JP2004061915A - Method for inspection mask and aligner - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド、その他のマイクロデバイス、又はフォトマスク等をリソグラフィ技術を用いて製造する際に使用されるマスクの検査方法及び露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
マイクロデバイスの製造工程の１つとして通常設けられるフォトリソグラフィー工程では、露光対象としての基板（フォトレジストが塗布された半導体ウエハやガラスプレート）にマスク又はレチクル（以下、これらを総称するときは、マスクという）に形成されたパターンの縮小像を投影露光する露光装置が用いられる。基板に形成されるパターンはマスクに形成されたパターンをほぼ忠実に縮小したものであるため、マスクには極めて高い精度をもってパターンが形成される。
【０００３】
マスクを製造した場合には、形成されたパターンが設計通りか否かを検査する必要がある。従来は、おおよそ以下の２つの検査方法を用いてマスクを検査していた。
【０００４】
第１の検査方法は、ＵＶ光（紫外光）又はＤＵＶ光（深紫外光）等の短波長光をマスクに照射し、その透過光、反射光、散乱光を検出することによりパターンが設計通りに形成されているか否かを検査する方法である。
【０００５】
第２の検査方法は、露光装置を用いて検査するマスクのパターンの縮小像をフォトレジスト等の感光剤が塗布された検査用基板に投影露光して、マスクのパターンを実際に検査用基板上に転写し、感光剤の現像を行って形成されたパターン（レジストパターン）、あるいはさらにエッチング、レジスト除去等の処理を施して形成されたパターン（エッチングパターン）の線幅、形状等を測定してパターンが設計通りに形成されているか否かを検査する方法である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年、特に半導体集積回路は微細化が要求されており、半導体集積回路を製造する際に用いられるマスクのパターンも微細化している。マスクを検査するときに、上述した第１の検査方法を用いる場合には、短波長光をマスクに照射して透過光、反射光、散乱光を検出しているため、マスクのパターンの微細化に伴って、これらの検出精度を向上させて検査精度を高める必要がある。
【０００７】
例えば、縮小倍率が１／４である投影光学系を用いて基板上に線幅７０ｎｍのパターンを転写するためには、線幅が２８０ｎｍのパターンが形成されたマスクが用いられる。このマスク上で許容可能な欠陥の大きさをパターンの線幅の３０％までとすると、最低限８４ｎｍ（＝２８０ｎｍ×０．３）の大きさの欠陥を検査することができる精度が必要となる。更に、基板に形成すべきパターンが微細化されて線幅が５０ｎｍになると、６０ｎｍの大きさの欠陥を検査しうる精度が必要になる。
【０００８】
また、第２の検査方法を用いる場合には、マスクに形成されたパターンを縮小したパターン（線幅が１／４のパターン）を直接測定しているため、必然的に第１の検査方法で必要となる精度よりも４倍程度高い精度が必要となる。
【０００９】
しかしながら、マスクに形成されたパターンを直接検出する第１の検査方法及び検査用基板上に形成されたパターンを直接測定する第２の検査方法では、パターンの微細化に伴って、必要とされる精度の実現が困難な状況になりつつあり、さらには検出不可能な状態に陥るおそれがあるという問題がある。
【００１０】
また、リソグラフィ技術を用いてフォトマスクを製造する場合には、複数枚のマスク（親マスク）に形成されたパターン（親パターン）を順次透明基板（ブランクス）に転写して製造される。このようにして製造されたフォトマスクを検査して欠陥が検出された場合には、親マスクそのものに欠陥があったのか、又はフォトマスクを製造する過程において欠陥が生じたのかを短時間で検出する必要がある。さらには、マスク上において、転写されるべき位置に各親パターンが正確に転写されているか否かを短時間で検査する必要もある。
【００１１】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、基板に形成すべきパターンが微細化しても容易且つ迅速に必要となる精度以上の精度でマスクを検査することができるマスク検査方法及びマスク検査装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
以下、この項に示す説明では、本発明を、実施形態を表す図面に示す部材符号に対応付けて説明するが、本発明の各構成要件は、これら部材符号を付した図面に示す部材に限定されるものではない。
【００１３】
前記課題を解決するために、本発明の第１の観点に係るマスク検査方法は、マスク（Ｒｉ，３４）のパターン領域に形成されたパターンを検査するマスク検査方法であって、前記パターン領域の一部をなす部分領域（ＳＡ１〜ＳＡ１６）に形成されたパターンを拡大して投影する拡大投影工程と、前記拡大投影工程で拡大投影されたパターンの像を感光基板に転写する転写工程と、前記感光基板に転写されたパターンを観察して前記マスクを検査する検査工程とを備えて構成される。
【００１４】
前記第１の観点に係る発明では、マスクのパターンが形成された領域であるパターン領域の一部をなす部分領域に形成されたパターンの拡大投影像を感光基板に転写し、該感光基板に転写された拡大パターンを観察するようにしたので、マスクに形成されるパターンが微細化しても、容易に必要となる精度以上の精度でマスクを検査することができる。
【００１５】
前記課題を解決するために、本発明の第２の観点に係るマスク検査方法は、マスク（Ｒｉ，３４）のパターン領域に形成されたパターンを検査するマスク検査方法であって、前記パターン領域の一部をなす部分領域（ＳＡ１〜ＳＡ１６）に形成されたパターンを拡大して投影する拡大投影工程と、前記拡大投影工程で拡大投影されたパターンの空間像を観察して前記マスクを検査する検査工程とを備えて構成される。
【００１６】
前記第２の観点に係る発明では、マスクのパターンが形成された領域であるパターン領域の一部をなす部分領域に形成されたパターンを拡大投影したパターンの空間像を観察するようにしたので、マスクに形成されるパターンが微細化しても、容易に必要となる精度以上の精度でマスクを検査することができる。また、空間像を観察するようにしたので、被検査パターンの感光基板への転写・形成を行う必要がなく、上述した本発明の第１の観点に係るマスク検査方法と比較して、マスクのパターンを簡易且つ容易に検査することができる。
【００１７】
前記本発明の第１及び第２の観点に係る発明において、前記部分領域を隣接する部分領域と重ならないように設定しつつ、又は前記部分領域を隣接する部分領域と互いの周辺部が重なるように設定しつつ、前記各工程を繰り返して、前記パターン領域の全体を検査するようにできる。
【００１８】
また、前記第１及び第２の観点に係る発明において、前記拡大投影工程は、前記マスクを透過した光及び前記マスクで反射された光の少なくとも一方を拡大して、前記パターンを拡大投影するようにできる。
【００１９】
前記課題を解決するために、本発明の第３の観点に係るマスク検査方法は、複数の親マスク（Ｒｉ）と、該親マスクのそれぞれに形成された親パターン（Ｐｉ）を縮小転写して形成される作業用マスク（３４）とを検査するマスク検査方法であって、前記作業用マスクのパターン領域の一部をなす部分領域に形成されたパターンを拡大して投影する拡大投影工程（Ｓ１０）と、前記拡大投影工程で拡大投影されたパターンを観察して前記作業用マスクを検査する第１検査工程（Ｓ１１）と、前記第１検査工程で欠陥が検出されたときに、拡大投影された前記作業用マスクのパターンと、当該パターンに対応する親パターンが形成された親マスクの当該親パターンとを比較し、当該パターンと当該親パターンとの一致不一致を検査する第２検査工程（Ｓ１３〜Ｓ１８）とを備えて構成される。
【００２０】
前記第３の観点に係る発明では、親マスクに形成された親パターンを縮小転写して作業用マスクを形成したときに、まず作業用マスクのパターン領域の一部をなす部分領域に形成されたパターンを拡大して観察して該作業用マスクの欠陥の有無を検査し、作業用マスクの欠陥が検出されたときに親マスクに形成されたパターンと作業用マスクに形成されたパターンとを個別に観察し、これらの一致不一致を検査しているため、作業用マスクに形成されるパターンが微細化しても、容易に必要となる精度以上の精度で作業用マスクを検査することができるとともに、作業用マスクに生じた欠陥の原因が、親マスクにあるのか又は作業用マスクにあるのかを迅速に特定することができる。また、作業用マスクの欠陥原因を迅速に特定することができるため、作業用マスクの製造効率を向上させることもできる。
【００２１】
前記第３の観点に係る発明において、前記第２検査工程は、前記作業用マスクを透過した光を拡大投影して得られるパターンと、前記親マスクを透過した光により得られる親パターンとの一致不一致を検査する透過光検査工程、及び前記作業用マスクで反射された光を拡大投影して得られるパターンと、前記親マスクで反射された光により得られる親パターンとの一致不一致を検査する反射光検査工程の少なくとも一方を含むようにできる。
【００２２】
前記第３の観点に係る発明において、前記第１検査工程を、前記拡大投影工程で拡大投影されたパターンを感光基板に転写した後、当該感光基板に転写されたパターンを観察して前記作業用マスクを検査する工程とし、又は前記拡大投影工程で拡大投影されたパターンの空間像を観察して前記作業用マスクを検査する工程とすることができる。
【００２３】
前記第３の観点に係る発明において、前記作業用マスクの部分領域に形成されたパターンの投影倍率を、前記作業用マスクを形成する際の前記親パターンの縮小倍率の逆数と実質的に等しく設定することができる。
【００２４】
前記課題を解決するために、本発明の第４の観点に係る露光装置は、第１面の像を第２面へ縮小投影する投影光学系（３）を有する露光装置であって、マスク（Ｒｉ，３４）のパターン形成面を前記投影光学系に向けて前記第２面と実質的に一致するように前記マスクを保持する第１保持装置（５）と、前記第２面から前記第１面に向かう方向に前記マスクを照明する照明装置（２００〜２０３）と、感光基板の感光面を前記投影光学系に向けて前記第１面と実質的に一致するように前記感光基板を保持する第２保持装置（２）とを備えて構成される。本発明によると、上述した本発明の第１の観点に係るマスク検査方法を実施可能な露光装置が提供される。
【００２５】
前記課題を解決するために、本発明の第５の観点に係る露光装置は、第１面の像を第２面へ縮小投影する投影光学系（３）を有する露光装置であって、マスク（Ｒｉ，３４）のパターン形成面を前記投影光学系に向けて前記第２面と実質的に一致するように前記マスクを保持する保持装置（５）と、前記第２面から前記第１面に向かう方向に前記マスクを照明する照明装置（２００〜２０３）と、前記第１面に配置され、前記投影光学系により拡大投影される前記マスクに形成されたパターンの空間像を検出する空間像検出装置（２０９）とを備えて構成される。本発明によると、上述した本発明の第２の観点に係るマスク検査方法を実施可能な露光装置が提供される。
【００２６】
前記課題を解決するために、本発明の第６の観点に係る露光装置は、第１面の像を第２面へ縮小投影する投影光学系（３）を有し、前記第１面に配置された親マスク（Ｒｉ）の親パターンを前記第２面に配置された作業用マスク（３４）に投影露光する露光装置であって、前記投影光学系の光軸に対して進退可能に構成され、前記親マスクを投影光学系の光軸上に配置する場合には、前記親マスクのパターン形成面を前記投影光学系に向けて前記第１面と実質的に一致するように保持する親マスク保持装置（２）と、前記投影光学系の光軸に対して進退可能に構成され、前記親マスクの親パターンが転写された作業用マスクを投影光学系の光軸上に配置する場合には、前記作業用マスクのパターン形成面を前記投影光学系に向けて前記第２面と実質的に一致するように前記作業用マスクを保持する作業用マスク保持装置（６）と、検出面が前記第１面と実質的に一致するように、又は前記投影光学系の光軸上に前記親マスクが配置される場合には、前記検出面が前記第１面から前記投影光学系の光軸方向にずれた位置に配置可能に構成された第１空間像検出装置（２０９）と、前記投影光学系の側方に設けられた第２空間像検出装置（２１０）と、前記パターン形成面と反対の面側から前記マスクを照明する第１照明装置（２００〜２０３）と、前記投影光学系の側方に設けられた第２照明装置（２０６，２０７）と、前記親マスク及び前記作業用マスクが前記投影光学系の光軸上に配置されている場合に、前記第２照明装置から射出された光を反射して前記親マスクの透過光を前記第１空間像検出装置に導き、前記第１照明装置から射出されて前記作業用マスク及び前記投影光学系を介した光を反射して前記第２空間像検出装置に導く可動半透過半反射部材（２０５）とを備えて構成される。本発明によると、上述した本発明の第３の観点に係るマスク検査方法を実施可能な露光装置が提供される。
【００２７】
本発明の第６の観点に係る露光装置において、前記可動半透過半反射部材は、前記作業用マスクが前記投影光学系の光軸上に配置されており、前記親マスクが前記投影光学系の光軸上に配置されていない場合に、前記第２照明装置から射出された光を反射して前記投影光学系を介して前記作業用マスクに導くとともに、前記作業用マスクで反射され前記投影光学系を介した光を透過して前記第１空間像検出装置に導くようにできる。
【００２８】
また、本発明の第６の観点に係る露光装置において、前記可動半透過半反射部材は、前記親マスクが前記投影光学系の光軸上に配置されており、前記作業用マスクが前記投影光学系の光軸上に配置されていない場合に、前記第１照明装置から射出されて前記投影光学系を介した光を透過して前記親マスクに導くとともに、前記親マスクで反射された光を反射して前記第２空間像検出装置に導くようにできる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
【００３０】
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態に係る露光装置の概略構成を示す図であり、この露光装置は、ステップ・アンド・リピート方式のスティチング型投影露光装置である。なお、以下の説明においては、図１中に示されたＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。ＸＹＺ直交座標系は、Ｘ軸及びＺ軸が紙面に対して平行となるよう設定され、Ｙ軸が紙面に対して垂直となる方向に設定されている。図中のＸＹＺ座標系は、実際にはＸＹ平面が水平面に平行な面に設定され、Ｚ軸が鉛直上方向に設定される。
【００３１】
本実施形態の露光装置は、基板４としてウエハを用いれば半導体デバイス等のマイクロデバイスを製造する工程で用いることができ、また、基板４としてブランクスを用いればマスク（レチクル）を製造する工程でも用いることができる。以下の説明においては、基板４としてブランクスを用い、複数枚のマスターレチクル（親マスク）Ｒｉに形成された親パターンを基板４に転写してワーキングレチクル（作業用マスク）を製造する場合を例に挙げて説明する。
【００３２】
図１において、光源１００からの光（ここでは、ＫｒＦエキシマレーザとする）としての紫外パルス光ＩＬ（以下、露光光ＩＬと称する）は、照明光学系１との間で光路を位置的にマッチングさせるための可動ミラー等を含むビームマッチングユニット（ＢＭＵ）１０１を通り、パイプ１０２を介して光アッテネータとしての可変減光器１０３に入射する。
【００３３】
主制御系９は基板４上のレジストに対する露光量を制御するため、光源１００との間で通信することにより、発光の開始及び停止の制御、発振周波数及びパルスエネルギーで定まる出力の制御を行うとともに、可変減光器１０３における露光光ＩＬに対する減光率を段階的又は連続的に調整する。
【００３４】
可変減光器１０３を通った露光光ＩＬは、所定の光軸に沿って配置されるレンズ系１０４、１０５よりなるビーム整形光学系を経て、オプチカル・インテグレータ（ホモジナイザー）としてのフライアイレンズ１０６に入射する。ここで、フライアイレンズ１０６を用いる代わりに、ロッドインテグレータ（内面反射型インテグレータ）あるいは回折光学素子などを採用してもよい。なお、フライアイレンズ１０６は、照度分布均一性をさらに高めるために、直列に２段配置してもよい。なお、本実施形態では、可変減光器１０３とレンズ系１０４との間に可動ミラー２００を備えるが、この可動ミラー２００の詳細は後述する。
【００３５】
フライアイレンズ１０６の射出面には開口絞り系１０７が配置されている。開口絞り系１０７には、通常照明用の円形の開口絞り、複数の偏心した小開口よりなる変形照明用の開口絞り、輪帯照明用の開口絞り等が切り換え自在に配置されている。フライアイレンズ１０６から射出されて開口絞り系１０７の所定の開口絞りを通過した露光光ＩＬは、透過率が高く反射率が低いビームスプリッタ１０８に入射する。ビームスプリッタ１０８で反射された光は光電検出器よりなるインテグレータセンサ１０９に入射し、インテグレータセンサ１０９の検出信号は不図示の信号線を介して主制御系９に供給される。
【００３６】
ビームスプリッタ１０８の透過率及び反射率は予め高精度に計測されて、主制御系９内のメモリに記憶されており、主制御系９は、インテグレータセンサ１０９の検出信号より間接的に投影光学系３に対する露光光ＩＬの入射光量をモニタできるように構成されている。
【００３７】
ビームスプリッタ１０８を透過した露光光ＩＬは、レチクルブラインド機構１１０に入射する。レチクルブラインド機構１１０は、４枚の可動式のブラインド（遮光板）１１１及びその駆動機構を備えて構成されている。これら４枚のブラインド１１１をそれぞれ適宜な位置に設定することにより、投影光学系３の視野内の略中央で矩形状の照明視野領域が形成される。また、ブラインド１１１は後述する濃度フィルタＦに形成された減光部の一部を遮光するためにも用いられる。
【００３８】
レチクルブラインド機構１１０のブラインド１１１により矩形状に整形された露光光ＩＬは、フィルタステージＦＳ上に載置された濃度フィルタＦに入射する。濃度フィルタＦは、基本的に図２（ａ）に示されているような構成である。図２（ａ）は、濃度フィルタＦの構成の一例を示す上面図である。この濃度フィルタＦは、例えば石英ガラス、またはフッ素がドープされた石英ガラスなどのような光透過性の基板上に、クロム等の遮光性材料を蒸着した遮光部１２１と、該遮光性材料を蒸着しない透光部１２２と、該遮光性材料をその存在確率を変化させながら蒸着した減光部（減衰部）１２３とを有している。
【００３９】
減光部１２３は、ドット状に遮光性材料を蒸着したもので、ドットサイズは、濃度フィルタＦを図１に示した位置に設置している状態で、本例では濃度フィルタＦとマスターレチクルＲｉとの間に配置される複数の光学素子（１１２〜１１６）を有する光学系の解像限界以下となるものである。そのドットは、内側（透光部１２２側）から外側（遮光部１２１側）に行くに従って傾斜直線的に減光率が高くなるようにその存在確率を増大させて形成されている。但し、そのドットは、内側から外側に行くに従って曲線的に減光率が高くなるようにその存在確率を増大させて形成されていてもよい。
