JP2004045216A - Pressure sensor - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【技術分野】
本発明は,感圧素子により圧力を計測する圧力センサに関する。
【0002】
【従来技術】
圧力センサは,シリコン基板上に形成した歪ゲージと,シリコン基板を精密にエッチングして形成した圧力検知用のダイヤフラムとを有する感圧素子を利用したセンサである。そして,この圧力センサは,上記歪ゲージにより,圧力によるダイヤフラムのひずみ量を計測することにより圧力を測定する。
【0003】
この圧力センサは,感圧素子を配置する受圧面を,圧力計測対象である流体が流入する又は圧力伝達媒体が充填されている圧力室に対面させて圧力を計測するように構成されている。そして,上記圧力室は,圧力センサの圧力計測範囲に対応できるように耐圧性が十分に高く,かつ,シール性が十分であることが必要である。
【0004】
【解決しようとする課題】
しかしながら,上記従来の圧力センサにあっては,次のような問題がある。
即ち,圧力を検知する感圧素子を配置する上記受圧面には,該感圧素子と電気的に接続されるターミナルピンを露出させる必要がある。
さらに,このターミナルピンは,外部機器等と電気的に接続する必要があるため,圧力室と圧力センサの外部との間を電気的に貫通している必要がある。そのため,このターミナルピンと圧力センサ本体との境界部の隙間等により機密性が低下し,上記受圧面の耐圧性及びシール性を十分高くできない場合があった。
【0005】
本発明はかかる従来の問題点に鑑みてなされたもので,耐圧性及びシール性に優れた圧力センサを提供しようとするものである。
【0006】
【課題の解決手段】
本発明は,複数のターミナルピンと該ターミナルピンに電気的に接続された感圧素子とを有する素子ホルダー部を含む圧力センサにおいて,
上記素子ホルダー部は,上記感圧素子と上記ターミナルピンとの間に,これらを電気的に接続する複数の電気経路を形成する多層基板を有しており,
該多層基板は,複数のセラミック層を積層してなると共に隣接するセラミック層の間に上記各電気経路の一部を構成する各電極パターンを含む電極層を有し,上記各セラミック層には上記電極パターンに電気的に接続される複数の導電体を貫通して設けてあり,
かつ,上記感圧素子と対向する上記セラミック層に設けた上記導電体と,他の少なくとも1層の上記セラミック層に設けた上記導電体とは,貫通方向における透視断面が重ならないようにずらして配置してあることを特徴とする圧力センサにある(請求項1)。
【0007】
本発明の上記圧力センサにおいて,上記感圧素子と上記ターミナルピンとは,上記素子ホルダー部における上記多層基板に形成された電気経路を介して,相互に電気的に接続されている。さらに,この電気経路は,上記多層基板をなす各セラミック層を貫通するよう設けてある導電体と,隣接するセラミック層の間の電極層に配設した電極パターンとにより形成されている。
【0008】
そして,上記電気経路において,上記感圧素子と対向する上記セラミック層に設けた上記導電体と,他の少なくとも1層の上記セラミック層に設けた上記導電体とは,貫通方向における透視断面が重ならないようにずらして配置してある。すなわち,上記多層基板においては,各セラミック層に配設した各導電体が,その貫通方向に一直線上に並らばないよう,その断面位置をずらして配置してあり,上記電気経路をいわばジグザグ形状の経路にしてある。
【0009】
そのため,上記多層基板に高い圧力が作用した場合であっても,上記導電体がその圧力によって吹き抜けるようなおそれがない。また,たとえ導電体の一部のシール性が低下したとしても,上記のごとくジグザグ形状の電気経路全体のシール性が低下しない限り,優れたシール性を維持することができる。
したがって,上記圧力センサは,耐圧性が高く,その優れたシール性を長期間に渡って発揮することができる。
【0010】
このように,本発明においては,耐圧性及びシール性に優れた圧力センサを提供することができる。
さらに,上記セラミック層を複数積層した上記多層基板は,たわみ強度に優れ,圧力が作用したときに生じるたわみが少ない。上記多層基板のたわみを抑制できれば,たわみに起因した上記感圧素子と上記ターミナルピンとの位置関係の変動を抑制できる。そして,両者を電気的に接続するためのボンディングワイヤやバンプ材等に生じ得る断線,クラック等のトラブルを未然に防止できる。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明において,上記素子ホルダー部の上記多層基板及び上記ターミナルピンの少なくとも一部は,コネクタハウジングにより覆われていることが好ましい(請求項2)。
