穴を配設し、
前記ヒータ線用の外部導体シールドを設置することなく、
前記貫通穴を介して前記ヒータ線を前記ヒータに接続する
ことを特徴とする電子発生装置。Providing a cathode electrode, a grid electrode, and an anode electrode as electron generating means, having a conductor surrounded by an outer conductor shield for applying a high-frequency voltage to the cathode electrode as a transmission path,
An electron generator having a heater line for supplying a voltage to a heater disposed on the cathode electrode,
In the vicinity of the cathode electrode, a through hole of 1/40 or less of the shortest wavelength in the high-frequency voltage is provided in the outer conductor shield,
Without installing an outer conductor shield for the heater wire,
An electron generator, wherein the heater wire is connected to the heater through the through hole.
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