JP2003527727A - Micro switch contact - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】
（技術分野）
本発明は機械閉成式の電気マイクロスイッチ接点に関するものである。本タイ
プのスイッチ接点は、大容量の電流を最小空間へ切換える場合に必要とされる。
つまり、センサーやアクチュエータ、または電気工学、自動車工学の分野や、化
学的活性な環境といった、高電力／高温のアプリケーションに応用される。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a mechanically closed electrical microswitch contact. This type of switch contact is needed when switching large currents to a minimum space.
That is, it is applied to high power / high temperature applications such as sensors and actuators, electrical engineering, automotive engineering, and chemically active environments.
【０００２】
（背景技術）
従来型のリレーと比較すると、機械マイクロスイッチの速度は速く、耐衝撃性
を備え、静電駆動するためわずかな駆動力しか必要としない。また、制御漏洩電
流も無視できる程度である。小型化したことで、さらに高電力パルスにより作動
するマイクロ波回路における応用が可能になった。ここでのマイクロスイッチと
マイクロリレーは、静電（容量性）、磁気、誘導原理に基づいており、温度変化
により開閉可能となっている。そのようなマイクロスイッチの構造は、シリコン
、金属、セラミックなどのマイクロメカニック概念に基づいている。一般的に、
ニ酸化シリコン被膜をもつシリコンで電気的絶縁性の基台をもち、接点は異なる
複数層の素材構成から成る。それゆえ、製造するためには、複合材構造や対応す
る複合方法が必要となる。BACKGROUND ART [0002] Compared with a conventional relay, a mechanical micro switch has a high speed, is shock resistant, and requires a small driving force for electrostatic driving. The control leakage current is also negligible. The miniaturization has enabled applications in microwave circuits that operate with higher power pulses. The micro switch and the micro relay here are based on the principle of electrostatic (capacitive), magnetism, and induction, and can be opened and closed by a temperature change. The structure of such a microswitch is based on the micromechanical concept of silicon, metal, ceramic and the like. Typically,
It has an electrically insulating base made of silicon with a silicon dioxide film, and the contacts are composed of different layers of material. Therefore, composite structures and corresponding composite methods are required for manufacture.
【０００３】
しかしながら、高電流においては、開閉操作による熱の伝播により素材が耐え
られないほどの高温が発生する恐れがあるため、金属製やシリコン製のマイクロ
スイッチで開閉操作する電流には制限がある。別の例として、ハイブリッド構造
やセラミック製のスイッチも提案されている。けれどもやはり、曲げビームなど
をこれらの素材で作成するには、厚さに下方制限がある。However, at a high current, there is a risk that the material will endure a high temperature due to heat transfer due to switching operation, so there is a limit to the current that can be operated by a metal or silicon microswitch. is there. As another example, hybrid structures and ceramic switches have been proposed. However, again, there is a lower limit on the thickness for making bending beams and the like with these materials.
【０００４】
（発明の開示）
本発明の目的は、化学的に不活性であり、高い耐久性、優れた耐衝撃性、高い
開閉動作性を備え、また、素材の複雑性が最低限であるため、マイクロ波への応
用に適しており、かなりの高温においても使用可能で、高密度の電流を切換えで
きるような、機械閉成式電気マイクロスイッチ接点を提供することである。DISCLOSURE OF THE INVENTION An object of the present invention is that it is chemically inert, has high durability, excellent impact resistance, high opening and closing operability, and has minimal material complexity. Therefore, it is an object of the present invention to provide a mechanically closed electric micro switch contact which is suitable for microwave application, can be used even at a considerably high temperature, and can switch a high density current.
【０００５】
前記の目的を達成するには、請求項１に記載のマイクロスイッチ接点を使用し
、そのマイクロスイッチ接点は請求項２８に記載の作成方法で製造すればよい。
さらに有利な展開例を付随の請求項に示す。To achieve the above object, the microswitch contact according to claim 1 is used, and the microswitch contact may be manufactured by the manufacturing method according to claim 28.
Further advantageous developments are given in the appended claims.
【０００６】
本発明に従ったマイクロスイッチ接点は、それぞれ２つの導電接触面が互いに
接触して閉成状態を成す、２つの導電接点部を備えている。また、前記２つの接
触面のうち少なくとも１つが、高ドーピング処理された導電性、つまり準金属製
ダイヤモンド、炭化シリコン（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化ホウ素
（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、および／または、窒化アルミニウムガ
リウム（ＡｌＧａＮ）で構成される。前記のダイヤモンドは高デバイ温度の特性
をもつので、耐高温性であって、高温度伝導率を有する。さらに、上記の素材は
、ドーピング処理を施すことでその電気特性に、絶縁体、半導体、あるいは準金
属性という変化が生じるという性質をもつ。さらにまた、ダイヤモンドは高い耐
磨耗性と構造的安定性を有するため、そのスイッチ接点の耐用年数も長くなるの
である。加えて、本発明によるマイクロスイッチは、最高８００℃の高温におい
ても使用可能であり、＜６００℃の作動温度において例えば１ｘ１０６Ａ／ｃｍ ２
の（高電力消費をともなう）高密度電流の切換えにも利用することができる。
このような特性は、単一の基本素材により獲得可能である。また、ダイヤモンド
は高温においても塑性変形しないので、Ｔ＞６００℃以上の温度であっても閾値
電圧に変化は生じない。[0006]
The microswitch contacts according to the invention each have two conductive contact surfaces
It is provided with two conductive contact portions that come into contact with each other to form a closed state. Also, the two connections
At least one of the contact surfaces is made of highly doped conductive or semi-metallic material
Diamond, silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), boron nitride
(BN), aluminum nitride (AlN), and / or aluminum nitride gas
It is composed of lithium (AlGaN). The above diamonds have high Debye temperature characteristics
Therefore, it has high temperature resistance and high thermal conductivity. Furthermore, the above materials are
, The electrical properties of the insulator, semiconductor, or semi-gold
It has the property that changes in attributes occur. Furthermore, diamond is highly resistant
Its wear resistance and structural stability also extend the service life of its switch contacts
Is. In addition, the microswitch according to the present invention has a high temperature odor of up to 800 ° C.