【００４０】
なお、ドット配置方法は、同一透過率部でドットを同一ピッチＰで配置するよりも、Ｐに対して、ガウス分布をもつ乱数Ｒを各ドット毎に発生させたものを加えたＰ＋Ｒで配置するのがよい。その理由は、ドット配置によって回折光が発生し、場合によっては照明系の開口数（ＮＡ）を超えて感光基板まで光が届かない現象が起き、設計透過率からの誤差が大きくなるためである。
【００４１】
また、ドットサイズは全て同一サイズが望ましい。その理由は、複数種のドットサイズを使用していると、前述の回折による設計透過率からの誤差が発生した場合に、その誤差が複雑、即ち透過率補正が複雑になるからである。ところで、濃度フィルタの描画は、ドット形状誤差を小さくするため高加速ＥＢ描画機で描画するのが望ましく、またドット形状は、プロセスによる形状誤差が測定しやすい長方形（正方形）が望ましい。形状誤差がある場合は、その誤差量が計測可能であれば透過率補正がしやすい利点がある。
【００４２】
遮光部１２１には、複数のアライメント用のマーク１２４Ａ，１２４Ｂ，１２４Ｃ，１２４Ｄが形成されている。これらのマーク１２４Ａ，１２４Ｂ，１２４Ｃ，１２４Ｄは、図２（ａ）に示されているように、濃度フィルタＦの遮光部１２１の一部を除去して、矩形状あるいはその他の形状の開口（光透過部）１２４Ａ，１２４Ｂ，１２４Ｃ，１２４Ｄを形成して、該マークとすることができる。また、図２（ｂ）に示したマークを用いることもできる。図２（ｂ）は濃度フィルタＦに形成されるマークの一例を示す上面図である。図２（ｂ）では、複数のスリット状の開口からなるスリットマーク１２５を採用している。このスリットマーク１２５は、Ｘ方向及びＹ方向の位置を計測するために、Ｙ方向に形成されたスリットをＸ方向に配列したマーク要素と、Ｘ方向に形成されたスリットをＹ方向に配列したマーク要素とを組み合わせたものである。
【００４３】
濃度フィルタＦのＺ方向の位置、Ｚ方向のチルト量、及び投影倍率は、マーク１２４Ａ，１２４Ｂ，１２４Ｃ，１２４Ｄの位置情報を計測した結果に基づいて調整される。この計測には、例えば、試料台５に少なくとも一部が設けられ、濃度フィルタＦのマークを撮像素子で検出する装置などを用いることができる。この場合、濃度フィルタＦを光軸方向に移動して複数Ｚ位置でマーク１２４Ａ，１２４Ｂ，１２４Ｃ，１２４Ｄ又はマーク１２５を計測し、信号強度又は信号コントラストが最大となるＺ位置を求め、これをベストフォーカス位置とし、このベストフォーカス位置（投影光学系３の物体面または像面と共役な位置）又はこのベストフォーカス位置から一定量デフォーカスした位置に濃度フィルタＦを配置する。本例では濃度フィルタＦは、そのベストフォーカス位置からある一定量デフォーカスした位置に設置されている。
【００４４】
なお、濃度フィルタに設けるマークの数は４つに限られるものではなく、濃度フィルタの設定精度などに応じて少なくとも１つを設けておけばよい。さらに、本例では照明光学系の光軸と中心がほぼ一致するように濃度フィルタが配置され、その中心（光軸）に関して対称に４つのマークを設けるものとしたが、濃度フィルタに複数のマークを設けるときはその中心に関して点対称とならないようにその複数のマークを配置する、あるいはその複数のマークは点対称に配置し、別に認識パターンを形成することが望ましい。これは、照明光学系内に濃度フィルタを配置してエネルギー分布を計測した後にその濃度フィルタを取り出してその修正を加えて再設定するとき、結果として照明光学系の光学特性（ディストーションなど）を考慮して濃度フィルタの修正が行われているため、その濃度フィルタが回転して再設定されると、その修正が意味をなさなくなるためであり、元の状態で濃度フィルタを再設定可能とするためである。
【００４５】
図２（ａ）に示した濃度フィルタＦは、透光部１２２の周囲（４辺）に減光部１２３が形成されているが、マスターレチクルＲｉに形成されたパターンを転写する際に、減光部１２３の全体を常時用いている訳ではない。つまり、基板４上におけるパターンを転写すべきショット領域の位置に応じて、遮光部材としてのブラインド１１１を制御して減光部１２３の一部を遮光し、又は、遮光部１２３全体を用いている。これは、スティチング露光においては、隣り合うショット領域の重合部における露光量を一定とするために重合部の露光量を傾斜的に設定しており、隣り合うショット領域が無い場合には、その部位において傾斜的な露光量分布とする必要がないからである。図２（ａ）に示した開口部１２２の周囲に減光部１２３が形成されている濃度フィルタＦを用いる場合であって、ブラインド１１１によって減光部１２３を遮光するときには、４辺の内の１辺又は近接する２辺が遮光された状態でパターンの転写が行われる。
【００４６】
また、濃度フィルタＦとしては、上述のようなガラス基板上にクロム等の遮光性材料で減光部や遮光部を形成したもののみならず、液晶素子等を用いて遮光部や減光部の位置、減光部の減光特性を必要に応じて変更できるようにしたものを用いることもできる。この場合には、ブラインド１１１の制御が不要になるとともに、製造するマイクロデバイスの仕様上の各種の要請に柔軟に対応することができ、高効率的である。
【００４７】
フィルタステージＦＳは、保持している濃度フィルタＦをＸＹ平面内で回転方向及び並進方向に微動又は移動する。不図示のレーザ干渉計によって、フィルタステージＦＳのＸ座標、Ｙ座標、及び回転角が計測され、この計測値、及び主制御系９からの制御情報によってフィルタステージＦＳの動作が制御される。
【００４８】
濃度フィルタＦを通過した露光光ＩＬは、反射ミラー１１２を介してコンデンサレンズ系１１３及び結像レンズ系１１４に入射する。
【００４９】
結像用レンズ系１１４を介した露光光ＩＬは、反射ミラー１１５及び主コンデンサレンズ系１１６を介して、マスターレチクルＲｉの回路パターン領域上でブラインド１１１の矩形状の開口部と相似な照明領域（マスターレチクルＲｉに露光光ＩＬが照射される領域）を一様な強度分布で照射する。即ち、ブラインド１１１の開口部の配置面は、コンデンサレンズ系１１３、結像用レンズ系１１４、及び主コンデンサレンズ系１１６との合成系によってマスターレチクルＲｉのパターン形成面とほぼ共役となっている。
【００５０】
照明光学系１から射出された露光光ＩＬにより、レチクルステージ２に保持されたマスターレチクルＲｉが照明される。レチクルステージ２には、ｉ番目（ｉ＝１〜Ｎ）のマスターレチクルＲｉが保持されている。レチクルステージ２の側方に棚状のレチクルライブラリ１６ｂが配置され、このレチクルライブラリ１６ｂはＺ方向に順次配列されたＮ（Ｎは自然数）個の支持板１７ｂを有し、支持板１７ｂにマスターレチクルＲ１，…，ＲＮが載置されている。レチクルライブラリ１６ｂは、スライド装置１８ｂによってＺ方向に移動自在に支持されており、レチクルステージ２とレチクルライブラリ１６ｂとの間に、回転自在でＺ方向に所定範囲で移動できるアームを備えたローダ１９ｂが配置されている。主制御系９がスライド装置１８ｂを介してレチクルライブラリ１６ｂのＺ方向の位置を調整した後、ローダ１９ｂの動作を制御して、レチクルライブラリ１６ｂ中の所望の支持板１７ｂとレチクルステージ２との間で、所望のマスターレチクルＲ１〜ＲＬを受け渡しできるように構成されている。
【００５１】
マスターレチクルＲｉの照明領域内のパターンの像は、投影光学系３を介して縮小倍率１／α（αは、例えば「４」）で、基板４の表面に投影される。ここで、投影光学系３の露光領域は基板４上に設定されたショット領域とほぼ同じ大きさ、つまりパターンを基板４上に投影し得る大きさに設定されている。
【００５２】
レチクルステージ２は、保持しているマスターレチクルＲｉをＸＹ平面内で回転方向及び並進方向に移動する。また、レチクルステージ２は、フォトレジスト等の感光剤が塗布された感光基板を、感光剤が塗布された面を投影光学系３側に向けて保持可能に構成されている。かかる構成とするのは、基板４に形成したパターンを投影光学系３を介してレチクルステージ２上に保持された感光基板に拡大転写して基板４のパターンを検査するためである。なお、上記の感光基板は、例えばフォトレジストが塗布されたブランクス又はフォトレジストが塗布されたウエハ（半導体基板）等が挙げられる。このレチクルステージ２は、本発明にいう第２保持装置又は親マスク保持装置に相当する。
【００５３】
感光剤が塗布された感光基板をレチクルステージ２上に保持する場合には、感光基板に塗布された感光剤がレチクルステージ２に付着するのを防止するため所定形状の治具を介して保持することが好ましい。また、詳細は後述するが、レチクルステージ２上に保持された感光基板に一度に拡大転写されるパターンは、基板４に形成したパターンの一部であり、基板４に形成したパターン４を全て感光基板に転写するためには複数枚の感光基板が必要となる。このため、感光剤が塗布された感光基板を複数枚収容し、レチクルステージ２上に保持する感光基板を交換する構成（例えば、レチクルライブラリ１６ｂ、ローダ１９ｂと同様の構成）を設けることが好適である。
【００５４】
レチクルステージ２には不図示のレーザ干渉計が設けられており、このレーザ干渉計によって、レチクルステージ２のＸ座標、Ｙ座標、及び回転角が計測され、この計測値、及び主制御系９からの制御情報によってレチクルステージ２の動作が制御される。また、レチクルステージ２は、投影光学系３の光軸ＡＸ方向に移動可能に構成されるとともに、光軸ＡＸに対する角度を変更可能に構成されている。これにより、マスターレチクルＲｉのＺ方向の位置及び姿勢をそれぞれ調整することができ、例えばマスターレチクルＲｉのパターン形成面又は感光基板の感光剤が塗布された面を投影光学系３の物体面（第１面）に合わせ込むことができる。マスターレチクルＲｉのＺ方向の位置及び姿勢は、主制御系９からの制御情報によって制御される。なお、マスターレチクルＲｉのＺ方向の位置及び姿勢を検出する装置を設けることが好ましく、例えば後述するフォーカスセンサＡＦをそのまま適用してもよい。
【００５５】
一方、基板４は、基板の変形による位置ずれが起きないように、本例では３本のピンで構成されるホルダ上に無吸着またはソフト吸着され、この基板ホルダは試料台５上に固定され、試料台５は基板ステージ６上に固定されている。なお、基板ホルダとしてピンチャックホルダなどを用いて基板４を保持してもよい。試料台５及び基板ステージ６は、本発明にいう第１保持装置、保持装置、又は作業用マスク保持装置に相当する。
【００５６】
また、投影光学系３の光軸方向（Ｚ方向）に関する基板４の位置を検出する送光系ＡＦ１及び受光系ＡＦ２を有する斜入射方式の多点焦点位置検出系（以下、フォーカスセンサＡＦと呼ぶ）が設けられている。このフォーカスセンサＡＦは、投影光学系３の視野内でパターンの縮小像が投影される露光領域（ショット領域に対応）内の複数の計測点にそれぞれ光ビームを照射するとともに、基板４で反射された光をそれぞれ独立に受光して、各計測点における基板４のＺ方向の位置（本例では、所定の基準面、例えば投影光学系３の像面に対する基板４の表面の位置ずれ量）を検出するものである。
【００５７】
このフォーカスセンサＡＦの計測値は主制御系９に出力され、主制御系９はその計測値に基づいて試料台５を駆動し、基板４のフォーカス位置（光軸ＡＸ方向の位置）、及び傾斜角の制御（フォーカス及びレベリング調整）を行う。これにより、投影光学系３の露光領域内で投影光学系３の像面と基板４上の各ショット領域の表面とがほぼ合致する、即ち露光領域内でショット領域の全面が投影光学系３の焦点深度内に設定されることになる。
【００５８】
この試料台５上には位置決め用の基準マーク部材１２及び基板４上に照度分布を検出する照度分布検出センサ（いわゆる照度ムラセンサ）１２６が固定されている。また、基板ステージ６は、ベース７上で例えばリニアモータによりＸ方向、Ｙ方向に試料台５（基板４）を移動し位置決めする。ベース７内には光源１００からの露光光の一部を基板４の底面へ導いて基板４の底面側から基板４を照明するための送光系が設けられている。この送光系は、可変減光器１０３とレンズ系１０４との間に設けられた可動ミラー２００、光ファイバ２０１、レンズ２０２、及び反射ミラー２０３を含んで構成される。
【００５９】
可動ミラー２００は、露光光ＩＬの光路に進退可能に構成され、露光光ＩＬの光路上に配置された場合には、可変減光器１０３を透過した露光光ＩＬを反射する。可動ミラー２００で反射された露光光は、例えば不図示の集光光学系で集光されて光ファイバ２０１の一端から光ファイバ２０１内へ入射し、光ファイバ２０１を介してベース７内に導かれる。なお、送光系は上記の構成に限らず、リレー光学系により構成しても良い。この可動ミラー２００、光ファイバ２０１、レンズ２０２、及び反射ミラー２０３を含んで構成される送光系は、本発明にいう第１照明装置に相当する。
【００６０】
この露光光は光ファイバ２０１の他端から射出されてレンズ２０２で略平行光に変換された後、反射ミラー２０３で上方向（Ｚ方向）に反射されて、基板４の底面を照明する。なお、図１においては図示を省略しているが、反射ミラー２０３で反射された露光光を所定の形状に整形する整形板及びこの露光光の進行方向に対して直交する方向に移動可能に構成された遮光板を設けることが望ましい。
【００６１】
試料台５上に基板４としてパターンが形成されたワーキングレチクル（作業用マスク）がパターン形成面を投影光学系３と対向させて保持され、そのパターン形成面が投影光学系３の像面（第２面）に合わせ込まれており、且つ感光剤が塗布された感光基板がレチクルステージ２上に保持され、その表面（感光剤が塗布された面）が投影光学系３側に向けて投影光学系３の物体面（第１面）に合わせ込まれている状態で、送光系２００〜２０３を介して露光光ＩＬを基板４の底面から基板４に照射すると、そのパターンの一部が投影光学系３を介してレチクルステージ２に保持された感光基板に転写される。基板ステージ６をＸＹ面内で移動させると、ベース７に対して基板４のＸＹ面内の位置が変化するため、基板４の異なる位置（部分領域）が露光光ＩＬによって照明される。
【００６２】
また、試料台５の上部には移動鏡８ｍが固定されており、この移動鏡８ｍにはレーザ干渉計８が対向して配置されている。なお、図１においては、図示を簡略化しているが、移動鏡８ｍは、試料台５上においてＸ方向に延びた移動鏡とＹ方向に延びた移動鏡とが設けられており、各々の移動鏡に対向してレーザ干渉計が設けられている。レーザ干渉計８によって試料台５のＸ座標、Ｙ座標、及び回転角が計測され、この計測値がステージ制御系１０、及び主制御系９に供給されている。ステージ制御系１０は、その計測値、及び主制御系９からの制御情報に基づいて、基板ステージ６のリニアモータ等の動作を制御する。さらに、図１においては図示を省略しているが、レチクルステージ２に設けられたレーザ干渉計からの計測結果が主制御系９に供給されており、この計測結果に応じて主制御系９はレチクルステージ２のＸ座標、Ｙ座標、及び回転角、Ｚ座標、及び光軸ＡＸに対する角度を制御する。
【００６３】
次に、照度分布検出センサ１２６の詳細について説明する。図３（ａ）及び図３（ｂ）は照度分布検出センサ１２６の構成を示す図である。この照度分布検出センサ１２６は、露光光ＩＬが投影光学系３を介して照明されている状態で基板ステージ６を基板４に水平な面内で移動させることにより露光光ＩＬの空間分布、即ち露光光の強度分布（照度分布）を計測するためのものである。図３（ａ）に示すように、照度分布検出センサ１２６は、矩形（本実施形態においては正方形）状の開口５４を有する遮光板５５の下側に光電センサ５６を設けて構成され、光電センサ５６による検出信号は、主制御系９に出力される。なお、開口５４の下側に光電センサ５６を設けずに、ライトガイドなどにより光を導いて他の部分で光電センサなどにより受光量を検出するようにしてもよい。
【００６４】
遮光板５５は、通常石英等の基板にクロム（Ｃｒ）等の金属を蒸着することにより形成されるが、クロム等の金属を蒸着すると、遮光板５５上に照射された露光光の反射率が高く露光光の反射量が多くなる。その結果、遮光板５５による反射光が投影光学系３等で反射されることによりフレアが発生する。この照度分布検出センサ１２６は、基板４が露光されるときの露光光の空間分布を計測するために設けられるものであり、実際の露光時における露光光の空間分布を計測することが最も好ましい。しかし、露光光の空間分布の計測を行う際に、実際の露光時の状況と異なる状況、つまり露光光の反射量が多くなる状況があると、実際の露光時における露光光の空間分布を正確に計測することができない。
【００６５】
そこで、本実施形態においては、露光時における実際の露光光の空間分布になるべく近い計測を行うために、遮光板５５上面の反射率を、基板４の反射率とほぼ同程度として反射光による影響を低減している。遮光板５５の上面には露光光の波長域において基板４の反射率と同程度の反射率を有する膜が形成されている。この膜を実現するためには、例えば、図３（ｂ）に示すように、石英の透明基板５７上にクロム５８を蒸着し、さらにクロム５８上に酸化クロムの薄膜５９を形成し、その上に基板４に塗布されるフォトレジストと同じフォトレジスト６０を同じ膜厚で塗布してもよい。このような遮光板５５上面の反射率は、その表面に形成される膜の材質のみならず、膜厚や構成（積層数、各層厚、各層の材質等）適宜に選択することにより調整することができる。基板４に反射防止膜等が形成されている場合には、そのような条件の全てをも考慮して、該遮光板５５上面の反射率を設定する。
【００６６】
かかる照度分布検出センサ１２６を用いて、遮光板５５に形成された開口５４を通過してきた露光光を、基板ステージ６を基板４表面に水平な面内で移動させつつ計測することにより、実際の露光時における露光光の空間分布とほぼ同じ空間分布を計測することができる。
【００６７】
また、主制御系９には、磁気ディスク装置等の記憶装置１１が接続され、記憶装置１１に、露光データファイルが格納されている。露光データファイルには、マスターレチクルＲ１〜ＲＮの設計情報、マスターレチクルＲ１〜ＲＮの相互の位置関係、アライメント情報、投影光学系３の光学特性を示す情報等が記録されている。
【００６８】
投影光学系３の光学特性を示す情報は、例えば、像面の傾斜及び像面の湾曲等である。この情報は、投影光学系３の設計値から得られる情報又は露光装置を組み上げたときの投影光学系３の光学特性の実測値である。なお、温度及び気圧により投影光学系３の光学特性は変化する。このため、その光学特性を調整する機構を投影光学系３に設け、この機構により投影光学系３の光学特性を調整したときには記憶装置１１内の露光データファイルに記憶されている投影光学系３の光学特性を示す情報を更新するようにすることが好ましい。
【００６９】
本実施形態の露光装置は、複数のマスターレチクルを用いてショット間の重ね継ぎ露光を行う。ここで、マスターレチクルＲｉとこの露光装置とを用いてワーキングレチクル（作業用マスク）を製造する工程について簡単に説明する。図４は、マスターレチクルＲｉを用いてレチクル（ワーキングレチクル）を製造する際の製造工程を説明するための図である。図４中に示したワーキングレチクル３４が最終的に製造されるレチクルである。このワーキングレチクル３４は、石英ガラス等からなる光透過性の基板（ブランクス）の一面に、クロム（Ｃｒ）、ケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ２等）、又はその他のマスク材料によって転写用の原版パターン２７を形成したものである。また、その原版パターン２７を挟むように２つのアライメントマーク２４Ａ，２４Ｂが形成されている。
