JP2004087975A - Multilayer wiring substrate, base material for multilayer wiring substrate and its manufacturing method - Google Patents

Multilayer wiring substrate, base material for multilayer wiring substrate and its manufacturing method Download PDF

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Akito Kurosaka
黒坂 昭人
Shoji Ito
伊藤 彰二
Masahiro Okamoto
岡本 誠裕
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a multilayer wiring substrate, which has low electric resistance of a multilayer connection electric circuit, and is superior in electrical characteristics and in dimensional accuracy, by ensuring proper alignment accuracy. <P>SOLUTION: A solder layer 16 is formed in a conduction connection edge face 15A of a conductive resin composition 15, such as silver paste filled in a via hole 14 to other layers. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、多層配線基板(多層プリント配線板)、多層配線基板用基材およびその製造方法に関し、特に、ベアチップ等の高密度実装が可能な多層配線基板、多層配線基板用基材およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
電子機器の軽薄短小化、半導体チップや部品の小型化および端子の狭ピッチ化に連動して、プリント基板(配線基板)にも実装面積の縮小や配線の精細化が進んでいる。同時に、情報関連機器では、信号周波数の広帯域化に対応して部品間を連結する配線の短距離化が求められており、高密度、高性能を達成するためのプリント基板の多層化は必要不可欠の技術となっている。
【0003】
多層配線基板では、従来の平面回路にはなかった層間を電気的に接続する回路形成がキーテクノロジーである。多層配線基板の第1ステップである両面配線基板は、絶縁基材に貫通孔をあけ、貫通孔の壁面に沿って導体をめっきして表裏の配線を導通接続している。
【0004】
IBM社のSLC(Surface Laminar Circuit)に代表されるビルドアッブ多層配線基板においても、回路層間の絶縁層の一部をレーザ等で除去し、めっきで導通接続する方法を用いている。
【0005】
めっきを用いた配線の導通接続は、微細な回路を低抵抗で導通接続できる利点を持つが、工程が複雑で、工数も多いため、コストが高くなり、多層配線基板の用途を制限する要因となっている。
【0006】
近年、めっきに代わる安価な層間接続方法として、松下グループのALIVH(Any Layer Interstitial Via Hole)基板や、東芝グループのB2bit(Buried Bump Interconnection Technology)に代表される導電性性樹脂(導電性ペースト)を用いた多層配線基板が実用化され、多層配線基板の用途が急速に拡大し始めている。
【0007】
ALIVHでは、図10(a)〜(h)に示されているように、絶縁樹脂板/フィルム101を出発材としてレーザを用いてビアホールあるいはバイアホール(貫通孔)102をあけ、印刷法によってビアホール102に導電性性樹脂103を充填し、この導電性性樹脂103の充填によって所望の箇所に表裏導通接続部を有する絶縁層104を作成する。そして、絶縁層104の表裏に銅箔105を貼り付け、銅箔105をエッチングして配線パターン(銅箔回路)106を形成したものを、複数枚、貼り合わせて多層配線基板100を得る。
【0008】
ALIVHの工法以外にも、SLCのように、絶縁層として感光性樹脂を用いて露光・現像を行うことにより、ビアホールを形成したり、ケミカルあるいはドライエッチングによって樹脂を除去する方法も適用できる可能性がある。
【0009】
導電性樹脂を用いた多層配線基板は、安価である反面、導電性樹脂部分の電気抵抗が高く、銅箔回路との接触抵抗が安定しないなどのいくつかの欠点もあるが、それらも徐々に克服されつつある。
【0010】
マルチチップモジュールなど、ベアチップを実装する基板では、配線の高密度化に伴って多層板を構成する積層板(多層配線基板用基材)の単層の厚さも減少する傾向にある。この積層板の層厚の減少によって絶縁フィルム単体では、基板のたわみやしわが発生し易くなり、寸法安定性が確保し難くなっている。
【0011】
このことに対し、層間接続に導電性樹脂を用いる多層配線基板の製造方法として、図11(a)〜(d)と(a’)〜(d’)および(e)、(f)に示されているように、片面銅箔付きフィルム201や両面銅箔付きフィルム301を出発材とし、これら銅箔付きフィルム201、301にビアホール(バイアホール)202、302をあけ、ビアホール202、302に導電性性樹脂203、303を充填してインナビアを形成し、銅箔付きフィルム201、301の銅箔204、304をエッチングして配線パターン(銅箔回路)205、305を形成したものを貼り合わせて多層配線基板200を得る製造方法がある。
【0012】
この製造方法では、樹脂フィルムを絶縁層としてそれの片面に銅箔による導電層を貼り付けられている片面銅張基板や樹脂フィルムの両面に銅箔を貼り付けられている両面銅張基板を出発材としていることにより、フィルムの剛性が高まり、高い寸法精度を維持できる。このような多層配線基板の製造方法は、本願出願人と同一の出願人による特願2001−85224号で提案されている。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
銅箔付きフィルムを出発材としてインナビアを導電性樹脂で構成する多層配線基板の構造および製造方法には、以下のような欠点がある。
【0014】
図12に示されているように、積層前の基本配線板(多層配線基板用基材)、つまり多層配線基板を構成する単層400は、銅ランド部(銅回路)401と、導電性樹脂によって形成されたインナビア402と、絶縁層403と、接着層404とから構成される。
【0015】
各単層400を積層する際、銅ランド部401とインナビア402の接合部における電気抵抗を小さくするために、通常、導電性樹脂からなるインナビア402に突起部402Aが形成される。
【0016】
導電性樹脂は、銀や銅などの金属フィラと熱硬化型樹脂との混合物である。したがって、熱硬化型樹脂が硬化する前は、突起部402Aが、外部応力や衝撃などにより変形したり、欠損を生じ易い。
【0017】
また、突起部402Aを形成するために、多くの場合、図13に示されているように、突起部形成用にパターン化されたマスクフィルム405が用いられるため、突起形成後、マスクフィルム405を剥がす際に、剥離力が突起部402Aに作用し、突起部402Aが変形、欠損を生じ易い。
【0018】
以上述べたように、導電性樹脂で形成されたインナビア402の突起部402Aは、その形成プロセスや積層時において、変形や欠損を生じ易いために、これを積層した配線板では、多層接続電気回路に導通不良や電気抵抗不良の不具合が生じ易い。
【0019】
また、上述したような基本配線板を3層以上の多層配線基板に一括積層する際、中央部の基本配線板と上下の基本配線板とにアライメントのずれが生じ易い。それは以下の理由によると推定される。
【0020】
図14に示されているように、上下各層の基本配線板400A、400Cの絶縁層403と、中間層の基本配線板400Cの絶縁層403とを接合しているのは、各々熱可塑性ポリイミド等の熱可塑性樹脂による接着層404である。
【0021】
基本配線板を3枚以上を積み重ねて一括接着させるには、接着層404を構成する熱可塑性樹脂のガラス転移温度Tg以上の温度に加熱する必要がある。この加熱による接着層404の軟化、つまり接着層404の流動化が上述したアライメントずれを発生する原因と考えられる。このアライメントずれは、多層接続電気回路の導通性能、つまり電気的特性を低下させる原因になる。
【0022】
この発明は、上述の如き問題点を解消するためになされたもので、多層接続電気回路の電気抵抗が低く、電気的特性に優れ、しかも優れたアライメント精度を確保して寸法精度にも優れた多層配線基板を得ることができる多層配線基板用基材およびその多層配線基板用基材を用いた多層配線基板、およびそれらの製造方法を提供することを目的としている。
【0023】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、この発明による多層配線基板用基材は、ビアホール(バイアホール)に導電性樹脂組成物が充填され、前記導電性樹脂組成物により層間導通を得る多層配線基板用基材であって、前記ビアホールに充填された前記導電性樹脂組成物の他層との導通接続端面、すなわち積層面に、はんだ層が形成されている。
【0024】
この発明による多層配線基板用基材は、適用できる多層配線基板用基材の型式として、ポリイミド等の可撓性樹脂フィルムにより構成された絶縁性基材の一方の面に配線パターンをなす銅箔等による導電層を、絶縁性基材の他方の面に層間接着のための熱可塑性ポリイミド等による接着層を設けられ、少なくも前記絶縁性基材と前記接着層に連続形成されたビアホールに層間導通を得るための導電性樹脂組成物を充填された多層配線基板用基材や、層間接着のための接着層を兼ねた熱可塑性ポリイミド等による絶縁性基材の一方の面に配線パターンをなす導電層を設けられ、少なくとも前記絶縁性基材に形成されたビアホールに層間導通を得るための導電性樹脂組成物を充填された多層配線基板用基材があり、これら多層配線基板用基材の前記ビアホールに充填された前記導電性樹脂組成物の他層との導通接続端面、すなわち積層面に、はんだ層が形成されている。
【0025】
この発明による多層配線基板用基材によれば、ビアホールに充填された導電性樹脂組成物の他層との導通接続端面に、はんだ層が形成されているから、このはんだ層をもってビアホールの導電性樹脂組成物と他層の導電層(回路部)との導通接続が行われる。多層化のための積層工程時の加熱によって、はんだ層が溶融することにより、ビアホールの導電性樹脂組成物がはんだ層によって導電層(回路部)にはんだ付けされ、ビアホールの導電性樹脂組成物と導電層(回路部)との接続電気抵抗が小さい多層配線基板を得ることができる。
【0026】
この発明による多層配線基板用基材におけるはんだ層は、導電性樹脂組成物によるインナビアの突起部に代えて多層配線基板用基材の層間接着面(多層化の積層面)より突出形成することができる。
【0027】
この場合、インナビアの突起部は、はんだ層で形成され、樹脂突起でないから、その形成時から積層までの製造工程において、変形、欠損を生じることがなく、突起部の健全性が保たれる。また、突起部に適用されているはんだ層の溶融、凝固によるインナビアと回路部との接合が、アライメント精度を向上させるピンガイドとして作用する。
【0028】
この発明による多層配線基板用基材における接着層あるいは層間接着のための接着層を兼ねた絶縁性基材は、ガラス転移温度がはんだ層の溶融温度より低い熱可塑性樹脂によって構成される。この場合、多層化のための積層工程時の加熱をはんだ層の溶融温度以上の温度で行うことにより、積層工程時に、接着層あるいは層間接着のための接着層を兼ねた絶縁性基材は可塑状態にあるため、はんだ層は、フリップチップ実装におけるはんだボールによるセルフアライメント機能と同等のセルフアライメント機能として作用する。
【0029】
はんだ層は、鉛と錫による共晶はんだ、鉛フリーはんだ、錫等、融点が100〜250℃程度の低溶融金属であればよく、このはんだ層は、電解めっき法による蓋めっきにより形成することができる。
【0030】
更には、前記ビアホールに充填された前記導電性樹脂組成物の他層との導通接続端面と前記はんだ層との間にニッケルめっき層が形成されていてもよい。ビアホールの導電性樹脂組成物がニッケルめっき層によって蓋されるので、電位差によるイオン移動であるイオンマイグレーションの発生が確実に防止される。
【0031】
この発明による多層配線基板は、上述の発明による多層配線基板用基材を複数枚、重ねて接合したものである。
【0032】
