JP2004039846A - Conductive path or electrode, and method for forming the same - Google Patents

Conductive path or electrode, and method for forming the same Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for simply forming a conductive path or an electrode with high manufacturing efficiency with high resolution and positional accuracy. <P>SOLUTION: The method for forming the conductive path or the electrode includes steps of forming a metal fine particle containing layer containing metal fine particles each having a mean particle size of 50 nm or less and in a state that metal fine particles are isolated from each other by an organic material on a support, and heating the layer in a target shape to heat and fusion-bond the metal fine particles. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は導電路又は電極の形成方法に関し、特に金属微粒子分散物を用いて、半導体素子に用いられ導電路又は電極の形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体素子は有機薄膜トランジスタに用いられる導電路や電極の新しい作製法が提案されてきている。例えば、WO 01/47043、同00/79617、特開平11−274671号等にインクジェットによりダイレクトに導電路や電極を形成する技術が開示されているが、製造効率が低く、量産には不向きなものであった。
【0003】
また、特開2000−239853や特開2001−35814等に金属の微粒子を分散した液を塗布し、熱融着することにより導電性の金属薄膜を形成する技術が開示されている。これらの中には、金属薄膜を形成したのちに通常のエッチング処理によりパターン化する方法が記載されているものの、レジスト形成、エッチング処理といった煩雑な処理が必要であり、製造効率がよいとはいえないものであった。又、特開2000−239853には金属微粒子の分散物をスクリーン印刷により形成する方法が記載されているが、スクリーン印刷を含む印刷による方法では、解像度が低く、位置精度の高いパターニングは難しいものであった。
【0004】
簡便で、解像度が高く、位置精度の高い、製造効率の高い導電路や電極の形成方法の提供が強く望まれていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
即ち、本発明の目的は、簡便で、製造効率が高く、解像度や位置精度の高い導電路や電極の形成方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記課題は下記の構成により解決された。
【0007】
(1)支持体上に、平均粒径が50nm以下の金属微粒子を含有し、金属微粒子間が有機物により隔離された状態である金属微粒子含有層を形成し、目的形状様に加熱することにより金属微粒子を加熱融着することを特徴とする導電路又は電極の形成方法。
【0008】
(2)加熱がサーマルヘッドにより行われることを特徴とする(1)記載の導電路又は電極の形成方法。
【0009】
(3)金属微粒子含有層の上に保護層を有することを特徴とする(1)又は(2)記載の導電路又は電極の形成方法。
【0010】
(4)目的形状様に加熱融着した後、非加熱部分の金属微粒子含有層を保護層と共に現像液を用いて除去することを特徴とする(1)〜(3)の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
【0011】
(5)目的形状様に加熱融着した後、非加熱部分の金属微粒子含有層を保護層と共に剥離除去することを特徴とする(1)〜(3)の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
【0012】
(6)後加熱処理を行うことを特徴とする(4)又は(5)記載の導電路又は電極の形成方法。
【0013】
(7)加熱が高密度エネルギー光により行われることを特徴とする(1)記載の導電路又は電極の形成方法。
【0014】
(8)高密度エネルギー光が波長700nm以上の赤外光であることを特徴とする(7)記載の導電路又は電極の形成方法。
【0015】
(9)高密度エネルギー光がレーザ光であることを特徴とする(7)又は(8)記載の導電路又は電極の形成方法。
【0016】
(10)金属微粒子含有層上にアブレーション防止層を設けたことを特徴とする(7)〜(9)の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
【0017】
(11)光熱変換剤を含有する層を有することを特徴とする(7)〜(10)の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
【0018】
(12)目的形状様に加熱融着した後、非加熱部分の金属微粒子含有層をアブレーション防止層と共に現像液を用いて除去することを特徴とする(7)〜(11)の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
【0019】
(13)目的形状様に加熱融着した後、非加熱部分の金属微粒子含有層をアブレーション防止層と共に剥離除去することを特徴とする(7)〜(11)の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
【0020】
(14)後加熱処理を行うことを特徴とする(12)又は(13)記載の導電路又は電極の形成方法。
【0021】
(15)形成された表面にドライエッチング処理を施すことを特徴とする(12)〜(14)の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
【0022】
(16)前記(1)〜(15)の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法により形成されたことを特徴とする導電路又は電極。
【0023】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図をもって説明する。
【0024】
