JP2004002806A - Poly (silanilene-diethynylarylene) and hole transport material - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 title description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 62
- -1 phenylene vinylenes Chemical class 0.000 claims description 26
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 24
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 21
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 20
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 17
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 16
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 claims description 16
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 13
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 10
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 9
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 6
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 abstract 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- YNHIGQDRGKUECZ-UHFFFAOYSA-L bis(triphenylphosphine)palladium(ii) dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Pd+2].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YNHIGQDRGKUECZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 4
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 3
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 3
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 3
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108010091039 L-prolyl-m-L-sarcolysyl-p-L-fluorophenylalanine ethyl ester Proteins 0.000 description 2
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- BYLOHCRAPOSXLY-UHFFFAOYSA-N dichloro(diethyl)silane Chemical compound CC[Si](Cl)(Cl)CC BYLOHCRAPOSXLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 2
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- DVSDBMFJEQPWNO-UHFFFAOYSA-N methyllithium Chemical compound C[Li] DVSDBMFJEQPWNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003880 polar aprotic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N (2,3,4-triphenylcyclopenta-1,3-dien-1-yl)benzene Chemical compound C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANAJYRYWCSPFKM-UHFFFAOYSA-N 1,6-diethynylpyrene Chemical compound C1=C2C(C#C)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=C(C#C)C=CC2=C1 ANAJYRYWCSPFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran Chemical group C1=CC=C2OC=CC2=C1 IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical group C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- CRGSMSNUTNRNQM-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=CO1 CRGSMSNUTNRNQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 4-(2-naphthalen-1-ylethylamino)-4-oxobutanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCNC(=O)CCC(=O)O)=CC=CC2=C1 CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000882 Ca alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021595 Copper(I) iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003023 Mg-Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019400 Mg—Li Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical group N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M copper(i) iodide Chemical compound I[Cu] LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N dibenzothiophene Chemical group C1=CC=CC=2[34S]C3=C(C=21)C=CC=C3 IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N 0.000 description 1
- YXNZNXXICLNSMW-UHFFFAOYSA-N dibutyl(diethynyl)silane Chemical compound CCCC[Si](C#C)(C#C)CCCC YXNZNXXICLNSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003453 indazolyl group Chemical group N1N=C(C2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N lichenxanthone Natural products COC1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(C)C=C(OC)C=C3OC2=C1 QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- LAQFLZHBVPULPL-UHFFFAOYSA-N methyl(phenyl)silicon Chemical compound C[Si]C1=CC=CC=C1 LAQFLZHBVPULPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005447 octyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005582 pentacene group Chemical group 0.000 description 1
- JQQSUOJIMKJQHS-UHFFFAOYSA-N pentaphenyl group Chemical group C1=CC=CC2=CC3=CC=C4C=C5C=CC=CC5=CC4=C3C=C12 JQQSUOJIMKJQHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 1
- NHKJPPKXDNZFBJ-UHFFFAOYSA-N phenyllithium Chemical compound [Li]C1=CC=CC=C1 NHKJPPKXDNZFBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001388 picenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=C3C4=CC=C5C=CC=CC5=C4C=CC3=C21)* 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005581 pyrene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- FMKFBRKHHLWKDB-UHFFFAOYSA-N rubicene Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC3=C2C1=C1C=CC=C2C4=CC=CC=C4C3=C21 FMKFBRKHHLWKDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 description 1
- 125000001935 tetracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 1
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- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
【課題】高温での発光安定性が高い正孔輸送性材料を提供する。
【解決手段】例えば、下記式
で示され、重量平均分子量が500〜100000である、ポリ(シラニレン−ジエチニレンアリーレン)、および上記のポリ(シラニレン−ジエチニレンアリーレン)よりなる、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する正孔輸送性材料。上記の正孔輸送材料は、高温時の発光特性が安定して得られる。
【選択図】なしA hole transporting material having high luminescence stability at high temperatures is provided.
For example, the following equation
