JP2004055261A - Electron microscope - Google Patents
Electron microscope Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004055261A JP2004055261A JP2002209445A JP2002209445A JP2004055261A JP 2004055261 A JP2004055261 A JP 2004055261A JP 2002209445 A JP2002209445 A JP 2002209445A JP 2002209445 A JP2002209445 A JP 2002209445A JP 2004055261 A JP2004055261 A JP 2004055261A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- mode
- shower
- electron beam
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一次電子ビームを試料に照射し、試料を透過した電子、試料表面から反射した電子、試料の2次励起により発生した電子に基づいて試料像を得るようにした電子顕微鏡に関する。
【0002】
【従来の技術】
電子顕微鏡では、電子銃から発生し加速された電子ビームを、コンデンサレンズ、対物レンズにより試料上に細く集束している。この試料を透過、散乱した電子を中間レンズと投影レンズにより結像し、結像位置に蛍光板を配置し蛍光板上に拡大投影された像を観察している。また、蛍光板に代え、結像位置にCCDカメラのごときTVカメラを配置し、TVカメラのスクリーンに投影された像を映像信号に変換し、この映像信号を陰極線管などの表示装置に供給し、表示装置によって像を観察することも行われている。
【0003】
また、別のタイプの電子顕微鏡、すなわち、走査透過電子顕微鏡では、電子銃から発生し加速された電子ビームを、コンデンサレンズ、対物レンズにより試料上に細く集束すると共に、試料上の所定範囲を電子ビームで走査するようにしている。試料に電子ビームを照射することによってこの試料を透過した電子を検出し、この検出信号を一次電子ビームの走査に応じてディスプレイに供給し、試料の走査透過電子顕微鏡像を表示するようにしている。
【0004】
更に、走査透過電子顕微鏡においては、試料の走査2次電子像や反射電子像を得ることができる。この場合、電子銃から発生し加速された電子ビームを、コンデンサレンズ、対物レンズにより試料上に細く集束すると共に、試料上の所定範囲を電子ビームで走査するようにしている。この試料に一次電子ビームを照射することによって生じた2次励起により、試料から発生した2次電子を検出し、この検出信号を一次電子ビームの走査に応じてディスプレイに供給すれば、試料の走査2次電子像を表示することができる。また、試料から反射された反射電子を検出し、この検出信号を一次電子ビームの走査に応じてディスプレイに供給すれば、試料の走査反射電子像を表示することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記した電子顕微鏡において、試料の観察を走査像モードのように細く絞った電子ビームを試料上の所定の領域で走査すると、電子ビーム近傍に存在しているカーボン等の分子または原子が電子ビームの電荷によって生じる電界によって引き寄せられ、試料面上に堆積することが知られている。このような現象は、通常試料汚染と呼ばれている。
【0006】
この試料汚染が生じると、像のコントラストや分解能が低下したり、電子ビームを試料に照射し、試料からの特性X線を検出して試料の元素分析を行おうとした場合には、分析結果に試料以外の元素が混入したりする。
【0007】
このような試料汚染を防ぐためには、いくつかの方法が提案され、実行に移されているが、この中で比較的に手軽に実行できる方法として、ビームシャワー法が採用されている。この方法は、観察したい視野を含む広い領域に対して、強い電子ビーム(電流密度の大きい電子ビーム)を照射することで試料汚染を低減する方法である。
【0008】
このビームシャワー法による試料汚染低減の原理は、強い電子ビームを試料に照射すると、試料上の汚染の元になる原子や分子が電子のエネルギーによって重合すると考えられている。すなわち、分子や原子が重合することによって、分子や原子が結びつくので、拡散を防ぐ効果があると考えられている。
【0009】
このビームシャワーの操作は、試料の分析を行う前に実行されるが、電子顕微鏡の各パラメータをビームシャワー法の条件に設定することは、オペレータが手動で行なうようにしている。また、このビームシャワーによる試料汚染現象の効果は、電子顕微鏡が走査モード(SEMモード)となっていたり、透過電子顕微鏡における大きな電子ビームを用いるモード(TEMモード)の両モードにおいて顕著に現れる。
【0010】
しかしながら、SEMモードでは、試料の局所に大きな電流密度の電子ビームが照射されるために、瞬間的にその局所部分が電子ビームの照射を受けることによって損傷するような試料には用いることができない。ただし、SEMモードでは、電子ビームを走査して試料の分析や表面状態の観察を行っているので、試料の分析・観察状態からビームシャワーモードへの切り替えは、いずれも電子ビームを走査するモードであるために、簡単に行なうことができる利点を有する。
【0011】
一方、TEMモードでは、試料に一様な電子ビームが照射されるので、瞬間的に大きな電流密度の電子ビームの照射によって損傷を受ける試料に対しては有効な方法である。このような点から、ビームシャワーを行なうに当たっていずれのモードを選択するかは、オペレータが分析や観察する試料によって、経験的に実行されている。
【0012】
上記したように、電子顕微鏡を用いて試料の分析や観察を行っている途中で試料汚染を低減するために、ビームシャワーを実行する場合には、オペレータが電子顕微鏡の各パラメータをビームシャワーモード用に設定しなければならない。このパラメータの設定はオペレータにとっては煩わしい操作であり、この操作にかかる時間は無視できない長さである。
【0013】
また、このパラメータの設定は豊富な経験が必要であり、必然的に初心者のオペレータにとっては、条件設定の操作を行なうことが困難となる。更に、試料の分析や観察を行っている途中でビームシャワーを行った場合、ビームシャワー動作が終了した後には、電子顕微鏡の各パラメータを元の分析や観察のモードに戻さなければならないが、これを行なうにも無視できない時間を要し、また正確に元の条件に設定する時に間違いが生じることも多い。
【0014】
本発明は、このような点に鑑みてなされたもので、その目的は、ビームシャワーモードの設定を誰もが最適な条件で簡単に行なうことができ、また、ビームシャワー動作が終了した後には、電子顕微鏡の各パラメータを元の分析や観察のモードに短時間に正確に戻すことができる電子顕微鏡を実現するにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明に基づく電子顕微鏡は、試料に照射される電子ビームの量を通常の観察時より多くするビームシャワーモードに設定するためのモード切り換え手段を有しており、モード切り換え手段によってビームシャワーモードが選択された場合には、電子ビームの試料への照射系レンズであるコンデンサレンズの励磁強度とコンデンサレンズアパーチャの孔径とをあらかじめ記憶されていた値に自動的に設定可能に構成し、ビームシャワーモードによって試料の汚染を防止する。
