JP2004061950A - 半導体レーザを用いたディスプレイ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ディスプレイ1は、赤色および緑色および青色のレーザ光をそれぞれ照射する3つの半導体レーザ2A,2B,2Cで一つの画素3を構成し、且つ複数の画素3を2次元に配列して画素集合体4を構成し、且つ各画素3に対応する色情報に基づいて各半導体レーザ2A,2B,2Cに対する電気入力を調整し、画素集合体4により像を表示する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ディスプレイに関する。さらに詳述すると、本発明は、光源に半導体レーザを用いたディスプレイに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のカラーディスプレイとしては、CRT(Cathode Ray Tube)、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、電界放出型ディスプレイ(Field Emission Display,FED)、等がある。
【0003】
また、特開平7−75117号公報には、赤色および緑色および青色のレーザ光を光源に用い、レーザ光を走査することで画像を表示する技術が開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、CRTは、電子銃を備える構造であるため薄型化が困難である、電子銃を走査することで画像を表示するため大画面化するとディスプレイの端のほうで画質が落ちる、等の問題がある。また、液晶ディスプレイは、構造が複雑で歩留まりが低くコストが高い、視野角が狭い、等の問題がある。また、プラズマディスプレイは、放電を利用しているため消費電力が大きい、等の問題がある。また、電界放出型ディスプレイは、寿命が短い、等の問題がある。
【0005】
また、特開平7−75117号公報に開示された技術では、レーザ光を走査しているため、CRTと同様に、薄型化が困難である、大画面化するとディスプレイの端のほうで画質が落ちる、等の問題がある。また、同号公報には、光源に半導体レーザを用いる内容が開示されているが、3原色のうちカラーディスプレイの光源として利用可能な程度に実用化されているのは青色と赤色の半導体レーザのみで、緑色の半導体レーザは現時点において実用化には至っていない。
【0006】
そこで本発明は、大画面化した場合でも、高画質であり且つ薄型化でき且つ消費電力も小さく且つ長寿命である半導体レーザを用いたディスプレイを提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するため、請求項1記載の半導体レーザを用いたディスプレイは、赤色および緑色および青色のレーザ光をそれぞれ照射する3つの半導体レーザで一つの画素を構成し、且つ複数個の前記画素を2次元に配列して画素集合体を構成し、且つ前記画素のそれぞれに対応する色情報に基づいて前記半導体レーザのそれぞれへの電気入力を調整し、前記画素集合体により像を表示するようにしている。
【0008】
したがって、ディスプレイは、TVチューナ部やコンピュータ等から入力される各画素に応する色情報に基づいて、各半導体レーザへの電気入力を調整する。これにより、各画素は赤色半導体レーザと緑色半導体レーザと青色半導体レーザの明るさに応じた色を表示し、画素集合体により所期の像(映像、動画像、静止画像等)が表示される。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の構成を図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
【0010】
図1から図6に本発明の半導体レーザを用いたディスプレイの実施の一形態を示す。このディスプレイ1は、赤色および緑色および青色のレーザ光をそれぞれ照射する3つの半導体レーザ2A,2B,2Cで一つの画素3を構成し、且つ複数の画素3を2次元に配列して画素集合体4を構成し、且つ各画素3に対応する色情報に基づいて各半導体レーザ2A,2B,2Cに対する電気入力を調整し、画素集合体4により像(映像、動画像、静止画像等であり、以下、画像と呼ぶ。)を表示するようにしている。
【0011】
各画素3は、赤色のレーザ光を照射する半導体レーザ2A(以下、赤色半導体レーザ2Aと呼ぶ)と、緑色のレーザ光を照射する半導体レーザ2B(以下、緑色半導体レーザ2Bと呼ぶ)と、青色のレーザ光を照射する半導体レーザ2C(以下、青色半導体レーザ2Cと呼ぶ)とを、1セットとして構成される。
【0012】
ディスプレイ1が備える画素数は特に限定されるものではなく、目的とされる任意の解像度を実現するための画素数を有すれば良い。例えば本実施形態では、水平方向の画素数を一定とすると共に、垂直方向の画素数を一定として、矩形状の画面を形成するようにしている。但し、本実施形態の例に必ずしも限定されるものではなく、所望の形状の画面を形成するように、画素3を配列するようにしても良い。
【0013】
