【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスク用フォトレジストに係り、特にノイズの少ない光ディスクを製造する際に用いるガラス原盤を作製するのに用いられ、ガラス原盤上にグルーブ又はピットを、それらの表面の微小な凹凸及びエッジ部の凹凸を抑制して形成するのに好適な光ディスク用フォトレジストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスクは、情報の記録容量が大きく、その情報を光学的に非接触で再生できることより、ＣＤ、ＬＤ、ＤＶＤ−ｖｉｄｅｏ等のＲＯＭ型ディスク、又は、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等の追記型ディスク、さらに、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ等の書換型ディスク等に幅広く利用されている。
【０００３】
以下、光ディスクの概略の製造工程を説明する。
図５は、従来例の光ディスクの第１の製造工程図である。
図６は、従来例の光ディスクの第２の製造工程図である。
図７は、従来例の光ディスクの第３の製造工程図である。
図８は、従来例の光ディスクの第４の製造工程図である。
【０００４】
まず、図５の（ａ）に示すように、表面を研磨洗浄したガラス基盤１６にスピンコート法等によりフォトレジスト層１７を形成しブランクマスターを作製する。
次に、図５の（ｂ）に示すように、レーザ光１８を対物レンズ１９によって集光し、微小スポットにしたレーザ光をフォトレジスト層１７の形成されたガラス基盤１６に照射する。この時ガラス基盤１６を回転させ、且つレーザ光１８を一定速度で移動させながら、記録すべき情報に対応して変調されたレーザ光をＯＮ、ＯＦＦまたは連続照射を行うことにより、グルーブ（又はピット）となるべき所定形状の潜像２０をスパイラル状に形成する。
【０００５】
次に、図５の（ｃ）に示すように、アルカリ溶液による現像処理を施すことにより潜像を溶解除去し、グルーブ２１（又はピット）が形成されたガラス原盤１６Ａが作製される。
なお、光ディスク用のガラス原盤１６作製用に使用されるレーザ光源としては、ＣＤの場合は波長４５８ｎｍのＡｒレーザや波長４４２ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザ等が用いられる。ＤＶＤのような、より高密度な光ディスク用には、波長４１３ｎｍのＫｒレーザーや、波長３６５ｎｍ又は３５１ｎｍのＡｒレーザが用いられる。さらに高密度な光ディスクにおいては、波長２４８ｎｍ、２５７ｎｍ、２６６ｎｍ等のＤｅｅｐ−ＵＶレーザが用いられ始めている。
【０００６】
また、上記のフォトレジスト材料としては、アルカリ可溶性樹脂であるノボラック樹脂と感光剤からなる、いわゆるノボラック系ポジ型フォトレジストが用いられる。
次に、図５の（ｄ）に示すように、ガラス原盤１６Ａのグルーブ２１及びフォトレジスト層１７の表面にスパッタリング或いは無電解メッキ等の方法によりニッケル等の導電性膜２２を成膜する。
【０００７】
次に、図５の（ｅ）に示すように、ガラス原盤１６Ａをメッキ層に入れて、この導電性膜２２を陰極とし、陽極側にニッケルを配置してスルファミン酸ニッケル溶液中で通電させることによって、ガラス原盤１６Ａの導電性膜２２上にニッケル２３を析出させる。
次に、図５の（ｆ）に示すように、この析出させたニッケル２３をガラス原盤から剥離することにより、信号パターンの形成された金属原盤、すなわちスタンパー２４が作製される。
以上が、ガラス原盤１６Ａ及びスタンパー２４作製工程の概略であり、このスタンパー２４を利用して、光ディスク基板を量産する。
【０００８】
次に、図５の（ｇ）に示されるように、スタンパー２４は、内外径加工及び裏面研磨等の後処理が施された後、成形機に設置されている成形金型（図示しない）に組み込まれる。成形方法としては、光透過性を有するアクリル、ポリカーボネート樹脂等の合成樹脂を材料として、コンプレッション（圧縮成形）法、インジェクション（射出成形）法あるいはフォトポリマー（２Ｐ）法等によって、スタンパー２４を雌型とした雄型のモールド基板２５が作製される。
【０００９】
次に、図５の（ｈ）に示されるように、スタンパー２４よりモールド基板２５を剥離する。こうして、一方の面上に、情報に対応したグルーブ（又はピット）２６の形成されたモールド基板２５が得られる。
このモールド基板２５の厚さは光ディスクの種類によって異なり、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ等の場合はモールド基板２５の厚さを約１．２ｍｍとする。
【００１０】
この場合は、図６の（ｉ）に示すように、モールド基板２５には、スタンパー２４の凹凸パターンに対応した凹凸パターンが転写されており、情報信号に基づくスタンパー２４のグルーブ（又はピット）凸部に対応した凹部、すなわちグルーブ（又はピット）２６が形成されたモールド基板２５の一方の主面側にアルミニウム等を成膜して反射層、或いは相変化材料等を成膜して記録層２７が形成される。なお、成膜方法としては蒸着やスパッタリング法が用いられる。
【００１１】
次に、図６の（ｊ）に示すように、記録層２７を保護するために、アクリル系の紫外線硬化樹脂等をスプレー法、ロールコート法あるいはスピンコート法等により塗布、硬化し保護層２８を形成する。
次に、図６の（ｋ）に示すように、保護膜２８上に紫外線硬化型インク等によりレーベル部２９を形成することにより、光ディスク４０が得られる。
【００１２】
一方、ＤＶＤ−Ｖｉｄｅｏ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ等の場合は、モールド基板は厚さを約０．６ｍｍのモールド２５Ａとする。
この場合は、図７の（ｌ）に示すように、グルーブ（又はピット）２６Ａの形成されたモールド基板２５Ａの面上に、上述と同様な方法にて記録層２７Ａ（又は反射層）を形成する。
次に、図７の（ｍ）に示すように、２枚のモールド基板２５Ａ，２５Ａ’を記録層２７Ａ，２７Ａ’を対向させて、接着剤３０によって貼り合わせ、光ディスク４１を得る。
【００１３】
他方、さらに、次世代の高密度光ディスクとして、モールド基板は厚さを約１．１ｍｍのモールド基板２５Ｂとする。
この場合は、図８の（ｎ）に示すように、グルーブ（又はピット）２６Ｂの形成されたモールド基板２５Ｂの面上に、上述と同様な方法にて記録層２７Ｂ（又は反射層）を形成する。
次に、図８の（ｏ）に示すように、記録層２７Ｂ上に厚さ０．１ｍｍ程度の透明なプラスチックシート３１を接着剤３２によって貼り合わせて光ディスク４２Ａを得る。レーザ光をプラスチックシート３１側から入射させ信号を読み取る構造である。
或いは、図８の（ｐ）に示すように、グルーブ（又はピット）２６Ｂの形成されたモールド基板２５Ｂの面上に、紫外線硬化樹脂等によって厚さ約０．１ｍｍの光透過層３３を形成し光ディスク４２Ｂを得る。レーザ光を光透過層３３側から入射させ信号を読み取る構造である。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した光ディスクにおいて安定した情報信号の記録再生を実現するためには、グルーブノイズやディスクノイズなどと言われるノイズを小さく抑えなければならない。このようなノイズは、ディスク表面の細かな凹凸や荒れた溝のエッジ部を光スポットが通過した時に、そこからの反射光の光量が一定でないために発生する。従って、いかに表面の平坦性が良好で、グルーブ（又はピット）のエッジ部の粗さが小さい光ディスクを形成できるかが大きな課題の一つである。
【００１５】
光ディスクに対しては、今後更なる高記録密度化が要求されている。直径１２０ｍｍの光ディスクに対して、２０乃至３０ＧＢの記録容量を確保するような高記録密度化の要求に応えるためには、前述したグルーブの幅やピッチをさらに狭くする必要がある。例えば、２５ＧＢの容量を直径１２０ｍｍの光ディスクに入れるためには、トラックピッチが０．３２μｍ、線幅が０．１５μｍ前後のグルーブを形成する必要がある。それにともない、当然光スポットの径も小さくなる。小さな径の光スポットで狭ピッチのグルーブ（溝）を再生した場合、表面の粗さや溝エッジ部の粗さのレベルが従来と同レベルだと、その影響は相対的に大きくなってしまう。従って、光ディスクの表面形状に対する課題は、今後の高密度化に向けてその比重が増大している。
【００１６】
このような、光ディスク表面の微小な凹凸によるノイズの増大という問題に対応するのに、特開平６−６０４４３号公報においては、溝が形成されたディスク表面に紫外線硬化樹脂をコーティングする方法が開示されている。また、特開平５−２５０７３８号公報においては、エッチングにより溝を形成する方法が開示されている。しかしながら、これらの方法は、いずれも従来の工程に新しい工程を追加する必要があり、製造コストが増えてしまうという問題があった。
【００１７】
また、特開平５−２５７２７７号公報には、ガラス原盤を作製する際に用いるフォトレジストを構成するベース樹脂の分散度（重量平均分子量／数平均分子量）をある値以下に抑えることで、ディスクノイズを低減するという方法が開示されている。しかしながら、一般的なノボラック系ポジ型フォトレジストは紫外線領域の波長に感度を持つように設計されており、遠紫外線領域の波長には非常に感度が乏しく、高密度化に対応する微細なグルーブパターンを形成するために短波長のレーザ光を用いた場合、十分露光できないという問題があった。
【００１８】
そこで本発明は、新たな工程を加えることなく、遠紫外線等の短波長露光にも対応できて、良好な表面形状を有するガラス原盤を形成できる光ディスク用フォトレジストを提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための手段として、第１の発明は、溶剤にベース樹脂と感光剤とを含む光ディスク用フォトレジストにおいて、