Can also be used, for example 1 x 10 at operating temperatures <600 ° C6A / cm Two
Can also be used to switch high density currents (with high power consumption).
Such properties can be obtained with a single basic material. Also diamond
Does not plastically deform even at high temperatures, so even if the temperature is T> 600 ° C or higher, the threshold
There is no change in voltage.
【０００７】
閾値電圧以下では必要最小限の開閉電圧を、開閉遮断周波数以下では最大開閉
周波数を、安定して生成できる。It is possible to stably generate the minimum required switching voltage below the threshold voltage and the maximum switching frequency below the switching cutoff frequency.
【０００８】
このタイプの高温における安定は、金属またはシリコンに基づくマイクロスイ
ッチで実現することはできない。This type of high temperature stability cannot be achieved with metal or silicon based microswitches.
【０００９】
さらに、本発明によるマイクロスイッチにおいて、通常０．５から１０μｍの
幅の曲げビームのような小型自己支持層構造を形成することもできる。この構造
により、移動部分の慣性が低減され、スイッチ開閉動作域が拡大する。しかしな
がら現状では、優れた屈曲強度と耐破断性を備えたこの種類の小型層厚を、セラ
ミックやハイブリッド構造において実現することは不可能である。Furthermore, in the microswitches according to the invention, it is also possible to form small self-supporting layer structures, such as bending beams, which are typically 0.5 to 10 μm wide. With this structure, the inertia of the moving part is reduced, and the switch opening / closing operation range is expanded. At present, however, it is not possible to realize this type of small layer thickness with excellent bending strength and puncture resistance in ceramic or hybrid structures.
【００１０】
本発明においては、接点部の一方、好ましくは両方の接触面を、ダイアモンド
、ＳｉＣ、ＡｌＮ、ＢＮ、ＧａＮ、および／または、ＡｌＧａＮで形成してもよ
い。また別の方法として、２つの接触面のうち１つを、少なくとも部分的に金属
（Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ）や炭化物形成金属、および／または、高温でも安定
である金属膜で形成しても構わない。ここでの耐高温性金属膜は、Ｗ：Ｓｉおよ
び／または、Ｔａ：Ｓｉを含む。In the present invention, one of the contact portions, preferably both contact surfaces, may be formed of diamond, SiC, AlN, BN, GaN, and / or AlGaN. Alternatively, one of the two contact surfaces may be formed at least partially with a metal (Al, Au, Cu, Ni) or a carbide forming metal and / or a metal film that is stable at high temperatures. I don't mind. The high temperature resistant metal film here contains W: Si and / or Ta: Si.
【００１１】
有利な点として、前記の２つの接触面はそれぞれ、基板および／または曲げビ
ーム上に取りつけられている。この場合、この曲げビームはその端部に設置する
アンカーにカンチレバー式に固定されるか、または別の機械的接続方法で固定さ
れる。前記の基板とアンカー、あるいは曲げビームは全て、前述の素材、つまり
、ダイアモンド、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＢＮ、および／または、ＡｌＧａＮ
で形成することができる。また、立体窒化ホウ素を、前記のＢＮとして、本発明
によるマイクロスイッチ接点の全ての層と部材に利用してもよい。Advantageously, the two contact surfaces are each mounted on a substrate and / or a bending beam. In this case, the bending beam is cantilevered to an anchor installed at its end or fixed by another mechanical connection method. The substrates and anchors or bending beams are all made of the materials mentioned above, namely diamond, SiC, GaN, AlN, BN and / or AlGaN.
Can be formed with. Also, steric boron nitride may be used as the above-mentioned BN in all layers and members of the microswitch contact according to the present invention.
【００１２】
ダイヤモンドは非常に高い弾性モジュラスをもっているので、ダイヤモンドを
使用すれば、前記の曲げビームは優れた機械的弾性を備え、高開閉遮断周波数を
生じることになる。そこで、その静電的、絶縁的、液圧的、空圧的、機械的、お
よび／または、熱機械的原理に基づいて、曲げビームを基板の方向に移動させ、
対向して設置された接点部を互いに接触させて、電気結合させることができるの
である。その電流は、例えば、第１接点部や前記曲げビーム上の金属膜にそれぞ
れ形成された、対応する外部接点から２つの接点部へ供給される。Since diamond has a very high elastic modulus, the use of diamond will result in the bending beam having excellent mechanical elasticity, resulting in a high cut-off frequency. Therefore, the bending beam is moved toward the substrate based on the electrostatic, insulating, hydraulic, pneumatic, mechanical, and / or thermomechanical principle,
It is possible to bring the contact portions, which are installed so as to face each other, into contact with each other to be electrically coupled. The electric current is supplied to the two contact portions from corresponding external contacts formed on the first contact portion and the metal film on the bending beam, respectively.
【００１３】
さらに、前記曲げビームの下の基板上には、それを介して前記の静電原理によ
り曲げビームが基板の方向に移動できるような、制御電極を設置することが可能
である。この制御電極の上部にも、制御電圧が印加される外部接点となるよう、
曲げビームに覆われた部分の外側に金属膜が施されている。Furthermore, it is possible to place on the substrate below the bending beam a control electrode through which the bending beam can move towards the substrate by the electrostatic principle. Also on the upper part of this control electrode, as an external contact to which a control voltage is applied,
A metal film is applied to the outside of the portion covered with the bending beam.
【００１４】
前記の接点部と制御電極は、いわゆるビアホール技術によって接触される。こ
の技術では、前記の基板の後方部にエッチング処理で対応する孔を形成し、そこ
で結合される対応部材の露出部分を金属で被膜して外部接点とする。The contact portion and the control electrode are contacted by a so-called via hole technique. In this technique, corresponding holes are formed in the rear portion of the substrate by etching, and exposed portions of corresponding members to be bonded therein are coated with metal to form external contacts.