【００７０】
ワーキングレチクル３４は、光学式の投影露光装置の投影光学系を介して、１／β倍（βは１より大きい整数、又は半整数等であり、一例として４，５，又は６等）の縮小投影で使用されるものである。即ち、図４において、ワーキングレチクル３４の原版パターン２７の１／β倍の縮小像２７Ｗを、フォトレジストが塗布されたウエハＷ上の各ショット領域４８に露光した後、現像やエッチング等を行うことによって、その各ショット領域４８に所定の回路パターン３５が形成される。
【００７１】
図４において、まず最終的に製造される半導体デバイスのあるレイヤの回路パターン３５が設計される。回路パターン３５は直交する辺の幅がｄＸ，ｄＹの矩形の領域内に種々のライン・アンド・スペースパターン（又は孤立パターン）等を形成したものである。この実施形態では、その回路パターン３５をβ倍して、直交する辺の幅がβ・ｄＸ，β・ｄＹの矩形の領域からなる原版パターン２７をコンピュータの画像データ上で作成する。β倍は、ワーキングレチクル３４が使用される投影露光装置の縮小倍率（１／β）の逆数である。なお、反転投影されるときは反転して拡大される。
【００７２】
次に、原版パターン２７をα倍（αは１より大きい整数、又は半整数等であり、一例として４，５，又は６等）して、直交する辺の幅がα・β・ｄＸ，α・β・ｄＹの矩形の領域よりなる親パターン３６を画像データ上で作成し、その親パターン３６を縦横にそれぞれα個に分割して、α×α個の親パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３，…，ＰＮ（Ｎ＝α２）を画像データ上で作成する。図４では、α＝５の場合が示されている。なお、倍率αはワーキングレチクル３４の製造に用いられる投影露光装置の投影倍率（本例では図１中の投影光学系３の倍率）の逆数である。また、この親パターン３６の分割数αは、必ずしも原版パターン２７から親パターン３６への倍率αに合致させる必要はない。その後、それらの親パターンＰｉ（ｉ＝１〜Ｎ）について、それぞれ電子ビーム描画装置（又はレーザビーム描画装置等も使用できる）用の描画データを生成し、その親パターンＰｉをそれぞれ等倍で、親マスクとしてのマスターレチクルＲｉ上に転写する。
【００７３】
例えば、１枚目のマスターレチクルＲ１を製造する際には、石英ガラス等の光透過性の基板上にクロム、又はケイ化モリブデン等のマスク材料の薄膜を形成し、この上に電子線レジストを塗布した後、電子ビーム描画装置を用いてその電子線レジスト上に１番目の親パターンＰ１の等倍の潜像を描画する。その後、電子線レジストの現像を行ってから、エッチング、及びレジスト剥離等を施すことによって、マスターレチクルＲ１上のパターン領域２０に親パターンＰ１が形成される。
【００７４】
また、マスターレチクルＲ１上には、親パターンＰ１に対して所定の位置関係で２次元マークよりなるアライメントマーク２１Ａ，２１Ｂを形成しておく。同様に他のマスターレチクルＲｉにも、電子ビーム描画装置等を用いてそれぞれ親パターンＰｉ、及びアライメントマーク２１Ａ，２１Ｂが形成される。このアライメントマーク２１Ａ，２１Ｂは、基板又は濃度フィルタに対する位置合わせに使用される。
【００７５】
このように、電子ビーム描画装置（又はレーザビーム描画装置）で描画する各親パターンＰｉは、原版パターン２７をα倍に拡大したパターンであるため、各描画データの量は、原版パターン２７を直接描画する場合に比べて１／α２程度に減少している。さらに、親パターンＰｉの最小線幅は、原版パターン２７の最小線幅に比べてα倍（例えば５倍、又は４倍等）であるため、各親パターンＰｉは、それぞれ従来の電子線レジストを用いて電子ビーム描画装置によって短時間に、かつ高精度に描画できる。また、一度Ｎ枚のマスターレチクルＲ１〜ＲＮを製造すれば、後はそれらを繰り返し使用することによって、必要な枚数のワーキングレチクル３４を製造できるため、マスターレチクルＲ１〜ＲＮを製造するための時間は、大きな負担ではない。
【００７６】
このようにして製造されたＮ枚のマスターレチクルＲｉを用い、図１に示した露光装置でマスターレチクルＲｉの親パターンＰｉの１／α倍の縮小像を画面継ぎを行いながら転写することによりワーキングレチクル３４が製造される。
【００７７】
以上の工程を経てワーキングレチクル３４が製造されると、製造されたワーキングレチクル３４が設計通りに製造されたか否かを検査する工程が行われる。ワーキングレチクル３４の検査を行う場合には、まずワーキングレチクル３４を試料台５上（図１中の基板４が配置された位置）に保持してワーキングレチクル３４の上面（パターン形成面）を投影光学系３の像面（第２面）に合わせ込ませるとともに、レチクルステージ２上に感光基板を保持して感光基板の感光剤が塗布された面を投影光学系３の物体面（第１面）に合わせ込む。次に、可動ミラー２００を露光光ＩＬの光路上に配置して、光ファイバ２０１、レンズ２０２、及び反射ミラー２０３を介して露光光ＩＬを導き、ワーキングレチクル３４を底面側から照明する。
【００７８】
ワーキングレチクル３４が底面側から照明されると、照明された領域に形成されたパターンが投影光学系３を介することにより拡大されて（拡大投影工程）レチクルステージ２上に保持された感光基板に転写される（転写工程）。ここで、例えば、ワーキングレチクル３４に形成されたパターンの線間隔が７０ｎｍであり、投影光学系３の倍率（物体面から像面への倍率）が１／４であるとすると、レチクルステージ２上に保持された感光基板に転写されるパターンの線間隔は２８０ｎｍになる。
【００７９】
また、ワーキングレチクル３４のパターン形成領域の内、一度に転写可能な最大の面積は、レチクルステージ２上に保持された感光基板の面積の１／４である。レチクルステージ２の大きさの制限から、１枚の感光基板にワーキングレチクル３４のパターンを全て転写することは困難であるため、本実施形態では複数枚の感光基板を用意するとともに、ワーキングレチクル３４のパターン形成領域を複数の領域に分割し、各感光基板に各々の領域に形成されたパターンを転写している。
【００８０】
図５は、ワーキングレチクル３４のパターン形成領域の分割例を示す図であり、（ａ）は１６分割の分割例を示しており、（ｂ）は２５分割の分割例を示している。ワーキングレチクル３４のパターン形成領域の長さをＬ１とし、幅をＬ２とする。この領域を１６分割して部分領域ＳＡ１〜ＳＡ１６を設定すると、各部分領域ＳＡ１〜ＳＡ１６は、長さがＬ１／４であり、幅がＬ２／４となる。このように分割した場合には、パターン形成領域に形成されたパターンを全て転写するために、部分領域ＳＡ１〜ＳＡ１６各々に対して１枚の感光基板が必要になるため、計１６枚の感光基板が必要になる。
【００８１】
ところで、図５（ａ）に示すように、パターン形成領域を単純に１６等分しただけでは、各部分領域ＳＡ１〜ＳＡ１６の境界における欠陥の検査を高い精度で行うことができない場合が考えられる。このような場合には、図５（ｂ）に示すようにパターン形成領域を分割する。図５（ｂ）に示した例では、各部分領域ＳＡ１〜ＳＡ２５の大きさは、図５（ａ）に示した部分領域ＳＡ１〜ＳＡ１６の大きさと同じであり、長さがＬ１／４であり、幅がＬ２／４となる。しかしながら、図５（ｂ）においては、隣接する部分領域を重ね合わせることで、ワーキングレチクル３４のパターン形成領域を２５分割している。図５（ｂ）のように分割した場合には、各々の部分領域ＳＡ１〜ＳＡ２５に形成されたパターンを転写するために、計２５枚の感光基板が必要になるが、境界部分における欠陥の検査精度を向上することができる。
【００８２】
ワーキングレチクル３４の各部分領域に形成されたパターンを順次感光基板に転写すると、各感光基板の現像処理を行って、各感光基板に形成されたレジストパターンを観察（計測）して設計値と比較することにより、欠陥の有無を判断する（検査工程）。レジストパターンの観察は、例えばＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いて行われる。一般的にＳＥＭはパターンの像を写真に撮影するものであり、線幅の自動計測は行われていない。よって、例えば測定者がＳＥＭを用いて撮影した写真から線幅を目測で読み取る作業を行う。なお、感光基板に転写されたパターンの観察は、上記ＳＥＭを用いた方法に制限されず、パターンを感光基板に転写して得られる潜像を計測するものであってもよいが、計測精度の点を考慮するとＳＥＭで線幅の計測を行うことが好ましい。
【００８３】
以上説明した方法では、ワーキングレチクル３４のパターンを拡大して感光基板に転写し、その拡大したパターンの観察を行っているため、ワーキングレチクル３４に形成するパターンが微細化しても、観察すべき対象はそのパターンを拡大したものであるため、容易に必要となる精度以上の精度でワーキングレチクル３４を検査することができる。
【００８４】
また、本実施形態の露光装置は、ワーキングレチクル３４の検査を行うのみならず、マスターレチクルＲｉの検査を行うことも可能である。このマスターレチクルＲｉに形成されたパターンは、例えば高加速ＥＢ描画機で描画されたものである。仮に、ワーキングレチクル３４に形成されたパターンの線間隔が７０ｎｍであり、投影光学系３の倍率（物体面から像面への倍率）が１／４であるとすると、マスターレチクルＲｉに形成されるパターンの線間隔は２８０ｎｍになる。
【００８５】
このマスターレチクルＲｉの検査を行う場合には、ワーキングレチクル３４の検査を行う場合と同様に、まずマスターレチクルＲｉのパターン形成面を投影光学系３側に向けてマスターレチクルＲｉを試料台５上に保持し、このパターン形成面を投影光学系３の像面（第２面）に合わせ込ませる。また、感光剤が塗布された面を投影光学系３側に向けて感光基板をレチクルステージ２上に保持し、感光剤が塗布された面を投影光学系３の物体面（第１面）に合わせ込ませる。この状態で、可動ミラー２００を露光光ＩＬの光路上に配置して、光ファイバ２０１、レンズ２０２、及び反射ミラー２０３を介して露光光ＩＬを導き、試料台５上に保持されたマスターレチクルＲｉを底面側から照明することにより、マスターレチクルＲｉに形成されたパターンを拡大して感光基板に転写する。
【００８６】
感光基板に転写されるマスターレチクルＲｉのパターンは、その線間隔が２８０ｎｍ×４＝１１２０ｎｍになる。マスターレチクルＲｉにおいて、許容可能な欠陥の大きさがパターンの線間隔の３０％であるとすると、２８０ｎｍ×０．３＝８４ｎｍとなる。この大きさの欠陥を直接検出するのは困難であるが、本実施形態の検査方法ではマスターレチクルＲｉのパターンを拡大したパターンを観察して検査しているため、許容可能な欠陥の大きさは、８４ｎｍ×４＝３３６ｎｍとなり、欠陥検査が極めて容易になる。
【００８７】
［第２実施形態］
図６は、本発明の第２実施形態に係る露光装置の要部を示す図である。なお、本実施形態の露光装置は、基本的には図１に示した第１実施形態の露光装置とほぼ同様の構成であるが、以下に説明する構成が付加されてマスターレチクルＲｉ及びワーキングレチクル３４の透過光像及び反射光像を観察することができるように構成されている。なお、本実施形態では、試料台５上にワーキングレチクル３４が保持されている場合を例に挙げて説明し、第１実施形態において説明した部材と同一の部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００８８】
図６において、２０４は光ファイバ２０１によって導かれ、レンズ２０２及び反射ミラー２０３を介した露光光の光路に対して進退可能に構成された遮光板である。この遮光板２０４が露光光の光路上に配置されると、反射ミラー２０３で反射された露光光が遮光されてワーキングレチクル３４の底面が露光光で照明されない。これに対し、遮光板２０４を露光光の光路外に配置すると、ワーキングレチクル３４の底面が露光光で照明される。
【００８９】
本実施形態の露光装置は、レチクルステージ２と投影光学系３との間に、光路に対して進退可能に構成された可動ハーフミラー２０５を備えている。この可動ハーフミラー２０５は、レチクルステージ２と投影光学系３との間の光路（投影光学系３の光軸ＡＸ）上に配置されている状態で紙面に垂直な不図示の軸（Ｙ軸）の周りに回転可能に構成されており、入射する光を所定の割合（例えば、１対１）で透過及び反射する。なお、可動ハーフミラー２０５は、本発明にいう可動半透過半反射部材に相当する。
【００９０】
可動ハーフミラー２０５が光軸ＡＸ上に配置されている状態において、可動ハーフミラー２０５の−Ｘ方向には、光ファイバ２０６、レンズ２０７、及び遮光板２０８が配置される。光ファイバ２０６は、光源１００から射出される露光光ＩＬの一部を可動ハーフミラー２０５に導くために設けられており、光ファイバ２０６の端部から射出される露光光はレンズ２０７で略平行光に変換された後、可動ミラー２０５に入射する。なお、ここでは、光ファイバ２０６及びレンズ２０７によって露光光の一部を可動ハーフミラー２０５に導く構成を例に挙げて説明するが、リレー光学系により露光光の一部を可動ハーフミラー２０５に導く構成であっても良い。上記光ファイバ２０６及びレンズ２０７からなる構成は、本発明にいう第２照明装置に相当する。
【００９１】
遮光板２０８は光ファイバ２０６によって導かれ、レンズ２０７を介した露光光の光路に対して進退可能に構成されている。この遮光板２０８を露光光の光路上に配置するとレンズ２０７を介した露光光が遮光される。これに対し、遮光板２０８を露光光の光路外に配置すると、レンズ２０７を介した露光光が光軸ＡＸ上に配置された可動ハーフミラー２０５を照明する状態になる。
【００９２】
また、図６において、２０９は空間像計測装置であり、投影光学系３の光軸ＡＸに対して進退自在に構成されるとともに、光軸ＡＸに沿った方向（Ｚ方向）に移動可能に構成されている。前述したように、レチクルステージ２はＺ方向に移動可能に構成されているため、レチクルステージ２をＺ方向に移動させれば、空間像計測装置２０９の検出面（撮像面）が投影光学系３の物体面（第１面）とほぼ一致するように空間像計測装置２０９を配置することができる。かかる配置にすることで、投影光学系３を介して試料台５上に保持されたワーキングレチクル３４を観察（検出）することができる。なお、この空間像計測装置２０９は、本発明にいう空間像検出装置又は第１空間像検出装置に相当する。
【００９３】
また、マスターレチクルＲｉのパターン形成面が投影光学系３の物体面（第１面）とほぼ一致する位置に配置されている場合に、投影光学系３の物体面（第１面）からＺ方向に所定量だけずれた位置（例えば、図１中の照明光学系内でマスターレチクルＲｉのパターン形成面とほぼ共役な位置なども含む）にその検出面を一致させて空間像計測装置２０９を配置することもできる。この配置にすることにより、マスターレチクルＲｉを透過した光によるパターン像（パターンの透過光像）を空間像計測装置２０９で観察（検出）することができる。
【００９４】
更に、本実施形態の露光装置は、投影光学系３の側方向（光ファイバ２０６、レンズ２０７、及び光軸ＡＸ上に配置された可動ハーフミラー２０５を結ぶ線のほぼ延長線上）に、ＹＺ平面内において移動可能に構成された空間像計測装置２１０を備える。この空間像計測装置２１０は、可動ハーフミラー２０５が光軸ＡＸ上に配置されている状態における可動ハーフミラー２０５のＹ軸周りの回転量に応じて、レチクルステージ２上に保持されたマスターレチクルＲｉに形成されたパターン（親パターン）又は試料台５上に保持されたワーキングレチクル３４に形成されたパターンを観察（検出）するために設けられる。なお、この空間像検出装置２０１は、本発明にいう第２空間像検出装置に相当する。
【００９５】
空間像計測装置２０９，２１０の検出結果は、図１中の主制御系９に出力され、主制御系９において画像処理が施されて記憶装置１１内の露光データファイルに記憶されているマスターレチクルＲ１〜ＲＮの設計情報の何れか１つと比較されて欠陥の有無が判断される。
【００９６】
上記構成において、空間像計測装置２０９を用いてワーキングレチクル３４の検査を行う場合には、レチクルステージ２をＺ方向へ移動させるとともに、空間像計測装置２０９の検出面が投影光学系３の物体面（第１面）とほぼ一致するように空間像計測装置２０９を光軸ＡＸ上に配置する。図７は、空間像計測装置２０９の検出面が投影光学系の物体面とほぼ一致するように空間像計測装置２０９を配置した状態を示す図である。
【００９７】
図７に示した状態において、ワーキングレチクル３４を透過した光によるパターン像（パターンの透過光像）を観察する場合には、遮光板２０４を光ファイバ２０１で導かれた露光光の光路外へ配置するとともに、遮光板２０８を光ファイバ２０６で導かれた露光光の光路上へ配置する。この配置にすることにより、ワーキングレチクル３４が底面側のみから照明され、ワーキングレチクル３４を透過した光が、投影光学系３及びハーフミラー２０５を介して投影光学系３の物体面（第１面）に結像される（拡大投影工程）。この物体面に結像した透過光像は、ワーキングレチクル３４に形成されたパターンを拡大した像であり、この透過光像を空間像計測装置２０９によって観察（検出）する。
【００９８】
なお、本実施形態においても、光ファイバ２０１で導かれた露光光でワーキングレチクル３４のパターン形成領域全面が照明されないため、パターン形成領域の一部（例えば、図５（ａ）に示した部分領域ＳＡ１〜ＳＡ１６又は図５（ｂ）に示した部分領域ＳＡ１〜ＳＡ２５を順次照明しつつ、空間像計測装置２０９でその透過光像を観察（検出）する。また、空間像計測装置２０９の検出面の大きさよりも、投影光学系３の物体面に結像した透過光像の大きさ（ＸＹ面内における大きさ）が大きい場合には、空間像２０９をＸＹ面内で走査しつつ透過光像を観察（検出）すればよい。空間像計測装置２０９の検出結果は、図１中の主制御系９に出力されて画像処理が施され記憶装置１１内の露光データファイルに記憶されているマスターレチクルＲ１〜ＲＮの設計情報（ワーキングレチクル３４が照明されている箇所の設計情報）と比較されて欠陥の有無が判断される（検査工程）。
【００９９】
図８は、空間像計測装置２０９の検出結果とマスターレチクルの設計情報との比較方法を説明するための図である。図８（ａ）はマスターレチクルの設計情報を模式的に示す図であり、図８（ｂ）は、空間像計測装置２０９の検出結果を模式的に示す図である。図８において、斜線を付した箇所はパターンが形成された箇所であり、斜線が付されていない箇所よりも光量が少ないため信号強度が低い箇所を示している。
【０１００】
本実施形態では、図８（ｂ）に示す空間像計測装置２０９の検出結果と図８（ａ）に示すマスターレチクルの設計情報とを重ね合わせた状態で一致するか否かによって、欠陥の有無を判断している。仮に、図８（ｂ）に示すように異物の付着による欠陥パターンｄ１及びパターンの一部が欠けている欠陥パターンｄ２がある場合には、図８（ａ）に示すパターンと図８（ｂ）に示すパターンとが一致しないため欠陥があると判断される。
【０１０１】
