JP2004037416A - Capillary column, its manufacturing method and gas chromatography system formed by using the same - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、キャピラリカラム及びその製造方法に係り、特に、ガスクロマトグラフィに用いるキャピラリカラム及びその製造方法並びにこれを用いて形成したガスクロマトグラフィ装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ガスクロマトグラフィ装置で用いられる分離カラムの一種にキャピラリカラムが挙げられる。このキャピラリカラムは、石英キャピラリ(中空の細径ガラス管)の内面に試料分析のための固定相膜を形成してなる。
【0003】
従来の固定相膜の形成方法としてスタティック法がある。このスタティック法は、有機溶媒に固定相形成物質を溶解させた溶液を石英キャピラリ内部に充填した後、石英キャピラリの一端又は両端から有機溶媒を揮発・蒸発させ、石英キャピラリ内面に固定相膜を形成するものである。これによって、石英キャピラリの内面に、長手方向の膜厚が均一な固定相膜を形成することができ、良好な分解能を有した石英キャピラリカラムを得ることができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、石英キャピラリカラムは、キャピラリ内径が細い程、分析試料の分離性能が向上する。また、ガソリンやナフサ中の低沸点炭化水素成分(C3〜C12)の比率を測定する場合、固定相膜の膜厚が厚い程、高分解能が得られることが知られている。ところが、前述のスタティック法では、極細の石英キャピラリ内面に、長手方向の膜厚が均一な厚膜の固定相膜を形成することは極めて困難であるという問題があった。
【0005】
また、現在、石英キャピラリカラムを用いたガスクロマトグラフィ装置においては、分析時間を短くするために、石英キャピラリカラムを高温(100〜300℃)に保持しながら分析を行うのが一般的である。このため、現状のガスクロマトグラフィ装置は、石英キャピラリカラムの温度を精密に制御することが必須となっており、精密な温度制御が可能な恒温槽を内蔵している。特に、この恒温槽の温度分布を均一に保つことが重要となっている。しかし、石英キャピラリカラム全体の径は約200mmφと大きいため、恒温槽もかなり大型のものが必要となり、その結果、消費電力も多くなるという問題があった。つまり、ガスクロマトグラフィ装置においては、装置スペースの殆どの部分を恒温槽が占めることになることから、装置小型化が困難であった。よって、分析試料を採取した場所、すなわち現場での試料分析は困難であった。
【0006】
また、前述したように、石英キャピラリカラムは、常時、高温に保持されることから、一般の光ファイバの被覆材料である紫外線硬化樹脂ではなく、耐熱性のあるポリイミド樹脂で被覆されている。しかし、ポリイミド樹脂の耐熱限界温度は約250℃であることから、ガスクロマトグラフィ装置を使用中に、被覆材であるポリイミド樹脂が劣化し、被覆材として機能しなくなるおそれがあった。
【0007】
また、石英キャピラリカラムの分解能は、ガスクロマトグラフィ装置の使用に伴って徐々に劣化していく。このため、石英キャピラリを、分析対象となる試料の種類又は分析回数に応じて、適宜、有機溶媒で洗浄する又は高温で空焼きする必要がある。しかし、有機溶媒で石英キャピラリ内を洗浄すると、キャピラリ内面に付着形成した固定相形成物質が有機溶媒に溶解するおそれがあった。また、石英キャピラリの耐熱限界温度、すなわち被覆材の耐熱限界温度は約250℃であるため、空焼きは250℃以下でしか行えず、困難であった。よって、分析の信頼度を保つためには、石英キャピラリカラムを定期的に交換しなければならず、ランニングコストの増大を招いていた。
【0008】
以上の事情を考慮して創案された本発明の目的は、高い分解能を有し、かつ、装置構成がコンパクトなキャピラリカラム及びその製造方法並びにこれを用いて形成したガスクロマトグラフィ装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成すべく本発明に係るキャピラリカラムは、第1基板と第2基板とを重ね合わせて構成したキャピラリカラムにおいて、石英ガラスで構成される上記第1基板又は第2基板の重ね合わせ面上にマイクロヒータを設け、そのマイクロヒータ全体を覆うように第1基板又は第2基板の重ね合わせ面上にガラス層を設け、そのガラス層表面のマイクロヒータ直上部分に溝を形成し、その溝内面に試料分析のための固定相膜を設けたものである。また、第1基板と第2基板とを重ね合わせて構成したキャピラリカラムにおいて、石英ガラスで構成される上記第1基板及び第2基板の各重ね合わせ面上に、重ね合わせた時に一致するようにマイクロヒータを設け、各マイクロヒータ全体を覆うように第1基板及び第2基板の各重ね合わせ面上にガラス層を設け、各ガラス層表面のマイクロヒータ直上部分に溝を形成し、各溝内面に試料分析のための固定相膜を設けたものである。
【0010】
具体的には、請求項3に示すように、上記第1基板又は第2基板に、マイクロヒータに達するコンタクトホールを形成し、そのコンタクトホール内に導電体を充填して設け、その導電体に電極を接続して設けることが好ましい。
【0011】
また、請求項4に示すように、上記第1基板及び第2基板それぞれに、マイクロヒータに達するコンタクトホールを形成し、各コンタクトホール内に導電体を充填して設け、各導電体に電極を接続して設けることが好ましい。
【0012】
また、請求項5に示すように、上記溝内面に、2種以上の上記固定相膜を設けてもよい。
【0013】
これによって、極細径で、かつ、その内面に厚膜の固定相膜を有するキャピラリを得ることができ、高い分解能を有するキャピラリカラムとなる。また、キャピラリカラム内に非常に小型のヒータが内蔵されているため、装置構成がコンパクトとなると共に、消費電力も非常に少なくなる。
【0014】
一方、本発明に係るガスクロマトグラフィ装置は、前述したキャピラリカラムの、溝の一端に分析試料注入手段を設け、溝の他端に検出手段を設けたものである。
【0015】
具体的には、請求項7に示すように、上記検出手段が、解析装置及び記録装置を備えていることが好ましい。
【0016】
これによって、分解能が高く、小型で、かつ、装置コスト及びランニングコストが安価なガスクロマトグラフィ装置となる。