【0016】
請求項2に基づく発明では、ビームシャワーモードにおける試料への電子ビームの照射をTEMモードで行なうか、SEMモードで行なうかの選択ができるように構成した。
【0017】
請求項3に基づく発明では、電子ビームの照射系をビームシャワーモードにする際、直前の電子ビームの照射系の条件を記憶し、ビームシャワーモードが終了した際には、記憶された条件に照射系を自動的に設定するように構成した。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図1は、本発明に基づく走査透過電子顕微鏡の一例を示したもので、この顕微鏡では、電子ビームを試料上で走査し、試料表面からの2次電子に基づく走査電子顕微鏡像と、同じく電子ビームを試料上で走査し、試料を透過した電子に基づく走査透過電子顕微鏡像と、電子ビームを走査せず、試料を透過した電子に基づく透過電子顕微鏡像の複数の像を選択的に観察ができるように構成されている。
【0019】
図において、電子顕微鏡カラム1の上部に配置された電子銃2から発生した電子ビームEBは、加速管3によって加速される。加速管3によって例えば50kVに加速された電子ビームは、第1のコンデンサレンズ4と第2のコンデンサレンズ5によって集束される。
【0020】
コンデンサレンズ4、5によって集束された電子ビームの中心部分は、コンデンサレンズ絞り6の開口を通り、電子ビームの外側の収差の大きい部分を絞り5によって遮蔽するようにしている。なお、コンデンサレンズ絞り6には、複数の径の異なった開口が設けられており、顕微鏡の各種モードに応じていずれかの適切な径の開口が光軸上に配置されるように構成されている。加速管3とコンデンサレンズ4との間には、電子銃2から発生し、加速管3によって加速された電子ビームの軸ずれを補正するための一対のアライメントコイル7,8が配置されている。
【0021】
コンデンサレンズアパチャー6の開口を通過した電子ビームは、コンデンサミニレンズ9によって電子ビームのフォーカスの微調整がなされた後、対物レンズ10の磁場中に配置された試料11に照射される。コンデンサレンズ絞り6と試料11との間には、コンデンサレンズの非点収差を補正するための非点収差補正レンズ13、コンデンサレンズ4、5によって集束された電子ビームの軸ずれを補正するためのアライメントコイル14、15が配置されている。なお、アライメントコイル14、15は、走査像観察モードの際には、電子ビームの2次元走査用のコイルとしても動作する。
【0022】
対物レンズ10による試料11の前方磁場は、電子ビームのフォーカスに寄与し、試料11の後方磁場は、後段の中間レンズ16、17、18と投影レンズ19とによって結像レンズ系を構成する。なお、対物レンズ10の前方には、対物レンズ絞り20が配置されており、電子ビームの外側の収差の大きい部分を絞り20によって遮蔽するようにしている。
【0023】
なお、対物レンズ絞り20には、複数の径の異なった開口が設けられており、顕微鏡の各種モードに応じていずれかの適切な径の開口が光軸上に配置されるように構成されている。また、対物レンズ10と視野制限絞り21との間には、対物レンズ10の磁場の微調整をするための対物ミニレンズ22が配置されている。
【0024】
更に、対物レンズ絞り20の下部には、対物レンズ10の非点収差を補正するための非点収差補正レンズ23、イメージシフトコイル24、25が設けられている。また、投影レンズ19の後段には、電子ビームの軸合わせ用のアライメントコイル26が配置されている。
【0025】
試料11の上部には、2次電子検出器27が設けられている。この2次電子検出器は、走査電子顕微鏡像観察モードの際に動作させられるもので、例えば、シンチレータと光電子増倍管より構成される検出器が用いられ、試料からの2次電子を加速してシンチレータに導くようにされている。
【0026】
また、結像レンズ系の後段には、上から順番に、CCDカメラのごとき第1のTVカメラ28、暗視野像観察用検出器29、明視野像観察用検出器30、CCDカメラのごとき第2のTVカメラ31が配置されている。第1のTVカメラ28は、駆動機構32によって光軸上に挿脱可能に構成されている。また、暗視野像観察用検出器29、明視野像観察用検出器30は、それぞれ駆動機構33、34によって光軸上に挿脱可能に構成されている。更に、第2のTVカメラ31は、駆動機構35によって光軸上に挿脱可能に構成されている。
【0027】
カラム1内のレンズ、すなわち、コンデンサレンズ4、5、コンデンサレンズミニレンズ9、対物レンズ10、対物レンズミニレンズ22、中間レンズ16、17、18、投影レンズ19および非点収差補正レンズ13、23には、レンズ電源36から励磁電流が供給される。また、前記電子銃2と加速管3には、高電圧電源37から所望の高電圧が印加される。
【0028】
更に、電子銃アライメントコイル7、8、コンデンサレンズアライメントコイル14、15、イメージシフトコイル24、25、投影レンズアライメントコイル26には、アライメント電源38からそれぞれ所望の電流が流され、それに伴って各コイルにより発生した磁場により電子ビームは適宜軸ズレが補正され、また像の位置が移動させられる。
【0029】
また、2次電子検出器27の駆動機構32、第1のTVカメラ28の駆動機構33a、暗視野像観察用検出器29の駆動機構34、明視野像観察用検出器30の駆動機構35、第2のTVカメラ31の駆動機構33bは、検出器駆動電源39からの駆動電圧により、選択的に駆動され、特定の検出器のみが光軸に配置されるか、光軸に接近させられるように構成されている。
【0030】
また、第1のTVカメラ28および第2のTVカメラ31からの透過電子顕微鏡像信号取得のためのTV電源40が備えられており、また、2次電子検出器27、暗視野像観察用検出器29、明視野像観察用検出器30からの走査像信号は、増幅器41に供給される。
【0031】
また、カラム1内の光軸に沿って配置される絞り6、20、21は、絞り駆動電源42によって駆動され、光軸上の各絞りの開口の大きさは最適なものに選択される。
【0032】
前記レンズ電源36、高電圧電源37、アライメント電源38、検出器位置駆動電源39、TVカメラ用電源40、検出器信号増幅器41、絞り駆動電源42は、インターフェース43を介してコンピュータ44に接続されている。この結果、レンズ電源36、高電圧電源37、アライメント電源38、検出器駆動電源39、TVカメラ用電源40、信号増幅器41、絞り駆動電源42は、コンピュータ44によって制御されることになる。
【0033】
コンピュータ44には、メモリー45が接続されているが、このメモリー45には、各レンズ強度、検出器の選択、絞りの開口の選択などが、電子顕微鏡の観察モード、電子銃の加速電圧や倍率に応じてテーブルの形式で記憶されている。
【0034】
例えば、電子銃の加速電圧を変化させた場合には、選択された加速電圧で電子ビームが最適に試料11にフォーカスされ、試料を透過した電子像が例えば指定された倍率となるように、第1のTVカメラ28のスクリーン上に最適に投影されるような各レンズ強度があらかじめ記憶されている。
【0035】