図1は、加熱方法としてサーマルヘッドを用いて、目的とする導電路又は電極の形状に金属微粒子を熱融着(以下、単に、目的形状様に熱融着ということもある)して電極或いは導電路を形成する方法を示す図である。
【0025】
図1(a)は、支持体3上に金属微粒子含有層4を形成し、さらにその上には保護層2がラミネートされており、その上からサーマルヘッド1により熱パターンが与えられ、金属微粒子含有層4中の金属微粒子が熱融着されて導電路又は電極8が形成される。
【0026】
このままの状態で、支持体あるいは保護層側からビアホールを空け、はんだ等で回路素子に任意の接合が可能である。また、図1(b)は、保護層を剥離する際、未加熱部分の金属微粒子含有層も同時に剥離することにより、パターニングされた導電路又は電極8のみを支持体表面に残すことができる。また、保護層に溶解性の材料を用い、溶剤、水あるいは必要に応じて界面活性剤、有機溶剤、酸、アルカリなどを添加した水溶液による現像により保護層を除去すると同時に未加熱部分の金属微粒子含有層も除去して、同様にパターニングされた導電路又は電極8のみを支持体表面に残すことができる。
【0027】
図2は光熱変換法による加熱融着により電極或いは導電路を形成する方法を示す図である。
【0028】
図2(a)は、支持体3上に金属微粒子含有層4を有し、さらにその上にはアブレーション防止層10がラミネートされている。レーザ光で目的形状様にパターン照射することにより、金属微粒子含有層4中の金属微粒子が熱融着されて目的形状様に導電路又は電極8が形成される。その後は、図1のサーマルヘッドによる方法と同様に、そのまま用いてもよく、又図2(b)に示すようにアブレーション防止層を剥離、又はアブレーション防止層として溶解性の材料を用い、溶剤、水あるいは必要に応じて界面活性剤、有機溶剤、酸、アルカリなどを添加した水溶液による現像により、支持体上に導電路又は電極8を形成してもよい。
【0029】
同図(c)〜(g)は、アブレーション防止層10と光熱変換層9を併用した種々の例を示した。同図(c)は、支持体3上に光熱変換層9を設け、その上に金属微粒子含有層4を形成し、その上にアブレーション防止層10を設けたもの、同図(d)は、支持体3上に金属微粒子含有層4を形成し、その上に光熱変換層9を設け、その上にアブレーション防止層10を設けたもの、同図(e)は、アブレーション防止層中に光熱変換剤9′を含有させたもの、同図(f)は金属微粒子含有層中に光熱変換剤9′を含有させたもの、同図(g)は、アブレーション防止層と金属微粒子含有層の両方に光熱変換剤9′を含有させたものであり、本発明においては上記の種々の構成を用いることができる。
【0030】
更に、別の形態としては、同図(h)に示す様に、支持体とアブレーション防止層は一体とせず、一方の支持体3には光熱変換層9を設け、もう一方のアブレーション防止層10には金属微粒子含有層4を設け、支持体3とアブレーション防止層10を光熱変換層9と金属微粒子含有層4とが接する様に密着して、高照度光を照射することにより、目的の形状様に金属微粒子を熱融着し、互いを剥離することにより、支持体側に導電路又は電極8を形成するという方法を用いることもできる。
【0031】
本発明に係る金属微粒子含有層とは、粒子径が1〜50nm、好ましくは1〜10nmの金属微粒子を含有する分散物を用いて層形成されたものであり、該金属微粒子間は実質的に有機物により隔離された状態で、導電性を示さないが、加熱することにより金属微粒子が熱融着して導電路又は電極を形成することを特徴とする。金属材料としては白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、亜鉛等を用いることができる。
【0032】
これらの金属からなる微粒子を、主に有機材料からなる分散安定剤を用いて、水や任意の有機溶剤である分散媒中に分散した分散液を用いて金属微粒子含有層が形成される。
【0033】
このような金属微粒子分散液の製造方法として、ガス中蒸発法、スパッタリング法、金属蒸気合成法などの物理的生成法や、コロイド法、共沈法などの、液相で金属イオンを還元して金属微粒子を生成する化学的生成法が挙げられるが、好ましくは、特開平11−76800号、同11−80647号、同11−319538号、特開2000−239853等に示されたコロイド法、特開2001−254185、同2001−53028、同2001−35255、同2000−124157、同2000−123634などに記載されたガス中蒸発法により製造された金属微粒子分散物である。これらの金属微粒子分散物を用いて層を成形し、溶媒を乾燥させた後、本発明の方法により100〜300℃、好ましくは150〜200℃の範囲で形状様に加熱することにより、金属微粒子を熱融着させ、目的の形状を有する導電路或いは電極を形成するものである。
【0034】
本発明に用いられる支持体としては、ガラス、ベークライトやフレキシブルなプラスチックフィルムなど、任意の材料を用いることができる。プラスチックフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート(PC)、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、等からなるフィルムが挙げられる。このようなプラスチックフィルムを用いることにより、軽量化を図ることができ、可撓性を高め、可搬性を高めることができる。軟化点は150℃以上が好ましく、更には200℃以上の樹脂が好ましい。
【0035】
サーマルヘッドによる加熱方法においては、金属微粒子含有層とヘッドとの融着を防止するため保護層を設けることが好ましく、保護層用材料としては、ABS樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム、ポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム等の各種プラスチックフィルム、各種のセラミックス類で形成されたフィルム、樹脂の溶液或いは分散液を塗布して形成したフィルム、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂等の硬化性樹脂を用いたフィルム等種々の材料を用いることができる。
【0036】
光熱変換法においては、高密度エネルギー光による走査露光或いはフラッシュ露光を行った時に、金属微粒子含有層のアブレートを防止するためのアブレーション防止層を設けることが好ましく、実質的に1μm以上、好ましくは2μm以上の樹脂層が好ましく、例えば、ヤング率150kg/mm以上、破断伸度20%以上の樹脂を用いることができる。具体的には、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等を用いることができ、更には前記保護層や支持体に用いられるフィルムを用いてもよい。
【0037】