, Having a weight average molecular weight of 500 to 100,000, and a hole transporting property constituting an organic electroluminescence device comprising poly (silanylene-diethynylenearylene) and the above-mentioned poly (silanylene-diethynylenearylene) material. The above-described hole transporting material has a stable light emission characteristic at high temperatures.
[Selection diagram] None
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規なポリ(シラニレン−ジエチニルアリーレン)および該化合物よりなる正孔輸送性材料に関する。
【0002】
【従来の技術】
有機エレクトロルミネッセンス素子(以下「有機EL素子」と称する)は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、現在、盛んに開発が行われている。一般に有機EL素子は、発光層及び該層を挟んだ一対の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極から電子が注入され、陽極から正孔が注入される。更に、この電子と正孔が発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出する現象である。
【0003】
低電圧駆動、高効率、高輝度の有機EL素子を実現する手法として、タング(Tang)らにより、陽極に正孔輸送性化合物、発光性化合物、電子輸送性化合物をこの順に積層した多層構造を有する素子が提案されている。この中で、正孔輸送性化合物は陽極から正孔を注入させやすくする機能、大きな正孔ドリフト移動度により正孔を容易に輸送し、また小さい電子ドリフト移動度により電子をブロックして、発光層での再結合確率を増やす機能とを有している。このことから、低駆動電圧、高輝度、高発光効率の有機EL素子を得るためには、正孔ドリフト移動度の高い正孔輸送性化合物が望まれている。現在ドリフト移動度の高い正孔輸送性化合物としては、アリールアミン誘導体やヒドラゾン誘導体が挙げられるが、その大部分は低分子量の化合物が多い。これら低分子量の化合物は、素子の作成時には一般的に真空蒸着によって薄膜を形成する方法を用いるが、大きな素子を作成する際などその作業性が良くなく、高コストになるという問題がある。そこで、これら低分子系化合物を樹脂中に分散し、スピンコートなどの塗布法により薄膜化する方法が考えられるが、樹脂中の正孔輸送性化合物の濃度が低い場合は、ドリフト移動度が低くなり、逆に濃度を高くした場合は、正孔輸送性化合物が結晶化しやすくなり成膜性が著しく低下する、といった問題を生じる。
【0004】
一方、低分子量の正孔輸送性化合物に代わる材料として、ケイ素を主骨格とするポリシラン化合物が注目されてきた。ポリシラン化合物は、有機溶媒可溶性でフィルムの成形性に優れているだけでなく、主鎖のケイ素−ケイ素結合を通して非局在化した電子が移動することによって正孔が伝導する半導体としての特性を持つことから非常に期待される材料である。特にポリ(メチルフェニルシラン)においては、正孔ドリフト移動度が高分子単独材料としては最も高いことが知られている。
【0005】
しかしながら該ポリシランのSi骨格鎖は80℃付近から構造相転移を生じることによる耐熱性の問題があり、発光特性に駆動時間依存性が見られるなど、劣化抑制の観点からは実用レベルの改善には至っていない。
【0006】
そこで、耐熱性の向上を目的として、Acta.Polym.,(49,379,1998)記載のシラニレンユニットとジエチニルアントラセニルユニットを組み合わせた正孔輸送性材料が提案されている。しかし、発光特性の改善は見られたものの、今ひとつ不十分であった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、優れた発光特性を与え且つ耐熱性の高い、ケイ素原子を含有する高分子量の正孔輸送性材料を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記の課題を解決するために鋭意検討を進めた結果、特定の構造を有するπ共役系基を有する、ポリ(シラニレン−ジエチニルアリーレン)が、高発光特性を与える正孔輸送能を有し且つ高耐熱性を有することを見出し、本発明を提供するに至った。
【0009】
すなわち、本発明は、下記一般式(1)
【0010】
【化5】
【0011】
〔式中、Arは下記(A)〜(C)のいずれかの基であり、
(A)置換基を有しても良い炭素数15〜100のアリーレン基、置換基を有しても良い炭素数3〜100で少なくとも1つの窒素原子をその環骨格内に有するπ過剰ヘテロアリーレン基置換基を有しても良い炭素数8〜100で窒素原子をその環骨格内に有さないπ過剰ヘテロアリーレン基
(B)下記式
【0012】
【化6】
【0013】
または
【0014】
【化7】
【0015】
(式中、Yは置換基を有しても良いアリーレン基であり、Z1およびZ2はそれぞれ独立に、置換基を有しても良いアリール基であり、R3、R4、R5、R6、R7およびR8はそれぞれ独立に、置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有しても良いアリール基または置換基を有しても良いヘテロアリール基、アミノ基またはシアノ基であり、p、q、r、s、tおよびuは、それぞれR3、R4、R5、R6、R7およびR8の置換数を表す1または2の整数である。)
で示されるスチリレン基
(C)下記式
【0016】
【化8】
【0017】
(式中、R9およびR10はそれぞれ独立に、置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有しても良いアリール基または置換基を有しても良いヘテロアリール基、アミノ基またはシアノ基であり、vおよびwはそれぞれR9およびR10の置換数を表す1または2の整数であり、mはフェニレンビニレンの繰り返し数を表す1〜10の整数である。)
で示されるフェニレンビニレン基
R1およびR2は、それぞれ独立に、置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアリール基または置換基を有しても良いヘテロアリール基であり、nはシラニレン単位の繰り返し数を表す1〜10の整数である。〕
で示され、重量平均分子量が500〜100000であるポリ(シラニレン−ジエチニルアリーレン)である。
【0018】
【発明の実施の形態】
本発明において、上記一般式(1)中、Arで示される基は上記(A)〜(C)で示されるいずれかの基である。まず、(A)で示される基は、置換基を有しても良い炭素数15〜100のアリーレン基、置換基を有しても良い炭素数3〜100で少なくとも1つの窒素原子をその環骨格内に有するπ過剰ヘテロアリーレン基置換基を有しても良い炭素数8〜100で窒素原子をその環骨格内に有さないπ過剰ヘテロアリーレン基である。
【0019】
アリーレン基としては、炭素数が15〜100であれば公知の基を何ら制限なく適用できる。特に本発明においては、5員環〜7員環の芳香族炭化水素環の2個以上が一重結合または縮合により連結した炭素数が15〜100の2価のアリーレン基が好適である。本発明において好適な基を具体的に挙げると、ピレン環、ペリレン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ピセン環、ペンタフェン環、ペンタセン環、ルビセン環等から誘導される2価のアリーレン基を挙げることができる。また、5員環〜7員環の芳香族炭化水素環の2個以上が一重結合または縮合により連結した炭素数が15未満の芳香族炭化水素環およびベンゼン環が、同種または異種間で一重結合により連結して炭素数が15〜100となった基も本発明において用いうる。上記の5員環〜7員環の芳香族炭化水素環の2個以上が一重結合または縮合により連結した炭素数が15未満の芳香族炭化水素環としては、例えば、ナフタレン環、アンスラセン環、フェナンスレン環、ビフェニレン環、フルオレン環等を挙げることができる。このような基としては、9,10−ジフェニルアンスラセン−ジイル基、2,7−ジフェニルフルオレン−ジイル基、9,10−ジ(2−ナフチル)−アンスラセン−ジイル基等を挙げることができる。
【0020】
本発明においては、原料の入手が比較的容易であるため、アリーレン基の炭素数は5〜35の範囲であることが好ましい。
【0021】
次に、π過剰ヘテロアリーレン基としては、炭素数3〜100で少なくとも1つの窒素原子をその環骨格内に有する基または炭素数8〜100で窒素原子をその環骨格内に有さない基であれば公知のπ過剰ヘテロアリーレン基を何ら制限なく適用できる。ここで言うπ過剰ヘテロアリーレン基とは、そのヘテロ原子上の孤立電子対がSP2混成軌道に参加して、ヒュッケル則{(4n+2)π則}を満足する6π電子系を形成し、そしてそのπ電子数より環を構成する原子数の方が少ない芳香族環を意味する。特に本発明においては、窒素原子を少なくとも1つ有する5、9、13員環の複素環よりなる2価のπ過剰ヘテロアリーレン基、該5、9、13員環の複素環の2個以上が、または該複素環と炭素数5〜7の芳香族炭化水素環とが一重結合または縮合により連結した2価のπ過剰ヘテロアリーレン基が好適である。本発明において好適な基を具体的に挙げると、オキサゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾピラゾール環、カルバゾール環等から誘導される2価のヘテロアリーレン基を挙げることができる。また、これらのヘテロアリーレン基が、同種又は異種間で一重結合により連結して炭素数3〜100となったヘテロアリーレン基も本発明において用いることができる。さらに上述のアリーレン基とヘテロアリーレン基とが一重結合により連結した基も本発明において用いうる。このような基としては、具体的には2,5−ジフェニルピロール−ジイル基等を挙げることができる。
【0022】
さらに、これらアリーレン基あるいはヘテロアリーレン基の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ハロアルキル基等を挙げることができる。アルキル基としては、公知のアルキル基が何ら制限なく使用できる。中でも、炭素数1〜20のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基、ステアリル基等を挙げることができる。アルコキシ基としては公知のアルコキシ基が何ら制限なく使用できる。中でも炭素数1〜20のアルコキシ基が好ましく、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、オクチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ステアリルオキシ基等を挙げることができる。
【0023】
アリール基としては、公知のアリール基が制限なく使用できる。具体的には、炭素数6〜36のフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、キシリル基、トリル基等を用いることができる。アミノ基としては公知のアミノ基が制限なく使用できる。中でも水素原子の1個または2個がアルキル基またはアリール基で置換された置換アミノ基が本発明において好適である。このような置換アミノ基を具体的に例示すれば、N,N−ジメチルアミノ基、N,N−ジエチルアミノ基、N,N−ジフェニルアミノ基、N,N−フェニル−ナフチルアミノ基等を挙げることができる。ハロゲン原子としては、公知のハロゲン原子が何ら制限なく使用できる。具体的に挙げるとフッ素原子、塩素原子、臭素原子または沃素原子を挙げることができる。またハロアルキル基としては公知の基が何ら制限なく使用できる。好適な基を挙げると、トリフルオロメチル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基等を挙げることができる。
【0024】
本発明における一般式(1)中、Arで示される基(B)は、
【0025】
【化9】
【0026】
または
【0027】
【化10】
【0028】