【0017】
一方、本発明に係るキャピラリカラムの製造方法は、第1基板と第2基板とを重ね合わせてキャピラリカラムを製造する方法において、石英ガラスで構成される上記第1基板の一方の面上に金属膜を形成すると共に、その金属膜にエッチング処理を施してマイクロヒータを形成し、そのマイクロヒータ全体を覆うように第1基板の一方の面上にガラス層を形成し、マイクロヒータ直上部分のガラス層表面に溝を形成し、その溝内面に試料分析のための固定相膜を形成し、ガラス層側面を重ね合わせ面として、第1基板に石英ガラスで構成される上記第2基板を重ね合わせるものである。また、第1基板と第2基板とを重ね合わせてキャピラリカラムを製造する方法において、石英ガラスで構成される上記第1基板及び第2基板のそれぞれの一方の面上に金属膜を形成すると共に、各金属膜にエッチング処理を施して重ね合わせた時に一致するようにマイクロヒータを形成し、各マイクロヒータ全体を覆うように第1基板及び第2基板のそれぞれの一方の面上にガラス層を形成し、マイクロヒータ直上部分の各ガラス層表面に溝を形成し、各溝内面に試料分析のための固定相膜を形成し、それぞれのガラス層側面を重ね合わせ面として第1基板及び第2基板を重ね合わせるものである。
【0018】
具体的には、請求項10に示すように、上記固定相膜を形成する際、ラジカル反応による架橋、熱的な架橋、又は電離放射線による架橋を施し、固定相の分子間架橋を行うことが好ましい。
【0019】
これによって、前述した構造を有するキャピラリカラムを得ることができる。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適一実施の形態を添付図面に基いて説明する。
【0021】
(第1実施の形態)
第1の実施の形態に係るキャピラリカラムの構造断面図を図1に示す。ここで、図1(b)は、図1(a)の1b−1b線矢視平面図である。
【0022】
図1(a)、図1(b)に示すように、本実施の形態に係るキャピラリカラム10は、石英ガラス、具体的には無水合成石英ガラス基板で構成される第1基板11aと第2基板11bとを重ね合わせて構成したものである。具体的には、第1基板11a及び第2基板11bの各重ね合わせ面12上に、重ね合わせた時に一致するようにマイクロヒータ13a,13bを設け、各マイクロヒータ13a,13b全体を覆うように第1基板11a及び第2基板11bの各重ね合わせ面12上に、ガラス層として純粋SiO2層14,14を設け、マイクロヒータ13a,13bの直上部分における各純粋SiO2層14,14の表面に、マイクロヒータ13a,13bに追従するような溝15a,15bを形成し、各溝15a,15bの内面に、少なくとも1種の吸着剤からなる試料分析のための固定相膜16を形成してなる第1及び第2の半体41a,41bを重ね合わせたものである。なお、溝15a,15bの形状は、マイクロヒータ13a,13bの形状と略同形状に形成することが好ましい。また、ここでいう無水合成石英ガラス基板は、金属や水酸基などの不純物を含まない純粋SiO2からなる基板である。
【0023】
また、第1及び第2の半体41a,41bは、第1基板11aを貫通してマイクロヒータ13a(又は第2基板11bを貫通してマイクロヒータ13b)に達するコンタクトホール17,17を有している。各コンタクトホール17,17内には導電体18,18が充填して設けられており、一方の導電体18に電極19aが、他方の導電体18に電極19bが接続される。
【0024】
また、第1の半体41aの溝15aと、第2の半体41bの溝15bとを重ね合わせることで、溝15a,15bの内面に付着形成した固定相膜16で囲まれた空間が分析試料(分析ガス)の流路20を形成する。
【0025】
固定相膜16は、具体的には、有機溶媒に固定相形成物質を溶解させた溶液(図示せず)を溝15a,15b内に充填した後、溝15a,15bから有機溶媒を揮発・蒸発させることで、溝15a,15bの内面(側壁及び底面)に形成される。
【0026】
ここで、固定相形成物質としては、ポリジメチルシロキサン(例えば、OV−1、OV−10(製品名))や、ポリエチレングリコール(例えば、PEG20M(製品名))を用いることができる。また、固定相形成物質を溶解するための有機溶媒としては、ジクロロメタン、アセトン、メタノールなどが挙げられる。
【0027】
また、マイクロヒータ13a,13b及び溝15a,15bの長手方向形状は、蛇行状、直線状、又は螺旋状のいずれであってもよく、特に限定するものではないが、長手方向長さをできるだけ長く確保できるものが好ましい。
【0028】
また、溝15a,15bの断面形状は、図1(a)に示した断面凹状に限定するものではなく、半円状又は多角形状など、様々な形状が挙げられる。
【0029】
また、導電体18,18の構成材としては、導電率が良好なものであれば特に限定するものではなく、例えば、Cu又はCu合金、Al又はAl合金、Au又はAu合金などが挙げられる。
【0030】
また、電極19a,19bの構成材としては、電極に慣用的に用いられている全ての材料が適用可能である。
【0031】
以上に述べた本実施の形態のキャピラリカラム10によれば、第1及び第2の半体41a,41bを重ね合わせる際、溝15a,15bを完全に合致させることでキャピラリを形成している。この溝15a,15bの形成技術は、半導体メモリーや石英系ガラス導波路などにおける微細加工技術を応用したものであり、純粋SiO2層14,14の表面に、幅が狭く、かつ、深い溝を形成するのは容易である。また、溝15a,15bの内面に厚膜の固定相膜16を形成することは、スピンコーティング技術を応用することで容易に達成可能であり、従来は困難であった固定相膜16の厚膜化が容易である。さらに、溝15a,15bは、長手方向全長に亘って外部に露出しており、固定相膜16の形成は平面上での作業となる。このため、溝15a,15b内面に膜厚が均一な固定相膜16を形成することは、極めて容易である。よって、本実施の形態によれば、極細のキャピラリ内面に、キャピラリの長手方向に亘って膜厚が均一で、かつ、膜厚の厚い固定相膜を容易に形成することができ、高分解能のキャピラリカラムを得ることができる。このことから、キャピラリカラム10の流路20の長さが短くても、すなわち小さなキャピラリカラムであっても、高い分解能を達成できる。
【0032】