光熱変換層に用いられる光熱変換剤としては、従来公知の近赤外光吸収剤を用いることができ、例えば、シアニン系、ポリメチン系、アズレニウム系、スクワリウム系、チオピリリウム系、ナフトキノン系、アントラキノン系色素等の有機化合物、フタロシアニン系、アゾ系、チオアミド系の有機金属錯体などが好適に用いられ、具体的には、特開昭63−139191号、同64−33547号、特開平1−160683号、同1−280750号、同1−293342号、同2−2074号、同3−26593号、同3−30991号、同3−34891号、同3−36093号、同3−36094号、同3−36095号、同3−42281号、同3−97589号および同3−103476号に記載の化合物が挙げられる。これらは1種又は2種以上を組み合わせて用いることができる。又、カーボンブラック等も好ましいものの一つである。これらの光熱変換剤を樹脂溶液中に分散或いは溶解し、塗布、乾燥して、或いは、光熱変換剤を樹脂中に混練し延伸してフィルムとし、光熱変換層を得ることができる。
【0038】
各層の組成物の塗布方法としては、ディッピング、スピンコート、ナイフコート、バーコート、ブレードコート、スクイズコート、リバースロールコート、グラビアロールコート、カーテンコート、スプレイコート、ダイコート等の公知の塗布方法を用いることができ、連続塗布又は薄膜塗布が可能な塗布方法が好ましく用いられる。
【0039】
光熱変換法に用いる光源としては高照度光が用いられるが、光熱変換層での熱により金属微粒子が熱融着される温度まで加熱することが可能であれば、特に制限はなく用いることができ、好ましくはレーザ光が用いられるが、キセノンランプ、ハロゲンランプ、水銀ランプなどによるフラッシュ露光を、マスクを介して行っても良い。レーザ光の場合は、ビーム状に絞り、目的に応じた走査露光を行うことが可能であり、さらに、露光面積を微小サイズに絞ることが容易で高解像度の画像形成が可能となることから、好適に用いることができる。
【0040】
なお、レーザ光による露光で、高解像度を得るためには、エネルギー印加面積が絞り込める電磁波、特に波長が1nm〜1mmの紫外線、可視光線、赤外線が好ましく、このようなレーザ光源としては、一般によく知られている、ルビーレーザ、YAGレーザ、ガラスレーザ等の固体レーザ;He−Neレーザ、Arイオンレーザ、Krイオンレーザ、COレーザ、COレーザ、He−Cdレーザ、Nレーザ、エキシマーレーザ等の気体レーザ;InGaPレーザ、AlGaAsレーザ、GaAsPレーザ、InGaAsレーザ、InAsPレーザ、CdSnPレーザ、GaSbレーザ等の半導体レーザ;化学レーザ、色素レーザ等を挙げることができ、これらの中でも波長が700〜1200nmの赤外レーザを用いるのが、光エネルギーを熱エネルギーに効率的に変換できることから、感度の面で好ましい。
【0041】
レーザ1ビーム当たりの出力は20〜200mWである赤外線レーザが最も好ましく用いられる。エネルギー密度をしては、好ましくは50〜500mJ/cm、更に好ましくは100〜200mJ/cmである。
【0042】
レーザ光をパターン照射する方向としては、アブレーション防止層側からでも、支持体側からでもよい。
【0043】
金属微粒子間の融着をより強化し、導電性を向上させるためには、加熱後に未加熱部分を除去した後、後加熱処理を施すことが好ましいく、処理温度としては150〜250℃、時間は1〜30分、特に好ましくは5〜10分である。
【0044】
熱融着した後も、支持体表面や熱融着した導電路の表面には粒子の分散剤などの有機成分が残存し、はんだ付けなどによる他の素子への接合が不十分となる可能性があり、また、TFTなどの電極として用いる場合には、有機半導体チャネルと障壁を生じ、電荷注入が阻害されるという問題が生じる。このため電極形成後に、有機成分を除去するための洗浄を行うことが好ましい。有機成分の溶解性又は分散性の高い洗浄剤で処理する方法を用いてもよいが、本発明においては、プラズマ処理などのドライエッチングによる処理が好ましい。更には酸素プラズマ処理が有効であり、特に大気圧プラズマ法による酸素プラズマ処理が好ましい。
【0045】
熱融着した後も、支持体表面や熱融着した導電路の表面には粒子の分散剤などの有機成分が残存し、はんだ付けなどによる他の素子への接合が不十分となる可能性があり、また、TFTなどの電極として用いる場合には、有機半導体チャネルと障壁を生じ、電荷注入が阻害されるという問題が生じる恐れがある。このため電極形成後に、有機成分を除去するための洗浄を行うことが好ましい。有機成分の溶解性又は分散性の高い洗浄剤で処理する方法を用いてもよいが、本発明においては、プラズマ処理などのドライエッチングによる処理が好ましい。更には酸素プラズマ処理が有効であり、特に大気圧プラズマ放電による酸素プラズマ処理が好ましい。
【0046】
大気圧プラズマ放電とは、減圧下で行う真空プラズマ放電に対し、大気圧又は大気圧近傍でプラズマ放電を発生させ生じた励起活性種により表面処理を行うものである。励起活性種の濃度を高くできるため処理の効率がいいのが特徴であるが、本発明において、大気圧近傍とは、1.013×10±0.507×10kPa、好ましくは1.013×10±0.304×10kPaの範囲であり、さらに好ましくは1.013×10±0.203×10kPaの範囲である。
【0047】
【実施例】
実施例により、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0048】
実施例1
ポリイミドフィルム支持体上に、平均粒径約10nmの金微粒子のエタノール分散液を塗布し、50℃にて乾燥し、厚さ0.2μmの金属微粒子含有層を形成した。この上にアブレーション防止層として厚さ2μmのポリビニルアルコール層を設けた。出力波長830nm、出力50mWの半導体レーザから200mJ/cmのエネルギー密度で、書き込み解像度が4000dpi(尚、dpiは2.54cm当たりのドット数を表す。)の露光を行い、金微粒子を融着した。その後、水現像を行い、幅約7μmの導電路が形成され、導電性は良好であった。
【0049】
実施例2
PESフィルム支持体上に、光熱変換層としてカーボンブラックを20質量%含有するノボラック樹脂層(1μm)を設け、その上に平均粒径約10nmの金微粒子の水分散液(ノニオン界面活性剤0.1%含有)を塗布し、50℃にて乾燥した。厚さ0.2μmの金微粒子含有層の上に、厚さ2μmのポリビニルフェノールからなるアブレーション防止層を設けた。出力波長830nm、出力50mWの半導体レーザから200mJ/cmのエネルギー密度で、書き込み解像度が400dpiの露光を行い、金微粒子を加熱融着した。その後、ケイ酸含有率0.5%のケイ酸カリウム水溶液(pH12)を用いて現像することにより、幅約7μmの導電路が形成され、導電性は良好であった。
【0050】
【発明の効果】
本発明の方法により、解像度や位置精度の高い導電路や電極を、簡便な形成方法で提供することができるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】加熱方法としてサーマルヘッドを用いて、電極或いは導電路を形成する方法を示す図である。
【図2】光熱変換法による加熱融着により電極或いは導電路を形成する方法を示す図である。
【符号の説明】
1 サーマルヘッド
2 保護層
3 支持体
