【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロストリップ線路を利用した共振素子およびそれを利用したフィルタおよびフィルタを用いた高周波回路モジュールと通信機および共振素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【背景技術】
図１１にはマイクロストリップ線路の一例が模式的に示されている。マイクロストリップ線路３０は、誘電体基体３１と、誘電体基体３１の底部側に形成されるグランド電極３２と、誘電体基体３１の表面側に形成される線路電極３３とを有して構成されている。このようなマイクロストリップ線路３０を利用した共振素子は、マイクロストリップ線路３０の線路電極３３を共振電極として機能させるものであり、例えば設定の共振周波数ｆＯの約１／２波長の長さを持つマイクロストリップ線路３０（線路電極３３）を有して構成されている。この共振素子では、マイクロストリップ線路３０の線路電極（共振電極）３３に高周波電流を通電させると、線路電極（共振電極）３３が共振周波数ｆＯでもって共振する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、マイクロストリップ線路３０において、電流の多くは縁端効果により線路電極３３の側縁部３３ａ，３３ｂに集中して流れる。マイクロストリップ線路３０の導体損失は殆どがその縁端効果による電流集中に起因したものであり、導体損失は、線路電極３３の幅が狭くなるほど顕著になる。このため、線路電極３３の幅を狭くして電子回路の小型化に対応しようとすると、導体損失が増大してしまうという問題が生じる。
【０００４】
そこで、線路電極３３の厚みを厚くすることで、線路電極３３の側縁部３３ａ，３３ｂにおける電流密度を小さくし、導通損失を抑制することが考えられる。図１０には肉厚の線路電極３３を有したトリプレート型ストリップ線路４０の一例が示されている（特開平１１−１９１７０８号公報参照）。このトリプレート型ストリップ線路４０では、誘電体基体３１は、複数の誘電体層３４ａ，３４ｂ，３４ｃが積層形成された多層構造と成している。その複数の誘電体層３４ａ，３４ｂ，３４ｃのうちの一つに溝３５が形成され、この溝３５に導電材料が充填形成されて線路電極３３が形成されている。
【０００５】
例えばスクリーン印刷を利用して線路電極３３を形成した場合には、線路電極３３の厚みは数μｍ程度であるのに対して、図１０に示すように誘電体層３４の溝３５に導電材料を充填して線路電極３３を形成する場合には、その線路電極３３の厚みを例えば約４０μｍ以上に厚くすることが容易にできる。
【０００６】
しかしながら、そのような肉厚の線路電極３３を持つトリプレート型ストリップ線路４０を利用して共振素子を構成すると、溝３５の加工精度の問題等に起因して、共振素子の共振周波数（つまり、線路電極３３の共振周波数）が設定の共振周波数ｆＯとなるように共振素子を作製することが難しい。また、共振電極３３の共振周波数のばらつきが大きい。
【０００７】
そこで、線路電極３３の一部分をトリミングして線路電極３３の共振周波数調整を行うことが考えられる。しかし、この場合には、線路電極３３の一部分を表面側から底面側にかけて、例えばレーザビームにより削り取らねばならないが、線路電極３３は肉厚であるので、その線路電極３３のトリミング作業には非常に多くの時間がかかってしまって現実的ではない。
【０００８】
本発明は上記課題を解決するために成されたものであり、その目的は、導通損失を小さく抑制することができ、しかも、共振周波数のばらつきが小さく、設定の共振周波数を持たせることが容易な共振素子およびそれを用いたフィルタおよびフィルタを用いた高周波回路モジュールおよび通信機および共振素子の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明は次に示す構成をもって前記課題を解決するための手段としている。すなわち、この発明の一つの構成は、マイクロストリップ線路を利用した共振素子であって、誘電体基体の底部側にはグランド電極が形成され、誘電体基体の表面側にはマイクロストリップ線路を構成する共振電極が形成されており、この共振電極の一端部又は両端部は他の部位よりも肉薄に形成され、当該肉薄の共振電極部分はトリミングにより共振周波数を調整する部位となる共振周波数調整用の共振電極として機能し、それ以外の共振電極部分は肉厚の共振電極として機能することを特徴としている。
【００１０】
また、この発明の別の一つの構成は、マイクロストリップ線路を利用した共振素子であって、誘電体基体の底部側にはグランド電極が形成され、誘電体基体の表面側部分にはマイクロストリップ線路を構成する共振電極が埋設されており、この共振電極の一端部又は両端部には当該共振電極よりも肉薄の共振電極が接続され、当該肉薄の共振電極は誘電体基体の内部に設けられて前記マイクロストリップ線路を構成する肉厚の共振電極の端部とグランド電極間の容量を増加させる構成を有することを特徴としている。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明に係る実施形態例を図面に基づいて説明する。
【００１２】
図１（ａ）には第１実施形態例の共振素子が模式的な斜視図により示され、図１（ｂ）には図１（ａ）のＡ−Ａ’部分の模式的な断面図が示されている。この第１実施形態例の共振素子１はマイクロストリップ線路を利用して構成されるものであり、誘電体基体２と、この誘電体基体２の表面側部分に形成されている共振電極３と、誘電体基体２の底部側に形成されているグランド電極４とを有して構成されている。
【００１３】
この第１実施形態例では、誘電体基体２は、複数の誘電体シート５（この第１実施形態例では、６枚の誘電体シート５ａ〜５ｆ）が積層形成されて成る多層構造となっている。図２には、この第１実施形態例の共振素子１が各誘電体シート５毎に分解された状態で示されている。
【００１４】
共振電極３は、誘電体基体２の内部に表面を露出させて埋設されている共振電極部分３αと、誘電体基体２の表面上に形成され共振電極部分３αの端部に接続されている共振電極部分３βとを有して構成されている。共振電極部分３αは、誘電体基体２の表面側の複数の誘電体シート５（この第１実施形態例では３枚の誘電体シート５ａ〜５ｃ）にそれぞれ形成された貫通穴部６（６ａ，６ｂ，６ｃ）に充填された導電材料により構成されている。この共振電極部分３αはその厚みＤが例えば２５μｍ以上の肉厚の共振電極と成している。
【００１５】
共振電極部分３βは、誘電体基体２の表面上に例えばスクリーン印刷やメッキやスパッタリング等の成膜技術により構成される電極であり、肉厚の共振電極３αよりも格段に肉薄な例えば約１０μｍ以下の厚みｄを持つ共振電極となっている。
【００１６】
共振電極３はその大部分が肉厚の共振電極３αにより構成され、両端部だけが肉薄の共振電極３βと成している。この共振電極３の全長Ｌは当該共振電極３の共振周波数ｆＰに大きく関与するものであり、その長さＬは設定の共振周波数ｆＯに応じて設定されている。このような共振電極３に高周波電流供給部（図示せず）から高周波電流が供給されると、共振電極３は共振周波数ｆＰでもって共振する。
【００１７】
この第１実施形態例の共振素子１は上記のように構成されている。以下に、この共振素子１の製造工程の一例を簡単に説明する。
【００１８】
まず、図３（ａ）に示されるような誘電体シート５（グリーンシート）を作製する。この誘電体シート５は次に示すようにして形成される。例えば、セラミックス又はガラスセラミックスの粉末にバインダ、可塑剤および溶剤を加えて混練し、スラリーを得る。そして、そのスラリーを、例えばドクターブレード手法を利用して設定の厚み（例えば６０μｍ）のシート状にすることで誘電体シート５が作製される。なお、バインダとして用いる無機材料としては、例えば、ＢａＯ−ＴｉＯ２−希土類酸化物系の材料およびホウ珪酸ガラス（例えばＭｇ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｂ−Ｏ）を主成分として含む低損失低温焼結材料を用いる。
【００１９】
誘電体シート５を作製した後には、図３（ｂ）に示されるように、肉厚の共振電極３αが埋設される層となる誘電体シート５において、肉厚の共振電極３αの形成部分に貫通穴部６を形成する。貫通穴部６の形成手法としては、例えば、レーザビームを利用する手法や、金型パンチングを利用する手法や、機械的切削などの様々な手法があり、ここでは、適宜な手法でもって貫通穴部６が形成される。
【００２０】
その後、図３（ｃ）に示されるように、誘電体シート５の貫通穴部６に導電材料７（例えば、銀系や、金系や、銅系などの低抵抗金属のペースト）を充填する。また、誘電体基体２の最表層となる誘電体シート５（５ａ）の表面上には、肉薄の共振電極３βを例えばスクリーン印刷等の成膜技術を利用して作製する。このとき、肉薄の共振電極３βの一端部は、貫通穴部６に充填された導電材料７の端部表面上に重ねて形成される。また、最下層となる誘電体シート５（５ｆ）の底面にはグランド電極４を形成する。さらに、必要に応じて、配線パターンなどを誘電体シート５に形成する。
【００２１】
その後、そのような誘電体シート５を例えば６０℃の雰囲気中に約１５分間程度放置して乾燥させる。然る後に、図３（ｄ）に示されるように、導電材料７が充填形成された誘電体シート５（５ａ，５ｂ，５ｃ）を含む複数の誘電体シート５（５ａ〜５ｆ）を積層する。この工程では、誘電体シート５を順次位置合わせしながら圧着して積層する。また、導電材料７が充填形成された誘電体シート５ａ，５ｂ，５ｃは、導電材料充填位置を合わせて積層される。