また、本実施の形態のキャピラリカラム10は、その内部に、具体的には純粋SiO2層14,14の内部に、マイクロヒータ13a,13bを内蔵しているため、従来のように、キャピラリカラム10全体を大型の恒温槽の内部に配置する必要はない。また、マイクロヒータ13a,13bが内蔵(埋設)されていることから、マイクロヒータ13a,13b自体が腐食などにより劣化するおそれはなく、長期に亘って信頼性を確保できる。このマイクロヒータ13a,13bの形成技術は、石英系ガラス導波路などにおける膜形成及びエッチング技術を応用したものであり、その形成は容易である。このマイクロヒータ13a,13bは、非常に薄い膜状のものであるため、キャピラリカラムの温度分布を精度良く、均一に、かつ、容易に制御することが可能である。また、マイクロヒータ13a,13bは、非常に薄い膜状のものであってそのサイズ(体積)は非常に小さく、かつ、流路20を効率よく加熱することができるため、従来と比較して、消費電力が著しく少なくなる(約1/10)と共に、ガスクロマトグラフィ装置の大幅な小型化が可能となる。よって、分析試料を採取した場所、すなわち現場での試料分析も可能となる。
【0033】
また、本実施の形態のキャピラリカラム10におけるキャピラリは、従来のような耐熱性ポリイミド樹脂ではなく、純粋SiO2層14,14で覆われている。このため、キャピラリの被覆層の耐熱限界温度が、従来と比較して著しく高くなることから、ガスクロマトグラフィ装置を、例えば250℃を超える高温環境下で使用したとしても、被覆材が劣化し、被覆材として機能しなくなるおそれはない。
【0034】
また、本実施の形態のキャピラリカラム10の主な構成材は、無水合成石英ガラス及び純粋SiO2であるため、キャピラリカラム10内に分析試料が吸着されることはなく、極めて高い分解能が得られると共に、ガスクロマトグラフィ装置の使用に伴って、キャピラリカラムの分解能が劣化するおそれはない。つまり、キャピラリカラム10を定期的に交換しなくても試料分析の信頼度を保つことができる。その結果、キャピラリカラム10を用いたガスクロマトグラフィ装置のランニングコストの低減を図ることができる。
【0035】
一方、従来、分析可能な物質の種類を増すためには、固定相膜の極性が異なる石英キャピラリカラムを複数個用意し、それらの石英キャピラリカラムを接続するという方法を用いていた。しかし、この方法を用いて多種類の物質の分析を行う場合、石英キャピラリカラムの数が増す分だけ装置コストの上昇を招き、その結果、分析コストの上昇を招いていた。
【0036】
これに対して、本実施の形態のキャピラリカラム10は、溝15a,15bの内面に、長手方向に亘って2種以上の吸着剤からなる固定相膜16を形成してもよい。より具体的には、図1(b)に示すように、溝15a,15bの内面に、流路20の一端20a側から他端20b側に向かって、所定長さで2種以上の吸着剤を付着形成させる。例えば、一端20aからある所定長さL(=1/n(流路20全体の長さを1とした場合))の領域は第1の吸着剤からなる固定相膜16を、次の所定長さLの領域は第2の吸着剤からなる固定相膜16を、…、最後の所定長さLの領域は第nの吸着剤からなる固定相膜16を形成する。固定相膜16を長手方向に亘って区画形成することは、目的の固定相膜形成領域以外の溝15a,15bを塞いでおくことで、容易に達成可能である。
【0037】
つまり、固定相膜16を形成する吸着剤の種類を増すだけで、キャピラリカラム10の数はそのままで、分析可能な物質の種類を増すことができる。その結果、従来と比較して装置コストの上昇を著しく低減することができ、延いては、安価に多種類の物質の分析を行うことができる。
【0038】
次に、本実施の形態のキャピラリカラムの製造方法を、添付図面に基いて説明する。
【0039】
第1の実施の形態に係るキャピラリカラムの製造方法における工程1〜工程5を説明するための断面模式図を図2(a)〜図2(e)に、また、工程6〜工程10を説明するための断面模式図を図3(a)〜図3(e)に、また、工程11〜工程14を説明するための断面模式図を図4(a)〜図4(d)に、また、工程15を説明するための断面模式図を図5に示す。尚、図1と同様の部材については同じ符号を付しており、これらの部材については詳細な説明を省略する。
【0040】
第1の実施の形態に係るキャピラリカラム10の製造方法として、先ず、第1の半体41aを作製する。
【0041】
先ず、図2(a)に示すように、石英ガラス、具体的には無水合成石英ガラス基板で構成される第1基板11aの重ね合わせ面(一方の面)12上に、金属膜としてTa膜(又はTa化合物膜)21を形成する。
【0042】
次に、図2(b)に示すように、Ta膜21上に、所望の形状のフォトレジストパターン22を形成する。
【0043】
次に、図2(c)に示すように、フォトレジストパターン22で覆われていないTa膜21の部分に、エッチング処理を施し、マイクロヒータ13aを形成する。その後、フォトレジストパターン22を除去する。このエッチング処理としては、例えば、反応性イオンエッチング法が挙げられ、その他にも、Taのエッチングに慣用的に用いられる全てのエッチング法が挙げられる。
【0044】
次に、図2(d)に示すように、マイクロヒータ13aの全体を覆うように、第1基板11aの重ね合わせ面12上に、ガラス膜として純粋SiO2膜23を形成する。この純粋SiO2膜23の形成方法としては、例えば、プラズマCVD法、スパッタリング法などが挙げられる。
【0045】
次に、図2(e)に示すように、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法を用いて、純粋SiO2膜23の表面(図2(e)中では上面)を平坦化し、ガラス層としての純粋SiO2層14を形成する。
【0046】
次に、図3(a)に示すように、純粋SiO2層14の表面に、後述する溝15aのエッチングマスク33となるマスク層31を形成する。このマスク層31の構成材としては、例えばWSiなどが挙げられる。また、マスク層31の形成方法としては、例えば、スパッタリング法などが挙げられる。
【0047】
次に、図3(b)に示すように、マスク層31上に、エッチングマスク形成用のフォトレジストパターン32を形成する。
【0048】
次に、図3(c)に示すように、フォトレジストパターン32で覆われていないマスク層31の部分に、エッチング処理を施し、エッチングマスク33を形成する。その後、フォトレジストパターン32を除去する。このエッチング処理としては、例えば、反応性イオンエッチング法が挙げられ、その他にも、フォトレジストパターン32の構成材のエッチングに慣用的に用いられる全てのエッチング法が挙げられる。