前記感光剤のポリスチレン換算の重量平均分子量を３１０から７００の範囲としたことを特徴とする光ディスク用フォトレジストである。
また、第２の発明は、溶剤にベース樹脂と感光剤とを含む光ディスク用フォトレジストにおいて、
前記ベース樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量を１１００から４９００の範囲としたことを特徴とする光ディスク用フォトレジストである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態につき、好ましい実施例により、図面を参照して説明する。
まず始めに、本発明に至った経過を説明する。
上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、本願発明者は、ディスクノイズは、上述の光ディスク基板（モールド基板）のグルーブ（又はピット）の形成された面の微小な凹凸によリ発生するものであり、この微小な凹凸の発生源は、ガラス原盤上に形成したフォトレジスト層にあり、このフォトレジスト層を形成するフォトレジスト中に含まれる感光剤の分子量によって微小な凹凸の大きさが変化し、感光剤の分子量を最適な範囲に設定することによって微小な凹凸を小さく抑えられることを見出したのである。
【００２１】
また、フォトレジスト中に含まれるベース樹脂の分子量によって微小な凹凸の大きさが変化し、ベース樹脂の分子量を最適な範囲に設定することによって凹凸を小さく抑えられ、さらに遠紫外光に対する高感度化も実現できることも見出したのである。
【００２２】
そのメカニズムについて説明する。一般的に、ノボラック系のポジ型フォトレジストはベース樹脂のノボラック樹脂と、ナフトキノンジアジドに代表される感光剤の混合物である。この感光剤は、エネルギー線に感応して、現像処理時におけるベース樹脂の溶解性を変化させる働きがあり、ポジ型の場合はノボラック樹脂の現像液への溶解を抑制する溶解抑止剤として働いている。アルカリ可溶性のノボラック樹脂が感光剤と反応するとアルカリに不溶となり、エネルギー線が照射されると感光剤が化学変化を起こしアルカリ可溶性に変化しノボラック樹脂と一緒に現像液へと溶解する。
【００２３】
感光剤の構造は一般的に図４のようになっている。
図４は、フォトレジストの構造を示す模式図である。図４の（ａ）はバラスト化合物を、図４の（ｂ）は感光剤を、図４の（ｃ）はフォトレジスト（アルカリ不溶体）をそれぞれ示す。
図４の（ａ）に示すように、バラスト化合物５１は、骨格分子３４の末端に１乃至４個の−ＯＨ基３５を有しており、例としてベンゾフェノンが挙げられる。図４の（ｂ）に示すように、感光剤５２は、バラスト化合物５１の−ＯＨ基３５の少なくとも１つがナフトキノンジアジドである感光成分３６によりスルホン酸エステルとして置換されたものである。
【００２４】
図４の（ｃ）に示すように、感光剤５２の感光成分３６がそれぞれベース樹脂（ノボラック樹脂）３７と反応することによってアルカリ不溶体（フォトレジストである）３８を形成する。この時、−ＯＨ基３５がナフトキノンジアジド等の感光成分３６に置き換わった割合が大きい、あるいは骨格分子３４の大きさが大きい、すなわち感光剤の分子量が大きいと、感光剤５２がベース樹脂３７に対して影響を及ぼす範囲が広くなり、結果的に大きなアルカリ不溶体３８を形成することになる。このようなフォトレジストの場合、現像時に溶解する際も大きなサイズで溶解することになり、その結果表面粗さやエッジラフネスが大きくなってしまうのである。
一方、感光剤５２の分子量が小さくなりすぎると溶解抑止効果が十分得られないので溶解コントラストが上がらない。その結果、未露光部の溶解が大きくなり表面粗さが大きくなってしまうのである。
【００２５】
また、フォトレジストは、主に高分子有機材料（ベース樹脂）から構成される。従来のフォトレジスト中の高分子量成分（単に，高分子ともいう）は、大きさにして数十ｎｍの大きさを持っている。このため、１００ｎｍから２００ｎｍの微細なパターンを形成する際には分子の大きさが無視できない。つまり、スピンコートされたフォトレジスト内では、これらの高分子量成分は秩序良く配置されているわけではないので、露光・現像により、パターンを形成した後の状態では、パターンのエッジ部あるいは表面において高分子量成分の大きさを反映した微細な凹凸が生じてしまうのである。従って、フォトレジストに含まれるベース樹脂の分子量を小さくすれば必然的に凹凸が小さくなりノイズを低減することができるのである。
【００２６】
また、ベース樹脂の分子量を小さくすることは感度向上の効果も併せ持つ。前述したように、従来のノボラック系ポジ型フォトレジストは遠紫外光に対する感度が乏しいが、ベース樹脂の分子量を下げることによって、アルカリ現像液への溶解速度が大きくなるので、見かけ上の感度を向上させることにもなるのである。ただし、分子量を下げすぎると、膜減りが大きくなる、溶解コントラストが小さくなり解像度不足になる、といった弊害が生じるのでその分子量には最適値が存在し、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１０００〜５０００の範囲に設定する必要がある。
【００２７】
＜第１実施例＞
第１実施例に用いるポジ型フォトレジストは、一般的なベース樹脂であるクレゾ−ルノボラック樹脂とナフトキノンジアジド系の感光剤および溶剤とから成る。
ここで、クレゾ−ルノボラック樹脂を１種類（以下、樹脂Ａ又は単にＡと称する）、感光剤を４種類（以下、感光剤Ｂ又は単にＢ、感光剤Ｃ又は単にＣ、感光剤Ｄ又は単にＤ、感光剤Ｅ又は単にＥと称する）、それぞれ合成し、これらを成分とするフォトレジストを得た。
【００２８】
まず、クレゾ−ルノボラック樹脂Ａの合成について説明する。Ａは以下に述べる合成例１により得た。
（合成例１）
還流冷却管と温度計が取り付けられた容量５００ｍｌの３つ口のセパラブルフラスコ内に、蒸留したｍ−クレゾ−ル３０ｇ、ｐ−クレゾ−ル７０ｇ、３７％ホルムアルデヒド水溶液７４ｇ及び蓚酸２水和物２．３ｇを混合充填し、これらを攪拌しながら油浴中で加熱し、還流温度にて５時間反応させた。次いで、フラスコ内を３０ｍｍＨｇに減圧して、水分を除去し、さらに内温１５０℃に上げて、未反応物を除去した後、金属製のバットに流し出し固化させ、約１００ｇのクレゾ−ルノボラック樹脂Ａを得た。このＡをポリスチレン換算のＧＰＣ（ゲルパ−ミエ−ションクロマトグラフィ−）で分析したところ、Ｍｗ（重量平均分子量）が７８６０であった。
【００２９】
次に、感光剤Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの合成について説明する。
Ｂは以下に述べる合成例２、Ｃは合成例３、Ｄは合成例４、Ｅは合成例５により得た（いずれも、黄色灯下で合成された）。
（合成例２）
没食子酸メチル１０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド２０ｇ及びγブチロラクトン３００ｍｌを、３つ口のセパラブルフラスコに充填し、十分溶解させた。これに、トリエチルアミン２０ｇとアセトン５０ｍｌとの混合液を徐々に滴下し、室温にて１時間、攪拌反応させた。これを、塩酸水溶液中に滴下し、沈殿物を分離した後、これを水、次いでエチルアルコ−ルで順に洗い、真空乾燥させてエステルであるＢを得た。この乾燥生成物をポリスチレン換算のＧＰＣで分析したところ、Ｍｗが２００であった。
【００３０】
（合成例３）
没食子酸メチル１０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド４０ｇ及びγブチロラクトン３００ｍｌを、３つ口のセパラブルフラスコに充填し、十分溶解させた。これに、トリエチルアミン２０ｇとアセトン５０ｍｌとの混合液を徐々に滴下し、室温にて５時間、攪拌反応させた。これを、塩酸水溶液中に滴下し、沈殿物を分離した後、これを水、次いでエチルアルコ−ルで順に洗い、真空乾燥させてエステルであるＣを得た。この乾燥生成物をポリスチレン換算のＧＰＣで分析したところ、Ｍｗが４２０であった。
【００３１】
（合成例４）
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン２０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド５０ｇ及びジオキサン２５０ｍｌを、３つ口のセパラブルフラスコに充填し、十分溶解させた。これに、トリエチルアミン１５ｇを徐々に滴下し、室温にて２時間、攪拌反応させた。これを水、次いでエチルアルコ−ルで順に洗い、真空乾燥させてエステルであるＤを得た。この乾燥生成物を、ポリスチレン換算のＧＰＣで分析したところ、Ｍｗが７００であった。
【００３２】
（合成例５）
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン２０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド５０ｇ及びジオキサン２５０ｍｌを、３つ口のセパラブルフラスコに充填し、十分溶解させた。これに、トリエチルアミン１５ｇを徐々に滴下し、室温にて５時間、攪拌反応させた。これを水、次いでエチルアルコ−ルで順に洗い、真空乾燥させてエステルＤを得た。この乾燥生成物を、ポリスチレン換算のＧＰＣで分析したところ、Ｍｗが９５０であった。
【００３３】
次に、以上の様にして得られたＡ〜Ｅを、所定の割合で混合してフォトレジスト＃１からフォトレジスト＃７までを調整した。この内容を、表１に示す。なお、フォトレジスト＃１〜＃７を単に＃１〜＃７と表示してある。
【００３４】
【表１】
【００３５】
Ａを７０ｗｔ％、Ｂを３０ｗｔ％の割合で混合して、０．２μｍフィルタで濾過して、フォトレジスト＃１を得た。なお、溶剤についてはエチルセロソルブアセテ−トを使用し、スピンコ−トに適した粘度に希釈した。