(式中、Yは置換基を有しても良いアリーレン基であり、Z1およびZ2はそれぞれ独立に、置換基を有しても良いアリール基であり、R3、R4、R5、R6、R7およびR8はそれぞれ独立に、置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有しても良いアリール基、置換基を有しても良いヘテロアリール基、アミノ基またはシアノ基であり、p、q、r、s、tおよびuは、それぞれR3、R4、R5、R6、R7およびR8の置換数を表す1または2の整数である。)
で示されるスチリレン基である。
【0029】
上記式(4)で示されるスチリレン基中、Yは置換基を有していても良いアリーレン基であり、公知の基を何ら制限なく適用できる。好適な基を具体的に挙げると、ベンゼン環、ナフタレン環、アンスラセン環、フェナンスレン環、ビフェニレン環、フルオレン環等を挙げることができる。また、R3、R4、R5およびR6は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アミノ基またはシアノ基については、前述したAr基の置換基として説明した基と同義の基が適用される。これらの各基の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アミノ基またはシアノ基を挙げることができる。
【0030】
上記式(4)で示されるスチリレン基として具体的な基を挙げると、下記式で示されるような基を挙げることができる。
【0031】
【化11】
【0032】
また、上記式(5)中、Yは置換基を有しても良いアリーレン基であり、上記式(4)においてYとして説明した置換基を有しても良いアリーレン基と同義の基が適用できる。また、Z1およびZ2は置換されても良いアリール基であり、前記(A)においてAr基の置換基として説明したアリール基と同義の基を適用できる。さらに、R7およびR8は前述した一般式(4)で説明したR3、R4、R5およびR6と同義の基が適用される。
【0033】
上記式(5)で示されるスチリレン基として具体的な基を挙げると、下記式で示されるような基を挙げることができる。
【0034】
【化12】
【0035】
さらに、本発明における一般式(1)中、Arで示される基(C)は、
【0036】
【化13】
【0037】
(式中、R9およびR10はそれぞれ独立に、置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有しても良いアリール基、置換基を有しても良いヘテロアリール基、アミノ基またはシアノ基であり、vおよびwはそれぞれR9およびR10の置換数を表す1または2の整数であり、mはフェニレンビニレンの繰り返し数を表す1〜10の整数である。)
で示されるフェニレンビニレン基である。
【0038】
上記式中、R9およびR10は、前記(B)において一般式(4)および(5)で説明したR3〜R8と同義の基が適用される。また、これらの基の置換基もR3〜R8の置換基と同じものを適用できる。上記式で示されるフェニレンビニレン基として具体的な基を挙げると、下記式で示されるような基を挙げることができる。
【0039】
【化14】
【0040】
本発明において、前記一般式(1)中のR1またはR2は、それぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアリール基または置換基を有しても良いヘテロアリール基である。アルキル基、アリール基およびヘテロアリール基は、前記(B)において一般式(4)および(5)で説明したR3〜R8と同義の基が適用できる。また、これらの基の置換基もR3〜R8の置換基と同じものを適用できる。特にアリール基の置換基がアミノ基の場合、分子のHOMOのエネルギーレベルを上げることができ、陽極からの正孔注入効率が高くなるため特に好ましい。これらのアミノ基置換アリール基を例示すると、下記式で表すことができるが、これらの基に限定されるわけではない。
【0041】
【化15】
【0042】
(上記式中、R11、R12、R13およびR14は、それぞれ独立に、置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有しても良いアリール基、置換基を有しても良いヘテロアリール基、アミノ基またはシアノ基であり、j、k、lおよびhは、それぞれR11、R12、R13およびR14の置換数を表す1または2の整数である。)
上記式中、R11、R12、R13およびR14は、前記(B)において一般式(4)および(5)で説明したR3〜R8と同義の基が適用される。また、これらの基の置換基もR3〜R8の置換基と同じものを適用できる。
一般式(1)中のnは、シラニレン基の数を表す1〜10の整数である。合成等のしやすさから1〜6の整数が好ましい。
【0043】
本発明のポリ(シラニレン−ジエチニルアリーレン)の重量平均分子量は、500〜100000である。分子量による発光特性の差異はほとんどないが、ポリ(シラニレン−ジエチニレンアリーレン)を発光素子等のデバイス作成に用いるためには、成膜性に優れ且つ得られる皮膜が機械的強度に優れていることが必要であり、その点において、好ましい重量平均分子量は1000〜50000であり、さらに好ましくは2000〜30000である。
【0044】
本発明の前記一般式(1)で示されるポリ(シラニレン−ジエチニルアリーレン)は、一般に常温常圧下で無色又は淡黄色の固体または粘稠な液体として存在し、次の(イ)〜(ニ)のような手段で確認できる。
(イ)プロトン核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR)を測定することにより、δ5.0〜9.0ppm付近にアロマティックなプロトンに基づくピーク、δ1.0〜4.0ppm付近にアルキル基及びアルキレン基のプロトンに基づくピークが現れる。また、それぞれのスペクトル強度を相対的に比較することにより、それぞれの結合基のプロトンの個数を知ることができる。
(ロ)元素分析によって相当する生成物の組成を決定することができる。
(ハ)13C−核磁気共鳴スペクトル(13C−NMR)を測定することにより、δ110〜160ppm付近に芳香族炭化水素基の炭素に基づくピーク、δ80〜140ppm付近にアルケンに基づくピーク、δ60〜95ppm付近にアルキンの炭素に基づくピーク、δ20〜80ppm付近にアルキル基及びアルキレン基の炭素に基づくピークが現われる。
(ニ)赤外吸収スペクトル(IR)を測定することにより、2140cm−1付近にジエチニレン基の3重結合に基づく吸収を観察することができる。
【0045】
本発明のポリ(シラニレン−ジエチニレンアリーレン)を得るための製造方法は特に限定されるものではなく、如何なる合成方法によって得てもよい。一般的に好適に使用される合成方法を以下に述べる。
【0046】
下記一般式(2)
【0047】
【化16】
【0048】
(式中、Arは一般式(1)のArと同義である。)
で示される化合物に有機アルカリ金属化合物またはアルカリ金属を反応させた化合物と一般式(3)
【0049】
【化17】
【0050】
(式中、R1およびR2は一般式(1)と同義であり、Xはハロゲン原子である。)
で示される化合物とを反応させることにより、一般式(1)で示されるポリ(シラニレン−ジエチニルアリーレン)を得ることができる。
【0051】
上記一般式(2)で示される化合物と一般式(3)で示される化合物との反応は、次のようにして行われる。これら2種類の化合物の反応比率は、広範囲から採用されるが1:10〜10:1(モル比)の範囲から選択される。反応温度としては−100〜10℃が好ましく、溶媒としては極性非プロトン溶媒、例えば、N−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、トルエン、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等が使用される。
【0052】
この反応において、有機アルカリ金属化合物またはアルカリ金属は、一般式(2)で示される化合物1モルに対して通常0.1〜10モルの範囲で使用される。有機アルカリ金属化合物としては、メチルリチウム、ブチルリチウム、フェニルリチウム等を挙げることができる。アルカリ金属としては、リチウム、ナトリウム等を挙げることができる。
【0053】
その他の製造方法として、下記一般式(4)
【0054】
【化18】
【0055】
(式中、Arは一般式(1)のArと同義であり、Xはハロゲン原子である。)で示される化合物と下記一般式(5)
【0056】
【化19】
【0057】
{式中、R1およびR2は一般式(1)と同義である。}
で示される化合物を、パラジウム錯体触媒、ヨウ化銅およびアミン存在下で反応させることにより、一般式(1)で示されるポリ(シラニレン−ジエチニルアリーレン)を得ることができる。
【0058】
上記一般式(4)で示される化合物と一般式(5)で示される化合物との反応は、次のようにして行われる。これら2種類の化合物の反応比率は、広範囲から採用されるが1:10〜10:1(モル比)の範囲から選択される。反応温度としては−100〜120℃が好ましく、溶媒としては極性非プロトン溶媒、例えば、N−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、トルエン、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等が使用される。
【0059】
この反応において、パラジウム錯体触媒は、一般式(4)で示される化合物1モルに対して通常0.01〜1モルの範囲で使用される。パラジウム触媒としては、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)等を挙げることができる。またヨウ化銅は、一般式(4)で示される化合物1モルに対して通常0.01〜1モルの範囲で使用される。アミン化合物は、一般式(4)で示される化合物1重量部に対して通常1〜500の範囲で使用される。アミン化合物としては、トリエチルアミン等を挙げることができる。
【0060】
得られた一般式(1)の化合物は、シリカゲルカラム精製、再結晶、再沈殿等の処理を行うことによって、精製することができる。
【0061】
本発明の正孔輸送性材料を用いて作成される有機EL素子の構造については、少なくとも一方が透明または半透明である一対の電極間に、本発明の正孔輸送性材料が発光層もしくは電荷輸送層と組み合わされて形成されておれば特に制限されず、公知の構造を採用することができる。例えば、陽極上に本発明の正孔輸送性材料を設けその上に発光層を、そしてその上に電子輸送体を含む電子輸送層を積層したものを挙げることができる。
【0062】
また、発光層や電荷輸送層は1層であってもよく、また、複数の層を組み合わせることもできる。さらに、本発明の正孔輸送性材料の中に発光体を混合して使用することもできる。また、本発明の正孔輸送性材料を発光性正孔輸送性材料として使用しても良い。
【0063】
本発明の正孔輸送性材料と共に使用できる公知の発光体としては特に限定されないが、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体などを用いることができる。具体的には、例えば、特開昭57−51781号、同59−194393号に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。
【0064】
また、上記した本発明の正孔輸送性材料と共に使用できる公知の電荷輸送体を例示すれば、正孔輸送体としてはピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体などを挙げることができ、電子輸送体としてはオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体などを挙げることができる。
【0065】
これらの化合物の具体例は、特開昭63―70257号、同63−175860号、特開平2−135359号、同2−135361号、同2−209988号、同3−37992号、同3−152184号公報に記載されている。
【0066】
上記した電荷輸送体の中でも正孔輸送体としては、トリフェニルジアミン誘導体、電子輸送体としてはオキサジアゾール誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体が好ましく、特に、正孔輸送体としては、4,4’−ビス(N(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)ビフェニルが、電子輸送体としては2−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾ−ル、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8−キノリノール)アルミニウムが好ましい。