また、上述の目的を達成するために、この発明による多層配線基板用基材の製造方法は、絶縁性基材の一方の面に配線パターンをなす導電層を、絶縁性基材の他方の面に層間接着のための接着層を設けられたものの、少なくも前記絶縁性基材と前記接着層にビアホールを穿孔する穿孔工程、あるいは層間接着のための接着層を兼ねた絶縁性基材の一方の面に配線パターンをなす導電層を設けらたものの、少なくも前記絶縁性基材にビアホールを穿孔する穿孔工程と、前記ビアホールに導電性樹脂組成物を充填する充填工程と、前記ビアホールに充填された前記導電性樹脂組成物を加熱硬化する加熱硬化工程と、硬化後の前記導電性樹脂組成物の他層との導通接続端面に、鉛、錫による共晶はんだや鉛フリーはんだ等によるはんだ層を形成するはんだ層形成工程とを有する。
【0033】
また、上述の目的を達成するために、この発明による多層配線基板用基材の製造方法は、絶縁性基材の一方の面に配線パターンをなす導電層を、絶縁性基材の他方の面に層間接着のための接着層を設けられたものの、少なくも前記絶縁性基材と前記接着層にビアホールを穿孔する穿孔工程、あるいは層間接着のための接着層を兼ねた絶縁性基材の一方の面に配線パターンをなす導電層を設けらたものの、少なくも前記絶縁性基材にビアホールを穿孔する穿孔工程と、前記ビアホールに導電性樹脂組成物を充填する充填工程と、前記ビアホールに充填された前記導電性樹脂組成物を加熱硬化する加熱硬化工程と、硬化後の前記導電性樹脂組成物の他層との導通接続端面に、ニッケルめっき層を形成するニッケルめっき層形成工程と、前記ニッケルめっき層の表面に、鉛、錫による共晶はんだや鉛フリーはんだ等によるはんだ層を形成するはんだ層形成工程とを有する。
【0034】
この発明による多層配線基板用基材の製造方法における前記はんだ層形成工程は、電解めっき法による蓋めっきによって前記はんだ層を形成することができ、はんだ層を多層配線基板用基材の層間接着面より突出した突起層として形成する。また、前記接着層あるいは層間接着のための接着層を兼ねた前記絶縁性基材として、ガラス転移温度が前記はんだ層の溶融温度より低い熱可塑性ポリイミド等の熱可塑性樹脂を用いることができる。
【0035】
また、上述の目的を達成するために、この発明による多層配線基板の製造方法は、ガラス転移温度がはんだ層の溶融温度より低い熱可塑性樹脂によって接着層あるいは層間接着のための接着層を兼ねた絶縁性基材が構成された多層配線基板用基材を複数枚、重ね合わせ、前記はんだ層の溶融温度より高温で加熱プレスして多層配線基板を製造する。
【0036】
【発明の実施の形態】
以下に添付の図を参照してこの発明の実施形態を詳細に説明する。
図1はこの発明による一実施形態に係わる多層配線基板用基材の基本構成を示している。
【0037】
図1に示されている多層配線基板用基材10は、絶縁性基材をなす絶縁樹脂層11の一方の面に銅箔等による配線パターン部(導電層)12を、他方の面に層間接着のための接着層13を各々設けられ、接着層13と絶縁樹脂層11と配線パターン部12とを貫通するビアホールあるいはバイアホール(貫通孔)14を穿設されている。ビアホール14には導電性樹脂組成物15が充填されている。
【0038】
上記絶縁樹脂層11は、全芳香族ポリイミド(API)等によるポリイミドフィルムやポリエステルフィルム等の可撓性を有する樹脂フィルムで構成され、絶縁樹脂層11と配線パターン部12と接着層13との3層構造は、汎用の片面銅箔付きポリイミド基材の銅箔とは反対側の面に接着層13としてポリイミド系接着材を貼付したもので構成できる。
【0039】
ポリイミド系接着材による接着層13は、熱可塑性ポリイミド(TPI)あるいは熱可塑性ポリイミドに熱硬化機能を付与したフィルムの貼り付けにより形成することができる。
【0040】
ビアホール14のうち、接着層13と絶縁樹脂層11を連続貫通する部分、すなわち、絶縁部ビアホール14Aは、円形横断面の円筒形状で、通常のビアホール径とされている。ビアホール14のうち配線パターン部12を貫通する部分、すなわち、導電部ビアホール(小孔)14Bは、円形横断面の円筒形状で、絶縁部ビアホール14Aより小径になっている。
【0041】
導電性樹脂組成物15は、銀、銅等の導電機能を有する金属粉末を樹脂バインダに混入したものを、溶剤を含む粘性媒体に混ぜてペースト状にした導電性ペーストである。導電性樹脂組成物15は、接着層13の側よりスクイジング等によってビアホール14、すなわち、絶縁部ビアホール14Aと導電部ビアホール14Bの全てに穴埋め充填される。この穴埋め充填時に導電部ビアホール14Bがビアホール14内の空気抜き孔として機能する。
【0042】
ビアホール14に充填された導電性樹脂組成物15と自層の配線パターン部12との導通接触は、配線パターン部12の裏面12Aで行われる。
【0043】
ビアホール14に充填された導電性樹脂組成物15の他層との導通接続端面15Aに蓋めっきによるはんだ層16が突起部(突起層)として形成されている。この蓋めっきによるはんだ層16は、Pb−Snはんだ、あるいはSn−Cu系やSn−Ag系等の鉛フリーはんだのような低融点金属材料で形成され、接着層13を構成する熱可塑性樹脂のガラス転移温度Tgは、はんだ層16の融点Tmより低い温度となっている。
【0044】
はんだのような低融点金属材料は、導電性樹脂組成物(銀ペースト)15に比較して外部応力や衝撃に対する耐久性に優れ、従来の銀ペースト15の突起部に比して突起部としてのはんだ層16の変形や欠損が生じ難く、突起部の形成時から多層化の積層までの製造工程において突起部の機能性が保たれる。
【0045】
多層配線基板用基材(基本配線板)10の複数枚を一括積層する際、Pb−Snはんだや鉛フリーはんだによって形成されたはんだ層16が、その融点Tm以上に加熱されると、はんだ層16による突起部が溶融して他層の銅ランド部(配線パターン部12)の銅と漏れ、一括積層後(加圧/加熱)の冷却時に、積層板(多層配線基板用基材10)の温度がはんだ層16の融点Tm以下になると、はんだ/銅(突起部/ランド部表面)界面で合金が形成される。
【0046】
ここで、接着層13を構成する熱可塑性樹脂のガラス転移温度Tgがはんだ層16の融点Tmより低い温度となっているので、はんだ層16の融点Tm以上およびはんだ層16の融点Tmと接着層13を構成する熱可塑性樹脂のガラス転移温度Tgとの間の温度において上記接着層13が可塑性を有しているので、前記はんだ層16による合金形成過程によるセルフアライメントが可能となる。言い換えるならば、はんだ層16と他層の銅ランド部(配線パターン部12)との接合部は、一括積層プロセスにおいて、昇温時におけるはんだ層16の融点以上の温度範囲、さらに降温時における熱可塑性樹脂製の接着層13のガラス転移温度Tg以上の温度範囲で、ピンアライメントとして作用する。
【0047】
したがって、多層配線基板用基材10を複数枚、一括積層した場合、積層中間層の多層配線基板用基材10とそれの上下層の多層配線基板用基材10とのアライメントずれが小さくなり、寸法精度がよい多層配線基板が得られる。
【0048】
また、導電性樹脂組成物15の導通接続端面15Aがはんだ層16によって覆蓋されるので、電位差によるイオン移動であるイオンマイグレーションの発生が防止され、導電性樹脂組成物15中の導電物質のイオンマイグレーションに起因する短絡の発生を防止できる。
【0049】
つぎに、図1に示されているタイプの多層配線基板用基材、およびその多層配線基板用基材による多層配線基板の製造方法の一実施形態を図2、図3を参照して説明する。
【0050】
図2(a)に示されているように、絶縁樹脂層をなすポリイミドフィルム21の片面に導電層をなす銅箔22を設けられた片面銅張基板(CCL:Copper Clad Laminate)20を準備し、これのポリイミドフィルム表面側(銅箔22とは反対側の表面)に、可塑性ポリイミドあるいは熱可塑性ポリイミドに熱硬化機能を付与したフィルムによる接着層23を貼り合わせた積層フィルムを出発材料とする。
【0051】
ここで使用するCCLには、ポリイミド等の絶縁樹脂と導体箔とを接着剤を用いて接着したタイプ、銅箔上にポリイミドの前駆体を塗布して加熱焼成したタイプやポリイミドフィルム上に金属膜を蒸着したタイプ、蒸着した金属膜をシード層としてめっきにより銅を成長させたタイプがある。
【0052】
接着層23を構成する可塑性ポリイミドあるいは熱可塑性ポリイミドに熱硬化機能を付与したフィルムには、ガラス転移温度Tgが、後述のはんだ層28の溶融温度(183℃)より低い温度、たとえば、160℃程度のものを用いる。
【0053】
つぎに、図2(b)に示されているように、ビアホール穿孔工程として、ポリイミドフィルム21にYAGレーザを照射してポリイミドフィルム21に、直径が100μm程度のインナビアホール24を形成する。穴あけ用のレーザとしては、YAGレーザ以外にもCO2レーザやエキシマレーザを用いることもできる。
【0054】
続いて、銅箔22にYAGレーザによって小孔25を穿設する。小孔25の直径は、インナビアホール24の孔径半分以下、たとえば、30〜50μm程度とする。小孔25は、インナビアホール24を形成する前に、レジストマスクを利用して銅のケミカルエッチングによって形成することもできる。
【0055】
つぎに、図2(c)に示されているように、導電性樹脂ペースト充填工程として、スクリーン印刷で使用するようなスキージプレートを使用して接着層23の表面側から、導電性樹脂組成物として、銀ペースト26をスクイジングによってインナビアホール24と小孔25の全てにすり切り状に穴埋め充填する。
【0056】
銀ペースト26には、エポキシ系樹脂を主成分とするバインダと、平均粒子径5μmの銀をフィラとする粘度50〜150Pa・sの加熱硬化型ペーストを使用した。インナビアホール24に充填する導電性樹脂組成物としては、銀ペースト以外に、銅粒子や表面を銀で被覆した銅粒子をフィラとするペーストを使用することもできる。また、溶媒成分が少なく、乾燥および硬化時の体積減少が僅かであれば、樹脂の種類を問わない。
【0057】
つぎに、加熱硬化工程として、充填した銀ペースト26を100℃のオーブン中で加熱乾燥(硬化)させる。
【0058】
硬化完了後に、図2(d)に示されているように、はんだ層形成工程として、銅箔22の表面にPETマスキングテープ27を貼り付け、銅箔22側から母極端子を取り出し、その反対側の銀ペースト26の他層との導通接続端面26Aに、電解めっき法によってはんだ層28を蓋めっきによる突起部(突起層)として形成する。
【0059】
はんだ層28は、60Sn−40Pbの共晶はんだで形成し、その厚さを5〜30μm程度とした。はんだ層28の厚さが5μm以下であると、セルフアライメント機能が弱くなり、はんだ層28の厚さが30μm以上であると、はんだ層が過剰になり、無駄なコストアップになる。
【0060】
つぎに、銅箔表面のPETマスキングテープ27を剥がし、銅箔22の表面のにレジストフィルムを熱圧着し、パターンを露光現像してレジストマスクを形成した後、塩化第二鉄を主成分とするエッチング液を用いて銅のケミカルエッチングを行い、図2(e)に示されているように、銅ランド部や銅回路部29を形成する。これにより、1枚の多層配線基板用基材(基本配線板)20が完成する。
【0061】
上述の多層配線基板用基材20を複数枚積層して多層配線基板を作製する際、インナビア突起部をなすはんだ層28について、全数目視検査を実施した。この目視検査によってインナビア突起部をなすはんだ層28に、変形や欠損が生じてないことが確認できた。
【0062】
つぎに、図3(a)に示されているように、複数枚の多層配線基板用基材20と下側銅箔30とを重ね合わせて多層化接合を行う。この多層化接合工程は、加熱プレス装置を用い、はんだ層28を構成している60Sn−40Pbの共晶はんだの融点183℃以上の温度に加熱し、10〜50kPa程度の圧力を印加して行う。なお、この時、上記加熱温度183℃以上は接着層23のガラス転移温度160℃以上であるので上記接着層23による接着が確実に行われる。
【0063】
積層完了後に、図3(b)に示されているように、下側銅箔30を銅箔22のケミカルエッチングと同様の方法でケミカルエッチングし、銅ランド部や銅回路部31を形成した。これにより、多層配線基板が完成する。
【0064】
完成後、多層配線基板の寸法精度を測定したところ、従来品では最大150μmのアライメントずれが生じていたが、本発明の実施形態品ではアライメントずれが最大80μmまで改善された。
【0065】
このアライメントずれの改善は、図4に模式的に示されているように、インナビアの銀ペースト26の位置と、これと導通接続する他層の銅ランド部29の位置とが多少ずれていても、はんだ層28が多層化接合時の加熱によって溶融し、はんだ層28と銅ランド部29との濡れによって、はんだ層28がずれに応じて横流れを生じ、このずれを戻そうとする力が接合する2層の多層配線基板用基材20間にセルフアライメント力Fして作用し、フリップチップ実装のはんだボールと同様のセルフアライメント作用によってアライメントずれが減少することによると考えられる。
【0066】
これにより、インナビアの銀ペースト26の位置と、これと導通接続する銅ランド部29の位置とが多少ずれていても、セルフアライメントが行われ、層間導通接続が低電気抵抗で良好に行われる。
【0067】