コンピュータ44には、キーボード46、マウス47、コントロールパネル48、ディスプレイ49が接続されており、キーボード46、マウス47によってコンピュータ44への指令や各種の条件設定を行なうことができるように構成されている。また、ディスプレイ49の画面には、像表示領域50、装置の制御のためのGUI(グラフィックユーザーインターフェイス)51、マウス47やキーボード46によって画面上を移動するポインター52が表示されている。また、当然のことながら、コンピュータ44内には、電子顕微鏡の各種構成要素を指定されたモードや条件に応じてコントロールするためのソフトウェア53が備えられている。このような構成の動作を次に説明する。
【0036】
さて、図1に示した走査透過電子顕微鏡は、透過電子顕微鏡像の観察と、走査電子顕微鏡像の観察と、透過走査電子顕微鏡像の観察とを行なうことができる。透過電子顕微鏡像を観察する場合、キーボード46やマウス47を用いて、ディスプレイ49に表示されているGUI51中の例えば、TEMの表示がされている領域にポインター52を位置させ、マウス47をクリックするなどして、TEMモードを選択する。
【0037】
TEMモードが選択されると、コンピュータ44は検出器駆動電源39を制御し、駆動機構32により2次電子検出器27を光軸から遠くに退避させ、駆動機構34により暗視野像検出器29を、駆動機構35により明視野像検出器30を光軸上から退避させる。そして、駆動機構33aと33bによって、第1のTVカメラ28か第2のTVカメラ31のいずれか一方を光軸上に配置し、他方を光軸から退避させる。
【0038】
この第1のTVカメラ28は広視野観察用に比較的低い倍率の像を観察する際に主として用いられるもので、投影レンズ19に近い位置に配置される。また、第2のTVカメラ31は、高分解能のTVカメラが用いられ、比較的高い倍率で像の観察を行う際に用いられる。この2種のTVカメラのいずれを用いるかは、コンピュータ44のディスプレイ49のGUI51によって選択することができる。
【0039】
例えば、広視野の電子顕微鏡像を観察する場合には、第1のTVカメラ28が光軸上に配置され、第2のTVカメラ31は光軸から退避させられる。この状態で、コンピュータ44はコンデンサレンズ4、5、対物レンズ10の励磁電流を制御し、比較的太い径(1nm)のプローブが試料11に照射されるように制御する。また、中間レンズ16〜18と投影レンズ19の励磁電流を制御し、試料11を透過した電子による像が第1のTVカメラ28のスクリーン上に結像されるように制御する。
【0040】
このように各レンズを制御して電子銃2からの電子ビームを試料11に照射すれば、第1のTVカメラ28のスクリーン上には試料の特定広視野の透過電子顕微鏡像が投影される。TVカメラ28のスクリーン上に投影された像は映像信号として読み出され、透過電子顕微鏡像取得のためのTV電源40を介してコンピュータ44に送られる。コンピュータ44に供給された映像信号は、ディスプレイ49に供給され、ディスプレイ49の画面の像表示領域50上には、広領域の倍率の比較的低い透過電子顕微鏡像が表示される。
【0041】
なお、比較的倍率の高い高分解能の透過電子顕微鏡像を観察する場合には、駆動機構33aによって第1のTVカメラ28が光軸上から退避させられ、駆動機構33bによって第2のTVカメラ31が光軸上に配置される。その際には、中間レンズ16〜18、投影レンズ19のレンズ強度が調整され、電子像がカラム1の下部に配置された第2のTVカメラ31のスクリーン上に結像されるように制御される。
【0042】
TVカメラ31のスクリーン上に投影された像は映像信号として読み出され、透過電子顕微鏡像取得のためのTV電源40を介してコンピュータ44に送られる。コンピュータ44に供給された映像信号は、ディスプレイ49に供給され、ディスプレイ49の画面の像表示領域50上には、倍率の高い高分解能の透過電子顕微鏡像が表示される。なお、第1のTVカメラ28を用いて得られた像は試料の視野探しのために用いられ、第2のTVカメラ31を用いて得られた像は視野探しの結果得られた試料の所望領域の高分解能の像となる。
【0043】
次に、走査電子顕微鏡像と透過走査電子顕微鏡像を観察する際の操作について説明する。走査電子顕微鏡像あるいは走査透過電子顕微鏡像を観察する場合、キーボード46やマウス47を用いて、ディスプレイ49に表示されているGUI51中の例えば、SEMあるいはSTEMの表示がされている領域にポインター52を位置させ、マウス47をクリックするなどして、SEMあるいはSTEMモードを選択する。
【0044】
このSEMモードが選択されると、コンピュータ44は検出器駆動電源39を制御し、駆動機構32によって2次電子検出器27を光軸に近い位置に移動させ、暗視野像検出器29、明視野像検出器30を光軸上から退避させる。そして、第1のTVカメラ28と第2のTVカメラ31も光軸から退避させる。
【0045】
この状態で、コンピュータ44はコンデンサレンズ4、5、対物レンズ10の励磁電流を制御し、比較的細い径(0.2nm程度)のプローブが試料11に照射されるように制御する。このように各レンズを制御して電子銃2からの電子ビームを試料11に照射すると共に、コンデンサレンズアライメントコイル14、15に電子ビームの2次元走査信号を供給すれば、試料11の所定領域で電子ビームが2次元的に走査される。
【0046】
試料上の電子ビームの2次元走査に基づいて試料11の表面から発生した2次電子は、2次電子検出器27に導かれて検出される。検出された2次電子信号は、映像信号として増幅器41を介してコンピュータ44に供給される。コンピュータ44に供給された映像信号は、ディスプレイ49に供給され、その結果、像表示領域50には、走査電子顕微鏡像が表示されることになる。
【0047】
次に、STEMモードが選択されると、コンピュータ44は検出器駆動電源39を制御し、駆動機構32によって2次電子検出器27を光軸から遠くに離し、駆動機構33a、33bを駆動して、暗視野像検出器29、明視野像検出器30のいずれか一方を光軸上に配置し、他方を光軸上から退避させる。そして、第1のTVカメラ28と第2のTVカメラ31も光軸から退避させる。
【0048】
この状態で、コンピュータ44はコンデンサレンズ4、5、対物レンズ10の励磁電流を制御し、比較的細い径(0.2nm程度)のプローブが試料11に照射されるように制御する。このように各レンズを制御して電子銃2からの電子ビームを試料11に照射すると共に、コンデンサレンズアライメントコイル14、15に電子ビームの2次元走査信号を供給すれば、試料11の所定領域で電子ビームが2次元的に走査される。
【0049】
試料上の電子ビームの2次元走査に基づいて試料11を透過した電子は、光軸上に配置された暗視野像用検出器29か明視野像用検出器30のいずれかによって検出される。検出された透過電子信号は、映像信号として増幅器41を介してコンピュータ44に供給される。コンピュータ44に供給された映像信号は、ディスプレイ49に供給され、その結果、像表示領域50には、明視野か暗視野の走査透過電子顕微鏡像が表示されることになる。
【0050】
図2にTEMモードとSEMおよびSTEMモードの時の各レンズ強度と光路を参考として示している。図2において実線がTEMモードの時のレンズ強度と光路を示しており、点線がSEMおよびSTEMモードの時のレンズ強度と光路を示している。図中CLはコンデンサレンズであり、図1の装置の2段のコンデンサレンズを1段で示している。また、OLpreは対物レンズ10による試料の前方磁場を示しており、OLpostは、対物レンズ10による試料の後方磁場を示している。