【0049】
次に、図3(d)に示すように、エッチングマスク33で覆われていない部分に、エッチング処理を施し、マイクロヒータ13aの直上部分における純粋SiO2層14の表面に、マイクロヒータ13aに追従するような溝15aを形成する。この溝15aの形状は、マイクロヒータ13aの形状と略同形状に形成することが好ましい。エッチング処理としては、例えば、反応性イオンエッチング法が挙げられ、その他にも、純粋SiO2のエッチングに慣用的に用いられる全てのエッチング法が挙げられる。
【0050】
次に、図3(e)に示すように、スピンコーティング法などにより、有機溶媒に固定相形成物質を溶解させた溶液(図示せず)を溝15a内に充填・塗布した後、溝15a全体から有機溶媒を揮発・蒸発させることで、溝15aの内面に固定相膜16を形成する。また、溝15aの内面に固定相膜16を形成する際、固定相の分子間架橋を行ってもよい。これによって、熱的に安定で、かつ、有機溶媒に溶解しない、すなわち耐熱性及び耐溶媒性が良好な固定相膜16を形成することができる。また、この固定相の分子間架橋は平面上で行うことができるため、固定相膜16の分子間架橋反応を、長手方向に亘って均一に行うことができる。分子間架橋方法としては、ラジカル反応による架橋、熱的な架橋、又は電離放射線による架橋などが挙げられる。過酸化物であるラジカル発生試薬としては、例えば、過酸化ジクミル(Dicumylperoxide:DCP)が挙げられる。
【0051】
次に、図4(a)に示すように、純粋SiO2層14の表面に残っているエッチングマスク33に、エッチング処理を施し、エッチングマスク33を除去する。エッチング処理としては、例えば、ウエットエッチング法が挙げられ、その他にも、エッチングマスク33の構成材の除去に慣用的に用いられる全てのエッチング法が挙げられる。
【0052】
次に、図4(b)に示すように、第1基板11aを貫通して、流路状のマイクロヒータ13aの両端部と第1基板11aの下面とを連絡するコンタクトホール17,17を形成する。このコンタクトホール17,17の形成はエッチング処理によって行う。エッチング処理としては、例えば、ウエットエッチング法が挙げられ、その他にも、石英ガラスのエッチングに慣用的に用いられる全てのエッチング法が挙げられる。
【0053】
次に、図4(c)に示すように、各コンタクトホール17,17内に導電体18,18を充填して設ける。
【0054】
次に、図4(d)に示すように、一方(図4(d)中では左方)の導電体18に電極19aを、他方(図4(d)中では右方)の導電体18に電極19bを接続し、第1の半体41aを作製する。
【0055】
以上に述べた第1の半体41aの製造方法と同じ方法を用い、第2の半体41bを作製する。この時、第2の半体41bのマイクロヒータ13b及び溝15bは、第1の半体41aと第2の半体41bとを重ね合わせた際に、溝15a,15bの形状が完全に一致するように形成される。すなわち、第1の半体41aと第2の半体41bとの重ね合わせ面に対して鏡面対称となるように、マイクロヒータ13a,13b及び溝15a,15bが形成される。
【0056】
次に、第1及び第2の半体41a,41bの表面に化学的処理を施し、各表面を活性化させる。化学的処理に用いる処理剤として、例えば、1%HF+5%NH4Fの水溶液が挙げられる。
【0057】
最後に、各表面の活性化処理後、図5に示すように、溝15aと溝15bとが完全に一致するように、第1の半体41aと第2の半体41bとを重ね合わせる。その後、重ね合わせた第1及び第2の半体41a,41bに、電気炉などを用いて約250℃の加熱処理を施すことで、図1(a)及び図1(b)に示した本実施の形態に係るキャピラリカラム10が得られる。
【0058】
図6に示すように、得られたキャピラリカラム10の、流路20の一端20aに分析試料注入手段61を接続して設け、流路20の他端20bに検出手段64を接続して設けることで、ガスクロマトグラフィ装置60が得られる。ここで、分析試料注入手段61は、一端20a側から順に、試料注入装置63及びマイクロシリンジ62を備えている。また、検出手段64は、他端20b側から順に、検出器65、解析装置66、及び記録装置67を備えている。
【0059】
次に、本発明の他の実施の形態を添付図面に基いて説明する。
【0060】
(第2実施の形態)
第2の実施の形態に係るキャピラリカラムの構造断面図を図7に、第2の実施の形態に係るキャピラリカラムの製造方法を説明するための断面模式図を図8に示す。尚、図1〜図5と同様の部材については同じ符号を付しており、これらの部材については詳細な説明を省略する。
【0061】
前実施の形態に係るキャピラリカラム10は、第1の半体41aと第2の半体41bとを重ね合わせて形成したものであった。
【0062】
これに対して、図7、図8に示すように、本実施の形態に係るキャピラリカラム70は、第1の半体41aに第2基板11bを重ね合わせたもの又は第2の半体41bに第1基板11aを重ね合わせたものである。溝15a(又は溝15b)の内面に付着形成した固定相膜16と第2基板11b(又は第1基板11a)とで囲まれた空間が分析試料(分析ガス)の流路80を形成する。
【0063】
本実施の形態に係るキャピラリカラム70においても、前実施の形態のキャピラリカラム10と同様の作用効果が得られる。
【0064】
また、本実施の形態に係るキャピラリカラム70の流路80は、キャピラリカラム10の流路20と比較して流路断面積が半分であるため、分析能力(分析ガスの処理量)は略半分となる。しかし、本実施の形態に係るキャピラリカラム70において、第1の半体41aに重ね合わせるのは、キャピラリカラム10のように第2の半体41bではなく、第2基板11bであることから、装置構成がシンプルとなる。その結果、キャピラリカラム70は、キャピラリカラム10と比較して、より薄型(小型)のキャピラリカラムとなると共に、装置コストの低減を図ることができる。よって、このキャピラリカラム70は、現場での試料分析に用いるようなポータブル式又は簡易式のガスクロマトグラフィ装置に適したものとなる。
【0065】
以上、本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、他にも種々のものが想定されることは言うまでもない。
【0066】
【実施例】
次に、本発明について、実施例に基づいて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0067】