【００２２】
誘電体シート５の積層体を形成した後には、その誘電体シート５の積層体を例えば９００℃、１時間の条件下で焼成する。これにより、図３（ｅ）に示されるような共振素子１が製造される。
【００２３】
この第１実施形態例では、共振電極３はその殆どが肉厚の共振電極３αにより構成され、その肉厚の共振電極３αは、成膜技術ではなく、機械加工を利用して形成した誘電体シート５の貫通穴部６に導電材料を充填するという製造工程でもって作製されるものである。このため、肉厚の共振電極３αを例えば数百μｍ程度にまで厚く形成することができる。このような肉厚の共振電極３αによって共振電極３の導通損失を大幅に低減できて、共振素子１のＱ値を向上させることができる。
【００２４】
例えば、本発明者は、誘電体基体の表面上に成膜技術を利用して膜厚５μｍの共振電極を形成して、図１１に示すようなマイクロストリップ線路３０を利用した５ＧＨｚ帯の共振素子を作製した。そして、この共振素子のＱ値を測定したところ、そのＱ値は１００であった。なお、誘電体基体３１の比誘電率εｒは３０であり、当該基体３１の周波数５ＧＨｚにおけるＱ値は２０００であり、誘電体基体３１の厚みは３００μｍであり、共振電極３３の幅は２００μｍとした。
【００２５】
また、この第１実施形態例の構成を備えた共振素子１に関して、上記同様に、共振素子１のＱ値を測定した。この測定では、肉厚の共振電極３αの厚みＤが１１０μｍ、１６０μｍ、２８０μｍである３種類の共振素子１についてそれぞれＱ値の測定を行った。なお、誘電体基体２の比誘電率εｒは上記同様に３０であり、また、誘電体基体２の周波数５ＧＨｚにおけるＱ値も上記同様に２０００であり、共振電極３の幅は２００μｍとした。また、肉厚の共振電極３αの底部とグランド電極４との間の間隔は３００μｍとした。
【００２６】
共振素子１のＱ値の測定の結果、肉厚の共振電極３αの厚みＤが１１０μｍである場合には、共振素子１のＱ値は１５０となり、肉厚の共振電極３αの厚みＤが１６０μｍである場合には、共振素子１のＱ値は１８０となり、肉厚の共振電極３αの厚みＤが２８０μｍである場合には、共振素子１のＱ値は２２０となった。
【００２７】
このように、共振電極３の殆どを肉厚の共振電極３αにより構成することによって、共振電極の全てが肉薄である場合に比べて、共振素子１のＱ値を大幅に向上させることができる。
【００２８】
この第１実施形態例では、共振電極３の両端部を肉薄の共振電極３βにより構成している。この肉薄の共振電極３βは成膜技術を利用して作製することで、精度高く設定通りの位置に、かつ、設定通りの長さに形成することができる。これにより、肉厚の共振電極３αの加工精度の悪さに関係なく、共振電極３の全長Ｌをほぼ設計通りの長さとすることができる。共振電極３の全長Ｌは共振電極３の共振周波数ｆＰに大きく関与するので、そのように共振電極３の全長Ｌを設計通りの長さとすることができることにより、共振電極３に設定の共振周波数ｆＯを持たせることが容易となる。また、共振電極３の共振周波数ｆＰのばらつきを非常に小さく抑えることができる。
【００２９】
なお、共振電極３の端部は電流が殆ど流れない部分であることから、共振電極３の両端部を肉薄に形成しても、その肉薄による導体損失の増加は殆ど無い。このため、この第１実施形態例の如く共振電極３の端部を肉薄とした場合においても、共振電極３が全長に渡って肉厚の共振電極３αにより構成されている場合と同程度の小さい導通損失に抑えることができる。
【００３０】
ところで、上記のように、この第１実施形態例において特有な構成（つまり、共振電極３の両端部を肉薄の共振電極３βにより形成する構成）を有することによって、共振電極３にほぼ設定の共振周波数ｆＯを持たせることが可能となるが、例えば誘電体シート５の誘電率のばらつきや、誘電体シート５の積層の位置ずれ等の様々な原因によって、共振電極３の共振周波数ｆＰが僅かに設定の共振周波数ｆＯからずれてしまうことが考えられる。このような場合には、この第１実施形態例では、肉薄の共振電極３βの一部分を例えばレーザビームなどによってトリミングして、共振電極３の共振周波数ｆＰを設定の共振周波数ｆＯに合わせる共振周波数調整を行う。つまり、この第１実施形態例では、肉薄の共振電極３βは共振周波数調整用の共振電極と成している。この共振周波数調整用の共振電極３βは、肉厚の共振電極３αよりも格段に薄いので、トリミング作業が容易であり、短時間で共振周波数調整作業を行うことができる。
【００３１】
なお、共振電極３の設定の共振周波数ｆＯに対する許容ずれ量の範囲が定められている場合には、共振電極３の共振周波数ｆＰが設定の共振周波数ｆＯからずれていても、そのずれ量が許容範囲内であるときには、共振電極３の共振周波数調整を行わなくともよい。また、もちろん、共振電極３の共振周波数ｆＰが設定の共振周波数ｆＯである場合にも、共振電極３の共振周波数調整は行わない。
【００３２】
また、共振電極３βのトリミングによって共振電極３の共振周波数ｆＰは高くなる方向に可変する。このことから、共振電極３の共振周波数ｆＰが設定の共振周波数ｆＯよりも僅かに低くなるように予め共振電極３を作製し、その後に、共振電極３βのトリミングによって共振電極３の共振周波数ｆＰを高めて設定の共振周波数ｆＯに合わせる共振周波数調整を行うようにすれば、全ての共振電極３に設定の共振周波数ｆＯを持たせることが可能である。
【００３３】
以下に、第２実施形態例を説明する。なお、この第２実施形態例の説明では、第１実施形態例と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部分の重複説明は省略する。
【００３４】
この第２実施形態例では、図４（ａ）や（ｂ）の平面図に示されるように、共振電極３の端部を構成する肉薄の共振電極３βには、当該共振電極３βよりも小さい微細トリミング用電極８が突き出し形成されている。この第２実施形態例では、微細トリミング用電極８は肉薄の共振電極３βと同様に作製されるものであり、その厚みは肉薄の共振電極３βと等厚となっている。共振電極３の共振周波数調整を行う場合には、その微細トリミング用電極８をトリミングして共振周波数調整を行う。
【００３５】
微細トリミング用電極８の形成位置は特に限定されるものではないが、微細トリミング用電極８の太さと形成位置によってトリミングによる共振電極３の共振周波数の可変量を変えることができる。すなわち、微細トリミング用電極８の形成位置が共振電極３の端部に向かうに従って、例えばレーザビーム１回の走査による微細トリミング用電極８のトリミングによって可変する共振周波数可変量は大きくなる。換言すれば、微細トリミング用電極８の形成位置が共振電極３の中央部に向かうに従って、微細トリミング用電極８のトリミングによる共振周波数可変量は小さくなる。
【００３６】
このため、図４（ｂ）に示されるように、共振電極３βの端部に微細トリミング用電極８ａを形成すると共に、共振電極３βの側部に微細トリミング用電極８ｂを形成した場合には、共振電極３βの側部に形成された微細トリミング用電極８ｂをトリミングするよりも、共振電極３βの端部に形成された微細トリミング用電極８ａを同様にトリミングする場合の方が、共振電極３の共振周波数ｆＰを大きく可変することができる。すなわち、端部の微細トリミング用電極８ａは粗調整用の電極と成し、側部の微細トリミング用電極８ｂは微調整用の電極と成す。このように、微細トリミング用電極８として、粗調整用の電極と、微調整用の電極とを形成しておくことにより、より良い精度の共振周波数調整を行うことができる。
【００３７】
また、微細トリミング用電極８の太さが太い程、共振電極３の共振周波数可変量を大きくすることができる。このため、例えば、共振電極３βの端部に微細トリミング用電極８ａと共に、図４（ｂ）の点線に示すように、その微細トリミング用電極８ａよりも細い微細トリミング用電極８ｃを形成した場合には、太い方の微細トリミング用電極８ａは粗調整用の電極として機能し、細い方の微細トリミング用電極８ｃは微調整用の電極として機能させることができる。
【００３８】
上記のように、微細トリミング用電極８の形成位置や太さを考慮して、１個又は複数の微細トリミング用電極８を設けることによって、共振電極３の共振周波数調整をより精度良く行うことが可能となる。
【００３９】
なお、図４（ａ）や（ｂ）では、共振電極３の両端部のうちの一方の共振電極３βに微細トリミング用電極８が形成されている例が示されているが、共振電極３の両端部を構成する各々の共振電極３βにそれぞれ微細トリミング用電極８を形成してもよいものである。また、肉薄の共振電極３βから微細トリミング用電極８を突き出し形成するのではなく、図４（ｂ）の鎖線に示されるように、一部分を肉厚の共振電極３αの表面上に重ねた微細トリミング用電極８ｄを誘電体基体２の表面上に形成してもよい。
【００４０】
以下に、第３実施形態例を説明する。
【００４１】
この第３実施形態例では、図５（ａ）と（ｂ）の平面図に示されるように、共振電極３の端部を形成する肉薄の共振電極３βは、他の部位の肉厚の共振電極３αの幅と異なる幅を有している。すなわち、この第３実施形態例の共振素子１は、ステップインピーダンス共振器となっている。それ以外の構成は第１や第２の実施形態例と同様であり、この第３実施形態例の説明では、第１と第２の各実施形態例の構成と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部分の重複説明は省略する。
【００４２】
