JP2004053505A - 磁気センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】簡単な回路構成により、ホール素子出力の温度変化を補償でき、高出力で、且つ安価な磁気センサを提供する。
【解決手段】一定電圧を供給する電源回路1と、磁界を印加した状態で、前記一定電圧を一方向に印加されて、前記一方向に直交する方向にホール電圧を発生して前記磁界を検知する第1のホール素子2と、第1のホール素子2と並列接続されて第1のホール素子と同じ温度特性を有する第2のホール素子3を含み、前記電源回路1に接続する温度補償回路とを有し、前記温度補償回路により、第1のホール素子2の温度特性を補償して、第1のホール素子2の温度特性が一定になるようにした。
【選択図】 図1
【解決手段】一定電圧を供給する電源回路1と、磁界を印加した状態で、前記一定電圧を一方向に印加されて、前記一方向に直交する方向にホール電圧を発生して前記磁界を検知する第1のホール素子2と、第1のホール素子2と並列接続されて第1のホール素子と同じ温度特性を有する第2のホール素子3を含み、前記電源回路1に接続する温度補償回路とを有し、前記温度補償回路により、第1のホール素子2の温度特性を補償して、第1のホール素子2の温度特性が一定になるようにした。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気センサに関わり、特にホール素子を用いて磁場検出する際に、周囲温度に対する依存性の少ないホール電圧を得るのに好適な磁気センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、磁気センサは、磁石と組み合わせてモーターの回転角度を測定するのに使用されている。また、磁性コアのギャップに挿入することにより電流センサとしても、産業機器や輸送機器(自動車、鉄道、船舶等)等の幅広い分野で使用されている。現今は、特に、小型で使用温度範囲が広くかつ高精度に磁気及び電流を検出する磁気センサが求められている。
【0003】
このような磁気センサに使用される磁束検出素子としては、一般的にはホール素子、MR(磁気抵抗効果)素子が用いられる。このうち、多く使用されているのが比較的安価であるホール素子である。
ところで、ホール素子としては、主にガリウムヒ素(GaAs)、インジウムアンチモン(InSb)の素材が用いられている。
【0004】
GaAsを用いたホール素子は、定電流駆動することにより周囲温度変化に対してホール出力電圧(以下、感度ともいう)の変化が少ない反面、外部磁界に対するホール出力電圧が小さい。なお、比較的、高価でもある。
一方、InSbを用いたホール素子は、外部磁界に対するホール出力電圧はGaAsを用いたホール素子に比べて、同一駆動電圧を印加した時に、10〜20倍と非常に大きいが、定電圧駆動、定電流駆動のいずれの場合も、周囲温度変化に対してホール出力電圧が非線形で、且つその変化量が大きい。
【0005】
従って、外部磁界の変化量を検出する磁気センサや磁気比例式電流センサに用いられるホール素子としては、一般的には高価ではあるが温度特性の良好なGaAsが多く用いられている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、GaAsホール素子を用いた磁気センサ及び電流センサにおいて、広範囲の温度範囲で、微小磁界の検出を行う必要がある場合には、一般的に以下の方法が用いられてきた。
(1)ホール素子からの出力を大きくするために、ホール素子に印加する駆動電流を増加する。
(2)ホール素子の出力を必要なレベルまで増幅するアンプの増幅度を上げる。
(3)電流センサの場合には、磁性コアに被測定電流が流れる導線をN回巻いて磁性コア内の磁束をN倍に増加する。
【0007】
しかし、上記の方法にはそれぞれ、以下の問題点があった。
(1)の場合には、駆動電流の増加に対応してホール素子内部の温度が上昇する。これはホール素子の寿命を短くする。このため、駆動電流の上限が決まってしまう。
(2)の場合には、アンプ出力は大きくなるが、磁電変換信号だけでなく、ホール素子からアンプまでの伝送路で受信する周囲ノイズおよび使用するアンプの入力オフセット分も増幅してしまう。そのため、非常にS/N比が悪化してしまう上に、電気回路側でのオフセット電圧の影響が大きく現れてしまう。
【0008】
(3)の場合には、上記の(1)、(2)に比べてN数を物理的限界まで増加させれば、ホール素子が受ける磁束が増加できるために、(1)、(2)の方法で発生する問題は改善できる。しかし、巻き線部の確保と磁束の飽和を防ぐために、使用する磁性コアを大きくしなければならない。さらに、巻き線部体積の増加により、測定する電流が小さくなればなるほどセンサそのものは大きくなり、且つ重量、コストが増加してしまう。さらに被測定電流路のインダクタンスが増加し、結果として線路インピーダンスが増加し、使いづらいものとなる。
【0009】