1つの画素3を構成する赤色半導体レーザ2Aと緑色半導体レーザ2Bと青色半導体レーザ2Cとは、人間の視覚によって1つの画素3が3色に分かれていることを認識できず画素単位で多色表示されているように見える大きさに形成し、また配置し或いは集積することが好ましい。本実施形態においては、赤色半導体レーザ2A、緑色半導体レーザ2B、青色半導体レーザ2Cの順に、直列的に並べている。画素集合体4を構成する全ての半導体レーザは、例えば一つの基板5上に集積化される。各半導体レーザ2A,2B,2Cは、例えば面発光するように構成されていることが好ましい。
【0014】
複数の半導体レーザ2A,2B,2Cの集合である画素集合体4の発光面は、例えばスクリーン6で覆われる。このスクリーン6は、レーザ光が視聴者の肉眼に直接照射されることを防止して、視聴者の目を保護する役割を果たし、またレーザ光が衝突することで画素点を形成する画面としての役割を果たす。スクリーン6の材質としては、例えばガラス等の透明材料が好ましい。
【0015】
また、ディスプレイ1は、画素集合体4を構成する複数の半導体レーザ2A,2B,2Cを個別に駆動することができるレーザ制御部7を備えている。例えば本実施形態におけるレーザ制御部7は、基板5に電気的に接続され、各半導体レーザ2A,2B,2Cに対する電気入力を調整することで、各半導体レーザ2A,2B,2Cの明るさを0から255までの256段階で制御するようにしている。これにより、各画素3につき、赤(R)、緑(G)、青(B)の光の3原色の組み合わせで、256×256×256色(=16777216色)の表現が可能になる。本実施形態においてレーザ制御部7に入力される各画素3についての色情報は、赤色の明るさのレベルを表す0から255までの値をとるR値と、緑色の明るさのレベルを表す0から255までの値をとるG値と、青色の明るさのレベルを表す0から255までの値をとるB値との組み合わせから成るRGB値である。
【0016】
このディスプレイ1は、テレビジョン受像機の表示装置として、またはコンピュータの表示装置として、利用することができる。
【0017】
テレビジョン受像機の表示装置としてディスプレイ1を利用する場合、レーザ制御部7は、TVチューナ部8に電気的に接続される(図2参照)。TVチューナ部8は、例えば、アンテナやケーブルを介してテレビジョン信号を受信する受信部9と、当該受信部9が受信したテレビジョン信号をディスプレイ1の各画素3に対応する色情報(RGB値)に変換し且つ当該変換した各画素3の色情報(RGB値)をレーザ制御部7に入力するインターフェース部10とを少なくとも有して構成される。尚、テレビジョン信号の方式は複数種存在し得るが、目的とするテレビジョン信号の方式に対応したインターフェース部10を備えることで、任意のテレビジョン信号をディスプレイ1で表示することが可能である。
【0018】
コンピュータの表示装置としてディスプレイ1を利用する場合、レーザ制御部7は、コンピュータ11に電気的に接続される(図3参照)。コンピュータ11は、例えば、中央処理演算装置(CPU)12と、CPU12の指令に基づいてディスプレイ1の各画素3に対応する色情報(RGB値)をレーザ制御部7に入力するデバイスドライバ等のインターフェース部13を少なくとも有して構成される。
【0019】
ディスプレイ1のレーザ制御部7は、TVチューナ部8又はコンピュータ11から入力される各画素3に対応する色情報(RGB値)に基づいて、各半導体レーザ2A,2B,2Cへの電気入力を調整する。これにより、各画素3は赤色半導体レーザ2Aと緑色半導体レーザ2Bと青色半導体レーザ2Cの明るさに応じた色を表示し、画素集合体4により所期の画像が表示される。
【0020】
本発明のディスプレイ1によれば、光源である半導体レーザ2A,2B,2Cそのものが色を出すため高輝度であり、大画面化した場合でも高画質である。更に、半導体レーザ2A,2B,2Cは、低消費電力であり、ディスプレイ1の省エネルギ化にも寄与できる。更に、半導体レーザ2A,2B,2Cは、メンテナンスフリーで長寿命であるため、ビルの外の壁に取り付ける大画面ディスプレイにも適用できる。さらに、画素3をそれぞれ半導体レーザ2A,2B,2Cで構成しているので、1つの画面を分割し当該分割画面でそれぞれ別個の画像表示を行うといった制御も容易に行える。また、レーザ光線を走査しないので、走査のための機構や制御系は不要であり、ディスプレイ1を薄型化できる。
【0021】
ここで、赤色半導体レーザ2Aと青色半導体レーザ2Cとは、既に実用化されている周知または公知のものを採用して良い。一方、緑色半導体レーザ2Bには、例えば以下に説明するものの利用が好ましい。
【0022】
緑色半導体レーザ2Bは、例えば図4に示すように、基板14上にn型クラッド層15、活性層16、p型クラッド層17が順に積層された構造を有し、基板14には負電極18が、p型クラッド層17には正電極19が設けられている。活性層16の材料としては、例えば、III−V族化合物半導体材料の利用が好ましく、特に、(AlAs)m/(GaP)nを用いることが好ましい(m,nには任意の数値が入る)。また、基板14の材料としては、GaAsまたはGaAsxP(1−x)を用いることが好ましい(xには任意の数値が入る)。また、クラッド層15,17の材料としては、例えば表1に示す材料の利用が好ましい。