この第３実施形態例では、図５（ａ）に示すように端部の肉薄の共振電極３βを肉厚の共振電極３αよりも太く形成することによって、肉厚の共振電極３αと肉薄の共振電極３βが等幅である場合よりも、共振電極３の全長Ｌが同じであるならば共振電極３の共振周波数を低下させることができる。このことから、共振電極３に設定の共振周波数ｆＯを持たせようとした場合に、端部の肉薄の共振電極３βを肉厚の共振電極３αよりも太く形成することにより、肉厚の共振電極３αと肉薄の共振電極３βを等幅とする場合よりも、共振電極３の全長Ｌは短くて済む。よって、共振素子１の小型化を図ることができる。
【００４３】
また、図５（ｂ）に示すように端部の肉薄の共振電極３βを肉厚の共振電極３αよりも細く形成した場合には、肉薄の共振電極３βが肉厚の共振電極３αと等幅である場合よりも、共振電極３の全長Ｌが同じであるならば、共振電極３の共振周波数が上昇する。このことから、共振電極３に設定の共振周波数ｆＯを持たせようとする場合に、共振電極３の全長Ｌを長くする必要がある。このため、長さに対する共振周波数の感度が低くなるので、肉厚の共振電極３αの製造精度による共振電極３の共振周波数ｆＰへの悪影響の度合いが相対的に下がる結果、共振電極３αの製造精度に起因した共振周波数ばらつきを抑制することができる。
【００４４】
なお、図５（ａ）と（ｂ）に示す構成に加えて、第２実施形態例に示したような微細トリミング用電極８を共振電極３に形成してもよい。
【００４５】
以下に、第４実施形態例を説明する。なお、この第４実施形態例の説明において、第１〜第３の各実施形態例と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部分の重複説明は省略する。
【００４６】
この第４実施形態例では、図６の断面図に示されるように、誘電体基体２に埋設されている肉厚の共振電極３αの表面上には当該共振電極３αよりも肉薄の配線パターン１０が例えば成膜技術を利用して形成されている。この配線パターン１０の両端部はそれぞれ肉厚の共振電極３αの端部よりも外側に食み出して誘電体基体２の表面上に形成されている。この第４実施形態例では、その食み出した配線パターン１０の端部部分が肉薄の共振電極３βを構成し、配線パターン１０の他の部分は肉厚の共振電極３αの一部となっている。
【００４７】
この第４実施形態例では、配線パターン１０の幅は、全長に亙り肉厚の共振電極３αと等幅であってもよいし、肉厚の共振電極３αの表面上に積層する部分は肉厚の共振電極３αと等幅とし、肉厚の共振電極３αよりも端部部分は肉厚の共振電極３αよりも太く、あるいは、細くしてもよく、当該配線パターン１０の幅や形状は、共振素子１の仕様等の様々な条件を考慮して、適宜に設定される。配線パターン１０の端部が肉厚の共振電極３αと異なる幅を有している場合には、第２実施形態例と同様に、肉薄の共振電極３βが肉厚の共振電極３αと異なる幅を有することになるので、共振素子１は、ステップインピーダンス共振器の構成を備えることとなる。
【００４８】
なお、配線パターン１０には、第３実施形態例に示したような微細トリミング用電極８を形成してもよい。
【００４９】
この第４実施形態例の共振素子１は、第１〜第３の各実施形態例と同様の構成を備えているので、第１〜第３の各実施形態例と同様に、Ｑ値が高く、かつ、共振電極３に設定の共振周波数ｆＯを持たせることが容易となって、性能の信頼性が高い共振素子１を提供することができる。また、肉厚の共振電極３αの表面上に配線パターン１０が積層されて当該配線パターン１０が肉厚の共振電極３αの一部となるので、共振電極３αの更なる肉厚化を図ることができて、導通損失の低減を図ることができる。
【００５０】
以下に、第５実施形態例を説明する。なお、この第５実施形態例の説明では、第１〜第４の各実施形態例と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部分の重複説明は省略する。
【００５１】
この第５実施形態例では、図７の断面図に示されるように、肉薄の共振電極３βが誘電体基体２の内部に形成されている。このように、誘電体基体２の内部に肉薄の共振電極３βを形成する場合にも、前記各実施形態例と同様に、肉薄の共振電極３βは、誘電体基体２を構成する誘電体シート５の表面上に成膜技術を利用して形成される。
【００５２】
誘電体基体２の内部に形成される肉薄の共振電極３βは、肉厚の共振電極３αの幅と等幅であってもよいし、第３実施形態例に示したように肉厚の共振電極３αの幅と異なる幅を有していてもよい。
【００５３】
この第５実施形態例では、肉薄の共振電極３βは誘電体基体２の内部に形成されているため、肉薄の共振電極３βはグランド電極４に近くなり、当該共振電極３βとグランド電極４間の容量が増加する。これにより、その共振電極３βとグランド電極４間の容量が共振電極３の共振周波数ｆＰに関与する度合いが大きくなる。このことから、共振電極３αの製造精度による共振電極３の共振周波数ｆＰへの悪影響の度合いが相対的に下がる。よって、肉厚の共振電極３αの製造精度に起因した共振周波数のばらつきを抑制することができる。
【００５４】
また、そのように共振電極３βとグランド電極４間の容量が増加することにより、共振電極３の共振周波数が低下することから、設定の共振周波数ｆＯを得るために必要な共振電極３の全長Ｌが短くて済むこととなり、共振素子３の小型化を図ることができる。
【００５５】
さらに、この第５実施形態例の如く肉薄の共振電極３βを誘電体基体２の内部に形成する構成とした場合にも、次に示すようにして共振電極３の共振周波数調整を行うことができる。つまり、図７の点線に示されるように、誘電体基体２の表面から肉薄の共振電極３βに至る穴部１２を設ける。そして、この穴部１２を利用して、肉薄の共振電極３βをトリミングすることで、共振電極３の共振周波数ｆＰを調整することができる。これにより、ほぼ設定の共振周波数ｆＯを持つ共振素子１を容易に提供することが可能となる。なお、そのように、肉薄の共振電極３βのトリミングを可能にする構成を備える場合には、例えば、第２実施形態例に示したように、肉薄の共振電極３βに微細トリミング用電極８を形成してもよい。
【００５６】
以下に、第６実施形態例を説明する。この第６実施形態例はフィルタに関するものである。
【００５７】
図８には第６実施形態例のフィルタが模式的な斜視図により示されている。このフィルタ１５は、複数の共振素子１（１ａ，１ｂ，１ｃ）が共通の誘電体基体２に互いに間隔を介して並設されている。これら共振素子１ａ，１ｂ，１ｃのうち、配列端の共振素子１ａ，１ｃには、それぞれ、外部に接続するための接続用電極１６ａ，１６ｂが接続されている。また、各共振素子１ａ，１ｂ，１ｃの共振電極３はほぼ等しい共振周波数ｆＯでもって共振する構成と成している。
【００５８】
この第６実施形態例では、共振素子１ａ，１ｂ，１ｃは何れも、第１〜第５の各実施形態例に示した共振素子１のうちの何れか１つの構成を有するものである。この第６実施形態例では、第１〜第５の各実施形態例の共振素子１と同一構成部分には同一符号を付し、その共振素子１の構成の説明は前述したので省略する。
【００５９】
この第６実施形態例のフィルタ１５では、接続用電極１６ａ，１６ｂ間に高周波電流を通電すると、各共振素子１ａ，１ｂ，１ｃの共振電極３がそれぞれ共振周波数ｆＯでもって共振する。これにより、フィルタ１５は、周波数ｆＯを中心とした周波数帯域の高周波信号が通過する帯域通過フィルタとして機能する。
【００６０】
この第６実施形態例のフィルタ１５では、共振素子１が、第１〜第５の各実施形態例のうちの何れか１つの構成を備えているので、フィルタ１５の性能を向上させることができるし、また、フィルタ１５での導通損失を低減することができる。
【００６１】
以下に、第７実施形態例を説明する。この第７実施形態例は、図９（ａ）に示される携帯型電話機１７等の通信機および高周波回路モジュールに関するものである。
【００６２】
通信機には、例えば、アンテナにより受信された高周波の無線信号をベースバンド信号（ＩＦ信号）に変換する受信回路や、信号処理回路から出力されたベースバンド信号（ＩＦ信号）を高周波の送信信号に変換する送信回路等の高周波回路が設けられる。図９（ｂ）には送信回路の一構成例がアンテナ２６と信号処理回路２７と共に示されている。この送信回路２０は、フィルタ２１と、パワーアンプ２２と、フィルタ２３と、ミキサ２４と、局部発振器（ＶＣＯ）２５とを有して構成されている。
【００６３】
この送信回路２０では、信号処理回路２７からミキサ２４にＩＦ信号が加えられると、ミキサ２４が、ＶＣＯ２５から出力されたキャリア信号を利用して、そのＩＦ信号をＲＦ信号に変換する。そして、そのＲＦ信号はフィルタ２３とパワーアンプ２２とフィルタ２１を順に通り、ＲＦ信号の中から不必要な周波数帯の信号が除去され、また、信号が増幅されて、アンテナ２６に至り、アンテナ２６により外部に無線送信される。
【００６４】
高周波回路モジュールは、例えば、そのような送信回路２０等の高周波回路の各構成部（２１〜２５）が例えば共通の回路基板に形成されて構成される。この第７実施形態例では、高周波回路モジュールの高周波回路を構成するフィルタ（２１，２３）として、第６実施形態例に示したフィルタ１５が設けられている。また、この第７実施形態例の通信機は、その第６実施形態例に示したフィルタ１５を持つ高周波回路モジュールが設けられている。
【００６５】
この第７実施形態例の高周波回路モジュールでは、第６実施形態例に示したフィルタ１５が用いられているので、高周波回路モジュールの導通損失を抑制することができて、回路効率を向上させることができる。また、この第７実施形態例の通信機は、そのような高周波回路モジュールが設けられているので、消費電力を低減することができる。例えば、携帯型電話機１７のように電池駆動タイプである場合には、電池の寿命を長くすることができて、使い勝手を良くすることができる。