そこで本発明は,上記問題を解決し、磁気センサにおいて、簡単な回路構成により、ホール素子出力電圧の温度変化を補償できる、高出力で、且つ安価な磁気センサを提供することを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための手段として、第1の発明は、一定電圧を供給する電源回路と、磁界を印加した状態で、前記一定電圧を一方向に印加されて、前記一方向に直交する方向にホール電圧を発生して前記磁界を検知する第1のホール素子と、前記第1のホール素子と並列接続されて前記第1のホール素子と同じ温度特性を有する第2のホール素子を含み、前記電源回路に接続する温度補償回路とを有し、前記温度補償回路により、前記第1のホール素子の温度特性を補償して、前記第1のホール素子の温度特性が一定になるようにしたことを特徴とする磁気センサである。
また、第2の発明は、第1の発明のおいて、前記温度補償回路は、直列接続する第1の抵抗と、第2の抵抗と、前記第2のホール素子とを有し、前記第1の抵抗と前記第2の抵抗との接続点の電圧が前記第1のホール素子の一方の電圧印加端子に印加される構成とするものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態につき、好ましい実施例により、図面を参照して説明する。
本発明の磁気センサは、磁電変換素子として、高いホール出力電圧(高感度)を有し、安価であるInSbホール素子を用い、周囲温度に対するホール出力電圧の変化を、周囲温度に対して同様に変化する、同一素材(InSb)からなるホール素子の端子間抵抗値を用いて、補償したことにより、高感度であり且つ周囲温度に対して感度の変化の少ない磁気センサとしたものである。
【0012】
本発明の磁気センサにおいては、InSbホール素子に印加する駆動電圧を、ホール出力電圧(感度)の周囲温度特性の逆特性となるように変化させることにより、InSbホール素子に特有の大きな非線形の感度温度特性をキャンセルしたものである。
【0013】
まず、本発明の磁気センサにおけるホール出力電圧(感度)の温度補償の考え方を説明する。
図3は、InSbホール素子のブロック図である。
同図に示すように、InSbホール素子20は、例えば十字形状をした高純度InSb薄膜の素子部25とこれに接続する4つの端子21、22、23,24より構成される。端子21と端子22との間に所定の駆動電圧を加え、素子部25に図の紙面に垂直方向の磁界が印加されると、端子23と端子24との間にホール電圧(ホール出力電圧)が発生する。駆動電圧の印加される端子21、22間の抵抗値がInSbホール素子の入力抵抗値Riである。
【0014】
図4は、InSbホール素子における駆動電圧1V印加時の入力抵抗値Riの周囲温度による変化を示すグラフ図である。
同図には、駆動電圧1V印加した時の場合を示してある。
同図に示すように、入力抵抗値Riは0℃付近から30℃付近まで直線的に変化し、0℃付近より低い温度では温度が低くなるにつれ非線形的に上昇し、また30℃以上では温度が高くなるにつれ非線形的に減少していることが判る。この曲線を曲線lとする。
【0015】
図6は、InSbホール素子における駆動電圧1Vで且つ磁束0.05Tを印加した時のホール素子出力の周囲温度による変化を示すグラフ図である。
同図に示すように、ホール素子出力電圧(又は、単に、ホール出力電圧又は感度ともいう)は、0℃付近から30℃付近までの間では、温度に対して直線的に変化し、0℃付近より低い温度では温度が低くなるにつれて、非線形的に下降し、また、30℃付近以上では、温度が高くなるにつれて非線形的に減少している。この曲線を曲線nとする。
【0016】
感度は駆動電圧に比例するので、図6に示した曲線と逆特性を示す駆動電圧をInSbホール素子に印加すれば、感度の周囲温度に対する変化を抑制することが出来る。
図5は、InSbホール素子においてホール素子出力電圧の温度変化を生じないために望ましい駆動電圧の温度変化を示すグラフ図である。この曲線を曲線mとする。
同図に示す印加電圧の周囲温度変化は、図6に示した感度の周囲温度変化の逆特性になっている。すなわち、図5の曲線mに図6の曲線nを掛け合わせると、フラットな直線になる。
【0017】
ここで、図4に示した入力抵抗値の周囲温度変化曲線(曲線l)と、図6で示したホール素子出力電圧の周囲温度変化曲線(曲線n)を比較解析した結果、両者には、相関があることが判明した。
ここで、曲線lを、25℃における入力抵抗値Riを基準として、周囲温度をtとして、温度変化率で表した曲線をf1(t)とする。以下、周囲温度をtで表す。
【0018】
また、曲線nを、25度における感度Vhを基準として、周囲温度をtとして、温度変化率で表した曲線をf3(t)とする。
曲線mに対応する温度変化率で表される曲線を、f1(t)と温度tの関数として近似してf2(t)する。すなわち、以下の(1)式で表す。
【0019】
【数1】
ここで、α及びβは定数である。
曲線f3(t)及び曲線f1(t)を、曲線の構成点の集合として表し、数値計算を行ない、曲線f3(t)とf2(t)が逆曲線の形になるように、α及びβの値を求めた。
【0020】
この結果、例えば、ホール素子の駆動電圧を常温時(25℃)で1Vとし、α=0.11、β=0.0046とした場合に得られるf2(t)に対して、f3(t)とf2(t)との和をとると、図7に示す補正曲線p(f3(t)+f2(t))が得られる。なお、補正曲線pは変化率で表してあるので和となるが、ホール素子出力(mV)とした場合には、積になる。