【0051】
更に、IL1は中間レンズで、図1に示した装置の2段の中間レンズを1段で示している。IL2+PLは、図1における3段目の中間レンズと投影レンズの合成レンズを示している。この図から明らかなように、SEM・STEMモードでは、TEMモードに比べて対物レンズ10のレンズ強度が強くされ、中間レンズ系のレンズ強度は弱くされている。
【0052】
以上説明したように、図1の装置では、透過電子顕微鏡像、走査電子顕微鏡像、走査透過電子顕微鏡像の観察が可能である。本発明では、ディスプレイ49のGUI51にシャワーモードに入るためのボタンが配置されている。このシャワーモードのボタン領域にポインター52を位置させ、マウス47によりクリックすると、これに連動して、各レンズの励磁強度があらかじめ記憶してある値に設定され、また、アパーチャの孔径も変化させられる。
【0053】
図3にはコンピュータ44、ディスプレイ49、メモリー45、マウス47部分の詳細を示している。ディスプレイ49のGUI51の表示領域には、各種の条件設定のための表示ボタンC1、C2、…、Cnと共に、シャワーモードの設定ボタンSが設けられている。なお、例えば、C1はSTMモード、STEMモード、TEMモードを選択する条件設定ボタンとされている。
【0054】
コンピュータ44に接続されたメモリー45内はいくつかの記憶領域に分けられており、その中のM1領域には、シャワーモードの際に設定すべきパラメータの値、例えば、コンデンサレンズ4(CL1)とコンデンサレンズ5(CL2)の値、コンデンサレンズアパーチャ6(CLAp)の特定の孔径(絞りの大きさ)の番号を示す数字、コンデンサレンズアライメントコイル13(CLA1)とコンデンサレンズアライメントコイル14(CLA2)の値、ビームシャワーを行なうモード(図3のケースではSEMモード)が記憶されるように構成されている。
【0055】
また、メモリー45内の別の記憶領域M2領域には、シャワーモードに移る直前のパラメータの値、例えば、コンデンサレンズ4(CL1)とコンデンサレンズ5(CL2)の値、コンデンサレンズアパーチャ6(CLAp)の特定の孔径(絞りの大きさ)の番号を示す数字、コンデンサレンズアライメントコイル13(CLA1)とコンデンサレンズアライメントコイル14(CLA2)の値、ビームシャワーを行なうモード(図3のケースではTEMモード)が記憶されるように構成されている。
【0056】
さて、透過電子顕微鏡像の観察を行う場合、マウスを用いてポインター52をディスプレイ49の画面上で移動させ、GUI51の各条件設定ボタンC1からCnの内、所望の観察を行うに当たって必要とする条件に関した設定ボタン上にポインター52を位置させ、マウス47をクリックする。
【0057】
例えば、観察に必要な条件とは、観察モードの選択、倍率値、電子ビームの加速電圧、電子ビームの電流密度等である。これらの条件設定のためのボタン上に順にポインター52を移動させ、マウス47をクリックすると、制御ソフトウェア53は、クリックされた条件の設定画面をディスプレイ49上に表示する。この条件設定画面は特に図示していないが、この画面上でモードの選択や倍率などの値の入力をマウス47やキーボード46を用いて行なう。このようにして、所望の観察モードやその観察の際の各種条件が選択され、また入力されるが、それらのデータは、制御ソフトウェア53のコントロールの下にメモリー45に記憶される。
【0058】
例えば、TEMモードを選択して各種の条件の設定を行なった後、観察実行の指示を、例えばキーボード46を用いて行なえば、制御ソフトウェア53は記憶された条件に基づいて、インターフェース43を介して各電源を制御することから、レンズ強度等は所望の値に設定され、アパーチャの孔径や検出器の選択が行なわれる。その結果、ディスプレイ49の像表示領域には、所望の倍率の透過電子顕微鏡像が表示されることになる。
【0059】
ここで、試料11の表面の汚染を防止するため、試料11の観察画面領域より広い領域に強い電子ビームを照射し、汚染の元となる原子や分子を重合により結び付け、試料汚染を軽減させる場合、マウス47によってポインター52をビームシャワーボタンSの位置に移動させ、マウスをクリックする。この動作によって、透過電子顕微鏡はビームシャワーモードとなる。なお、ビームシャワーモードに設定するため、GUI51にビームシャワーボタンSを設け、このボタンをマウスでクリックするようにしたが、制御パネル48上に設けられた専用ボタンにより、ビームシャワーモードの設定を行なっても良い。
【0060】
このようにして、ビームシャワーモードの選択を行なうと、ディスプレイ49の画面には、図4に示すようなビームシャワーの条件設定と開始画面が表示される。この画面で設定される条件としては、ビームシャワーのモードをTEMモードかSEMモードとするかの選択(Mode Select)、ビームシャワーにより、電子ビームを照射する領域(倍率)の設定(Irradiation Area)、コンデンサレンズアパーチャの孔径の選択、更には、スポットサイズ(Spot Size)、ビームシャワー時間(Beam Shower Time)、電子ビームのドーズレート(A/cm2)、電子ビームのトータルドーズ量(C/cm2)などの設定である。
【0061】
これらの設定された値は、メモリー45内の領域M1に記憶されるが、図3におけるメモリー45内の記憶領域M1には、コンデンサレンズアパーチャの孔径の番号などは直接その値が記憶されるものの、設定された電子ビームのスポットサイズや電子ビームのドーズ量等は、そのものが記憶されるのではなく、それらのサイズやドーズ量となるような、コンデンサレンズCL1、CL2等の励磁強度が計算されて記憶されている。
【0062】
上記各条件の設定が終了した後、スタート(Start)ボタンをクリックすると、現在設定されている倍率、モード、コンデンサレンズの強度、コンデンサレンズアパーチャの孔径などのデータが、メモリー45内の領域M2に記憶される。それと同時に、メモリー領域M2に記憶されたビームシャワーモードの各種設定値や条件のデータが読み出され、それらのデータは、インターフェース43を介して各レンズの電源等に供給される。
【0063】
この結果、電子光学系はビームシャワーモードに設定され、試料11の所定の領域には強い電子ビームが照射され、電子ビームの照射された試料表面の原子や分子は、重合により拡散が抑制されることになる。このとき、図3の例では、観察モードがTEMモードであり、ビームシャワーモードの際にはSEMモードとされている。したがって、試料11の所定の領域には、細く絞られた強い電子ビームが照射され、コンデンサレンズアライメントコイル14、15には、試料11の設定された領域を電子ビームで走査するための走査信号が供給される。
【0064】
装置がビームシャワーモードに設定されて、ビームの試料11への照射が開始されると、ディスプレイ49の画面上には、図5に示すようなビームシャワーが終了するまでの時間とその経過を示すウィンドウが表示される。なお、図5の画面上でStopボタンをクリックすると、ビームシャワーを途中で中断させることができる。
【0065】