しかしながら、透過光像のみを用いた欠陥検査のみでは検査精度が十分でない場合がある。例えば、図８（ｂ）に示した空間像計測結果２０９を得る場合であっても、図８（ｃ）に示すように、欠陥パターンｄ１の周囲を透過する光の影響（例えば、迷光等の影響）から欠陥パターンｄ１を十分に検出できないことが考えられる。
【０１０２】
この不具合を解消して検出精度を向上させるために、本実施形態においては、ワーキングレチクル３４を反射した光によるパターン像（反射光像）を観察可能に構成されている。ワーキングレチクル３４の反射光像を観察する場合には、遮光板２０４を光ファイバ２０１で導かれた露光光の光路上へ配置するとともに、遮光板２０８を光ファイバ２０６で導かれた露光光の光路外へ配置する。これによって、光ファイバ２０６で導かれてレンズ２０７を介した露光光が可動ハーフミラー２０５へ入射し、その反射光が投影光学系３を介してワーキングレチクル３４を落射照明する。なお、可動ハーフミラー２０５が固定状態にある場合には、露光光による照明位置は変化しないため、ワーキングレチクル３４上における露光光の照明位置を変える場合には基板ステージ６をＸＹ平面内で移動させる。これにより、照明される部分領域を変えることができる。
【０１０３】
ワーキングレチクル３４に露光光が照射されることにより、ワーキングレチクル３４に形成されたパターンで反射された光が投影光学系３及びハーフミラー２０５を介して投影光学系３の物体面（第１面）に結像される（拡大投影工程）。この物体面に結像した反射光像は、ワーキングレチクル３４に形成されたパターンを拡大した像であり、この反射光像を空間像計測装置２０９によって観察（検出）する。そして、この検出結果が主制御系９で画像処理されて記憶装置１１内の露光データファイルに記憶されている設計情報と比較されて欠陥の有無が判断される（検査工程）。
【０１０４】
図８（ｄ）は反射光像を考慮した（図８（ａ）に対して、いわばネガ型の）マスターレチクルの設計情報を模式的に示す図であり、図８（ｅ）は反射光像を空間像計測装置２０９で検出した結果を模式的に示す図である。図８（ｅ）に示すように、反射光像を検出する場合には、ワーキングレチクル３４に形成されたパターンによる反射光のみを検出することができ、パターンが形成されていない箇所はほぼ光が検出できないため、ワーキングレチクル３４に点状の欠陥パターンｄ１が形成されていても、透過光像を検出するときのように欠陥パターンｄ１の周囲を通過する光による影響を殆ど受けることがなく、高い精度で欠陥検査を行うことができる。
【０１０５】
なお、本実施形態において、図６に示すようにマスターレチクルＲｉのパターン形成面が投影光学系３の物体面（第１面）とほぼ一致している状態において、マスターレチクルＲｉに替えて、感光剤が塗布された面を投影光学系３側に向けて感光基板をレチクルステージ２上に保持すれば、第１実施形態と同様に、感光基板にワーキングレチクル３４の拡大パターンを実際に転写して、観察することが可能となる。この場合において、本実施形態ではワーキングレチクル３４を透過した光によるパターン及びワーキングレチクル３４で反射された光によるパターンの何れのパターンも感光基板に転写して、そのパターンを観察することができる。また、上記実施形態では、ワーキングレチクル３４の透過光像又は反射光像と、マスターレチクルＲｉの設計情報とを比較していたが、ワーキングレチクル３４の部分領域における透過光像又は反射光像と、その部分領域のパターンが形成されたマスターレチクルＲｉの透過光像又は反射光像とを比較することも可能である。
【０１０６】
［第３実施形態］
以上説明した第１、第２実施形態においては、主にマスターレチクルＲｉに形成されたパターン又はワーキングレチクル３４に形成されたパターンを拡大して感光基板に転写し、又はその空間像を観察してマスターレチクルＲｉ単体又はワーキングレチクル３４単体の欠陥を検査する場合について説明した。以下に示す第３実施形態では、複数枚のマスターレチクルＲｉに形成されたパターンを基板４に転写して製造されたワーキングレチクル３４の欠陥の原因を特定することができる検査方法について説明する。なお、本実施形態では、図７に示す構成の露光装置が用いられる。
【０１０７】
ワーキングレチクル３４を製造したときに欠陥が生ずる原因として以下の２つが考えられる。第１の原因は、マスターレチクルＲｉに形成された親パターンそのものの欠陥又はマスターレチクルＲｉに形成されたパターンを基板４に転写する際にマスターレチクルＲｉに付着したゴミに起因するものである。また、第２の原因は、マスターレチクルＲｉに形成されたパターンを順次基板４に転写するときに、マスターレチクルＲｉの交換順序が間違って設定されていることである。本実施形態では、上述した第２実施形態の露光装置（図１及び図６参照）を用いて上記の２つの原因の特定を一連の検査シーケンスで迅速に行っている。
【０１０８】
図９は、本発明の第３実施形態によるマスク検査方法の工程の概略を示すフローチャートである。本実施形態では、まず、上述した第２実施形態の検査方法を用いて、ワーキングレチクル３４の透過光像又は反射光像が観察される（工程Ｓ１０：拡大投影工程、第１検査工程）。
【０１０９】
つまり、図７に示すように、ワーキングレチクル３４を試料台５上に保持するとともに、空間像計測装置２０９の検出面が投影光学系３の物体面（第１面）とほぼ一致するように空間像計測装置２０９を配置する。かかる配置に設定した後で、透過光像を観察する場合には、遮光板２０８を光ファイバ２０６で導かれた露光光の光路上に配置するとともに、遮光板２０４を光ファイバ２０１で導かれた露光光の光路外に配置し、ワーキングレチクル３４のある部分領域を底面側からのみ照明する。そして、照明された領域に形成されたパターンの像（透過光像）が投影光学系３を介することにより拡大される（拡大投影工程）ため、この拡大された透過光像を空間像検出装置２０９で観察（検出）する。
【０１１０】
なお、ワーキングレチクル３４は、図１に示す露光装置を用いて製造されているため、ワーキングレチクル３４に形成されるパターンの縮小倍率（この縮小倍率は、マスターレチクルＲｉに形成されたパターンに対するものである）は投影光学系３の縮小倍率となる。一方、空間像検出装置２０９で観察（検出）される透過光像は、ワーキングレチクル３４の一部のパターンを投影光学系３で拡大したものとなるため、拡大された透過光像はマスターレチクルＲｉに形成されたパターンとほぼ同じ大きさとなる。
【０１１１】
一方、反射光像を観察する場合には、遮光板２０４を光ファイバ２０１で導かれた露光光の光路上に配置するとともに、遮光板２０８を光ファイバ２０６で導かれた露光光の光路外に配置し、投影光学系３を介してワーキングレチクル３４のある部分領域を照明する。そして、ワーキングレチクル３４の反射光によるパターンの像（反射光像）が投影光学系３を介することにより拡大される（拡大投影工程）ため、この拡大されたパターン（反射光像）を空間像検出装置２０９で観察（検出）する。
【０１１２】
ワーキングレチクル３４の透過光像又は反射光像の観察（検出）が終了すると、主制御系９は、これらの検出結果と記憶装置９に記憶されたマスターレチクルＲｉの設計値との比較によりワーキングレチクル３４を検査する（工程Ｓ１１：第１検査工程）。
【０１１３】
以上の工程が終了すると、主制御系９はワーキングレチクル３４における欠陥の有無を判断する（工程Ｓ１２）。その結果、欠陥が無いと判断した場合、つまりワーキングレチクル３４の透過光像又は反射光像の検出結果とマスターレチクルＲｉの設計値とが一致すると判断した場合（判断結果が「ＮＯ」の場合）には検査工程を終了する。
【０１１４】
一方、工程Ｓ１２において、主制御系９がワーキングレチクル３４の透過光像又は反射光像の検出結果とマスターレチクルＲｉの設計値とが不一致であり、欠陥が有ると判断した場合（判断結果が「ＹＥＳ」の場合）には、マスターレチクルＲｉの透過光像とワーキングレチクル３４の透過光像とを個別に観察する工程が行われる（工程Ｓ１３：第２検査工程、透過光検査工程）。
【０１１５】
図１０は、本発明の第３実施形態において、マスターレチクル及びワーキングレチクルの透過光像を個別に観察するときの露光装置の装置状態を示す図である。マスターレチクル及びワーキングレチクルの透過光像を個別に観察するときには、図１０に示すように、レチクルステージ２上に保持されたマスターレチクルＲｉに関して、そのパターン形成面が投影光学系３に向けて投影光学系３の物体面（第１面）とほぼ一致するように配置するとともに、投影光学系３の光軸ＡＸ上であって、投影光学系３の物体面（第１面）からＺ方向にずれた位置（例えば、図１中の照明光学系内でマスターレチクルＲｉのパターン形成面とほぼ共役な位置なども含む）にその検出面を一致させて空間像計測装置２０９を配置する。
【０１１６】
また、光ファイバ２０６によって導かれてＸ方向へ進む露光光がマスターレチクルＲｉ側へ反射され、ワーキングレチクル３４及び投影光学系３を介してＺ方向へ進む露光光が空間像計測装置２１０側へ反射されるように、可動ハーフミラー２０５の位置決めを行う。なお、レチクルステージ２上に配置されたマスターレチクルＲｉは、ワーキングレチクル３４を製造する際に用いたものの１つであって、光ファイバ２０１によって導かれた露光光がワーキングレチクル３４を照明する位置に形成されたパターンと同様の親パターンが形成されているものである。
【０１１７】
露光装置を図１０に示す状態に設定した後で、遮光板２０４を光ファイバ２０１で導かれた露光光の光路上に配置するとともに、遮光板２０８を光ファイバ２０６で導かれた露光光の光路外に配置する。かかる配置にすることで、光ファイバ２０６によって導かれた露光光がマスターレチクルＲｉを照明する状態になり、マスターレチクルＲｉの透過光像を空間像計測装置２０９を用いて観察（検出）する。
【０１１８】
マスターレチクルＲｉの透過光像の観察（検出）が終了すると、遮光板２０４を光ファイバ２０１で導かれた露光光の光路外に配置するとともに、遮光板２０８を光ファイバ２０６で導かれた露光光の光路上に配置して光ファイバ２０１によって導かれた露光光でワーキングレチクル３４が底面側から照明される状態にする。そして、投影光学系３を介して可動ハーフミラー２０５で反射されたワーキングレチクル３４の透過光像（拡大された像）を空間像計測装置２１０で観察（検出する）。
【０１１９】
マスターレチクルＲｉ及びワーキングレチクル３４の透過光像の観察（検出）が終了すると、主制御系９は空間像計測装置２０９，２０１の検出結果に対して画像処理を施した後に比較し、各々のパターンが一致するか否かを判断する（工程Ｓ１４：第２検査工程）。各々のパターンが一致すると判断した場合（工程Ｓ１３の判断結果が「ＹＥＳ」の場合）には、ワーキングレチクル３４における欠陥の原因が、マスターレチクルＲｉに形成された親パターンそのものの欠陥又はマスターレチクルＲｉに形成されたパターンを基板４に転写する際にマスターレチクルＲｉに付着したゴミに起因するものであることを特定する（工程Ｓ１５）。
【０１２０】
つまり、工程Ｓ１０〜Ｓ１２においてワーキングレチクル３４に形成されたパターンがマスターレチクルＲｉの設計情報と異なっていると判断され、工程Ｓ１３，Ｓ１４においてワーキングレチクル３４に形成されたパターンとマスターレチクルＲｉに形成されたパターンとが一致していると判断された場合には、ワーキングレチクル３４に欠陥が生じた原因がマスターレチクルＲｉに起因するものであることが特定される。
【０１２１】
ワーキングレチクル３４の欠陥の原因が特定された後において、ワーキングレチクル３４の欠陥を容易に修正することができず、ワーキングレチクル３４の再パターニングが必要な場合には、欠陥のあるマスターレチクルＲｉに形成された親パターンを修正し、又は、マスターレチクルＲｉの洗浄を行って付着しているゴミを除去した後で、再度図１に示す露光装置を用いてマスターレチクルＲｉを用いたワーキングレチクル３４の製造（パターニング）が行われる。
【０１２２】
一方、マスターレチクルＲｉのパターンとワーキングレチクル３４のパターンとが不一致であると主制御系９が判断した場合（工程Ｓ１３の判断結果が「ＮＯ」の場合）には、マスターレチクルＲｉの反射光像とワーキングレチクル３４の反射光像とを個別に観察する工程が行われる（工程Ｓ１６：第２検査工程、反射光検査工程）。ここで、マスターレチクルＲｉの反射光像とワーキングレチクル３４の反射光像とを個別に観察する工程を行うのは、図８（ｃ）を参照して説明したように、透過光像の観察のみでは検出できない欠陥がある場合があり、欠陥検査の精度が高くないからである。
【０１２３】
図１１は、本発明の第３実施形態において、ワーキングレチクルの反射光像を観察するときの露光装置の装置状態を示す図である。ワーキングレチクルの反射光像を観察するときには、図１１に示すように、空間像計測装置２０９の検出面が投影光学系３の物体面（第１面）とほぼ一致するように空間像計測装置２０９を光軸ＡＸ上に配置し、光ファイバ２０６で導かれた露光光が投影光学系３側へ反射されるように可動ハーフミラー２０５を位置決めし、更に遮光板２０４を光ファイバ２０１で導かれた露光光の光路上に配置するとともに、遮光板２０８を光ファイバ２０６で導かれた露光光の光路外に配置する。
【０１２４】
以上の配置にすることで、光ファイバ２０６によって導かれた露光光が可動ハーフミラー２０５で反射された後、投影光学系３を介してワーキングレチクル３４のある部分領域を照明する。そして、ワーキングレチクル３４の反射光によるパターンの像（反射光像）は投影光学系３を介することにより拡大され、可動ハーフミラー２０５を介して投影光学系３の物体面（第１面）に結像する。この物体面に結像した反射光像を空間像計測装置２０９によって観察（検出）する。
【０１２５】
ワーキングレチクル３４の反射光像の観察が終了すると、次にマスターレチクルＲｉの反射光像の観察が行われる。図１２は、本発明の第３実施形態において、マスターレチクルの反射光像を観察するときの露光装置の装置状態を示す図である。マスターレチクルの反射光像を観察するときには、図１１に示した状態から図１２に示すように、試料台５上に保持されていたワーキングレチクル３４を搬出するとともに、空間像計測装置２０９を移動させて、観察すべきマスターレチクルＲｉをレチクルステージ２上に保持する。このとき、マスターレチクルＲｉは、親パターンが形成されている面が投影光学系３側に向くようにレチクルステージ２上に保持され、この面が投影光学系３の物体面（第１面）と一致するように配置される。
【０１２６】
以上の配置が完了した後で、遮光板２０４を光ファイバ２０１で導かれた露光光の光路外に配置するとともに、遮光板２０８を光ファイバ２０６で導かれた露光光の光路上に配置する。かかる配置にすることで、光ファイバ２０１で導かれた露光光は反射ミラー２０３で反射された後、投影光学系３及び可動ハーフミラー２０５を介してマスターレチクルＲｉを照明する状態になる。マスターレチクルＲｉの反射光によるパターンの像（反射光像）は可動ハーフミラー２０５で反射された後、空間像計測装置２１０によって観察（検出）される。
【０１２７】
マスターレチクルＲｉ及びワーキングレチクル３４の反射光像の観察（検出）が終了すると、主制御系９は空間像計測装置２０９，２０１の検出結果に対して画像処理を施した後に比較し、各々のパターンが一致するか否かを判断する（工程Ｓ１７：第２検査工程）。各々のパターンが一致すると判断した場合（工程Ｓ１７の判断結果が「ＹＥＳ」の場合）には、工程Ｓ１４における判断結果が「ＹＥＳ」の場合と同様に、ワーキングレチクル３４における欠陥の原因が、マスターレチクルＲｉに形成された親パターンそのものの欠陥又はマスターレチクルＲｉに形成されたパターンを基板４に転写する際にマスターレチクルＲｉに付着したゴミに起因するものであることを特定する（工程Ｓ１５）。
【０１２８】
そして、工程Ｓ１５でワーキングレチクル３４の欠陥の原因が特定された後において、ワーキングレチクル３４の欠陥を容易に修正することができず、ワーキングレチクル３４の再パターニングが必要な場合には、欠陥のあるマスターレチクルＲｉに形成された親パターンを修正し、又はマスターレチクルＲｉの洗浄を行って付着しているゴミを除去した後に、再度図１に示す露光装置を用いてマスターレチクルＲｉを用いたワーキングレチクル３４の製造（パターニング）が行われる。
【０１２９】
一方、マスターレチクルＲｉのパターンとワーキングレチクル３４のパターンとが不一致であると主制御系９が判断した場合（工程Ｓ１７の判断結果が「ＮＯ」の場合）には、ワーキングレチクル３４における欠陥の原因が、マスターレチクルＲｉ以外の原因であって、ワーキングレチクルの製造プロセスに起因するもの（マスターレチクルＲｉに形成されたパターンを順次基板４に転写するときに、マスターレチクルＲｉの交換順序が間違って設定されていること）であると特定する（工程Ｓ１８）。
【０１３０】
このようにして、本実施形態では、複数枚のマスターレチクルＲｉを用いて製造されたワーキングレチクル３４の欠陥を迅速に特定している。なお、以上の実施形態では、ワーキングレチクルの透過光像又は反射光像の検査（図９中の工程Ｓ１０〜Ｓ１３）において空間像計測装置２０９で観察を行っているが、空間像計測装置２０９による観察に代えて、第１実施形態のようにワーキングレチクルの透過光像又は反射光像によるパターンを感光基板に転写して検査することも可能である。しかしながら、検査の効率の観点からは空間像計測装置２０９を用いて観察を行うことが好ましい。
【０１３１】
なお、上述した実施の形態では、図５に示すように部分領域の形状は矩形状としているが、必ずしも矩形状である必要はなく、例えば、５角形、６角形、その他の多角形とすることができる。また、各部分領域が同一形状である必要もなく、異なる形状や大きさとすることができる。さらに、画面継ぎが行われる部分の形状も、長方形である必要はなく、ジグザグ帯状、蛇行帯状、その他の形状とすることができる。また、本願明細書中における「画面継ぎ」とは、パターン同士をつなぎ合わせることのみならず、パターンとパターンとを所望の位置関係で配置することをも含む意味である。
【０１３２】
上述した実施形態では露光用照明光としてＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）を用いているが、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）、又はＡｒ２レーザ光（波長１２６ｎｍ）などを用いることができる。Ｆ２レーザを光源とする露光装置では、例えば投影光学系として反射屈折光学系が採用されるとともに、照明光学系や投影光学系に使われる屈折光学部材（レンズエレメント）は全て蛍石とされ、かつレーザ光源、照明光学系、及び投影光学系内の空気は、例えばヘリウムガスで置換されるとともに、照明光学系と投影光学系との間、及び投影光学系と基板との間などもヘリウムガスで満たされる。
【０１３３】
Ｆ２レーザを用いる露光装置では、レチクルや濃度フィルタは、蛍石、フッ素がドープされた合成石英、フッ化マグネシウム、ＬｉＦ、ＬａＦ３、リチウム・カルシウム・アルミニウム・フロライド（ライカフ結晶）又は水晶等から製造されたものが使用される。
【０１３４】
エキシマレーザの代わりに、例えば波長２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍのいずれかに発振スペクトルを持つＹＡＧレーザなどの固体レーザの高調波を用いるようにしてもよい。
【０１３５】