【0021】
図7は、図5に示す駆動電圧になるようにf1(t)から得られたf2(t)を駆動電圧として印加した時に得られる補償後のホール素子出力変動率の周囲温度による変化を示すグラフ図である。
同図に示す、補償後のホール素子出力変動率(曲線p)は、−10℃から80℃の範囲で2%以内であり、図6に示されている温度補償しない場合における約20%程度ある感度の変化を、極めて良く補償できることを示している。
【0022】
これを実現するためには、本発明の磁気センサにおいて、磁束検出用(感磁用)ホール素子の駆動電源回路を構成するのに、入力抵抗値Ri(t)がf1(t)であるInSbホール素子を温度補償用として用い、他に周囲温度tに対して線形な電圧変化を有する、例えばトランジスタのベース−エッミタ間電圧やツェナーダイオードのツェナー電圧を用いる。
以下、駆動用の電圧源回路を含む本発明の磁気センサの実施例を説明する。
【0023】
<実施例>
図1は、本発明の磁気センサの実施例を示すブロック図である。
図2は、本発明の磁気センサの実施例を示す回路構成図である。
図1及び詳細には図2に示すように、本実施例の磁気センサ10は、電圧源回路1と、感磁用ホール素子2と、増幅回路4とにより構成されている。
【0024】
電圧源回路1には、端子5より基準電圧Vccが印加されており、内部には温度補償用ホール素子3を有しており、温度補償するために温度依存性を有する駆動電圧を感磁用ホール素子2の端子aに供給する。感磁用ホール素子2の端子a、端子b(接地されている)間には駆動電圧が印加され、端子c、端子d間に、印加された磁界の強さに応じたホール電圧(ホール出力電圧)が発生する。ホール出力電圧は、増幅器4により所定のゲイン増幅されて、端子6より出力される。
【0025】
電圧源回路1において、端子に供給された基準電圧Vccは、トランジスタTr1のコレクタCに供給される。同様に、基準電圧Vccは、抵抗R7を介して接点13を通して、陽極Aが接地されたツェナーダイオードZD1の陰極Cに、供給される。接点13はトランジスタTr1のベースBに接続されており、トランジスタTr1のエミッタEは接点13に接続されている。
接点11は抵抗R1の一端とトランジスタTr2のコレクタCに接続されている。抵抗R1の他端は抵抗R2の一端及びトランジスタTr2のベースBに接続されている。
【0026】
抵抗R2の他端は温度補償用ホール素子3の端子eに接続されている。
温度補償用ホール素子3の端子fは接地されており、端子eと端子f間には周囲温度依存性を有する入力抵抗Ri(t)が生じている。
トランジスタTr2のエミッタEは接点14を通してトランジスタTr3のコレクタC及びベースBに接続されている。
トランジスタTr3のエミッタEは接点15を介して端子7(測定端子である)及び感磁用ホール素子2の端子aに接続している。
【0027】
感磁用ホール素子2の端子aは、端子c、端子d、端子bとホール素子部2Aを介してそれぞれ接続されている。端子aと端子bとの間には入力抵抗Ri(t)が発生している。端子bは接地されている。
磁界がホール素子部2Aに、その膜面に垂直に印加されると、端子cと端子d間には磁界に対応するホール電圧が発生する。端子cは抵抗R4を介して接点17に接続されており、接点17は、抵抗R6を通して接地されるとともに、アンプ8の一方の入力端子IN2に接続されている。他方、端子dは抵抗R3を介して接点16に接続されている。接点16は、入力端子IN1に接続されるとともに、抵抗R5を介して接点18に接続されている。接点18は、アンプ8の出力端子OUT及び端子6に接続されている。
【0028】
ここで、ツェナーダイオードZD1の電圧をVZDとし、トランジスタTr1乃至Tr3のベース−エミッタ間電圧をVBEとすると、接点11の電圧は(VZD−VBE)となる。
接点12の電圧は、((Ri+R2)/(R1+R2+Ri))×(VZD−VBE)となる。
【0029】
トランジスタTr2及びTr3のベース−エミッタ電圧はVBEであるから、接点15すなわち端子7に印加される電圧をVHGとすると、VHGは以下の(2)式で表される。
【0030】
【数2】
なお、駆動電圧VHGは上述のf2(t)に対応する。
VHGの温度特性は、(2)式の各パラメータにて偏微分することにより求められる。(2)式を偏微分して、以下の(3)式が得られる。
【0031】
【数3】
ここで、ツェナーダイオードZD1として温度係数が±0mV/℃であるもの(これには、例えばツェナー電圧が5.1Vのものが対応する)を用いることにし、またR1、R2の温度係数も微小であることから0とする。
すなわち、dVZD/dt=0、dR1,2/dt=0であるので、(2)式の右辺の1項と4項が消えて、2項と3項の係数を計算して、最終的に(4)式となる。
【0032】
【数4】
ここで、(1)式を微分すると(1’)式が得られる。
【0033】
【数5】
ここで、(4)式と、(1)式及び(1’)式とを比較すると、Riの温度変化率(1/Ri・dRi/dt)は(1)式のf1(t)に対応するので、αは以下の(5)式で表される。
【0034】
【数6】