【００６６】
なお、この発明は第１〜第７の各実施形態例に限定されるものではなく、様々な実施の形態をも採り得る。例えば、第１〜第７の各実施形態例では、共振電極３の両端部が肉薄の共振電極３βにより構成されていたが、共振電極３のうちの一端部だけを肉薄の共振電極３βにより構成してもよい。この場合にも、第１〜第７の各実施形態例と同様に、肉薄の共振電極３βを成膜技術により構成することによって、共振電極３の全長Ｌをほぼ設計通りの長さにすることができて、共振電極３に設定の共振周波数ｆＯを持たせることが容易となる。その上、その肉薄の共振電極３βのトリミングによる共振周波数調整によって、共振電極３の共振周波数ｆＰを精度良く設定の共振周波数ｆＯとすることができる。これにより、共振素子１の共振周波数のばらつきを非常に小さく抑制することができる。
【００６７】
また、第１実施形態例では、誘電体シート５を構成する材料の一例を挙げたが、誘電体シート５の構成材料は、誘電体基体２の設定の誘電率などを考慮して適宜に設定されるものであり、第１実施形態例に述べた材料に限定されるものではない。
【００６８】
さらに、例えば、第１〜第７の各実施形態例では、グランド電極４は、誘電体基体２の底面に形成されていたが、例えば、誘電体基体２の底部側内部に埋設されていてもよい。さらに、第１〜第７の各実施形態例では、誘電体基体２は、６枚の誘電体シート５の積層体により構成されていたが、誘電体基体２を構成する誘電体シート５の積層数は、誘電体基体２の設定の厚みや、誘電体シート５の厚み等を考慮して、適宜設定されるものであり、上記実施形態例に限定されるものではない。
【００６９】
さらに、第７実施形態例では、通信機の一つとして、携帯型電話機１７を例に挙げたが、この発明の通信機は、携帯型電話機１７以外の他の通信機にも適用することができるものである。さらに、通信機には、高周波回路として送信回路と受信回路の両方が設けられるとは限らず、送信専用の通信機には、高周波回路として送信回路のみが設けられるし、また、受信専用の通信機には高周波回路として受信回路のみが設けられる。
【００７０】
【発明の効果】
この発明によれば、共振電極の一端部又は両端部は他の部位よりも肉薄の共振電極と成し、それ以外の共振電極部分は肉厚の共振電極と成している。肉厚の共振電極は、例えば、この発明の製造方法を利用して作製することにより、つまり、誘電体シートにレーザビームや金型パンチングなどの機械加工により穴部を形成し、この穴部に導電材料を充填して肉厚の共振電極を形成することにより、その肉厚の共振電極の厚みを例えば数百μｍ程度にまで厚くすることが可能である。このように、共振電極を肉厚にすることにより、共振電極の導通損失を大幅に低減することができて、共振素子のＱ値を向上させることができる。
【００７１】
ところで、そのように機械加工を利用して肉厚の共振電極を形成すると、その製造精度の問題から、肉厚の共振電極を設定通りの寸法に正確に形成することが困難となる。共振電極の全長は共振電極の共振周波数に大きく関与することから、肉厚の共振電極の寸法ばらつきに起因して共振電極の共振周波数のばらつきが問題となるところであるが、この発明では、共振電極の一端部又は両端部は肉薄の共振電極により構成されている。肉薄の共振電極は、例えば成膜技術を利用して作製することによって、ほぼ設計通りの位置に、かつ、ほぼ設計通りの寸法に作製することが可能である。このため、その肉薄の共振電極によって、肉厚の共振電極の寸法ばらつきに関係なく、共振電極の全長をほぼ設計通りの長さに形成することが容易となる。これにより、共振電極の共振周波数のばらつきを小さく抑制することが可能となるし、また、共振電極にほぼ設定の共振周波数を持たせることが容易となる。
【００７２】
さらに、肉薄の共振電極をトリミングして共振周波数の調整を行うことにより、共振電極の共振周波数をより精度良く設定の共振周波数とすることができる。肉薄の共振電極は肉厚の共振電極よりも厚みが薄いので、肉厚の共振電極をトリミングする場合に比べて、厚みが薄い分、トリミングが容易であり、共振周波数調整に要する時間の短縮を図ることができる。
【００７３】
さらに、肉厚の共振電極の表面上に肉薄の配線パターンが形成され、この配線パターンの端部は肉厚の共振電極の端部からはみだして肉薄の共振電極と成しているものにあっては、その肉薄の共振電極により上記同様の効果を得ることができる上に、その配線パターンの一部分は肉厚の共振電極の一部として機能することができるので、肉厚の共振電極の肉厚化を図ることができて導通損失をさらに低減することができる。
【００７４】
肉薄の共振電極が誘電体基体の内部に形成されているものにあっては、共振電極の端部とグランド電極間の容量が増加する。このため、その共振電極端部とグランド電極間の容量が共振電極の共振周波数に関与する度合いが大きくなり、肉厚の共振電極の製造精度による共振電極の共振周波数への悪影響の度合いが相対的に低減できる。これにより、肉厚の共振電極の製造精度に起因した共振電極の共振周波数のばらつきをより抑えることができる。
【００７５】
また、共振電極端部とグランド電極間の容量が大きくなることにより、共振電極の共振周波数が低下することから、設定の共振周波数を得るために必要な共振電極の全長の長さが短くて済むこととなり、共振素子の小型化を図ることができる。
【００７６】
さらに、肉薄の共振電極が、肉厚の共振電極の幅と異なる幅を有しているものにあっては、共振素子はステップインピーダンス共振器となる。肉薄の共振電極が肉厚の共振電極よりも広幅である場合には、肉薄の共振電極と肉厚の共振電極が等幅である場合よりも、共振電極の共振周波数が低下するので、共振素子の小型化を図ることができる。
【００７７】
また、肉薄の共振電極が肉厚の共振電極よりも細幅である場合には、肉薄の共振電極と肉厚の共振電極が等幅である場合よりも、共振電極の全長が同じであるならば、共振電極の共振周波数が上昇する。このことから、共振電極に設定の共振周波数を持たせようとする場合には、共振電極の全長を長くする必要がある。このため、長さに対する共振周波数の感度が低くなり、これにより、肉厚の共振電極の製造精度による共振電極の共振周波数への悪影響の度合いが相対的に低減できる結果、肉厚の共振電極の製造精度に起因した共振電極の共振周波数のばらつきをより抑えることができる。
【００７８】
共振電極に微細トリミング用電極が接続されているものにあっては、共振周波数調整を行う際にトリミングする部位が定められているので、例えば、共振周波数調整を行う者に経験や勘があまり無くとも、共振周波数調整を簡単に、しかも、精度良く行うことが容易となる。
【００７９】
この発明の共振素子を利用したフィルタにあっては、導通損失が小さく、また、Ｑ値が高くて性能の良いフィルタを提供することができる。さらに、このフィルタを利用した高周波回路モジュールにあっては、導通損失が小さく抑制できて、回路効率が良い高周波回路を提供することができる。さらに、この発明の共振素子とフィルタと高周波回路モジュールとのうちの少なくとも一つが設けられている通信機にあっては、信号の導通損失が少ないので、通信の感度を高めることができる。また、回路効率が向上するので、消費電力を削減することができる。これにより、電池駆動式の通信機においては、電池の消耗が少なくて電池の寿命を長くすることができるので、使い勝手を良くすることができる。
【００８０】
この発明の共振素子の製造方法にあっては、高価な装置を用いずに、また、複雑な工程を経ずに、肉厚の共振電極を形成することができるので、低コストで、共振素子を製造することができる。また、肉薄の共振電極は成膜技術を利用して形成するので、精度高く肉薄の共振電極を作製することができて、上記したように共振周波数のばらつきの小さい共振素子を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態例の共振素子を説明するためのモデル図である。
【図２】図１の共振素子の模式的な分解図である。
【図３】第１実施形態例の共振素子の製造工程の一例を説明するための図である。
【図４】第２実施形態例の共振素子を説明するための図である。
【図５】第３実施形態例の共振素子を説明するための図である。
【図６】第４実施形態例の共振素子を説明するための図である。
【図７】第５実施形態例の共振素子を説明するための図である。
【図８】第６実施形態例のフィルタを示す斜視図である。
【図９】第７実施形態例の通信機および高周波回路モジュールを説明するための図である。
【図１０】特開平１１−１９１７０８号公報に記載されている積層トリプレート型ストリップ線路共振器の図である。
【図１１】マイクロストリップ線路を説明するためのモデル図である。
【符号の説明】
１ 共振素子
２ 誘電体基体
３ 共振電極
３α 肉厚の共振電極
３β 肉薄の共振電極
４ グランド電極
５ 誘電体シート
６ 貫通穴部
８ 微細トリミング用電極
１５ フィルタ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a resonance element using a microstrip line, a filter using the same, a high-frequency circuit module using the filter, a communication device, and a method of manufacturing the resonance element.