はんだ層28は、60Sn−40Pbの共晶はんだ以外に、Sn−Cu系やSn−Ag系等の鉛フリーはんだで構成してもよい。他の実施形態として、60Sn−40Pbの共晶はんだに代えて、Sn−1%Ag−0.5%Cuの鉛フリーはんだによってはんだ層28を形成し、多層化接合工程時の加熱温度を鉛フリーはんだの融点227℃以上にしたこと以外は、上述の実施形態と同じ方法で多層化接合して多層配線基板を作製したところ、上述の実施形態と同様の良好な結果が得られた。
【0068】
なお、上述の実施形態では、銅箔22に小孔25をあけたが、この発明は、図5に示されているように、小孔25があけられていないものにも、同様に適用でき、同様の効果を得ることができる。
【0069】
この発明による多層配線基板用基材は、他の実施形態として、図6に示されているように、絶縁性基材をなす絶縁樹脂層41を、熱可塑性ポリイミド(TPI)あるいは熱可塑性ポリイミドに熱硬化機能を付与したものなど、絶縁樹脂層自体が層間接着のための接着性を有するもので構成することができる。この場合には、絶縁樹脂層41の一方の面に配線パターン部42をなす銅箔等による導電層を設け、他方の面の接着層を省略できる。
【0070】
この多層配線基板用基材40では、絶縁樹脂層41と配線パターン部42とを貫通するビアホール43を穿設され、ビアホール43に導電性樹脂組成物44が充填されている。
【0071】
ビアホール43に充填された導電性樹脂組成物44の他層との導通接続端面44Aに蓋めっきによるはんだ層45が突起部(突起層)として形成されている。この蓋めっきによるはんだ層45も、Pb−Snはんだ、あるいはSn−Cu系やSn−Ag系等の鉛フリーはんだの金属材料で形成される。
【0072】
したがって、この実施形態でも、銀ペースト製の突起部に比して突起部としてのはんだ層45の変形や欠損が生じ難く、突起部の形成時から多層化の積層までの製造工程において突起部の健全性が保たれる。
【0073】
図7に示されているように、多層配線基板用基材(基本配線板)40の複数枚を一括積層する際、Pb−Snはんだや鉛フリーはんだによって形成されたはんだ層45がその融点以上に加熱されると、はんだ層45による突起部が溶融して他層の銅ランド部(配線パターン部42)の銅と漏れ、一括積層後(加圧/加熱)の冷却時に、積層板(多層配線基板用基材40)の温度がはんだ層45の融点以下になると、はんだ/銅(突起部/ランド部表面)界面で合金が形成される。
【0074】
ここで、接着層を兼ねた絶縁樹脂層41を構成する熱可塑性樹脂のガラス転移温度Tgがはんだ層45の融点より低い温度となっているので、はんだ層45の融点以上およびはんだ層45の融点と接着層を兼ねた絶縁樹脂層41を構成する熱可塑性樹脂のガラス転移温度Tgとの間の温度において上記絶縁樹脂層41が可塑性を有しているので、前記はんだ層45による合金形成過程によるセルフアライメントが可能となる。言い換えるならば、はんだ層45と他層の銅ランド部(配線パターン部42)との接合部は、一括積層プロセスにおいて、昇温時におけるはんだ層45の融点以上の温度範囲、さらに降温時における熱可塑性樹脂製の絶縁樹脂層41のガラス転移温度Tg以上の温度範囲で、ピンアライメントとして作用する。
【0075】
したがって、この実施形態でも、多層配線基板用基材40を複数枚、一括積層した場合、積層中間層の多層配線基板用基材40とそれの上下層の多層配線基板用基材40とのアライメントずれが小さくなり、寸法精度がよい多層配線基板が得られる。
【0076】
図6に示されているような多層配線基板用基材40および図7に示されているような複数枚の多層配線基板用基材40による多層配線基板は、図2、図3に示されている前述の実施形態と同様の、穿孔工程、樹脂ペースト充填工程、加熱硬化工程、はんだ層形成工程、多層化接合工程によって、同様に製造することができる。
【0077】
図8(a)、(b)はこの発明による多層配線基板用基材およびその多層配線基板用基材による多層配線基板の他の実施形態を示している。なお、図8(a)、(b)において、図3(a)、(b)に対応する部分は、図3(a)、(b)に付した符号と同一の符号を付けて、その説明を省略する。
【0078】
この実施形態では、インナビアホール24の銀ペースト26の他層との導通接続端面26Aに、まず下地層としてニッケルめっき層32が電解めっき法によって形成され、ニッケルめっき層32の表面にはんだ層28が蓋めっきされている。つまり、導電性樹脂組成物である銀ペースト26の他層との導通接続端面26Aとはんだ層28との間にニッケルめっき層32が形成されている。ニッケルめっき層32の厚さは1〜5μm程度でよい。
【0079】
ニッケルめっき層32は、銀ペースト26、はんだ層28の双方に対して高い耐剥離強度を示し、銀ペースト26の導通接続端面26Aに、はんだ層28が直接に蓋めっきされる場合に比して高い耐剥離強度が得られ、層間導通接続の信頼性、安定性がより一層向上する。
【0080】
また、銀ペースト26の導通接続端面26Aがニッケルめっき層32によって覆蓋されるので、電位差によるイオン移動であるイオンマイグレーションにより導電性樹脂組成物15中の導電物質が飛散することが確実に防止され、イオンマイグレーションに起因する短絡の発生が確実に防止される。
【0081】
この実施形態でも、はんだ層28は、セルフアライメント作用を行い、上述の実施形態のものと同様の効果も得られる。
【0082】
図8(a)に示されている多層配線基板用基材20は、図2に示されている前述の実施形態と同様の、インナビアホール24、小孔25を穿孔する穿孔工程と、インナビアホール24と小孔25に銀ペースト26を充填する充填工程と、インナビアホール24と小孔25に充填された銀ペースト26を加熱硬化する加熱硬化工程の後に、硬化後の銀ペースト26の他層との導通接続端面26Aに、電解めっき法によってニッケルめっき層32を形成するニッケルめっき層形成工程があり、このニッケルめっき層形成工程後に、ニッケルめっき層32の表面にはんだ層28を形成するはんだ層形成工程がある製造方法によって製造することができる。
【0083】
図8(b)に示されている多層配線基板用基材20による多層配線基板は、図3に示されている前述の実施形態と同様の、多層化接合工程によって、同様に製造することができる。
【0084】
ニッケルめっき層32を含むものは、図9に示されているように、絶縁樹脂層41が、熱可塑性ポリイミド(TPI)あるいは熱可塑性ポリイミドに熱硬化機能を付与したものなど、絶縁樹脂層自体が層間接着のための接着性を有するもので構成されたものにも同様に適用することができる。
【0085】
図9に示されている多層配線基板用基材40は、図2に示されている前述の実施形態と同様の、ビアホール43を穿孔する穿孔工程と、ビアホール43に導電性樹脂組成物44を充填する充填工程と、ビアホール43に充填された導電性樹脂組成物44を加熱硬化する加熱硬化工程の後に、硬化後の導電性樹脂組成物44の他層との導通接続端面に、電解めっき法によってニッケルめっき層32を形成するニッケルめっき層形成工程があり、このニッケルめっき層形成工程後に、ニッケルめっき層32の表面にはんだ層45を形成するはんだ層形成工程がある製造方法により製造することができる。
【0086】
また、この場合の多層配線基板用基材40による多層配線基板も、図3に示されている前述の実施形態と同様の、多層化接合工程によって、同様に製造することができる。
【0087】
【発明の効果】
以上の説明から理解される如く、この発明による多層配線基板および多層配線基板用基材その製造方法によれば、ビアホールに充填された銀ペースト等による導電性樹脂組成物の他層との導通接続端面に、はんだ層が形成されていることにより、多層接続電気回路の電気抵抗が低く、優れた電気的特性が得られ、しかも優れたアライメント精度を確保して寸法精度にも優れた多層配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一つの実施形態に係わる多層配線基板用基材を示す断面図である。
【図2】(a)〜(e)はこの発明の一つの実施形態に係わる多層配線基板用基材の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図3】(a)、(b)はこの発明の一つの実施形態に係わる多層配線基板の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図4】この発明の一つの実施形態に係わる多層配線基板で得られるセルフアライメント作用を模式的に示す断面図である。
【図5】この発明の他の一つの実施形態に係わる多層配線基板用基材を示す断面図である。
【図6】この発明の他の一つの実施形態に係わる多層配線基板用基材を示す断面図である。
【図7】この発明の一つの実施例に係わる多層配線基板を示す断面図である。
【図8】(a)、(b)はこの発明の他の一つの実施形態に係わる多層配線基板の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図9】この発明の他の実施形態に係わる多層配線基板用基材を示す断面図である。
【図10】(a)〜(h)は従来の多層配線基板の製造工程を示す工程図である。
【図11】(a)〜(d)、(a’)〜(d’)および(e)、(f)は従来の他の多層配線基板の製造工程を示す工程図である。
【図12】従来の多層配線基板用基材のインナビアを示す断面図である。
【図13】従来の多層配線基板用基材のインナビアにおける突起形成過程を示す断面図である。
【図14】従来の多層配線基板の断面図である。
【符号の説明】
10 多層配線基板用基材
11 絶縁樹脂層
12 配線パターン部
13 接着層
14 ビアホール
15 導電性樹脂組成物
16 はんだ層
20 多層配線基板用基材
21 ポリイミドフィルム
22 銅箔
23 接着層
24 インナビアホール
25 小孔
26 銀ペースト
28 はんだ層
29 銅ランド部、銅回路部
30 下側銅箔
31 銅ランド部、銅回路部
32 ニッケルめっき層
40 多層配線基板用基材
41 絶縁樹脂層
42 配線パターン部
43 ビアホール
44 導電性樹脂組成物
45 はんだ層
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a multilayer wiring board (multilayer printed wiring board), a base material for a multilayer wiring board, and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a multilayer wiring board capable of high-density mounting such as a bare chip, a base material for a multilayer wiring board, and manufacturing thereof. It is about the method.
[0002]
[Prior art]
In conjunction with the miniaturization of electronic devices, the miniaturization of semiconductor chips and components, and the narrowing of the pitch of terminals, the mounting area and wiring of printed circuit boards (wiring boards) have been reduced. At the same time, information-related equipment is required to reduce the length of wiring connecting components in response to the broadening of signal frequencies, and multilayer printed circuit boards to achieve high density and high performance are indispensable. Technology.
[0003]
In a multilayer wiring board, a key technology is to form a circuit for electrically connecting layers, which has not been available in a conventional planar circuit. In the double-sided wiring board which is the first step of the multilayer wiring board, a through hole is formed in the insulating base material, and a conductor is plated along the wall surface of the through hole to electrically connect the wiring on the front and back.