また、βは以下の式になる。ここで、dVBE/dtはtに対してほぼ線形変化をする。
【0035】
【数7】
なお、以上、(6)式及び(7)式のRiは、Ri(t)における常温(25℃)での値を示している。
【0036】
これらより、例えばVHGが常温時において約1Vとなるようにし、且つα=0.11、β=0.0046となるように各部品の定数を決定して得られる温度依存性を有するVHGを感磁用ホール素子印加すれば、温度変化により発生する非線形なホール素子出力電圧が補償され、広い温度範囲においてドリフトの少ない高感度の磁気センサを実現できる。
【0037】
具体的に定数を与えた例を以下に示す。
図2に示した磁気センサ10において、ツェナーダイオードZD1としてツェナー電圧VZDが5.1Vのものを用いた。抵抗R7は抵抗値が略1kΩである。
トランジスタTr1乃至Tr3として、ベース−エミッタ間電圧VBEが0.6Vであり、その温度変化率(dVBE/dt)が−1.85mV/℃であるものを用いた。
【0038】
抵抗R1は抵抗値1.2kΩであり、抵抗R2は抵抗値620Ωである。
温度補償用ホール素子3は、入力抵抗値Riが480Ω(25℃における値)のものを用いた。感磁用ホール素子2も温度補償用ホール素子3と同様のものを用いた。
増幅回路4の抵抗R3は抵抗値10kΩであり、抵抗R4は抵抗値10kΩであリ、抵抗R5は抵抗値220kΩであり、抵抗R6は抵抗値220kΩである。
これらの素子で構成された磁気センサ10においては、駆動電圧VHGは0.95V(25℃における値)であり、αは0.11、βは0.0046である。
【0039】
このホール出力電圧特性を図8に示す。
図8は、本発明の磁気センサの実施例におけるホール素子出力電圧の温度特性を示すグラフ図である。
同図に示すように、外部磁界0.05Tにおいて、曲線qで示されるホール出力電圧の周囲温度依存性は極めて小さく、−10℃においては297mVであり、80℃では293mVであり、−10℃から80℃の温度範囲内で、ホール素子出力電圧の変動は略1%以内である。極めて良好に温度補償されていることが分かる。
なお、ホール素子として安価なInSbホール素子を用いているので、磁気センサを安価に構成できる。
【0040】
以上、具体的な回路の一例を説明したが、これに限定されるものではなく、温度補償用ホール素子駆動電圧を決める際に、(1)式が適用できる場合には、同様の補償効果が得られるものであり、感磁用ホール素子と同様のホール素子を温度補償用に用いる場合に適用できるものである。
以上説明したInSbホール素子を用いる磁気センサ及び電流センサだけでなく、磁石を用いた距離センサ又は磁気スイッチにおいても本発明に係る温度補償を適用できる。
また、磁気センサの駆動電源として正側単電源について説明したが、正負両電源及び負側単電源を用いることが出来る。
【0041】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の磁気センサは、請求項1乃至2記載によれば、
一定電圧を供給する電源回路と、磁界を印加した状態で、前記一定電圧を一方向に印加されて、前記一方向に直交する方向にホール電圧を発生して前記磁界を検知する第1のホール素子と、前記第1のホール素子と並列接続されて前記第1のホール素子と同じ温度特性を有する第2のホール素子を含み、前記電源回路に接続する温度補償回路とを有し、前記温度補償回路により、前記第1のホール素子の温度特性を補償して、前記第1のホール素子の温度特性が一定になるようにしたことにより、簡単な回路構成により、ホール素子出力の温度変化を補償でき、高出力で、且つ安価な磁気センサを提供出来るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の磁気センサの実施例を示すブロック図である。
【図2】本発明の磁気センサの実施例を示す回路構成図である。
【図3】InSbホール素子のブロック図である。
【図4】InSbホール素子における駆動電圧1V印加時の入力抵抗値Riの周囲温度による変化を示すグラフ図である。
【図5】InSbホール素子においてホール素子出力電圧の温度変化を生じないために望ましい駆動電圧の温度変化を示すグラフ図である。
【図6】InSbホール素子における駆動電圧1Vで且つ磁束0.05Tを印加した時のホール素子出力電圧の周囲温度による変化を示すグラフ図である。
【図7】図5に示す駆動電圧になるようにf1(t)から得られたf2(t)を駆動電圧として印加した時に得られる補償後のホール素子出力変動率の周囲温度による変化を示すグラフ図である。
【図8】本発明の磁気センサの実施例におけるホール素子出力電圧の温度特性を示すグラフ図である。
【符号の説明】
1…電圧源回路、2…感磁用ホール素子、2A…ホール素子部、3…温度補償用ホール素子、4…増幅回路、5…端子、6…端子、7…端子、8…アンプ、9…端子、10磁気センサ、11…節点、12…節点、13…節点、14…節点、15…節点、16…節点、17…節点、18…節点、20…ホール素子、21…端子、22…端子、23…端子、24…端子、25…素子部。