[0002]
[Background Art]
FIG. 11 schematically shows an example of a microstrip line. The microstrip line 30 includes a dielectric substrate 31, a ground electrode 32 formed on the bottom side of the dielectric substrate 31, and a line electrode 33 formed on the surface side of the dielectric substrate 31. I have. Such a resonance element using the microstrip line 30 allows the line electrode 33 of the microstrip line 30 to function as a resonance electrode. O And a microstrip line 30 (line electrode 33) having a length of about １ ／ of the wavelength. In this resonance element, when a high-frequency current is applied to the line electrode (resonance electrode) 33 of the microstrip line 30, the line electrode (resonance electrode) 33 becomes the resonance frequency f. O Then it resonates.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the microstrip line 30, most of the current flows intensively to the side edges 33a and 33b of the line electrode 33 due to the edge effect. Most of the conductor loss of the microstrip line 30 is caused by current concentration due to the edge effect, and the conductor loss becomes more remarkable as the width of the line electrode 33 becomes smaller. Therefore, if the width of the line electrode 33 is reduced to cope with the miniaturization of the electronic circuit, there is a problem that the conductor loss increases.
[0004]
Therefore, it is conceivable to increase the thickness of the line electrode 33 to reduce the current density at the side edges 33a and 33b of the line electrode 33, thereby suppressing conduction loss. FIG. 10 shows an example of a triplate strip line 40 having a thick line electrode 33 (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-191708). In this triplate strip line 40, the dielectric substrate 31 has a multilayer structure in which a plurality of dielectric layers 34a, 34b, and 34c are formed. A groove 35 is formed in one of the plurality of dielectric layers 34a, 34b, and 34c, and the groove 35 is filled with a conductive material to form a line electrode 33.
[0005]
For example, when the line electrode 33 is formed using screen printing, the thickness of the line electrode 33 is about several μm, but a conductive material is formed in the groove 35 of the dielectric layer 34 as shown in FIG. When the line electrode 33 is formed by filling, the thickness of the line electrode 33 can be easily increased to, for example, about 40 μm or more.
[0006]
However, when the resonance element is configured using the triplate strip line 40 having the thick line electrode 33, the resonance frequency of the resonance element (that is, the resonance frequency of the resonance element (that is, Resonance frequency f of the set line electrode 33) O It is difficult to manufacture a resonance element such that Further, the resonance frequency of the resonance electrode 33 varies greatly.
[0007]
Therefore, it is conceivable to adjust a resonance frequency of the line electrode 33 by trimming a part of the line electrode 33. However, in this case, a part of the line electrode 33 must be cut off from the surface side to the bottom side by, for example, a laser beam. However, since the line electrode 33 is thick, it is very difficult to trim the line electrode 33. It takes a lot of time and is not realistic.
[0008]
The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to suppress conduction loss to a small value, and furthermore, have a small variation in resonance frequency, and it is easy to have a set resonance frequency. An object of the present invention is to provide a simple resonant element, a filter using the same, a high-frequency circuit module using the filter, a communication device, and a method of manufacturing the resonant element.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention provides means for solving the above problems with the following configuration. That is, one configuration of the present invention is a resonance element using a microstrip line, in which a ground electrode is formed on the bottom side of the dielectric substrate, and the microstrip line is formed on the surface side of the dielectric substrate. A resonance electrode is formed, and one end or both ends of the resonance electrode is formed to be thinner than other portions, and the thin resonance electrode portion is a portion for adjusting a resonance frequency by trimming. It is characterized in that it functions as a resonance electrode, and the other resonance electrode portions function as thick resonance electrodes.
[0010]
Another configuration of the present invention is a resonance element using a microstrip line, wherein a ground electrode is formed on a bottom side of the dielectric substrate, and a microstrip line is formed on a surface side portion of the dielectric substrate. Is embedded, and a resonance electrode thinner than the resonance electrode is connected to one end or both ends of the resonance electrode, and the thin resonance electrode is provided inside the dielectric substrate. The microstrip line is characterized in that the capacitance is increased between the end of the thick resonance electrode and the ground electrode constituting the microstrip line.
[0011]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0012]
FIG. 1A is a schematic perspective view of the resonance element of the first embodiment, and FIG. 1B is a schematic cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. It is shown. The resonance element 1 of the first embodiment is configured using a microstrip line, and includes a dielectric substrate 2, a resonance electrode 3 formed on a surface side portion of the dielectric substrate 2, And a ground electrode 4 formed on the bottom side of the dielectric substrate 2.
[0013]
In the first embodiment, the dielectric substrate 2 has a multilayer structure formed by laminating a plurality of dielectric sheets 5 (six dielectric sheets 5a to 5f in the first embodiment). I have. FIG. 2 shows a state in which the resonance element 1 of the first embodiment is disassembled for each dielectric sheet 5.
[0014]
The resonance electrode 3 has a resonance electrode portion 3α buried with the surface exposed inside the dielectric substrate 2 and a resonance electrode 3 formed on the surface of the dielectric substrate 2 and connected to an end of the resonance electrode portion 3α. And an electrode portion 3β. The resonance electrode portion 3α has through-holes 6 (6a, 6a, 6a, 6b) formed in a plurality of dielectric sheets 5 (three dielectric sheets 5a to 5c in the first embodiment) on the surface side of the dielectric substrate 2. 6b, 6c). The resonance electrode portion 3α is a thick resonance electrode having a thickness D of, for example, 25 μm or more.
[0015]
The resonance electrode portion 3β is an electrode formed on the surface of the dielectric substrate 2 by, for example, a film forming technique such as screen printing, plating, or sputtering. The resonance electrode portion 3β is, for example, about 10 μm or less, which is much thinner than the thick resonance electrode 3α. Is a resonance electrode having a thickness d.
[0016]
Most of the resonance electrode 3 is constituted by a thick resonance electrode 3α, and only both end portions are formed by a thin resonance electrode 3β. The total length L of the resonance electrode 3 is equal to the resonance frequency f of the resonance electrode 3. P And its length L is equal to the set resonance frequency f. O It is set according to. When a high-frequency current is supplied to such a resonance electrode 3 from a high-frequency current supply unit (not shown), the resonance electrode 3 has a resonance frequency f P Then it resonates.
[0017]
The resonance element 1 of the first embodiment is configured as described above. Hereinafter, an example of a manufacturing process of the resonance element 1 will be briefly described.
[0018]
First, a dielectric sheet 5 (green sheet) as shown in FIG. This dielectric sheet 5 is formed as follows. For example, a binder, a plasticizer, and a solvent are added to a ceramic or glass ceramic powder and kneaded to obtain a slurry. Then, the slurry is formed into a sheet having a set thickness (for example, 60 μm) by using, for example, a doctor blade technique, whereby the dielectric sheet 5 is manufactured. In addition, as an inorganic material used as a binder, for example, BaO—TiO 2 -Use a low-loss low-temperature sintering material containing a rare earth oxide-based material and borosilicate glass (for example, Mg-Al-Si-BO) as main components.
[0019]
After the dielectric sheet 5 is manufactured, as shown in FIG. 3B, in the dielectric sheet 5 which is a layer in which the thick resonance electrode 3α is embedded, a portion where the thick resonance electrode 3α is formed is formed. A through hole 6 is formed. As a method of forming the through-hole portion 6, for example, there are various methods such as a method using a laser beam, a method using die punching, and a mechanical cutting. Here, the through-hole 6 is formed by an appropriate method. The part 6 is formed.
[0020]
Thereafter, as shown in FIG. 3C, the through holes 6 of the dielectric sheet 5 are filled with a conductive material 7 (for example, a paste of a low-resistance metal such as silver, gold, or copper). . On the surface of the dielectric sheet 5 (5a), which is the outermost layer of the dielectric substrate 2, a thin resonance electrode 3β is formed using a film forming technique such as screen printing. At this time, one end of the thin resonance electrode 3β is formed so as to overlap the end surface of the conductive material 7 filled in the through hole 6. In addition, a ground electrode 4 is formed on the bottom surface of the dielectric sheet 5 (5f) serving as the lowermost layer. Further, a wiring pattern and the like are formed on the dielectric sheet 5 as necessary.
[0021]
Thereafter, such a dielectric sheet 5 is left to dry in an atmosphere of, for example, 60 ° C. for about 15 minutes. Thereafter, as shown in FIG. 3D, a plurality of dielectric sheets 5 (5a to 5f) including the dielectric sheets 5 (5a, 5b, 5c) filled with the conductive material 7 are laminated. . In this step, the dielectric sheets 5 are pressure-bonded and laminated while being sequentially positioned. Further, the dielectric sheets 5a, 5b, 5c filled with the conductive material 7 are laminated with the conductive material filling position aligned.
[0022]
After forming the laminate of the dielectric sheets 5, the laminate of the dielectric sheets 5 is fired, for example, at 900 ° C. for one hour. Thus, the resonance element 1 as shown in FIG. 3E is manufactured.