[0004]
Also in a build-up multilayer wiring substrate typified by IBM's SLC (Surface Laminar Circuit), a method in which a part of an insulating layer between circuit layers is removed with a laser or the like and conductively connected by plating is used.
[0005]
The conductive connection of wiring using plating has the advantage that a fine circuit can be conductively connected with low resistance, but the process is complicated and the number of steps is large, so the cost is high and the factors that limit the use of the multilayer wiring board are Has become.
[0006]
In recent years, as an inexpensive interlayer connection method instead of plating, a conductive resin (conductive paste) represented by a Matsushita Group's ALIVH (Any Layer Interactive Via Hole) substrate or a Toshiba Group's B2bit (Buried Bump Interconnection Technology). The multilayer wiring board used has been put to practical use, and the use of the multilayer wiring board has begun to rapidly expand.
[0007]
In ALIVH, as shown in FIGS. 10A to 10H, a via hole or a via hole (through hole) 102 is opened by using a laser with an insulating resin plate / film 101 as a starting material, and the via hole is formed by a printing method. 102 is filled with a conductive resin 103, and the filling of the conductive resin 103 forms an insulating layer 104 having a front and back conductive connection portion at a desired location. Then, a copper foil 105 is attached to the front and back surfaces of the insulating layer 104, and a plurality of wiring patterns (copper foil circuits) 106 formed by etching the copper foil 105 are attached to each other to obtain a multilayer wiring board 100.
[0008]
In addition to the ALIVH method, it is also possible to apply a method of forming a via hole or removing the resin by chemical or dry etching by performing exposure and development using a photosensitive resin as an insulating layer, such as SLC. There is.
[0009]
Multilayer wiring boards using conductive resin are inexpensive, but have some drawbacks such as high electrical resistance of the conductive resin part and unstable contact resistance with the copper foil circuit, but they also gradually Is being overcome.
[0010]
In a substrate on which a bare chip is mounted, such as a multi-chip module, the thickness of a single layer of a laminated board (base material for a multilayer wiring board) constituting a multilayer board tends to decrease as the wiring density increases. Due to the decrease in the layer thickness of the laminated plate, the insulating film alone tends to bend or wrinkle the substrate, and it is difficult to secure dimensional stability.
[0011]
On the other hand, FIGS. 11A to 11D and FIGS. 11A to 11D, and FIGS. 11E and 11F show a method for manufacturing a multilayer wiring board using a conductive resin for interlayer connection. As described above, a film 201 with a single-sided copper foil and a film 301 with a double-sided copper foil are used as starting materials. The conductive resins 203 and 303 are filled to form inner vias, and the copper foils 204 and 304 of the films with copper foils 201 and 301 are etched to form wiring patterns (copper foil circuits) 205 and 305, which are bonded together. There is a manufacturing method for obtaining the multilayer wiring board 200.
[0012]
This manufacturing method starts with a single-sided copper-clad board with a resin film as the insulating layer and a conductive layer of copper foil on one side, or a double-sided copper-clad board with copper foil on both sides of the resin film. By using the material, the rigidity of the film is increased, and high dimensional accuracy can be maintained. A method for manufacturing such a multilayer wiring board is proposed in Japanese Patent Application No. 2001-85224 by the same applicant as the present applicant.
[0013]
[Problems to be solved by the invention]
The structure and manufacturing method of a multilayer wiring board in which an inner via is formed of a conductive resin using a film with a copper foil as a starting material has the following disadvantages.
[0014]
As shown in FIG. 12, a basic wiring board (base material for a multilayer wiring board) before lamination, that is, a single layer 400 constituting a multilayer wiring board includes a copper land portion (copper circuit) 401 and a conductive resin. , An insulating layer 403, and an adhesive layer 404.
[0015]
When the single layers 400 are stacked, a projection 402A is usually formed on the inner via 402 made of a conductive resin in order to reduce the electrical resistance at the junction between the copper land 401 and the inner via 402.
[0016]
The conductive resin is a mixture of a metal filler such as silver or copper and a thermosetting resin. Therefore, before the thermosetting resin is cured, the protrusion 402A is likely to be deformed or damaged due to external stress or impact.
[0017]
Further, in many cases, as shown in FIG. 13, a mask film 405 patterned for forming the protrusion is used to form the protrusion 402A. When peeling off, the peeling force acts on the protrusion 402A, and the protrusion 402A is likely to be deformed or damaged.
[0018]
As described above, the protruding portion 402A of the inner via 402 formed of a conductive resin is liable to be deformed or damaged during the formation process or lamination. Problems such as poor conduction and poor electrical resistance tend to occur.
[0019]
Further, when the above-described basic wiring boards are collectively laminated on a multilayer wiring board having three or more layers, misalignment easily occurs between the central basic wiring board and the upper and lower basic wiring boards. It is presumed for the following reasons.