【００１５】
本発明に従って、部材全体（マイクロスイッチ接点）をダイヤモンドなどの単
一素材で形成することが可能である。この場合、適当なドーピング処理によって
形成される、例えば、前記の接点部、制御電極、曲げビームは、すべて導電性で
ある。また、高ドーピング処理をすれば、ホウ素、窒素、サルファ、リンなどを
素材として使用することができる。一方、前記の基板は、前記のアンカー同様、
ＣＶＤ工程によって堆積した絶縁ダイヤモンドで形成しても構わない。According to the invention, it is possible to form the entire member (microswitch contact) from a single material such as diamond. In this case, for example, the contact points, the control electrodes and the bending beam, which are formed by a suitable doping process, are all conductive. Also, if highly doped, boron, nitrogen, sulfa, phosphorus, etc. can be used as materials. On the other hand, the substrate is the same as the anchor.
It may be formed of insulating diamond deposited by a CVD process.
【００１６】
前記の部材全体を、例えばシリコン製などの担体層の上に設置することができ
る。あるいは、この層を前記部材の製造過程において使用した後、除去すること
も可能である。また、前記基板と前記担体層の間に、担体素材から漏洩電流を防
止するために、ＳｉＯＸのような絶縁層を形成しても構わない。The entire member can be placed on a carrier layer, eg made of silicon. Alternatively, this layer can be removed after it has been used in the manufacturing process of the component. In addition, an insulating layer such as SiO X may be formed between the substrate and the carrier layer to prevent a leakage current from the carrier material.
【００１７】
本発明による固定スイッチ接点の製造は、先ず、基板、アンカー、第１接点部
、あるいはシリコン製担体上に形成される制御電極を、例えばＣＶＤ技法、好ま
しくはプラズマ式ＣＶＤ、あるいはアークジェット式ＣＶＤ、または、熱フィラ
メント式ＣＶＤ技法によって形成していく。その後で、犠牲層が形成され、その
上に前記の曲げビームを設置する。前記の曲げビームは、ここで前記のアンカー
に結合され、その結果、前記の基板にも接合する。それから前記の犠牲層は除去
されて、前記の曲げビームがカンチレバー式機械部として設置されるのである。In the manufacture of the fixed switch contact according to the invention, the control electrode formed on the substrate, the anchor, the first contact part or the silicon carrier is first subjected to, for example, the CVD technique, preferably plasma CVD, or arc jet. It is formed by the CVD method or the hot filament CVD method. Thereafter, a sacrificial layer is formed on which the bending beam is placed. The bending beam is now bonded to the anchor and consequently also to the substrate. The sacrificial layer is then removed and the bending beam is installed as a cantilevered mechanical part.
【００１８】
本発明によるマイクロスイッチ接点の例を下記に示す。
図１に、本発明によるマイクロスイッチ接点１を示す。マイクロスイッチ接点
１の基板３は、非ドープ処理の非導電性のダイヤモンドで形成され、ＣＶＤ技法
で堆積させたもので、それがシリコン製の担体レイヤ２上に設置されている。こ
の基板の一端部には、アンカー４という非導電性ダイアモンド層が接合し、もう
一方の端部には、ホウ素でしっかりとドープ処理されたダイヤモンドで形成され
た準金属性で導電性の接合部７が配置してある。An example of a microswitch contact according to the present invention is shown below. FIG. 1 shows a microswitch contact 1 according to the invention. The substrate 3 of the microswitch contact 1 is made of non-doped, non-conductive diamond and is deposited by a CVD technique, which is mounted on a carrier layer 2 made of silicon. A non-conductive diamond layer called an anchor 4 is bonded to one end of this substrate, and a semi-metallic, conductive bond made of diamond firmly doped with boron is bonded to the other end of the anchor 4. 7 is arranged.
【００１９】
アンカー４の上側にあり、後者に結合し、基板３に向かって接点部７へ突出し
ている接点部は、強力ホウ素ドーピング処理されて準金属性で導電性のダイヤモ
ンドで形成された曲げビーム５に設置される。ここでのアンカー４の高さにより
、基板３と曲げビーム５との間隔が決まる。曲げビーム５は第１接点部７へ向か
ってカンチレバー状に伸び、その底面部には、導電ダイヤモンドで形成された第
２接点部８を備える。また、このスイッチが開状態のときには、接点部７と８は
所定の間隔を保つことになる。The contact part, which is above the anchor 4 and which is connected to the latter and projects toward the contact part 7 toward the substrate 3, is bent by strong boron doping and formed by semi-metallic and conductive diamond. It is installed on the beam 5. The height of the anchor 4 here determines the distance between the substrate 3 and the bending beam 5. The bending beam 5 extends in a cantilever shape toward the first contact portion 7, and has a second contact portion 8 formed of conductive diamond on the bottom surface thereof. Further, when this switch is in the open state, the contact portions 7 and 8 maintain a predetermined distance.
【００２０】
前記の曲げビームの下側、つまり基板３と曲げビーム５の間には、導電ダイヤ
モンド製の制御電極９が配置されている。この制御電極９と第１接点部７はとも
に、電圧と電流が印加された際に外部接合部として作用するよう、それぞれＷ：
Ｓｉ（１１）、Ａｕ（１１）、又はそれぞれ（１０）で金属被膜されている。こ
れら金属膜部１１と１０は、曲げビーム５でカバーされる部分の外側に取り付け
てある。このため、曲げビーム５が矢印Ａの方向で曲がった場合、曲げビームと
２つの金属膜部１１と１０は接触しない。A control electrode 9 made of conductive diamond is arranged below the bending beam, that is, between the substrate 3 and the bending beam 5. Both the control electrode 9 and the first contact portion 7 are W: so that they act as external joints when voltage and current are applied.
Metallized with Si (11), Au (11), or each (10). These metal film portions 11 and 10 are attached to the outside of the portion covered with the bending beam 5. Therefore, when the bending beam 5 bends in the direction of the arrow A, the bending beam and the two metal film portions 11 and 10 do not contact each other.
【００２１】
第２接点部８は曲げビーム５を介して金属膜部６と電気的に接触しているので
、曲げビームの外側接合部として作用する。この金属膜部６から第２接点部８へ
電圧を印加できる。Since the second contact portion 8 is in electrical contact with the metal film portion 6 via the bending beam 5, it acts as an outer joint portion of the bending beam. A voltage can be applied from the metal film portion 6 to the second contact portion 8.