4 金属微粒子含有層
8 導電路又は電極
9 光熱変換層
9′ 光熱変換剤
10 アブレーション防止層
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for forming a conductive path or an electrode, and more particularly to a method for forming a conductive path or an electrode used for a semiconductor device using a metal fine particle dispersion.
[0002]
[Prior art]
In recent years, as a semiconductor element, a new method for manufacturing a conductive path and an electrode used for an organic thin film transistor has been proposed. For example, WO 01/47043, WO 00/79617, and Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-274671 disclose techniques for directly forming conductive paths and electrodes by ink jet. However, the production efficiency is low and the technique is not suitable for mass production. Met.
[0003]
JP-A-2000-239853, JP-A-2001-35814, and the like disclose a technique of forming a conductive metal thin film by applying a liquid in which metal fine particles are dispersed and performing heat fusion. Among these, although a method of forming a metal thin film and then patterning by a normal etching process is described, a complicated process such as a resist formation and an etching process is required, and the production efficiency is high. There was no one. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-239853 describes a method of forming a dispersion of fine metal particles by screen printing. However, in a printing method including screen printing, patterning with low resolution and high positional accuracy is difficult. there were.
[0004]
It has been strongly desired to provide a method for forming conductive paths and electrodes that is simple, has high resolution, has high positional accuracy, and has high manufacturing efficiency.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
That is, an object of the present invention is to provide a method for forming a conductive path or an electrode that is simple, has high manufacturing efficiency, and has high resolution and positional accuracy.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The above problem has been solved by the following configuration.
[0007]
(1) Forming a metal fine particle-containing layer containing metal fine particles having an average particle diameter of 50 nm or less on a support, wherein the metal fine particles are separated by an organic substance, and heating the metal to a desired shape. A method for forming a conductive path or an electrode, comprising heating and fusing fine particles.
[0008]
(2) The method for forming a conductive path or an electrode according to (1), wherein the heating is performed by a thermal head.
[0009]
(3) The method for forming a conductive path or an electrode according to (1) or (2), wherein a protective layer is provided on the metal fine particle-containing layer.
[0010]
(4) The method according to any one of (1) to (3), wherein, after heating and fusing in a desired shape, the metal fine particle-containing layer in the unheated portion is removed together with the protective layer using a developer. Forming method of the conductive path or the electrode.