(実施例1)
先ず、外径が6インチ(約15.2cm)、厚さ1mmの無水合成石英基板の表面に、スパッタリング法を用いて厚さ0.5μmの窒化タンタル膜を形成した。その後、窒化タンタル膜上に、蛇行状のフォトレジストパターンを形成した後、フォトレジストパターンで覆われていない部分に、エッチング処理を施し、全長が10mの蛇行したマイクロヒータを形成する。
【0068】
次に、プラズマCVD法により、無水合成石英基板の重ね合わせ面上に、マイクロヒータ全体を覆うように、厚さ55μmの純粋SiO2膜を形成する。その後、CMP法を用いて、純粋SiO2膜の表面を平坦化し、純粋SiO2層を形成する。
【0069】
次に、スパッタリング法により、純粋SiO2層の表面に、厚さ2.0μmのWSi膜を形成する。その後、WSi膜上に、エッチングマスク形成用のフォトレジストパターンを形成した後、フォトレジストパターンで覆われていない部分に、エッチング処理を施し、エッチングマスクを形成する。その後、エッチングマスクで覆われていない部分に、エッチング処理を施し、マイクロヒータの直上部分における純粋SiO2層の表面に、マイクロヒータと略同形状で、深さ50μm、幅100μmの溝を形成する。
【0070】
次に、過酸化ジクミルをラジカル発生試薬として含み、所定の濃度及び粘性に調整した固定相形成用溶液を、スピンコーティング法により、溝内面に塗布する。ここで、固定相形成用溶液は、塩化メチレンに100%ジメチルポリシロキサン(100%dimethyl−polysiloxane)を溶解させたものである。その後、所定の温度に設定されたホットプレート上に無水合成石英基板を載せ、塩化メチレンを揮発・蒸発させると共に、固定相のラジカル架橋反応を行い、固定相膜を形成する。
【0071】
次に、純粋SiO2層の表面に残っているエッチングマスクに、エッチング処理を施して除去する。その後、無水合成石英基板aを貫通してコンタクトホールを形成した後、各コンタクトホール内に銅を充填する。その後、各コンタクトホール内の銅に、それぞれ電極を接続し、第1の半体を作製する。また、この第1の半体の製造方法と同じ方法を用い、第2の半体を作製する。
【0072】
次に、第1及び第2の半体の表面に、1%HF+5%NH4Fの水溶液を用いて化学的処理を施し、各表面を活性化させる。その後、溝同士が完全に一致するように、第1及び第2の半体を重ね合わせる。その後、重ね合わせた第1及び第2の半体を電気炉内で約250℃に加熱し、重ね合わせ面を接合してキャピラリカラムを作製する。
【0073】
このキャピラリカラムを用いて、図6に示したガスクロマトグラフィ装置を形成し、キャピラリカラムの分解能の評価を行った。評価に用いる分析試料の成分は、1−オクタン、nデカン(C10)、1−オクタノール、2,6ジメチルフェノール、nウンデカン(C11)、2,6ジメチルアニリン、nドデカン(C12)、及びnトリデカン(C13)のものを用いた。
【0074】
分析試料を化学分析することで得られた分析ピークから、キャピラリカラムの性能指標となる理論段数を計算したところ、4200段という値が得られ、極めて良好な分解能を有していることが確認できた。
【0075】
(実施例2)
実施例1と同様に形成した半体、及び外径が6インチ(約15.2cm)、厚さ1mmの合成石英基板の表面に、1%HF+5%NH4Fの水溶液を用いて化学的処理を施し、各表面を活性化させ、両者を重ね合わせる。その後、重ね合わせた両者を電気炉内で約250℃に加熱し、重ね合わせ面を接合してキャピラリカラムを作製する。
【0076】
このキャピラリカラムを用いて、実施例1と同様にキャピラリカラムの分解能の評価を行った。
【0077】
分析試料を化学分析することで得られた分析ピークから、キャピラリカラムの性能指標となる理論段数を計算したところ、4000段という値が得られ、極めて良好な分解能を有していることが確認できた。
【0078】
【発明の効果】
以上要するに本発明によれば、次のような優れた効果を発揮する。
(1) 極細径で、かつ、その内面に厚膜の固定相膜を有するキャピラリを得ることができ、高い分解能を有するキャピラリカラムとなる。
(2) キャピラリカラム内にヒータを内蔵しているため、装置構成がコンパクトとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態に係るキャピラリカラムの構造断面図である。
【図2】第1の実施の形態に係るキャピラリカラムの製造方法における工程1〜工程5を説明するための断面模式図である。
【図3】第1の実施の形態に係るキャピラリカラムの製造方法における工程6〜工程10を説明するための断面模式図である。
【図4】第1の実施の形態に係るキャピラリカラムの製造方法における工程11〜工程14を説明するための断面模式図である。
【図5】第1の実施の形態に係るキャピラリカラムの製造方法における工程15を説明するための断面模式図である。
【図6】第1の実施の形態に係るキャピラリカラムを用いて構成したガスクロマトグラフィ装置の概略模式図である。
【図7】第2の実施の形態に係るキャピラリカラムの構造断面図である。
【図8】第2の実施の形態に係るキャピラリカラムの製造方法を説明するための断面模式図である。
【符号の説明】
10,70 キャピラリカラム
11a 第1基板
11b 第2基板
12 重ね合わせ面
13a,13b マイクロヒータ
14 純粋SiO2層
15a,15b 溝
16 固定相膜
17 コンタクトホール
18 導電体
19a,19b 電極
20 流路
20a 流路の一端(溝の一端)
20b 流路の他端(溝の他端)
21 Ta膜又はTa化合物膜
41a 第1の半体
41b 第2の半体
61 分析試料注入手段
64 検出手段
66 解析装置(検出手段)
67 記録装置(検出手段)[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a capillary column and a method for manufacturing the same, and more particularly to a capillary column used for gas chromatography, a method for manufacturing the same, and a gas chromatography apparatus formed using the same.