【0023】
【表1】
【0024】
緑色半導体レーザ2Bの活性層16は、超格子構造とすることが好ましく、特に、内部に歪を含んだ歪超格子構造とすることが好ましい。2つの異なる間接遷移型の半導体材料を、非常に薄く交互に積層させた超格子構造にすると、間接遷移型から直接遷移型に変化し、発光遷移が高くなりレーザ発振の可能性が一層高められるからである。また、格子定数が異なる材料を組み合わせた場合、正確な膜厚制御を行わないと、図5(a)に示すように、緩和型になり膜中に欠陥が発生してしまうが、膜厚制御を行うことにより、図5(b)に示すように、内部に歪を含んだ状態で欠陥も発生しない歪超格子構造を作製することができる。活性層16を歪超格子構造とすることにより、図6に示すような特性改善が期待でき、レーザ発振の可能性を一層高めることができる。
【0025】
更に、活性層16は、例えば100nm程度以下の量子効果が現れるサイズで加工し、2次元ナノサイズの量子細線の構造とすることが好ましく、3次元ナノサイズの量子ドットの構造とすることがより好ましい。この場合、量子ドットは、例えば10nm程度のサイズの箱状(サイコロ状)や円柱状とすることが好ましい。このような量子ドット構造とすることで、電子の閉じ込め効果が大きく期待でき、レーザ発振の閾値低下、スペクトルの狭窄化、効率向上などの利点を有するからである。
【0026】
歪超格子構造を作製するには、半導体薄膜を原子層の厚さで制御する必要がある。超格子構造の周期の平均的な誤差は、1原子層以下とすることが好ましい。ここでいう1原子層は、およそ0.3nmの厚さに相当する。超格子膜の積層手段としては、分子線成長(MBE)装置を用いることが好ましい。MBE装置は、超高真空中に置かれたルツボに入れた原料を加熱して、分子または原子の状態で照射することにより、薄膜を堆積させる装置である。特に、蒸気圧の高いV族元素のAsとPの制御性を高めるため、V族原料にガスを用いたガスソースMBE(GSMBE)装置の利用が好ましい。GSMBE装置は、1原子層の膜厚制御が可能であり、目標とする作製精度と結晶性を達成するために最適である。薄膜作製方法として、GSMBE法、MBE法、有機金属気層成長(MOVPE)法の主な特徴を表2に示す。
【0027】
【表2】
【0028】
結晶性評価は重要な要素であり、通常はX線回折法と透過型断面電子像観察(TEM)法が用いられる。超格子構造が設計通りに作製されているかを確認するにあたっては、X線回折法とTEM法が利用できるが、結晶内部の構造を確認するためには、より敏感であるラマン散乱法を利用することが好ましい。各測定法の特徴を表3に示す。
【0029】
【表3】
【0030】
表3に示す各測定法には、それぞれ特徴があり、作製した超格子膜の評価には、これらを併用することが、確実性が高まり好ましい。例えば、最初にX線回折による測定を行い、作製した超格子膜が設計通りの構造になっているかチェックする。次に、ラマン散乱光の測定により、超格子膜の周期性の評価を行い、フォノンの折り返り効果を確認することで超格子構造の周期性を評価する。そして、最終的に、TEMにより、格子像を観察して、超格子膜の厚さと構造の確認を行う。超格子構造の観点から見た精度として、例えばラマン散乱光の測定で折り返しによる音響フォノンによるピークが観測されることが好ましい。この場合、作製条件に対応するピーク位置が、0〜200カイザの範囲で設計通りに観測されることが好ましい。
【0031】
量子ドット作製のための超格子膜の加工方法としては、例えば表4に示す方法が挙げられる。
【0032】
【表4】
【0033】
ここで、湿式化学エッチングは、エッチング自体による超格子膜内部の損傷が無い利点はあるが、溶液がマスク下に潜り込んで余計な個所もエッチングされるサイドエッチング現象の問題があり、加工位置と加工精度が制御できずナノサイズの加工は困難である。また、イオンビームは、加工サイズの制御は可能であるが、垂直加工には、かなりの高エネルギーが必要となり、超格子膜内部の損傷が大きい。
【0034】
一方、ガスクラスターイオンビームは、アルゴンや酸素などの原料ガスを、断熱膨張によりクラスター化してイオン化し、一つのイオンで多数の原子や分子を輸送できるので、低エネルギー領域でも効率よく原子・分子を運ぶことができ、しかも無損傷加工ができる。そこで、ガスクラスターイオンビーム装置を用いて、量子ドット作製のための超格子膜の加工を行うことが好ましい。尚、サイズ揺らぎが10%以下の精度となるように加工することが好ましい。超格子構造を用いた光発光素子では、超格子構造の周期または構造が光発光素子の特性に影響を与える。超格子構造のサイズを制御することにより、発光波長を制御できるが、サイズの揺らぎがあるとナノサイズによる効果が抑制されるため、揺らぎを抑えることが重要となるからである。
【0035】
緑色半導体レーザ2Bの発光波長は、緑色に相当する波長領域(例えば530nm〜550nm)とする。尚、緑色半導体レーザ2Bの発光効率は例えば10%程度となるようにする。緑色で発光することを確認する方法としては、最も基本的な手法であるフォトノレミネッセンス(PL)法を利用することが好ましく、カソードルミネッセンス(CL)法も併用することがより好ましい。これらの測定方法の特徴を表5に示す。