[0020]
As shown in FIG. 14, the insulating layers 403 of the upper and lower basic wiring boards 400A and 400C and the insulating layer 403 of the intermediate basic wiring board 400C are each bonded to a thermoplastic polyimide or the like. Is an adhesive layer 404 made of a thermoplastic resin.
[0021]
In order to stack and bond three or more basic wiring boards together, it is necessary to heat the thermoplastic resin constituting the adhesive layer 404 to a temperature equal to or higher than the glass transition temperature Tg. It is considered that the softening of the adhesive layer 404 due to the heating, that is, the fluidization of the adhesive layer 404 is a cause of the above-described misalignment. This misalignment causes deterioration of the conduction performance, that is, electrical characteristics of the multilayer connection electric circuit.
[0022]
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and has a low electric resistance of a multilayer connection electric circuit, excellent electric characteristics, and excellent dimensional accuracy by securing excellent alignment accuracy. It is an object of the present invention to provide a base material for a multilayer wiring board capable of obtaining a multilayer wiring board, a multilayer wiring board using the base material for a multilayer wiring board, and a method for manufacturing the same.
[0023]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above-mentioned object, a base material for a multilayer wiring board according to the present invention is provided for a multilayer wiring board in which a conductive resin composition is filled in a via hole (via hole) and an interlayer conduction is obtained by the conductive resin composition. A solder layer is formed on a base material, the end face of a conductive connection with the other layer of the conductive resin composition filled in the via hole, that is, a laminated surface.
[0024]
The base material for a multilayer wiring board according to the present invention may be a copper foil forming a wiring pattern on one surface of an insulative base material formed of a flexible resin film such as polyimide as a type of the applicable base material for a multilayer wiring board. An electrically conductive layer such as is provided on the other surface of the insulating base material with an adhesive layer made of thermoplastic polyimide or the like for interlayer bonding, and an interlayer is formed at least between the insulating base material and the via hole continuously formed in the adhesive layer. A wiring pattern is formed on one surface of a base material for a multilayer wiring board filled with a conductive resin composition for obtaining electrical continuity or an insulating base material made of thermoplastic polyimide or the like also serving as an adhesive layer for interlayer bonding. A conductive layer is provided, and there is a base material for a multilayer wiring board filled with a conductive resin composition for obtaining interlayer conduction in at least via holes formed in the insulating base material. Previous Conductive connection end face of the other layer of the conductive resin composition filled in the via hole, i.e. the stacking surface, the solder layer is formed.
[0025]
According to the substrate for a multilayer wiring board of the present invention, since the solder layer is formed on the conductive connection end face with the other layer of the conductive resin composition filled in the via hole, the conductive property of the via hole is formed by using the solder layer. Conductive connection between the resin composition and another conductive layer (circuit portion) is performed. The solder layer is melted by heating during the lamination process for multilayering, so that the conductive resin composition in the via hole is soldered to the conductive layer (circuit portion) by the solder layer, and the conductive resin composition in the via hole is melted. It is possible to obtain a multilayer wiring board having a small connection electric resistance with the conductive layer (circuit portion).
[0026]
The solder layer in the multilayer wiring board base material according to the present invention may be formed so as to protrude from the interlayer bonding surface (multi-layered surface) of the multilayer wiring board base material instead of the inner via projection of the conductive resin composition. it can.
[0027]
In this case, since the protrusion of the inner via is formed of a solder layer and is not a resin protrusion, there is no deformation or loss in the manufacturing process from the time of formation to the lamination, and the soundness of the protrusion is maintained. In addition, the bonding between the inner via and the circuit portion due to the melting and solidification of the solder layer applied to the projection portion functions as a pin guide for improving alignment accuracy.
[0028]
The insulating substrate serving also as an adhesive layer or an adhesive layer for interlayer bonding in the substrate for a multilayer wiring board according to the present invention is made of a thermoplastic resin having a glass transition temperature lower than the melting temperature of the solder layer. In this case, the heating in the laminating step for multi-layering is performed at a temperature equal to or higher than the melting temperature of the solder layer, so that the insulating base material serving as the adhesive layer or the adhesive layer for interlayer bonding is plasticized in the laminating step. In this state, the solder layer acts as a self-alignment function equivalent to the self-alignment function by the solder balls in flip chip mounting.
[0029]
The solder layer may be a low melting metal having a melting point of about 100 to 250 ° C., such as a eutectic solder of lead and tin, a lead-free solder, and tin, and the solder layer may be formed by lid plating by electrolytic plating. Can be.
[0030]
Further, a nickel plating layer may be formed between an end face of a conductive connection with another layer of the conductive resin composition filled in the via hole and the solder layer. Since the conductive resin composition in the via hole is covered with the nickel plating layer, the occurrence of ion migration, which is ion migration due to a potential difference, is reliably prevented.
[0031]
A multilayer wiring board according to the present invention is obtained by laminating and joining a plurality of base materials for a multilayer wiring board according to the above-described invention.
[0032]
In order to achieve the above-mentioned object, a method for manufacturing a substrate for a multilayer wiring board according to the present invention includes the steps of: forming a conductive layer forming a wiring pattern on one surface of an insulating substrate; Although an adhesive layer is provided for interlayer bonding, at least one of the insulating base material and the insulating substrate which also serves as an adhesive layer for interlayer bonding, or a punching step of drilling a via hole in the adhesive layer. Although a conductive layer forming a wiring pattern is provided on the surface of the substrate, at least a perforation step of perforating a via hole in the insulating base material, a filling step of filling the via hole with a conductive resin composition, and filling the via hole A heating and curing step of heating and curing the conductive resin composition, and a lead, a eutectic solder of tin, or a solder of lead-free solder or the like on the conductive connection end face with another layer of the conductive resin composition. Form a layer And a layer formation step've got.
[0033]
In order to achieve the above-mentioned object, a method for manufacturing a substrate for a multilayer wiring board according to the present invention includes the steps of: forming a conductive layer forming a wiring pattern on one surface of an insulating substrate; Although an adhesive layer is provided for interlayer bonding, at least one of the insulating base material and the insulating substrate which also serves as an adhesive layer for interlayer bonding, or a punching step of drilling a via hole in the adhesive layer. Although a conductive layer forming a wiring pattern is provided on the surface of the substrate, at least a perforation step of perforating a via hole in the insulating base material, a filling step of filling the via hole with a conductive resin composition, and filling the via hole A heat curing step of heating and curing the conductive resin composition, and a nickel plating layer forming step of forming a nickel plating layer on a conductive connection end face with another layer of the conductive resin composition after curing, Nicke The surface of the plating layer, and a solder layer forming step of forming a solder layer of lead, by eutectic solder or lead-free solder or the like with tin.
[0034]
In the method of manufacturing a substrate for a multilayer wiring board according to the present invention, the step of forming a solder layer may include forming the solder layer by lid plating using an electrolytic plating method. It is formed as a more protruding projection layer. Further, as the insulating base material also serving as the adhesive layer or the adhesive layer for interlayer bonding, a thermoplastic resin such as thermoplastic polyimide having a glass transition temperature lower than the melting temperature of the solder layer can be used.
[0035]
In order to achieve the above object, the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention also serves as an adhesive layer or an adhesive layer for interlayer bonding with a thermoplastic resin having a glass transition temperature lower than the melting temperature of the solder layer. A plurality of multi-layered wiring board base materials having an insulating base material are laminated, and heated and pressed at a temperature higher than the melting temperature of the solder layer to manufacture a multi-layered wiring board.
[0036]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 shows a basic structure of a base material for a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention.
[0037]
The base material 10 for a multilayer wiring board shown in FIG. 1 has a wiring pattern portion (conductive layer) 12 made of copper foil or the like on one surface of an insulating resin layer 11 serving as an insulating base material, and an interlayer on the other surface. Adhesive layers 13 for adhesion are provided, and via holes or via holes (through holes) 14 penetrating the adhesive layer 13, the insulating resin layer 11, and the wiring pattern portion 12 are formed. The via hole 14 is filled with the conductive resin composition 15.
[0038]
The insulating resin layer 11 is made of a flexible resin film such as a polyimide film made of wholly aromatic polyimide (API) or a polyester film, and is composed of the insulating resin layer 11, the wiring pattern portion 12, and the adhesive layer 13. The layer structure can be configured by attaching a polyimide-based adhesive as an adhesive layer 13 to the surface of the general-purpose single-sided copper foil-coated polyimide substrate opposite to the copper foil.
[0039]
The adhesive layer 13 made of a polyimide-based adhesive can be formed by attaching thermoplastic polyimide (TPI) or a film obtained by adding a thermosetting function to thermoplastic polyimide.
[0040]
The portion of the via hole 14 that continuously penetrates the adhesive layer 13 and the insulating resin layer 11, that is, the insulating via hole 14A has a cylindrical shape with a circular cross section and a normal via hole diameter. The portion of the via hole 14 that penetrates the wiring pattern portion 12, that is, the conductive portion via hole (small hole) 14B has a cylindrical shape with a circular cross section, and has a smaller diameter than the insulating portion via hole 14A.
[0041]
The conductive resin composition 15 is a conductive paste obtained by mixing a metal powder having a conductive function such as silver or copper into a resin binder and mixing the mixture with a viscous medium containing a solvent to form a paste. The conductive resin composition 15 is filled into the via holes 14, that is, all of the insulating portion via holes 14A and the conductive portion via holes 14B from the side of the adhesive layer 13 by squeezing or the like. The conductive portion via hole 14B functions as an air vent hole in the via hole 14 during filling and filling.
[0042]
The conductive contact between the conductive resin composition 15 filled in the via hole 14 and the wiring pattern portion 12 of the own layer is performed on the back surface 12A of the wiring pattern portion 12.
[0043]
A solder layer 16 formed by lid plating is formed as a projection (projection layer) on a conductive connection end face 15A with another layer of the conductive resin composition 15 filled in the via hole 14. The solder layer 16 formed by the lid plating is formed of a low melting point metal material such as a Pb-Sn solder or a lead-free solder such as a Sn-Cu or Sn-Ag system. The glass transition temperature Tg is lower than the melting point Tm of the solder layer 16.