[0002]
[Prior art]
One type of separation column used in a gas chromatography device is a capillary column. In this capillary column, a stationary phase film for sample analysis is formed on the inner surface of a quartz capillary (a hollow small-diameter glass tube).
[0003]
As a conventional method for forming a stationary phase film, there is a static method. In this static method, after filling a solution in which a stationary phase forming substance is dissolved in an organic solvent into a quartz capillary, the organic solvent is volatilized and evaporated from one or both ends of the quartz capillary to form a stationary phase film on the inner surface of the quartz capillary. Is what you do. As a result, a stationary phase film having a uniform thickness in the longitudinal direction can be formed on the inner surface of the quartz capillary, and a quartz capillary column having good resolution can be obtained.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
Generally, in a quartz capillary column, the smaller the capillary inner diameter is, the higher the separation performance of the analysis sample is. In addition, low-boiling hydrocarbon components in gasoline and naphtha (C 3 ~ C 12 It is known that, when measuring the ratio of (1), the higher the thickness of the stationary phase film, the higher the resolution can be obtained. However, the above-mentioned static method has a problem that it is extremely difficult to form a thick stationary phase film having a uniform thickness in the longitudinal direction on the inner surface of a very fine quartz capillary.
[0005]
At present, in a gas chromatography apparatus using a quartz capillary column, analysis is generally performed while keeping the quartz capillary column at a high temperature (100 to 300 ° C.) in order to shorten the analysis time. For this reason, it is essential for the current gas chromatography apparatus to precisely control the temperature of the quartz capillary column, and has a built-in thermostat capable of precise temperature control. In particular, it is important to keep the temperature distribution of the thermostat uniform. However, since the diameter of the whole quartz capillary column is as large as about 200 mmφ, a considerably large thermostat is required, resulting in a problem that power consumption is increased. That is, in the gas chromatography apparatus, since a thermostat occupies most of the apparatus space, it is difficult to reduce the size of the apparatus. Therefore, it was difficult to analyze the sample at the place where the analysis sample was collected, that is, at the site.
[0006]
Further, as described above, since the quartz capillary column is always kept at a high temperature, it is coated with a heat-resistant polyimide resin instead of an ultraviolet curing resin which is a coating material for general optical fibers. However, since the heat-resistant limit temperature of the polyimide resin is about 250 ° C., the polyimide resin as the coating material may be deteriorated during use of the gas chromatography apparatus, and may not function as the coating material.
[0007]
Further, the resolution of the quartz capillary column gradually deteriorates with the use of the gas chromatography device. For this reason, it is necessary to wash the quartz capillary with an organic solvent or bake it at a high temperature as appropriate according to the type of sample to be analyzed or the number of times of analysis. However, when the inside of the quartz capillary is washed with an organic solvent, there is a possibility that the stationary phase forming substance attached to the inner surface of the capillary is dissolved in the organic solvent. In addition, since the heat resistance limit temperature of the quartz capillary, that is, the heat resistance limit temperature of the coating material is about 250 ° C., baking can be performed only at 250 ° C. or less, which is difficult. Therefore, in order to maintain the reliability of the analysis, the quartz capillary column must be periodically replaced, which has led to an increase in running cost.
[0008]
An object of the present invention, which has been made in view of the above circumstances, is to provide a capillary column having a high resolution and a compact apparatus configuration, a method for manufacturing the same, and a gas chromatography apparatus formed using the same. is there.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a capillary column according to the present invention is a capillary column configured by overlapping a first substrate and a second substrate, wherein the surface of the first substrate or the second substrate made of quartz glass is overlapped. A micro-heater is provided thereon, a glass layer is provided on the superimposed surface of the first substrate or the second substrate so as to cover the entire micro-heater, and a groove is formed in a portion of the surface of the glass layer immediately above the micro-heater; A stationary phase film for sample analysis is provided on the inner surface. Also, in a capillary column configured by superimposing the first substrate and the second substrate, on the superimposed surfaces of the first substrate and the second substrate made of quartz glass, the first column and the second substrate are aligned so as to coincide when superimposed. A micro heater is provided, a glass layer is provided on each superposed surface of the first substrate and the second substrate so as to cover the entire micro heater, a groove is formed in a portion of the surface of each glass layer immediately above the micro heater, and a groove inner surface is formed. Is provided with a stationary phase membrane for sample analysis.