[0023]
In the first embodiment, most of the resonance electrode 3 is constituted by a thick resonance electrode 3α, and the thick resonance electrode 3α is formed by a dielectric material formed by using a machining process instead of a film forming technique. It is manufactured by a manufacturing process of filling a conductive material into the through hole 6 of the sheet 5. Therefore, the thick resonance electrode 3α can be formed as thick as, for example, about several hundred μm. With such a thick resonance electrode 3α, the conduction loss of the resonance electrode 3 can be significantly reduced, and the Q value of the resonance element 1 can be improved.
[0024]
For example, the present inventor has formed a resonance electrode having a thickness of 5 μm on the surface of a dielectric substrate by using a film forming technique, and used a 5 GHz band resonance element using a microstrip line 30 as shown in FIG. Was prepared. When the Q value of this resonance element was measured, the Q value was 100. The relative permittivity εr of the dielectric substrate 31 was 30, the Q value of the substrate 31 at a frequency of 5 GHz was 2000, the thickness of the dielectric substrate 31 was 300 μm, and the width of the resonance electrode 33 was 200 μm. .
[0025]
The Q value of the resonance element 1 having the configuration of the first embodiment was measured in the same manner as described above. In this measurement, the Q value was measured for each of three types of resonance elements 1 in which the thickness D of the thick resonance electrode 3α was 110 μm, 160 μm, and 280 μm. The relative permittivity εr of the dielectric substrate 2 was 30 as described above, the Q value of the dielectric substrate 2 at a frequency of 5 GHz was also 2,000 as described above, and the width of the resonance electrode 3 was 200 μm. The distance between the bottom of the thick resonance electrode 3α and the ground electrode 4 was 300 μm.
[0026]
As a result of measuring the Q value of the resonance element 1, when the thickness D of the thick resonance electrode 3α is 110 μm, the Q value of the resonance element 1 is 150, and when the thickness D of the thick resonance electrode 3α is 160 μm. In some cases, the Q value of the resonance element 1 was 180, and when the thickness D of the thick resonance electrode 3α was 280 μm, the Q value of the resonance element 1 was 220.
[0027]
As described above, by forming most of the resonance electrode 3 with the thick resonance electrode 3α, the Q value of the resonance element 1 can be greatly improved as compared with the case where all of the resonance electrodes are thin.
[0028]
In the first embodiment, both ends of the resonance electrode 3 are formed by thin resonance electrodes 3β. The thin resonance electrode 3β can be formed with high accuracy at a set position and a set length by using a film forming technique. Thereby, the entire length L of the resonance electrode 3 can be made substantially as designed, regardless of the processing accuracy of the thick resonance electrode 3α. The total length L of the resonance electrode 3 is the resonance frequency f of the resonance electrode 3 P And the total length L of the resonance electrode 3 can be set as designed, so that the resonance frequency f O Can be easily provided. Also, the resonance frequency f of the resonance electrode 3 P Can be kept very small.
[0029]
Since the end of the resonance electrode 3 is a portion where almost no current flows, even if both ends of the resonance electrode 3 are formed thin, there is almost no increase in conductor loss due to the thinness. For this reason, even when the end of the resonance electrode 3 is made thin as in the first embodiment, it is as small as the case where the resonance electrode 3 is constituted by the resonance electrode 3α having a large thickness over the entire length. The conduction loss can be suppressed.
[0030]
By the way, as described above, by having a configuration unique to the first embodiment (that is, a configuration in which both end portions of the resonance electrode 3 are formed by the thin resonance electrode 3β), the resonance electrode 3 has substantially the set resonance. Frequency f O However, for example, the resonance frequency f of the resonance electrode 3 may vary due to various causes such as a variation in the dielectric constant of the dielectric sheet 5 and a displacement of the stack of the dielectric sheets 5. P Is slightly set resonance frequency f O It is conceivable that it deviates from In such a case, in the first embodiment, a part of the thin resonance electrode 3β is trimmed by, for example, a laser beam, and the resonance frequency f of the resonance electrode 3 is adjusted. P Set the resonance frequency f O Adjust the resonance frequency to match. That is, in the first embodiment, the thin resonance electrode 3β serves as a resonance electrode for adjusting the resonance frequency. Since the resonance electrode 3β for adjusting the resonance frequency is much thinner than the thick resonance electrode 3α, the trimming operation is easy and the resonance frequency adjustment operation can be performed in a short time.
[0031]
The resonance frequency f of the resonance electrode 3 is set. O When the range of the allowable deviation amount with respect to is determined, the resonance frequency f P Is the set resonance frequency f O Even if there is a deviation, the resonance frequency of the resonance electrode 3 need not be adjusted when the deviation is within the allowable range. Also, of course, the resonance frequency f of the resonance electrode 3 P Is the set resonance frequency f O Also, the resonance frequency of the resonance electrode 3 is not adjusted.
[0032]
Also, the resonance frequency f of the resonance electrode 3 is obtained by trimming the resonance electrode 3β. P Varies in a higher direction. From this, the resonance frequency f of the resonance electrode 3 P Is the set resonance frequency f O The resonance electrode 3 is manufactured in advance so as to be slightly lower than the resonance frequency, and thereafter, the resonance frequency f of the resonance electrode 3 is trimmed by trimming the resonance electrode 3β. P And set the resonance frequency f O If the resonance frequency is adjusted to match the resonance frequency f O It is possible to have
[0033]
Hereinafter, a second embodiment will be described. In the description of the second embodiment, the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the overlapping description of the common portions will be omitted.
[0034]
In the second embodiment, as shown in the plan views of FIGS. 4A and 4B, the thin resonance electrode 3β forming the end of the resonance electrode 3 is smaller than the resonance electrode 3β. An electrode 8 for fine trimming is formed so as to protrude. In the second embodiment, the fine trimming electrode 8 is manufactured similarly to the thin resonance electrode 3β, and has the same thickness as the thin resonance electrode 3β. When adjusting the resonance frequency of the resonance electrode 3, the fine trimming electrode 8 is trimmed to adjust the resonance frequency.
[0035]
The position at which the fine trimming electrode 8 is formed is not particularly limited, but the variable amount of the resonance frequency of the resonance electrode 3 by trimming can be changed depending on the thickness and the forming position of the fine trimming electrode 8. That is, as the formation position of the fine trimming electrode 8 moves toward the end of the resonance electrode 3, the resonance frequency variable amount that is variable by trimming the fine trimming electrode 8 by, for example, one scanning of the laser beam increases. In other words, as the formation position of the fine trimming electrode 8 moves toward the center of the resonance electrode 3, the resonance frequency variable amount by trimming the fine trimming electrode 8 becomes smaller.
[0036]
For this reason, as shown in FIG. 4B, when the fine trimming electrode 8a is formed at the end of the resonance electrode 3β and the fine trimming electrode 8b is formed at the side of the resonance electrode 3β, Rather than trimming the fine trimming electrode 8b formed on the side of the resonance electrode 3β, trimming the fine trimming electrode 8a formed on the end of the resonance electrode 3β in the same manner is better than trimming the resonance electrode 3β. Resonance frequency f P Can be largely varied. In other words, the fine trimming electrode 8a at the end constitutes a coarse adjustment electrode, and the fine trimming electrode 8b at the side constitutes a fine adjustment electrode. As described above, by forming an electrode for coarse adjustment and an electrode for fine adjustment as the fine trimming electrode 8, the resonance frequency can be adjusted with higher accuracy.
[0037]
In addition, as the thickness of the fine trimming electrode 8 increases, the resonance frequency variable amount of the resonance electrode 3 can be increased. Therefore, for example, when an electrode 8a for fine trimming is formed at the end of the resonance electrode 3β together with the electrode 8a for fine trimming, as shown by a dotted line in FIG. In other words, the thicker fine trimming electrode 8a can function as a rough adjustment electrode, and the thinner fine trimming electrode 8c can function as a fine adjustment electrode.
[0038]
As described above, by providing one or a plurality of fine trimming electrodes 8 in consideration of the formation position and the thickness of the fine trimming electrode 8, the resonance frequency of the resonance electrode 3 can be more accurately adjusted. It becomes possible.
[0039]
4A and 4B show an example in which the fine trimming electrode 8 is formed on one of the resonance electrodes 3β of the two ends of the resonance electrode 3, but FIG. A fine trimming electrode 8 may be formed on each of the resonance electrodes 3β constituting both ends. Also, instead of protruding and forming the fine trimming electrode 8 from the thin resonance electrode 3β, as shown by the dashed line in FIG. 4B, fine trimming is performed by partially overlapping the surface of the thick resonance electrode 3α. The electrode for use 8 d may be formed on the surface of the dielectric substrate 2.
[0040]
Hereinafter, a third embodiment will be described.
[0041]
In the third embodiment, as shown in the plan views of FIGS. 5A and 5B, the thin resonance electrode 3β forming the end of the resonance electrode 3 is provided with a thick resonance electrode 3β at another portion. It has a width different from the width of the electrode 3α. That is, the resonance element 1 of the third embodiment is a step impedance resonator. Other configurations are the same as those of the first and second embodiments. In the description of the third embodiment, the same components as those of the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals. The description of the common parts is omitted.