Ａを７０ｗｔ％、Ｂを１５ｗｔ％、Ｃを１５ｗｔ％の割合で混合して、０．２μｍフィルタで濾過して、フォトレジスト＃２（単に、＃２ともいう）を得た。なお、溶剤についてはエチルセロソルブアセテ−トを使用し、スピンコ−トに適した粘度に希釈した。
【００３６】
Ａを７０ｗｔ％、Ｃを３０ｗｔ％の割合で混合して、０．２μｍフィルタで濾過して、フォトレジスト＃３（単に、＃３ともいう）を得た。なお、溶剤についてはエチルセロソルブアセテ−トを使用し、スピンコ−トに適した粘度に希釈した。
Ａを７０ｗｔ％、Ｃを１５ｗｔ％、Ｄを１５ｗｔ％の割合で混合して、０．２μｍフィルタで濾過して、フォトレジスト＃４（単に、＃４ともいう）を得た。なお、溶剤についてはエチルセロソルブアセテ−トを使用し、スピンコ−トに適した粘度に希釈した。
【００３７】
Ａを７０ｗｔ％、Ｄを３０ｗｔ％の割合で混合して、０．２μｍフィルタで濾過して、フォトレジスト＃５（単に、＃５ともいう）を得た。なお、溶剤についてはエチルセロソルブアセテ−トを使用し、スピンコ−トに適した粘度に希釈した。
Ａを７０ｗｔ％、Ｄを１５ｗｔ％、Ｅを１５ｗｔ％の割合で混合して、０．２μｍフィルタで濾過して、フォトレジスト＃６（単に、＃６ともいう）を得た。なお、溶剤についてはエチルセロソルブアセテ−トを使用し、スピンコ−トに適した粘度に希釈した。
【００３８】
Ａを７０ｗｔ％、Ｅを３０ｗｔ％の割合で混合して、０．２μｍフィルタで濾過して、フォトレジスト＃７（単に、＃７ともいう）を得た。なお、溶剤についてはエチルセロソルブアセテ−トを使用し、スピンコ−トに適した粘度に希釈した。
【００３９】
次ぎに、上述した７種類のフォトレジスト＃１〜＃７と、比較例１として市販品のフォトレジスト（Ｓ１とする）を用いて、光ディスクをそれぞれ製作し、それらノイズ特性を評価した。
【００４０】
まず、光ディスクの製造方法を述べる。
図１は、本発明に係る光ディスクの製造工程図である。
まず、図１の（ａ）に示すように、精密に研磨された直径２００ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円盤状のガラス基板１をヘキサメチルジシラザンの蒸気中に３分間さらすことにより、ガラス基板１の表面に、密着性を付与した。次に、フォトレジスト＃１を溶剤（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート：ＰＧＭＥＡ）により希釈して得たフォトレジスト液を、スピンコート法により均一に塗布し、最後に、８０℃のホットプレート上で４５分間ベーキングすることでフォトレジスト膜２を得た。なお、膜厚は３００オングストロ−ムよりやや厚めとした。ここで膜厚は、後の工程で０．２Ｎ水酸化カリウム溶液に３０秒間浸漬した後に、３００オングストロ−ムになるように設定した。
【００４１】
次に、図１の（ｂ）に示すように、連続溝（グルーブ）を記録すべく、波長２６６ｎｍのＹＡＧ４倍波レーザ光３をレンズ４により集光し、これをフォトレジスト膜２上に照射し、潜像５を形成した。なお、レーザ光パワーは、フォトレジストの感度に合わせ、現像後の溝幅比が５０％すなわち溝幅＝０．１６μｍ（ピッチ０．３２μｍ）になるように選択した。
次に、図１の（ｃ）に示すように、０．２Ｎ水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ）により３０秒間の現像を行い、潜像５の形成された露光部を溶解し、トラックピッチ０．３２μｍの連続溝（グルーブ）６を有する光ディスク原盤１Ａを得た。次に、図１の（ｄ）に示すように、上述の図５の（ｄ）から図５の（ｈ）で説明したと同様な方法により、直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍで、上面にグルーブ８の形成された光ディスク基板７を作製した。
【００４２】
次に、図１の（ｅ）に示すように、作製した光ディスク基板７（直径＝１２０ｍｍ、トラックピッチ＝０．３２μｍ、厚さ＝１．１ｍｍ）のグルーブ８上にＡｌ−Ｔｉからなる反射層９をスパッタリング法により約１５０ｎｍの厚さに形成し、その反射層９の上にＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる第２誘電体層１０、相変化記録層１１（組成：Ａｇ５ａｔ％−Ｉｎ５ａｔ％−Ｔｅ３０ａｔ％−Ｓｂ６０ａｔ％）、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる第１誘電体層１２をスパッタリング法により順次形成した。それぞれの膜厚は、第２誘電体層１０は２０ｎｍ、相変化記録層１１は２３ｎｍ、第１誘電体層１２は５０ｎｍであった。そして、その記録層１１が成膜された面に、厚さ９０μｍのポリカーボネート製樹脂フィルム１４をスピンコート法により接着層１３を介して貼り合わせ、記録可能型の光ディスク１５を作製した。なお、接着層１３には紫外線硬化樹脂を用いた。
【００４３】
以上、フォトレジスト＃１を用いて製作した光ディスクについて説明したが、同様の方法で、フォトレジスト＃２〜＃７についても、光ディスクを製作し、それぞれ＃１〜＃７の光ディスクを得た。
また、比較例１として、従来例で示した市販品のフォトレジストＳ１についても、同様にＳ１の光ディスクを得た。
【００４４】
次に、これらの光ディスクの評価方法を説明する。
製造したそれぞれの光ディスクを、波長４０５ｎｍ、レンズＮＡ０．８５のレーザピックアップを用いて再生した。ここで、光ディスクを線速度５．３ｍ／ｓｅｃで回転させ、樹脂フィルム１４側から再生レーザ光を入射し、記録連続溝（グルーブ８）にフォーカス及びトラッキングを行って、グルーブ８を連続してトレースするようにした。続いて、再生レーザ光の出力をスペクトロアナライザーに入力し、周波数２ＭＨｚにおけるノイズを測定した。具体的には、スペクトロアナライザーの解像帯域（Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ）を３０ｋＨｚ、ビデオ帯域（Ｖｉｄｅｏ Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ）を１００Ｈｚとして、再生信号の電力を求め、ノイズ値とした。このようにして求めた光ディスク＃１〜＃７のそれぞれのディスクノイズを表２に示す。なおディスクノイズの値は小さいほど良好なディスクと言えるが、この値が−６０ｄＢｍより大きくなると記録再生時のマージンが減り実用的ではない。なお、表２には、光ディスク＃１〜＃７に対応するフォトレジスト＃１〜＃７に含まれる感光剤のＭｗを示してある。
【００４５】
【表２】
【００４６】
なお、表２においては、簡便のため、フォトレジスト＃１及び光ディスク＃１を単に試料＃１としてある。＃２〜＃７についても同様である。
フォトレジスト＃１の感光剤のＭｗは２００であり、これを用いて得られた光ディスク＃１のディスクノイズは−５５．１ｄＢｍであった。
フォトレジスト＃２の感光剤のＭｗは３１０であり、これを用いて得られた光ディスク＃２のディスクノイズは−６２．８ｄＢｍであった。
フォトレジスト＃３の感光剤のＭｗは４２０であり、これを用いて得られた光ディスク＃３のディスクノイズは−６２．９ｄＢｍであった。
フォトレジスト＃４の感光剤のＭｗは５６０であり、これを用いて得られた光ディスク＃４のディスクノイズは−６１．５ｄＢｍであった。
【００４７】
フォトレジスト＃５の感光剤のＭｗは７００であり、これを用いて得られた光ディスク＃５のディスクノイズは−６０．５ｄＢｍであった。
フォトレジスト＃６の感光剤のＭｗは８２５であり、これを用いて得られた光ディスク＃６のディスクノイズは−５７．６ｄＢｍであった。
フォトレジスト＃７の感光剤のＭｗは９５０であり、これを用いて得られた光ディスク＃７のディスクノイズは−５５．８ｄＢｍであった。
比較例１として、従来例で示した市販品のナフトキノンジアジド／クレゾ−ルノボラック系フォトレジストＳ１の感光剤のＭｗは８５０であり、これを用いて得られた光ディスクＳ１のディスクノイズは−５７．５ｄＢｍであった。
【００４８】
図２は、感光剤の重量平均分子量（Ｍｗ）とディスクノイズ量との関係を示すグラフ図であり、表２の内容をグラフ化したものである。表２に示すように、フォトレジストの感光剤の重量平均分子量が７００を越えおよび３１０未満なるとディスクノイズが−６０ｄＢｍより大きくなリ、重量平均分子量が３００〜７００の範囲であるとディスクノイズが−６０ｄＢｍ以下の良好なものとなり、感光剤の重量平均分子量に最適値が存在する。
【００４９】
＜第２実施例＞
第２実施例に用いるポジ型フォトレジストは、一般的なベース樹脂であるクレゾ−ルノボラック樹脂とナフトキノンジアジド系の感光剤および溶剤とから成る。そこで、クレゾ−ルノボラック樹脂と感光剤をそれぞれ合成し、クレゾールノボラック樹脂については溶解分別法を用いて分子量を調節した。
まず、クレゾ−ルノボラック樹脂の合成について説明する。
【００５０】
（合成例６）
還流冷却管と温度計が取り付けられた容量５００ｍｌの３つ口のセパラブルフラスコ内に、蒸留したｍ−クレゾ−ル５０ｇ、ｐ−クレゾ−ル５０ｇ、３７％ホルムアルデヒド水溶液７４ｇ及び蓚酸２水和物２．３ｇを混合充填し、これらを攪拌しながら油浴中で加熱し、還流温度にて５時間反応させた。次いで、フラスコ内を３０ｍｍＨｇに減圧して、水分を除去し、さらに内温１５０℃に上げて、未反応物を除去した後、金属製のバットに流し出し固化させ、約１００ｇのクレゾ−ルノボラック樹脂を得た。この樹脂をポリスチレン換算のＧＰＣ（ゲルパ−ミエ−ションクロマトグラフィ−）で分析したところ、Ｍｗ（重量平均分子量）が５２００であった。
【００５１】