[0044]
The low-melting point metal material such as solder is more excellent in durability against external stress and impact than the conductive resin composition (silver paste) 15, and has a higher protrusion as compared with the protrusion of the conventional silver paste 15. The solder layer 16 is unlikely to be deformed or broken, and the functionality of the projection is maintained in the manufacturing process from the time of formation of the projection to the lamination of multilayer.
[0045]
When a plurality of multi-layer wiring board base materials (basic wiring boards) 10 are collectively laminated, when the solder layer 16 formed by Pb-Sn solder or lead-free solder is heated to the melting point Tm or more, the solder layer 16 melts and leaks with the copper of the copper land portion (wiring pattern portion 12) of the other layer, and upon cooling after collective lamination (pressing / heating), the laminate (base material for multilayer wiring substrate 10) When the temperature becomes equal to or lower than the melting point Tm of the solder layer 16, an alloy is formed at a solder / copper (projection / land surface) interface.
[0046]
Here, since the glass transition temperature Tg of the thermoplastic resin forming the adhesive layer 13 is lower than the melting point Tm of the solder layer 16, it is higher than the melting point Tm of the solder layer 16 and the melting point Tm of the solder layer 16. Since the adhesive layer 13 has plasticity at a temperature between the glass transition temperature Tg of the thermoplastic resin constituting the resin layer 13 and the solder layer 16, self-alignment by an alloy forming process using the solder layer 16 is possible. In other words, the joint portion between the solder layer 16 and the copper land portion (wiring pattern portion 12) of the other layer has a temperature range equal to or higher than the melting point of the solder layer 16 at the time of temperature rise, and a heat range at the time of temperature decrease in the batch lamination process. In a temperature range equal to or higher than the glass transition temperature Tg of the adhesive layer 13 made of a plastic resin, it functions as pin alignment.
[0047]
Therefore, when a plurality of multi-layered wiring board base materials 10 are laminated at once, the misalignment between the multi-layered wiring board base material 10 of the laminated intermediate layer and the upper and lower multi-layered wiring board base materials 10 is reduced, A multilayer wiring board with good dimensional accuracy can be obtained.
[0048]
Further, since the conductive connection end face 15A of the conductive resin composition 15 is covered with the solder layer 16, the occurrence of ion migration, which is ion migration due to a potential difference, is prevented, and the ion migration of the conductive substance in the conductive resin composition 15 is prevented. Can prevent the occurrence of a short circuit caused by the above.
[0049]
Next, an embodiment of a multilayer wiring board base material of the type shown in FIG. 1 and a method of manufacturing a multilayer wiring board using the multilayer wiring board base material will be described with reference to FIGS. .
[0050]
As shown in FIG. 2A, a single-sided copper clad substrate (CCL) 20 having a polyimide film 21 forming an insulating resin layer and a copper foil 22 forming a conductive layer provided on one side thereof is prepared. The starting material is a laminated film in which an adhesive layer 23 of a film obtained by adding a thermosetting function to a plastic polyimide or a thermoplastic polyimide is attached to the polyimide film surface side (the surface opposite to the copper foil 22).
[0051]
The CCL used here includes a type in which an insulating resin such as polyimide and a conductive foil are bonded using an adhesive, a type in which a polyimide precursor is applied on a copper foil and heated and baked, or a metal film on a polyimide film. And a type in which copper is grown by plating using a deposited metal film as a seed layer.
[0052]
The film obtained by adding a thermosetting function to the plastic polyimide or the thermoplastic polyimide constituting the adhesive layer 23 has a glass transition temperature Tg lower than a melting temperature (183 ° C.) of the solder layer 28 described later, for example, about 160 ° C. Use
[0053]
Next, as shown in FIG. 2B, as a via hole drilling step, the polyimide film 21 is irradiated with a YAG laser to form an inner via hole 24 having a diameter of about 100 μm in the polyimide film 21. As a laser for drilling, a CO2 laser or an excimer laser can be used other than the YAG laser.
[0054]
Subsequently, a small hole 25 is formed in the copper foil 22 by a YAG laser. The diameter of the small hole 25 is not more than half the hole diameter of the inner via hole 24, for example, about 30 to 50 μm. The small holes 25 may be formed by chemical etching of copper using a resist mask before forming the inner via holes 24.
[0055]
Next, as shown in FIG. 2C, as a conductive resin paste filling step, a conductive resin composition is applied from the surface side of the adhesive layer 23 using a squeegee plate used in screen printing. Then, the silver paste 26 is squeezed to fill all the inner via holes 24 and the small holes 25 in a scribing manner.
[0056]
As the silver paste 26, a binder mainly composed of an epoxy resin and a heat-curable paste having a viscosity of 50 to 150 Pa · s using silver having an average particle diameter of 5 μm as a filler were used. As the conductive resin composition to be filled in the inner via hole 24, besides the silver paste, a paste using copper particles or copper particles whose surface is coated with silver as a filler can also be used. The type of resin is not limited as long as the solvent component is small and the volume decrease during drying and curing is small.
[0057]
Next, as a heating and curing step, the filled silver paste 26 is heated and dried (cured) in an oven at 100 ° C.
[0058]
After the curing is completed, as shown in FIG. 2 (d), as a solder layer forming step, a PET masking tape 27 is attached to the surface of the copper foil 22, and the mother terminal is taken out from the copper foil 22 side. The solder layer 28 is formed as a projection (projection layer) by lid plating on the conductive connection end surface 26A with the other layer of the silver paste 26 on the side by electrolytic plating.
[0059]
The solder layer 28 was formed of eutectic solder of 60Sn-40Pb, and its thickness was about 5 to 30 μm. When the thickness of the solder layer 28 is 5 μm or less, the self-alignment function is weakened. When the thickness of the solder layer 28 is 30 μm or more, the solder layer becomes excessive and wasteful cost increases.
[0060]
Next, the PET masking tape 27 on the copper foil surface is peeled off, and a resist film is thermocompression-bonded to the surface of the copper foil 22, and the pattern is exposed and developed to form a resist mask. Copper chemical etching is performed using an etchant to form a copper land portion and a copper circuit portion 29 as shown in FIG. Thus, one multi-layer wiring board base material (basic wiring board) 20 is completed.
[0061]
When manufacturing a multilayer wiring board by laminating a plurality of the above-described bases 20 for the multilayer wiring board, a 100% visual inspection was performed on the solder layer 28 forming the inner via projection. By this visual inspection, it was confirmed that the solder layer 28 forming the inner via projection had no deformation or loss.
[0062]
Next, as shown in FIG. 3A, a plurality of base materials 20 for a multilayer wiring board and the lower copper foil 30 are overlapped to perform multilayer bonding. This multi-layer bonding step is performed by using a heating press device, heating the eutectic solder of 60Sn-40Pb forming the solder layer 28 to a temperature of 183 ° C. or higher, and applying a pressure of about 10 to 50 kPa. . At this time, since the heating temperature of 183 ° C. or higher is the glass transition temperature of the adhesive layer 23 of 160 ° C. or more, the bonding by the adhesive layer 23 is reliably performed.
[0063]
After the completion of the lamination, as shown in FIG. 3B, the lower copper foil 30 was chemically etched in the same manner as the chemical etching of the copper foil 22 to form a copper land portion and a copper circuit portion 31. Thus, a multilayer wiring board is completed.
[0064]
When the dimensional accuracy of the multilayer wiring board was measured after completion, the alignment deviation of 150 μm at the maximum occurred in the conventional product, but the alignment deviation was improved to 80 μm in the embodiment of the present invention.
[0065]
As shown in FIG. 4, the improvement of the misalignment can be achieved even if the position of the silver paste 26 of the inner via and the position of the copper land portion 29 of the other layer electrically connected to the inner paste are slightly shifted. The solder layer 28 is melted by heating at the time of multi-layer bonding, and the solder layer 28 and the copper land 29 are wetted to cause a lateral flow of the solder layer 28 in accordance with the displacement. It is considered that the self-alignment force F acts between the two layers of the multilayer wiring board base material 20 and the self-alignment action similar to that of the flip-chip mounted solder ball reduces the misalignment.
[0066]
Accordingly, even if the position of the silver paste 26 of the inner via and the position of the copper land portion 29 that is conductively connected to the inner via are slightly displaced, self-alignment is performed, and the interlayer conductive connection is performed satisfactorily with low electric resistance.
[0067]
The solder layer 28 may be made of lead-free solder such as Sn-Cu or Sn-Ag other than the eutectic solder of 60Sn-40Pb. As another embodiment, the solder layer 28 is formed by a lead-free solder of Sn-1% Ag-0.5% Cu instead of the eutectic solder of 60Sn-40Pb, and the heating temperature at the time of the multilayer joining process is set to be lead. Except that the melting point of the free solder was set to 227 ° C. or higher, a multilayer wiring board was manufactured by multi-layer bonding in the same manner as in the above-described embodiment. As a result, the same good results as in the above-described embodiment were obtained.
[0068]
In the above-described embodiment, the small holes 25 are formed in the copper foil 22. However, as shown in FIG. 5, the present invention can be similarly applied to a case where the small holes 25 are not formed. The same effect can be obtained.
[0069]
As shown in FIG. 6, the base material for a multilayer wiring board according to the present invention comprises, as shown in FIG. 6, an insulating resin layer 41 forming an insulating base material, made of thermoplastic polyimide (TPI) or thermoplastic polyimide. The insulating resin layer itself may have an adhesive property for interlayer adhesion, such as one having a thermosetting function. In this case, a conductive layer made of copper foil or the like forming the wiring pattern portion 42 is provided on one surface of the insulating resin layer 41, and the adhesive layer on the other surface can be omitted.
[0070]
In the base material 40 for the multilayer wiring board, a via hole 43 penetrating the insulating resin layer 41 and the wiring pattern portion 42 is formed, and the via hole 43 is filled with a conductive resin composition 44.