[0042]
In the third embodiment, as shown in FIG. 5A, the thin resonance electrode 3β at the end is formed to be thicker than the thick resonance electrode 3α, so that the resonance electrode 3α having a small thickness and the resonance electrode 3α having a small thickness are formed. If the entire length L of the resonance electrode 3 is the same as in the case where the electrode 3β has the same width, the resonance frequency of the resonance electrode 3 can be reduced. From this, the resonance frequency f set for the resonance electrode 3 is O In the case where the thickness of the thin resonance electrode 3β and the thin resonance electrode 3β are made equal by forming the thin resonance electrode 3β at the end portion to be thicker than the thick resonance electrode 3α. The entire length L of the resonance electrode 3 can be shorter than that. Therefore, the size of the resonance element 1 can be reduced.
[0043]
When the thin resonance electrode 3β at the end is formed thinner than the thick resonance electrode 3α as shown in FIG. 5B, the thin resonance electrode 3β has the same width as the thick resonance electrode 3α. If the total length L of the resonance electrode 3 is the same as in the case of, the resonance frequency of the resonance electrode 3 increases. From this, the resonance frequency f set for the resonance electrode 3 is O , It is necessary to increase the overall length L of the resonance electrode 3. For this reason, since the sensitivity of the resonance frequency to the length is reduced, the resonance frequency f of the resonance electrode 3 due to the manufacturing accuracy of the thick resonance electrode 3α is reduced. P As a result, the degree of adverse influence on the resonance electrode is relatively reduced, so that the resonance frequency variation caused by the manufacturing accuracy of the resonance electrode 3α can be suppressed.
[0044]
Note that, in addition to the configuration shown in FIGS. 5A and 5B, a fine trimming electrode 8 as shown in the second embodiment may be formed on the resonance electrode 3.
[0045]
Hereinafter, a fourth embodiment will be described. In the description of the fourth embodiment, the same components as those of the first to third embodiments are denoted by the same reference numerals, and the overlapping description of the common portions will be omitted.
[0046]
In the fourth embodiment, as shown in the sectional view of FIG. 6, a wiring pattern 10 thinner than the resonance electrode 3α is formed on the surface of the thick resonance electrode 3α embedded in the dielectric substrate 2. Are formed using, for example, a film forming technique. Both ends of the wiring pattern 10 are formed on the surface of the dielectric substrate 2 so as to protrude outward from the ends of the thick resonance electrode 3α. In the fourth embodiment, the protruding end portion of the wiring pattern 10 forms the thin resonance electrode 3β, and the other portion of the wiring pattern 10 becomes a part of the thick resonance electrode 3α. I have.
[0047]
In the fourth embodiment, the width of the wiring pattern 10 may be equal to the thickness of the thick resonance electrode 3α over the entire length, or the portion laminated on the surface of the thick resonance electrode 3α may be thick. The width and the shape of the wiring pattern 10 are the same as the width of the resonance electrode 3α, and the end portion may be thicker or thinner than the thick resonance electrode 3α. It is set appropriately in consideration of various conditions such as the specifications of the element 1. When the end of the wiring pattern 10 has a width different from that of the thick resonance electrode 3α, the thin resonance electrode 3β has a width different from that of the thick resonance electrode 3α as in the second embodiment. Therefore, the resonance element 1 has a configuration of a step impedance resonator.
[0048]
In addition, the fine trimming electrode 8 as shown in the third embodiment may be formed on the wiring pattern 10.
[0049]
Since the resonance element 1 of the fourth embodiment has the same configuration as that of each of the first to third embodiments, the Q value is high similarly to each of the first to third embodiments. And the resonance frequency f set for the resonance electrode 3 O And the resonance element 1 having high performance reliability can be provided. Further, since the wiring pattern 10 is laminated on the surface of the thick resonance electrode 3α and the wiring pattern 10 becomes a part of the thick resonance electrode 3α, it is possible to further increase the thickness of the resonance electrode 3α. As a result, conduction loss can be reduced.
[0050]
Hereinafter, a fifth embodiment will be described. In the description of the fifth embodiment, the same components as those of the first to fourth embodiments are denoted by the same reference numerals, and the description of the common portions will not be repeated.
[0051]
In the fifth embodiment, as shown in the cross-sectional view of FIG. 7, a thin resonance electrode 3β is formed inside the dielectric substrate 2. As described above, even when the thin resonance electrode 3β is formed inside the dielectric substrate 2, the thin resonance electrode 3β is formed on the dielectric sheet 5 constituting the dielectric substrate 2 as in the above-described embodiments. Is formed on the surface of the substrate by using a film forming technique.
[0052]
The thin resonance electrode 3β formed inside the dielectric substrate 2 may have the same width as the width of the thick resonance electrode 3α, or may have a thick resonance electrode 3α as described in the third embodiment. It may have a width different from the width of 3α.
[0053]
In the fifth embodiment, since the thin resonance electrode 3β is formed inside the dielectric substrate 2, the thin resonance electrode 3β is close to the ground electrode 4, and the gap between the resonance electrode 3β and the ground electrode 4 is provided. The capacity increases. As a result, the capacitance between the resonance electrode 3β and the ground electrode 4 becomes equal to the resonance frequency f of the resonance electrode 3. P The degree of involvement in From this, the resonance frequency f of the resonance electrode 3 due to the manufacturing accuracy of the resonance electrode 3α P The degree of adverse effects on the environment is relatively reduced. Therefore, it is possible to suppress the variation of the resonance frequency due to the manufacturing accuracy of the thick resonance electrode 3α.
[0054]
Further, since the capacitance between the resonance electrode 3β and the ground electrode 4 increases as described above, the resonance frequency of the resonance electrode 3 decreases. O In this case, the total length L of the resonance electrode 3 necessary for obtaining the resonance frequency can be reduced, and the size of the resonance element 3 can be reduced.
[0055]
Further, even when the thin resonance electrode 3β is formed inside the dielectric substrate 2 as in the fifth embodiment, the resonance frequency of the resonance electrode 3 can be adjusted as described below. . That is, as shown by the dotted line in FIG. 7, a hole 12 is provided from the surface of the dielectric substrate 2 to the thin resonance electrode 3β. Then, the thin resonance electrode 3β is trimmed by using the hole 12 so that the resonance frequency f of the resonance electrode 3 is adjusted. P Can be adjusted. Thereby, the resonance frequency f substantially set O Can be easily provided. In the case where such a configuration is provided that enables trimming of the thin resonance electrode 3β, for example, as shown in the second embodiment, the fine trimming electrode 8 is formed on the thin resonance electrode 3β. May be.
[0056]
Hereinafter, a sixth embodiment will be described. The sixth embodiment relates to a filter.
[0057]
FIG. 8 is a schematic perspective view showing a filter according to the sixth embodiment. In this filter 15, a plurality of resonance elements 1 (1a, 1b, 1c) are arranged in parallel on a common dielectric substrate 2 with an interval therebetween. Of these resonance elements 1a, 1b, 1c, connection electrodes 16a, 16b for connection to the outside are connected to the resonance elements 1a, 1c at the array ends, respectively. Further, the resonance electrodes 3 of the respective resonance elements 1a, 1b, 1c have substantially the same resonance frequency f. O Therefore, it is configured to resonate.
[0058]
In the sixth embodiment, each of the resonance elements 1a, 1b, and 1c has a configuration of any one of the resonance elements 1 shown in the first to fifth embodiments. In the sixth embodiment, the same components as those of the resonance element 1 of the first to fifth embodiments are denoted by the same reference numerals, and the description of the configuration of the resonance element 1 is omitted because it has been described above.
[0059]
In the filter 15 of the sixth embodiment, when a high-frequency current is applied between the connection electrodes 16a and 16b, the resonance electrodes 3 of the respective resonance elements 1a, 1b and 1c respectively have the resonance frequency f. O Then it resonates. As a result, the filter 15 O Functions as a band-pass filter through which a high-frequency signal of a frequency band centered at the center passes.
[0060]
In the filter 15 of the sixth embodiment, since the resonance element 1 has any one of the configurations of the first to fifth embodiments, the performance of the filter 15 can be improved. In addition, conduction loss in the filter 15 can be reduced.
[0061]
Hereinafter, a seventh embodiment will be described. The seventh embodiment relates to a communication device such as the portable telephone 17 shown in FIG. 9A and a high-frequency circuit module.
[0062]
The communication device includes, for example, a receiving circuit that converts a high-frequency radio signal received by an antenna into a baseband signal (IF signal), and a baseband signal (IF signal) output from a signal processing circuit to a high-frequency transmission signal. And a high-frequency circuit such as a transmission circuit for converting the data into a signal. FIG. 9B shows a configuration example of the transmission circuit together with the antenna 26 and the signal processing circuit 27. The transmission circuit 20 includes a filter 21, a power amplifier 22, a filter 23, a mixer 24, and a local oscillator (VCO) 25.
[0063]
In the transmission circuit 20, when an IF signal is added from the signal processing circuit 27 to the mixer 24, the mixer 24 converts the IF signal into an RF signal using the carrier signal output from the VCO 25. Then, the RF signal passes through the filter 23, the power amplifier 22, and the filter 21 in that order, a signal in an unnecessary frequency band is removed from the RF signal, and the signal is amplified to reach the antenna 26. Is transmitted wirelessly to the outside.