このようにして得られたクレゾールノボラック樹脂を溶解分別法で分別し、分子量の異なるａ〜ｇの７種類のクレゾールノボラック樹脂を調製した。クレゾールノボラック樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）はポリスチレン標準のＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）で測定した。
クレゾールノボラック樹脂ａのＭｗは９１００、クレゾールノボラック樹脂ｂのＭｗは６９００、クレゾールノボラック樹脂ｃのＭｗは４９００、クレゾールノボラック樹脂ｄのＭｗは３７５０、クレゾールノボラック樹脂ｅのＭｗは２５００、クレゾールノボラック樹脂ｆのＭｗは１１００、クレゾールノボラック樹脂ｇのＭｗは７９０であった。
なお、溶解分別法において溶媒にはエタノール、沈殿剤には水を用いた。
【００５２】
次に、感光剤の合成について説明する。なお、合成は黄色灯下で行われた。
（合成例６）
２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン１０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド４０ｇ及びγ−ブチロラクトン３００ｍｌを、３つ口のセパラブルフラスコに充填し、十分溶解させた。これに、トリエチルアミン２０ｇとアセトン５０ｍｌとの混合液を徐々に滴下し、室温にて５時間、攪拌反応させた。これを塩酸水溶液中に滴下し沈殿物を分離した後、水、次いでエチルアルコ−ルで順に洗い、真空乾燥させてベンゾフェノンエステルを得た。この乾燥生成物を液体クロマトグラムで分析したところ、４置換体は全体の８８％を占めていた。このベンゾフェノンエステルは感光剤である。
【００５３】
次に、フォトレジストの調整を説明する。
以上の様にして得られたクレゾールノボラック樹脂ａ〜ｇと感光剤を重量比７：３の割合で混合し、０．２μｍフィルタで濾過して、それぞれフォトレジスト＃８〜＃１４を得た。フォトレジストの内容を表３に示す。なお、溶剤についてはＰＧＭＥＡを使用し、フォトレジストをスピンコ−トに適した粘度に希釈して調整した
【００５４】
【表３】
【００５５】
なお、表３において、クレゾールノボラック樹脂を単にノボラック樹脂と記してある。
フォトレジスト＃８はクレゾールノボラック樹脂ａを、フォトレジスト＃９はクレゾールノボラック樹脂ｂを、フォトレジスト＃１０はクレゾールノボラック樹脂ｃを、フォトレジスト＃１１はクレゾールノボラック樹脂ｄをフォトレジスト＃１２はクレゾールノボラック樹脂ｅを、フォトレジスト＃１３はクレゾールノボラック樹脂ｆを、フォトレジスト＃１４はクレゾールノボラック樹脂ｇをそれぞれ含む。
【００５６】
次ぎに、上述した７種類のフォトレジスト＃８〜＃１４と、比較例２として市販品のフォトレジスト（Ｓ２とする）を用いて、光ディスク＃８〜＃１４及びＳ２をそれぞれ、上述の第１実施例におけると同様にして製作し、それらのノイズ特性を同様にして評価した。
各光ディスク＃８〜＃１４及びＳ２のディスクノイズを表４に示す。
【００５７】
【表４】
【００５８】
なお、表４には、クレゾールノボラック樹脂を単にノボラック樹脂と表記してある。
フォトレジスト＃８を構成するクレゾールノボラック樹脂ａのＭｗは９１００００であり、これを用いて得られた光ディスク＃８のディスクノイズは−５５．８ｄＢｍであった。
フォトレジスト＃９を構成するクレゾールノボラック樹脂ｂのＭｗは６９００であり、これを用いて得られた光ディスク＃９のディスクノイズは−５８．９ｄＢｍであった。
【００５９】
フォトレジスト＃１０を構成するクレゾールノボラック樹脂ｃのＭｗは４９００であり、これを用いて得られた光ディスク＃１０のディスクノイズは−６１．８ｄＢｍであった。
フォトレジスト＃１１を構成するクレゾールノボラック樹脂ｄのＭｗは３７５０であり、これを用いて得られた光ディスク＃１１のディスクノイズは−６１．５ｄＢｍであった。
フォトレジスト＃１２を構成するクレゾールノボラック樹脂ｅのＭｗは２５００であり、これを用いて得られた光ディスク＃１２のディスクノイズは−６２．０ｄＢｍであった。
【００６０】
フォトレジスト＃１３を構成するクレゾールノボラック樹脂ｆのＭｗは１１００であり、これを用いて得られた光ディスク＃１３のディスクノイズは−６１．５ｄＢｍであった。
フォトレジスト＃１４を構成するクレゾールノボラック樹脂ｇのＭｗは７９０であり、これを用いて得られた光ディスク＃１４のディスクノイズは−５７．６ｄＢｍであった。
比較例２として、従来例で示した市販品のナフトキノンジアジド／クレゾ−ルノボラック系フォトレジストＳ２を用いて得られた光ディスクＳ２のディスクノイズは−５８．０ｄＢｍであった。
【００６１】
図３は、ノボラック樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）とディスクノイズ量との関係を示すグラフ図であり、表４の内容をグラフ化したものである。
表４および図３に示すように、フォトレジストのベース樹脂の重量平均分子量が４９００を越えるか、１１００未満になるとディスクノイズが−６０ｄＢｍを超えてしまい、重量平均分子量が１１００〜４９００の範囲であるとディスクノイズが−６０ｄＢｍ以下の良好なものとなり、ベース樹脂の重量平均分子量に最適値が存在する。
【００６２】
なお、上述の各実施例では、ナフトキノンジアジドをベンゾフェノン系材料に修飾したが、これに限るものではない。トリスフェノ−ル類やオキシフラバン類に修飾する事で、４００ｎｍ以下の波長の光に対して透明性を上げるよう工夫しても良い。
また、ベース樹脂としてはクレゾールノボラック樹脂に限られるものではなく、アルカリ可溶性樹脂のアクリル樹脂、スチレンとアクリル酸との共重合体、ヒドロキシスチレンの重合体、ポロビニルフェノール、ポリα−メチルビニルフェノール等が挙げられる。
【００６３】
また、クレゾ−ルノボラック樹脂、ベンゾフェノンエステル以外に、必要に応じて、染料、界面活性剤、カップリング剤等を混合しても良い。また、溶媒はプロピレングリコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−トに限るものではなく、メチルセロソルブアセテ−ト、エチルセロソルブ、エチルラクテ−ト、エチルピルベ−ト、エチルセロソルブアセテ−ト、メトキシメチルプロイオネ−ト或いはこれらの混合溶媒であっても良い。
露光波長として２６６ｎｍを用いた例を示したが、当然のことながら、使用するフォトレジストが感度のある波長であればいかなる露光波長を用いても良い。
【００６４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の光ディスク用フォトレジストは、請求項１記載によれば、感光剤のポリスチレン換算の重量平均分子量を３１０から７００の範囲としたことにより、新たな工程を加えることなく、遠紫外線等の短波長露光にも対応できて、良好な表面形状を有するガラス原盤を形成できる光ディスク用フォトレジストを提供できるという効果がある。
また、請求項２記載によれば、ベース樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量を１１００から４９００の範囲としたことにより、新たな工程を加えることなく、遠紫外線等の短波長露光にも対応できて、良好な表面形状を有するガラス原盤を形成できる光ディスク用フォトレジストを提供できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光ディスクの製造工程図である。
【図２】光ディスクノイズと感光剤の重量平均分子量との関係を示すグラフ図である。
【図３】光ディスクノイズとノボラック樹脂の重量平均分子量との関係を示すグラフ図である。
【図４】フォトレジストの構造を示す模式図である。
【図５】従来例の光ディスクの第１の製造工程図である。
【図６】従来例の光ディスクの第２の製造工程図である。
【図７】従来例の光ディスクの第３の製造工程図である。
【図８】従来例の光ディスクの第４の製造工程図である。
【符号の説明】
１…ガラス基盤、２…フォトレジスト膜、３…レーザ光、４…レンズ、５…潜像、６…グルーブ（ピット）、７…光ディスク基板、８…グルーブ（ピット）、９…反射層、１０…第２誘電体層、１１…相変化記録層、１２…第１誘電体層、１３…接着層、１４…樹脂フィルム、１５…光ディスク、１６…ガラス基盤、１７…フォトレジスト層、１８…レーザ光、１９…対物レンズ、２０…潜像、２１…グルーブ、２２…導電性膜、２３…ニッケル層、２４…スタンパー、２５…モールド樹脂（基板）、２６…グルーブ（ピット）、２７…記録層、２８…保護層、２９…レーベル層、３０…接着層、３１…プラスチックシート、３２…接着剤、３３…光透過層、３４…骨格分子、３５…−ＯＨ基、３６…ナフトキノンジアジド（感光成分）、３７…ベース樹脂、３８…アルカリ不溶体、４０…光ディスク、４１…光ディスク、４２Ａ，４２Ｂ…光ディスク、５１…バラスト化合物、５２…感光剤。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a photoresist for an optical disk, and is particularly used for producing a glass master used when manufacturing an optical disk with low noise. Grooves or pits are formed on the glass master, and minute irregularities and edges on the surface thereof are formed. The present invention relates to a photoresist for an optical disk which is suitable for forming by suppressing unevenness of a portion.