この場合には,上記コネクタハウジングを介在して,上記ターミナルピンと,電源,測定器等,外部機器の外部コネクタとの接続を容易かつ確実に実施することができる。
【0012】
また,上記圧力センサは,上記素子ホルダー部を収納するセンサハウジングを有しており,上記素子ホルダー部と上記センサハウジングとの間に圧力室が形成されており,該圧力室に上記感圧素子が収容してあることが好ましい(請求項3)。
この場合には,上記センサハウジングと上記素子ホルダー部との間に形成される上記圧力室に,圧力計測対象としての流体等を導入してその圧力を計測する。そのため,上記流体の流れによる測定圧力への影響を抑制して,精度良くその圧力を計測することができる。
【0013】
また,上記圧力室は,上記素子ホルダー部における上記多層基板の外周面と,上記センサハウジングの内周面との間に配置されたシール材によりシールされていることが好ましい(請求項4)。
この場合には,上記多層基板の外周面と上記センサハウジングの内周面との間に配置したシール材により,上記圧力室を確実にシールすることができる。
上記シール材としては,シリコーン系,ニトリル系,アクリル系,EPDM系,フッ素系のシール材等の様々なシール材を適用することができる。
【0014】
特に,上記シール材は,Oリングであることが好ましい。Oリングであれば,高いシール性を長期間に渡って発揮することができると共に,上記センサハウジングと上記素子ホルダー部との組み付け性も良好である。また,上記シール材としては,上記多層基板の外周面に配設したメタライズ処理によるMo−Mnよりなる被膜を介在して,上記多層基板の外周面と上記センサハウジングの内周面をろう付け接合するろう材であっても良い。
【0015】
また,上記センサハウジングは,シールダイヤフラムを有しており,上記圧力室は,上記シールダイヤフラムにより密閉されていると共に,該圧力室の中には,圧力伝達媒体が充填されていることが好ましい(請求項5)。
この場合には,上記圧力室は,上記圧力伝達媒体を封入して密閉される。該圧力室には,安定したシール性等,高度な信頼性が要求されるため,本発明による効果が特に有効である。
【0016】
また,上記多層基板は,3層のセラミック層より構成されていることが好ましい(請求項6)。
この場合には,上記各ターミナルと電気的に接続される上記電気経路について,上記電極層における上記電極パターンの取り回しが容易となる。そのため,上記各電気経路相互の電気的な干渉を抑制して,上記圧力センサによる圧力計測誤差を抑制することができる。
【0017】
また,隣接するセラミック層の間における電極層のうち,少なくとも1層の電極層には,少なくとも上記感圧素子に対面する領域を含むグランド電極が配置されていることが好ましい(請求項7)。
この場合には,上記感圧素子に対面するよう配置される上記グランド電極により,上記感圧素子に影響を与えるおそれのある外部ノイズの影響を抑制して,上記圧力センサによる圧力計測誤差を抑制することができる。
【0018】
また,上記感圧素子は,バンプ材により上記多層基板にバンプ接合されていると共に,上記バンプ材を介して上記ターミナルと電気的に接続されていることが好ましい(請求項8)。
この場合には,バンプ接合により上記感圧素子を接合することにより,上記ターミナルピンに対する電気的な接合と,上記多層基板に対する物理的な接合とを同時に実現でき,効率的である。
上記バンプ材としては,例えばAu,Cu,Au−Sn,ハンダ等がある。
【0019】
【実施例】
(実施例1)
本発明の実施例にかかる圧力センサ1について,図1〜図3を用いて説明する。
本例の圧力センサ1は,図1,図2に示すごとく,複数のターミナルピン10と該ターミナルピン10に電気的に接続された感圧素子20とを有する素子ホルダー部30を含んでいる。
素子ホルダー部30は,感圧素子20とターミナルピン10との間に,これらを電気的に接続する複数の電気経路83を形成する多層基板80を有している。
【0020】
この多層基板80は,複数のセラミック層85を積層してなると共に隣接するセラミック層85の間に上記各電気経路83の一部を構成する各電極パターン(図示略)を含む電極層87を有している。そして,各セラミック層85には,上記電極パターンに電気的に接続される複数の導電体82を貫通して設けてあり,かつ,感圧素子20と対向するセラミック層85に設けた導電体82と,他の少なくとも1層のセラミック層85に設けた導電体82とは,貫通方向における透視断面が重ならないようにずらして配置してある。
【0021】