また、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザを、例えばエルビウム（又はエルビウムとイットリビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いてもよい。
【０１３６】
例えば、単一波長レーザの発振波長を１．５１〜１．５９μｍの範囲内とすると、発生波長が１８９〜１９９ｎｍの範囲内である８倍高調波、又は発生波長が１５１〜１５９ｎｍの範囲内である１０倍高調波が出力される。特に発振波長を１．５４４〜１．５５３μｍの範囲内とすると、１９３〜１９４ｎｍの範囲内の８倍高調波、即ちＡｒＦエキシマレーザとほぼ同一波長となる紫外光が得られ、発振波長を１．５７〜１．５８μｍの範囲内とすると、１５７〜１５８ｎｍの範囲内の１０倍高調波、即ちＦ２レーザとほぼ同一波長となる紫外光が得られる。
【０１３７】
発振波長を１．０３〜１．１２μｍの範囲内とすると、発生波長が１４７〜１６０ｎｍの範囲内である７倍高調波が出力され、特に発振波長を１．０９９〜１．１０６μｍの範囲内とすると、発生波長が１５７〜１５８ｎｍの範囲内の７倍高調波、即ちＦ２レーザとほぼ同一波長となる紫外光が得られる。なお、単一波長発振レーザとしてはイットリビウム・ドープ・ファイバーレーザを用いる。また、レーザプラズマ光源、又はＳＯＲから発生する軟Ｘ線領域、例えば波長１３．４ｎｍ、又は１１．５ｎｍのＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光を用いるようにしてもよい。さらに、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いてもよい。
【０１３８】
また、本発明は、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置のみならず、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置にも適用することが可能である。投影光学系は、反射光学系、屈折光学系、及び反射屈折光学系のいずれを用いてもよい。
【０１３９】
さらに、半導体素子の製造又はレチクルの製造に用いられる露光装置だけでなく、液晶表示素子などを含むディスプレイの製造に用いられる、デバイスパターンをガラスプレート上に転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられる、デバイスパターンをセラミックウエハ上に転写する露光装置、撮像素子（ＣＣＤなど）、マイクロマシン、及びＤＮＡチップなどの製造に用いられる露光装置等にも本発明を適用することができる。
【０１４０】
このような露光装置では、デバイスパターンが転写される被露光基板（デバイス基板）が真空吸着又は静電吸着などによって基板ステージ６上に保持される。ところで、ＥＵＶ光を用いる露光装置では反射型マスクが用いられ、電子線露光装置などでは透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられるので、マスクの原版としてはシリコンウエハなどが用いられる。
【０１４１】
複数のレンズから構成される照明光学系、投影光学系を露光装置本体に組み込み光学調整をするとともに、多数の機械部品からなるレチクルステージや基板ステージを露光装置本体に取り付けて配線や配管を接続し、さらに総合調整（電気調整、動作確認等）をすることにより本実施形態の露光装置を製造することができる。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルーム内で行うことが望ましい。
【０１４２】
半導体集積回路は、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいて、レチクルを製造するステップ、シリコン材料からウエハを製造するステップ、上述した実施形態の露光装置等によりレチクルのパターンをウエハに露光転写するステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、検査ステップ等を経て製造される。
【０１４３】
なお、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができることは言うまでもない。
【０１４４】
【発明の効果】
本発明によると、マスクのパターン領域の一部を拡大して感光基板に転写し、その拡大したパターンを観察し、又は拡大したパターンの空間像を観察するようにしたので、マスクに形成されるパターンが微細化しても、容易に必要となる精度以上の精度でマスクを検査することができるという効果がある。
【０１４５】
また、本発明によると、親マスクに形成された親パターンを縮小転写して作業用マスクを形成したときに、まず作業用マスクのパターン領域の一部を拡大して観察して作業用マスクの欠陥の有無を検査し、作業用マスクの欠陥が検出されたときに親マスクに形成されたパターンと作業用マスクに形成されたパターンとを個別に観察し、これらの一致不一致を検査しているので、作業用マスクに形成されるパターンが微細化しても、容易に必要となる精度以上の精度で作業用マスクを検査することができるとともに、作業用マスクに生じた欠陥の原因が、親マスクにあるのか又は作業用マスクにあるのかを迅速に特定することができるという効果がある。作業用マスクの欠陥原因を迅速に特定することができるため、作業用マスクの製造効率を向上させることもできるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る露光装置の概略構成を示す図である。
【図２】濃度フィルタの構成の一例を示す上面図（ａ）及び濃度フィルタに形成されるマークの一例を示す図（ｂ）である。
【図３】照度分布検出センサの構成を示す図である。
【図４】マスターレチクルを用いてレチクル（ワーキングレチクル）を製造する際の製造工程を説明するための図である。
【図５】ワーキングレチクルのパターン形成領域の分割例を示す図であり、（ａ）は１６分割の分割例を示しており、（ｂ）は２５分割の分割例を示している。
【図６】本発明の第２実施形態に係る露光装置の要部を示す図である。
【図７】空間像計測装置の検出面が投影光学系の物体面とほぼ一致するように空間像計測装置を配置した状態を示す図である。
【図８】空間像計測装置の検出結果とマスターレチクルの設計情報との比較方法を説明するための図である。
【図９】本発明の第３実施形態によるマスク検査方法の工程の概略を示すフローチャートである。
【図１０】本発明の第３実施形態において、マスターレチクル及びワーキングレチクルの透過光像を個別に観察するときの露光装置の装置状態を示す図である。
【図１１】本発明の第３実施形態において、ワーキングレチクルの反射光像を観察するときの露光装置の装置状態を示す図である。
【図１２】本発明の第３実施形態において、マスターレチクルの反射光像を観察するときの露光装置の装置状態を示す図である。
【符号の説明】
２…レチクルステージ（第２保持装置、親マスク保持装置）
３…投影光学系
５…試料台（第１保持装置、保持装置、作業用マスク保持装置）
６…基板ステージ（第１保持装置、保持装置、作業用マスク保持装置）
３４…ワーキングレチクル（作業用マスク）
２００…可動ミラー（第１照明装置）
２０１…光ファイバ（第１照明装置）
２０２…レンズ（第１照明装置）
２０３…反射ミラー（第１照明装置）
２０５…可動ハーフミラー（可動半透過半反射部材）
２０６…光ファイバ（第２照明装置）
２０７…レンズ（第２照明装置）
２０９…空間像計測装置（空間像計測装置、第１空間像検出装置）
２１０…空間像計測装置（第２空間像検出装置）
Ｐｉ…親パターン
Ｒｉ…マスターレチクル（親マスク）[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a mask inspection method and an exposure apparatus used when manufacturing a semiconductor integrated circuit, a liquid crystal display element, a thin film magnetic head, other micro devices, a photomask, or the like by using a lithography technique.
[0002]
[Prior art]
In a photolithography process usually provided as one of the manufacturing processes of a micro device, a mask or a reticle (hereinafter, collectively referred to as a mask) on a substrate to be exposed (a semiconductor wafer or a glass plate coated with a photoresist). An exposure apparatus for projecting and exposing a reduced image of a pattern formed in the above-described manner is used. Since the pattern formed on the substrate is substantially faithfully reduced from the pattern formed on the mask, the pattern is formed on the mask with extremely high precision.
[0003]
When a mask is manufactured, it is necessary to inspect whether the formed pattern is as designed. Conventionally, a mask is inspected using the following two inspection methods.
[0004]
The first inspection method irradiates a mask with short-wavelength light such as UV light (ultraviolet light) or DUV light (deep ultraviolet light), and detects the transmitted light, reflected light, and scattered light so that the pattern is as designed. This is a method for inspecting whether or not it has been formed.
[0005]
In the second inspection method, a reduced image of a mask pattern to be inspected using an exposure apparatus is projected and exposed on an inspection substrate coated with a photosensitive agent such as a photoresist, and the mask pattern is actually exposed on the inspection substrate. And the line width and shape of a pattern formed by developing a photosensitive agent (resist pattern) or a pattern formed by further processing such as etching and resist removal (etched pattern) are measured. This is a method for inspecting whether a pattern is formed as designed.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
In recent years, in particular, miniaturization of a semiconductor integrated circuit has been required, and the pattern of a mask used when manufacturing the semiconductor integrated circuit has also been miniaturized. When using the above-described first inspection method when inspecting a mask, the mask is irradiated with short-wavelength light to detect transmitted light, reflected light, and scattered light. Accordingly, it is necessary to improve the detection accuracy by increasing the detection accuracy.
[0007]
For example, in order to transfer a pattern having a line width of 70 nm onto a substrate using a projection optical system having a reduction magnification of 1/4, a mask having a pattern having a line width of 280 nm is used. Assuming that the size of a defect allowable on this mask is up to 30% of the line width of the pattern, it is necessary to have an accuracy capable of inspecting a defect having a size of at least 84 nm (= 280 nm × 0.3). . Further, when a pattern to be formed on a substrate is miniaturized to have a line width of 50 nm, an accuracy capable of inspecting a defect having a size of 60 nm is required.
[0008]
In the case where the second inspection method is used, a pattern (a pattern having a line width of 1/4) obtained by reducing a pattern formed on a mask is directly measured. Accuracy about four times higher than required accuracy is required.
[0009]
However, the first inspection method for directly detecting a pattern formed on a mask and the second inspection method for directly measuring a pattern formed on an inspection substrate are required as the pattern becomes finer. There is a problem that it is becoming difficult to achieve the accuracy, and there is a possibility that the state may fall into an undetectable state.
[0010]
In the case of manufacturing a photomask by using a lithography technique, the photomask is manufactured by sequentially transferring patterns (parent patterns) formed on a plurality of masks (parent masks) to a transparent substrate (blanks). When a defect is detected by inspecting the photomask manufactured in this way, it is quickly detected whether the parent mask itself has a defect or a defect has occurred in the process of manufacturing the photomask. There is a need to. Further, it is necessary to inspect in a short time whether or not each parent pattern is accurately transferred to a position to be transferred on the mask.
[0011]
The present invention has been made in view of such a point, and a mask inspection method and a mask inspection method capable of easily and quickly inspecting a mask with an accuracy higher than required accuracy even when a pattern to be formed on a substrate is miniaturized. An object of the present invention is to provide a mask inspection apparatus.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
Hereinafter, in the description given in this section, the present invention will be described in association with member numbers shown in the drawings representing the embodiments, but each constituent requirement of the present invention is limited to the members shown in the drawings with these member numbers. It is not done.