【００２２】
前記の曲げビーム５は、厚さと長さによりその弾性を変化させることが可能な
ので、例えば、閾値電圧や開閉遮断電流をそれぞれ調節することもできる。Since the elasticity of the bending beam 5 can be changed depending on the thickness and the length, for example, the threshold voltage and the switching breaking current can be adjusted respectively.
【００２３】
別の実施例として、マイクロスイッチ接点の基板３に、ダイヤモンドの代わり
にＳｉＣ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、またはＢＮを使用しても構わない。担
体２は、（１００）配向シリコンで形成されていることを特徴とするので、基板
３は配向性が高く、表面は平面性に富んでいる。また、第２接点部８を、Ｗ：Ｓ
ｉやＴａ：Ｓｉなどの耐熱性金属膜で形成することもできる。しかしながらまた
別の例としては、ダイヤモンド製の第２接点素子８と、耐熱性に優れた金属膜を
施した第１接点素子７とを採用してもよい。この金属膜自体は、ダイヤモンドの
支持体に形成（金属膜ダイヤモンド）でき、それはダイヤモンドの優れた物理的
特性を生かすことになる。耐熱性に優れたこの種の金属膜は、耐熱性のショット
キーダイオード素材などとして周知のものである。As another example, SiC, GaN, AlN, AlGaN, or BN may be used instead of diamond for the substrate 3 of the microswitch contact. Since the carrier 2 is characterized by being formed of (100) oriented silicon, the substrate 3 has high orientation and the surface is rich in flatness. In addition, the second contact portion 8 is W: S
It can also be formed of a heat resistant metal film such as i or Ta: Si. However, as another example, the second contact element 8 made of diamond and the first contact element 7 provided with a metal film having excellent heat resistance may be adopted. This metal film itself can be formed on a diamond support (metal film diamond), which will take advantage of the excellent physical properties of diamond. This type of metal film having excellent heat resistance is well known as a heat resistant Schottky diode material.
【００２４】
図１に示すスイッチ接点１は、（静電）容量方式で開閉する。また本実施例で
は、曲げビーム５を上側キャパシタ板として、制御電極９を下側電極として形成
している。曲げビーム５と制御素子９間の幾何学的寸法に基づいて、開閉電圧は
数ボルト〜約１０ボルトで調節可能である。この実施例における曲げビーム５の
厚さは０．５〜１０μｍである。このような低層の厚みのため、ダイヤモンドの
高い弾性と同様に慣性が低くなり、その結果、高開閉遮断電流の原因になる。こ
のため、セラミックあるいはハイブリッド構造において、曲げビーム５にこのよ
うな低層のものを使用することは不可能である。The switch contact 1 shown in FIG. 1 is opened and closed by a (electrostatic) capacitance method. Further, in this embodiment, the bending beam 5 is formed as an upper capacitor plate and the control electrode 9 is formed as a lower electrode. Depending on the geometrical dimensions between the bending beam 5 and the control element 9, the switching voltage can be adjusted from a few volts to about 10 volts. The thickness of the bending beam 5 in this example is 0.5-10 μm. Such low layer thickness results in low inertia as well as the high elasticity of diamond, resulting in high switching break currents. For this reason, it is not possible to use such low-layer bending beams 5 in ceramic or hybrid structures.
【００２５】
図２には、図１のマイクロスイッチ接点１での閾値電圧における、温度の影響
を測定した結果を示す。このグラフから、６００℃をゆうに越える温度でも閾値
電圧に変化なく開閉可能であることが、容易に理解できるであろう。FIG. 2 shows the result of measuring the effect of temperature on the threshold voltage of the microswitch contact 1 of FIG. From this graph, it can be easily understood that even at a temperature well over 600 ° C., it can be opened and closed without changing the threshold voltage.
【００２６】
図３には、図１に示すマイクロスイッチ接点の真空における温度分布を１ｘ１
０６Ａ／ｃｍ２の電流密度でシュミレートした結果を示す。FIG. 3 shows a temperature distribution in vacuum of the microswitch contact shown in FIG.
0 6 shows the results of simulated at a current density of A / cm 2.
【００２７】 ダイヤモンドの高い熱伝導率により、電力消費の抑制が可能である。[0027] Due to the high thermal conductivity of diamond, it is possible to reduce power consumption.
【００２８】 前記の素材の高温安定性により、開閉接点は耐熱性を有する。[0028] Due to the high temperature stability of the above materials, the switching contacts have heat resistance.
【００２９】
図４には、本発明によるマイクロスイッチ接点のさらに別の実施例を示す。本
実施例は、高周波数を発生させるために遮蔽してある。本構造において、図１の
構造と対応する各素子には図１と同様の番号を付けてあるので、詳しい説明は省
略する。FIG. 4 shows still another embodiment of the microswitch contact according to the present invention. This embodiment is shielded to generate a high frequency. In this structure, each element corresponding to the structure of FIG. 1 is assigned the same number as that of FIG. 1, and therefore detailed description thereof is omitted.
【００３０】
図１と比較すると、互いに電気分離した３種類の金属膜６ａ、６ｂ、６ｃをも
つことから、曲がりビーム５はアンカー４に対してより強固である。この曲げビ
ーム自体は、絶縁体であるダイヤモンドで形成されており、図４Ａに示すように
、金属膜６ａ、６ｂ、６ｃはそれぞれ接点部８ａ、８ｂ、８ｃと接合している。
金属膜６ａ、６ｂ、６ｃはアンカー４の側面に沿って接合しており、その先の金
属膜１２ａ、１２ｂ、１２ｃへと延長している。このように、曲げビーム５には
全部で３つの開閉指示部、つまり、金属膜６ｂを備え、信号を伝達する中央開閉
指示部と、金属膜６ａと６ｂとを備え、遮蔽用に接地された２つの開閉指示部が
配備されている。Compared with FIG. 1, the bending beam 5 is more rigid with respect to the anchor 4 because it has three kinds of metal films 6 a, 6 b, 6 c electrically separated from each other. The bending beam itself is formed of diamond, which is an insulator, and the metal films 6a, 6b, 6c are joined to the contact portions 8a, 8b, 8c, respectively, as shown in FIG. 4A.