図1に示すごとく,本例の素子ホルダー部30の多層基板80及びターミナルピン10の一部は,コネクタハウジング310により覆われている。
また,上記圧力センサ1は,素子ホルダー部30を収納するセンサハウジング40を有しており,素子ホルダー部30とセンサハウジング40との間に圧力室42が形成されており,この圧力室に感圧素子20が収容してある。
以下にこの内容について詳しく説明する。
【0022】
素子ホルダー部30は,図1に示すごとく,略円柱形状の多層基板80とターミナルピン10とよりなる。そして,素子ホルダー部30は,PPS樹脂よりなるコネクタハウジング310にインサート成形されている。コネクタハウジング310は,センサハウジング40に挿入する挿入部35と,該挿入部35より大径のツバ部351とを有している。さらに,挿入部35とは反対側の端部には,外部機器のコネクタ(図示略)を電気的に接続するためのソケット部300を有している。そして,上記挿入部35の先端に,上記素子ホルダー部30の多層基板80が配置されている。
【0023】
多層基板80は,図1,図2に示すごとく,3層のセラミック層85と電極層87とを交互に積層した3層基板である。そして,この多層基板80には,電源用,グランド用及び信号出力用の3系統の電気経路83を配設してある。各電気経路83は,各セラミック層85を貫通する,導電性のAu系合金よりなる導電体82と,隣接するセラミック層85を貫通するそれぞれの導電体82を,相互に電気的に接続する電極層87における電極パターンとにより構成されている。
【0024】
各電気経路83は,図2,図3に示すごとく,少なくとも1層のセラミック層85を貫通する導電体82と,他のセラミック層85を貫通する導電体82とは,その貫通方向において断面が重複しないように配置してある。さらに,各電気経路83は,多層基板80における圧力室42側の表面である受圧面32に露出して,後述するごとく感圧素子20に電気的に接続されており,一方,その反対側の表面にも露出してターミナルピン10と電気的に接続されている。
【0025】
上記受圧面32への上記導電体82の露出面830には,バンプ材22によるバンプ接合により感圧素子20が接合されている。すなわち,感圧素子20は,バンプ接合により,各電気経路83に電気的に接続されると共に,多層基板80に物理的にも接合されている。
【0026】
ここで,バンプ接合とは,回路基板等の表面に露出する電極と,感圧素子等の半導体チップの外部電極との間に半田ボール等のバンプ材を配置し,このバンプ材を溶融等させることにより,半導体チップを回路基板上に接合する接合技術である。
また,多層基板80における反対側の面でのターミナルピン10と電気経路83との接合は,導電性接着剤による接着により行われている。
【0027】
また,本例では,上記多層基板80の受圧面32を構成するセラミック層85の表面に,同じセラミックスよりなるリング状部材852が,上記感圧素子20を囲うように配設されている。
なお,上記リング状部材852を有する多層基板80は,焼成前のセラミック層85,電極層87及びリング状部材852を積層した積層体を形成し,これを一体的に焼成することにより作製してある。
【0028】
次に,上記センサハウジング40は,ステンレススチールよりなると共に,図1,図2に示すごとく,上記シールダイヤフラム43の素子ホルダー部30側に,上記挿入部35を収納する凹部45と,上記ツバ部351を収納する大径部451と,該大径部451に収納したツバ部351と係合するカシメ部41とを有している。
【0029】
センサハウジング40におけるシールダイヤフラム43は,図2に示すごとく,その外周部をシールリング431により保持された状態で,凹部45における底面に配置されている。そして,シールダイヤフラム43は,シールリング431と共にレーザ溶接され,溶接部435をセンサハウジング40に達するように設けることにより,センサハウジング40に強固に固定してある。
さらに,センサハウジング40は,被測定対象である流体を導入する圧力導入孔441と,取り付け用のネジ部442とを有している。
【0030】
そして,上記素子ホルダー部30及びこれを覆うコネクタハウジング310と上記センサハウジング40とは,挿入部35における多層基板80及びリング状部材852の外周面にバックアップリング51とOリング50を配設した状態で,上記挿入部35をセンサハウジング40の凹部45に収納し,かしめ部41をツバ部351に係合させることにより組み付けられている。
【0031】
そして,素子ホルダー部30とセンサハウジング40との間に形成される上記圧力室42は,多層基板80の外周面と,センサハウジング40の内周面との間に配置されたシール材であるOリング50によりシールされた状態となる。