[0013]
In order to solve the above problem, a mask inspection method according to a first aspect of the present invention is a mask inspection method for inspecting a pattern formed in a pattern region of a mask (Ri, 34), wherein An enlarging and projecting step of enlarging and projecting a pattern formed in a partial area (SA1 to SA16) forming a part, a transferring step of transferring an image of the pattern enlarged and projected in the enlarging and projecting step to a photosensitive substrate, An inspection step of observing the pattern transferred to the photosensitive substrate and inspecting the mask.
[0014]
In the invention according to the first aspect, an enlarged projection image of a pattern formed in a partial region that is a part of a pattern region that is a region where a mask pattern is formed is transferred to a photosensitive substrate, and transferred to the photosensitive substrate. Since the enlarged pattern is observed, even if the pattern formed on the mask is miniaturized, the mask can be easily inspected with an accuracy higher than the required accuracy.
[0015]
In order to solve the above-mentioned problem, a mask inspection method according to a second aspect of the present invention is a mask inspection method for inspecting a pattern formed in a pattern area of a mask (Ri, 34). An enlargement projection step of enlarging and projecting a pattern formed in a partial area (SA1 to SA16) forming a part, and an inspection for inspecting the mask by observing a spatial image of the pattern enlarged and projected in the enlargement projection step And a process.
[0016]
In the invention according to the second aspect, a spatial image of a pattern obtained by enlarging and projecting a pattern formed in a partial region that is a part of a pattern region that is a region where a mask pattern is formed is observed. Even if the pattern formed on the mask is miniaturized, the mask can be easily inspected with an accuracy higher than the required accuracy. In addition, since the aerial image is observed, it is not necessary to transfer and form the pattern to be inspected to the photosensitive substrate. Compared with the mask inspection method according to the first aspect of the present invention, the mask inspection method The pattern can be inspected simply and easily.
[0017]
In the invention according to the first and second aspects of the present invention, the partial region is set so as not to overlap with an adjacent partial region, or the partial region overlaps with an adjacent partial region so that peripheral portions of the adjacent partial regions overlap with each other. The above steps can be repeated while setting the pattern area to inspect the entire pattern area.
[0018]
In the inventions according to the first and second aspects, the enlarging and projecting step enlarges at least one of light transmitted through the mask and light reflected by the mask to enlarge and project the pattern. Can be.
[0019]
In order to solve the above-described problem, a mask inspection method according to a third aspect of the present invention is to reduce and transfer a plurality of parent masks (Ri) and a parent pattern (Pi) formed on each of the parent masks. A mask inspection method for inspecting a work mask (34) to be formed, wherein an enlargement projection step (S10) for enlarging and projecting a pattern formed in a partial region forming a part of a pattern region of the work mask. ), A first inspection step (S11) for inspecting the work mask by observing the pattern enlarged and projected in the enlarged projection step, and an enlarged projection when a defect is detected in the first inspection step. A second inspection for comparing the pattern of the working mask with the parent pattern of the parent mask on which the parent pattern corresponding to the pattern has been formed, and inspecting whether the pattern matches the parent pattern. Configured to include a degree (S13~S18).
[0020]
In the invention according to the third aspect, when the work mask is formed by reducing and transferring the parent pattern formed on the parent mask, the work pattern is first formed in a partial region forming a part of the pattern region of the work mask. The work mask is inspected for defects by enlarging the pattern, and when a work mask defect is detected, the pattern formed on the parent mask and the pattern formed on the work mask are individually separated. In order to inspect these matches and mismatches, even if the pattern formed on the work mask is miniaturized, it is possible to inspect the work mask with an accuracy higher than required easily, It is possible to quickly identify whether the cause of the defect generated in the work mask is the parent mask or the work mask. In addition, since the cause of the defect in the work mask can be quickly specified, the manufacturing efficiency of the work mask can be improved.
[0021]
In the invention according to the third aspect, in the second inspection step, a pattern obtained by enlarging and projecting light transmitted through the work mask and a parent pattern obtained by light transmitted through the parent mask are matched. A transmitted light inspection step of inspecting a mismatch, and a reflection inspecting a mismatch between a pattern obtained by enlarging and projecting the light reflected by the working mask and a parent pattern obtained by the light reflected by the parent mask. At least one of the optical inspection steps can be included.
[0022]
In the invention according to the third aspect, in the first inspection step, after transferring a pattern enlarged and projected in the enlargement projection step to a photosensitive substrate, the pattern transferred to the photosensitive substrate is observed, and It may be a step of inspecting the mask, or a step of inspecting the work mask by observing a spatial image of the pattern enlarged and projected in the enlargement projection step.
[0023]
In the invention according to the third aspect, a projection magnification of a pattern formed in a partial area of the work mask is set substantially equal to a reciprocal of a reduction magnification of the parent pattern when forming the work mask. can do.
[0024]
In order to solve the above-mentioned problem, an exposure apparatus according to a fourth aspect of the present invention is an exposure apparatus having a projection optical system (3) for reducing and projecting an image on a first surface onto a second surface, and includes a mask ( Ri, 34) with a first holding device (5) holding the mask so that the pattern formation surface is substantially coincident with the second surface toward the projection optical system, and a first holding device (5) from the second surface. An illuminating device (200 to 203) for illuminating the mask in a direction toward a surface, and holding the photosensitive substrate such that the photosensitive surface of the photosensitive substrate faces the projection optical system and substantially coincides with the first surface. And a second holding device (2). According to the present invention, there is provided an exposure apparatus capable of performing the above-described mask inspection method according to the first aspect of the present invention.
[0025]
In order to solve the above problem, an exposure apparatus according to a fifth aspect of the present invention is an exposure apparatus having a projection optical system (3) for reducing and projecting an image on a first surface onto a second surface, and includes a mask ( A holding device (5) for holding the mask so that the pattern formation surface of (Ri, 34) faces the projection optical system so as to be substantially coincident with the second surface, and from the second surface to the first surface. An illuminating device (200 to 203) for illuminating the mask in a direction toward the head; and an aerial image detection device that is arranged on the first surface and detects an aerial image of a pattern formed on the mask that is enlarged and projected by the projection optical system. (209). According to the present invention, there is provided an exposure apparatus capable of performing the above-described mask inspection method according to the second aspect of the present invention.