ビームシャワー時間は、コンピュータ44内に設けられたタイマーによって測定されており、設定されたビームシャワー時間となると、あらかじめ記憶領域M2に記憶されているデータが読み出され、観察モード、倍率、アライメント、コンデンサレンズアパーチャの孔径の大きさ等のデータに基づいて、顕微鏡はビームシャワーモードに入る直前の条件に直ちに戻される。したがって、像の観察は、試料汚染が著しく軽減された状態で行なうことが可能となる。
【0066】
ここで、コンデンサレンズCL1(4)、CL2(5)の励磁強度を変えることにより、試料11に照射される電子ビーム径(電子ビームの量に対応)を変化させることができることを図6の光線図を用いて説明する。図6においては、第1のコンデンサレンズCL1(4)と第2のコンデンサレンズCL2(5)と、対物レンズ10による試料11の前方磁場OLpreと、対物レンズ10による試料11の後方磁場OLpostが示されている。なお、6はコンデンサレンズアパーチャである。
【0067】
試料11に照射される電子ビームの量は、図示されている角度αの大きさによって制限され、その量は、αの2乗に比例する。もし、図6(a)、(b)に示すように、第1のコンデンサレンズCL1の励磁強度を強くし、第2のコンデンサレンズCL2の励磁を小さくすれば、結果として角度αは小さくなり、試料11面上に照射される電子ビームの量は少なくなる。
【0068】
また、図6(c)に示すように、コンデンサレンズアパーチャ6の孔径を大きくすれば、試料11に照射される電子ビームの量は多くなる。このように、電子ビームの照射径の絞り(アパーチャ)やコンデンサレンズの設定値を可変とすることでビームシャワーモードに適した照射電流を設定することができる。
【0069】
更に、設定された電子ビーム量に対して、あらかじめ測定しておいた電子ビーム源の輝度や、CL1/CL2の励磁に対する焦点距離やアパーチャの大きさによって、試料11面上に照射される電流量が計算できる。そして計算された電流量の値により、単位面積当たりの照射電流密度を計算することができる。
【0070】
また、設定された電子ビームの照射時間により、このモードで照射される電子ビームの単位面積当たりのトータルの照射電流量を計算することができる。このような値を例えば、ディスプレイ49に表示することによって、オペレータは、適正なビームシャワー条件を定量的に把握することができる。
【0071】
以上本発明の実施の形態を説明したが、本発明はこの実施の形態に限定されず幾多の変形が可能である。例えば、像の観察をTEMモードで行い、ビームシャワーモードのときには、SEMモードとして試料の汚染の防止を行なうようにしたが、ビームシャワーモードをTEMモードで行なうこともできる。また、オペレータがビームシャワー条件の設定に迷った場合に、電子ビームの照射系を標準的なビームシャワー条件に設定できるように、GUI51にデフォルト値を設定するボタンを設け、このボタンをクリックすることにより、標準的な条件に電子ビームの照射系を設定できるように構成すれば、初心者でも簡単にビームシャワー法によって試料の汚染防止処理を行なうことができる。
【0072】
また、ビームシャワーの際の電子ビームの照射領域について、現在観察を行っている倍率において、ビームシャワーを行ないたい時には、自動倍率ボタンをチェック、すなわち、モードの切り換えによって倍率が変化しないようにすれば、オペレータは、電子ビームの照射領域に迷うことなく自動的にビームシャワーを行なうことができる。図3のメモリー領域M2に記憶されているデータの場合は、自動的に倍率を一定としている。その一方で、ビームシャワーモードの際の倍率設定をマニュアルで行なうことができるように構成しておけば、オペレータは、任意の領域でビームシャワーを実行することができる。
【0073】
【発明の効果】
請求項1の発明に基づく電子顕微鏡は、試料に照射される電子ビームの量を通常の観察時より多くするビームシャワーモードに設定するためのモード切り換え手段を有しており、モード切り換え手段によってビームシャワーモードが選択された場合には、電子ビームの試料への照射系レンズであるコンデンサレンズの励磁強度とコンデンサレンズアパーチャの孔径とをあらかじめ記憶されていた値に自動的に設定可能に構成したので、電子顕微鏡の操作に不慣れなオペレータでも、簡単に電子顕微鏡のモードをビームシャワーモードとし、試料の汚染を防止することができる。その結果、誰もが試料の汚染の影響が著しく軽減した状態で透過電子顕微鏡像や走査電子顕微鏡像の観察や試料の分析を実行することができる。
【0074】
請求項2に基づく発明では、ビームシャワーモードにおける試料への電子ビームの照射をTEMモードで行なうか、SEMモードで行なうかの選択ができるように構成したので、装置の操作性を向上させることができる。
【0075】
請求項3に基づく発明では、電子ビームの照射系をビームシャワーモードにする際、直前の電子ビームの照射系の条件を記憶し、ビームシャワーモードが終了した際には、記憶された条件に照射系を自動的に設定するように構成したので、ビームシャワーモードが終了した後に再び前の観察条件に装置の各パラメータの設定をやり直すことが不用となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に基づく方法を実施する電子顕微鏡の一例として走査透過電子顕微鏡を示す図である。
【図2】SEMモードとTEMモードのレンズ強度と光路を示す図である。
【図3】コンピュータ、メモリー、ディスプレイの動作を説明するための図である。
【図4】ディスプレイに表示されたビームシャワーの条件設定と開始画面の一例を示す図である。
【図5】ビームシャワー中の表示画面の一例を示す図である。
【図6】コンデンサレンズの励磁強度を変えることにより、試料に照射される電子ビーム径を変化させることができることを説明するための光線図である。
【符号の説明】
1 カラム
2 電子銃
3 加速管
6、20、21 絞り
7、8 電子銃アライメントコイル
10 対物レンズ
11 試料
13、23 非点補正レンズ
14、15 コンデンサレンズアライメントコイル
16、17、18 中間レンズ
19 投影レンズ
24、25 イメージシフトコイル
26 投影レンズアライメントコイル
27、29、30 検出器
28、31 TVカメラ
32a、32b TVカメラ駆動機構
33、34、35 検出器駆動機構
36 レンズ電源
37 高電圧電源
38 アライメントコイル用電源
39 検出器駆動電源
40 TEM像のためのTV電源
41 走査像用信号増幅器
42 絞り駆動電源
43 インターフェース
44 コンピュータ
45 メモリー
46 キーボード
47 マウス
48 コントロールパネル
49 ディスプレイ
50 像表示領域
51 GUI
52 ポインター[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an electron microscope that irradiates a sample with a primary electron beam and obtains a sample image based on electrons transmitted through the sample, electrons reflected from the surface of the sample, and electrons generated by secondary excitation of the sample.