【0067】
これらのうち、正孔輸送体と電子輸送体のいずれか一方、または両方を同時に使用することができる。これらの各材料は一種を用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0068】
また、本発明の正孔輸送性材料を発光性正孔輸送性化合物として使用する場合、電荷輸送体を発光性正孔輸送層に混合して使用しても良い。その場合、電荷輸送体の使用量は使用する化合物の種類などによっても異なるので、十分な成膜性と発光特性を阻害しない範囲でそれらを考慮して適宜決めればよい。通常、発光性正孔輸送性材料に対して1〜40重量%が好ましく、さらに好ましくは2〜30重量%である。
【0069】
次に、本発明の正孔輸送性材料を用いた有機EL素子の代表的な作製方法について述べる。まずは、ガラス、透明プラスチック等の透明基板の上に透明または半透明な金属酸化物あるいは金属薄膜を用いて陽極を形成する。その材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的にはインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、酸化スズ等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜(NESAなど)、Au、Pt、Ag、Cu等が用いられる。作製方法としては真空蒸着法、スパッタリング法、メッキ法などが用いられる。
【0070】
次にこの陽極上に、本発明の正孔輸送性材料を含む正孔輸送層を形成する。形成方法としては、これら材料の溶融液、溶液または混合液を使用するスピンコーティング法、キャスティング法、ディッピング法、バーコード法、ロールコート法、グラビアコート法、フレキソ印刷法、スプレーコート法、インクジェット印刷法などの塗布法により成膜することが特に好ましい。
【0071】
正孔輸送層の膜厚としては、好ましくは1nm〜1μm、さらに好ましくは2〜500nmである。電流密度を上げて発光効率を上げるためには5〜200nmの範囲が好ましい。なお、塗布法により薄膜化した場合には、好ましくは溶媒を除去するため、減圧下または不活性雰囲気下、好ましくは30〜300℃、さらに好ましくは60〜200℃の温度で加熱乾燥することが望ましい。
【0072】
また、電荷注入効率を向上させるためにさらに正孔注入層を陽極と正孔輸送層の間に設ける場合には、陽極上に上述と同様の製膜方法で形成するかあるいは公知のその他の方法で形成し、その後本発明の正孔輸送性材料を上述した製膜方法で形成し、その上に発光層および電荷輸送層を上述と同様の製膜方法で形成するかあるいはその他公知の方法で形成する。
【0073】
公知の発光体または電荷輸送体の成膜方法としては特に限定されないが、粉末状態からの真空蒸着法、または溶液に溶かした後のスピンコーティング法、キャスティング法、ディッピング法、バーコード法、ロールコート法などの塗布法を使用できる。
【0074】
発光層または電荷輸送層の厚さについては、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であるが、あまり厚いと、素子の抵抗が増加し、高い駆動電圧が必要となり好ましくない。したがって、それぞれの層の厚さは独立に、好ましくは1nm〜1μm、さらに好ましくは2nm〜500nm、特に好ましくは5nm〜200nmである。
【0075】
次いで、陰極を設ける。この電極は電子注入陰極となる。その材料としては、特に限定されないが、イオン化エネルギーの小さい材料が好ましい。例えば、Al、In、Mg、Ca、Li、Mg−Ag合金、In−Ag合金、Mg−In合金、Mg−Al合金、Mg−Li合金、Al−Li合金、Al−Ca合金、グラファイト薄膜等が用いられる。陰極の作製方法としては真空蒸着法、スパッタリング法等が用いられる。
【0076】
【実施例】
以下に実施例を記載して本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0077】
実施例1
<有機EL素子材料:P1の合成>
1,6−ジエチニルピレン0.3g(1.20mmmol)とジエチルエーテル10mlをシュレンク管に加え、しばらく室温で撹拌した。その後−80℃まで冷却し、1.14Mのメチルリチウムエーテル溶液2.3ml(2.26mmol)を滴下した。室温に戻して2時間後、再び−80℃まで冷却しジエチルジクロロシラン0.2g(1.27mmol)を滴下し、室温で2日間撹拌した。反応溶液を加水分解後、クロロホルムで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を濃縮し、クロロホルム/ヘキサンから再沈殿を行い、得られた固体を真空乾燥することによって、ポリ(ジエチルシラニレン−1,6−ジエチニルピレン)を0.23g(収率57%)得た。GPC分析により、得られた固体の重量平均分子量は10600であった。さらに元素分析および1H−核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR)測定を行い、化合物の構造を確認した。結果を表1および表2に示した。
【0078】
実施例2〜10
【0079】
【表1】
【0080】
【表2】
【0081】
【表3】
【0082】
【表4】
【0083】
【表5】
【0084】
【表6】
【0085】
【表7】
【0086】
【表8】
【0087】
【表9】
【0088】
<有機EL素子材料:P2〜P10の合成>
表1に示した原料を用いた他は実施例1と同様の方法でP2〜10を合成した。結果を表1および表2に示した。
<有機EL素子材料:P11の合成>
還流冷却管、スピンバーを備えた50ml2口ナスフラスコにジエチニルジブチルシラン(0.204g、1.06mmol)、9,10−ビス(5‘−ブロモ−2’−チエニル)アントラセン(0.530g、1.06mmol)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)(0.013g、0.0185mmol)、ヨウ化銅(I)(0.0021g、0.011mmol)とトリエチルアミン10ml、ジメチルホルムアミド10mlを入れて、80℃で24時間撹拌反応した。その後ハイフロースパーセルを用いて吸引ろ過を行い、可溶物を回収し、ロータリーエバポレーターで溶媒を留去後、クロロホルム/エタノールで再沈殿を行い、目的のポリマーを0.140g(収率25%)で得た。
【0089】
GPC分析により、得られた固体の重量平均分子量は14000であった。さらに元素分析および1H−核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR)測定を行い、化合物の構造を確認した。結果を表1および表2に示した。
【0090】
実施例11
<EL発光特性>
2.5mm×20mm×0.8mmのガラス基板上にITO膜を150nmの厚さで製膜したものを透明支持基盤とした。この透明支持基盤をエッチング、洗浄後、前述したP1の1重量%クロロホルム溶液約2gをMIKASA製スピンコーター1H−DX2を用いて、厚さ2mmのガラス表面に回転数40r.p.mで10秒→500r.p.mで2秒→2000r.p.mで45秒の条件でスピンコートした。さらに80℃にて窒素雰囲気下で加熱し溶媒を除去して薄膜を形成した。その上に電子輸送層としてトリス(8−キノリノール)アルミニウム60nmを、ULVAC製(EBV−6DA)の蒸着装置を用いて0.1nm/秒の蒸着速度で蒸着した。最後に、その上に陰極として、マグネシウム:銀=10:1を170nm蒸着し、有機EL素子を作成した。蒸着のときの真空度は、すべて1×10−5Torr以下であった。この素子に12Vの電圧を印加し、分光光度計(瞬間マルチチャンネルフォトディテクターMCPD1000:大塚電子製)を用いて蛍光発光を測定したところ、520nmに最大発光波長を有する緑色の蛍光が観察された。このときの発光強度は1800cd/m2であった。またP1化合物を窒素気流下で熱重量分析を行ったところ、300℃まで重量減少は見られず、高い耐熱性を有していることが確認された。
【0091】
実施例12
実施例11と同様にして、P2化合物をITO膜上にスピンコートにて成膜化した後、その上にN,N’−bis(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(TPD)を実施例1と同様にして30nm真空蒸着した。さらにその上にトリス(8−キノリノール)アルミニウム60nmを、そして陰極として、マグネシウム:銀=10:1を170nm蒸着し、有機EL素子を作成した。この素子に20Vの電圧を印加し、分光光度計(瞬間マルチチャンネルフォトディテクターMCPD1000:大塚電子製)を用いて蛍光発光を測定したところ、520nmに最大発光波長を有する緑色の蛍光が観察された。このときの発光強度は3500cd/m2であった。また実施例11と同様に熱重量分析を行ったところ、P2化合物でも300℃まで重量減少は見られず、高い耐熱性を確認できた。
【0092】
実施例13
実施例11と同様にして、P11化合物をITO膜上にスピンコートにて成膜化した後、さらにその上にトリス(8−キノリノール)アルミニウム60nmを、そして陰極として、マグネシウム:銀=10:1を170nm蒸着し、有機EL素子を作成した。この素子に14Vの電圧を印加し、分光光度計(瞬間マルチチャンネルフォトディテクターMCPD1000:大塚電子製)を用いて蛍光発光を測定したところ、520nmに最大発光波長を有する緑色の蛍光が観察された。このときの発光強度は600cd/m2であった。また実施例11と同様に熱重量分析を行ったところ、P11化合物でも300℃まで重量減少は見られず、高い耐熱性を確認できた。
【0093】
【発明の効果】
本発明のポリ(シラニレン−ジエチニレンアリーレン)は、高温時の発光特性が安定して得られるため、有機EL素子を構成する正孔輸送材料として極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1で得られたポリ(シラニレン−ジエチニレンアリーレン)の1H−核磁気共鳴スペクトルのチャートである。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a novel poly (silanylene-diethynylarylene) and a hole-transporting material comprising the compound.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Organic electroluminescent elements (hereinafter, referred to as “organic EL elements”) are expected to be used as inexpensive large-area, full-color display elements of solid-state emission type, and are being actively developed. Generally, an organic EL element is composed of a light emitting layer and a pair of opposed electrodes sandwiching the layer. In light emission, when an electric field is applied between both electrodes, electrons are injected from a cathode, and holes are injected from an anode. Further, the electrons and holes are recombined in the light emitting layer, and the energy is emitted as light when the energy level returns from the conduction band to the valence band.