また上記素子ホルダー部30とセンサハウジング40との組み付け時には,圧力室42内にシリコーン系オイルよりなる圧力伝達媒体が充填される。
【0032】
また,図2に示すごとく,コネクタハウジング310とセンサハウジング40との組み付け状態においては,ツバ部351と大径部451の底面部とを当接させて位置決めすると共に,この当接部に上記カシメ部41をカシメることにより生ずる荷重を受け止める構造としてある。そのため,コネクタハウジング310の先端に配設されている多層基板80とシールダイヤフラム43との間には所定の隙間が設けられている。
【0033】
このような構成の圧力センサ1は,シールダイヤフラム43に作用する圧力計測対象としての流体等(以下,適宜外部流体という)の圧力を,圧力室42に封入した圧力伝達媒体を介して,感圧素子20により検知することができる。
なお,感圧素子20は,シリコン層を加工して歪ゲージを形成するとともに,シリコン基板を精密にエッチングしてセンサダイヤフラムを形成したものである。
【0034】
次に,本例の作用効果につき説明する。
本例の圧力センサ1において,感圧素子20とターミナルピン10とは,上記のごとく,素子ホルダー部30における多層基板80に形成された電気経路83を介して,相互に電気的に接続されている。さらに,この電気経路83は,上記多層基板80をなす各セラミック層85を貫通するよう設けてある導電体82と,隣接するセラミック層85の間の電極層87に配設した電極パターンとにより形成されている。
【0035】
そして,上記電気経路83において,感圧素子20と対向するセラミック層85に設けた導電体82と,他の少なくとも1層のセラミック層85に設けた導電体82とは,貫通方向における透視断面が重ならないようにずらして配置してある。
すなわち,多層基板80においては,各セラミック層85に配設した各導電体82が,その貫通方向に一直線上に並らばないよう,その断面位置をずらして配置してあり,上記電気経路83をジグザグ形状の経路にしてある。
【0036】
そのため,上記多層基板80に高い圧力が作用した場合であっても,導電体82が貫通方向に吹き抜けるおそれがない。また,たとえ導電体82の一部のシール性が低下したとしても,上記のごとくジグザグ形状の電気経路83全体のシール性が低下しない限り,優れたシール性を維持することができる。
【0037】
また,上記圧力室42は,図1,図2に示すごとく,多層基板80の外周面とセンサハウジング40の内周面との間に配置したOリング50により確実にシールされている。
すなわち,本例の圧力センサ1は,感圧素子20とターミナルピン10とを電気的に接続する電気経路83を伝って圧力伝達媒体の漏れ等,シール欠陥を生じるおそれがなく,かつ,素子ホルダー部30とセンサハウジング40との間のシール性の低下もほとんどない。
【0038】
このように本例の圧力センサ1は,従来よりも耐圧性及びシール性に優れたものとなり,その特性を長期間に渡って維持することができる。
【0039】
なお,本例の圧力センサ1における外部と隔離された圧力室42に代えて,上記シールダイヤフラム43を廃し,外部流体が直接流入する圧力室42を有する構造としてもよい。この場合には,外部流体が,感圧素子20のセンサダイヤフラムに直接作用することとなる。
【0040】
また,本例では,感圧素子20と電気経路83とをバンプ材を用いてバンプ接合したが,この構造に代えて,ボンディングワイヤを用いて両者を接合する構造をとることもできる。。
【0041】
(実施例2)
本例は,図4に示すごとく,コネクタハウジングにより覆われていない素子ホルダー部30を採用した圧力センサ102の例である。
本例の素子ホルダー部30は,同図に示すごとく,感圧素子20とターミナルピン10との間に,これらを電気的に接続する複数の電気経路83を形成する多層基板80を有している。
【0042】
本例の多層基板80は,同図に示すごとく,2枚のセラミック層85とこれらの間に配された電極層87とを有している。そして,感圧素子20を接続する側のセラミック層85には,実施例1と同様の導電体82を貫通して設けてある。もう一方のセラミック層85には,貫通穴825を設け,その内周面にメタライズ処理をした後,ターミナルピン10を直接挿入してろう付けしてある。従って,本例では,ターミナルピン10の一部が導電体としての役割を果たしている。
【0043】
そして,本例の多層基板80においても,感圧素子20を接合したセラミック層85に設けた導電体82と,上記ターミナルピン10を挿設したセラミック層85におけるターミナルピン10よりなる導電体とが,貫通方向における透視断面が重ならないようにずらして配置されている。