[0071]
A solder layer 45 formed by lid plating is formed as a projection (projection layer) on a conductive connection end surface 44A with another layer of the conductive resin composition 44 filled in the via hole 43. The solder layer 45 formed by the cover plating is also formed of a Pb-Sn solder or a lead-free solder metal material such as an Sn-Cu-based or Sn-Ag-based solder.
[0072]
Therefore, in this embodiment as well, the solder layer 45 as the protrusion is less likely to be deformed or deficient than the protrusion made of silver paste. Soundness is maintained.
[0073]
As shown in FIG. 7, when a plurality of substrates (basic wiring board) 40 for a multilayer wiring board are collectively laminated, the solder layer 45 formed by Pb-Sn solder or lead-free solder has a melting point or more. Is heated, the protrusions due to the solder layer 45 are melted and leak with the copper of the copper land portion (wiring pattern portion 42) of the other layer. When the temperature of the wiring board base material 40) becomes equal to or lower than the melting point of the solder layer 45, an alloy is formed at the solder / copper (projection / land surface) interface.
[0074]
Here, since the glass transition temperature Tg of the thermoplastic resin constituting the insulating resin layer 41 also serving as the adhesive layer is lower than the melting point of the solder layer 45, the melting point of the solder layer 45 is higher than the melting point of the solder layer 45. Since the insulating resin layer 41 has plasticity at a temperature between the temperature and the glass transition temperature Tg of the thermoplastic resin constituting the insulating resin layer 41 also serving as the adhesive layer, the solder layer 45 is used to form an alloy. Self-alignment becomes possible. In other words, the joint portion between the solder layer 45 and the copper land portion (wiring pattern portion 42) of the other layer has a temperature range equal to or higher than the melting point of the solder layer 45 at the time of raising the temperature in the batch lamination process, In a temperature range equal to or higher than the glass transition temperature Tg of the insulating resin layer 41 made of a plastic resin, it functions as a pin alignment.
[0075]
Therefore, also in this embodiment, when a plurality of multi-layer wiring board base materials 40 are collectively laminated, the alignment between the multi-layer wiring board base material 40 of the laminated intermediate layer and the multi-layer wiring board base material 40 of the upper and lower layers thereof is adjusted. The displacement is small, and a multilayer wiring board with good dimensional accuracy can be obtained.
[0076]
A multilayer wiring board composed of a multilayer wiring board base material 40 as shown in FIG. 6 and a plurality of multilayer wiring board base materials 40 as shown in FIG. 7 is shown in FIGS. In the same manner as in the above-described embodiment, it can be manufactured similarly by the punching step, the resin paste filling step, the heat curing step, the solder layer forming step, and the multilayer joining step.
[0077]
FIGS. 8A and 8B show another embodiment of the multilayer wiring board base material according to the present invention and the multilayer wiring board using the multilayer wiring board base material. In FIGS. 8A and 8B, parts corresponding to FIGS. 3A and 3B are denoted by the same reference numerals as those in FIGS. 3A and 3B. Description is omitted.
[0078]
In this embodiment, a nickel plating layer 32 is first formed as a base layer on the conductive connection end surface 26A of the inner via hole 24 with another layer of the silver paste 26 by an electrolytic plating method, and a solder layer 28 is formed on the surface of the nickel plating layer 32. The lid is plated. In other words, the nickel plating layer 32 is formed between the solder connection layer 28 and the conductive connection end surface 26A with the other layer of the silver paste 26, which is a conductive resin composition. The thickness of the nickel plating layer 32 may be about 1 to 5 μm.
[0079]
The nickel plating layer 32 has a high peeling strength with respect to both the silver paste 26 and the solder layer 28, and is compared with a case where the solder layer 28 is directly lid-plated on the conductive connection end surface 26A of the silver paste 26. High peel resistance is obtained, and the reliability and stability of the interlayer conductive connection are further improved.
[0080]
Further, since the conductive connection end surface 26A of the silver paste 26 is covered with the nickel plating layer 32, the conductive material in the conductive resin composition 15 is reliably prevented from being scattered by ion migration, which is ion migration due to a potential difference, The occurrence of a short circuit due to ion migration is reliably prevented.
[0081]
Also in this embodiment, the solder layer 28 performs a self-alignment effect, and the same effect as that of the above-described embodiment can be obtained.
[0082]
The multi-layered wiring board base material 20 shown in FIG. 8A has a hole forming step of forming the inner via holes 24 and the small holes 25 in the same manner as the above-described embodiment shown in FIG. After a filling step of filling the silver paste 26 into the small holes 24 and the small holes 25 and a heat curing step of heating and curing the silver paste 26 filled in the inner via holes 24 and the small holes 25, the other layers of the cured silver paste 26 are formed. The conductive connection end face 26A has a nickel plating layer forming step of forming a nickel plating layer 32 by an electrolytic plating method. After this nickel plating layer forming step, a solder layer It can be manufactured by a certain manufacturing method.
[0083]
The multilayer wiring board made of the multilayer wiring board base material 20 shown in FIG. 8B can be manufactured in the same manner as the above-described embodiment shown in FIG. it can.
[0084]
As shown in FIG. 9, the insulating resin layer 41 is made of thermoplastic polyimide (TPI) or a thermoplastic polyimide provided with a thermosetting function, as shown in FIG. The present invention can be similarly applied to a structure made of a material having an adhesive property for interlayer bonding.
[0085]
The base material 40 for a multilayer wiring board shown in FIG. 9 includes a step of forming a via hole 43 in the same manner as in the above-described embodiment shown in FIG. After a filling step of filling and a heat curing step of heating and curing the conductive resin composition 44 filled in the via hole 43, an electroplating method is applied to the conductive connection end face of the cured conductive resin composition 44 with another layer. A nickel plating layer forming step of forming a nickel plating layer 32 by the above method, and after the nickel plating layer forming step, there is a solder layer forming step of forming a solder layer 45 on the surface of the nickel plating layer 32. it can.
[0086]
In this case, the multilayer wiring board using the multilayer wiring board base material 40 can be manufactured in the same manner by the multilayer bonding process similar to the above-described embodiment shown in FIG.
[0087]
【The invention's effect】
As can be understood from the above description, according to the multilayer wiring board and the method for manufacturing the multilayer wiring board base material of the present invention, the conductive connection with the other layer of the conductive resin composition by the silver paste or the like filled in the via hole is provided. Multilayer wiring board with low electrical resistance of multilayer connection electric circuit, excellent electrical characteristics obtained by forming solder layer on the end face, and excellent dimensional accuracy by ensuring excellent alignment accuracy Can be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a base material for a multilayer wiring board according to one embodiment of the present invention.
FIGS. 2A to 2E are process diagrams showing an embodiment of a method for manufacturing a substrate for a multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 3A and 3B are process diagrams showing one embodiment of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to one embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a self-alignment effect obtained in the multilayer wiring board according to one embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a base material for a multilayer wiring board according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a sectional view showing a substrate for a multilayer wiring board according to another embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a sectional view showing a multilayer wiring board according to one embodiment of the present invention.
8 (a) and 8 (b) are process diagrams showing one embodiment of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to another embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a base material for a multilayer wiring board according to another embodiment of the present invention.
FIGS. 10A to 10H are process diagrams showing a conventional process for manufacturing a multilayer wiring board.
FIGS. 11 (a) to (d), (a ') to (d'), and (e) and (f) are views showing the steps of manufacturing another conventional multilayer wiring board.
FIG. 12 is a cross-sectional view showing an inner via of a conventional base material for a multilayer wiring board.
FIG. 13 is a cross-sectional view showing a process of forming protrusions in the inner via of the conventional base material for a multilayer wiring board.
FIG. 14 is a sectional view of a conventional multilayer wiring board.
[Explanation of symbols]
10 Substrate for multilayer wiring board
11 Insulating resin layer
12 Wiring pattern section
13 Adhesive layer
14 Beer Hall
15 conductive resin composition
16 Solder layer
20 Multilayer wiring board substrate
21 Polyimide film
22 Copper foil
23 Adhesive layer
24 Innavia Hall
25 small hole
26 silver paste
28 Solder layer
29 Copper land, copper circuit
30 lower copper foil
31 Copper land, copper circuit
32 Nickel plating layer
40 Substrate for multilayer wiring board
41 Insulating resin layer
42 Wiring pattern section
43 Beer Hall
44 Conductive resin composition
45 Solder layer

Claims (24)

貫通孔に導電性樹脂組成物が充填され、前記導電性樹脂組成物により層間導通を得る多層配線基板用基材であって、
前記貫通孔に充填された前記導電性樹脂組成物の端面に、はんだ層が形成されている多層配線基板用基材。
Filled with a conductive resin composition in the through-hole, a substrate for a multilayer wiring board to obtain interlayer conduction by the conductive resin composition,
A substrate for a multilayer wiring board, wherein a solder layer is formed on an end surface of the conductive resin composition filled in the through hole.
絶縁性基材の一方の面に配線パターンをなす導電層を、絶縁性基材の他方の面に層間接着のための接着層を設けられ、少なくも前記絶縁性基材と前記接着層に連続形成された貫通孔に導電性樹脂組成物を充填された多層配線基板用基材であって、
前記貫通孔に充填された前記導電性樹脂組成物の端面に、はんだ層が形成されている多層配線基板用基材。
A conductive layer forming a wiring pattern is provided on one surface of the insulating base material, and an adhesive layer for interlayer bonding is provided on the other surface of the insulating base material, and is continuous with at least the insulating base material and the adhesive layer. A substrate for a multilayer wiring board filled with a conductive resin composition in the formed through-hole,
A substrate for a multilayer wiring board, wherein a solder layer is formed on an end surface of the conductive resin composition filled in the through hole.