[0002]
[Prior art]
In an electron microscope, an electron beam generated and accelerated from an electron gun is finely focused on a sample by a condenser lens and an objective lens. Electrons transmitted and scattered through the sample are imaged by an intermediate lens and a projection lens, a fluorescent plate is arranged at the image forming position, and an image enlarged and projected on the fluorescent plate is observed. In addition, instead of the fluorescent screen, a TV camera such as a CCD camera is arranged at an image forming position, an image projected on a screen of the TV camera is converted into a video signal, and the video signal is supplied to a display device such as a cathode ray tube. Observing an image with a display device is also performed.
[0003]
In another type of electron microscope, that is, a scanning transmission electron microscope, an electron beam generated and accelerated from an electron gun is finely focused on a sample by a condenser lens and an objective lens, and a predetermined range on the sample is electron-scanned. It scans with a beam. By irradiating the sample with an electron beam, electrons transmitted through the sample are detected, and this detection signal is supplied to a display in accordance with the scanning of the primary electron beam to display a scanning transmission electron microscope image of the sample. .
[0004]
Further, in a scanning transmission electron microscope, a scanned secondary electron image or a reflected electron image of a sample can be obtained. In this case, the electron beam generated and accelerated from the electron gun is narrowly focused on the sample by the condenser lens and the objective lens, and a predetermined range on the sample is scanned by the electron beam. Secondary electrons generated from the sample are detected by secondary excitation generated by irradiating the sample with the primary electron beam, and the detection signal is supplied to a display in accordance with the scanning of the primary electron beam, thereby scanning the sample. A secondary electron image can be displayed. Further, by detecting the reflected electrons reflected from the sample and supplying the detection signal to a display in accordance with the scanning of the primary electron beam, a scanned reflected electron image of the sample can be displayed.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
In the above-mentioned electron microscope, when the observation of the sample is scanned in a predetermined area on the sample by narrowing the electron beam in a scanning image mode, molecules or atoms such as carbon existing in the vicinity of the electron beam are generated by the electron beam. It is known that it is attracted by an electric field generated by electric charges and deposits on a sample surface. Such a phenomenon is usually called sample contamination.
[0006]
If this sample contamination occurs, the contrast and resolution of the image will be reduced, or if the sample is irradiated with an electron beam to detect characteristic X-rays from the sample and perform elemental analysis of the sample, the analysis results Elements other than the sample are mixed.
[0007]
In order to prevent such sample contamination, several methods have been proposed and put into practice. Among them, a beam shower method has been adopted as a method that can be performed relatively easily. In this method, a large area including a visual field to be observed is irradiated with a strong electron beam (an electron beam having a large current density) to reduce sample contamination.
[0008]
The principle of reducing the sample contamination by the beam shower method is considered that when a strong electron beam is applied to the sample, atoms or molecules that cause contamination on the sample are polymerized by the energy of the electrons. That is, it is considered that the molecules and atoms are linked by polymerizing the molecules and the atoms, which has an effect of preventing diffusion.
[0009]
This operation of the beam shower is performed before the sample is analyzed. However, setting each parameter of the electron microscope to the condition of the beam shower method is manually performed by an operator. The effect of the sample contamination caused by the beam shower is remarkably exhibited in both the scanning mode (SEM mode) of the electron microscope and the mode using a large electron beam (TEM mode) in the transmission electron microscope.
[0010]
However, in the SEM mode, since a local portion of the sample is irradiated with an electron beam having a large current density, it cannot be used for a sample in which the local portion is instantaneously damaged by being irradiated with the electron beam. However, in the SEM mode, the sample is analyzed and the surface state is observed by scanning the electron beam. Therefore, switching from the sample analysis / observation state to the beam shower mode is performed in the electron beam scanning mode. This has the advantage that it can be done easily.
[0011]
On the other hand, in the TEM mode, since a uniform electron beam is irradiated to the sample, it is an effective method for a sample which is instantaneously damaged by irradiation of an electron beam having a large current density. From such a point, which mode is selected in performing the beam shower is empirically executed depending on a sample to be analyzed or observed by the operator.
[0012]
As described above, when performing a beam shower in order to reduce sample contamination while analyzing or observing a sample using an electron microscope, the operator sets each parameter of the electron microscope for the beam shower mode. Must be set to The setting of these parameters is a troublesome operation for the operator, and the time required for this operation is not negligible.
[0013]
In addition, setting of these parameters requires abundant experience, and it is inevitably difficult for a novice operator to perform a condition setting operation. Furthermore, if the beam shower is performed during the analysis or observation of the sample, the parameters of the electron microscope must be returned to the original analysis or observation mode after the beam shower operation is completed. It takes a considerable amount of time to perform the operation, and mistakes often occur when setting the original conditions accurately.
[0014]
The present invention has been made in view of such a point, and an object thereof is that anyone can easily perform setting of a beam shower mode under optimum conditions, and after the beam shower operation is completed. Another object of the present invention is to realize an electron microscope that can accurately return each parameter of the electron microscope to the original analysis or observation mode in a short time.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
The electron microscope according to the first aspect of the present invention has a mode switching unit for setting a beam shower mode in which the amount of the electron beam irradiated on the sample is larger than that in a normal observation. When the shower mode is selected, the excitation intensity of the condenser lens, which is an irradiation lens of the electron beam to the sample, and the hole diameter of the condenser lens aperture can be automatically set to values stored in advance, The beam shower mode prevents contamination of the sample.
[0016]
According to the invention based on
[0017]
In the invention according to
[0018]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows an example of a scanning transmission electron microscope according to the present invention. In this microscope, an electron beam is scanned on a sample, and a scanning electron microscope image based on secondary electrons from the sample surface is obtained. The beam is scanned over the sample, and multiple images of the scanning transmission electron microscope image based on the electrons transmitted through the sample and the transmission electron microscope image based on the electrons transmitted through the sample without scanning the electron beam can be selectively observed. It is configured to be able to.
[0019]
In the figure, an electron beam EB generated from an
[0020]
The central portion of the electron beam converged by the condenser lenses 4 and 5 passes through the opening of the condenser lens aperture 6, and the outside of the electron beam with a large aberration is blocked by the aperture 5. The condenser lens stop 6 is provided with a plurality of apertures having different diameters, and is configured such that an aperture having any appropriate diameter is arranged on the optical axis according to various modes of the microscope. I have. A pair of alignment coils 7 and 8 are disposed between the accelerating
[0021]
The electron beam that has passed through the opening of the condenser lens aperture 6 is finely adjusted in focus of the electron beam by the condenser mini lens 9, and then is irradiated on the sample 11 arranged in the magnetic field of the
[0022]
The forward magnetic field of the sample 11 by the
[0023]
The
[0024]
Further, below the
[0025]
A secondary electron detector 27 is provided above the sample 11. This secondary electron detector is operated in the scanning electron microscope image observation mode. For example, a detector composed of a scintillator and a photomultiplier tube is used to accelerate secondary electrons from a sample. Lead to the scintillator.