【0044】
また,本例の多層基板80は,その先端に,セラミック層85に一体的に接合されたセラミック製のリング状部材852を有している。このリング状部材852は,セラミック層85の外径よりも若干小さい外径を有し,その外周面にOリング50を配置できるようにしてある。
【0045】
また,感圧素子20は,多層基板80の電気経路83に対してバンプ材22を介してバンプ接合されている。本例では,最先端のセラミック層85の受圧面側の表面に導電体82と繋がる電極層(図示略)を配設し,これにバンプ材22を接合してある。
【0046】
一方,本例のセンサハウジング40は,ステンレススチールよりなると共に,図4に示すごとく,上記素子ホルダー部30を挿入するための凹部45を有すると共に,その底部にシールダイヤフラム43を有している。また,凹部45の開口側には,かしめ部41が設けられている。また,センサハウジング40は,被測定対象である流体を導入する圧力導入孔441と,取り付け用のネジ部442とを有している。
【0047】
そして,上記素子ホルダー部30と上記センサハウジング40とは,多層基板80のリング状部材852の外周面にOリング50を配設した状態で,多層基板80をセンサハウジング40の凹部45に収納し,かしめ部41を多層基板80に係合させることにより組み付けられている。
【0048】
本例の場合には,実施例1と異なり,コネクタハウジング310を設けていないので,非常にコンパクトな圧力センサ102を得ることができる。
その他は実施例1と同様の作用効果が得られる。
【0049】
なお,本例の圧力センサ102における感圧素子20の接合方法であるバンプ接合に替えて,図5に示すごとく,多層基板80上に感圧素子20を接着し,この感圧素子20と,多層基板80上に配置したターミナルピン84とを,ボンディングワイヤ34により電気的に接続することもできる。この場合には,ターミナルピン84が上記導電体となる。
【0050】
(実施例3)
本例は,図6に示すごとく,コネクタハウジングとセンサハウジングとを有していない圧力センサ103の例である。
本例の多層基板80は,基本的な構造は実施例1と同様であるが,図6に示すごとく,その外周面に,Mo−Mnによるメタライズ処理を施し,被膜88を形成してある。
【0051】
本例の圧力センサ103を用いて圧力計測を実施するに当たっては,メタライズ処理による被膜88を介在させて,SUS(ステンレス鋼),炭素鋼等よりなる金属製の相手部材に対して直接ろう付け接合することができる。そして,上記相手部材の内部に密閉された,あるいは相手部材の内部に導かれた媒体について,圧力計測を実施する。
【0052】
なお,その他の構成及び作用効果については実施例1と同様である。
また,図7に示すごとく,上述した図5における素子ホルダー部30の多層基板80及びターミナルピン10のみを取り出し,その多層基板80の外周面にメタライズ処理による被膜88を形成してなる圧力センサを構成することもできる。
上記メタライズ処理としては,本例による処理のほか,Mo酸化物,Mo−W,Mo−Mn−Ti,Cu,Ag等を用いた処理により形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1における,圧力センサの構造を示す断面図。
【図2】実施例1における,圧力センサの圧力室近傍を示す拡大説明図。
【図3】実施例1における,多層基板の先端面を示す説明図。
【図4】実施例2における,圧力センサの構造を示す断面図。
【図5】実施例2における,その他の圧力センサの構造を示す断面図。
【図6】実施例3における,圧力センサの構造を示す断面図。
【図7】実施例3における,その他の圧力センサの構造を示す断面図。
【符号の説明】
1,102,103...圧力センサ,
10...コネクタピン,
20...感圧素子,
30...素子ホルダー部,
310...コネクタハウジング,
32...受圧面,
35...挿入部,
40...センサハウジング,
42...圧力室,
43...シールダイヤフラム,
45...凹部,
50...Oリング,
80...多層基板,
82...導電体,
83...電気経路,
85...セラミック層,
87...電極層,
88...被膜,[0001]
【Technical field】
The present invention relates to a pressure sensor that measures pressure using a pressure-sensitive element.