[0011]
(5) The conductive path or the conductive path according to any one of (1) to (3), wherein, after being heat-fused in a desired shape, the metal fine particle-containing layer in the non-heated portion is peeled off together with the protective layer. Method of forming electrodes.
[0012]
(6) The method for forming a conductive path or electrode according to (4) or (5), wherein a post-heating treatment is performed.
[0013]
(7) The method for forming a conductive path or an electrode according to (1), wherein the heating is performed by high-density energy light.
[0014]
(8) The method of (7), wherein the high-density energy light is infrared light having a wavelength of 700 nm or more.
[0015]
(9) The method according to (7) or (8), wherein the high-density energy light is laser light.
[0016]
(10) The method for forming a conductive path or an electrode according to any one of (7) to (9), wherein an ablation preventing layer is provided on the metal fine particle-containing layer.
[0017]
(11) The method for forming a conductive path or an electrode according to any one of (7) to (10), further comprising a layer containing a photothermal conversion agent.
[0018]
(12) The method according to any one of (7) to (11), wherein, after heating and fusing in a desired shape, the metal fine particle-containing layer in the non-heated portion is removed together with the ablation preventing layer using a developer. The method for forming the conductive path or the electrode according to the above.
[0019]
(13) The conductive path according to any one of (7) to (11), wherein, after being heat-fused in a desired shape, the metal fine particle-containing layer in the non-heated portion is peeled off together with the ablation preventing layer. Alternatively, a method for forming an electrode.
[0020]
(14) The method for forming a conductive path or an electrode according to (12) or (13), wherein a post-heating treatment is performed.
[0021]
(15) The method for forming a conductive path or an electrode according to any one of (12) to (14), wherein a dry etching process is performed on the formed surface.
[0022]
(16) A conductive path or electrode formed by the method for forming a conductive path or electrode according to any one of (1) to (15).
[0023]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0024]
FIG. 1 shows an example of a heating method using a thermal head to heat-bond metal fine particles to a target conductive path or an electrode shape (hereinafter, sometimes simply referred to as a target shape). FIG. 3 is a diagram illustrating a method of forming a conductive path.
[0025]
FIG. 1A shows a state in which a metal fine particle-containing layer 4 is formed on a support 3 and a protective layer 2 is further laminated thereon. The metal fine particles in the containing layer 4 are thermally fused to form a conductive path or an electrode 8.
[0026]
In this state, a via hole is opened from the support or the protective layer side, and arbitrary joining to the circuit element can be performed with solder or the like. Further, in FIG. 1B, when the protective layer is peeled off, the unheated portion of the metal fine particle-containing layer is also peeled off at the same time, so that only the patterned conductive path or electrode 8 can be left on the surface of the support. Also, using a dissolvable material for the protective layer, the protective layer is removed by development with an aqueous solution to which a solvent, water or, if necessary, a surfactant, an organic solvent, an acid, or an alkali is added. The containing layer can also be removed, leaving only the similarly patterned conductive paths or electrodes 8 on the support surface.
[0027]
FIG. 2 is a view showing a method of forming an electrode or a conductive path by heat fusion by a photothermal conversion method.
[0028]
In FIG. 2A, a metal fine particle-containing layer 4 is provided on a support 3, and an ablation preventing layer 10 is further laminated thereon. By irradiating a pattern with a laser beam in a desired shape, the metal fine particles in the metal fine particle-containing layer 4 are thermally fused to form conductive paths or electrodes 8 in the desired shape. Thereafter, similarly to the method using the thermal head of FIG. 1, the abrasion preventing layer may be peeled off as shown in FIG. The conductive path or the electrode 8 may be formed on the support by development with water or an aqueous solution to which a surfactant, an organic solvent, an acid, an alkali or the like is added as required.
[0029]
FIGS. 3C to 3G show various examples in which the ablation preventing layer 10 and the light-to-heat conversion layer 9 are used in combination. FIG. 3C shows a light-heat conversion layer 9 provided on a support 3, a metal fine particle-containing layer 4 formed thereon, and an ablation prevention layer 10 provided thereon. A metal fine particle-containing layer 4 is formed on a support 3, a photothermal conversion layer 9 is provided thereon, and an ablation prevention layer 10 is provided thereon. FIG. FIG. 7 (f) shows the case where the photothermal conversion agent 9 ′ is contained in the metal fine particle-containing layer, and FIG. 7 (g) shows the case where both the ablation preventing layer and the metal fine particle-containing layer are contained. It contains a light-to-heat conversion agent 9 ', and the various configurations described above can be used in the present invention.
[0030]
Further, as another form, as shown in FIG. 2H, the support and the ablation preventing layer are not integrated, and one of the supports 3 is provided with a light-to-heat conversion layer 9 and the other is ablation preventing layer 10. Is provided with a metal fine particle-containing layer 4, and the support 3 and the ablation preventing layer 10 are brought into close contact with each other so that the light-to-heat conversion layer 9 and the metal fine particle-containing layer 4 are in contact with each other, and irradiated with high illuminance light to obtain a target shape. As described above, a method of forming a conductive path or an electrode 8 on the support body side by thermally fusing the metal fine particles and peeling them off from each other can also be used.