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気センサに関わり、特にホール素子を用いて磁場検出する際に、周囲温度に対する依存性の少ないホール電圧を得るのに好適な磁気センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、磁気センサは、磁石と組み合わせてモーターの回転角度を測定するのに使用されている。また、磁性コアのギャップに挿入することにより電流センサとしても、産業機器や輸送機器(自動車、鉄道、船舶等)等の幅広い分野で使用されている。現今は、特に、小型で使用温度範囲が広くかつ高精度に磁気及び電流を検出する磁気センサが求められている。
【0003】
このような磁気センサに使用される磁束検出素子としては、一般的にはホール素子、MR(磁気抵抗効果)素子が用いられる。このうち、多く使用されているのが比較的安価であるホール素子である。
ところで、ホール素子としては、主にガリウムヒ素(GaAs)、インジウムアンチモン(InSb)の素材が用いられている。
【0004】
GaAsを用いたホール素子は、定電流駆動することにより周囲温度変化に対してホール出力電圧(以下、感度ともいう)の変化が少ない反面、外部磁界に対するホール出力電圧が小さい。なお、比較的、高価でもある。
一方、InSbを用いたホール素子は、外部磁界に対するホール出力電圧はGaAsを用いたホール素子に比べて、同一駆動電圧を印加した時に、10〜20倍と非常に大きいが、定電圧駆動、定電流駆動のいずれの場合も、周囲温度変化に対してホール出力電圧が非線形で、且つその変化量が大きい。
【0005】
従って、外部磁界の変化量を検出する磁気センサや磁気比例式電流センサに用いられるホール素子としては、一般的には高価ではあるが温度特性の良好なGaAsが多く用いられている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、GaAsホール素子を用いた磁気センサ及び電流センサにおいて、広範囲の温度範囲で、微小磁界の検出を行う必要がある場合には、一般的に以下の方法が用いられてきた。
(1)ホール素子からの出力を大きくするために、ホール素子に印加する駆動電流を増加する。
(2)ホール素子の出力を必要なレベルまで増幅するアンプの増幅度を上げる。
(3)電流センサの場合には、磁性コアに被測定電流が流れる導線をN回巻いて磁性コア内の磁束をN倍に増加する。
【0007】
しかし、上記の方法にはそれぞれ、以下の問題点があった。
(1)の場合には、駆動電流の増加に対応してホール素子内部の温度が上昇する。これはホール素子の寿命を短くする。このため、駆動電流の上限が決まってしまう。
(2)の場合には、アンプ出力は大きくなるが、磁電変換信号だけでなく、ホール素子からアンプまでの伝送路で受信する周囲ノイズおよび使用するアンプの入力オフセット分も増幅してしまう。そのため、非常にS/N比が悪化してしまう上に、電気回路側でのオフセット電圧の影響が大きく現れてしまう。
【0008】
(3)の場合には、上記の(1)、(2)に比べてN数を物理的限界まで増加させれば、ホール素子が受ける磁束が増加できるために、(1)、(2)の方法で発生する問題は改善できる。しかし、巻き線部の確保と磁束の飽和を防ぐために、使用する磁性コアを大きくしなければならない。さらに、巻き線部体積の増加により、測定する電流が小さくなればなるほどセンサそのものは大きくなり、且つ重量、コストが増加してしまう。さらに被測定電流路のインダクタンスが増加し、結果として線路インピーダンスが増加し、使いづらいものとなる。
【0009】
そこで本発明は,上記問題を解決し、磁気センサにおいて、簡単な回路構成により、ホール素子出力電圧の温度変化を補償できる、高出力で、且つ安価な磁気センサを提供することを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための手段として、第1の発明は、一定電圧を供給する電源回路と、磁界を印加した状態で、前記一定電圧を一方向に印加されて、前記一方向に直交する方向にホール電圧を発生して前記磁界を検知する第1のホール素子と、前記第1のホール素子と並列接続されて前記第1のホール素子と同じ温度特性を有する第2のホール素子を含み、前記電源回路に接続する温度補償回路とを有し、前記温度補償回路により、前記第1のホール素子の温度特性を補償して、前記第1のホール素子の温度特性が一定になるようにしたことを特徴とする磁気センサである。
また、第2の発明は、第1の発明のおいて、前記温度補償回路は、直列接続する第1の抵抗と、第2の抵抗と、前記第2のホール素子とを有し、前記第1の抵抗と前記第2の抵抗との接続点の電圧が前記第1のホール素子の一方の電圧印加端子に印加される構成とするものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態につき、好ましい実施例により、図面を参照して説明する。
本発明の磁気センサは、磁電変換素子として、高いホール出力電圧(高感度)を有し、安価であるInSbホール素子を用い、周囲温度に対するホール出力電圧の変化を、周囲温度に対して同様に変化する、同一素材(InSb)からなるホール素子の端子間抵抗値を用いて、補償したことにより、高感度であり且つ周囲温度に対して感度の変化の少ない磁気センサとしたものである。