[0002]
[Prior art]
The pressure sensor is a sensor using a pressure-sensitive element having a strain gauge formed on a silicon substrate and a diaphragm for pressure detection formed by precisely etching the silicon substrate. The pressure sensor measures the pressure by measuring the amount of strain of the diaphragm caused by the pressure using the strain gauge.
[0003]
This pressure sensor is configured to measure a pressure by making a pressure receiving surface on which a pressure-sensitive element is disposed face a pressure chamber into which a fluid to be measured or a pressure transmission medium is filled. The pressure chamber needs to have a sufficiently high pressure resistance and a sufficient sealing property so as to correspond to the pressure measurement range of the pressure sensor.
[0004]
[Problem to be solved]
However, the conventional pressure sensor has the following problems.
That is, it is necessary to expose a terminal pin electrically connected to the pressure-sensitive element on the pressure-receiving surface on which the pressure-sensitive element for detecting pressure is disposed.
Further, since the terminal pins need to be electrically connected to an external device or the like, they need to electrically penetrate between the pressure chamber and the outside of the pressure sensor. Therefore, the confidentiality is reduced due to a gap at the boundary between the terminal pin and the pressure sensor main body, and the pressure resistance and the sealing property of the pressure receiving surface cannot be sufficiently increased in some cases.
[0005]
The present invention has been made in view of such conventional problems, and has as its object to provide a pressure sensor having excellent pressure resistance and sealing properties.
[0006]
[Means for solving the problem]
The present invention relates to a pressure sensor including an element holder having a plurality of terminal pins and a pressure-sensitive element electrically connected to the terminal pins.
The element holder has a multilayer substrate that forms a plurality of electric paths between the pressure-sensitive element and the terminal pins for electrically connecting them.
The multi-layer substrate has a plurality of ceramic layers stacked, and has between adjacent ceramic layers an electrode layer including an electrode pattern constituting a part of each of the electric paths. Penetrating a plurality of conductors electrically connected to the electrode pattern,
In addition, the conductor provided on the ceramic layer facing the pressure-sensitive element and the conductor provided on at least one other ceramic layer are shifted so that the transparent cross sections in the penetrating direction do not overlap. The pressure sensor is disposed (claim 1).
[0007]
In the pressure sensor according to the present invention, the pressure-sensitive element and the terminal pin are electrically connected to each other via an electric path formed on the multilayer substrate in the element holder. Further, the electric path is formed by a conductor provided to penetrate each ceramic layer forming the multilayer substrate and an electrode pattern provided on an electrode layer between adjacent ceramic layers.
[0008]
In the electric path, the conductor provided on the ceramic layer facing the pressure-sensitive element and the conductor provided on at least one other ceramic layer have a transparent cross section in the penetrating direction. It is staggered so that it does not become. That is, in the above-mentioned multilayer substrate, the conductors arranged in the respective ceramic layers are arranged so that their cross-sectional positions are shifted so as not to be arranged in a straight line in the penetrating direction. It is a shape path.
[0009]
Therefore, even when a high pressure is applied to the multilayer substrate, there is no possibility that the conductor will blow out by the pressure. Further, even if the sealing property of a part of the conductor is reduced, the excellent sealing property can be maintained as long as the sealing property of the zigzag-shaped electric path is not reduced as described above.
Therefore, the pressure sensor has high pressure resistance, and can exhibit excellent sealing performance over a long period of time.