[0031]
The metal fine particle-containing layer according to the present invention is a layer formed by using a dispersion containing metal fine particles having a particle diameter of 1 to 50 nm, preferably 1 to 10 nm, and the space between the metal fine particles is substantially formed. Although it does not exhibit conductivity in a state of being isolated by an organic substance, it is characterized in that metal particles are thermally fused by heating to form a conductive path or an electrode. Use platinum, gold, silver, nickel, chromium, copper, iron, tin, antimony lead, tantalum, indium, palladium, tellurium, rhenium, iridium, aluminum, ruthenium, germanium, molybdenum, tungsten, zinc, etc. Can be.
[0032]
The fine metal particle-containing layer is formed by using a dispersion liquid in which fine particles composed of these metals are dispersed in water or a dispersion medium that is an arbitrary organic solvent using a dispersion stabilizer mainly composed of an organic material.
[0033]
As a method for producing such a metal fine particle dispersion, a metal ion is reduced in a liquid phase, such as a physical generation method such as a gas evaporation method, a sputtering method, a metal vapor synthesis method, a colloid method, and a coprecipitation method. A chemical production method for producing metal fine particles may be mentioned, and preferably, a colloid method described in JP-A-11-76800, JP-A-11-80647, JP-A-11-319538, JP-A-2000-239853, etc. It is a metal fine particle dispersion produced by the in-gas evaporation method described in JP 2001-254185, JP 2001-53028, JP 2001-35255, JP 2000-124157, JP 2000-123634 and the like. After forming a layer by using these metal fine particle dispersions and drying the solvent, the metal fine particles are heated by the method of the present invention in the range of 100 to 300 ° C, preferably 150 to 200 ° C. To form a conductive path or an electrode having a desired shape.
[0034]
As the support used in the present invention, any material such as glass, bakelite and a flexible plastic film can be used. Examples of the plastic film include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyether sulfone (PES), polyether imide, polyether ether ketone, polyphenylene sulfide, polyarylate, polyimide, polycarbonate (PC), and cellulose. Examples include films made of triacetate (TAC), cellulose acetate propionate (CAP), and the like. By using such a plastic film, weight reduction can be achieved, flexibility can be increased, and portability can be increased. The softening point is preferably 150 ° C. or higher, more preferably 200 ° C. or higher.
[0035]
In the heating method using a thermal head, it is preferable to provide a protective layer to prevent fusion between the metal fine particle-containing layer and the head. Examples of the material for the protective layer include ABS resin, polyethylene terephthalate (PET) film, polyethylene naphthalate. (PEN) various plastic films such as films, films made of various ceramics, films formed by applying a resin solution or dispersion, thermosetting resins, electron beam curable resins, ultraviolet curable resins, etc. Various materials such as a film using a curable resin can be used.
[0036]
In the photothermal conversion method, it is preferable to provide an ablation preventing layer for preventing ablation of the metal fine particle-containing layer when performing scanning exposure or flash exposure with high-density energy light, and is substantially 1 μm or more, preferably 2 μm. The above resin layer is preferable. For example, a resin having a Young's modulus of 150 kg / mm 2 or more and a breaking elongation of 20% or more can be used. Specifically, polyvinyl alcohol, a novolak resin, an acrylic resin, or the like can be used, and a film used for the protective layer or the support may be used.
[0037]
As the light-to-heat conversion agent used in the light-to-heat conversion layer, a conventionally known near-infrared light absorber can be used, for example, cyanine, polymethine, azurenium, squalium, thiopyrylium, naphthoquinone, anthraquinone dye Organic compounds such as phthalocyanine, azo, and thioamide are preferably used. Specifically, JP-A-63-139191, JP-A-64-33547, JP-A-1-160683, 1-280750, 1-293342, 2-2074, 3-26593, 3-30991, 3-34891, 3-36093, 3-36094, and 3 And compounds described in JP-A-36095, JP-A-3-42281, JP-A-3-97589 and JP-A-3-103476. These can be used alone or in combination of two or more. Further, carbon black and the like are also preferable. The light-to-heat conversion layer can be obtained by dispersing or dissolving these light-to-heat conversion agents in a resin solution, coating and drying, or kneading and stretching the light-to-heat conversion agent in a resin to form a film.
[0038]
As a coating method of the composition of each layer, a known coating method such as dipping, spin coating, knife coating, bar coating, blade coating, squeeze coating, reverse roll coating, gravure roll coating, curtain coating, spray coating, and die coating is used. A coating method capable of performing continuous coating or thin film coating is preferably used.
[0039]
High illuminance light is used as a light source for the light-to-heat conversion method. However, there is no particular limitation as long as it can be heated to a temperature at which metal fine particles are thermally fused by heat in the light-to-heat conversion layer. Although a laser beam is preferably used, flash exposure using a xenon lamp, a halogen lamp, a mercury lamp, or the like may be performed through a mask. In the case of laser light, it is possible to perform a scanning exposure according to the purpose by narrowing down the beam shape, and further, since the exposure area can be easily narrowed down to a minute size and a high-resolution image can be formed. It can be suitably used.