The metal films 6a, 6b, 6c are joined along the side surface of the anchor 4 and extend to the metal films 12a, 12b, 12c ahead of them. As described above, the bending beam 5 includes a total of three opening / closing instructions, that is, the metal film 6b, the central opening / closing instruction for transmitting signals, and the metal films 6a and 6b, which are grounded for shielding. Two opening / closing instructions are provided.
【００３１】
制御素子９へ必要電圧を印加して、前記の曲げビーム５を曲げると、接点部６
ａ、６ｂ、６ｃが、ダイヤモンド製の基板３上にある接点部７ａ、７ｂ、７ｃと
それぞれ接触する。その結果、金属膜１２ａ、１２ｂ、１２ｃと金属膜１０ａ、
１０ｂ、１０ｃがそれぞれ電気的に結合することになる。こうして、信号だけで
なくそれに対応する接地シールドまで結合するのである。When the required voltage is applied to the control element 9 to bend the bending beam 5, the contact portion 6
a, 6b, and 6c contact the contact portions 7a, 7b, and 7c on the diamond substrate 3, respectively. As a result, the metal films 12a, 12b, 12c and the metal film 10a,
10b and 10c are electrically coupled to each other. Thus, not only the signal but also its corresponding ground shield is coupled.
【００３２】
図４Ｂは、各開閉指示部の断面図である。これら全ての開閉指示部は、１つの
曲げビーム５に配置されている。また、開閉指示部は構造的にすべて同じもので
あるので、ここではａ、ｂ、ｃの符号を省略した。FIG. 4B is a sectional view of each opening / closing instruction unit. All of these opening / closing instructions are arranged on one bending beam 5. Further, since the opening / closing instruction unit is structurally the same, the symbols a, b, and c are omitted here.
【００３３】
図５には、本発明によるまた別の開閉接点の例を示す。この実施例も３つの指
示部を備えているが、開閉するのは中央の信号接点だけである。図５にも図４と
同様に、対応する部材には図１と同じ参照番号を付けてあるので、各部材の説明
は省略する。FIG. 5 shows an example of another switching contact according to the present invention. This embodiment also has three indicators, but only the central signal contact opens and closes. Similar to FIG. 4, the corresponding members in FIG. 5 are designated by the same reference numerals as those in FIG. 1, and the description of each member is omitted.
【００３４】
図５Ｂは、標準的な曲がりビームに金属膜１４を施した接地開閉接点の断面図
である。絶縁体であるダイヤモンド層３とアンカー４の間には、開閉指示部の長
さまで伸びる金属膜１３が備わり、接地シールドは互いに開閉接点の両側面に結
合している。曲げビーム５の上の金属膜１４は、制御電極として作用する。金属
膜１３と１４はどちらも、Ｗ：Ｓｉ、Ｗ：Ｓｉ：Ｎ、Ｔｉ、Ａｕ、などで形成で
きる。また、Ｐ＋ダイヤモンド層を底面に敷いても構わない。本実施例では、曲
げビーム５に半絶縁体を採用している。FIG. 5B is a cross-sectional view of a ground bending contact in which a standard curved beam is provided with a metal film 14. Between the diamond layer 3 which is an insulator and the anchor 4, a metal film 13 extending to the length of the opening / closing instruction portion is provided, and the ground shields are connected to both side surfaces of the opening / closing contact with each other. The metal film 14 on the bending beam 5 acts as a control electrode. Both metal films 13 and 14 can be formed of W: Si, W: Si: N, Ti, Au, or the like. Also, a P + diamond layer may be laid on the bottom surface. In this embodiment, the bending beam 5 uses a semi-insulator.
【００３５】
図５Ｃには、信号配線である中央開閉指示部を示す。この開閉接点は図４Ｂに
示すものと同じ構造であるので、ここでの説明は省略する。FIG. 5C shows a central opening / closing instruction portion which is a signal wiring. Since this open / close contact has the same structure as that shown in FIG. 4B, the description thereof is omitted here.
【００３６】
図５Ａは、本実施例による開閉接点の全体図である。曲げビーム５が曲がった
際に、中央開閉指示部のみが接点部７と８との間を電気結合させることが明らか
であろう。ビーム接点部１４と基板接地面１３間に電圧を印加すると、ビーム５
は静電のため移動する。このようにして、このダイヤモンド製の接点は接点部７
、８を介して結合し、信号流は金属膜１２、６から接点部８、７そして金属膜１
０へと流れる。電圧を制御するビーム金属膜１４は、アンカー４を絶縁するため
にその底面や側面に敷かれている基板接地金属膜１３とは、電気的に分離してい
る。２つの信号金属膜６は、基板信号金属膜１２と結合しており、金属膜１２と
１３、また、１０と１３はそれぞれ間隔をおいて配置してあるので、互いに電気
的に分離している。FIG. 5A is an overall view of the switching contact according to the present embodiment. It will be clear that when the bending beam 5 is bent, only the central opening / closing indicator makes an electrical connection between the contacts 7 and 8. When a voltage is applied between the beam contact portion 14 and the substrate ground plane 13, the beam 5
Moves due to static electricity. In this way, this diamond contact is made into contact part 7
, 8 and the signal flows from the metal films 12, 6 to the contact parts 8, 7 and the metal film 1
Flows to 0. The beam metal film 14 for controlling the voltage is electrically separated from the substrate ground metal film 13 laid on the bottom surface or side surface of the anchor 4 to insulate the anchor 4. The two signal metal films 6 are coupled to the substrate signal metal film 12, and the metal films 12 and 13 and 10 and 13 are arranged at intervals, respectively, so that they are electrically separated from each other. .