[0026]
In order to solve the above problem, an exposure apparatus according to a sixth aspect of the present invention includes a projection optical system (3) for reducing and projecting an image on a first surface onto a second surface, and is arranged on the first surface. An exposure apparatus for projecting and exposing the parent pattern of the parent mask (Ri) thus formed onto the working mask (34) arranged on the second surface, wherein the exposure apparatus is configured to be able to advance and retreat with respect to the optical axis of the projection optical system. When the parent mask is arranged on the optical axis of the projection optical system, the parent mask holds the pattern forming surface of the parent mask toward the projection optical system so as to substantially coincide with the first surface. In the case where a working mask configured to be able to advance and retreat with respect to the optical axis of the projection optical system and the parent pattern of the parent mask is arranged on the optical axis of the projection optical system, The second surface of the working mask with the pattern forming surface facing the projection optical system. A work mask holding device (6) for holding the work mask so as to substantially coincide with the work mask, and a detection surface substantially coincides with the first surface or on an optical axis of the projection optical system. When the parent mask is arranged, a first aerial image detection device (209) configured so that the detection surface can be arranged at a position shifted from the first surface in the optical axis direction of the projection optical system; A second aerial image detection device (210) provided on a side of the projection optical system, a first illumination device (200 to 203) for illuminating the mask from a surface opposite to the pattern forming surface, A second illumination device (206, 207) provided on a side of an optical system; and the second illumination device, wherein the parent mask and the working mask are arranged on an optical axis of the projection optical system. And reflects the light emitted from the A movable semi-transmissive semi-reflective member that guides the light to the first aerial image detecting device, reflects the light emitted from the first illuminating device and passes through the working mask and the projection optical system, and guides the light to the second aerial image detecting device. (205). According to the present invention, there is provided an exposure apparatus capable of performing the above-described mask inspection method according to the third aspect of the present invention.
[0027]
In the exposure apparatus according to the sixth aspect of the present invention, in the movable semi-transmissive-semi-reflective member, the work mask is disposed on an optical axis of the projection optical system, and the master mask is provided in the projection optical system. When not arranged on the optical axis, the light reflected from the second illumination device is guided to the work mask via the projection optical system, and is reflected by the work mask. The light transmitted through the system can be transmitted to the first aerial image detection device.
[0028]
Further, in the exposure apparatus according to a sixth aspect of the present invention, in the movable semi-transmissive / semi-reflective member, the parent mask is arranged on an optical axis of the projection optical system, and the working mask is arranged in the projection optical system. When not disposed on the optical axis of the system, the light emitted from the first illumination device and transmitted through the projection optical system is guided to the parent mask, and the light reflected by the parent mask is reflected. The light can be reflected and guided to the second aerial image detection device.
[0029]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0030]
[First Embodiment]
FIG. 1 is a view showing a schematic configuration of an exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention. This exposure apparatus is a stitching-type projection exposure apparatus of a step-and-repeat method. In the following description, the XYZ rectangular coordinate system shown in FIG. 1 is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to the XYZ rectangular coordinate system. In the XYZ orthogonal coordinate system, the X axis and the Z axis are set to be parallel to the paper surface, and the Y axis is set to a direction perpendicular to the paper surface. In the XYZ coordinate system in the figure, the XY plane is actually set to a plane parallel to the horizontal plane, and the Z axis is set vertically upward.
[0031]
The exposure apparatus of the present embodiment can be used in a process of manufacturing a micro device such as a semiconductor device if a wafer is used as the substrate 4, and is also used in a process of manufacturing a mask (reticle) if a blank is used as the substrate 4. be able to. In the following description, a case where blanks are used as the substrate 4 and a master pattern formed on a plurality of master reticles (parent masks) Ri is transferred to the substrate 4 to manufacture a working reticle (working mask) will be described as an example. I will explain it.
[0032]
In FIG. 1, an ultraviolet pulse light IL (hereinafter, referred to as an exposure light IL) as light (here, a KrF excimer laser) from a
[0033]
The
[0034]
The exposure light IL that has passed through the variable dimmer 103 passes through a beam shaping optical system including
[0035]
An
[0036]
The transmittance and the reflectance of the
[0037]
The exposure light IL transmitted through the
[0038]
The exposure light IL shaped into a rectangular shape by the blind 111 of the
[0039]
The light-attenuating
[0040]
It should be noted that the dot arrangement method is such that, instead of arranging dots at the same pitch P in the same transmittance portion, P is arranged by P + R, which is obtained by adding a random number R having a Gaussian distribution to each dot. Is good. The reason is that diffracted light is generated by the dot arrangement, and in some cases, a phenomenon occurs in which the light does not reach the photosensitive substrate beyond the numerical aperture (NA) of the illumination system, and an error from the design transmittance increases. .
[0041]
Further, it is desirable that all dot sizes be the same size. The reason is that if a plurality of types of dot sizes are used, when an error from the designed transmittance due to the above-described diffraction occurs, the error is complicated, that is, the transmittance correction is complicated. By the way, it is desirable to draw the density filter with a high-acceleration EB drawing machine in order to reduce the dot shape error, and the dot shape is desirably a rectangle (square) in which the shape error due to the process can be easily measured. When there is a shape error, there is an advantage that the transmittance can be easily corrected if the error amount can be measured.
[0042]
A plurality of alignment marks 124A, 124B, 124C, 124D are formed on the
[0043]
The position of the density filter F in the Z direction, the tilt amount in the Z direction, and the projection magnification are adjusted based on the result of measuring the position information of the
[0044]
The number of marks provided on the density filter is not limited to four, and at least one mark may be provided according to the setting accuracy of the density filter and the like. Further, in this example, the density filter is arranged so that the optical axis of the illumination optical system substantially coincides with the center, and four marks are provided symmetrically with respect to the center (optical axis). Is provided, it is desirable to arrange the plurality of marks so as not to be point-symmetrical with respect to the center, or to arrange the plurality of marks symmetrically with respect to the point and separately form a recognition pattern. This is because, when a density filter is placed in the illumination optical system and the energy distribution is measured, the density filter is taken out, corrected, and reset, and as a result, the optical characteristics (such as distortion) of the illumination optical system are considered. Because the density filter is corrected, if the density filter is rotated and reset, the correction does not make sense, and the density filter can be reset in the original state. It is.
[0045]
In the density filter F shown in FIG. 2A, the dimming
[0046]
Further, as the density filter F, not only the above-described glass substrate with the light-shielding portion or light-shielding portion formed of a light-shielding material such as chrome but also a light-shielding portion or light-shielding portion using a liquid crystal element or the like. It is also possible to use a device in which the position and the dimming characteristics of the dimming unit can be changed as required. In this case, the control of the blind 111 is not required, and it is possible to flexibly cope with various requirements in the specification of the microdevice to be manufactured, which is highly efficient.
[0047]
The filter stage FS finely moves or moves the held density filter F in the rotation direction and the translation direction in the XY plane. An X coordinate, a Y coordinate, and a rotation angle of the filter stage FS are measured by a laser interferometer (not shown), and the operation of the filter stage FS is controlled by the measured values and control information from the
[0048]
The exposure light IL that has passed through the density filter F enters the
[0049]
The exposure light IL passing through the
[0050]
The exposure light IL emitted from the illumination
[0051]
The image of the pattern in the illumination area of the master reticle Ri is projected onto the surface of the substrate 4 via the projection
[0052]
The
[0053]
When the photosensitive substrate coated with the photosensitive agent is held on the
[0054]
The
[0055]
On the other hand, the substrate 4 is non-adsorbed or soft-adsorbed on a holder composed of three pins in this example so as not to cause a displacement due to deformation of the substrate, and the substrate holder is fixed on the sample table 5. The
[0056]
An oblique incidence multipoint focal position detection system (hereinafter, referred to as focus sensor AF) having a light transmission system AF1 and a light reception system AF2 for detecting the position of the substrate 4 in the optical axis direction (Z direction) of the projection optical system 3. ) Is provided. The focus sensor AF irradiates light beams to a plurality of measurement points in an exposure area (corresponding to a shot area) where a reduced image of a pattern is projected in the field of view of the projection
[0057]
The measurement value of the focus sensor AF is output to the
[0058]
An illuminance distribution detection sensor (so-called illuminance unevenness sensor) 126 for detecting an illuminance distribution on the
[0059]
The
[0060]
The exposure light is emitted from the other end of the
[0061]
A working reticle (working mask) in which a pattern is formed as a substrate 4 on a
[0062]
A
[0063]
Next, details of the illuminance
[0064]
The light-shielding
[0065]
Therefore, in the present embodiment, in order to perform measurement as close as possible to the actual spatial distribution of exposure light at the time of exposure, the reflectivity of the upper surface of the light-shielding
[0066]
By using the illuminance
[0067]
Further, a
[0068]
Information indicating the optical characteristics of the projection
[0069]
The exposure apparatus of the present embodiment performs overlapping exposure between shots using a plurality of master reticles. Here, a process of manufacturing a working reticle (working mask) using the master reticle Ri and the exposure apparatus will be briefly described. FIG. 4 is a diagram for explaining a manufacturing process when manufacturing a reticle (working reticle) using the master reticle Ri. The working
[0070]
The working
[0071]
In FIG. 4, first, a
[0072]
Next, the
[0073]
For example, when manufacturing the first master reticle R1, a thin film of a mask material such as chromium or molybdenum silicide is formed on a light transmissive substrate such as quartz glass, and an electron beam resist is formed thereon. After application, a latent image of the same size as the first parent pattern P1 is drawn on the electron beam resist using an electron beam drawing apparatus. After that, after the electron beam resist is developed, etching, resist stripping, and the like are performed to form the parent pattern P1 in the
[0074]
Further, on the master reticle R1, alignment marks 21A and 21B composed of two-dimensional marks are formed in a predetermined positional relationship with respect to the parent pattern P1. Similarly, the parent pattern Pi and the alignment marks 21A and 21B are formed on the other master reticles Ri using an electron beam drawing apparatus or the like. These alignment marks 21A and 21B are used for alignment with a substrate or a density filter.
[0075]
As described above, since each parent pattern Pi to be drawn by the electron beam drawing apparatus (or the laser beam drawing apparatus) is a pattern obtained by enlarging the
[0076]
Using the N master reticle Ri manufactured in this way, the exposure apparatus shown in FIG. 1 transfers a reduced image of 1 / α times the master pattern Pi of the master reticle Ri while performing screen splicing. A
[0077]
When the working
[0078]
When the working
[0079]
The maximum area that can be transferred at a time among the pattern formation areas of the working
[0080]
FIGS. 5A and 5B are diagrams showing an example of dividing the pattern forming area of the working
[0081]
By the way, as shown in FIG. 5A, there may be a case where it is not possible to perform a defect inspection at a boundary between the partial regions SA1 to SA16 with high accuracy by simply dividing the pattern formation region into 16 equal parts. In such a case, the pattern formation region is divided as shown in FIG. In the example shown in FIG. 5B, the size of each of the partial areas SA1 to SA25 is the same as the size of the partial areas SA1 to SA16 shown in FIG. 5A, and the length is L1 / 4. , And the width becomes L2 / 4. However, in FIG. 5B, the pattern forming region of the working
[0082]
When the pattern formed in each partial region of the working
[0083]
In the method described above, since the pattern of the working
[0084]
Further, the exposure apparatus of the present embodiment can not only inspect the working
[0085]
When performing the inspection of the master reticle Ri, similarly to the case of performing the inspection of the working
[0086]
The pattern of the master reticle Ri transferred to the photosensitive substrate has a line interval of 280 nm × 4 = 1120 nm. In the master reticle Ri, if the allowable defect size is 30% of the line spacing of the pattern, 280 nm × 0.3 = 84 nm. Although it is difficult to directly detect a defect of this size, the inspection method of the present embodiment observes and inspects a pattern obtained by enlarging the pattern of the master reticle Ri. , 84 nm × 4 = 336 nm, which makes the defect inspection extremely easy.
[0087]
[Second embodiment]
FIG. 6 is a view showing a main part of an exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention. The exposure apparatus of the present embodiment has basically the same configuration as the exposure apparatus of the first embodiment shown in FIG. 1, but has the following configuration added to add the master reticle Ri and the working reticle. It is configured such that the transmitted light image and the reflected light image of No. 34 can be observed. In the present embodiment, a case where the working
[0088]
In FIG. 6,
[0089]
The exposure apparatus of the present embodiment includes a
[0090]
When the
[0091]
The light-shielding
[0092]
In FIG. 6,
[0093]
Further, when the pattern formation surface of the master reticle Ri is disposed at a position substantially coincident with the object surface (first surface) of the projection
[0094]
Further, the exposure apparatus according to the present embodiment is arranged such that the YZ plane is located in the side direction of the projection optical system 3 (substantially on the extension of the line connecting the
[0095]
The detection results of the aerial
[0096]
In the above configuration, when the working
[0097]
In the state shown in FIG. 7, when observing a pattern image (a transmitted light image of a pattern) by light transmitted through the working
[0098]
Also in the present embodiment, since the entire surface of the pattern forming region of the working
[0099]
FIG. 8 is a diagram for explaining a method of comparing the detection result of the aerial
[0100]
In the present embodiment, the presence or absence of a defect is determined by whether or not the detection result of the aerial
[0101]
However, there is a case where the inspection accuracy is not sufficient only by the defect inspection using only the transmitted light image. For example, even when the aerial
[0102]
In order to solve this problem and improve the detection accuracy, in the present embodiment, a pattern image (reflected light image) formed by light reflected from the working
[0103]
When the exposure light is applied to the working
[0104]
FIG. 8D is a diagram schematically showing design information of a master reticle in consideration of a reflected light image (a negative type with respect to FIG. 8A), and FIG. 8E is a reflected light image. FIG. 9 is a diagram schematically showing a result of detecting by the aerial
[0105]
In this embodiment, when the pattern forming surface of the master reticle Ri substantially coincides with the object surface (first surface) of the projection
[0106]
[Third embodiment]
In the first and second embodiments described above, the pattern formed mainly on the master reticle Ri or the pattern formed on the working
[0107]
The following two are considered as causes of defects when the working
[0108]
FIG. 9 is a flowchart schematically showing the steps of the mask inspection method according to the third embodiment of the present invention. In the present embodiment, first, the transmitted light image or the reflected light image of the working
[0109]
That is, as shown in FIG. 7, the working
[0110]
Since the working
[0111]
On the other hand, when observing the reflected light image, the
[0112]
When the observation (detection) of the transmitted light image or the reflected light image of the working
[0113]
When the above steps are completed, the
[0114]
On the other hand, in step S12, when the detection result of the transmitted light image or the reflected light image of the working
[0115]
FIG. 10 is a diagram showing an apparatus state of an exposure apparatus when individually observing transmitted light images of a master reticle and a working reticle in the third embodiment of the present invention. When separately observing the transmitted light images of the master reticle and the working reticle, the pattern forming surface of the master reticle Ri held on the
[0116]
The exposure light guided by the
[0117]
After setting the exposure apparatus to the state shown in FIG. 10, the light-shielding
[0118]
When the observation (detection) of the transmitted light image of the master reticle Ri is completed, the light-shielding
[0119]
When the observation (detection) of the transmitted light images of the master reticle Ri and the working
[0120]
That is, it is determined that the pattern formed on the working
[0121]
After the cause of the defect of the working
[0122]
On the other hand, if the
[0123]
FIG. 11 is a diagram showing the state of the exposure apparatus when observing the reflected light image of the working reticle in the third embodiment of the present invention. When observing the reflected light image of the working reticle, as shown in FIG. 11, the aerial
[0124]
With the above arrangement, after the exposure light guided by the
[0125]
When the observation of the reflected light image of the working
[0126]
After the above arrangement is completed, the
[0127]
When the observation (detection) of the reflected light images of the master reticle Ri and the working
[0128]
Then, after the cause of the defect of the working
[0129]
On the other hand, when the
[0130]
As described above, in the present embodiment, a defect of the working
[0131]
In the above-described embodiment, the shape of the partial region is rectangular as shown in FIG. 5, but it is not necessarily required to be rectangular. For example, the partial region may be a pentagon, a hexagon, or another polygon. Can be. Further, each partial region does not need to have the same shape, and can have different shapes and sizes. Further, the shape of the portion where the screen joining is performed need not be rectangular, but may be a zigzag band, meandering band, or another shape. Further, the term “screen joining” in the specification of the present application means not only connecting patterns, but also arranging patterns in a desired positional relationship.