[0040]
In order to obtain high resolution by exposure with a laser beam, an electromagnetic wave whose energy application area can be narrowed down, in particular, an ultraviolet ray having a wavelength of 1 nm to 1 mm, a visible ray, or an infrared ray is preferable. known, ruby laser, YAG laser, solid state laser glass laser,; the He-Ne laser, Ar ion laser, Kr ion laser, CO 2 laser, CO laser, the He-Cd laser, N 2 laser, excimer laser, etc. gas laser; InGaP laser, AlGaAs laser, GaAsP laser, InGaAs laser, InAsP laser, CdSnP 2 laser, a semiconductor laser such as GaSb laser; chemical laser, there may be mentioned a dye laser or the like, the wavelength among these 700~1200nm The use of infrared lasers Because it can efficiently convert the thermal energy of Energy, preferred in terms of sensitivity.
[0041]
An infrared laser having an output per laser beam of 20 to 200 mW is most preferably used. It is the energy density, preferably 50 to 500 mJ / cm 2, more preferably a 100~200mJ / cm 2.
[0042]
The direction of pattern irradiation with the laser beam may be from the ablation prevention layer side or the support side.
[0043]
In order to further enhance the fusion between the metal fine particles and improve the conductivity, it is preferable to remove the unheated portion after heating, and then to perform a post-heating treatment. Is 1 to 30 minutes, particularly preferably 5 to 10 minutes.
[0044]
Even after heat fusion, organic components such as particle dispersants may remain on the surface of the support or the surface of the heat-fused conductive path, which may result in insufficient bonding to other elements by soldering or the like. In addition, when used as an electrode of a TFT or the like, there is a problem that an organic semiconductor channel and a barrier are generated, and charge injection is hindered. For this reason, it is preferable to perform washing for removing the organic components after forming the electrodes. Although a method of treating with a cleaning agent having high solubility or dispersibility of an organic component may be used, in the present invention, treatment by dry etching such as plasma treatment is preferable. Further, oxygen plasma treatment is effective, and oxygen plasma treatment by an atmospheric pressure plasma method is particularly preferable.
[0045]
Even after heat fusion, organic components such as particle dispersants may remain on the surface of the support or the surface of the heat-fused conductive path, which may result in insufficient bonding to other elements by soldering or the like. When used as an electrode of a TFT or the like, there is a possibility that an organic semiconductor channel and a barrier may be formed, and a problem that charge injection is inhibited may occur. For this reason, it is preferable to perform washing for removing the organic components after forming the electrodes. Although a method of treating with a cleaning agent having high solubility or dispersibility of an organic component may be used, in the present invention, treatment by dry etching such as plasma treatment is preferable. Further, oxygen plasma treatment is effective, and oxygen plasma treatment by atmospheric pressure plasma discharge is particularly preferable.
[0046]
Atmospheric pressure plasma discharge is to perform a surface treatment with an excited active species generated by generating a plasma discharge at or near atmospheric pressure with respect to vacuum plasma discharge performed under reduced pressure. The feature is that the treatment efficiency is good because the concentration of the excited active species can be increased, but in the present invention, near atmospheric pressure means 1.013 × 10 2 ± 0.507 × 10 2 kPa, preferably 1. The range is 013 × 10 2 ± 0.304 × 10 2 kPa, and more preferably the range is 1.013 × 10 2 ± 0.203 × 10 2 kPa.
[0047]
【Example】
EXAMPLES The present invention will be specifically described by way of examples, but the present invention is not limited thereto.
[0048]
Example 1
An ethanol dispersion of fine gold particles having an average particle diameter of about 10 nm was applied on a polyimide film support, and dried at 50 ° C. to form a metal fine particle-containing layer having a thickness of 0.2 μm. On this, a polyvinyl alcohol layer having a thickness of 2 μm was provided as an ablation preventing layer. Exposure was performed from a semiconductor laser having an output wavelength of 830 nm and an output of 50 mW at an energy density of 200 mJ / cm 2 and a writing resolution of 4000 dpi (where dpi represents the number of dots per 2.54 cm) to fuse gold fine particles. . Thereafter, water development was performed to form a conductive path having a width of about 7 μm, and the conductivity was good.
[0049]
Example 2
A novolak resin layer (1 μm) containing 20% by mass of carbon black was provided as a photothermal conversion layer on a PES film support, and an aqueous dispersion of gold fine particles having an average particle diameter of about 10 nm (nonionic surfactant 0.1 μm) was formed thereon. (Containing 1%) and dried at 50 ° C. An ablation prevention layer made of polyvinyl phenol having a thickness of 2 μm was provided on the gold fine particle-containing layer having a thickness of 0.2 μm. Exposure was performed with a writing resolution of 400 dpi at an energy density of 200 mJ / cm 2 from a semiconductor laser having an output wavelength of 830 nm and an output of 50 mW, and the gold fine particles were heated and fused. Thereafter, by conducting development using an aqueous solution of potassium silicate (pH 12) having a silicic acid content of 0.5%, a conductive path having a width of about 7 μm was formed, and the conductivity was good.