[0002]
[Prior art]
An optical disk has a large information recording capacity and can reproduce the information optically in a non-contact manner. Therefore, a ROM disk such as a CD, an LD, and a DVD-video, or a write-once disk such as a CD-R and a DVD-R. Further, it is widely used for rewritable discs such as CD-RW, DVD-RAM, and DVD-RW.
[0003]
Hereinafter, a schematic manufacturing process of the optical disc will be described.
FIG. 5 is a first manufacturing process diagram of a conventional optical disc.
FIG. 6 is a second manufacturing process diagram of the conventional optical disk.
FIG. 7 is a third manufacturing process diagram of the conventional optical disk.
FIG. 8 is a fourth manufacturing process diagram of a conventional optical disk.
[0004]
First, as shown in FIG. 5A, a photoresist layer 17 is formed on a glass substrate 16 whose surface has been polished and cleaned by a spin coating method or the like, and a blank master is manufactured.
Next, as shown in FIG. 5B, the laser beam 18 is condensed by the objective lens 19, and the laser beam that has been made into a minute spot is irradiated on the glass substrate 16 on which the photoresist layer 17 is formed. At this time, while rotating the glass substrate 16 and moving the laser beam 18 at a constant speed, the laser beam modulated according to the information to be recorded is turned on, off, or continuously irradiated, thereby forming the groove (or pit). ) Is formed in a spiral shape in a predetermined shape.
[0005]
Next, as shown in FIG. 5C, the latent image is dissolved and removed by performing a developing process using an alkaline solution, and a glass master 16A on which the grooves 21 (or pits) are formed is manufactured.
As a laser light source used for manufacturing the glass master 16 for an optical disk, an Ar laser having a wavelength of 458 nm, a He-Cd laser having a wavelength of 442 nm, or the like is used in the case of a CD. For a higher density optical disc such as a DVD, a Kr laser having a wavelength of 413 nm or an Ar laser having a wavelength of 365 nm or 351 nm is used. For high-density optical disks, Deep-UV lasers with wavelengths of 248 nm, 257 nm, 266 nm and the like have begun to be used.
[0006]
As the above-mentioned photoresist material, a so-called novolak-based positive photoresist composed of a novolak resin, which is an alkali-soluble resin, and a photosensitive agent is used.
Next, as shown in FIG. 5D, a conductive film 22 such as nickel is formed on the surface of the groove 21 and the photoresist layer 17 of the glass master 16A by a method such as sputtering or electroless plating.
[0007]
Next, as shown in FIG. 5E, the glass master 16A is placed in a plating layer, the conductive film 22 is used as a cathode, nickel is placed on the anode side, and electricity is passed in a nickel sulfamate solution. Thereby, nickel 23 is deposited on the conductive film 22 of the glass master 16A.
Next, as shown in FIG. 5 (f), the deposited nickel 23 is peeled off from the glass master to produce a metal master on which a signal pattern is formed, that is, a stamper 24.
The above is an outline of the steps of producing the glass master 16A and the stamper 24, and the optical disc substrate is mass-produced using the stamper 24.
[0008]
Next, as shown in FIG. 5 (g), after the stamper 24 is subjected to post-processing such as inner and outer diameter processing and back surface polishing, the stamper 24 is inserted into a molding die (not shown) installed in the molding machine. Be incorporated. As a molding method, a stamper 24 is formed into a female mold by a compression (compression molding) method, an injection (injection molding) method, a photopolymer (2P) method, or the like, using a synthetic resin such as acrylic or polycarbonate resin having a light transmitting property as a material. A male mold substrate 25 is prepared.
[0009]
Next, as shown in FIG. 5H, the mold substrate 25 is peeled off from the stamper 24. Thus, a mold substrate 25 having a groove (or pit) 26 corresponding to information formed on one surface is obtained.
The thickness of the mold substrate 25 differs depending on the type of the optical disk. In the case of a CD-ROM, a CD-R, a CD-RW, or the like, the thickness of the mold substrate 25 is about 1.2 mm.
[0010]
In this case, as shown in FIG. 6 (i), a concave / convex pattern corresponding to the concave / convex pattern of the stamper 24 is transferred to the mold substrate 25, and the groove (or pit) convex of the stamper 24 based on the information signal. On the one main surface side of the mold substrate 25 in which the concave portions corresponding to the portions, that is, the grooves (or pits) 26 are formed, a reflective layer or a phase change material is formed by forming a film of aluminum or the like on the recording layer 27. Is formed. Note that vapor deposition or sputtering is used as a film formation method.
[0011]
Next, as shown in FIG. 6 (j), in order to protect the recording layer 27, an acrylic UV curable resin or the like is applied and cured by a spraying method, a roll coating method, a spin coating method, or the like, and is cured. To form
Next, as shown in FIG. 6 (k), an optical disk 40 is obtained by forming a label portion 29 on the protective film 28 with an ultraviolet curable ink or the like.
[0012]
On the other hand, in the case of DVD-Video, DVD-R, DVD-RAM, DVD-RW, etc., the mold substrate is a mold 25A having a thickness of about 0.6 mm.
In this case, as shown in FIG. 7 (l), a recording layer 27A (or reflection layer) is formed on the surface of the mold substrate 25A on which the groove (or pit) 26A is formed by the same method as described above. I do.
Next, as shown in FIG. 7 (m), the two mold substrates 25A, 25A 'are bonded together with the adhesive 30 with the recording layers 27A, 27A' facing each other, and an optical disk 41 is obtained.
[0013]
On the other hand, as a next-generation high-density optical disk, the mold substrate is a mold substrate 25B having a thickness of about 1.1 mm.
In this case, as shown in FIG. 8 (n), a recording layer 27B (or a reflective layer) is formed on the surface of the mold substrate 25B on which the grooves (or pits) 26B are formed by the same method as described above. I do.
Next, as shown in FIG. 8 (o), a transparent plastic sheet 31 having a thickness of about 0.1 mm is stuck on the recording layer 27B with an adhesive 32 to obtain an optical disc 42A. This is a structure in which a laser beam is incident from the plastic sheet 31 side to read a signal.
Alternatively, as shown in FIG. 8 (p), on the surface of the mold substrate 25B on which the grooves (or pits) 26B are formed, a light transmitting layer 33 having a thickness of about 0.1 mm is formed by an ultraviolet curable resin or the like. An optical disk 42B is obtained. This is a structure in which a laser beam is incident from the light transmission layer 33 side to read a signal.
[0014]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in order to realize stable recording and reproduction of an information signal in the above-described optical disk, it is necessary to reduce noises such as groove noise and disk noise. Such noise is generated when the light spot passes through the fine irregularities on the disk surface or the edge of the rough groove, because the amount of reflected light from the light spot is not constant. Therefore, one of the major issues is how to form an optical disk having a good surface flatness and a small roughness at the edge of a groove (or pit).
[0015]
Optical disks are required to have higher recording densities in the future. In order to meet the demand for a higher recording density such that a recording capacity of 20 to 30 GB is secured for an optical disk having a diameter of 120 mm, it is necessary to further narrow the groove width and pitch described above. For example, in order to insert a capacity of 25 GB into an optical disc having a diameter of 120 mm, it is necessary to form a groove having a track pitch of 0.32 μm and a line width of about 0.15 μm. Accordingly, the diameter of the light spot naturally becomes smaller. When a groove (groove) having a small pitch is reproduced with a light spot having a small diameter, the influence becomes relatively large if the surface roughness and the roughness of the groove edge are the same as those in the related art. Therefore, the specific gravity of the surface shape of the optical disk has been increasing for higher density in the future.