【0012】
本発明の磁気センサにおいては、InSbホール素子に印加する駆動電圧を、ホール出力電圧(感度)の周囲温度特性の逆特性となるように変化させることにより、InSbホール素子に特有の大きな非線形の感度温度特性をキャンセルしたものである。
【0013】
まず、本発明の磁気センサにおけるホール出力電圧(感度)の温度補償の考え方を説明する。
図3は、InSbホール素子のブロック図である。
同図に示すように、InSbホール素子20は、例えば十字形状をした高純度InSb薄膜の素子部25とこれに接続する4つの端子21、22、23,24より構成される。端子21と端子22との間に所定の駆動電圧を加え、素子部25に図の紙面に垂直方向の磁界が印加されると、端子23と端子24との間にホール電圧(ホール出力電圧)が発生する。駆動電圧の印加される端子21、22間の抵抗値がInSbホール素子の入力抵抗値Riである。
【0014】
図4は、InSbホール素子における駆動電圧1V印加時の入力抵抗値Riの周囲温度による変化を示すグラフ図である。
同図には、駆動電圧1V印加した時の場合を示してある。
同図に示すように、入力抵抗値Riは0℃付近から30℃付近まで直線的に変化し、0℃付近より低い温度では温度が低くなるにつれ非線形的に上昇し、また30℃以上では温度が高くなるにつれ非線形的に減少していることが判る。この曲線を曲線lとする。
【0015】
図6は、InSbホール素子における駆動電圧1Vで且つ磁束0.05Tを印加した時のホール素子出力の周囲温度による変化を示すグラフ図である。
同図に示すように、ホール素子出力電圧(又は、単に、ホール出力電圧又は感度ともいう)は、0℃付近から30℃付近までの間では、温度に対して直線的に変化し、0℃付近より低い温度では温度が低くなるにつれて、非線形的に下降し、また、30℃付近以上では、温度が高くなるにつれて非線形的に減少している。この曲線を曲線nとする。
【0016】
感度は駆動電圧に比例するので、図6に示した曲線と逆特性を示す駆動電圧をInSbホール素子に印加すれば、感度の周囲温度に対する変化を抑制することが出来る。
図5は、InSbホール素子においてホール素子出力電圧の温度変化を生じないために望ましい駆動電圧の温度変化を示すグラフ図である。この曲線を曲線mとする。
同図に示す印加電圧の周囲温度変化は、図6に示した感度の周囲温度変化の逆特性になっている。すなわち、図5の曲線mに図6の曲線nを掛け合わせると、フラットな直線になる。
【0017】
ここで、図4に示した入力抵抗値の周囲温度変化曲線(曲線l)と、図6で示したホール素子出力電圧の周囲温度変化曲線(曲線n)を比較解析した結果、両者には、相関があることが判明した。
ここで、曲線lを、25℃における入力抵抗値Riを基準として、周囲温度をtとして、温度変化率で表した曲線をf1(t)とする。以下、周囲温度をtで表す。
【0018】
また、曲線nを、25度における感度Vhを基準として、周囲温度をtとして、温度変化率で表した曲線をf3(t)とする。
曲線mに対応する温度変化率で表される曲線を、f1(t)と温度tの関数として近似してf2(t)する。すなわち、以下の(1)式で表す。
【0019】
【数1】
ここで、α及びβは定数である。
曲線f3(t)及び曲線f1(t)を、曲線の構成点の集合として表し、数値計算を行ない、曲線f3(t)とf2(t)が逆曲線の形になるように、α及びβの値を求めた。
【0020】
この結果、例えば、ホール素子の駆動電圧を常温時(25℃)で1Vとし、α=0.11、β=0.0046とした場合に得られるf2(t)に対して、f3(t)とf2(t)との和をとると、図7に示す補正曲線p(f3(t)+f2(t))が得られる。なお、補正曲線pは変化率で表してあるので和となるが、ホール素子出力(mV)とした場合には、積になる。
【0021】
図7は、図5に示す駆動電圧になるようにf1(t)から得られたf2(t)を駆動電圧として印加した時に得られる補償後のホール素子出力変動率の周囲温度による変化を示すグラフ図である。
同図に示す、補償後のホール素子出力変動率(曲線p)は、−10℃から80℃の範囲で2%以内であり、図6に示されている温度補償しない場合における約20%程度ある感度の変化を、極めて良く補償できることを示している。
【0022】
これを実現するためには、本発明の磁気センサにおいて、磁束検出用(感磁用)ホール素子の駆動電源回路を構成するのに、入力抵抗値Ri(t)がf1(t)であるInSbホール素子を温度補償用として用い、他に周囲温度tに対して線形な電圧変化を有する、例えばトランジスタのベース−エッミタ間電圧やツェナーダイオードのツェナー電圧を用いる。
以下、駆動用の電圧源回路を含む本発明の磁気センサの実施例を説明する。
【0023】
<実施例>
図1は、本発明の磁気センサの実施例を示すブロック図である。
図2は、本発明の磁気センサの実施例を示す回路構成図である。
図1及び詳細には図2に示すように、本実施例の磁気センサ10は、電圧源回路1と、感磁用ホール素子2と、増幅回路4とにより構成されている。
【0024】