[0050]
【The invention's effect】
According to the method of the present invention, conductive paths and electrodes having high resolution and high positional accuracy can be provided by a simple forming method.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram illustrating a method of forming an electrode or a conductive path using a thermal head as a heating method.
FIG. 2 is a diagram showing a method of forming an electrode or a conductive path by heat fusion by a photothermal conversion method.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Thermal head 2 Protective layer 3 Support 4 Metal fine particle containing layer 8 Conductive path or electrode 9 Light-to-heat conversion layer 9 'Light-to-heat conversion agent 10 Ablation prevention layer

Claims (16)

支持体上に、平均粒径が50nm以下の金属微粒子を含有し、金属微粒子間が有機物により隔離された状態である金属微粒子含有層を形成し、目的形状様に加熱することにより金属微粒子を加熱融着することを特徴とする導電路又は電極の形成方法。A metal fine particle containing layer having an average particle diameter of 50 nm or less is formed on a support, and the metal fine particles are separated by an organic material. The metal fine particles are heated by heating in a desired shape. A method for forming a conductive path or an electrode, characterized by fusing. 加熱がサーマルヘッドにより行われることを特徴とする請求項1記載の導電路又は電極の形成方法。2. The method according to claim 1, wherein the heating is performed by a thermal head. 金属微粒子含有層の上に保護層を有することを特徴とする請求項1又は2記載の導電路又は電極の形成方法。The method for forming a conductive path or an electrode according to claim 1, further comprising a protective layer on the metal fine particle-containing layer. 目的形状様に加熱融着した後、非加熱部分の金属微粒子含有層を保護層と共に現像液を用いて除去することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。The conductive path or the electrode according to any one of claims 1 to 3, wherein the metal fine particle-containing layer in the non-heated portion is removed together with the protective layer using a developer after the heat-fusing in a desired shape. Formation method. 目的形状様に加熱融着した後、非加熱部分の金属微粒子含有層を保護層と共に剥離除去することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。The method for forming a conductive path or an electrode according to any one of claims 1 to 3, wherein the metal fine particle-containing layer in a non-heated portion is peeled off together with the protective layer after being heat-fused in a desired shape. 後加熱処理を行うことを特徴とする請求項4又は5記載の導電路又は電極の形成方法。The method for forming a conductive path or an electrode according to claim 4, wherein a post-heating treatment is performed. 加熱が高密度エネルギー光により行われることを特徴とする請求項1記載の導電路又は電極の形成方法。The method for forming a conductive path or an electrode according to claim 1, wherein the heating is performed by high-density energy light. 高密度エネルギー光が波長700nm以上の赤外光であることを特徴とする請求項7記載の導電路又は電極の形成方法。The method for forming a conductive path or an electrode according to claim 7, wherein the high-density energy light is infrared light having a wavelength of 700 nm or more. 高密度エネルギー光がレーザ光であることを特徴とする請求項7又は8記載の導電路又は電極の形成方法。9. The method according to claim 7, wherein the high-density energy light is laser light. 金属微粒子含有層上にアブレーション防止層を設けたことを特徴とする請求項7〜9の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。The method for forming a conductive path or an electrode according to any one of claims 7 to 9, wherein an ablation preventing layer is provided on the metal fine particle-containing layer. 光熱変換剤を含有する層を有することを特徴とする請求項7〜10の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。The method for forming a conductive path or an electrode according to any one of claims 7 to 10, further comprising a layer containing a photothermal conversion agent. 目的形状様に加熱融着した後、非加熱部分の金属微粒子含有層をアブレーション防止層と共に現像液を用いて除去することを特徴とする請求項7〜11の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。The conductive path or the conductive path according to any one of claims 7 to 11, wherein the metal fine particle-containing layer in a non-heated portion is removed using a developer together with the ablation preventing layer after the heat-fusing in a desired shape. Method of forming electrodes. 目的形状様に加熱融着した後、非加熱部分の金属微粒子含有層をアブレーション防止層と共に剥離除去することを特徴とする請求項7〜11の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。The method for forming a conductive path or an electrode according to any one of claims 7 to 11, wherein after heating and fusing in a desired shape, the metal fine particle-containing layer in an unheated portion is peeled off together with the ablation preventing layer. . 後加熱処理を行うことを特徴とする請求項12又は13記載の導電路又は電極の形成方法。14. The method for forming a conductive path or an electrode according to claim 12, wherein a post-heating treatment is performed. 形成された表面にドライエッチング処理を施すことを特徴とする請求項12〜14の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。The method for forming a conductive path or an electrode according to claim 12, wherein a dry etching process is performed on the formed surface. 請求項1〜15の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法により形成されたことを特徴とする導電路又は電極。A conductive path or electrode formed by the method for forming a conductive path or electrode according to claim 1.
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