[0010]
Specifically, as described in claim 3, a contact hole reaching the micro heater is formed in the first substrate or the second substrate, and the contact hole is filled with a conductor, and the contact hole is provided. It is preferable to connect the electrodes.
[0011]
Further, as set forth in claim 4, a contact hole reaching the micro-heater is formed in each of the first substrate and the second substrate, a conductor is filled in each contact hole, and an electrode is provided on each conductor. It is preferable to provide the connection.
[0012]
Further, as set forth in claim 5, two or more kinds of the stationary phase films may be provided on the inner surface of the groove.
[0013]
As a result, a capillary having an extremely fine diameter and having a thick stationary phase film on its inner surface can be obtained, and a capillary column having high resolution can be obtained. Further, since a very small heater is built in the capillary column, the device configuration becomes compact, and the power consumption becomes very small.
[0014]
On the other hand, the gas chromatography apparatus according to the present invention is such that the capillary column described above is provided with an analysis sample injection means at one end of the groove and a detection means at the other end of the groove.
[0015]
Specifically, it is preferable that the detecting means includes an analyzing device and a recording device.
[0016]
As a result, a gas chromatography apparatus having high resolution, small size, and low apparatus cost and running cost can be obtained.
[0017]
On the other hand, a method of manufacturing a capillary column according to the present invention is a method of manufacturing a capillary column by laminating a first substrate and a second substrate, wherein a metal is provided on one surface of the first substrate made of quartz glass. At the same time as forming the film, the metal film is subjected to an etching process to form a microheater, a glass layer is formed on one surface of the first substrate so as to cover the entire microheater, and the glass just above the microheater is formed. A groove is formed on the surface of the layer, a stationary phase film for sample analysis is formed on the inner surface of the groove, and the second substrate made of quartz glass is superimposed on the first substrate with the side surface of the glass layer as an overlapping surface. Things. In a method of manufacturing a capillary column by overlapping a first substrate and a second substrate, a metal film is formed on one surface of each of the first substrate and the second substrate made of quartz glass. A micro heater is formed so as to coincide with each other when the metal films are subjected to an etching process and overlapped, and a glass layer is formed on one surface of each of the first substrate and the second substrate so as to cover the entire micro heater. Forming a groove on the surface of each glass layer immediately above the microheater; forming a stationary phase film for sample analysis on the inner surface of each groove; Substrates are superposed.
[0018]
Specifically, as described in
[0019]
Thus, a capillary column having the above-described structure can be obtained.
[0020]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
[0021]
(1st Embodiment)
FIG. 1 shows a sectional view of the structure of the capillary column according to the first embodiment. Here, FIG. 1B is a plan view taken along line 1b-1b of FIG. 1A.
[0022]
As shown in FIGS. 1A and 1B, the
[0023]
Further, the first and
[0024]
Further, by overlapping the
[0025]
Specifically, the
[0026]
Here, as the stationary phase forming substance, polydimethylsiloxane (for example, OV-1, OV-10 (product name)) or polyethylene glycol (for example, PEG20M (product name)) can be used. Further, examples of the organic solvent for dissolving the stationary phase forming substance include dichloromethane, acetone, and methanol.
[0027]
The longitudinal shape of the
[0028]
The cross-sectional shape of the
[0029]
The constituent materials of the
[0030]
Further, as the constituent material of the
[0031]
According to the
[0032]
Further, the
[0033]
Further, the capillary in the
[0034]
The main components of the
[0035]
On the other hand, conventionally, in order to increase the types of substances that can be analyzed, a method has been used in which a plurality of quartz capillary columns having different polarities of the stationary phase film are prepared and the quartz capillary columns are connected. However, when analyzing many types of substances using this method, the cost of the apparatus is increased by the increase in the number of quartz capillary columns, and as a result, the analysis cost is increased.
[0036]
On the other hand, in the
[0037]
That is, the number of types of adsorbents forming the
[0038]
Next, a method for manufacturing a capillary column according to the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.
[0039]
FIGS. 2A to 2E are schematic cross-sectional views for explaining
[0040]
As a method for manufacturing the
[0041]
First, as shown in FIG. 2A, a Ta film as a metal film is formed on an overlapping surface (one surface) 12 of a
[0042]
Next, as shown in FIG. 2B, a
[0043]
Next, as shown in FIG. 2C, the portion of the
[0044]
Next, as shown in FIG. 2D, pure SiO as a glass film is formed on the overlapping
[0045]
Next, as shown in FIG. 2E, a pure SiO 2 is formed by using a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method. 2 The surface (upper surface in FIG. 2E) of the film 23 is flattened, and pure SiO is used as a glass layer. 2 The
[0046]
Next, as shown in FIG. 2 On the surface of the
[0047]
Next, as shown in FIG. 3B, a
[0048]
Next, as shown in FIG. 3C, an etching process is performed on a portion of the
[0049]
Next, as shown in FIG. 3D, an etching process is performed on a portion that is not covered with the
[0050]
Next, as shown in FIG. 3E, a solution (not shown) in which a stationary phase forming substance is dissolved in an organic solvent is filled and applied into the
[0051]
Next, as shown in FIG. 2 An etching process is performed on the
[0052]
Next, as shown in FIG. 4 (b), contact holes 17, 17 penetrating the
[0053]
Next, as shown in FIG. 4C, the
[0054]
Next, as shown in FIG. 4D, an
[0055]
The
[0056]
Next, the surfaces of the first and
[0057]
Finally, after the activation treatment of each surface, as shown in FIG. 5, the
[0058]
As shown in FIG. 6, in the obtained
[0059]
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
[0060]
(2nd Embodiment)
FIG. 7 is a structural cross-sectional view of a capillary column according to the second embodiment, and FIG. 8 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the capillary column according to the second embodiment. The same members as those in FIGS. 1 to 5 are denoted by the same reference numerals, and detailed description of these members will be omitted.