【００３７】
総括すると、本発明によるマイクロスイッチ接点を採用すれば、かなりの高温
においても大容量の電流を切換えることが可能となる。特にダイヤモンドは、ド
ーピング処理に応じて多様な電気特性を生じるため、マルチ機能素材として応用
できることに注目した。ダイヤモンドは高熱導電性と耐高熱性である。本発明に
よるマイクロスイッチは化学的に不活性であり、耐用年数が長く、高い耐衝撃性
、高開閉力学性、素材の簡素性に富むため、マイクロ波への応用に最適である。In summary, the use of the microswitch contact according to the present invention makes it possible to switch a large amount of current even at a considerably high temperature. In particular, it has been noted that diamond can be applied as a multi-functional material because it produces various electrical properties depending on the doping process. Diamond has high thermal conductivity and high heat resistance. The microswitch according to the present invention is chemically inert, has a long service life, has high impact resistance, high opening and closing dynamics, and is simple in material, and is therefore suitable for microwave application.
【図１】 本発明によるマイクロスイッチ接点である。[Figure 1] 3 is a microswitch contact according to the present invention.
【図２】 図１のスイッチ接点の、閾値電圧における温度影響を示す。[Fig. 2] 3 shows the temperature effect on the threshold voltage of the switch contact of FIG.
【図３】
図１のマイクロスイッチ接点の、真空での温度分布のシュミレーション結果を
示す。FIG. 3 shows a simulation result of temperature distribution in vacuum of the microswitch contact of FIG.
【図４】 １つの開閉スイッチ接点と２つのシールドを備えるスイッチ接点である。[Figure 4] It is a switch contact having one open / close switch contact and two shields.
【図５】 １つの開閉信号接点と２つの開閉シールドを備えるスイッチ接点である。[Figure 5] It is a switch contact having one open / close signal contact and two open / close shields.
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書[Procedure for Amendment] Submission for translation of Article 34 Amendment of Patent Cooperation Treaty
【提出日】平成１３年３月１日（２００１．３．１）[Submission date] March 1, 2001 (2001.3.1)
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】請求項１[Name of item to be corrected] Claim 1
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正の内容】[Contents of correction]
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】請求項４[Name of item to be corrected] Claim 4
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正の内容】[Contents of correction]
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ， ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ Ｒ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ， ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，Ｋ Ｚ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ， ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，Ｓ Ｋ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 アートル，シュテファン ドイツ国 Ｄ−89415 ラウインゲン，ヘ ルツォーク−ゲオルグ−シュトラーセ 39 (72)発明者 シュミット，フィリップ ドイツ国 Ｄ−89231 ノイ−ウルム，マ リーンシュトラーセ １ Ｆターム(参考） 5G050 AA02 AA04 AA07 AA15 AA43 AA46 AA51 BA12 CA06 CA07 DA02 EA08 EA12 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (81) Designated countries EP (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, I T, LU, MC, NL, PT, SE), OA (BF, BJ , CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG), AP (GH, GM, K E, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW ), EA (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM), AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, C R, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI , GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, K Z, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA , MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, S K, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG , US, UZ, VN, YU, ZA, ZW (72) Inventor Artle, Stephan Germany D-89415 Reuingen, F Lutzow-Georg-Strasse 39 (72) Inventor Schmidt, Philip Germany D-89231 Neu-Ulm, Ma Leanstrasse 1 F-term (reference) 5G050 AA02 AA04 AA07 AA15 AA43 AA46 AA51 BA12 CA06 CA07 DA02 EA08 EA12
Claims (30)
１と第２の導電接触面を備えた第１と第２の導電接点部を有しており、前記の２
つの接点部は第１と第２の接触面において互いに所定の間隔をもってマイクロス
イッチ接点の開離状態を成し、互いに接触して閉成状態を成しており、前記の第
１接触面および／または第２接触面が、少なくとも部分的に高ドーピング処理し
た導電ダイアモンド、炭化シリコン（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化
ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、および／または、
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）で構成されることを特徴とする機械閉成式電気マイ
クロスイッチ接点。1. A mechanically closed electrical microswitch contact having first and second conductive contact portions each having first and second conductive contact surfaces, said two
The two contact portions are in a separated state of the microswitch contacts at a predetermined distance from each other on the first and second contact surfaces, and are in contact with each other to be in a closed state. Or the second contact surface is at least partially highly doped conductive diamond, silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), boron nitride (BN), aluminum gallium nitride (AlGaN), and / or
A mechanically closed electric microswitch contact, characterized by being composed of aluminum nitride (AlN).
化物形成金属、および／または、高温で安定化する金属膜から成ることを特徴と
する、前記請求項に記載のマイクロスイッチ接点。2. A method according to claim 1, characterized in that one of the two contact surfaces is at least partly composed of a metal, a carbide-forming metal and / or a metal film which stabilizes at high temperatures. Micro switch contacts.
Ｓｉを含むことを特徴とする、前記請求項に記載のマイクロスイッチ接点。3. The high temperature resistant metal film is W: Si and / or Ta:
Microswitch contact according to the previous claims, characterized in that it comprises Si.
面に取り付けられる基板と、第１の接点部から所定間離れた基板の上面に取り付
けられたアンカーと、前記の基板から離れたアンカーの表面に取り付けられて、
前記のアンカーにより基板から所定間隔をおいて保持され、かつ、アンカーから
少なくとも第１接点部を越えた位置までカンチレバー式に伸長している曲げビー
ムを備え、前記の第２接点部が、その第２接点部の接触面が第１接点部の接触面
と対向できるよう第１接点部に対向する曲げビームの表面に取りつけられている
ことを特徴とする、前記請求項のいずれか１項に記載のマイクロスイッチ接点。4. A substrate having a first contact portion attached to an upper surface of the substrate such that a contact surface of the first contact portion faces the substrate, and an anchor attached to an upper surface of the substrate at a predetermined distance from the first contact portion. Attached to the surface of the anchor away from the substrate,
A bending beam, which is held at a predetermined distance from the substrate by the anchor and extends cantilevered from the anchor to a position beyond at least the first contact portion, wherein the second contact portion has The contact surface of the two contact parts is attached to the surface of the bending beam facing the first contact part so that the contact surface of the two contact parts can face the contact surface of the first contact part. Micro switch contacts.