[0132]
In the above-described embodiment, the KrF excimer laser light (
[0133]
F 2 In an exposure apparatus using a laser, a reticle and a density filter are made of fluorite, synthetic quartz doped with fluorine, magnesium fluoride, LiF, LaF 3 And those manufactured from lithium calcium aluminum fluoride (Lycaffe crystal) or quartz.
[0134]
Instead of the excimer laser, a harmonic of a solid-state laser such as a YAG laser having an oscillation spectrum at any of the
[0135]
Further, a single-wavelength laser in the infrared or visible range oscillated from a DFB semiconductor laser or a fiber laser is amplified by, for example, a fiber amplifier doped with erbium (or both erbium and yttrium), and a nonlinear optical crystal is used. Alternatively, a harmonic converted to ultraviolet light may be used.
[0136]
For example, if the oscillation wavelength of the single-wavelength laser is in the range of 1.51 to 1.59 μm, the 8th harmonic whose generation wavelength is in the range of 189 to 199 nm, or the generation wavelength is in the range of 151 to 159 nm A certain tenth harmonic is output. In particular, when the oscillation wavelength is in the range of 1.544 to 1.553 μm, an eighth harmonic within the range of 193 to 194 nm, that is, ultraviolet light having substantially the same wavelength as the ArF excimer laser can be obtained. If it is in the range of 57 to 1.58 μm, the tenth harmonic in the range of 157 to 158 nm, ie, F 2 Ultraviolet light having substantially the same wavelength as the laser is obtained.
[0137]
Assuming that the oscillation wavelength is in the range of 1.03 to 1.12 μm, a 7th harmonic whose output wavelength is in the range of 147 to 160 nm is output. In particular, the oscillation wavelength is in the range of 1.099 to 1.106 μm. Then, the seventh harmonic whose generation wavelength is in the range of 157 to 158 nm, that is, F 2 Ultraviolet light having substantially the same wavelength as the laser is obtained. Note that an ytterbium-doped fiber laser is used as the single-wavelength oscillation laser. Further, a laser plasma light source or EUV (Extreme Ultra Violet) light having a soft X-ray region generated from the SOR, for example, a wavelength of 13.4 nm or 11.5 nm may be used. Further, a charged particle beam such as an electron beam or an ion beam may be used.
[0138]
Further, the present invention can be applied not only to the exposure apparatus of the step-and-repeat method, but also to the exposure apparatus of the step-and-scan method. As the projection optical system, any of a catoptric optical system, a refractive optical system, and a catadioptric optical system may be used.
[0139]
Furthermore, not only an exposure apparatus used for manufacturing a semiconductor element or a reticle, but also an exposure apparatus used for manufacturing a display including a liquid crystal display element for transferring a device pattern onto a glass plate and a thin film magnetic head. The present invention can also be applied to an exposure apparatus used to transfer a device pattern onto a ceramic wafer, an imaging device (CCD or the like), a micromachine, a DNA chip, and the like.
[0140]
In such an exposure apparatus, an exposure target substrate (device substrate) onto which a device pattern is transferred is held on the
[0141]
The illumination optical system and projection optical system composed of multiple lenses are incorporated into the exposure apparatus body for optical adjustment, and a reticle stage and substrate stage consisting of many mechanical parts are attached to the exposure apparatus body to connect wiring and piping. The exposure apparatus according to the present embodiment can be manufactured by performing overall adjustment (electric adjustment, operation check, and the like). It is desirable that the manufacture of the exposure apparatus be performed in a clean room in which the temperature, cleanliness, and the like are controlled.
[0142]
The semiconductor integrated circuit performs a function / performance design of the device, a step of manufacturing a reticle based on the design step, a step of manufacturing a wafer from a silicon material, and a pattern of the reticle by the exposure apparatus of the above-described embodiment. It is manufactured through a step of exposing and transferring to a wafer, a step of assembling a device (including a dicing step, a bonding step, a package step), an inspection step, and the like.
[0143]
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made within the scope of the present invention.
[0144]
【The invention's effect】
According to the present invention, a part of the pattern region of the mask is enlarged and transferred to the photosensitive substrate, and the enlarged pattern is observed, or the spatial image of the enlarged pattern is observed, so that the mask is formed on the mask. Even if the pattern is miniaturized, there is an effect that the mask can be inspected with an accuracy higher than required easily.
[0145]
Further, according to the present invention, when the working mask is formed by reducing and transferring the parent pattern formed on the master mask, first, a part of the pattern area of the working mask is enlarged and observed to observe the working mask. The presence or absence of a defect is inspected, and when a defect of the working mask is detected, the pattern formed on the parent mask and the pattern formed on the working mask are individually observed, and the coincidence / mismatch thereof is inspected. Therefore, even if the pattern formed on the work mask becomes finer, the work mask can be easily inspected with an accuracy higher than the required accuracy, and the defect of the work mask is caused by the parent mask. Or the work mask can be quickly identified. Since the cause of the defect in the work mask can be quickly identified, there is also an effect that the manufacturing efficiency of the work mask can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a view showing a schematic configuration of an exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2A is a top view illustrating an example of a configuration of a density filter, and FIG. 2B is a view illustrating an example of a mark formed on the density filter.
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of an illuminance distribution detection sensor.
FIG. 4 is a diagram for explaining a manufacturing process when manufacturing a reticle (working reticle) using a master reticle.
5A and 5B are diagrams illustrating an example of division of a pattern forming region of a working reticle, wherein FIG. 5A illustrates an example of 16 divisions, and FIG. 5B illustrates an example of 25 divisions.
FIG. 6 is a view showing a main part of an exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a diagram showing a state in which the aerial image measurement device is arranged so that the detection surface of the aerial image measurement device substantially matches the object surface of the projection optical system.
FIG. 8 is a diagram for explaining a method of comparing a detection result of the aerial image measurement device with design information of a master reticle.
FIG. 9 is a flowchart schematically showing steps of a mask inspection method according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a diagram showing an apparatus state of an exposure apparatus when individually observing transmitted light images of a master reticle and a working reticle in a third embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a diagram showing an apparatus state of an exposure apparatus when observing a reflected light image of a working reticle in a third embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a diagram showing an apparatus state of an exposure apparatus when observing a reflected light image of a master reticle in a third embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
2. Reticle stage (second holding device, parent mask holding device)
3. Projection optical system
5. Sample table (first holding device, holding device, work mask holding device)
6. Substrate stage (first holding device, holding device, work mask holding device)
34 Working reticle (work mask)
200: movable mirror (first lighting device)
201: Optical fiber (first lighting device)
202 ... Lens (first lighting device)
203 ... Reflection mirror (first lighting device)
205: movable half mirror (movable transflective member)
206 ... optical fiber (second lighting device)
207 ... Lens (second lighting device)
209: aerial image measuring device (aerial image measuring device, first aerial image detecting device)
210: aerial image measuring device (second aerial image detecting device)
Pi: Parent pattern
Ri: Master reticle (parent mask)
Claims (15)
前記パターン領域の一部をなす部分領域に形成されたパターンを拡大して投影する拡大投影工程と、
前記拡大投影工程で拡大投影されたパターンの像を感光基板に転写する転写工程と、
前記感光基板に転写されたパターンを観察して前記マスクを検査する検査工程とを備えたことを特徴とするマスク検査方法。A mask inspection method for inspecting a pattern formed in a pattern region of a mask,
An enlarged projection step of enlarging and projecting a pattern formed in a partial region forming a part of the pattern region;
A transfer step of transferring an image of the pattern enlarged and projected in the enlargement projection step to a photosensitive substrate,
An inspection step of observing the pattern transferred to the photosensitive substrate and inspecting the mask.
前記パターン領域の一部をなす部分領域に形成されたパターンを拡大して投影する拡大投影工程と、
前記拡大投影工程で拡大投影されたパターンの空間像を観察して前記マスクを検査する検査工程とを備えたことを特徴とするマスク検査方法。A mask inspection method for inspecting a pattern formed in a pattern region of a mask,
An enlarged projection step of enlarging and projecting a pattern formed in a partial region forming a part of the pattern region;
An inspection step of inspecting the mask by observing a spatial image of the pattern enlarged and projected in the enlargement projection step.
前記作業用マスクのパターン領域の一部をなす部分領域に形成されたパターンを拡大して投影する拡大投影工程と、
前記拡大投影工程で拡大投影されたパターンを観察して前記作業用マスクを検査する第１検査工程と、
前記第１検査工程で欠陥が検出されたときに、拡大投影された前記作業用マスクのパターンと、当該パターンに対応する親パターンが形成された親マスクの当該親パターンとを比較し、当該パターンと当該親パターンとの一致不一致を検査する第２検査工程とを備えたことを特徴とするマスク検査方法。A mask inspection method for inspecting a plurality of parent masks and a working mask formed by reducing and transferring a parent pattern formed on each of the parent masks,
An enlarged projection step of enlarging and projecting a pattern formed in a partial region forming a part of the pattern region of the work mask,
A first inspection step of inspecting the work mask by observing the pattern enlarged and projected in the enlargement projection step;
When a defect is detected in the first inspection step, the pattern of the working mask enlarged and projected is compared with the parent pattern of a parent mask on which a parent pattern corresponding to the pattern is formed. A second inspection step of inspecting whether the parent pattern matches or not.
マスクのパターン形成面を前記投影光学系に向けて前記第２面と実質的に一致するように前記マスクを保持する第１保持装置と、
前記第２面から前記第１面に向かう方向に前記マスクを照明する照明装置と、感光基板の感光面を前記投影光学系に向けて前記第１面と実質的に一致するように前記感光基板を保持する第２保持装置とを備えたことを特徴とする露光装置。An exposure apparatus having a projection optical system for reducing and projecting an image on a first surface onto a second surface,
A first holding device that holds the mask so that a pattern forming surface of the mask faces the projection optical system and substantially coincides with the second surface;
An illuminating device for illuminating the mask in a direction from the second surface to the first surface; and the photosensitive substrate so that the photosensitive surface of the photosensitive substrate faces the projection optical system and substantially coincides with the first surface. An exposure apparatus, comprising: a second holding device that holds the image.
マスクのパターン形成面を前記投影光学系に向けて前記第２面と実質的に一致するように前記マスクを保持する保持装置と、
前記第２面から前記第１面に向かう方向に前記マスクを照明する照明装置と、
前記第１面に配置され、前記投影光学系により拡大投影される前記マスクに形成されたパターンの空間像を検出する空間像検出装置とを備えたことを特徴とする露光装置。An exposure apparatus having a projection optical system for reducing and projecting an image on a first surface onto a second surface,
A holding device that holds the mask so that the pattern forming surface of the mask faces the projection optical system and substantially coincides with the second surface;
An illumination device that illuminates the mask in a direction from the second surface toward the first surface;
An exposure apparatus, comprising: a spatial image detecting device that is arranged on the first surface and detects a spatial image of a pattern formed on the mask that is enlarged and projected by the projection optical system.
前記投影光学系の光軸に対して進退可能に構成され、前記親マスクを投影光学系の光軸上に配置する場合には、前記親マスクのパターン形成面を前記投影光学系に向けて前記第１面と実質的に一致するように保持する親マスク保持装置と、
前記投影光学系の光軸に対して進退可能に構成され、前記親マスクの親パターンが転写された作業用マスクを投影光学系の光軸上に配置する場合には、前記作業用マスクのパターン形成面を前記投影光学系に向けて前記第２面と実質的に一致するように前記作業用マスクを保持する作業用マスク保持装置と、
検出面が前記第１面と実質的に一致するように、又は前記投影光学系の光軸上に前記親マスクが配置される場合には、前記検出面が前記第１面から前記投影光学系の光軸方向にずれた位置に配置可能に構成された第１空間像検出装置と、
前記投影光学系の側方に設けられた第２空間像検出装置と、
前記パターン形成面と反対の面側から前記マスクを照明する第１照明装置と、
前記投影光学系の側方に設けられた第２照明装置と、
前記親マスク及び前記作業用マスクが前記投影光学系の光軸上に配置されている場合に、前記第２照明装置から射出された光を反射して前記親マスクの透過光を前記第１空間像検出装置に導き、前記第１照明装置から射出されて前記作業用マスク及び前記投影光学系を介した光を反射して前記第２空間像検出装置に導く可動半透過半反射部材とを備えたことを特徴とする露光装置。An exposure system having a projection optical system for reducing and projecting an image on the first surface onto a second surface, and projecting and exposing a parent pattern of a parent mask arranged on the first surface to a work mask arranged on the second surface A device,
When the parent mask is arranged on the optical axis of the projection optical system, the pattern formation surface of the parent mask is directed toward the projection optical system. A parent mask holding device that holds the first mask so as to substantially coincide with the first surface;
When the working mask to which the parent pattern of the parent mask is transferred is arranged on the optical axis of the projection optical system, the pattern of the working mask A work mask holding device for holding the work mask so that a forming surface faces the projection optical system and substantially coincides with the second surface;
When the detection surface is substantially coincident with the first surface, or when the parent mask is arranged on the optical axis of the projection optical system, the detection surface is moved from the first surface to the projection optical system. A first aerial image detection device configured to be disposed at a position shifted in the optical axis direction,
A second aerial image detection device provided on a side of the projection optical system;
A first illumination device that illuminates the mask from a surface side opposite to the pattern formation surface;
A second illumination device provided on a side of the projection optical system,
When the master mask and the working mask are arranged on the optical axis of the projection optical system, the light emitted from the second illumination device is reflected to transmit the light transmitted through the master mask to the first space. A movable semi-transmissive / semi-reflective member that reflects light emitted from the first illumination device through the work mask and the projection optical system and guides the light to the second spatial image detection device. An exposure apparatus characterized in that:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002220949A JP2004061915A (en) | 2002-07-30 | 2002-07-30 | Method for inspection mask and aligner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002220949A JP2004061915A (en) | 2002-07-30 | 2002-07-30 | Method for inspection mask and aligner |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004061915A true JP2004061915A (en) | 2004-02-26 |
Family
ID=31941409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002220949A Withdrawn JP2004061915A (en) | 2002-07-30 | 2002-07-30 | Method for inspection mask and aligner |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004061915A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005116751A1 (en) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Nikon Corporation | Wavelength converting optical system, laser light source, exposure apparatus, mask examining apparatus, and macromolecular crystal lens machining device |
| US7339961B2 (en) | 2005-08-08 | 2008-03-04 | Nikon Corporation | Wavelength converting optical system, laser light source, exposure apparatus, device for inspecting object of inspection, and polymer crystal working apparatus |
| JP2008116909A (en) * | 2006-08-01 | 2008-05-22 | Applied Materials Israel Ltd | Method and system for defect detection |
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- 2002-07-30 JP JP2002220949A patent/JP2004061915A/en not_active Withdrawn
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| EP1750172A1 (en) * | 2004-05-26 | 2007-02-07 | Nikon Corporation | Wavelength converting optical system, laser light source, exposure apparatus, mask examining apparatus, and macromolecular crystal lens machining device |
| US7623557B2 (en) | 2004-05-26 | 2009-11-24 | Nikon Corporation | Wavelength converting optical system, laser light source, exposure apparatus, mask examining apparatus, and macromolecular crystal lens machining device |
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