[0003]
As a method for realizing an organic EL device with low voltage drive, high efficiency and high brightness, Tang et al. Proposed a multilayer structure in which a hole transporting compound, a light emitting compound, and an electron transporting compound were laminated in this order on the anode. Elements have been proposed. Among them, the hole transporting compound has a function to make it easy to inject holes from the anode, a large hole drift mobility to easily transport holes, and a small electron drift mobility to block electrons to emit light. A function of increasing the recombination probability in the layer. Accordingly, in order to obtain an organic EL device having low driving voltage, high luminance, and high luminous efficiency, a hole transporting compound having high hole drift mobility is desired. At present, examples of hole transporting compounds having high drift mobility include arylamine derivatives and hydrazone derivatives, and most of them are low molecular weight compounds. These low-molecular-weight compounds generally use a method of forming a thin film by vacuum evaporation at the time of producing a device. However, there is a problem that workability is not good when a large device is produced and the cost is high. Therefore, it is conceivable to disperse these low-molecular-weight compounds in a resin and form a thin film by a coating method such as spin coating.However, when the concentration of the hole transporting compound in the resin is low, the drift mobility is low. On the contrary, when the concentration is increased, the hole transporting compound tends to be crystallized, and the film-forming property is remarkably reduced.
[0004]
On the other hand, a polysilane compound having silicon as a main skeleton has been attracting attention as a material replacing the low molecular weight hole transporting compound. Polysilane compounds are not only soluble in organic solvents and have excellent film formability, but also have the properties of a semiconductor in which holes are conducted by the transfer of delocalized electrons through silicon-silicon bonds in the main chain. This is a very promising material. In particular, poly (methylphenylsilane) is known to have the highest hole drift mobility as a single polymer material.
[0005]
However, the Si skeleton chain of the polysilane has a problem of heat resistance due to the occurrence of a structural phase transition from around 80 ° C., and a driving time dependency is seen in the light emission characteristics. Not reached.
[0006]
Therefore, for the purpose of improving heat resistance, Acta. Polym. , (49,379, 1998), a hole transporting material having a combination of a silanylene unit and a diethynylanthracenyl unit has been proposed. However, although the light emission characteristics were improved, they were still insufficient.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a high-molecular-weight hole transporting material containing silicon atoms, which has excellent light-emitting characteristics and high heat resistance.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The present inventors have conducted intensive studies in order to solve the above-mentioned problems. As a result, poly (silanilene-diethynylarylene) having a π-conjugated group having a specific structure is considered to be a hole transporting material having high emission characteristics. The present invention has been found to have high heat resistance and high heat resistance, and has provided the present invention.
[0009]
That is, the present invention provides the following general formula (1)
[0010]
Embedded image
[0011]
[Wherein, Ar is any of the following groups (A) to (C);
(A) an arylene group having 15 to 100 carbon atoms which may have a substituent, and a π-rich heteroarylene having 3 to 100 carbon atoms which may have a substituent and having at least one nitrogen atom in its ring skeleton. Π-rich heteroarylene group having 8 to 100 carbon atoms and optionally having no nitrogen atom in its ring skeleton, which may have a substituent
(B) The following formula
[0012]
Embedded image
[0013]
Or
[0014]
Embedded image
[0015]
(Wherein Y is an arylene group which may have a substituent, 1 And Z 2 Are each independently an aryl group which may have a substituent; 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 And R 8 Are each independently an alkyl group which may have a substituent, an alkoxy group which may have a substituent, an aryl group which may have a substituent or a heteroaryl group which may have a substituent, An amino group or a cyano group, and p, q, r, s, t and u are each represented by R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 And R 8 Is an integer of 1 or 2 representing the number of substitutions. )
Stilylene group represented by
(C) The following formula
[0016]
Embedded image
[0017]
(Where R 9 And R 10 Are each independently an alkyl group which may have a substituent, an alkoxy group which may have a substituent, an aryl group which may have a substituent or a heteroaryl group which may have a substituent, An amino group or a cyano group, and v and w are each R 9 And R 10 Is an integer of 1 or 2 representing the number of substitutions, and m is an integer of 1 to 10 representing the number of repetitions of phenylene vinylene. )
The phenylene vinylene group represented by
R 1 And R 2 Are each independently an alkyl group which may have a substituent, an aryl group which may have a substituent or a heteroaryl group which may have a substituent, and n represents the number of repeating silanylene units. It is an integer of 1 to 10 representing. ]
And a poly (silanylene-diethynylarylene) having a weight average molecular weight of 500 to 100,000.
[0018]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
In the present invention, in the general formula (1), the group represented by Ar is any one of the groups (A) to (C). First, the group represented by (A) is an arylene group having 15 to 100 carbon atoms which may have a substituent, and at least one nitrogen atom having 3 to 100 carbon atoms which may have a substituent. Π-excess heteroarylene group contained in the skeleton A π-excess heteroarylene group having 8 to 100 carbon atoms which may have a substituent and having no nitrogen atom in its ring skeleton.
[0019]
As the arylene group, a known group can be applied without any limitation as long as it has 15 to 100 carbon atoms. In particular, in the present invention, a divalent arylene group having 15 to 100 carbon atoms in which two or more 5- to 7-membered aromatic hydrocarbon rings are connected by a single bond or condensation is preferable. Specific examples of suitable groups in the present invention include divalent arylene groups derived from a pyrene ring, a perylene ring, a naphthacene ring, a triphenylene ring, a picene ring, a pentaphene ring, a pentacene ring, a rubicene ring and the like. it can. Further, an aromatic hydrocarbon ring having a carbon number of less than 15 and a benzene ring in which two or more of a 5- to 7-membered aromatic hydrocarbon ring are connected by a single bond or condensation are a single bond between the same kind or different kinds. A group having 15 to 100 carbon atoms linked by the above formula can also be used in the present invention. Examples of the aromatic hydrocarbon ring having less than 15 carbon atoms in which two or more of the 5- to 7-membered aromatic hydrocarbon rings are linked by a single bond or condensation include, for example, a naphthalene ring, an anthracene ring, and a phenanthrene ring. Ring, biphenylene ring, fluorene ring and the like. Examples of such a group include a 9,10-diphenylanthracene-diyl group, a 2,7-diphenylfluorene-diyl group, and a 9,10-di (2-naphthyl) -anthracene-diyl group.
[0020]
In the present invention, the number of carbon atoms of the arylene group is preferably in the range of 5 to 35, because the raw material is relatively easily available.
[0021]
Next, the π-excess heteroarylene group is a group having 3 to 100 carbon atoms and having at least one nitrogen atom in its ring skeleton or a group having 8 to 100 carbon atoms and having no nitrogen atom in its ring skeleton. If so, a known π-excess heteroarylene group can be applied without any limitation. The π-excess heteroarylene group referred to herein means that a lone pair of electrons on the heteroatom participates in an SP2 hybrid orbital to form a 6π electron system satisfying the Huckel rule {(4n + 2) π rule}, It means an aromatic ring in which the number of atoms constituting the ring is smaller than the number of electrons. In particular, in the present invention, a divalent π-excess heteroarylene group composed of a 5, 9, 13-membered heterocyclic ring having at least one nitrogen atom, and two or more of the 5, 9, 13-membered heterocyclic ring are Or a divalent π-excess heteroarylene group in which the heterocycle and an aromatic hydrocarbon ring having 5 to 7 carbon atoms are linked by a single bond or condensation. Specific examples of suitable groups in the present invention include those derived from an oxazole ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, a benzothiophene ring, a benzofuran ring, a dibenzothiophene ring, a dibenzofuran ring, a benzimidazole ring, a benzopyrazole ring, and a carbazole ring. And divalent heteroarylene groups. Further, a heteroarylene group in which the same or different kinds of heteroarylene groups are linked by a single bond to have 3 to 100 carbon atoms can also be used in the present invention. Further, a group in which the above-mentioned arylene group and heteroarylene group are linked by a single bond can also be used in the present invention. Specific examples of such a group include a 2,5-diphenylpyrrole-diyl group.