[0010]
As described above, the present invention can provide a pressure sensor excellent in pressure resistance and sealability.
Further, the multilayer substrate in which a plurality of the ceramic layers are stacked has excellent flexural strength and has little flexure when pressure is applied. If the deflection of the multilayer substrate can be suppressed, a change in the positional relationship between the pressure-sensitive element and the terminal pin due to the deflection can be suppressed. In addition, it is possible to prevent troubles such as disconnection and cracks that may occur in a bonding wire, a bump material, and the like for electrically connecting the two to each other.
[0011]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
In the present invention, it is preferable that at least a part of the multilayer board and the terminal pins of the element holder portion are covered by a connector housing.
In this case, the connection between the terminal pin and an external connector of an external device such as a power supply and a measuring instrument can be easily and reliably performed via the connector housing.
[0012]
The pressure sensor has a sensor housing for accommodating the element holder, and a pressure chamber is formed between the element holder and the sensor housing. Is preferably accommodated (claim 3).
In this case, a fluid or the like as a pressure measurement target is introduced into the pressure chamber formed between the sensor housing and the element holder, and the pressure is measured. Therefore, the influence of the flow of the fluid on the measurement pressure can be suppressed, and the pressure can be accurately measured.
[0013]
Further, it is preferable that the pressure chamber is sealed by a seal material disposed between an outer peripheral surface of the multilayer substrate in the element holder and an inner peripheral surface of the sensor housing.
In this case, the pressure chamber can be reliably sealed by the sealing material disposed between the outer peripheral surface of the multilayer substrate and the inner peripheral surface of the sensor housing.
Various sealing materials such as silicone-based, nitrile-based, acrylic-based, EPDM-based, and fluorine-based sealing materials can be used as the sealing material.
[0014]
In particular, the sealing material is preferably an O-ring. With the O-ring, high sealing performance can be exhibited over a long period of time, and the assemblability between the sensor housing and the element holder is also good. The outer peripheral surface of the multi-layer substrate and the inner peripheral surface of the sensor housing are brazed by interposing a coating made of Mo-Mn by metallization disposed on the outer peripheral surface of the multilayer substrate. It may be a brazing filler metal.
[0015]
Further, it is preferable that the sensor housing has a seal diaphragm, the pressure chamber is sealed by the seal diaphragm, and the pressure chamber is filled with a pressure transmitting medium ( Claim 5).
In this case, the pressure chamber is sealed by enclosing the pressure transmission medium. Since the pressure chamber is required to have high reliability such as stable sealing properties, the effect of the present invention is particularly effective.
[0016]
Further, it is preferable that the multilayer substrate is constituted by three ceramic layers.
In this case, the arrangement of the electrode pattern on the electrode layer with respect to the electric path electrically connected to each terminal is facilitated. Therefore, it is possible to suppress electric interference between the respective electric paths and suppress a pressure measurement error by the pressure sensor.
[0017]
It is preferable that at least one of the electrode layers between the adjacent ceramic layers is provided with a ground electrode including at least a region facing the pressure-sensitive element.
In this case, the influence of external noise that may affect the pressure-sensitive element is suppressed by the ground electrode arranged to face the pressure-sensitive element, and a pressure measurement error by the pressure sensor is suppressed. can do.
[0018]
Preferably, the pressure-sensitive element is bump-bonded to the multilayer substrate by a bump material, and is electrically connected to the terminal via the bump material.
In this case, by joining the pressure-sensitive elements by bump joining, electrical joining to the terminal pins and physical joining to the multilayer substrate can be realized simultaneously, which is efficient.
Examples of the bump material include Au, Cu, Au-Sn, and solder.
[0019]
【Example】
(Example 1)
A
As shown in FIGS. 1 and 2, the
The
[0020]
The
[0021]
As shown in FIG. 1, a part of the
Further, the
The details will be described below.
[0022]
As shown in FIG. 1, the
[0023]
The
[0024]
As shown in FIGS. 2 and 3, each
[0025]
The pressure-
[0026]
Here, the bump bonding means that a bump material such as a solder ball is arranged between an electrode exposed on the surface of a circuit board or the like and an external electrode of a semiconductor chip such as a pressure-sensitive element, and the bump material is melted or the like. This is a joining technique for joining a semiconductor chip onto a circuit board.