電圧源回路1には、端子5より基準電圧Vccが印加されており、内部には温度補償用ホール素子3を有しており、温度補償するために温度依存性を有する駆動電圧を感磁用ホール素子2の端子aに供給する。感磁用ホール素子2の端子a、端子b(接地されている)間には駆動電圧が印加され、端子c、端子d間に、印加された磁界の強さに応じたホール電圧(ホール出力電圧)が発生する。ホール出力電圧は、増幅器4により所定のゲイン増幅されて、端子6より出力される。
【0025】
電圧源回路1において、端子に供給された基準電圧Vccは、トランジスタTr1のコレクタCに供給される。同様に、基準電圧Vccは、抵抗R7を介して接点13を通して、陽極Aが接地されたツェナーダイオードZD1の陰極Cに、供給される。接点13はトランジスタTr1のベースBに接続されており、トランジスタTr1のエミッタEは接点13に接続されている。
接点11は抵抗R1の一端とトランジスタTr2のコレクタCに接続されている。抵抗R1の他端は抵抗R2の一端及びトランジスタTr2のベースBに接続されている。
【0026】
抵抗R2の他端は温度補償用ホール素子3の端子eに接続されている。
温度補償用ホール素子3の端子fは接地されており、端子eと端子f間には周囲温度依存性を有する入力抵抗Ri(t)が生じている。
トランジスタTr2のエミッタEは接点14を通してトランジスタTr3のコレクタC及びベースBに接続されている。
トランジスタTr3のエミッタEは接点15を介して端子7(測定端子である)及び感磁用ホール素子2の端子aに接続している。
【0027】
感磁用ホール素子2の端子aは、端子c、端子d、端子bとホール素子部2Aを介してそれぞれ接続されている。端子aと端子bとの間には入力抵抗Ri(t)が発生している。端子bは接地されている。
磁界がホール素子部2Aに、その膜面に垂直に印加されると、端子cと端子d間には磁界に対応するホール電圧が発生する。端子cは抵抗R4を介して接点17に接続されており、接点17は、抵抗R6を通して接地されるとともに、アンプ8の一方の入力端子IN2に接続されている。他方、端子dは抵抗R3を介して接点16に接続されている。接点16は、入力端子IN1に接続されるとともに、抵抗R5を介して接点18に接続されている。接点18は、アンプ8の出力端子OUT及び端子6に接続されている。
【0028】
ここで、ツェナーダイオードZD1の電圧をVZDとし、トランジスタTr1乃至Tr3のベース−エミッタ間電圧をVBEとすると、接点11の電圧は(VZD−VBE)となる。
接点12の電圧は、((Ri+R2)/(R1+R2+Ri))×(VZD−VBE)となる。
【0029】
トランジスタTr2及びTr3のベース−エミッタ電圧はVBEであるから、接点15すなわち端子7に印加される電圧をVHGとすると、VHGは以下の(2)式で表される。
【0030】
【数2】
なお、駆動電圧VHGは上述のf2(t)に対応する。
VHGの温度特性は、(2)式の各パラメータにて偏微分することにより求められる。(2)式を偏微分して、以下の(3)式が得られる。
【0031】
【数3】
ここで、ツェナーダイオードZD1として温度係数が±0mV/℃であるもの(これには、例えばツェナー電圧が5.1Vのものが対応する)を用いることにし、またR1、R2の温度係数も微小であることから0とする。
すなわち、dVZD/dt=0、dR1,2/dt=0であるので、(2)式の右辺の1項と4項が消えて、2項と3項の係数を計算して、最終的に(4)式となる。
【0032】
【数4】
ここで、(1)式を微分すると(1’)式が得られる。
【0033】
【数5】
ここで、(4)式と、(1)式及び(1’)式とを比較すると、Riの温度変化率(1/Ri・dRi/dt)は(1)式のf1(t)に対応するので、αは以下の(5)式で表される。
【0034】
【数6】
また、βは以下の式になる。ここで、dVBE/dtはtに対してほぼ線形変化をする。
【0035】
【数7】
なお、以上、(6)式及び(7)式のRiは、Ri(t)における常温(25℃)での値を示している。
【0036】
これらより、例えばVHGが常温時において約1Vとなるようにし、且つα=0.11、β=0.0046となるように各部品の定数を決定して得られる温度依存性を有するVHGを感磁用ホール素子印加すれば、温度変化により発生する非線形なホール素子出力電圧が補償され、広い温度範囲においてドリフトの少ない高感度の磁気センサを実現できる。
【0037】
具体的に定数を与えた例を以下に示す。
図2に示した磁気センサ10において、ツェナーダイオードZD1としてツェナー電圧VZDが5.1Vのものを用いた。抵抗R7は抵抗値が略1kΩである。
トランジスタTr1乃至Tr3として、ベース−エミッタ間電圧VBEが0.6Vであり、その温度変化率(dVBE/dt)が−1.85mV/℃であるものを用いた。
【0038】
抵抗R1は抵抗値1.2kΩであり、抵抗R2は抵抗値620Ωである。
温度補償用ホール素子3は、入力抵抗値Riが480Ω(25℃における値)のものを用いた。感磁用ホール素子2も温度補償用ホール素子3と同様のものを用いた。
増幅回路4の抵抗R3は抵抗値10kΩであり、抵抗R4は抵抗値10kΩであリ、抵抗R5は抵抗値220kΩであり、抵抗R6は抵抗値220kΩである。