ｉＣ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＢＮ、および／または、ＡｌＮで構成されることを
特徴とする、前記請求項に記載のマイクロスイッチ接点。5. The substrate is at least partially an insulating diamond layer, S.
Microswitch contact according to the previous claim, characterized in that it is composed of iC, GaN, AlGaN, BN and / or AlN.
せるように、少なくとも部分的に絶縁ダイアモンド、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＡｌＧａ
Ｎ、ＢＮ、および／または、ＡｌＮで構成されることを特徴とする、前記２つの
請求項のいずれか１項に記載のマイクロスイッチ接点。6. The anchor is at least partially insulating diamond, SiC, GaN, AlGa so as to insulate the substrate and the bending beam from each other.
Microswitch contact according to one of the two preceding claims, characterized in that it is made of N, BN and / or AlN.
された導電ダイアモンド、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＢＮ、および／または
、ＡｌＮで構成されることを特徴とする、前記３項の請求項のいずれか１項に記
載のマイクロスイッチ接点。7. The method of claim 3, wherein the bending beam is composed at least in part of doped conductive diamond, SiC, GaN, AlGaN, BN, and / or AlN. A microswitch contact according to any one of the preceding claims.
から１０μｍの厚さをもつことを特徴とする、前記請求項４から７のいずれか１
項に記載のマイクロスイッチ接点。8. The bending beam is 0.5 in a direction perpendicular to the surface of the substrate.
1 to 10 μm, characterized in that it has a thickness of 1 to 10 μm.
The microswitch contact according to item.
とを特徴とする、前記請求項４から８のいずれか１項に記載のマイクロスイッチ
接点。9. The microswitch contact according to claim 4, wherein the substrate is mounted as a carrier on a base.
いることを特徴とする、前記請求項に記載のマイクロスイッチ接点。10. The microswitch contact according to claim 1, wherein the base is at least partially formed of silicon.
ンから成ることを特徴とする、前記請求項に記載のマイクロスイッチ接点。11. The microswitch contact of claim 11, wherein the base is at least partially composed of (100) oriented silicon.
たは、熱力学式に開閉することを特徴とする、前記請求項４から１１のいずれか
１項に記載のマイクロスイッチ接点。12. The method according to claim 4, wherein the contacts open and close electrostatically, electrically inductively, mechanically and / or thermodynamically. Micro switch contacts.
に設置されていることを特徴とする、前記請求項に記載のマイクロスイッチ接点
。13. Microswitch contact according to claim 1, characterized in that a control electrode is arranged on the substrate between the substrate and the bending beam.
ピング処理され、導電性であることを特徴とする、前記請求項に記載のマイクロ
スイッチ接点。14. The microswitch contact of claim 1, wherein the control electrode is at least partially diamond-doped and conductive.
をもつことを特徴とする、前記２項の請求項のいずれか１項に記載のマイクロス
イッチ接点。15. The microswitch contact according to claim 2, further comprising an electric contact outside the control electrode for introducing a voltage.
が、接点域の外側の第１および／または第２接点部に取り付けてあることを特徴
とする、前記請求項のいずれか１項に記載のマイクロスイッチ接点。16. An external electrical contact for introducing voltage and power to said contact portion is attached to the first and / or second contact portion outside the contact area. The microswitch contact according to any one of 1.
、表面を金属被膜され外部電気接点として形成されていることを特徴とする、前
記請求項に記載のマイクロスイッチ接点。17. The micro according to claim 1, wherein the first and / or second contact portion is formed as an external electrical contact with a metal coating on the surface outside the contact area. Switch contact.
表面が金属被膜されていることを特徴とする、請求項１５に記載のマイクロスイ
ッチ接点。18. The microswitch contact of claim 15, wherein the surface of the control electrode is metallized to form the external electrical contact.
されていることを特徴とする、請求項４から１８のいずれか１項に記載のマイク
ロスイッチ接点。19. A microswitch contact according to any one of claims 4 to 18, characterized in that the surface of the bending beam is at least partially metallized.
も部分的に金属被膜されていることを特徴とする、前記請求項に記載のマイクロ
スイッチ接点。20. The microswitch contact according to the preceding claim, characterized in that the surface of the bending beam facing the anchor is at least partially metallized.
であることを特徴とする、請求項１７から２０のいずれか１項に記載のマイクロ
スイッチ接点。21. The micro switch contact according to claim 17, wherein the surface metal film is a noble metal, a base metal, or a metal alloy.
ずれかで、前記接点部、前記曲げビームおよび／または前記制御電極に形成され
ていることを特徴とする、前記請求項に記載のマイクロスイッチ接点。22. The surface metal film is formed on the contact portion, the bending beam and / or the control electrode by any one of a vapor deposition method, a sputtering method and an electrodeposition method. A microswitch contact according to the preceding claims.
点部域と可能であれば前記の制御電極域において、前記の第１接点部と可能であ
れば前記の制御電極が電気接触するための開口部を、上部から距離をおいた側面
に有していることを特徴とする、請求項４から２２のいずれか１項に記載のマイ
クロスイッチ接点。23. The substrate and, if possible, the carrier, in the first contact area and possibly in the control electrode area, at the first contact area if possible. 23. The microswitch contact according to any one of claims 4 to 22, characterized in that the control electrode has an opening for making an electrical contact on a side surface spaced from the top.
ｉＯＸ）、窒化シリコン、金属、合金、および／または、誘電体の中間層が形成
されていることを特徴とする、請求項４から２３のいずれか１項に記載のマイク
ロスイッチ接点。24. Silicon oxide (S) is formed between the carrier and the substrate.
iO X), silicon nitride, metals, alloys, and / or, wherein the intermediate layer of dielectric is formed, the micro-switch contact according to any one of claims 4 to 23.
アンカーおよび／または前記の曲げビームがダイヤモンドで形成されていること
を特徴とする、請求項４から２４のいずれか１項に記載のマイクロスイッチ接点
。25. The substrate according to claim 4, wherein the anchor and / or the bending beam are formed of diamond by a chemical vapor deposition method (CVD technique). The microswitch contact according to item 1.