[0022]
Further, examples of the substituent of the arylene group or the heteroarylene group include an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an amino group, a cyano group, a halogen atom, a hydroxy group, and a haloalkyl group. As the alkyl group, a known alkyl group can be used without any limitation. Among them, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms is preferable, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, an octyl group, and a stearyl group. As the alkoxy group, a known alkoxy group can be used without any limitation. Among them, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms is preferable, and specific examples include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, an octyloxy group, an isooctyloxy group, and a stearyloxy group.
[0023]
As the aryl group, a known aryl group can be used without limitation. Specifically, a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, a xylyl group, a tolyl group, etc. having 6 to 36 carbon atoms can be used. As the amino group, a known amino group can be used without limitation. Among them, a substituted amino group in which one or two hydrogen atoms are substituted with an alkyl group or an aryl group is preferable in the present invention. Specific examples of such substituted amino groups include N, N-dimethylamino, N, N-diethylamino, N, N-diphenylamino, N, N-phenyl-naphthylamino and the like. Can be. As the halogen atom, a known halogen atom can be used without any limitation. Specific examples include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. As the haloalkyl group, known groups can be used without any limitation. Preferred groups include a trifluoromethyl group, a 3,3,3-trifluoropropyl group, and the like.
[0024]
In the general formula (1) in the present invention, the group (B) represented by Ar is
[0025]
Embedded image
[0026]
Or
[0027]
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[0028]
(Wherein Y is an arylene group which may have a substituent, 1 And Z 2 Are each independently an aryl group which may have a substituent; 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 And R 8 Are each independently an alkyl group which may have a substituent, an alkoxy group which may have a substituent, an aryl group which may have a substituent, a heteroaryl group which may have a substituent, An amino group or a cyano group, and p, q, r, s, t and u are each represented by R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 And R 8 Is an integer of 1 or 2 representing the number of substitutions. )
Is a styrylene group represented by
[0029]
In the stillylene group represented by the above formula (4), Y is an arylene group which may have a substituent, and a known group can be applied without any limitation. Specific examples of suitable groups include a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a biphenylene ring, and a fluorene ring. Also, R 3 , R 4 , R 5 And R 6 As for the alkyl group, the alkoxy group, the aryl group, the amino group or the cyano group, the same groups as those described above as the substituent of the Ar group are applied. Examples of the substituent of each of these groups include an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an amino group and a cyano group.
[0030]
Specific examples of the styrylene group represented by the above formula (4) include groups represented by the following formula.
[0031]
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[0032]
In the above formula (5), Y is an arylene group which may have a substituent, and a group having the same meaning as the arylene group which may have a substituent described as Y in the above formula (4) is applied. it can. Also, Z 1 And Z 2 Is an aryl group which may be substituted, and a group having the same meaning as the aryl group described as a substituent of the Ar group in the above (A) can be applied. Further, R 7 And R 8 Is R as described in the aforementioned general formula (4). 3 , R 4 , R 5 And R 6 The same groups as apply.
[0033]
Specific examples of the styrylene group represented by the above formula (5) include groups represented by the following formula.
[0034]
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[0035]
Further, in the general formula (1) in the present invention, the group (C) represented by Ar is
[0036]
Embedded image
[0037]
(Where R 9 And R 10 Are each independently an alkyl group which may have a substituent, an alkoxy group which may have a substituent, an aryl group which may have a substituent, a heteroaryl group which may have a substituent, An amino group or a cyano group, and v and w are each R 9 And R 10 Is an integer of 1 or 2 representing the number of substitutions, and m is an integer of 1 to 10 representing the number of repetitions of phenylene vinylene. )
And a phenylenevinylene group represented by
[0038]
In the above formula, R 9 And R 10 Is the same as R described in the general formulas (4) and (5) in the above (B). 3 ~ R 8 The same groups as apply. Further, the substituent of these groups is also R 3 ~ R 8 The same substituents as described above can be applied. Specific examples of the phenylenevinylene group represented by the above formula include groups represented by the following formula.
[0039]
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[0040]
In the present invention, R in the general formula (1) 1 Or R 2 Are independently an alkyl group which may have a substituent, an aryl group which may have a substituent, or a heteroaryl group which may have a substituent. The alkyl group, the aryl group and the heteroaryl group are the same as those described in the general formulas (4) and (5) in the above (B). 3 ~ R 8 The same groups as defined above can be applied. Further, the substituent of these groups is also R 3 ~ R 8 The same substituents as described above can be applied. In particular, when the substituent of the aryl group is an amino group, it is particularly preferable because the HOMO energy level of the molecule can be increased and the efficiency of hole injection from the anode is increased. These amino-substituted aryl groups can be represented by the following formulas, but are not limited to these groups.
[0041]
Embedded image
[0042]
(In the above formula, R 11 , R 12 , R 13 And R 14 Are each independently an alkyl group which may have a substituent, an alkoxy group which may have a substituent, an aryl group which may have a substituent, and a heteroaryl group which may have a substituent , An amino group or a cyano group, j, k, l and h are each R 11 , R 12 , R 13 And R 14 Is an integer of 1 or 2 representing the number of substitutions. )
In the above formula, R 11 , R 12 , R 13 And R 14 Is the same as R described in the general formulas (4) and (5) in the above (B). 3 ~ R 8 The same groups as apply. Further, the substituent of these groups is also R 3 ~ R 8 The same substituents as described above can be applied.
N in the general formula (1) is an integer of 1 to 10 representing the number of silanylene groups. An integer of 1 to 6 is preferable from the viewpoint of ease of synthesis and the like.
[0043]
The weight average molecular weight of the poly (silanylene-diethynylarylene) of the present invention is from 500 to 100,000. Although there is almost no difference in light emission characteristics depending on the molecular weight, in order to use poly (silanilene-diethynylenearylene) for producing a device such as a light emitting element, the film is excellent in film formability and the obtained film is excellent in mechanical strength. In this regard, the preferred weight average molecular weight is from 1,000 to 50,000, more preferably from 2,000 to 30,000.
[0044]
The poly (silanylene-diethynylarylene) represented by the general formula (1) of the present invention generally exists as a colorless or pale yellow solid or a viscous liquid at normal temperature and normal pressure, and has the following (a) to (d). ).
(A) Proton nuclear magnetic resonance spectrum ( 1 By measuring H-NMR), a peak based on an aromatic proton appears at about δ 5.0 to 9.0 ppm, and a peak based on protons of an alkyl group and an alkylene group appears at about δ 1.0 to 4.0 ppm. In addition, the relative number of protons of each bonding group can be known by relatively comparing the respective spectral intensities.
(B) The composition of the corresponding product can be determined by elemental analysis.
(C) 13 C-nuclear magnetic resonance spectrum ( 13 By measuring C-NMR), a peak based on the carbon of the aromatic hydrocarbon group at about δ 110 to 160 ppm, a peak based on the alkene at about δ 80 to 140 ppm, a peak based on the carbon of the alkyne at about δ 60 to 95 ppm, a δ 20 to A peak based on carbon of the alkyl group and the alkylene group appears at around 80 ppm.
(D) By measuring the infrared absorption spectrum (IR), 2140 cm -1 In the vicinity, absorption based on the triple bond of the diethynylene group can be observed.
[0045]
The production method for obtaining the poly (silanylene-diethynylenearylene) of the present invention is not particularly limited, and may be obtained by any synthesis method. A synthesis method generally preferably used is described below.
[0046]
The following general formula (2)
[0047]
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[0048]
(In the formula, Ar has the same meaning as Ar in the general formula (1).)
And a compound obtained by reacting an organic alkali metal compound or an alkali metal with the compound represented by the general formula (3)
[0049]
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[0050]
(Where R 1 And R 2 Has the same meaning as in formula (1), and X is a halogen atom. )
By reacting the compound represented by the general formula (1), poly (silanylene-diethynylarylene) represented by the general formula (1) can be obtained.
[0051]
The reaction between the compound represented by the general formula (2) and the compound represented by the general formula (3) is performed as follows. The reaction ratio of these two compounds is selected from a wide range, but is selected from a range of 1:10 to 10: 1 (molar ratio). The reaction temperature is preferably −100 to 10 ° C., and a polar aprotic solvent such as N-methylpyrrolidone, dimethylformamide, toluene, benzene, tetrahydrofuran, diethyl ether or the like is used as a solvent.