[0016]
To cope with such a problem of an increase in noise due to minute irregularities on the optical disk surface, JP-A-6-60443 discloses a method of coating a grooved disk surface with an ultraviolet curable resin. ing. Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-25038 discloses a method of forming a groove by etching. However, each of these methods requires a new process to be added to the conventional process, and has a problem of increasing the manufacturing cost.
[0017]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-257277 discloses that a disc noise is suppressed by suppressing the degree of dispersion (weight average molecular weight / number average molecular weight) of a base resin constituting a photoresist used for producing a glass master disk to a certain value or less. Are disclosed. However, general novolak-based positive photoresists are designed to be sensitive to wavelengths in the ultraviolet region, are very insensitive to wavelengths in the far ultraviolet region, and have fine groove patterns that can be used for higher densities. When a short-wavelength laser beam is used to form a pattern, there is a problem that exposure cannot be performed sufficiently.
[0018]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a photoresist for an optical disk which can cope with short-wavelength exposure such as far ultraviolet rays without adding a new process and can form a glass master having a good surface shape.
[0019]
[Means for Solving the Problems]
As a means for achieving the above object, a first invention is a photoresist for an optical disk, which contains a base resin and a photosensitive agent in a solvent,
A photoresist for an optical disk, wherein the weight average molecular weight of the photosensitive agent in terms of polystyrene is in the range of 310 to 700.
Further, a second invention is a photoresist for an optical disc, which contains a base resin and a photosensitive agent in a solvent,
A photoresist for an optical disk, wherein the polystyrene equivalent weight average molecular weight of the base resin is in the range of 1100 to 4900.
[0020]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings by way of preferred examples.
First, the process leading to the present invention will be described.
As a result of intensive studies to achieve the above object, the inventor of the present application has found that disk noise is caused by minute irregularities on the surface of the optical disk substrate (mold substrate) where the grooves (or pits) are formed. The source of the fine irregularities is in the photoresist layer formed on the glass master, and the size of the minute irregularities depends on the molecular weight of the photosensitive agent contained in the photoresist forming the photoresist layer. It has been found that by changing the molecular weight of the photosensitive agent to an optimum range, minute irregularities can be suppressed.
[0021]
In addition, the size of the minute irregularities changes depending on the molecular weight of the base resin contained in the photoresist, and by setting the molecular weight of the base resin to the optimal range, the irregularities can be suppressed to a small value, and furthermore, high sensitivity to far ultraviolet light is improved. It was also found that it could be realized.
[0022]
The mechanism will be described. Generally, a novolak-based positive photoresist is a mixture of a novolak resin as a base resin and a photosensitizer represented by naphthoquinonediazide. This photosensitive agent has a function of changing the solubility of the base resin at the time of development processing in response to energy rays, and in the case of a positive type, acts as a dissolution inhibitor that suppresses dissolution of the novolak resin in the developer. I have. When the alkali-soluble novolak resin reacts with the photosensitive agent, it becomes insoluble in alkali. When irradiated with energy rays, the photosensitive agent undergoes a chemical change, changes to alkali-soluble, and dissolves in the developer together with the novolak resin.
[0023]
The structure of the photosensitive agent is generally as shown in FIG.
FIG. 4 is a schematic diagram showing the structure of the photoresist. 4A shows a ballast compound, FIG. 4B shows a photosensitizer, and FIG. 4C shows a photoresist (alkali insoluble).
As shown in FIG. 4A, the ballast compound 51 has one to four -OH groups 35 at the terminal of the skeletal molecule 34, and benzophenone is mentioned as an example. As shown in FIG. 4B, the photosensitizer 52 is one in which at least one of the —OH groups 35 of the ballast compound 51 is substituted as a sulfonic acid ester by a photoconductive component 36 in which naphthoquinonediazide is used.
[0024]
As shown in FIG. 4C, the photosensitive components 36 of the photosensitive agent 52 react with the base resin (novolak resin) 37 to form an alkali insoluble material (photoresist) 38. At this time, if the proportion of the —OH group 35 replaced by the photosensitive component 36 such as naphthoquinonediazide is large, or the size of the skeletal molecule 34 is large, that is, if the molecular weight of the photosensitive agent is large, the photosensitive agent 52 As a result, the range of influence is widened, and as a result, a large alkali insoluble body 38 is formed. In the case of such a photoresist, it also dissolves in a large size when dissolving during development, and as a result, the surface roughness and the edge roughness increase.
On the other hand, if the molecular weight of the photosensitive agent 52 is too small, the dissolution inhibiting effect cannot be sufficiently obtained, so that the dissolution contrast does not increase. As a result, the dissolution of the unexposed portions increases, and the surface roughness increases.
[0025]
The photoresist is mainly composed of a high-molecular organic material (base resin). A high molecular weight component (also simply referred to as a polymer) in a conventional photoresist has a size of several tens of nm in size. Therefore, when forming a fine pattern of 100 nm to 200 nm, the size of the molecule cannot be ignored. In other words, in a spin-coated photoresist, these high molecular weight components are not arranged in an orderly manner, so that after exposure and development, a high level is formed at the edge or surface of the pattern after the pattern is formed. Fine irregularities reflecting the size of the molecular weight component occur. Therefore, if the molecular weight of the base resin contained in the photoresist is reduced, the unevenness is inevitably reduced, and the noise can be reduced.
[0026]
Reducing the molecular weight of the base resin also has the effect of improving sensitivity. As described above, conventional novolak-based positive photoresists have poor sensitivity to far ultraviolet light, but lowering the molecular weight of the base resin increases the dissolution rate in an alkaline developer, thereby improving the apparent sensitivity. It will also cause them to do so. However, if the molecular weight is too low, the film loss becomes large, the dissolution contrast becomes small, and the resolution becomes insufficient. Therefore, the molecular weight has an optimal value, and the weight average molecular weight in terms of polystyrene is 1,000 to 5,000. Must be set to a range.
[0027]
<First embodiment>
The positive photoresist used in the first embodiment comprises a cresol novolak resin, which is a general base resin, and a naphthoquinonediazide-based photosensitive agent and a solvent.
Here, one type of cresol-novolak resin (hereinafter, referred to as resin A or simply A) and four types of photosensitizer (hereinafter, photosensitizer B or simply B, photosensitizer C or simply C, photosensitizer D or simply D) , Photosensitive agent E or simply E), respectively, to obtain a photoresist containing these as components.
[0028]
First, the synthesis of cresol novolak resin A will be described. A was obtained by Synthesis Example 1 described below.
(Synthesis example 1)
In a 500 ml three-neck separable flask equipped with a reflux condenser and a thermometer, 30 g of distilled m-cresol, 70 g of p-cresol, 74 g of a 37% aqueous formaldehyde solution and oxalic acid dihydrate were placed. 2.3 g were mixed and charged, and these were heated in an oil bath with stirring, and reacted at reflux temperature for 5 hours. Then, the pressure in the flask was reduced to 30 mmHg to remove water, the internal temperature was further raised to 150 ° C., unreacted substances were removed, and then the mixture was poured into a metal vat and solidified. About 100 g of cresol novolak resin A was obtained. When this A was analyzed by GPC (gel permeation chromatography) in terms of polystyrene, Mw (weight average molecular weight) was 7,860.
[0029]
Next, the synthesis of the photosensitive agents B, C, D, and E will be described.
B was obtained by Synthesis Example 2 described below, C was obtained by Synthesis Example 3, D was obtained by Synthesis Example 4, and E was obtained by Synthesis Example 5 (all were synthesized under yellow light).
(Synthesis example 2)
10 g of methyl gallate, 20 g of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride and 300 ml of γ-butyrolactone were charged into a three-neck separable flask and sufficiently dissolved. A mixture of 20 g of triethylamine and 50 ml of acetone was gradually added dropwise thereto, and the mixture was stirred and reacted at room temperature for 1 hour. This was added dropwise to an aqueous hydrochloric acid solution to separate a precipitate, which was washed successively with water and then with ethyl alcohol, and dried in vacuo to obtain ester B. When this dried product was analyzed by GPC in terms of polystyrene, Mw was 200.
[0030]
(Synthesis example 3)
10 g of methyl gallate, 40 g of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride and 300 ml of γ-butyrolactone were charged into a three-neck separable flask and sufficiently dissolved. A mixture of 20 g of triethylamine and 50 ml of acetone was gradually added dropwise thereto, and the mixture was stirred and reacted at room temperature for 5 hours. This was added dropwise to an aqueous hydrochloric acid solution to separate a precipitate, which was washed successively with water and then with ethyl alcohol, and dried in vacuo to obtain ester C. When this dried product was analyzed by GPC in terms of polystyrene, Mw was 420.
[0031]
(Synthesis example 4)
20 g of 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 50 g of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride and 250 ml of dioxane were charged into a three-neck separable flask and sufficiently dissolved. To this, 15 g of triethylamine was gradually added dropwise, and the mixture was stirred and reacted at room temperature for 2 hours. This was washed successively with water and then with ethyl alcohol, and dried under vacuum to obtain the ester D. When this dried product was analyzed by GPC in terms of polystyrene, Mw was 700.