前記絶縁性基材はポリイミドの可撓性樹脂フィルムである請求項2記載の多層配線基板用基材。3. The substrate for a multilayer wiring board according to claim 2, wherein the insulating substrate is a polyimide flexible resin film. 前記接着層は熱可塑性ポリイミドにより構成されている請求項2または3記載の多層配線基板用基材。4. The substrate for a multilayer wiring board according to claim 2, wherein the adhesive layer is made of thermoplastic polyimide. 層間接着のための接着層を兼ねた絶縁性基材の一方の面に配線パターンをなす導電層を設けられ、少なくとも前記絶縁性基材に形成された貫通孔に導電性樹脂組成物を充填された多層配線基板用基材であって、
前記貫通孔に充填された前記導電性樹脂組成物の端面に、はんだ層が形成されている多層配線基板用基材。
A conductive layer forming a wiring pattern is provided on one surface of an insulating base material also serving as an adhesive layer for interlayer bonding, and at least a through-hole formed in the insulating base material is filled with a conductive resin composition. Substrate for a multilayer wiring board,
A substrate for a multilayer wiring board, wherein a solder layer is formed on an end surface of the conductive resin composition filled in the through hole.
前記絶縁性基材は熱可塑性ポリイミドにより構成されている請求項5記載の多層配線基板用基材。The base material for a multilayer wiring board according to claim 5, wherein the insulating base material is made of thermoplastic polyimide. 前記接着層あるいは層間接着のための接着層を兼ねた前記絶縁性基材はガラス転移温度が前記はんだ層の溶融温度より低い熱可塑性樹脂によって構成されている請求項2〜6の何れか1項記載の多層配線基板用基材。The said insulating base material which served also as the said adhesive layer or the adhesive layer for interlayer bonding is comprised by the thermoplastic resin whose glass transition temperature is lower than the melting temperature of the said solder layer. The base material for a multilayer wiring board according to the above. 前記はんだ層は、鉛、錫による共晶はんだにより構成されている請求項1〜7の何れか1項記載の多層配線基板用基材。The substrate for a multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 7, wherein the solder layer is made of a eutectic solder of lead and tin. 前記はんだ層は、鉛フリーはんだにより構成されている請求項1〜7の何れか1項記載の多層配線基板用基材。The base material for a multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 7, wherein the solder layer is made of a lead-free solder. 前記はんだ層は多層配線基板用基材の層間接着面より突出した突起層をなしている請求項1〜9の何れか1項記載の多層配線基板用基材。The substrate for a multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 9, wherein the solder layer forms a projection layer protruding from an interlayer bonding surface of the substrate for a multilayer wiring board. 前記はんだ層は蓋めっきによるものである請求項1〜10の何れか1項記載の多層配線基板用基材。The base material for a multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 10, wherein the solder layer is formed by lid plating. 前記貫通孔に充填された前記導電性樹脂組成物の他層との導通接続端面と前記はんだ層との間にニッケルめっき層が形成されている請求項1〜10の何れか1項記載の多層配線基板用基材。The multilayer according to any one of claims 1 to 10, wherein a nickel plating layer is formed between an end face of a conductive connection with another layer of the conductive resin composition filled in the through hole and the solder layer. Substrate for wiring board. 請求項1〜12の何れか1項記載の多層配線基板用基材を複数枚、重ねて接合してなる多層配線基板。A multilayer wiring board comprising a plurality of the multilayer wiring board base materials according to any one of claims 1 to 12, which are stacked and joined. 絶縁性基材の一方の面に配線パターンをなす導電層を、絶縁性基材の他方の面に層間接着のための接着層を設けられたものの、少なくも前記絶縁性基材と前記接着層に貫通孔を穿孔する穿孔工程と、
前記貫通孔に導電性樹脂組成物を充填する充填工程と、
前記貫通孔に充填された前記導電性樹脂組成物を加熱硬化する加熱硬化工程と、
硬化後の前記導電性樹脂組成物の他層との導通接続端面に、はんだ層を形成するはんだ層形成工程と、
を有する多層配線基板用基材の製造方法。
Although a conductive layer forming a wiring pattern is provided on one surface of an insulating base material, and an adhesive layer for interlayer bonding is provided on the other surface of the insulating base material, at least the insulating base material and the adhesive layer are provided. A drilling step of drilling a through hole in
A filling step of filling the through-hole with a conductive resin composition,
A heat curing step of heating and curing the conductive resin composition filled in the through hole,
A solder layer forming step of forming a solder layer on the conductive connection end face with the other layer of the conductive resin composition after curing,
A method for producing a substrate for a multilayer wiring board, comprising:
層間接着のための接着層を兼ねた絶縁性基材の一方の面に配線パターンをなす導電層を設けらたものの、少なくも前記絶縁性基材に貫通孔を穿孔する穿孔工程と、
前記貫通孔に導電性樹脂組成物を充填する充填工程と、
前記貫通孔に充填された前記導電性樹脂組成物を加熱硬化する加熱硬化工程と、
硬化後の前記導電性樹脂組成物の他層との導通接続端面に、はんだ層を形成するはんだ層形成工程と、
を有する多層配線基板用基材の製造方法。
Although a conductive layer forming a wiring pattern is provided on one surface of the insulating base material also serving as an adhesive layer for interlayer bonding, a perforation step of perforating a through hole in at least the insulating base material,
A filling step of filling the through-hole with a conductive resin composition,
A heat curing step of heating and curing the conductive resin composition filled in the through hole,
A solder layer forming step of forming a solder layer on the conductive connection end face with the other layer of the conductive resin composition after curing,
A method for producing a substrate for a multilayer wiring board, comprising:
絶縁性基材の一方の面に配線パターンをなす導電層を、絶縁性基材の他方の面に層間接着のための接着層を設けられたものの、少なくも前記絶縁性基材と前記接着層に貫通孔を穿孔する穿孔工程と、
前記貫通孔に導電性樹脂組成物を充填する充填工程と、
前記貫通孔に充填された前記導電性樹脂組成物を加熱硬化する加熱硬化工程と、
硬化後の前記導電性樹脂組成物の他層との導通接続端面に、ニッケルめっき層を形成するニッケルめっき層形成工程と、
前記ニッケルめっき層の表面に、はんだ層を形成するはんだ層形成工程と、
を有する多層配線基板用基材の製造方法。
Although a conductive layer forming a wiring pattern is provided on one surface of an insulating base material, and an adhesive layer for interlayer bonding is provided on the other surface of the insulating base material, at least the insulating base material and the adhesive layer are provided. A drilling step of drilling a through hole in
A filling step of filling the through-hole with a conductive resin composition,
A heat curing step of heating and curing the conductive resin composition filled in the through hole,
A nickel plating layer forming step of forming a nickel plating layer on a conductive connection end face with another layer of the conductive resin composition after curing,
A solder layer forming step of forming a solder layer on the surface of the nickel plating layer,
A method for producing a substrate for a multilayer wiring board, comprising:
層間接着のための接着層を兼ねた絶縁性基材の一方の面に配線パターンをなす導電層を設けらたものの、少なくも前記絶縁性基材に貫通孔を穿孔する穿孔工程と、
前記貫通孔に導電性樹脂組成物を充填する充填工程と、
前記貫通孔に充填された前記導電性樹脂組成物を加熱硬化する加熱硬化工程と、
硬化後の前記導電性樹脂組成物の他層との導通接続端面に、ニッケルめっき層を形成するニッケルめっき層形成工程と、
前記ニッケルめっき層の表面に、はんだ層を形成するはんだ層形成工程と、
を有する多層配線基板用基材の製造方法。
Although a conductive layer forming a wiring pattern is provided on one surface of the insulating base material also serving as an adhesive layer for interlayer bonding, a perforation step of perforating a through hole in at least the insulating base material,
A filling step of filling the through-hole with a conductive resin composition,
A heat curing step of heating and curing the conductive resin composition filled in the through hole,
A nickel plating layer forming step of forming a nickel plating layer on a conductive connection end face with another layer of the conductive resin composition after curing,
A solder layer forming step of forming a solder layer on the surface of the nickel plating layer,
A method for producing a substrate for a multilayer wiring board, comprising:
前記はんだ層形成工程は、電解めっき法による蓋めっきによって前記はんだ層を形成する請求項14〜17の何れか1項記載の多層配線基板用基材の製造方法。The method for manufacturing a substrate for a multilayer wiring board according to any one of claims 14 to 17, wherein the solder layer forming step forms the solder layer by lid plating using an electrolytic plating method. 前記はんだ層形成工程は、前記はんだ層を多層配線基板用基材の層間接着面より突出した突起層として形成する請求項14〜18の何れか1項記載の多層配線基板用基材の製造方法。The method for manufacturing a multilayer wiring board substrate according to any one of claims 14 to 18, wherein in the solder layer forming step, the solder layer is formed as a protruding layer projecting from an interlayer bonding surface of the multilayer wiring board substrate. . 前記接着層あるいは層間接着のための接着層を兼ねた前記絶縁性基材として、ガラス転移温度が前記はんだ層の溶融温度より低い熱可塑性樹脂を用いる請求項14〜19の何れか1項記載の多層配線基板用基材の製造方法。The thermoplastic resin having a glass transition temperature lower than the melting temperature of the solder layer is used as the insulating substrate also serving as the adhesive layer or the adhesive layer for interlayer bonding, according to any one of claims 14 to 19. A method for producing a substrate for a multilayer wiring board. 前記接着層あるいは層間接着のための接着層を兼ねた前記絶縁性基材として、熱可塑性ポリイミドを用いる請求項14〜20の何れか1項記載の多層配線基板用基材の製造方法。21. The method for producing a substrate for a multilayer wiring board according to claim 14, wherein a thermoplastic polyimide is used as the insulating substrate also serving as the adhesive layer or an adhesive layer for interlayer bonding. 前記はんだ層を、鉛、錫による共晶はんだにより構成する請求項14〜21の何れか1項記載の多層配線基板用基材の製造方法。22. The method according to claim 14, wherein the solder layer is formed of a eutectic solder of lead and tin. 前記はんだ層を、鉛フリーはんだにより構成する請求項13〜21の何れか1項記載の多層配線基板用基材の製造方法。22. The method according to claim 13, wherein the solder layer is made of lead-free solder. 請求項7記載の多層配線基板用基材を複数枚、重ね合わせ、前記はんだ層の溶融温度より高温で加熱プレスして多層配線基板を製造する多層配線基板の製造方法。A method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising: laminating a plurality of substrates for a multilayer wiring board according to claim 7, and hot-pressing at a temperature higher than a melting temperature of the solder layer to manufacture a multilayer wiring board.
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