[0052]
In this reaction, the organic alkali metal compound or alkali metal is generally used in the range of 0.1 to 10 mol per 1 mol of the compound represented by the general formula (2). Examples of the organic alkali metal compound include methyl lithium, butyl lithium, phenyl lithium and the like. Examples of the alkali metal include lithium and sodium.
[0053]
As another manufacturing method, the following general formula (4)
[0054]
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[0055]
(Wherein, Ar has the same meaning as Ar in the general formula (1) and X is a halogen atom), and a compound represented by the following general formula (5)
[0056]
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[0057]
中 where R 1 And R 2 Has the same meaning as in formula (1). }
Is reacted in the presence of a palladium complex catalyst, copper iodide and an amine to obtain a poly (silanylene-diethynylarylene) represented by the general formula (1).
[0058]
The reaction between the compound represented by the general formula (4) and the compound represented by the general formula (5) is performed as follows. The reaction ratio of these two compounds is selected from a wide range, but is selected from a range of 1:10 to 10: 1 (molar ratio). The reaction temperature is preferably −100 to 120 ° C., and as the solvent, a polar aprotic solvent such as N-methylpyrrolidone, dimethylformamide, toluene, benzene, tetrahydrofuran, diethyl ether and the like are used.
[0059]
In this reaction, the palladium complex catalyst is generally used in the range of 0.01 to 1 mol per 1 mol of the compound represented by the general formula (4). Examples of the palladium catalyst include dichlorobis (triphenylphosphine) palladium (II). Copper iodide is usually used in the range of 0.01 to 1 mol per 1 mol of the compound represented by the general formula (4). The amine compound is generally used in the range of 1 to 500 based on 1 part by weight of the compound represented by the formula (4). Examples of the amine compound include triethylamine.
[0060]
The obtained compound of the general formula (1) can be purified by performing processes such as silica gel column purification, recrystallization, and reprecipitation.
[0061]
Regarding the structure of the organic EL device formed using the hole transporting material of the present invention, the hole transporting material of the present invention has a light emitting layer or a charge between a pair of electrodes at least one of which is transparent or translucent. There is no particular limitation as long as it is formed in combination with the transport layer, and a known structure can be adopted. For example, a material in which the hole-transporting material of the present invention is provided on an anode, a light-emitting layer is formed thereon, and an electron-transporting layer containing an electron-transporter is stacked thereover can be used.
[0062]
The light emitting layer and the charge transport layer may be a single layer, or a combination of a plurality of layers. Further, a luminous body can be mixed with the hole transporting material of the present invention. Further, the hole transporting material of the present invention may be used as a luminescent hole transporting material.
[0063]
Known luminescent materials that can be used with the hole-transporting material of the present invention are not particularly limited, and include, for example, naphthalene derivatives, anthracene or its derivatives, perylene or its derivatives, polymethine-based, xanthene-based, coumarin-based, and cyanine-based Dyes, metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, aromatic amines, tetraphenylcyclopentadiene or derivatives thereof, or tetraphenylbutadiene or derivatives thereof can be used. Specifically, for example, known materials such as those described in JP-A-57-51781 and JP-A-59-194393 can be used.
[0064]
Examples of known charge transporters that can be used together with the above-described hole transportable material of the present invention include pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, and triphenyldiamine derivatives. Examples of the electron transporter include an oxadiazole derivative, anthraquinodimethane or a derivative thereof, a tetracyanoanthraquinodimethane or a derivative thereof, a fluorenone derivative, a diphenoquinone derivative, or a metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof. be able to.
[0065]
Specific examples of these compounds are described in JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, JP-A-2-209988, JP-A-3-37992, and No. 152184.
[0066]
Among the above-described charge transporters, the hole transporter is preferably a triphenyldiamine derivative, and the electron transporter is preferably an oxadiazole derivative, or a metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof. Particularly, as the hole transporter, Is 4,4'-bis (N (3-methylphenyl) -N-phenylamino) biphenyl and 2- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole as an electron transporter , Benzoquinone, anthraquinone and tris (8-quinolinol) aluminum are preferred.
[0067]
Among these, one or both of the hole transporter and the electron transporter can be used simultaneously. Each of these materials may be used alone or in combination of two or more.
[0068]
When the hole transporting material of the present invention is used as a luminescent hole transporting compound, a charge transporter may be mixed with the luminescent hole transporting layer. In such a case, the amount of the charge transporter varies depending on the type of the compound to be used and the like. Therefore, the amount may be appropriately determined in consideration of a sufficient film-forming property and a light emission characteristic in a range that does not impair the characteristics. Usually, it is preferably 1 to 40% by weight, more preferably 2 to 30% by weight, based on the luminescent hole transporting material.
[0069]
Next, a typical method for manufacturing an organic EL device using the hole transporting material of the present invention will be described. First, an anode is formed on a transparent substrate such as glass or transparent plastic using a transparent or translucent metal oxide or metal thin film. As the material, a conductive metal oxide film, a translucent metal thin film, or the like is used. Specifically, a film (NESA or the like) formed using a conductive glass made of indium tin oxide (ITO), tin oxide, or the like, Au, Pt, Ag, Cu, or the like is used. As a manufacturing method, a vacuum evaporation method, a sputtering method, a plating method, or the like is used.
[0070]
Next, a hole transport layer containing the hole transport material of the present invention is formed on the anode. Examples of the forming method include spin coating, casting, dipping, barcode, roll coating, gravure coating, flexographic printing, spray coating, and inkjet printing using a melt, solution, or mixture of these materials. It is particularly preferable to form a film by a coating method such as a coating method.
[0071]
The thickness of the hole transport layer is preferably from 1 nm to 1 μm, more preferably from 2 to 500 nm. In order to increase the current density and the luminous efficiency, the range of 5 to 200 nm is preferable. In the case where the film is formed into a thin film by a coating method, it is preferable to heat and dry under reduced pressure or an inert atmosphere, preferably at a temperature of 30 to 300 ° C, more preferably 60 to 200 ° C, in order to remove the solvent. desirable.
[0072]
When a hole injection layer is further provided between the anode and the hole transport layer in order to improve the charge injection efficiency, the hole injection layer may be formed on the anode by the same film forming method as described above, or may be any other known method. Then, the hole transporting material of the present invention is formed by the above-described film forming method, and the light emitting layer and the charge transport layer are formed thereon by the same film forming method as described above or by other known methods. Form.
[0073]
The method for forming a known light-emitting or charge-transporting material is not particularly limited, but may be a vacuum deposition method from a powder state, or a spin coating method after dissolving in a solution, a casting method, a dipping method, a bar code method, a roll coating method. A coating method such as a coating method can be used.
[0074]
The thickness of the light emitting layer or the charge transport layer needs to be at least such that no pinholes are generated. However, if the thickness is too large, the resistance of the device increases, and a high driving voltage is required, which is not preferable. Therefore, the thickness of each layer is independently preferably 1 nm to 1 μm, more preferably 2 nm to 500 nm, and particularly preferably 5 nm to 200 nm.
[0075]
Next, a cathode is provided. This electrode becomes an electron injection cathode. Although the material is not particularly limited, a material having a small ionization energy is preferable. For example, Al, In, Mg, Ca, Li, Mg-Ag alloy, In-Ag alloy, Mg-In alloy, Mg-Al alloy, Mg-Li alloy, Al-Li alloy, Al-Ca alloy, graphite thin film, etc. Is used. As a method for manufacturing the cathode, a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like is used.
[0076]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
[0077]
Example 1
<Organic EL device material: Synthesis of P1>
0.3 g (1.20 mmol) of 1,6-diethynylpyrene and 10 ml of diethyl ether were added to a Schlenk tube, and the mixture was stirred at room temperature for a while. Thereafter, the mixture was cooled to -80 ° C, and 2.3 ml (2.26 mmol) of a 1.14 M methyl lithium ether solution was added dropwise. Two hours after returning to room temperature, the mixture was cooled again to -80 ° C, 0.2 g (1.27 mmol) of diethyldichlorosilane was added dropwise, and the mixture was stirred at room temperature for 2 days. After hydrolysis of the reaction solution, it was extracted with chloroform and dried over anhydrous magnesium sulfate. The solvent was concentrated, reprecipitated from chloroform / hexane, and the obtained solid was dried in vacuo to obtain 0.23 g of poly (diethylsilanylene-1,6-diethynylpyrene) (57% yield). Was. According to GPC analysis, the weight average molecular weight of the obtained solid was 10,600. Further elemental analysis and 1 H-nuclear magnetic resonance spectrum ( 1 H-NMR) was measured to confirm the structure of the compound. The results are shown in Tables 1 and 2.