[0032]
(Synthesis example 5)
20 g of 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 50 g of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride and 250 ml of dioxane were charged into a three-neck separable flask and sufficiently dissolved. To this, 15 g of triethylamine was gradually added dropwise, and the mixture was stirred and reacted at room temperature for 5 hours. This was washed successively with water and then with ethyl alcohol and dried in vacuo to give ester D. When this dried product was analyzed by GPC in terms of polystyrene, Mw was 950.
[0033]
Next, A to E obtained as described above were mixed at a predetermined ratio to prepare photoresists # 1 to # 7. The contents are shown in Table 1. The photoresists # 1 to # 7 are simply indicated as # 1 to # 7.
[0034]
[Table 1]
[0035]
A was mixed at a ratio of 70 wt% and B was mixed at a ratio of 30 wt%, and the mixture was filtered through a 0.2 μm filter to obtain a photoresist # 1. The solvent was diluted with ethyl cellosolve acetate to a viscosity suitable for spin coating.
A was mixed at a ratio of 70 wt%, B at 15 wt%, and C at a ratio of 15 wt%, and filtered with a 0.2 μm filter to obtain a photoresist # 2 (also simply referred to as # 2). The solvent was diluted with ethyl cellosolve acetate to a viscosity suitable for spin coating.
[0036]
A was mixed at a ratio of 70 wt% and C at a ratio of 30 wt%, and the mixture was filtered with a 0.2 μm filter to obtain a photoresist # 3 (also simply referred to as # 3). The solvent was diluted with ethyl cellosolve acetate to a viscosity suitable for spin coating.
A was mixed at a ratio of 70 wt%, C at a ratio of 15 wt%, and D at a ratio of 15 wt%, and filtered with a 0.2 μm filter to obtain a photoresist # 4 (also simply referred to as # 4). The solvent was diluted with ethyl cellosolve acetate to a viscosity suitable for spin coating.
[0037]
A was mixed at a ratio of 70 wt% and D was mixed at a ratio of 30 wt%, and the mixture was filtered with a 0.2 μm filter to obtain a photoresist # 5 (also simply referred to as # 5). The solvent was diluted with ethyl cellosolve acetate to a viscosity suitable for spin coating.
A was mixed at 70 wt%, D at 15 wt%, and E at 15 wt%, and filtered with a 0.2 μm filter to obtain a photoresist # 6 (also simply referred to as # 6). The solvent was diluted with ethyl cellosolve acetate to a viscosity suitable for spin coating.
[0038]
A was mixed at a ratio of 70 wt% and E at a ratio of 30 wt%, and the mixture was filtered with a 0.2 μm filter to obtain a photoresist # 7 (also simply referred to as # 7). The solvent was diluted with ethyl cellosolve acetate to a viscosity suitable for spin coating.
[0039]
Next, optical disks were manufactured using the above-described seven types of photoresists # 1 to # 7 and a commercially available photoresist (referred to as S1) as Comparative Example 1, and their noise characteristics were evaluated.
[0040]
First, a method for manufacturing an optical disk will be described.
FIG. 1 is a manufacturing process diagram of an optical disk according to the present invention.
First, as shown in FIG. 1A, a precisely polished disk-shaped glass substrate 1 having a diameter of 200 mm and a thickness of 10 mm was exposed to a vapor of hexamethyldisilazane for 3 minutes to form a glass substrate 1. The surface was provided with adhesiveness. Next, a photoresist liquid obtained by diluting the photoresist # 1 with a solvent (propylene glycol monomethyl ether acetate: PGMEA) is uniformly applied by a spin coating method, and finally, on a hot plate at 80 ° C. for 45 minutes. The photoresist film 2 was obtained by baking. The film thickness was slightly thicker than 300 angstroms. Here, the film thickness was set to be 300 Å after being immersed in a 0.2N potassium hydroxide solution for 30 seconds in a later step.
[0041]
Next, as shown in FIG. 1B, a YAG fourth harmonic laser beam 3 having a wavelength of 266 nm is condensed by a lens 4 to irradiate the photoresist film 2 on the photoresist film 2 in order to record a continuous groove. Thus, a latent image 5 was formed. The laser beam power was selected according to the sensitivity of the photoresist so that the groove width ratio after development was 50%, that is, the groove width was 0.16 μm (pitch 0.32 μm).
Next, as shown in FIG. 1C, development was performed for 30 seconds using a 0.2 N aqueous potassium hydroxide solution (KOH) to dissolve the exposed portion on which the latent image 5 was formed, and the track pitch was 0.32 μm. An optical disc master 1A having a continuous groove (groove) 6 was obtained. Next, as shown in FIG. 1 (d), the same method as described with reference to FIG. 5 (d) to FIG. 5 (h) described above has a diameter of 120 mm and a thickness of 1.1 mm. The optical disk substrate 7 on which the groove 8 was formed was manufactured.
[0042]
Next, as shown in FIG. 1E, a reflective layer made of Al—Ti is formed on the groove 8 of the manufactured optical disk substrate 7 (diameter = 120 mm, track pitch = 0.32 μm, thickness = 1.1 mm). 9 is formed to a thickness of about 150 nm by a sputtering method, and ZnS-SiO 2 Dielectric layer 10, phase change recording layer 11 (composition: Ag5at% -In5at% -Te30at% -Sb60at%), ZnS-SiO 2 The first dielectric layer 12 made of was sequentially formed by a sputtering method. The film thicknesses of the second dielectric layer 10 were 20 nm, the phase change recording layer 11 was 23 nm, and the first dielectric layer 12 was 50 nm. Then, a polycarbonate resin film 14 having a thickness of 90 μm was adhered to the surface on which the recording layer 11 was formed via an adhesive layer 13 by a spin coating method, thereby producing a recordable optical disk 15. Note that an ultraviolet curable resin was used for the adhesive layer 13.
[0043]
Although the optical disk manufactured using the photoresist # 1 has been described above, optical disks are manufactured for the photoresists # 2 to # 7 by the same method, and the optical disks # 1 to # 7 are obtained.
Further, as Comparative Example 1, an optical disk of S1 was obtained in the same manner for the commercially available photoresist S1 shown in the conventional example.
[0044]
Next, a method for evaluating these optical disks will be described.
Each of the manufactured optical disks was reproduced using a laser pickup having a wavelength of 405 nm and a lens NA of 0.85. Here, the optical disk is rotated at a linear velocity of 5.3 m / sec, a reproduction laser beam is incident from the resin film 14 side, focus and tracking are performed on the recording continuous groove (groove 8), and the groove 8 is continuously traced. I did it. Subsequently, the output of the reproduction laser light was input to a spectro analyzer, and noise at a frequency of 2 MHz was measured. Specifically, the power of the reproduced signal was determined by setting the resolution band (Resolution Bandwidth) of the spectroanalyzer to 30 kHz and the video band (Video Bandwidth) to 100 Hz, and determined the noise value. Table 2 shows the disk noise of each of the optical disks # 1 to # 7 thus obtained. The smaller the value of the disk noise, the better the disk. However, if the value is larger than -60 dBm, the margin at the time of recording / reproducing decreases, which is not practical. Table 2 shows the Mw of the photosensitive agent contained in the photoresists # 1 to # 7 corresponding to the optical disks # 1 to # 7.
[0045]
[Table 2]
[0046]
In Table 2, for convenience, photoresist # 1 and optical disk # 1 are simply referred to as sample # 1. The same applies to # 2 to # 7.
The Mw of the photosensitive agent of the photoresist # 1 was 200, and the disk noise of the optical disk # 1 obtained by using this was -55.1 dBm.
The Mw of the photosensitive agent of the photoresist # 2 was 310, and the disk noise of the optical disk # 2 obtained by using this was -62.8 dBm.
The Mw of the photosensitive agent of the photoresist # 3 was 420, and the disk noise of the optical disk # 3 obtained by using this was -62.9 dBm.
The Mw of the photosensitive agent of the photoresist # 4 was 560, and the disk noise of the optical disk # 4 obtained by using this was -61.5 dBm.
[0047]
The Mw of the photosensitive agent of the photoresist # 5 was 700, and the disk noise of the optical disk # 5 obtained by using this was -60.5 dBm.
The Mw of the photosensitive agent of the photoresist # 6 was 825, and the disk noise of the optical disk # 6 obtained by using this was -57.6 dBm.
The Mw of the photosensitive agent of the photoresist # 7 was 950, and the disk noise of the optical disk # 7 obtained by using this was -55.8 dBm.
As Comparative Example 1, the Mw of the photosensitive agent of the commercially available naphthoquinonediazide / cresol-novolak-based photoresist S1 shown in the conventional example is 850, and the disk noise of the optical disk S1 obtained by using this is -57.5 dBm. Met.
[0048]
FIG. 2 is a graph showing the relationship between the weight average molecular weight (Mw) of the photosensitive agent and the amount of disk noise, and is a graph of the contents of Table 2. As shown in Table 2, when the weight average molecular weight of the photosensitizer of the photoresist is more than 700 and less than 310, the disk noise becomes larger than −60 dBm, and when the weight average molecular weight is in the range of 300 to 700, the disk noise becomes − It is good at 60 dBm or less, and there is an optimum value for the weight average molecular weight of the photosensitive agent.