これらの素子で構成された磁気センサ10においては、駆動電圧VHGは0.95V(25℃における値)であり、αは0.11、βは0.0046である。
【0039】
このホール出力電圧特性を図8に示す。
図8は、本発明の磁気センサの実施例におけるホール素子出力電圧の温度特性を示すグラフ図である。
同図に示すように、外部磁界0.05Tにおいて、曲線qで示されるホール出力電圧の周囲温度依存性は極めて小さく、−10℃においては297mVであり、80℃では293mVであり、−10℃から80℃の温度範囲内で、ホール素子出力電圧の変動は略1%以内である。極めて良好に温度補償されていることが分かる。
なお、ホール素子として安価なInSbホール素子を用いているので、磁気センサを安価に構成できる。
【0040】
以上、具体的な回路の一例を説明したが、これに限定されるものではなく、温度補償用ホール素子駆動電圧を決める際に、(1)式が適用できる場合には、同様の補償効果が得られるものであり、感磁用ホール素子と同様のホール素子を温度補償用に用いる場合に適用できるものである。
以上説明したInSbホール素子を用いる磁気センサ及び電流センサだけでなく、磁石を用いた距離センサ又は磁気スイッチにおいても本発明に係る温度補償を適用できる。
また、磁気センサの駆動電源として正側単電源について説明したが、正負両電源及び負側単電源を用いることが出来る。
【0041】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の磁気センサは、請求項1乃至2記載によれば、
一定電圧を供給する電源回路と、磁界を印加した状態で、前記一定電圧を一方向に印加されて、前記一方向に直交する方向にホール電圧を発生して前記磁界を検知する第1のホール素子と、前記第1のホール素子と並列接続されて前記第1のホール素子と同じ温度特性を有する第2のホール素子を含み、前記電源回路に接続する温度補償回路とを有し、前記温度補償回路により、前記第1のホール素子の温度特性を補償して、前記第1のホール素子の温度特性が一定になるようにしたことにより、簡単な回路構成により、ホール素子出力の温度変化を補償でき、高出力で、且つ安価な磁気センサを提供出来るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の磁気センサの実施例を示すブロック図である。
【図2】本発明の磁気センサの実施例を示す回路構成図である。
【図3】InSbホール素子のブロック図である。
【図4】InSbホール素子における駆動電圧1V印加時の入力抵抗値Riの周囲温度による変化を示すグラフ図である。
【図5】InSbホール素子においてホール素子出力電圧の温度変化を生じないために望ましい駆動電圧の温度変化を示すグラフ図である。
【図6】InSbホール素子における駆動電圧1Vで且つ磁束0.05Tを印加した時のホール素子出力電圧の周囲温度による変化を示すグラフ図である。
【図7】図5に示す駆動電圧になるようにf1(t)から得られたf2(t)を駆動電圧として印加した時に得られる補償後のホール素子出力変動率の周囲温度による変化を示すグラフ図である。
【図8】本発明の磁気センサの実施例におけるホール素子出力電圧の温度特性を示すグラフ図である。
【符号の説明】
1…電圧源回路、2…感磁用ホール素子、2A…ホール素子部、3…温度補償用ホール素子、4…増幅回路、5…端子、6…端子、7…端子、8…アンプ、9…端子、10磁気センサ、11…節点、12…節点、13…節点、14…節点、15…節点、16…節点、17…節点、18…節点、20…ホール素子、21…端子、22…端子、23…端子、24…端子、25…素子部。
Claims (2)
- 一定電圧を供給する電源回路と、
磁界を印加した状態で、前記一定電圧を一方向に印加されて、前記一方向に直交する方向にホール電圧を発生して前記磁界を検知する第1のホール素子と、
前記第1のホール素子と並列接続されて前記第1のホール素子と同じ温度特性を有する第2のホール素子を含み、前記電源回路に接続する温度補償回路とを有し、
前記温度補償回路により、前記第1のホール素子の温度特性を補償して、前記第1のホール素子の温度特性が一定になるようにしたことを特徴とする磁気センサ。 - 前記温度補償回路は、直列接続する第1の抵抗と、第2の抵抗と、前記第2のホール素子とを有し、前記第1の抵抗と前記第2の抵抗との接続点の電圧が前記第1のホール素子の一方の電圧印加端子に印加される構成とすることを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。
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DE102007024436B4 (de) * | 2006-06-02 | 2014-04-03 | Denso Corporation | Halbleitervorrichtung mit einem Erfassungs-Hall-Element zum Erfassen eines Magnetfelds sowie Magnetsensor |
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