The connection between the
[0027]
Further, in this example, a ring-shaped
The
[0028]
Next, the
[0029]
As shown in FIG. 2, the
Further, the
[0030]
The
[0031]
The
When the
[0032]
As shown in FIG. 2, when the
[0033]
The
The pressure-
[0034]
Next, the operation and effect of this embodiment will be described.
In the
[0035]
In the
That is, in the
[0036]
Therefore, even when a high pressure acts on the
[0037]
The
That is, the
[0038]
As described above, the
[0039]
Note that, instead of the
[0040]
Further, in the present embodiment, the pressure-
[0041]
(Example 2)
This example is an example of a
As shown in the figure, the
[0042]
As shown in the figure, the
[0043]
Also in the
[0044]
Further, the
[0045]
Further, the pressure-
[0046]
On the other hand, the
[0047]
The
[0048]
In this embodiment, unlike the first embodiment, the
Otherwise, the same operation and effect as in the first embodiment can be obtained.
[0049]
Note that, instead of bump bonding, which is a method of joining the pressure-
[0050]
(Example 3)
This example is an example of a
The basic structure of the
[0051]
In performing pressure measurement using the
[0052]
The other configuration and operation and effect are the same as in the first embodiment.
As shown in FIG. 7, a pressure sensor is formed by taking out only the
The metallization process can be formed by a process using Mo oxide, Mo-W, Mo-Mn-Ti, Cu, Ag, or the like, in addition to the process according to the present embodiment.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a structure of a pressure sensor according to a first embodiment.
FIG. 2 is an enlarged explanatory view showing the vicinity of a pressure chamber of a pressure sensor in the first embodiment.
FIG. 3 is an explanatory view showing a front end surface of the multilayer substrate in the first embodiment.
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a structure of a pressure sensor according to a second embodiment.
FIG. 5 is a sectional view showing the structure of another pressure sensor according to the second embodiment.
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a structure of a pressure sensor according to a third embodiment.
FIG. 7 is a sectional view showing the structure of another pressure sensor according to the third embodiment.
[Explanation of symbols]
1,102,103. . . Pressure sensor,
10. . . Connector pins,
20. . . Pressure sensitive element,
30. . . Element holder,
310. . . Connector housing,
32. . . Pressure receiving surface,
35. . . Insertion section,
40. . . Sensor housing,
42. . . Pressure chamber,
43. . . Seal diaphragm,
45. . . Recess,
50. . . O-ring,
80. . . Multilayer board,
82. . . conductor,
83. . . Electrical pathways,
85. . . Ceramic layer,
87. . . Electrode layer,
88. . . Coating,
Claims (8)
上記素子ホルダー部は,上記感圧素子と上記ターミナルピンとの間に,これらを電気的に接続する複数の電気経路を形成する多層基板を有しており,
該多層基板は,複数のセラミック層を積層してなると共に隣接するセラミック層の間に上記各電気経路の一部を構成する各電極パターンを含む電極層を有し,上記各セラミック層には上記電極パターンに電気的に接続される複数の導電体を貫通して設けてあり,
かつ,上記感圧素子と対向する上記セラミック層に設けた上記導電体と,他の少なくとも1層の上記セラミック層に設けた上記導電体とは,貫通方向における透視断面が重ならないようにずらして配置してあることを特徴とする圧力センサ。In a pressure sensor including an element holder having a plurality of terminal pins and a pressure-sensitive element electrically connected to the terminal pins,
The element holder has a multilayer substrate that forms a plurality of electric paths between the pressure-sensitive element and the terminal pins for electrically connecting them.
The multi-layer substrate has a plurality of ceramic layers stacked, and has between adjacent ceramic layers an electrode layer including an electrode pattern constituting a part of each of the electric paths. Penetrating a plurality of conductors electrically connected to the electrode pattern,
In addition, the conductor provided on the ceramic layer facing the pressure-sensitive element and the conductor provided on at least one other ceramic layer are shifted so that the see-through cross sections in the penetration direction do not overlap. A pressure sensor, wherein the pressure sensor is arranged.
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