[0064]
The high-frequency circuit module includes, for example, components (21 to 25) of the high-frequency circuit such as the transmission circuit 20 formed on a common circuit board, for example. In the seventh embodiment, the filter 15 shown in the sixth embodiment is provided as a filter (21, 23) constituting a high-frequency circuit of a high-frequency circuit module. The communication device according to the seventh embodiment is provided with the high-frequency circuit module having the filter 15 described in the sixth embodiment.
[0065]
In the high-frequency circuit module of the seventh embodiment, since the filter 15 shown in the sixth embodiment is used, the conduction loss of the high-frequency circuit module can be suppressed, and the circuit efficiency can be improved. it can. In the communication device of the seventh embodiment, since such a high-frequency circuit module is provided, power consumption can be reduced. For example, in the case of a battery-driven type such as the mobile phone 17, the life of the battery can be extended, and the usability can be improved.
[0066]
The present invention is not limited to each of the first to seventh embodiments, but may employ various embodiments. For example, in each of the first to seventh embodiments, both ends of the resonance electrode 3 are constituted by the thin resonance electrodes 3β, but only one end of the resonance electrode 3 is constituted by the thin resonance electrodes 3β. May be. Also in this case, similarly to the first to seventh embodiments, the entire length L of the resonance electrode 3 is made substantially as designed by forming the thin resonance electrode 3β by a film forming technique. And the resonance frequency f set for the resonance electrode 3 O Can be easily provided. In addition, by adjusting the resonance frequency by trimming the thin resonance electrode 3β, the resonance frequency f of the resonance electrode 3 is adjusted. P Is precisely set to the resonance frequency f O It can be. Thereby, the variation in the resonance frequency of the resonance element 1 can be suppressed very small.
[0067]
Further, in the first embodiment, an example of the material constituting the dielectric sheet 5 has been described. However, the material constituting the dielectric sheet 5 is appropriately set in consideration of the dielectric constant of the dielectric substrate 2 and the like. It is not limited to the materials described in the first embodiment.
[0068]
Further, for example, in each of the first to seventh embodiments, the ground electrode 4 is formed on the bottom surface of the dielectric substrate 2, but may be embedded inside the bottom side of the dielectric substrate 2, for example. Good. Further, in each of the first to seventh embodiments, the dielectric substrate 2 is configured by the laminated body of the six dielectric sheets 5. However, the dielectric substrate 2 is configured by the laminated sheet of the dielectric substrate 5. The number is appropriately set in consideration of the set thickness of the dielectric substrate 2, the thickness of the dielectric sheet 5, and the like, and is not limited to the above embodiment.
[0069]
Further, in the seventh embodiment, the mobile phone 17 is taken as an example of one of the communication devices. However, the communication device of the present invention can be applied to other communication devices other than the mobile phone 17. You can do it. Further, a communication device does not always include both a transmission circuit and a reception circuit as a high-frequency circuit, and a communication device dedicated to transmission includes only a transmission circuit as a high-frequency circuit, and a communication device dedicated to reception. The machine is provided with only a receiving circuit as a high-frequency circuit.
[0070]
【The invention's effect】
According to this invention, one end or both ends of the resonance electrode are formed as thinner resonance electrodes than other portions, and the other resonance electrode portions are formed as thicker resonance electrodes. The thick resonance electrode is formed, for example, by using the manufacturing method of the present invention, that is, by forming a hole in the dielectric sheet by machining such as laser beam or die punching, and forming a hole in this hole. By forming a thick resonance electrode by filling a conductive material, it is possible to increase the thickness of the thick resonance electrode to, for example, about several hundred μm. Thus, by increasing the thickness of the resonance electrode, the conduction loss of the resonance electrode can be significantly reduced, and the Q value of the resonance element can be improved.
[0071]
By the way, if a thick resonance electrode is formed by using such machining, it is difficult to accurately form the thick resonance electrode to the set dimensions due to the problem of manufacturing accuracy. Since the overall length of the resonance electrode is greatly related to the resonance frequency of the resonance electrode, the variation in the resonance frequency of the resonance electrode is a problem due to the dimensional variation of the thick resonance electrode. Is formed by a thin resonance electrode. The thin resonance electrode can be manufactured at a position substantially as designed and in a dimension substantially as designed, for example, by using a film forming technique. For this reason, the thin resonance electrode makes it easy to form the entire length of the resonance electrode almost as designed, regardless of the dimensional variation of the thick resonance electrode. This makes it possible to suppress the variation in the resonance frequency of the resonance electrode to a small value, and it is easy to give the resonance electrode a substantially set resonance frequency.
[0072]
Furthermore, by trimming the thin resonance electrode and adjusting the resonance frequency, the resonance frequency of the resonance electrode can be set to the set resonance frequency with higher accuracy. Since the thin resonance electrode is thinner than the thick resonance electrode, trimming is easier because the thickness is smaller than when the thick resonance electrode is trimmed, and the time required for adjusting the resonance frequency is reduced. Can be planned.
[0073]
Further, a thin wiring pattern is formed on the surface of the thick resonance electrode, and the end of this wiring pattern protrudes from the end of the thick resonance electrode to form a thin resonance electrode. Can obtain the same effect as the above by the thin resonance electrode, and since a part of the wiring pattern can function as a part of the thick resonance electrode, the thickness of the thick resonance electrode can be improved. And the conduction loss can be further reduced.
[0074]
In the case where the thin resonance electrode is formed inside the dielectric substrate, the capacitance between the end of the resonance electrode and the ground electrode increases. For this reason, the degree to which the capacitance between the end of the resonance electrode and the ground electrode contributes to the resonance frequency of the resonance electrode increases, and the degree of adverse effect on the resonance frequency of the resonance electrode due to the manufacturing accuracy of the thick resonance electrode is relatively large. Can be reduced. Thus, it is possible to further suppress the variation in the resonance frequency of the resonance electrode due to the manufacturing accuracy of the thick resonance electrode.
[0075]
In addition, since the resonance frequency of the resonance electrode is reduced by increasing the capacitance between the end portion of the resonance electrode and the ground electrode, the total length of the resonance electrode required to obtain the set resonance frequency can be reduced. As a result, the size of the resonance element can be reduced.
[0076]
Further, when the thin resonance electrode has a width different from the width of the thick resonance electrode, the resonance element is a step impedance resonator. When the thin resonance electrode is wider than the thick resonance electrode, the resonance frequency of the resonance electrode is lower than when the thin resonance electrode and the thick resonance electrode have the same width. Can be reduced in size.
[0077]
Also, if the thin resonance electrode is narrower than the thick resonance electrode, the entire length of the resonance electrode is the same as compared to the case where the thin resonance electrode and the thick resonance electrode are the same width. In this case, the resonance frequency of the resonance electrode increases. For this reason, in order to give the resonance electrode a set resonance frequency, it is necessary to lengthen the entire length of the resonance electrode. For this reason, the sensitivity of the resonance frequency to the length is reduced, and as a result, the degree of adverse effects on the resonance frequency of the resonance electrode due to the manufacturing accuracy of the thick resonance electrode can be relatively reduced. Variations in the resonance frequency of the resonance electrode due to manufacturing accuracy can be further suppressed.
[0078]
In the case where the electrode for fine trimming is connected to the resonance electrode, the part to be trimmed when performing the resonance frequency adjustment is defined, so for example, the person who performs the resonance frequency adjustment has little experience or intuition. In both cases, it is easy to adjust the resonance frequency easily and accurately.
[0079]
According to the filter using the resonance element of the present invention, it is possible to provide a filter having a small conduction loss and a high Q value and good performance. Further, in a high-frequency circuit module using this filter, a conduction loss can be suppressed to a small level, and a high-frequency circuit with good circuit efficiency can be provided. Furthermore, in a communication device provided with at least one of the resonance element, the filter, and the high-frequency circuit module according to the present invention, signal conduction loss is small, so that communication sensitivity can be increased. Further, circuit efficiency is improved, so that power consumption can be reduced. As a result, in a battery-driven communication device, the life of the battery can be prolonged with less consumption of the battery, so that the usability can be improved.
[0080]
In the method for manufacturing a resonance element according to the present invention, a thick resonance electrode can be formed without using an expensive device and without a complicated process. Can be manufactured. In addition, since the thin resonance electrode is formed using a film forming technique, a thin resonance electrode can be manufactured with high accuracy, and a resonance element having a small variation in resonance frequency can be manufactured as described above. It becomes.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a model diagram for explaining a resonance element according to a first embodiment.
FIG. 2 is a schematic exploded view of the resonance element of FIG.
FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a manufacturing process of the resonance element according to the first embodiment.
FIG. 4 is a diagram for explaining a resonance element according to a second embodiment.
FIG. 5 is a diagram for explaining a resonance element according to a third embodiment.
FIG. 6 is a diagram for explaining a resonance element according to a fourth embodiment.
FIG. 7 is a view for explaining a resonance element according to a fifth embodiment;
FIG. 8 is a perspective view showing a filter according to a sixth embodiment.
FIG. 9 is a diagram illustrating a communication device and a high-frequency circuit module according to a seventh embodiment.
FIG. 10 is a diagram of a laminated triplate-type stripline resonator described in JP-A-11-191708.
FIG. 11 is a model diagram illustrating a microstrip line.
[Explanation of symbols]
1 Resonant element
2 Dielectric substrate
3 Resonant electrode
3α thick resonant electrode
3β Thin resonance electrode
4 Ground electrode
5 Dielectric sheet
6 Through hole
8 Fine trimming electrode
15 Filter