[0061]
The
[0062]
On the other hand, as shown in FIGS. 7 and 8, the capillary column 70 according to the present embodiment has a structure in which the
[0063]
In the capillary column 70 according to the present embodiment, the same operation and effect as those of the
[0064]
Further, since the
[0065]
As described above, the embodiments of the present invention are not limited to the above-described embodiments, and it is needless to say that various other embodiments are also conceivable.
[0066]
【Example】
Next, the present invention will be described based on examples, but the present invention is not limited to these examples.
[0067]
(Example 1)
First, a 0.5 μm thick tantalum nitride film was formed on the surface of an anhydrous synthetic quartz substrate having an outer diameter of 6 inches (about 15.2 cm) and a thickness of 1 mm by a sputtering method. Then, after forming a meandering photoresist pattern on the tantalum nitride film, etching is performed on a portion not covered with the photoresist pattern to form a meandering microheater having a total length of 10 m.
[0068]
Next, a pure SiO having a thickness of 55 μm was formed on the superposed surface of the anhydrous synthetic quartz substrate by a plasma CVD method so as to cover the entire microheater. 2 Form a film. Then, using pure CMP, pure SiO 2 The surface of the film is flattened and pure SiO 2 Form a layer.
[0069]
Next, pure SiO is deposited by sputtering. 2 A 2.0 μm thick WSi film is formed on the surface of the layer. Then, after forming a photoresist pattern for forming an etching mask on the WSi film, an etching process is performed on a portion not covered with the photoresist pattern to form an etching mask. Thereafter, the portion not covered with the etching mask is subjected to an etching treatment, and pure SiO in a portion directly above the micro heater is formed. 2 A groove having a depth of 50 μm and a width of 100 μm is formed on the surface of the layer in substantially the same shape as the micro heater.
[0070]
Next, a stationary phase forming solution containing dicumyl peroxide as a radical generating reagent and adjusted to a predetermined concentration and viscosity is applied to the inner surface of the groove by a spin coating method. Here, the stationary phase forming solution is a solution in which 100% dimethylpolysiloxane (100% dimethylpolysiloxane) is dissolved in methylene chloride. Thereafter, the anhydrous synthetic quartz substrate is placed on a hot plate set at a predetermined temperature, and methylene chloride is volatilized and evaporated, and a radical crosslinking reaction of the stationary phase is performed to form a stationary phase film.
[0071]
Next, pure SiO 2 The etching mask remaining on the surface of the layer is removed by performing an etching process. Then, after forming a contact hole through the anhydrous synthetic quartz substrate a, copper is filled in each contact hole. Thereafter, electrodes are connected to the copper in each contact hole, respectively, to form a first half. Further, a second half is manufactured by using the same method as the manufacturing method of the first half.
[0072]
Next, on the surfaces of the first and second halves, 1% HF + 5% NH 4 Chemical treatment is performed using an aqueous solution of F to activate each surface. Then, the first and second halves are overlapped so that the grooves are completely aligned. Thereafter, the overlapped first and second halves are heated to about 250 ° C. in an electric furnace, and the overlapped surfaces are joined to form a capillary column.
[0073]
The gas chromatography apparatus shown in FIG. 6 was formed using this capillary column, and the resolution of the capillary column was evaluated. The components of the analysis sample used for evaluation are 1-octane, n-decane (C 10 ), 1-octanol, 2,6 dimethylphenol, n undecane (C 11 ), 2,6 dimethylaniline, n-dodecane (C 12 ) And n-tridecane (C 13 ) Was used.
[0074]
From the analytical peak obtained by chemically analyzing the analytical sample, the number of theoretical plates as a performance index of the capillary column was calculated. As a result, a value of 4200 plates was obtained. Was.
[0075]
(Example 2)
1% HF + 5% NH on the surface of a half body formed in the same manner as in Example 1 and a synthetic quartz substrate having an outer diameter of 6 inches (about 15.2 cm) and a thickness of 1 mm. 4 Chemical treatment is performed using an aqueous solution of F to activate each surface, and the two are superposed. Thereafter, the two superimposed portions are heated to about 250 ° C. in an electric furnace, and the superposed surfaces are joined to form a capillary column.
[0076]
The resolution of the capillary column was evaluated in the same manner as in Example 1 using this capillary column.
[0077]
From the analytical peak obtained by chemically analyzing the analytical sample, the number of theoretical plates as a performance index of the capillary column was calculated, and a value of 4000 was obtained, confirming that the device had extremely good resolution. Was.
[0078]
【The invention's effect】
In short, according to the present invention, the following excellent effects are exhibited.
(1) A capillary having an extremely small diameter and having a thick stationary phase film on its inner surface can be obtained, and a capillary column having high resolution can be obtained.
(2) Since the heater is built in the capillary column, the device configuration becomes compact.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a structural sectional view of a capillary column according to a first embodiment.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining steps 11 to 14 in the method for manufacturing a capillary column according to the first embodiment.
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining
FIG. 6 is a schematic diagram of a gas chromatography device configured using the capillary column according to the first embodiment.
FIG. 7 is a structural sectional view of a capillary column according to a second embodiment.
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a capillary column according to the second embodiment.
[Explanation of symbols]
10,70 capillary column
11a First substrate
11b Second substrate
12 Overlapping surface
13a, 13b Micro heater
14 Pure SiO 2 layer
15a, 15b groove
16 Stationary phase membrane
17 Contact hole
18 Conductor
19a, 19b electrodes
20 channels
20a One end of flow path (one end of groove)
20b The other end of the flow path (the other end of the groove)
21 Ta film or Ta compound film
41a first half
41b second half
61 Analysis sample injection means
64 detection means
66 Analysis device (detection means)
67 Recording device (detection means)
Claims (10)
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