ト式ＣＶＤ、および／または、熱フィラメントＣＶＤ技法により、取り付けられ
ていることを特徴とする、前記請求項に記載のマイクロスイッチ接点。26. Microswitch contact according to the preceding claim, characterized in that the diamond is attached by plasma-enhanced CVD, arc-jet CVD and / or hot-filament CVD techniques.
接点部の導電ダイヤモンド層が、少なくとも部分的に、ホウ素、窒素、サルファ
、および／または、リンでドーピング処理されたダイヤモンド層で形成されてい
ることを特徴とする、前記請求項のいずれか１項に記載のマイクロスイッチ接点
。27. The conductive diamond layer at the contact portion of the bending beam and / or the control electrode is at least partially formed of a diamond layer doped with boron, nitrogen, sulfur, and / or phosphorus. Microswitch contact according to any one of the preceding claims, characterized in that it is provided.
基板と、アンカーと、第１接点部を設ける工程と、 前記のアンカーの高さまで、前記の基板上に犠牲層を設ける工程と、 前記のアンカーおよび犠牲層上に、曲げビームおよび曲げビームに接続した第２
接点部を設ける工程と、 前記の犠牲層を除去する工程と から成ることを特徴とする、請求項４から２７のいずれか１項に記載のマイクロ
スイッチ接点の作成方法。28. A method of making a microswitch contact, comprising providing a substrate, an anchor and a first contact portion on a carrier, and providing a sacrificial layer on the substrate up to the height of the anchor. A bending beam and a second beam connected to the bending beam on the anchor and the sacrificial layer.
28. The method of making a microswitch contact according to any one of claims 4 to 27, comprising a step of providing a contact portion and a step of removing the sacrificial layer.
よび／または、ＳｉＯｘＮｙの犠牲層を形成する工程を特徴とする、前記請求項
に記載のマイクロスイッチ接点の作成方法。29. The microswitch contact according to claim 1, characterized in that it comprises the step of forming a sacrificial layer of metal, dielectric, silicon dioxide, SiO X , Si 3 N 4 and / or SiO x N y . How to make.
る、前記請求項のいずれか１項に記載のマイクロスイッチ接点の作成方法。30. A method of making a microswitch contact according to any one of the preceding claims, characterized in that the sacrificial layer is removed by etching.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012028056A (en) * | 2010-07-21 | 2012-02-09 | National Institute For Materials Science | Electromechanical switch and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6396368B1 (en) * | 1999-11-10 | 2002-05-28 | Hrl Laboratories, Llc | CMOS-compatible MEM switches and method of making |
| US6426722B1 (en) | 2000-03-08 | 2002-07-30 | Hrl Laboratories, Llc | Polarization converting radio frequency reflecting surface |
| US6812903B1 (en) | 2000-03-14 | 2004-11-02 | Hrl Laboratories, Llc | Radio frequency aperture |
| US6518931B1 (en) | 2000-03-15 | 2003-02-11 | Hrl Laboratories, Llc | Vivaldi cloverleaf antenna |
| US6483480B1 (en) | 2000-03-29 | 2002-11-19 | Hrl Laboratories, Llc | Tunable impedance surface |
| US6538621B1 (en) | 2000-03-29 | 2003-03-25 | Hrl Laboratories, Llc | Tunable impedance surface |
| US6552696B1 (en) | 2000-03-29 | 2003-04-22 | Hrl Laboratories, Llc | Electronically tunable reflector |
| US6483481B1 (en) | 2000-11-14 | 2002-11-19 | Hrl Laboratories, Llc | Textured surface having high electromagnetic impedance in multiple frequency bands |
| DE10061278B4 (en) * | 2000-12-08 | 2004-09-16 | GFD-Gesellschaft für Diamantprodukte mbH | Instrument for surgical purposes |
| US6558380B2 (en) | 2000-12-08 | 2003-05-06 | Gfd Gesellschaft Fur Diamantprodukte Mbh | Instrument for surgical purposes and method of cleaning same |
| US6740942B2 (en) | 2001-06-15 | 2004-05-25 | Hrl Laboratories, Llc. | Permanently on transistor implemented using a double polysilicon layer CMOS process with buried contact |
| US6670921B2 (en) | 2001-07-13 | 2003-12-30 | Hrl Laboratories, Llc | Low-cost HDMI-D packaging technique for integrating an efficient reconfigurable antenna array with RF MEMS switches and a high impedance surface |
| US6545647B1 (en) | 2001-07-13 | 2003-04-08 | Hrl Laboratories, Llc | Antenna system for communicating simultaneously with a satellite and a terrestrial system |
| US6739028B2 (en) | 2001-07-13 | 2004-05-25 | Hrl Laboratories, Llc | Molded high impedance surface and a method of making same |
| US6768412B2 (en) | 2001-08-20 | 2004-07-27 | Honeywell International, Inc. | Snap action thermal switch |
| JP4182861B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-11-19 | オムロン株式会社 | Contact switch and device with contact switch |
| EP1426992A3 (en) * | 2002-12-05 | 2005-11-30 | Omron Corporation | Electrostatic mems switch |
| US9466887B2 (en) | 2010-11-03 | 2016-10-11 | Hrl Laboratories, Llc | Low cost, 2D, electronically-steerable, artificial-impedance-surface antenna |
| US8994609B2 (en) | 2011-09-23 | 2015-03-31 | Hrl Laboratories, Llc | Conformal surface wave feed |
| US8982011B1 (en) | 2011-09-23 | 2015-03-17 | Hrl Laboratories, Llc | Conformal antennas for mitigation of structural blockage |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4954170A (en) * | 1989-06-30 | 1990-09-04 | Westinghouse Electric Corp. | Methods of making high performance compacts and products |
| GB9111474D0 (en) * | 1991-05-29 | 1991-07-17 | De Beers Ind Diamond | Boron doped diamond |
| US5413668A (en) * | 1993-10-25 | 1995-05-09 | Ford Motor Company | Method for making mechanical and micro-electromechanical devices |
| FR2731715B1 (en) * | 1995-03-17 | 1997-05-16 | Suisse Electronique Microtech | MICRO-MECHANICAL PART AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME |
-
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