[0078]
Examples 2 to 10
[0079]
[Table 1]
[0080]
[Table 2]
[0081]
[Table 3]
[0082]
[Table 4]
[0083]
[Table 5]
[0084]
[Table 6]
[0085]
[Table 7]
[0086]
[Table 8]
[0087]
[Table 9]
[0088]
<Organic EL device material: Synthesis of P2 to P10>
P2 to P10 were synthesized in the same manner as in Example 1, except that the raw materials shown in Table 1 were used. The results are shown in Tables 1 and 2.
<Organic EL device material: Synthesis of P11>
In a 50 ml two-necked eggplant flask equipped with a reflux condenser and a spin bar, diethynyldibutylsilane (0.204 g, 1.06 mmol), 9,10-bis (5′-bromo-2′-thienyl) anthracene (0.530 g, 1 0.06 mmol), dichlorobis (triphenylphosphine) palladium (II) (0.013 g, 0.0185 mmol), copper (I) iodide (0.0021 g, 0.011 mmol), 10 ml of triethylamine, and 10 ml of dimethylformamide. The reaction was stirred at 80 ° C. for 24 hours. Thereafter, suction filtration was performed using a high flow parcel, and the soluble matter was recovered. After distilling off the solvent with a rotary evaporator, reprecipitation was performed with chloroform / ethanol, and 0.140 g (yield: 25%) of the desired polymer was obtained. I got it.
[0089]
According to GPC analysis, the weight average molecular weight of the obtained solid was 14,000. Further elemental analysis and 1 H-nuclear magnetic resonance spectrum ( 1 H-NMR) was measured to confirm the structure of the compound. The results are shown in Tables 1 and 2.
[0090]
Example 11
<EL emission characteristics>
A 150 nm thick ITO film formed on a glass substrate of 2.5 mm × 20 mm × 0.8 mm was used as a transparent support substrate. After etching and washing the transparent support substrate, about 2 g of the above-mentioned 1% by weight chloroform solution of P1 was applied to a 2 mm-thick glass surface using a spin coater 1H-DX2 manufactured by MIKASA at a rotational speed of 40 rpm. p. m for 10 seconds → 500r. p. m for 2 seconds → 2000r. p. Spin coating was performed at 45 m for 45 seconds. Further, the film was heated at 80 ° C. under a nitrogen atmosphere to remove the solvent to form a thin film. A 60 nm of tris (8-quinolinol) aluminum was deposited thereon as an electron transporting layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec by using a ULVAC (EBV-6DA) deposition apparatus. Finally, as a cathode, magnesium: silver = 10: 1 was vapor-deposited at 170 nm to form an organic EL device. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 1 × 10 -5 Torr or less. When a voltage of 12 V was applied to the device and fluorescence emission was measured using a spectrophotometer (MCPD1000, an instantaneous multi-channel photodetector, manufactured by Otsuka Electronics), green fluorescence having a maximum emission wavelength at 520 nm was observed. The emission intensity at this time is 1800 cd / m 2 Met. Further, when the P1 compound was subjected to thermogravimetric analysis under a nitrogen stream, no weight loss was observed up to 300 ° C., and it was confirmed that the compound had high heat resistance.
[0091]
Example 12
After forming the P2 compound on the ITO film by spin coating in the same manner as in Example 11, N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-diphenyl- (1 , 1'-biphenyl) -4,4'-diamine (TPD) was vacuum-deposited in the same manner as in Example 1 by 30 nm. Further, tris (8-quinolinol) aluminum was deposited thereon to a thickness of 60 nm, and magnesium: silver = 10: 1 was deposited as a cathode to a thickness of 170 nm to form an organic EL device. When a voltage of 20 V was applied to the device and the fluorescence emission was measured using a spectrophotometer (MCPD1000, an instantaneous multi-channel photodetector: manufactured by Otsuka Electronics), green fluorescence having a maximum emission wavelength at 520 nm was observed. The emission intensity at this time is 3500 cd / m 2 Met. Thermogravimetric analysis was performed in the same manner as in Example 11. As a result, no weight loss was observed up to 300 ° C. for the P2 compound, and high heat resistance was confirmed.
[0092]
Example 13
In the same manner as in Example 11, a P11 compound was formed on an ITO film by spin coating, and then tris (8-quinolinol) aluminum 60 nm was further formed thereon, and magnesium: silver = 10: 1 as a cathode. Was vapor-deposited at a thickness of 170 nm to produce an organic EL device. When a voltage of 14 V was applied to this device, and fluorescence emission was measured using a spectrophotometer (Instant Multi-Channel Photodetector MCPD1000: manufactured by Otsuka Electronics), green fluorescence having a maximum emission wavelength at 520 nm was observed. The emission intensity at this time is 600 cd / m 2 Met. Thermogravimetric analysis was performed in the same manner as in Example 11. As a result, no weight loss was observed up to 300 ° C. for the P11 compound, and high heat resistance was confirmed.
[0093]
【The invention's effect】
The poly (silanilene-diethynylene arylene) of the present invention can be stably obtained at a high temperature at a light emitting property, and thus is extremely useful as a hole transport material constituting an organic EL device.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 shows the poly (silanylene-diethynylene arylene) obtained in Example 1. 1 It is a chart of H-nuclear magnetic resonance spectrum.
Claims (2)
(A)置換基を有しても良い炭素数15〜100のアリーレン基、置換基を有しても良い炭素数3〜100で少なくとも1つの窒素原子をその環骨格内に有するπ過剰ヘテロアリーレン基または置換基を有しても良い炭素数8〜100で窒素原子をその環骨格内に有さないπ過剰ヘテロアリーレン基
(B)下記式
で示されるスチリレン基
(C)下記式
で示されるフェニレンビニレン基
R1およびR2は、それぞれ独立に、置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアリール基または置換基を有しても良いヘテロアリール基であり、nはシラニレン単位の繰り返し数を表す1〜10の整数である。〕
で示され、重量平均分子量が500〜100000であるポリ(シラニレン−ジエチニルアリーレン)。The following general formula (1)
(A) an arylene group having 15 to 100 carbon atoms which may have a substituent, and a π-rich heteroarylene having 3 to 100 carbon atoms which may have a substituent and having at least one nitrogen atom in its ring skeleton. A π-excess heteroarylene group having 8 to 100 carbon atoms which may have a group or a substituent and having no nitrogen atom in its ring skeleton (B)
Stilylene group (C) represented by the following formula
Phenylene vinylene groups R 1 and R 2 represented in each independently, an alkyl group which may have a substituent, may have a an optionally substituted aryl group or an optionally substituted heteroaryl group And n is an integer of 1 to 10 representing the number of repeating silanylene units. ]
And a poly (silanylene-diethynylarylene) having a weight average molecular weight of 500 to 100,000.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003107283A JP2004002806A (en) | 2002-04-15 | 2003-04-11 | Poly (silanilene-diethynylarylene) and hole transport material |
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---|---|---|---|
JP2002111534 | 2002-04-15 | ||
JP2003107283A JP2004002806A (en) | 2002-04-15 | 2003-04-11 | Poly (silanilene-diethynylarylene) and hole transport material |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004002806A true JP2004002806A (en) | 2004-01-08 |
Family
ID=30446995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003107283A Pending JP2004002806A (en) | 2002-04-15 | 2003-04-11 | Poly (silanilene-diethynylarylene) and hole transport material |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004002806A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7666968B2 (en) * | 2006-04-21 | 2010-02-23 | 3M Innovative Properties Company | Acene-thiophene copolymers with silethynly groups |
EP2208745A1 (en) * | 2007-09-28 | 2010-07-21 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Polymer compound, method for producing the same, and composition containing the polymer compound |
CN114106338A (en) * | 2021-10-22 | 2022-03-01 | 华东理工大学 | Silicon aryne resin with p-diacetylene diphenylmethane structure and composite material and preparation method thereof |
-
2003
- 2003-04-11 JP JP2003107283A patent/JP2004002806A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP2208745A4 (en) * | 2007-09-28 | 2012-03-28 | Sumitomo Chemical Co | POLYMER COMPOUND, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND COMPOSITION CONTAINING THE POLYMER COMPOUND |
CN114106338A (en) * | 2021-10-22 | 2022-03-01 | 华东理工大学 | Silicon aryne resin with p-diacetylene diphenylmethane structure and composite material and preparation method thereof |
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