[0026]
Further, at the subsequent stage of the imaging lens system, a first TV camera 28 such as a CCD camera, a
[0027]
Lenses in
[0028]
Further, a desired current flows from the
[0029]
Further, a
[0030]
Further, a TV power supply 40 for acquiring transmission electron microscope image signals from the first TV camera 28 and the second TV camera 31 is provided, and a secondary electron detector 27 and a detection for dark field image observation are provided. The scanning image signals from the
[0031]
The
[0032]
The
[0033]
A
[0034]
For example, when the accelerating voltage of the electron gun is changed, the electron beam is optimally focused on the sample 11 at the selected accelerating voltage, and the electron image transmitted through the sample has, for example, a specified magnification. The lens intensities that are optimally projected on the screen of one TV camera 28 are stored in advance.
[0035]
A keyboard 46, a
[0036]
The scanning transmission electron microscope shown in FIG. 1 can observe a transmission electron microscope image, observe a scanning electron microscope image, and observe a transmission scanning electron microscope image. When observing a transmission electron microscope image, the
[0037]
When the TEM mode is selected, the
[0038]
The first TV camera 28 is mainly used when observing an image having a relatively low magnification for wide-field observation, and is arranged at a position close to the projection lens 19. The second TV camera 31 is a high-resolution TV camera, and is used when observing an image at a relatively high magnification. Which of the two types of TV cameras to use can be selected by the
[0039]
For example, when observing a wide-field electron microscope image, the first TV camera 28 is arranged on the optical axis, and the second TV camera 31 is retracted from the optical axis. In this state, the
[0040]
By controlling each lens in this way and irradiating the sample 11 with the electron beam from the
[0041]
When observing a transmission electron microscope image with a relatively high magnification and a high resolution, the first TV camera 28 is retracted from the optical axis by the driving mechanism 33a, and the second TV camera 31 is moved by the driving mechanism 33b. Are arranged on the optical axis. At that time, the lens intensities of the intermediate lenses 16 to 18 and the projection lens 19 are adjusted, and control is performed so that an electronic image is formed on the screen of the second TV camera 31 arranged below the
[0042]
The image projected on the screen of the TV camera 31 is read out as a video signal and sent to the
[0043]
Next, an operation for observing a scanning electron microscope image and a transmission scanning electron microscope image will be described. When observing the scanning electron microscope image or the scanning transmission electron microscope image, the
[0044]
When the SEM mode is selected, the
[0045]
In this state, the
[0046]
Secondary electrons generated from the surface of the sample 11 based on the two-dimensional scanning of the electron beam on the sample are guided to the secondary electron detector 27 and detected. The detected secondary electron signal is supplied to the
[0047]
Next, when the STEM mode is selected, the
[0048]
In this state, the
[0049]
Electrons transmitted through the sample 11 based on the two-dimensional scanning of the electron beam on the sample are detected by either the dark-
[0050]
FIG. 2 shows each lens intensity and optical path in the TEM mode, the SEM mode and the STEM mode for reference. In FIG. 2, a solid line indicates the lens intensity and the optical path in the TEM mode, and a dotted line indicates the lens intensity and the optical path in the SEM and STEM modes. In the figure, CL is a condenser lens, and the two-stage condenser lens of the apparatus of FIG. OLpre indicates a forward magnetic field of the sample by the
[0051]
Further, IL1 is an intermediate lens, which indicates a two-stage intermediate lens of the apparatus shown in FIG. 1 in one stage. IL2 + PL indicates a combined lens of the third-stage intermediate lens and projection lens in FIG. As is clear from this figure, in the SEM / STEM mode, the lens strength of the
[0052]
As described above, the apparatus of FIG. 1 enables observation of a transmission electron microscope image, a scanning electron microscope image, and a scanning transmission electron microscope image. In the present invention, a button for entering the shower mode is arranged on the
[0053]
FIG. 3 shows details of the
[0054]
The
[0055]
In another storage area M2 in the
[0056]
By the way, when observing the transmission electron microscope image, the
[0057]
For example, conditions necessary for observation include selection of an observation mode, a magnification value, an acceleration voltage of an electron beam, a current density of an electron beam, and the like. When the
[0058]
For example, after selecting the TEM mode and setting various conditions, if an instruction to execute observation is given using, for example, the keyboard 46, the
[0059]
Here, in order to prevent contamination of the surface of the sample 11 by irradiating a strong electron beam to an area wider than the observation screen area of the sample 11 to combine atoms and molecules that cause the contamination by polymerization to reduce sample contamination. Then, the
[0060]
When the beam shower mode is selected in this way, the screen of the display 49 displays a beam shower condition setting and start screen as shown in FIG. The conditions set on this screen include selection of the mode of the beam shower between the TEM mode and the SEM mode (Mode Select), setting of an area (magnification) for irradiating the electron beam by the beam shower (Irradiation Area), Selection of the hole diameter of the condenser lens aperture, furthermore, spot size (Spot Size), beam shower time (Beam Shower Time), dose rate of electron beam (A / cm) 2 ), Total dose of electron beam (C / cm 2 ).
[0061]
These set values are stored in the area M1 in the
[0062]
When the start button is clicked after the setting of each of the above conditions is completed, data such as the currently set magnification, mode, condenser lens strength, and condenser lens aperture diameter are stored in the area M2 in the
[0063]
As a result, the electron optical system is set to the beam shower mode, a predetermined region of the sample 11 is irradiated with a strong electron beam, and the diffusion of atoms and molecules on the surface of the sample irradiated with the electron beam is suppressed by polymerization. Will be. At this time, in the example of FIG. 3, the observation mode is the TEM mode, and in the beam shower mode, the observation mode is the SEM mode. Therefore, a predetermined area of the sample 11 is irradiated with a narrow and strong electron beam, and the condenser lens alignment coils 14 and 15 receive a scanning signal for scanning the set area of the sample 11 with the electron beam. Supplied.
[0064]
When the apparatus is set to the beam shower mode and the irradiation of the sample 11 with the beam is started, the time until the beam shower ends as shown in FIG. A window will appear. When the Stop button is clicked on the screen in FIG. 5, the beam shower can be interrupted halfway.
[0065]
The beam shower time is measured by a timer provided in the
[0066]
Here, it is shown that the diameter of the electron beam (corresponding to the amount of the electron beam) applied to the sample 11 can be changed by changing the excitation intensity of the condenser lenses CL1 (4) and CL2 (5). This will be described with reference to the drawings. 6, a first condenser lens CL1 (4) and a second condenser lens CL2 (5), a forward magnetic field OLpre of the sample 11 by the
[0067]
The amount of the electron beam applied to the sample 11 is limited by the size of the angle α shown in the figure, and the amount is proportional to the square of α. If the excitation intensity of the first condenser lens CL1 is increased and the excitation of the second condenser lens CL2 is decreased as shown in FIGS. 6A and 6B, the angle α decreases as a result, The amount of the electron beam irradiated on the surface of the sample 11 is reduced.
[0068]
Further, as shown in FIG. 6C, when the hole diameter of the condenser lens aperture 6 is increased, the amount of the electron beam applied to the sample 11 is increased. As described above, the irradiation current suitable for the beam shower mode can be set by changing the setting values of the aperture (aperture) of the irradiation diameter of the electron beam and the condenser lens.