【0036】
【表5】
【0037】
発光波長を測定するには、PL法が簡単であるため、例えば、最初はPL法による測定を行い、次に、場所による違いがあるかを調べるために、CL法を用いて測定することが好ましい。CL法では、電子ビームを10nm以下に絞ることが可能であり、非常に微小な領域を調べることができる。また、CL法は、通常は電子顕微鏡に組み込まれているので、高倍率の像の観察や組成分析も可能である。このため、発光波長と組成の関係をCL法により測定することができる。
【0038】
なお、上述の実施形態は本発明の好適な実施の一例ではあるがこれに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変形実施可能である。
【0039】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項1記載の半導体レーザを用いたディスプレイによれば、光源である半導体レーザそのものが色を出すため高輝度であり、大画面化した場合でも高画質である。更に、半導体レーザは、低消費電力であり、ディスプレイの省エネルギ化にも寄与できる。更に、半導体レーザは、メンテナンスフリーで長寿命であるため、ビルの外の壁に取り付ける大画面ディスプレイにも適用できる。さらに、画素をそれぞれ別個の半導体レーザで構成しているので、1つの画面を分割し当該分割画面でそれぞれ別個の画像表示を行うといった制御も容易に行える。また、レーザ光線を走査しないので、走査のための機構や制御系は不要であり、ディスプレイを薄型化できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体レーザを用いたディスプレイの実施の一形態を示す概略構成図である。
【図2】上記ディスプレイをテレビジョン受像機の表示装置として用いた場合の概略ブロック図である。
【図3】上記ディスプレイをコンピュータの表示装置として用いた場合の概略ブロック図である。
【図4】緑色半導体レーザの構造の一例を示す断面図である。
【図5】上記緑色半導体レーザの活性層における超格子構造を示す概念図であり、(a)は欠陥が発生した緩和型の超格子構造を示し、(b)は欠陥が発生しない歪型の超格子構造を示す。
【図6】歪超格子構造によって改善される特性の因果関係を示す図である。
【符号の説明】
1 ディスプレイ
2A 赤色半導体レーザ
2B 緑色半導体レーザ
2C 青色半導体レーザ
3 画素
4 画素集合体
7 レーザ制御部
Claims (1)
- 赤色および緑色および青色のレーザ光をそれぞれ照射する3つの半導体レーザで一つの画素を構成し、且つ複数個の前記画素を2次元に配列して画素集合体を構成し、且つ前記画素のそれぞれに対応する色情報に基づいて前記半導体レーザのそれぞれへの電気入力を調整し、前記画素集合体により像を表示することを特徴とする半導体レーザを用いたディスプレイ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002221598A JP2004061950A (ja) | 2002-07-30 | 2002-07-30 | 半導体レーザを用いたディスプレイ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002221598A JP2004061950A (ja) | 2002-07-30 | 2002-07-30 | 半導体レーザを用いたディスプレイ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004061950A true JP2004061950A (ja) | 2004-02-26 |
Family
ID=31941866
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002221598A Pending JP2004061950A (ja) | 2002-07-30 | 2002-07-30 | 半導体レーザを用いたディスプレイ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004061950A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009152277A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Sony Corp | 半導体レーザアレイ、発光装置、表示装置、加工装置および駆動方法 |
-
2002
- 2002-07-30 JP JP2002221598A patent/JP2004061950A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009152277A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Sony Corp | 半導体レーザアレイ、発光装置、表示装置、加工装置および駆動方法 |
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