[0049]
<Second embodiment>
The positive photoresist used in the second embodiment comprises a cresol novolak resin as a general base resin, a naphthoquinonediazide-based photosensitizer and a solvent. Thus, a cresol novolak resin and a photosensitive agent were synthesized, respectively, and the molecular weight of the cresol novolak resin was adjusted using a solution fractionation method.
First, the synthesis of a cresol novolak resin will be described.
[0050]
(Synthesis example 6)
In a 500 ml three-neck separable flask equipped with a reflux condenser and a thermometer, 50 g of distilled m-cresol, 50 g of p-cresol, 74 g of 37% aqueous formaldehyde solution and oxalic acid dihydrate 2.3 g were mixed and charged, and these were heated in an oil bath with stirring, and reacted at reflux temperature for 5 hours. Then, the pressure in the flask was reduced to 30 mmHg to remove water, the internal temperature was further raised to 150 ° C., unreacted substances were removed, and then the mixture was poured into a metal vat and solidified. About 100 g of cresol novolak resin Got. When this resin was analyzed by GPC (gel permeation chromatography) in terms of polystyrene, Mw (weight average molecular weight) was 5,200.
[0051]
The cresol novolak resins thus obtained were separated by a solution fractionation method to prepare seven types of cresol novolak resins having different molecular weights a to g. The weight average molecular weight (Mw) of the cresol novolak resin was measured by GPC (gel permeation chromatography) of polystyrene standard.
Mw of cresol novolak resin a is 9100, Mw of cresol novolak resin b is 6900, Mw of cresol novolak resin c is 4900, Mw of cresol novolak resin d is 3750, Mw of cresol novolak resin e is 2500, and cresol novolak resin f is 2500. Mw was 1100, and Mw of cresol novolak resin g was 790.
In the dissolution fractionation method, ethanol was used as a solvent and water was used as a precipitant.
[0052]
Next, the synthesis of the photosensitive agent will be described. The synthesis was performed under yellow light.
(Synthesis example 6)
10 g of 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 40 g of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride and 300 ml of γ-butyrolactone were charged into a three-neck separable flask and sufficiently dissolved. A mixture of 20 g of triethylamine and 50 ml of acetone was gradually added dropwise thereto, and the mixture was stirred and reacted at room temperature for 5 hours. This was dropped into an aqueous hydrochloric acid solution to separate a precipitate, which was then washed with water and then with ethyl alcohol, and dried in vacuo to obtain a benzophenone ester. When the dried product was analyzed by liquid chromatography, the tetra-substituted product accounted for 88% of the whole. This benzophenone ester is a photosensitizer.
[0053]
Next, adjustment of the photoresist will be described.
The cresol novolak resins a to g obtained as described above and the photosensitizer were mixed at a weight ratio of 7: 3, and filtered with a 0.2 μm filter to obtain photoresists # 8 to # 14, respectively. Table 3 shows the contents of the photoresist. The solvent was adjusted using PGMEA by diluting the photoresist to a viscosity suitable for spin coating.
[0054]
[Table 3]
[0055]
In Table 3, cresol novolak resin is simply referred to as novolak resin.
Photoresist # 8 is cresol novolak resin a, photoresist # 9 is cresol novolak resin b, photoresist # 10 is cresol novolak resin c, photoresist # 11 is cresol novolak resin d, and photoresist # 12 is cresol novolak resin. Resin e, photoresist # 13 contains cresol novolak resin f, and photoresist # 14 contains cresol novolak resin g.
[0056]
Next, using the above-described seven types of photoresists # 8 to # 14 and a commercially available photoresist (referred to as S2) as a comparative example 2, the optical disks # 8 to # 14 and S2 were respectively used as the first photoresists. They were manufactured in the same manner as in the examples, and their noise characteristics were evaluated in the same manner.
Table 4 shows the disk noise of each of the optical disks # 8 to # 14 and S2.
[0057]
[Table 4]
[0058]
In Table 4, the cresol novolak resin is simply described as a novolak resin.
The Mw of the cresol novolak resin a constituting the photoresist # 8 was 910000, and the disk noise of the optical disk # 8 obtained by using this was -55.8 dBm.
The Mw of the cresol novolak resin b constituting the photoresist # 9 was 6,900, and the disk noise of the optical disk # 9 obtained by using this was -58.9 dBm.
[0059]
The Mw of the cresol novolak resin c constituting the photoresist # 10 was 4,900, and the disk noise of the optical disk # 10 obtained by using this was -61.8 dBm.
The Mw of the cresol novolak resin d constituting the photoresist # 11 was 3750, and the disk noise of the optical disk # 11 obtained by using this was -61.5 dBm.
The Mw of the cresol novolak resin e constituting the photoresist # 12 was 2500, and the disk noise of the optical disk # 12 obtained using this was -62.0 dBm.
[0060]
The Mw of the cresol novolak resin f constituting the photoresist # 13 was 1100, and the disk noise of the optical disk # 13 obtained using the resin was −61.5 dBm.
The Mw of the cresol novolak resin g constituting the photoresist # 14 was 790, and the disk noise of the optical disk # 14 obtained by using this was -57.6 dBm.
As Comparative Example 2, the disk noise of the optical disk S2 obtained using the commercially available naphthoquinonediazide / cresol-novolak-based photoresist S2 shown in the conventional example was -58.0 dBm.
[0061]
FIG. 3 is a graph showing the relationship between the weight average molecular weight (Mw) of the novolak resin and the amount of disk noise, and is a graph of the contents of Table 4.
As shown in Table 4 and FIG. 3, when the weight average molecular weight of the photoresist base resin exceeds 4900 or less than 1100, the disk noise exceeds -60 dBm, and the weight average molecular weight is in the range of 1100 to 4900. And disk noise of −60 dBm or less, and an optimum value exists for the weight average molecular weight of the base resin.
[0062]
In each of the above embodiments, naphthoquinonediazide was modified to a benzophenone-based material, but the present invention is not limited to this. By modifying trisphenols or oxyflavans, it may be devised to increase the transparency to light having a wavelength of 400 nm or less.
Further, the base resin is not limited to cresol novolak resin, but includes an acrylic resin of an alkali-soluble resin, a copolymer of styrene and acrylic acid, a polymer of hydroxystyrene, polyvinyl phenol, poly α-methyl vinyl phenol, and the like. Is mentioned.
[0063]
In addition to the cresol novolak resin and the benzophenone ester, a dye, a surfactant, a coupling agent, and the like may be mixed as necessary. The solvent is not limited to propylene glycol monomethyl ether acetate, but may be methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve, ethyl lactate, ethyl pyruvate, ethyl cellosolve acetate, methoxymethyl propylate, or a mixture thereof. It may be a mixed solvent.
Although an example using 266 nm as the exposure wavelength has been described, any exposure wavelength may be used as long as the photoresist used has a sensitive wavelength.
[0064]
【The invention's effect】
As described above, according to the first aspect of the present invention, the photoresist for an optical disk has a polystyrene-equivalent weight average molecular weight of the photosensitive agent in the range of 310 to 700, thereby eliminating the need for a new process. In addition, it is possible to provide a photoresist for an optical disc which can cope with short wavelength exposure such as far ultraviolet rays and can form a glass master having a good surface shape.
In addition, according to the second aspect, by setting the weight average molecular weight in terms of polystyrene of the base resin in the range of 1100 to 4900, it is possible to cope with short wavelength exposure such as far ultraviolet rays without adding a new process. There is an effect that a photoresist for an optical disk capable of forming a glass master having a good surface shape can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a manufacturing process diagram of an optical disk according to the present invention.
FIG. 2 is a graph showing the relationship between optical disk noise and the weight average molecular weight of a photosensitive agent.
FIG. 3 is a graph showing the relationship between optical disk noise and the weight average molecular weight of a novolak resin.
FIG. 4 is a schematic diagram showing a structure of a photoresist.
FIG. 5 is a first manufacturing process diagram of a conventional optical disc.
FIG. 6 is a second manufacturing process diagram of the conventional optical disc.
FIG. 7 is a third manufacturing step diagram of the conventional optical disk.
FIG. 8 is a fourth manufacturing step diagram of the conventional optical disc.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Glass base, 2 ... Photoresist film, 3 ... Laser light, 4 ... Lens, 5 ... Latent image, 6 ... Groove (pit), 7 ... Optical disc substrate, 8 ... Groove (pit), 9 ... Reflective layer, 10 ... Second dielectric layer, 11 phase change recording layer, 12 first dielectric layer, 13 adhesive layer, 14 resin film, 15 optical disk, 16 glass substrate, 17 photoresist layer, 18 laser Light, 19 ... objective lens, 20 ... latent image, 21 ... groove, 22 ... conductive film, 23 ... nickel layer, 24 ... stamper, 25 ... mold resin (substrate), 26 ... groove (pit), 27 ... recording layer , 28 ... Protective layer, 29 ... Label layer, 30 ... Adhesive layer, 31 ... Plastic sheet, 32 ... Adhesive, 33 ... Light transmitting layer, 34 ... Skeletal molecule, 35 ...- OH group, 36 ... Naphthoquinone diazide (photosensitive component) ), 3 ... base resin, 38 ... alkaline insoluble body, 40 ... optical disk, 41 ... optical disk, 42A, 42B ... optical disk, 51 ... ballast compound, 52 ... photosensitizer.