[0069]
Further, for the set amount of electron beam, the amount of current applied to the surface of the sample 11 depends on the brightness of the electron beam source, the focal length for CL1 / CL2 excitation, and the size of the aperture, which are measured in advance. Can be calculated. The irradiation current density per unit area can be calculated from the calculated current amount.
[0070]
Further, the total irradiation current amount per unit area of the electron beam irradiated in this mode can be calculated from the set irradiation time of the electron beam. By displaying such values on the display 49, for example, the operator can quantitatively grasp the appropriate beam shower conditions.
[0071]
Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to this embodiment, and various modifications can be made. For example, the observation of the image is performed in the TEM mode, and in the beam shower mode, the contamination of the sample is prevented as the SEM mode. However, the beam shower mode can be performed in the TEM mode. If the operator is unsure of the setting of the beam shower condition, a button for setting a default value is provided on the
[0072]
Also, regarding the irradiation area of the electron beam at the time of the beam shower, when performing the beam shower at the magnification currently being observed, check the automatic magnification button, that is, if the magnification is not changed by switching the mode, The operator can automatically perform the beam shower without getting lost in the electron beam irradiation area. In the case of data stored in the memory area M2 in FIG. 3, the magnification is automatically kept constant. On the other hand, if the configuration is such that the magnification can be set manually in the beam shower mode, the operator can execute the beam shower in an arbitrary area.
[0073]
【The invention's effect】
The electron microscope according to the first aspect of the present invention has a mode switching unit for setting a beam shower mode in which the amount of the electron beam irradiated on the sample is larger than that in a normal observation. When the shower mode is selected, the excitation intensity of the condenser lens, which is the lens for irradiating the sample with the electron beam, and the hole diameter of the condenser lens aperture can be automatically set to previously stored values. Even if the operator is unfamiliar with the operation of the electron microscope, it is possible to easily set the mode of the electron microscope to the beam shower mode and prevent contamination of the sample. As a result, anyone can observe a transmission electron microscope image or a scanning electron microscope image and analyze the sample with the influence of contamination of the sample significantly reduced.
[0074]
According to the invention based on
[0075]
In the invention according to
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 shows a scanning transmission electron microscope as an example of an electron microscope for performing a method according to the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing lens intensities and optical paths in a SEM mode and a TEM mode.
FIG. 3 is a diagram for explaining operations of a computer, a memory, and a display.
FIG. 4 is a diagram showing an example of a beam shower condition setting and start screen displayed on a display.
FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a display screen during a beam shower.
FIG. 6 is a ray diagram for explaining that the diameter of an electron beam irradiated on a sample can be changed by changing the excitation intensity of a condenser lens.
[Explanation of symbols]
1 column
2 electron gun
3 Accelerator tube
6, 20, 21 aperture
7, 8 Electron gun alignment coil
10 Objective lens
11 samples
13,23 Astigmatism correction lens
14, 15 Condenser lens alignment coil
16, 17, 18 Intermediate lens
19 Projection lens
24, 25 Image shift coil
26 Projection lens alignment coil
27, 29, 30 detector
28, 31 TV camera
32a, 32b TV camera drive mechanism
33, 34, 35 Detector drive mechanism
36 Lens power supply
37 High voltage power supply
38 Power supply for alignment coil
39 Detector drive power supply
40 TV power supply for TEM image
41 Signal amplifier for scanning image
42 Aperture drive power supply
43 Interface
44 Computer
45 memory
46 keyboard
47 mouse
48 Control Panel
49 Display
50 image display area
51 GUI
52 pointer
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002209445A JP4050948B2 (en) | 2002-07-18 | 2002-07-18 | electronic microscope |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002209445A JP4050948B2 (en) | 2002-07-18 | 2002-07-18 | electronic microscope |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004055261A true JP2004055261A (en) | 2004-02-19 |
JP4050948B2 JP4050948B2 (en) | 2008-02-20 |
Family
ID=31933292
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002209445A Expired - Fee Related JP4050948B2 (en) | 2002-07-18 | 2002-07-18 | electronic microscope |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4050948B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014063746A (en) * | 2012-03-16 | 2014-04-10 | Hitachi High-Technologies Corp | Charged particle beam device, specimen-observation system, and operation program |
EP4080543A1 (en) | 2021-04-13 | 2022-10-26 | JEOL Ltd. | Electron microscope and specimen contamination prevention method |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4202974A1 (en) * | 2021-12-22 | 2023-06-28 | FEI Company | Transmission charged particle beam apparatus, and method of aligning such a transmission charged particle beam apparatus |
-
2002
- 2002-07-18 JP JP2002209445A patent/JP4050948B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014063746A (en) * | 2012-03-16 | 2014-04-10 | Hitachi High-Technologies Corp | Charged particle beam device, specimen-observation system, and operation program |
US10020163B2 (en) | 2012-03-16 | 2018-07-10 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam apparatus, specimen observation system and operation program |
EP4080543A1 (en) | 2021-04-13 | 2022-10-26 | JEOL Ltd. | Electron microscope and specimen contamination prevention method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4050948B2 (en) | 2008-02-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003331773A (en) | Electron microscope | |
JP2004279328A (en) | Substance identification system | |
JP2001084942A (en) | Scanning electron microscope | |
US8772714B2 (en) | Transmission electron microscope and method of observing TEM images | |
JP2003098123A (en) | Analyzing method in electron microscope | |
US20200161087A1 (en) | Scanning Electron Microscope and Image Processing Method | |
US7847249B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
US6800853B2 (en) | Electron microscope and method of photographing TEM images | |
JP4050948B2 (en) | electronic microscope | |
JP2001235438A (en) | Image observation method and scanning electron microscope | |
JP2020080309A (en) | Charged particle microscope for examining specimens, and method of determining aberration thereof | |
JP2683951B2 (en) | Scanning electron microscope for cross-section observation and cross-section observation method using the same | |
JP3876129B2 (en) | Transmission electron microscope | |
JP4129088B2 (en) | Scanning transmission electron microscope | |
JP2004095191A (en) | Method for regulating electron microscope | |
JP4111778B2 (en) | Observation method of a sample partially processed into a thin film by a focused ion beam device using an electron microscope | |
JP2004095192A (en) | Electron microscope | |
JPH11135052A (en) | Scanning electron microscope | |
JP2008082767A (en) | Particle beam analyzer | |
JP4223734B2 (en) | electronic microscope | |
JP5502794B2 (en) | electronic microscope | |
JP4413887B2 (en) | Material identification system | |
JP4169578B2 (en) | Electron microscope, operation method of electron microscope, operation program of electron microscope, and computer-readable recording medium | |
JP2004146192A (en) | Test piece observation method by transmission electron microscope | |
JPH0238368Y2 (en) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050308 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070410 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070731 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071001 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20071002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071120 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4050948 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111207 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121207 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121207 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131207 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |